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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Politur der Kante einer Scheibe aus Halbleitermaterial (Halbleiterscheibe, Wafer) mit einer optimierten Poliermittelverteilung.
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Bei einer Scheibe aus Halbleitermaterial handelt es sich üblicherweise um eine Siliciumscheibe, oder ein Substrat mit von Silicium abgeleiteten Schichtstrukturen wie beispielsweise Silicium-Germanium (SiGe), Siliciumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN). Die Scheiben aus Halbleitermaterial haben eine Vorder- und eine Rückseite sowie – in der Regel – abgeschrägte Kanten. Die Vorderseite der Scheibe aus Halbleitermaterial ist definitionsgemäß diejenige Seite, auf der in nachfolgenden Kundenprozessen die gewünschten Mikrostrukturen aufgebracht werden.
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Die unbehandelte Kante einer von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe hat eine vergleichsweise raue und uneinheitliche Oberfläche. Sie bricht bei mechanischer Belastung häufig aus und ist eine Quelle störender Partikel.
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Daher ist es üblich, die Kante der Scheibe abzuschrägen, um Ausbrüche und Beschädigungen im Kristall zu beseitigen und ihr ein bestimmtes Profil zu geben. Das Abschrägen der Kanten erfolgt in der Regel durch einen Schleifvorgang.
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Geeignete Schleifvorrichtungen und Schleifverfahren sind aus dem Stand der Technik bekannt und beispielsweise in
DE 600 09 506 T2 sowie in
US 2011/0165823 A1 offenbart.
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Die geschliffene Kante wird geätzt, um Kristalldefekte, die durch das Schleifen nicht beseitigt werden konnten, zu entfernen. Eine geeignete Vorrichtung zum Ätzen der Kante einer Halbleiterscheibe ist beispielsweise in
DE 692 17 843 T2 sowie
DE 198 54 743 A1 offenbart.
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Um strukturelle Unregelmäßigkeiten sowie Defekte, die häufig nach dem Ätzen von Substraten aus Halbleitermaterial auftreten, zu beseitigen, wird die geschliffene und geätzte Kante der Scheibe aus Halbleitermaterial in einem weiteren Bearbeitungsschritt poliert.
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Die Kante einer Scheibe aus Halbleitermaterial besteht prinzipiell aus einer oberen und einer unteren, im Vergleich zur Vorderseite bzw. Rückseite jeweils in einem Winkel α abgeschrägten Fläche, den Facetten, und einer senkrecht zur Vorderseite bzw. Rückseite verlaufenden Fläche, dem Steg (Blunt, Apex).
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Bei der Politur der Kante einer Scheibe aus Halbleitermaterial müssen alle drei Flächen, die beiden Facetten und der Steg, entweder nacheinander oder zur gleichen Zeit poliert werden.
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Im Allgemeinen erfolgt die Kantenpolitur durch zentrische Fixierung der Scheibe auf einer drehbaren Haltevorrichtung (Chuck). Die Kante der Halbleiterscheibe ragt über den Chuck hinaus, so dass sie für die Poliervorrichtung frei zugänglich ist.
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Mindestens eine Kantenfläche der sich zentrisch drehenden Scheibe wird mit einer bestimmten Kraft (Anpressdruck) gegen eine Poliervorrichtung, die ruhend sein kann, sich ebenfalls zentrisch dreht oder in einer anderen Art bewegt wird, gedrückt.
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Poliervorrichtungen zur Politur einer Kante können beispielsweise kreiszylindrische Körper, sog. Poliertrommeln, die sich zentrisch um eine Längsachse drehen (
EP 03 08 134 A2 ,
US 5,989,105 ,
DE 10 2009 030 294 A1 ), Polierbacken (
JP2007005515A ,
US 6,267,649 B1 ,
DE 102 19 450 A1 ), Scheiben mit einer Nut für die gleichzeitige Politur aller drei Kantenseiten (
EP 1 089 851 B1 ), Polierringe (
EP 0 308 134 A2 ) oder Polierbänder (
US 2008/0113509 A1 ) umfassen.
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Der Kantenpolierprozess erfolgt unter Zuführung eines Poliermittels. Die Zuführung des Poliermittels für die Kantenpolitur muss aufgrund der geringen Fläche der Kante zielgerichtet erfolgen.
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Das amerikanische Patent
US 6,267,649 B1 lehrt mehrere Zuläufe (entry points), die zwischen den einzelnen Polierköpfen lokalisiert sind, so dass jeder Polierkopf mit einer ausreichenden Menge an Poliermittel durch die Rotation der Halbleiterscheibe während der Kantenpolitur versorgt werden kann. Dieses Verfahren ermöglicht aber nur die Aufgabe von Poliermittel auf der Oberseite der Halbleiterscheibe. Ausserdem kann es zu einer unerwünschten Verteilung des Poliermittels durch die bei der Rotation der Halbleiterscheibe auftretenden Zentrifugalkräfte kommen.
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Die japanische Patentanmeldung
JP 2008 068327 A2 lehrt eine Vorrichtung zur Politur der Kanten eines Wafers, dadurch gekennzeichnet, dass der Polierkopf einen Kanal zur Durchleitung von Poliermittel aufweist und das Poliermittel entweder durch das Poliertuch hindurchtritt oder am Polierkopf bereitgestellt wird.
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Allerdings hat diese Vorrichtung den Nachteil, dass in dem Bereich, in dem die Politur der Kante erfolgt (Point Of Use, POU) aufgrund der einen Austrittsöffnung eine undefinierte Poliermittelverteilung stattfindet, so dass lokal unterschiedliche Poliermittelmengen zwischen Waferkante und der mit einem Poliertuch belegten Polierbacke auftreten können. Dadurch kann die Kantenpolitur nicht exakt gesteuert werden und es kann zu einem unterschiedlichen Materialabtrag sowie durch das Poliermittel verursachte Anätzungen der Kante kommen.
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Aufgabe der Erfindung war es, eine verbesserte Vorrichtung und ein verbessertes Verfahren zur Politur der Kante einer Scheibe aus Halbleitermaterial bereitzustellen, das zum Einen eine optimale Poliermittelverteilung auf der Oberseite und der Unterseite der Kante einer Halbleiterscheibe während der Kantenpolitur ermöglicht, und zum anderen Oberflächendefekte durch Poliermittelanätzungen vermeidet.
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Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zur Politur mindestens einer Fläche der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial, wobei die Kante eine obere und eine untere, in Bezug auf die Vorderseite und die Rückseite im Winkel α abgeschrägte Fläche 2 (Facetten) und eine umlaufende Fläche 3 (Steg) umfasst, und mindestens ein Polierwerkzeug 4 mit der Vorderseite eine Fläche der Kante in Gegenwart eines Poliermittels poliert, dadurch gekennzeichnet, dass das Polierwerkzeug 4 mit mindestens einer Hauptbohrung 6a und mindestens einer von der Hauptbohrung 6a abführenden Nebenbohrung 6b versehen ist und durch die mindestens eine Nebenbohrung 6b das Poliermittel über eine Austrittsöffnung in der Vorderseite an die jeweilige Fläche der Kante der Scheibe 1 aus Halbleitermaterial gefördert wird.
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Die Erfindung offenbart ein Verfahren zur Politur der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial (Halbleiterscheibe, Wafer) und eignet sich für handelsübliche Kantenpolierautomaten.
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Der Begriff Kantenpolitur kann bei Bedarf auch die Politur der Orientierungskerbe (Notch) mit einschließen.
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Bevorzugt richtet sich die Erfindung auf die Bearbeitung von Halbleiterscheiben 1 mit einem Durchmesser von 300 mm oder größer, ganz besonders bevorzugt mit einem Durchmesser von 450 mm.
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Bei einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial (Halbleiterscheibe, Wafer) handelt es sich üblicherweise um eine Siliciumscheibe, oder ein Substrat mit von Silicium abgeleiteten Schichtstrukturen wie beispielsweise Silicium-Germanium (SiGe), Siliciumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN).
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Die Scheiben aus Halbleitermaterial haben eine Vorder- und eine Rückseite sowie – in der Regel – durch vorangegangene Schleif- und Ätzprozesse abgeflachte Kanten. Die Vorderseite der Scheibe 1 aus Halbleitermaterial ist definitionsgemäß diejenige Seite, auf der in nachfolgenden Kundenprozessen die gewünschten Mikrostrukturen aufgebracht werden.
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Die Kante einer Scheibe aus Halbleitermaterial besteht aus einer oberen und einer unteren Fläche 2, den Facetten (Waferflanke, bevel), die im Vergleich zur Vorderseite bzw. Rückseite in einem Winkel α abgeschrägt sind, und einer senkrecht zur Vorderseite bzw. Rückseite verlaufenden Fläche 3, dem Steg (Blunt, Apex).
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Für die Kantenpolitur einer Scheibe aus Halbleitermaterial wird die Scheibe 1 bevorzugt mittels eines zentrisch rotierbaren Vakuum-Chucks mittig fixiert. Bei einem Vakuum-Chuck handelt es sich um eine runde, ebene Platte, die durch entsprechende Vorrichtungen eine auf ihr liegende Scheibe durch ein Vakuum fixieren kann.
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Die Scheibe 1 aus Halbleitermaterial kann entweder mit der Rückseite oder mit der Vorderseite auf dem Chuck befestigt werden.
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Da der Durchmesser der Scheibe 1 aus Halbleitermaterial größer ist als der Durchmesser des Chucks, ragt die sich zentrisch drehende Scheibe aus Halbleitermaterial über den Chuck hinaus, so dass die zu polierenden Kantenflächen für die Polierwerkzeuge frei zugänglich sind.
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Als Polierwerkzeug 4 werden im erfindungsgemäßen Verfahren bevorzugt Polierbacken eingesetzt, wobei für die Politur jeder Kantenfläche mindestens ein Polierwerkzeug verwendet wird.
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Die Vorrichtung zur Politur der Kante einer Scheibe aus Halbleitermaterial kann dabei ein oder mehrere Polierwerkzeuge 4 aufweisen, die zum Polieren der jeweiligen Fläche der Kante mit dieser Fläche in Kontakt gebracht werden.
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Bei der Kantenpolitur werden entweder nacheinander die einzelnen Flächen der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial poliert (1a) oder das Polierwerkzeug 4 entspricht in ihrer Form der zu polierenden Kante, so dass entweder die beiden Facetten 2 und der Steg 3 (1b) oder nur die obere und die untere Facette 2 gleichzeitig poliert werden.
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Bevorzugt weist die Vorrichtung zur Politur der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial mindestens drei einzelne Polierwerkzeuge 4 für die gleichzeitige Politur aller Flächen der Kante auf. Hierbei werden die obere Facette 2 (upper bevel) und die untere Facette 2 (lower bevel) der Scheibe 1 aus Halbleitermaterial mit jeweils einem oder mehreren Polierwerkzeugen poliert. Der Steg 3 wird ebenfalls mit einem oder mehreren separaten Polierwerkzeugen 4 poliert.
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Die Verteilung der Polierwerkzeuge 4 für die beiden Facetten 2 und den Steg 3 wird dabei so gewählt, dass eine gleichmäßige Druckverteilung auf die Scheibe 1 aus Halbleitermaterial gewährleistet ist, beispielsweise durch eine gegenüberliegende Anordnung der Polierwerkzeuge 4 für die obere und die untere Facette 2 sowie zwei Polierwerkzeuge 4 für den Steg 3 (1c). Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind in 1c nur zwei Polierwerkzeuge 4, jeweils eines für die obere Facette 2 und eines für die untere Facette 2 eingezeichnet.
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Weist die Vorrichtung zur Politur der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial mindestens drei Polierwerkzeuge 4 für die gleichzeitige Politur aller drei Flächen der Kante auf, sind die Vorderseiten der Polierwerkzeuge 4, also die Seiten, die in Kontakt mit der jeweiligen Kantenfläche einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial kommen, entsprechend den Neigungen der Facetten 2 und des Steges 3 ausgerichtet, so dass die Vorderseite des jeweiligen Polierwerkzeuges flächig mit der jeweiligen zu polierenden Fläche in Kontakt steht.
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Die Vorderseiten der Polierwerkzeuge 4 sind bevorzugt mit einem Poliertuch 5 belegt (2d). Ebenfalls bevorzugt werden Polierwerkzeuge 4 verwendet, deren Vorderseite ohne Poliertuch 5 als Polierfläche verwendet werden kann. Das erfindungsgemäße Verfahren kann unabhängig davon, ob ein Polierwerkzeug 4 mit einem Poliertuch 5 belegt ist oder nicht, für die Kantenpolitur einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial angewendet werden.
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Während der Politur der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial dreht sich die auf einem Chuck befestigte Scheibe zentrisch und das mindestens eine Polierwerkzeug 4 wird in Gegenwart eines Poliermittels mit der mindestens einen zu polierenden Kantenfläche in Kontakt gebracht.
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Bei Verwendung von Polierwerkzeugen, die nur jeweils eine Fläche einer Kante polieren (1a oder 1c), bewegen sich die Polierwerkzeuge – bezogen auf die Scheibe – während der Politur bevorzugt auf und ab, so dass im Polierwerkzeug 4 bzw. im Poliertuch 5 keine Rille durch lokale Abnutzung entsteht, sondern eine möglichst gleichmäßige Abnutzung der zur Verfügung stehenden Fläche der Vorderseite des Polierwerkzeuges 4 gewährleistet ist.
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Um diese Auf- und Ab-Bewegung realisieren zu können, hat das Polierwerkzeug 4 eine Länge, die größer ist als die Länge (Höhe) der zu polierenden Kantenfläche (1a), wobei die Länge jeweils bezogen auf die Bewegungsrichtung des Polierwerkzeugs 4 ist.
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Bevorzugt beträgt die Länge eines Polierwerkzeugs 5 cm bis 20 cm und die Geschwindigkeit der Auf- und Ab-Bewegung des Polierwerkzeugs 4 beträgt bevorzugt 1 mm/s bis 5 mm/s.
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Um eine optimale Poliermittelverteilung bei der Politur der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial zu erreichen, wird im erfindungsgemäßen Verfahren das Poliermittel bei allen eingesetzten Polierwerkzeugen 4 durch Bohrungen 6 durch das Polierwerkzeug 4 direkt zum Poliertuch 5 bzw. bei Polierwerkzeugen 4 ohne Poliertuchbelegung zur Vorderseite des Polierwerkzeuges 4 geführt (2).
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Die Bohrungen in den Polierwerkzeugen 4 unterteilen sich in eine oder mehrere Hauptbohrungen 6a, an die mindestens eine Poliermittelzuführung 7 angeschlossen ist, und mehreren von der oder den Hauptbohrungen 6a abzweigenden Nebenbohrungen 6b. Die Nebenbohrungen 6b durchstoßen die Vorderseite der Polierwerkzeuge 4.
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Die Hauptbohrung 6a hat einen größeren Durchmesser als die jeweiligen abzweigenden Nebenbohrungen 6b. Bevorzugt beträgt der Durchmesser einer Hauptbohrung 6a 5 mm bis 10 mm, besonders bevorzugt 6 mm bis 8 mm. Der Durchmesser der Nebenbohrungen 6b beträgt bevorzugt 0,8 mm bis 5 mm, besonders bevorzugt 1 mm bis 3 mm.
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In einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Politur der Kante einer Scheibe 1 aus Halbleitermaterial verläuft mindestens eine Hauptbohrung 6a von der Rückseite des Polierwerkzeugs 4 in Richtung der Vorderseite des Polierwerkzeugs 4, ohne die Vorderseite des Polierwerkzeugs 4 zu durchstoßen. Von der mindestens einen Hauptbohrung 6a zweigt mindestens eine, bevorzugt mehrere Nebenbohrungen 6b mit jeweils einer Austrittsöffnung in der Vorderseite des Polierwerkzeugs 4 ab (2a und 2b).
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In einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens verläuft die mindestens eine Hauptbohrung 6a von einer Seitenfläche des Polierwerkzeugs 4 zu der anderen Seitenfläche, wobei die Hauptbohrung 6a die andere Seitenfläche entweder nicht durchstößt (2d), durchstößt aber nur das eine Polierwerkzeug 4 mit Poliermittel versorgt (2e) oder durchstößt und über eine Verbindungsleitung zu einem weiteren Polierwerkzeug 4 führt (2f).
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In der zweiten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung zweigen von jeder der mindestens einen Hauptbohrung 6a mindestens eine, bevorzugt mehrere Nebenbohrungen 6b ab, die jeweils eine oder mehrere Austrittsöffnungen an der Vorderseite des Polierwerkzeugs 4 haben.
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Die Anzahl und der Durchmesser der Nebenbohrungen 6b und damit die Anzahl und die Größe der Austrittsöffnungen, können gleich oder unterschiedlich sein (2c), so dass die an den Austrittsstellen zur Verfügung stehende Poliermittelmenge gezielt und unabhängig voneinander variiert werden kann. Die Anzahl Nebenbohrungen 6b wird nur durch den Durchmesser und die Fläche der Oberseite des jeweiligen Polierwerkzeugs 4 bestimmt.
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Bei Polierwerkzeugen 4, die mit einem Poliertuch 5 belegt sind, wird die Anzahl der Nebenbohrungen 6b durch die verbleibende Klebefläche, die noch eine sichere Fixierung des Poliertuches auf der Polierbacke gewährleistet, begrenzt.
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Die Lage der Austrittsöffnungen der Nebenbohrungen 6b auf der Vorderseite des Polierwerkzeugs liegt bevorzugt in mindestens einer Linie (3a) oder in mindestens einer Reihe (Streifen) mit einer versetzten Anordnung (3b). Besonders bevorzugt ist eine symmetrische oder asymmetrische Verteilung der Austrittsöffnungen der Nebenbohrungen 6b über die gesamte Fläche der Vorderseite des Polierwerkzeugs 4. 3c zeigt beispielhaft eine symmetrische Verteilung der Austrittsöffnungen der Nebenbohrungen 6b auf der gesamten Fläche der Vorderseite des Polierwerkzeugs 4. Die Austrittsöffnungen in 3 sind nicht maßstabsgerecht eingezeichnet. Die Größe und Anzahl dienen nur zur besseren Veranschaulichung.
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Ist das Polierwerkzeug 4 mit einem Poliertuch 5 belegt (2d), wird das Poliermittel durch den in der Poliermittelzuführung 7 anliegenden Druck durch das Poliertuch 5 bis zur Poliertuchoberfläche gefördert. Bevorzugt wird die Poliermittelförderung durch Bohrungen 6c im Poliertuch bewerkstelligt, deren Lage und Anzahl mit den Austrittsöffnungen der Nebenbohrungen 6b auf der Vorderseite des Polierwerkzeugs übereinstimmt. Bei Poliertüchern, die aufgrund ihrer Struktur flüssigkeitsdurchlässig sind, kann das Poliertuch keine Bohrungen aufweisen.
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Weist das Poliertuch 5 durchgehende Bohrungen 6c auf, liegen in dieser Ausführungsform die Austrittsöffnungen der Bohrungen 6c – entsprechend den Austrittsöffnungen der Nebenbohrungen 6b – in mindestens einer Linie (3a) oder in mindestens einer Reihe (Streifen) mit einer versetzten Anordnung (3b) bzw. symmetrisch oder asymmetrisch über die gesamte Fläche der Tuchvorderseite verteilt. 3c zeigt beispielhaft eine symmetrische Verteilung. Die Austrittsöffnungen in 3 sind nicht maßstabsgerecht eingezeichnet. Die Größe und Anzahl dienen nur zur besseren Veranschaulichung.
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Das Poliertuch ist in der Regel mit einer flüssigkeitsundurchlässigen Klebefolie auf die Vorderseite des Polierwerkzeugs fixiert. Im erfindungsgemäßen Verfahren weist die Klebefolie auf der Poliertuchrückseite an den Stellen, an denen die Nebenbohrungen 6b die Vorderseite des Polierwerkzeugs 4 durchstoßen, Öffnungen auf, so dass das Poliermittel in das Poliertuch 5 gelangen kann.
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Weist das Poliertuch 5 Bohrungen 6c auf, korrespondieren diese Öffnungen in der Klebefolie in Lage und Größe mit den Bohrungen 6c im Poliertuch 5, die die Poliertuchoberfläche durchstoßen. Durch die Bohrungen 6c im Poliertuch 5 tritt das durch das Polierwerkzeug 4 und das Poliertuch 5 geförderte Poliermittel auf der Poliertuchoberfläche aus.
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Der Durchmesser der Bohrungen 6c im Poliertuch beträgt bevorzugt 0,5 bis 2 mm.
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Durch die Bohrungen 6c im Poliertuch kann das beispielsweise mittels einer Pumpe durch die Hauptbohrung 6a in die Nebenbohrung 6b geförderte Poliermittel aus den Austrittsöffnungen der Nebenbohrungen 6b durch das Poliertuch 5 bis an die zu polierende Kantenfläche der Halbleiterscheibe (Point Of Use, POU) gelangen.
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Die Oberfläche des Poliertuches 5 kann dabei glatt oder mit Kanälen (grooves) durchzogen sein. Weist die Poliertuchoberfläche Kanäle auf, werden die Kanäle bevorzugt so angeordnet, dass die Austrittsöffnungen der Bohrungen 6c nicht in den Kanälen liegen, um eine bessere Verteilung des Poliermittels auf der Tuchoberfläche zu gewährleisten.
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Die Anzahl und Lage der Nebenbohrungen 6b in dem Polierwerkzeug 4 sowie ggf. die korrespondierende Anzahl und Lage der Bohrungen 6c im Poliertuch 5 gewährleisten einen fein einstellbaren und homogenen Poliermittelfluss am POU, der auch unterschiedlichen Gegebenheiten genau angepasst werden kann.
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Während der Kantenpolitur wird das an die jeweilige Kantenfläche mit einem definierten Druck p anliegende Polierwerkzeug 4 auf und ab bewegt, um ein lokales Einschneiden der Kantenfläche in die Oberfläche des Polierwerkzeugs 4 bzw. des Poliertuches 5 zu verhindern. Durch eine entsprechende Mess- und Regeltechnik ist es beispielsweise möglich, im erfindungsgemäßen Verfahren das Poliermittel nur an den Stellen aus dem Polierwerkzeug 4 bzw. dem Poliertuch 5 austreten zu lassen, an denen die Kantenfläche gerade anliegt. Liegt die Kantenfläche der Scheibe 1 aus Halbleitermaterial im oberen Bereich des Polierwerkzeugs 4 bzw. des Poliertuches 5 an, wird nur in diesem Bereich Poliermittel durch das Polierwerkzeug 4 bzw. das Poliertuch 5 gefördert.
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Das erfindungsgemäße Verfahren stellt sicher, dass zum einen kein Poliermittel unkontrolliert an die Scheibenoberfläche gesprüht wird, was zu Anätzungen führt, und zum anderen, dass der komplette Kantenbereich gleichmäßig mit Poliermittel versorgt wird.
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Durch die Möglichkeit der exakte Medienzuführung kann die Kantenpolitur im erfindungsgemäßen Verfahren mit einer Mindesteinsatzmenge an Poliermittel stabil durchgeführt werden, was den Kantenpolierprozess wirtschaftlicher macht.
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Das erfindungsgemäße Verfahren bietet zusätzlich die Möglichkeit, mehrere separate Poliermittelzuführungen 7 anzusteuern, die über individuelle Hauptbohrungen 6a und davon abgehende Nebenbohrungen 6b gezielt lokal unterschiedliche Mengen an mit Poliermittel beaufschlagten Bereichen erzeugen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 60009506 T2 [0005]
- US 2011/0165823 A1 [0005]
- DE 69217843 T2 [0006]
- DE 19854743 A1 [0006]
- EP 0308134 A2 [0012, 0012]
- US 5989105 [0012]
- DE 102009030294 A1 [0012]
- JP 2007005515 A [0012]
- US 6267649 B1 [0012, 0014]
- DE 10219450 A1 [0012]
- EP 1089851 B1 [0012]
- US 2008/0113509 A1 [0012]
- JP 2008068327 A2 [0015]
