DE102014104819A1 - Carrier and / or clip for semiconductor elements, semiconductor device and method of manufacture - Google Patents

Carrier and / or clip for semiconductor elements, semiconductor device and method of manufacture Download PDF

Info

Publication number
DE102014104819A1
DE102014104819A1 DE102014104819.9A DE102014104819A DE102014104819A1 DE 102014104819 A1 DE102014104819 A1 DE 102014104819A1 DE 102014104819 A DE102014104819 A DE 102014104819A DE 102014104819 A1 DE102014104819 A1 DE 102014104819A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
clip
carrier
boundary edge
solder
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102014104819.9A
Other languages
German (de)
Inventor
Andreas Hinrich
Reinhard Ditzel
Andreas Klein
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Deutschland GmbH and Co KG filed Critical Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Priority to DE102014104819.9A priority Critical patent/DE102014104819A1/en
Priority to EP15713178.0A priority patent/EP3123502A1/en
Priority to JP2016558343A priority patent/JP2017510991A/en
Priority to US15/129,202 priority patent/US20170110390A1/en
Priority to CN201580014522.XA priority patent/CN106104784A/en
Priority to KR1020167029450A priority patent/KR20160136405A/en
Priority to PCT/EP2015/056599 priority patent/WO2015144835A1/en
Publication of DE102014104819A1 publication Critical patent/DE102014104819A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828Etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517Additional leads
    • H01L23/49524Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452Solder masks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/1012Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/10152Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/10175Flow barriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175Flow barriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/171Frame
    • H01L2924/1715Shape
    • H01L2924/17151Frame comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09036Recesses or grooves in insulating substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107Using laser light

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Träger und/oder Clip für wenigstens ein Halbleiterelement mit wenigstens einer Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement. Die Erfindung zeichnet sich ferner durch wenigstens eine Lötstoppvertiefung (12) mit wenigstens einer Flankenwand (13) aus, insbesondere geraden Flankenwand (13), und einer Begrenzungskante (14), die an die Flankenwand (13) anschließt und die Funktionsfläche (10) zumindest auf einer Seite begrenzt, wobei – die Begrenzungskante (14) einen Vorsprung (15) bildet, der über die Funktionsfläche (10) zum Zurückhalten von Lot vorsteht, und/oder die Flankenwand (13) einen Hinterschnitt (16) zum Zurückhalten von Lot an der Begrenzungskante (14) bildet.The invention relates to a carrier and / or clip for at least one semiconductor element having at least one functional surface (10) for connection to the semiconductor element. The invention is further characterized by at least one Lötstoppvertiefung (12) with at least one flank wall (13), in particular straight flank wall (13), and a boundary edge (14), which adjoins the flank wall (13) and the functional surface (10) at least limited on one side, wherein - the boundary edge (14) forms a projection (15) which projects beyond the functional surface (10) for retaining solder, and / or the flank wall (13) has an undercut (16) for retaining solder forms the boundary edge (14).

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Träger und/oder einen Clip für wenigstens ein Halbleiterelement mit wenigstens einer Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement. Ein Träger der eingangs genannten Art ist beispielsweise aus US 6,577,012 B1 bekannt. The invention relates to a carrier and / or a clip for at least one semiconductor element having at least one functional surface for connection to the semiconductor element. A carrier of the type mentioned is, for example US 6,577,012 B1 known.

Der Träger, auch Leadframe genannt, ist ein lötbarer metallischer Systemträger in Form eines Rahmens zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder anderen elektronischen Komponenten. Der Träger weist eine oder mehrere Funktionsflächen auf, die zur Kontaktierung und Verbindung mit dem Halbleiterelement vorgesehen sind. Das Halbleiterelement wird mit dem Träger auf der Funktionsfläche durch Löten verbunden. Die Verbindung des Halbleiterelements mit den Anschlüssen des Trägers erfolgt entweder durch Bonddrähte oder durch einen oder mehrere Clips. Die Clip-Technologie eignet sich besonders für den Einsatz in der Leistungselektronik im Zusammenhang mit MOSFETs. The carrier, also called leadframe, is a solderable metallic system carrier in the form of a frame for the production of semiconductor components or other electronic components. The carrier has one or more functional surfaces, which are provided for contacting and connection to the semiconductor element. The semiconductor element is connected to the carrier on the functional surface by soldering. The connection of the semiconductor element with the terminals of the carrier takes place either by bonding wires or by one or more clips. The clip technology is particularly suitable for use in power electronics in connection with MOSFETs.

Zur Verbindung des Halbleiterelements mit dem Träger bzw. Leadframe schlägt die eingangs genannte US 6,577,012 B1 vor, mehrere Lötstellen zwischen dem Halbleiterelement und dem Träger vorzusehen. Um zu vermeiden, dass das flüssige Lot unkontrolliert zwischen dem Träger und dem Halbleiterelement verläuft, sind mit Lot benetzbare Flächen auf dem Leadframe vorgesehen. Die benetzbaren Flächen sind von nichtbenetzbaren Flächen begrenzt, die das Lot an den dafür vorgesehen Stellen zurückhalten. Die nichtbenetzbaren Flächen werden entweder dadurch hergestellt, dass die Oberfläche des Trägers in diesem Bereich durch Bearbeitung mit einem Laser oxidiert wird, wodurch die Benetzbarkeit mit Lot heruntergesetzt wird. Alternativ werden aus einem Mehrschicht-Laminat auf dem Träger Bereiche freigelegt, die weniger gut benetzbar als die angrenzenden unbehandelten Bereiche sind. Beispielsweise sind die nichtbenetzbaren Bereiche, die separat freigelegt werden, aus einer Mittelschicht gebildet. For the connection of the semiconductor element with the carrier or leadframe proposes the aforementioned US 6,577,012 B1 to provide multiple solder joints between the semiconductor element and the carrier. In order to avoid that the liquid solder runs uncontrolled between the carrier and the semiconductor element, solder-wettable surfaces are provided on the leadframe. The wettable surfaces are limited by non-wettable surfaces that hold the solder in place. The non-wettable surfaces are prepared either by oxidizing the surface of the support in this region by laser machining, whereby the wettability with solder is lowered. Alternatively, areas which are less wettable than the adjacent untreated areas are exposed from a multi-layer laminate on the support. For example, the non-wettable areas that are exposed separately are formed of a middle layer.

Die so hergestellten Leadframes bieten keine ausreichende Sicherheit dagegen, dass das Lot unkontrolliert verläuft, insbesondere wenn die Oberfläche lediglich mit einem Laser oxidiert wird. Die zweite Möglichkeit der selektiven Freilegung nichtbenetzbarer Schichten ist aufwändig. The lead frames thus produced do not provide sufficient security against the solder running uncontrolled, especially if the surface is only oxidized with a laser. The second option of selectively exposing non-wettable layers is expensive.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Träger oder einen Clip für wenigstens ein Halbleiterelement anzugeben, der jeweils einfach herzustellen ist und eine gute Rückhaltefunktion für das Lot im Bereich der Funktionsfläche bietet. Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zu Grunde, ein Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers bzw. Clips anzugeben. The invention is based on the object of specifying a carrier or a clip for at least one semiconductor element which is easy to manufacture in each case and offers a good retention function for the solder in the area of the functional surface. The invention is further based on the object to provide a semiconductor device and a method for producing a carrier or clip.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit Blick auf den Träger und/oder Clip durch den Gegenstand des Anspruchs 1, mit Blick auf das Halbleiterbauelement durch den Gegenstand des Anspruchs 12 und mit Blick auf das Verfahren durch den Gegenstand des Anspruchs 13 gelöst. According to the invention the object is achieved with regard to the carrier and / or clip by the subject of claim 1, with a view of the semiconductor device by the subject-matter of claim 12 and with regard to the method by the subject-matter of claim 13.

Die Erfindung beruht auf dem Gedanken, einen Träger und/oder einen Clip für wenigstens ein Halbleiterelement mit wenigstens einer Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement anzugeben. Im Rahmen der Erfindung wird also ein Träger mit wenigstens einer Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement sowie gesondert hiervon ein Clip mit wenigstens einer Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement offenbart und beansprucht. Außerdem wird die Anordnung umfassend einen Träger und einen Clip offenbart und beansprucht, wobei jeweils der Träger und der Clip eine Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement aufweisen. The invention is based on the idea of specifying a carrier and / or a clip for at least one semiconductor element having at least one functional surface for connection to the semiconductor element. In the context of the invention, therefore, a carrier with at least one functional surface for connection to the semiconductor element and separately thereof a clip with at least one functional surface for connection to the semiconductor element is disclosed and claimed. In addition, the arrangement comprising a carrier and a clip is disclosed and claimed, wherein in each case the carrier and the clip have a functional surface for connection to the semiconductor element.

Der Träger bzw. der Clip weisen jeweils wenigstens eine Lötstoppvertiefung mit wenigstens einer Flankenwand, insbesondere einer geraden Flankenwand auf. An die Flankenwand schließt sich eine Begrenzungskante an, die die Funktionsfläche zumindest auf einer Seite begrenzt. The carrier or the clip each have at least one Lötstoppvertiefung with at least one flank wall, in particular a straight edge wall. The edge wall is adjoined by a boundary edge which limits the functional area at least on one side.

Für die Rückhaltefunktion werden folgende zwei Merkmale des Trägers bzw. des Clips offenbart, die jeweils für sich genommen die angestrebte Wirkung erreichen, das Lot an definierten Stellen zurückzuhalten. Es ist auch möglich, beide Merkmale miteinander zu kombinieren. For the retention function, the following two features of the carrier or the clip are disclosed, each of which, taken separately, achieve the desired effect of retaining the solder at defined locations. It is also possible to combine both features.

Die Begrenzungskante bildet einen Vorsprung, der über die Funktionsfläche zum Zurückhalten von Lot vorsteht. Der Vorsprung bildet eine mechanische Barriere, die ein unkontrolliertes Verlaufen des Lotes verhindert. Der Vorsprung hat den Vorteil der einfachen Herstellung, beispielsweise durch ein Umformverfahren wie Prägen oder Stanzen oder Fräsen. Außerdem ist die Rückhaltewirkung des Vorsprungs unabhängig von der Lot-Zusammensetzung und damit unabhängig von der Oberflächenspannung des Lotes. The boundary edge forms a projection that projects beyond the function surface for retaining solder. The projection forms a mechanical barrier that prevents uncontrolled bleeding of the solder. The projection has the advantage of simple production, for example by a forming process such as embossing or stamping or milling. In addition, the retention effect of the projection is independent of the solder composition and thus independent of the surface tension of the solder.

Alternativ oder zusätzlich zu dem Vorsprung bildet die Flankenwand einen Hinterschnitt zum Zurückhalten von Lot an der Begrenzungskante. Es hat sich gezeigt, dass die Ausbildung des Hinterschnitts wirksam verhindert, dass Lot in die Lötstoppvertiefung fließt. Die zusätzliche Ausbildung eines Vorsprungs an der Begrenzungskante des Hinterschnitts erhöht die Sicherheit gegen unkontrolliertes Verfließen von Lot weiter. Alternatively or in addition to the projection, the flank wall forms an undercut for retaining solder at the boundary edge. It has been found that the formation of the undercut effectively prevents solder from flowing into the solder stop well. The additional formation of a projection on the boundary edge of the undercut further increases the security against uncontrolled flow of solder on.

Die vorstehend erläuterte Ausgestaltung der Lötstoppvertiefung im Bereich der Begrenzungskante wird sowohl im Zusammenhang mit dem Träger bzw. dem Leadframe und dem Clip offenbart und beansprucht. The above-described embodiment of the solder stop recess in the region of Boundary edge is disclosed and claimed both in connection with the carrier or the leadframe and the clip.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform beträgt die Tiefe der Lötstoppvertiefung von 10% bis 80%, insbesondere von 30% bis 50% der Dicke des Trägers bzw. der Dicke des Clips. Konkret kann die Tiefe der Lötstoppvertiefung von 0,03 mm bis 3 mm, insbesondere von 0,1 mm bis 0,5 mm betragen. Je dicker das Trägermaterial bzw. das Clipmaterial ist, umso geringer ist die prozentuale Lötstoppvertiefung. Je tiefer die Lötstoppvertiefung ausgebildet ist, umso wirksamer kann diese als Reservoir für Lot dienen, das trotz der Ausbildung der Begrenzungskante mit dem Vorsprung bzw. der Ausbildung der Flankenwand als Hinterschnitt die Lötstopp-Barriere überwindet. Damit wird eine zweite Sicherheit gegen ungewolltes Ausbreiten des flüssigen Lots geschaffen. In a preferred embodiment, the depth of the solder stop recess is from 10% to 80%, in particular from 30% to 50% of the thickness of the clip or the thickness of the clip. Concretely, the depth of the solder stop recess may be from 0.03 mm to 3 mm, in particular from 0.1 mm to 0.5 mm. The thicker the carrier material or the clip material, the lower the percentage solder stop recess. The deeper the Lötstoppvertiefung is formed, the more effective this can serve as a reservoir for solder, which overcomes the solder-stop barrier despite the formation of the boundary edge with the projection or the formation of the edge wall as an undercut. This creates a second security against unwanted spreading of the liquid solder.

Die Breite der Lötstoppvertiefung kann von 0,05 mm bis 2 mm, insbesondere von 0,3 mm bis 1,2 mm betragen. Auch hier gilt, dass mit zunehmender Breite ein größeres Volumen zur Verfügung gestellt wird, das als zweite Sicherheitsbarriere dient. The width of the solder stop recess may be from 0.05 mm to 2 mm, in particular from 0.3 mm to 1.2 mm. Here, too, a larger volume is made available as the width increases, which serves as the second safety barrier.

Die Höhe des Vorsprungs kann von 5% bis 80% der Dicke des Trägers bzw. der Dicke des Clips, insbesondere von 10% bis 30% der Dicke des Trägers bzw. der Dicke des Clips betragen. Je höher der Vorsprung ausgebildet ist, umso wirksamer ist die Sicherheit, dass das Lot an den dafür vorgesehenen Stellen im Bereich der Funktionsfläche zurückgehalten wird. The height of the projection may be from 5% to 80% of the thickness of the carrier or the thickness of the clip, in particular from 10% to 30% of the thickness of the carrier or the thickness of the clip. The higher the projection is formed, the more effective is the certainty that the solder will be retained at the designated locations in the area of the functional surface.

Die Lötstoppvertiefung kann einen trapezförmigen Querschnitt aufweisen, wobei die längere Grundseite des trapezförmigen Querschnitts die Öffnung bildet. Das bedeutet, dass die Lötstoppvertiefung sich in das Material hinein verjüngt. Alternativ kann die Lötstoppvertiefung einen keilförmigen Querschnitt aufweisen. Der keilförmige Querschnitt ist ebenfalls zur Oberseite des Trägers bzw. des Clips geöffnet. Die vorstehend genannten Querschnitte der Lötstoppvertiefung können durch ein Prägeverfahren einfach hergestellt werden. Durch das Prägeverfahren im Zusammenhang mit den genannten Querschnitten bildet sich an der Begrenzungskante ein Vorsprung in Form einer Wulst durch das beim Prägen verdrängte Material. Je nach Prägetiefe und Breite der Prägung sowie in Abhängigkeit vom Querschnitt kann die Höhe und Form der Wulst bestimmt werden. The Lötstoppveriefung may have a trapezoidal cross section, wherein the longer base side of the trapezoidal cross section forms the opening. This means that the solder stop recess tapers into the material. Alternatively, the Lötstoppvertiefung have a wedge-shaped cross-section. The wedge-shaped cross-section is also open to the top of the carrier or the clip. The above-mentioned cross sections of the solder stop recess can be easily manufactured by an embossing method. By the embossing method in connection with the mentioned cross sections, a projection in the form of a bead forms at the boundary edge through the material displaced during embossing. Depending on the embossing depth and width of the embossing and depending on the cross section, the height and shape of the bead can be determined.

Andere Querschnittsformen, die zu einer Wulstbildung führen, sind möglich. Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind mehrere Lötstoppvertiefungen, insbesondere 2 bis 10 Lötstoppvertiefungen parallel nebeneinander auf derselben Seite der Funktionsfläche angeordnet, wobei die Begrenzungskante an der ersten Lötstoppvertiefung ausgebildet ist und unmittelbar an die Funktionsfläche angrenzt. Die Mehrfach-Anordnung der Lötstoppvertiefungen erhöht die Sicherheit gegen ungewolltes Verfließen des Lotes, weil die der ersten Begrenzungskante nachgeordneten Lötstoppvertiefungen weitere Begrenzungskanten bilden, die jeweils von dem Lot überwunden werden müssten, damit das Lot über den Bereich der Funktionsfläche hinaus fließen kann. Other cross-sectional shapes that lead to beading are possible. In a further preferred embodiment, a plurality of solder-stop recesses, in particular 2 to 10 solder-stop recesses, are arranged parallel to one another on the same side of the functional surface, wherein the boundary edge is formed on the first solder-stop recess and directly adjoins the functional surface. The multiple arrangement of Lötstoppveriefungen increases security against unwanted flow of solder, because the first boundary edge downstream Lötstoppveriefungen form further boundary edges, which would have to be overcome in each case by the solder, so that the solder can flow beyond the area of the functional area.

Wenn die Funktionsfläche am Rand des Trägers angeordnet ist, kann eine einzige Lötstoppvertiefung auf der dem Rand gegenüberliegenden Seite der Funktionsfläche ausreichen. Es können auch mehrere Lötstoppvertiefungen auf verschiedenen, insbesondere gegenüberliegenden Seiten der Funktionsfläche angeordnet sein, so dass die Rückhaltefunktion in verschiedenen Richtungen des Trägers bzw. des Clips wirkt. If the functional surface is arranged on the edge of the carrier, a single solder stop recess on the opposite side of the functional surface can be sufficient. It is also possible for a plurality of solder stop depressions to be arranged on different, in particular opposite, sides of the functional surface, so that the retaining function acts in different directions of the carrier or of the clip.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform beträgt ein spitzer Winkel zwischen einer Bezugsebene senkrecht zum Träger bzw. zum Clip und der Flankenwand des Hinterschnitts von 5° bis 45°, insbesondere von 10° bis 30°. Es hat sich gezeigt, dass in diesen Winkelbereichen eine Verbesserung der Rückhaltefunktion der Lötstoppvertiefung erreicht wird. In a particularly preferred embodiment, an acute angle between a reference plane perpendicular to the carrier or to the clip and the flank wall of the undercut of 5 ° to 45 °, in particular from 10 ° to 30 °. It has been found that an improvement in the retention function of the solder stop recess is achieved in these angular ranges.

Die Begrenzungskante der Flankenwand des Hinterschnitts kann eine wulstfreie, scharfe Kante bilden. Die scharfe Kante verbessert die Wirkung der Oberflächenspannung und damit die Rückhaltefunktion der Lötstoppvertiefung. The boundary edge of the flank wall of the undercut can form a bead-free, sharp edge. The sharp edge improves the effect of surface tension and thus the retention function of the solder stop recess.

Alternativ kann die Begrenzungskante der Flankenwand des Hinterschnitts einen Vorsprung bilden. In diesem Fall wird das Lot mechanisch durch den Vorsprung zurückgehalten. Alternatively, the boundary edge of the flank wall of the undercut may form a projection. In this case, the solder is mechanically retained by the projection.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführung ist die Lötstoppvertiefung geprägt oder gestanzt. Damit kann auf einfache Weise und entsprechend kostengünstig die Lötstoppvertiefung mit der an der Begrenzungskante ausgebildeten Wulst als eine Möglichkeit des Vorsprunges hergestellt werden Des Weiteren kann die Lötstoppvertiefung lasergeschnitten oder gefräst sein. In a particularly preferred embodiment, the Lötstoppveriefung is embossed or stamped. Thus, in a simple manner and correspondingly inexpensive, the solder-stop recess with the bead formed on the boundary edge can be produced as a possibility of the projection. Furthermore, the solder-stop recess can be laser-cut or milled.

Ferner wird ein Halbleiterbauelement mit einem Träger und/oder Clip nach Anspruch 1 sowie mit wenigstens einem Halbleiterelement offenbart und beansprucht, das auf der Funktionsfläche des Trägers bzw. des Clips angeordnet und mit dem Träger und/oder Clip verbunden ist. Eine Kante des Halbleiterelements liegt an der Begrenzungskante der Lötstoppvertiefung an. Alternativ kann die Kante des Halbleiterelements von der Lötstoppvertiefung beabstandet angeordnet sein. Dies bedeutet, dass die Kante des Halbleiterelements nicht über die Begrenzungskante der Lötstoppvertiefung hinausragt. Das Halbleiterelement überlappt nicht die Lötstoppvertiefung. Dadurch wird sicher erreicht, dass kein Lot entlang der Unterseite des Halbleiterelements über die Begrenzungskante gelangt und ungewollt in die Lötstoppvertiefung fließen kann. Furthermore, a semiconductor device with a carrier and / or clip according to claim 1 and with at least one semiconductor element is disclosed and claimed, which is arranged on the functional surface of the carrier or the clip and connected to the carrier and / or clip. An edge of the semiconductor element abuts against the boundary edge of the solder stop recess. Alternatively, the edge of the semiconductor element may be spaced from the solder stop recess. This means that the Edge of the semiconductor element does not protrude beyond the boundary edge of the Lötstoppveriefung. The semiconductor element does not overlap the solder stop recess. This ensures that no solder passes along the underside of the semiconductor element over the boundary edge and can flow unintentionally into the solder stop recess.

Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Trägers und/oder Clips für wenigstens ein Halbleiterelement ist vorgesehen, dass der Träger und/oder Clip strukturiert, insbesondere durch Stanzen strukturiert wird, wobei eine Funktionsfläche zur Verbindung mit dem Halbleiterelement gebildet wird. In the method for producing a carrier and / or clip for at least one semiconductor element, it is provided that the carrier and / or clip is structured, in particular structured by punching, wherein a functional surface is formed for connection to the semiconductor element.

Dabei wird wenigstens eine Lötstoppvertiefung mit einer Begrenzungskante zumindest auf einer Seite der Funktionsfläche mit einem Stempel in den Träger bzw. in den Clip geprägt oder gestanzt. Der Stempel bildet beim Prägen oder beim Stanzen einen Vorsprung an der Begrenzungskante aus dem Material des Trägers bzw. dem Material des Clips. Der Vorsprung in der Form eines Wulstes wird durch Verdrängen des Materials im Bereich der Begrenzungskante beim Umformen gebildet. In this case, at least one Lötstoppvertiefung is embossed or punched with a boundary edge at least on one side of the functional surface with a stamp in the carrier or in the clip. The punch forms a projection on the boundary edge of the material of the carrier or the material of the clip when embossing or punching. The projection in the form of a bead is formed by displacing the material in the region of the boundary edge during forming.

Dabei kommt es im Rahmen der Erfindung darauf an, dass der Vorsprung bzw. die Wulst an der Begrenzungskante erhalten und im Herstellungsprozess nicht entfernt, beispielsweise weggeätzt oder abgeschliffen wird. It is important in the context of the invention that the projection or the bead obtained at the boundary edge and not removed in the manufacturing process, for example, etched away or abraded.

Alternativ oder zusätzlich wird wenigstens eine Lötstoppvertiefung mit einer Flankenwand zumindest auf einer Seite der Funktionsfläche mit einem Laserstrahl geschnitten oder mit einem Stempel in den Träger bzw. den Clip geprägt oder gestanzt. Der Schneidwinkel des Laserstrahls oder der Eintauchwinkel des Stempels wird derart eingestellt, dass die Flankenwand einen Hinterschnitt bildet. Sowohl durch den Laserstrahl als auch durch den Stempel kann bei geeigneter Verfahrensführung ein scharfkantiger Hinterschnitt erzeugt werden, der die Rückhaltefunktion durch die Oberflächenspannung des Lotes verbessert. Der scharfkantige Hinterschnitt durch Prägen wird dadurch erzeugt, dass im Bereich der Begrenzungskante ein Niederhalter auf dem Träger bzw. Clip aufliegt, der die Wulstbildung verhindert, so dass der Übergang von der geneigten Flanke der Lötstoppvertiefung auf die Oberseite des Trägers bzw. des Clips scharfkantig erfolgt. Es ist auch möglich, falls gewünscht, den Hinterschnitt mit verrundetem Übergang zu erzeugen. Alternatively or additionally, at least one Lötstoppvertiefung with a flank wall cut at least on one side of the functional surface with a laser beam or stamped or punched with a stamp in the carrier or the clip. The cutting angle of the laser beam or the plunge angle of the punch is adjusted so that the flank wall forms an undercut. Both by the laser beam and by the punch, a sharp-edged undercut can be generated with suitable process control, which improves the retention function by the surface tension of the solder. The sharp-edged undercut by embossing is produced by the fact that in the region of the boundary edge a hold-down rests on the carrier or clip, which prevents the formation of beads, so that the transition from the inclined flank of the solder stop recess on the top of the carrier or the clip is sharp-edged , It is also possible, if desired, to create the undercut with rounded transition.

Alternativ oder zusätzlich kann die Lötstoppvertiefung in den Träger und/oder Clip gefräst werden. Alternatively or additionally, the solder stop recess can be milled into the carrier and / or clip.

Vorzugsweise wird nach dem Prägen oder Stanzen oder Fräsen der Lötstoppvertiefung mit dem Stempel zur Ausbildung des Vorsprungs an der Begrenzungskante eine Umformvertiefung neben der Begrenzungskante in den Träger bzw. in den Clip geprägt oder gestanzt. Die Umformvertiefung verschiebt die Begrenzungskante und eine sich von der Begrenzungskante erstreckende Flankenwand der Lötstoppvertiefung zur Ausbildung des Hinterschnitts. Alternativ kann eine senkrechte Lötstoppvertiefung (d.h. ohne Hinterschnitt) mit einem Laser in den Träger und/oder Clip geschnitten werden, bevor die Umformvertiefung eingebracht wird. Preferably, after embossing or stamping or milling the solder stop recess with the stamp to form the projection on the boundary edge, a forming recess is embossed or punched next to the boundary edge in the carrier or in the clip. The forming recess displaces the boundary edge and a flank wall of the solder stop recess extending from the boundary edge to form the undercut. Alternatively, a vertical solder stop pit (i.e., without undercut) may be laser cut into the carrier and / or clip before the forming pit is inserted.

Das Verfahren zur Ausbildung der Lötstoppvertiefung eignet sich besonders gut in Verbindung mit einem Stanzverfahren zur Herstellung des Trägers bzw. des Clips, beispielsweise gemäß DE 10 2011 010 984 B4 . Bei dem Stanzverfahren wird ein Laminat aus wenigstens zwei Folien hergestellt, bei denen zumindest eine erste Folie strukturiert und anschließend mit zumindest einer zweiten Folie laminiert wird. Der Kern des Verfahrens besteht darin, dass zumindest die zweite Folie mit wenigstens einem Werkzeug in einem einzigen Arbeitsschritt gestanzt und gleichzeitig mit der strukturierten ersten Folie laminiert wird, wobei die Folien zumindest zeitweise zu dem wenigstens einen Werkzeug gefördert werden. The method for forming the Lötstoppveriefung is particularly well in connection with a stamping method for producing the carrier or the clip, for example according to DE 10 2011 010 984 B4 , In the stamping process, a laminate of at least two films is produced in which at least one first film is patterned and subsequently laminated with at least one second film. The core of the method is that at least the second film is punched with at least one tool in a single step and simultaneously laminated with the structured first film, the films are at least temporarily promoted to the at least one tool.

Zusätzlich oder alternativ zum Laminieren kann die Oberfläche des Trägers bzw. des Clips zur Herstellung der Lötstoppvertiefung geprägt oder gestanzt oder gefräst werden. In addition to or as an alternative to lamination, the surface of the carrier or of the clip can be embossed or punched or milled to produce the solder stop recess.

Damit erfolgen sowohl das Stanzen des Trägers an sich als auch die Modifikation der Oberfläche des Trägers mit ein und demselben Werkzeug, das beide Schritte, d.h. das Stanzen des Trägers und das Prägen der Oberfläche des Trägers, ausführen kann. Dasselbe gilt für den Clip. Thus, both the stamping of the carrier per se and the modification of the surface of the carrier take place with one and the same tool, both steps, i. punching the carrier and embossing the surface of the carrier. The same applies to the clip.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen mit weiteren Einzelheiten unter Bezug auf die beigefügten schematischen Zeichnungen näher erläutert. The invention will be explained in more detail by means of embodiments with further details with reference to the accompanying schematic drawings.

In diesen zeigen: In these show:

1a eine Draufsicht auf einen Träger nach einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel mit einer trapezförmigen Lötstoppvertiefung; 1a a top view of a carrier according to an embodiment of the invention with a trapezoidal Lötstoppveriefung;

1b eine Seitenansicht des Trägers gemäß 1a; 1b a side view of the carrier according to 1a ;

2a eine Draufsicht auf einen Träger nach einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel mit einer keilförmigen Lötstoppvertiefung; 2a a plan view of a carrier according to an embodiment of the invention with a wedge-shaped Lötstoppveriefung;

2b eine Seitenansicht des Trägers gemäß 2a; 2 B a side view of the carrier according to 2a ;

3 eine Detailansicht des Vorsprungs an der Begrenzungskante der Lötstoppvertiefung; 3 a detail view of the projection on the boundary edge of the solder stop recess;

4a eine Variante des Trägers gemäß 2a, bei der mehrere Lötstoppvertiefungen vorgesehen sind; 4a a variant of the carrier according to 2a in which a plurality of solder stop recesses are provided;

4b eine Seitenansicht des Trägers gemäß 4a 4b a side view of the carrier according to 4a

5a Schritt 1 der Herstellung des Hinterschnitts der Lötstoppvertiefung; 5a step 1 the production of the undercut of the Lötstoppveriefung;

5b Schritt 2 der Herstellung des Hinterschnitts der Lötstoppvertiefung; und 5b step 2 the production of the undercut of the Lötstoppveriefung; and

6 ein alternatives Verfahren zur Herstellung des Hinterschnitts der Lötstoppvertiefung. 6 an alternative method of making the undercut of the solder stop well.

In den 1a, 1b ist ein Träger, d.h. ein Leadframe für ein Halbleiterelement gezeigt, der eine (in 1a, 1b auf der rechten Seite) Funktionsfläche 10 aufweist, die zur Verbindung mit einem Halbleiterelement vorgesehen ist. Die Verbindung mit dem Halbleiterelement erfolgt durch Löten. Die Fläche des Halbleiterelements ist so groß wie die Funktionsfläche 10 oder etwas kleiner. Dadurch wird vermieden, dass das Halbleiterelement über die Funktionsfläche 10 in die in dem Bereich der Lötstoppvertiefung 12 hineinragt. Die Lötstoppvertiefung 12 begrenzt die Funktionsfläche 10 und bildet eine wirkungsvolle Barriere gegen ungewolltes Verfließen des flüssigen Lots. In the 1a . 1b is a carrier, ie a leadframe for a semiconductor element shown having a (in 1a . 1b on the right side) functional area 10 which is provided for connection to a semiconductor element. The connection to the semiconductor element is carried out by soldering. The area of the semiconductor element is as large as the functional area 10 or something smaller. This avoids that the semiconductor element on the functional surface 10 into the area of the solder stop recess 12 protrudes. The solder stop recess 12 limits the functional area 10 and forms an effective barrier against unwanted flow of the liquid solder.

Dazu weist die Lötstoppvertiefung 12 eine gerade Flankenwand 13 auf, konkret zwei gerade Flankenwände 13, die jeweils geneigt sind. Der Querschnitt der Lötstoppvertiefung ist trapezförmig, wobei die längere Grundlinie der trapezförmigen Lötstoppvertiefung 12 deren Öffnung bildet. Mit anderen Worten verjüngt sich die Lötstoppvertiefung 12. Der Übergang von der in 1a, 1b rechten Flanke 13 zur Funktionsfläche 10 wird durch die Begrenzungskante 14 gebildet, die an die Flankenwand 13 anschließt und die Funktionsfläche 10 auf einer Seite begrenzt. For this purpose, the Lötstoppvertiefung 12 a straight flank wall 13 on, in fact two straight flank walls 13 , which are each inclined. The cross section of the solder stop pit is trapezoidal, with the longer baseline of the trapezoidal solder stop pit 12 whose opening forms. In other words, the solder stop recess tapers 12 , The transition from the in 1a . 1b right flank 13 to the functional area 10 is through the boundary edge 14 formed on the flank wall 13 connects and the functional area 10 limited to one side.

Ziel der Vertiefung ist es in erster Linie, bei der Herstellung der Vertiefung die Begrenzungskante 14 so zu modellieren, dass diese als Barriere für das Lot wirkt. Dies schließt nicht aus, dass die Vertiefung als zweite Barriere für das Lot fungiert und sich teilweise mit Lot füllen kann. Bestimmungsgemäß soll aber vermieden werden, dass das Lot die Begrenzungskante 14 überwindet. The aim of the recess is, in the first place, in the production of the depression, the boundary edge 14 model so that it acts as a barrier to the solder. This does not exclude that the depression acts as a second barrier to the solder and can partially fill with solder. As intended, it should be avoided that the solder the boundary edge 14 overcomes.

Eine Variante der Lötstoppvertiefung 12 ist in 2a, 2b dargestellt, bei der die Vertiefung 12 einen keilförmigen Querschnitt aufweist. Auch dieser Querschnitt weist zwei geneigte Flanken auf, die im Grund der Vertiefung 12 spitz zusammenlaufen, wie in 2b gut zu sehen. Die Begrenzungskante 14 an der in 2b rechten Flankenwand 13 begrenzt zugleich die Funktionsfläche 10 auf einer Seite. A variant of the solder stop recess 12 is in 2a . 2 B shown at the recess 12 has a wedge-shaped cross-section. This cross section also has two inclined flanks, which in the bottom of the recess 12 to converge pointedly, as in 2 B good to see. The boundary edge 14 at the in 2 B right flank wall 13 limited at the same time the functional area 10 on one side.

Die Rückhaltefunktion der Begrenzungskante 14 wird durch einen Vorsprung, konkret durch eine Wulst 15 erreicht, die durch das Prägen der Lötstoppvertiefung 12 an der Begrenzungskante 14 aufgeworfen wird. Wie in 3 gut zu sehen, ragt die Wulst 15 bzw. allgemein der Vorsprung 15 über die Funktionsfläche 10 vor und bildet so eine Barriere, die wirksam das Lot im Bereich der Funktionsfläche 10 zurückhält. Die Höhe der Barriere bzw. der Wulst 15 wird durch den Umformvorgang bestimmt. Je mehr Material beim Prägen verdrängt wird, umso höher wird die Wulst 15 bzw. der Vorsprung. Die Wulst 15 wird bei den Ausführungsbeispielen 1–2 nicht entfernt, sondern ist ein wichtiges Merkmal des endgefertigten Trägers bzw. Leadframes. The retention function of the boundary edge 14 is by a projection, concretely by a bead 15 achieved by embossing the Lötstoppvertiefung 12 at the boundary edge 14 is raised. As in 3 good to see, the bead sticks out 15 or generally the lead 15 over the functional area 10 and thus forms a barrier that effectively affects the solder in the area of the functional area 10 restrains. The height of the barrier or the bead 15 is determined by the forming process. The more material that is displaced during embossing, the higher the bead becomes 15 or the lead. The bead 15 is not removed in Embodiments 1-2, but is an important feature of the finished carrier or leadframe.

Alle Merkmale gemäß 1a, 1b und 2a, 2b werden auch im Zusammenhang mit einem Clip für ein Halbleiterelement offenbart und beansprucht. All features according to 1a . 1b and 2a . 2 B are also disclosed and claimed in the context of a clip for a semiconductor element.

Der Clip dient wie die Bonding-Drähte dazu, das Halbleiterelement in geeigneter Weise elektrisch anzuschließen. Die Verbindung zwischen dem Halbleiterelement und dem Clip erfolgt wie bei dem Träger durch Löten. Der Lötstopp, der im Zusammenhang mit dem Träger offenbart und beschrieben ist, wird deshalb auch im Zusammenhang mit dem Clip offenbart und beschrieben. The clip serves as the bonding wires to electrically connect the semiconductor element in a suitable manner. The connection between the semiconductor element and the clip takes place as in the carrier by soldering. The solder stop disclosed and described in connection with the carrier is therefore also disclosed and described in connection with the clip.

Eine Variante der Lötstoppvertiefung gemäß 2a, 2b ist in 4a und 4b dargestellt. Der Unterschied zu 2a besteht darin, dass in 2a eine einzige Lötstoppvertiefung 12 vorgesehen ist, die den Funktionsbereich 10 begrenzt, wohingegen in 4a, 4b mehrere keilförmige Lötstoppvertiefungen 12 auf derselben Seite des Funktionsbereichs 10 vorgesehen ist, die sägezahnförmig aneinandergrenzen. Dadurch wird die Sicherheit gegen ungewolltes Verfließen des Lotes weiter erhöht. A variant of the solder stop recess according to 2a . 2 B is in 4a and 4b shown. The difference to 2a is that in 2a a single solder stop recess 12 is provided, which is the functional area 10 limited, whereas in 4a . 4b several wedge-shaped solder stop depressions 12 on the same side of the functional area 10 is provided, the sawtooth contiguous. As a result, the security against unwanted flow of the solder is further increased.

Eine weitere Möglichkeit der Lötstoppvertiefung 12 ist in 5a, 5b dargestellt. Dabei wird ein Hinterschnitt 16 im Träger bzw. im Clip ausgebildet. Unter einem Hinterschnitt bzw. einer Hinterschneidung wird ein Tiefenprofil verstanden, das eine obere Kante, d.h. die Begrenzungskante 14 aufweist, die bezogen auf eine vertikale Ebene weiter vorsteht als eine untere Kante, konkret die Kante zum Übergang des Bodens der Vertiefung 12. Mit anderen Worten springt die geneigte Flanke 13 an der Begrenzungskante 14 nach hinten und schattet den Bereich den Bereich der Lötstoppvertiefung 12 direkt unterhalb der Begrenzungskante 14 ab. Auf diese Weise kann ein scharfkantiger Übergang von der Funktionsfläche 10 auf die an der Funktionsfläche 10 anliegenden geneigte Flankenwand 13 gebildet werden, wie im Beispiel gemäß 6 dargestellt. Another possibility of the solder stop recess 12 is in 5a . 5b shown. This will be an undercut 16 formed in the carrier or in the clip. Under an undercut or an undercut is understood to mean a depth profile, which is an upper edge, ie the boundary edge 14 has, with respect to a vertical plane protrudes further than a lower edge, specifically the edge to the transition of the bottom of the recess 12 , In other words, the inclined flank jumps 13 at the boundary edge 14 back and shadows the area the area of the solder stop pit 12 directly below the boundary edge 14 from. In this way, a sharp-edged transition from the functional surface 10 on the at the functional area 10 adjacent inclined flank wall 13 be formed as in the example according to 6 shown.

Alternativ kann, wie durch die Verfahrensschritte gemäß 5a, 5b ermöglicht, eine Wulst an der Begrenzungskante 14 des Hinterschnitts 16 gebildet sein. Dazu wird im ersten Schritt gemäß 5a eine Lötstoppvertiefung 16 mit trapezförmigem Querschnitt (siehe auch 1a, 1b) in den Träger eingeprägt. Dabei bildet sich die in 3 gezeigte Wulst an der Begrenzungskante 14 zur Funktionsfläche 10 hin. Im zweiten Schritt gemäß 5b wird eine Umformvertiefung 17 in den Träger nahe der Begrenzungskante 14 eingebracht. Die Umformvertiefung 17 verdrängt das Material zwischen der Umformvertiefung und der Begrenzungskante 14 der Lötstoppvertiefung 12. Dadurch kommt es zu einer Bewegung der Begrenzungskante 14 einschließlich der sich an die Begrenzungskante 14 anschließenden, geneigten Flankenwand, so dass diese nach innen in die Lötstoppvertiefung 16 hinein gedrängt wird. Die ursprünglich (siehe 5a) nach außen geneigte Flankenwand 13 wird durch den Verdrängungseffekt der Umformvertiefung 17 umgeklappt und neigt sich, wie in 5b zu sehen, nach innen in die Lötstoppvertiefung 12 hinein. Dadurch wird der vorstehend erläuterte Hinterschnitt bzw. die Hinterschneidung gebildet. Alternatively, as shown by the method steps according to 5a . 5b allows a bead at the boundary edge 14 of the undercut 16 be formed. This is done in the first step according to 5a a solder stop recess 16 with trapezoidal cross section (see also 1a . 1b ) imprinted in the carrier. This forms the in 3 shown bead at the boundary edge 14 to the functional area 10 out. In the second step according to 5b becomes a forming recess 17 in the vehicle near the boundary edge 14 brought in. The forming recess 17 displaces the material between the forming recess and the boundary edge 14 the solder stop recess 12 , This leads to a movement of the boundary edge 14 including at the boundary edge 14 following, inclined flank wall, so that these inward in the Lötstoppvertiefung 16 is pushed into it. The original (see 5a ) inclined flank wall 13 is due to the displacement effect of the forming recess 17 folded over and tips, as in 5b to see inside in the solder stop recess 12 into it. As a result, the above-explained undercut or undercut is formed.

Eine alternative Möglichkeit der Herstellung der Hinterschneidung ist in 6 gezeigt. Dazu wird ein geneigter Stempel 18 verwendet, der unter einem Winkel bezogen auf die Oberfläche des Trägers in diese eintaucht. Der spitze Stempel 18 prägt die gewünschte Lötstoppvertiefung 12 in das Material des Trägers bzw. des Clips unter Bildung des Hinterschnitts 16 im Bereich der Stempelspitze ein. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird eine besonders scharfe Begrenzungskante 14 gebildet. Dies liegt an dem Niederhalter 19, der verhindert, dass im Bereich der Begrenzungskante 14 Material aufgeworfen wird. An alternative way of making the undercut is in 6 shown. This is a tilted stamp 18 used, which dips at an angle with respect to the surface of the carrier in this. The pointed stamp 18 stamps the desired solder stop recess 12 in the material of the carrier or the clip to form the undercut 16 in the area of the stamp tip. In this embodiment, a particularly sharp boundary edge 14 educated. This is due to the hold-down 19 that prevents in the area of the boundary edge 14 Material is thrown up.

Das vorstehend erläuterte Verfahren hat den Vorteil, dass dieses einfach und schnell mit einem Stanzverfahren zur Herstellung des Trägers kombiniert werden kann. Dazu können die für das Stanzen vorgesehenen Werkzeuge so umgerüstet werden, dass diese in einem 2-Schritt-Verfahren zunächst den Träger ausstanzen und dann im nächsten Schritt die gewünschte Prägestruktur in die Oberfläche einbringen, um den Lötstopp bzw. die Lötstoppvertiefung auszubilden. The above-described method has the advantage that it can be easily and quickly combined with a stamping process for producing the carrier. For this purpose, the tools provided for punching can be converted such that they first punch out the carrier in a two-step process and then introduce the desired embossed structure into the surface in the next step in order to form the solder stop or the solder stop recess.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

10 10
Funktionsfläche functional surface
12 12
Lötstoppvertiefung Lötstoppvertiefung
13 13
Flankenwand edge wall
14 14
Begrenzungskante boundary edge
15 15
Vorsprung/Wulst Projection / bead
16 16
Hinterschnitt undercut
17 17
Umformvertiefung Umformvertiefung
18 18
Stempel stamp
19 19
Niederhalter Stripper plate

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 6577012 B1 [0001, 0003] US 6577012 B1 [0001, 0003]
  • DE 102011010984 B4 [0030] DE 102011010984 B4 [0030]

Claims (14)

Träger und/oder Clip für wenigstens ein Halbleiterelement mit wenigstens einer Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement, gekennzeichnet durch wenigstens eine Lötstoppvertiefung (12) mit wenigstens einer Flankenwand (13), insbesondere geraden Flankenwand (13), und einer Begrenzungskante (14), die an die Flankenwand (13) anschließt und die Funktionsfläche (10) zumindest auf einer Seite begrenzt, wobei – die Begrenzungskante (14) einen Vorsprung (15) bildet, der über die Funktionsfläche (10) zum Zurückhalten von Lot vorsteht, und/oder – die Flankenwand (13) einen Hinterschnitt (16) zum Zurückhalten von Lot an der Begrenzungskante (14) bildet. Support and / or clip for at least one semiconductor element with at least one functional surface ( 10 ) for connection to the semiconductor element, characterized by at least one solder stop recess ( 12 ) with at least one flank wall ( 13 ), in particular straight flank wall ( 13 ), and a boundary edge ( 14 ) attached to the flank wall ( 13 ) and the functional area ( 10 ) bounded on at least one side, wherein - the boundary edge ( 14 ) a lead ( 15 ) formed over the functional area ( 10 ) protrudes to retain solder, and / or - the flank wall ( 13 ) an undercut ( 16 ) for retaining solder at the boundary edge ( 14 ). Träger und/oder Clip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der Lötstoppvertiefung (12) von 10% bis 80%, insbesondere von 30% bis 50% der Dicke des Trägers bzw. der Dicke des Clips beträgt. Support and / or clip according to claim 1, characterized in that the depth of the solder stop recess ( 12 ) is from 10% to 80%, in particular from 30% to 50% of the thickness of the carrier or the thickness of the clip. Träger und/oder Clip nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der Lötstoppvertiefung (12) von 0,05 mm bis 2 mm, insbesondere von 0,3 mm bis 1,2 mm beträgt. Support and / or clip according to claim 1 or 2, characterized in that the width of the solder stop recess ( 12 ) of 0.05 mm to 2 mm, in particular from 0.3 mm to 1.2 mm. Träger und/oder Clip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe des Vorsprunges (15) von 5% bis 80% der Dicke des Trägers bzw. der Dicke des Clips, insbesondere von 10% bis 30% der Dicke des Trägers bzw. der Dicke des Clips beträgt. Support and / or clip according to one of the preceding claims, characterized in that the height of the projection ( 15 ) is from 5% to 80% of the thickness of the carrier or the thickness of the clip, in particular from 10% to 30% of the thickness of the carrier or the thickness of the clip. Träger und/oder Clip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppvertiefung (12) einen trapezförmigen Querschnitt mit der längeren Grundseite als Öffnung oder einen keilförmigen Querschnitt aufweist. Support and / or clip according to one of the preceding claims, characterized in that the solder stop recess ( 12 ) has a trapezoidal cross-section with the longer base side as an opening or a wedge-shaped cross-section. Träger und/oder Clip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Lötstoppvertiefungen (12), insbesondere 2 bis 10 Lötstoppvertiefungen (12), parallel nebeneinander auf derselben Seite der Funktionsfläche (10) angeordnet sind, wobei die Begrenzungskante (14) an der ersten Lötstoppvertiefung (12) ausgebildet ist, die unmittelbar an die Funktionsfläche (10) angrenzt. Support and / or clip according to one of the preceding claims, characterized in that a plurality of solder stop recesses ( 12 ), in particular 2 to 10 solder-stop recesses ( 12 ), parallel next to each other on the same side of the functional area ( 10 ) are arranged, wherein the boundary edge ( 14 ) at the first solder stop recess ( 12 ) is formed directly to the functional surface ( 10 ) adjoins. Träger und/oder Clip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils wenigstens eine Lötstoppvertiefung (12) auf verschiedenen, insbesondere gegenüberliegenden, Seiten der Funktionsfläche (10) angeordnet ist. Support and / or clip according to one of the preceding claims, characterized in that in each case at least one Lötstoppvertiefung ( 12 ) on different, in particular opposite, sides of the functional surface ( 10 ) is arranged. Träger und/oder Clip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein spitzer Winkel zwischen einer Bezugsebene senkrecht zum Träger bzw. zum Clip und der Flankenwand (13) des Hinterschnitts (16) von 5° bis 45°, insbesondere von 10° bis 30° beträgt. Support and / or clip according to one of the preceding claims, characterized in that an acute angle between a reference plane perpendicular to the carrier or to the clip and the flank wall ( 13 ) of the undercut ( 16 ) of 5 ° to 45 °, in particular from 10 ° to 30 °. Träger und/oder Clip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungskante (14) der Flankenwand (13) des Hinterschnitts (16) eine wulstfreie, scharfe Kante bildet. Support and / or clip according to one of the preceding claims, characterized in that the boundary edge ( 14 ) of the flank wall ( 13 ) of the undercut ( 16 ) forms a bead-free, sharp edge. Träger und/oder Clip nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungskante (14) der Flankenwand (13) des Hinterschnitts (16) einen Vorsprung (15) bildet. Support and / or clip according to one of claims 1 to 8, characterized in that the boundary edge ( 14 ) of the flank wall ( 13 ) of the undercut ( 16 ) a lead ( 15 ). Träger und/oder Clip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lötstoppvertiefung (12) geprägt oder gestanzt oder lasergeschnitten oder gefräst ist. Support and / or clip according to one of the preceding claims, characterized in that the solder stop recess ( 12 ) is embossed or stamped or laser cut or milled. Halbleiterbauelement mit einem Träger und/oder Clip nach Anspruch 1 und wenigstens einem Halbleiterelement, das auf der Funktionsfläche (10) angeordnet und mit dem Träger und/oder Clip verbunden ist, wobei eine Kante des Halbleiterelements an der Begrenzungskante (14) der Lötstoppvertiefung (12) anliegt oder die Kante des Halbleiterelements von der Lötstoppvertiefung (12) beabstandet angeordnet ist. Semiconductor component with a carrier and / or clip according to claim 1 and at least one semiconductor element which is arranged on the functional surface ( 10 ) is arranged and connected to the carrier and / or clip, wherein an edge of the semiconductor element at the boundary edge ( 14 ) of the solder stop recess ( 12 ) or the edge of the semiconductor element from the solder stop recess (FIG. 12 ) is arranged at a distance. Verfahren zur Herstellung eines Trägers und/oder Clips für wenigstens ein Halbleiterelement, bei dem der Träger und/oder Clip, insbesondere durch Stanzen, strukturiert und eine Funktionsfläche (10) zur Verbindung mit dem Halbleiterelement gebildet wird, wobei – wenigstens eine Lötstoppvertiefung (12) mit einer Begrenzungskante (14) zumindest auf einer Seite der Funktionsfläche (10) mit einem Stempel in den Träger und/oder Clip geprägt oder gestanzt wird, wobei der Stempel beim Prägen oder beim Stanzen einen Vorsprung (15) an der Begrenzungskante (14) aus dem Trägermaterial oder dem Clipmaterial bildet und/oder – wenigstens eine Lötstoppvertiefung (12) mit einer Flankenwand (13) zumindest auf einer Seite der Funktionsfläche (10) mit einem Laserstrahl geschnitten oder mit einem Stempel in den Träger bzw. Clip geprägt oder gestanzt wird, wobei ein Schneidwinkel des Laserstrahles oder ein Eintauchwinkel des Stempels derart eingestellt ist, dass die Flankenwand (13) einen Hinterschnitt (16) bildet und/oder – wenigstens eine Lötstoppvertiefung (12) in den Träger und/oder Clip gefräst wird. Method for producing a carrier and / or clip for at least one semiconductor element, in which the carrier and / or clip, in particular by punching, structured and a functional surface ( 10 ) is formed for connection to the semiconductor element, wherein - at least one Lötstoppveriefung ( 12 ) with a boundary edge ( 14 ) at least on one side of the functional area ( 10 ) is embossed or punched with a stamp in the carrier and / or clip, wherein the stamp when embossing or punching a projection ( 15 ) at the boundary edge ( 14 ) forms from the carrier material or the clip material and / or - at least one Lötstoppvertiefung ( 12 ) with a flank wall ( 13 ) at least on one side of the functional area ( 10 ) is cut with a laser beam or punched or punched with a punch in the carrier or clip, wherein a cutting angle of the laser beam or a plunge angle of the punch is set such that the flank wall ( 13 ) an undercut ( 16 ) and / or - at least one Lötstoppvertiefung ( 12 ) is milled into the carrier and / or clip. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Prägen oder Stanzen oder Fräsen der Lötstoppvertiefung (12) mit dem Stempel zur Ausbildung des Vorsprungs (15) an der Begrenzungskante (14) eine Umformvertiefung neben der Begrenzungskante (14) in den Träger bzw. Clip geprägt oder gestanzt wird, die die Begrenzungskante (14) und eine sich von der Begrenzungskante (14) erstreckende Flankenwand (13) der Lötstoppvertiefung (12) zur Ausbildung des Hinterschnitts (16) verschiebt. A method according to claim 13, characterized in that after embossing or punching or milling the Lötstoppvertiefung ( 12 ) with the stamp for the formation of the projection ( 15 ) at the boundary edge ( 14 ) a forming recess next to the boundary edge ( 14 ) is embossed or punched in the carrier or clip, the boundary edge ( 14 ) and one from the boundary edge ( 14 ) extending flank wall ( 13 ) of the solder stop recess ( 12 ) for the formation of the undercut ( 16 ) shifts.
DE102014104819.9A 2014-03-26 2014-04-04 Carrier and / or clip for semiconductor elements, semiconductor device and method of manufacture Ceased DE102014104819A1 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014104819.9A DE102014104819A1 (en) 2014-03-26 2014-04-04 Carrier and / or clip for semiconductor elements, semiconductor device and method of manufacture
EP15713178.0A EP3123502A1 (en) 2014-03-26 2015-03-26 Support and/or clip for semiconductor elements, semiconductor component, and production method
JP2016558343A JP2017510991A (en) 2014-03-26 2015-03-26 Support and / or clip for semiconductor element, semiconductor component, and manufacturing method
US15/129,202 US20170110390A1 (en) 2014-03-26 2015-03-26 Support and/or clip for semiconductor elements, semiconductor component, and production method
CN201580014522.XA CN106104784A (en) 2014-03-26 2015-03-26 For semiconductor element, the support member of semiconductor device and/or fixture and manufacture method
KR1020167029450A KR20160136405A (en) 2014-03-26 2015-03-26 Support and/or clip for semiconductor elements, semiconductor component, and production method
PCT/EP2015/056599 WO2015144835A1 (en) 2014-03-26 2015-03-26 Support and/or clip for semiconductor elements, semiconductor component, and production method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014104267.0 2014-03-26
DE102014104267 2014-03-26
DE102014104819.9A DE102014104819A1 (en) 2014-03-26 2014-04-04 Carrier and / or clip for semiconductor elements, semiconductor device and method of manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014104819A1 true DE102014104819A1 (en) 2015-10-01

Family

ID=54066591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014104819.9A Ceased DE102014104819A1 (en) 2014-03-26 2014-04-04 Carrier and / or clip for semiconductor elements, semiconductor device and method of manufacture

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20170110390A1 (en)
EP (1) EP3123502A1 (en)
JP (1) JP2017510991A (en)
KR (1) KR20160136405A (en)
CN (1) CN106104784A (en)
DE (1) DE102014104819A1 (en)
WO (1) WO2015144835A1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018111350A1 (en) * 2016-12-14 2018-06-21 Raytheon Company Techniques for providing stop-offs for brazing materials or other materials on structures being joined
NL2022613A (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Shindengen Electric Mfg RESIN-SEALED TYPE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
NL2022617A (en) * 2018-03-01 2019-09-06 Shindengen Electric Mfg Semiconductor device
CN116342849A (en) * 2023-05-26 2023-06-27 南京铖联激光科技有限公司 Method for generating dental model undercut region on three-dimensional grid

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019110096A1 (en) * 2017-12-06 2019-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lead frame, method for manufacturing a lead frame and semiconductor device with a lead frame
CN109362179A (en) * 2018-10-17 2019-02-19 欣强电子(清远)有限公司 A kind of novel die method
CN109663998A (en) * 2018-11-29 2019-04-23 贵州振华风光半导体有限公司 A kind of power semiconductor chip soldering flash control method
CN112038240A (en) * 2020-09-08 2020-12-04 西安微电子技术研究所 Nickel-plated copper-clad substrate and solder resisting method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218231A (en) * 1989-08-30 1993-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Mold-type semiconductor device
US6288451B1 (en) * 1998-06-24 2001-09-11 Vanguard International Semiconductor Corporation Flip-chip package utilizing a printed circuit board having a roughened surface for increasing bond strength
DE10034006A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-24 Infineon Technologies Ag Carrier matrix with bond channel for integrated semiconductors and process for their production
US6577012B1 (en) 2001-08-13 2003-06-10 Amkor Technology, Inc. Laser defined pads for flip chip on leadframe package
US7253508B2 (en) * 2003-12-19 2007-08-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with a flip chip on a solder-resist leadframe
DE102011010984B4 (en) 2011-02-10 2012-12-27 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Method for partially laminating flexible substrates

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758719B2 (en) * 1989-03-17 1995-06-21 サンケン電気株式会社 Electronic element fixing method
JP2804146B2 (en) * 1990-03-16 1998-09-24 株式会社東芝 Lead frame and semiconductor device
JP2857648B2 (en) * 1991-02-28 1999-02-17 サンケン電気株式会社 Electronic component manufacturing method
JPH06295962A (en) * 1992-10-20 1994-10-21 Ibiden Co Ltd Electronic part mounting substrate and manufacture thereof as well as electronic part mounting device
JPH10294554A (en) * 1997-04-16 1998-11-04 Japan Aviation Electron Ind Ltd Surface-mount wiring board
EP1366521A2 (en) * 2000-08-18 2003-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device and a support plate, and a semiconductor device obtained by means of said method
JP3895570B2 (en) * 2000-12-28 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ Semiconductor device
JP5183583B2 (en) * 2000-12-28 2013-04-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device
US6750546B1 (en) * 2001-11-05 2004-06-15 Skyworks Solutions, Inc. Flip-chip leadframe package
DE10241589B4 (en) * 2002-09-05 2007-11-22 Qimonda Ag Method for solder stop structuring of elevations on wafers
US7126164B2 (en) * 2003-09-26 2006-10-24 Flipchip International Llc Wafer-level moat structures
JP4345590B2 (en) * 2004-06-30 2009-10-14 三菱マテリアル株式会社 Structure, power module substrate, power module using the substrate, and manufacturing method thereof
JP4619223B2 (en) * 2004-12-16 2011-01-26 新光電気工業株式会社 Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP4609172B2 (en) * 2005-04-21 2011-01-12 株式会社デンソー Resin-sealed semiconductor device
US7378300B2 (en) * 2005-09-22 2008-05-27 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system
JP5267987B2 (en) * 2006-11-06 2013-08-21 日本電気株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5073351B2 (en) * 2007-04-12 2012-11-14 日本電波工業株式会社 Electronic devices for surface mounting
US8269324B2 (en) * 2008-07-11 2012-09-18 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with chip on lead
DE102009008738A1 (en) * 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
JP2010283252A (en) * 2009-06-08 2010-12-16 Denso Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4941532B2 (en) * 2009-09-30 2012-05-30 富士通株式会社 Electronic component lead manufacturing method and electronic component lead manufacturing apparatus
JP5264677B2 (en) * 2009-10-26 2013-08-14 新電元工業株式会社 Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof
US8455304B2 (en) * 2010-07-30 2013-06-04 Atmel Corporation Routable array metal integrated circuit package fabricated using partial etching process
TWI419290B (en) * 2010-10-29 2013-12-11 Advanced Semiconductor Eng Quad flat non-leaded package and manufacturing method thereof
DE102011010317B4 (en) * 2011-02-03 2012-08-16 Benteler Automobiltechnik Gmbh Component with Lotstoppvertiefung
JP6078948B2 (en) * 2012-01-20 2017-02-15 日亜化学工業株式会社 Package molded body for light emitting device and light emitting device using the same
JP2013165125A (en) * 2012-02-09 2013-08-22 Panasonic Corp Semiconductor package and manufacturing method semiconductor package
US8674487B2 (en) * 2012-03-15 2014-03-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with lead extensions and related methods

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218231A (en) * 1989-08-30 1993-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Mold-type semiconductor device
US6288451B1 (en) * 1998-06-24 2001-09-11 Vanguard International Semiconductor Corporation Flip-chip package utilizing a printed circuit board having a roughened surface for increasing bond strength
DE10034006A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-24 Infineon Technologies Ag Carrier matrix with bond channel for integrated semiconductors and process for their production
US6577012B1 (en) 2001-08-13 2003-06-10 Amkor Technology, Inc. Laser defined pads for flip chip on leadframe package
US7253508B2 (en) * 2003-12-19 2007-08-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with a flip chip on a solder-resist leadframe
DE102011010984B4 (en) 2011-02-10 2012-12-27 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Method for partially laminating flexible substrates

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018111350A1 (en) * 2016-12-14 2018-06-21 Raytheon Company Techniques for providing stop-offs for brazing materials or other materials on structures being joined
US10307851B2 (en) 2016-12-14 2019-06-04 Raytheon Company Techniques for providing stop-offs for brazing materials or other materials on structures being joined
NL2022617A (en) * 2018-03-01 2019-09-06 Shindengen Electric Mfg Semiconductor device
NL2022613A (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Shindengen Electric Mfg RESIN-SEALED TYPE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
CN116342849A (en) * 2023-05-26 2023-06-27 南京铖联激光科技有限公司 Method for generating dental model undercut region on three-dimensional grid
CN116342849B (en) * 2023-05-26 2023-09-08 南京铖联激光科技有限公司 Method for generating dental model undercut region on three-dimensional grid

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017510991A (en) 2017-04-13
EP3123502A1 (en) 2017-02-01
US20170110390A1 (en) 2017-04-20
KR20160136405A (en) 2016-11-29
CN106104784A (en) 2016-11-09
WO2015144835A1 (en) 2015-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014104819A1 (en) Carrier and / or clip for semiconductor elements, semiconductor device and method of manufacture
DE60108997T2 (en) Method for punching parts of a belt for continuously variable transmission
AT502005A1 (en) ELECTRICAL CONNECTING ELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND SOLAR CELL AND MODULE WITH CONNECTING ELEMENT
DE1918780C2 (en) Method and device for fine blanking of sheet metal workpieces
DE102005000023A1 (en) Draft assembly and method thereto
DE2920028A1 (en) ELECTRICAL CONTACT FOR A SWITCH AND PROCEDURE FOR MAKING SUCH CONTACT
DE112015003872T5 (en) Sintered soldered component
DE102008046776B4 (en) Composite metal sheet, method for joining metal sheets, and apparatus for joining metal sheets
WO2015172946A1 (en) Bipolar plate and layer structure on the bipolar plate
DE102011010317B4 (en) Component with Lotstoppvertiefung
DE102010039655A1 (en) Electrical connection terminal and method and apparatus for producing an electrical connection terminal
WO2001088845A1 (en) Device for punching plastic materials
EP2899312A1 (en) Dewatering fabric for the production of paper with a two-level watermark and method of manufacturing said fabric
WO2015043951A1 (en) Method for producing bands and strips consisting of two metal materials
DE102008040882A1 (en) Method for hot embossing at least one printed conductor on a substrate, substrate with at least one printed conductor and embossing stamp
DE102017206925A1 (en) Method of producing a diffusion solder joint
DE102007048990A1 (en) Method and device for producing a control barrier
DE19647153A1 (en) Device for producing a flush embossed structure on data carriers
DE3641995C1 (en) Process for the production of printed circuits
DE2935182C2 (en)
EP1187517A2 (en) Metal stencils
DE10157240B4 (en) Heat sink and method for producing the same
DE102015207811A1 (en) Method for producing a vehicle interior trim part and vehicle interior trim part
DE10242885B4 (en) Laminating stamp, laminating press and method for laminating a panel on a core part
DE102019125449B4 (en) Method of manufacturing a printed circuit board and printed circuit board assembly

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final