DE102016117776A1 - Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter Download PDFInfo
- Publication number
- DE102016117776A1 DE102016117776A1 DE102016117776.8A DE102016117776A DE102016117776A1 DE 102016117776 A1 DE102016117776 A1 DE 102016117776A1 DE 102016117776 A DE102016117776 A DE 102016117776A DE 102016117776 A1 DE102016117776 A1 DE 102016117776A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- electrically conductive
- electrically
- electrically insulating
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 22
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000110 selective laser sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter durch Urformen eines elektrisch leitfähigen Materials, das den Halbleiter kontaktiert, und einem elektrisch isolierenden Material, das den Halbleiter und das elektrisch leitfähige Material zumindest teilweise umgibt.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter.
- Leistungskomponenten werden typischerweise auf Substraten montiert, die einen isolierenden Träger (oft Keramik) und eine Metallschicht enthalten, die zur Bildung eines elektrischen Schaltkreises strukturiert ist.
- Die Leistungskomponenten werden üblicherweise mittels Hilfsverbindungsmaterialien (z. B. Lötmittel, Klebstoffe oder Sinterpasten) an der strukturierten Metalloberfläche befestigt, wobei die Leistungsbaugruppen auch für Isolationszwecke und zum Schützen der Baugruppen umhüllt sind.
- Derartige Umhüllungen können beispielsweise aus einer Rahmenstruktur mit einem Deckel bestehen, die zumindest teilweise mit einer weichen Silikonverbindung gefüllt ist oder bei der die Leistungsbaugruppe zumindest teilweise von einem festen elektrisch isolierenden Material (als Vergussmasse bezeichnet) umgeben ist. Dabei wird in dem zuletzt angegebenen Fall die äußere Gehäuseform in erster Linie durch das Werkzeugdesign des Formwerkzeuges bestimmt.
- Alle bekannten Lösungen haben gemeinsam, dass verschiedene Funktionen (elektrische Leitfähigkeit, Wärmeleitung, mechanischer Schutz, Trägerfunktion etc.) mit extrem unterschiedlichen Materialien etabliert werden, die zusätzlich durch sehr komplexe Prozesse miteinander verbunden sind.
- Daher ist eine solche Leistungsbaugruppe in ihrer Zusammensetzung und in Bezug auf die gewünschten Eigenschaften sehr inhomogen. Dabei ist beispielsweise die Wärmeleitfähigkeit in Richtung der Unterseite der Leistungsbaugruppe zum Kühler besonders ausgeprägt, jedoch nicht in andere Richtungen.
- Darüber hinaus machen die verschiedenen Materialien und Hilfsverbindungsmaterialien eine sehr große Anzahl von sehr spezialisierten Verarbeitungsschritten erforderlich und halten sie unter Kontrolle. Dies betrifft beispielsweise auch die Verfahren, die zum Herstellen von keramischen Schaltungsträgern, wie direkt kupfergebundenen (DCB) Trägern, dienen.
- Daher besteht der Zweck der Erfindung darin, die Anzahl von Materialien, die für die Herstellung der Leistungsbaugruppen verwendet werden, zu verringern und die für ihre Verarbeitung erforderlichen Schritte zu minimieren, wodurch eine homogene Leistungsbaugruppe im größtmöglichen Umfang in Bezug auf deren Eigenschaften gebildet wird.
- Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche stellen vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung dar.
- Grundgedanke der Erfindung ist es, eine Umhüllung von (Leistungs-)Bauelementen zu schaffen, die aus Kunststoffen (Polymeren) besteht, welche thermisch leitfähig oder elektrisch und thermisch leitfähig gefüllt sind. Dabei übernimmt das elektrisch und gleichermaßen thermisch leitfähig gefüllte Polymer die Aufgabe, das (Leistungs-)Bauelement elektrisch zu kontaktieren und elektrisch leitfähige Pfade in dessen Umhüllung zu bilden. Das thermisch leitfähig gefüllte, jedoch elektrisch isolierende Polymer übernimmt einerseits eine elektrisch isolierende Trägerfunktion für das (Leistungs-)Bauelement und die elektrisch leitenden Kontakte bzw. Pfade. Andererseits um hüllt dieses Polymer das (Leistungs-)Bauelement und die elektrisch leitenden Kontakte bzw. Pfade derart, dass die in den (Leistungs-)Bauelementen und den elektrisch leitenden Kontakten bzw. Pfaden generierte Verlustleistungswärme von ihrer Quelle über die äußere Umhüllung abtransportiert wird.
- Das Leistungsbauelement (oder -elemente) wird mit einem durch Spritzgießen, 3D-Drucken, durch Heißprägung oder durch andere Verfahren hergestellten elektrisch leitfähigen Netz aus einem elektrisch leitfähig gefüllten Kunststoff (Polymer) verbunden. Das Netz erfüllt die elektrische Funktion eines Schaltungsträgers, ähnlich wie es ein Stanzgitter (oder Leadframe) täte. Die gegebenenfalls oberseitig auf dem Leistungsbauelement angebrachten Kontakte werden ebenfalls durch einen derartigen elektrisch leitfähigen Kunststoff gebildet, wobei das gleiche Herstellungsverfahren (Spritzgießen, 3D-Drucken, Heißprägung oder andere Verfahren) angewendet wird.
- Elektrisch zu isolierende Strukturen werden aus einem thermisch leitfähig gefüllten, jedoch elektrisch isolierenden Kunststoff gebildet. Bevorzugt handelt es sich bei den verwendeten Kunststoffen um Kunststoffe sehr ähnlicher oder gleicher Zusammensetzung. Diese unterscheiden sich in ihren Haupteigenschaften nur durch unterschiedliche Füllstoffe.
- Metallische Füllstoffe würden eine besonders hohe elektrische und zugleich thermische Leitfähigkeit ergeben. Beispielsweise würden keramische Füllstoffe (wie Aluminiumnitrid oder Bornitrid) jedoch für eine hohe Wärmeleitfähigkeit sorgen und zugleich elektrisch isolierend wirken.
- Die Reihenfolge der Anwendung von elektrisch leitfähigen und elektrisch isolierenden (jedoch stets thermisch hochleitfähigen) Kunststoffen wird je nach Ausführungsform der Erfindung gewählt. Dieses soll im Folgenden dargestellt werden:
Ausgangspunkt für eine thermisch und teilweise elektrisch leitfähig umhüllte Leistungsbaugruppe kann ein durch eines der vorgenannten Herstellungsverfahren (Spritzgießen, 3D-Drucken, Heißprägung oder andere Verfahren) hergestellter Baugruppenträger (oder auch ein Substrat) sein. Dieser kann hinsichtlich seiner Formgebung und seiner Funktionen frei gewählt werden: so ist beispielsweise die Integration einer Kühlfunktion in den Baugruppenträger möglich oder eine 3-dimensionale Schaltungsstruktur kann besondere Funktionen der Systembaugruppe erfüllen (3-D MID; Molded Interconnect Device). Der oder die Leistungshalbleiter können entweder mit eingespritzt oder bedruckt werden oder sie können nachträglich durch Einprägen in den Kunststoff („Hot Embossing“) mit diesem verbunden werden. In allen diesen Fällen wird die direkte Haftung und „klebende“ Verbindung zwischen dem Leistungshalbleiter und dem Kunststoff genutzt ohne dass notwendigerweise ein zusätzlicher Verbindungshilfsstoff verwendet werden muss. Sollte ein Verbindungshilfsstoff genutzt werden, könnte dieser bevorzugt aus demselben Kunststoff gegebenenfalls mit anderen Füllstoffen oder anderem Füllgrad bestehen. - In einer sehr effektiven Variante können alle Kontakte des Leistungshalbleiters auf dessen Unterseite angeordnet sein (Flip Chip Kontaktierung). Dann würde sich eine Kontaktierungsebene auf der zweiten Hauptseite des Leistungshalbleiters erübrigen. Diese Bauform könnte z. B. bei lateralen Leistungsbauelementen, wie sie in Form von GaN-Bauelementen bekannt sind, genutzt werden.
- Eine weitere Ausgestaltungsvariante kann auf dem o. g. Ausgangspunkt aufsetzen und durch weitere Umhüllung mit einem thermisch leitfähigen, elektrisch isolierenden Kunststoff für eine optimale Wärmeableitung aus dem Leistungshalbleiter sorgen. Der Kunststoff ist idealerweise wieder der gleiche wie der im Substrat verwendete Kunststoff.
- Sollte der Leistungshalbleiter auf beiden Hauptseiten einen elektrischen Kontakt benötigen kann eine abwechselnde Folge von elektrisch leitfähigen und elektrisch isolierenden Schichten des Kunststoffes genutzt werden. Beispielhaft sei zur Erläuterung angeführt, dass ein Systemträger aus einem thermisch leitfähigen, elektrisch isolierenden Kunststoff geformt wird, der Kühlerstrukturen (für Luft- oder Flüssigkeitskühlung) enthält und gleichzeitig Gehäusefunktionen für die Systembaugruppe übernehmen kann. Auf diesen Träger wird ein elektrisch leitfähiger Kunststoff aufgebracht, welcher in der gewünschten Weise strukturiert ist, um die elektrische Schaltungsfunktion abzubilden. Die Leistungsbauelemente werden entweder direkt darauf angebracht, solange der Kunststoff noch nicht vernetzt ist (z. B. könnten die Halbleiter eingespritzt werden) oder die Leistungsbauelemente werden nachträglich durch Einprägen dort eingebracht. Anschließend wird wieder eine Lage elektrisch isolierenden Kunststoffs aufgebracht. Dieser wird ggf. so strukturiert, dass oberseitige Kontakte des Halbleiters zugänglich bleiben. In einer weiteren Lage werden diese Kontakte dann mit einem elektrisch leitfähigen Polymer kontaktiert. Zum Abschluss kann eine elektrisch Isolierende Schicht von Kunststoff für die Gehäuseisolierung sorgen. Außenkontakte der Baugruppe werden jedoch durch nach außen geführte leitfähige Pfade des elektrisch leitfähigen Kunststoffes gebildet.
- In einer besonders radikalen Ausgestaltungsvariante wird der Leistungshalbleiter selbst aus unterschiedlich leitenden bzw. halbleitenden Kunststoffschichten hergestellt und von elektrisch leitenden und elektrisch nicht leitenden Kunststoffschichten umgeben.
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter durch Urformen eines elektrisch leitfähigen Materials, das den Halbleiter kontaktiert, und eines elektrisch isolierenden Materials, das den Halbleiter und das elektrisch leitfähige Material zumindest teilweise umgibt.
- Alle Herstellungsverfahren werden hier als Urformen verstanden, bei denen ein Festkörper aus einem formlosen Material hergestellt wird. Alle Grundstoffe können in flüssigem, gasförmigem, körnigem oder pulverförmigem Zustand eingesetzt werden, so dass sie hinsichtlich ihres rheologischen Verhaltens variieren. Durch die verschiedenen Kombinationen einzelner Methoden wird zwischen der Elektroform-, Pulvermetallurgie- und Gießtechnik unterschieden. Darüber hinaus gehört auch das Rapid Prototyping zu den primären Methoden – Beispiele hierfür sind das Fused Deposition Modeling (FDM), die laminierte Objektherstellung (laminated object manufacturing: LOM), die Multi-Jet-Modellierung (multi-jet modelling MJM), das selektive Laserschmelzen, das selektive Lasersintern (SLS).
- Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform werden das Urformen des elektrisch leitfähigen Materials, das mit den Halbleiter kontaktiert, und das Urformen des elektrisch isolierenden Materials mittels des gleichen primären Urformverfahrens durchgeführt.
- Vorzugsweise erfolgt das Urformen mittels Spritzgießen, Rapid Prototyping und/oder Heißprägen.
- Weiterhin ist das elektrisch leitfähige Material und/oder das elektrisch isolierende Material vorzugsweise ein Polymer.
- Einerseits ist besonders bevorzugt, dass das elektrisch leitfähige Material ein Polymer mit einem metallischen Füllstoff ist.
- Andererseits ist besonders bevorzugt, dass das elektrisch isolierende Material ein Polymer mit einem keramischen Füllstoff ist.
- Weitern ist besonders bevorzugt, dass das elektrisch isolierende Material auch wärmeleitend ist.
- Schließlich wird der Halbleiter vorzugsweise durch Urformen verschiedener elektrisch leitfähiger Materialien und eines elektrisch isolierenden Materials hergestellt, wobei besonders bevorzugt ist, dass die Herstellung des Halbleiters und die Herstellung der Leistungsbaugruppe in einem Schritt erfolgt.
- Die Erfindung wird im Folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen kurz erläutert.
- Als ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel zeigt
1 eine mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellte Leistungsbaugruppe. Die Leistungsbaugruppe100 weist auf ihrer Oberseite und ihrer Unterseite jeweils einen als Abschlussplatte10 ,40 ausgebildeten flächigen Abschnitt auf, der insbesondere elektrisch nicht leitend ausgebildet ist und ebenfalls durch Urformen hergestellt sein kann. Die Abschlussplatten10 ,40 können insbesondere Teil des Gehäuses sein und auf ihren Oberflächen in das Innere des Leistungsbausteins100 führende elektrische Kontaktierungen aufweisen (nicht dargestellt). - Im Inneren des Leistungsbaugruppe
100 ist ein Halbleiter50 zu erkennen, der auf seiner Ober- und seiner Unterseite von einem elektrisch leitfähigen Werkstoff20 kontaktiert ist. An die Seiten des Halbleiters50 und an den oberen und den unteren Bereich des elektrisch leitfähigen Werkstoffs20 grenzt ein elektrisch nicht leitender Werkstoff30 an, der besonders bevorzugt thermisch leitend ist. - Beide Werkstoffe
20 ,30 sind mit einem Urformverfahren, beispielsweise durch ein im Rapid Prototyping verwendetes Verfahren behandelt und ausgeformt. - Die Erfindung eröffnet ein neues Herstellungsverfahren und die Auslegung von Strukturen, die mit herkömmlichen Verfahren nicht realisierbar sind.
-
2 stellt das allgemeine Konzept der Erfindung kurz dar. In einem ersten Schritt200 wird ein Halbleiter bereitgestellt. In einem zweiten Schritt werden das Urformen eines elektrisch leitfähigen Materials, das mit dem Halbleiter verbunden ist, und das Urformen eines elektrisch isolierenden Materials, das den Halbleiter und das elektrisch leitfähige Material zumindest teilweise umgibt, durchgeführt.
Claims (9)
- Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter durch Urformen eines elektrisch leitfähigen Materials, das den Halbleiter kontaktiert, und eines elektrisch isolierenden Materials, das den Halbleiter und das elektrisch leitfähige Material zumindest teilweise umgibt.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Urformen des den Halbleiter kontaktierenden elektrisch leitfähigen Materials und das Urformen des elektrisch isolierenden Materials mittels des gleichen Urformverfahrens erfolgen.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Urformen mittels Spritzgießen, Rapid Prototyping und/oder Heißprägen erfolgt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch leitfähige Material und/oder das elektrisch isolierende Material ein Polymer ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch leitfähige Material ein Polymer mit einem metallischen Füllstoff ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch isolierende Material ein Polymer mit einem keramischen Füllstoff ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch isolierende Material auch wärmeleitend ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter durch Urformen verschiedener elektrisch leitfähiger Materialien und einem elektrisch isolierenden Material hergestellt ist.
- Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung des Halbleiters und die Herstellung der Leistungsbaugruppe in einem Schritt erfolgen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016117776.8A DE102016117776A1 (de) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016117776.8A DE102016117776A1 (de) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102016117776A1 true DE102016117776A1 (de) | 2017-10-05 |
Family
ID=59885684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016117776.8A Ceased DE102016117776A1 (de) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102016117776A1 (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160144572A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-05-26 | Nascent Objects, Inc. | Methods for generating 3d printed substrates for electronics assembled in a modular fashion |
US20160193785A1 (en) * | 2015-01-02 | 2016-07-07 | Voxel8, Inc. | 3d printer for printing a plurality of material types |
US20160218287A1 (en) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | The Trustees Of Princeton University | 3d printed active electronic materials and devices |
-
2016
- 2016-09-21 DE DE102016117776.8A patent/DE102016117776A1/de not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160144572A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-05-26 | Nascent Objects, Inc. | Methods for generating 3d printed substrates for electronics assembled in a modular fashion |
US20160193785A1 (en) * | 2015-01-02 | 2016-07-07 | Voxel8, Inc. | 3d printer for printing a plurality of material types |
US20160218287A1 (en) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | The Trustees Of Princeton University | 3d printed active electronic materials and devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1772900B1 (de) | Herstellungsverfahren einer Anordnung mit Leistungshalbleiterbauelementen, welches einen Schritt Drucksintern beinhaltet | |
DE102009045063C5 (de) | Leistungshalbleitermodul mit angespritztem Kühlkörper, Leistungshalbleitermodulsystem und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
DE112011103926B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102015102884A1 (de) | Verfahren zum Packen eines Halbleiterchips unter Verwendung eines 3D-Druckprozesses sowie Halbleiterpaket mit abgewinkelten Oberflächen | |
DE102015121044B4 (de) | Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend | |
DE102009039227B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE102008061636A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
EP2387477A1 (de) | Sinterwerkstoff, sinterverbindung sowie verfahren zum herstellen einer sinterverbindung | |
DE102010030170A1 (de) | Steuergerät | |
DE102015101561B4 (de) | Halbleiterpaket und verfahren zur herstellung eines halbleiterpakets | |
DE102013103920B4 (de) | Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Verwenden eines B-Zustand härtbaren Polymers | |
DE102014107909A1 (de) | Leiterplatten und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102012212968A1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element | |
DE102015109186A1 (de) | Halbleiteranordnung, Halbleitersystem und Verfahren zur Ausbildung einer Halbleiteranordnung | |
DE112014006653B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE102015107109B4 (de) | Elektronische Vorrichtung mit einem Metallsubstrat und einem in einem Laminat eingebetteten Halbleitermodul | |
EP2903042A1 (de) | Thermoelektrisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Moduls | |
DE102016103585A1 (de) | Chip-Integrierendes Package mit Lötbarem Elektrischen Kontakt | |
DE102013217801A1 (de) | Halbleiteranordnung, verfahren zur herstellung einer anzahl von chipbaugruppen, verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und verfahren zum betrieb einer halbleiteranordnung | |
DE102015120109A1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit einer einen Leistungshalbleiter bedeckenden Glob-Top-Vergussmasse | |
DE102011053099A1 (de) | Verfahren zum Füllen eines Kontaktlochs in einer Chip-Gehäuse-Anordnung und Chip-Gehäuse-Anordnungen | |
DE102014116941A1 (de) | Halbleiterchip mit elektrisch leitfähiger Schicht | |
EP3291654A1 (de) | Steuermodul für ein fahrzeug | |
DE102016117776A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Leistungsbaugruppe mit einem Halbleiter | |
DE102014203306A1 (de) | Herstellen eines Elektronikmoduls |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE |
|
R230 | Request for early publication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |