DE102014213967A1 - Vorrichtung zur Hydophilierung von Zahnimplantaten - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) zur Hydrophilierung von Zahnimplantaten (Z), aufweisend • eine Hochfrequenzquelle (HF), • einen dielektrischen Stützkörper (SK) zur zumindest abschnittsweisen Aufnahme eines Zahnimplantates (Z), wobei der dielektrische Stützkörper (SK) zumindest eine Windung eines elektrisch leitfähigen Materiales (L1) auf einer dem Zahnimplantat (Z) abgewandten Seite des dielektrischen Stützkörpers (SK) aufweist, • wobei in Betrieb die Hochfrequenzquelle (HF) mit der zumindest einen Windung (L1) in elektrischem Kontakt steht, um eine dielektrische behinderte Plasmaentladung (P) auf der Innenseite des dielektrischen Stützkörpers zu bewirken, sodass das dabei entstehende kalte Plasma die Oberfläche eines in den Plasmawirkungsbereiches eingeführten Zahnimplantates (Z) hydrophiliert. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Verwendung einer Vorrichtung (1) zur Generierung einer dielektrisch behinderten Plasmaentladung zur Hydophilierung von Implantaten für den menschlichen oder tierischen Körper, insbesondere zur Hydophilierung von Zahnimplantate aus Titan.

Description

  • Hintergrund
  • In vielen Bereichen der Technik besteht Bedarf Oberflächen für bestimmte Anwendungen oder Bearbeitungsschritte an ihrer Oberfläche zu bearbeiten.
  • Insbesondere in der Medizin besteht ein Bedarf daran Oberflächen von z.B. Implantaten vor der Einbringung in den Körper so zu behandeln, dass sie hydrophil bzw. auch keimfrei werden, sodass ein Einwachsen schnell und sicher stattfindet
  • Hierzu wurden in der Vergangenheit große Anstrengungen unternommen, die z.B. mittels geeigneter Beschichtungen zum gewünschten Erfolg führen sollten.
  • Allerdings sind die Herausforderungen dabei enorm, da die Biokompatibilität solcher Implantate gewahrt bleiben muss. Dies erfordert eine hohe Sorgfalt bei der Fertigung, die somit zu einer enormen Kostensteigerung führen kann.
  • Weiterhin ist bei Implantaten die Anzahl von Keimen, bzw. das Nichtvorhandensein von Keimen, von großer Wichtigkeit.
  • Daher musste in der Vergangenheit ein großer Aufwand betrieben werden, um sowohl Implantate möglichst keimfrei herzustellen, oder nach der Herstellung so zu bearbeiten, dass ein Einwachsen schnell und sicher stattfindet.
  • Dabei ist beispielsweise zu berücksichtigen, dass auf dem Weg von der Herstellung bis zum Einsatz im Körper unter Umständen viele Zwischenstationen zu finden sind, bei denen es zu einer Kontamination mit Keimen kommen kann. Daher muss entweder ein enormer Aufwand bei der Verpackung betrieben werden, so dass die Implantate keimfrei ankommen oder aber die Implantate müssen vor Ort keimfrei gemacht werden. Allerdings ist dies nicht immer und überall in gleicher Qualität kostengünstig möglich.
  • Es wäre daher wünschenswert, eine Vorrichtung bereitzustellen, die kostengünstig eine Bearbeitung der Oberfläche von Implantaten bereitstellt, sodass ein Einwachsen von Implantate schnell und sicher stattfinde und die Oberfläche der Implantate eine bessere Biokompatibilität aufweist.
  • Kurzbeschreibung der Erfindung
  • Die Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung zur Hydrophilierung von Zahnimplantaten. Die Vorrichtung weist eine Hochfrequenzquelle und einen dielektrischen Stützkörper zur zumindest abschnittsweisen Aufnahme eines Zahnimplantates auf, wobei der dielektrische Stützkörper zumindest eine Windung eines elektrisch leitfähigen Materiales auf einer dem Zahnimplantat abgewandten Seite des dielektrischen Stützkörpers aufweist, wobei in Betrieb die Hochfrequenzquelle mit der zumindest einen Windung in elektrischem Kontakt steht, um eine dielektrische behinderte Plasmaentladung auf der Innenseite des dielektrischen Stützkörpers zu bewirken, sodass das dabei entstehende kalte Plasma die Oberfläche eines in den Plasmawirkungsbereiches eingeführten Zahnimplantates hydrophiliert.
  • Hiermit kann eine einfache kostengünstige und einfache Vorrichtung bereitgestellt werden, die in jeder (Zahn-)Arztpraxis einsetzbar ist. Somit kann der Aufwand eines kostenträchtigen keimfreien Transports gespart werden und zudem wird eine Keimfreiheit am Ort des Einsatzes ermöglicht. Weiterhin kann die Oberfläche der Implantate so bearbeitet werden, dass sie ein schnelles und sicheres Einwachsen ermöglichen in dem die häufig hydrophobe Oberfläche hyrdophiliert wird und so eine bessere Anlagerung von Wasser und/oder Blut und/oder Zellen und/oder Eiweißen ermöglichen. Hierdurch kann eine verbesserte, weil schnellere Osteointegration der Implantate erreicht werden.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die Hochfrequenzquelle einen Teslagenerator auf.
  • Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung weist der dielektrische Stützkörper SK ein Material ausgewählt aus der Gruppe aufweisend Kunststoffe, Keramiken oder Glas auf.
  • In noch einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung weist der Raum der dielektrischen Plasmaentladung im Wesentlichen Raumatmosphäre auf.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der dielektrische Stützkörper zumindest eine weitere Windung eines elektrisch leitfähigen Materiales auf einer dem Zahnimplantat abgewandten Seite des dielektrischen Stützkörpers auf, wobei in Betrieb die Hochfrequenzquelle mit der zumindest einen weiteren Windung in elektrischem Kontakt steht.
  • In noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist das Zahnimplantat ein elektrisches Potential auf, sodass die dielektrische behinderte Plasmaentladung auf dem Zahnimplantat endet.
  • In einer hierzu alternativen Ausführungsform wird die dielektrisch behinderte Plasmaentladung zwischen der ersten Windung und der weiteren Windung bewirkt.
  • Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist der Stützkörper abnehmbar und autoklavierbar.
  • In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung kann das Zahnimplantat relativ zum Stützkörper bzw. relativ zu der ersten Windung verschoben werden, wobei abhängig von der Position des Zahnimplantats relativ zum Stützkörper die Intensität der dielektrisch behinderten Plasmaentladung geändert wird.
  • Gemäß noch einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung weist die Vorrichtung weiterhin eine Zeitsteuerung auf.
  • In noch einer weiteren Ausführungsform weist die Vorrichtung weiterhin eine Energieversorgungseinheit auf.
  • Weiterhin wird die Aufgabe gelöst durch die Verwendung einer Vorrichtung zur Generierung einer dielektrisch behinderten Plasmaentladung zur Hydophilierung von Implantaten für den menschlichen oder tierischen Körper, insbesondere zur Hydophilierung von Zahnimplantate aus Titan.
  • Weitere Ziele, Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen. Dabei bilden alle beschriebenen und/oder bildlich dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger sinnvoller Kombination den Gegenstand der vorliegenden Erfindung, auch unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Ansprüchen oder deren Rückbeziehung.
  • Kurzbeschreibung der Figuren
  • Nachfolgend wir die Erfindung näher unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben werden. In diesen zeigt:
  • 1 eine erste schematisiert Darstellung von Ausführungsformen der Erfindung,
  • 2 eine weitere schematisiert Darstellung von weiteren Ausführungsformen der Erfindung,
  • 3 eine weitere schematisiert Darstellung von anderen weiteren Ausführungsformen der Erfindung, und
  • 4 noch eine weitere schematisiert Darstellung von anderen weiteren Ausführungsformen der Erfindung.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Soweit nachfolgend in der Beschreibung und in der Bezugnahme auf die Figuren gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet werden, so ist die Beschreibung hierzu jeweils für alle Figuren zu verstehen, soweit nicht explizit etwas anderes hierzu beschrieben ist.
  • Weiterhin, soweit nachfolgend der Singular angegeben ist, so ist damit, soweit sich technisch nicht zwingend etwas anderes ergibt oder soweit nicht explizit ein einziges Element gefordert ist, immer auch der Plural umfasst.
  • Es wird weiterhin darauf hingewiesen, dass jeglicher nachfolgende Aspekt in allen Ausführungsformen Verwendung finden kann, soweit die Beschreibung diese nicht als Alternative darstellt. D.h. nachfolgend beschriebene Aspekte einer Ausführungsform können auch bei anderen Ausführungsformen Verwendung finden, ohne dass es dazu einer expliziten Beschreibung bedarf.
  • In den 1 bis 4 sind unterschiedliche Ausführungsformen einer erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 gezeigt.
  • Die Vorrichtung ist zur Hydrophilierung von Implantaten jeglicher Art geeignet. Nachfolgend wird jedoch nur die Verwendung in Bezug auf Zahnimplantate Z, insbesondere solche aus Titan, beschreiben werden, jedoch ist die Vorrichtung 1 als auch Ihre Verwendung nicht auf Zahnimplantate Z beschränkt, sondern kann für jegliche Form von Implantat Verwendung finden. D.h. auch andere Implantate, wie z.B. Gelenke, Schrauben, Scheiben oder Nägel können in entsprechender Weise bearbeitet werden.
  • Dabei weist die Vorrichtung 1 in allen Ausführungsformen eine Hochfrequenzquelle HF und einen dielektrischen Stützkörper SK zur zumindest abschnittsweisen Aufnahme eines Zahnimplantates Z auf, wobei der dielektrische Stützkörper SK zumindest eine Windung eines elektrisch leitfähigen Materiales L1 auf einer dem Zahnimplantat Z abgewandten Seite des dielektrischen Stützkörpers SK aufweist, wobei in Betrieb die Hochfrequenzquelle HF mit der zumindest einen Windung L1 in elektrischem Kontakt steht, um eine dielektrische behinderte Plasmaentladung P auf der Innenseite des dielektrischen Stützkörpers zu bewirken, sodass das dabei entstehende kalte Plasma die Oberfläche eines in den Plasmawirkungsbereiches eingeführten Zahnimplantates Z hydrophiliert.
  • Soweit nachfolgend elektrisch leitfähige Materialien für eine oder mehrere Windungen beschrieben sind, so sind damit insbesondere Kupfer oder Silber aufweisende Materialien umfasst. Weiterhin kann das jeweilige elektrisch leitfähige Material auch in den Stützkörper SK eingebettet sein, oder auf den Stützkörper aufschiebbar sein. Hierdurch kann z.B. eine bessere Handhabbarkeit bzw. Schutz vor Manipulation der Vorrichtung bereitgestellt werden. Weiterhin können die jeweiligen schematisch in den Figuren dargestellten elektrischen Verbindungen ohne weiteres auch lösbar gestaltet sein.
  • Kaltes Plasma wird bei einer sogenannten stillen elektrischen Entladung, im englischen Sprachgebrauch auch als dielectric barrier discharge bezeichnet, erzeugt. Dabei kann ein Raum zwischen isolierend umhüllten Elektroden ionisiert werden beziehungsweise gelangt in einen Plasmazustand, wenn eine Wechselspannung an den Elektroden im Raum durch die Isolierung hindurch eine ausreichende Feldstärke erzeugt. Durch Verschiebungsströme wird die Entladung auch durch die Isolation hindurch aufrechterhalten und es kann kontinuierlich elektrische Leistung in das Plasma übertragen werden. Die Feldstärke ist umgekehrt proportional zu den Dielektrizitätskonstanten und daher im Gas stets höher als im Dielektrikum.
  • Die Hochfrequenzquelle kann dabei jegliche Form der Hochfrequenzquelle sein, d.h. sowohl Halbleiterbasierte Hochfrequenzquellen, röhrenbasierte Hochfrequenzquellen oder aber Teslageneratoren können beispielhaft verwendet werden.
  • Die Verwendung eines Tesla-Generators erlaubt hier eine besonders einfache Ausgestaltung der Hochfrequenzquelle. Teslageneratoren erlauben einen für die Erstellung von kaltem Plasma vorteilhaften gepulsten Betrieb, da im gepulsten Betrieb ein kontinuierliches kaltes Plasma erhalten werden kann. Dabei wird die Windung eines elektrisch leitfähigen Materials L1 an die Sekundärwicklung einer Teslaspule geschaltet, in der eine gedämpfte hochfrequente Hochspannungsschwingung erzeugt wird. Eine beispielhafte (gedämpfte) Hochspannungsschwingung weist z.B. eine Frequenz von einigen 10 kHz, insbesondere 40–50 kHz, bei ca. 1000 Impulse pro sec auf.
  • Je nach verwendeter Frequenz kann es dabei vorgeschrieben sein, dass die Vorrichtung 1 so auszugestalten ist, dass es nicht zu einer nicht erlaubten Abstrahlung von elektromagnetischen Wellen kommt. Andererseits, wenn z.B. die Hochfrequenz in einem der sogenannten ISM-Bänder (Industrial, Scientific and Medical Band) liegt, können Störungen von anderen Einrichtungen in Kauf genommen werden.
  • Für den dielektrischen Stützkörper SK kann im Prinzip jedes dielektrische Material ausgewählt werden. Allerdings sollte es die mechanische Stabilität aufweisen, die Windung des elektrisch leitfähigen Materials L1 tragen zu können. Als besonders vorteilhaft haben sich Kunststoffe, Keramiken oder Glas gezeigt. Insbesondere Kunststoffe und Glas erlauben es wegen der Durchsichtigkeit eine visuelle Kontrolle der Implantate während des Vorganges der Hydrophilierung zu beobachten und so z.B. Fehlfunktionen frühzeitig zu erkennen. Zudem sind die Dielektrizitätskonstanten in einem weiten Bereich einstellbar, durch die Wahl der entsprechenden Materialien. Insbesondere die Verwendung von Glas ist jedoch besonders bevorzugt, da dieses besonders stabil gegenüber den bei einer Plasmaentladung entstehenden Emissionen ist.
  • Dabei ist anzumerken, dass der Innenraum des Stützkörpers SK, der das Implantat Z aufnimmt, d.h. der Raum der dielektrischen Plasmaentladung P, im Wesentlichen bei Raumatmosphäre verbleiben kann. D.h. zwar kann der Innenraum einen anderen atmosphärischen Druck und/oder eine andere atmosphärische Zusammensetzung als die Raumluft aufweisen, jedoch ist dies für das Funktionieren der Erfindung nicht erforderlich. Insofern sind hier keine weiteren kostentreiben Einrichtungen für die Vorrichtung 1 vorzusehen, wodurch die Gesamtkosten der Anschaffung als auch des fortlaufenden Betriebes gering gehalten werden können.
  • In Bezug auf 1 sind nun verschieden Varianten der Vorrichtung darstellbar.
  • So ist es z.B. möglich nur eine einzige Windung L1 bereitzustellen (dargestellt mit einer gestrichelten Linie), sodass nur diese eine Windung zur Erzeugung eines kalten Plasmas P verwendet wird.
  • Dann wird das Implantat Z, welches eine gewisse elektrische Leifähigkeit besitzt, mit dem Erd- bzw. Massepotential verbunden. Wird nun Hochfrequenz angelegt, um ein kaltes Plasma zu erzeugen, so bildet sich zwischen der Oberfläche des Stützkörpers SK und dem Implantat Z das gewünschte kalte Plasma aus und die Oberfläche des Implantats Z wird hydrophiliert und keimfrei.
  • Wird nur eine Windung oder wenige Windungen L1 verwendet, so kann es sein, dass das kalte Plasma nicht die gewünschte Oberfläche zur Gänze hydrophilieren kann. Dann kann z.B. eine Verschiebeeinrichtung vorgesehen sein, die das Implantat Z und die eine oder die wenigen Windungen L1 relativ zueinander verschieben, wie durch den Pfeil angedeutet.
  • Das Implantat Z kann z.B. in einem geeigneten Halter eingesetzt und soweit notwendig elektrisch kontaktiert sein.
  • Beispielsweise kann der Stützkörper SK wie dargestellt oben offen sein. Dann kann in einen Halter das Implantat eingeführt werden und beispielsweise durch Federkraft gehalten werden. Der Halter kann bei Bedarf auch eine elektrische Kontaktierung zu einem vorbestimmten Potential bereitstellen.
  • Andererseits können auch mehrere Windungen L1 zur Verfügung gestellt werden – entsprechend der durchgezogenen Verbindung in 1 bzw. der 2.
  • Um z.B. die Wirkung des kalten Plasmas besser kontrollieren zu können, kann es erforderlich sein, einzelne Abschnitte des Implantats unterschiedlich ansteuern zu können.
  • Dies kann z.B. dadurch erreicht werden, dass einzelne Abschnitte eine unterschiedliche Wicklungsdichte aufweisen, oder das einzelne Abschnitt in zeitlicher Reihenfolge angesteuert werden oder aber dass durch eine Verschiebeeinrichtung die jeweilige Verweildauer eines Abschnitts des Implantats Z im kalten Plasma P kontrolliert wird.
  • Dabei können natürlich auch Mischformen der vorgenannten Maßnahmen zum Einsatz kommen.
  • Beispielsweise könnte im oberen Bereich der Figuren die Wicklungsdichte geringer sein, da das Implantat Z einen geringeren Abstand zum Stützkörper SK aufweist, während im unteren Bereich der Figuren die Wicklungsdichte höher sein kann, da hier das Implantat Z einen größeren Abstand zum Stützkörper SK aufweist. Dann könnte z.B. mit einem einzigen durchlauf der gesamte im Plasmabereich P befindliche Abschnitt des Implantats Z behandelt werden, wobei das Plasma an den jeweiligen Abstand angepasst ist. D.h. die Hochfrequenzquelle HF könnte mit gleicher Leistung arbeiten.
  • In einem anderen Beispiel, könnte z.B. nur eine einzige oder wenige Windungen L1 vorgesehen sein, dann würde beim Verfahren des Implantats Z die Hochfrequenzquelle HF und/oder die Verschiebeeinrichtung derart angesteuert, dass das Plasma P zur entsprechenden Wirkung führt, d.h. dass entweder die Stärke des Plasmas oder die Verweildauer des jeweiligen Abschnitts so gesteuert wird, dass der gewünschte Effekt gleichbleibend eintritt.
  • Beispielsweise wird das Implantat Z relativ zum Stützkörper SK verschoben, wobei abhängig von der Position des Zahnimplantats Z relativ zum Stützkörper SK bzw. der ersten Windung L1 die Intensität der dielektrisch behinderten Plasmaentladung geändert wird.
  • In noch einem weiteren Beispiel können aber auch mehrere jeweils unabhängig voneinander ansteuerbare Windungen L1 L2 entsprechend 1 vorhanden sein. Beispielsweise wird in einem Schritt der untere Bereich entsprechend der gestrichelten Linie hydrophiliert während in einem weiteren Schritt nur ein oberer Bereich entsprechend der punkt-gestrichelten Linien angesteuert wird. Ebenfalls kann vorgesehen sein, dass z.B. ein Bereich weniger lang als ein anderer Bereich angesteuert wird.
  • Dabei ist anzumerken, dass je nach Ausgestaltung der Vorrichtung 1 es zu einer unmittelbaren kalten Plasmawirkung P kommen kann, wenn z.B. das Plasma wie in 1, 2 und 4 gezeigt auf dem Implantat Z endet. D.h. das Implantat Z weist ein entsprechend elektrisches (Erd- oder Masse-)Potential auf, sodass die dielektrische behinderte Plasmaentladung auf dem Implantat Z endet.
  • Die Vorrichtung kann aber auch so ausgestaltet sein, dass zwei oder mehrere Windungen L1 und L2 wie in 3 gezeigt mit der Hochfrequenzquelle HF verbunden sind, sodass das kalte Plasma P im wesentlichen das Implantat Z nur streift, d.h. das Plasma nicht auf dem Implantat Z endet. In diesem Fall ist es auch nicht notwendig, dass das Implantat Z geerdet ist, sondern es ist zudem auch möglich, dass das Implantat auch nicht-leitend z.B. keramisch ist. D.h. die dielektrisch behinderte Plasmaentladung wird zwischen der ersten Windung L1 und der weiteren Windung L2 bewirkt wird.
  • Es versteht sich von selbst, dass auch in diesen beiden zuvor genannten Fällen wiederum auch eine Verschiebungseinrichtung vorgesehen sein kann.
  • Die in den 3 und 4 gezeigte Ausführungsform wiederum kann je nach Beschaltung der Hochspannungsquelle in Bezug auf die erste und zweite Windunge(n) L1 und L2 und das Implantat Z sowohl ein streifendes Plasma als auch ein unmittelbar auf dem Implantat endendes Plasma zur Verfügung stellen und ist somit besonders universell einsetzbar.
  • Von besonderem Vorteil ist, dass der Stützkörper SK von der Vorrichtung 1 abnehmbar und autoklavierbar ist. Hierdurch können auch strengste Hygieneanforderungen als auch Zulassungsanforderungen erfüllt werden, ohne dass es zu wesentlich höheren Kosten kommt.
  • Sowohl die Ansteuerung der zeitlichen Verweildauer, der Stärke der Plasmaentladung, der Auswahl entsprechender erster bzw. zweiter Windungen L1 und L2 kann durch einen geeignete Steuerung, insbesondere eine Zeitsteuerung uC bereitgestellt werden. Diese Zeitsteuerung kann z.B. eine relative einfach gestaltete Zeitablaufsteuerung umfassen oder aber eine komplizierte Steuerung, die z.B. bezogen auf das jeweilige Implantat Z eine spezifische Steuerung vornimmt. Weiterhin kann auch vorgesehen sein, dass über (nicht dargestellte) Messeinrichtungen ein Feedback über den Verlauf der Hydrophilierung des Implantats Z zur weiteren Ansteuerung bzw. zur Anfertigung von entsprechenden Protokollen vorgesehen ist. Insofern kann die Steuerung uC durchaus auch Mikroprozessor-basiert sein.
  • Von besonderem Vorteil ist, dass die Vorrichtung 1 weiterhin eine Energieversorgungseinheit EVE aufweisen kann. Da der Energieaufwand für die Hydrophilierung eines kleinen Implantats, insbesondere eines Zahnimplantats vergleichsweise gering ist, kann z.B. eine geeignete (wiederaufladbare) Batterie zum Einsatz kommen. Somit können auch in Ländern mit einer unzureichenden oder instabilen Energieversorgungssituation die erfindungsgemäßen Vorrichtungen 1 zur Verwendung, d.h. zur Generierung einer dielektrisch behinderten Plasmaentladung zur Hydophilierung von Implantaten für den menschlichen oder tierischen Körper, insbesondere zur Hydophilierung von Zahnimplantate aus Titan, kommen.
  • Durch die erfindungsgemäßen Ausgestaltungen kann auch bei unregelmäßig gestalteten Implantaten Z eine im Wesentlichen gleichmäßige Hydrophilierung erreicht werden. Insbesondere bei im Wesentlichen gleichmäßiger gestalten Implantaten Z, wie z.B. Zahnimplantaten, erlaubt der nahezu konstante Abstand zwischen dem dielektrischen Stützkörper SK und dem Implantat Z eine gleichmäßige Hydrophilisierung, wobei hier im Wesentlichen auch eine einfache Zeitsteuerung bzw. Steuerung der Verschiebeeinrichtung ausreicht. Dabei ist anzumerken, dass Zahnimplantate im Wesentlichen keine zylindrische Ausformung sondern eine eher kegelstumpfartige Ausformung aufweisen.
  • Ohne weiteres kann die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 im Wesentlichen in einem Gehäuse vereint sein, wobei es jedoch von Vorteil ist, wenn der Halter und / oder der Stützkörper abnehmbar gestaltet sind, um z.B. diese Bauteile autoklavieren zu können.
  • Soweit vorstehend ein Potentialanschluss für das Implantat Z vorgesehen ist, kann dieser an jeder beliebigen Stelle erfolgen. Besonders vorteilhaft ist jedoch eine im Wesentlichen zentrale Kontaktierung in Bezug auf den Stützkörper SK. D.h. eine Kontaktierung kann von oben (nicht dargestellt) oder unten erfolgen.
  • Weiterhin ist es möglich, das Implantat Z relativ zum Stützkörper SK bzw. relativ zu der zumindest einen Windung des elektrisch leitfähigen Materiales L1 zu drehen. Dies ist in den Figuren durch einen links- bzw. rechtsdrehenden Pfeil unterhalb des Implantats Z gezeigt. Hierzu kann beispielsweise das Implantat Z drehbar in einem Halter gelagert sein. Mittels Drehung des Implantates Z relativ zur zumindest einen Windung des elektrisch leitfähigen Materiales L1 kann erreicht werden, dass (eventuelle) Inhomogenitäten im Plasmawirkungsbereich ausgeglichen werden und somit das Ergebnis der Hydrpophilierung uniformer wird.
  • Mittels der vorgestellten Erfindung ist es nunmehr möglich auch kostengünstige und möglicherweise nicht keimfrei hergestellte und/oder keimfrei transportierte Implantate nachträglich zu bearbeiten und dabei mittels der Hydrpophilierung zugleich die gewünschte Keimfreiheit zu erreichen. Somit bedarf es nun nicht mehr eines teuren Transports in keimfreier Verpackung. Auch sind nur keine Überwachungen der Verpackungen und / oder der Lagerzeiten der keimfreien Verpackung mehr notwendig. Hierdurch ergeben sich erhebliche Kostenvorteile.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Vorrichtung zur Hydrophilierung
    Z
    (Zahn-)Implantat
    HF
    Hochfrequenzquelle
    SK
    dielektrischer Stützkörper
    L1, L2
    (eine) Windung eines elektrisch leitfähigen Materials
    P
    dielektrisch behinderte Plasmaentladung
    EVE
    Energieversorgungseinheit

Claims (13)

  1. Vorrichtung (1) zur Hydrophilierung von Zahnimplantaten (Z), aufweisend • eine Hochfrequenzquelle (HF), • einen dielektrischen Stützkörper (SK) zur zumindest abschnittsweisen Aufnahme eines Zahnimplantates (Z), wobei der dielektrische Stützkörper (SK) zumindest eine Windung eines elektrisch leitfähigen Materiales (L1) auf einer dem Zahnimplantat (Z) abgewandten Seite des dielektrischen Stützkörpers (SK) aufweist, • wobei in Betrieb die Hochfrequenzquelle (HF) mit der zumindest einen Windung (L1) in elektrischem Kontakt steht, um eine dielektrische behinderte Plasmaentladung (P) auf der Innenseite des dielektrischen Stützkörpers zu bewirken, sodass das dabei entstehende kalte Plasma die Oberfläche eines in den Plasmawirkungsbereiches eingeführten Zahnimplantates (Z) hydrophiliert.
  2. Vorrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenzquelle (HF) einen Teslagenerator aufweist.
  3. Vorrichtung (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrische Stützkörper (SK) ein Material ausgewählt aus der Gruppe aufweisend Kunststoffe, Keramiken oder Glas aufweist.
  4. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Raum der dielektrischen Plasmaentladung im Wesentlichen Raumatmosphäre aufweist.
  5. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der dielektrische Stützkörper (SK) zumindest eine weitere Windung (L2) eines elektrisch leitfähigen Materiales auf einer dem Zahnimplantat abgewandten Seite des dielektrischen Stützkörpers aufweist, wobei in Betrieb die Hochfrequenzquelle (HF) mit der zumindest einen weiteren Windung in elektrischem Kontakt steht.
  6. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zahnimplantat ein elektrisches Potential aufweist, sodass die dielektrische behinderte Plasmaentladung auf dem Zahnimplantat (Z) endet.
  7. Vorrichtung (1) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrisch behinderte Plasmaentladung zwischen der ersten Windung (L1) und der weiteren Windung (L2) bewirkt wird.
  8. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Stützkörper (SK) abnehmbar und autoklavierbar ist.
  9. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zahnimplantat (Z) relativ zur zumindest einen Windung (L1) verschoben werden kann, wobei abhängig von der Position des Zahnimplantats (Z) relativ zur der zumindest einen Windung (L1) die Intensität der dielektrisch behinderten Plasmaentladung geändert wird.
  10. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung weiterhin eine Zeitsteuerung (uC) aufweist.
  11. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung weiterhin eine Energieversorgungseinheit (EVE) aufweist.
  12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zahnimplantat (Z) drehbar zum Stützkörper (SK) und/oder zur zumindest einen Windung (L1) gelagert ist.
  13. Verwendung (1) einer Vorrichtung (1) zur Generierung einer dielektrisch behinderten Plasmaentladung zur Hydophilierung von Implantaten für den menschlichen oder tierischen Körper, insbesondere zur Hydophilierung von Zahnimplantate aus Titan.
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