HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
Gebiet der ErfindungField of the invention
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserbearbeitungsvorrichtung und spezieller eine Laserbearbeitungsvorrichtung mit einer Schutzelemententfernungsfunktion.The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly to a laser processing apparatus having a protective element removing function.
Beschreibung des Stands der TechnikDescription of the Related Art
Ein Verfahren zum Teilen eines Wafers, wie zum Beispiel eines Halbleiterwafers und eines Optikbauelementwafers, in einzelne Chips ist zum Beispiel in dem japanischen Patent Nr. 3408805 offenbart. Dieses Waferteilungsverfahren beinhaltet die Schritte des Aufbringens eines Laserstrahls mit einer Transmissionswellenlänge (zum Beispiel 1064 nm) für den Wafer entlang von Trennlinien in dem Zustand, in dem der Brennpunkt des Laserstrahls innerhalb des Wafers in einem jeder Trennlinie entsprechenden Zielbereich angeordnet ist, wodurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Wafers entlang jeder Trennlinie ausgebildet wird, und des anschließenden Aufbringens einer äußeren Kraft auf den Wafer, um dadurch den Wafer entlang jeder Trennlinie, an der die modifizierte Schicht als ein Teilungsausgangspunkt ausgebildet ist, in die einzelnen Chips zu teilen. Das offengelegte japanische Patent Nr. 2010-034250 offenbart ein Waferteilungsverfahren, das den Schritt des Aufweitens eines Bands beinhaltet, das an einem Wafer angebracht ist, der eine wie oben beschrieben ausgebildete modifizierte Schicht aufweist, wodurch eine äußere Kraft auf den Wafer aufgebracht wird, um den Wafer entlang jeder Trennlinie, an der die modifizierte Schicht als ein Teilungsausgangspunkt ausgebildet ist, in die einzelnen Chips zu teilen.A method for dividing a wafer, such as a semiconductor wafer and an optical device wafer, into individual chips is, for example, in U.S. Pat Japanese Patent No. 3408805 disclosed. This wafer dividing method includes the steps of applying a laser beam having a transmission wavelength (for example, 1064 nm) to the wafer along dividing lines in the state where the focal point of the laser beam within the wafer is located in a target area corresponding to each division line, thereby providing a modified layer is formed within the wafer along each parting line, and then applying an external force to the wafer to thereby divide the wafer into each chip along each parting line where the modified layer is formed as a division starting point. The revealed Japanese Patent No. 2010-034250 discloses a wafer dividing method including the step of expanding a tape attached to a wafer having a modified layer formed as described above, thereby applying an external force to the wafer to move the wafer along each parting line at which the wafer modified layer is formed as a division starting point to divide into the individual chips.
Allgemein werden an der Vorderseite des Wafers Schichten unterschiedlicher Materialien geschichtet und Unebenheiten ausgebildet. Dementsprechend kann der Laserstrahl nicht auf den Wafer von dessen Vorderseite aus in dem Zustand aufgebracht werden, in dem der Brennpunkt des Laserstrahls innerhalb des Wafers angeordnet ist, sondern wird der Laserstrahl üblicherweise auf den Wafer von dessen Rückseite aus aufgebracht, um die modifizierte Schicht innerhalb des Wafers auszubilden. In diesem Fall beinhaltet ein häufig verwendetes Verfahren die Schritte des Anbringens der Vorderseite eines Wafers an einem Haftband, des Haltens des Umfangsabschnitts des Haftbands an einem ringförmigen Rahmen, des Haltens des Wafers durch das Haftband an einem Einspanntisch einer Laserbearbeitungsvorrichtung unter Ansaugen und des Aufbringens eines Laserstrahls auf den Wafer von dessen Rückseite aus (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. 2004-179302 ).Generally, layers of different materials are layered and unevenness is formed on the front side of the wafer. Accordingly, the laser beam can not be applied to the wafer from the front side thereof in the state where the focal point of the laser beam is located inside the wafer, but the laser beam is usually applied to the wafer from the back side thereof to form the modified layer within the wafer Train wafers. In this case, a commonly used method includes the steps of attaching the front side of a wafer to an adhesive tape, holding the peripheral portion of the adhesive tape to an annular frame, holding the wafer by the adhesive tape on a chuck table of a laser processing device with suction, and applying a laser beam on the wafer from its back (see, for example Japanese Patent No. 2004-179302 ).
Jedoch wird bei diesem Verfahren, nachdem eine äußere Kraft auf den Wafer aufgebracht wurde, um dadurch den Wafer in die einzelnen Chips zu teilen, jeder Chip in dem Zustand aufgenommen, in dem die Rückseite jedes Chips nach oben gerichtet ist. Dementsprechend ist es erforderlich, jeden Chip in einem nachfolgenden Handhabungsschritt umzudrehen. Um dieses Problem zu lösen, hat das offengelegte japanische Patent Nr. 2010-029927 ein Laserbearbeitungsverfahren vorgeschlagen, das die Schritte des Anbringens der Rückseite eines Wafers an einem Haftband, des Haltens der Vorderseite des Wafers an einem Einspanntisch einer Laserbearbeitungsvorrichtung unter Ansaugen und des Aufbringens eines Laserstrahls durch das Haftband auf den Wafer von dessen Rückseite aus, um dadurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Wafers auszubilden, beinhaltet. In diesem Fall wird die Laserbearbeitung in dem Zustand durchgeführt, in dem der Umfangsabschnitt des Haftbands zur leichteren Handhabung an einem ringförmigen Rahmen angebracht ist.However, in this method, after an external force has been applied to the wafer to thereby split the wafer into the individual chips, each chip is picked up in the state where the back of each chip is directed upward. Accordingly, it is necessary to turn over each chip in a subsequent handling step. To solve this problem, that has Japanese Patent Laid-Open No. 2010-029927 proposed a laser processing method comprising the steps of attaching the back side of a wafer to an adhesive tape, holding the front side of the wafer to a chuck table of a laser processing apparatus with suction, and applying a laser beam to the wafer from the back side thereof by the adhesive tape, thereby to have a modified one Form layer within the wafer includes. In this case, the laser processing is performed in the state where the peripheral portion of the adhesive tape is attached to an annular frame for ease of handling.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Vor dem Aufbringen des Laserstrahls auf den Wafer von dessen Rückseite aus, um die Laserbearbeitung an dem Wafer in der Laserbearbeitungsvorrichtung durchzuführen, wird die Rückseite des Wafers durch Verwendung einer Schleifvorrichtung geschliffen, um dadurch die Dicke des Wafers auf eine vorgegebene Dicke zu verringern. Vor dem Schleifen der Rückseite des Wafers wird ein Schutzelement, wie zum Beispiel ein Schutzband, an der Vorderseite des Wafers angebracht, um so an der Vorderseite des Wafers ausgebildete Bauelemente zu schützen.Prior to applying the laser beam to the wafer from the back side thereof to perform the laser processing on the wafer in the laser processing apparatus, the back side of the wafer is ground by use of a grinder, thereby reducing the thickness of the wafer to a predetermined thickness. Prior to grinding the back side of the wafer, a protective element, such as a protective tape, is attached to the front of the wafer so as to protect components formed on the front of the wafer.
Nachdem die Rückseite des Wafers geschliffen wurde, wird die Laserbearbeitung an dem Wafer in der Laserbearbeitungsvorrichtung in der folgenden Weise durchgeführt. Das an der Vorderseite des Wafers angebrachte Schutzelement wird an dem Einspanntisch der Laserbearbeitungsvorrichtung in dem Zustand gehalten, in dem das an der Rückseite des Wafers angebrachte Haftband freigelegt ist. In diesem Zustand wird der Laserstrahl durch das Haftband auf den Wafer von dessen Rückseite aus aufgebracht. In diesem Fall besteht ein Bedarf, dass das Schutzelement in der Laserbearbeitungsvorrichtung von dem Wafer entfernt werden soll, nachdem die Laserbearbeitung an dem Wafer durchgeführt wurde.After the back side of the wafer has been ground, the laser processing is performed on the wafer in the laser processing apparatus in the following manner. The protective member attached to the front side of the wafer is held on the chuck table of the laser processing apparatus in the state where the adhesive tape attached to the back side of the wafer is exposed. In this state, the laser beam is applied to the wafer from the back side thereof by the adhesive tape. In this case, there is a demand that the protective member in the laser processing apparatus should be removed from the wafer after the laser processing has been performed on the wafer.
Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, die das Schutzelement von dem Werkstück entfernen kann, nachdem die Laserbearbeitung an dem Werkstück durchgeführt wurde.It is therefore an object of the present invention to provide a laser processing apparatus that can remove the protective member from the workpiece after the laser processing has been performed on the workpiece.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen einer Laserbearbeitung an einem Werkstück durch Aufbringen eines Laserstrahls auf die Rückseite des Werkstücks bereitgestellt, wobei ein Schutzelement an der Vorderseite des Werkstücks vorgesehen ist, ein Haftband an der Rückseite des Werkstücks angebracht ist, das Haftband an dessen Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Rahmen gehalten ist und die Laserbearbeitungsvorrichtung beinhaltet: ein Haltemittel zum Halten des an der Vorderseite des Werkstücks vorgesehenen Schutzelements in dem Zustand, in dem die Rückseite des Haftbands freigelegt ist; ein Laserstrahlaufbringmittel zum Aufbringen des Laserstrahls durch das Haftband auf die Rückseite des durch das Haltemittel gehaltenen Werkstücks, wodurch die Laserbearbeitung an dem Werkstück durchgeführt wird; und ein Schutzelemententfernungsmittel zum Entfernen des Schutzelements von dem Werkstück nach der Durchführung der Laserbearbeitung an dem Werkstück.According to one aspect of the present invention, a laser processing apparatus for performing laser processing on a A workpiece provided by applying a laser beam to the back of the workpiece, wherein a protective element is provided on the front side of the workpiece, an adhesive tape is attached to the back of the workpiece, the adhesive tape is held at its peripheral portion on an annular frame and the laser processing device includes: a Holding means for holding the protective member provided on the front side of the workpiece in the state where the back surface of the adhesive tape is exposed; a laser beam applying means for applying the laser beam through the adhesive tape to the back side of the workpiece held by the holding means, thereby performing laser processing on the workpiece; and a protective element removing means for removing the protective member from the workpiece after performing the laser processing on the workpiece.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Laserbearbeitungsvorrichtung das Schutzelement automatisch von dem Werkstück entfernen, nachdem die Laserbearbeitung an dem Werkstück durchgeführt wurde.According to the present invention, the laser processing apparatus can automatically remove the protective member from the workpiece after the laser processing has been performed on the workpiece.
Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, studiert werden.The above and other objects, features and advantages of the present invention and the manner in which these will be accomplished will become more apparent and the invention itself will best be understood by the following description and appended claims with reference to the accompanying drawings in which: which show a preferred embodiment of the invention.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; 1 Fig. 11 is a perspective view of a laser processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;
2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Art des Anbringens eines Schutzbands an der Vorderseite eines Halbleiterwafers zeigt; 2 Fig. 12 is a perspective view showing a manner of attaching a protective tape to the front side of a semiconductor wafer;
3 ist eine perspektivische Ansicht einer Wafereinheit, die durch Halten des in 1 gezeigten Halbleiterwafers mit dem Schutzband an einem ringförmigen Rahmen durch ein Haftband ausgebildet ist; 3 is a perspective view of a wafer unit, which by holding the in 1 shown semiconductor wafer is formed with the protective tape on an annular frame by an adhesive tape;
4 ist ein Blockdiagramm einer Laserstrahlerzeugungseinheit; 4 Fig. 10 is a block diagram of a laser beam generating unit;
5 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht zum Veranschaulichen eines Laserbearbeitungsschritts; 5 Fig. 16 is a partially sectional side view for illustrating a laser processing step;
6 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht zum Veranschaulichen eines Ultraviolettlichtaufbringschritts; und 6 Fig. 16 is a partially sectioned side view illustrating an ultraviolet light application step; and
7 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht zum Veranschaulichen eines Schutzbandabziehschritts. 7 Fig. 16 is a partially sectional side view illustrating a guard band peeling step.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT
Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend im Einzelnen mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Mit Bezug auf 1 wird eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2 zum Durchführen einer Laserbearbeitung an einem Wafer, um eine modifizierte Schicht innerhalb des Wafers auszubilden, gezeigt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet eine Bedienungstafel 4, um es einer Bedienperson zu ermöglichen, Anweisungen, wie zum Beispiel Bearbeitungsbedingungen, in die Vorrichtung 2 einzugeben. Die Bedienungstafel 4 ist an dem vorderen Abschnitt der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 vorgesehen. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet ferner eine Anzeigeneinheit 6, wie zum Beispiel ein CRT, zum Anzeigen einer Führungsansicht für die Bedienperson oder eines durch eine Abbildeeinheit, die nachfolgend hierin beschrieben wird, erhaltenen Bilds. Die Anzeigeneinheit 6 ist an dem oberen Abschnitt der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 vorgesehen.A preferred embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Regarding 1 Fig. 12 is a perspective view of a laser processing apparatus 2 for performing laser processing on a wafer to form a modified layer within the wafer. The laser processing device 2 includes a control panel 4 In order to allow an operator, instructions, such as processing conditions, in the device 2 enter. The control panel 4 is at the front portion of the laser processing apparatus 2 intended. The laser processing device 2 also includes a display unit 6 , such as a CRT, for displaying a guide view for the operator or an image obtained by an imaging unit, described hereinafter. The ad unit 6 is at the upper portion of the laser processing apparatus 2 intended.
Wie in 2 gezeigt ist, sind mehrere sich kreuzende Trennlinien (Straßen) 13 an der Vorderseite 11a eines Halbleiterwafers (der nachfolgend hierin auch einfach als Wafer bezeichnet wird) 11 ausgebildet, wodurch mehrere getrennte Bereiche definiert werden, in denen jeweils mehrere Bauelemente 15, wie zum Beispiel ICs und LSIs, ausgebildet sind. Die Vorderseite 11a des Wafers 11 besteht aus einem Bauelementbereich 17, in dem die Bauelemente 15 ausgebildet sind, und einem Umfangsrandbereich 19, der den Bauelementbereich 17 umgibt. Ferner ist der äußere Umfang des Wafers 11 mit einer Kerbe 21 als einer Markierung zum Anzeigen der Kristallorientierung eines Siliziumwafers ausgebildet.As in 2 shown are several intersecting dividing lines (roads) 13 on the front side 11a a semiconductor wafer (hereinafter also referred to simply as a wafer) 11 formed, whereby a plurality of separate areas are defined, in each of which a plurality of components 15 , such as ICs and LSIs are formed. The front 11a of the wafer 11 consists of a component area 17 in which the components 15 are formed, and a peripheral edge region 19 that the component area 17 surrounds. Further, the outer periphery of the wafer 11 with a notch 21 is formed as a mark for indicating the crystal orientation of a silicon wafer.
Vor der Durchführung einer Laserbearbeitung an dem Wafer 11 wird die Rückseite 11b des Wafers 11 durch Verwendung einer Schleifvorrichtung (nicht gezeigt) geschliffen, um die Dicke des Wafers 11 auf eine vorgegebene Dicke zu verringern. Wie oben beschrieben wurde, sind die mehreren Bauelemente 15 an der Vorderseite 11a des Wafers 11 ausgebildet. Dementsprechend besteht, wenn die Vorderseite 11a des Wafers 11 unter Ansaugen an einem Einspanntisch gehalten wird, der in der Schleifvorrichtung beinhaltet ist, eine Möglichkeit, dass die Bauelemente 15 beschädigt werden können. Um dieses Problem zu lösen, wird vor dem Schleifen der Rückseite 11b des Wafers 11 ein Schutzband 23 zum Schützen der Bauelemente 15 an der Vorderseite 11a des Wafers 11 angebracht. Alternativ kann ein steifes Schutzelement anstelle des Schutzbands 23 angebracht werden. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist das Schutzband 23 ein Schutzband ultravioletthärtender Ausführung.Before performing laser processing on the wafer 11 will the back 11b of the wafer 11 grinded by the use of a grinder (not shown) to increase the thickness of the wafer 11 to reduce to a predetermined thickness. As described above, the plurality of components 15 on the front side 11a of the wafer 11 educated. Accordingly, if the front 11a of the wafer 11 is held under suction on a chuck table, which is included in the grinding device, a possibility that the components 15 can be damaged. To solve this problem, before sanding the back 11b of the wafer 11 a protective tape 23 to protect the components 15 on the front side 11a of the wafer 11 appropriate. Alternatively, a stiff Protective element instead of the protective tape 23 be attached. In this preferred embodiment, the protective tape is 23 a protective tape of ultraviolet curing type.
Bei einem Rückseitenschleifschritt zum Schleifen der Rückseite 11b des Wafers 11 wird das an der Vorderseite 11a des Wafers 11 angebrachte Schutzband 23 unter Ansaugen an dem Einspanntisch der Schleifvorrichtung gehalten und ist die Rückseite 11b des Wafers 11 freigelegt. In diesem Zustand werden Schleifelemente einer Schleifscheibe, die in der Schleifvorrichtung beinhaltet ist, mit der Rückseite 11b des Wafers 11 in Kontakt gebracht und wird die Schleifscheibe, die gedreht wird, mit einer vorgegebenen Geschwindigkeit zugeführt, wodurch die Rückseite 11b des Wafers 11 geschliffen wird, um die Dicke des Wafers 11 auf eine vorgegebene Dicke (zum Beispiel 100 μm) zu verringern.In a back grinding step for grinding the back side 11b of the wafer 11 this will be on the front 11a of the wafer 11 attached protective tape 23 held under suction on the clamping table of the grinding device and is the back 11b of the wafer 11 exposed. In this state, grinding members of a grinding wheel included in the grinding apparatus are rear-side 11b of the wafer 11 is brought into contact and the grinding wheel, which is rotated, fed at a predetermined speed, whereby the back 11b of the wafer 11 is ground to the thickness of the wafer 11 to a predetermined thickness (for example, 100 microns) to reduce.
Nachdem der oben beschriebene Rückseitenschleifschritt durchgeführt wurde, wird der Wafer 11 durch die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 bearbeitet. Bei der Durchführung der Laserbearbeitung an dem Wafer 11 durch Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 wird die Rückseite des Wafers 11 an einem Haftband T angebracht und der Umfangsabschnitt des Haftbands T an einem ringförmigen Rahmen F angebracht, um dadurch eine Wafereinheit 25 auszubilden, wie in 3 gezeigt ist. Zu diesem Zeitpunkt bleibt das Schutzband 23 an der Vorderseite 11a des Wafers 11 angebracht. Das Haftband T besteht aus einem Basisblatt und einer an dem Basisblatt ausgebildeten Haftmittelschicht. Das Basisblatt ist zum Beispiel aus Polyolefin ausgebildet. Die Haftmittelschicht ist zum Beispiel aus Gummihaftmittel oder Acrylhaftmittel ausgebildet. Somit wird der Wafer 11 durch das Haftband T an dem ringförmigen Rahmen F in Form der Wafereinheit 25 gehalten. Unter erneuter Bezugnahme auf 1 sind mehrere solcher Wafereinheiten 25 in einer Waferkassette 8 gespeichert. Die Waferkassette 8 ist an einer vertikal bewegbaren Kassettenhebeeinrichtung 9 angeordnet.After the backside grinding step described above is performed, the wafer becomes 11 through the laser processing device 2 processed. When performing laser processing on the wafer 11 by using the laser processing apparatus 2 becomes the back of the wafer 11 attached to an adhesive tape T, and the peripheral portion of the adhesive tape T is attached to an annular frame F, thereby forming a wafer unit 25 train as in 3 is shown. At this time, the protective tape remains 23 on the front side 11a of the wafer 11 appropriate. The adhesive tape T consists of a base sheet and an adhesive layer formed on the base sheet. The base sheet is formed, for example, of polyolefin. The adhesive layer is formed, for example, of rubber adhesive or acrylic adhesive. Thus, the wafer becomes 11 by the adhesive tape T on the annular frame F in the form of the wafer unit 25 held. Referring again to 1 are several such wafer units 25 in a wafer cassette 8th saved. The wafer cassette 8th is on a vertically movable cassette lifting device 9 arranged.
Ein Waferhandhabungsroboter 10 ist an der hinteren Seite der Kassettenhebeeinrichtung 9 vorgesehen, um eine gewünschte der mehreren Wafereinheiten 25 vor der Laserbearbeitung aus der Waferkassette 8 herauszunehmen und außerdem die Wafereinheit 25 nach der Laserbearbeitung in die Waferkassette 8 zurückzuführen. Der Waferhandhabungsroboter 10 besteht aus einem Verbindungsmechanismus 12 mit Gelenk, einem an dem vorderen Ende des Verbindungsmechanismus 12 angebrachten Kopf 14 und einer drehbar an dem Kopf 14 angebrachten Rahmengreifeinheit 16. Wenn der Verbindungsmechanismus 12 vollständig ausgefahren ist, kann die drehbar an dem Kopf 14 angebrachte Rahmengreifeinheit 16 den ringförmigen Rahmen F einer gewünschten der mehreren Wafereinheiten 25, die in der Waferkassette 8 gespeichert sind, greifen.A wafer handling robot 10 is on the rear side of the cassette lifting device 9 provided to a desired one of the plurality of wafer units 25 before the laser processing from the wafer cassette 8th and also the wafer unit 25 after laser processing into the wafer cassette 8th due. The wafer handling robot 10 consists of a connection mechanism 12 with joint, one at the front end of the link mechanism 12 attached head 14 and one rotatable on the head 14 attached frame gripping unit 16 , When the connection mechanism 12 Fully extended, can rotate on the head 14 attached frame gripping unit 16 the annular frame F of a desired one of the plurality of wafer units 25 in the wafer cassette 8th are stored, grab.
Ein Paar von Zentrierungsführungen 18 ist an der Vorderseite des Waferhandhabungsroboters 10 vorgesehen. Die durch den Waferhandhabungsroboter 10 aus der Waferkassette 8 herausgenommene Wafereinheit 25 wird an den Zentrierungsführungen 18 angeordnet. Indem die Zentrierungsführungen 18 aufeinander zu bewegt werden, wird die an den Zentrierungsführungen 18 angeordnete Wafereinheit 25 zentriert. Ein Ansaughaltetisch 22 ist zwischen den Zentrierungsführungen 18 vorgesehen. Der Ansaughaltetisch 22 wird verwendet, um die Rückseite 11b des Wafers 11 der Wafereinheit 25 durch das Haftband T beim Abziehen des Schutzbands 23 unter Ansaugen zu halten.A pair of centering guides 18 is at the front of the wafer handling robot 10 intended. The through the wafer handling robot 10 from the wafer cassette 8th taken out wafer unit 25 will be at the centering guides 18 arranged. By the centering guides 18 to be moved towards each other, the at the Zentrierungsführungen 18 arranged wafer unit 25 centered. An intake desk 22 is between the centering guides 18 intended. The intake holding table 22 is used to the back 11b of the wafer 11 the wafer unit 25 by the adhesive tape T when removing the protective tape 23 to keep under suction.
Eine Ultraviolettlichtaufbringeinheit 24 ist auch zwischen den Zentrierungsführungen 18 vorgesehen. Wie in 6 gezeigt ist, beinhaltet die Ultraviolettlichtaufbringeinheit 24 mehrere Ultraviolettleuchten 58. Die Ultraviolettleuchten 58 können durch LEDs zum Emittieren von ultraviolettem Licht ersetzt werden. Ein Bandabziehkopf 26 ist nahe zu der Ultraviolettlichtaufbringeinheit 24 vorgesehen. Der Bandabziehkopf 26 ist dafür eingerichtet, das an der Vorderseite 11a des Wafers 11 angebrachte Schutzband 23 zu greifen und abzuziehen. Der Bandabziehkopf 26 ist in der Y-Richtung entlang einer Nut 29, die sich in der Y-Richtung erstreckt, bewegbar und außerdem in der vertikalen Richtung (Z-Richtung) bewegbar.An ultraviolet light application unit 24 is also between the centering guides 18 intended. As in 6 is shown, includes the ultraviolet light application unit 24 several ultraviolet lights 58 , The ultraviolet lights 58 can be replaced by LEDs to emit ultraviolet light. A stripper head 26 is close to the ultraviolet light application unit 24 intended. The stripper head 26 is set up at the front 11a of the wafer 11 attached protective tape 23 to grab and subtract. The stripper head 26 is in the Y direction along a groove 29 that extends in the Y direction, movable and also movable in the vertical direction (Z direction).
Die an den Zentrierungsführungen 18 angeordnete und dadurch zentrierte Wafereinheit 25 wird durch eine erste Überführungseinheit 20 unter Ansaugen gehalten und zu einem Einspanntisch 30 überführt, der in einer in 1 gezeigten Bereitschaftsstellung (Ursprungsstellung) angeordnet ist. Das heißt, die erste Überführungseinheit 20 wird um eine vertikale Achse gedreht, um die Wafereinheit 25 von den Zentrierungsführungen 18 zu dem Einspanntisch 30 zu überführen. Die zu dem Einspanntisch 30 überführte Wafereinheit 25 wird an dem Einspanntisch 30 unter Ansaugen gehalten. Der Einspanntisch 30 ist mit mehreren Klemmen 32 zum Einspannen des ringförmigen Rahmens F der an dem Einspanntisch 30 gehaltenen Wafereinheit 25 versehen. Der Einspanntisch 30 ist drehbar und sowohl in der X-Richtung als auch in der Y-Richtung bewegbar. Eine Ausrichtungseinheit 34 zum Erfassen der Trennlinien 13 an dem Wafer 11, der laserbearbeitet werden soll, ist oberhalb des Bewegungswegs des Einspanntischs 30 in der X-Richtung vorgesehen.The at the centering guides 18 arranged and thus centered wafer unit 25 is through a first transfer unit 20 held under suction and to a chuck table 30 convicted in an in 1 shown standby position (original position) is arranged. That is, the first transfer unit 20 is rotated about a vertical axis to the wafer unit 25 from the centering guides 18 to the chuck table 30 to convict. The to the chuck table 30 transferred wafer unit 25 is at the chuck table 30 kept under suction. The chuck table 30 is with several terminals 32 for clamping the annular frame F of the clamping table 30 held wafer unit 25 Mistake. The chuck table 30 is rotatable and movable in both the X-direction and the Y-direction. An alignment unit 34 to capture the dividing lines 13 on the wafer 11 which is to be laser processed is above the path of movement of the chuck table 30 provided in the X direction.
Die Ausrichtungseinheit 34 beinhaltet eine Abbildeeinheit 36 zum Abbilden der Vorderseite des Wafers 11. Die Abbildeeinheit 36 beinhaltet eine gewöhnliche Abbildeeinrichtung, wie zum Beispiel eine CCD, zum Abbilden eines Zielbereichs des Halbleiterwafers 11 durch Verwendung sichtbaren Lichts. Die Abbildeeinheit 36 beinhaltet ferner ein Infrarotabbildemittel, das aus einem Infrarotlichtaufbringmittel zum Aufbringen infraroten Lichts auf den Wafer 11, einem optischen System zum Einfangen des durch das Infrarotlichtaufbringmittel auf den Wafer 11 aufgebrachten infraroten Lichts und einer Infrarotabbildeeinrichtung, wie zum Beispiel einer Infrarot-CCD, zum Ausgeben eines elektrischen Signals, das dem durch das optische System eingefangenen infraroten Lichts entspricht, besteht. Ein von der Abbildeeinheit 36 ausgegebenes Bildsignal wird zu einer Steuereinrichtung übertragen, die in der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beinhaltet ist.The alignment unit 34 includes an imaging unit 36 for imaging the front of the wafer 11 , The picture unit 36 includes a conventional imaging device, such as a CCD, for imaging a target area of the Semiconductor wafer 11 by using visible light. The picture unit 36 further includes an infrared imaging means comprising an infrared light applying means for applying infrared light to the wafer 11 an optical system for capturing the infrared light applying means on the wafer 11 applied infrared light and an infrared imaging device, such as an infrared CCD, for outputting an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system exists. One from the picture unit 36 output image signal is transmitted to a control device that in the laser processing device 2 is included.
Eine Laserstrahlaufbringeinheit 38 zum Aufbringen eines Laserstrahls auf den an dem Einspanntisch 30 gehaltenen Wafer 11 ist in der Betrachtung der 1 an der linken Seite der Ausrichtungseinheit 34 vorgesehen. Die Laserstrahlaufbringeinheit 38 beinhaltet ein Gehäuse 40, eine in dem Gehäuse 40 vorgesehene Laserstrahlerzeugungseinheit 42 (siehe 4) und ein an dem vorderen Ende des Gehäuses 40 angebrachtes Fokussiermittel (Laserkopf) 44. Wie in 4 gezeigt ist, beinhaltet die Laserstrahlerzeugungseinheit 42 einen Laseroszillator 50 zum Oszillieren eines Laserstrahls, wie zum Beispiel einen YAG-Laser und einen YVO4-Laser, mit einer Transmissionswellenlänge für den Wafer 11, ein mit dem Laseroszillator 50 verbundenes Wiederholungsfrequenzeinstellmittel 52 zum Einstellen der Wiederholungsfrequenz des Laserstrahls, ein mit dem Laseroszillator 50 verbundenes Pulsbreiteneinstellmittel 54 zum Einstellen der Pulsbreite des Laserstrahls und ein Leistungseinstellmittel 56 zum Einstellen der Leistung des durch den Laseroszillator 50 oszillierten Laserstrahls.A laser beam application unit 38 for applying a laser beam to the on the chuck table 30 held wafer 11 is in the consideration of 1 on the left side of the alignment unit 34 intended. The laser beam application unit 38 includes a housing 40 , one in the case 40 provided laser beam generation unit 42 (please refer 4 ) and one at the front end of the housing 40 attached focusing agent (laser head) 44 , As in 4 is shown includes the laser beam generating unit 42 a laser oscillator 50 for oscillating a laser beam, such as a YAG laser and a YVO4 laser, with a transmission wavelength for the wafer 11 , one with the laser oscillator 50 connected repetition frequency setting means 52 for adjusting the repetition frequency of the laser beam, one with the laser oscillator 50 connected pulse width adjustment means 54 for adjusting the pulse width of the laser beam and a power adjusting means 56 for adjusting the power of the laser oscillator 50 oscillated laser beam.
Nachdem der Wafer 11 der Wafereinheit 25 durch Verwendung des Laserstrahlaufbringmittels 38 bearbeitet wurde, wird der Einspanntisch 30, der die Wafereinheit 25 hält, in der X-Richtung zurück zu der in 1 gezeigten Ursprungsstellung bewegt. Danach wird die Wafereinheit 25 durch eine zweite Überführungseinheit 48 unter Ansaugen gehalten und zu einer Schleuderreinigungseinheit 46 überführt, die an der hinteren Seite der Ursprungsstellung des Einspanntischs 30 vorgesehen ist. Die Wafereinheit 25 wird dann in der Schleuderreinigungseinheit 46 einer Schleuderreinigung und einer Schleudertrocknung unterzogen.After the wafer 11 the wafer unit 25 by using the laser beam applying means 38 has been edited, the chuck table 30 that is the wafer unit 25 stops in the X direction back to the in 1 moved shown original position. Thereafter, the wafer unit 25 through a second transfer unit 48 held under suction and to a centrifugal cleaning unit 46 transferred to the rear side of the original position of the chuck table 30 is provided. The wafer unit 25 is then in the spin cleaning unit 46 a spin cleaning and a spin drying subjected.
Nachfolgend wird ein Laserbearbeitungsverfahren zum Ausbilden einer modifizierten Schicht innerhalb des Halbleiterwafers 11 der Wafereinheit 25 entlang jeder Trennlinie 13 durch Verwendung der oben beschriebenen Laserbearbeitungsvorrichtung 2 beschrieben. Eine gewünschte der mehreren Wafereinheiten 25, die in der Waferkassette 8 gespeichert sind, wird aus der Waferkassette 8 herausgenommen, indem der Waferhandhabungsroboter 10 auf eine solche Weise betätigt wird, dass er den ringförmigen Rahmen F der Wafereinheit 25 mit der Rahmengreifeinheit 16 greift. Danach wird die Wafereinheit 25 durch den Waferhandhabungsroboter 10 an den Zentrierungsführungen 18 angeordnet.Hereinafter, a laser processing method for forming a modified layer within the semiconductor wafer will be described 11 the wafer unit 25 along each dividing line 13 by using the laser processing apparatus described above 2 described. A desired one of the plurality of wafer units 25 in the wafer cassette 8th are stored from the wafer cassette 8th taken out by the wafer handling robot 10 is operated in such a way that it the annular frame F of the wafer unit 25 with the frame grab unit 16 attacks. Thereafter, the wafer unit becomes 25 through the wafer handling robot 10 at the centering guides 18 arranged.
Danach werden die Zentrierungsführungen 18 in der X-Richtung aufeinander zu bewegt, um die Wafereinheit 25 zu zentrieren. Danach wird die Wafereinheit 25 durch Betätigen der ersten Überführungseinheit 20 zu dem Einspanntisch 30 überführt, der in der in 1 gezeigten Ursprungsstellung angeordnet ist. Danach wird der Wafer 11 der Wafereinheit 25 durch das Schutzband 23 an dem Einspanntisch 30 unter Ansaugen gehalten, wie in 5 gezeigt ist. Ferner wird der ringförmige Rahmen F der Wafereinheit 25 durch die Klemmen 32 befestigt, wie in 5 gezeigt ist. In dem Zustand, in dem der Wafer 11 durch das Schutzband 23 an dem Einspanntisch 30 unter Ansaugen gehalten wird, ist die Rückseite 11b des Wafers 11 nach oben gerichtet und die Rückseite des an der Rückseite 11b des Wafers 11 angebrachten Haftbands T freigelegt, wie in 5 gezeigt ist.After that, the centering guides 18 in the X direction toward each other to the wafer unit 25 to center. Thereafter, the wafer unit 25 by actuating the first transfer unit 20 to the chuck table 30 convicted in the in 1 arranged original position is arranged. After that, the wafer becomes 11 the wafer unit 25 through the protective tape 23 at the chuck table 30 kept under suction, as in 5 is shown. Further, the annular frame F of the wafer unit 25 through the terminals 32 attached, as in 5 is shown. In the state where the wafer 11 through the protective tape 23 at the chuck table 30 is held under suction, the back is 11b of the wafer 11 directed upwards and the back of the one at the back 11b of the wafer 11 attached adhesive tapes T exposed as in 5 is shown.
Danach wird der Einspanntisch 30, der den Wafer 11 hält, zu der Position unmittelbar unterhalb der Abbildeeinheit 36 bewegt. In diesem Zustand wird ein Ausrichtungsschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die Infrarotabbildeeinrichtung der Abbildeeinheit 36 betätigt wird, um den Wafer 11 durch das Haftband T von der Rückseite 11b des Wafers 11 aus abzubilden und den Bereich des Wafers 11, der den Trennlinien 13 entspricht, zu dem Fokussiermittel 44 in der X-Richtung auszurichten. Dieser Ausrichtungsschritt wird durch Verwendung einer Bildverarbeitung, wie zum Beispiel eines in der Technik allgemein bekannten Musterabgleichs, durchgeführt. Zunächst wird der Ausrichtungsschritt für die Trennlinien 13 durchgeführt, die sich in einer ersten Richtung erstrecken. Danach wird der Einspanntisch 30 um 90 Grad gedreht, um den Ausrichtungsschritt in ähnlicher Weise für die anderen Trennlinien 13, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken, durchzuführen.After that, the chuck table becomes 30 that the wafer 11 stops, to the position immediately below the imaging unit 36 emotional. In this state, an alignment step is performed in such a manner that the infrared imaging device of the imaging unit 36 is pressed to the wafer 11 by the adhesive tape T from the back 11b of the wafer 11 from image and the area of the wafer 11 , the dividing lines 13 corresponds to the focusing agent 44 to align in the X direction. This alignment step is performed by using image processing, such as a pattern matching well known in the art. First, the alignment step for the parting lines 13 performed, which extend in a first direction. After that, the chuck table becomes 30 rotated 90 degrees to the alignment step in a similar way for the other dividing lines 13 , which extend in a second direction perpendicular to the first direction to perform.
Nachdem der Ausrichtungsschritt für alle Trennlinien 13 durchgeführt wurde, wird ein Laserbearbeitungsschritt in der folgenden Weise durchgeführt. Zunächst wird der Einspanntisch 30, der den Wafer 11 hält, zu der Position unmittelbar unterhalb des Fokussiermittels 44 bewegt. In diesem Zustand wird der Brennpunkt P des durch das Fokussiermittel 44 zu fokussierenden Laserstrahls innerhalb des Wafers 11 angeordnet, wie in 5 gezeigt ist. Danach wird der Laserstrahl von dem Fokussiermittel 44 durch das Haftband T von der Rückseite 11b des Wafers 11 aus entlang einer vorgegebenen der Trennlinien 13, die sich in der ersten Richtung erstrecken, auf den Wafer 11 aufgebracht, indem der Einspanntisch 30 in der in 5 durch einen Pfeil X1 gezeigten Richtung zugeführt wird. Als Folge dessen wird eine modifizierte Schicht 27 als ein Teilungsausgangspunkt innerhalb des Wafers 11 entlang der vorgegebenen Trennlinie 13 ausgebildet.After the alignment step for all dividing lines 13 was performed, a laser processing step is performed in the following manner. First, the chuck table 30 that the wafer 11 stops, to the position immediately below the focusing means 44 emotional. In this state, the focal point P of the focusing means 44 to be focused laser beam within the wafer 11 arranged as in 5 is shown. Thereafter, the laser beam from the focusing means 44 by the adhesive tape T from the back 11b of the wafer 11 out along a given one of the dividing lines 13 that extend in the first direction, on the wafer 11 Applied by the chuck table 30 in the in 5 supplied by an arrow X1 direction. As a result, a modified layer 27 as a division starting point within the wafer 11 along the given dividing line 13 educated.
Danach wird der Einspanntisch 30 in der in 1 gezeigten Y-Richtung eingeteilt, um den Laserbearbeitungsschritt in ähnlicher Weise entlang der nächsten Trennlinie 13, die sich in der ersten Richtung erstreckt, durchzuführen. Auf diese Weise wird der Laserbearbeitungsschritt in ähnlicher Weise entlang aller Trennlinien 13, die sich in der ersten Richtung erstrecken, durchgeführt, um eine ähnliche modifizierte Schicht 27 innerhalb des Wafers 11 entlang jeder Trennlinie 13, die sich in der ersten Richtung erstreckt, auszubilden. Danach wird der Einspanntisch 30 um 90 Grad gedreht, um den Laserbearbeitungsschritt in ähnlicher Weise entlang aller anderen Trennlinien 13, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken, durchzuführen, wodurch eine ähnliche modifizierte Schicht 27 innerhalb des Wafers 11 entlang jeder Trennlinie 13, die sich in der zweiten Richtung erstreckt, ausgebildet wird. Die modifizierte Schicht 27 ist als ein Bereich definiert, der sich von dessen Umgebungsbereich in der Dichte, dem Brechungsindex, der mechanischen Festigkeit oder anderen physikalischen Eigenschaften unterscheidet. Zum Beispiel beinhaltet die modifizierte Schicht 27 einen geschmolzenen und wieder gehärteten Bereich, einen rissigen Bereich, einen Durchbruchsbereich und einen Bereich mit geändertem Brechungsindex. Die modifizierte Schicht 27 beinhaltet auch einen Bereich, der eine Mischung dieser Bereiche aufweist.After that, the chuck table becomes 30 in the in 1 shown in the Y direction to the laser processing step in a similar manner along the next dividing line 13 , which extends in the first direction to perform. In this way, the laser processing step becomes similar along all the dividing lines 13 extending in the first direction, performed to a similar modified layer 27 inside the wafer 11 along each dividing line 13 that extends in the first direction form. After that, the chuck table becomes 30 rotated 90 degrees to the laser processing step in a similar way along all the other dividing lines 13 performing in the second direction perpendicular to the first direction, thereby performing a similar modified layer 27 inside the wafer 11 along each dividing line 13 formed in the second direction is formed. The modified layer 27 is defined as an area that differs from its surrounding area in density, refractive index, mechanical strength or other physical properties. For example, the modified layer includes 27 a molten and re-hardened area, a cracked area, a breakdown area, and a refractive index-changed area. The modified layer 27 also includes an area that has a mixture of these areas.
Zum Beispiel wird der Laserbearbeitungsschritt unter den folgenden Bearbeitungsbedingungen durchgeführt.
Lichtquelle: LD-gepumpter Q-geschalteter Nd:
gepulster YVO4-Laser
Wellenlänge: 1064 nm
Wiederholungsfrequenz: 100 kHz
Pulsleistung: 10 μJ
Fokussierter Fleckdurchmesser: 1 μm
Arbeitszuführgeschwindigkeit: 100 mm/sFor example, the laser processing step is performed under the following processing conditions.
Light source: LD-pumped Q-switched Nd:
pulsed YVO4 laser
Wavelength: 1064 nm
Repeat frequency: 100 kHz
Pulse power: 10 μJ
Focused spot diameter: 1 μm
Working feed rate: 100 mm / s
Nachdem der oben beschriebene Laserbearbeitungsschritt durchgeführt wurde, wird der Einspanntisch 30, der die Wafereinheit 25 hält, zu der in 1 gezeigten Ursprungsstellung zurückgeführt. Danach wird die Wafereinheit 25 durch die zweite Überführungseinheit 48 zu der Schleudereinigungseinheit 46 überführt. An der Schleuderreinigungseinheit 46 wird die Wafereinheit 25 einer Schleuderreinigung und einer Schleudertrocknung unterzogen. Nachdem die Schleudertrocknung durchgeführt wurde, wird die Wafereinheit 25 durch die erste Überführungseinheit 20 zu den Zentrierungsführungen 18 überführt.After the above-described laser processing step is performed, the chuck table becomes 30 that is the wafer unit 25 holds to the in 1 returned original position shown. Thereafter, the wafer unit 25 through the second transfer unit 48 to the sludge cleaning unit 46 transferred. At the spin cleaning unit 46 becomes the wafer unit 25 a spin cleaning and a spin drying subjected. After the spin-drying is performed, the wafer unit becomes 25 through the first transfer unit 20 to the centering guides 18 transferred.
In dem Zustand, in dem die Wafereinheit 25 an den Zentrierungsführungen 18 angeordnet ist, wie in 6 gezeigt ist, werden die Ultraviolettleuchten 58 der Ultraviolettlichtaufbringeinheit 24 angeschaltet, um ultraviolettes Licht auf das Schutzband 23 aufzubringen, wodurch die Haftkraft des Schutzbands 23 verringert wird (Ultraviolettlichtaufbringschritt). In diesem Fall wird der ringförmige Rahmen F der Wafereinheit 25 durch die Rahmengreifeinheit 16 des Waferhandhabungsroboters 10 gegriffen und dann durch den Waferhandhabungsroboter 10 in der Y-Richtung bewegt, so dass das ultraviolette Licht durch die Ultraviolettlichtaufbringeinheit 24 auf die gesamte Oberfläche des Schutzbands 23 aufgebracht wird, um die Haftkraft des Schutzbands 23 zu verringern.In the state where the wafer unit 25 at the centering guides 18 is arranged as in 6 shown are the ultraviolet lights 58 the ultraviolet light application unit 24 Turned on to ultraviolet light on the protective tape 23 Apply, whereby the adhesive force of the protective tape 23 is reduced (ultraviolet light application step). In this case, the annular frame F becomes the wafer unit 25 through the frame grabber 16 of the wafer handling robot 10 and then through the wafer handling robot 10 in the Y direction, so that the ultraviolet light passes through the ultraviolet light application unit 24 on the entire surface of the protective tape 23 is applied to the adhesive force of the protective tape 23 to reduce.
Als eine Abwandlung kann, falls das Schutzband 23 wie bei dieser bevorzugten Ausführungsform von einer ultravioletthärtenden Ausführung ist, ultraviolettes Licht vor dem Laden der Waferkassette 8 in die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 vorausgehend auf das Schutzband 23 aufgebracht werden. In diesem Fall kann die Ultraviolettlichtaufbringeinheit 24 weggelassen werden. Nachdem dieser Ultraviolettlichtaufbringschritt durchgeführt wurde, wird die Wafereinheit 25 durch Drehen der Rahmengreifeinheit 16 des Waferhandhabungsroboters 10 umgedreht und dann in dem Zustand an dem Ansaughaltetisch 22 angeordnet, in dem die Rückseite des Schutzbands 23 nach oben gerichtet ist, wie in 7 gezeigt ist. In diesem Zustand wird der Wafer 11 unter Ansaugen durch das Haftband T an dem Ansaughaltetisch 22 gehalten.As a modification, if the guard band 23 as in this preferred embodiment of an ultraviolet curing type, ultraviolet light prior to loading the wafer cassette 8th in the laser processing device 2 previously on the protective tape 23 be applied. In this case, the ultraviolet light application unit 24 be omitted. After this ultraviolet light application step is performed, the wafer unit becomes 25 by turning the frame gripping unit 16 of the wafer handling robot 10 turned over and then in the state at the suction holding table 22 arranged in which the back of the protective tape 23 is directed upwards, as in 7 is shown. In this state, the wafer becomes 11 sucked by the adhesive tape T on the suction holding table 22 held.
Danach wird ein Schutzbandabziehschritt zum Abziehen des Schutzbands 23 von dem Wafer 11 in der folgenden Weise durchgeführt. Wie in 7 gezeigt ist, weist der Bandabziehkopf 26 ein unteres Greifelement 26a und ein oberes Greifelement 26b auf. Das untere Greifelement 26a und das obere Greifelement 26b wirken zusammen, um den Umfangsabschnitt des Schutzbands 23 zu greifen. Das untere Greifelement 26a weist ein keilförmiges vorderes Ende auf, das dafür eingerichtet ist, in die Grenzfläche zwischen dem Schutzband 23 und dem Wafer 11 einzudringen. Beim Abziehen des Schutzbands 23 von dem Wafer 11 dringt das untere Greifelement 26a des Bandabziehkopfs 26 zunächst in die Grenzfläche zwischen dem Schutzband 23 und dem Wafer 11 ein. Danach wird der Umfangsabschnitt des Schutzbands 23 zwischen dem unteren Greifelement 26a und dem oberen Greifelement 26b des Bandabziehkopfs 26 gegriffen. Danach wird der Bandabziehkopf 26 in der in 7 durch einen Pfeil Y1 gezeigten Richtung bewegt, um dadurch das Schutzband 23 von dem Wafer 11 abzuziehen. Nachdem der oben beschriebene Schutzbandabziehschritt durchgeführt wurde, wird die Wafereinheit 25 durch den Waferhandhabungsroboter 10 in dem Zustand zu der Waferkassette 8 zurückgeführt, in dem die Vorderseite 11a des Wafers 11 nach oben gerichtet ist. Der Schutzbandabziehschritt ist bei der vorliegenden Erfindung nicht auf das oben beschriebene Verfahren beschränkt. Zum Beispiel kann ein Abziehband an dem Schutzband 23 angebracht werden. Danach kann das Abziehband gegriffen werden, um das Schutzband 23 von dem Wafer 11 abzuziehen.Thereafter, a protective tape peeling-off step for peeling off the protective tape 23 from the wafer 11 performed in the following manner. As in 7 is shown, the Bandabziehkopf 26 a lower gripping element 26a and an upper gripping element 26b on. The lower gripping element 26a and the upper gripping element 26b cooperate to the peripheral portion of the protective tape 23 to grab. The lower gripping element 26a has a wedge-shaped front end adapted to fit into the interface between the protective tape 23 and the wafer 11 penetrate. When removing the protective tape 23 from the wafer 11 penetrates the lower gripping element 26a of the stripper head 26 first in the interface between the guard band 23 and the wafer 11 one. Thereafter, the peripheral portion of the protective tape 23 between the lower gripping element 26a and the upper gripping element 26b of the stripper head 26 resorted. Thereafter, the Bandabziehkopf 26 in the in 7 moved by an arrow Y1, thereby moving the guard band 23 from the wafer 11 deducted. After the above the protective tape peeling step has been performed, the wafer unit 25 through the wafer handling robot 10 in the state to the wafer cassette 8th returned in which the front 11a of the wafer 11 is directed upward. The protective tape peeling step in the present invention is not limited to the above-described method. For example, a peel-off tape may be attached to the guard band 23 be attached. After that, the scraper can be gripped to the protective tape 23 from the wafer 11 deducted.
Gemäß der oben beschriebenen Laserbearbeitungsvorrichtung 2 kann das Schutzband 23 durch den in der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 vorgesehenen Bandabziehkopf 26 von dem Wafer 11 abgezogen werden. Dementsprechend kann die Wafereinheit 25, von der das Schutzband 23 entfernt wurde, zu einer Aufweitungsvorrichtung (Teilungsvorrichtung) überführt werden, in welcher der Wafer 11 effektiv in einzelne Bauelementchips geteilt werden kann. Insbesondere bei einem System, das durch Verbinden der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 und der Aufweitungsvorrichtung in einer Reihenanordnung aufgebaut ist, kann der Effekt der vorliegenden Erfindung in hohem Maße gezeigt werden.According to the laser processing apparatus described above 2 can the guard band 23 by the in the laser processing apparatus 2 provided Bandabziehkopf 26 from the wafer 11 subtracted from. Accordingly, the wafer unit 25 from which the protective tape 23 was removed, are transferred to an expansion device (dividing device), in which the wafer 11 can be effectively divided into individual device chips. In particular, in a system obtained by connecting the laser processing apparatus 2 and the expander is constructed in a series arrangement, the effect of the present invention can be greatly exhibited.
Obwohl bei dieser bevorzugten Ausführungsform der Halbleiterwafer 11 als das Werkstück verwendet wird, ist das Werkstück nicht auf einen Halbleiterwafer beschränkt, sondern können bei der vorliegenden Erfindung beliebige andere plattenförmige Werkstücke, wie zum Beispiel ein Optikbauelementwafer und ein keramisches Substrat, als das Werkstück verwendet werden.Although in this preferred embodiment, the semiconductor wafer 11 When the workpiece is used, the workpiece is not limited to a semiconductor wafer, but in the present invention, any other plate-shaped workpieces such as an optical device wafer and a ceramic substrate may be used as the workpiece.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiment described above. The scope of the invention is defined by the appended claims, and all changes and modifications which come within the equivalence of the scope of the claims are therefore intended to be embraced by the invention.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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JP 3408805 [0002] JP 3408805 [0002]
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JP 2010-034250 [0002] JP 2010-034250 [0002]
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