DE102014100769B4

DE102014100769B4 - Process for producing a reflection-reducing layer system and reflection-reducing layer system

Info

Publication number: DE102014100769B4
Application number: DE102014100769.7A
Authority: DE
Inventors: Ulrike Schulz; Friedrich Rickelt; Stephane Bruynooghe; Diana Tonova; Thomas Koch
Original assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV; Carl Zeiss AG
Current assignee: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV; Carl Zeiss AG
Priority date: 2014-01-23
Filing date: 2014-01-23
Publication date: 2019-07-18
Anticipated expiration: 2034-01-24
Also published as: WO2015110546A1; DE102014100769A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems (5) auf einem Substrat (10), umfassend die Verfahrensschritte:
- Aufbringen einer ersten Schicht (1) auf das Substrat (10),
- Aufbringen einer zweiten Schicht (2), wobei die zweite Schicht eine anorganische Schicht ist, die zur Erzeugung einer porösen Schichtstruktur unter einem Dampfeinfallswinkel größer als 60° aufgedampft wird,
- Aufbringen einer organischen Schicht (3) und
- Erzeugen einer Nanostruktur (31) in der organischen Schicht (3) durch einen Plasmaätzprozess.

Method for producing a reflection-reducing layer system (5) on a substrate (10), comprising the method steps:
Applying a first layer (1) to the substrate (10),
Applying a second layer (2), the second layer being an inorganic layer which is vapor-deposited to produce a porous layer structure at a vapor incidence angle greater than 60 °,
- Applying an organic layer (3) and
- Producing a nanostructure (31) in the organic layer (3) by a plasma etching process.

Description

Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems und reflexionsminderndes SchichtsystemProcess for producing a reflection-reducing layer system and reflection-reducing layer system

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems und ein reflexionsminderndes Schichtsystem.The invention relates to a method for producing a reflection-reducing layer system and a reflection-reducing layer system.

Zur Entspiegelung von Oberflächen, insbesondere von optischen Elementen oder Displays, werden üblicherweise reflexionsmindernde Interferenzschichtsysteme verwendet, die mehrere alternierende Schichten aus hochbrechenden und niedrigbrechenden Materialien enthalten. Als Material mit einer besonders niedrigen Brechzahl im sichtbaren Spektralbereich wird häufig MgF₂ mit n = 1,38 eingesetzt. Die Entspiegelungswirkung herkömmlicher dielektrischer Schichtsysteme könnte verbessert werden, wenn Materialien mit geringerer Brechzahl zur Verfügung stehen würden.For anti-reflection of surfaces, in particular of optical elements or displays, reflection-reducing interference layer systems are usually used, which contain a plurality of alternating layers of high-refractive and low-refractive materials. As material with a particularly low refractive index in the visible spectral range, MgF ₂ with n = 1.38 is frequently used. The antireflective effect of conventional dielectric layer systems could be improved if lower refractive index materials were available.

Eine alternative Möglichkeit zur Verminderung der Reflexion eines optischen Elements ist aus der Patentschrift DE 102 41 708 B4 bekannt. Bei diesem Verfahren wird an der Oberfläche eines Kunststoffsubstrats mittels eines Plasmaätzprozesses eine Nanostruktur erzeugt, durch die die Reflexion des Kunststoffsubstrats vermindert wird. Die Entspiegelung eines optischen Elements durch die Erzeugung einer Nanostruktur an dessen Oberfläche hat den Vorteil, dass eine geringe Reflexion über einen weiten Einfallswinkelbereich erzielt wird.An alternative possibility for reducing the reflection of an optical element is known from the patent specification DE 102 41 708 B4 known. In this method, a nanostructure is produced on the surface of a plastic substrate by means of a plasma etching process, by means of which the reflection of the plastic substrate is reduced. The antireflection of an optical element by the creation of a nanostructure on its surface has the advantage that a low reflection is achieved over a wide angle of incidence range.

Die Druckschrift DE 10 2008 018 866 A1 beschreibt ein reflexionsminderndes Interferenzschichtsystem, auf das eine organische Schicht aufgebracht wird, die mittels eines Plasmaätzprozesses mit einer Nanostruktur versehen wird.The publication DE 10 2008 018 866 A1 describes a reflection-reducing interference layer system on which an organic layer is applied, which is provided with a nanostructure by means of a plasma etching process.

Allerdings erreichen plasmageätzte Nanostrukturen auf den meisten Materialien nur eine Tiefe von 80 nm bis 120 nm. Eine solche Dicke ist für ebene und leicht gekrümmte Oberflächen ausreichend, um ein Substrat im visuellen Spektralbereich von 400 nm bis 700 nm für senkrechten Lichteinfall so zu entspiegeln, dass die Restreflexion nur etwa 1% beträgt. Teilweise werden aber breitbandige Entspiegelungen gefordert, die über größere Lichteinfallswinkelbereiche funktionieren sollen.However, plasma etched nanostructures only reach a depth of 80 nm to 120 nm on most materials. Such a thickness is sufficient for flat and slightly curved surfaces in order to refract a substrate in the visual spectral range from 400 nm to 700 nm for vertical incidence of light the residual reflection is only about 1%. In some cases, however, broadband antireflective coatings are required, which should work over larger light incidence angle ranges.

Eine Verbesserung könnte erzielt werden, wenn man eine niedrigbrechende Gradientenschicht so dick herstellen könnte, dass in einem breiten Spektralbereich und auch für große Einfallswinkel eine signifikante Verminderung der Reflexion erzielt wird. Die technische Realisierung auf hochbrechenden Substraten (n > 1,7) gestaltet sich einfacher als auf den gebräuchlichen niedrigbrechenden Gläsern, da schon mit natürlichen Materialien ein Schichtaufbau realisierbar ist, bei dem die Brechzahl allmählich abnimmt.An improvement could be achieved if one could make a low-refractive gradient layer so thick that a significant reduction of the reflection is achieved in a broad spectral range and also for large angles of incidence. The technical realization on high-index substrates (n> 1.7) is easier than on the conventional low-refractive glasses, since even with natural materials, a layer structure can be realized in which the refractive index gradually decreases.

Für die Herstellung relativ dicker Schichten mit effektiver Brechzahl < 1,38 gibt es technisch nur wenige Möglichkeiten. In der Druckschrift W. Joo, H.J. Kim and J.K. Kim, „Broadband Antireflection Coating Covering from Visible to Near Infrared Wavelengths by Using Multilayered Nanoporous Block Copolymer Films“, Langmuir 26(7), 2010, 5110-5114 , wird die Herstellung einer dicken Gradientenschicht mittels Sol-Gel-Prozessen beschrieben.For the production of relatively thick layers with effective refractive index <1.38, there are only a few technical possibilities. In the publication W. Joo, HJ Kim and JK Kim, "Broadband Antireflection Coating Covering from Visible to Near Infrared Wavelengths by Using Multilayered Nanoporous Block Copolymer Films", Langmuir 26 (7), 2010, 5110-5114 , the preparation of a thick gradient layer is described by means of sol-gel processes.

Ein vakuumtechnisches Verfahren zur Herstellung mehrschichtiger Gradientenschichten ist aus der Druckschrift S.R. Kennedy, M.J. Brett, „Porous Broadband Antireflection Coating by Glancing Angle Deposition“, Appl Opt. 42, 4573-4579, 2003 , bekannt. Dabei werden Oxide oder Fluoride unter schrägem Winkel auf das Substrat aufgedampft. Durch Abschattungseffekte entstehen hier ebenfalls poröse Schichten. Das Substrat muss aus diesem Grund also schräg zur Dampfeinfallsrichtung positioniert werden.A vacuum technical process for producing multilayer gradient layers is known from the document SR Kennedy, MJ Brett, "Porous Broadband Antireflection Coating by Glancing Angle Deposition", Appl. Opt. 42, 4573-4579, 2003 , known. In this case, oxides or fluorides are vapor-deposited on the substrate at an oblique angle. Shade effects also create porous layers here. For this reason, the substrate must be positioned at an angle to the direction of vapor incidence.

Die Druckschrift US 2011 / 0 120 554 A1 beschreibt eine Antireflexionsbeschichtung, die eine durch schräges Aufdampfen hergestellte poröse Schicht aufweist. Die Druckschrift US 2011 / 0 168 261 A1 beschreibt ein optisches Fenster mit hoher Transmission, das ein durch schräges Aufdampfen hergestelltes Schichtsystem aufweisen kann. Aus der Druckschrift DE 10 2013 106 392 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Entspiegelungsschicht auf einem Substrat bekannt, bei dem eine erste Nanostruktur mit einem ersten Plasmaätzprozess erzeugt wird, wobei eine zweite Nanostruktur über der ersten Nanostruktur mit einem zweiten Plasmaätzprozess erzeugt wird.The publication US 2011/0 120 554 A1 describes an antireflection coating having a porous layer formed by oblique vapor deposition. The publication US 2011/0 168 261 A1 describes a high transmission optical window which may have a layer system made by oblique vapor deposition. From the publication DE 10 2013 106 392 A1 a method is known for producing an antireflection coating on a substrate, in which a first nanostructure is produced by a first plasma etching process, wherein a second nanostructure is produced over the first nanostructure with a second plasma etching process.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems anzugeben, mit dem verschiedene Oberflächen breitbandig und weitgehend winkelunabhängig entspiegelt werden können, wobei das Verfahren insbesondere für niedrigbrechende Gläser und Kunststoffe mit einer Brechzahl n_s < 1,7 geeignet sein soll. Weiterhin soll ein verbessertes reflexionsminderndes Schichtsystem angegeben werden.The invention has for its object to provide an improved method for producing a reflection-reducing layer system, with the various surfaces broadband and largely angle-independent can be anti-reflective, the method should be suitable in particular for low-refractive glasses and plastics with a refractive index n _s <1.7 , Furthermore, an improved reflection-reducing layer system is to be specified.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems und ein reflexionsminderndes Schichtsystem gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These objects are achieved by a method for producing a reflection-reducing layer system and a reflection-reducing layer system according to the independent patent claims. Advantageous embodiments and modifications of the invention are the subject of the dependent claims.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des reflexionsmindernden Schichtsystems wird eine erste Schicht auf ein Substrat aufgebracht. Die erste Schicht ist vorzugsweise eine anorganische Schicht, insbesondere eine Oxid- oder Fluoridschicht. Alternativ kann die erste Schicht auch ein organisches Material aufweisen. Es ist weiterhin auch möglich, dass die erste Schicht mehrere Teilschichten aus verschiedenen Materialien aufweist. Die erste Schicht wird vorzugsweise in einem Vakuumverfahren, beispielsweise durch thermische Verdampfung, Elektronenstrahlverdampfung oder Sputtern, auf das Substrat aufgebracht. In accordance with at least one embodiment of the method for producing the reflection-reducing layer system, a first layer is applied to a substrate. The first layer is preferably an inorganic layer, in particular an oxide or fluoride layer. Alternatively, the first layer may also comprise an organic material. It is also possible for the first layer to have several partial layers of different materials. The first layer is preferably applied to the substrate in a vacuum process, for example by thermal evaporation, electron beam evaporation or sputtering.

Das Substrat kann insbesondere ein Glassubstrat sein. Bei dem Substrat kann es sich insbesondere um ein optisches Element wie beispielsweise eine Linse handeln.The substrate may in particular be a glass substrate. In particular, the substrate may be an optical element such as a lens.

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird eine anorganische zweite Schicht aufgebracht. Die anorganische zweite Schicht ist vorzugsweise eine Oxid- oder Fluoridschicht. Die anorganische zweite Schicht wird zur Erzeugung einer porösen Schichtstruktur unter einem schrägen Dampfeinfallswinkel aufgedampft, wobei der Dampfeinfallswinkel vorteilhaft größer als 60° ist. Unter dem Dampfeinfallswinkel ist hier und im Folgenden der Winkel zwischen einer Normalen auf das Substrat und der Haupteinfallsrichtung des Dampfstrahls zu verstehen. Ein solches Abscheideverfahren ist an sich unter der Bezeichnung Glancing Angle Deposition (GLAD) bekannt. Die anorganische zweite Schicht kann insbesondere durch Aufdampfen unter einem Dampfeinfallswinkel zwischen 60° und 85° hergestellt werden. Bei dem Aufbringen der anorganischen zweiten Schicht wird vorteilhaft das Substrat schräg zur Richtung des Dampfstrahls positioniert.In a subsequent process step, an inorganic second layer is applied. The inorganic second layer is preferably an oxide or fluoride layer. The inorganic second layer is vapor-deposited to produce a porous layer structure at an oblique angle of incidence of vapor, wherein the vapor incidence angle is advantageously greater than 60 °. The angle of vapor incidence is to be understood here and below as meaning the angle between a normal to the substrate and the main direction of incidence of the vapor jet. Such a deposition method is known per se under the name Glancing Angle Deposition (GLAD). The inorganic second layer can in particular be produced by vapor deposition at a vapor incidence angle between 60 ° and 85 °. In the application of the inorganic second layer, the substrate is advantageously positioned obliquely to the direction of the steam jet.

Das Aufdampfen der anorganischen zweiten Schicht unter einem schrägen Einfallswinkel hat den Vorteil, dass bereits abgeschiedenes Material Abschattungseffekte bewirkt, durch die während des Aufwachsens der Schicht Poren entstehen. Die anorganische zweite Schicht weist daher nach dem Abscheiden eine poröse Schichtstruktur auf. Die in der porösen anorganischen zweiten Schicht erzeugten Poren sind vorteilhaft kleiner als die Wellenlänge der Strahlung, für die eine Verminderung der Reflexion erzielt werden soll, insbesondere kleiner als die Wellenlängen von sichtbarem Licht.The vapor deposition of the inorganic second layer at an oblique angle of incidence has the advantage that material already deposited causes shadowing effects which cause pores to form during the growth of the layer. The inorganic second layer therefore has a porous layer structure after deposition. The pores produced in the porous inorganic second layer are advantageously smaller than the wavelength of the radiation for which a reduction of the reflection is to be achieved, in particular smaller than the wavelengths of visible light.

Insbesondere sind die Poren im Mittel in einer beliebigen Richtung nicht größer als etwa 3 nm bis 30 nm. Die Poren enthalten im Wesentlichen Luft, deren Brechzahl kleiner als die des Schichtmaterials ist. Auf diese Weise wird bewirkt, dass die poröse anorganische zweite Schicht eine geringere effektive Brechzahl aufweist als eine kontinuierliche Schicht aus dem Material der anorganischen zweiten Schicht. Unter der effektiven Brechzahl ist hier und im Folgenden die über die poröse Schicht gemittelte Brechzahl zu verstehen, deren Wert aufgrund der Poren geringer ist als die Brechzahl einer kontinuierlichen Schicht aus demselben Material. Die anorganische zweite Schicht weist vorteilhaft einen Brechzahlgradienten auf, wobei die Brechzahl bevorzugt in der Wachstumsrichtung der Schicht abnimmt. Dies kann darauf beruhen, dass die Anzahl und/oder die Größe der Poren in Wachstumsrichtung der Schicht zunimmt. Die Dicke der anorganischen zweiten Schicht beträgt bevorzugt zwischen 30 nm und 200 nm.
In einem nachfolgenden weiteren Verfahrensschritt wird eine organische Schicht aufgebracht. Das Aufbringen der organischen Schicht erfolgt vorzugsweise wie das Aufbringen der anorganischen Schichten mit einem Vakuumbeschichtungsverfahren. Das organische Material ist vorteilhaft ein organisches Material, in dem mittels eines Plasmaätzprozesses eine Nanostruktur erzeugt werden kann.In particular, the pores on the average in any direction are not greater than about 3 nm to 30 nm. The pores essentially contain air whose refractive index is smaller than that of the layer material. In this way, the porous inorganic second layer is caused to have a lower effective refractive index than a continuous layer of the material of the inorganic second layer. Here, the effective refractive index is to be understood here and below as the refractive index averaged over the porous layer whose value due to the pores is less than the refractive index of a continuous layer made of the same material. The inorganic second layer advantageously has a refractive index gradient, the refractive index preferably decreasing in the growth direction of the layer. This may be due to the fact that the number and / or the size of the pores in the growth direction of the layer increases. The thickness of the inorganic second layer is preferably between 30 nm and 200 nm.
In a subsequent further process step, an organic layer is applied. The application of the organic layer is preferably carried out as the application of the inorganic layers by means of a vacuum coating process. The organic material is advantageously an organic material in which a nanostructure can be produced by means of a plasma etching process.

Bevorzugt enthält das organische Material eines der folgenden Materialien: 2,4,6-Triamino-1,3,5-triazin (Melamin), 2,2'-methylenebis(6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol (MBP), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenylbenzidin (TPD), N,N'-Di(naphth-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidin (NPB), N,N,N',N'-Tetraphenylbenzidin (TPB), Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amin (TCTA), HMDSO, Allylamin, Allylalkohol, Villylacetat, Styren, Parylen.Preferably, the organic material contains one of the following materials: 2,4,6-triamino-1,3,5-triazine (melamine), 2,2'-methylene bis (6- (2H-benzotriazol-2-yl) -4- 1,1,3,3-tetramethylbutyl) phenol (MBP), N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenylbenzidine (TPD), N, N'-di (naphth-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPB), N, N, N ', N'-tetraphenylbenzidine (TPB), Tris ( 4 carbazoyl-9-ylphenyl) amine (TCTA), HMDSO, allylamine, allyl alcohol, villyl acetate, styrene, parylene.

In einem nachfolgenden weiteren Verfahrensschritt wird eine Nanostruktur in der organischen Schicht durch einen Plasmaätzprozess erzeugt, zum Beispiel mittels einer Plasmaionenquelle mit einem Argon-Sauerstoff-Plasma. Mittels der Nanostruktur wird vorteilhaft ein Brechzahlgradient in dem organischen Material erzeugt, so dass die Brechzahl in der organischen Schicht vorzugsweise in zunehmendem Abstand vom Substrat abnimmt. Insbesondere weist die organische Schicht eine effektive Brechzahl auf, die kleiner ist als die Brechzahl, die eine kontinuierliche Schicht aus dem organischen Material aufweisen würde.In a subsequent further method step, a nanostructure is produced in the organic layer by a plasma etching process, for example by means of a plasma ion source with an argon-oxygen plasma. By means of the nanostructure, a refractive index gradient is advantageously generated in the organic material, so that the refractive index in the organic layer preferably decreases at an increasing distance from the substrate. In particular, the organic layer has an effective refractive index which is smaller than the refractive index, which would have a continuous layer of the organic material.

Das auf diese Weise hergestellte reflexionsmindernde Schichtsystem, das die erste Schicht, die poröse anorganische zweite Schicht und die nanostrukturierte organische Schicht umfasst, zeichnet sich vorteilhaft dadurch aus, dass die Brechzahl in dem reflexionsmindernden Schichtsystem ausgehend vom Substrat von Schicht zu Schicht abnimmt. Das Schichtsystem macht sich insbesondere zunutze, dass die poröse anorganische zweite Schicht und die nanostrukturierte organische Schicht jeweils effektive Brechzahlen aufweisen, die vorteilhaft geringer sein können als die Brechzahlen, die mit kontinuierlichen Schichten erreicht werden können. Auf diese Weise kann die Reflexion des Substrats besonders effektiv über einen großen Einfallswinkelbereich und einen großen Wellenlängenbereich vermindert werden.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist das Substrat eine Brechzahl n_s und die erste Schicht eine Brechzahl n₁ auf, wobei n_s > n₁ > 1,38 ist. Das Substrat kann beispielsweise eine Brechzahl n_s ≤ 1,7 aufweisen. Vorzugsweise gilt also 1,7 > n₁ > 1,38.The reflection-reducing layer system produced in this way, which comprises the first layer, the porous inorganic second layer and the nanostructured organic layer, is advantageously characterized in that the refractive index in the reflection-reducing layer system decreases from layer to layer starting from the substrate. In particular, the layer system makes use of the fact that the porous inorganic second layer and the nanostructured organic layer each have effective refractive indices, which can advantageously be lower than the refractive indices that can be achieved with continuous layers. On In this way, the reflection of the substrate can be reduced particularly effectively over a large angle of incidence range and a large wavelength range.
In a preferred embodiment, the substrate has a refractive index n _s and the first layer has a refractive index n ₁ , where n _s > n ₁ > 1.38. The substrate may, for example, have a refractive index n _s ≦ 1.7. Preferably, therefore, 1.7> n ₁ > 1.38.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die anorganische zweite Schicht eine effektive Brechzahl n₂ mit 1,10 < n₂ < 1,45 auf. Bevorzugt gilt 1,10 < n₂ < 1,38. Eine derart geringe effektive Brechzahl n₂ wird in der anorganischen zweiten Schicht aufgrund der porösen Schichtstruktur erzielt, die durch das Abscheiden unter einem schrägen Einfallswinkel gebildet wird. Die effektive Brechzahl der anorganischen zweiten Schicht ist vorteilhaft kleiner als die Brechzahl der ersten Schicht.According to a further advantageous embodiment, the inorganic second layer has an effective refractive index n _{2 of} 1.10 <n ₂ <1.45. Preferably, 1.10 <n ₂ <1.38. Such a low effective refractive index n ₂ is achieved in the inorganic second layer due to the porous layer structure formed by the deposition at an oblique angle of incidence. The effective refractive index of the inorganic second layer is advantageously smaller than the refractive index of the first layer.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die organische Schicht eine effektive Brechzahl n₃ auf, wobei 1,02 < n₃ < 1,40 gilt. Bevorzugt gilt 1,08 < n₃ < 1,25. Die effektive Brechzahl n₃ ist vorteilhaft noch kleiner als die effektive Brechzahl n₂ der anorganischen zweiten Schicht. Der besonders geringe effektive Brechungsindex n₃ wird bei der organischen Schicht durch die Erzeugung der Nanostruktur mittels eines Plasmaätzprozesses erzielt.In a further advantageous embodiment, the organic layer has an effective refractive index n ₃ , where 1.02 <n ₃ <1.40 applies. Preferably, 1.08 <n ₃ <1.25. The effective refractive index n ₃ is advantageously even smaller than the effective refractive index n _{2 of} the inorganic second layer. The particularly low effective refractive index n ₃ is achieved in the organic layer by the generation of the nanostructure by means of a plasma etching process.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist das Substrat eine Brechzahl n_s, die erste Schicht eine Brechzahl n₁, die anorganische zweite Schicht eine effektive Brechzahl n₂ und die organische Schicht eine effektive Brechzahl n₃ auf, wobei gilt: n_s > n₁ > n₂ > n₃. Mit anderen Worten nimmt die Brechzahl in dem reflexionsmindernden Schichtsystem ausgehend vom Substrat von Schicht zu Schicht ab. Auf diese Weise wird insbesondere erreicht, dass die Brechzahl über eine vergleichsweise große Gesamtdicke schrittweise und/oder kontinuierlich abnimmt. Das reflexionsmindernde Schichtsystem, das die erste Schicht, die poröse anorganische zweite Schicht und die nanostrukturierte organische Schicht umfasst, weist vorzugsweise eine Gesamtdicke von mindestens 200 nm auf. Dadurch, dass die Brechzahl in dem reflexionsmindernden Schichtsystem über die gesamte Dicke schrittweise oder kontinuierlich abnimmt, wird eine besonders gute Entspiegelung über einen breiten Wellenlängen- und Winkelbereich erzielt.In a preferred embodiment, the substrate has a refractive index n _s , the first layer has a refractive index n ₁ , the inorganic second layer has an effective refractive index n ₂ and the organic layer has an effective refractive index n ₃ , where n _s > n ₁ > n ₂ > n ₃ . In other words, the refractive index in the reflection-reducing layer system decreases from layer to layer starting from the substrate. In this way, in particular, it is achieved that the refractive index decreases gradually and / or continuously over a comparatively large total thickness. The antireflective layer system comprising the first layer, the porous inorganic second layer and the nanostructured organic layer preferably has a total thickness of at least 200 nm. Due to the fact that the refractive index in the reflection-reducing layer system decreases stepwise or continuously over the entire thickness, a particularly good antireflection over a broad wavelength and angular range is achieved.

Die erste Schicht und/oder die anorganische zweite Schicht sind gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung eine Oxidschicht oder eine Fluoridschicht. Insbesondere können die erste Schicht und/oder die anorganische zweite Schicht ein Siliziumoxid, ein Aluminiumoxid oder Magnesiumfluorid aufweisen.The first layer and / or the inorganic second layer are according to a preferred embodiment an oxide layer or a fluoride layer. In particular, the first layer and / or the inorganic second layer may comprise a silicon oxide, an aluminum oxide or magnesium fluoride.

Die in der organischen Schicht erzeugte Nanostruktur weist vorzugsweise eine Dicke von mindestens 80 nm auf. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung weist die Nanostruktur Strukturelemente in Form von Erhebungen, Vertiefungen und/oder Poren auf, deren Breite im Mittel weniger als 130 nm beträgt. Die Strukturelemente der Nanostruktur sind somit vorteilhaft wesentlich kleiner als die Wellenlängen von sichtbarem Licht, so dass die nanostrukturierte Schicht in Bezug auf die einfallende Strahlung durch eine effektive Brechzahl beschreibbar ist.The nanostructure produced in the organic layer preferably has a thickness of at least 80 nm. According to a preferred embodiment, the nanostructure has structural elements in the form of elevations, depressions and / or pores whose average width is less than 130 nm. The structural elements of the nanostructure are thus advantageously substantially smaller than the wavelengths of visible light, so that the nanostructured layer can be described by an effective refractive index with respect to the incident radiation.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird nach der Erzeugung der Nanostruktur eine Deckschicht auf die Nanostruktur aufgebracht, wobei die Deckschicht eine Dicke von nicht mehr als 40 nm aufweist. Die Deckschicht dient insbesondere zum Schutz der nanostrukturierten organischen Schicht vor mechanischen Beschädigungen. Die Deckschicht ist vorzugsweise eine anorganische Schicht, insbesondere eine Oxid- oder Fluoridschicht. Besonders geeignet als Material für die Deckschicht ist Siliziumdioxid.In a preferred embodiment of the method, after the formation of the nanostructure, a cover layer is applied to the nanostructure, wherein the cover layer has a thickness of not more than 40 nm. The cover layer serves in particular to protect the nanostructured organic layer from mechanical damage. The cover layer is preferably an inorganic layer, in particular an oxide or fluoride layer. Particularly suitable as material for the cover layer is silicon dioxide.

Das mit dem Verfahren herstellbare reflexionsmindernde Schichtsystem umfasst vorteilhaft eine erste Schicht auf einem Substrat, eine der ersten Schicht nachfolgende anorganische zweite Schicht, wobei die anorganische zweite Schicht eine poröse Schicht ist, und eine der porösen anorganischen zweiten Schicht nachfolgende organische Schicht, wobei die organische Schicht eine Nanostruktur aufweist. Auf die organische Schicht ist vorteilhaft die Deckschicht aufgebracht.The reflection-reducing layer system that can be produced by the method advantageously comprises a first layer on a substrate, an inorganic second layer following the first layer, wherein the inorganic second layer is a porous layer, and an organic layer following the porous inorganic second layer, wherein the organic layer has a nanostructure. The cover layer is advantageously applied to the organic layer.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des reflexionsmindernden Schichtsystems ergeben sich aus der Beschreibung des Verfahrens.Further advantageous embodiments of the reflection-reducing layer system will become apparent from the description of the method.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 bis 3 näher erläutert.The invention will be described below with reference to embodiments in connection with 1 to 3 explained in more detail.

Es zeigen:

1A bis 1E ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems auf einem Substrat anhand von schematisch dargestellten Zwischenschritten,
2 eine grafische Darstellung der Reflexion R in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ für ein Ausführungsbeispiel des reflexionsmindernden Schichtsystems auf einem Substrat, und
3 eine grafische Darstellung der Reflexion R in Abhängigkeit von der Wellenlänge A für ein weiteres Ausführungsbeispiel des reflexionsmindernden Schichtsystems auf einem Substrat.

Show it:

1A to 1E An embodiment of a method for producing a reflection-reducing layer system on a substrate based on schematically illustrated intermediate steps,
2 a graphical representation of the reflection R as a function of the wavelength λ for an embodiment of the reflection-reducing layer system on a substrate, and
3 a graphical representation of the reflection R as a function of the wavelength A for a further embodiment of the reflection-reducing layer system on a substrate.

Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Identical or equivalent components are each provided with the same reference numerals in the figures. The components shown and the size ratios of the components with each other are not to be considered as true to scale.

Bei dem in 1A dargestellten ersten Zwischenschritt eines Verfahrens zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems ist eine erste Schicht 1 auf ein Substrat 10 aufgebracht worden. Die erste Schicht 1 kann zum Beispiel eine anorganische Schicht sein. Vorzugsweise ist die erste Schicht 1 eine Oxid- oder Fluoridschicht, die insbesondere SiO₂, Al₂O₃ oder MgF₂ enthalten kann. Die erste Schicht 1 kann alternativ auch Mischungen von Oxiden oder Fluoriden oder mehrere Teilschichten aus verschiedenen Oxiden und/oder Fluoriden aufweisen.At the in 1A The illustrated first intermediate step of a method for producing a reflection-reducing layer system is a first layer 1 on a substrate 10 been applied. The first shift 1 For example, it may be an inorganic layer. Preferably, the first layer 1 an oxide or fluoride layer, which may in particular contain SiO ₂ , Al ₂ O ₃ or MgF ₂ . The first shift 1 may alternatively have mixtures of oxides or fluorides or multiple sublayers of different oxides and / or fluorides.

Bei dem Substrat 10 kann es sich insbesondere um ein optisches Element handeln, bei dem die Reflexion der Oberfläche durch Aufbringen der reflexionsmindernden Schicht verringert werden soll. Beispielsweise kann das Substrat 10 eine Linse oder die Oberfläche eines Displays sein. Das Substrat 10 kann zum Beispiel Glas, insbesondere Quarzglas, oder einen transparenten Kunststoff aufweisen. Alternativ ist es aber auch möglich, dass das Substrat 10 ein Halbleitermaterial wie beispielsweise Silizium aufweist. Insbesondere kann das Substrat 10 die Oberfläche eines optischen oder optoelektronischen Bauelements sein.At the substrate 10 it may in particular be an optical element in which the reflection of the surface is to be reduced by applying the reflection-reducing layer. For example, the substrate 10 a lens or the surface of a display. The substrate 10 For example, it may comprise glass, in particular quartz glass, or a transparent plastic. Alternatively, it is also possible that the substrate 10 a semiconductor material such as silicon. In particular, the substrate 10 be the surface of an optical or optoelectronic device.

Die erste Schicht 1 wird vorzugsweise durch ein Vakuumbeschichtungsverfahren auf das Substrat 10 aufgebracht. Insbesondere kann die erste anorganische Schicht 1 durch thermische Verdampfung, Elektronenstrahlverdampfung oder Sputtern auf das Substrat 10 aufgebracht werden.The first shift 1 is preferably applied to the substrate by a vacuum coating method 10 applied. In particular, the first inorganic layer 1 by thermal evaporation, electron beam evaporation or sputtering on the substrate 10 be applied.

Die erste Schicht 1 weist vorteilhaft eine Brechzahl n₁ auf, die kleiner ist als die Brechzahl n_s des Substrats 10. Besonders bevorzugt gilt n_s > n₁ > 1,38.The first shift 1 advantageously has a refractive index n ₁ , which is smaller than the refractive index n _{s of} the substrate 10 , Particularly preferably, n _s > n ₁ > 1.38.

Bei dem in 1B schematisch dargestellten zweiten Verfahrensschritt ist eine anorganische zweite Schicht 2 auf die erste Schicht 1 aufgebracht worden, wobei die anorganische zweite Schicht 2 zur Erzeugung einer porösen Schichtstruktur durch eine GLAD-Verfahren unter einem schrägen Einfallswinkel abgeschieden wurde. Das Abscheiden der anorganischen zweiten Schicht 2 erfolgt vorzugsweise durch ein Vakuumbeschichtungsverfahren, insbesondere durch thermisches Verdampfen oder Elektronenstrahlverdampfen. Beim Aufdampfen der anorganischen zweiten Schicht 2 wird die Substratoberfläche derart in Bezug auf die Hauptstrahlrichtung der Verdampfungsquelle gedreht, dass ein Winkel zwischen der Normalen auf das Substrat und der Haupteinfallsrichtung des Dampfstrahls mindestens 60°, vorteilhaft zwischen 60° und 85°, beträgt.At the in 1B schematically illustrated second process step is an inorganic second layer 2 on the first layer 1 been applied, wherein the inorganic second layer 2 for producing a porous layer structure by a GLAD method was deposited at an oblique angle of incidence. The deposition of the inorganic second layer 2 is preferably carried out by a vacuum coating method, in particular by thermal evaporation or electron beam evaporation. On vapor deposition of the inorganic second layer 2 the substrate surface is rotated with respect to the main radiation direction of the evaporation source such that an angle between the normal to the substrate and the main direction of arrival of the vapor jet is at least 60 °, advantageously between 60 ° and 85 °.

Aufgrund der Abscheidung unter einem schrägen Einfallswinkel weist die anorganische zweite Schicht 2 eine Vielzahl von Poren 21 auf, deren laterale Ausdehnung vorteilhaft weniger als 130 nm beträgt. Da die Größe der Poren in der anorganischen zweiten Schicht 2 wesentlich kleiner als die Wellenlänge sichtbaren Lichts ist, lässt sich die optische Funktion der anorganischen zweiten Schicht 2 durch eine effektive Brechzahl n₂ beschreiben, die kleiner als die Brechzahl ist, die eine kontinuierliche Schicht aus dem Material der anorganischen zweiten Schicht 2 aufweisen würde. Vorteilhaft weist die effektive Brechzahl n₂ der anorganischen zweiten Schicht 2 einen Wert zwischen 1,10 und 1,45, besonders bevorzugt zwischen 1,10 und 1,38, auf. Insbesondere ist die effektive Brechzahl n₂ der anorganischen zweiten Schicht 2 vorteilhaft kleiner als die Brechzahl der ersten Schicht 1. Die anorganische zweite Schicht 2 weist vorzugsweise ein Oxid oder Fluorid auf, beispielsweise SiO₂, Al₂O₃ oder MgF₂. Die Dicke der anorganischen zweiten Schicht 2 beträgt vorzugsweise zwischen 30 nm und 230 nm.Due to the deposition at an oblique angle of incidence, the inorganic second layer 2 a variety of pores 21 whose lateral extent is advantageously less than 130 nm. As the size of the pores in the inorganic second layer 2 is significantly smaller than the wavelength of visible light, the optical function of the inorganic second layer can be 2 by an effective refractive index n ₂ , which is smaller than the refractive index, which is a continuous layer of the material of the inorganic second layer 2 would have. Advantageously, the effective refractive index n _{2 of} the inorganic second layer 2 a value between 1.10 and 1.45, more preferably between 1.10 and 1.38. In particular, the effective refractive index n _{2 of} the inorganic second layer 2 advantageously smaller than the refractive index of the first layer 1 , The inorganic second layer 2 preferably has an oxide or fluoride, for example SiO ₂ , Al ₂ O ₃ or MgF ₂ . The thickness of the inorganic second layer 2 is preferably between 30 nm and 230 nm.

Bei einem weiteren schematisch in 1C dargestellten Verfahrensschritt wird eine organische Schicht 3 auf die poröse anorganische zweite Schicht 2 aufgebracht. Die organische Schicht ist vorteilhaft aus einem Material gebildet, welches sich in einem nachfolgenden Verfahrensschritt mittels eines Plasmaätzprozesses strukturieren lässt. Die organische Schicht 3 wird bevorzugt wie die beiden zuvor aufgebrachten Schichten 1, 2 mit einem Vakuumbeschichtungsverfahren aufgebracht. Zum Beispiel kann das Aufbringen der organischen Schicht 3 durch ein PVD- oder ein CVD-Verfahren erfolgen. Insbesondere kann die Herstellung der organischen Schicht 3 mittels thermischen Verdampfens oder mittels eines Plasmapolymerisationsverfahrens erfolgen.In another schematic in 1C The process step shown is an organic layer 3 on the porous inorganic second layer 2 applied. The organic layer is advantageously formed from a material which can be structured in a subsequent method step by means of a plasma etching process. The organic layer 3 is preferred as the two previously applied layers 1 . 2 applied by a vacuum coating method. For example, the application of the organic layer 3 by a PVD or a CVD method. In particular, the production of the organic layer 3 by means of thermal evaporation or by means of a plasma polymerization process.

Nach dem Aufbringen der organischen Schicht 3 wird ein Plasmaätzprozess durchgeführt. Wie in 1D dargestellt, wird auf diese Weise eine Nanostruktur 31 in der organischen Schicht 3 erzeugt. Die Erzeugung der Nanostruktur 31 erfolgt vorzugsweise durch Ionenbeschuss mittels einer PlasmaIonenquelle. Dabei kann beispielsweise ein Argon-Sauerstoff-Plasma verwendet werden. Ein derartiges Plasmaätzverfahren ist an sich aus der Druckschrift DE 102 41 708 B4 bekannt und wird daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.After application of the organic layer 3 a plasma etching process is performed. As in 1D In this way, it becomes a nanostructure 31 in the organic layer 3 generated. The generation of the nanostructure 31 is preferably carried out by ion bombardment by means of a plasma ion source. In this case, for example, an argon-oxygen plasma can be used. Such a plasma etching is per se from the document DE 102 41 708 B4 is known and will therefore not be explained in detail here.

Die Nanostruktur 31 weist vorteilhaft eine Tiefe von mindestens 80 nm auf. Bevorzugt beträgt die Tiefe der Nanostruktur 31 zwischen 80 nm und 200 nm. Die Nanostruktur 31 kann beispielsweise säulenförmige Strukturen mit einer mittleren Höhe von 90 nm bis 120 nm aufweisen. Mittels der Nanostruktur 31 wird in der organischen Schicht 3 ein Brechzahlgradient erzeugt, bei dem die Brechzahl in zunehmendem Abstand vom Substrat 10 abnimmt. Die Nanostruktur 31 kann beispielsweise Strukturelemente in Form von Erhebungen, Vertiefungen und/oder Poren aufweisen, deren Breite vorzugsweise im Mittel weniger als 130 nm beträgt. Die auf diese Weise nanostrukturierte organische Schicht 3 weist vorzugsweise eine effektive Brechzahl n₃ auf, wobei 1,02 < n3 < 1,40 gilt. Bevorzugt gilt 1,08 < n₃ < 1,25. Die effektive Brechzahl n₃ der nanostrukturierten organischen Schicht 3 ist insbesondere kleiner als die Brechzahl n₂ der porösen zweiten anorganischen Schicht 2. Vorteilhaft nimmt die Brechzahl ausgehend vom Substrat in der Schichtenfolge stufenweise oder kontinuierlich ab, so dass n_s > n₁ > n₂ > n₃ gilt.The nanostructure 31 advantageously has a depth of at least 80 nm. Preferably, the depth of the nanostructure is 31 between 80 nm and 200 nm. The nanostructure 31 For example, it may have columnar structures with a mean height of 90 nm to 120 nm. By means of the nanostructure 31 is in the organic layer 3 generates a refractive index gradient, wherein the refractive index at increasing distance from the substrate 10 decreases. The nanostructure 31 For example, it may have structural elements in the form of elevations, depressions and / or pores whose width is preferably less than 130 nm on average. The nanostructured organic layer in this way 3 preferably has an effective refractive index n ₃ , where 1.02 <n3 <1.40. Preferably, 1.08 <n ₃ <1.25. The effective refractive index n _{3 of} the nanostructured organic layer 3 is in particular smaller than the refractive index n _{2 of} the porous second inorganic layer 2 , Advantageously, the refractive index, starting from the substrate in the layer sequence, decreases stepwise or continuously, so that n _s > n ₁ > n ₂ > n ₃ .

Bei einem weiteren schematisch in 1E dargestellten Verfahrensschritt ist eine Deckschicht 4 auf die nanostrukturierte organische Schicht 3 aufgebracht worden. Die Deckschicht 4 weist vorzugsweise eine Dicke von weniger als 30 nm auf. Beispielsweise kann die Deckschicht etwa 20 nm dick sein. Aufgrund ihrer geringen Dicke formt die Deckschicht die Nanostruktur im Wesentlichen konform nach und ebnet diese insbesondere nicht ein. Die Deckschicht 4 kann insbesondere eine Oxid- oder Fluoridschicht sein, besonders bevorzugt eine SiO₂-Schicht. Vorzugsweise wird die Deckschicht 4 mit einem Vakuumbeschichtungsverfahren, beispielsweise durch Elektronenstrahlverdampfung, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) oder ALD (Atomic Layer Deposition), aufgebracht.In another schematic in 1E illustrated method step is a cover layer 4 on the nanostructured organic layer 3 been applied. The cover layer 4 preferably has a thickness of less than 30 nm. For example, the cover layer may be about 20 nm thick. Due to its small thickness, the cover layer essentially conforms to the nanostructure and in particular does not level it. The cover layer 4 may in particular be an oxide or fluoride layer, more preferably an SiO ₂ layer. Preferably, the cover layer becomes 4 with a vacuum coating method, for example by electron beam evaporation, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or ALD (Atomic Layer Deposition) applied.

Das auf diese Weise fertiggestellte reflexionsmindernde Schichtsystem 5 weist vorteilhaft eine Gesamtdicke von mindestens 200 nm auf. Dies hat den Vorteil, dass die Brechzahl ausgehend vom Substrat 10 über einen großen Dickenbereich stufenweise und/oder kontinuierlich abnimmt, wodurch eine gute Entspiegelungswirkung des reflexionsmindernden Schichtsystems über einen breiten Wellenlängen- und Winkelbereich erzielt wird.The reflection-reducing layer system completed in this way 5 advantageously has a total thickness of at least 200 nm. This has the advantage that the refractive index starting from the substrate 10 decreases over a large thickness range gradually and / or continuously, whereby a good anti-reflection effect of the reflection-reducing layer system over a wide wavelength and angle range is achieved.

In 2 ist die Reflexion R in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ für ein erstes Ausführungsbeispiel des reflexionsmindernden Schichtsystems für die Einfallswinkel 0°, 50° und 60° dargestellt. Bei dem Ausführungsbeispiel wurde eine 70 nm dicke MgF₂-Schicht als erste anorganische Schicht 1 auf ein Glassubstrat 10, das Quarzglas mit einer Brechzahl ns= 1,47 aufweist, aufgebracht. Auf die erste anorganische Schicht 1 wurde eine 65 nm dicke anorganische zweite Schicht 2 mit einem GLAD-Verfahren unter einem schrägen Einfallswinkel aufgedampft. Die zweite anorganische Schicht ist eine MgF₂-Schicht.In 2 is the reflection R as a function of the wavelength λ for a first embodiment of the reflection-reducing layer system for the angles of incidence 0 °, 50 ° and 60 ° shown. In the embodiment, a 70 nm thick MgF ₂ layer was used as the first inorganic layer 1 on a glass substrate 10 , the quartz glass having a refractive index ns = 1.47, applied. On the first inorganic layer 1 became a 65 nm thick inorganic second layer 2 vapor deposited using a GLAD method at an oblique angle of incidence. The second inorganic layer is a MgF ₂ layer.

Darauf wurde eine organische Schicht 3 aus Melamin abgeschieden und durch einen Plasmaätzprozess mit einer Nanostruktur versehen. Auf die organische Schicht 3 aus Melamin wurde nachfolgend eine 20 nm dicke Deckschicht aus SiO₂ aufgebracht, wobei eine Gesamtdicke aus der mit der Nanostruktur versehenen Melaminschicht und der Deckschicht 95 nm beträgt.On top of that was an organic layer 3 deposited from melamine and provided by a plasma etching with a nanostructure. On the organic layer 3 A 20 nm thick SiO ₂ cover layer was subsequently applied from melamine, with a total thickness of the nanostructured melamine layer and the cover layer being 95 nm.

Die in 2 dargestellten Reflexionskurven zeigen, dass bei Einfallswinkeln von 0° und 50° die Restreflexion im sichtbaren Spektralbereich von 400 nm bis 700 nm durchgehend weniger als 1 % beträgt, und bei einem Einfallswinkel von 60° noch weniger als 2 %.In the 2 Reflection curves shown show that at incidence angles of 0 ° and 50 °, the residual reflection in the visible spectral range from 400 nm to 700 nm is consistently less than 1%, and at an angle of incidence of 60 ° even less than 2%.

In 3 ist die Reflexion R in Abhängigkeit von der Wellenlänge Ä für ein zweites Ausführungsbeispiel des reflexionsmindernden Schichtsystems dargestellt, das sich von dem ersten Ausführungsbeispiel dadurch unterscheidet, dass als Substrat ein Glassubstrat vom Typ B270 mit einer Brechzahl n_s= 1,53 verwendet wurde, und dass die erste anorganische Schicht 1 aus einer ersten Teilschicht, bei der es sich um eine 50 nm dicke SiO₂-Schicht handelt, und einer zweiten Teilschicht, bei der es sich um eine 40 nm dicke MgF₂-Schicht handelt, gebildet ist. Die poröse anorganische zweite Schicht 2, die organische Schicht 3 und die Deckschicht 4 sind bei diesem Ausführungsbeispiel wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel ausgeführt. Die in 3 dargestellten Reflexionskurven zeigen, dass auch bei diesem Ausführungsbeispiel bei den Einfallswinkeln 0° und 50° jeweils eine Restreflexion von durchgehend weniger als 1 % erzielt wird und auch bei einem Einfallswinkel von 60° die Restreflexion durchgehend weniger als 2 % beträgt.In 3 is the reflection R as a function of the wavelength λ for a second embodiment of the reflection-reducing layer system shown, which differs from the first embodiment in that a glass substrate of the type B270 with a refractive index n _s = 1.53 was used, and that the first inorganic layer 1 a first sublayer, which is a 50 nm thick SiO ₂ layer, and a second sublayer, which is a 40 nm thick MgF ₂ layer. The porous inorganic second layer 2 , the organic layer 3 and the topcoat 4 are executed in this embodiment as in the first embodiment. In the 3 shown reflection curves show that even in this embodiment at the angles of incidence 0 ° and 50 ° each a residual reflection of consistently less than 1% is achieved and even at an angle of incidence of 60 °, the residual reflection is continuously less than 2%.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines reflexionsmindernden Schichtsystems (5) auf einem Substrat (10), umfassend die Verfahrensschritte: - Aufbringen einer ersten Schicht (1) auf das Substrat (10), - Aufbringen einer zweiten Schicht (2), wobei die zweite Schicht eine anorganische Schicht ist, die zur Erzeugung einer porösen Schichtstruktur unter einem Dampfeinfallswinkel größer als 60° aufgedampft wird, - Aufbringen einer organischen Schicht (3) und - Erzeugen einer Nanostruktur (31) in der organischen Schicht (3) durch einen Plasmaätzprozess.Method for producing a reflection-reducing layer system (5) on a substrate (10), comprising the method steps: Applying a first layer (1) to the substrate (10), Applying a second layer (2), the second layer being an inorganic layer which is vapor-deposited to produce a porous layer structure at a vapor incidence angle greater than 60 °, - Applying an organic layer (3) and - Producing a nanostructure (31) in the organic layer (3) by a plasma etching process.

Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat einen Brechungsindex n_s und die erste Schicht (1) einen Brechungsindex n₁ aufweist, wobei n_s > n₁ > 1,38 ist.Method according to Claim 1 wherein the substrate has a refractive index n _s and the first layer (1) has a refractive index n ₁ , where n _s > n ₁ > 1.38.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die anorganische zweite Schicht (2) einen effektiven Brechungsindex n₂ aufweist, wobei 1,10 < n₂ < 1,45 gilt.Method according to one of the preceding claims, wherein the inorganic second layer (2) has an effective refractive index n ₂ , where 1.10 <n ₂ <1.45.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die organische Schicht (3) einen effektiven Brechungsindex n₃ aufweist, wobei 1,02 < n₃ < 1,40 gilt.Method according to one of the preceding claims, wherein the organic layer (3) has an effective refractive index n ₃ , wherein 1.02 <n ₃ <1.40 applies.

Verfahren nach den Ansprüchen 2, 3 und 4, wobei n_s > n₁ > n₂ > n₃ gilt.Method according to the Claims 2 . 3 and 4 , where n _s > n ₁ > n ₂ > n ₃ .

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das reflexionsmindernde Schichtsystem (5) eine Dicke von mindestens 200 nm aufweist.Method according to one of the preceding claims, wherein the reflection-reducing layer system (5) has a thickness of at least 200 nm.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Schicht (1) und/oder die anorganische zweite Schicht (2) ein Oxid oder ein Fluorid aufweisen.Method according to one of the preceding claims, wherein the first layer (1) and / or the inorganic second layer (2) comprises an oxide or a fluoride.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Aufbringen der anorganischen zweiten Schicht (2) durch Aufdampfen unter einem Dampfeinfallswinkel zwischen 60° und 85° erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the application of the inorganic second layer (2) by vapor deposition takes place at a vapor incidence angle between 60 ° and 85 °.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,. wobei die anorganische zweite Schicht (2) eine Dicke zwischen 30 nm und 200 nm aufweist.Method according to one of the preceding claims,. wherein the inorganic second layer (2) has a thickness between 30 nm and 200 nm.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Nanostruktur (31) Strukturelemente in Form von Erhebungen, Vertiefungen und/oder Poren aufweist, deren Breite im Mittel weniger als 130 nm beträgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the nanostructure (31) has structural elements in the form of elevations, depressions and / or pores whose average width is less than 130 nm.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei nach der Erzeugung der Nanostruktur (31) eine Deckschicht (4) auf die Nanostruktur (31) aufgebracht wird, wobei die Deckschicht (4) eine Dicke von nicht mehr als 40 nm aufweist.Method according to one of the preceding claims, wherein after the formation of the nanostructure (31), a cover layer (4) is applied to the nanostructure (31), wherein the cover layer (4) has a thickness of not more than 40 nm.

Reflexionsminderndes Schichtsystem (5) auf einem Substrat (10), umfassend - eine erste Schicht (1) auf dem Substrat (10), - eine der ersten Schicht (1) nachfolgende anorganische zweite Schicht (2), wobei die anorganische zweite Schicht eine poröse Schicht ist, und - eine der porösen anorganischen zweiten Schicht (2) nachfolgende organische Schicht (3), wobei die organische Schicht (3) eine Nanostruktur (31) aufweist.Reflection-reducing layer system (5) on a substrate (10), comprising a first layer (1) on the substrate (10), - one of the first layer (1) subsequent inorganic second layer (2), wherein the inorganic second layer is a porous layer, and - One of the porous inorganic second layer (2) subsequent organic layer (3), wherein the organic layer (3) has a nanostructure (31).

Reflexionsminderndes Schichtsystem nach Anspruch 12, wobei - das Substrat (10) einen Brechungsindex n_s und die erste Schicht (1) einen Brechungsindex n₁ aufweist, wobei n_s > n₁ > 1,38 ist, - die anorganische zweite Schicht (2) einen effektiven Brechungsindex n₂ mit 1,10 < n₂ < 1,45 aufweist und - die organische Schicht (3) einen effektiven Brechungsindex n₃ aufweist, wobei 1,02 < n3 < 1,40 gilt.Reflection-reducing layer system according to Claim 12 in which - the substrate (10) has a refractive index n _s and the first layer (1) has a refractive index n ₁ , where n _s > n ₁ > 1.38, - the inorganic second layer (2) has an effective refractive index n ₂ with 1.10 <n ₂ <1.45, and - the organic layer (3) has an effective refractive index n ₃ , where 1.02 <n3 <1.40.

Reflexionsminderndes Schichtsystem nach Anspruch 12 oder 13, wobei die die anorganische zweite Schicht (2) eine Dicke zwischen 30 nm und 200 nm aufweist.Reflection-reducing layer system according to Claim 12 or 13 wherein the inorganic second layer (2) has a thickness between 30 nm and 200 nm.

Reflexionsminderndes Schichtsystem nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei eine Deckschicht (4) auf der Nanostruktur (31) angeordnet ist, wobei die Deckschicht (4) eine Dicke von nicht mehr als 40 nm aufweist.Reflection-reducing layer system according to one of Claims 12 to 14 wherein a cover layer (4) is arranged on the nanostructure (31), wherein the cover layer (4) has a thickness of not more than 40 nm.