DE102013219947A1

DE102013219947A1 - Electronic circuitry

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Publication number: DE102013219947A1
Application number: DE201310219947
Authority: DE
Inventors: Norbert Sack
Original assignee: ECOM INSTR GmbH; Ecom Instruments GmbH
Current assignee: ECOM INSTR GmbH; Ecom Instruments GmbH
Priority date: 2013-10-01
Filing date: 2013-10-01
Publication date: 2015-04-02

Abstract

Die Erfindung betrifft eine elektronische Schaltungsanordnung (10), – mit einer Platine, – mit wenigstens einem auf der Platine angeordneten und ein Transistorgehäuse aufweisenden Leistungstransistor-Bauelement (1), – mit jeweils einem dem wenigstens einen Leistungstransistor-Bauelement (1) zugeordneten Temperatursensor (4) zur Temperaturbestimmung des ihm zugeordneten Leistungstransistor-Bauelement (1), wobei der Temperatursensor (4) als SMD-Bauteil ausgeführt ist und in einem lateralen Abstand (D) von 3mm oder weniger vom Leistungstransistor-Bauelement (1) auf der Platine angeordnet ist, – wobei das Leistungstransistor-Bauelement (1) und der Temperatursensor (4) zur thermischen Kopplung des Leistungstransistor-Bauelements (1) an den Temperatursensor jeweils teilweise an der Platine anliegen, – wobei das Transistorgehäuse einen thermischen Widerstand von 5°C/W oder weniger aufweist.The invention relates to an electronic circuit arrangement (10), comprising a circuit board, having at least one power transistor component (1) arranged on the circuit board and having a transistor housing, each having a temperature sensor assigned to the at least one power transistor component (FIG. 4) for determining the temperature of its associated power transistor device (1), wherein the temperature sensor (4) is designed as an SMD component and at a lateral distance (D) of 3 mm or less from the power transistor device (1) is arranged on the board , - wherein the power transistor device (1) and the temperature sensor (4) for thermal coupling of the power transistor device (1) to the temperature sensor each partly abut the circuit board, - wherein the transistor housing has a thermal resistance of 5 ° C / W or has less.

Description

Die folgende Erfindung betrifft eine elektronische Schaltungsanordnung sowie ein elektronisches System mit einer solchen elektronischen Schaltungsanordnung. Die Erfindung betrifft ferner die Verwendung einer solchen elektronischen Schaltungsanordnung in einem explosionsgefährdeten Bereich.The following invention relates to an electronic circuit arrangement and an electronic system with such electronic circuitry. The invention further relates to the use of such electronic circuitry in a hazardous area.

In elektronischen Schaltungen verwendete Leistungstransistoren, mittels welchen eine Energieversorgungseinheit in der Art einer Batterie schaltbar elektrisch mit einem elektronischen Gerät, beispielsweise einem Handy oder einem Funkgerät, verbunden werden kann, besitzen häufig eine eingebaute Temperatursicherung, welche bei Überschreiten einer maximal zulässigen, vorbestimmten Temperatur im Leistungstransistor sicherstellt, dass dieser in einen geöffneten Zustand – den sog. Sperrzustand – geschaltet wird, in welchem die elektrische Verbindung zwischen der Batterie und dem elektronischen Gerät unterbrochen ist. Auf diese Weise wird der elektrische Stromfluss durch den Transistor und eine damit verbundene, dissipationsbedingte Erhitzung des Transistors unterbunden, so dass sich dieser wieder abkühlen kann. Eine thermisch bedingte Beschädigung oder gar vollständige Zerstörung des Leistungstransistors und weiterer, zusammen mit dem Transistor auf einer Platine angebrachter elektronischer Bauelemente lässt sich auf diese Weise vermeiden.Power transistors used in electronic circuits, by means of which a power supply unit in the manner of a battery can be electrically connected to an electronic device, such as a cell phone or a radio, often have a built-in temperature fuse, which when exceeding a maximum allowable predetermined temperature in the power transistor ensures that this is switched to an open state - the so-called. Locked state - in which the electrical connection between the battery and the electronic device is interrupted. In this way, the electric current flow through the transistor and an associated, dissipation-related heating of the transistor is prevented, so that it can cool down again. A thermally induced damage or even complete destruction of the power transistor and further, together with the transistor mounted on a circuit board electronic components can be avoided in this way.

Zur Bestimmung der Temperatur des Leistungstransistors kommen üblicherweise Temperatursensoren zum Einsatz, welche direkt auf einer Gehäuseoberseite des Leistungstransistors platziert oder in einer in der Platine vorgesehenen Aussparung lateral neben dem Leistungstransistor angebracht werden können. Derartige, dem einschlägigen Fachmann bekannte Temperatursensoren erlauben eine präzise Bestimmung der Umgebungstemperatur und somit – bei geeigneter thermischer Ankopplung – des in unmittelbarer Nähe zum Temperatursensor angeordneten Leistungstransistors. Die vom Temperatursensor ermittelten Temperaturwerte können vom Sensorsignal in Form eines geeigneten elektrischen Signals zur Auswertung bereitgestellt werden. Die vorangehend vorgestellte Temperatursicherung lässt sich mit Hilfe einer geeigneten elektronischen Steuerungseinheit realisieren, welche das vom Temperatursensor gelieferte Temperatursignal auswertet und den Leistungstransistor bei Überschreiten der maximal zulässigen Temperatur in den geöffneten Zustand umschaltet.For determining the temperature of the power transistor usually temperature sensors are used, which can be placed directly on a housing top of the power transistor or mounted laterally in a recess provided in the board next to the power transistor. Such temperature sensors known to the person skilled in the art allow a precise determination of the ambient temperature and thus - with suitable thermal coupling - of the power transistor arranged in the immediate vicinity of the temperature sensor. The temperature values determined by the temperature sensor can be provided by the sensor signal in the form of a suitable electrical signal for evaluation. The above-presented temperature fuse can be realized with the aid of a suitable electronic control unit, which evaluates the temperature signal supplied by the temperature sensor and switches the power transistor in the open state when the maximum permissible temperature is exceeded.

Herkömmliche Schaltungsanordnungen mit Temperatursensoren, welche auf das Gehäuse der Leistungstransistoren aufgebracht werden und/oder mittels geeigneter Anschlussdrähte des Sensor in die Platine eingesteckt/eingelötet werden, sind jedoch unter fertigungstechnischen Gesichtspunkten als relativ aufwändig anzusehen und somit auch relativ teuer herzustellen. Beispielsweise erfordert die gewünschte Anbringung des Temperatursensors möglichst nahe am Leistungstransistor ein aufwändiges Zuschneiden und Zurechtbiegen der elektrischen Anschlussdrähte des Temperatursensors, da die Anschlussdrähte des Temperatursensors entsprechend zugeschnitten und zurecht gebogen werden müssen, bevor sie auf die jeweilige Platine eingelötet werden können. Ferner benötigen solche herkömmliche Temperatursensoren üblicherweise relativ viel Bauraum auf der Platine. Auch muss zur Erzeugung eines ausreichend guten thermischen Kontakts zwischen dem Leistungstransistor und dem Temperatursensor ein zusätzliches Wärmeleitmittel, beispielsweise in der Art einer Wärmeleitpaste o.ä., zwischen Leistungstransistor und Temperatursensor eingebracht werden, was mit zusätzlichem Fertigungsaufwand verbunden ist, welcher sich nachteilig auf die Fertigungskosten auswirkt. Conventional circuit arrangements with temperature sensors, which are applied to the housing of the power transistors and / or inserted or soldered by means of suitable connection wires of the sensor in the board are, however, considered to be relatively expensive from a manufacturing point of view and thus relatively expensive to produce. For example, the desired attachment of the temperature sensor as close as possible to the power transistor requires a costly cutting and Zurechtbiegen the electrical leads of the temperature sensor, since the leads of the temperature sensor must be tailored accordingly and bent right before they can be soldered to the respective board. Furthermore, such conventional temperature sensors usually require a relatively large amount of space on the board. Also, in order to produce a sufficiently good thermal contact between the power transistor and the temperature sensor, an additional heat transfer medium, for example, in the manner of a thermal paste or the like, between the power transistor and temperature sensor must be introduced, which is associated with additional manufacturing effort, which is detrimental to the manufacturing cost effect.

Die Erfindung beschäftigt sich daher mit dem Problem, bei der Entwicklung einer Temperatursicherung für elektronische Schaltungsanordnungen, die eine abschaltbare elektrische Verbindung einer Batterie mit einem mit elektrischer Energie aus der Batterie zu versorgenden elektronischen Gerät realisieren, neue Wege aufzuzeigen.The invention is therefore concerned with the problem of finding new ways in the development of a thermal fuse for electronic circuits that realize a disconnectable electrical connection of a battery with an electronic device to be supplied with electrical energy from the battery.

Dieses Problem wird durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. This problem is solved by the subject matter of the independent claims. Preferred embodiments are subject of the dependent claims.

Die Erfindung beruht auf dem allgemeinen Gedanken, zur Realisierung eines Überhitzungsschutzes für ein auf einer Platine angebrachtes Leistungstransistor-Bauteil einen Temperatursensor zu verwenden, welcher auf der Platine lateral in einem Abstand von maximal 3 mm neben dem Leistungstransistor-Bauelement angeordnet ist. Zum Zwecke einer möglichst guten thermischen Ankopplung des Leistungstransistors an den Temperatursensor ist wenigstens der Temperatursensor in SMD-Bauweise ausgeführt – auch der Leistungstransistor kann optional als SMD-Bauteil ausgeführt sein –, wobei das Transistorgehäuse des Leistungstransistor-Bauelements einen thermischen Widerstand von maximal 5°C/W aufweist. The invention is based on the general idea of using a temperature sensor for the realization of overheating protection for a power transistor component mounted on a printed circuit board, which is arranged laterally on the circuit board at a distance of not more than 3 mm next to the power transistor component. For the purpose of the best possible thermal coupling of the power transistor to the temperature sensor at least the temperature sensor is designed in SMD construction - the power transistor may optionally be designed as an SMD component -, wherein the transistor housing of the power transistor device has a thermal resistance of not more than 5 ° C. / W has.

Eine besonders gute thermische Ankopplung von Leistungstransistor und Temperatursensor aneinander lässt sich indes erzielen, wenn das Transistorgehäuse einen thermischen Widerstand von 2°C/W oder weniger, vorzugsweise von 1,7°C/W oder weniger, aufweist.However, a particularly good thermal coupling of power transistor and temperature sensor to each other can be achieved if the transistor housing has a thermal resistance of 2 ° C / W or less, preferably 1.7 ° C / W or less.

Angesichts eines solchen geringen thermischen Widerstandswerts in Verbindung mit dem geringen lateralen Abstand zwischen Sensor und Transistor auf der Platine ergibt sich eine gute thermische Kopplung des Transistorgehäuses – über die Platine als Verbindungsbauteil – an den Temperatursensor, was eine präzise Bestimmung der momentanen Temperatur des Transistorgehäuses – und somit der internen Halbleiter-Bauteile des Leistungstransistor-Bauelements selbst – durch den Temperatursensor gestattet. Die Ausführung des Temperatursensors in SMD-Bauweise, bei welcher dessen nach außen geführte Anschlüsse nicht als Drahtanschlüsse ausgebildet sind, sondern mittels lötfähiger Anschlussflächen direkt auf die Platine aufgelötet werden können, fördert einen guten thermischen Kontakt zwischen Temperatursensor und Platine zusätzlich.Given such a low thermal resistance in connection with the small lateral distance between the sensor and transistor on the board results in a good thermal coupling of the transistor housing - via the board as a connection component - to the temperature sensor, which allows a precise determination of the instantaneous temperature of the transistor package - and thus of the internal semiconductor components of the power transistor device itself - allowed by the temperature sensor. The design of the temperature sensor in SMD construction, in which its outwardly directed connections are not formed as wire connections, but can be soldered directly to the board by means of solderable pads, promotes good thermal contact between the temperature sensor and board additionally.

Die relativ zum Leistungstransistor-Bauelement lateral versetzte Montage des Temperatursensors erlaubt zudem eine besonders einfache Befestigung des Temperatursensors direkt auf der Platine. Eine aufwändige Montage auf dem Transistorgehäuse des Leistungstransistor-Bauelements mit einer entsprechend erforderlichen Anpassung von Anschlussdrähten des Temperaturelements entfällt bei der erfindungsgemäßen elektronischen Schaltungsanordnung. Somit ermöglicht diese eine kostengünstige Herstellung eines Überhitzungsschutzes für Leistungstransistor-Bauteile, bei welcher die momentane Temperatur des Leistungstransistor-Bauteils bzw. dessen Gehäuses hochpräzise bestimmt werden kann.The relative to the power transistor device laterally offset mounting of the temperature sensor also allows a particularly simple attachment of the temperature sensor directly on the board. An elaborate mounting on the transistor housing of the power transistor component with a correspondingly required adaptation of connecting wires of the temperature element is omitted in the electronic circuit arrangement according to the invention. Thus, this allows a cost-effective production of overheating protection for power transistor components, in which the instantaneous temperature of the power transistor component or its housing can be determined with high precision.

Vorzugsweise umfasst die Platine, auf welcher das Leistungstransistor-Bauelement bzw. der Temperatursensor angeordnet ist, eine Substratschicht. Auf der Substratschicht ist wenigstens eine Leiterbahn aus einer auf der Substratschicht angeordneten Metallschicht gebildet, und das wenigstens eine Leistungstransistor-Bauelement liegt mit dem Transistorgehäuse jeweils wenigstens teilweise auf der Leiterbahn oder der Substratschicht – oder beiden Schichten – an. Auf diese Weise lässt sich die thermische Kopplung des Leistungstransistor-Bauelements mit dem Temperatursensor weiter verbessern. Idealerweise liegt das Leistungstransistor-Bauelement sogar mit der kompletten Unterseite des Transistorgehäuses auf der Substratschicht und/oder auf der Leiterbahn an, um auf diese Weise die thermische Kontaktfläche mit der Platine zu maximieren.The circuit board on which the power transistor component or the temperature sensor is arranged preferably comprises a substrate layer. At least one conductor track made of a metal layer arranged on the substrate layer is formed on the substrate layer, and the at least one power transistor component is at least partially in contact with the transistor housing on the conductor track or the substrate layer or two layers. In this way, the thermal coupling of the power transistor device with the temperature sensor can be further improved. Ideally, the power transistor device even rests against the entire bottom surface of the transistor package on the substrate layer and / or on the trace to maximize the thermal contact area with the board.

Eine nochmals verbesserte thermische Kopplung zwischen dem Temperatursensor und dem Leistungstransistor-Bauelement wird erzielt, indem ein Sensorgehäuse des Temperatursensors teilweise auf der Substratschicht und/oder der Leiterbahn zur Anlage gebracht wird. Eine exzellente thermische Kopplung kann erzielt werden, wenn eine bestimmte Leiterbahn aus einem Metall, beispielsweise aus Kupfer, sowohl mit dem Sensorgehäuse des Temperatursensors als auch mit dem Transistorgehäuse des Leistungstransistor-Bauelements in thermischem Kontakt steht, beispielsweise indem sich die Leiterbahn vom Transistorgehäuse zum Sensorgehäuse erstreckt.A further improved thermal coupling between the temperature sensor and the power transistor component is achieved by a sensor housing of the temperature sensor is brought partially to the substrate layer and / or the conductor track to the plant. Excellent thermal coupling can be achieved when a particular conductive trace of a metal, such as copper, is in thermal contact with both the sensor housing of the temperature sensor and the transistor housing of the power transistor device, for example, by extending the trace from the transistor housing to the sensor housing ,

Besonders zweckmäßig kann der Temperatursensor einen elektrischen NTC- oder PTC-Widerstand umfassen. Auf diese Weise können auch geringe Temperaturänderungen in dem Leistungstransistor-Bauteil bzw. der Platine detektiert werden, da diese auch bei geringen Temperaturänderungen zu einer elektrischen Widerstandsänderung des Temperatursensors führen. Zudem sind solche NTC- bzw. PTC-Widerstände sehr einfach aufgebaut und benötigen nur sehr wenig Bauraum auf der Platine.Particularly suitably, the temperature sensor may comprise an electrical NTC or PTC resistor. In this way, even small temperature changes in the power transistor component or the circuit board can be detected, since they lead to an electrical resistance change of the temperature sensor even with small temperature changes. In addition, such NTC or PTC resistors are very simple and require only very little space on the board.

Besonders zweckmäßig kann das Leistungstransistor-Bauelement als integrierter Schaltkreis (IC) ausgebildet sein. Solche ICs sind auf herkömmliche Weise mit einem quaderartig ausgebildeten Gehäuse ausgestattet, an dessen Längsseiten jeweils mehrere Anschlusselemente vorgesehen sein können. Die Verwendung solcher integrierter Schaltkreise erlaubt die einfache Montage der Leistungstransistor-Bauteile auf der Platine, wobei aufgrund der quaderartigen Ausbildung eine große Kontaktfläche des Leistungstransistor-Bauteils über die Unterseite des Transistorgehäuses mit der Platine sichergestellt wird.Particularly suitable, the power transistor device may be formed as an integrated circuit (IC). Such ICs are equipped in a conventional manner with a cuboid housing, may be provided on the longitudinal sides of each of several connection elements. The use of such integrated circuits allows easy mounting of the power transistor components on the board, wherein a large contact area of the power transistor device is ensured on the underside of the transistor package with the board due to the cuboidal design.

Zur Verbesserung der thermischen Kopplung und damit auch der Genauigkeit, mittels welcher über den Temperatursensor die Temperatur des Leistungstransistor-Bauteils bestimmt werden kann, kann der laterale Abstand des Temperatursensors vom Leistungstransistor-Bauelement in einer bevorzugten Ausführungsform maximal 0,5 mm, besonders bevorzugt maximal 0,3 mm, betragen. Selbstverständlich sind für den lateralen Abstand grundsätzlich auch kleinere Werte vorstellbar als hier genannt. In diesem Zusammenhang gilt generell, dass mit abnehmendem lateralen Abstand zwischen Temperatursensor und Leistungstransistor-Bauelement die thermische Ankopplung zwischen diesen beiden Bauteilen verbessert wird, was sich günstig auf die Messgenauigkeit, mit welcher die Temperatur des Transistorgehäuses bestimmt werden kann, auswirkt.To improve the thermal coupling and thus also the accuracy by means of which the temperature of the power transistor component can be determined via the temperature sensor, the lateral distance of the temperature sensor from the power transistor component in a preferred embodiment can be a maximum of 0.5 mm, particularly preferably a maximum of 0 , 3 mm. Of course, even smaller values are conceivable for the lateral distance than mentioned here. In this context, it generally applies that as the lateral distance between the temperature sensor and the power transistor component decreases, the thermal coupling between these two components is improved, which has a favorable effect on the measurement accuracy with which the temperature of the transistor housing can be determined.

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung umfasst die elektronische Schaltungsanordnung ferner eine dem wenigstens einen Leistungstransistor-Bauelement und dem zugehörigen Temperatursensor zugeordnete Leiterbahn, wobei das Leistungstransistor-Bauelement derart in der Leiterbahn angeordnet ist, dass er als elektronischer Schalter wirkt, welcher zwischen einem geöffneten Zustand und einem geschlossenen Zustand umschaltbar ist, wobei im geöffneten Zustand – dem sogenannten Sperrzustand – die Leiterbahn elektrisch unterbrochen ist und im geschlossenen Zustand diese elektrische Unterbrechung aufgehoben ist. Mit anderen Worten, im geöffneten Zustand sperrt der Transistor einen elektrischen Stromfluss in der Leiterbahn, so dass die im Leistungstransistor-Bauelement umgesetzte elektrische Verlustleistung auf Null reduziert werden kann. Auf diese Weise kann eine weitere Aufheizung des Leistungstransistor-Bauelement aufgrund der in diesem umgesetzten Wärme vermieden werden. Insbesondere lässt sich auf diese Weise verhindern, dass die Temperatur des Leistungstransistor-Bauelements einen maximal zulässigen Wert überschreitet, mit welchem eine Beschädigung oder gar vollständige Zerstörung des Leistungstransistor-Bauelements verbunden wäre.In an advantageous development, the electronic circuit arrangement furthermore comprises a conductor track assigned to the at least one power transistor component and the associated temperature sensor, wherein the power transistor component is arranged in the conductor track such that it acts as an electronic switch which switches between an open state and a closed state State is switchable, wherein in the open state - the so-called blocking state - the conductor is electrically interrupted and in the closed state, this electrical Interruption is canceled. In other words, in the opened state, the transistor blocks an electric current flow in the conductor track, so that the electrical power loss converted in the power transistor component can be reduced to zero. In this way, further heating of the power transistor device due to the heat converted in this can be avoided. In particular, it is possible in this way to prevent the temperature of the power transistor component from exceeding a maximum permissible value with which damage or even complete destruction of the power transistor component would be connected.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist für jedes Leistungstransistor-Bauteil eine diesem Bauteil zugeordnete Steuerungseinheit vorgesehen. Die Steuerungseinheit wirkt mit dem Leistungstransistor-Bauelement und dem diesem Leistungstransistor-Bauelement zugeordneten Temperatursensor derart zusammen, dass sie bei einem vom Temperatursensor bestimmten Überschreiten einer vorbestimmten Schwelltemperatur das Leistungstransistor-Bauelement in den geöffneten (Sperr-)Zustand umschaltet. Auf diese Weise lässt sich die gewünschte Überhitzungssicherung realisieren. Auch die Steuerungseinheit kann in der Art eines integrierten Schaltkreises oder einer anderen geeigneten Schaltungslogik aufgebaut sein.In a particularly preferred embodiment, a control unit associated with this component is provided for each power transistor component. The control unit interacts with the power transistor component and the temperature sensor assigned to this power transistor component in such a way that it switches the power transistor component into the open (blocking) state when the predetermined threshold temperature is exceeded by the temperature sensor. In this way, the desired overheating protection can be realized. Also, the control unit may be constructed in the manner of an integrated circuit or other suitable circuit logic.

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung können in der Leiterbahn wenigstens zwei, vorzugsweise drei, elektrisch in Reihe geschaltete Leistungstransistor-Bauelemente vorgesehen sein. Dann kann die elektronische Schaltungsanordnung auch als elektronische Schutzschaltung zur Verwendung in einem explosionsgefährdeten Bereich verwendet werden, da die Betriebssicherheit, mittels welcher bei drohender Überhitzung eines Leistungstransistor-Bauelements der elektrische Stromfluss durch die Leiterbahn verbunden wird, aufgrund der vorhandenen Redundanz in Form zweier zusätzlicher Leistungstransistor-Bauelemente erhöht werden kann. Dies ermöglicht insbesondere eine Zertifizierung der Schaltungsanordnung zur Verwendung in einem explosionsgefährdeten Bereich. Gemäß der hier vorgestellten vorteilhaften Weiterbildung kann nun eine elektronische Kopplungseinheit vorgesehen sein, die die drei Steuerungseinheiten derart elektronisch miteinander koppelt, dass beim Umschalten eines der drei Leistungstransistor-Bauelemente in den geschlossenen Zustand durch die dem Leistungstransistor-Bauelement zugeordnete Steuerungseinheit ein, insbesondere zeitverzögertes, Umschalten der beiden verbleibenden Leistungstransistor-Bauelemente durch die beiden diesen Leistungstransistor-Bauelementen zugeordneten Steuerungseinheiten bewirkt wird.In an advantageous development, at least two, preferably three, electrically connected in series power transistor components may be provided in the conductor. Then, the electronic circuit arrangement can also be used as an electronic protection circuit for use in a hazardous area, since the reliability, by means of which the electric current flowing through the conductor is connected in case of imminent overheating of a power transistor device, due to the existing redundancy in the form of two additional power transistor Components can be increased. This makes it possible, in particular, to certify the circuit arrangement for use in a potentially explosive area. According to the advantageous development presented here, an electronic coupling unit can now be provided which electronically couples the three control units to one another in such a way that when switching one of the three power transistor components into the closed state by the control unit assigned to the power transistor component, in particular time-delayed switching the two remaining power transistor components is effected by the two control units associated with these power transistor components.

Die Erfindung betrifft ferner ein elektronisches System mit einer Energieversorgungseinheit, insbesondere einer Batterie, sowie einem elektronischen Gerät, insbesondere einem Mobilfunktelefon oder einem Funkgerät, sowie mit einer elektronischen Schaltungsanordnungen mit einem oder mehreren der vorangehend genannten Merkmale, wobei die elektronische Schaltungsanordnung die Energieversorgungseinheit mit dem elektronischen Gerät zum Versorgen mit elektrischer Energie schaltbar verbindet. Die hier vorgestellte elektronische Schaltungsanordnung kann dabei Teil einer elektronischen Schutzschaltung sein, mittels welcher die elektrische Verbindung der Energieversorgungseinheit mit dem elektronischen Gerät nicht nur temperaturbedingt, wie vorangehend vorgestellt, sondern auch in Abhängigkeit von weiteren Betriebsparametern, wie zum Beispiel einem Überschreiten eines in einem explosionsgefährdeten Bereich maximal zulässigen elektrischen Stroms in der Leiterbahn bzw. in einer nach außen geführten elektronischen Schnittstelle, unterbrochen werden kann.The invention further relates to an electronic system having a power supply unit, in particular a battery, and an electronic device, in particular a mobile telephone or a radio device, and with an electronic circuit arrangement having one or more of the aforementioned features, wherein the electronic circuit arrangement, the power supply unit with the electronic Device for supplying switchable with electrical energy connects. The electronic circuit arrangement presented here may be part of an electronic protection circuit, by means of which the electrical connection of the power supply unit with the electronic device not only due to temperature, as previously presented, but also in dependence on other operating parameters, such as exceeding a in an explosive area maximum permissible electrical current in the conductor track or in an outwardly guided electronic interface, can be interrupted.

Die Erfindung betrifft auch die Verwendung der vorangehend vorgestellten elektronischen Schaltungsanordnung in einem explosionsgefährdeten Bereich.The invention also relates to the use of the above-presented electronic circuitry in a hazardous area.

Weitere wichtige Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen, aus den Zeichnungen und aus der zugehörigen Figurenbeschreibung anhand der Zeichnungen.Other important features and advantages of the invention will become apparent from the dependent claims, from the drawings and from the associated figure description with reference to the drawings.

Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.It is understood that the features mentioned above and those yet to be explained below can be used not only in the particular combination given, but also in other combinations or in isolation, without departing from the scope of the present invention.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert, wobei sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche oder ähnliche oder funktional gleiche Komponenten beziehen.Preferred embodiments of the invention are illustrated in the drawings and will be described in more detail in the following description, wherein like reference numerals refer to the same or similar or functionally identical components.

Es zeigen, jeweils schematischIt show, each schematically

1 ein Leistungstransistor-Bauelement in einer perspektivischen Ansicht, 1 a power transistor device in a perspective view,

2 einen Temperatursensor in einer perspektivischen Ansicht, 2 a temperature sensor in a perspective view,

3 eine schaltplanartige Darstellung einer erfindungsgemäßen elektronischen Schaltungsanordnung, 3 a circuit diagram-like representation of an electronic circuit arrangement according to the invention,

4 eine Weiterbildung der Schaltungsanordnung der 3. 4 a development of the circuit arrangement of 3 ,

In der 1 ist exemplarisch ein Leistungstransistor-Bauelement in einer perspektivischen Darstellung gezeigt und mit 1 bezeichnet. Das Leistungstransistor-Bauelement ist als integrierter Schaltkreis (IC) ausgeführt und umfasst ein Transistorgehäuse 2, an welchem mehrere Anschlusselemente 3 vorgesehen sind. Das Leistungstransistor-Bauelement 1 ist im Beispiel der 1 in SMD-Bauweise ausgeführt und kann mittels eines geeigneten Weichlötverfahrens, beispielsweise dem Wiederaufschmelzlöten, auf einer Platine befestigt werden. Selbstverständlich können alternativ zur SMD-Bauweise auch andere geeignete Bauweisen verwendet werden. Erfindungswesentlich ist, dass das Transistorgehäuse 2 einen thermischen Widerstand von 5°C/W oder weniger aufweist. Eine besonders gute thermische Ankopplung lässt sich erzielen, wenn der thermische Widerstand des Transistorgehäuses 2 maximal 2°C/W, vorzugsweise nur 1,7°C/W beträgt.In the 1 By way of example, a power transistor component is shown in a perspective view and with 1 designated. The power transistor device is implemented as an integrated circuit (IC) and comprises a transistor housing 2 , on which several connection elements 3 are provided. The power transistor device 1 is in the example of 1 in SMD construction and can be mounted on a circuit board by means of a suitable soldering process, such as reflow soldering. Of course, other suitable constructions can be used as an alternative to SMD construction. It is essential to the invention that the transistor housing 2 has a thermal resistance of 5 ° C / W or less. A particularly good thermal coupling can be achieved if the thermal resistance of the transistor housing 2 maximum 2 ° C / W, preferably only 1.7 ° C / W.

In der 2 ist ein in SMD-Bauweise ausgeführter Temperatursensor 4 mit einem Sensorgehäuse 7 zur Temperaturbestimmung eines ihm zugeordneten Leistungstransistor-Bauelements 1 in perspektivischer Darstellung gezeigt. Der Temperatursensor 4 weist lötfähige Anschlussflächen 5a, 5b auf, die direkt auf eine Leiterplatine aufgelötet werden können. Auf diese Weise kann eine gute thermische Anbindung des Temperatursensors 4 an eine solche Leiterplatine erreicht werden, was eine genaue Temperaturbestimmung der Temperatur der Leiterplatine erlaubt. Der Temperatursensor kann als elektrischer NTC- oder PTC-Widerstand ausgebildet sein.In the 2 is a temperature sensor designed in SMD construction 4 with a sensor housing 7 for determining the temperature of a power transistor component assigned to it 1 shown in perspective. The temperature sensor 4 has solderable pads 5a . 5b on, which can be soldered directly onto a printed circuit board. In this way, a good thermal connection of the temperature sensor 4 be achieved on such a printed circuit board, which allows accurate temperature determination of the temperature of the printed circuit board. The temperature sensor can be designed as an electrical NTC or PTC resistor.

Die 3 zeigt nun ein Beispiel einer erfindungsgemäßen elektronischen Schaltungsanordnung 10. Die elektronische Schaltungsanordnung 10 umfasst eine eine Platine 6, die in der 3 in der Art eines Platinen-Layouts dargestellt ist. Die Platine 6 umfasst eine Substratschicht, auf welcher Leiterbahnen 8 aus einer auf der Substratschicht angeordneten Metallschicht gebildet sind.The 3 now shows an example of an electronic circuit arrangement according to the invention 10 , The electronic circuit arrangement 10 includes a board 6 in the 3 is shown in the manner of a board layout. The board 6 comprises a substrate layer on which conductor tracks 8th are formed from a metal layer arranged on the substrate layer.

Auf der Platine 6 sind exemplarisch drei Leistungstransistor-Bauelemente 1 gezeigt. Es ist klar, dass in Varianten zum Ausführungsbeispiel auch eine andere Anzahl an solchen Bauelementen 1 möglich ist. Die Leistungstransistor-Bauelemente 1 sind mittels der Anschlusselemente 3 auf die Platine 6 aufgelötet. Sowohl die Leistungstransistor-Bauelemente 1 als auch die Temperatursensoren 4 liegen zur thermischen Kopplung aneinander mit dem Transistorgehäuse 2 bzw. dem Sensorgehäuse 7 jeweils teilweise an einer Oberseite der Platine 6 an, und zwar entweder auf der Substratschicht der Platine 6 oder auf der die Leiterbahnen 8 ausbildenden Metallschicht, die bevorzugt eine Kupferschicht sein kann.On the board 6 are exemplary three power transistor devices 1 shown. It is clear that in variants of the embodiment, a different number of such components 1 is possible. The power transistor components 1 are by means of the connection elements 3 on the board 6 soldered. Both the power transistor devices 1 as well as the temperature sensors 4 are for thermal coupling to each other with the transistor housing 2 or the sensor housing 7 each partially on a top of the board 6 on, either on the substrate layer of the board 6 or on the tracks 8th forming metal layer, which may preferably be a copper layer.

Jedem der drei Leistungstransistor-Bauelemente 1 ist nun ein Temperatursensor 4 zugeordnet, welcher jeweils in einem lateralen Abstand D von 3mm oder weniger von dem ihm zugeordneten Leistungstransistor-Bauelement 1 auf der Platine 6 angeordnet ist. In Varianten kann der maximale laterale Abstand D auch kleiner sein und beispielsweise maximal 1mm oder gar nur maximal 0,5 mm betragen.Each of the three power transistor devices 1 is now a temperature sensor 4 assigned, which in each case at a lateral distance D of 3 mm or less of its associated power transistor device 1 on the board 6 is arranged. In variants, the maximum lateral distance D may also be smaller and, for example, be a maximum of 1 mm or even only a maximum of 0.5 mm.

Der geringe thermische Widerstand des Transistorgehäuses 2 in Verbindung mit dem geringen lateralen Abstand des Temperatursensors 4 vom ihm zugeordneten Leistungs-Transistor-Bauelement 1 realisiert eine sehr gute thermische Ankopplung der beiden Bauelemente 1, aneinander und erlaubt folglich eine präzise Temperaturbestimmung am Leistungstransistor-Bauelement 1 bzw. am Transistorgehäuse 2.The low thermal resistance of the transistor package 2 in conjunction with the small lateral distance of the temperature sensor 4 from its associated power transistor device 1 realizes a very good thermal coupling of the two components 1 , and thus allows a precise temperature determination on the power transistor device 1 or on the transistor housing 2 ,

Die relativ zu den Leistungstransistor-Bauelementen 1 lateral versetzte Montage der zugehörigen Temperatursensoren 4 erlaubt zudem eine besonders einfache Befestigung der Sensoren 4 auf der Platine 6. Eine aufwändige Montage auf dem Transistorgehäuse 2 der Leistungstransistor-Bauelemente 1 mit einer entsprechend erforderlichen Anpassung von Anschlussdrähten entfällt bei der erfindungsgemäßen elektronischen Schaltungsanordnung 10. The relative to the power transistor devices 1 laterally offset mounting of the associated temperature sensors 4 also allows a particularly simple attachment of the sensors 4 on the board 6 , A complex installation on the transistor housing 2 the power transistor components 1 with a correspondingly required adaptation of connecting wires is omitted in the electronic circuit arrangement according to the invention 10 ,

In der 4 ist in einer schaltplanartigen Darstellung ein Anwendungsbeispiel der elektronischen Schaltungsanordnung 10 gezeigt, bei welchem diese Teil einer elektronischen Schutzschaltung 20 zur Verwendung in einem explosionsgefährdeten Bereich ist. Die Schutzschaltung 20 dient dabei zur Steuerung einer Batterie 13 im explosionsgefährdeten Bereich und kann direkt zusammen mit der Batterie 13 in ein Batteriegehäuse 14 integriert sein. Die Schutzschaltung 20 umfasst eine elektrische Versorgungsleitung 11, mittels welcher die Batterie 13 mit einem externen elektronischen Gerät 15 zum Versorgen mit elektrischer Energie verbunden werden kann. Die Schutzschaltung 20 umfasst im Beispiel der 4 ferner drei erfindungsgemäße Schaltungsanordnungen 10 mit jeweiligen Leistungstransistor-Bauelementen 1. Es ist klar, dass in Varianten auch eine andere Anzahl solcher Schaltungsanordnungen 10 möglich ist. Die den Schaltungsanordnungen 10 zugeordneten Leistungstransistor-Bauelemente 1 sind elektrisch in Reihe geschaltet in der elektrischen Versorgungsleitung 11 angeordnet. Ein Umschalten wenigstens eines der drei Leistungstransistor-Bauelemente 1 in den geöffneten Zustand bewirkt eine elektrische Unterbrechung der Versorgungsleitung 11 und somit eine Trennung der Batterie 13 vom elektronischen Gerät 15. In the 4 is an application example of the electronic circuitry in a circuit diagram-like representation 10 shown in which this part of an electronic protection circuit 20 for use in a potentially explosive area. The protection circuit 20 serves to control a battery 13 in the potentially explosive area and can be directly together with the battery 13 in a battery case 14 be integrated. The protection circuit 20 includes an electrical supply line 11 , by means of which the battery 13 with an external electronic device 15 can be connected to supply with electrical energy. The protection circuit 20 includes in the example of 4 Furthermore, three circuit arrangements according to the invention 10 with respective power transistor devices 1 , It is clear that in variants also a different number of such circuits 10 is possible. The the circuit arrangements 10 associated power transistor devices 1 are electrically connected in series in the electrical supply line 11 arranged. Switching at least one of the three power transistor devices 1 in the open state causes an electrical interruption of the supply line 11 and thus a separation of the battery 13 from the electronic device 15 ,

Die am Batteriegehäuse 14 vorgesehenen Anschlusselemente 12, mittels welcher die Versorgungsleitung 11 nach außen geführt wird – diese sind in der 4 nur grobschematisch angedeutet – und an welchen das elektronische Gerät 15 angeschlossen werden kann, stellen in explosionsgefährdeten Bereichen ein hohes Gefährdungspotenzial dar, da durch die an den Anschlusselementen 12 bereitgestellte elektrische Energie ein Funken erzeugt und auf diese Weise ein im explosionsgefährdeten Bereich vorhandenes Gas-Luftgemisch gezündet werden kann. Um dies zu verhindern, unterbricht die Schutzschaltung 20 im Falle einer Fehlfunktion in der Batterie 13 oder im elektronischen Gerät 15 – beispielsweise in Form eines elektrischen Kurzschlusses – und einem damit verbundenen Temperaturanstieg in den Leistungstransistor-Bauelementen 1 die elektrische Versorgungsleitung 11, um das Auftreten zu hoher elektrischer Energien an den Anschlusselementen 12 zu vermeiden. Gleichzeitig wird auf diese Weise eine temperaturbedingte Beschädigung oder Zerstörung von Batterie 13, elektronischem Gerät 15 oder/und den Bauteilen der Schaltungsanordnungen 10 verhindert. The on the battery case 14 provided connection elements 12 , by means of which the supply line 11 is led to the outside - these are in the 4 only roughly sketched indicated - and on which the electronic device 15 can be connected, represent a high risk potential in potentially explosive areas, as by the at the connection elements 12 provided electrical energy generates a spark and in this way a present in the hazardous area gas-air mixture can be ignited. To prevent this, the protection circuit interrupts 20 in case of malfunction in the battery 13 or in the electronic device 15 - For example, in the form of an electrical short circuit - and an associated increase in temperature in the power transistor components 1 the electrical supply line 11 To prevent the occurrence of excessive electrical energy at the connection elements 12 to avoid. At the same time in this way is a temperature-related damage or destruction of battery 13 , electronic device 15 and / or the components of the circuit arrangements 10 prevented.

Zum Umschalten der Leistungstransistor-Bauelemente 1 zwischen dem geöffneten und dem geschlossenen Zustand ist jeder Schaltungsanordnung 10 eine elektronische Steuerungseinheit 9 zugeordnet, welche mit dem Leistungstransistor-Bauelement 1 der jeweiligen Schaltungsanordnung 10 und dem diesem Leistungstransistor-Bauelement 1 zugeordneten Temperatursensor 4 derart zusammenwirkt, dass sie bei einem vom Temperatursensor 4 ermittelten Überschreiten einer vorbestimmten Schwelltemperatur das Leistungstransistor-Bauelement 1 in den geöffneten Zustand, also den Sperrzustand des Leistungstransistor-Bauelements 1 umschaltet.For switching the power transistor devices 1 between the open and the closed state is any circuit arrangement 10 an electronic control unit 9 associated with which power transistor device 1 the respective circuit arrangement 10 and this power transistor device 1 associated temperature sensor 4 cooperates such that it at one of the temperature sensor 4 determined exceeding a predetermined threshold temperature, the power transistor device 1 in the open state, ie the blocking state of the power transistor device 1 switches.

Die Steuerungseinheiten 9 können jeweils in der Art eines Mikrokontrollers ausgebildet sein und eine Schaltungslogik umfassen, welche den oben beschriebenen Umschaltmechanismus der Leistungstransistor-Bauelemente 1 im Falle eine Überschreitens der vorbestimmten Schwelltemperatur im jeweiligen Leistungstransistor-Bauelement 1 realisiert. Bereits das Überschreiten der Schwelltemperatur in einem der drei Leistungstransistor-Bauelemente 1 führt aufgrund der elektrischen Reihenschaltung dieser Bauelemente 1 zu einer Unterbrechung der elektrischen Versorgungsleitung 11.The control units 9 each may be in the nature of a microcontroller and may include circuitry that incorporates the switching mechanism of the power transistor devices described above 1 in the case of exceeding the predetermined threshold temperature in the respective power transistor device 1 realized. Already exceeding the threshold temperature in one of the three power transistor components 1 leads due to the electrical series connection of these components 1 to an interruption of the electrical supply line 11 ,

In einer weiterbildenden Variante kann nun wie in der 4 grobschematisch gezeigt zusätzlich eine elektronische Kopplungseinheit 16 vorgesehen ist, welche die drei Steuerungseinheiten 9 derart elektronisch miteinander koppelt, dass beim Umschalten eines der drei Leistungstransistor-Bauelemente 1 in den geschlossenen Zustand durch die dem Leistungstransistor-Bauelement 1 zugeordnete Steuerungseinheit 9 ein, insbesondere zeitverzögertes, Umschalten der beiden verbleibenden Leistungstransistor-Bauelemente 1 durch die beiden diesen Leistungstransistor-Bauelementen 1 zugeordneten Steuerungseinheiten 9 bewirkt. In a further developing variant can now as in the 4 Grossly schematic also shown an electronic coupling unit 16 is provided, which are the three control units 9 so electronically coupled together that when switching one of the three power transistor components 1 in the closed state by the power transistor device 1 associated control unit 9 a, in particular time-delayed, switching the two remaining power transistor components 1 through the two of these power transistor devices 1 associated control units 9 causes.

Die Batterie 13 sowie das elektronische Gerät 15 bilden zusammen mit der vorangehend vorgestellten elektronischen Schaltungsanordnung 1, welche das elektronische Gerät 15 über die elektrische Versorgungsleitung 11 mit der Batterie 13 verbindet, ein elektronisches System 17 aus.The battery 13 as well as the electronic device 15 form together with the previously presented electronic circuitry 1 which the electronic device 15 over the electrical supply line 11 with the battery 13 connects, an electronic system 17 out.

Claims

Elektronische Schaltungsanordnung (10), – mit einer Platine (6), – mit wenigstens einem auf der Platine (6) angeordneten und ein Transistorgehäuse (2) aufweisenden Leistungstransistor-Bauelement (1), – mit jeweils einem dem wenigstens einen Leistungstransistor-Bauelement (1) zugeordneten Temperatursensor (4) zur Temperaturbestimmung des ihm zugeordneten Leistungstransistor-Bauelements (1), wobei der Temperatursensor (4) als SMD-Bauteil ausgeführt ist und in einem lateralen Abstand (D) von 3mm oder weniger vom Leistungstransistor-Bauelement (1) auf der Platine (6) angeordnet ist, – wobei das Leistungstransistor-Bauelement (1) und der Temperatursensor (4) zur thermischen Kopplung des Leistungstransistor-Bauelements (1) an den Temperatursensor jeweils teilweise an der Platine (6) anliegen, – wobei das Transistorgehäuse (2) einen thermischen Widerstand von 5°C/W oder weniger aufweist.Electronic circuit arrangement ( 10 ), - with a circuit board ( 6 ), - with at least one on the board ( 6 ) and a transistor housing ( 2 ) having power transistor component ( 1 ), - each with a the at least one power transistor device ( 1 ) associated temperature sensor ( 4 ) for determining the temperature of the power transistor device associated therewith ( 1 ), the temperature sensor ( 4 ) is designed as an SMD component and at a lateral distance (D) of 3 mm or less from the power transistor component ( 1 ) on the board ( 6 ) is arranged, - wherein the power transistor device ( 1 ) and the temperature sensor ( 4 ) for the thermal coupling of the power transistor device ( 1 ) to the temperature sensor each partially on the board ( 6 ), - wherein the transistor housing ( 2 ) has a thermal resistance of 5 ° C / W or less.

Elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Transistorgehäuse (2) einen thermischen Widerstand von 2°C/W oder weniger, vorzugsweise von 1,7°C/W oder weniger, aufweist.Electronic circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the transistor housing ( 2 ) has a thermal resistance of 2 ° C / W or less, preferably 1.7 ° C / W or less.

Elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass – die Platine (6) eine Substratschicht umfasst, – auf der Substratschicht wenigstens eine Leiterbahn (8) aus einer auf der Substratschicht angeordneten Metallschicht gebildet ist, – das wenigstens eine Leistungstransistor-Bauelement (1) mit dem Transistorgehäuse (2) wenigstens teilweise auf der Substratschicht und/oder der Leiterbahn (8) anliegt. Electronic circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that - the circuit board ( 6 ) comprises a substrate layer, - on the substrate layer at least one conductor track ( 8th ) is formed from a metal layer arranged on the substrate layer, the at least one power transistor component ( 1 ) with the transistor housing ( 2 ) at least partially on the substrate layer and / or the conductor track ( 8th ) is present.

Elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperatursensor (4) ein Sensorgehäuse (7) aufweist, welches teilweise auf der Substratschicht und/oder der Leiterbahn anliegt. Electronic circuit arrangement according to claim 3, characterized characterized in that the temperature sensor ( 4 ) a sensor housing ( 7 ), which partially rests on the substrate layer and / or the conductor track.

Elektronische Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperatursensor (4) einen elektrischen NTC- oder PTC-Widerstand umfasst.Electronic circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the temperature sensor ( 4 ) comprises an NTC or PTC electrical resistance.

Elektronische Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Leistungstransistor-Bauelement (1) als integrierter Schaltkreis (IC) ausgebildet ist.Electronic circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the power transistor component ( 1 ) is designed as an integrated circuit (IC).

Elektronische Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der laterale Abstand (D) des Temperatursensor (4) vom Leistungstransistor-Bauelement maximal 1mm, vorzugsweise maximal 0,5mm beträgt. Electronic circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the lateral distance (D) of the temperature sensor ( 4 ) of the power transistor device is at most 1mm, preferably at most 0.5mm.

Elektronische Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronische Schaltungsanordnung ferner umfasst: – eine dem wenigstens einen Leistungstransistor-Bauelement (1) und dem zugehörigen Temperatursensor (4) zugeordnete Leiterbahn (8), – wobei das Leistungstransistor-Bauelement (1) derart in der Leiterbahn (8) angeordnet ist, dass er als elektronischer Schalter wirkt, welcher zwischen einem geöffneten und einem geschlossenen Zustand umschaltbar ist, wobei im geöffneten Zustand die Leiterbahn (8) elektrisch unterbrochen ist und im geschlossenen Zustand diese elektrische Unterbrechung aufgehoben ist.Electronic circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the electronic circuit arrangement further comprises: - one of the at least one power transistor component ( 1 ) and the associated temperature sensor ( 4 ) associated conductor track ( 8th ), Wherein the power transistor device ( 1 ) in the conductor track ( 8th ) is arranged so that it acts as an electronic switch, which is switchable between an open and a closed state, wherein in the open state, the conductor track ( 8th ) is electrically interrupted and in the closed state, this electrical interruption is canceled.

Elektronische Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für jedes Leistungstransistor-Bauelement (1) eine diesem Bauelement (1) zugeordnete Steuerungseinheit (9) vorgesehen ist, welche mit dem einen Leistungstransistor-Bauelement (1) und dem diesem Leistungstransistor-Bauelement (1) zugeordneten Temperatursensor (4) derart zusammenwirkt, dass sie bei einem vom Temperatursensor (4) bestimmten Überschreiten einer vorbestimmten Schwelltemperatur das Leistungstransistor-Bauelement (1) in den geöffneten Zustand umschaltet.Electronic circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that for each power transistor component ( 1 ) a this component ( 1 ) associated control unit ( 9 ) provided with the one power transistor device ( 1 ) and this power transistor device ( 1 ) associated temperature sensor ( 4 ) cooperates in such a way that at one of the temperature sensor ( 4 ) certain exceeding a predetermined threshold temperature, the power transistor device ( 1 ) switches to the open state.

Elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass – in der Leiterbahn (8) wenigstens zwei, vorzugsweise drei, Leistungstransistor-Bauelemente (1) vorgesehen sind, – eine elektronische Kopplungseinheit (16) vorgesehen ist, welche die drei Steuerungseinheiten (9) derart elektronisch miteinander koppelt, dass beim Umschalten eines der drei Leistungstransistor-Bauelemente (1) in den geschlossenen Zustand durch die dem Leistungstransistor-Bauelement (1) zugeordnete Steuerungseinheit (9) ein, insbesondere zeitverzögertes, Umschalten der beiden verbleibenden Leistungstransistor-Bauelemente (1) durch die beiden diesen Leistungstransistor-Bauelementen (1) zugeordneten Steuerungseinheiten (9) bewirkt. Electronic circuit arrangement according to claim 8 or 9, characterized in that - in the conductor track ( 8th ) at least two, preferably three, power transistor components ( 1 ), - an electronic coupling unit ( 16 ) is provided, which the three control units ( 9 ) is coupled to each other in such a way that when switching one of the three power transistor components ( 1 ) in the closed state by the power transistor device ( 1 ) associated control unit ( 9 ), in particular time-delayed switching of the two remaining power transistor components ( 1 ) through the two these power transistor devices ( 1 ) associated control units ( 9 ) causes.

Elektronisches System, – mit einer Energieversorgungseinheit (13), insbesondere einer Batterie, – mit einem elektronischen Gerät (15), insbesondere einem Mobilfunktelefon oder einem Funkgerät, – mit einer die Energieversorgungseinheit (13) mit dem elektronischen Gerät (15) verbindende elektronische Schaltungsanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche. Electronic system, - with a power supply unit ( 13 ), in particular a battery, - with an electronic device ( 15 ), in particular a mobile telephone or a radio, - with a power supply unit ( 13 ) with the electronic device ( 15 ) connecting electronic circuitry ( 1 ) according to any one of the preceding claims.

Verwendung der elektronischen Schaltungsanordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 10 in einem explosionsgefährdeten Bereich.Use of the electronic circuit arrangement ( 1 ) according to one of claims 1 to 10 in a potentially explosive area.