DE102014114914A1 - Production of an optoelectronic component - Google Patents

Production of an optoelectronic component Download PDF

Info

Publication number
DE102014114914A1
DE102014114914A1 DE102014114914.9A DE102014114914A DE102014114914A1 DE 102014114914 A1 DE102014114914 A1 DE 102014114914A1 DE 102014114914 A DE102014114914 A DE 102014114914A DE 102014114914 A1 DE102014114914 A1 DE 102014114914A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor chip
radiation
carrier
reflective layer
emitting semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102014114914.9A
Other languages
German (de)
Inventor
David Racz
Matthias Sperl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102014114914.9A priority Critical patent/DE102014114914A1/en
Publication of DE102014114914A1 publication Critical patent/DE102014114914A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Trägers mit einem auf dem Träger angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und ein Ausbilden einer reflektierenden Schicht auf dem Träger, welche den Träger in einem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip bedeckt. Das Ausbilden der reflektierenden Schicht umfasst ein Aufbringen einer Suspension aufweisend ein Lösungsmittel, ein Grundmaterial und Streupartikel auf den Träger und ein Verdunsten des Lösungsmittels. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.The invention relates to a method for producing an optoelectronic component. The method comprises providing a carrier with a radiation-emitting semiconductor chip arranged on the carrier and forming a reflective layer on the carrier which covers the carrier in an area adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip. Forming the reflective layer comprises applying a suspension comprising a solvent, a base material and scattering particles to the support, and evaporating the solvent. The invention further relates to an optoelectronic component.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und ein optoelektronisches Bauelement.The invention relates to a method for producing an optoelectronic component and to an optoelectronic component.

Ein optoelektronisches Bauelement kann einen Träger und einen auf dem Träger angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip aufweisen. Bei einem solchen Bauelement wird angestrebt, Verluste durch eine Strahlungsabsorption an dem Träger zu unterdrücken, so dass eine effiziente Betriebsweise mit hoher Auskoppeleffizienz erzielt werden kann.An optoelectronic component may have a carrier and a radiation-emitting semiconductor chip arranged on the carrier. In such a device, it is desired to suppress losses due to radiation absorption on the carrier, so that efficient operation with high coupling-out efficiency can be achieved.

In einer möglichen Bauform eines optoelektronischen Bauelements kommen ein Halbleiterchip in Form eines Volumenemitters und ein mit einem Gehäusekörper umspritzter Leiterrahmen als Träger zum Einsatz. Bei einem Volumenemitter wird die erzeugte Strahlung sowohl über eine Vorderseite als auch seitlich abgegeben. Der Leiterrahmen weist eine zum Löten geeignete Beschichtung auf. Um eine hohe Trägerreflektivität zu ermöglichen, kann eine Silber aufweisende Beschichtung verwendet werden. Eine solche Beschichtung ist jedoch korrosionsempfindlich und unterliegt Alterungseffekten. Hierdurch kann es zu einer Erhöhung der Absorption und einer Farbortveränderung der von dem Bauelement abgegebenen Strahlung kommen. In one possible design of an optoelectronic component, a semiconductor chip in the form of a volume emitter and a leadframe encapsulated with a housing body are used as the carrier. In the case of a volume emitter, the generated radiation is emitted both via a front side and laterally. The lead frame has a coating suitable for soldering. To provide high carrier reflectivity, a silver-containing coating can be used. However, such a coating is sensitive to corrosion and undergoes aging effects. This can lead to an increase in the absorption and a color change of the radiation emitted by the component.

In einer weiteren Bauform wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip in Form eines Oberflächenemitters eingesetzt, welcher die erzeugte Strahlung lediglich vorderseitig abgibt. Hierbei wird zur Verbesserung der Reflektivität ein hochviskoses Matrixmaterial mit weißen Füllpartikeln auf den Träger aufgebracht, welches bis zur Oberkante des Halbleiterchips reicht und dessen Chipflanken benetzt. Eine Verwendung dieses Prozesses bei einem optoelektronischen Bauelement mit einem Volumenemitter würde zu einer Unterdrückung der seitlichen Strahlungsemission und damit zu Effizienzeinbußen führen. In a further embodiment, a radiation-emitting semiconductor chip in the form of a surface emitter is used, which emits the generated radiation only on the front side. In this case, a highly viscous matrix material with white filler particles is applied to the carrier to improve the reflectivity, which extends to the upper edge of the semiconductor chip and wets its chip edges. Using this process in an optoelectronic device with a volume emitter would lead to a suppression of the lateral radiation emission and thus to loss of efficiency.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine verbesserte Lösung für ein optoelektronisches Bauelement anzugeben.The object of the present invention is to specify an improved solution for an optoelectronic component.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This object is solved by the features of the independent claims. Further advantageous embodiments of the invention are specified in the dependent claims.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Bei dem Verfahren wird ein Träger mit einem auf dem Träger angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip bereitgestellt. Des Weiteren wird eine reflektierende Schicht auf dem Träger ausgebildet, welche den Träger in einem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip bedeckt. Das Ausbilden der reflektierenden Schicht umfasst ein Aufbringen einer Suspension aufweisend ein Lösungsmittel, ein Grundmaterial und Streupartikel auf den Träger und ein Verdunsten des Lösungsmittels.According to one aspect of the invention, a method for producing an optoelectronic component is proposed. In the method, a carrier is provided with a radiation-emitting semiconductor chip arranged on the carrier. Furthermore, a reflective layer is formed on the substrate which covers the substrate in a region adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip. Forming the reflective layer comprises applying a suspension comprising a solvent, a base material and scattering particles to the support, and evaporating the solvent.

Die mit Hilfe des Verfahrens ausgebildete reflektierende Schicht, welche nach dem Verdunsten des Lösungsmittels neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip auf dem Träger zurückbleiben kann, weist das Grundmaterial und die Streupartikel auf. Der Bereich neben dem Halbleiterchip, in welchem die reflektierende Schicht vorhanden ist, kann den Halbleiterchip vollständig umlaufen bzw. umschließen. Auch kann die reflektierende Schicht an den Halbleiterchip angrenzen. The reflective layer formed with the aid of the method, which may remain on the support next to the radiation-emitting semiconductor chip after the solvent has evaporated, has the base material and the scattering particles. The area next to the semiconductor chip in which the reflective layer is present can completely surround the semiconductor chip. Also, the reflective layer may be adjacent to the semiconductor chip.

Die vorgenannte Vorgehensweise macht es möglich, die reflektierende Schicht mit einer Schichtdicke auszubilden, welche (wesentlich) kleiner ist als eine Dicke bzw. Höhe des strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Des Weiteren kann die reflektierende Schicht derart ausgebildet werden, dass der Halbleiterchip lateral an der Chipseite nicht oder nur geringfügig, also lediglich bis zu einer kleinen Höhe mit der reflektierenden Schicht bedeckt ist. Denn die verwendete Suspension kann aufgrund des Lösungsmittels stark verdünnt und dadurch sehr dünnflüssig sein. Bei Verwendung einer geeigneten Menge an Suspension kann infolgedessen keine oder lediglich eine geringe Seitenbenetzung des Halbleiterchips durch die Suspension auftreten. Dies kann dadurch begünstigt werden, dass die Streupartikel aufgrund der kleinen Viskosität der Suspension schnell auf dem Träger sedimentieren können. The above procedure makes it possible to form the reflective layer with a layer thickness which is substantially smaller than a thickness of the radiation-emitting semiconductor chip. Furthermore, the reflective layer can be formed in such a way that the semiconductor chip is not covered on the chip side laterally or only slightly, ie only to a small height, with the reflective layer. Because the suspension used can be greatly diluted due to the solvent and thus be very thin. As a result, when using a suitable amount of suspension, no or only a slight side wetting of the semiconductor chip by the suspension can occur. This can be promoted by the fact that the scattering particles can sediment quickly on the support due to the low viscosity of the suspension.

Die den Träger neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip bedeckende reflektierende Schicht bietet die Möglichkeit, eine Strahlungsabsorption an dem Träger und hiermit verbundene Verluste zu unterdrücken oder wenigstens zu verringern, und stattdessen in diesem Bereich eine effektive Strahlungsreflexion zur Verfügung zu stellen. Daher kann sich das gemäß dem Verfahren gefertigte optoelektronische Bauelement durch eine effiziente Betriebsweise mit hoher Auskoppeleffizienz und hoher Helligkeit auszeichnen.The reflective layer covering the support adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip offers the possibility of suppressing or at least reducing radiation absorption on the support and associated losses, and instead of providing an effective radiation reflection in this region. Therefore, the optoelectronic component fabricated according to the method can be distinguished by efficient operation with high coupling-out efficiency and high brightness.

Ein weiterer Vorteil ist eine verbesserte Strahlungsverteilung an bzw. in dem optoelektronischen Bauelement, wodurch das Bauelement Strahlung mit einer hohen Homogenität abgeben kann. Dies ist zum Beispiel von Vorteil bei einer möglichen Anwendung des optoelektronischen Bauelements in einer Hinterleuchtungseinrichtung (Edgelight) eines Bildschirms bzw. Monitors. Hierbei wird angestrebt, eine Flüssigkristallanzeige des Bildschirms möglichst gleichmäßig auszuleuchten. A further advantage is an improved radiation distribution at or in the optoelectronic component, as a result of which the component can emit radiation with a high degree of homogeneity. This is for example advantageous in a possible application of the optoelectronic component in a backlight device (edgelight) of a screen or monitor. The aim is to illuminate a liquid crystal display of the screen as evenly as possible.

Das Ausbilden der reflektierenden Schicht macht es ferner möglich, das optoelektronische Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit einer kleinen Chipgröße herzustellen, ohne dass es hierdurch zu Effizienzeinbußen im Strahlungsbetrieb kommt. Dies ist mit geringen Chipkosten und damit geringen Bauteilkosten verbunden. The formation of the reflective layer also makes it possible to manufacture the optoelectronic component with a radiation-emitting semiconductor chip having a small chip size, without resulting in efficiency losses in the radiation mode. This is associated with low chip costs and thus low component costs.

Im Folgenden werden weitere mögliche Details und Ausführungsformen des Herstellungsverfahrens näher beschrieben.In the following, further possible details and embodiments of the manufacturing method are described in more detail.

Die reflektierende Schicht kann, aufgrund der Streupartikel, eine weiße Farbe aufweisen. Der Träger kann ebenfalls zumindest bereichsweise eine weiße Farbe bzw. ein weißes Trägermaterial aufweisen. In dieser Ausgestaltung kann das mit dem Verfahren gefertigte optoelektronische Bauelement in einem Zustand, in welchem das Bauelement nicht zur Strahlungsabgabe betrieben wird, einen möglichst einheitlichen weißen Farbeindruck vermitteln (Off State Farbe). Dies ist von Vorteil für Anwendungen, in welchen das Bauelement sichtbar ist und Farbunterschiede als störend empfunden werden.The reflective layer may have a white color due to the scattering particles. The carrier may also at least partially have a white color or a white carrier material. In this embodiment, the optoelectronic component produced by the method can, in a state in which the component is not operated to emit radiation, impart as uniform a white color impression as possible (off state color). This is advantageous for applications in which the device is visible and color differences are distracting.

Der strahlungsemittierende Halbleiterchip kann ein Leuchtdiodenchip bzw. LED-Chip (Light Emitting Diode) sein. Dieser kann zum Beispiel zum Erzeugen einer blauen oder einer anderen Lichtstrahlung ausgebildet sein. Wie weiter unten noch näher beschrieben wird, kann das optoelektronische Bauelement zum Konvertieren der von dem Halbleiterchip primär erzeugten Strahlung ausgebildet werden.The radiation-emitting semiconductor chip may be a light-emitting diode chip or LED chip (Light Emitting Diode). This can be designed, for example, to generate a blue or another light radiation. As will be described in more detail below, the optoelectronic component can be formed to convert the radiation primarily generated by the semiconductor chip.

In einer weiteren Ausführungsform ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip ein volumenemittierender Halbleiterchip. Bei einem Volumenemitter kann eine Emission der erzeugten Strahlung sowohl über eine Vorderseite bzw. nach oben als auch seitlich über entsprechende Seitenflanken des Chips erfolgen. Der volumenemittierende Halbleiterchip kann ein sogenannter Saphir-Chip sein, welcher ein strahlungsdurchlässiges Chipsubstrat aus Saphir aufweist.In a further embodiment, the radiation-emitting semiconductor chip is a volume-emitting semiconductor chip. In the case of a volume emitter, emission of the generated radiation can take place both via a front side or upwards and laterally via corresponding side edges of the chip. The volume-emitting semiconductor chip may be a so-called sapphire chip which has a radiation-transmissive chip substrate made of sapphire.

Wie oben angegeben wurde, bietet das Verfahren die Möglichkeit, die reflektierende Schicht mit einer vergleichsweise geringen Schichtdicke sowie derart auszubilden, dass eine seitliche Abdeckung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit der reflektierenden Schicht vermieden wird oder lediglich eine geringe bzw. unwesentliche Seitenbedeckung des Halbleiterchips vorliegt. Diese Gegebenheit führt bei einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements mit einem volumenemittierenden Halbleiterchip dazu, dass sich Vorteile durch die reflektierende Schicht wie das Bereitstellen einer effektiven Strahlungsreflexion ohne eine (merkliche) laterale Maskierung bzw. Abschattung des Halbleiterchips erreichen lassen. Der volumenemittierende Halbleiterchip kann Strahlung weiterhin in effizienter Weise seitlich abgeben.As indicated above, the method offers the possibility of forming the reflective layer with a comparatively small layer thickness and in such a way that lateral coverage of the radiation-emitting semiconductor chip with the reflective layer is avoided, or only slight or negligible side coverage of the semiconductor chip is present. In the case of an embodiment of the optoelectronic component with a volume-emitting semiconductor chip, this situation leads to advantages being able to be achieved by the reflecting layer such as the provision of an effective radiation reflection without (noticeable) lateral masking or shading of the semiconductor chip. The volume-emitting semiconductor chip can continue to emit radiation laterally in an efficient manner.

Dies gilt zum Beispiel für die folgende Ausführungsform. Hierbei wird die reflektierende Schicht, welche in Form eines dünnen Films vorliegen kann, mit einer Dicke in einem Bereich von 5µm bis 30µm ausgebildet. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip kann zum Beispiel eine Dicke bzw. Höhe in einem Bereich von 100µm bis 150µm aufweisen.This applies, for example, to the following embodiment. Here, the reflective layer, which may be in the form of a thin film, is formed in a thickness in a range of 5 μm to 30 μm. The radiation-emitting semiconductor chip may, for example, have a thickness or height in a range of 100 μm to 150 μm.

Alternativ kann der strahlungsemittierende Halbleiterchip auch ein oberflächenemittierender Halbleiterchip sein. Ein Oberflächenemitter kann die erzeugte Strahlung im Wesentlichen lediglich über eine Vorderseite emittieren. Alternatively, the radiation-emitting semiconductor chip may also be a surface-emitting semiconductor chip. A surface emitter can emit the generated radiation substantially only over a front side.

Die Suspension kann in einem Bereich neben dem bzw. angrenzend an den strahlungsemittierenden Halbleiterchip auf den Träger aufgebracht werden. Für das Aufbringen der Suspension können Prozesse wie zum Beispiel ein Dosierprozess (Dispensing) oder ein tröpfchenförmiges Aufbringen mit Hilfe einer Druckvorrichtung (Jetting) durchgeführt werden.The suspension can be applied to the carrier in an area adjacent to or adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip. For the application of the suspension processes such as a dispensing process or a droplet-like application by means of a jetting device can be performed.

Das Verdunsten des flüchtigen Lösungsmittels nach dem Aufbringen der Suspension kann unter Wärmeeinwirkung erfolgen. Hierzu kann zum Beispiel der Träger erwärmt werden. Anstelle das Verdunsten mittels Wärmeeinwirkung aktiv zu bewirken oder zu beschleunigen, ist es auch möglich, keine solche Wärmeeinwirkung vorzunehmen. Hierbei kann das flüchtige Lösungsmittel selbständig verdunsten.The evaporation of the volatile solvent after application of the suspension can take place under the action of heat. For this purpose, for example, the carrier can be heated. Instead of actively effecting or accelerating the evaporation by means of heat, it is also possible to make no such heat. In this case, the volatile solvent can evaporate independently.

In einer weiteren Ausführungsform werden das Aufbringen der Suspension und das Verdunsten des Lösungsmittels mehrmals durchgeführt, um die reflektierende Schicht auszubilden. Hierbei werden nacheinander Teilschichten der reflektierenden Schicht auf dem Träger gebildet, welche übereinander angeordnet sind. Diese Vorgehensweise macht es möglich, die reflektierende Schicht auf zuverlässige Weise mit einer gewünschten Schichtdicke und Reflektivität auszubilden.In another embodiment, the application of the suspension and the evaporation of the solvent are performed several times to form the reflective layer. In this case, successive sub-layers of the reflective layer are formed on the carrier, which are arranged one above the other. This approach makes it possible to reliably form the reflective layer with a desired layer thickness and reflectivity.

In einer weiteren Ausführungsform weist der bereitgestellte Träger eine elektrische Leiterstruktur auf, mit welcher der strahlungsemittierende Halbleiterchip elektrisch verbunden ist. Die reflektierende Schicht wird derart ausgebildet, dass die reflektierende Schicht die elektrische Leiterstruktur in dem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip bedeckt. Aufgrund der in diesem Bereich erzielten Maskierung der Leiterstruktur können mit der Leiterstruktur verbundene nachteilige Effekte, zum Beispiel eine Strahlungsabsorption, Alterungseffekte und ein Hervorrufen einer Farbortveränderung, unterdrückt werden. In a further embodiment, the provided carrier has an electrical conductor structure with which the radiation-emitting semiconductor chip is electrically connected. The reflective layer is formed such that the reflective layer covers the electrical conductor pattern in the area adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip. Due to the masking of the conductor pattern achieved in this area, adverse effects associated with the conductor pattern, for example, radiation absorption, aging effects, and causing a color locus change, can be suppressed.

Dies begünstigt das Erzielen einer hohen Auskoppeleffizienz des mit dem Verfahren hergestellten optoelektronischen Bauelements. Im Vergleich zu einem Bauelement mit elektrischer Leiterstruktur und ohne reflektierende Schicht ist eine Effizienzsteigerung möglich, welche umso größer ist, je kleiner der Halbleiterchip und je größer die Leiterstruktur bzw. ein mit der reflektierenden Schicht bedeckter Oberflächenbereich der Leiterstruktur ist. This favors the achievement of a high coupling-out efficiency of the optoelectronic component produced by the method. In comparison with a component with an electrical conductor structure and without a reflective layer, an increase in efficiency is possible, which is the greater the smaller the semiconductor chip and the larger the conductor structure or a surface region of the conductor structure covered by the reflective layer.

Die elektrische Leiterstruktur kann beispielsweise aus Kupfer gebildet sein und eine Beschichtung aufweisen, so dass die Leiterstruktur für ein Löten sowie Anschließen eines Bonddrahts geeignet ist. Die Beschichtung kann zum Beispiel Silber aufweisen, und beispielsweise durch Elektroplattieren hergestellt sein. In dieser Ausgestaltung ermöglicht die Bedeckung der Leiterstruktur mit der reflektierenden Schicht eine Verringerung von korrosionsinduzierten Alterungseffekten und eine Erhöhung der Alterungsstabilität. Ferner können eine Diffusion von Kupfer sowie eine Migration von Silber, wodurch es zu Kurzschlüssen kommen kann, unterdrückt werden. The electrical conductor structure may for example be formed from copper and have a coating, so that the conductor structure is suitable for soldering and connecting a bonding wire. The coating may, for example, comprise silver, and be made for example by electroplating. In this embodiment, the covering of the conductor structure with the reflective layer allows a reduction of corrosion-induced aging effects and an increase of the aging stability. Further, diffusion of copper and migration of silver, which can cause short-circuiting, can be suppressed.

Anstelle von korrosionsempfindlichem Silber kann ein korrosionsstabileres Material für die Beschichtung der Leiterstruktur zum Einsatz kommen, welches gegenüber Silber eine geringere Reflektivität besitzt. Ein mögliches Beispiel ist Gold. Aufgrund der Maskierung der Leiterstruktur hat die Verwendung eines solchen Materials keinen Einfluss auf die Effizienz des optoelektronischen Bauelements, sondern führt vielmehr zu einer verbesserten Zuverlässigkeit des Bauelements.Instead of corrosion-sensitive silver, a more corrosion-resistant material may be used for the coating of the conductor structure, which has a lower reflectivity than silver. One possible example is gold. Due to the masking of the conductor structure, the use of such a material has no influence on the efficiency of the optoelectronic component, but rather leads to an improved reliability of the component.

In einer weiteren Ausführungsform ist der Träger ein leiterrahmenbasierter Träger, welcher einen Leiterrahmen und einen den Leiterrahmen umgebenden Gehäusekörper aufweist. Hierbei kann die vorstehend beschriebene elektrische Leiterstruktur ein Abschnitt des Leiterrahmens sein.In another embodiment, the carrier is a ladder frame based carrier having a lead frame and a housing body surrounding the lead frame. Here, the above-described electrical conductor pattern may be a portion of the lead frame.

Der Träger kann zwei elektrische Leiterstrukturen bzw. Leiterrahmenabschnitte aufweisen. Hierbei kann der strahlungsemittierende Halbleiterchip elektrisch mit den zwei Leiterstrukturen verbunden werden, so dass dem Halbleiterchip hierüber im Betrieb des optoelektronischen Bauelements elektrische Energie zugeführt werden kann. The carrier may have two electrical conductor structures or leadframe sections. In this case, the radiation-emitting semiconductor chip can be electrically connected to the two conductor structures, so that electrical energy can be supplied to the semiconductor chip hereby during operation of the optoelectronic component.

Der strahlungsemittierende Halbleiterchip kann zum Beispiel zwei Vorderseitenkontakte aufweisen. Diese lassen sich mit Hilfe von Bonddrähten kontaktieren. Auf diese Weise können die Vorderseitenkontakte an entsprechende Leiterstrukturen des Trägers angeschlossen werden.The radiation-emitting semiconductor chip may, for example, have two front-side contacts. These can be contacted with the help of bonding wires. In this way, the front side contacts can be connected to corresponding conductor structures of the carrier.

Alternativ kann der Halbleiterchip zwei Rückseitenkontakte aufweisen. Hierbei kann der Halbleiterchip ein Flip-Chip, beispielsweise ein Saphir-Flip-Chip mit einem strahlungsdurchlässigen Chipsubstrat aus Saphir, sein. In dieser Ausgestaltung kann der Halbleiterchip mit den Rückseitenkontakten elektrisch und mechanisch mit entsprechenden Leiterstrukturen des Trägers, zum Beispiel über ein Lotmittel oder einen elektrisch leitfähigen Klebstoff, verbunden werden.Alternatively, the semiconductor chip may have two backside contacts. In this case, the semiconductor chip may be a flip-chip, for example a sapphire flip-chip with a radiation-transmissive chip substrate made of sapphire. In this embodiment, the semiconductor chip with the rear side contacts can be electrically and mechanically connected to corresponding conductor structures of the carrier, for example via a solder or an electrically conductive adhesive.

Neben einem leiterrahmenbasierten Träger lässt sich das Verfahren auch mit anderen Substraten bzw. Trägern durchführen. In addition to a ladder-frame-based carrier, the method can also be carried out with other substrates or carriers.

Beispielsweise kann der Träger ein keramischer Träger oder eine Leiterplatte (PCB, Printed Circuit Board) sein. For example, the carrier may be a ceramic carrier or a printed circuit board (PCB).

In einer weiteren Ausführungsform weist der bereitgestellte Träger eine Ausnehmung auf, in welcher der strahlungsemittierende Halbleiterchip angeordnet ist. Die reflektierende Schicht wird derart ausgebildet, dass der Träger am Boden der Ausnehmung mit der reflektierenden Schicht bedeckt wird. Die Ausnehmung kann eine an den Boden angrenzende umlaufende Seitenfläche aufweisen. Hierbei kann die Seitenfläche als äußere Begrenzung beim Aufbringen der Suspension dienen.In a further embodiment, the provided carrier has a recess in which the radiation-emitting semiconductor chip is arranged. The reflective layer is formed such that the carrier is covered at the bottom of the recess with the reflective layer. The recess may have a peripheral side surface adjacent to the bottom. Here, the side surface can serve as an outer boundary when applying the suspension.

In einer weiteren Ausführungsform wird eine Vergussmasse in die Ausnehmung des Trägers eingebracht. Dies kann nach dem Ausbilden der reflektierenden Schicht durchgeführt werden. Mit Hilfe der Vergussmasse kann der in der Ausnehmung angeordnete strahlungsemittierende Halbleiterchip verkapselt, und dadurch vor äußeren Einflüssen geschützt werden. Die Vergussmasse weist ein strahlungsdurchlässiges Material, zum Beispiel Silikon, auf.In a further embodiment, a potting compound is introduced into the recess of the carrier. This can be done after the formation of the reflective layer. With the help of the potting compound, the radiation-emitting semiconductor chip arranged in the recess can be encapsulated, and thereby protected from external influences. The potting compound has a radiation-transmissive material, for example silicone on.

Es ist möglich, eine leuchtstoffgefüllte Vergussmasse zu verwenden, welche zusätzlich Leuchtstoffpartikel aufweist. Auf diese Weise kann eine Konversion von Strahlung des Halbleiterchips bewirkt werden. Beispielsweise kann die von dem Halbleiterchip abgegebene primäre Strahlung eine blaue oder ultraviolette Lichtstrahlung sein, welche mit Hilfe der leuchtstoffgefüllten Vergussmasse wenigstens teilweise in eine oder mehrere sekundäre Lichtstrahlungen im grünen bis roten Spektralbereich konvertiert wird, so dass eine weiße Lichtstrahlung erzeugt werden kann.It is possible to use a phosphor-filled potting compound, which additionally has phosphor particles. In this way, a conversion of radiation of the semiconductor chip can be effected. For example, the primary radiation emitted by the semiconductor chip may be a blue or ultraviolet light radiation which is at least partially converted into one or more secondary light radiations in the green to red spectral range with the aid of the phosphor-filled potting compound, so that a white light radiation can be generated.

Auch in Bezug auf eine Strahlungskonversion erweist sich das Ausbilden der reflektierenden Schicht als vorteilhaft. Die reflektierende Schicht ermöglicht eine verbesserte Strahlungsverteilung, d.h. vorliegend von primären und konvertierten Strahlungsanteilen, in der leuchtstoffgefüllten Vergussmasse. Hierdurch können Effekte wie eine Winkelabhängigkeit und eine Ortsabhängigkeit des Farborts der von dem optoelektronischen Bauelement abgegebenen Strahlung reduziert werden.Also with respect to a radiation conversion, the formation of the reflective layer proves to be advantageous. The reflective layer enables an improved radiation distribution, ie in the present case of primary and converted radiation components, in the phosphor-filled potting compound. As a result, effects such as an angle dependence and a location dependency of the color locus the radiation emitted by the optoelectronic component can be reduced.

Für das Gemisch aus dem Lösungsmittel, dem Grundmaterial und den Streupartikeln sind unterschiedliche Materialien verwendbar. Bei dem Lösungsmittel kann es sich zum Beispiel um n-Heptan oder um n-Butylacetat handeln. Das Grundmaterial kann ein strahlungsdurchlässiges Material, zum Beispiel ein Silikonmaterial bzw. eine Silikonpaste sein. Als hochstreuende Füllpartikel können zum Beispiel Al2O3-Partikel, TiO2-Partikel und/oder ZrO2-Partikel verwendet werden.Different materials can be used for the mixture of the solvent, the base material and the scattering particles. The solvent may be, for example, n-heptane or n-butyl acetate. The base material may be a radiation-transmissive material, for example a silicone material or a silicone paste. For example, Al 2 O 3 particles, TiO 2 particles and / or ZrO 2 particles can be used as highly scattering filler particles.

Die Streupartikel können eine Größe bzw. einen Durchmesser von beispielsweise kleiner als 5µm aufweisen. Bei der Suspension, und damit auch bei der reflektierenden Schicht, kann der Anteil der Streupartikel in dem Grundmaterial zum Beispiel 35 Gewichtsprozent betragen. Das Mischungsverhältnis von dem Grundmaterial zu dem Lösungsmittel kann zum Beispiel 1:1,5 betragen. Solche Parameter der Suspension begünstigen das Ausbilden der reflektierenden Schicht ohne (merkliche) Seitenbedeckung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips.The scattering particles can have a size or a diameter of, for example, less than 5 μm. In the suspension, and thus also in the reflective layer, the proportion of scattering particles in the base material may be, for example, 35% by weight. The mixing ratio of the base material to the solvent may be, for example, 1: 1.5. Such parameters of the suspension promote the formation of the reflective layer without (noticeable) side coverage of the radiation-emitting semiconductor chip.

In dem Verfahren kann sowohl ein großer Träger bzw. ein großes Gehäuse als auch ein kleiner Träger zum Einsatz kommen. Bei Verwendung eines kleinen Trägers kann ein kleiner Abstand zwischen dem Halbleiterchip und einer Gehäusewand bzw. Seitenfläche einer Ausnehmung des Trägers vorliegen.In the method, both a large carrier or a large housing and a small carrier can be used. When using a small carrier, a small distance between the semiconductor chip and a housing wall or side surface of a recess of the carrier may be present.

Des Weiteren kann mit dem Verfahren ein Einzelchip-Bauelement mit lediglich einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip als auch ein optoelektronisches Bauelement mit mehreren strahlungsemittierenden Halbleiterchips (Multichip-Bauelement) hergestellt werden. Hierbei können die mehreren Halbleiterchips einen kleinen Abstand zueinander aufweisen. Furthermore, the method can be used to produce a single-chip component having only one radiation-emitting semiconductor chip and also an optoelectronic component having a plurality of radiation-emitting semiconductor chips (multichip component). Here, the plurality of semiconductor chips may be a small distance apart.

Zur Herstellung eines Multichip-Bauelements wird der Träger mit mehreren auf dem Träger angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchips bereitgestellt. Die mehreren Halbleiterchips können in einer Ausnehmung des Trägers (sofern vorhanden) angeordnet sein. Des Weiteren wird die reflektierende Schicht derart ausgebildet, dass die reflektierende Schicht den Träger neben den Halbleiterchips bedeckt. Dies umfasst wie oben angegeben ein Aufbringen einer lösungsmittelhaltigen Suspension und ein Verdunsten des Lösungsmittels. Hierbei kann sich die dünnflüssige Suspension aufgrund von Kapillareffekten homogen auf dem Träger verteilen. Dies ist ebenso der Fall bei Verwendung eines kleinen Trägers.To produce a multichip component, the carrier is provided with a plurality of radiation-emitting semiconductor chips arranged on the carrier. The plurality of semiconductor chips may be disposed in a recess of the carrier (if any). Furthermore, the reflective layer is formed such that the reflective layer covers the carrier adjacent to the semiconductor chips. As stated above, this includes application of a solvent-containing suspension and evaporation of the solvent. In this case, the thin liquid suspension can be distributed homogeneously on the carrier due to capillary effects. This is also the case when using a small carrier.

Ein Multichip-Bauelement kann mit mehreren der oben beschriebenen Halbleiterchips, zum Beispiel mehreren Volumenemittern bzw. Saphir-Chips oder Saphir-Flip-Chips hergestellt werden. Ferner können die mehreren Halbleiterchips des bereitgestellten Trägers untereinander elektrisch in Reihe und/oder parallel verbunden sein. Dies kann über wenigstens eine Leiterstruktur des Trägers und/oder über wenigstens eine direkte Bonddrahtverbindung von Halbleiterchips verwirklicht sein. A multi-chip component can be produced with a plurality of the above-described semiconductor chips, for example a plurality of volume emitters or sapphire chips or sapphire flip chips. Further, the plurality of semiconductor chips of the provided carrier may be electrically connected to each other in series and / or in parallel. This can be realized via at least one conductor structure of the carrier and / or via at least one direct bonding wire connection of semiconductor chips.

Mit Hilfe des Verfahrens lässt sich des Weiteren eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente gemeinsam im Verbund herstellen. Hierbei kann ein zusammenhängender Träger bzw. Trägerverbund mit mehreren darauf angeordneten Halbleiterchips bereitgestellt, und kann für jedes der zu fertigenden Bauelemente eine reflektierende Schicht auf dem Träger ausgebildet werden. Am Ende des Verfahrens kann der Bauelementverbund in separate optoelektronische Bauelemente vereinzelt werden.With the aid of the method, furthermore, a plurality of optoelectronic components can be produced together in a composite. In this case, a contiguous carrier or support composite with a plurality of semiconductor chips arranged thereon can be provided, and a reflective layer can be formed on the carrier for each of the components to be manufactured. At the end of the process, the component network can be separated into separate optoelectronic components.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein optoelektronisches Bauelement vorgeschlagen. Das optoelektronische Bauelement ist durch Durchführen des oben beschriebenen Verfahrens bzw. einer oder mehrerer der oben beschriebenen Ausführungsformen des Verfahrens hergestellt. Das Bauelement weist einen Träger, einen auf dem Träger angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und eine auf dem Träger angeordnete reflektierende Schicht auf. Die reflektierende Schicht weist ein Grundmaterial und Streupartikel auf. Die reflektierende Schicht bedeckt den Träger in einem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip.According to a further aspect of the invention, an optoelectronic component is proposed. The optoelectronic component is produced by carrying out the method described above or one or more of the embodiments of the method described above. The component has a carrier, a radiation-emitting semiconductor chip arranged on the carrier and a reflective layer arranged on the carrier. The reflective layer comprises a base material and scattering particles. The reflective layer covers the carrier in an area adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip.

Es wird darauf hingewiesen, dass oben in Bezug auf das Verfahren genannte Merkmale und Details in entsprechender Weise bei dem optoelektronischen Bauelement zur Anwendung kommen können. Beispielsweise kann die reflektierende Schicht eine Dicke in einem Bereich von 5µm bis 30µm aufweisen. Des Weiteren kann sich das optoelektronische Bauelement durch oben genannte Vorteile wie eine hohe Auskoppeleffizienz und eine Strahlungsemission mit hoher Homogenität auszeichnen. It should be noted that features and details mentioned above with regard to the method can be used correspondingly in the optoelectronic component. For example, the reflective layer may have a thickness in a range of 5 μm to 30 μm. Furthermore, the optoelectronic component can be distinguished by the above-mentioned advantages such as a high coupling-out efficiency and a radiation emission with high homogeneity.

Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können – außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen – einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen.The advantageous embodiments and further developments of the invention explained above and / or reproduced in the subclaims can be used individually or else in any desired combination with one another except, for example, in cases of clear dependencies or incompatible alternatives.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, are more clearly and clearly understood with the following description of exemplary embodiments, which are explained in more detail in connection with the schematic drawings. Show it:

1 bis 3 einen Verfahrensablauf zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, wobei ein Träger mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit Vorderseitenkontakten bereitgestellt wird, eine reflektierende Schicht neben dem Halbleiterchip ausgebildet wird, und eine Vergussmasse in eine Ausnehmung des Trägers eingebracht wird; 1 to 3 a method sequence for producing an optoelectronic component, wherein a carrier having a radiation-emitting semiconductor chip with front-side contacts is provided, a reflective layer is formed next to the semiconductor chip, and a potting compound is introduced into a recess of the carrier;

4 ein weiteres optoelektronisches Bauelement, welches einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit Rückseitenkontakten aufweist; und 4 a further optoelectronic component having a radiation-emitting semiconductor chip with backside contacts; and

5 eine vergrößerte Darstellung einer auf einem Träger angeordneten reflektierenden Schicht. 5 an enlarged view of a arranged on a support reflective layer.

Anhand der folgenden schematischen Figuren werden Ausgestaltungen eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements beschrieben. Bei dem Verfahren können aus der Halbleitertechnik und aus der Fertigung optoelektronischer Bauelemente bekannte Prozesse durchgeführt werden und können in diesen Gebieten übliche Materialien zum Einsatz kommen, so dass hierauf nur teilweise eingegangen wird. In gleicher Weise können zusätzlich zu gezeigten und beschriebenen Prozessen weitere Prozesse durchgeführt werden und können die Bauelemente zusätzlich zu gezeigten und beschriebenen Komponenten mit weiteren Komponenten und Strukturen gefertigt werden. Es wird ferner darauf hingewiesen, dass die Figuren lediglich schematischer Natur sind und nicht maßstabsgetreu sind. In diesem Sinne können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein.Embodiments of a method for producing an optoelectronic component will be described with reference to the following schematic figures. In the method, known processes can be carried out from semiconductor technology and from the production of optoelectronic components, and customary materials can be used in these areas, so that this is only partially addressed. In the same way, in addition to processes shown and described further processes can be carried out and the components can be manufactured in addition to components shown and described with other components and structures. It is further noted that the figures are merely schematic in nature and are not to scale. In this sense, components and structures shown in the figures may be exaggerated or oversized for clarity.

Die 1 bis 3 zeigen anhand von schematischen seitlichen Schnittdarstellungen ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 100. Für das Verfahren kann eine parallele Herstellung mehrerer Bauelemente 100 in Betracht kommen. Hierbei kann ein zusammenhängender Bauelementverbund gefertigt werden, welcher nachfolgend in die Bauelemente 100 vereinzelt wird. The 1 to 3 show on the basis of schematic side sectional views of a method for producing an optoelectronic device 100 , For the process, a parallel production of several components 100 be considered. Here, a coherent component composite can be made, which subsequently in the components 100 is isolated.

In dieser Hinsicht können die 1 bis 3 jeweils einen Ausschnitt des Fertigungsverbunds bzw. der jeweils vorliegenden Gegebenheiten im Bereich eines der optoelektronischen Bauelemente 100 veranschaulichen. Die gezeigte Struktur kann sich vielfach wiederholend in einer Ebene vorliegen. Die folgende Beschreibung zu einem der Bauelemente 100 kann für sämtliche der gemeinsam hergestellten Bauelemente 100 gelten.In this regard, the 1 to 3 in each case a section of the manufacturing network or the particular conditions present in the range of one of the optoelectronic components 100 illustrate. The structure shown can often be repetitive in one plane. The following description of one of the components 100 can be used for all of the jointly manufactured components 100 be valid.

Bei dem Verfahren wird, wie in 1 gezeigt ist, ein Träger 110 mit einem auf dem Träger 110 angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip 130 bereitgestellt. Der Träger 110 ist ein sogenannter Premold-Träger, welcher einen metallischen Leiterrahmen 120 und einen den Leiterrahmen 120 umgebenden Gehäusekörper 115 aufweist. Der Leiterrahmen 120 weist zwei Leiterrahmenabschnitte 121, 122 auf. Der Leiterrahmen 120 kann aus Kupfer ausgebildet sein, und außenseitig mit einer nicht dargestellten metallischen Beschichtung versehen sein. Auf diese Weise eignet sich der Leiterrahmen 120 für ein Löten sowie Anschließen von Bonddrähten 145.In the method, as in 1 shown is a carrier 110 with one on the carrier 110 arranged radiation-emitting semiconductor chip 130 provided. The carrier 110 is a so-called premold carrier, which is a metallic lead frame 120 and one the lead frame 120 surrounding housing body 115 having. The ladder frame 120 has two lead frame sections 121 . 122 on. The ladder frame 120 may be formed of copper, and be provided on the outside with a metallic coating, not shown. In this way, the lead frame is suitable 120 for soldering and connecting bonding wires 145 ,

Der Gehäusekörper 115 weist ein weißes Kunststoffmaterial auf. Verwendbar ist zum Beispiel ein Epoxidmaterial (Epoxy Mold Compound, EMC), ein Silikonmaterial oder ein thermoplastisches Material wie zum Beispiel PPA (Polyphthalamid), wobei derartige Materialien einen partikelförmigen reflektierenden Füllstoff umfassen (nicht dargestellt). Der Gehäusekörper 115 ist mit einer solchen Struktur ausgebildet, dass der Träger 110 eine Kavität bzw. Ausnehmung 111 zum Aufnehmen des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 130 aufweist. Über die Ausnehmung 111 liegen die Leiterrahmenabschnitte 121, 122 an einer Vorderseite 124 des Leiterrahmens 120 frei. Es ist möglich, dass der Gehäusekörper 115 abweichend von 1 die Leiterrahmenabschnitte 121, 122 auch am Rand der Vorderseite 124 des Leiterrahmens 120 bedeckt. An einer zu der Vorderseite 124 entgegen gesetzte Rückseite 125 des Leiterrahmens 120 liegen die Leiterrahmenabschnitte 121, 122 ebenfalls frei. Auf diese Weise ist das optoelektronische Bauelement 100 für eine Oberflächenmontage (SMT, Surface Mounting Technology) geeignet.The housing body 115 has a white plastic material. Useful is, for example, an epoxy material (epoxy molding compound, EMC), a silicone material or a thermoplastic material such as PPA (polyphthalamide), such materials comprising a particulate reflective filler (not shown). The housing body 115 is formed with such a structure that the carrier 110 a cavity or recess 111 for receiving the radiation-emitting semiconductor chip 130 having. About the recess 111 lie the leadframe sections 121 . 122 on a front side 124 of the ladder frame 120 free. It is possible that the case body 115 deviating from 1 the ladder frame sections 121 . 122 also on the edge of the front 124 of the ladder frame 120 covered. At one to the front 124 opposite back 125 of the ladder frame 120 lie the leadframe sections 121 . 122 also free. In this way, the optoelectronic device 100 suitable for surface mounting (SMT, Surface Mounting Technology).

Die Ausnehmung 111 ist durch eine umlaufende Seitenfläche 112 des Gehäusekörpers 115 und einen Boden 113 gebildet. Die Ausnehmung 111 besitzt eine sich in einer Richtung weg von dem Boden 113 aufweitende Form, wodurch die Ausnehmung 111 als Reflektor dienen kann. Der Boden 113 ist durch den Gehäusekörper 115 bzw. einen Abschnitt desselben zwischen den Leiterrahmenabschnitten 121, 122 und die vorderseitig freiliegenden Leiterrahmenabschnitte 121, 122 gebildet. The recess 111 is by a circumferential side surface 112 of the housing body 115 and a floor 113 educated. The recess 111 own one in a direction away from the ground 113 expanding shape, causing the recess 111 can serve as a reflector. The floor 113 is through the housing body 115 or a portion thereof between the lead frame sections 121 . 122 and the front exposed lead frame sections 121 . 122 educated.

Der in der Ausnehmung 111 platzierte strahlungsemittierende Halbleiterchip 130 befindet sich auf dem Leiterrahmenabschnitt 121, und ist auf diesem mit Hilfe einer Schicht eines Klebstoffs 140 befestigt. Der Klebstoff 140 kann ein strahlungsdurchlässiger Klebstoff sein. Der Halbleiterchip 130 weist zwei nicht gezeigte Vorderseitenkontakte auf, welche über Bonddrähte 145 jeweils mit einem der beiden Leiterrahmenabschnitte 121, 122 elektrisch verbunden sind. Auf diese Weise kann der Halbleiterchip 130 im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 über die Leiterrahmenabschnitte 121, 122 mit elektrischer Energie versorgt werden. The one in the recess 111 placed radiation-emitting semiconductor chip 130 is located on the ladder frame section 121 , and is on this with the help of a layer of an adhesive 140 attached. The adhesive 140 may be a radiation-transmissive adhesive. The semiconductor chip 130 has two front side contacts, not shown, which via bonding wires 145 each with one of the two lead frame sections 121 . 122 are electrically connected. In this way, the semiconductor chip 130 during operation of the optoelectronic component 100 over the ladder frame sections 121 . 122 be supplied with electrical energy.

Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 130 handelt es sich um einen in Form eines Volumenemitters verwirklichten Leuchtdiodenchip. Hierbei kann die von dem Halbleiterchip 130 erzeugte Lichtstrahlung sowohl über eine Vorderseite 134 als auch seitlich über laterale Seitenflanken 136 des Halbleiterchips 130 abgegeben werden. Der Halbleiterchip 130 weist Komponenten wie ein rückseitiges strahlungsdurchlässiges Chipsubstrat und, im Bereich der Vorderseite 134, eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone zur Strahlungserzeugung sowie die oben erwähnten Vorderseitenkontakte auf (nicht dargestellt). Das Chipsubstrat kann ein Saphirsubstrat sein, so dass der Halbleiterchip 130 als Saphir-Chip bezeichnet werden kann.In the radiation-emitting semiconductor chip 130 it is a light-emitting diode chip realized in the form of a volume emitter. In this case, that of the semiconductor chip 130 generated light radiation both on a front side 134 as well as laterally over lateral side edges 136 of the semiconductor chip 130 be delivered. The semiconductor chip 130 has components such as a backside radiation-transparent chip substrate and, in the area of the front side 134 , a semiconductor layer sequence having a radiation generation active region and the above-mentioned front side contacts (not shown). The chip substrate may be a sapphire substrate, such that the semiconductor chip 130 can be referred to as a sapphire chip.

Zum Erzeugen der in 1 gezeigten Anordnung wird der leiterrahmenbasierte Träger 110 bereitgestellt, wird der Halbleiterchip 130 auf den Leiterrahmenabschnitt 121 montiert bzw. aufgeklebt, und wird ein Drahtbondprozess durchgeführt, in welchem der Halbleiterchip 130 elektrisch mit den Leiterrahmenabschnitten 121, 122 verbunden wird. To generate the in 1 The arrangement shown becomes the ladder frame based carrier 110 provided, the semiconductor chip 130 on the ladder frame section 121 mounted and a Drahtbondprozess is performed, in which the semiconductor chip 130 electrically with the leadframe sections 121 . 122 is connected.

In Bezug auf die verbundweise Fertigung wird ein gemeinsamer Träger 110 bzw. Trägerverbund bereitgestellt, welcher für jedes der Bauelemente 100 eine Ausnehmung 111 und zwei Leiterrahmenabschnitte 121, 122 aufweist. Hierfür wird ein zusammenhängender Leiterrahmen 120 bzw. Leiterrahmenverbund gefertigt. Dies kann ein Strukturieren einer Ausgangsschicht aus Kupfer gefolgt von einem metallischen Beschichten durch Elektroplattieren umfassen. Anschließend wird ein Formprozess (Moldprozess) durchgeführt, in welchem der Leiterrahmen 120 mit einem Gehäusematerial umspritzt wird. Hierdurch wird ein zusammenhängender Gehäusekörper 115 mit den Ausnehmungen 111 gebildet. Nachfolgend werden Halbleiterchips 130 in den Ausnehmungen 111 angeordnet, und erfolgt das Drahtbonden. In terms of the composite production becomes a common carrier 110 or carrier composite provided, which for each of the components 100 a recess 111 and two leadframe sections 121 . 122 having. For this purpose, a coherent ladder frame 120 or ladder frame composite manufactured. This may include patterning an initial layer of copper followed by metal plating by electroplating. Subsequently, a molding process (molding process) is performed, in which the lead frame 120 is overmolded with a housing material. As a result, a coherent housing body 115 with the recesses 111 educated. The following are semiconductor chips 130 in the recesses 111 arranged, and the wire bonding takes place.

Nach dem Bereitstellen der Anordnung von 1 wird, wie in 2 gezeigt ist, eine dünne weiße reflektierende Schicht 160 in der Ausnehmung 111 auf dem Träger 110 ausgebildet. Die reflektierende Schicht 160 bedeckt den Träger 110 in einem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 130. Die reflektierende Schicht 160 weist ein strahlungsdurchlässiges Grundmaterial 161 und darin enthaltene Streupartikel 162 auf (vgl. 5).After providing the array of 1 will, as in 2 shown is a thin white reflective layer 160 in the recess 111 on the carrier 110 educated. The reflective layer 160 covers the vehicle 110 in an area adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip 130 , The reflective layer 160 has a radiolucent base material 161 and scattering particles contained therein 162 on (cf. 5 ).

Wie in 2 gezeigt ist, wird die reflektierende Schicht 160 derart ausgebildet, dass der gesamte, nicht von dem Halbleiterchip 130 bzw. dem Klebstoff 140 bedeckte Bereich des Bodens 113 der Ausnehmung 111 mit der reflektierenden Schicht 160 bedeckt ist. Auf diese Weise ist der Halbleiterchip 130 (von oben betrachtet) von der dünnen reflektierenden Schicht 160 umschlossen, und sind die Leiterrahmenabschnitte 121, 122 neben dem Halbleiterchip 130 vorderseitig mit der reflektierenden Schicht 160 abgedeckt. Die reflektierende Schicht 160 reicht nach außen bis zur Seitenfläche 112 der Ausnehmung 111. Innen grenzt die reflektierende Schicht 160 an den Klebstoff 140 an. An dieser Stelle kann die Schicht 160 auch an den Halbleiterchip 130 bzw. an dessen Seitenwände 136 heranreichen, wie es in 2 dargestellt ist.As in 2 is shown, the reflective layer 160 formed such that the entire, not of the semiconductor chip 130 or the adhesive 140 covered area of the ground 113 the recess 111 with the reflective layer 160 is covered. In this way, the semiconductor chip 130 (viewed from above) from the thin reflective layer 160 enclosed, and are the lead frame sections 121 . 122 next to the semiconductor chip 130 front side with the reflective layer 160 covered. The reflective layer 160 extends outwards to the side surface 112 the recess 111 , Inside, the reflective layer is adjacent 160 to the glue 140 at. At this point, the layer can 160 also to the semiconductor chip 130 or on its side walls 136 come close to how it is in 2 is shown.

Das Ausbilden der reflektierenden Schicht 160 umfasst ein Aufbringen einer stark verdünnten und dadurch dünnflüssigen Suspension auf den Träger 110 in der Ausnehmung 111 neben dem Halbleiterchip 130, welche zusätzlich zu dem Grundmaterial 161 und den Streupartikeln 162 ein Lösungsmittel aufweist, und ein Verdampfen des Lösungsmittels (nicht dargestellt). Zum Aufbringen kann ein Dosierprozess durchgeführt werden. Möglich ist auch ein tröpfchenförmiges Aufbringen mit Hilfe einer Druckvorrichtung. Die Seitenfläche 112 der Ausnehmung 111 kann als außenseitige Begrenzung für die aufgebrachte Suspension dienen. Das Verdunsten des flüchtigen Lösungsmittels kann aktiv durch Wärmeeinwirkung, zum Beispiel durch Erwärmen des Trägers 110, oder auch von selbst erfolgen.The formation of the reflective layer 160 comprises applying a highly diluted and thus thin suspension to the carrier 110 in the recess 111 next to the semiconductor chip 130 , which in addition to the basic material 161 and the scattering particles 162 having a solvent, and evaporating the solvent (not shown). For application, a dosing process can be carried out. Also possible is a droplet-like application by means of a printing device. The side surface 112 the recess 111 can serve as an outside boundary for the applied suspension. The evaporation of the volatile solvent may be active by heat, for example by heating the carrier 110 , or even done by yourself.

In dem Verfahren wird eine geeignete Menge an Suspension in die Ausnehmung 111 eingebracht, so dass die Chipflanken 136 des Halbleiterchips 130 nicht oder nur geringfügig bis zu einer kleinen Höhe mit der Suspension benetzen. Dieses Verhalten wird durch die geringe Viskosität der Suspension begünstigt. Aufgrund der geringen Viskosität können die Streupartikel 162 ferner schnell auf den Boden 113 des Trägers 110 sedimentieren. Nach dem Verdunsten des Lösungsmittels verbleibt die reflektierende Schicht 160 in Form eines dünnen weißen Reflektorfilms auf dem Träger 110.In the process, a suitable amount of suspension is introduced into the recess 111 introduced so that the chip edges 136 of the semiconductor chip 130 Do not moisten or only slightly up to a small height with the suspension. This behavior is favored by the low viscosity of the suspension. Due to the low viscosity, the scattering particles 162 also quickly on the ground 113 of the carrier 110 sediment. After evaporation of the solvent, the reflective layer remains 160 in the form of a thin white reflector film on the support 110 ,

Diese Vorgehensweise macht es möglich, die reflektierende Schicht 160 derart auszubilden, dass der strahlungsemittierende Halbleiterchip 160 an den Seitenfacetten bzw. Seitenflanken 136 nicht oder nur geringfügig bis zu einer kleinen Höhe mit der reflektierenden Schicht 160 bedeckt ist. In 2 ist die letztere Variante veranschaulicht. Die reflektierende Schicht 160 weist eine im Vergleich zur Höhe des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 130 geringe Dicke auf. Die Schichtdicke der reflektierenden Schicht 160 kann zum Beispiel im Bereich von 5µm bis 30µm liegen. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 130 kann zum Beispiel eine Dicke in einem Bereich von 100µm bis 150µm aufweisen.This approach makes it possible for the reflective layer 160 such that the radiation-emitting semiconductor chip 160 on the side facets or side edges 136 not or only slightly up to a small height with the reflective layer 160 is covered. In 2 the latter variant is illustrated. The reflective layer 160 has a comparison with the height of the radiation-emitting semiconductor chip 130 small thickness on. The layer thickness of the reflective layer 160 may for example be in the range of 5μm to 30μm. The radiation-emitting semiconductor chip 130 For example, it may have a thickness in a range of 100 μm to 150 μm.

Wie weiter unten noch näher beschrieben wird, ermöglicht die reflektierende Schicht 160 Vorteile wie eine hohe Auskoppeleffizienz und eine Strahlungsemission mit hoher Homogenität. Diese Vorteile lassen sich ohne oder, wie in 2 dargestellt ist, mit einer lediglich geringen und damit vernachlässigbaren seitlichen Abdeckung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 130 erzielen. Der Halbleiterchip 130 kann infolgedessen weiterhin Strahlung in effizienter Weise über die Seitenflanken 136 emittieren. As will be described in more detail below, the reflective layer allows 160 Advantages like a high decoupling efficiency and a Radiation emission with high homogeneity. These advantages can be without or, as in 2 is shown, with only a small and therefore negligible lateral coverage of the radiation-emitting semiconductor chip 130 achieve. The semiconductor chip 130 As a result, radiation can continue to flow efficiently over the sidewalls 136 emit.

Bei dem Lösungsmittel des verwendeten Gemischs kann es sich zum Beispiel um n-Heptan oder n-Butylacetat handeln. Das strahlungsdurchlässige Grundmaterial 161 kann zum Beispiel ein Silikonmaterial bzw. eine Silikonpaste sein. Als hochstreuende Füllpartikel 162 können zum Beispiel Al2O3-Partikel, TiO2-Partikel und/oder ZrO2-Partikel eingesetzt werden. Die Partikel 162 weisen eine Partikelgröße kleiner als 5µm auf. Der Anteil der Streupartikel 162 kann zum Beispiel 35 Gewichtsprozent in dem Grundmaterial 161 betragen. Das Mischungsverhältnis von dem Grundmaterial 161 zu dem Lösungsmittel kann zum Beispiel 1:1,5 betragen.The solvent of the mixture used may be, for example, n-heptane or n-butyl acetate. The radiation-permeable base material 161 may be, for example, a silicone material or a silicone paste. As highly scattering filler particles 162 For example, Al 2 O 3 particles, TiO 2 particles and / or ZrO 2 particles can be used. The particles 162 have a particle size smaller than 5μm. The proportion of scattering particles 162 For example, it may be 35 weight percent in the base material 161 be. The mixing ratio of the base material 161 for example, the solvent may be 1: 1.5.

5 zeigt eine vergrößerte seitliche Darstellung eines Ausschnitts der auf dem Träger 110 ausgebildeten reflektierenden Schicht 160. Die in dem Grundmaterial 161 eingebetteten Streupartikel 162 können aufgrund des Sedimentierens im Bereich des Bodens 113 konzentriert sein. Es wird darauf hingewiesen, dass 5 lediglich der beispielhaften Veranschaulichung dient, und dass abweichend von 5 andere Gegebenheiten, zum Beispiel eine andere Anzahl an übereinander angeordneten Partikeln 162, vorliegen können. 5 shows an enlarged side view of a section of the on the carrier 110 trained reflective layer 160 , The in the basic material 161 embedded scattering particles 162 may be due to sedimentation in the area of the soil 113 to be focused. It is noted that 5 for illustrative purposes only, and that departing from 5 other conditions, for example, a different number of superimposed particles 162 , may be present.

Nach dem Ausbilden der reflektierenden Schicht 160 wird die Ausnehmung 111 des Trägers 110, wie in 3 gezeigt ist, mit einer verkapselnden Vergussmasse 170 verfüllt. Hierdurch kann der in der Ausnehmung 111 angeordnete strahlungsemittierende Halbleiterchip 130 vor äußeren Einflüssen geschützt werden. Die Vergussmasse 170, welche an den Halbleiterchip 130, an die Bonddrähte 145, an die Schicht 160 und an den Gehäusekörper 115 angrenzt, weist ein strahlungsdurchlässiges Material, zum Beispiel Silikon, auf.After forming the reflective layer 160 becomes the recess 111 of the carrier 110 , as in 3 is shown with an encapsulating potting compound 170 filled. This allows the in the recess 111 arranged radiation-emitting semiconductor chip 130 be protected from external influences. The potting compound 170 , which are connected to the semiconductor chip 130 , to the bonding wires 145 , to the shift 160 and to the housing body 115 adjacent, has a radiation-transmissive material, for example silicone on.

Die Vergussmasse 170 kann eine leuchtstoffgefüllte Vergussmasse sein, welche zusätzlich Leuchtstoffpartikel umfasst (nicht dargestellt). In dieser Ausgestaltung kann eine Konversion von Strahlung des Halbleiterchips 130 bewirkt werden (Volumenkonversion). Es ist zum Beispiel möglich, dass der Halbleiterchip 130 zum Emittieren einer primären blauen oder ultravioletten Lichtstrahlung ausgebildet ist. Die Vergussmasse 170 kann dazu ausgebildet sein, die primäre Lichtstrahlung wenigstens teilweise in eine oder mehrere sekundäre Lichtstrahlungen im grünen bis roten Spektralbereich zu konvertieren, wodurch eine weiße Lichtstrahlung erzeugt werden kann.The potting compound 170 may be a phosphor filled potting compound, which additionally comprises phosphor particles (not shown). In this embodiment, a conversion of radiation of the semiconductor chip 130 be effected (volume conversion). For example, it is possible for the semiconductor chip 130 is designed to emit a primary blue or ultraviolet light radiation. The potting compound 170 may be configured to convert the primary light radiation at least partially into one or more secondary light radiations in the green to red spectral range, whereby a white light radiation can be generated.

In Bezug auf die verbundweise Fertigung wird in sämtlichen Ausnehmungen 111 des zusammenhängenden Trägers 110 die reflektierende Schicht 160 ausgebildet, und wird in sämtliche Ausnehmungen 111 die Vergussmasse 170 eingebracht. Im Anschluss hieran wird der auf diese Weise gefertigte Bauelementverbund in separate optoelektronische Bauelemente 100 vereinzelt. Hierbei besitzt jedes Bauelement 100 den in 3 gezeigten Aufbau.In terms of the composite production is in all recesses 111 of the coherent carrier 110 the reflective layer 160 trained, and is in all recesses 111 the potting compound 170 brought in. Following this, the component composite manufactured in this way becomes separate optoelectronic components 100 sporadically. Each component has this 100 the in 3 shown construction.

Im Betrieb des gemäß dem Verfahren gefertigten optoelektronischen Bauelements 100 kann dem Bauelement 100 und damit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 130 über die Leiterrahmenabschnitte 121, 122 elektrische Energie zugeführt werden, so dass der Halbleiterchip 130 eine Lichtstrahlung abgibt. Die Lichtstrahlung des Halbleiterchips 130 kann bei einer Ausgestaltung des Bauelements 100 mit leuchtstoffgefüllter Vergussmasse 170 wenigstens teilweise konvertiert werden. Eine Strahlungsemission kann bei dem Bauelement 100 über eine Vorderseite der Vergussmasse 170 stattfinden.During operation of the optoelectronic component manufactured according to the method 100 can the component 100 and thus the radiation-emitting semiconductor chip 130 over the ladder frame sections 121 . 122 electrical energy are supplied, so that the semiconductor chip 130 emits a light radiation. The light radiation of the semiconductor chip 130 can in one embodiment of the device 100 with fluorescent filled potting compound 170 be at least partially converted. A radiation emission may occur in the device 100 over a front of the potting compound 170 occur.

Die Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements 100 mit der reflektierenden Schicht 160 bietet eine Reihe von Vorteilen. Durch die reflektierende Schicht 160, welche den Boden 113 der Ausnehmung 111 des Trägers 110 neben dem Halbleiterchip 130 bedeckt, kann eine Strahlungsabsorption in diesem Bereich, insbesondere an den Leiterrahmenabschnitten 121, 122 unterdrückt, und stattdessen eine effiziente Strahlungsreflexion bewirkt werden. Infolgedessen kann sich das Bauelement 100 durch eine effiziente Betriebsweise mit einer hohen Auskoppeleffizienz und Helligkeit auszeichnen.The embodiment of the optoelectronic component 100 with the reflective layer 160 offers a number of advantages. Through the reflective layer 160 that the ground 113 the recess 111 of the carrier 110 next to the semiconductor chip 130 can cover a radiation absorption in this area, in particular at the leadframe sections 121 . 122 suppressed, and instead an efficient radiation reflection can be effected. As a result, the device may 100 characterized by an efficient mode of operation with a high coupling-out efficiency and brightness.

Die reflektierende Wirkung der Schicht 160 kann des Weiteren zu einer effektiven Strahlungsverteilung innerhalb der Vergussmasse 170 führen (Lichtleitereffekt). Bei einer leuchtstoffgefüllten Vergussmasse 170 können auf diese Weise Effekte wie eine Winkelabhängigkeit und eine Ortsabhängigkeit des Farborts der von dem optoelektronischen Bauelement 100 abgegebenen Strahlung klein gehalten, und kann eine hohe Homogenität der von dem optoelektronischen Bauelement 100 emittierten Strahlung erzielt werden. Dies begünstigt zum Beispiel eine mögliche Verwendung des optoelektronischen Bauelements 100 in einer Hinterleuchtungseinrichtung eines Bildschirms.The reflective effect of the layer 160 can further contribute to an effective radiation distribution within the potting compound 170 lead (fiber optic effect). For a phosphor-filled potting compound 170 In this way, effects such as an angle dependence and a location dependence of the color locus of the optoelectronic component 100 emitted radiation kept small, and can be a high homogeneity of the optoelectronic component 100 emitted radiation can be achieved. This favors, for example, a possible use of the optoelectronic component 100 in a backlight device of a screen.

Die oben beschriebene metallische Beschichtung des Leiterrahmens 120 kann zum Beispiel Silber aufweisen. Die vorderseitige Maskierung des Leiterrahmens 120 mit der reflektierenden Schicht 160 macht es möglich, mit der Silber-Beschichtung verbundene Probleme wie zum Beispiel korrosionsbedingte Alterungseffekte und eine damit verbundene Farbortveränderung der emittierten Strahlung zu unterdrücken, sowie die Alterungsstabilität des Leiterrahmens 120 zu erhöhen. Des Weiteren können Effekte wie eine Diffusion von Kupfer sowie eine Migration von Silber, was ein Auftreten von Kurzschlüssen zur Folge haben kann, vermieden werden.The above-described metallic coating of the lead frame 120 may, for example, have silver. The front masking of the lead frame 120 with the reflective layer 160 makes it possible to suppress problems associated with the silver coating, such as corrosion-related aging effects and associated color location change of the emitted radiation, as well as the aging stability of the lead frame 120 to increase. Furthermore, effects such as diffusion of copper and migration of silver, which can cause short circuits, can be avoided.

Aufgrund der Maskierung des Leiterrahmens 120 mit der reflektierenden Schicht 160 kann es ferner in Betracht kommen, die Beschichtung anstatt aus korrosionsempfindlichem Silber aus einem korrosionsstabileren und eine geringere Reflektivität besitzenden Material, zum Beispiel Gold, auszubilden. Auf diese Weise kann das optoelektronische Bauelement 100 eine hohe Zuverlässigkeit besitzen.Due to the masking of the lead frame 120 with the reflective layer 160 It may also be envisaged to form the coating from a more corrosion resistant and less reflective material, for example gold, rather than from corrosion sensitive silver. In this way, the optoelectronic component 100 have a high reliability.

Das Ausbilden der reflektierenden Schicht 160 ermöglicht darüber hinaus eine Fertigung des optoelektronischen Bauelements 100 mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 130 mit einer kleinen Chipgröße, ohne dass dies zu Effizienzeinbußen führt. Hieraus resultieren geringe Chipkosten und damit geringe Bauteilkosten des Bauelements 100.The formation of the reflective layer 160 also allows a production of the optoelectronic device 100 with a radiation-emitting semiconductor chip 130 with a small chip size without sacrificing efficiency. This results in low chip costs and thus low component costs of the component 100 ,

Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass das optoelektronische Bauelement 100 aufgrund des weißen Gehäusekörpers 115 und der ebenfalls eine weiße Farbe besitzenden reflektierenden Schicht 160 in einem Zustand, in welchem das Bauelement 100 nicht betrieben wird, einen möglichst einheitlichen weißen Farbeindruck vermitteln kann.Another advantage is that the optoelectronic component 100 due to the white case body 115 and the reflective layer also having a white color 160 in a state in which the device 100 is not operated, can convey the most uniform white color impression.

Im Folgenden werden weitere mögliche Varianten und Abwandlungen des zuvor erläuterten Verfahrensablaufs beschrieben. Übereinstimmende Merkmale und Aspekte sowie gleiche und gleich wirkende Komponenten werden im Folgenden nicht erneut detailliert beschrieben. Für Details hierzu wird stattdessen auf die vorstehende Beschreibung Bezug genommen. Des Weiteren ist es möglich, dass ein in Bezug auf eine Ausführungsform beschriebenes Merkmal bzw. Detail auch für eine andere Ausführungsform zutreffen kann bzw. dass Merkmale von mehreren Ausführungsformen miteinander kombinierbar sind.In the following, further possible variants and modifications of the method sequence explained above are described. Matching features and aspects as well as equal and equivalent components will not be described again in detail below. For details, reference is made to the above description instead. Furthermore, it is possible that a feature or detail described in relation to one embodiment may also apply to another embodiment or that features of several embodiments can be combined with one another.

In einer Abwandlung werden das Aufbringen der Suspension und das Verdunsten des Lösungsmittels mehrfach durchgeführt, um die reflektierende Schicht 160 auszubilden (nicht dargestellt). In dieser Verfahrensvariante werden aufeinanderfolgend Teilschichten der Schicht 160 ausgebildet, welche übereinander angeordnet sind. Hierbei wird eine erste Teilschicht unmittelbar auf dem Träger 110 ausgebildet. Auf dieser Teilschicht wird eine weitere Teilschicht auf dem Träger 110 gebildet. Dies kann weiter fortgesetzt bzw. wiederholt werden. Diese Vorgehensweise macht es möglich, eine vorgegebene Schichtdicke und Reflektivität der reflektierenden Schicht 160 zuverlässig einzustellen.In a variant, the application of the suspension and the evaporation of the solvent are carried out several times to the reflective layer 160 form (not shown). In this process variant, successive partial layers of the layer 160 formed, which are arranged one above the other. In this case, a first part-layer directly on the support 110 educated. On this sub-layer, a further sub-layer on the carrier 110 educated. This can be continued or repeated. This approach makes it possible to have a given layer thickness and reflectivity of the reflective layer 160 to adjust reliably.

Abweichend von den 2, 3 lässt sich die reflektierende Schicht 160 derart ausbilden, dass die Schicht 160 nicht an den Halbleiterchip 130 heranreicht und die Seitenflanken 136 frei von der Schicht 160 sind (nicht dargestellt). Dies ist zum Beispiel der Fall, wenn die reflektierende Schicht 160 mit einer Schichtdicke ausgebildet wird, welche mit der Dicke der zur Befestigung des Halbleiterchips 130 eingesetzten Klebstoffschicht 140 übereinstimmt oder kleiner als die Dicke der Klebstoffschicht 140 ist. Möglich ist es auch, dass die Klebstoffschicht 140 nicht nur unterhalb des Halbleiterchips 130, sondern auch seitlich hiervon vorliegt und die Seitenflanken 136 bis zu einer geringen Höhe bedeckt. Auch auf diese Weise kann die reflektierende Schicht 160 nicht an die Seitenflanken 136 angrenzen.Deviating from the 2 . 3 can be the reflective layer 160 form such that the layer 160 not to the semiconductor chip 130 comes close and the side flanks 136 free from the shift 160 are (not shown). This is the case, for example, when the reflective layer 160 is formed with a layer thickness, which with the thickness of the attachment of the semiconductor chip 130 used adhesive layer 140 is equal to or smaller than the thickness of the adhesive layer 140 is. It is also possible that the adhesive layer 140 not just below the semiconductor chip 130 , but also on the side thereof and the side edges 136 covered to a low altitude. Also in this way can the reflective layer 160 not on the side edges 136 adjoin.

Darüber hinaus kann anstelle des Halbleiter- bzw. Saphirchips 130 mit zwei Vorderseitenkontakten eine andere Bauform eines Halbleiterchips zum Einsatz kommen. Diesbezüglich zeigt 4 eine schematische seitliche Schnittdarstellung eines weiteren optoelektronischen Bauelements 101, welches im Wesentlichen den gleichen Aufbau wie das zuvor erläuterte Bauelement 100 aufweist. Im Unterschied zu dem Bauelement 100 weist das Bauelement 101 einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 131 mit zwei nicht gezeigten Rückseitenkontakten auf. Die Rückseitenkontakte des Halbleiterchips 131 sind elektrisch und mechanisch über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmaterial 155 jeweils mit einem der Leiterrahmenabschnitte 121, 122 des Leiterrahmens 120 verbunden. Das Verbindungsmaterial 155 kann ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff sein.In addition, instead of the semiconductor or sapphire chips 130 With two front side contacts another design of a semiconductor chip are used. In this regard shows 4 a schematic side sectional view of another optoelectronic device 101 which has substantially the same structure as the previously explained component 100 having. In contrast to the component 100 has the component 101 a radiation-emitting semiconductor chip 131 with two back contacts, not shown. The backside contacts of the semiconductor chip 131 are electrically and mechanically via an electrically conductive connection material 155 each with one of the leadframe sections 121 . 122 of the ladder frame 120 connected. The connecting material 155 may be a solder or an electrically conductive adhesive.

Der Halbleiterchip 131 kann ebenfalls ein Leuchtdiodenchip in Form eines Volumenemitters sein, welcher eine Lichtstrahlung über eine Vorderseite 134 und seitlich über laterale Seitenflanken 136 abgeben kann. Bei dem Halbleiterchip 131 kann es sich um einen Flip-Chip handeln. Hierbei weist der Halbleiterchip 131 ein vorderseitiges strahlungsdurchlässiges Chipsubstrat und, im Bereich einer der Vorderseite 134 entgegen gesetzten Rückseite, eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone zur Strahlungserzeugung und die Rückseitenkontakte auf (nicht dargestellt). Das Chipsubstrat kann ein Saphirsubstrat sein, so dass der Halbleiterchip 131 als Saphir-Flip-Chip bezeichnet werden kann.The semiconductor chip 131 may also be a light-emitting diode chip in the form of a volume emitter, which has a light radiation over a front side 134 and laterally over lateral side edges 136 can deliver. In the semiconductor chip 131 it can be a flip chip. In this case, the semiconductor chip 131 a front radiation-transparent chip substrate and, in the area of one of the front side 134 opposite back side, a semiconductor layer sequence with a radiation generating active zone and the rear side contacts (not shown). The chip substrate may be a sapphire substrate, such that the semiconductor chip 131 may be referred to as a sapphire flip-chip.

Die Herstellung des optoelektronischen Bauelements 101 von 4 erfolgt vergleichbar zu dem oben beschriebenen Verfahrensablauf. Hierbei wird der Träger 110 bereitgestellt, und wird der strahlungsemittierende Halbleiterchip 131 in der Ausnehmung 111 des Trägers 110 auf den beiden Leiterrahmenabschnitten 121, 122 montiert. Dies erfolgt je nach Verbindungsmaterial 155 durch Löten oder Aufkleben des Halbleiterchips 131. Nachfolgend wird die dünne weiße reflektierende Schicht 160 ausgebildet, welche den Boden 113 der Ausnehmung 111 des Trägers 110 neben dem Halbleiterchip 131 bedeckt. Dies umfasst ein Aufbringen der stark verdünnten Suspension (Lösungsmittel, Grundmaterial 161, Streupartikel 162) und ein Verdunsten des Lösungsmittels, was gegebenenfalls mehrmals durchgeführt werden kann. Anschließend wird die Vergussmasse 170 in die Ausnehmung 111 eingebracht. The production of the optoelectronic component 101 from 4 is similar to the procedure described above. This is the carrier 110 is provided, and the radiation-emitting semiconductor chip 131 in the recess 111 of the carrier 110 on the two ladder frame sections 121 . 122 assembled. This is done depending on the connection material 155 by soldering or sticking the semiconductor chip 131 , Below is the thin white reflective layer 160 trained, which the ground 113 the recess 111 of the carrier 110 next to the semiconductor chip 131 covered. This includes applying the highly diluted suspension (solvent, base material 161 , Scattering particles 162 ) and evaporation of the solvent, which may optionally be carried out several times. Subsequently, the potting compound 170 into the recess 111 brought in.

Es kann ferner eine verbundweise Fertigung mehrerer Bauelemente 101 erfolgen, indem ein zusammenhängender Träger 110 mit mehreren Ausnehmungen 111 bereitgestellt wird, Halbleiterchips 131 in den Ausnehmungen 111 angeordnet werden, in den Ausnehmungen 111 die reflektierende Schicht 160 ausgebildet wird, in die Ausnehmungen 111 die Vergussmasse 170 eingebracht wird, und der Verbund vereinzelt wird. It can also be a composite production of several components 101 done by a connected carrier 110 with several recesses 111 is provided, semiconductor chips 131 in the recesses 111 be arranged in the recesses 111 the reflective layer 160 is formed in the recesses 111 the potting compound 170 is introduced, and the composite is isolated.

Bei dem optoelektronischen Bauelement 101 von 4 ermöglicht die dünne reflektierende Schicht 160 dieselben Vorteile, wie sie oben zu dem anderen Bauelement 100 erläutert wurden. Beispielsweise kann sich das Bauelement 101 durch eine hohe Auskoppeleffizienz und eine homogene Strahlungsemission auszeichnen. Hierbei besteht keine oder lediglich eine unwesentliche Seitenbedeckung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 131. 4 veranschaulicht letztere Variante, in welcher der Halbleiterchip 131 an den Seitenflanken 136 geringfügig mit der Schicht 160 bedeckt ist.In the optoelectronic component 101 from 4 allows the thin reflective layer 160 same advantages as above to the other component 100 were explained. For example, the device may 101 characterized by a high coupling-out efficiency and a homogeneous radiation emission. In this case, there is no or only an insignificant side covering of the radiation-emitting semiconductor chip 131 , 4 illustrates the latter variant, in which the semiconductor chip 131 on the side flanks 136 slightly with the layer 160 is covered.

Abweichend von 4 kann sich die Schicht 160 auch unterhalb des Halbleiterchips 131 und zwischen den Bereichen des Verbindungsmaterials 155 befinden. Möglich ist auch eine solche Ausgestaltung, in welcher die Seitenflanken 136 frei von der Schicht 160 sind. Dies ist der Fall, wenn die reflektierende Schicht 160 und das Verbindungsmaterial 155 mit einer übereinstimmenden Schichtdicke erzeugt werden, oder die Schicht 160 mit einer gegenüber dem Verbindungsmaterial 155 geringeren Schichtdicke gebildet wird.Deviating from 4 can the layer 160 also below the semiconductor chip 131 and between the areas of the connecting material 155 are located. Also possible is such a configuration in which the side edges 136 free from the shift 160 are. This is the case when the reflective layer 160 and the connecting material 155 with a matching layer thickness, or the layer 160 with one opposite the connecting material 155 smaller layer thickness is formed.

Die anhand der Figuren erläuterten Ausführungsformen stellen bevorzugte bzw. beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung dar. Neben den beschriebenen und abgebildeten Ausführungsformen sind weitere Ausführungsformen vorstellbar, welche weitere Abwandlungen und/oder Kombinationen von Merkmalen umfassen können. Es ist zum Beispiel möglich, anstelle der oben angegebenen Materialien andere Materialien zu verwenden. Auch sind obige Zahlenangaben als Beispiele anzusehen, welche durch andere Angaben ersetzt werden können. The embodiments explained with reference to the figures represent preferred or exemplary embodiments of the invention. In addition to the described and illustrated embodiments, further embodiments are conceivable which may include further modifications and / or combinations of features. For example, it is possible to use other materials instead of the above materials. Also, the above figures are to be regarded as examples, which can be replaced by other information.

In einer weiteren Abwandlung können Bauelemente gefertigt werden, welche anstelle eines leiterrahmenbasierten Premold-Trägers einen anderen Träger bzw. ein anderes Substrat aufweisen. Möglich ist zum Beispiel die Verwendung eines keramischen Trägers oder einer Leiterplatte. Solche Träger können elektrische Leiterstrukturen, beispielsweise Leiterbahnen aufweisen, mit welchen ein Halbleiterchip in der oben beschriebenen Art und Weise elektrisch verbunden werden kann. Auch hierbei lässt sich mit Hilfe einer neben dem Halbleiterchip angeordneten reflektierenden Schicht, deren Herstellung wie oben angegeben erfolgen kann (d.h. Aufbringen einer lösungsmittelhaltigen Suspension und Verdunsten des Lösungsmittels), eine Abdeckung der Leiterstrukturen erzielen.In a further modification, components can be produced which, instead of a ladder-frame-based premold carrier, have a different carrier or another substrate. For example, it is possible to use a ceramic carrier or a printed circuit board. Such carriers can have electrical conductor structures, for example strip conductors, with which a semiconductor chip can be electrically connected in the manner described above. Here, too, a cover of the conductor structures can be achieved with the aid of a reflective layer arranged next to the semiconductor chip, the production of which can take place as indicated above (i.e., application of a solvent-containing suspension and evaporation of the solvent).

Neben Bauelementen mit Volumenemittern können die oben beschriebenen Ansätze auch zur Fertigung von Bauelementen mit Oberflächenemittern zur Anwendung kommen. Derartige Halbleiterchips können die erzeugte Strahlung lediglich im Bereich einer Vorderseite emittieren.In addition to devices with volume emitters, the approaches described above can also be used for the production of devices with surface emitters. Such semiconductor chips can emit the generated radiation only in the region of a front side.

Des Weiteren können anstelle von optoelektronischen Einzelchip-Bauelementen bzw. Packages mit lediglich einem Halbleiterchip, wie sie in den 3, 4 gezeigt sind, auch Bauelemente bzw. Packages mit mehreren strahlungsemittierenden Halbleiterchips gefertigt werden. Hierbei wird ein Träger bereitgestellt, welcher (pro Bauelement) mehrere auf dem Träger angeordnete Halbleiterchips aufweist. Die mehreren Halbleiterchips können untereinander elektrisch in Reihe und/oder parallel verbunden sein. Die reflektierende Schicht wird derart ausgebildet, dass die Schicht den Träger in einem Bereich neben den Halbleiterchips bedeckt. Dies umfasst auch in solchen Ausgestaltungen ein Aufbringen einer lösungsmittelhaltigen Suspension und ein Verdunsten des Lösungsmittels.Furthermore, instead of optoelectronic single-chip components or packages with only one semiconductor chip, as shown in FIGS 3 . 4 are shown, even components or packages are made with a plurality of radiation-emitting semiconductor chips. In this case, a carrier is provided which has (per component) a plurality of semiconductor chips arranged on the carrier. The plurality of semiconductor chips may be electrically connected to each other in series and / or in parallel. The reflective layer is formed such that the layer covers the carrier in an area adjacent to the semiconductor chips. In such embodiments, this also includes applying a solvent-containing suspension and evaporating the solvent.

Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.While the invention has been further illustrated and described in detail by way of preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100, 101100, 101
Bauelement module
110110
Träger carrier
111111
Ausnehmung recess
112112
Seitenfläche side surface
113113
Boden ground
115115
Gehäusekörper housing body
120120
Leiterrahmen leadframe
121, 122121, 122
Leiterrahmenabschnitt Leadframe section
124124
Vorderseite front
125125
Rückseite back
130, 131130, 131
Halbleiterchip Semiconductor chip
134134
Vorderseite front
136136
Seitenflanke side flank
140140
Klebstoff adhesive
145145
Bonddraht bonding wire
155155
Verbindungsmaterial connecting material
160160
Reflektierende Schicht Reflecting layer
161161
Grundmaterial base material
162162
Streupartikel scattering particles
170170
Vergussmasse potting compound

Claims (10)

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100, 101), umfassend: Bereitstellen eines Trägers (110) mit einem auf dem Träger (110) angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip (130, 131); und Ausbilden einer reflektierenden Schicht (160) auf dem Träger (110), welche den Träger (110) in einem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (130, 131) bedeckt, wobei das Ausbilden der reflektierenden Schicht (160) ein Aufbringen einer Suspension aufweisend ein Lösungsmittel, ein Grundmaterial (161) und Streupartikel (162) auf den Träger (110) und ein Verdunsten des Lösungsmittels umfasst.Method for producing an optoelectronic component ( 100 . 101 ), comprising: providing a carrier ( 110 ) with one on the support ( 110 ) arranged radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ); and forming a reflective layer ( 160 ) on the support ( 110 ), which the carrier ( 110 ) in an area adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ), wherein the formation of the reflective layer ( 160 ) applying a suspension comprising a solvent, a base material ( 161 ) and scattering particles ( 162 ) on the carrier ( 110 ) and evaporation of the solvent. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der strahlungsemittierende Halbleiterchip (130, 131) ein volumenemittierender Halbleiterchip ist.The method of claim 1, wherein the radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ) is a volume-emitting semiconductor chip. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die reflektierende Schicht (160) mit einer Dicke in einem Bereich von 5µm bis 30µm ausgebildet wird.Method according to one of the preceding claims, wherein the reflective layer ( 160 ) is formed with a thickness in a range of 5μm to 30μm. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Aufbringen der Suspension und das Verdunsten des Lösungsmittels mehrmals durchgeführt werden, um die reflektierende Schicht (160) auszubilden.Method according to one of the preceding claims, wherein the application of the suspension and the evaporation of the solvent are carried out several times to the reflective layer ( 160 ) train. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der bereitgestellte Träger (110) eine elektrische Leiterstruktur (121, 122) aufweist, mit welcher der strahlungsemittierende Halbleiterchip (130, 131) elektrisch verbunden ist, und wobei die reflektierende Schicht (160) derart ausgebildet wird, dass die reflektierende Schicht (160) die elektrische Leiterstruktur (121, 122) in dem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (130, 131) bedeckt.Method according to one of the preceding claims, wherein the provided carrier ( 110 ) an electrical conductor structure ( 121 . 122 ), with which the radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ) is electrically connected, and wherein the reflective layer ( 160 ) is formed such that the reflective layer ( 160 ) the electrical conductor structure ( 121 . 122 ) in the area adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ) covered. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der bereitgestellte Träger (110) eine Ausnehmung (111) aufweist, in welcher der strahlungsemittierende Halbleiterchip (130, 131) angeordnet ist, und wobei die reflektierende Schicht (160) derart ausgebildet wird, dass der Träger (110) am Boden (113) der Ausnehmung (111) mit der reflektierenden Schicht (160) bedeckt wird. Method according to one of the preceding claims, wherein the provided carrier ( 110 ) a recess ( 111 ), in which the radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ), and wherein the reflective layer ( 160 ) is formed such that the carrier ( 110 ) on the ground ( 113 ) of the recess ( 111 ) with the reflective layer ( 160 ) is covered. Verfahren nach Anspruch 6, wobei eine Vergussmasse (170) in die Ausnehmung (111) des Trägers (110) eingebracht wird.A method according to claim 6, wherein a potting compound ( 170 ) in the recess ( 111 ) of the carrier ( 110 ) is introduced. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Suspension wenigstens eines der Folgenden aufweist: n-Heptan oder n-Butylacetat als Lösungsmittel; Silikonmaterial als Grundmaterial (161); und Al2O3-Partikel, TiO2-Partikel und/oder ZrO2-Partikel als Streupartikel (162). A process according to any one of the preceding claims, wherein the suspension comprises at least one of the following: n-heptane or n-butyl acetate as solvent; Silicone material as base material ( 161 ); and Al 2 O 3 particles, TiO 2 particles and / or ZrO 2 particles as scattering particles ( 162 ). Optoelektronisches Bauelement (100, 101), hergestellt durch Durchführen eines Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, aufweisend: einen Träger (110); einen auf dem Träger (110) angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip (130, 131); und eine auf dem Träger (110) angeordnete reflektierende Schicht (160), wobei die reflektierende Schicht (160) ein Grundmaterial (161) und Streupartikel (162) aufweist, und wobei die reflektierende Schicht (160) den Träger (110) in einem Bereich neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (130, 131) bedeckt. Optoelectronic component ( 100 . 101 ) produced by carrying out a method according to any one of the preceding claims, comprising: a carrier ( 110 ); one on the carrier ( 110 ) arranged radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ); and one on the carrier ( 110 ) arranged reflective layer ( 160 ), wherein the reflective layer ( 160 ) a basic material ( 161 ) and scattering particles ( 162 ), and wherein the reflective layer ( 160 ) the carrier ( 110 ) in an area adjacent to the radiation-emitting semiconductor chip ( 130 . 131 ) covered. Optolelektronisches Bauelement nach Anspruch 9, wobei die reflektierende Schicht (160) eine Dicke in einem Bereich von 5µm bis 30µm aufweist.Optoelectronic component according to claim 9, wherein the reflective layer ( 160 ) has a thickness in a range of 5μm to 30μm.
DE102014114914.9A 2014-10-14 2014-10-14 Production of an optoelectronic component Withdrawn DE102014114914A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014114914.9A DE102014114914A1 (en) 2014-10-14 2014-10-14 Production of an optoelectronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014114914.9A DE102014114914A1 (en) 2014-10-14 2014-10-14 Production of an optoelectronic component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014114914A1 true DE102014114914A1 (en) 2016-04-14

Family

ID=55643968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014114914.9A Withdrawn DE102014114914A1 (en) 2014-10-14 2014-10-14 Production of an optoelectronic component

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102014114914A1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015109324A1 (en) * 2015-06-11 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method and arrangement
CN107394024A (en) * 2016-05-11 2017-11-24 日亚化学工业株式会社 The manufacture method of semiconductor element, semiconductor device and semiconductor element
DE102016113514A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
DE102017130476A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
CN112038463A (en) * 2019-06-04 2020-12-04 佛山市国星光电股份有限公司 Ultraviolet LED device and preparation method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for its production
US20070222360A1 (en) * 2004-06-30 2007-09-27 Mitsubishi Chemical Corporation Light Emitting Device, Lighting System, Backlight for Display and Display Using the Same
DE102009058006A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device
DE102012109905A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for its production
US20070222360A1 (en) * 2004-06-30 2007-09-27 Mitsubishi Chemical Corporation Light Emitting Device, Lighting System, Backlight for Display and Display Using the Same
DE102009058006A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device
DE102012109905A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015109324A1 (en) * 2015-06-11 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method and arrangement
CN107394024A (en) * 2016-05-11 2017-11-24 日亚化学工业株式会社 The manufacture method of semiconductor element, semiconductor device and semiconductor element
DE102016113514A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
DE102017130476A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
CN112038463A (en) * 2019-06-04 2020-12-04 佛山市国星光电股份有限公司 Ultraviolet LED device and preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016119002B4 (en) OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTOELECTRONIC DEVICE
DE102008021402B4 (en) Surface mount light emitting diode module and method for manufacturing a surface mount light emitting diode module
EP2901479B1 (en) Optoelectronic component
DE202008018207U1 (en) Assembly with light-emitting device
DE112018005740B4 (en) Production of optoelectronic components and optoelectronic component
DE112015000703B4 (en) Optoelectronic semiconductor component
DE102007021042A1 (en) Light-emitting diode module for light source series
DE102013207308B4 (en) Method for manufacturing an optoelectronic assembly and optoelectronic assembly
DE102015112042B4 (en) Optoelectronic lighting device
DE102013212928A1 (en) Method for producing an optoelectronic component
DE102014114914A1 (en) Production of an optoelectronic component
WO2009079985A2 (en) Optoelectronic component and production method for an optoelectronic component
DE102011011139A1 (en) Method for producing at least one optoelectronic semiconductor component
DE112018000656T5 (en) LED assembly and method of making the same
DE102006015606A1 (en) Semiconductor lamps and light panels with such
DE102005034166A1 (en) Housing for an electromagnetic radiation-emitting optoelectronic component, electromagnetic radiation-emitting component and method for producing a housing or a component
WO2019034737A1 (en) Production of a semiconductor device
DE112016002425T5 (en) Light-emitting device and method for its production
DE102012216552A1 (en) LED lighting device manufacturing method, involves covering LED chip with converter layer, filling matrix material in converter layer, roughening surface of LED chip, and applying adhesion promoter on surface of LED chip
DE102016106833A1 (en) Component with reflector and method for the production of components
EP3424081B1 (en) Csp led module having improved light emission
DE102013220674A1 (en) lighting device
DE102017107834A1 (en) RADIATION-EMITTING COMPONENT
DE102008049399B4 (en) Optoelectronic component, optoelectronic device and method for producing an optoelectronic component
DE102013204293A1 (en) Production of an optoelectronic component

Legal Events

Date Code Title Description
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R163 Identified publications notified
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee