DE102016122532A1 - Optoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Optoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem lichtemittierenden Halbleiterchip, einem Konversionselement und einem Körper. Das Konversionselement ist oberhalb einer lichtemittierenden Seite des lichtemittierenden Halbleiterchips angeordnet und in den Körper eingebettet. Auf einer von dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite des Konversionselements bedeckt eine Schicht des Körpers das Konversionselement.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
  • Bei optoelektronischen Bauelementen, die weißes Licht abgeben und auf lichtemittierenden Halbleiterchips basieren, ist es wünschenswert, einen weißen Farbeindruck des Bauelements zu erzeugen. Dies kann durch die Einbettung in ein weißes Gehäuse verwirklicht werden. Das weiße Licht wird dabei durch Konversion von blauem Licht in einem Konversionsleuchtstoff erzeugt. Dieser Konversionsleuchtstoff kann nicht weiß ausgeführt werden, sondern hat eine leicht gelbliche Färbung. Ein solches Bauelement kann beispielsweise als Blitz für eine Handy-Kamera vorgesehen sein.
  • Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement zur Verfügung zu stellen, welches bessere optische Eigenschaften beziehungsweise ein besseres Aussehen aufweist. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Herstellungsverfahren für solch ein optoelektronisches Bauelement anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird mit dem optoelektronischen Bauelement und dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.
  • Ein optoelektronisches Bauelement weist einen lichtemittierenden Halbleiterchip, ein Konversionselement und einen Körper auf. Das Konversionselement ist oberhalb einer lichtemittierenden Seite des lichtemittierenden Halbleiterchips angeordnet. Vom lichtemittierenden Halbleiterchip emittiertes Licht kann durch das Konversionselement absorbiert und in Licht mit einer größeren Wellenlänge umgewandelt werden. Das Konversionselement ist in den Körper eingebettet. Auf einer dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite des Konversionselements ist eine Schicht des Körpers vorgesehen, wobei die Schicht des Körpers das Konversionselement bedeckt. Die Schicht weist dabei eine Dicke von maximal 55 Mikrometer auf.
  • Dadurch, dass das Konversionselement auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite die Schicht des Körpers aufweist, ist der optische Eindruck des gesamten optoelektronischen Bauelements uniform und ein Betrachter erkennt keinen farblichen Unterschied zwischen Bereichen des optoelektronischen Bauelements, an denen das Konversionselement verbaut ist, verglichen mit den restlichen Bereichen des optoelektronischen Bauelements. Durch die Schichtdicke von maximal 55 Mikrometer wird nur ein geringer Anteil des vom lichtemittierenden Halbleiterchip emittierten Lichts von der Schicht absorbiert, so dass der Hauptanteil des Lichts das optoelektronische Bauelement verlässt. Das Aussehen des optoelektronischen Bauelements wird so insgesamt verbessert.
  • In einer Ausführungsform bildet der Körper ein Gehäuse. Dadurch wird eine besonders einfache Herstellung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht.
  • In einer Ausführungsform ist der Körper ein Spritzgusskörper. Dadurch wird die Herstellung des optoelektronischen Bauelements ebenfalls vereinfacht.
  • In einer Ausführungsform weist der Spritzgusskörper ein Silikon, ein Epoxid oder ein Hybrid auf, wobei ein Füllstoff in den Spritzgusskörper eingebettet ist. Insbesondere besteht der Körper aus dem Silikon, dem Epoxid oder dem Hybrid mit dem eingebetteten Füllstoff. Der Füllstoff kann dabei aus Partikeln bestehen, welche Licht, das auf das optoelektronische Bauelement fällt, streuen und so einen weißen Farbeindruck erzeugen können. Dadurch wird vorteilhafterweise ein weiß aussehendes optoelektronisches Bauelement erreicht.
  • In einer Ausführungsform ist das Silikon ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Diese beiden Silikonarten eignen sich besonders gut zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
  • In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff vorgesehen sein.
  • In einer Ausführungsform beträgt das Gewicht des Füllstoffs zwischen 10 Prozent und 90 Prozent des Gewichts des Spritzgusskörpers. Je geringer das anteilige Gewicht des Füllstoffes ist, desto geringer ist die Streuung des durch das optoelektronische Bauelement emittierten Lichts innerhalb des Spritzgusskörpers. Andererseits ist ein gewisses Mindestmaß an Streuung notwendig, damit das von außen auf das optoelektronische Bauelement fallende Licht ausreichend gestreut wird, um den weißen Farbeindruck zu erzeugen. Ein Gewichtsanteil des Füllstoffs am Spritzgusskörper zwischen 10 Prozent und 90 Prozent ist geeignet, beide Randbedingungen, also sowohl die ausreichende Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch die Reduzierung der Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen. Je größer der Anteil des Füllstoffes am Spritzgusskörper ist, desto dünner kann die das Konversionselement bedeckende Schicht ausgeführt werden.
  • In einer Ausführungsform ist die Schicht, die das Konversionselement auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite bedeckt, zwischen 15 und 55 Mikrometer dick. Eine solche Schichtdicke ist geeignet, sowohl ausreichend Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch eine möglichst kleine Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen. Sollte der Körper als Spritzgusskörper aus Silikon mit einem Füllstoff ausgeführt sein, ist bei einer 15 bis 25 Mikrometer dicken Schicht ein Füllstoff-Anteil von 90 Prozent vorteilhaft, während bei einer 45 bis 55 Mikrometer dicken Schicht ein Füllstoff-Anteil von 15 Prozent vorteilhaft ist. Je dicker die Schicht ist, desto geringer sollte also der Anteil des Füllstoffs am Gewicht des Spritzgusskörpers sein.
  • In einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements werden die folgenden Schritte nacheinander ausgeführt. Zunächst wird ein lichtemittierender Halbleiterchip, welcher ein Konversionselement auf einer lichtemittierenden Seite aufweist, mit dem aufgebrachten Konversionselement in eine Spritzgussform eingebracht. Die Spritzgussform weist dabei eine Folie zum Ausführen eines folienunterstützten Spritzgussprozesses auf. Ferner können zusätzlich zum lichtemittierenden Halbleiterchip weitere Bestandteile, wie beispielsweise Leiterrahmenabschnitte, Vias, Bonddrähte und/oder andere elektronische Bauteile eingebracht werden. Anschließend wird die Spritzgussform derart geschlossen, dass zwischen der Folie und dem Konversionselement ein Spalt bleibt. Hieran anschließend wird der lichtemittierende Halbleiterchip mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers derart umspritzt, dass der Spalt zwischen dem Konversionselement und der Folie mit dem Spritzgussmaterial aufgefüllt wird. Abschließend wird das Spritzgusswerkzeug geöffnet und das Bauteil mit dem Spritzgusskörper und dem umspritzten lichtemittierenden Halbleiterchip entnommen. Durch dieses Verfahren wird eine einfache Prozessführung und folglich eine kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht, da nur ein Spritzgussprozess innerhalb der Herstellung des optoelektronischen Bauelements durchgeführt wird.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt der Spalt zwischen der Folie und dem Konversionselement mindestens 15 Mikrometer und höchstens 55 Mikrometer.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das Spritzgussmaterial ein Silikon auf, wobei ein Füllstoff in das Silikon eingebettet ist. Dadurch entsteht ein optoelektronisches Bauelement, dessen Aussehen optimiert ist. Insbesondere kann dadurch ein weiß aussehendes optoelektronisches Bauelement erzeugt werden.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Silikon ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Ein Vergusssilikon ist dabei zunächst flüssig, wird dann innerhalb der Spritzgussform an die gewünschten Stellen um den lichtemittierenden Halbleiterchip und das Konversionselement herum gespritzt und anschließend ausgehärtet. Ein Spritzgusssilikon besteht aus zwei Komponenten, die jeweils fest sind. Durch Mischung der Komponenten verflüssigen diese und können anschließend an die gewünschten Stellen um den lichtemittierenden Halbleiterchip und das Konversionselement herum mittels Spritzgussprozess gebracht werden. Dort härtet das Silikon aufgrund des Aufbaus aus zwei Komponenten schnell aus.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Füllstoff Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff vorgesehen sein.
  • In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt das Gewicht des Füllstoffs zwischen 10 Prozent und 35 Prozent des Gewichts des Spritzgussmaterials. Je geringer das anteilige Gewicht des Füllstoffes ist, desto geringer ist die Streuung des durch das optoelektronische Bauelement emittierten Lichts innerhalb des Spritzgusskörpers. Andererseits ist ein gewisses Mindestmaß an Streuung notwendig, damit das von außen auf das optoelektronische Bauelement fallende Licht ausreichend gestreut wird, um den weißen Farbeindruck zu erzeugen. Ein Gewichtsanteil des Füllstoffs am Spritzgusskörper zwischen 10 Prozent und 35 Prozent ist geeignet, beide Randbedingungen, also sowohl die ausreichende Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch die Reduzierung der Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
    • 1 einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement;
    • 2 einen Querschnitt durch ein weiteres optoelektronisches Bauelement;
    • 3 einen Querschnitt durch eine Schicht, bestehend aus einem Silikon mit einem Füllstoff; und
    • 4 einen Querschnitt durch eine Spritzgussform während der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
  • 1 zeigt einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 100. Das optoelektronische Bauelement 100 weist einen lichtemittierenden Halbleiterchip 110 auf. Auf einer Unterseite des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist eine erste Kontaktstelle 111 angeordnet. Eine der Unterseite gegenüberliegende Seite des Halbleiterchips 110 weist eine zweite Kontaktstelle 112 auf und stellt gleichzeitig eine lichtemittierende Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 dar. Auf der lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist ein Konversionselement 120 angeordnet, welches vom lichtemittierenden Halbleiterchip 110 emittiertes Licht in Licht mit einer größeren Wellenlänge konvertieren kann.
  • Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 ist auf einem ersten Leiterrahmenanschnitt 141 angeordnet, derart, dass die erste Kontaktstelle 111 mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 in elektrischem Kontakt steht. Ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 142 ist neben dem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 so angeordnet, dass die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 sich gegenseitig nicht berühren. Ein Bonddraht 143 verbindet die zweite Kontaktstelle 112 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110, das Konversionselement 120, die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 und der Bonddraht 143 sind in einen Körper 130 eingebettet. Der Körper 130 weist dabei eine Schicht 131 auf, die eine dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandte Seite 121 des Konversionselements 120 bedeckt.
  • Da das Konversionselement 120 auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandten Seite 121 die Schicht 131 des Körpers 130 aufweist, ist der optische Eindruck des gesamten optoelektronischen Bauelements 100 gleichmäßig und ein Betrachter erkennt keinen farblichen Unterschied zwischen Bereichen des optoelektronischen Bauelements 100, an denen das Konversionselement 120 verbaut ist, verglichen mit den restlichen Bereichen des optoelektronischen Bauelements 100. Die Schicht 131 ist dabei maximal 55 Mikrometer dick.
  • Der Körper kann eine weiße Farbe aufweisen. Durch die Schicht 131 ist das Konversionselement 120 vollständig in den Körper 130 eingebettet, so dass ein nicht weißes Konversionselement 120 den weißen Farbeindruck des optoelektronischen Bauelements 100 nicht beeinträchtigt.
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100, bei dem der lichtemittierende Halbleiterchip 110 als Flip-Chip ausgeführt ist. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 weist eine erste Kontaktierungsstelle 111 und eine zweite Kontaktierungsstelle 112 auf, die einer lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 gegenüberliegen. Die erste Kontaktierungsstelle 111 steht in direktem Kontakt zu einem ersten Leiterrahmenabschnitt 141, während die zweite Kontaktierungsstelle 142 in direktem Kontakt zu einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142 steht.
  • Auf der lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist wiederum ein Konversionselement 130 angeordnet. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110, das Konversionselement 120 und die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 sind in einen Körper 130 eingebettet. Der Körper 130 weist dabei eine Schicht 131 auf, die eine dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandte Seite 121 des Konversionselements 120 bedeckt. Die Schicht 131 ist ebenfalls maximal 55 Mikrometer dick.
  • Durch die Schicht 131 wird wiederum ein gleichmäßiger Farbeindruck des optoelektronischen Bauelements 100 erzeugt.
  • Die Ausführungsbeispiele der 1 und 2 unterscheiden sich also nur nach der Art des verbauten lichtemittierenden Halbleiterchips 110, wobei das Aussehen der beiden optoelektronischen Bauelemente 100 ähnlich ist, und insbesondere beide Ausführungsbeispiele einen uniformen Farbeindruck aufweisen.
  • In einem Ausführungsbeispiel bildet der Körper 130 ein Gehäuse. In einem Ausführungsbeispiel ist der Körper 130 ein Spritzgusskörper.
  • 3 zeigt einen Querschnitt durch eine Vergrößerung der Schicht 131 des Körpers 130, wobei der Körper 130 ein Spritzgusskörper ist und ein Silikon 132 mit einem Füllstoff 133 aufweist. Der Füllstoff 133 ist dabei in das Silikon 132 eingebettet. Die mechanischen Eigenschaften des Körpers 130 werden durch das Silikon 132 bestimmt, während die optischen Eigenschaften des Körpers 130 durch den Füllstoff 133 bestimmt werden. Insbesondere kann der Füllstoff 133 eine weiße Farbe aufweisen, so dass das optoelektronische Bauelement 100 einen weißen Farbeindruck aufweist.
  • In einem Ausführungsbeispiel ist das Silikon 132 ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff 133 vorgesehen sein.
  • Anstelle des Silikons 132 kann auch ein Epoxid oder ein Hybrid als Material für den Spritzgusskörper vorgesehen sein. Der Füllstoff 133, bestehend aus Titanoxid-, Aluminiumoxid und/oder Siliziumdioxid-Partikeln, ist dann ebenfalls in den Spritzgusskörper eingebettet.
  • In einem Ausführungsbeispiel beträgt das anteilige Gewicht des Füllstoffs 133 am Körper 130 zwischen 10 und 90 Prozent.
  • In einem Ausführungsbeispiel ist die Schicht 131 zwischen 15 und 55 Mikrometer dick. Dabei kann insbesondere ein Füllstoffgehalt von 90 Prozent des Gewichts bei einer Schichtdicke von 15 Mikrometern oder ein Füllstoffgehalt von 10 Prozent des Gewichts bei einer Schichtdicke von 55 Mikrometern vorgesehen sein.
  • 4 zeigt einen Querschnitt durch eine Spritzgussform 151, 152 während eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. Ein lichtemittierender Halbleiterchip 110, der dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 der 2 entspricht, ist auf einem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142 analog zu 2 angeordnet. Auf einer lichtemittierenden Seite 113, die den Leiterrahmenabschnitten 141, 142 gegenüberliegt, ist ein Konversionselement 120 angeordnet. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 mit dem Konversionselement 120 und den Leiterrahmenabschnitten 141, 142 ist auf einer unteren Spritzgussform 151 angeordnet. Eine obere Spritzgussform 152 weist eine Folie 153 auf, wodurch ein folienunterstützter Spritzgussprozess ermöglicht wird. Dadurch kann ein Spritzgussmaterial leichter von der oberen Spritzgussform 152 gelöst werden. Außerdem weist die Folie 153 eine gewisse Flexibilität auf, so dass der Spritzgussprozess ebenfalls vereinfacht wird.
  • Ein weiterer lichtemittierender Halbleiterchip 110 mit Konversionselement 120 und Leiterrahmenabschnitten 141, 142 ist ebenfalls in der Spritzgussform 151, 152 angeordnet.
  • Die obere Spritzgussform 152 wird auf die untere Spritzgussform 151 beim Schließen der Spritzgussform 151, 152 derart zubewegt, dass ein Spalt 154 zwischen der Folie 153 und dem Konversionselement 120 bleibt.
  • Nun können Freiräume 155 und die Spalte 154 innerhalb der Spritzgussform 151, 152, also alle nicht von den lichtemittierenden Halbleiterchips 110 mit Konversionselementen 120 und Leiterrahmenabschnitten 141, 142 belegten Stellen innerhalb der Spritzgussform 151, 152 mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers aufgefüllt werden. Anschließend kann die Spritzgussform 151, 152 wieder geöffnet werden und der Spritzgusskörper entnommen werden. Wenn nur ein lichtemittierender Halbleiterchip 110 in der Spritzgussform 151, 152 angeordnet war, wird dabei schon das optoelektronische Bauteil der 2 entnommen, bei mehreren lichtemittierenden Halbleiterchips 110 in der Spritzgussform 151, 152 können die optoelektronischen Bauteile 100 durch Vereinzelung erhalten werden.
  • Analog kann auch das optoelektronische Bauelement der 1 erzeugt werden.
  • In einem Ausführungsbeispiel ist der Spalt 154 zwischen 15 und 55 Mikrometer breit. Dadurch wird die Schicht 131 der optoelektronischen Bauelemente 100 der 1 und 2 15 bis 55 Mikrometer dick.
  • In einem Ausführungsbeispiel weist das Spritzgussmaterial ein Silikon 132 auf, in das ein Füllstoff 133 eingebettet ist. Insbesondere besteht das Spritzgussmaterial aus dem Silikon 132, in das der Füllstoff 133 eingebettet ist.
  • In einer Ausführungsform ist das Silikon 132 ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Ein Vergusssilikon ist dabei zunächst flüssig, wird dann innerhalb der Spritzgussform 151, 152 in die Freiräume 155 und Spalte 154 um den lichtemittierenden Halbleiterchip 110 und das Konversionselement 120 herum gespritzt und anschließend ausgehärtet. Ein Spritzgusssilikon kann aus zwei Komponenten, die jeweils fest sind, bestehen. Durch Mischung der Komponenten verflüssigen die Komponenten und können dann für das Spritzgussverfahren verwendet werden. Alternativ können die Komponenten flüssig sein. Das Spritzgusssilikon wird in die Freiräume 155 und Spalte 154 um den lichtemittierenden Halbleiterchip 110 und das Konversionselement 120 herum mittels Spritzgussprozess gebracht.
  • Dort härtet das Silikon 132 aufgrund des Aufbaus aus zwei Komponenten schnell aus.
  • In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff 133 vorgesehen sein.
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    Optoelektronisches Bauelement
    110
    lichtemittierender Halbleiterchip
    111
    erste Kontaktstelle
    112
    zweite Kontaktstelle
    113
    lichtemittierende Seite
    120
    Konversionselement
    121
    dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandte Seite
    130
    Körper
    131
    Schicht
    132
    Silikon
    133
    Füllstoff
    141
    erster Leiterrahmenabschnitt
    142
    zweiter Leiterrahmenabschnitt
    143
    Bonddraht
    151
    untere Spritzgussform
    152
    obere Spritzgussform
    153
    Folie
    154
    Spalt
    155
    Freiraum

Claims (15)

  1. Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend einen lichtemittierenden Halbleiterchip (110), ein Konversionselement (120) und einen Körper (130), wobei das Konversionselement (120) oberhalb einer lichtemittierenden Seite (113) des lichtemittierenden Halbleiterchips (110) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (120) in den Körper (130) eingebettet ist, wobei auf einer von dem lichtemittierenden Halbleiterchip (110) abgewandten Seite (121) des Konversionselements (120) eine Schicht (131) des Körpers (130) das Konversionselement (120) bedeckt, wobei die Schicht (131) eine Dicke von maximal 55 Mikrometer aufweist.
  2. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei der Körper (130) ein Gehäuse bildet.
  3. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der Körper (130) ein Spritzgusskörper ist.
  4. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 3, wobei der Spritzgusskörper ein Silikon (132), ein Epoxid und/oder ein Hybrid aufweist, wobei ein Füllstoff (133) in den Spritzgusskörper eingebettet ist.
  5. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 4, wobei der Spritzgusskörper Silikon (132) aufweist, wobei das Silikon (132) ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon ist.
  6. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei der Füllstoff (133) Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.
  7. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei der Füllstoff (133) Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.
  8. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei der Füllstoff (133) Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.
  9. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 bis 8, wobei das Gewicht des Füllstoffs (133) 10 Prozent bis 90 Prozent des Gewichts des Spritzgusskörpers beträgt.
  10. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die das Konversionselement (120) bedeckende Schicht des Körpers (130) zwischen 15 und 55 Mikrometer dick ist.
  11. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: - Einbringen eines lichtemittierenden Halbleiterchips (110), welcher ein Konversionselement (120) auf einer lichtemittierenden Seite (113) aufweist, mit dem aufgebrachten Konversionselement (120) in eine Spritzgussform (151, 152), wobei die Spritzgussform (151, 152) eine Folie (153) zum Ausführen eines folienunterstützten Spritzgussprozesses aufweist; - Schließen der Spritzgussform (151, 152) derart, dass zwischen der Folie (153) und dem Konversionselement (120) ein Spalt (154) bleibt; - Umspritzen des lichtemittierenden Halbleiterchips (110) mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers derart, dass der Spalt (154) zwischen dem Konversionselement (120) und der Folie (153) mit dem Spritzgussmaterial aufgefüllt wird; - Öffnen des Spritzgusswerkzeugs (151, 152) und Entnahme des optoelektronischen Bauteils (100) mit dem Spritzgusskörper und dem umspritzten lichtemittierenden Halbleiterchip (110).
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Spalt (154) zwischen 15 und 55 Mikrometer breit ist.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei das Spritzgussmaterial ein Silikon (132) aufweist, wobei ein Füllstoff (133) in das Silikon (132) eingebettet ist.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Silikon (132) ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon ist.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, wobei der Füllstoff (133) Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer und/oder Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer und/oder Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.
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