DE102013221644A1 - LED module with concave support - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 25
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Die Erfindung beschreibt ein LED Modul aufweisend einen Träger (1) und wenigstens zwei Leuchtdioden (LED) Chips (2a, 2b, 2c, 2'), wobei der Träger (1) wenigstens eine nicht-planare, vorzugsweise konkav ausgebildete Oberfläche (3) aufweist, und wobei die wenigstens zwei LED Chips auf der nicht-planaren Oberfläche angeordnet sind, derart, dass sich die Mittelachsen (M) des vom jeweiligen LED Chip abgestrahlten Lichtbündels in einem Punkt (Z) treffen.The invention relates to an LED module comprising a carrier (1) and at least two light-emitting diodes (LED) chips (2a, 2b, 2c, 2 '), the carrier (1) having at least one non-planar, preferably concave surface (3). and wherein the at least two LED chips are arranged on the non-planar surface such that the central axes (M) of the light beam emitted by the respective LED chip meet at a point (Z).
Description
Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf ein LED Modul mit einem nicht-planarem Träger bzw. Substrat. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf ein LED Modul mit wenigstens zwei oder mehreren Leuchtdioden (LEDs), welche in vordefinierter Weise auf einem derartigen Träger angeordnet sind.The present application relates to an LED module with a non-planar support or substrate. In particular, the invention relates to an LED module with at least two or more light-emitting diodes (LEDs), which are arranged in a predefined manner on such a support.
Es ist Stand der Technik mehrere LEDs auf eine flache Leiterplatte bzw. Printed Circuit Board (PCBs) aufzubringen. Hierbei werden die LEDs oder LED Einheiten (LED Packages) beispielsweise mit Hilfe einer SMD Bestückungsanlage auf der flachen Oberfläche der Leiterplatte in einem zuvor definierten Muster bzw. auf einem zuvor definierten Platz angeordnet.It is state of the art to apply a plurality of LEDs to a flat printed circuit board (PCB). In this case, the LEDs or LED units (LED packages) are arranged, for example with the aid of an SMD placement system on the flat surface of the circuit board in a previously defined pattern or on a previously defined place.
Eine derartige Anordnung der LEDs weist jedoch den Nachteil auf, dass engere Abstrahlcharakteristik und/oder eine Erhöhung der Leuchtdichte des resultierenden LED Moduls nur durch eine hohe Bestückungsdichte der LEDs auf dem planaren Träger oder mit Hilfe von zusätzlichen, engwinkligen Reflektoren erzielt werden kann. Dadurch ergeben sich jedoch Einschränkungen hinsichtlich des Aufbaus des LED Moduls. Des Weiteren sind die Möglichkeiten der Lichtbündelung des von dem LED Modul erzeugten Lichts sowie die Erzeugung hoher Leuchtdichten mit den oben genannten bekannten Optionen limitiert.However, such an arrangement of the LEDs has the disadvantage that tighter radiation characteristics and / or an increase in the luminance of the resulting LED module can only be achieved by a high population density of the LEDs on the planar support or with the aid of additional, narrow-angled reflectors. However, this results in restrictions regarding the structure of the LED module. Furthermore, the possibilities of light bundling of the light generated by the LED module and the generation of high luminance with the above known options are limited.
Ausgehen vom Stand der Technik ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein LED Modul bereitzustellen, welches über eine bessere Leuchtdichte verfügt, sowie eine verbesserte Bündelung des erzeugten Lichts der darauf angeordneten LED Chips ermöglicht.Starting from the prior art, it is an object of the present invention to provide an LED module, which has a better luminance, as well as an improved bundling of the generated light of the LED chips arranged thereon.
Diese Aufgabe wird durch die unabhängigen Ansprüche gelöst. Die abhängigen Ansprüche bilden den Kerngedanken der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Art und Weise weiter.This object is solved by the independent claims. The dependent claims further form the essence of the present invention in an advantageous manner.
Ein erster Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein LED Modul aufweisend einen Träger und wenigstens zwei Leuchtdioden (LED) Chips, wobei der Träger wenigstens eine nicht-planare, vorzugsweise konkav ausgebildete Oberfläche aufweist, und wobei die wenigstens zwei LED Chips auf der nicht-planaren Oberfläche angeordnet sind, derart, dass sich die Mittelachsen des vom jeweiligen LED Chip abgestrahlten Lichtbündels in einem Punkt treffen.A first aspect of the invention relates to an LED module comprising a carrier and at least two light-emitting diode (LED) chips, wherein the carrier has at least one non-planar, preferably concave surface, and wherein the at least two LED chips on the non-planar Surface are arranged such that the center axes of the light beam emitted by the respective LED chip meet at a point.
Durch die erfindungsgemäße Anordnung wird eine verbesserte Bündelung der von den einzelnen LED Chips erzeugten Lichtbündel und damit eine erhöhte Leuchtdichte bei optimierter Platzausnutzung auf dem Träger ermöglicht.The arrangement according to the invention enables an improved bundling of the light bundles generated by the individual LED chips and thus an increased luminance with optimized space utilization on the carrier.
Das erfindungsgemäße LED Modul emittiert vorzugsweise Mischlicht, insbesondere Weißlicht einer natürlichen Farbtemperatur.The LED module according to the invention preferably emits mixed light, in particular white light of a natural color temperature.
Der Träger ist vorzugsweise eine Leiterplatte bzw. Printed Circuit Board (PCB) mit welchem die LEDs elektrisch kontaktiert sind.The carrier is preferably a printed circuit board (PCB) with which the LEDs are electrically contacted.
Der Träger oder die nicht-planare Oberfläche des Trägers kann mit einer hochreflektierenden Schicht ausgerüstet bzw. beschichtet sein. Die hochreflektierende Schicht ist vorzugsweise derart auf die nicht-planare Fläche des Trägers aufgebracht, dass diese die LED Chips wenigstens teilweise seitlich umgibt. Die hochreflektierende Schicht deckt vorzugsweise die Oberfläche des Trägers unter den LED Chips/SMD Bauteilen nicht ab.The carrier or non-planar surface of the carrier may be coated with a highly reflective layer. The highly reflective layer is preferably applied to the non-planar surface of the carrier so that it surrounds the LED chips at least partially laterally. The highly reflective layer preferably does not cover the surface of the support under the LED chips / SMD components.
Die hochreflektierende Schicht kann vorzugsweise wenigstens eine Seitenfläche der LED Chips/SMD Bauteile kontaktieren. Die hochreflektierende Schicht kann eine weiße, hochreflektierende Schicht sein.The highly reflective layer may preferably contact at least one side surface of the LED chip / SMD components. The highly reflective layer may be a white, highly reflective layer.
Der Träger ist in einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel ein mehrschichtiger Träger. Der mehrschichtige Träger kann eine Metallplatte, wie beispielweise eine Platte aus Aluminium, und eine Leiterplatte umfassen. Die Metallplatte kann wenigstens eine Oxidschicht und/oder wenigstens eine Lackschicht auf ihrer Oberfläche aufweisen.The carrier is a multilayer carrier in another preferred embodiment. The multilayer substrate may comprise a metal plate, such as an aluminum plate, and a printed circuit board. The metal plate may have at least one oxide layer and / or at least one lacquer layer on its surface.
Die LED Chips sind vorzugsweise in „face-up” Anordnung auf dem Träger bzw. der Leiterplatte angeordnet. Hierbei sind die LED Chips mit Bonddrähten mit entsprechenden Kontakten der Leiterplatte elektrisch verbunden.The LED chips are preferably arranged in a "face-up" arrangement on the carrier or the printed circuit board. Here, the LED chips are electrically connected to bonding wires with corresponding contacts of the circuit board.
Alternative können die LED Chips auch in „face-down” Anordnung auf der Leiterplatte angebracht sein.Alternatively, the LED chips can also be mounted in a "face-down" arrangement on the printed circuit board.
Das LED Modul weist vorzugsweise mindestens zwei LED Chips auf, welche auf die nicht-planare Leiterplatte aufgebracht sind. Vorzugsweise sind eine Vielzahl an LED Chips auf der Leiterplatte aufgebracht, derart, dass sich die Mittelachsen des vom jeweiligen LED Chip abgestrahlten Lichtbündels in einem Punkt treffen.The LED module preferably has at least two LED chips, which are applied to the non-planar printed circuit board. Preferably, a plurality of LED chips are applied to the circuit board, such that the center axes of the light beam emitted by the respective LED chip meet at a point.
Der Träger kann eine Aussparung aufweisen, welche die nicht-planare Oberfläche des Trägers formt. Die Aussparung des Trägers ist vorzugsweise konkav ausgebildet. Die Aussparung ist weiterhin vorzugsweise rotationssymmetrisch. The carrier may have a recess which shapes the non-planar surface of the carrier. The recess of the carrier is preferably concave. The recess is furthermore preferably rotationally symmetrical.
Alternativ kann der Träger eine ursprünglich flacher Träger oder ein Substrat sein, welches derart gebogen wird, dass wenigstens eine nicht-planare, vorzugsweise konkave Oberfläche entsteht. Ein derartiges Biegen des ursprünglich flachen Trägers bzw. des Substrats kann vor oder nach dem Aufbringen der LED Chips auf eine Oberfläche des Trägers erfolgen.Alternatively, the support may be an original flat support or a substrate which is bent to form at least one non-planar, preferably concave surface. Such bending of the originally flat carrier or substrate may occur before or after application of the LED chips to a surface of the carrier.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die nicht-planare Fläche des Trägers eine parabolische bzw. parabelförmige Oberfläche.In a preferred embodiment, the non-planar surface of the carrier is a parabolic or parabolic surface.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel befindet sich der Schnittpunkt der von den LED Chips ausgestrahlten Lichtbündel außerhalb einer im Träger vorgesehenen Aussparung. Falls die konkave Oberfläche des Trägers durch Biegung eines ursprünglich flachen Trägers geformt wird, liegt der Schnittpunkt der von den LED Chips ausgestrahlten Lichtbündel vorzugsweise außerhalb einer durch die äußersten LED Chips des Trägers gebildeten Ebene.In a preferred embodiment, the point of intersection of the light beams emitted by the LED chips is located outside a recess provided in the carrier. If the concave surface of the carrier is formed by bending an originally flat carrier, the intersection of the light beams emitted by the LED chips is preferably outside a plane formed by the outermost LED chips of the carrier.
Die LED Chips sind vorzugsweise derart ausgebildet, dass ein vom jeweiligen LED Chip abgestrahltes Lichtbündel einen relativ geringen Abstrahlwinkel bzw. Ausstrahlungswinkel aufweist. Vorzugsweise weisen die jeweiligen LED Chips Ausstrahlungswinkel von weniger als 30°, bevorzugt weniger als 15° auf. In einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel weisen die LED Chips einen Ausstrahlungswinkel von weniger als 10° oder bevorzugter weniger als 5° auf.The LED chips are preferably designed such that a light beam emitted by the respective LED chip has a relatively low emission angle or emission angle. The respective LED chips preferably have emission angles of less than 30 °, preferably less than 15 °. In a particularly preferred embodiment, the LED chips have an emission angle of less than 10 ° or more preferably less than 5 °.
Die LED Chips können ein den Ausstrahlungswinkel des jeweiligen LED Chips reduzierendes Mittel aufweisen, welches auf den jeweiligen LED Chips aufgebracht oder angebracht ist. Dieses kann eine Optik wie beispielsweise eine Linse sein, welches als Fertigbauteil auf den jeweiligen LED Chip aufgebracht wird.The LED chips may have a radiation angle of the respective LED chips reducing means which is applied or mounted on the respective LED chips. This can be an optic such as a lens, which is applied as a finished component on the respective LED chip.
Es kann auch eine Vergussmasse auf die jeweiligen LED Chips aufgebracht werden. Die Vergussmasse kann beispielsweise mit Hilfe eines Dispensverfahrens auf den LED Chip aufgebracht werden. Die Vergussmasse weist vorzugsweise eine Linsenfunktion auf.It is also possible to apply a potting compound to the respective LED chips. The potting compound can be applied for example by means of a dispensing method on the LED chip. The potting compound preferably has a lens function.
Die auf die LED Chips aufgebrachte Vergussmasse kann auch lumineszierende Partikel wie beispielsweise Phosphorpartikel aufweisen. Die lumineszierenden Partikel können organisch oder anorganisch sein. Die Partikel können beispielsweise organische Farbstoffe, Leuchtstoffe oder Q-dots sein. In diesem Fall ist die Vergussmasse vorzugsweise als kuppelartiges Element, so genanntes „Globe-top” oder als dünne Schicht auf die jeweiligen LED Chips aufgebracht. Die dünne Phosphorschicht deckt vorzugsweise die obere Oberfläche der LED Chips ab.The potting compound applied to the LED chips can also have luminescent particles, such as phosphor particles. The luminescent particles may be organic or inorganic. The particles may be, for example, organic dyes, phosphors or Q-dots. In this case, the potting compound is preferably applied as a dome-like element, so-called "globe top" or as a thin layer on the respective LED chips. The thin phosphor layer preferably covers the upper surface of the LED chips.
Es kann auch eine zusätzliche Farbkonversionsschicht in Form einer Vergussmasse oder alternativ ein Fertigbauteil vorgesehen sein, in welche/welches Phosphorpartikel dispergiert bzw. eingebracht sind und welche/welches auf die jeweiligen LED Chips aufgebracht ist. Ein wie oben beschriebenes Mittel zur Reduktion des Ausstrahlungswinkels des jeweiligen LED Chips kann in Ausstrahlungsrichtung dieser Farbkonversionsschicht nachgeordnet angebracht sein.It can also be provided an additional color conversion layer in the form of a potting compound or alternatively a prefabricated component, in which / which phosphor particles are dispersed or introduced and which / which is applied to the respective LED chips. A means for reducing the emission angle of the respective LED chip as described above may be arranged downstream in the direction of emission of this color conversion layer.
Die Vergussmasse kann einzeln auf die jeweiligen LED Chips oder als gemeinsames Element über mehrere LED Chips aufgebracht werden.The casting compound can be applied individually to the respective LED chips or as a common element via a plurality of LED chips.
Die auf den LED Chip aufzutragende Vergussmasse wird vorzugsweise derart aufgebracht, dass eine Streuung des von dem LED Chip emittierten Lichts vermieden wird.The potting compound to be applied to the LED chip is preferably applied in such a way that a scattering of the light emitted by the LED chip is avoided.
Die Vergussmasse kann in einer gleichmäßigen Schicht über den äußeren Konturen des LED Chips aufgetragen sein. Dieses konforme Beschichten („conformal coating”) ist aus dem Stand der Technik bekannt und wird in der Druckschrift
Die LED Chips gemäß der Erfindung emittieren vorzugsweise blaues Licht einer Wellenlänge zwischen 420 und 490 nm. Alternativ oder zusätzlich können aber auch LED Chips vorgesehen sein, welche ein Licht anderer Wellenlänge emittieren.The LED chips according to the invention preferably emit blue light of a wavelength between 420 and 490 nm. Alternatively or additionally, however, LED chips can also be provided which emit light of a different wavelength.
Die Phosphorpartikel sind ausgeprägt eine Farbkonversion wenigstens einen Teil des von dem jeweiligen LED Chip emittierten Lichts in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Derartige Phosphorpartikel sind im Stand der Technik hinreichend bekannt. Die Phosphorpartikel sind vorzugsweise derart ausgewählt, dass diese im grünen, gelb-grünen, gelben und/oder roten Spektrum emittieren. Ein Phosphor mit den oben genannten Eigenschaften kann beispielsweise folgende Elemente aufweisen: Phosphormaterial aus der Gruppe der Silikate wie beispielsweise Ca3Sc2Si3O12:Ce3+, aus der Gruppe der Orthosilikate, wie beispielsweise ein BOSE-Phosphor, aus der Gruppe der Aluminate oder Granate, wie beispielsweise YAG:Ce3+, (YGd)AG:Ce3+, LuAG:Ce3+, aus der Gruppe der Oxide, beispielsweise CaScO2:Eu2+, aus der Gruppe der Sialone, wie beispielsweise α-SiALON:Eu2+, β-SiALON:Eu2+, aus der Gruppe der Nitride, wie beispielsweise La3Si6N11:Ce3+, CaAlSiN3:Ce3+, oder ein Oxinitrid wie beispielsweise SrSi2N2O2:Eu2+ oder (Ca, Sr, Ba)Si2N2O2:Eu2. Mischungen bestehend aus bekannten lumineszierenden Partikeln und/oder den oben genannten Partikeln können auch angewendet werden.The phosphor particles are pronounced color conversion to convert at least a portion of the light emitted by the respective LED chip into light of a different wavelength. Such phosphor particles are well known in the art. The phosphor particles are preferably selected such that they emit in the green, yellow-green, yellow and / or red spectrum. A phosphor having the abovementioned properties may, for example, comprise the following elements: Phosphorus material from the group of silicates, for example Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 :
Das resultierende, farbkonvertierte Licht der einzelnen LED Chips ist vorzugsweise Mischlicht, insbesondere Weißlicht.The resulting, color-converted light of the individual LED chips is preferably mixed light, in particular white light.
Das erfindungsgemäße LED Modul weist vorzugsweise ferner einen Reflektor auf, welcher mit dem Träger selektiv verbindbar ist. Der Reflektor ist vorzugsweise ein Hohlspiegel. Der Reflektor kann sphärisch oder parabelförmig sein.The LED module according to the invention preferably further comprises a reflector, which is selectively connectable to the carrier. The reflector is preferably a concave mirror. The reflector may be spherical or parabolic.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Reflektor bezüglich des Trägers derart angeordnet, dass sich die Mittelachsen der Lichtbündel der LED Chips im Zentrum oder alternativ im Brennpunkt des Reflektors treffen. Die optischen Achsen bzw. Mittelachsen der Lichtbündel der jeweiligen LED Chips treffen sich daher bevorzugt koinzident mit dem Zentrum oder alternativ im Brennpunkt des Reflektors.In a preferred embodiment, the reflector is arranged with respect to the carrier such that the center axes of the light bundles of the LED chips meet in the center or alternatively in the focal point of the reflector. The optical axes or central axes of the light bundles of the respective LED chips therefore preferably coincide with the center or alternatively at the focal point of the reflector.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein oberflächenmontierbares Bauteil bzw. „Surface mounted device” (SMD) zur vereinfachten Aufbringung auf eine nicht-planare Oberfläche eines Trägers, aufweisend ein Substrat, auf welchem ein LED Chip angeordnet ist und eine über dem LED Chip aufgebrachte Phosphorschicht, wobei das Bauteil ferner ein den Abstrahlwinkel des LED Chips reduzierendes optisches Element aufweist, welches oberhalb der Phosphorschicht angeordnet ist.Another aspect of the invention relates to a surface mounted device (SMD) for ease of application to a non-planar surface of a carrier, comprising a substrate on which an LED chip is disposed and one over the LED chip applied phosphor layer, wherein the component further comprises an emitting angle of the LED chip reducing optical element, which is arranged above the phosphor layer.
Der LED Chip des SMD ist vorzugsweise auf einem Substrat aufgebracht. Das Substrat kann eine Kavität aufweisen, in welcher der LED Chip angeordnet ist.The LED chip of the SMD is preferably applied to a substrate. The substrate may have a cavity in which the LED chip is arranged.
Die über dem LED Chip aufgebrachte Phosphorschicht ist vorzugsweise aus Vergussmasse geformt, welche Phosphorpartikel enthält. Die Vergussmasse ist vorzugsweise in die Kavität des Substrats eingebracht. Dabei kann die Vergussmasse mit dem oberen Rand der Kavität bündig abschließen. Die Phosphorpartikel, welche in die Vergussmasse eingebracht sind, sind vorzugsweise derart ausgewählt, dass diese im grünen, gelb-grünen, gelben und/oder roten Spektrum emittieren. Dabei kann die Phosphorschicht, die oben genannten Phosphorpartikel aufweisen.The applied over the LED chip phosphor layer is preferably formed of potting compound containing phosphor particles. The potting compound is preferably introduced into the cavity of the substrate. The potting compound can be flush with the upper edge of the cavity. The phosphor particles which are introduced into the potting compound are preferably selected such that they emit in the green, yellow-green, yellow and / or red spectrum. In this case, the phosphor layer, the above-mentioned phosphor particles.
Die Kavität kann eine hochreflektierende innere Oberfläche aufweisen.The cavity may have a highly reflective inner surface.
Das den Ausstrahlungswinkel des LED Chips reduzierendes Mittel ist vorzugsweise eine Optik wie beispielsweise eine Linse, welches als Fertigbauteil auf das Substrat aufgebracht wird. Alternativ kann eine Vergussmasse mit Linsenfunktion auf das Substrat aufgebracht sein. Diese kann mit Hilfe eines bekannten Dispensverfahrens oberhalb des LED Chips aufgebracht sein.The means which reduces the emission angle of the LED chip is preferably an optic, such as a lens, which is applied as a finished component to the substrate. Alternatively, a potting compound with lens function can be applied to the substrate. This can be applied with the aid of a known dispensing method above the LED chip.
In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der resultierende Abstrahlwinkel des LED Chips geringer als 15°. In einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel weist der LED Chip einen Ausstrahlungswinkel von weniger als 10° oder weniger als 5° auf.In a preferred embodiment, the resulting beam angle of the LED chip is less than 15 °. In a particularly preferred embodiment, the LED chip has an emission angle of less than 10 ° or less than 5 °.
Der Vorteil dieser Anordnung ist es, dass die optischen Eigenschaften eines LED Moduls an die optischen Eigenschaften einer Punktlichtquelle genähert werden, welche bekanntlich für die Berechnung und Ausführung optischer Bauteile und (Reflektoren etc.) vorteilhaft ist.The advantage of this arrangement is that the optical properties of an LED module are approximated to the optical properties of a point light source, which is known to be advantageous for the calculation and design of optical components and (reflectors, etc.).
Ein weiterer Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Verbesserung der Abstrahlcharakteristik eines LED Moduls mit mehreren LED Chips, wobei wenigstens zwei LED Chips derart auf einer nicht-planaren Oberfläche eines Trägers aufgebracht werden, dass sich die Mittelachsen des vom jeweiligen LED Chip abgestrahlten Lichtbündels in einem Punkt treffen.A further aspect of the invention relates to a method for improving the emission characteristic of an LED module having a plurality of LED chips, wherein at least two LED chips are applied to a non-planar surface of a carrier such that the center axes of the light beam emitted by the respective LED chip to hit in one point.
Vorzugsweise wird ein Träger bereitgestellt, welcher eine nicht-planare, vorzugsweise konkave Oberfläche aufweist. Der Träger kann eine ebene Form mit einer konkaven Aussparung aufweisen. Der Träger kann alternativ ein flacher bzw. ebener Träger oder Substrat sein, welches derart gebogen wird, dass wenigstens eine nicht-planare, vorzugsweise konkave Oberfläche entsteht. Ein derartiges Biegen des ursprünglich flachen Trägers bzw. des Substrats kann vor oder nach dem Aufbringen der LED Chips auf eine Oberfläche des Trägers erfolgen.Preferably, a support is provided which has a non-planar, preferably concave surface. The carrier may have a planar shape with a concave recess. The carrier may alternatively be a flat carrier or substrate which is bent such that at least one non-planar, preferably concave surface is formed. Such bending of the originally flat carrier or substrate may occur before or after application of the LED chips to a surface of the carrier.
Zusätzlich kann das Verfahren die Bereitstellung eines Reflektors umfassen, wobei die LED-Chips derart auf der nicht-planaren Oberfläche des Trägers angeordnet werden, dass sich die Mittelachsen der Lichtbündel der einzelnen LED-Chips im Zentrum oder alternativ im Fokus des Reflektors treffen.In addition, the method may include providing a reflector, wherein the LED chips are arranged on the non-planar surface of the carrier such that the center axes of the light beams of the individual LED chips meet in the center or alternatively in the focus of the reflector.
Vor oder nach der Aufbringung der LED Chips auf die nicht-planare Oberfläche des Trägers kann eine Farbkonversionsschicht auf die jeweiligen LED Chips aufgebracht werden. Die Farbkonversionsschicht ist vorzugsweise eine Phosphorpartikel enthaltene Vergussmasse, welche vorzugsweise auf die LED Chips mit Hilfe eines Dispensverfahrens aufgebracht wird.Before or after the application of the LED chips to the non-planar surface of the carrier, a color conversion layer can be applied to the respective LED chips. The color conversion layer is preferably a casting compound containing phosphor particles, which is preferably applied to the LED chips by means of a dispensing method.
Vorzugsweise nach der Aufbringung eines Farbkonverionsschicht auf die jeweiligen LED Chips wird ein den Ausstrahlungswinkel des jeweiligen LED Chips reduzierendes optisches Element aufgebracht. Das aufgebrachte Element kann eine Vergussmasse mit Linsenfunktion sein, welche mit Hilfe eines Dispensverfahrens auf die jeweiligen LED Chips aufgetragen wird. Alternativ kann ein Fertigbauteil wie beispielsweise eine vorgefertigte Linse auf die jeweiligen LED Chips auf dem Träger aufgebracht werden.Preferably, after the application of a color conversion layer to the respective LED chips, an optical element reducing the emission angle of the respective LED chip is applied. The applied element may be a potting compound with lens function, which is applied by means of a dispensing method on the respective LED chips. Alternatively, a prefabricated component such as a prefabricated lens may be applied to the respective LED chips on the carrier.
Die auf die jeweilige LED Chips aufgebrachte Vergussmasse umfasst vorzugsweise Epoxy oder Silikon.The potting compound applied to the respective LED chips preferably comprises epoxy or silicone.
Die vorliegende Erfindung wird nun noch detaillierter mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.The present invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
In
Auf der konkaven Oberfläche sind LED Chips
Die LED Chips
Die LED Chips
Der Träger ist eine Leiterplatte oder Trägersubstrat, auf welches elektrische Kontakte und/oder Leiterbahnen umfasst.The carrier is a printed circuit board or carrier substrate, to which electrical contacts and / or conductor tracks comprises.
Die Platzierung der LED Chips
Der Schnittpunkt Z liegt vorzugsweise außerhalb bzw. oberhalb einer äußeren, vorzugsweise ebenen Oberfläche
Der Schnittpunkt der Mittelachsen M der auf dem Träger angeordneten LED Chips
Das LED Modul
Der Reflektor
Der Reflektor
Der Reflektor
Aufgrund dieser Anordnung wird eine Erhöhung der Lichtbündelung und damit eine verbesserte Leuchtdichte des LED Moduls erzielt.Due to this arrangement, an increase in the light bundling and thus an improved luminance of the LED module is achieved.
Wie in
In einer bevorzugten Ausführungsform ist auf dem jeweiligen LED Chip
Die Farbkonversionsschicht
Wie in
Die Farbkonversionsschicht
Die Farbkonversionsschicht
Oberhalb der Farbkonversionsschicht
Das Mittel
Die in
Bei der Aufbringung der Vergussmasse bzw. Linse
Der resultierende Ausstrahlungswinkel α des Lichtbündels des jeweiligen LED Chips
Das SMD Bauteil weist ein Substrat
Das Substrat
Wie zuvor beschriebenen kann das optische Element
Der resultierende Ausstrahlungswinkel α des Lichtbündels des jeweiligen LED Chips
Auf der Rückseite des SMD Bauteils
Das gefertigte SMD Bauteil
Erfindungsgemäß weißt ein Träger
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Claims (19)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013221644.0A DE102013221644A1 (en) | 2013-04-30 | 2013-10-24 | LED module with concave support |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013207967 | 2013-04-30 | ||
DE102013207967.2 | 2013-04-30 | ||
DE102013221644.0A DE102013221644A1 (en) | 2013-04-30 | 2013-10-24 | LED module with concave support |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013221644A1 true DE102013221644A1 (en) | 2014-10-30 |
Family
ID=51685107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013221644.0A Withdrawn DE102013221644A1 (en) | 2013-04-30 | 2013-10-24 | LED module with concave support |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102013221644A1 (en) |
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