DE102016105582A1 - Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Aufbringen von Halbleiterchips (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterchips (2) lateral zueinander beabstandet und zur Emission von Strahlung befähigt sind, C) Bereitstellen eines Verbundträgers (3), D) Formen des Verbundträgers (3) mittels eines Formwerkzeugs (4), E) Verpressen des Verbundträgers (3) und des Substrats (1), so dass ein Reflexionselement (6) ausgeformt wird, – wobei das Reflexionselement (6) zumindest ein Fluorpolymer (7) umfasst, das die Struktureinheit A der folgenden allgemeinen Formel umfasst:– wobei das Reflexionselement (6) lateral zu den Halbleiterchips (2) und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat (1) abgewandten Oberfläche (22) der Halbleiterchips (2) angeordnet ist, und F) Vereinzeln der Halbleiterchips (2).The invention relates to a method for producing an optoelectronic component, comprising the steps of: A) providing a substrate (1), B) applying semiconductor chips (2) to the substrate (1), wherein the semiconductor chips (2) are laterally spaced apart and emit C) providing a composite carrier (3), D) shaping the composite carrier (3) by means of a forming tool (4), E) pressing the composite carrier (3) and the substrate (1) so that a reflection element (6 ), wherein the reflection element (6) comprises at least one fluoropolymer (7) comprising the structural unit A of the following general formula: - wherein the reflection element (6) is lateral to the semiconductor chips (2) and at least partially on the substrate (1) facing away from the surface (22) of the semiconductor chips (2), and F) separating the semiconductor chips (2).

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. Ferner betrifft die Erfindung ein optoelektronisches Bauelement. The invention relates to a method for producing an optoelectronic component. Furthermore, the invention relates to an optoelectronic component.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements bereitzustellen, das leicht durchführbar ist. Ferner ist Aufgabe der Erfindung, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das sich durch eine besonders hohe Stabilität und eine lange Lebensdauer auszeichnet. Insbesondere ist das Bauelement für Strahlung aus dem UV- und/oder blau-emittierenden Bereich stabil. Zudem weist insbesondere das Bauelement einen kompakten Aufbau auf. An object of the invention is to provide a method for producing an optoelectronic component that is easy to carry out. It is another object of the invention to provide an optoelectronic device, which is characterized by a particularly high stability and a long service life. In particular, the component is stable for radiation from the UV and / or blue-emitting region. In addition, in particular, the device has a compact construction.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß dem Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Ferner wird diese Aufgabe durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß dem Anspruch 14 gelöst. These objects are achieved by a method for producing an optoelectronic component according to claim 1. Advantageous embodiments and modifications of the invention are the subject of the dependent claims. Furthermore, this object is achieved by an optoelectronic component according to claim 14.

In zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements die Schritte:

  • A) Bereitstellen eines Substrats, insbesondere temporären Substrats,
  • B) Aufbringen von Halbleiterchips auf das Substrat, wobei die Halbleiterchips lateral zueinander beabstandet und zur Emission von Strahlung befähigt sind,
  • C) Bereitstellen eines Verbundträgers,
  • D) Formen des Verbundträgers mittels eines Formwerkzeugs,
  • E) Verpressen des Verbundträgers und des Substrats, sodass ein Reflexionselement ausgeformt wird, wobei das Reflexionselement zumindest ein Fluorpolymer umfasst oder daraus besteht, wobei das Reflexionselement lateral zu den Halbleiterchips und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat abgewandten Oberfläche der Halbleiterchips angeordnet ist und insbesondere die Halbleiterchips umgibt, und
  • F) Vereinzeln der Halbleiterchips.
In at least one embodiment, the method for producing an optoelectronic component comprises the steps:
  • A) providing a substrate, in particular a temporary substrate,
  • B) applying semiconductor chips to the substrate, wherein the semiconductor chips are laterally spaced apart and capable of emitting radiation,
  • C) providing a composite carrier,
  • D) shaping the composite support by means of a molding tool,
  • E) pressing the composite support and the substrate, so that a reflection element is formed, wherein the reflection element comprises at least one fluoropolymer or consists thereof, wherein the reflection element is arranged laterally to the semiconductor chips and at least partially on the surface facing away from the substrate of the semiconductor chips and in particular the semiconductor chips surrounds, and
  • F) singulating the semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt A) auf, Bereitstellen eines Substrats. Das Substrat kann beispielsweise ein oder mehrere Materialien in Form einer Schicht, einer Platte, einer Folie oder einem Laminat aufweisen, die ausgewählt sind aus Glas, Quarz, Kunststoff, Metall, Siliziumwafer. Insbesondere weist das Substrat Glas, einen thermoplastischen Kunststoff oder einen lösbaren Klebstoff auf oder besteht daraus. In accordance with at least one embodiment, the method comprises a step A), providing a substrate. The substrate may comprise, for example, one or more materials in the form of a layer, a plate, a foil or a laminate, which are selected from glass, quartz, plastic, metal, silicon wafers. In particular, the substrate comprises or consists of glass, a thermoplastic or a releasable adhesive.

Das Substrat ist vorzugsweise temporär ausgestaltet. Mit anderen Worten wird das Substrat in einem späteren Verfahrensschritt wieder entfernt, sodass es nicht Bestandteil des fertigen optoelektronischen Bauelements ist. The substrate is preferably designed temporarily. In other words, the substrate is removed again in a later method step, so that it is not part of the finished optoelectronic component.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist dieses einen Schritt B) auf, Aufbringen von Halbleiterchips auf das Substrat, wobei die Halbleiterchips lateral zueinander beabstandet sind und zur Emission von Strahlung eingerichtet sind. Insbesondere werden mehrere Halbleiterchips auf einem Substrat, beispielsweise einem Wafer, aufgebracht. In accordance with at least one embodiment of the method, the latter has a step B) of applying semiconductor chips to the substrate, wherein the semiconductor chips are laterally spaced apart from one another and are set up to emit radiation. In particular, a plurality of semiconductor chips are applied to a substrate, for example a wafer.

Dass eine Schicht, eine Folie oder ein Element „auf“ oder „über“ einer anderen Schicht, Folie oder einem anderen Element angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht, Folie oder das eine Element unmittelbar in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt auf der anderen Schicht, Folie oder dem anderen Element angeordnet ist. Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht, Folie oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht, Folie oder dem anderen Element angeordnet ist. Dabei können dann weitere Schichten, Folien und/oder Elemente zwischen der einen und der anderen Schicht bzw. Folie beziehungsweise zwischen dem einen und dem anderen Element angeordnet sein. The fact that a layer, a film or an element is arranged or applied "on" or "above" another layer, film or another element may mean here and below that the one layer, film or element is directly in direct mechanical and / or electrical contact on the other layer, foil or the other element is arranged. Furthermore, it can also mean that one layer, film or one element is arranged indirectly on or over the other layer, foil or the other element. In this case, further layers, films and / or elements can then be arranged between the one and the other layer or film or between the one and the other element.

Der Halbleiterchip weist mindestens eine Halbleiterschichtenfolge auf. Bei der Halbleiterschichtenfolge handelt es sich bevorzugt um ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Das Halbleitermaterial kann bevorzugt auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basieren. "Auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise InxAlyGa1-x-yN, umfasst, wobei 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des The semiconductor chip has at least one semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence is preferably a III-V compound semiconductor material. The semiconductor material may preferably be based on a nitride compound semiconductor material. "Based on a nitride compound semiconductor material" in the present context means that the semiconductor layer sequence or at least one layer thereof comprises a III-nitride compound semiconductor material, preferably In x Al y Ga 1-xy N, where 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≤ 1. This material does not necessarily have to be mathematically exact Having composition according to the above formula. Rather, it may have one or more dopants as well as additional constituents which have the characteristic physical properties of the

InxAlyGa1-x-yN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (In, Al, Ga, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.Substantially do not change in x Al y Ga 1-xy N material. For the sake of simplicity, however, the above formula contains only the essential constituents of the crystal lattice (In, Al, Ga, N), even if these may be partially replaced by small amounts of other substances.

Das optoelektronische Bauelement und/oder der Halbleiterchip beinhaltet eine aktive Schicht mit mindestens einem pn-Übergang und/oder mit einer oder mit mehreren Quantentopfstrukturen. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements wird in der aktiven Schicht eine elektromagnetische Strahlung erzeugt. Eine Wellenlänge oder ein Wellenlängenmaximum der Strahlung liegt bevorzugt im ultravioletten und/oder sichtbaren Bereich, insbesondere bei Wellenlängen zwischen einschließlich 420 nm und 680 nm, zum Beispiel zwischen einschließlich 440 nm und 480 nm. The optoelectronic component and / or the semiconductor chip includes an active layer with at least one pn junction and / or with one or more quantum well structures. During operation of the optoelectronic component, an electromagnetic radiation is generated in the active layer. A wavelength or a wavelength maximum of the radiation is preferably in the ultraviolet and / or visible range, in particular at wavelengths between 420 nm and 680 nm inclusive, for example between 440 nm and 480 nm inclusive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement um eine Leuchtdiode, kurz LED. Das Bauelement ist dann bevorzugt dazu eingerichtet, blaues Licht oder weißes Licht zu emittieren. In accordance with at least one embodiment, the optoelectronic component is a light-emitting diode, or LED for short. The device is then preferably configured to emit blue light or white light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Halbleiterschichtenfolge eine aktive Schicht auf. Die aktive Schicht ist zwischen den Halbleiterbereichen angeordnet. Insbesondere ist die aktive Schicht sowohl zum n-dotierten als auch zum p-dotierten Halbleiterbereich in direktem Kontakt angeordnet. Direkt meint hier, direkter mechanischer und/oder elektrischer Kontakt. Der aktive Bereich der Halbleiterschichtenfolge ist insbesondere zur Strahlungserzeugung, also zur Emission oder Absorption von Strahlung, eingerichtet. Bevorzugt ist der aktive Bereich überall entlang der gesamten lateralen Ausdehnung zur Emission oder Absorption von Strahlung eingerichtet und bildet dort eine Leuchtfläche oder Detektionsfläche. Beispielsweise ist die aktive Schicht innerhalb des aktiven Bereichs zusammenhängend ausgebildet. Es kann der aktive Bereich auch eine pixelierte oder segmentierte Leuchtfläche bilden. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor layer sequence has an active layer. The active layer is disposed between the semiconductor regions. In particular, the active layer is arranged in direct contact with both the n-doped and the p-doped semiconductor region. Direct means here, direct mechanical and / or electrical contact. The active region of the semiconductor layer sequence is in particular designed for generating radiation, ie for emitting or absorbing radiation. The active region is preferably set up along the entire lateral extent for the emission or absorption of radiation, where it forms a luminous surface or detection surface. By way of example, the active layer is formed coherently within the active region. The active area can also form a pixelated or segmented illuminated area.

Die Halbleiterchips weisen jeweils eine Strahlungsaustrittsfläche auf. Die Strahlungsaustrittsfläche ist vorzugsweise senkrecht zur Wachstumsrichtung der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Die Strahlungsaustrittsfläche wird insbesondere auf dem Substrat im Schritt B) aufgebracht. Mit anderen Worten ist die Strahlungsaustrittsfläche des jeweiligen Halbleiterchips mittelbar oder unmittelbar dem Substrat nachgeordnet. Mittelbar meint hier insbesondere, dass beispielsweise eine Klebeschicht zwischen dem Substrat und der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet ist. The semiconductor chips each have a radiation exit surface. The radiation exit surface is preferably arranged perpendicular to the growth direction of the semiconductor layer sequence. The radiation exit surface is applied in particular on the substrate in step B). In other words, the radiation exit surface of the respective semiconductor chip is indirectly or directly downstream of the substrate. Indirect means here in particular that, for example, an adhesive layer is arranged between the substrate and the radiation exit surface.

Die Halbleiterchips werden insbesondere auf das Substrat derart angeordnet, dass sie im Querschnitt lateral zueinander beabstandet sind. Die Halbleiterchips sind insbesondere dazu eingerichtet, vorzugsweise Strahlung aus dem sichtbaren Bereich zu emittieren. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Halbleiterchip Kontaktierungen auf, insbesondere einen p- und n-Kontakt, der zumindest die p-dotierte Halbleiterschicht und die zumindest eine n-dotierte Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert. Die Kontaktierungen sind vorzugsweise beide auf der der Strahlungsaustrittsfläche des jeweiligen Halbleiterchips gegenüberliegenden Seite angeordnet. Insbesondere ist die Halbleiterschichtenfolge auf ein weiteres Substrat, beispielsweise ein Saphirsubstrat, aufgebracht. The semiconductor chips are in particular arranged on the substrate in such a way that they are laterally spaced apart in cross section. The semiconductor chips are in particular configured to preferably emit radiation from the visible range. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor chip has contacts, in particular a p- and n-contact, which electrically contacts at least the p-doped semiconductor layer and the at least one n-doped semiconductor layer. The contacts are preferably both arranged on the side opposite the radiation exit surface of the respective semiconductor chip. In particular, the semiconductor layer sequence is applied to a further substrate, for example a sapphire substrate.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt C) Bereitstellen eines Verbundträgers auf. Im Schritt D) wird anschließend der Verbundträger geformt. Das Formen kann mittels eines Formwerkzeugs, beispielsweise eines Presswerkzeuges, wie einem Stempel, erfolgen. Die Formung kann unter Temperaturen, beispielsweise bei Temperaturen ≥ 200°, und/oder im Vakuum erfolgen. In accordance with at least one embodiment, the method comprises a step C) providing a composite carrier. In step D), the composite carrier is subsequently formed. The molding can be done by means of a molding tool, for example a pressing tool, such as a stamp. The shaping can take place under temperatures, for example at temperatures ≥ 200 °, and / or in vacuo.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Verbundträger eine strahlungsdurchlässige Fluorpolymerfolie, die das Fluorpolymer aufweist, und eine reflektierende Metallfolie oder eine reflektierende Kunststofffolie auf. Dadurch wird nach Schritt E) ein Reflexionselement aus der Fluorpolymerfolie und der Metallfolie oder der Kunststofffolie gebildet, wobei die Fluorpolymerfolie zwischen dem jeweiligen Halbleiterchip und der Metallfolie insbesondere in direktem mechanischem Kontakt angeordnet ist. In accordance with at least one embodiment, the composite support comprises a radiation-transmissive fluoropolymer film comprising the fluoropolymer and a reflective metal foil or a reflective plastic film. As a result, a reflection element made of the fluoropolymer film and the metal foil or the plastic film is formed after step E), the fluoropolymer foil being arranged in particular in direct mechanical contact between the respective semiconductor chip and the metal foil.

Mit „strahlungsdurchlässig“ wird hier und im Folgenden ein Element, Folie oder eine Schicht bezeichnet, die durchlässig für sichtbares Licht oder UV-Licht ist. Dabei kann die transparente Schicht klar durchscheinend oder zumindest teilweise lichtstreuend und/oder teilweise lichtabsorbierend sein, sodass die strahlungsdurchlässige Folie beispielsweise auch diffus oder milchig durchscheinend sein kann. Besonders bevorzugt ist ein hier als strahlungsdurchlässig bezeichnetes Element oder Folie möglichst lichtdurchlässig, sodass insbesondere die Absorption von im Betrieb des Bauelements in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Lichts oder Strahlung so gering wie möglich ist. Mit „reflektierend“ wird hier und im Folgenden gemeint, dass das Element, die Schicht oder die Folie ein Reflexionsgrad von ≥ 99 % aufweist. By "radiation-transmissive" is here and below an element, film or layer referred to, which is transparent to visible light or UV light. In this case, the transparent layer may be transparent or at least partially light-scattering and / or partially light-absorbing, so that the radiation-permeable film can be translucent, for example, also diffuse or milky. Particularly preferred is an element or film referred to herein as transparent to radiation, as transparent as possible, so that In particular, the absorption of light or radiation generated in the operation of the component in the semiconductor layer sequence is as low as possible. By "reflective" is meant here and below that the element, the layer or the film has a reflectance of ≥ 99%.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Verbundträger eine strahlungsdurchlässige Fluorpolymerfolie und eine reflektierende Fluorpolymerfolie auf. Damit wird nach Schritt E) das Reflexionselement aus beiden Fluorpolymerfolien gebildet. Vorzugsweise ist die strahlungsdurchlässige Fluorpolymerfolie zwischen den Halbleiterchips und der reflektierenden Fluorpolymerfolie lateral im Querschnitt gesehen angeordnet. In accordance with at least one embodiment, the composite carrier has a radiation-transmissive fluoropolymer film and a reflective fluoropolymer film. Thus, after step E), the reflection element is formed from two fluoropolymer films. The radiation-transmissive fluoropolymer film is preferably arranged laterally in cross-section between the semiconductor chips and the reflective fluoropolymer film.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Verbundträger eine reflektierende Fluorpolymerfolie auf. Die Fluorpolymerfolie weist insbesondere das Fluorpolymer auf. Nach Schritt E) wird ein Reflexionselement aus der Fluorpolymerfolie gebildet, das in direktem lateralem Kontakt zu den Halbleiterchips angeordnet ist.In accordance with at least one embodiment, the composite carrier has a reflective fluoropolymer film. The fluoropolymer film has, in particular, the fluoropolymer. After step E), a reflective element is formed from the fluoropolymer film which is arranged in direct lateral contact with the semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Fluorpolymerfolie Streupartikel auf. Vorzugsweise sind die Streupartikel Titandioxid. Die Streupartikel sind in der Fluorpolymerfolie eingebettet und in mittelbarem lateralem Kontakt zu den Halbleiterchips angeordnet. Mit anderen Worten sind die Streupartikel in der Fluorpolymerfolie eingebettet und von den Halbleiterchips beabstandet. Sie grenzen also nicht direkt an die Seitenflächen der Halbleiterchips an, sondern sind durch das Fluorpolymer räumlich beabstandet zu den Seitenflächen der Halbleiterchips. Die Fluorpolymerfolie ist in direktem mechanischem Kontakt zu den Seitenflächen der jeweiligen Halbleiterchips angeordnet.In accordance with at least one embodiment, the fluoropolymer film has scattering particles. Preferably, the scattering particles are titanium dioxide. The scattering particles are embedded in the fluoropolymer film and arranged in indirect lateral contact with the semiconductor chips. In other words, the scattering particles are embedded in the fluoropolymer film and spaced from the semiconductor chips. Thus, they do not directly adjoin the side surfaces of the semiconductor chips, but are spatially spaced apart from the side surfaces of the semiconductor chips by the fluoropolymer. The fluoropolymer film is disposed in direct mechanical contact with the side surfaces of the respective semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Verbundträger eine Fluorpolymerfolie auf, die insbesondere für den äußeren Betrachter einen weißen Eindruck erweckt. Diese Fluorpolymerfolie ist insbesondere reflektierend ausgeformt. In accordance with at least one embodiment, the composite carrier has a fluoropolymer film which gives a white impression, in particular to the external observer. This fluoropolymer film is formed in particular reflective.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Verbundträger eine Schichtenfolge, also ein Foliensandwich, aus einer transparenten Fluorpolymerfolie und einer Metallfolie oder aus einer transparenten Fluorpolymerfolie und einer Kunststofffolie auf. Alternativ kann die Schichtenfolge des Verbundträgers aus einer transparenten und reflektierenden Fluorpolymerfolie ausgeformt sein. In accordance with at least one embodiment, the composite carrier has a layer sequence, ie a film sandwich, of a transparent fluoropolymer film and a metal foil or of a transparent fluoropolymer foil and a plastic foil. Alternatively, the layer sequence of the composite carrier may be formed from a transparent and reflective fluoropolymer film.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt E) auf, Verpressen des Verbundträgers und des Substrats. Durch das Verpressen wird ein Reflexionselement ausgeformt. Das Reflexionselement umfasst oder besteht aus dem Fluorpolymer. Das Reflexionselement ist lateral zu den Halbleiterchips und/oder zumindest bereichsweise auf der dem Substrat abgewandten Oberfläche der Halbleiterchips angeordnet. Mit anderen Worten sind die Halbleiterchips in dem Reflexionselement mit deren Seitenflächen und der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegenden Seite in dem Reflexionselement eingebettet. Insbesondere ist die Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterchips frei von dem Reflexionselement. In accordance with at least one embodiment, the method comprises a step E), pressing the composite carrier and the substrate. By pressing a reflection element is formed. The reflective element comprises or consists of the fluoropolymer. The reflection element is arranged laterally to the semiconductor chips and / or at least in regions on the surface of the semiconductor chips facing away from the substrate. In other words, the semiconductor chips are embedded in the reflection element with their side surfaces and the radiation exit surface opposite side in the reflection element. In particular, the radiation exit surface of the semiconductor chips is free of the reflection element.

Das Verpressen kann bei hohen Temperaturen erfolgen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Verpressen im Schritt E) bei einer Temperatur von mindestens der Schmelztemperatur des Fluorpolymers, wobei das Fluorpolymer durch Spritzgießen, Spritzprägen, Transferpressen, Heißprägen oder Schweißen aufgebracht und/oder befestigt wird. Durch das Verpressen entsteht ein Reflexionselement, das zumindest das Fluorpolymer aufweist. Alternativ oder zusätzlich weist das Fluorpolymer eine Metallfolie oder Kunststofffolie auf. Insbesondere ist das Reflexionselement reflektierend, also als Verspiegelung, ausgeformt. Das Reflexionselement kann gleichzeitig als Gehäuse für die Halbleiterchips dienen. Die Umrandung, also die Metallfolie oder Kunststofffolie, kann sehr dünn ausgeformt sein. Insbesondere weist die Umrandung eine Dicke von kleiner als 50 µm, 40 µm, 30 µm, 20 µm oder 15 µm auf. Wird keine Metallfolie oder Kunststofffolie verwendet, so weist insbesondere das Reflexionselement nur das Fluorpolymer auf, das dann reflektierend ausgeformt ist.The pressing can be done at high temperatures. According to at least one embodiment, the compression in step E) is carried out at a temperature of at least the melting temperature of the fluoropolymer, wherein the fluoropolymer is applied and / or fixed by injection molding, injection compression, transfer molding, hot stamping or welding. By pressing creates a reflection element, which has at least the fluoropolymer. Alternatively or additionally, the fluoropolymer comprises a metal foil or plastic film. In particular, the reflection element is reflective, that is, as a mirror coating, formed. The reflection element can simultaneously serve as a housing for the semiconductor chips. The border, so the metal foil or plastic film can be formed very thin. In particular, the border has a thickness of less than 50 .mu.m, 40 .mu.m, 30 .mu.m, 20 .mu.m or 15 .mu.m. If no metal foil or plastic film is used, in particular the reflection element has only the fluoropolymer, which is then formed in a reflective manner.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Metallfolie reflektierend ausgeformt, ist also völlig lichtundurchlässig. Lichtundurchlässig meint hier, dass eine Transmission von < 1 % oder 0,5 % vorliegt. According to at least one embodiment, the metal foil is formed reflecting, so it is completely opaque. Opaque here means that there is a transmission of <1% or 0.5%.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren vor Schritt F) und vorzugsweise nach Schritt E) einen weiteren Schritt auf, Entfernen des Substrats. Mit anderen Worten werden die Halbleiterchips von dem Substrat abgelöst. In accordance with at least one embodiment, the method comprises, before step F) and preferably after step E), a further step of removing the substrate. In other words, the semiconductor chips are detached from the substrate.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt F) auf, Vereinzeln der Halbleiterchips. Das Vereinzeln oder Trennen kann beispielsweise mittels Plasma oder eines Lasers erfolgen. In accordance with at least one embodiment, the method has a step F) of singulating the semiconductor chips. The separation or separation can be done for example by means of plasma or a laser.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Fluorpolymer eine Struktureinheit A der folgenden allgemeinen Formel auf:

Figure DE102016105582A1_0003
wobei die Substituenten X1 bis X4 jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe umfassend:

  • – Wasserstoff,
  • – Halogene, insbesondere F und Cl,
  • – R,
  • – OR, wobei R jeweils ein Kohlenwasserstoffrest C1-C10 oder ein fluorierter Kohlenwasserstoffrest C1-C10 sein kann, und wobei zumindest einer der Substituenten X1 bis X4 Fluor ist.
In accordance with at least one embodiment, the fluoropolymer has a structural unit A of the following general formula:
Figure DE102016105582A1_0003
wherein the substituents X 1 to X 4 are each independently selected from the group comprising:
  • - hydrogen,
  • - halogens, in particular F and Cl,
  • - R,
  • - OR, wherein each R may be a hydrocarbon radical C 1 -C 10 or a fluorinated hydrocarbon radical C 1 -C 10 , and wherein at least one of the substituents X 1 to X 4 is fluorine.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Fluorpolymer aus folgender Gruppe oder Kombinationen daraus ausgewählt: Polytetrafluorethylen (PTFE),

  • – Perfluormethylalkoxy-Copolymer (MFA),
  • – Perfluoralkoxy-Polymer (PFA),
  • – Ethylen-Chlortrifluorethylen-Copolymer (ECTFE),
  • – Ethylen-Tetrafluorethylen-Copolymer (ETFE),
  • – Fluoriertes-Ethylen-Propylen-Copolymer(FEP)
  • – Polyvinylidenfluorid (PVDF),
  • – Polychlortrifluorethylen (PCTFE).
In accordance with at least one embodiment, the fluoropolymer is selected from the following group or combinations thereof: polytetrafluoroethylene (PTFE),
  • Perfluoromethylalkoxy copolymer (MFA),
  • Perfluoroalkoxy polymer (PFA),
  • Ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE),
  • Ethylene tetrafluoroethylene copolymer (ETFE),
  • Fluorinated ethylene-propylene copolymer (FEP)
  • Polyvinylidene fluoride (PVDF),
  • - Polychlorotrifluoroethylene (PCTFE).

Insbesondere ist das Fluorpolymer ein Perfluormethylalkoxy-Copolymer (MFA), Perfluoralkoxy-Polymer (PFA) oder ein Fluoriertes-Ethylen-Propylen-Copolymer(FEP). In particular, the fluoropolymer is a perfluoromethylalkoxy copolymer (MFA), perfluoroalkoxy polymer (PFA) or a fluorinated ethylene-propylene copolymer (FEP).

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Fluorpolymer ein modifiziertes Polytetrafluorethylen (PTFE). In accordance with at least one embodiment, the fluoropolymer is a modified polytetrafluoroethylene (PTFE).

Unter Fluorpolymer sind insbesondere organische Fluorpolymere, aufweisend Kohlenstoff, Fluorbindungen sowie ein Grundgerüst, umfassend Kohlenstoff-Kohlenstoff-Bindungen, zu verstehen. By fluoropolymer are meant in particular organic fluoropolymers comprising carbon, fluorine bonds and a backbone comprising carbon-carbon bonds.

Organische Fluorpolymere besitzen eine äußerst starke CF-Bindung (460 kJ/mol). Die Fluorgruppen schirmen zudem das Polymerrückgrad, aufweisend C-C-Bindungen, nach außen ab. Aus diesem Grund eignen sich Fluorpolymere für Dauergebrauchstemperaturen von etwa 260 °C. Dies liegt deutlich über Temperaturen von etwa 150 °C, wie sie in strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelementen, beispielsweise in LEDs (lichtemittierende Dioden) auftreten können. Daneben sind Fluorpolymere auch resistent gegenüber einer großen Bandbreite an Chemikalien und besitzen eine geringe Entflammbarkeit. Hinzu kommt eine sehr hohe Transparenz und Strahlendurchlässigkeit sogar gegenüber kurzwelliger UV-Strahlung, insbesondere auch gegenüber hochenergetischer UVB- und UVA-Strahlung.Organic fluoropolymers have an extremely strong CF bond (460 kJ / mol). The fluoro groups also shield the polymer backbone, having C-C bonds, to the outside. For this reason, fluoropolymers are suitable for long-term use temperatures of about 260 ° C. This is significantly above temperatures of about 150 ° C, as they can occur in radiation-emitting optoelectronic devices, for example in LEDs (light-emitting diodes). In addition, fluoropolymers are also resistant to a wide range of chemicals and have low flammability. In addition, there is a very high transparency and radiation permeability even to short-wave UV radiation, especially against high-energy UVB and UVA radiation.

Fluorpolymere besitzen eine hohe Stabilität in einem breiten Spektralbereich gegenüber UV-Strahlung. Dabei halten sie sogar eine Dauerbestrahlung mit UV-Strahlung, insbesondere auch gegenüber hochenergetischer UVB- und UVA-Strahlung, Stand. Diese hohe Langzeitstabilität gegenüber kurzwelliger Strahlung ist überraschenderweise auch für Fluorpolymere gegeben, welche eine hohe Transmission gegenüber UV-Strahlung und sichtbares Licht aufweisen. Bei derartigen Fluorpolymeren mit hoher Durchlässigkeit für kurzwellige Strahlung und sichtbares Licht wird die Strahlung nicht bereits durch die äußeren Schichten des Polymermaterials reflektiert oder absorbiert. Fluoropolymers have high stability in a broad spectral range against UV radiation. In the process, they even withstand long-term exposure to UV radiation, in particular also to high-energy UVB and UVA radiation. This high long-term stability with respect to short-wave radiation is surprisingly also given for fluoropolymers which have a high transmission with respect to UV radiation and visible light. With such high transmittance fluoropolymers for short wavelength radiation and visible light, the radiation is not already reflected or absorbed by the outer layers of the polymer material.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Substrat aus dem Fluorpolymer geformt. Der Verbundträger weist dann eine Metallfolie oder Kunststofffolie auf, sodass nach Schritt E) das Reflexionselement aus dem Fluorpolymer des Substrats und der Metallfolie des Verbundträgers gebildet wird. Die Erfinder haben erkannt, dass durch die Bereitstellung eines Substrats aus dem Fluorpolymer und das anschließende Verpressen im Verfahrensschritt E) das Fluorpolymer zum Reflexionselement geformt werden kann, sodass ein anschließendes Entfernen des Substrats nicht erforderlich ist. In accordance with at least one embodiment, the substrate is formed from the fluoropolymer. The composite support then comprises a metal foil or plastic film such that after step E) the reflective element is formed from the fluoropolymer of the substrate and the metal foil of the composite support. The inventors have recognized that by providing a substrate from the fluoropolymer and the subsequent Pressing in process step E), the fluoropolymer can be formed into the reflection element, so that a subsequent removal of the substrate is not required.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Verbundträger ein transparentes Fluorpolymer und eine Metallfolie oder Kunststofffolie auf. Die Metallfolie oder Kunststofffolie ist insbesondere als Rahmen ausgeformt. Die transparenten Eigenschaften des Flurpolymers und der niedrige Brechungsindex sind hier insbesondere wichtige Materialeigenschaften neben der hohen Stabilität gegenüber Blaulicht und/oder UV-Licht und/oder Temperatur. Zudem weist der Verbundträger eine hohe Totalreflexion aufgrund der großen Brechungszahlunterschiede zum Halbleiterchip auf. Das fertige Bauelement weist somit ein Reflexionselement, also eine Seitenverspiegelung aus einem Metallkunststofffolienlaminat oder Kunststofffolienlaminat, auf, welches den Halbleiterchip seitlich oder konformal umformt. In accordance with at least one embodiment, the composite carrier comprises a transparent fluoropolymer and a metal foil or plastic film. The metal foil or plastic film is shaped in particular as a frame. The transparent properties of the fluoropolymer and the low refractive index are in particular important material properties in addition to the high stability to blue light and / or UV light and / or temperature. In addition, the composite carrier has a high total reflection due to the large difference in refractive index to the semiconductor chip. The finished component thus has a reflection element, that is, a side mirroring of a metal plastic film laminate or plastic film laminate, which laterally or conformally reshapes the semiconductor chip.

Das Fluorpolymer im Verbundträger hat insbesondere zwei Funktionen. Zum einen dient es zur elektrischen Isolation und zum anderen zur Verbesserung der Reflektivität. In der ersten Ebene wird das Licht am niedrig brechenden Fluorpolymer reflektiert, anschließend dringt das Licht weiter ein und wird an der Metallfolie oder Kunststofffolie, das als Reflektor dient, zurückgeworfen. Es handelt sich also um ein heterogenes zusammengesetztes Reflexionselement. The fluoropolymer in the composite carrier has in particular two functions. On the one hand it serves for electrical insulation and on the other hand for improving the reflectivity. In the first plane, the light is reflected by the low-refraction fluoropolymer, then the light continues to penetrate and is reflected back on the metal foil or plastic film that serves as a reflector. It is therefore a heterogeneous composite reflection element.

Zudem haben die Erfinder erkannt, dass durch die Verwendung des duktilen Kunststoffmaterials in Kombination mit einer duktilen, sehr dünnen Metallfolie oder Kunststofffolie ein kompaktes und UV- oder blaulichtstabiles Bauelement bereitgestellt werden kann. In addition, the inventors have recognized that by using the ductile plastic material in combination with a ductile, very thin metal foil or plastic foil, a compact and UV or blue light stable component can be provided.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform kann auch nur das Fluorpolymer Bestandteil des Verbundträgers sein. Insbesondere umgibt das Fluorpolymer dann direkt die Seitenflächen der jeweiligen Halbleiterchips als Umrandung. Insbesondere erweckt das Fluorpolymer einen weißen Farbeindruck für einen äußeren Betrachter. Das weiße Fluorpolymer sowie der unterstützende niedrige Brechungsindex weisen eine hohe Reflektivität auf. Zudem besitzen insbesondere vollfluorinierte Fluorpolymere die höchste Stabilität gegenüber Blaulicht und/oder UV-Licht und/oder Temperatur. According to at least one embodiment, only the fluoropolymer may be part of the composite support. In particular, the fluoropolymer then directly surrounds the side surfaces of the respective semiconductor chips as a border. In particular, the fluoropolymer gives a white color impression to an outside observer. The white fluoropolymer and the supporting low refractive index have a high reflectivity. In addition, in particular fully fluorinated fluoropolymers have the highest stability to blue light and / or UV light and / or temperature.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform kann der Halbleiterchip auch eine andere Bauform als hier beschrieben aufweisen. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor chip may also have a different design than described here.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Reflexionsgrad des Fluorpolymers über den Kristallisationsgrad eingestellt. Damit kann ein Fluorpolymertyp verwendet werden, der durch Einstellung des Kristallisationsgrads sowohl transparente als auch reflektierende Eigenschaften aufweisen kann. Insbesondere wird das Reflexionselement mit dem sogenannten Heißpressen, im Englischen Hot Embossing Prozess, geformt. Im Anschluss kann die äußere Schicht nahe dem Schmelzpunkt des Fluorpolymers nachtemperiert werden, sodass sich der Kristallisationsgrad erhöht und damit die transparente oder opake Schicht reflektiv und weiß ausgeformt wird. In accordance with at least one embodiment, the reflectance of the fluoropolymer is adjusted by the degree of crystallization. Thus, a fluoropolymer type can be used, which can have both transparent and reflective properties by adjusting the degree of crystallization. In particular, the reflection element with the so-called hot pressing, in the English hot embossing process, formed. Subsequently, the outer layer can be tempered near the melting point of the fluoropolymer, so that the degree of crystallization is increased and thus the transparent or opaque layer is formed reflective and white.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform kann in dem Verbundträger und/oder in dem Reflexionselement ein Leuchtstoff oder ein Konvertermaterial eingebettet werden. Insbesondere dient das Fluorpolymer als Matrixmaterial, in dem das Konvertermaterial eingebettet ist. Der Kristallisationseffekt des Fluorpolymers wird bei einigen Anwendungen, beispielsweise Blitzlichtanwendungen, zur Erzeugung einer weißen Oberfläche verwendet (White Appearance). In accordance with at least one embodiment, a phosphor or a converter material can be embedded in the composite carrier and / or in the reflection element. In particular, the fluoropolymer serves as a matrix material in which the converter material is embedded. The crystallization effect of the fluoropolymer is used in some applications, such as flash applications, to produce a white surface (white appearance).

Das Konvertermaterial kann als Partikel ausgeformt sein und in dem Fluorpolymer eingebettet sein. Als Konvertermaterialien können beispielsweise Leuchtstoffe, wie YAG-Leuchtstoffe, Granate, Calsine, Orthosilikate oder Erdalkalinitride, verwendet werden. The converter material may be shaped as a particle and embedded in the fluoropolymer. As converter materials, it is possible, for example, to use phosphors, such as YAG phosphors, garnets, calsines, orthosilicates or alkaline earth metal nitrides.

Es wird weiterhin ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Vorzugsweise wird das optoelektronische Bauelement mit dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt. Das heißt, sämtliche für das Verfahren offenbarten Merkmale sind auch für das optoelektronische Bauelement offenbart und umgekehrt. Furthermore, an optoelectronic component is specified. Preferably, the optoelectronic component is produced by the method described above. That is, all features disclosed for the method are also disclosed for the optoelectronic component and vice versa.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip mit einer Strahlungsaustrittsfläche auf. Der Halbleiterchip ist im Betrieb dazu eingerichtet, Strahlung über die Strahlungsaustrittsfläche zu emittieren. Das Bauelement weist ein Reflexionselement auf. Das Reflexionselement umfasst oder besteht aus dem Fluorpolymer. Das Reflexionselement ist lateral zu dem Halbleiterchip und/oder zumindest bereichsweise auf der der Strahlungsaustrittsfläche abgewandten Oberfläche der Halbleiterchips angeordnet. Vorzugsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips frei von dem Reflexionselement. Mit anderen Worten ist der Halbleiterchip derart in dem Reflexionselement eingebettet, dass es die Seitenflächen und die der Strahlungsaustrittsseite abgewandte Oberfläche in dem Fluorpolymer umgibt, wobei die Strahlungsaustrittsfläche frei von dem Reflexionselement ist. In accordance with at least one embodiment, the optoelectronic component has a semiconductor chip with a radiation exit surface. In operation, the semiconductor chip is set up to emit radiation via the radiation exit surface. The component has a reflection element. The reflective element comprises or consists of the fluoropolymer. The reflection element is arranged laterally to the semiconductor chip and / or at least in regions on the surface of the semiconductor chip facing away from the radiation exit surface. Preferably, the radiation exit surface of the semiconductor chip is free of the Reflective element. In other words, the semiconductor chip is embedded in the reflection element such that it surrounds the side surfaces and the surface facing away from the radiation exit side in the fluoropolymer, wherein the radiation exit surface is free of the reflection element.

Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen: Further advantages, advantageous embodiments and developments emerge from the embodiments described below in conjunction with the figures. Show it:

Die 1A bis 1I ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform, The 1A to 1I a method for producing an optoelectronic component according to an embodiment,

die 2A bis 2I ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform, the 2A to 2I a method for producing an optoelectronic component according to an embodiment,

die 3A bis 5B jeweils ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer Ausführungsform, the 3A to 5B in each case an optoelectronic component according to an embodiment,

die 6A eine Heizkurve eines Fluorpolymers gemäß einer Ausführungsform, the 6A a heating curve of a fluoropolymer according to an embodiment,

die 6B die Temperaturabhängigkeit des Fluorpolymers gemäß einer Ausführungsform, the 6B the temperature dependence of the fluoropolymer according to an embodiment,

die 7A ein Transmissionsspektrum eines Fluorpolymers gemäß einer Ausführungsform, the 7A a transmission spectrum of a fluoropolymer according to an embodiment,

die 7B Fluorpolymere gemäß einer Ausführungsform, the 7B Fluoropolymers according to one embodiment,

die 7C ein Fluorpolymer gemäß einer Ausführungsform,the 7C a fluoropolymer according to an embodiment,

die 8A bis 10 jeweils ein Reflexionselement gemäß einer Ausführungsform,the 8A to 10 each a reflection element according to an embodiment,

die 11A und 11B jeweils ein Reflexionsspektrum, undthe 11A and 11B each a reflection spectrum, and

die 12A und 12B Lichtstreuung bzw. Lichtbeugung.the 12A and 12B Light scattering or light diffraction.

In den Ausführungsbeispielen und in den Figuren können gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt werden. In the exemplary embodiments and in the figures, identical, identical or identically acting elements can each be provided with the same reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are not to be regarded as true to scale. Rather, individual elements, such as layers, components, components and areas for exaggerated representability and / or better understanding can be displayed exaggerated.

Die 1A bis 1I zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform. The 1A to 1I show a method for producing an optoelectronic component according to an embodiment.

In 1A wird ein Substrat 1, das insbesondere ein Substrat aus Glas und temporär ausgeformt ist, bereitgestellt. Auf diesem Substrat 1 werden Halbleiterchips 2 aufgebracht. Die Halbleiterchips 2 werden insbesondere jeweils mit ihrer Strahlungsaustrittsfläche 23 auf die Oberfläche des Substrats 1 angeordnet. Die Halbleiterchips 2 weisen jeweils eine Halbleiterschichtenfolge auf, die insbesondere zur Emission von Strahlung aus dem UV- oder blau-emittierenden Bereich befähigt sind. Der Strahlungsaustrittsfläche 23 abgewandten Seite sind Kontaktierungen 21 zur Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge gezeigt. In 1A becomes a substrate 1 , which is in particular a substrate made of glass and temporarily formed. On this substrate 1 become semiconductor chips 2 applied. The semiconductor chips 2 in particular each with their radiation exit surface 23 on the surface of the substrate 1 arranged. The semiconductor chips 2 each have a semiconductor layer sequence, which are in particular capable of emitting radiation from the UV or blue emitting region. The radiation exit surface 23 opposite side are contacts 21 shown for contacting the semiconductor layer sequence.

In 1B wird das Bereitstellen eines Verbundträgers 3 gezeigt. Der Verbundträger 3 weist eine Fluorpolymerfolie 32, die das Fluorpolymer 7 umfasst, auf. Der Verbundträger 3 weist ferner eine Metallfolie 31, beispielsweise aus Aluminium, auf. In 1B becomes the provision of a composite carrier 3 shown. The composite beam 3 has a fluoropolymer film 32 containing the fluoropolymer 7 includes, on. The composite beam 3 also has a metal foil 31 , For example, made of aluminum, on.

Statt einer Metallfolie kann auch eine reflektierende Kunststofffolie 31 verwendet werden. Instead of a metal foil can also be a reflective plastic film 31 be used.

In 1C ist das Formen des Verbundträgers mittels eines Formwerkzeuges 4 gezeigt. Das Formwerkzeug 4 kann beispielsweise ein Presswerkzeug sein. In 1C is the molding of the composite support by means of a molding tool 4 shown. The mold 4 may be, for example, a pressing tool.

In 1D ist gezeigt, dass der Verbundträger 3 auf das Formwerkzeug 4 aufgebracht wird und unter Ausnutzung der thermoplastischen und duktilen Eigenschaften des Verbundträgers zum Beispiel durch ein heißes Formwerkzeug mit Unterdruck geformt wird. Mit anderen Worten weist der Verbundträger 3 einen Negativabdruck des Presswerkzeugs 4 auf.In 1D is shown that the composite beam 3 on the mold 4 is applied and formed by utilizing, for example, a hot vacuum mold utilizing the thermoplastic and ductile properties of the composite support. In other words, the composite carrier 3 a negative impression of the pressing tool 4 on.

In 1E ist gezeigt, dass der Verbundträger 3 und das Substrat 1 miteinander verpresst werden. Das Verpressen kann beispielsweise bei Temperaturen größer oder gleich 150° erfolgen. Dadurch wird, wie in 1F gezeigt, der jeweilige Halbleiterchip 2 in das Fluorpolymer 7 eingebettet, ist also lateral zur Halbleiterschichtenfolge und zum Halbleiterchip 2 und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat abgewandten Oberfläche der Halbleiterchips angeordnet. Diese Oberfläche ist insbesondere im Querschnitt die Oberfläche zwischen den Kontaktierungen und links- und rechtsseitig von den Kontaktierungen. In 1E is shown that the composite beam 3 and the substrate 1 be pressed together. The pressing can be done, for example, at temperatures greater than or equal to 150 °. This will, as in 1F shown, the respective semiconductor chip 2 into the fluoropolymer 7 embedded, so it is lateral to the semiconductor layer sequence and the semiconductor chip 2 and at least partially arranged on the surface facing away from the substrate of the semiconductor chips. This surface is in particular the cross section of the surface between the contacts and left and right sides of the contacts.

Das Formwerkzeug 4 kann formgebend sein. Beispielsweise kann es ein Parabolspiegel CSP sein. The mold 4 can be shaping. For example, it may be a parabolic mirror CSP.

In 1G ist gezeigt, dass das Substrat 1 wieder entfernt wird. Es resultiert ein Verbund von Halbleiterchips 2, die jeweils ein Reflexionselement 6 aufweisen, das zumindest das Fluorpolymer 7 umfasst. Zusätzlich weist das Reflexionselement eine Metallfolie oder Kunststofffolie 61 auf. In 1G is shown that the substrate 1 is removed again. This results in a composite of semiconductor chips 2 , each a reflection element 6 have, at least the fluoropolymer 7 includes. In addition, the reflection element has a metal foil or plastic film 61 on.

In 1H ist gezeigt, dass die Halbleiterchips 2 vereinzelt werden oder wurden, sodass ein optoelektronisches Bauelement 100 erzeugt wird. In einem anschließenden Verfahren können Durchkontaktierungen 8 durch zumindest die Metallfolie 61 erzeugt werden. Die Durchkontaktierung 8 kann bereits im Laminat vorgesehen sein oder nachträglich mit den bekannten Methoden erfolgen. In 1H is shown that the semiconductor chips 2 are isolated or were, so an optoelectronic device 100 is produced. In a subsequent process can vias 8th through at least the metal foil 61 be generated. The via 8th may already be provided in the laminate or carried out subsequently with the known methods.

Das Erzeugen der Durchgangslöcher für die Kontaktierung 8 kann beispielsweise mittels eines Lasers erzeugt werden. Creating the through holes for contacting 8th can be generated for example by means of a laser.

Die 2A bis 2I zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform. Im Vergleich zum Verfahren der 1 ist das Substrat 1 aus dem Fluorpolymer geformt und wird in einem anschließenden Prozess nicht vollständig oder gar nicht entfernt. The 2A to 2I show a method for producing an optoelectronic component according to an embodiment. Compared to the procedure of 1 is the substrate 1 formed from the fluoropolymer and is not completely or not removed in a subsequent process.

In 2A ist das Bereitstellen des Substrats 1, das das Fluorpolymer aufweist, gezeigt. Auf dem Substrat 1 sind die Halbleiterchips 2, wie in 1 erläutert, aufgebracht. In 2A is the provision of the substrate 1 having the fluoropolymer shown. On the substrate 1 are the semiconductor chips 2 , as in 1 explained, applied.

In 2B ist das Bereitstellen eines Verbundträgers 3, der hier nur aus einer Metallfolie oder Kunststofffolie 31 geformt ist, gezeigt. In 2 B is the provision of a composite carrier 3 that only comes from a metal foil or plastic film 31 Shaped, shown.

In 2C wird ein Presswerkzeug 4 bereitgestellt, das, wie in 2D gezeigt, den Verbundträger 3 formt. In 2C becomes a pressing tool 4 provided, as in 2D shown the composite beam 3 shaped.

In 2E ist das Verpressen des Verbundträgers, also der Metallfolie 31, mit dem Substrat 1, das das Fluorpolymer 7 aufweist, gezeigt, sodass ein Reflexionselement 6 ausgeformt wird, das zumindest das Fluorpolymer 7 umfasst. Das Verpressen kann mittels Druck und/oder Temperatur 5 erfolgen. Die Verfahrensschritte, wie in 2G bis 2I gezeigt, können analog zu den Verfahrensschritten, wie in 1G bis 1I erläutert, erfolgen. In 2E is the pressing of the composite carrier, so the metal foil 31 , with the substrate 1 that is the fluoropolymer 7 has, so that a reflection element 6 is formed, at least the fluoropolymer 7 includes. The pressing can be done by means of pressure and / or temperature 5. The process steps, as in 2G to 2I can be analogous to the process steps as shown in 1G to 1I explained.

Die 3A zeigt eine Draufsicht eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß einer Ausführungsform. Das Bauelement 100 weist einen Halbleiterchip 2 auf. Der Halbleiterchip 2 ist von einem Reflexionselement 6 umgeben, das zumindest ein Fluorpolymer 7 aufweist. Das Reflexionselement 6 weist ferner eine Metallfolie 61 als Umrandung auf. Insbesondere ist das Fluorpolymer 7 transparent ausgeformt und die Metallfolie reflektierend. Damit kann ein optoelektronisches Bauelement 100 bereitgestellt werden, das eine kompakte Bauform aufweist und zudem UV- und/oder blaulichtstabil ist. Alternativ kann die Metallfolie 61 auch fehlen. Insbesondere ist dann das Fluorpolymer reflektierend ausgeformt. Alternativ kann statt der Metallfolie 61 auch eine Kunststofffolie verwendet werden.The 3A shows a plan view of an optoelectronic device 100 according to one embodiment. The component 100 has a semiconductor chip 2 on. The semiconductor chip 2 is from a reflection element 6 surrounded, at least one fluoropolymer 7 having. The reflection element 6 also has a metal foil 61 as a border on. In particular, the fluoropolymer 7 formed in a transparent manner and reflecting the metal foil. This can be an optoelectronic device 100 be provided, which has a compact design and is also UV and / or blue light stable. Alternatively, the metal foil 61 also missing. In particular, then the fluoropolymer is formed reflective. Alternatively, instead of the metal foil 61 also a plastic film can be used.

Die 3B zeigt eine Unteransicht eines optoelektronischen Bauelements 100 gemäß einer Ausführungsform. Das Bauelement 100 weist ein Reflexionselement 6 auf, insbesondere ist hier die Metallfolie 61 als Umrandung gezeigt. Die Metallfolie 61 umrandet im Querschnitt sowohl lateral den Halbleiterchip 2 als auch die von der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegende Seite des Halbleiterchips 2. Die Metallfolie 61 weist Löcher auf, die zur Kontaktierung der p- und n-Kontakte dienen. The 3B shows a bottom view of an optoelectronic device 100 according to one embodiment. The component 100 has a reflection element 6 in particular, here is the metal foil 61 shown as a border. The metal foil 61 framed in cross-section both laterally the semiconductor chip 2 as well as the side opposite the radiation exit surface side of the semiconductor chip 2 , The metal foil 61 has holes which serve for contacting the p and n contacts.

Die 4A bis 4C zeigen jeweils eine schematische Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform. Das Bauelement 100 der 4A weist einen Halbleiterchip 2 auf, der in einem Reflexionselement 6 eingebettet ist. Insbesondere weisen die Seitenflächen des Halbleiterchips 2 sowie die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegende Seite einen direkten mechanischen Kontakt zum Fluorpolymer 7 auf. Das Reflexionselement 6 weist zudem eine Metallfolie 61 auf, die eine Umrandung des Reflexionselements 6 darstellt. The 4A to 4C each show a schematic side view of an optoelectronic component according to an embodiment. The component 100 of the 4A has a semiconductor chip 2 on that in a reflection element 6 is embedded. In particular, the side surfaces of the semiconductor chip 2 as well as the radiation exit surface opposite side a direct mechanical contact with the fluoropolymer 7 on. The reflection element 6 also has a metal foil 61 on, which is a border of the reflection element 6 represents.

In 4B ist eine andere Bauteilgeometrie eines optoelektronischen Bauteils gezeigt. Das Bauteil der 4B weist zusätzlich ein Konverterelement 9 auf, das in dem Reflexionselement 6 zusätzlich eingebettet ist. Mit anderen Worten werden die Seitenflächen des Konverterelements 9 sowie die Seitenflächen des Halbleiterchips form- und stoffschlüssig von dem Fluorpolymer 7 und/oder dem Reflexionselement 6 bedeckt. Insbesondere ist nur die Strahlungsaustrittsfläche des Konverterelements 9 frei von dem Fluorpolymer 7. In 4B another component geometry of an optoelectronic device is shown. The component of 4B additionally has a converter element 9 on that in the reflection element 6 additionally embedded. In other words, the side surfaces of the converter element become 9 as well as the side surfaces of the semiconductor chip form-fitting and cohesively from the fluoropolymer 7 and / or the reflection element 6 covered. In particular, only the radiation exit surface of the converter element 9 free of the fluoropolymer 7 ,

Als Konverter kann beispielsweise ein YAG-Leuchtstoff eingebettet sein. As a converter, for example, a YAG phosphor can be embedded.

Die 4C zeigt eine Durchkontaktierung 21, die sich über die Metallfolie hinaus aus dem Reflexionselement 6 erstreckt. The 4C shows a via 21 extending beyond the metal foil out of the reflective element 6 extends.

5A und 5B zeigen jeweils eine schematische Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform. Je nach Reflektivität des Fluorpolymers 7 können die Bauteilgeometrien unterschiedlich sein. 5A and 5B each show a schematic side view of an optoelectronic component according to an embodiment. Depending on the reflectivity of the fluoropolymer 7 The component geometries can be different.

In 5A ist das Fluorpolymer transparent ausgeformt und eine reflektierende Metallfolie 61 als Umrandung angeordnet. Dadurch kann eine bessere Lichtmischung wegen des Abstandes des Reflektors erzeugt werden. In 5A the fluoropolymer is transparent and a reflective metal foil 61 arranged as a border. As a result, a better light mixture can be generated because of the distance of the reflector.

In 5B ist die kostengünstigere und kompaktere Variante dargestellt. Hier wird keine Metallfolie 61 als Metallrahmen verwendet, sondern lediglich das Fluorpolymer als Reflexionselement 6. Das Fluorpolymer ist hier insbesondere reflektierend, beispielsweise weiß, ausgeformt, sodass die von dem Halbleiterchip 2 emittierte Strahlung reflektiert wird. Alternativ kann auch ein transparentes Fluorpolymer und statt einer Metallfolie 61 ein reflektierendes Fluorpolymer oder Kunststofffolie als Reflexionselement 6 verwendet werden (hier nicht gezeigt). In 5B is the cheaper and more compact version shown. Here is no metal foil 61 used as a metal frame, but only the fluoropolymer as a reflection element 6 , The fluoropolymer is here in particular reflective, for example white, shaped, so that of the semiconductor chip 2 emitted radiation is reflected. Alternatively, a transparent fluoropolymer and instead of a metal foil 61 a reflective fluoropolymer or plastic film as a reflection element 6 used (not shown here).

Die Reflektivität oder Strahlungsdurchlässigkeit des Fluorpolymers 7 kann mittels des Kristallisationsgrads eingestellt werden. The reflectivity or radiation transmissivity of the fluoropolymer 7 can be adjusted by means of the degree of crystallization.

Die 6A zeigt differenzkalometrische Kurven (DSC) eines oder verschiedener Fluorpolymere. Es wurde das WR5775 ECA 3000 von ehemals DuPont verwendet.The 6A shows differential calorimetric curves (DSC) of one or several fluoropolymers. It became the WR5775 ECA 3000 used by formerly DuPont.

Es ist die Wärme Q in W ∙ g–1 in Abhängigkeit von a.u. dargestellt. Die Schmelztemperatur des Fluorpolymers steigt von 315 °C auf 322 °C. Es ist ein Langperiodenwachstum zu erkennen, das heißt, dass die Wärmeformbeständigkeit durch die Ausbildung größerer Lamellen erhöht. Wachsende kristalline Bereiche führen zu reflektivem Verhalten. Die Reflektivität kann durch die Temperaturvorbehandlung erhöht bzw. eingestellt werden.The heat Q is shown in W ∙ g -1 as a function of au. The melting temperature of the fluoropolymer increases from 315 ° C to 322 ° C. It is a long-term growth to recognize, that is, the heat resistance increased by the formation of larger lamellae. Growing crystalline areas lead to reflective behavior. The reflectivity can be increased or adjusted by the temperature pretreatment.

Die 6B zeigt die Konfirmation und die Schmelztemperatur für unterschiedliche Fluorpolymere. Bei Schmelztemperaturen unter 320 °C lassen sich Fluorpolymere durch Spritzgießen, Spritzprägen oder Transferpressen aufbringen. Liegen die Schmelztemperaturen darüber, lassen sich die Fluorpolymere zu einer Folie verarbeiten, die laminiert werden kann oder durch Heißprägen oder Schweißen aufgebracht werden kann. Bei einer Schmelztemperatur von 305 °C kann das PFA IV geschmolzen werden. Bei einer Temperatur von 320 °C kann das sogenannte MOLDFLON III geschmolzen werden. Bei einer Temperatur von 327 °C kann das modifizierte PTFE II, das Polytetrafluorethylen, geschmolzen werden. Bei 327 °C kann das Polytetrafluorethylen I geschmolzen werden. Das PTFE ist von Haus aus nicht moldbar. Erst durch Seitenkettenmodifizierung, beispielsweise Moldflon oder PFA, ist es beispielsweise spritzgießbar.The 6B shows the confirmation and the melting temperature for different fluoropolymers. At melting temperatures below 320 ° C, fluoropolymers can be applied by injection molding, injection compression or transfer molding. With the melting temperatures above, the fluoropolymers can be made into a film that can be laminated or applied by hot stamping or welding. At a melting temperature of 305 ° C, the PFA IV can be melted. At a temperature of 320 ° C, the so-called MOLDFLON III can be melted. At a temperature of 327 ° C, the modified PTFE II, the polytetrafluoroethylene, can be melted. At 327 ° C, the polytetrafluoroethylene I can be melted. The PTFE is not moldable by nature. Only by side chain modification, such as Moldflon or PFA, it is, for example, injection-moldable.

Die 7A zeigt eine Transmissionskurve in Prozent von verschiedenen Fluorpolymeren bei unterschiedlichen Wellenlängen λ in nm. Die Daten basieren auf Messungen eines Reflexionselements 6 bestehend aus dem jeweiligen Fluorpolymer mit einer Schichtdicke von jeweils 0,5 mm. Die mit dem Bezugszeichen I versehene Kurve zeigt die Transmission von Hyflon® PFA. Die mit dem Bezugszeichen II versehene Kurve zeigt die Transmission von Hyflon PFA M640, die mit dem Bezugszeichen III versehene Kurve zeigt die Transmission von Hyflon MFA F1540 und die mit dem Bezugszeichen IV versehene Kurve zeigt die Transmission von einem Fluorpolymer bestehend aus einer Kombination von PFA-1 und MFA. Aus den Transmissionskurven ist erkennbar, dass insbesondere das Fluorpolymer IV eine hohe Transparenz auch für kleinere Wellenlängen, insbesondere für Wellenlängen von 200 bis 400 nm im Vergleich zu den Fluorpolymeren I bis III, aufweist. The 7A shows a transmission curve in percent of different fluoropolymers at different wavelengths λ in nm. The data are based on measurements of a reflection element 6 consisting of the respective fluoropolymer with a layer thickness of 0.5 mm each. Provided with the reference numeral I curve shows transmission of Hyflon ® PFA. The curve provided with the reference symbol II shows the transmission of Hyflon PFA M640, the curve provided with the reference symbol III shows the transmission of Hyflon MFA F1540 and the curve provided with the reference symbol IV shows the transmission of a fluoropolymer consisting of a combination of PFA 1 and MFA. It can be seen from the transmission curves that in particular the fluoropolymer IV has a high transparency even for smaller wavelengths, in particular for wavelengths of 200 to 400 nm, in comparison to the fluoropolymers I to III.

Das MOLDFLON ist ein Fluorpolymer, das von ElringKlinger Kunststofftechnik erhältlich ist. The MOLDFLON is a fluoropolymer available from ElringKlinger Kunststofftechnik.

Die 7B zeigt mögliche Fluorpolymere gemäß einer Ausführungsform. Die hier dargestellten Fluorpolymere, die mit den Abkürzungen in der Spalte I gezeigt sind, sind sehr stabil und für den Einsatz in optoelektronischen Bauelementen, insbesondere LEDs, hervorragend geeignet. Vorzugsweise sind diese blaulicht- und/oder temperaturstabil. Die Spalte II zeigt die chemischen Strukturformeln. Das PTFE ist ein Homopolymer, das MFA ein Random Copolymer, das PFA und FEP ist jeweils ein Random Copolymer, das ECTFE ist ein alternierendes Copolymer, das PVDF ein Homopolymer, das ETFE ein alternierendes Copolymer und das PCTFE ein Homopolymer. Die Konzentrationen der Comonomere in Prozent sind in der Spalte III dargestellt. Die Spalte Tm in °C zeigt die Schmelztemperaturen der entsprechenden Fluorpolymere. Insbesondere erfolgt das Pressen zumindest bei diesen Schmelztemperaturen, damit der Verbundträger 3 und das Substrat 1 miteinander verbunden werden. The 7B shows possible fluoropolymers according to one embodiment. The fluoropolymers shown here, which are shown by the abbreviations in column I, are very stable and are outstandingly suitable for use in optoelectronic components, in particular LEDs. Preferably, these are blue light and / or temperature stable. Column II shows the chemical structural formulas. The PTFE is a homopolymer, the MFA is a random copolymer, the PFA and FEP are each a random copolymer, the ECTFE is an alternating copolymer, the PVDF is a homopolymer, the ETFE is an alternating copolymer and the PCTFE is a homopolymer. The concentrations of the comonomers in percent are shown in column III. The column T m in ° C shows the melting temperatures of the corresponding fluoropolymers. In particular, the pressing takes place at least at these melting temperatures, thus the composite support 3 and the substrate 1 be connected to each other.

Die 7C zeigt das adhäsive ETFE. Insbesondere wird hier die Adhäsion des ETFE an Polyamid 12 PA gezeigt. Das PA weist eine terminale Amingruppe auf. An einem funktionellen Rückgrad des ETFE wird die terminale Amingruppe bei 260 °C bis 330 °C angelagert, das zur Bildung einer Imidbindung führt. The 7C shows the adhesive ETFE. In particular, the adhesion of the ETFE to polyamide 12 PA is shown here. The PA has a terminal amine group. At a functional backbone of the ETFE, the terminal amine group is annealed at 260 ° C to 330 ° C, which leads to the formation of an imide bond.

Die 8A bis 10 zeigen jeweils eine schematische Seitenansicht eines Reflexionselements gemäß einer Ausführungsform. The 8A to 10 each show a schematic side view of a reflection element according to an embodiment.

Das Reflexionselement 6 der 8A ist als heterogener Folienreflektor ausgeformt. Das Reflexionselement 6 ist als Mehrstufenreflektor ausgeformt. In der ersten Schicht wird dabei ein Großteil des Lichtes reflektiert. Das Reflexionselement 6 weist eine Metallfolie 61 auf. Die Metallfolie 61 ist beispielsweise aus Aluminium geformt. Der Metallfolie 61 ist eine Fluorpolymerfolie 62 nachgeordnet, in der Streupartikel 10, wie beispielsweise Titandioxid, eingebettet sind. Die Kombination der Metallfolie 61 und der Streupartikel 10, wie Titandioxid, in der Kunststoffmatrix oder Fluorpolymerfolie 62 ergibt insbesondere einen absolut lichtdichten alterungsstabilen und superdünnes Reflexionselement 6. The reflection element 6 of the 8A is formed as a heterogeneous film reflector. The reflection element 6 is designed as a multi-stage reflector. In the first layer, a large part of the light is reflected. The reflection element 6 has a metal foil 61 on. The metal foil 61 is formed of aluminum, for example. The metal foil 61 is a fluoropolymer film 62 downstream, in the scattering article 10 , such as titanium dioxide embedded. The combination of metal foil 61 and the scattering article 10 such as titanium dioxide, in the plastic matrix or fluoropolymer film 62 in particular results in an absolutely light-tight aging-resistant and super-thin reflection element 6 ,

Die 8B zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme der Metallfolie 61, auf dem die Streupartikel 10 angeordnet sind. Die Streupartikel 10 weisen insbesondere einen Durchmesser von 300 nm auf.The 8B shows a scanning electron micrograph of the metal foil 61 on which the scattering particles 10 are arranged. The scattering particles 10 have in particular a diameter of 300 nm.

Wie in 8C gezeigt, weist die Fluorpolymerfolie 62 eine Lichtdurchlässigkeit auf. Insbesondere ist die Transmission ungefähr 10 % bei einer Schichtdicke von 250 µm. Vorzugsweise ist der Anteil der Streupartikel 10, wie beispielsweise des Titandioxids, 25 % in der Fluorpolymerfolie als Matrixmaterial. As in 8C shown has the fluoropolymer film 62 a light transmission on. In particular, the transmission is about 10% with a layer thickness of 250 microns. Preferably, the proportion of scattering particles 10 , such as titanium dioxide, 25% in the fluoropolymer film as matrix material.

Die 9A zeigt ein Reflexionselement 6, das im Wesentlichen so wie das Reflexionselement 6 der 8A aufgebaut ist. Im Unterschied dazu weist das Reflexionselement 6 der 8A beidseitig von der Metallfolie 61 die Fluorpolymerfolie 62 auf, die in der 9A auf der einen Seite fehlt. Das Reflexionselement 6 der 9B zeigt eine Durchkontaktierung 8 sowie eine Isolierung 81. Alternativ kann statt einer Metallfolie 61 auch eine Kunststofffolie verwendet werden. Alternativ kann statt einer Aluminiummetallfolie auch Kupfer, Silber beziehungsweise verschiedenste Metalle oder beschichtete Metalle wie Kupfer-Silber verwendet werden. The 9A shows a reflection element 6 essentially the same as the reflection element 6 of the 8A is constructed. In contrast, the reflection element has 6 of the 8A on both sides of the metal foil 61 the fluoropolymer film 62 on that in the 9A missing on the one hand. The reflection element 6 of the 9B shows a via 8th as well as an insulation 81 , Alternatively, instead of a metal foil 61 also a plastic film can be used. Alternatively, copper, silver or various metals or coated metals such as copper-silver can be used instead of an aluminum metal foil.

Die 9C zeigt ein Reflexionselement 6 mit einer Metallfolie 61, einer weiteren Metallfolie 63 und einer Fluorpolymerfolie 62, in dem Streupartikel 10 eingebettet sind. Die weitere Metallfolie 63 kann die gleichen Materialien wie die Metallfolie 61 aufweisen. Alternativ kann die Metallfolie 61 und die weitere Metallfolie 63 jeweils ein unterschiedliches Material aufweisen.The 9C shows a reflection element 6 with a metal foil 61 , another metal foil 63 and a fluoropolymer film 62 in the scattering article 10 are embedded. The other metal foil 63 can be the same materials as the metal foil 61 exhibit. Alternatively, the metal foil 61 and the other metal foil 63 each have a different material.

Die 10 zeigt eine schematische Seitenansicht eines Reflexionselements 6. Das Reflexionselement 6 weist eine Kunststoffisolation mit Titandioxid 11 auf, eine Klebeverbindung 12 und auf der Rückseite ein Metall oder eine doppelseitige Isolation auf. Ferner weist das Reflexionselement 6 einen Metallkern 14 auf. The 10 shows a schematic side view of a reflection element 6 , The reflection element 6 has a plastic insulation with titanium dioxide 11 on, an adhesive bond 12 and on the back of a metal or a double-sided insulation on. Furthermore, the reflection element 6 a metal core 14 on.

Als Streupartikel können verschiedenste Streumaterialien verwendet werden. Beispielsweise können Streumaterialien der nachfolgenden Tabelle verwendet werden. Die Tabelle zeigt Kunststoffe, die ebenfalls in dem Reflexionselement 6 verwendet werden können. Streumaterialien (weißes Pigment) Brechungsindex Kunststoff Brechungsindex Rutil-TiO2 2.73 Polystyrol 1.60 Anatas TiO2 2.55 Polykarbonat 1.59 Antimonoxid 2.09–2.29 SAN 1.56 Zinkoxid 2.02 Polyethylen 1.50–1.54 Basiskarbonat Weißblei 1.94–2.09 Acryl 1.49 Lithopon 1.84 Polyvinylchlorid 1.48 Ton 1.65 Magnesiumsilikat 1.65 Baryte [BaSO4] 1.64 Kalziumcarbonat (CaCO3) 1.63 Siliziumdioxid 1.41–1.49 As scattering particles a variety of scattering materials can be used. For example, litter materials of the following table may be used. The table shows plastics that are also in the reflective element 6 can be used. Scattering materials (white pigment) refractive index plastic refractive index Rutile TiO 2 2.73 polystyrene 1.60 Anatase TiO 2 2:55 polycarbonate 1:59 antimony 2:09 to 2:29 SAN 1:56 zinc oxide 2:02 polyethylene 1:50 to 1:54 Base carbonate white lead 1.94-2.09 acrylic 1:49 lithopone 1.84 polyvinylchloride 1:48 volume 1.65 magnesium silicate 1.65 Barite [BaSO4] 1.64 Calcium carbonate (CaCO3) 1.63 silica 1:41 to 1:49

Die 11A und 11B zeigen jeweils Reflexionsspektren. Es ist jeweils die Reflexion R in Prozent % in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ in nm dargestellt. Die 11A zeigt jeweils die Reflexionskurve von Aluminium, Gold und Silber, die 11B zeigt Reflexionsspektren von Titandioxid als Anastas und Rutil. I bezeichnet in 11B den ultravioletten Spektralbereich, II bezeichnet in 11B den sichtbaren Spektralbereich und III bezeichnet in 11B den infraroten Spektralbereich.The 11A and 11B each show reflection spectra. In each case, the reflection R in percent% as a function of the wavelength λ in nm is shown. The 11A shows in each case the reflection curve of aluminum, gold and silver, the 11B shows reflectance spectra of titanium dioxide as anastas and rutile. I denotes in 11B the ultraviolet spectral range, II referred to in 11B the visible spectral range and III in 11B the infrared spectral range.

Die 12A zeigt die relative Streuungskraft S in Abhängigkeit von der Partikelgröße d in µm von Streupartikeln 10. Die 12B zeigt den Unterschied einer Lichtbeugung (links) und der Lichtstreuung (rechts) an Streupartikeln 10. The 12A shows the relative scattering force S as a function of the particle size d in μm of scattering particles 10 , The 12B shows the difference of light diffraction (left) and light scattering (right) of scattering particles 10 ,

Erfindungsgemäß wird hier eine dünne duktile Metallfolie 61, insbesondere mit einer Schichtdicke von kleiner als 50 µm verwendet. Die Metallfolie 61 wirkt insbesondere als lichtdichter Spiegel, sodass sich eine weiß erscheinende Oberfläche ergibt. Das Licht wird hier also neben der Streuung und Beugung zusätzlich an der Metallfolie 61 reflektiert. According to the invention here is a thin ductile metal foil 61 , in particular with a layer thickness of less than 50 used .mu.m. The metal foil 61 acts in particular as a light-tight mirror, resulting in a white appearing surface. The light is here so in addition to the scattering and diffraction in addition to the metal foil 61 reflected.

Die Erfinder haben herausgefunden, dass durch die Verwendung eines Reflexionselements 6 eine Seitenemission bei geringer Wandstärke des Halbleiterchips vermieden werden kann. Im Vergleich dazu wird bei Standardbauformen Licht durch die dünne Seitenwand emittiert. The inventors have found that by using a reflective element 6 a side emission at low wall thickness of the semiconductor chip can be avoided. In comparison, in standard designs, light is emitted through the thin sidewall.

Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele und deren Merkmale können gemäß weiterer Ausführungsbeispiele auch miteinander kombiniert werden, auch wenn solche Kombinationen nicht explizit in den Figuren gezeigt sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele zusätzliche oder alternative Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen. The embodiments described in connection with the figures and their features can also be combined with each other according to further embodiments, even if such combinations are not explicitly shown in the figures. Furthermore, the embodiments described in connection with the figures may have additional or alternative features as described in the general part.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
optoelektronisches Bauelement optoelectronic component
11
Substrat  substratum
22
Halbleiterchip  Semiconductor chip
2121
Kontaktierung contact
2222
die von dem Substrat abgewandte Oberfläche the surface facing away from the substrate
2323
Strahlungsaustrittsfläche  Radiation exit area
33
Verbundträger composite beam
3131
Metallfolie oder Kunststofffolie Metal foil or plastic foil
3232
Fluorpolymerfolie Fluoropolymer film
44
Formwerkzeug mold
55
Druck oder Temperatur Pressure or temperature
66
Reflexionselement reflection element
6161
Metallfolie oder Kunststofffolie Metal foil or plastic foil
6262
Fluorpolymerfolie Fluoropolymer film
6363
weitere Metallfolie oder Kunststofffolie another metal foil or plastic foil
77
Fluorpolymer fluoropolymer
88th
Durchkontaktierung oder Kontaktierung Through connection or contacting
8181
Isolierung insulation
99
Konverter converter
1010
Streupartikel scattering particles
1111
Kunstoffisolation mit Titandioxid Plastic insulation with titanium dioxide
1212
Klebeverbindung adhesive bond
1313
Metall metal
1414
Metallkern metal core

Claims (14)

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Aufbringen von Halbleiterchips (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterchips (2) lateral zueinander beabstandet und zur Emission von Strahlung befähigt sind, C) Bereitstellen eines Verbundträgers (3), D) Formen des Verbundträgers (3) mittels eines Formwerkzeugs (4), E) Verpressen des Verbundträgers (3) und des Substrats (1), so dass ein Reflexionselement (6) ausgeformt wird, – wobei das Reflexionselement (6) zumindest ein Fluorpolymer (7) umfasst, – wobei das Reflexionselement (6) lateral zu den Halbleiterchips (2) und zumindest bereichsweise auf der dem Substrat (1) abgewandten Oberfläche (22) der Halbleiterchips (2) angeordnet ist, und F) Vereinzeln der Halbleiterchips (2).Method for producing an optoelectronic component comprising the steps of: A) providing a substrate ( 1 ), B) application of semiconductor chips ( 2 ) on the substrate ( 1 ), wherein the semiconductor chips ( 2 ) are laterally spaced apart and capable of emitting radiation, C) providing a composite support ( 3 ), D) shaping the composite support ( 3 ) by means of a molding tool ( 4 ), E) pressing the composite support ( 3 ) and the substrate ( 1 ), so that a reflection element ( 6 ) is formed, - wherein the reflection element ( 6 ) at least one fluoropolymer ( 7 ), wherein the reflection element ( 6 ) laterally to the semiconductor chips ( 2 ) and at least partially on the substrate ( 1 ) facing away from the surface ( 22 ) of the semiconductor chips ( 2 ), and F) singulating the semiconductor chips ( 2 ). Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Fluorpolymer (7) eine Struktureinheit A der folgenden allgemeinen Formel umfasst:
Figure DE102016105582A1_0004
wobei die Substituenten X1 bis X4 jeweils unabhängig voneinander ausgewählt sind aus der Gruppe umfassend: – Wasserstoff, – Halogene, insbesondere F und Cl, – R, – OR, wobei R jeweils ein Kohlenwasserstoffrest C1-C10 oder ein fluorierter Kohlenwasserstoffrest C1-C10 sein kann, und wobei zumindest einer der Substituenten X1 bis X4 Fluor ist.Process according to claim 1, wherein the fluoropolymer ( 7 ) comprises a structural unit A of the following general formula:
Figure DE102016105582A1_0004
wherein the substituents X 1 to X 4 are each independently selected from the group comprising: - hydrogen, - halogens, in particular F and Cl, - R, - OR, where R is in each case a hydrocarbon radical C 1 -C 10 or a fluorinated hydrocarbon radical C 1 -C 10 , and wherein at least one of the substituents X 1 to X 4 is fluorine. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Verpressen im Schritt E) bei einer Temperatur von mindestens der Schmelztemperatur des Fluorpolymers (7) erfolgt, wobei das Fluorpolymer (7) durch Spritzgießen, Spritzprägen, Transferpressen, Heißprägen oder Schweißen aufgebracht und/oder befestigt wird.Method according to at least one of the preceding claims, wherein the pressing in step E) takes place at a temperature of at least the melting temperature of the fluoropolymer ( 7 ), wherein the fluoropolymer ( 7 ) is applied and / or fixed by injection molding, injection compression molding, transfer molding, hot stamping or welding. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Verbundträger (3) eine strahlungsdurchlässige Fluorpolymerfolie (32), die das Fluorpolymer (7) aufweist, und eine reflektierende Metallfolie oder Kunststofffolie (31) aufweist, so dass nach Schritt E) das Reflexionselement (6) aus der Fluorpolymerfolie (32) und der Metallfolie oder Kunststofffolie (31) gebildet wird, wobei die Fluorpolymerfolie (32) zwischen dem Halbleiterchip (2) und der Metallfolie oder Kunststofffolie (31) angeordnet ist.Method according to at least one of the preceding claims, wherein the composite carrier ( 3 ) a radiation-transparent fluoropolymer film ( 32 ) containing the fluoropolymer ( 7 ), and a reflective metal foil or plastic film ( 31 ), so that after step E) the reflection element ( 6 ) from the fluoropolymer film ( 32 ) and the metal foil or plastic film ( 31 ), wherein the fluoropolymer film ( 32 ) between the semiconductor chip ( 2 ) and the metal foil or plastic film ( 31 ) is arranged. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Verbundträger (3) eine strahlungsdurchlässige Fluorpolymerfolie und eine reflektierende Fluorpolymerfolie aufweist, so dass nach Schritt E) das Reflexionselement (6) aus den Fluorpolymerfolien gebildet wird. Method according to at least one of the preceding claims, wherein the composite carrier ( 3 ) has a radiation-transmissive fluoropolymer film and a reflective fluoropolymer film, so that after step E) the reflection element ( 6 ) is formed from the fluoropolymer films. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat (1) das Fluorpolymer (7) aufweist und der Verbundträger (3) eine Metallfolie oder Kunststofffolie (31) aufweist, so dass nach Schritt E) das Reflexionselement (6) aus dem Fluorpolymer (7) und der Metallfolie oder Kunststofffolie (31) gebildet wird.Method according to at least one of the preceding claims, wherein the substrate ( 1 ) the fluoropolymer ( 7 ) and the composite support ( 3 ) a metal foil or plastic film ( 31 ), so that after step E) the reflection element ( 6 ) from the fluoropolymer ( 7 ) and the metal foil or plastic film ( 31 ) is formed. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Verbundträger (3) eine reflektierende Fluorpolymerfolie (32), die das Fluorpolymer (7) aufweist, aufweist, so dass nach Schritt E) das Reflexionselement (6) aus der Fluorpolymerfolie (32) gebildet wird und in direktem lateralem Kontakt zu den Halbleiterchips (2) angeordnet ist.Method according to at least one of the preceding claims, wherein the composite carrier ( 3 ) a reflective fluoropolymer film ( 32 ) containing the fluoropolymer ( 7 ), so that after step E) the reflection element ( 6 ) from the fluoropolymer film ( 32 ) and in direct lateral contact with the semiconductor chips ( 2 ) is arranged. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Fluorpolymerfolie (32) Streupartikel (10) aus Titandioxid aufweist, die in der Fluorpolymerfolie (32) eingebettet sind und in mittelbarem lateralem Kontakt zu den Halbleiterchips (2) angeordnet ist.Process according to the preceding claim, wherein the fluoropolymer film ( 32 ) Scattering particles ( 10 ) of titanium dioxide, which in the fluoropolymer film ( 32 ) and in indirect lateral contact with the semiconductor chips ( 2 ) is arranged. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor Schritt F) ein zusätzlicher Schritt erfolgt: Entfernen des Substrats (1).Method according to at least one of the preceding claims, wherein an additional step takes place before step F): removal of the substrate ( 1 ). Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Fluorpolymer (7) aus folgender Gruppe oder Kombinationen daraus ausgewählt ist: – Polytetrafluorethylen (PTFE), – Perfluormethylalkoxy-Copolymer (MFA), – Perfluoralkoxy-Polymer (PFA), – Ethylen-Chlortrifluorethylen-Copolymer (ECTFE), – Ethylen-Tetrafluorethylen-Copolymer (ETFE), – Fluoriertes-Ethylen-Propylen-Copolymer(FEP) – Polyvinylidenfluorid (PVDF), – Polychlortrifluorethylen (PCTFE).Process according to at least one of the preceding claims, wherein the fluoropolymer ( 7 ) is selected from the following or combinations thereof: polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoromethylalkoxy copolymer (MFA), perfluoroalkoxy polymer (PFA), ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE), ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE ), - fluorinated ethylene-propylene copolymer (FEP) - polyvinylidene fluoride (PVDF), - polychlorotrifluoroethylene (PCTFE). Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Fluorpolymer (7) ein Perfluormethylalkoxy-Copolymer (MFA), Perfluoralkoxy-Polymer (PFA) oder Fluoriertes-Ethylen-Propylen-Copolymer(FEP) ist.Process according to at least one of the preceding claims, wherein the fluoropolymer ( 7 ) is a perfluoromethylalkoxy copolymer (MFA), perfluoroalkoxy polymer (PFA) or fluorinated ethylene-propylene copolymer (FEP). Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Fluorpolymer (7) ein modifiziertes Polytetrafluorethylen (PTFE) ist.Process according to at least one of the preceding claims, wherein the fluoropolymer ( 7 ) is a modified polytetrafluoroethylene (PTFE). Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterchips (2) jeweils eine Strahlungsaustrittsfläche aufweisen und die jeweilige Strahlungsaustrittsfläche (23) auf dem Substrat (1) im Schritt B) aufgebracht wird.Method according to at least one of the preceding claims, wherein the semiconductor chips ( 2 ) each have a radiation exit surface and the respective radiation exit surface ( 23 ) on the substrate ( 1 ) is applied in step B). Optoelektronischen Bauelements (100) aufweisend – einen Halbleiterchip (2) mit einer Strahlungsaustrittsfläche (23), wobei der Halbleiterchip (2) im Betrieb Strahlung über die Strahlungsaustrittsfläche (23) emittiert, – ein Reflexionselement (6), das zumindest ein Fluorpolymer (7) umfasst, wobei das Reflexionselement (6) lateral zu dem Halbleiterchip (2) und zumindest bereichsweise auf der der Strahlungsaustrittsfläche (23) abgewandten Oberfläche (21) der Halbleiterchips angeordnet ist, wobei die Strahlungsaustrittsfläche (23) des Halbleiterchips (2) frei von dem Reflexionselement (6) ist.Optoelectronic component ( 100 ) - a semiconductor chip ( 2 ) with a radiation exit surface ( 23 ), wherein the semiconductor chip ( 2 ) in operation radiation over the radiation exit surface ( 23 ), - a reflection element ( 6 ), which is at least one fluoropolymer ( 7 ), wherein the reflection element ( 6 ) laterally to the semiconductor chip ( 2 ) and at least partially on the radiation exit surface ( 23 ) facing away from the surface ( 21 ) of the semiconductor chips is arranged, wherein the radiation exit surface ( 23 ) of the semiconductor chip ( 2 ) free of the reflection element ( 6 ).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022102494A1 (en) 2022-02-02 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung OPTOELECTRONIC DEVICE PACKAGE AND METHOD

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2919820A4 (en) 2012-11-13 2016-08-17 Violet Defense Technology Inc Device for ultraviolet light emission
JP6776764B2 (en) * 2015-10-30 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of light emitting device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69810537T2 (en) * 1997-06-19 2003-11-06 Eastman Kodak Co Release agent for a dye-donor element for thermal dye transfer
DE112006002276T5 (en) * 2005-08-26 2008-08-14 General Electric Co. Multilayer thermoplastic films and process for their preparation
DE102010046257A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for manufacturing LED chip mounted on circuit board, involves providing carrier with adhesive surface, applying molding material on adhesive film, and cutting molding material between semiconductor chips
DE202011050976U1 (en) * 2011-08-12 2012-11-15 Alanod Aluminium-Veredlung Gmbh & Co. Kg Highly reflective substrate for light-emitting diodes and light-emitting device with such a carrier material
DE112011103389T5 (en) * 2010-10-08 2013-07-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White, reflective, flexible circuit board
US20150009649A1 (en) * 2011-09-20 2015-01-08 Koninklijke Philips N.V. Light emiting module, a lamp, a luminaire and a display device
DE102015101598A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh A radiation-emitting optoelectronic device and method for producing a radiation-emitting optoelectronic device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009075530A2 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Amoleds Co., Ltd. Semiconductor and manufacturing method thereof
DE102009036622A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Opto-electronic semiconductor component, has main housing body surrounding opto-electronic semiconductor chip and made of radiation permeable matrix material, and radiation reflected filling material introduced into body
JP2011071272A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2013137356A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 シチズンホールディングス株式会社 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69810537T2 (en) * 1997-06-19 2003-11-06 Eastman Kodak Co Release agent for a dye-donor element for thermal dye transfer
DE112006002276T5 (en) * 2005-08-26 2008-08-14 General Electric Co. Multilayer thermoplastic films and process for their preparation
DE102010046257A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for manufacturing LED chip mounted on circuit board, involves providing carrier with adhesive surface, applying molding material on adhesive film, and cutting molding material between semiconductor chips
DE112011103389T5 (en) * 2010-10-08 2013-07-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White, reflective, flexible circuit board
DE202011050976U1 (en) * 2011-08-12 2012-11-15 Alanod Aluminium-Veredlung Gmbh & Co. Kg Highly reflective substrate for light-emitting diodes and light-emitting device with such a carrier material
US20150009649A1 (en) * 2011-09-20 2015-01-08 Koninklijke Philips N.V. Light emiting module, a lamp, a luminaire and a display device
DE102015101598A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh A radiation-emitting optoelectronic device and method for producing a radiation-emitting optoelectronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022102494A1 (en) 2022-02-02 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung OPTOELECTRONIC DEVICE PACKAGE AND METHOD

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