DE102015103805A1

DE102015103805A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Info

Publication number: DE102015103805A1
Application number: DE102015103805.6A
Authority: DE
Inventors: Daniel Riedel; Thomas Wehlus
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Osram Oled GmbH
Priority date: 2015-03-16
Filing date: 2015-03-16
Publication date: 2016-09-22
Also published as: WO2016146534A1

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein optoelektronisches Bauelement (1) und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (1) weist einen Träger (12), eine erste Elektrode (20) auf dem Träger (12), eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20), eine zweite Elektrode (23) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22), und mindestens eine Planarisierungsschicht (2) auf, die auf dem Träger (12) angeordnet ist und mit dem Träger (12) in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der ersten Elektrode (20) angeordnet ist und mit der ersten Elektrode (20) in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der zweiten Elektrode (23) angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt ist. Die mindestens eine Planarisierungsschicht (2) enthält elektrisch leitfähige Nanopartikel (122). Eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner ist als ungefähr 50 nm.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer organischen funktionellen Schichtenstruktur und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen optoelektronischen Bauelements.
Optoelektronische Bauelemente, die Licht emittieren, können beispielsweise Leuchtdioden (LEDs) oder organische Leuchtdioden (OLEDs) sein. Eine OLED kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer“, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en) („hole transport layer“ – HTL), und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer“ – ETL), um den Stromfluss zu richten.
Einzelne Schichten des optoelektronischen Bauelements werden zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden. Hierbei ist es für ein defektfreies Abscheiden und Betreiben von insbesondere organischen Schichtenstrukturen notwendig, darunter liegende Schichtenoberflächen zu planarisieren beziehungsweise deren Rauheit zu verringern.
Herkömmlicherweise finden polymere Werkstoffe Verwendung, um raue Oberflächen zu planarisieren beziehungsweise die Oberflächenrauheit zu reduzieren. Derartige polymere Werkstoffe weisen jedoch meist eine kurze Lebensdauer auf. Zudem ist es herkömmlicherweise häufig notwendig, die Oberflächenrauheit mit kostenintensiven Verfahren zu reduzieren, beispielsweise durch Verwendung von teuer hergestelltem, sehr glatten Display-Glas oder teuer hergestellten Elektroden.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, das eine Planarisierung von Oberflächen einzelner Schichten auf kostengünstige und/oder einfache Weise ermöglicht, insbesondere ohne hierzu kostenintensive Verfahren zu benötigen, und/oder das mindestens eine Planarisierungsschicht zum Reduzieren einer Oberflächenrauigkeit aufweist, und/oder das sich durch eine hohe Lebensdauer einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements auszeichnet.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben, das durch eine kostengünstige und einfache Weise eine Planarisierungsschicht zum Reduzieren einer Oberflächenrauigkeit bereitstellt, und/oder das insbesondere die Lebensdauer einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements erhöht.
Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein optoelektronisches Bauelement aufweisend einen Träger, eine erste Elektrode auf dem Träger, eine organische funktionelle Schichtenstruktur über der ersten Elektrode und eine zweite Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur, und mindestens eine Planarisierungsschicht, die auf dem Träger angeordnet ist und mit dem Träger in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf über der ersten Elektrode angeordnet ist und mit der ersten Elektrode in körperlichem Kontakt ist, und/oder auf der zweiten Elektrode angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode in körperlichem Kontakt ist, wobei die mindestens eine Planarisierungsschicht elektrisch leitfähige Nanopartikel enthält, und wobei eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit dem Träger beziehungsweise der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm.
Die mittlere Rauheit, dargestellt durch das Symbol Ra, gibt den mittleren Abstand eines Messpunktes – auf der Oberfläche – zur Mittellinie an. Die Mittellinie schneidet innerhalb der Bezugsstrecke das wirkliche Profil so, dass die Summe der Profilabweichungen (bezogen auf die Mittellinie) minimal wird. Die mittlere Rauheit R_a entspricht also dem arithmetischen Mittel der betragsmäßigen Abweichung von der Mittellinie.
In zwei Dimensionen berechnet sie sich aus:
wobei der Mittelwert durch
berechnet wird.
Etwas leichter vorstellbar ist die mittlere Rauheit (in einer Dimension) als die Höhe des Rechtecks, das die gleiche Länge wie die zu untersuchende Strecke und den gleichen Flächeninhalt wie jene Fläche zwischen Bezugshöhe und Profil hat.
Das optoelektronische Bauelement enthält also eine integrierte Planarisierungsschicht, die insbesondere auf einer Schicht des optoelektronischen Bauelements mit einer hohen Oberflächenrauheit angeordnet ist. Die Planarisierungsschicht, insbesondere die Verwendung von elektrisch leitfähigen Nanopartikeln, ermöglicht eine Reduzierung der Rauheit der darunter liegenden Schichtenoberfläche. Durch die zusätzliche elektrische Leitfähigkeit, die die Nanopartikel aufweisen, ist es möglich, raue Elektroden oder raue elektrisch leitfähige Schichten des optoelektronischen Bauelements zu planarisieren. Mit der Planarisierungsschicht können also elektrisch leitfähige Schichten in dem optoelektronischen Bauelement Verwendung finden, welche ohne die Planarisierung aufgrund auftretender elektrischer Defekte gerade bei empfindlichen organischen optoelektronischen Bauelementen nicht verwendbar wären. Kostenintensive beziehungsweise teure Glättungsprozesse, insbesondere teuer hergestellte, sehr glatte Schichten wie beispielsweise sehr glattes Display-Glas, können so vermieden werden. Kostengünstigere Schichten, beispielsweise Substrate oder ITO-Schichten, welche eine hohe Oberflächenrauheit aufweisen, können bei dem optoelektronischen Bauelement Verwendung finden. Zudem ist durch die Verwendung von Nanopartikeln als Planarisierungsschicht eine lange Lebensdauer dieser Schicht zu erwarten.
Die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind dafür vorgesehen, die organische funktionelle Schichtenstruktur elektrisch zu kontaktieren. Beispielsweise sind die erste Elektrode und die zweite Elektrode als ganzflächig ausgestaltete, elektrisch leitfähige Elektrodenschicht oder als Teil einer elektrisch leitfähigen Elektrodenschicht ausgebildet. Die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind dabei bevorzugt zur gemeinsamen elektrischen Kontaktierung der organisch funktionellen Schichtenstruktur vorgesehen. Alternativ kann die organische funktionelle Schichtenstruktur segmentiert ausgebildet sein, wobei jedem Schichtenstruktursegment eine separate elektrisch leitfähige erste und/oder zweite Elektrode zugeordnet ist.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur ist dazu ausgebildet, elektrische Energie in Licht oder Licht in elektrische Energie umzuwandeln. Beispielsweise ist das optoelektronische Bauelement eine OLED und die organische funktionelle Schichtenstruktur ist ein optisch aktiver Bereich der OLED.
Die Planarisierungsschicht ist insbesondere zum Ebnen mindestens einer Schicht des optoelektronischen Bauelements vorgesehen und weist demnach oberflächenrauheitsreduzierende Eigenschaften in Form von elektrisch leitfähigen Nanopartikeln auf. Hierbei ist die Planarisierungsschicht direkt auf der zu ebnenden Schicht angeordnet, insbesondere in direktem körperlichem Kontakt und unmittelbar an diese angrenzend ausgebildet. Die zu ebnende Schicht kann beispielsweise der Träger, die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode sein. Zum Ebnen der darunter liegenden Schicht ist die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit der zu ebnenden Schicht in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm.
In einer Ausgestaltung kann die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht kleiner sein als die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit dem Träger beziehungsweise mit der ersten Elektrode beziehungsweise mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht. Mit anderen Worten: Die Rauheit der darunterliegenden Schicht ist in dieser Ausgestaltung höher als die Rauheit der Oberfläche der Planarisierung
Gemäß einer Weiterbildung ist die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht kleiner ist als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner ist als ungefähr 5 nm. Bevorzugt liegt die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm.
Gemäß einer Weiterbildung enthält die Planarisierungsschicht zumindest ein anorganisches Material. Durch die Verwendung von einem anorganischen Material kann eine lange Lebensdauer der Planarisierungsschicht erzielt werden.
Gemäß einer Weiterbildung sind die elektrisch leitfähigen Nanopartikel Metalloxide. Beispielsweise enthalten die elektrisch leitfähigen Nanopartikel ITO (Indiumzinnoxid), Al:ZnO (Aluminium-Zinkoxid), FTO (Fluor-Zinnoxid) und/oder AZO (Azoverbindung). Durch die elektrischen Eigenschaften, die diese Nanopartikel aufweisen, können insbesondere elektrisch leitfähige Schichten des optoelektronischen Bauelements planarisiert werden, ohne merkliche Einbußen in der elektrischen Leitfähigkeit hinnehmen zu müssen. Günstig prozessierte, elektrisch leitfähige Schichten können so in dem optoelektronischen Bauelement Verwendung finden.
Gemäß einer Weiterbildung weisen die elektrisch leitfähigen Nanopartikel einen mittleren Durchmesser in einem Bereich zwischen einschließlich 1 nm und 100 nm, insbesondere zwischen einschließlich 5 nm und 50 nm, auf. Die Verwendung von Nanopartikel in der angegebenen Größe ermöglichen insbesondere eine Reduzierung der Oberflächenrauheit der unmittelbar darunter angeordneten Schicht. Eine Planarisierung beziehungsweise Ebnung der darunter liegenden Schicht kann so erzeugt werden. Auf kostenintensive Verfahrensprozesse zum Ebnen dieser darunter liegenden Schicht kann dabei verzichtet werden. Zudem können durch Nanopartikel in der angegebenen Größe eine hohe Packungsdichte und damit verbunden eine hohe Perkolation und elektrische Leitfähigkeit erzielt werden.
Gemäß einer Weiterbildung weisen die elektrisch leitfähigen Nanopartikel eine im Wesentlichen kugelförmige oder sphärische Form auf.
Gemäß einer Weiterbildung bilden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel eine nanoporöse Schicht. Damit bilden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel eine leitfähige Matrix und müssen somit nicht in einer polymeren Matrix eingebettet sein. Gemäß einer Weiterbildung ist zumindest ein Oberflächenbereich des Trägers, der der Planarisierungsschicht zugewandt ist, elektrisch isolierend. In diesem Oberflächenbereich ist also keine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements vorgesehen.
Gemäß einer Weiterbildung ist/sind die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode unsegmentiert, wobei sich die Planarisierungsschicht über die gesamte erste Elektrode und/oder die gesamte zweite Elektrode erstreckt. Eine ganzflächig ausgebildete erste und/oder zweite Elektrode findet demnach Anwendung.
Gemäß einer Weiterbildung enthält die Planarisierungsschicht lichtstreuende Partikel, beispielsweise TiO₂-Partikel (Titandioxid-Partikel). Die Planarisierungsschicht weist also neben den oberflächenrauheitsreduzierenden Eigenschaften und elektrischen Eigenschaften zudem lichtstreuende Eigenschaften auf. Die Planarisierungsschicht ermöglicht so zusätzlich eine Beeinflussung der Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements in einer gewünschten Weise.
Die Aufgabe wird weiter gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelements. Bei dem Verfahren werden eine erste Elektrode auf einem Träger ausgebildet, eine organische funktionelle Schichtenstruktur über der ersten Elektrode ausgebildet, und eine zweite Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet, und mindestens eine Planarisierungsschicht ausgebildet, die auf dem Träger angeordnet wird und mit dem Träger in körperlichen Kontakt gebracht wird, und/oder auf der ersten Elektrode angeordnet wird und mit der ersten Elektrode in körperlichen Kontakt gebracht wird, und/oder auf der zweiten Elektrode angeordnet wird und mit der zweiten Elektrode in körperlichen Kontakt gebracht wird. Die mindestens eine Planarisierungsschicht enthält elektrisch leitfähige Nanopartikel. Eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht, die mit dem Träger beziehungsweise der ersten Elektrode beziehungsweise der zweiten Elektrode in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner ist als ungefähr 50 nm.
Das Verfahren zeichnet sich insbesondere durch eine kostengünstige und einfache Weise zum Herstellen der Planarisierungsschicht zum Reduzieren einer Oberflächenrauheit aus, sowie durch seine reduzierte Gefahr eines Ausfalls der Planarisierungsschicht des optoelektronischen Bauelements, insbesondere basierend auf einer hohen Lebensdauer der Planarisierungsschicht.
Alternative Ausführungen und/oder Vorteile betreffend die Planarisierungsschicht, die organische funktionelle Schichtenstruktur, das optoelektronische Bauelement und/oder jeweils Komponenten hiervon sind bereits in Zusammenhang mit dem jeweiligen Erzeugnis weiter oben in der Anmeldung ausgeführt und finden bei dem Herstellungsverfahren natürlich entsprechend Anwendung, ohne hier explizit nochmals aufgeführt zu sein.
Die Planarisierungsschicht wird insbesondere unmittelbar und direkt über der zu ebnenden beziehungsweise der zu planarisierenden Schicht aufgebracht, die beispielsweise der Träger oder eines der Elektroden sein kann. Alternativ können über mehrere dieser Schichten des optoelektronischen Bauelements je eine Planarisierungsschicht aufgebracht werden, im Falle, dass mehrere dieser Schichten eine zu reduzierende Oberflächenrauheit besitzen.
Gemäß einer Weiterbildung werden zum Aufbringen der Planarisierungsschicht die elektrisch leitfähigen Nanopartikel in ein Lösungsmittel eingebracht. Die elektrisch leitfähigen Nanopartikel werden also aus einer Lösung prozessiert. Das Lösungsmittel ist beispielsweise Isopropanol, Aceton oder 1-Methoxy-2-Propanol. Zum Aufbringen der Planarisierungsschicht kann eines der folgenden Verfahren beziehungsweise Lösungsprozess-Techniken Anwendung finden: ein Tintenstrahldruck-Verfahren, ein Offsetdruck-Verfahren, ein Flexodruck-Verfahren, ein Tiefdruck-Verfahren, ein Schlitzgieß-Verfahren, ein Siebdruck-Verfahren oder ein Rakel-Verfahren. Diese Verfahren sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.
Zur Messung der Oberflächenrauheit einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements kann ein Profilometer beziehungsweise das Tastschnittverfahren verwendet werden. Dieses Verfahren ist dem Fachmann bekannt und wird daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Die Messung sollte dabei eine Auflösung von mindestens 10 Nanometer über eine Mindestdistanz von 20 µm aufweisen, um Rauheiten im vorliegenden Bereich, insbesondere kleiner 50 nm, bevorzugt kleiner 20 nm, signifikant messen zu können.
Alternativ kann zur Messung der Oberflächenrauheit einzelner Schichten des optoelektronischen Bauelements ein AFM (Atomic Force Microscope) zur zwei-Dimensionalen Auswertung der Oberflächenrauheit Verwendung finden. Dabei sind die gleichen Anforderungen an die Auflösung (< 10nm) und Messlänge beziehungsweise in diesem Fall Messfläche (20µ 20µm) zu stellen. Eine Messung der Oberflächenrauheit mit einem AFM ist dem Fachmann ebenfalls bekannt und wird daher an dieser Stelle nicht näher erörtert.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
1 eine seitliche Schnittdarstellung eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelements;
2A eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausschnitts eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
2B eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausschnitts eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
2C eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausschnitts eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
3 eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine organische Solarzelle oder eine organische Photozelle sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein organische elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
1 zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 1. Das optoelektronische Bauelement 1 weist einen Träger 12 auf. Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 12 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein.
Der Träger 12 ist herkömmlicherweise meist planarisiert oder kostenintensiv hergestellt, damit einzelne darauf aufgebrachte Schichten defektfrei betrieben werden können. Beispielsweise findet ein teuer hergestelltes, sehr glattes Display-Glas als Träger 12 Verwendung.
Auf dem Träger 12 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist. Der Träger 12 mit der ersten Elektrodenschicht 14 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Zwischen dem Träger 12 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22, der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen.
Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist die zweite Elektrode 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur.
Die erste und die zweite Elektrode 20, 23 sind meist teuer prozessiert, um eine geringe Oberflächenrauheit und dadurch bedingt ein defektfreies Abscheiden nachfolgender Schichten und ein defektfreies Betreiben des optoelektronischen Bauelements 1 zu ermöglichen.
Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet.
Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.
In der Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18.
Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Klebeschicht 36 ausgebildet. Die Klebeschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Klebeschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel.
Über der Klebeschicht 36 ist eine Abdeckung 38 ausgebildet. Die Klebeschicht 36 dient zum Befestigen der Abdeckung 38 an der Verkapselungsschicht 24. Die Abdeckung 38 weist beispielsweise Kunststoff und/oder Metall auf. Beispielsweise kann die Abdeckung 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Die Abdeckung 38 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann die Abdeckung 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas der Abdeckung 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht der Abdeckung 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen.
2A zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Das optoelektronische Bauelement 1 weist auf dem Träger 12, der insbesondere als Glassubstrat ausgebildet ist, die ersten Elektrode auf, die insbesondere eine ITO-Schicht ist und als Anode dient (nicht dargestellt), die organische funktionelle Schichtenstruktur auf der ersten Elektrode (nicht dargestellt), die zweite Elektrode auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur, die insbesondere eine Al-Schicht ist und als Kathode dient (nicht dargestellt), die Verkapselungsschicht, die insbesondere eine TFE-Schicht ist, auf der zweiten Elektrode (nicht dargestellt), die Klebeschicht auf der Verkapselungsschicht (nicht dargestellt), und die Abdeckung (nicht dargestellt).
Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht, die Emitterschicht, die Elektronentransportschicht und/oder die Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen.
Die Verkapselungsschicht kann als Barriereschicht, beispielsweise als Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben oder Tetrafluorethylen (TFE).
Die Klebeschicht dient zum Befestigen der Abdeckung auf der Verkapselungsschicht. Die Abdeckung dient zum Schützen des optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann die Abdeckung zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Die Abdeckung kann insbesondere eine Metallschicht oder eine Metallfolie aufweisen oder sein, beispielsweise eine Aluminiumfolie.
Der Träger 12 dient als Trägerelement für die weiteren, darauf angeordneten Schichten. Hierbei weist der Träger 12 eine hohe Oberflächenrauheit auf, die für ein defektfreies Betreiben des optoelektronischen Bauelements 1 nachteilig sein kann. Daher ist auf einer Oberfläche 121 des Trägers 12, auf der die weiteren Schichten des optoelektronischen Bauelements 1 aufgebracht sind, eine Planarisierungsschicht 2 aufgebracht. Diese steht mit dem Träger 12 in direktem körperlichen Kontakt. Eine mittlere Rauheit einer Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit dem Träger 12 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm.
Die Planarisierungsschicht 2 enthält elektrisch leitfähige Nanopartikel 122 und dient insbesondere dazu, die Oberflächenrauheit des Trägers 12 zu reduzieren. Die elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122 sind beispielsweise Metalloxide, insbesondere ITO-Partikel, ITO/AZO-Parikel, Al:ZnO-Partikel und/oder FTO-Partikel. Dabei weisen die elektrisch leitfähigen Nanopartikel einen mittlere Durchmesser in einem Bereich zwischen einschließlich 1 nm und 100 nm, insbesondere zwischen einschließlich 5 nm und 50 nm, auf. Die elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122 weisen eine im Wesentlichen kugelförmige oder sphärische Form auf.
Die Planarisierungsschicht 2 enthält ein anorganisches Material, und insbesondere keine polymere Matrix. Insbesondere bilden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122 selbst eine Matrix aus. Dadurch kann eine hohe Lebensdauer der Planarisierungsschicht 2 bereitgestellt werden. Optional enthält die Planarisierungsschicht 2 lichtstreuende Partikel, beispielsweise TiO₂-Partikel. Die Planarisierungsschicht 2 dient dabei also zusätzlich als elektrisch leitfähige Streuschicht für die von dem optoelektronischen Bauelement 1 emittierte Strahlung.
Zum Aufbringen der Planarisierungsschicht 2 auf dem Träger 12, insbesondere der elektrisch leitfähigen Nanopartikel 122, werden diese in Lösung prozessiert und liegen dann in einem entsprechenden Lösungsmittel vor. Das Lösungsmittel ist beispielsweise Isopropanol, Aceton oder 1-Methoxy-2-Propanol. Hierbei werden die elektrisch leitfähigen Nanopartikel mittels eines Tintenstrahldruck-Verfahrens, eines Offsetdruck-Verfahrens, eines Flexodruck-Verfahrens, eines Tiefdruck-Verfahrens, eines Schlitzgieß-Verfahrens, eines Siebdruck-Verfahrens oder eines Rakel-Verfahrens auf dem Träger 12 aufgebracht.
2B zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 beziehungsweise 2A gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Dabei ist auf einer Oberfläche 121a der ersten Elektrode 20, auf der die weiteren Schichten des optoelektronischen Bauelements 1 aufgebracht sind, die Planarisierungsschicht 2 aufgebracht. Diese steht mit der ersten Elektrode 20 in direktem körperlichen Kontakt. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit der ersten Elektrode 20 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm.
Die erste Elektrode 20 weist die Planarisierungsschicht 2 auf der Oberfläche zum Reduzieren der Oberflächenrauheit auf. Durch die elektrische Leitfähigkeit der Planarisierungsschicht 2, insbesondere der elektrisch leitfähigen Nanopartikel, wird dabei das elektrische Betreiben des optoelektronischen Bauelements nicht aufgrund von auftretenden elektrischen Defekten negativ beeinflusst.
2C zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 beziehungsweise 2A beziehungsweise 2B gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Dabei ist auf einer Oberfläche 121b der zweiten Elektrode 23 die Planarisierungsschicht 2 aufgebracht. Diese steht mit der zweiten Elektrode 23 in direktem körperlichen Kontakt. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit der zweiten Elektrode 23 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, ist kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm.
Die zweite Elektrode 23 weist die Planarisierungsschicht 2 auf der Oberfläche zum Reduzieren der Oberflächenrauheit auf. Durch die elektrische Leitfähigkeit der Planarisierungsschicht 2, insbesondere der elektrisch leitfähigen Nanopartikel, wird dabei das elektrische Betreiben des optoelektronischen Bauelements nicht aufgrund von auftretenden elektrischen Defekten negativ beeinflusst.
3 zeigt einen Ausschnitt aus einem Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 beziehungsweise 2B beziehungsweise 2C gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Die erste Elektrode 20 ist segmentiert ausgebildet und weist demnach eine Mehrzahl von Elektrodenelementen 21 auf. Die Planarisierungsschicht 2 erstreckt sich dabei in Zwischenräume zwischen die Elektrodensegmente 21 und verbindet benachbarte Elektrodenelemente 21 via den Zwischenraum elektrisch leitend miteinander. Zudem erstreckt sich die Planarisierungsschicht 2 gleichmäßig über die Zwischenräume und die Elektrodenelemente 21. Dabei weist die Planarisierungsschicht 2 die zuvor beschriebene Wirkung der Reduzierung der Oberflächenrauheit auf, die sich aufgrund der elektrisch leitfähigen Nanopartikel in der Planarisierungsschicht ergibt. Insbesondere ist die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2, die der Oberfläche der Planarisierungsschicht 2, die mit den Elektrodenelementen 21 in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner als ungefähr 50 nm, bevorzugt kleiner als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner als ungefähr 5 nm. Die mittlere Rauheit der Oberfläche 1210 der Planarisierungsschicht 2 liegt besonders bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement 1, insbesondere die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 segmentiert ausgebildet sein. Alternativ oder zusätzlich können eine Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen 1 nebeneinander zu einer optoelektronischen Baugruppe angeordnet sein.

Claims

Optoelektronisches Bauelement (1), aufweisend: einen Träger (12); und eine erste Elektrode (20) auf dem Träger (12); und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20); und eine zweite Elektrode (23) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22); und mindestens eine Planarisierungsschicht (2), die • auf dem Träger (12) angeordnet ist und mit dem Träger (12) in körperlichem Kontakt ist, und/oder, • auf der ersten Elektrode (20) angeordnet ist und mit der ersten Elektrode (20) in körperlichem Kontakt ist, und/oder, • auf der zweiten Elektrode (23) angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt ist; wobei die mindestens eine Planarisierungsschicht (2) elektrisch leitfähige Nanopartikel (122) enthält, und wobei eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 1, wobei die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2) kleiner ist als ungefähr 20 nm, vorzugsweise kleiner ist als ungefähr 5 nm.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2) kleiner ist als die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht.“
Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mittlere Rauheit der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2) in einem Bereich liegt von ungefähr 1 nm bis ungefähr 50 nm.
Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Planarisierungsschicht (2) anorganisches Material enthält.
Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) Metalloxide sind.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 6, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) ITO, Al:ZnO und/oder FTO enthalten.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) einen mittleren Durchmesser in einem Bereich zwischen einschließlich 1 nm und 100 nm, insbesondere zwischen einschließlich 5 nm und 50 nm, aufweisen.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) eine im Wesentlichen kugelförmige oder sphärische Form aufweisen.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Oberflächenbereich des Trägers (12), der der Planarisierungsschicht (2) zugewandt ist, elektrisch isolierend ist.
Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Elektrode (20) und/oder die zweite Elektrode (23) unsegmentiert sind/ist, und wobei sich die Planarisierungsschicht (2) über die gesamte erste Elektrode (20) und/oder die gesamte zweite Elektrode (23) erstreckt.
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1), bei dem eine erste Elektrode (20) auf einem Träger (12) ausgebildet wird; und eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20) ausgebildet wird; und eine zweite Elektrode (23) auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet wird; und mindestens eine Planarisierungsschicht (2) ausgebildet wird, die • auf dem Träger (12) angeordnet und mit dem Träger (12) in körperlichen Kontakt gebracht wird, • auf der ersten Elektrode (20) angeordnet und mit der ersten Elektrode (20) in körperlichen Kontakt gebracht wird, und/oder • auf der zweiten Elektrode (23) angeordnet und mit der zweiten Elektrode (23) in körperlichen Kontakt gebracht wird, wobei die mindestens eine Planarisierungsschicht (2) elektrisch leitfähige Nanopartikel (122) enthält; und wobei eine mittlere Rauheit einer Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die der Oberfläche der Planarisierungsschicht (2), die mit dem Träger (12) beziehungsweise der ersten Elektrode (20) beziehungsweise der zweiten Elektrode (23) in körperlichem Kontakt steht, gegenüberliegt, kleiner ist als ungefähr 50 nm.
Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei zum Aufbringen der elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) diese in ein Lösungsmittel eingebracht werden.
Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei das Lösungsmittel Isopropanol, Ethanol, Aceton oder 1-Methoxy-2-Propanol ist.
Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei die elektrisch leitfähigen Nanopartikel (122) mittels eines eines Tintenstrahldruck-Verfahrens, eines Offsetdruck-Verfahrens, eines Flexodruck-Verfahrens, eines Tiefdruck-Verfahrens, eines Schlitzgieß-Verfahrens, eines Siebdruck-Verfahrens oder eines Rakel-Verfahrens aufgebracht werden.