DE102015103571A1 - Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102015103571A1
DE102015103571A1 DE102015103571.5A DE102015103571A DE102015103571A1 DE 102015103571 A1 DE102015103571 A1 DE 102015103571A1 DE 102015103571 A DE102015103571 A DE 102015103571A DE 102015103571 A1 DE102015103571 A1 DE 102015103571A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
mask layer
conversion
carrier
conversion elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102015103571.5A
Other languages
English (en)
Inventor
David Racz
Matthias Sperl
Luca Haiberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102015103571.5A priority Critical patent/DE102015103571A1/de
Priority to PCT/EP2016/054801 priority patent/WO2016142344A1/de
Priority to CN201680014616.1A priority patent/CN107408608A/zh
Priority to JP2017543783A priority patent/JP2018509650A/ja
Priority to US15/555,483 priority patent/US20180047879A1/en
Publication of DE102015103571A1 publication Critical patent/DE102015103571A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen (6) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Trägers (1), – Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf den Träger (1), wobei die erste Maskenschicht (4) mit Durchbrüchen (3) strukturiert ist, die die erste Maskenschicht (4) vollständig durchdringen, – Aufbringen eines Konversionsmaterials (5) zumindest in die Durchbrüche (3), und – Vereinzeln der Konversionselemente (6), so dass eine Vielzahl einzelner Konversionselemente (6) entsteht. Es werden zwei weitere Verfahren sowie ein Konversionselement (6) und ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

Description

  • Es werden drei Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, ein Konversionselement und ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
  • Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen sind beispielsweise in den Druckschriften DE 10 2007 043183 A1 , DE 10 2013 103983 A1 und US 2012/0273807 A1 beschrieben.
  • Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ist es, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen anzugeben, mit denen Konversionselemente erzielt werden können, deren Form besonders gut definiert ist. Weiterhin soll ein Konversionselement mit besonders definierter Form und ein optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen Konversionselement angegeben werden.
  • Diese Aufgaben werden jeweils durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1, des Patentanspruchs 8 und des Patentanspruchs 14 sowie durch ein Konversionselement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 18 und durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 19 gelöst.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausführungsformen der Verfahren, des Konversionselements und des optoelektronischen Bauelements sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
  • Das mit den hier beschriebenen Verfahren hergestellte Konversionselement ist wellenlängenkonvertierend ausgebildet. Mit dem Begriff „Wellenlängenkonversion“ wird vorliegend insbesondere die Umwandlung von eingestrahlter elektromagnetischer Strahlung eines bestimmten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines anderen, bevorzugt längerwelligen, Wellenlängenbereichs verstanden. Insbesondere wird bei der Wellenlängenkonversion elektromagnetische Strahlung eines eingestrahlten Wellenlängenbereiches durch das wellenlängenkonvertierende Element absorbiert, durch elektronische Vorgänge auf atomarer und/oder molekularer Ebene in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereiches umgewandelt und wieder ausgesendet. Insbesondere ist reine Streuung oder reine Absorption von elektromagnetischer Strahlung vorliegend nicht mit dem Begriff „Wellenlängenkonversion“ gemeint.
  • Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen wird zunächst ein Träger bereitgestellt. Besonders bevorzugt ist der Träger zumindest transparent für sichtbares Licht. Der Träger weist beispielsweise eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Saphir, Glas, Borsilikatglas.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine erste Maskenschicht auf den Träger aufgebracht, die mit Durchbrüchen strukturiert ist. Im Bereich der Durchbrüche ist der Träger frei zugänglich.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens ist auf den Träger eine Opferschicht aufgebracht. In diesem Fall ist die Opferschicht durch die Durchbrüche frei zugänglich.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird ein Konversionsmaterial zumindest in die Durchbrüche eingebracht. Hierbei liegt das Konversionsmaterial in der Regel in einer fließfähigen Form vor. In diesem Fall wird das Konversionsmaterial zu einem späteren Zeitpunkt des Verfahrens in der Regel ausgehärtet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden die Konversionselemente vereinzelt, so dass eine Vielzahl einzelner Konversionselemente entsteht. Die Konversionselemente können hierbei vor der Vereinzelung auf einer Folie fixiert werden, so dass sie nach der Vereinzelung als fertige Konversionselemente auf der Folie vorliegen und einfach weiterverarbeitet werden können, beispielsweise durch einen Pick-and-Place-Prozess.
  • Das Konversionsmaterial grenzt innerhalb der Durchbrüche bevorzugt jeweils seitlich direkt an die erste Maskenschicht an. Weiterhin schließt das Konversionsmaterial innerhalb der Durchbrüche mit einer Oberfläche der ersten Maskenschicht bevorzugt jeweils bündig ab. Mit anderen Worten füllt das Konversionsmaterial die Durchbrüche bevorzugt vollständig aus.
  • Die Durchbrüche der ersten Maskenschicht bilden bevorzugt die inversen Formen für das Konversionsmaterial und geben die spätere Form der Konversionselemente oder zumindest des wellenlängenkonvertierenden Elements des Konversionselements vor.
  • Den hier beschriebenen Herstellungsverfahren für die Konversionselemente liegt die Idee zugrunde, Strukturen einer Maskenschicht mit dem Konversionsmaterial abzuformen und so ein Konversionselement mit wohldefinierter Form zu erzielen. Insbesondere weist das mit den hier beschriebenen Verfahren erzeugte Konversionselement in der Regel eine sehr glatte Hauptfläche und glatte Seitenflächen etwa im Vergleich zu einem mit Siebdruck erzeugten harzbasierten, etwa silikonbasierten, Konversionsplättchen auf. Auch eine Durchbiegung über die gesamte Fläche, wie sie bei gedruckten Konversionselementen beobachtet wird, weisen die mit den hier beschriebenen Verfahren erzeugten Konversionselemente in der Regel nicht auf. Weiterhin können mit den hier beschriebenen Verfahren mit Vorteil vergleichsweise dicke Konversionselemente und Konversionselemente mit geringer Kantenlänge hergestellt werden.
  • Die hier beschriebenen Konversionselemente sind bevorzugt harzbasiert, beispielsweise silikonbasiert. Gegenüber keramischen Konversionselementen weisen harzbasierte Konversionselemente den Vorteil auf, auf einfache Art und Weise mehrere unterschiedliche Leuchtstoffe enthalten zu können.
  • Insbesondere, wenn der Träger nicht mehr Teil des späteren Konversionselements ist, ist eine sehr breite Vielfalt an Formen für das spätere Konversionselement möglich. Besonders bevorzugt weist das spätere Konversionselement eine Aussparung für einen späteren Bonddraht auf. Eine derartige Aussparung für einen Bonddraht ist bevorzugt am Rand des Konversionselements angeordnet. Eine Bonddrahtaussparung kann mit den hier angegebenen Verfahren besonders genau abgeformt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Vereinzelung der Konversionselemente durch Sägen, Stanzen oder Laserschreiben und Brechen, wobei der Träger ebenfalls durchtrennt wird, so dass der Träger jeweils Teil der späteren Konversionselemente ist. In diesem Fall dient der Träger bevorzugt der mechanischen Stabilisierung des Konversionselements. Folglich kann mit Vorteil das Konversionsmaterial derart geformt sein, dass es alleine nicht mechanisch stabil ist. Im Vergleich zu keramischen Konversionselementen sind derartige Konversionselemente kostengünstiger. Die Konversionselemente weisen bei dieser Ausführungsform in der Regel rechteckige Formen auf.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die erste Maskenschicht ebenfalls durchtrennt, so dass Seitenflächen des Konversionsmaterials mit einer Schicht der ersten Maskenschicht bedeckt sind. Bei dieser Ausführungsform muss die erste Maskenschicht mit Vorteil nicht entfernt werden. Dies vereinfacht das Verfahren. Weiterhin kann die Maskenschicht absorbierend oder auch reflektierend für einfallendes und/oder konvertiertes Licht ausgebildet sein. Eine derartige Schicht auf den Seitenflächen des fertigen Konversionselements verhindert später die Abgabe von Licht über die Seitenflächen des Konversionselements und verhindert damit ein optisches Übersprechen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Aufbringen des Konversionsmaterials eine reflektierende Schicht auf die erste Maskenschicht aufgebracht, die die Seitenflächen des Konversionsmaterials nach dem Vereinzeln bedeckt. Besonders bevorzugt bedeckt die reflektierende Schicht die Seitenflächen des Konversionsmaterials vollständig. Die reflektierende Schicht auf den Seitenflächen ist bevorzugt reflektierend für einfallendes und/oder konvertiertes Licht ausgebildet. Die reflektierende Schicht auf den Seitenflächen des fertigen Konversionselements verhindert später ebenfalls die Abgabe von Licht über die Seitenflächen des Konversionselements und verhindert damit ein optisches Übersprechen. Weiterhin kann die reflektierende Schicht auch den Farbeindruck des ausgesandten Lichtes mit dem Betrachtungswinkel homogenisieren.
  • Die reflektierende Schicht weist bevorzugt eines der folgenden metallischen Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Silber, Gold, Aluminium, Platin. Weiterhin kann die reflektierende Schicht auch als dielektrischer Spiegel ausgebildet sein, der beispielsweise Schichten aus Silber und Siliziumoxid umfasst.
  • Die reflektierende Schicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 0,1 Mikrometer und einschließlich 200 Mikrometer auf.
  • Zur Erzeugung einer reflektierenden Schicht auf den Seitenflächen des Konversionsmaterials kann beispielsweise eine zweite strukturierte Maskenschicht auf den Träger aufgebracht werden. Die zweite Maskenschicht weist bevorzugt Strukturelemente auf oder ist aus Strukturelementen gebildet, die in den Durchbrüchen der ersten Maskenschicht angeordnet sind.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird hierzu auf der ersten Maskenschicht und der zweiten Maskenschicht eine metallische Keimschicht, bevorzugt vollflächig, aufgebracht. Besonders bevorzugt werden hierbei Seitenwände der ersten Maskenschicht mit der metallischen Keimschicht bedeckt. Die Abscheidung kann beispielsweise mittels eines der folgenden Verfahren erfolgen: Sputtern, PVD, Verdampfen.
  • Die metallische Keimschicht weist beispielsweise eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Chrom, Titan, Platin, Aluminium, Kupfer, Silber.
  • Die Keimschicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 0,05 Mikrometer und einschließlich 0,2 Mikrometer auf.
  • Nach dem Abscheiden der metallischen Keimschicht wird die zweite Maskenschicht wieder entfernt, so dass nur die erste Maskenschicht mit der metallischen Keimschicht bedeckt ist. Der Träger oder die Opferschicht liegt im Bereich der Durchbrüche bevorzugt frei. Dann wird die Keimschicht abgeformt, so dass auf der ersten Maskenschicht die reflektierende Schicht entsteht. Die Abformung der Keimschicht kann beispielsweise mit einem galvanischen Prozess durchgeführt werden. Der galvanische Prozess kann mit Strom oder stromlos erfolgen.
  • Auf dem Träger liegt nun die erste Maskenschicht vor, auf der die reflektierende Schicht abgeschieden ist. Die Durchbrüche der ersten Maskenschicht werden dann, wie bereits beschrieben, mit dem Konversionsmaterial gefüllt und die Konversionselemente fertig gestellt.
  • Alternativ zu dem gerade eben beschriebenen Verfahren zur Erzeugung der reflektierenden Schicht auf den Seitenflächen der Konversionselemente kann die reflektierende Schicht auch ohne die vorherige Aufbringung einer Keimschicht auf der ersten Maskenschicht und der zweiten Maskenschicht aufgebracht werden. Bevorzugt wird die reflektierende Schicht hierbei vollflächig aufgebracht. Allerdings wird hierbei bevorzugt Sputtern verwendet und kein galvanischer Prozess.
  • Nach dem Abscheiden der reflektierenden Schicht wird die zweite Maskenschicht wieder entfernt, so dass nur die erste Maskenschicht mit der reflektierenden Schicht bedeckt wird und der Träger in den Bereichen der Durchbrüche frei liegt. Anschließend können die Konversionselemente wiederum weiterprozessiert werden beginnend mit dem Aufbringen des Konversionsmaterials.
  • Wird mit einem der beschriebenen Ausführungsformen des Verfahrens eine reflektierende Schicht auf die Seitenflächen des Konversionsmaterials aufgebracht, so ist es auch möglich, dass bei dem Vereinzeln der Konversionselemente wiederum die erste Maskenschicht ebenfalls durchtrennt wird, so dass die reflektierende Schicht mit einer Schicht der ersten Maskenschicht bedeckt ist.
  • Gemäß einem weiteren Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen wird eine erste Maskenschicht bereitgestellt, deren Strukturelemente einen Unterschnitt aufweisen. Derartige Strukturelemente können beispielsweise mit einem zweischichtigen System aus unterschiedlichen Fotolackschichten erzielt werden.
  • Zwischen den Strukturelementen wird eine metallische Keimschicht aufgebracht und die erste Maskenschicht wieder entfernt, so dass die Keimschicht nur zwischen den Strukturelementen ausgebildet ist. Die Strukturelemente mit dem Unterschnitt dienen hierbei als Schattenmasken für die Keimschicht. Schließlich wird eine reflektierende Schicht auf die Strukturelemente der Keimschicht aufgebracht, die dazu vorgesehen ist, die Seitenflächen des Konversionsmaterials der fertigen Konversionselemente zu bedecken.
  • Bei diesem Verfahren bildet die Keimschicht mit der reflektierenden Schicht die Formen aus, die durch das Konversionsmaterial abgeformt werden soll, wobei die Keimschicht und die reflektierende Schicht später als Beschichtung der Seitenflächen des Konversionsmaterials zumindest teilweise Bestandteil der Konversionselemente sind. Besonders bevorzugt weist die Keimschicht zusammen mit der reflektierenden Schicht eine Höhe auf, die größer ist als die spätere Dicke der Konversionselemente. Beispielsweise ist die Höhe der Keimschicht zusammen mit der reflektierenden Schicht mindestens 50 Mikrometer.
  • Die erste Maskenschicht und die zweite Maskenschicht können aus einem Fotolack gebildet sein. Bevorzugt ist hierbei ein Fotolack verwendet, aus dem Strukturen mit einem vergleichsweise hohen Aspektverhältnis erzeugt werden können. Mit diesen Fotolacken können insbesondere Konversionselemente großer Dicke erzielt werden.
  • Bevorzugt lässt sich hierbei der Fotolack der zweiten Maskenschicht im Vergleich zu dem Fotolack der ersten Maskenschicht leicht chemisch lösen. Beispielsweise kann ein Trockenresist für die zweite Maskenschicht verwendet werden, der tiefgezogen wird, um die Topographie der ersten Maskenschicht besser abzubilden. Nach dem Belichten und dem Entwickeln des Fotolackes der zweiten Maskenschicht verbleibt dieser dann bevorzugt nur noch dort, wo sich keine erste Maskenschicht befindet.
  • Bei den hier beschriebenen Verfahren kann das Konversionsmaterial beispielsweise mit einem der folgenden Verfahren aufgebracht werden: Rakeln, Sprühbeschichten, Dispensieren, Drucken, Pressformen. Als Druckverfahren ist beispielsweise Siebdruck oder Schablonendruck geeignet.
  • Wird das Konversionsmaterial pressgeformt, so sind bevorzugt Kanäle in dem direkt angrenzenden Material, also dem Träger, der Opferschicht oder der Maskenschicht, vorgesehen, die von den Formen für die Konversionselemente weg verlaufen. Diese Kanäle dienen dazu, Luft aus den Formen beim Formvorgang abzuleiten.
  • Das Konversionsmaterial umfasst bevorzugt ein Harz, etwa Silikon, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Derartige Konversionselemente werden auch „harzbasiert“ genannt. Die Leuchtstoffpartikel verleihen dem Konversionsmaterial und damit dem Konversionselement die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften. Das Harz liegt in der Regel zunächst in flüssiger Form vor und wird nach dem Aufbringen ausgehärtet.
  • Bei dem Harz kann es sich beispielsweise um ein Epoxid oder ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien handeln.
  • Für die Leuchtstoffpartikel ist beispielsweise eines der folgenden Materialien geeignet: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone, Quantum dots.
  • Bei den hier beschriebenen Verfahren können die Konversionselemente mit der von dem Träger abgewandten Hauptfläche auf eine Folie aufgebracht und der Träger wieder entfernt werden, so dass die Vielzahl an Konversionselementen auf der Folie vorliegen. Der Träger kann beispielsweise mittels eines Laser-Lift-Off-Prozesses entfernt werden.
  • Bei den hier beschriebenen Verfahren kann zwischen dem Träger und der ersten Maskenschicht eine Opferschicht angeordnet werden. Die Opferschicht ist dazu vorgesehen, den Träger durch Entfernen der Opferschicht von den Konversionselementen zu entfernen. Das Entfernen der Opferschicht kann beispielsweise mittels eines nasschemischen Prozesses oder eines Laser-Lift-Off-Prozesses erfolgen.
  • Die Opferschicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien gebildet sein: Molybdän, Siliziumnitrid, Siliziumoxid.
  • Die Opferschicht kann beispielsweise mittels einem der folgenden Verfahren abgeschieden werden: Verdampfen, PVD, Sputtern.
  • Die Opferschicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 10 Nanometer und einschließlich 200 Nanometer auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Verfahren sind in dem Träger Strukturen aufgebracht, die dazu vorgesehen sind, in dem später aufgebrachten Konversionsmaterial abgeformt zu werden. Beispielsweise können die Strukturen Linsen, Mikrolinsen oder Fresnelstrukturen sein. Derartige Strukturen können, falls der Träger von dem Konversionsmaterial wieder entfernt wird, in einer Strahlungsaustrittsfläche des Konversionselements abgebildet werden. Hierbei sind in der Regel nur vergleichsweise grobe Strukturen möglich, beispielsweise Linsen. Falls der Träger in den fertigen Konversionselementen verbleibt, ist es auch möglich, feine Strukturen, wie beispielsweise Mikrolinsen oder Fresnelstrukturen von dem Träger in das Konversionsmaterial abzuformen. Ist der Träger aus Glas, so können die Strukturen beispielsweise in das Glas geätzt werden. Die Strukturen dienen dazu, die Strahlungsauskopplung auf gewünschte Art und Weise zu beeinflussen. So können die Strukturen dazu geeignet sein, die Farbe des ausgesandten Lichtes in Abhängigkeit des Betrachtungswinkels zu homogenisieren oder eine gerichtete Abstrahlung zu erzielen.
  • Bei einem weiteren Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen wird wiederum ein Träger bereitgestellt. Der Träger weist eine Vielzahl an Ausnehmungen auf. Die Ausnehmungen sind bevorzugt alle gleichartig ausgebildet. Beispielsweise sind die Ausnehmungen linsenförmig ausgestaltet. Ist der Träger aus Glas gebildet, so können durch isotropes Ätzen, beispielsweise mit Flusssäure, halbkugelförmige Ausnehmungen in dem Träger gebildet werden. Mittels anisotroper Trockenätzprozesse können beispielsweise quaderförmige Ausnehmungen gebildet werden.
  • In die Ausnehmungen wird dann ein Konversionsmaterial eingebracht. Bevorzugt füllt das Konversionsmaterial die Ausnehmungen jeweils vollständig aus. Beispielsweise füllt das Konversionsmaterial die Ausnehmungen derart aus, dass das Konversionsmaterial eine plane Oberfläche mit dem Träger ausbildet. Bei dem Einbringen des Konversionsmaterials in die Ausnehmungen kann ebenfalls eine Maske verwendet werden, die bevorzugt verhindert, dass zwischen den Ausnehmungen Konversionsmaterial auf dem Träger aufgebracht wird.
  • Schließlich werden die Konversionselemente vereinzelt, beispielsweise mittels Ritzen und/oder Brechen. Ein Konversionselement umfasst dann einen Teil des Trägers mit zumindest einer Ausnehmung, die mit dem Konversionsmaterial ausgefüllt ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird bei dem Vereinzeln der Konversionselemente der Träger ebenfalls durchtrennt, so dass der Träger jeweils Teil des fertigen Konversionselements ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird eine Opferschicht auf den Träger aufgebracht, so dass zumindest die Ausnehmungen mit der Opferschicht versehen sind. Auf die Opferschicht wird dann das Konversionsmaterial aufgebracht. Schließlich wird der Verbund aus Konversionsmaterial und Träger auf einer Folie fixiert. Bevorzugt erfolgt die Fixierung der Folie derart, dass die Ausnehmungen mit dem Konversionsmaterial zu der Folie weisen. Bei der Folie kann es sich beispielsweise um eine Thermorelease-Folie oder eine UV-Release-Folie handeln. Schließlich wird der Träger entfernt. Bevorzugt wird der Träger entfernt, indem die Opferschicht entfernt wird.
  • Die mit den vorliegenden Verfahren erzielten Konversionselemente weisen bevorzugt eine Dicke von mindestens 50 Mikrometer auf. Die Dicke der Konversionselemente weicht bevorzugt lediglich um höchstens 10 % von einem Mittelwert über eine seiner Hauptfläche ab.
  • Gegenüber Sieb- oder Schablonendruck ohne Maskenschicht können mit den hier beschriebenen Verfahren Konversionselemente hoher Dicke mit genauer Oberflächenbeschaffenheit erzeugt werden. Konversionselemente mit hoher Dicke eignen sich insbesondere dazu, seitlich mit einem reflektierenden Verguss verkapselt zu werden, wie es für die Herstellung von Punktlichtquellen vorteilhaft ist.
  • Das mit den hier beschriebenen Verfahren erzeugte Konversionselement ist insbesondere dazu geeignet, in einem optoelektronischen Bauelement eingesetzt zu werden. Beispielsweise ist das Konversionselement Teil einer Leuchtdiode.
  • Das optoelektronische Bauelement umfasst bevorzugt zumindest einen strahlungsemittierenden Hableiterchip, der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs aussendet. Beispielsweise sendet der Halbleiterchip blaues Licht aus. Das Konversionselement ist innerhalb des optoelektronischen Bauelements derart angeordnet, dass Strahlung des Halbleiterchips durch das Konversionselement hindurch läuft.
  • Das Konversionselement ist dazu geeignet, zumindest einen Teil der Strahlung des Halbleiterchips in Strahlung zumindest eines anderen Wellenlängenbereichs umzuwandeln.
  • Beispielsweise wandelt das Konversionselement einen Teil der blauen Strahlung des Halbleiterchips in gelbes Licht um, derart, dass das Halbleiterbauelement mischfarbiges weißes Licht aus unkonvertierter blauer Strahlung und konvertierter gelber Strahlung aussendet.
  • Bevorzugt ist das Konversionselement dem Halbleiterchip in dessen Hauptabstrahlrichtung nachgeordnet. Das Konversionselement ist besonders bevorzugt auf einer Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet.
  • Das vorliegende Konversionselement ist aufgrund seiner besonders gut definierten Form insbesondere dazu geeignet, in einem elektronischen Bauelement verwendet zu werden, das als Punktlichtquelle dienen soll. Ein derartiges optoelektronisches Bauelement weist bevorzugt ein weißes, diffus reflektierendes Vergussmaterial auf, das zumindest Seitenflächen des Halbleiterchips verkapselt.
  • Merkmale und Ausführungsformen, die vorliegend nur in Verbindung mit einem Verfahren, dem Konversionselement oder dem Bauelement beschrieben sind, können ebenfalls bei den anderen Verfahren, dem Konversionselement oder dem Bauelement ausgeführt sein.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 1 bis 8 wird ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Konversionselements näher erläutert.
  • Die schematische Draufsicht der 9 zeigt Konversionselemente gemäß verschiedener Ausführungsbeispiele.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 10 und 12 wird jeweils ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Konversionselements erläutert.
  • Die schematischen Schnittdarstellungen der 11 und 13 zeigen ein Konversionselement gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 14 bis 20 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Konversionselements näher erläutert.
  • Die schematische Schnittdarstellung der 21 zeigt ein Konversionselement gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 22 bis 29 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Konversionselements näher erläutert.
  • Die schematische Schnittdarstellung der 30 zeigt ein Konversionselement gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 31 bis 33 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Konversionselements näher erläutert.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 34 bis 38 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Konversionselements näher erläutert.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 39 bis 41 wird ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements näher erläutert.
  • 42 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • 43 zeigt exemplarisch eine 3D-Messung des Höhenprofils einer Mehrzahl an Konversionselementen.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 8 wird in einem ersten Schritt ein Träger 1 bereitgestellt (1). Auf den Träger 1 wird vollflächig eine Opferschicht 2 aufgebracht (2), auf der wiederum vollflächig eine Fotolackschicht abgeschieden wird (3).
  • Dann wird die Fotolackschicht durch Belichtung und Entwickeln so strukturiert, dass Durchbrüche 3 in der Fotolackschicht entstehen (4). Die Durchbrüche 3 durchdringen vorliegend die Fotolackschicht vollständig, sodass die Opferschicht 2 im Bereich der Durchbrüche 3 von außen frei zugänglich ist. Die Fotolackschicht dient bei dem Verfahren gemäß der 1 bis 8 als erste Maskenschicht 4.
  • In einem nächsten Schritt werden die Durchbrüche 3 in der ersten Maskenschicht 4 vollständig mit einem Konversionsmaterial 5 ausgefüllt (5). Das Konversionsmaterial 5 ist hierbei aus einem Silikon gebildet, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Die Leuchtstoffpartikel verleihen dem fertigen Konversionselement die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften.
  • Das Silikon wird dann ausgehärtet und die erste Maskenschicht 4 wieder entfernt (6).
  • Die Konversionselemente 6 werden nur mit ihrer freiliegenden Hauptfläche auf eine Folie 7 aufgebracht (7) und der Träger 1 wieder entfernt. Vorliegend wird der Träger 1 durch Entfernen der Opferschicht 2 entfernt. Es liegen nun einzelne Konversionselemente 6 auf der Folie vor (8). Die fertigen Konversionselemente 6 können beispielsweise mittels Pick-and-Place von der Folie 7 abgenommen und weiter verarbeitet werden.
  • Die Draufsicht von 9 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Folie 7 mit mehreren unterschiedlichen Konversionselementen 6 gemäß verschiedener Ausführungsformen. Die Konversionselemente 6 weisen hierbei exemplarisch verschiedene geometrische Formen auf. Die Darstellung soll hierbei demonstrieren, dass mit dem vorgestellten Verfahren unterschiedliche geometrische Formen möglich sind. In der Regel werden die Konversionselemente 6, die nach der Durchführung des Verfahrens auf einer Folie 7 vorliegen, in der Realität die gleiche geometrische Form aufweisen.
  • Die geometrische Form der Konversionselemente 6 wird hierbei durch die geometrische Form der Durchbrüche 3 bestimmt, die in die erste Maskenschicht 4 eingebracht werden. Beispielsweise können die Konversionselemente 6 eine rechteckige Form, eine runde oder auch eine dreieckige Form aufweisen.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 10 werden zunächst die Schritte durchgeführt, wie sie bereits anhand der 1 bis 6 bereits beschrieben wurden, wobei jedoch auf die Aufbringung der Opferschicht 2 auf den Träger 1 verzichtet wird. Nach dem Durchführen dieser Schritte liegen auf dem Träger 1 einzelne ausgehärtete Bereiche mit Konversionsmaterial 6 vor. Dieser Verbund wird dann mit der Hauptfläche des Trägers 1, die von dem Konversionsmaterial 5 abgewandt ist, auf eine Folie 7 aufgebracht (10). Die Konversionselemente 6 werden nun vereinzelt, beispielsweise durch Sägen. Bei diesem Verfahren bleibt im Unterschied zu dem Verfahren gemäß der 1 bis 9 der Träger 1 Bestandteil der fertigen Konversionselemente 6.
  • Ein Konversionselement 6, wie es mit dem Verfahren gemäß 10 erzeugt werden kann, ist schematisch in 11 dargestellt. Das Konversionselement 6 ist aus dem Träger 1 und dem ausgehärteten Konversionsmaterial 5 gebildet, wobei das ausgehärtete Konversionsmaterial 5 in direktem Kontakt auf den Träger 1 aufgebracht ist. Das Konversionsmaterial 5 verleiht dem Konversionselement 6 die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 12 werden ebenfalls zunächst die Verfahrensschritte durchgeführt, wie sie bereits anhand der 1 bis 6 bereits beschrieben wurden, wobei wiederum auf die Aufbringung der Opferschicht 2 verzichtet wird (12). In einem nächsten Schritt werden nun die Konversionselemente 6 vereinzelt, beispielsweise durch Sägen oder Schreiben und Brechen. Hierbei verlaufen Trennlinien 8, entlang derer getrennt werden soll, innerhalb der ersten Maskenschicht 4, sodass Seitenflächen des Konversionsmaterials 5 mit Material der ersten Maskenschicht 4 bedeckt sind (13).
  • Ein Konversionselement 6, wie es mit dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 12 hergestellt werden kann, ist schematisch in 13 dargestellt. Das Konversionsmaterial 5 des Konversionselements 6 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 13 ist auf dem Träger 1 aufgebracht und seitlich vollflächig mit dem Material der ersten Maskenschicht 4 versehen.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 14 bis 20 wird eine erste strukturierte Maskenschicht 4 auf einen mit einer Opferschicht 2 versehenen Träger 1 aufgebracht, wie es bereits anhand der 1 bis 4 im Detail beschrieben wurde (14).
  • In einem nächsten Schritt werden in die Durchbrüche 3 der ersten Maskenschicht 4 Strukturelemente 9 einer zweiten Maskenschicht aufgebracht (15). In jedem Durchbruch 3 ist hierbei ein Strukturelement 9 der zweiten Maskenschicht angeordnet. Die zweite Maskenschicht kann, wie die erste Maskenschicht, aus einem Fotolack gebildet sein.
  • Dann wird auf die erste Maskenschicht 4 und die zweite Maskenschicht eine metallische Keimschicht 10 vollflächig aufgesputtert (16) und die zweite Maskenschicht wieder entfernt, beispielsweise mit einem Lösungsmittel, wie Aceton.
  • Auf der Opferschicht 2 ist nun die erste Maskenschicht 4 aufgebracht, die vollständig mit der metallischen Keimschicht 10 bedeckt ist. Insbesondere sind Seitenflächen der ersten Maskenschicht 4, die die Durchbrüche 3 begrenzen, mit der Keimschicht 10 vollständig bedeckt (17).
  • In einem nächsten Schritt wird die Keimschicht 10 durch einen galvanischen Prozess mit einer weiteren reflektierenden Schicht überformt 11 (18). Die mit der galvanisch abgeschiedenen reflektierenden Schicht 11 verstärkte erste Maskenschicht 4 ist nun höher als das später aufgebrachte Konversionsmaterial 5.
  • In einem nächsten Schritt wird in die Durchbrüche 3 der galvanisch verstärkten ersten Maskenschicht 4 ein Konversionsmaterial 5 eingebracht und ausgehärtet. Der Verbund mit dem Träger 1 und dem Konversionsmaterial 5 wird auf einer Folie 7 aufgebracht, der Träger 1 durch Entfernen der Opferschicht 2 entfernt, die Konversionselemente 6 auf eine weitere Folie 7 aufgebracht und vereinzelt (20). Die Konversionselemente 6 werden derart vereinzelt, dass die Seitenflächen des Konversionsmaterials 5 mit Material der galvanisch abgeschiedenen reflektierenden Schicht 11 versehen sind.
  • Alternativ zu dem Verfahren, bei dem zuerst eine Keimschicht 10 aufgesputtert wird, die dann durch einen nachfolgenden galvanischen Prozess mit einer reflektierenden Schicht 11 verstärkt wird, wie anhand der 14 bis 20 beschrieben, kann auch gleich auf der ersten Maskenschicht 4 und der zweiten Maskenschicht eine dicke reflektierende Schicht 11 abgeschieden werden, beispielsweise durch Sputtern. Diese Variante ist nicht weiter dargestellt, um Wiederholungen zu vermeiden. Es wird hier auch ein Konversionselement 6 erzeugt, wie anhand von 21 beschrieben.
  • Ein Konversionselement 6, wie es mit dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 14 bis 20 hergestellt werden kann, ist schematisch in 21 dargestellt. Das Konversionselement 6 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 21 umfasst eine Schicht eines Konversionsmaterials 5 mit Seitenflächen, die vollflächig mit einer reflektierenden Schicht 11 versehen sind. Innerhalb der reflektierenden Schicht 11 sind Ausnehmungen gebildet, die mit dem Material der ersten Maskenschicht 4, wie einem Fotolack, gefüllt sind (21). Die Ausnehmungen mit dem Fotolack erstrecken sich hierbei ausgehend von einer Hauptfläche des Konversionselementes 6 entlang dessen Seitenflächen. Die reflektierende Schicht 11 auf den Seitenflächen des Konversionsmaterials 5 ragt hierbei über eine Hauptfläche der durch das Konversionsmaterial 5 gebildeten Schicht hinaus.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 22 bis 29 wird zunächst auf einen Träger 1 eine Opferschicht 2 aufgebracht (22). Dann wird eine erste Maskenschicht 4 mit Strukturelementen aufgebracht, die einen Unterschnitt aufweisen (23). Aufgrund des Unterschnitts verjüngen sich die Seitenflächen der Strukturelemente jeweils zu dem Träger 1 hin kontinuierlich. Die Querschnittsfläche der Strukturelemente verringert sich ausgehend von einer dem Träger 1 abgewandten Hauptfläche zu einer dem Träger 1 zugewandten Hauptfläche kontinuierlich.
  • In einem nächsten Schritt wird eine metallische Keimschicht 10 zwischen den Strukturelementen der ersten Maskenschicht 4 ausgebildet. Beispielsweise wird die metallische Keimschicht 10 aufgesputtert, wobei die erste Maskenschicht 4 als Schattenmaske dient.
  • Dann wird die erste Maskenschicht 4 wieder entfernt. Die Keimschicht 10 bildet nun eine Struktur aus, die Durchbrüche 3 aufweist, die die spätere Form der Konversionselemente 6 festlegen (25). Die Keimschicht 10 wird mittels galvanischer Abscheidung mit einer weiteren reflektierenden Schicht 11 verstärkt (26).
  • In einem nächsten Schritt werden die Durchbrüche 3 in der Keimschicht 10 mit einem Konversionsmaterial 5 vollständig ausgefüllt (27) und der Verbund aus Träger 1 und Konversionsmaterial 5 auf eine Folie 7 aufgebracht (28). Schließlich wird der Träger 1 entfernt, in dem die Opferschicht 2 entfernt wird (29).
  • 30 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines Konversionselementes 6, wie es beispielsweise durch das Verfahren gemäß den 22 bis 29 hergestellt werden kann. Das Konversionselement 6 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 30 umfasst eine Schicht ausgehärteten Konversionsmaterials 5. Die Seitenflächen des Konversionsmaterials 5 sind hierbei mit einer metallischen reflektierenden Schicht 11 bedeckt, die aus dem Material der galvanisch abgeschiedenen metallischen reflektierenden Verstärkerschicht gebildet ist.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 31 bis 33 wird zunächst ein Träger 1, beispielsweise aus Glas, mit einer Vielzahl an Ausnehmungen 12 bereitgestellt (31). Die Ausnehmungen 12 sind vorliegend durch isotropes nasschemisches Ätzen halbkugelförmig in dem Träger 1 ausgebildet.
  • In einem nächsten Schritt werden die Ausnehmungen 12 mit einem Konversionsmaterial 5 vollständig gefüllt (32). Dann wird der Verbund aus Träger 1 und Konversionsmaterial 5 auf eine Folie 7 aufgebracht und beispielsweise mittels Sägen in einzelne Konversionselemente 6 vereinzelt (33). Ein fertiges Konversionselement 6 ist nun aus einem Träger 1 gebildet, der eine halbkugelförmige Ausnehmung 12 aufweist, die vollständig mit einem Konversionsmaterial 5 gefüllt ist.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 34 bis 38 wird ebenfalls ein vorstrukturierter Glasträger 1 bereitgestellt, wie er anhand der 31 bereits beschrieben wurde. Auf die Hauptfläche des Trägers 1, die die Ausnehmungen 12 aufweist, wird dann eine Opferschicht 2, beispielsweise aus Siliziumnitrid, vollflächig aufgebracht (35).
  • In einem nächsten Schritt wird ein Konversionsmaterial 5 mittels Formpressen auf die Opferschicht 2 aufgebracht. Das Konversionsmaterial 5 wird derart aufgebracht, dass nicht nur die Ausnehmungen 12 in dem Träger 1 vollständig mit dem Konversionsmaterial 5 gefüllt sind, sondern das Konversionsmaterial 5 über die Ausnehmungen 12 hinausragt und eine durchgehende Schicht auf dem Träger 1 ausbildet, die über und zwischen den Ausnehmungen 12 eine weitestgehend einheitliche Dicke aufweist (36).
  • Der Verbund aus dem Konversionsmaterial 5 und dem Träger 1 wird nun mit der von dem Träger 1 abgewandten Hauptfläche auf eine Folie 7 laminiert (37). Mittels eines Laserliftoff-Verfahrens wird der Träger 1 entfernt, in dem die Opferschicht 2 entfernt wird (38). Die Konversionselemente 6 werden vereinzelt. Jedes Konversionselement 6 weist ein Konversionsmaterial 5 mit einer linsenförmigen Wölbung auf, die auf einem schichtförmigen Teil angeordnet ist. Der schichtförmige Teil des Konversionselements 6 ragt jeweils seitlich über den gewölbten Teil hinaus.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß der 39 bis 42 wird zunächst ein Bauelementgehäuse bereitgestellt. Das Bauelementgehäuse umfasst einen Leiterrahmen 13, der in einen Reflektor 14 eingebettet ist (39). In einer Kavität 15 des Bauelementgehäuses, die durch den Reflektor 14 gebildet ist, liegen eine erste elektrische Anschlussstelle 16 und eine zweite elektrische Anschlussstelle 17 des Leiterrahmens 13 frei.
  • Auf die erste elektrische Anschlussstelle 16 des Leiterrahmens 14 wird nun ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 18 montiert, der im Betrieb blaues Licht von einer Strahlungsaustrittsfläche 19 aussendet. Der Halbleiterchip 18 wird mittels eines Bonddrahtes 20 elektrisch leitend mit der zweiten Anschlussstelle 17 des Leiterrahmens 13 verbunden (40).
  • Auf die Strahlungsaustrittsfläche 19 des Halbleiterchips 18 wird ein Konversionselement 6 aufgesetzt, wie es beispielsweise anhand von 11 bereits beschrieben wurde. Das Konversionselement 6 umfasst hierbei einen Träger 1 und ein Konversionsmaterial 5. Das Konversionselement 6 wird bevorzugt so angeordnet, dass das Konversionsmaterial 5 der Strahlungsaustrittsfläche 19 zugewandt ist. Besonders bevorzugt steht das Konversionsmaterial 5 in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche 19.
  • Nun wird die Kavität 15 des Bauelementgehäuses mit einem reflektierenden Verguss 21 gefüllt, der den Halbleiterchip 18 und das Konversionselement 6 seitlich umhüllt (42). Eine Strahlungsaustrittsfläche 22 des Konversionselementes 6 ist hierbei frei von dem reflektierenden Verguss 21. Der reflektierende Verguss 21 ist vorliegend aus einem Silikon gebildet, in das Titanoxidpartikel eingebracht sind.
  • 43 zeigt exemplarisch eine 3D-Messung von Höhenprofilen von Konversionselementen 6, wie sie mit den hier beschriebenen Verfahren erzeugt werden können. Die Konversionselemente 6 sind sehr eben ausgebildet. Auch die Kanten der Konversionselemente 6 sind besonders gleichmäßig abgeformt.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102007043183 A1 [0002]
    • DE 102013103983 A1 [0002]
    • US 2012/0273807 A1 [0002]

Claims (19)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen (6) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Trägers (1), – Aufbringen einer ersten Maskenschicht (4) auf den Träger (1), wobei die erste Maskenschicht (4) mit Durchbrüchen (3) strukturiert ist, die die erste Maskenschicht (4) vollständig durchdringen, – Aufbringen eines Konversionsmaterials (5) zumindest in die Durchbrüche (3), und – Vereinzeln der Konversionselemente (6), so dass eine Vielzahl einzelner Konversionselemente (6) entsteht.
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Vereinzelung der Konversionselemente (6) durch Sägen oder Brechen erfolgt, wobei der Träger (1) ebenfalls durchtrennt wird, so dass der Träger (1) jeweils Teil der späteren Konversionselemente (6) ist.
  3. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die erste Maskenschicht (4) ebenfalls durchtrennt wird, so dass Seitenflächen des Konversionsmaterials (5) mit einer Schicht der ersten Maskenschicht (4) bedeckt sind.
  4. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem vor dem Aufbringen des Konversionsmaterials (5) eine reflektierende Schicht (11) auf die erste Maskenschicht (4) aufgebracht wird, die die Seitenflächen des Konversionsmaterials (5) nach dem Vereinzeln bedeckt.
  5. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem – eine zweite strukturierte Maskenschicht auf den Träger (1) aufgebracht wird, deren Strukturelemente (9) in den Durchbrüchen (3) der ersten Maskenschicht (4) angeordnet sind, – eine metallische Keimschicht (10) vollflächig auf der ersten Maskenschicht (4) und der zweiten Maskenschicht aufgebracht wird, – die zweite Maskenschicht wieder entfernt wird, so dass nur die erste Maskenschicht (4) mit der metallischen Keimschicht (10) bedeckt ist und der Träger (1) oder die Opferschicht (2) im Bereich der Durchbrüche (3) frei liegt, und – die Keimschicht (10) galvanisch abgeformt wird, so dass auf der ersten Maskenschicht (4) die reflektierende Schicht (11) entsteht.
  6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem – eine zweite strukturierte Maskenschicht auf den Träger (1) aufgebracht wird, deren Strukturelemente (9) in den Durchbrüchen (3) angeordnet sind, – die reflektierende Schicht (11) vollflächig über der ersten Maskenschicht (4) und der zweiten Maskenschicht aufgebracht wird, und – die zweite Maskenschicht wieder entfernt wird, so dass nur die erste Maskenschicht (4) mit der reflektierenden Schicht (11) bedeckt wird und der Träger (1) oder die Opferschicht (2) in den Bereichen der Durchbrüche (3) frei liegt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem bei dem Vereinzeln der Konversionselemente (6) die erste Maskenschicht (4) ebenfalls durchtrennt wird, so dass die reflektierende Schicht (11) mit einer Schicht der ersten Maskenschicht (4) bedeckt ist.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselemente (6), bei dem – eine erste Maskenschicht (4) bereitgestellt wird, deren Strukturelemente einen Unterschnitt aufweisen, – auf freiliegende Bereiche zwischen den Strukturelementen der ersten Maskenschicht (4) eine metallische Keimschicht (10) aufgebracht wird, – die erste Maskenschicht (4) wieder entfernt wird, und – eine reflektierende Schicht (11) auf die Strukturelemente der Keimschicht (10) aufgebracht wird, die dazu vorgesehen ist, die Seitenflächen des Konversionsmaterials (5) der fertigen Konversionselemente (6) zu bedecken.
  9. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die erste und/oder die zweite Maskenschicht (4) eine Fotolackschicht ist.
  10. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem das Konversionsmaterial (5) mit einem der folgenden Verfahren aufgebracht wird: Rakeln, Sprühbeschichten, Dispensieren, Drucken, Pressformen.
  11. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem das Konversionsmaterial (5) ein Harz mit Leuchtstoffpartikeln aufweist.
  12. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Konversionselemente (6) mit der von dem Träger (1) abgewandten Hauptfläche auf eine Folie (7) aufgebracht und der Träger (1) wieder entfernt wird, so dass die Vielzahl an Konversionselementen (6) auf der Folie (7) vorliegen.
  13. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem zwischen dem Träger (1) und der ersten Maskenschicht (4) eine Opferschicht (2) angeordnet wird und der Träger (1) durch Entfernen der Opferschicht (2) von den Konversionselementen (6) entfernt wird.
  14. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen (6), mit den Schritten: – Bereitstellen eines Trägers (1), der mit einer Vielzahl an Ausnehmungen (12) strukturiert ist, – Einbringen eines Konversionsmaterials (5) in die Ausnehmungen (12) des Trägers (1), und – Vereinzeln der Konversionselemente (6).
  15. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem bei dem Vereinzeln der Konversionselemente (6) der Träger (1) ebenfalls durchtrennt wird, so dass der Träger (1) jeweils Teil des fertigen Konversionselements (6) ist.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem – eine Opferschicht (2) auf den Träger (1) aufgebracht wird, so dass zumindest die Ausnehmung (12) mit der Opferschicht (2) versehen sind, – Aufbringen des Verbundes auf ein Folie (7), und – Entfernen des Trägers (1).
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, bei dem die Ausnehmung (12) die Form einer Linse aufweist.
  18. Konversionselement (6), das mit einem der obigen Verfahren hergestellt wurde.
  19. Optoelektronisches Bauelement mit einem Konversionselement (6) nach dem vorherigen Anspruch.
DE102015103571.5A 2015-03-11 2015-03-11 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement Withdrawn DE102015103571A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015103571.5A DE102015103571A1 (de) 2015-03-11 2015-03-11 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
PCT/EP2016/054801 WO2016142344A1 (de) 2015-03-11 2016-03-07 Verfahren zur herstellung einer vielzahl an konversionselementen, konversionselement und optoelektronisches bauelement
CN201680014616.1A CN107408608A (zh) 2015-03-11 2016-03-07 用于制造多个转换元件的方法、转换元件和光电子器件
JP2017543783A JP2018509650A (ja) 2015-03-11 2016-03-07 複数の変換素子、変換素子、およびオプトエレクトロニクス装置の製造方法
US15/555,483 US20180047879A1 (en) 2015-03-11 2016-03-07 Method for producing a multiplicity of conversion elements, conversion element, and optoelectronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015103571.5A DE102015103571A1 (de) 2015-03-11 2015-03-11 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015103571A1 true DE102015103571A1 (de) 2016-09-15

Family

ID=55484987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015103571.5A Withdrawn DE102015103571A1 (de) 2015-03-11 2015-03-11 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180047879A1 (de)
JP (1) JP2018509650A (de)
CN (1) CN107408608A (de)
DE (1) DE102015103571A1 (de)
WO (1) WO2016142344A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110050207A (zh) * 2016-12-09 2019-07-23 日本电气硝子株式会社 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
DE102018104778A1 (de) * 2018-03-02 2019-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteilverbund aus optischen Bauteilen, Verfahren zur Herstellung eines Bauteilverbunds und Bauelement mit einem optischen Bauteil
WO2024052464A1 (de) * 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
WO2024052055A1 (de) * 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016122213A1 (de) * 2016-11-18 2018-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines wellenlängenkonvertierenden elements, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und wellenlängenkonvertierendes element
DE102017130574A1 (de) * 2017-12-19 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements und Konversionselement

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007043183A1 (de) 2007-09-11 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007062046A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende Bauelementeanordnung, lichtemittierendes Bauelementes sowie Verfahren zum Herstellen einer Bauelementeanordnung
DE102010045390A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronisches Halbleiterbauteils
US20120273807A1 (en) 2011-04-29 2012-11-01 Osram Sylvania Inc. Method for the Producing of a Light-Emitting Semiconductor Chip, Method for the Production of a Conversion Die and Light-Emitting Semiconductor Chip
DE102013206133A1 (de) * 2013-04-08 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements und Konversionselement
DE102013207226A1 (de) * 2013-04-22 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip
DE102013103983A1 (de) 2013-04-19 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips
DE102013211634A1 (de) * 2013-06-20 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements
DE102014108362A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung mehrerer Konversionselemente, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
TWI392111B (zh) * 2007-04-11 2013-04-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程
DE102007039291A1 (de) * 2007-08-20 2009-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US8097894B2 (en) * 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
JP5308988B2 (ja) * 2009-10-23 2013-10-09 スタンレー電気株式会社 Led光源装置の製造方法
DE112011102800T8 (de) * 2010-08-25 2013-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphorfilm, Verfahren zum Herstellen desselben, Beschichtungsverfahren für eine Phosphorschicht, Verfahren zum Herstellen eines LED-Gehäuses und dadurch hergestelltes LED-Gehäuse
DE102010048162A1 (de) * 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
KR20120068178A (ko) * 2010-12-17 2012-06-27 삼성전기주식회사 렌즈 금형 및 렌즈 성형 방법
TW201242097A (en) * 2011-04-11 2012-10-16 Siliconware Precision Industries Co Ltd Package substrate having light-emitting element and fabrication method thereof
JP5751154B2 (ja) * 2011-12-14 2015-07-22 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102185099B1 (ko) * 2013-05-20 2020-12-02 루미리즈 홀딩 비.브이. 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지
US9601670B2 (en) * 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007043183A1 (de) 2007-09-11 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007062046A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende Bauelementeanordnung, lichtemittierendes Bauelementes sowie Verfahren zum Herstellen einer Bauelementeanordnung
DE102010045390A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronisches Halbleiterbauteils
US20120273807A1 (en) 2011-04-29 2012-11-01 Osram Sylvania Inc. Method for the Producing of a Light-Emitting Semiconductor Chip, Method for the Production of a Conversion Die and Light-Emitting Semiconductor Chip
DE102013206133A1 (de) * 2013-04-08 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements und Konversionselement
DE102013103983A1 (de) 2013-04-19 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips
DE102013207226A1 (de) * 2013-04-22 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip
DE102013211634A1 (de) * 2013-06-20 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements
DE102014108362A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung mehrerer Konversionselemente, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110050207A (zh) * 2016-12-09 2019-07-23 日本电气硝子株式会社 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
EP3553573A4 (de) * 2016-12-09 2020-07-15 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Verfahren zur herstellung eines wellenlängenumwandlungselements, wellenlängenumwandlungselement und lichtemittierende vorrichtung
US10818825B2 (en) 2016-12-09 2020-10-27 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method for manufacturing wavelength conversion member, wavelength conversion member, and light-emitting device
DE102018104778A1 (de) * 2018-03-02 2019-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteilverbund aus optischen Bauteilen, Verfahren zur Herstellung eines Bauteilverbunds und Bauelement mit einem optischen Bauteil
WO2024052464A1 (de) * 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
WO2024052055A1 (de) * 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016142344A1 (de) 2016-09-15
US20180047879A1 (en) 2018-02-15
CN107408608A (zh) 2017-11-28
JP2018509650A (ja) 2018-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015103571A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
DE102015114849B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Leuchtdiodenfilamenten und Leuchtdiodenfilament
DE102010053362B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement
EP3251156B1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102018111637A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102013100711A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102014102293A1 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP1700349B1 (de) Verfahren zum herstellen einer mehrzahl strahlungsemittierender und/oder strahlungsempfangender halbleiterbauelemente
DE102014102184A1 (de) Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2011026716A1 (de) Konversionsmittelkörper, optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102014108362B4 (de) Verfahren zur Herstellung mehrerer optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
WO2018184843A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl strahlungsemittierender halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes halbleiterbauelement
DE102018109542A1 (de) Licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden bauelements
WO2019219375A1 (de) Konversionselement, optoelektronisches bauteil, verfahren zur herstellung einer vielzahl von konversionselementen, verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
WO2021023577A1 (de) Verfahren zur vereinzelung von bauteilen aus einem bauteilverbund sowie bauteil
WO2018162470A1 (de) Verfahren zur herstellung von zumindest einem optoelektronischen bauelement und optoelektronisches bauelement
DE102017113388A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
WO2022100976A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und dessen verfahren zur herstellung
WO2018019846A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip, verfahren zur herstellung einer vielzahl strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
DE102016121099A1 (de) Herstellung von strahlungsemittierenden halbleiterbauelementen
DE102014116076A1 (de) Verfahren zum Aufbringen eines Materials auf einer Oberfläche
DE102014100542A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht
DE102018110506A1 (de) Optoelektronisches bauelement, konversionselement, verfahren zur herstellung einer vielzahl an konversionselementen und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE102017120385A1 (de) Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements
DE102018119314A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Auskoppelelementen, Auskoppelelement und lichtemittierendes Halbleiterbauteil

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee