DE102015102115B3 - Halbleitervorrichtung mit einem transistorarray und einem abschlussbereich und verfahren zum herstellen einer solchen halbleitervorrichtung - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7816—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
- H01L29/7823—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors with an edge termination structure
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/765—Making of isolation regions between components by field effect
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823437—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate conductors, e.g. particular materials, shapes
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
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- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66681—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66681—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
- H01L29/66704—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
Eine Halbleitervorrichtung (1), die in einem Halbeitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche gebildet ist, umfasst ein Transistorarray (10) und einen Abschlussbereich (20). Das Transistorarray (10) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) an dem Bodybereich (220). Die Gateelektrode (210) ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220) gebildeten Kanals zu steuern. Die Gateelektrode (210) ist in ersten Trenches (212) vorgesehen. Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Bodybereich (220) hat eine Gestalt eines ersten Grats, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Der Abschlussbereich (20) umfasst einen Abschlusstrench (272), wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches (272) in der ersten Richtung erstreckt, eine Länge des Abschlusstrenches (272) größer ist als eine Länge der ersten Trenches (212) und die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.
Description
- HINTERGRUND
- Leistungstransistoren, die gewöhnlich in Automobil- und industriellen Elektroniken verwendet sind, sollten einen niedrigen Einschaltwiderstand (Ron × A) haben, während eine hohe Spannungssperrfähigkeit sichergestellt ist. Beispielsweise sollte ein MOS-(”Metall-Oxid-Halbleiter”-)Leistungstransistor in der Lage sein, abhängig von Anwendungserfordernissen Drain-Source-Spannungen Vds von einigen zehn bis einigen hundert oder tausend Volt zu sperren. MOS-Leistungstransistoren leiten typischerweise sehr große Ströme, die bis zu einigen Hundert von Amperes bei typischen Gate-Source-Spannungen von etwa 2 bis 20 V sein können.
- Ein Konzept für Transistoren, die eine weiter reduzierte Ron × A-Kennlinie haben, bezieht sich auf laterale Leistungs-FinFETs (”Feldeffekttransistoren mit einer Finne bzw. Rippe”). Laterale Leistungs-FinFETs verwenden voluminöseres Silizium zum Reduzieren von Ron, so dass Ron mit demjenigen eines vertikalen Graben- bzw. Trench-MOSFET vergleichbar wird. In Transistoren, die eine laterale Feldplatte aufweisen, kann die Dotierungskonzentration der Driftzone aufgrund der Kompensationswirkung der Feldplatte erhöht werden.
- In der
US 2012/0 112 268 A1 DE 103 26 523 A1 wird ein Feldeffekttransistor beschrieben, bei dem der Steuerbereich und ein Anschlussbereich in einem Isoliergraben angeordnet sind. - Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, die einen Abschlussbereich hat, der verbesserte Eigenschaften aufweist.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die obige Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere Entwicklungen sind in den abhängigen Patentansprüchen definiert.
- ZUSAMMENFASSUNG
- Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst eine Halbleitervorrichtung, die in einem Halbeitersubstrat gebildet ist, das eine erste Hauptoberfläche hat, unter anderem ein Transistorarray bzw. Transistoranordnung und einen Abschlussbereich, wobei das Transistorarray einen Sourcebereich, einen Drainbereich, einen Bodybereich, eine Driftzone und eine Gateelektrode an dem Bodybereich aufweist. Die Gateelektrode ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich gebildeten Kanals zu steuern. Die Gateelektrode ist in ersten Trenches bzw. Gräben angeordnet. Der Bodybereich und die Driftzone sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordnet. Die erste Richtung ist parallel zu der ersten Hauptoberfläche. Der Bodybereich hat eine Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Der Abschlussbereich umfasst einen Abschlusstrench bzw. einen Abschlussgraben, wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches in der ersten Richtung erstreckt. Eine Länge des Abschlusstrenches ist größer als eine Länge der ersten Trenches, wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.
- Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die ein Transistorarray und einen Abschlussbereich in einem Halbeitersubstrat umfasst, das eine erste Hauptoberfläche hat, unter anderem ein Bilden eines Sourcebereiches, eines Drainbereiches, eines Bodybereiches und einer Driftzone. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden einer Gateelektrode an dem Sourcebereich, wobei die Gateelektrode gestaltet ist, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich gebildeten Kanals zu steuern. Die Gateelektrode ist in ersten Trenches bzw. ersten Gräben gebildet, der Bodybereich und die Driftzone sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordnet, und die erste Richtung ist parallel zu der ersten Hauptoberfläche. Der Bodybereich hat die Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden eines Abschlusstrenches, wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches in der ersten Richtung erstreckt. Eine Länge des Abschlusstrenches ist größer als eine Länge der ersten Trenches, wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die begleitenden Zeichnungen sind beigeschlossen, um ein weiteres Verständnis von Ausführungsbeispielen der Erfindung zu liefern, und sie sind in die Offenbarung einbezogen und bilden einen Teil von dieser. Die Zeichnungen veranschaulichen die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Prinzipien der Erfindung. Andere Ausführungsbeispiele der Erfindung und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile werden sofort gewürdigt, da sie unter Hinweis auf die folgende Detailbeschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu relativ zueinander. Gleiche Bezugszeichen geben entsprechend ähnliche Teile an.
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1A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel. -
1B zeigt eine Schnittdarstellung der Halbleitervorrichtung. -
2A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. -
2B zeigt eine Schnittdarstellung der Halbleitervorrichtung längs einer ersten Richtung. -
2C zeigt eine Schnittdarstellung von weiteren Komponenten der Halbleitervorrichtung längs einer zweiten Richtung. -
3A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. -
3B zeigt eine Schnittdarstellung eines weiteren Teiles der Halbleitervorrichtung. -
4 zeigt eine horizontale Schnittdarstellung eines Teiles eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung. -
5A bis5C veranschaulichen Schritte, wenn die Halbleitervorrichtung hergestellt wird. -
6 fasst das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung zusammen. - DETAILBESCHREIBUNG
- In der folgenden Detailbeschreibung wird Bezug genommen auf die begleitenden Zeichnungen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen für Veranschaulichungszwecke spezifische Ausführungsbeispiele dargestellt sind, in denen die Erfindung ausgestaltet werden kann. In dieser Hinsicht wird eine Richtungsterminologie wie ”Oberseite”, ”Boden”, ”Vorderseite”, ”Rückseite”, ”vorne”, ”hinten” usw. im Hinblick auf die Orientierung der gerade beschriebenen Figuren verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen der Erfindung in einer Anzahl von verschiedenen Orientierungen positioniert werden können, wird die Richtungsterminologie für Zwecke der Darstellung benutzt und ist in keiner Weise begrenzend. Es ist zu verstehen, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne von dem durch die Patentansprüche definierten Bereich abzuweichen.
- Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht begrenzend. Insbesondere können Elemente der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele mit Elementen von verschiedenen Ausführungsbeispielen kombiniert werden.
- Die hier verwendeten Begriffe ”haben”, ”enthalten”, ”umfassen”, ”aufweisen” und ähnliche Begriffe sind offene Begriffe und geben das Vorhandensein der festgestellten Elemente oder Merkmale an, schließen jedoch zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht aus. Die unbestimmten Artikel und die bestimmten Artikel sollen sowohl den Plural als auch den Singular umfassen, falls sich aus dem Zusammenhang nicht klar etwas anderes ergibt.
- Die in dieser Beschreibung verwendeten Begriffe ”gekoppelt” und/oder ”elektrisch gekoppelt” sollen nicht bedeuten, dass die Elemente direkt gekoppelt sein müssen – dazwischenliegende Elemente können zwischen den ”gekoppelten” oder ”elektrisch gekoppelten” Elementen vorgesehen sein. Der Ausdruck ”elektrisch verbunden” soll eine niederohmige elektrische Verbindung zwischen elektrisch miteinander verbundenen Elementen beschreiben.
- Die vorliegende Beschreibung bezieht sich auf einen ”ersten” und einen ”zweiten” Leitfähigkeitstyp bzw. Leitungstyp von Dotierstoffen, mit denen Halbleiterteile dotiert sind. Der erste Leitfähigkeitstyp kann ein p-Typ sein, und der zweite Leitfähigkeitstyp kann ein n-Typ sein oder umgekehrt. Wie allgemein bekannt ist, können abhängig von dem Dotierungstyp oder der Polarität der Source- und Drainbereiche Feldeffekttransistoren (IGFETs) mit isoliertem Gate, wie Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), n-Kanal- oder p-Kanal-MOSFETs sein. Beispielsweise sind in einem n-Kanal-MOSFET der Source- und der Drainbereich mit n-Typ-Dotierstoffen dotiert: In einem p-Kanal-MOSFET sind der Source- und der Drainbereich mit p-Typ-Dotierstoffen dotiert. Wie klar zu verstehen ist, können in dem Zusammenhang der vorliegenden Beschreibung die Dotierungstypen umgekehrt werden. Wenn ein spezifischer Strompfad mittels einer Richtungssprache beschrieben wird, soll diese Beschreibung lediglich als Angabe des Pfades und nicht die Polarität des Stromflusses verstanden werden, d. h., ob der Strom von Source nach Drain oder umgekehrt fließt. Die Figuren können polaritätsempfindliche Komponenten umfassen, beispielsweise Dioden. Wie klar zu verstehen ist, ist die spezifische Anordnung dieser polaritätsempfindlichen Komponenten als ein Beispiel gegeben und kann umgekehrt werden, um die beschriebene Funktionalität zu erzielen, abhängig davon, ob der erste Leitfähigkeitstyp einen n-Typ oder einen p-Typ bedeutet.
- Die Figuren und die Beschreibung veranschaulichen relative Dotierungskonzentrationen durch Angabe von ”–” oder ”+” nächst zu dem Dotierungstyp ”n” oder ”p”. Beispielsweise bedeutet ”n–” eine Dotierungskonzentration, die niedriger ist als die Dotierungskonzentration eines ”n”-Dotierungsbereiches, während ein ”n+”-Dotierungsbereich eine höhere Dotierungskonzentration hat als ein ”n”-Dotierungsbereich. Dotierungsbereiche der gleichen relativen Dotierungskonzentration haben nicht notwendigerweise die gleiche absolute Dotierungskonzentration. Beispielsweise können zwei verschiedene ”n”-Dotierungsbereiche die gleichen oder verschiedene absolute Dotierungskonzentrationen haben. In den Figuren und der Beschreibung sind für ein besseres Verständnis oft die dotierten Teile als ”p”- oder ”n”-dotiert bezeichnet. Wie klar zu verstehen ist, soll diese Bezeichnung in keiner Weise begrenzend sein. Der Dotierungstyp kann beliebig sein, solange die beschriebene Funktionalität erzielt wird. Weiterhin können in allen Ausführungsbeispielen die Dotierungstypen umgekehrt werden.
- Die Ausdrücke ”lateral” und ”horizontal”, wie diese in der vorliegenden Beschreibung verwendet sind, sollen eine Orientierung parallel zu einer ersten Oberfläche eines Halbleitersubstrats oder eines Halbleiterkörpers beschreiben. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder eines Dies bzw. eines Chips sein.
- Der Ausdruck ”vertikal”, wie dieser in der vorliegenden Beschreibung verwendet ist, soll eine Orientierung beschreiben, die senkrecht zu der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats oder Halbleiterkörpers angeordnet ist.
- Die Ausdrücke ”Wafer”, ”Substrat” oder ”Halbleitersubstrat”, die in der folgenden Beschreibung verwendet sind, können irgendeine auf Halbleiter beruhende Struktur umfassen, die eine Halbleiteroberfläche hat. Wafer und Struktur sind so zu verstehen, dass sie Silizium, Silizium-auf-Isolator (SOI), Silizium-auf-Saphir (SOS), dotierte und undotierte Halbleiter, epitaktische Schichten von Silizium, getragen durch eine Basishalbleiterunterlage, und andere Halbleiterstrukturen umfassen. Der Halbleiter braucht nicht auf Silizium zu beruhen. Der Halbeiter könnte ebenso Silizium-Germanium, Germanium oder Galliumarsenid sein. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen können Siliziumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) das Halbleitersubstratmaterial bilden.
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1A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel. Die Halbleitervorrichtung1 umfasst ein Transistorarray10 und einen Abschlussbereich20 , der in dem Halbeitersubstrat gebildet ist. Das Transistorarray umfasst einen Sourcebereich201 , einen Drainbereich205 , einen Bodybereich220 , eine Driftzone260 und eine Gateelektrode210 an dem Bodybereich220 . Die Gateelektrode210 ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines Kanals zu steuern, der in dem Bodybereich gebildet wird. Eine Gatedielektrikumschicht211 kann zwischen der Gateelektrode210 und dem Bodybereich220 angeordnet sein. Der Bodybereich220 und die Driftzone260 sind längs einer ersten Richtung (z. B. der x-Richtung) zwischen dem Sourcebereich201 und dem Drainbereich205 angeordnet. Die erste Richtung ist parallel zu der ersten Hauptoberfläche. Der Bodybereich220 hat die Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes, der sich in einer ersten Richtung erstreckt. Insbesondere ist der Bodybereich220 in einem Grat strukturiert, der sich längs der ersten Richtung durch benachbarte erste Trenches212 bzw. Gräben212 in dem Halbeitersubstrat erstreckt. - Der Abschlussbereich
20 umfasst einen Abschlusstrench bzw. -graben272 . Ein Teil des Abschlusstrenches272 erstreckt sich in der ersten Richtung (beispielsweise der x-Richtung). Eine Länge des Abschlusstrenches272 ist größer als die Länge der ersten Trenches212 , wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist. - Die Halbleitervorrichtung
1 umfasst einen Transistorteil oder ein Transistorarray10 , in welchem eine Vielzahl von Einzeltransistorzellen200 parallel verbunden sein können. Beispielsweise kann die Vielzahl von Einzeltransistorzellen200 einen gemeinsamen Sourcebereich201 und einen gemeinsamen Drainbereich205 umfassen. Darüber hinaus umfasst jede der Einzeltransistorzellen200 eine Gateelektrode210 . Beispielsweise kann die Gateelektrode210 in jedem der ersten Trenches212 angeordnet sein. Der Abschlusstrench272 kann derart vorgesehen sein, dass kein Kurzschluss zwischen dem Sourcebereich201 und dem Drainbereich205 an dem Randteil des Transistorarrays stattfinden kann. - Wie weiter in
1A veranschaulicht ist, hat die Gatedielektrikumschicht211 eine größere Dicke an der Seite der Gateelektrode gegenüber zu dem Drainbereich205 als an einem Teil der Gateelektrode210 gegenüber zu dem Sourcebereich201 . Dadurch kann eine Gate-Drain-Kapazität weiter reduziert werden. Jedoch kann, wie klar zu verstehen ist, die Dicke der Gatedielektrikumschicht211 so gewählt werden, dass die gewünschten Vorrichtungseigenschaften vorhanden sind. Wie weiterhin in1A angegeben ist, kann der Sourcebereich201 über einen Sourcekontakt202 mit einem Sourceanschluss203 verbunden sein. Weiterhin kann der Drainbereich205 elektrisch über einen Drainkontakt206 mit einem Drainanschluss207 verbunden sein. Die Länge des Sourcekontaktes202 kann so gewählt werden, dass einige der Transistorzellen an dem Rand des Arrays der ersten Trenches nahe zu dem Abschlusstrench272 elektrisch nicht mit dem Sourceanschluss verbunden sind. Als ein Ergebnis kann ein Leckstrom zwischen dem Sourcebereich201 und dem Drainbereich205 weiter reduziert werden. - Der Bodybereich kann dotiert werden, um mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert zu sein, während der Sourcebereich
201 und der Drainbereich205 von dem ersten Leitfähigkeitstyp sind. Ein Halbleiterteil120 unterhalb des Bodybereiches220 kann mit dem ersten Leitfähigkeitstyp dotiert sein. Die Position einer Maske zum Dotieren des Bodybereiches220 mit den Dotierstoffen des zweiten Leitfähigkeitstyps ist durch ein Bezugszeichen300 angezeigt. Ein Bezugszeichen310 gibt eine Grenze des Bodybereichs220 unter Berücksichtigung einer Diffusion von Dotierstoffen an. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann eine planare Sourcekontaktleitung
204 über Teilen der Driftzone260 angeordnet sein. Die Sourcekontaktleitung204 kann elektrisch mit dem Sourceanschluss203 verbunden sein, und sie kann als eine Feldplatte wirken. -
1B zeigt eine Schnittdarstellung, die zwischen A-A' geführt ist, wie dies auch in1A veranschaulicht ist. Insbesondere ist die Schnittdarstellung von1B so gebildet, dass sie den Abschlusstrench272 und die Vielzahl von ersten Trenches212 schneidet. Wie gezeigt ist, ist der Abschlusstrench272 auf einer Seite des Arrays von ersten Trenches212 angeordnet. Der Abschlusstrench272 kann sich bis zu einer tieferen Tiefe als die ersten Trenches212 erstrecken. Weiterhin kann der Abschlusstrench eine größere Breite als die ersten Trenches haben, wobei die Breite längs einer Richtung senkrecht bezüglich der ersten Richtung (z. B. der y-Richtung) gemessen ist. Eine isolierende Schicht271 ist auf Seitenwänden und der Bodenseite des Abschlusstrenches272 angeordnet. Ein leitendes Material270 kann in den Abschlusstrench272 gefüllt sein. Beispielsweise kann das leitende Material270 elektrisch mit einem Sourceanschluss203 gekoppelt sein. Die ersten Trenches sind in der ersten Hauptoberfläche110 des Halbeitersubstrates100 gebildet. Eine dielektrische Schicht kann gebildet sein, um die Seitenwände und den Boden sowie die obere Seite von jedem der ersten Trenches212 auszukleiden. Weiterhin kann ein leitendes Material in die Trenches212 gefüllt sein, um die Gateelektrode210 zu bilden. Eine Gateverbindungsleitung213 kann elektrisch benachbarte Trenches miteinander verbinden. Die Gateverbindungsleitung213 kann elektrisch mit einem Gatepotential verbunden sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann, wie durch Strichlinien angezeigt, die Gateverbindungsleitung213 über den Abschlusstrench geführt sein. Die ersten Trenches212 strukturieren bzw. mustern den Bodybereich220 in erste Grate bzw. Höhenrücken bzw. Firste, die sich längs der ersten Richtung erstrecken. Bezugszeichen300a ,300b geben eine Grenze zwischen Halbleiterteilen des ersten und zweiten Leitfähigkeitstyps in Vorrichtungen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen an. - Allgemein wird versucht, den Abschlusstrench
272 in direktem Kontakt mit dem Bodybereich220 des zweiten Leitfähigkeitstyps vorzusehen, wie dies durch ein Bezugszeichen300b angezeigt ist. In einem derartigen Fall kann ein Leckstrom vor einem Kurzschluss zwischen dem Sourcebereich201 und dem Drainbereich205 an den Randteilen an dem Array der ersten Trenches212 verhindert werden. Jedoch kann es, wie weiter unten erläutert werden wird, aufgrund von Prozesszwängen vorteilhaft sein, diese Grenze nahe zu dem ersten Trench212 , der an dem Rand des Arrays der ersten Trenches angeordnet ist, zu verfahren. In einem derartigen Fall ist diese Grenze durch ein Bezugszeichen300a angezeigt. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Breite d1 des Bodybereiches
220 oder der Abstand zwischen benachbarten ersten Trenches212 die folgende Formel erfüllen:
d1 ≤ 2 × ld, wobei d1 eine Länge einer Verarmungszone bezeichnet, die an der Zwischenfläche zwischen der Gatedielektrikumschicht211 und dem Bodybereich220 gebildet ist. Beispielsweise kann die Breite der Verarmungszone bestimmt werden zu: wobei es die Dielektrizitätskonstante des Halbleitermaterials (11,9·ε0 für Silizium), k die Boltzmann-Konstante (1,38066·10–23 J/K), T die Temperatur (z. B. 300 K), in den natürlichen Logarithmus, NA die Fremdstoffkonzentration des Halbleiterkörpers, ni die intrinsische Ladungsträgerkonzentration (1,45·1010 für Silizium bei 27°C), q die Elementarladung (1.6·10–19 C) bezeichnen. - Im Allgemeinen wird angenommen, dass in einem Transistor die Länge der Verarmungszone bei einer Gatespannung entsprechend der Schwellenspannung der maximalen Breite der Verarmungszone entspricht. Beispielsweise kann der Abstand zwischen den ersten Trenches angenähert 20–130 nm, beispelsweise 40–120 nm, längs der ersten Hauptoberfläche
110 des Halbeitersubstrates100 sein. - Im Fall eines Einschaltens wird ein leitender Inversionskanal an der Grenze zwischen dem Bodybereich
220 und der Gatedielektrikumschicht211 gebildet. Demgemäß ist der Transistor in einem leitenden Zustand von dem Sourcebereich201 zu dem Drainbereich205 über den Drainausdehnungsbereich oder die Driftzone260 . Im Fall eines Ausschaltens wird keine leitende Inversionsschicht gebildet, was in einem Sperren des Stromflusses resultiert. -
2A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. Zusätzlich zu allen anhand von1A dargestellten Komponenten umfasst das Ausführungsbeispiel von2A außerdem Feldplattentrenches252 , die sich in der ersten Richtung erstrecken. Die Feldplattentrenches252 sind längs der ersten Richtung zwischen den ersten Trenches212 und dem Drainbereich205 angeordnet. Beispielsweise können die Feldplattentrenches in einem Abstand von d2 zwischen benachbarten Trenches vorgesehen sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel entspricht der Abstand zwischen den Feldplattentrenches d2 dem Abstand d3 zwischen dem Feldplattentrench252 an dem Rand des Arrays und dem Abschlusstrench272 . - Wenn die Halbleitervorrichtung, die die Feldplattentrenches
252 aufweist, abgeschaltet wird, können sich die Ladungsträger in der Driftzone260 einfacher aufgrund des Vorhandenseins der Feldplattentrenches252 verarmen. Als eine Folge kann die Dotierungskonzentration in der Driftzone260 zunehmen, was in einem reduzierten Ron × A der sich ergebenden Vorrichtung resultiert. Wenn der Abstand zwischen dem Abschlusstrench272 und dem Feldplattentrench252 benachbart zu dem Abschlusstrench272 kleiner als oder gleich wie der Abstand zwischen den Feldplattentrenches252 ist, kann im Fall eines Abschaltens kein Durchbruch an dem Rand des Transistorarrays auftreten. Mit anderen Worten, wenn d3 größer als d2 ist, können Ladungsträger zwischen dem Bodybereich220 und dem Drainbereich205 fließen, da sich die Verarmung nicht über die gesamte Breite d3 ausbreitet. Eine Felddielektrikumschicht251 kann an den Seitenwänden und der Bodenseite der Feldplattentrenches252 angeordnet sein. Weiterhin kann ein leitendes Material in die Feldplattentrenches gefüllt werden. Das leitende Material250 kann elektrisch mit der Sourcekontaktleitung204 verbunden sein. Die Sourcekontaktleitung204 kann elektrisch mit einem Sourceanschluss203 gekoppelt sein. -
2B zeigt eine Schnittdarstellung der in2A zwischen I und I' veranschaulichten Halbleitervorrichtung. Die Schnittdarstellung ist so geführt, dass sie eine einzelne Transistorzelle über dem Bodybereich220 zwischen benachbarten ersten Trenches212 schneidet. Die Richtung zwischen I und I' entspricht der ersten Richtung. Wie dargestellt ist, erstreckt sich der Sourcebereich201 von der ersten Hauptoberfläche110 in einer Tiefenrichtung des Halbeitersubstrates100 , das heißt senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche110 . Der Bodybereich220 und die Driftzone260 sind längs einer ersten Richtung angeordnet, die parallel zu der ersten Hauptoberfläche110 zwischen dem Sourcebereich201 und dem Drainbereich205 ist. Der Drainbereich205 erstreckt sich in ähnlicher Weise von der ersten Hauptoberfläche110 in einer Tiefenrichtung des Substrates. Wie durch Strichlinien angezeigt ist, sind in einer Ebene vor und hinter der angegebenen Zeichenebene erste Trenches (Gatetrenches)212 benachbart zu dem Bodybereich220 vorgesehen. In entsprechender Weise können Feldplattentrenches252 benachbart zu der Driftzone260 angeordnet sein Der erste Trench212 und der Feldplattentrench252 erstrecken sich von der ersten Hauptoberfläche110 in einer Tiefenrichtung des Substrates. Als eine Folge ist der Bodybereich220 in der Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes strukturiert bzw. gemustert. Aufgrund des Vorhandenseins der Feldplattentrenches252 ist die Driftzone260 in der Gestalt eines zweiten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes strukturiert bzw. gestaltet. -
2B zeigt einen Bodykontaktteil225 , der unterhalb des Bodybereiches220 und unterhalb eines Teiles der Driftzone260 angeordnet ist. Der Bodykontaktteil225 verbindet den Bodybereich220 mit dem Sourcekontakt202 , um so einen parasitären Bipolartransistor zu vermeiden, der sonst an diesem Teil gebildet werden könnte. Darüber hinaus erstreckt sich der Bodykontaktteil225 unterhalb der Driftzone260 , so dass in einem Aus-Zustand des Transistors200 die Driftzone260 einfacher verarmen könnte. -
2C zeigt eine Schnittdarstellung der Halbleitervorrichtung zwischen III und III', wie diese auch in2A veranschaulicht sind. Die Schnittdarstellung ist so geführt, dass sie den Abschlusstrench272 und die Feldplattentrenches252 schneidet. Die Feldplattentrenches bzw. -gräben252 und der Abschlusstrench bzw. -graben272 sind in der ersten Hauptoberfläche110 eines Halbeitersubstrates100 gebildet. Die Feldplattentrenches252 können sich bis zu der gleichen Tiefe wie der Abschlusstrench272 erstrecken und können die gleiche Breite haben, die längs der zweiten Richtung gemessen ist. Eine isolierende Schicht271 ,251 ist an den Seitenwänden des Abschlusstrenches272 und der Feldplattentrenches252 vorgesehen. Ein leitendes Material270 ,250 ist in den Abschlusstrench272 und die Feldplattentrenches252 gefüllt. Das gleiche Material kann in den Abschlusstrench272 und die Feldplattentrenches252 gefüllt sein, um so eine elektrische Verbindung zwischen den Feldplatten und dem Abschlusstrench vorzusehen. Wie aus2C ersichtlich wird, ist der Abschlusstrench272 benachbart zu der Driftzone260 und in Struktur und Geometrie ähnlich zu irgendeinem der Feldplattentrenches252 . Der Abstand d2 zwischen den Feldplattentrenches252 kann gleich wie oder größer als ein Abstand d3 zwischen dem Abschlusstrench272 und dem Feldplattentrench252 benachbart zu dem Abschlusstrench272 sein. Ein Pitch bzw. eine Teilung zwischen benachbarten Feldplattentrenches252 kann gleich wie oder größer als eine Teilung zwischen benachbarten ersten Trenches sein, in welchen die Gateelektrode angeordnet ist. Im Allgemeinen bezeichnet der Begriff ”Teilung” die Summe der Breite und des Abstandes von benachbarten Trenches, beispielsweise Feldplattentrenches252 oder ersten Trenches212 . Wenn demgemäß die Feldplattentrenches252 und die ersten Trenches212 die gleiche Teilung haben, hängt die Beziehung des Abstandes zwischen den Feldplattentrenches252 und des Abstandes zwischen ersten Trenches von der Breite von jedem der Trenches ab. Wenn die Breite zwischen Feldplattentrenches252 größer ist als die Breite zwischen ersten Trenches212 , ist der Abstand zwischen den ersten Feldplattentrenches kleiner als der Abstand zwischen den ersten Trenches212 . - Wenn ein Transistor hergestellt wird, in welchem der Bodybereich in einer ersten Gratstruktur gemustert ist, die sich längs der ersten Richtung erstreckt, entlang welcher benachbarte erste Trenches in dem Halbeitersubstrat ausgedehnt sind, kann gemäß Konzepten eine einzelne Maske benutzt werden, um Siliziumoxid von geätzten Trenches zu entfernen und um Dotierungsprozesse zum Definieren des dotierten Bodybereiches auszuführen. Mittels einer einzigen Maske kann eine perfekte Selbstjustierung bzw. Selbstausrichtung zwischen den verbleibenden Oxidteilen und den dotierten Teilen erzielt werden. In dem Zusammenhang der vorliegenden Beschreibung soll der Ausdruck ”einzelne Maske” oder ”Einzelmaske” angeben, dass die Maske gemeint ist, die nach Durchführen des ersten Prozessierens weiter modifiziert wird. Beispielsweise kann die Maske zugerichtet bzw. getrimmt, das heißt an ihren Ecken geätzt werden nach Durchführen des ersten Prozessierens. Das Konzept eines Verwendens einer Einzelmaske kann weiter entwickelt werden, um einerseits sicherzustellen, dass der dotierte Bodybereich sehr eng zu dem Abschlusstrench
272 angeordnet ist. Andererseits sollte isolierendes Material benachbart zu der Driftzone260 an der Seitenwand des Abschlusstrenches272 beibehalten werden. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann dies durch Unterteilen des Abschlusstrenches
272 in einen ersten Abschlusstrenchteil272b , der benachbart zu den ersten Trenches212 angeordnet ist, und einen zweiten Abschlusstrenchteil272a , der benachbart zu den Feldplattentrenches252 angeordnet ist, erreicht werden. Ein Prozessieren kann vorgenommen werden, um eine dicke dielektrische Schicht272 an einer Seitenwand benachbart zu der Driftzone260 beizubehalten und gleichzeitig den dotierten Bodybereich220 in enger räumlicher Beziehung zu dem ersten Abschlusstrenchteil272b zu verfahren. Gemäß dem in3A dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine Breite des ersten Abschlusstrenchteiles272b kleiner als die Breite des zweiten Abschlusstrenchteiles272a . Beispielsweise können die ersten Trenches212 in einer Richtung des Abschlusstrenches272 verschoben sein, um so einen kleinen Abstand zwischen den ersten Trenches212 und dem ersten Abschlusstrenchteil272b zu haben. Aufgrund der verschiedenen Breite der ersten Abschlusstrenchteile272b und des zweiten Abschlusstrenchteiles272a kann der zweite Abschlusstrenchteil272a angeordnet sein, um mit den ersten Trenches212 längs der zweiten Richtung zu überlappen. Demgemäß kann eine Maske verwendet werden, die vollständig den zweiten Abschlusstrenchteil272a bedeckt, so dass keine dielektrische Schicht von der Seitenwand des zweiten Abschlusstrenchteiles272a entfernt wird. Beispielsweise kann eine derartige Maske verwendet werden, wenn eine Einzelmaske zum Entfernen der dielektrischen Schicht und zum Durchführen des Dotierungsprozesses benutzt wird. Die Position der Maske wird durch ein Bezugszeichen300 angegeben. -
3B zeigt eine Schnittdarstellung zwischen A und A', wie diese auch in3A veranschaulicht sind. Die Schnittdarstellung ist so geführt, dass sie den ersten Abschlusstrenchteil272b und die ersten Trenches212 schneidet. Wie auch in3A angezeigt ist, wird aufgrund der Position der Ätzmaske300 ein Teil der dielektrischen Schicht271 von der Seitenwand des ersten Abschlusstrenchteiles272b , der den ersten Trenches212 gegenüberliegt, entfernt. - Aufgrund des weiteren Verarbeitens, das eine Gatedielektrikumschicht
211 auf den Seitenwänden der ersten Trenches12 bildet, wird auch eine Gatedielektrikumschicht211 auf der ”inneren” Seitenwand des ersten Abschlusstrenchteiles272b gebildet. Weiterhin erstreckt sich aufgrund der Position dieser kombinierten Maske der Bodybereich220 zu dem ersten Abschlusstrenchteil272b . - Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann das leitende Material der ersten und zweiten Abschlusstrenchteile isoliert voneinander angeordnet werden.
4A zeigt ein Beispiel einer derartigen Ausgestaltung.4A veranschaulicht einen ersten Abschlusstrenchteil272b und einen zweiten Abschlusstrenchteil272a , nämlich Komponenten eines Abschlusstrenches272 . Eine Felddielektrikumschicht271 ist an den Seitenwänden des zweiten Abschlusstrenchteiles272a gebildet. Weiterhin ist eine dünnere Gatedielektrikumschicht211 an der ”inneren” Seitenwand des ersten Abschlusstrenchteiles272b gebildet. Zwischen den zwei Teilen des Abschlusstrenches kann die Felddielektrikumschicht271 eine elektrische Isolation zwischen leitendem Material, das in den ersten und zweiten Abschlusstrenchteilen272b ,272a gebildet ist, ausführen. Ein erstes leitendes Material270b ist in dem ersten Abschlusstrenchteil272b gebildet, und ein zweites leitendes Material270a ist in dem zweiten Abschlusstrenchteil272a gebildet. Wie klar zu verstehen ist, können die ersten und zweiten leitenden Materialen270a ,270b das gleiche Material umfassen. Das erste leitende Material270b kann elektrisch mit dem Gateanschluss214 verbunden sein, und das zweite leitende Material270a kann elektrisch mit dem Sourceanschluss203 als Beispiel verbunden sein. Wie klar zu verstehen ist, kann irgendein anderer Anschluss elektrisch mit irgendeinem dieser leitenden Materialien abhängig von den Anforderungen der Vorrichtung verbunden sein. Wie durch Strichlinien angezeigt ist, kann die Gateelektrode210 elektrisch mit einem Gateanschluss214 mittels einer Gateverbindungsleitung213 verbunden sein. Die Gateverbindungsleitung213 kann über den Abschlusstrench272 geführt sein. - Beispielsweise kann sich der erste Abschlusstrenchteil
272b bis zu einer geringeren Tiefe als der zweite Abschlusstrenchteil272a erstrecken. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann ein derartiger Abschlusstrench mittels eines Ätzprozesses in einem Trench gebildet werden, der zwei verschiedene Breiten hat. Aufgrund der verschiedenen Breiten kann ein Ätzen in dem zweiten Abschlusstrenchteil272a so ausgeführt werden, dass es sich in eine tiefere Tiefe als der erste Abschlusstrenchteil272b erstreckt. - Durch Bilden eines Abschlusstrenches
272 mit verschiedenen Teilen kann jeder Teil des Abschlusstrenches in Geometrie und Struktur an die Forderungen der Umgebung bei jedem der Teile angepasst werden. Beispielsweise ist es für den Feldplattentrenchteil, der benachbart zu den Feldplattentrenches ist, wünschenswert, dass die Feldielektrikumschicht271 benachbart zu der Driftzone260 eine größere Dicke hat und der Abstand zwischen dem zweiten Abschlusstrenchteil und dem benachbarten Feldplattentrench252 gleich wie oder kleiner als der Abstand zwischen benachbarten Feldplattentrenches ist. Andererseits ist es für den ersten Abschlusstrenchteil272b , der benachbart zu den ersten Trenches212 ist, wünschenswert, dass sich der dotierte Bodybereich220 bis zu dem Abschlusstrench erstreckt. Aufgrund dieses Konzeptes kann jeder der Teile des Abschlusstrenches an die Forderungen der Umgebung angepasst bzw. auf diese eingestellt werden. - Gemäß Ausführungsbeispielen umfasst die Halbleitervorrichtung eine Vielzahl von Einzeltransistorzellen
10 , die parallel verbunden sein können. Das Muster bzw. die Struktur der Einzeltransistorzellen200 kann wiederholt und längs den ersten und den zweiten Richtungen gespiegelt werden. Der Abschlusstrench272 kann angeordnet werden, um das Transistorarray einzuschließen bzw. zu umgeben. Die Einzeltransistorzellen200 und der Abschlusstrench272 können in irgendeiner Weise ausgestaltet werden, wie dies oben beschrieben wurde. - Die
5A bis5C veranschaulichen Schritte, wenn die Halbleitervorrichtung mittels einer gemeinsamen oder einer Einzelmaske jeweils gebildet wird, um ein dielektrisches Material zu entfernen und um Dotierungsprozesse auszuführen. - Ausgangspunkt zum Erläutern von Einzelheiten des Herstellungsprozesses ist ein Halbeitersubstrat, das geätzte erste Trenches
212 und geätzte zweite Trenches252 aufweist, die Feldplattentrenches definieren. Verschiedene Dotierungsprozesse wurden bereits vorgenommen, um Drainbereiche205 und Bodykontaktteile225 zu definieren. Eine Siliziumoxidschicht401 wurde über der Struktur gebildet. Aufgrund der verschiedenen Breiten der Trenches sind die ersten Trenches212 vollständig mit der Siliziumoxidschicht gefüllt, während die Siliziumoxidschicht die Feldielektrikumschicht251 auf den Seitenwänden und der Bodenseite der Feldplattentrenches252 bildet. Eine Hartmaskenschicht300 wurde über der sich ergebenden Struktur gebildet und strukturiert, wobei ein Teil der ersten Trenches212 zurückgelassen und das Halbleitermaterial zwischen den ersten Trenches212 unbedeckt bleibt. -
5A zeigt ein Beispiel einer derartigen Struktur. Wie in dem linkshändigen Teil von5A veranschaulicht ist, ist ein rechtshändiger Teil der ersten Trenches212 durch die Hartmaskenschicht300 bedeckt, während der linkshändige Teil der ersten Trenches unbedeckt ist. Der rechtshändige Teil von5A zeigt eine Schnittdarstellung des Substrates, das die ersten Trenches212 und die durch die Hartmaske300 bedeckten Feldplattentrenches252 veranschaulicht. Wie durch Pfeile angegeben ist, wird ein Ätzschritt durchgeführt, um die Siliziumoxidschicht411 von unbedeckten Teilen zu entfernen. Als ein Ergebnis wird die Siliziumoxidschicht411 vollständig von der linkshändigen Seitenwand der ersten Trenches212 entfernt, und ein kleiner Teil verbleibt in dem Bodenteil der ersten Trenches212 . Weiterhin wurde die Siliziumoxidschicht411 von der ersten Hauptoberfläche110 entfernt. - Weiterhin werden geneigte bzw. schräge Ionenimplantationsschritte vorgenommen, wie dies durch die Pfeile angezeigt ist, die in dem rechtshändigen Teil von
5B angegeben sind. Der geneigte Ionenimplantationsschritt wird durchgeführt, um Halbleiterteile in einem Halbleiterteil zu dotieren, der vor und hinter der angegebenen Zeichenebene gelegen ist. Das heißt, die Bodyteile zwischen benachbarten ersten Trenches212 , die auch in dem linkshändigen Teil von5B gezeigt sind, werden aufgrund dieses Dotierungsschrittes dotiert. Aufgrund der Verwendung einer Einzelmaske300 zum Durchführen dieser Prozesse eines Ätzens der Siliziumoxidschicht411 und eines Dotierens der Bodybereiche220 kann die Ausrichtung bzw. Justierung dieser Teile verbessert werden. Im Allgemeinen kann die Maske300 weiter modifiziert werden, beispielsweise durch einen Rückfahrschritt, so dass die Justierung bzw. Ausrichtung vorgenommen werden können, indem während der Ionenimplantation auftretende Probleme berücksichtigt werden. Die Abfolge von Schritten kann gemäß den Prozessanforderungen ausgewählt werden. -
5C veranschaulicht eine Schnittdarstellung der ersten Trenches212 einschließlich des Abschlusstrenches272 nach Durchführen des Prozessierens gemäß einem Ausführungsbeispiel. Die Position der Schnittdarstellung von5C entspricht angenähert der Position der Schnittdarstellung von3B . Gemäß dem Ausführungsbeispiel wird ein Teil der dielektrischen Schicht271 auf der ”inneren” Seitenwand des Abschlusstrenches entfernt und durch die dünne Gatedielektrikumschicht211 ersetzt, während ein unterer Teil dieser dielektrischen Schicht auf der Seitenwand des Abschlusstrenches beibehalten wurde. Demgemäß liefert die dielektrische Schicht271 eine ausreichende Isolation zwischen dem leitenden Material des Abschlusstrenches und dem Halbleiterkörper. Der Bodybereich220 des Transistors erstreckt sich zu dem Abschlusstrench272 . -
6 veranschaulicht Schritte zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die ein Transistorarray und einen Abschlussbereich umfasst. Wie dargestellt ist, umfasst das Verfahren ein Bilden eines Sourcebereiches, eines Drainbereiches, eines Bodybereiches, einer Driftzone und einer Gateelektrode an dem Bodybereich (S100). Die Gateelektrode wird konfiguriert, um eine Leitfähigkeit eines Kanals zu steuern, der in dem Bodybereich gebildet ist, wobei der Bodybereich und die Driftzone in einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich vorgesehen sind und die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Bodybereich wird in einen ersten Grat bzw. Höhenrücken bzw. ersten First strukturiert bzw. gemustert, der sich längs der ersten Richtung durch benachbarte erste Trenches in dem Halbeitersubstrat erstreckt. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden eines Abschlusstrenches (S110). Ein Teil des Abschlusstrenches erstreckt sich in der ersten Richtung, wobei eine Länge des Abschlusstrenches größer ist als die Länge der Gatetrenches, wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Halbleitervorrichtung eine Komponente einer elektronischen Vorrichtung, wie einer Brückenschaltung, eines Konverters bzw. Umsetzers, eines Inverters und eines Motorantriebes sein. Entsprechend bezieht sich ein weiteres Ausführungsbeispiel auf eine derartige elektronische Vorrichtung, die die Halbleitervorrichtung umfasst, die bereits oben beschrieben wurde.
Claims (21)
- Halbleitervorrichtung (
1 ), gebildet in einem Halbeitersubstrat (100 ), das eine erste Hauptoberfläche (110 ) hat, umfassend: ein Transistorarray (10 ) und einen Abschlussbereich (20 ), wobei das Transistorarray (10 ) aufweist: einen Sourcebereich (201 ), einen Drainbereich (205 ), einen Bodybereich (220 ), eine Driftzone (260 ), und eine Gateelektrode (210 ) bei dem Bodybereich (220 ), wobei die Gateelektrode (210 ) gestaltet ist, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220 ) gebildeten Kanals zu steuern, die Gateelektrode (210 ) in ersten Trenches (212 ) angeordnet ist, der Bodybereich (220 ) und die Driftzone (260 ) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201 ) und dem Drainbereich (205 ) vorgesehen sind, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist und der Bodybereich (220 ) eine Gestalt eines ersten Grats hat, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, der Abschlussbereich (20 ) einen Abschlusstrench (272 ) umfasst, wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches (272 ) in der ersten Richtung erstreckt, eine Länge des Abschlusstrenches (272 ) größer ist als eine Länge der ersten Trenches (212 ) und die Länge in der ersten Richtung gemessen ist, wobei auf Seitenwänden und einer Bodenseite des Abschlusstrenches eine isolierende Schicht (271 ) angeordnet ist und ein leitendes Material (270 ) in den Abschlusstrench (272 ) gefüllt ist. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 1, bei der die ersten Trenches (212 ) den Bodybereich (220 ) in die Gestalt des Grats strukturieren. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 1 oder 2, bei der das Transistorarray (10 ) weiterhin eine Vielzahl von Feldplattentrenches (252 ) aufweist, die sich in der ersten Richtung erstrecken, wobei die Feldplattentrenches (252 ) längs der ersten Richtung zwischen den ersten Trenches (212 ) und dem Drainbereich (205 ) angeordnet sind. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 3, bei der ein Abstand zwischen den Feldplattentrenches (252 ) gleich ist wie oder größer als ein Abstand zwischen dem Abschlusstrench (272 ) und dem Feldplattentrench benachbart zu dem Abschlusstrench (272 ). - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 3, bei der eine Breite eines Teiles des Abschlusstrenchs (272 ) gleich zu einer Breite der Feldplattentrenches (252 ) ist, wobei die Breite in der Richtung senkrecht zu der ersten Richtung gemessen ist. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der eine Breite des Abschlusstrenches (272 ) sich längs der ersten Richtung verändert. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 3, bei der der Abschlusstrench (272 ) einen ersten Abschlusstrenchteil (272b ) benachbart zu den ersten Trenches (212 ) und einen zweiten Abschlusstrenchteil (272a ) benachbart zu den Feldplattentrenches (252 ) aufweist. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 7, bei der die Breite des ersten Abschlusstrenchteiles (272b ) kleiner ist als die Breite des zweiten Abschlusstrenchteiles (272a ). - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 7 oder 8, bei der jeweils ein Teil des leitenden Materials in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b ) angeordnet ist und ein weiterer Teil des leitenden Materials in dem zweiten Abschlusstrenchteil (272a ) angeordnet ist, wobei das leitende Material in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b ) von dem leitenden Material in dem zweiten Abschlusstrenchteil (272a ) isoliert und jeweils mit verschiedenen Anschlüssen verbunden ist. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei der eine Tiefe des ersten Abschlusstrenchteiles (272b ) kleiner ist als eine Tiefe des zweiten Abschlusstrenchteiles (272a ). - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei eine Dicke der isolierenden Schicht in dem zweiten Abschlusstrenchteil (272a ) größer ist als in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b ). - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach Anspruch 9, bei der das leitende Material in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b ) mit einem Gateanschluss verbunden ist, wobei eine Gateverbindungsleitung, die den Gateanschluss mit den Gateelektroden (210 ) verbindet, über den ersten Abschlusstrenchteil (272b ) geführt ist. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 3 bis 12, bei der eine Teilung zwischen benachbarten Feldplattentrenches (252 ) gleich ist wie oder größer ist als eine Teilung zwischen benachbarten ersten Trenches (212 ). - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei der das Transistorarray (10 ) durch den Abschlusstrench (272 ) umschlossen ist. - Halbleitervorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei der ein Teil des Abschlusstrenches (272 ) eine größere Tiefe als ein anderer Teil des Abschlusstrenches (272 ) hat. - Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (
1 ), die ein Transistorarray (10 ) und einen Abschlussbereich (20 ) in einem eine erste Hauptoberfläche aufweisenden Halbeitersubstrat (100 ) hat, wobei das Verfahren aufweist: Bilden eines Sourcebereiches (201 ), eines Drainbereiches (205 ), eines Bodybereiches (220 ) und einer Driftzone (260 ), und Bilden einer Gateelektrode (210 ) bei dem Bodybereich (220 ), wobei die Gateelektrode (210 ) gestaltet ist, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220 ) gebildeten Kanals zu steuern, wobei die Gateelektrode (210 ) in ersten Trenches (212 ) gebildet ist, der Bodybereich (220 ) und die Driftzone (260 ) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201 ) und dem Drainbereich (205 ) angeordnet sind, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist, der Bodybereich (220 ) die Gestalt eines ersten Grats hat, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, Bilden eines Abschlusstrenches (272 ), wobei ein Teil des Abschlusstrenches (272 ) sich in der ersten Richtung erstreckt, eine Länge des Abschlusstrenches (272 ) größer ist als eine Länge der ersten Trenches (212 ) und die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist, Bilden einer isolierenden Schicht (271 ) auf Seitenwänden und einer Bodenseite des Abschlusstrenches (272 ) und Füllen eines leitenden Materials (270 ) in den Abschlusstrench (272 ). - Verfahren nach Anspruch 16, weiterhin umfassend ein Bilden einer Vielzahl von Feldplattentrenches (
252 ), die sich in der ersten Richtung erstrecken. - Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der Abschlusstrench (
272 ) und die Feldplattentrenches (252 ) unter Verwendung gemeinsamer Prozessschritte gebildet werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, bei dem der Abschlusstrench (
72 ) und die Feldplattentrenches (252 ) unter Verwendung einer gemeinsamen Fotomaske strukturiert werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, bei dem ein Bilden der Gateelektrode (
210 ) ein Bilden einer Vielzahl von ersten Trenches (212 ) in der ersten Hauptoberfläche umfasst, wobei sich die ersten Trenches (212 ) in der ersten Richtung erstrecken. - Elektronische Vorrichtung mit der Halbleitervorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die elektronische Vorrichtung aus der Gruppe einer Brückenschaltung, eines Konverters, eines Inverters und eines Motorantriebes ausgewählt ist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015102115.3A DE102015102115B3 (de) | 2015-02-13 | 2015-02-13 | Halbleitervorrichtung mit einem transistorarray und einem abschlussbereich und verfahren zum herstellen einer solchen halbleitervorrichtung |
CN201610082830.2A CN105895701B (zh) | 2015-02-13 | 2016-02-05 | 包括晶体管阵列和终止区域的半导体器件及其制造方法 |
US15/040,624 US9825170B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-02-10 | Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device |
KR1020160015771A KR101847259B1 (ko) | 2015-02-13 | 2016-02-11 | 트랜지스터 어레이 및 종단 영역을 포함하는 반도체 디바이스 및 그 반도체 디바이스의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015102115.3A DE102015102115B3 (de) | 2015-02-13 | 2015-02-13 | Halbleitervorrichtung mit einem transistorarray und einem abschlussbereich und verfahren zum herstellen einer solchen halbleitervorrichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102015102115B3 true DE102015102115B3 (de) | 2016-06-09 |
Family
ID=55974465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102015102115.3A Active DE102015102115B3 (de) | 2015-02-13 | 2015-02-13 | Halbleitervorrichtung mit einem transistorarray und einem abschlussbereich und verfahren zum herstellen einer solchen halbleitervorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9825170B2 (de) |
KR (1) | KR101847259B1 (de) |
CN (1) | CN105895701B (de) |
DE (1) | DE102015102115B3 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4092724A1 (de) * | 2021-05-21 | 2022-11-23 | Infineon Technologies Austria AG | Halbleiterchip mit vertikaler leistungstransistorvorrichtung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10326523A1 (de) * | 2003-06-12 | 2005-01-13 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor, insbesondere doppelt diffundierter Feldeffekttransistor, sowie Herstellungsverfahren |
US20120112268A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Sung-Shan Tai | Termination structure of power semiconductor device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6355532B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-03-12 | Lsi Logic Corporation | Subtractive oxidation method of fabricating a short-length and vertically-oriented channel, dual-gate, CMOS FET |
US7977193B1 (en) * | 2010-08-20 | 2011-07-12 | Monolithic Power Systems, Inc. | Trench-gate MOSFET with capacitively depleted drift region |
-
2015
- 2015-02-13 DE DE102015102115.3A patent/DE102015102115B3/de active Active
-
2016
- 2016-02-05 CN CN201610082830.2A patent/CN105895701B/zh active Active
- 2016-02-10 US US15/040,624 patent/US9825170B2/en active Active
- 2016-02-11 KR KR1020160015771A patent/KR101847259B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10326523A1 (de) * | 2003-06-12 | 2005-01-13 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor, insbesondere doppelt diffundierter Feldeffekttransistor, sowie Herstellungsverfahren |
US20120112268A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Sung-Shan Tai | Termination structure of power semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9825170B2 (en) | 2017-11-21 |
KR101847259B1 (ko) | 2018-04-09 |
US20160240661A1 (en) | 2016-08-18 |
CN105895701B (zh) | 2019-03-08 |
KR20160100251A (ko) | 2016-08-23 |
CN105895701A (zh) | 2016-08-24 |
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