DE102014114096A1 - Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung - Google Patents

Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102014114096A1
DE102014114096A1 DE102014114096.6A DE102014114096A DE102014114096A1 DE 102014114096 A1 DE102014114096 A1 DE 102014114096A1 DE 102014114096 A DE102014114096 A DE 102014114096A DE 102014114096 A1 DE102014114096 A1 DE 102014114096A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tool
support
sintering
lower punch
expansion coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102014114096.6A
Other languages
English (en)
Inventor
wird später genannt werden Erfinder
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Danfoss Silicon Power GmbH
Original Assignee
Danfoss Silicon Power GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Danfoss Silicon Power GmbH filed Critical Danfoss Silicon Power GmbH
Priority to DE102014114096.6A priority Critical patent/DE102014114096A1/de
Priority to CN202110754312.1A priority patent/CN113471089A/zh
Priority to CN201580061144.0A priority patent/CN107004611A/zh
Priority to PCT/EP2015/070621 priority patent/WO2016050467A1/en
Priority to US15/514,622 priority patent/US10818633B2/en
Publication of DE102014114096A1 publication Critical patent/DE102014114096A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/003—Apparatus, e.g. furnaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/12—Both compacting and sintering
    • B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0426—Fixtures for other work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981—Apparatus chuck
    • H01L2224/75985—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981—Apparatus chuck
    • H01L2224/75986—Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75988—Material of the auxiliary member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

Werkzeug (10) für den Unterstempel einer Sintervorrichtung, wobei das Werkzeug (10) eine Auflage (20) für eine zu sinternde, einen Schaltungsträger aufweisende elektronische Baugruppe (30) aufweist, wobei die Auflage (20) aus einem Material mit einem linearen Ausdehnungskoeffizienten gebildet ist, der nahe dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des Schaltungsträgers der elektronischen Baugruppe (30) entspricht.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Werkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung, wobei das Werkzeug eine Auflage für eine zu sinternde elektronische Baugruppe aufweist.
  • Sintervorrichtungen zur Durchführung des Niedertemperatur-Drucksinterns von elektronischen Baugruppen sind bereits bekannt. Diese weisen beispielsweise eine Sinterkammer, die mit einem für den Sintervorgang besonders förderlichen Gas oder einem entsprechenden Gasgemisch gefüllt werden kann, sowie einen in der Sinterkammer angeordneten Oberstempel und eine Unterstempel auf, wobei Ober- und Unterstempel gegeneinander verfahren werden können und bevorzugt jeweils eine eigene Heizeinrichtung aufweisen können.
  • Regelmäßig müssen der Unterstempel und/oder der Oberstempel zur Durchführung spezieller Verfahren oder zur Anpassung an die zu sinternden Produkte besonders ausgeformt sein, sodass üblicherweise mit dem Unterstempel bzw. Oberstempel zu befestigende Werkzeuge vorgesehen sind, die eine einfache Modifikation der gesamten Vorrichtung erlauben.
  • Beispielsweise ist eine Sintervorrichtung zum Sintern elektronischer Baugruppen derart ausgebildet, dass ein Unterstempel mit einem massiven Werkzeug vorgesehen ist, das den ebenen Schaltungsträger trägt und heizt. Ein temperaturbeständiges elastisches Medium des Oberstempelwerkzeugs in Form eines Druckkissens erzeugt einen ansteigenden Druck auf der Oberfläche des Schaltungsträgers, wodurch dieser auf die plane Ablage des Unterstempelwerkzeugs gepresst wird. Das flexible Medium des Druckkissens sorgt für einen quasihydrostatischen Druck nicht nur auf die zu fügenden Bauteile der elektronischen Baugruppe, sondern auf alle Oberflächen des Unterstempelwerkzeugs. Ein massives Unterwerkzeug im quasihydrostatischen Sinterprozess bildet also ein Gegenlager, auf das der Schaltungsträger durch das elastische Medium kraftschlüssig angepresst wird. Über diesen metallischen Kraftschluss wird dem Schaltungsträger auch die Wärmeenergie zugeführt.
  • Nachteilig an dieser Ausgestaltung ist jedoch, dass bei der während des Sintervorgangs herrschenden Temperatur bis 350 °C Spannungsrisse im keramischen Material, das einen Teil der elektronischen Baugruppe bildet, aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des keramischen Materials der elektronischen Baugruppe und des Unterstempels, der beispielsweise aus Edelstahl gefertigt sein kann, auftreten.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Werkzeug für eine Sintervorrichtung zu schaffen, mit dem während des Sintervorgangs erfolgende Risse und Brüche des keramischen Materials vermieden werden.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das Werkzeug für eine Sintervorrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wieder.
  • Grundgedanke der Erfindung ist es, eine Auflage für eine elektronische Baugruppe zu schaffen, wobei die Auflage einen geringen linearen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der demjenigen der elektronischen Baugruppe als ganzes oder dessen Schaltungsträger ähnlich ist. Solch ein linearer Ausdehnungskoeffizient kann ungefähr 11·10–6 K–1 betragen. Dieses bewirkt, dass es bei Temperaturschwankungen zu keinen oder nur sehr geringen Verschiebungen zwischen der elektronischen Baugruppe und der Auflage kommt.
  • Da derartige ausdehnungsarme, also einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizient aufweisende Materialien, wie Molybdän oder Kovar, in der Anschaffung sehr kostenintensiv und auf Grund der Werkstoffeigenschaften sehr schwierig zu bearbeiten sind, wird auf die beanspruchten Ausgestaltungen zurückgegriffen, die eine einfache und arbeitsfreundliche Fertigung des Werkzeugs ermöglichen.
  • Erfindungsgemäß ist also ein Werkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung vorgesehen, wobei das Werkzeug eine Auflage für eine zu sinternde elektronische Baugruppe aufweist oder ausbildet und die Auflage aus einem Material mit einem (bei 20 °C gemessenen) linearen Ausdehnungskoeffizienten von weniger oder gleich 11·10–6 K–1 gebildet ist.
  • Bevorzugt kann die Auflage aus einem Material mit einem (bei 20 °C gemessenen) linearen Ausdehnungskoeffizienten von weniger oder gleich 6·10–6 K–1 gebildet sein.
  • Insbesondere ist die Auflage durch Beschichten wenigstens eines Teilbereichs des Werkzeugs mittels eines thermischen Spritzverfahrens, insbesondere durch Kaltgasspritzen gebildet.
  • Alternativ kann die Auflage als Platte ausgebildet sein, wobei das Werkzeug eine die als Platte ausgebildete Auflage aufnehmende Vertiefung aufweist. In diesem Fall weist die Vertiefung einen in der Wandung oder am Boden der Vertiefung nach Außerhalb des Werkzeug führenden Kanal auf, damit bei Durchführung des Sintervorgangs keine Luft bzw. kein Gas in der Vertiefung eingeschlossen wird und ein Druckausgleich zwischen der Vertiefung und der die Stempelwerkzeuge umgebenden Atmosphäre erfolgen kann.
  • Die als Auflage dienenden Platten sind, um einen effektiven Wärmeübergang zur zu sinternden elektronischen Baugruppe zu gewährleisten, möglichst dünn auszugestalten.
  • Die Oberfläche der als Auflage dienenden Platte kann bevorzugt mit dem Material beschichtet sein. Alternativ ist die Platte jedoch massiv aus dem Material gebildet.
  • Bevorzugt ist das verwendete Material Molybdän oder eine Molybdän aufweisende Legierung ist. Andere Stoffe mit einem gleichfalls niedrigen Ausdehnungskoeffizienten, z.B. das unter dem Handelsnamen Kovar erhältliche Material, sind ebenfalls denkbar.
  • Weiter ist zur Durchführung einer Batch-Bearbeitung bevorzugt vorgesehen, dass das Werkzeug eine Mehrzahl von Auflagen zur Aufnahme von je einer zu sinternden elektronischen Baugruppe aufweist.
  • Schließlich ist erfindungsgemäß auch eine Sintervorrichtung vorgesehen, bei dem der gesamte Unterstempel wie das zuvor beschriebene Werkzeug ausgebildet ist.
  • Die Erfindung wird anhand eines in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. In diesen Zeichnungen zeigt:
  • 1 eine Schnittansicht durch ein erstes bevorzugt ausgestaltetes Ausführungsbeispiels nach der Erfindung;
  • 2 eine Schnittansicht durch ein zweites bevorzugt ausgestaltetes Ausführungsbeispiels nach der Erfindung;
  • 3 eine perspektivische Ansicht eines dritten bevorzugt ausgestalteten Ausführungsbeispiels nach der Erfindung.
  • 1 zeigt ein Werkzeug 10, das eine Vertiefung aufweist, in der eine als Platte ausgebildete Auflage 20 und eine zu sinternde, darauf angeordnete elektronische Baugruppe 30 dargestellt sind. Die Vertiefung im Werkzeug 10 ist so ausgelegt, dass die Auflage 20 und die Baugruppe 30 vollständige von der Vertiefung aufgenommen sind und die Oberfläche der Baugruppe 30 mit der Oberfläche des Werkzeugs 10 bündig abschließen. Dabei kann vorgesehen sein, dass die Auflage 20 in verschiedenen Dicken vorgehalten wird, um unterschiedliche Höhen der Baugruppe 30 auszugleichen.
  • 2 zeigt ein Werkzeug 10, das eine Vertiefung aufweist, in der eine partielle Beschichtung 20a als Schicht am Boden der Vertiefung gebildet ist und eine zu sinternde elektronische Baugruppe, die darauf angeordnet ist. Die Vertiefung im Werkzeug 10 ist derart ausgebildet, dass die partielle Beschichtung 20a und die Baugruppe 30 vollständig in der Vertiefung aufgenommen sind und die Oberfläche der Baugruppe 30 fluchtend mit der Oberfläche des Werkzeugs abschließt. In diesem Fall kann vorgesehen sein, dass die partielle Beschichtung 20a in ihrer Dicke variiert ist, um verschiedene Höhen der Baugruppe 30 zu kompensieren.
  • 3 zeigt ein Werkzeug, das eine Anzahl von Vertiefungen aufweist, in denen eine Mehrzahl von Auflagen 20 entweder als Platten oder als Schicht am Boden der Vertiefungen ausgebildet sind. Die Vertiefungen im Werkzeug 10 sind so eingerichtet, dass es zum Rand des Werkzeugs 10 führende Kanäle gibt.
  • Bei all den dargestellten Ausführungsbeispielen weist das Werkzeug 10, wenn es zugleich der Stempel einer Sintervorrichtung ist, bevorzugt ein (nicht gezeigtes) Heizelement auf.

Claims (11)

  1. Werkzeug (10) für den Unterstempel einer Sintervorrichtung, wobei das Werkzeug (10) eine Auflage (20) für eine zu sinternde, einen Schaltungsträger aufweisende elektronische Baugruppe (30) aufweist, wobei die Auflage (20) aus einem Material mit einem linearen Ausdehnungskoeffizienten gebildet ist, der nahe dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des Schaltungsträgers der elektronischen Baugruppe (30) entspricht.
  2. Werkzeug (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage (20) aus einem Material mit einem bei 20 °C gemessenen linearen Ausdehnungskoeffizienten von kleiner oder gleich 15·10–6 K–1 gebildet ist.
  3. Werkzeug (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage (20) aus einem Material mit einem bei 20 °C gemessenen linearen Ausdehnungskoeffizienten von kleiner oder gleich 11·10–6 K–1 gebildet ist.
  4. Werkzeug (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage (20) durch Beschichten wenigstens eines Teilbereichs des Werkzeugs (10) gebildet ist.
  5. Werkzeug (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage (20) als Platte ausgebildet ist und das Werkzeug (10) eine die als Platte ausgebildete Auflage (20) aufnehmende Vertiefung aufweist.
  6. Werkzeug (10) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der als Auflage (20) dienenden Platte mit dem Material beschichtet ist.
  7. Werkzeug (10) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte massiv aus dem Material gebildet ist.
  8. Werkzeug (10) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefung einen in der Wandung oder am Boden der Vertiefung nach Außerhalb des Werkzeug (10) führenden Kanal aufweist.
  9. Werkzeug (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material Molybdän oder eine Molybdän aufweisende Legierung ist.
  10. Werkzeug (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkzeug (10) eine Mehrzahl von Auflagen (20) aufweist.
  11. Sintervorrichtung (10) mit einem als Werkzeug nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildeten Unterstempel.
DE102014114096.6A 2014-09-29 2014-09-29 Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung Pending DE102014114096A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014114096.6A DE102014114096A1 (de) 2014-09-29 2014-09-29 Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung
CN202110754312.1A CN113471089A (zh) 2014-09-29 2015-09-09 用于烧结装置的下模具的烧结工具
CN201580061144.0A CN107004611A (zh) 2014-09-29 2015-09-09 用于烧结装置的下模具的烧结工具
PCT/EP2015/070621 WO2016050467A1 (en) 2014-09-29 2015-09-09 Sintering tool for the lower die of a sintering device
US15/514,622 US10818633B2 (en) 2014-09-29 2015-09-09 Sintering tool for the lower die of a sintering device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014114096.6A DE102014114096A1 (de) 2014-09-29 2014-09-29 Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014114096A1 true DE102014114096A1 (de) 2016-03-31

Family

ID=54140436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014114096.6A Pending DE102014114096A1 (de) 2014-09-29 2014-09-29 Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10818633B2 (de)
CN (2) CN107004611A (de)
DE (1) DE102014114096A1 (de)
WO (1) WO2016050467A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114097B4 (de) 2014-09-29 2017-06-01 Danfoss Silicon Power Gmbh Sinterwerkzeug und Verfahren zum Sintern einer elektronischen Baugruppe
WO2018215524A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Danfoss Silicon Power Gmbh Arrangement for producing an electronic assembly by sintering

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB496763A (en) 1936-06-15 1938-12-06 Gen Motors Corp Improvements in and relating to composite metallic articles
GB558382A (en) 1943-10-20 1944-01-03 Birmingham Electr Furnaces Ltd Improvements in or relating to electric induction furnaces
US2922092A (en) * 1957-05-09 1960-01-19 Westinghouse Electric Corp Base contact members for semiconductor devices
US2945688A (en) 1958-03-18 1960-07-19 Dyckerhoff Zementwerke Ag Process for manufacturing white cement
US3112388A (en) * 1958-03-24 1963-11-26 Avco Corp Brazing fixture
US2900287A (en) * 1958-07-14 1959-08-18 Honeywell Regulator Co Method of processing semiconductor devices
DE1194884B (de) 1964-04-30 1965-06-16 Beteiligungs & Patentverw Gmbh Verfahren zur Vorreduktion von Sinter und Pellets
CH438497A (de) * 1966-03-11 1967-06-30 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiteranordnung
US3529759A (en) * 1967-06-15 1970-09-22 Bell Telephone Labor Inc Apparatus for bonding a beam-lead device to a substrate
GB1459475A (en) 1974-05-23 1976-12-22 English Electric Co Ltd Manufacture of contact ekements for vacuum interrupters
US3896541A (en) * 1974-09-16 1975-07-29 Western Electric Co Method and apparatus for supporting substrates during bonding
DE2655206C3 (de) 1976-12-06 1980-08-21 Alkem Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zur Einstellung und Regelung gewünschter Redoxpotentiale in Gasen
JPS53118202A (en) 1977-03-25 1978-10-16 Hitachi Zosen Corp Method of minimizing formation of nitrogen oxides in sintering system
JPS5471572A (en) * 1977-11-18 1979-06-08 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US4392153A (en) * 1978-05-01 1983-07-05 General Electric Company Cooled semiconductor power module including structured strain buffers without dry interfaces
DE2855166C2 (de) 1978-12-20 1982-05-27 Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim Verfahren zur Herstellung von oxidischen Kernbrennstoffkörpern
US4257156A (en) * 1979-03-09 1981-03-24 General Electric Company Method for thermo-compression diffusion bonding each side of a substrateless semiconductor device wafer to respective structured copper strain buffers
US4252263A (en) * 1980-04-11 1981-02-24 General Electric Company Method and apparatus for thermo-compression diffusion bonding
US4800421A (en) * 1981-09-01 1989-01-24 Motorola, Inc. Glass bonding means and method
JPS5921032A (ja) * 1982-07-26 1984-02-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用基板
DE3247985C2 (de) * 1982-12-24 1992-04-16 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Keramischer Träger
JPH0744203B2 (ja) * 1987-06-26 1995-05-15 松下電器産業株式会社 ボンデイングツ−ル
DE58908749D1 (de) 1988-03-03 1995-01-26 Siemens Ag Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten und Anordnung zur Durchführung desselben.
EP0330896A3 (de) 1988-03-03 1991-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Befestigen von Halbleiterbauelementen auf Substraten und Anordnungen zur Durchführung desselben
EP0532244B1 (de) * 1991-09-13 1996-12-18 Fuji Electric Co. Ltd. Halbleiteranordnung
US5213248A (en) * 1992-01-10 1993-05-25 Norton Company Bonding tool and its fabrication
US5352629A (en) 1993-01-19 1994-10-04 General Electric Company Process for self-alignment and planarization of semiconductor chips attached by solder die adhesive to multi-chip modules
US5396403A (en) * 1993-07-06 1995-03-07 Hewlett-Packard Company Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate
GB2287897B (en) * 1994-03-31 1996-10-09 Sumitomo Electric Industries A high strength bonding tool and a process for the production of the same
JP3120695B2 (ja) 1995-05-19 2000-12-25 株式会社日立製作所 電子回路の製造方法
SE509570C2 (sv) * 1996-10-21 1999-02-08 Ericsson Telefon Ab L M Temperaturkompenserande organ och förfarande vid montering av elektronik på ett mönsterkort
US6003757A (en) * 1998-04-30 1999-12-21 International Business Machines Corporation Apparatus for transferring solder bumps and method of using
US6821381B1 (en) * 1999-03-16 2004-11-23 Toray Engineering Co., Ltd. Tool for thermo-compression-bonding chips, and chip packaging device having the same
US6390439B1 (en) * 1999-04-07 2002-05-21 International Business Machines Corporation Hybrid molds for molten solder screening process
JP2001036232A (ja) 1999-07-23 2001-02-09 Hitachi Ltd ハンダ除去装置
US6199748B1 (en) * 1999-08-20 2001-03-13 Nova Crystals, Inc. Semiconductor eutectic alloy metal (SEAM) technology for fabrication of compliant composite substrates and integration of materials
US6853074B2 (en) 1999-12-27 2005-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic part, an electronic part mounting element and a process for manufacturing such the articles
TW536768B (en) 2001-08-03 2003-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for fabricating semiconductor-mounting body and apparatus for fabricating semiconductor-mounting body
JP2003347360A (ja) * 2002-05-31 2003-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンディングステージ
US6873039B2 (en) * 2002-06-27 2005-03-29 Tessera, Inc. Methods of making microelectronic packages including electrically and/or thermally conductive element
JP3704113B2 (ja) * 2002-09-26 2005-10-05 住友大阪セメント株式会社 ボンディングステージ及び電子部品実装装置
JP3949072B2 (ja) 2003-03-26 2007-07-25 日機装株式会社 加圧装置
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
WO2004103043A1 (ja) 2003-05-16 2004-11-25 Harima Chemicals, Inc. 銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法
JP3921459B2 (ja) 2003-07-11 2007-05-30 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 電気部品の実装方法及び実装装置
CN100557783C (zh) 2005-02-02 2009-11-04 索尼化学&信息部件株式会社 电气部件的安装装置
JP2006269848A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Hitachi Ltd 半導体装置
JP4770533B2 (ja) 2005-05-16 2011-09-14 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR100634869B1 (ko) * 2005-05-30 2006-10-17 삼성전자주식회사 멀티 다이 접착 장치
DE102005058794A1 (de) 2005-12-09 2007-06-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und getaktetes Verfahren zur Drucksinterverbindung
JP4925669B2 (ja) 2006-01-13 2012-05-09 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 圧着装置及び実装方法
EP2012352A4 (de) 2006-04-24 2012-07-25 Murata Manufacturing Co Elektronische komponente, elektronische komponenteneinrichtung damit und herstellungsverfahren dafür
JP4979288B2 (ja) 2006-07-19 2012-07-18 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 熱圧着ヘッドを用いた実装方法
US7535099B2 (en) 2006-09-26 2009-05-19 Intel Corporation Sintered metallic thermal interface materials for microelectronic cooling assemblies
US7525187B2 (en) 2006-10-13 2009-04-28 Infineon Technologies Ag Apparatus and method for connecting components
JP4895994B2 (ja) 2006-12-28 2012-03-14 株式会社日立製作所 金属粒子を用いた接合方法及び接合材料
JP4361572B2 (ja) 2007-02-28 2009-11-11 株式会社新川 ボンディング装置及び方法
FI119439B (fi) 2007-04-13 2008-11-14 Outotec Oyj Menetelmä ja laitteisto kupari(I)oksidin pelkistämiseksi
JP4974805B2 (ja) 2007-08-10 2012-07-11 トヨタ自動車株式会社 加熱炉および加熱炉の加熱方法
EP2042260B1 (de) 2007-09-28 2013-12-18 Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG Verfahren und Paste zur Kontaktierung von Metallflächen
DE102008009510B3 (de) 2008-02-15 2009-07-16 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern
US7780063B2 (en) * 2008-05-15 2010-08-24 International Business Machines Corporation Techniques for arranging solder balls and forming bumps
US7919851B2 (en) * 2008-06-05 2011-04-05 Powertech Technology Inc. Laminate substrate and semiconductor package utilizing the substrate
JP4454673B2 (ja) 2008-08-01 2010-04-21 株式会社新川 金属ナノインクとその製造方法並びにその金属ナノインクを用いるダイボンディング方法及びダイボンディング装置
DE102008039828A1 (de) 2008-08-27 2010-03-04 W.C. Heraeus Gmbh Steuerung der Porosität von Metallpasten für den druckfreien Niedertemperatursinterprozess
DE102008048869A1 (de) 2008-09-25 2010-04-22 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden zweier Verbindungspartner
DE102009008926B4 (de) 2009-02-13 2022-06-15 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten Verbindung eines Halbleiterbausteins mit einem Verbindungspartner und einer Kontaktlasche unter Verwendung eines temperaturbeaufschlagenden Verfahrens
EP2226838A1 (de) * 2009-03-04 2010-09-08 ABB Research Ltd. Befestigungsvorrichtung für Niedrigtemperatur- und Niedrigdrucksintern
JP5611537B2 (ja) 2009-04-28 2014-10-22 日立化成株式会社 導電性接合材料、それを用いた接合方法、並びにそれによって接合された半導体装置
DE102009040076A1 (de) 2009-09-04 2011-03-10 W.C. Heraeus Gmbh Metallpaste mit Oxidationsmittel
US8735782B2 (en) 2010-04-22 2014-05-27 General Electric Company System for forming brazed joint between tie wire and workpiece, and methods therefor
DE102010020696B4 (de) * 2010-05-17 2012-11-08 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum NTV-Sintern eines drei-dimensionale Konturen aufweisenden Halbleiterbauelementes
JP5525335B2 (ja) 2010-05-31 2014-06-18 株式会社日立製作所 焼結銀ペースト材料及び半導体チップ接合方法
DE102010024053A1 (de) 2010-06-16 2011-12-22 Bayer Materialscience Ag Sauerstoffverzehrelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2012019017A2 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck and methods of use thereof
JP5614217B2 (ja) 2010-10-07 2014-10-29 デクセリアルズ株式会社 マルチチップ実装用緩衝フィルム
KR20120090202A (ko) * 2011-02-07 2012-08-17 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 스테이지 블럭
TWI564106B (zh) * 2011-03-28 2017-01-01 山田尖端科技股份有限公司 接合裝置以及接合方法
JP5410643B1 (ja) 2012-02-20 2014-02-05 株式会社応用ナノ粒子研究所 酸素供給源含有複合ナノ金属ペースト及び接合方法
CN102569110B (zh) 2012-02-27 2014-06-11 天津大学 一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置及方法
US8967453B2 (en) 2012-03-21 2015-03-03 GM Global Technology Operations LLC Methods of bonding components for fabricating electronic assemblies and electronic assemblies including bonded components
TWI556270B (zh) 2012-04-11 2016-11-01 信越化學工業股份有限公司 稀土燒結磁體及製造方法
US9156101B2 (en) 2012-04-25 2015-10-13 Origin Electric Company, Limited Soldering apparatus and manufacturing method of soldered product
JP6029245B2 (ja) 2012-06-29 2016-11-24 東レエンジニアリング株式会社 圧着装置および圧着方法
EP2960930A4 (de) 2013-02-22 2017-07-12 Furukawa Electric Co., Ltd. Verbindungsstruktur und halbleiterbauelement
DE102013003527A1 (de) 2013-03-04 2014-09-04 Danfoss Silicon Power Gmbh Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern, Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern und leistungselektronische Baugruppe
US8822036B1 (en) 2013-03-06 2014-09-02 Ut-Battelle, Llc Sintered silver joints via controlled topography of electronic packaging subcomponents
JP6182082B2 (ja) * 2013-03-15 2017-08-16 日本碍子株式会社 緻密質複合材料、その製法及び半導体製造装置用部材
EP2792642B1 (de) 2013-04-15 2018-02-21 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Sinterpaste mit gecoateten Silberoxid auf schwer sinterbare edlen und unedlen Oberflächen
EP2959990A1 (de) 2014-06-27 2015-12-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Metallzubereitung und deren verwendung zum verbinden von bauelementen
DE102014114095B4 (de) 2014-09-29 2017-03-23 Danfoss Silicon Power Gmbh Sintervorrichtung
DE102014114093B4 (de) 2014-09-29 2017-03-23 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern
DE102014114097B4 (de) 2014-09-29 2017-06-01 Danfoss Silicon Power Gmbh Sinterwerkzeug und Verfahren zum Sintern einer elektronischen Baugruppe
US20170326640A1 (en) 2014-11-03 2017-11-16 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Metal sintering preparation and the use thereof for the connecting of components
US9640468B2 (en) 2014-12-24 2017-05-02 Stmicroelectronics S.R.L. Process for manufacturing a package for a surface-mount semiconductor device and semiconductor device
CA2995658A1 (en) 2017-02-17 2018-08-17 Huys Industries Limited Controlled environment processing apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016050467A1 (en) 2016-04-07
CN113471089A (zh) 2021-10-01
US20170221852A1 (en) 2017-08-03
US10818633B2 (en) 2020-10-27
CN107004611A (zh) 2017-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015120156B4 (de) Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung
DE102014114097B4 (de) Sinterwerkzeug und Verfahren zum Sintern einer elektronischen Baugruppe
EP1796137B1 (de) Vorrichtung und getaktetes Verfahren zur Drucksinterverbindung
DE102010020696B4 (de) Verfahren zum NTV-Sintern eines drei-dimensionale Konturen aufweisenden Halbleiterbauelementes
EP2718094B9 (de) Verfahren und vorrichtung zur ermittlung der druckverteilung zum bonden
DE102010029341A1 (de) Substratträger
WO2014135151A2 (de) Vorrichtung zum niedertemperatur-drucksintern, verfahren zum niedertemperatur-drucksintern und leistungselektronische baugruppe
DE102013103100A1 (de) Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterchips von einer Folie
WO2017137420A2 (de) Sintervorrichtung
DE102012213003A1 (de) Befestigung eines Halbleiterchips in trockenen und druckunterstützten Verbindungsverfahren
EP3618993B1 (de) Verfahren zum herstellen einer lötverbindung von bauteilen unter verwendung von haftmaterial für provisorische verbindung der bauteile
DE102014114096A1 (de) Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung
DE102014004728B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Löten von Fügepartnern
EP3618994B1 (de) Verfahren zum herstellen einer lötverbindung unter verwendung von basis- und andruckplatten und einer anschlagvorrichtung
DE102014215377A1 (de) Verfahren zum Herstellen von doppelseitig metallisierten Keramik-Substraten
DE202016100186U1 (de) Substrathalterung
DE102012111246A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Bonden
DE102011005322A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitersubstrates
DE102017116372B3 (de) Drucksinterverfahren und Druckübertragungseinrichtung hierfür
DE102015113962A1 (de) Substratbehandlungsvorrichtung
DE102020116083B3 (de) Vorrichtung mit einem Werkstückträger zur Drucksinterverbindung eines ersten und zweiten Verbindungspartners und Verfahren zur Drucksinterverbindung dafür
DE102017116373B3 (de) Sinterkomponentenanordnung mit einem ersten und einem zweiten Verbindungspartner und Drucksinterverfahren hiermit
EP3546918A1 (de) Lastverteilungsvorrichtung zum synchronen belasten einer vielzahl von proben mit einer definierten andruckkraft
DE102013021264A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Erwärmung von Metallplatinen
DE102017012209A1 (de) Drucksinterverfahren und Druckübertragungseinrichtung hierfür

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: B22F0003030000

Ipc: H05K0003300000

R082 Change of representative

Representative=s name: LOBEMEIER, MARTIN LANDOLF, DR., DE

R016 Response to examination communication