DE102013208826B4 - Microstructured device and method for producing a microstructured device - Google Patents

Microstructured device and method for producing a microstructured device Download PDF

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Abstract

Mikrostrukturbauelement (1), insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, mit einem Schichtaufbau, umfassend eine erste Substratschicht (110) mit einer Haupterstreckungsebene (500) und eine in einer ersten Funktionsschicht ausgebildeten ersten Bauelementstruktur (120), wobei die erste Bauelementstruktur (120) mit der ersten Substratschicht (110) verbunden ist, wobei die erste Bauelementstruktur (120) mindestens ein erstes auslenkbares Element (130) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass in eine zur Haupterstreckungsebene (500) senkrechte Stapelrichtung (503) über der ersten Bauelementstruktur (120) eine in einer zweiten Funktionsschicht ausgebildete zweite Bauelementstruktur (220) und eine mit der zweiten Bauelementstruktur (220) verbundene zweite Substratschicht (210) angeordnet sind, wobei die zweite Bauelementstruktur (220) mindestens ein zweites auslenkbares Element (230) aufweist, wobei die zweite Bauelementstruktur (220) mit der ersten Bauelementstruktur (120) verbunden ist, wobei die erste Bauelementstruktur (120) eine parallel zur Haupterstreckungsebene (500) auslenkbare erste Inertialmasse (150) aufweist, wobei das erste auslenkbare Element (130) ein mit der ersten Inertialmasse (150) gekoppeltes erstes Federelement (130) ist, wobei das zweite auslenkbare Element (230) ein mit einem Ankerelement (210', 210") gekoppeltes zweites Federelement ist, wobei das erste auslenkbare Element (130) über eine erste Bondfläche (410) und eine zweite Bondfläche (430) mit dem zweiten auslenkbaren Element (230) gekoppelt ist, wobei das zweite auslenkbare Element (230) bezüglich eines Symmetriepunkts (401) spiegelsymmetrisch zum ersten auslenkbaren Element (130) ausgebildet ist, wobei der Symmetriepunkt (401) in einer zwischen dem ersten und zweiten auslenkbaren Element (130, 230) angeordneten Ebene (400) liegt, die parallel zur Haupterstreckungsebene (500) verläuft.Microstructure component (1), in particular for detecting accelerations and/or yaw rates, with a layered structure, comprising a first substrate layer (110) with a main extension plane (500) and a first component structure (120) formed in a first functional layer, the first component structure ( 120) is connected to the first substrate layer (110), the first component structure (120) having at least one first deflectable element (130), characterized in that in a direction perpendicular to the main extension plane (500) (503) above the first component structure ( 120) a second component structure (220) formed in a second functional layer and a second substrate layer (210) connected to the second component structure (220) are arranged, the second component structure (220) having at least one second deflectable element (230), the second component structure (220) with the first component structure (12 0), wherein the first component structure (120) has a first inertial mass (150) that can be deflected parallel to the main extension plane (500), wherein the first deflectable element (130) is a first spring element (130) coupled to the first inertial mass (150). , wherein the second deflectable element (230) is a second spring element coupled to an anchor element (210', 210"), the first deflectable element (130) being connected via a first bonding surface (410) and a second bonding surface (430) to the second deflectable element (230), the second deflectable element (230) being mirror-symmetrical to the first deflectable element (130) with respect to a point of symmetry (401), the point of symmetry (401) being in a position between the first and second deflectable element (130 , 230) arranged level (400) which runs parallel to the main extension plane (500).

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht aus von einem Mikrostrukturbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention is based on a microstructure component according to the preamble of claim 1.

Solche Mikrostrukturbauelemente sind allgemein bekannt. Beispielsweise sind mikromechanische Inertialsensoren bekannt, welche aus einer oder mehreren Inertialmassen bestehen und zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten konfiguriert sind. Die Inertialmassen sind beispielsweise entlang einer Schwingungsrichtung auslenkbar und werden von einer Antriebsanordnung zu einer Antriebsschwingung angeregt. Üblicherweise werden die mikromechanischen Inertialsensoren mittels reaktivem lonentiefenätzen hergestellt. In diesem Ätzverfahren werden parallel, d.h. zur gleichen Zeit, eine Vielzahl von Sensoren auf einem Wafer hergestellt. Jedoch bedingt sich an diesem Strukturierungsverfahren, dass Prozessvariationen über dem Wafer zu Störungen des Sensors führen. Diese Variationen sind hauptsächlich durch den Aufbau der Strukturierungsanlagen bedingt und die resultierende Störung der Eigenschwingung der Inertialmassen aus einer Schwingungsebene heraus wird als Quadratur bezeichnet. Besonders Nachteilig an der Quadratur ist, dass dabei störungsbehaftete Detektionssignale erzeugt werden.Such microstructure components are generally known. For example, micromechanical inertial sensors are known, which consist of one or more inertial masses and are configured to detect accelerations and/or yaw rates. The inertial masses can be deflected along a vibration direction, for example, and are excited by a drive arrangement to cause a drive vibration. The micromechanical inertial sensors are usually manufactured by means of deep reactive ion etching. In this etching process, a large number of sensors are produced in parallel, i.e. at the same time, on one wafer. However, this structuring process means that process variations across the wafer lead to sensor malfunctions. These variations are mainly due to the structure of the structuring systems and the resulting disturbance of the natural oscillation of the inertial masses from an oscillation plane is called quadrature. A particular disadvantage of quadrature is that it generates detection signals that are subject to interference.

Zur Quadraturkompensation werden gemäß dem Stand der Technik aufwändige und einen vergleichsweise großen Bauraum in Anspruch nehmende integrierte Schaltkreise in den bekannten Inertialsensoren untergebracht. Dadurch ist die Herstellung der bekannten Mikrostrukturbauelemente kompliziert und teuer, sowie die Leistungsfähigkeit und Robustheit der Inertialsensoren eingeschränkt.For quadrature compensation, according to the prior art, complex integrated circuits that take up a comparatively large amount of space are accommodated in the known inertial sensors. As a result, the production of the known microstructure components is complicated and expensive, and the performance and robustness of the inertial sensors are limited.

Aus der US 2010/0242603 A1 und der DE 10 2007 027 127 A1 sind in diesem Zusammenhang Anordnungen bekannt bei denen zwei verschiedene Sensoren mit beweglichen Elementen zusammengefügt und die beweglichen Elemente der beiden Sensoren miteinander verbunden sind. Ähnliche Anordnungen sind weiterhin aus der US 2013/0105921 A1 und der DE 10 2010 000 729 A1 bekannt.From the US 2010/0242603 A1 and the DE 10 2007 027 127 A1 in this context, arrangements are known in which two different sensors are joined together with movable elements and the movable elements of the two sensors are connected to one another. Similar arrangements are still from the US 2013/0105921 A1 and the DE 10 2010 000 729 A1 known.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of Invention

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Mikrostrukturbauelement und ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements, insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, bereitzustellen, welche die Nachteile des Standes der Technik nicht aufweisen, wobei ein Mikrostrukturbauelement mit einer geringeren Baugröße sowie geringerer Empfindlichkeit gegenüber Störschwingungen zur Verfügung gestellt wird.It is therefore an object of the present invention to provide a microstructure component and an improved method for producing a microstructure component, in particular for detecting accelerations and/or yaw rates, which do not have the disadvantages of the prior art, with a microstructure component having a smaller overall size and lower Sensitivity to spurious vibrations is provided.

Das erfindungsgemäße Mikrostrukturbauelement und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements gemäß den nebengeordneten Ansprüchen haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass ein Mikrostrukturbauelement, insbesondere aufweisend eine Topographie für Inertialsensoren, bereitgestellt wird, welches unabhängig von der Position des Mikrostrukturbauelements auf einem Wafer eine Bauelementstruktur aufweist, welche weitgehend symmetrisch bezüglich einer Spiegelung an einer Ebene parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Mikrostrukturbauelements ist. Dadurch entfällt die Notwendigkeit einer Quadraturkompensation bzw. die Quadratur wird weitgehend reduziert, sodass günstigere Mikrostrukturbauelemente mit zugleich geringer Baugröße bereitgestellt werden. Bevorzugt wird die erste Substratschicht und die erste Bauelementstruktur aus einem ersten Wafer, insbesondere einem ersten Siliziumwafer, ausgebildet und die zweite Bauelementstruktur aus einem zweiten Wafer, insbesondere einem zweiten Siliziumwafer, ausgebildet. Weiterhin ist das erste auslenkbare Element ein erstes Federmittel, insbesondere ein Federmittel eines Inertialsensors, welches entlang einer Schwingungsrichtung zu einer Antriebsschwingung antreibbar ist. Weiterhin weist die erste Bauelementstruktur eine mit dem ersten Federmittel gekoppelte Inertialmasse auf, welche insbesondere durch die Kopplung mit dem ersten Federmittel entlang der Schwingungsrichtung ebenfalls zu der Antriebsschwingung antreibbar ist, wobei die Schwingungsrichtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene eines die Substratschicht aufweisenden Substrats angeordnet ist. Dabei ist die Stapelrichtung senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung des Substrats angeordnet. Weiterhin weist das Mikrostrukturbauelement eine zweite Substratschicht mit einer weiteren Haupterstreckungsebene auf, wobei die zweite Substratschicht insbesondere aus dem zweiten Wafer ausgebildet wird. Die zweite Bauelementstruktur ist in Stapelrichtung über der ersten Bauelementstruktur angeordnet, was bedeutet, dass die Haupterstreckungsebene des ersten Substrats und die zweite Haupterstreckungsebene des zweiten Substrats parallel zueinander angeordnet sind. Eine von dem ersten Substrat in Richtung der ersten Bauelementstruktur senkrecht zur Haupterstreckungsebene verlaufende Richtung wird als erste Orientierungsrichtung und eine von dem zweiten Substrat in Richtung der zweiten Bauelementstruktur senkrecht zur Haupterstreckungsebene verlaufende Richtung wird als zweite Orientierungsrichtung bezeichnet. Dabei ist die erste Orientierungsrichtung parallel zur Stapelrichtung und die zweite Orientierungsrichtung antiparallel - d.h. entgegengesetzt - zur Stapelrichtung angeordnet oder umgekehrt. Weiterhin bedeutet die Anordnung der ersten Bauelementstruktur über der zweiten Bauelementstruktur auch, dass die erste Orientierungsrichtung parallel und entgegengesetzt zur zweiten Orientierungsrichtung angeordnet ist und dass die erste Bauelementstruktur und die zweite Bauelementstruktur direkt übereinander - d.h. ohne zwischenliegende Bauelemente oder Strukturen - angeordnet sind. Hierdurch wird insbesondere der Vorteil einer hohen Integrationsdichte der Bauelementstrukturen in dem Mikrostrukturbauelement erzielt. Dabei wird die zwischen den Bauelementstrukturen angeordnete - zur Haupterstreckungsebene und zur weiteren Haupterstreckungsebene parallele - Ebene als Verbindungsebene oder Bondverbindungsebene bezeichnet. Insbesondere ist die Funktionsschicht eine Siliziumschicht eines Siliziumwafers. Bevorzugt weisen die erste Bauelementstruktur und die zweite Bauelementstruktur in Stapelrichtung dieselbe Ausdehnung auf.The microstructure component according to the invention and the method according to the invention for producing a microstructure component according to the independent claims have the advantage over the prior art that a microstructure component, in particular having a topography for inertial sensors, is provided which has a component structure independently of the position of the microstructure component on a wafer has, which is largely symmetrical with respect to a reflection on a plane parallel to a main extension plane of the microstructure component. As a result, there is no need for quadrature compensation or the quadrature is largely reduced, so that more economical microstructure components which are also small in size are provided. The first substrate layer and the first component structure are preferably formed from a first wafer, in particular a first silicon wafer, and the second component structure is formed from a second wafer, in particular a second silicon wafer. Furthermore, the first deflectable element is a first spring means, in particular a spring means of an inertial sensor, which can be driven along a vibration direction to produce a drive vibration. Furthermore, the first component structure has an inertial mass which is coupled to the first spring means and which, in particular due to the coupling to the first spring means, can also be driven along the vibration direction to produce the drive vibration, the vibration direction being arranged parallel to a main plane of extension of a substrate having the substrate layer. In this case, the stacking direction is arranged perpendicularly to the main direction of extension of the substrate. Furthermore, the microstructure component has a second substrate layer with a further main extension plane, the second substrate layer being formed in particular from the second wafer. The second component structure is arranged above the first component structure in the stacking direction, which means that the main plane of extension of the first substrate and the second main plane of extension of the second substrate are arranged parallel to one another. A direction running from the first substrate in the direction of the first component structure perpendicular to the main plane of extension is referred to as the first orientation direction and a direction running from the second substrate in the direction of the second component structure perpendicular to the main plane of extension is referred to as the second orientation direction. The first direction of orientation is parallel to the direction of stacking and the second direction of orientation is antiparallel—ie opposite—to the direction of stacking direction or vice versa. Furthermore, the arrangement of the first component structure above the second component structure also means that the first orientation direction is arranged parallel and opposite to the second orientation direction and that the first component structure and the second component structure are arranged directly one above the other—ie without intermediate components or structures. In this way, in particular, the advantage of a high integration density of the component structures in the microstructure component is achieved. The plane arranged between the component structures—parallel to the main extension plane and to the further main extension plane—is referred to as the connection plane or bond connection plane. In particular, the functional layer is a silicon layer of a silicon wafer. The first component structure and the second component structure preferably have the same extent in the stacking direction.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen entnehmbar.Advantageous configurations and developments of the invention can be found in the subclaims and the description with reference to the drawings.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das erste auslenkbare Element undr das zweite auslenkbare Element parallel zu einer Haupterstreckungsebene der ersten Substratschicht auslenkbar sind, wobei das erste auslenkbare Element und das zweite auslenkbare Element in parallele Schwingungsrichtungen auslenkbar sind. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, auf einer kleineren Chipfläche mehrere Drehraten erfassen zu können, als bei der aus dem Stand der Technik bekannten Anordnung der Inertialsensoren parallel zur Bondverbindungsebene nebeneinander.The invention provides that the first deflectable element and the second deflectable element can be deflected parallel to a main extension plane of the first substrate layer, the first deflectable element and the second deflectable element being deflectable in parallel vibration directions. In this way, it is advantageously possible to be able to detect a plurality of yaw rates on a smaller chip area than in the case of the arrangement of the inertial sensors parallel to the bonding plane next to one another, which is known from the prior art.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die erste Bauelementstruktur eine parallel zur Haupterstreckungsebene, insbesondere entlang der Schwingungsrichtung, auslenkbare erste Inertialmasse aufweist, wobei das erste auslenkbare Element ein, insbesondere über eine erste Endverbindung, mit der ersten Inertialmasse gekoppeltes erstes Federelement ist, wobei das zweite auslenkbare Element ein, insbesondere über eine zweite Endverbindung, mit einem Ankerelement gekoppeltes zweites Federelement ist, wobei das erste auslenkbare Element mit dem zweiten auslenkbaren Element gekoppelt ist. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, dass eine zweischichtige Federelementeinheit aus dem ersten Federelement und dem zweiten Federelement bereitgestellt wird, wobei die aus den zwei Schichtebenen aufgebaute Federelementeinheit drei, vier oder mehr, insbesondere sich entlang einer parallel zur Bondverbindungsebene verlaufenden Geraden überkreuzenden, Bondverbindungsflächen miteinander verbunden sind. Insbesondere weisen die Federelemente jeweils Stege auf, welche über Stegverbindungen miteinander, insbesondere an gegenüberliegenden Seiten entlang einer Haupterstreckungsrichtung der Stege verbunden sind. Insbesondere sind die Stege verglichen mit den Stegverbindungen jeweils länger ausgebildet und weisen eine geringere Federsteifigkeit auf - d.h. die Stege sind flexibler als die Stegverbindungen. Insbesondere sind die Bondflächen an den Stegverbindungen angeordnet. Durch die Kopplung der beiden Federelemente zu einer Federelementeinheit ist es vorteilhaft möglich, den aus der Strukturierung mittels reaktiven lonentrockenätzverfahren (DRIE-Strukturieren) resultierenden Parallaxenfehler bzw. Asymmetrien und die damit verbundene Quadratur zu kompensieren und somit ein quadraturfreies Mikrostrukturbauelement bereitzustellen. Gleichzeitig weist die in der beschriebenen Weise geschichtete, mittels Verbindung der beiden Federelemente erzeugte Federelementeinheit, parallel zu den zur Schwingungsebene senkrechten Orientierungsrichtungen eine höhere Federsteifigkeit auf, was die Anregung unerwünschter Schwingungsmoden unterdrückt und die Quadratur weiter reduziert.According to the invention, it is provided that the first component structure has a first inertial mass that can be deflected parallel to the main extension plane, in particular along the direction of oscillation, the first deflectable element being a first spring element coupled to the first inertial mass, in particular via a first end connection, with the second deflectable element is a second spring element coupled to an anchor element, in particular via a second end connection, the first deflectable element being coupled to the second deflectable element. In this way, it is advantageously possible for a two-layer spring element unit made up of the first spring element and the second spring element to be provided, with the spring element unit made up of the two layer levels being connected to one another by three, four or more bond connection surfaces which in particular intersect along a straight line running parallel to the bond connection plane . In particular, the spring elements each have webs which are connected to one another via web connections, in particular on opposite sides along a main extension direction of the webs. In particular, the webs are each longer than the web connections and have a lower spring stiffness - i.e. the webs are more flexible than the web connections. In particular, the bonding surfaces are arranged on the web connections. By coupling the two spring elements to form a spring element unit, it is advantageously possible to compensate for the parallax errors or asymmetries resulting from the structuring using reactive ion dry etching methods (DRIE structuring) and the associated quadrature, and thus to provide a quadrature-free microstructure component. At the same time, the spring element unit layered in the manner described and produced by connecting the two spring elements has a higher spring stiffness parallel to the orientation directions perpendicular to the vibration plane, which suppresses the excitation of undesired vibration modes and further reduces the quadrature.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das erste auslenkbare Element über eine erste Bondfläche und eine zweite Bondfläche mit dem zweiten auslenkbaren Element gekoppelt ist, wobei insbesondere die erste Bondfläche und die zweite Bondfläche entlang der Schwingungsrichtung an gegenüberliegenden Endverbindungen, insbesondere versetzt, angeordnet sind. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, dass die Anregung unerwünschter Schwingungsmoden unterdrückt und die Quadratur weiter reduziert wird.According to the invention, the first deflectable element is coupled to the second deflectable element via a first bonding surface and a second bonding surface, with the first bonding surface and the second bonding surface in particular being arranged on opposite end connections, in particular offset, along the vibration direction. As a result, it is advantageously possible for the excitation of undesired oscillation modes to be suppressed and for the quadrature to be further reduced.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die erste Funktionsschicht eine erste Kaverne aufweist, wobei die zweite Funktionsschicht eine zweite Kaverne aufweist, wobei über der zweiten Bauelementstruktur eine in einer dritten Funktionsschicht ausgebildete Kappe mit einer dritten Kaverne angeordnet ist, wobei die erste Kaverne, die zweite Kaverne und die dritte Kaverne zu einem die erste Bauelementstruktur und die zweite Bauelementstruktur umgebenden, insbesondere hermetisch abgedichteten, Hohlraum ausgebildet sind. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, ein Vakuum in dem Hohlraum zu erzeugen ist, wodurch die Messgenauigkeit einer gemessenen Drehrate durch den Inertialsensor erhöht und eine hohe Güte des Mikrobauelements sichergestellt wird.According to a preferred development, it is provided that the first functional layer has a first cavity, the second functional layer having a second cavity, a cap formed in a third functional layer having a third cavity being arranged over the second component structure, the first cavity, the second cavity and the third cavity are formed into a cavity surrounding, in particular hermetically sealed, the first component structure and the second component structure. As a result, it is advantageously possible to generate a vacuum in the cavity, as a result of which the measurement accuracy of a measured yaw rate by the inertial sensor is increased and a high quality of the microcomponent is ensured.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, dass im ersten Herstellungsschritt das erste auslenkbare Element entlang einer Schwingungsrichtung auslenkbar angeordnet wird, wobei im zweiten Herstellungsschritt das zweite auslenkbare Element entlang einer weiteren Schwingungsrichtung auslenkbar angeordnet wird, wobei im dritten Herstellungsschritt die zweite Bauelementstruktur über der ersten Bauelementstruktur derart angeordnet wird, dass die Schwingungsrichtung parallel oder senkrecht zur weiteren Schwingungsrichtung verläuft. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, auf einer kleineren Chipfläche mehrere Drehraten erfassen zu können, als bei der aus dem Stand der Technik bekannten Anordnung der Inertialsensoren parallel zur Bondverbindungsebene nebeneinander.According to a preferred development of the method according to the invention, it is provided that in the first production step the first deflectable element is arranged so that it can be deflected along a vibration direction, with the second step In the third manufacturing step, the second component structure is arranged over the first component structure in such a way that the direction of vibration runs parallel or perpendicular to the further direction of vibration. In this way, it is advantageously possible to be able to detect a plurality of yaw rates on a smaller chip area than in the case of the arrangement of the inertial sensors parallel to the bonding plane next to one another, which is known from the prior art.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass aus der ersten Bauelementstruktur eine entlang der Schwingungsrichtung auslenkbare erste Inertialmasse ausgebildet wird, wobei das erste auslenkbare Element, insbesondere über eine erste Endverbindung, mit der ersten Inertialmasse gekoppelt wird, wobei das zweite auslenkbare Element, insbesondere über eine zweite Endverbindung, mit einem Ankerelement gekoppelt wird, wobei das erste auslenkbare Element mit dem zweiten auslenkbaren Element, insbesondere im Bereich der beiden Endverbindungen miteinander gekoppelt werden. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, dass die Anregung unerwünschter Schwingungsmoden unterdrückt und die Quadratur weiter reduziert wird.According to the invention, it is provided that a first inertial mass that can be deflected along the vibration direction is formed from the first component structure, with the first deflectable element being coupled to the first inertial mass, in particular via a first end connection, with the second deflectable element being coupled, in particular via a second end connection, is coupled to an anchor element, the first deflectable element being coupled to the second deflectable element, in particular in the region of the two end connections. As a result, it is advantageously possible for the excitation of undesired oscillation modes to be suppressed and for the quadrature to be further reduced.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das erste auslenkbare Element über eine erste Bondfläche und eine zweite Bondfläche mit dem zweiten auslenkbaren Element gekoppelt wird, wobei insbesondere die erste Bondfläche und die zweite Bondfläche entlang der Schwingungsrichtung an gegenüberliegenden Endverbindungen, insbesondere versetzt, angeordnet werden. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, dass das Mikrostrukturbauelement keine oder eine wesentlich verringerte Quadratur aufweist.The invention provides that the first deflectable element is coupled to the second deflectable element via a first bonding surface and a second bonding surface, with the first bonding surface and the second bonding surface in particular being arranged on opposite end connections, in particular offset, along the vibration direction. As a result, it is advantageously possible for the microstructure component to have no or a significantly reduced quadrature.

Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.Exemplary embodiments of the present invention are illustrated in the drawings and explained in more detail in the following description.

Figurenlistecharacter list

Es zeigen

  • 1 schematisch ein beispielhaftes Mikrostrukturbauelement gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 2 und 3 schematisch beispielhafte Bauelementstrukturen eines Mikrostrukturbauelements gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 4 schematisch einen beispielhaften Aufbau einer Strukturierungsanlage,
  • 5 beispielhaft einen Herstellungsschritt zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Show it
  • 1 schematically an exemplary microstructure device according to an embodiment of the present invention,
  • 2 and 3 schematically exemplary component structures of a microstructure component according to an embodiment of the present invention,
  • 4 schematically an exemplary structure of a structuring system,
  • 5 exemplarily a manufacturing step for manufacturing a microstructure component according to an embodiment of the present invention.

Ausführungsform(en) der Erfindungembodiment(s) of the invention

In den verschiedenen Figuren sind gleiche Teile stets mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal benannt bzw. erwähnt.In the various figures, the same parts are always provided with the same reference symbols and are therefore usually named or mentioned only once.

1 zeigt schematisch ein Mikrostrukturbauelement 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Mikrostrukturbauelement 1 weist einen Schichtaufbau aus einem ersten Wafer 100, einem zweiten Wafer 200 und einem dritten Wafer 300 auf, wobei der dritte Wafer 300 auch als Kappe 300 bezeichnet wird, wobei der erste, zweite und/oder dritte Wafer Siliziumwafer sind. Das Mikrostrukturbauelement 1 ist in einer Schnittbildansicht dargestellt, wobei eine als X-Richtung 501 bezeichnete Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene 500 (siehe 2) des Mikrostrukturbauelements und eine als Z-Richtung 503 bezeichnete Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene 500 dargestellt ist. Die Haupterstreckungsebene 500 ist dabei zugleich die Haupterstreckungsebene 500 einer ersten Substratschicht 110 eines Substrats des ersten Wafers 100. Die Z-Richtung 503 wird hier auch als die erste Orientierungsrichtung 503 bezeichnet. In Richtung der Z-Richtung 503 sind oberhalb der ersten Substratschicht 110 insbesondere Bodenelektroden 160 zwischen einer oberen Isolationsschicht 170 und einer unteren weiteren Isolationsschicht 170' angeordnet. Die Bodenelektroden 160 sind insbesondere auch als elektrische Zuleitungen 160 zu kapazitiven Detektionselektroden zur Detektion einer Detektionsschwingung der Inertialmassen 150, 250 ausgebildet. Weiterhin ist in Z-Richtung 503 über der Substratschicht 110 eine erste Bauelementstruktur 120 angeordnet, wobei die Bauelementstruktur ein erstes auslenkbares Element 130 (siehe 2) in Form eines ersten Federelements 130 und eine erste Inertialmasse 150 aufweist. Hier sind ein erster Steg 131, ein mittlerer erster Steg 132 und ein weiterer erster Steg 133 des als Federelement oder Federmittel ausgebildeten ersten auslenkbaren Elements 130 entlang der X-Richtung an gegenüberliegenden Seiten der Inertialmasse 150 symmetrisch angeordnet. Weiterhin ist hier der weitere erste Steg 133 über eine erste Endverbindung 420 des ersten Federelements mit der Inertialmasse 150 verbunden, sodass das erste auslenkbare Element 130 zusammen mit der Inertialmasse 150 zu einer Antriebsschwingung entlang einer zur X-Richtung 501 parallelen Schwingungsrichtung 501 antreibbar ist. In Z-Richtung 503 oberhalb der ersten Bauelementstruktur 120 ist eine aus einem zweiten Wafer 200 ausgebildete zweite Bauelementstruktur 220 mit einem zweiten auslenkbaren Element 230 (siehe 2) in Form eines zweiten Federelements 230) angeordnet. Das zweite auslenkbare Element 230 weist hier einen zweiten Steg 231, einen mittleren zweiten Steg 232 und einen weiteren zweiten Steg 233 auf. Die erste bzw. zweite Bauelementstruktur 120, 220 kann insbesondere auch eine beliebige andere Anzahl an Stegen 131, 132, 133, 231, 232, 233 aufweisen. Die erste Bauelementstruktur 110 und die zweite Bauelementstruktur 120 sind hier entlang einer Bondverbindungsebene 400 oder Verbindungsebene 400 miteinander verbunden, wobei die erste Orientierungsrichtung 503 des ersten Wafers antiparallel zur zweiten Orientierungsrichtung des zweiten Wafers (5) angeordnet ist. Hier ist der weitere zweite Steg 233 des zweiten auslenkbaren Elements 230 über eine Bondverbindungsfläche 410 innerhalb der Bondverbindungsebene 400 über die erste Endverbindung 420 mit dem weiteren ersten Steg 133 des ersten auslenkbaren Elements 130 verbunden. Die Bondverbindungsflächen 410, 430 zwischen erstem auslenkbaren Element 30 und zweitem auslenkbaren Element 230 werden insbesondere vorteilhaft an Überschneidungspunkten eines Steges 131, 233 mit einer Stegverbindung wenigstens an den Endverbindungen 420, 440 angeordnet, sodass die Gesamtstruktur aus erstem und zweitem auslenkbaren Element robust gegen Bondversatz ist. Hierdurch sind das erste auslenkbare Element 130 und das zweite auslenkbare Element 230 zu einer entlang der Schwingungsrichtung 501 oder X-Richtung 501 zu einer Antriebsschwingung antreibbaren Federelementeinheit 130, 230 verbunden und/oder gekoppelt. Die Bauelementstrukturen 120, 220 besitzen insbesondere eine gleiche Ausdehnung entlang der Z-Richtung 503, sodass sich die Quadraturfehler der auslenkbaren Elemente 130, 230 gegenseitig vollständig kompensieren. 1 FIG. 1 schematically shows a microstructure component 1 according to an embodiment of the present invention. The microstructure component 1 has a layered structure made up of a first wafer 100, a second wafer 200 and a third wafer 300, the third wafer 300 also being referred to as a cap 300, the first, second and/or third wafer being silicon wafers. The microstructure component 1 is shown in a sectional view, a direction referred to as the X-direction 501 being parallel to a main extension plane 500 (see FIG 2 ) of the microstructure component and a direction denoted as Z-direction 503 perpendicular to the main extension plane 500 is shown. The main extension plane 500 is at the same time the main extension plane 500 of a first substrate layer 110 of a substrate of the first wafer 100. The Z-direction 503 is also referred to here as the first orientation direction 503. In the direction of the Z-direction 503, in particular bottom electrodes 160 are arranged above the first substrate layer 110 between an upper insulation layer 170 and a lower further insulation layer 170′. The bottom electrodes 160 are in particular also designed as electrical supply lines 160 to capacitive detection electrodes for detecting a detection oscillation of the inertial masses 150, 250. Furthermore, a first component structure 120 is arranged in the Z-direction 503 above the substrate layer 110, the component structure including a first deflectable element 130 (see FIG 2 ) in the form of a first spring element 130 and a first inertial mass 150 . Here a first web 131, a middle first web 132 and a further first web 133 of the first deflectable element 130 designed as a spring element or spring means are arranged symmetrically along the X-direction on opposite sides of the inertial mass 150. Furthermore, the further first web 133 is connected to the inertial mass 150 via a first end connection 420 of the first spring element, so that the first deflectable element 130 can be driven together with the inertial mass 150 to produce a drive oscillation along an oscillation direction 501 parallel to the X-direction 501. In the Z-direction 503 above the first component structure 120 is a second one formed from a second wafer 200 Component structure 220 with a second deflectable element 230 (see 2 ) arranged in the form of a second spring element 230). The second deflectable element 230 here has a second web 231 , a middle second web 232 and a further second web 233 . The first or second component structure 120, 220 can in particular also have any other number of webs 131, 132, 133, 231, 232, 233. The first component structure 110 and the second component structure 120 are connected to one another here along a bonding plane 400 or connection plane 400, with the first orientation direction 503 of the first wafer being antiparallel to the second orientation direction of the second wafer ( 5 ) is arranged. Here the further second web 233 of the second deflectable element 230 is connected to the further first web 133 of the first deflectable element 130 via a bond connection area 410 within the bond connection plane 400 via the first end connection 420 . The bonding connection surfaces 410, 430 between the first deflectable element 30 and the second deflectable element 230 are particularly advantageously arranged at intersection points of a web 131, 233 with a web connection at least on the end connections 420, 440, so that the overall structure of the first and second deflectable element is robust against bond misalignment . As a result, the first deflectable element 130 and the second deflectable element 230 are connected and/or coupled to form a spring element unit 130, 230 that can be driven along the vibration direction 501 or X-direction 501 to produce a drive vibration. The component structures 120, 220 in particular have the same extent along the Z-direction 503, so that the quadrature errors of the deflectable elements 130, 230 completely compensate one another.

Die zweite Bauelementstruktur 220 weist gemäß einer alternativen Ausführungsform insbesondere eine zweite Inertialmasse 250 auf, welche beispielsweise mittels eines optionalen Verbindungsmittels 450 mit der ersten Inertialmasse zu einer zweischichtigen Inertialmasseneinheit 150, 250 verbunden ist. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, dass bei einem als Drehratensensor ausgebildeten Mikrostrukturbauelement eine größere Corioliskraft pro Flächeneinheit erzielt wird - verglichen mit nur einer angeordneten Inertialmasse 150 bzw. 250.According to an alternative embodiment, the second component structure 220 has in particular a second inertial mass 250 which is connected to the first inertial mass to form a two-layer inertial mass unit 150, 250, for example by means of an optional connecting means 450. As a result, it is advantageously possible for a microstructure component designed as a yaw rate sensor to achieve a greater Coriolis force per unit area—compared to only one inertial mass 150 or 250 arranged.

Die zweite Bauelementstruktur 220 ist gemäß einer alternativen Ausführungsform insbesondere derart über der ersten Bauelementstruktur 220 angeordnet, dass die Schwingungsrichtung der ersten Antriebsschwingung der ersten Inertialmasse 150 senkrecht zu einer weiteren Schwingungsrichtung der zweiten Inertialmasse 250 verläuft. Hierbei sind die beiden Inertialmassen 150, 250 nicht miteinander mittels des Verbindungsmittels 450 verbunden. Durch die Realisierung zweier senkrecht zueinander schwingfähigen Inertialmassen 150, 250 ist es beispielsweise vorteilhaft möglich, die Integrationsdichte der Bauelementstrukturen 110, 120 in dem Mikrostrukturbauelement 1 zu erhöhen und somit ein Mikrostrukturbauelement 1 mit einer geringeren Baugröße bereitzustellen. Somit können insbesondere auf einer Chipfläche mehrere, insbesondere zwei, Drehraten detektiert werden, wobei die Chipfläche kleiner ist als bei parallel zur Haupterstreckungsebene 500 nebeneinander angeordneten Drehratensensoren. Bevorzugt sind die beiden Bauelementstrukturen 110, 120 innerhalb eines einzigen aus jeweils einer Kaverne 140, bzw. 240, der beiden Wafer 100, bzw. 200, gebildeten ersten Hohlraum 140, 240 angeordnet, welcher insbesondere ein Vakuum aufweist.According to an alternative embodiment, the second component structure 220 is arranged above the first component structure 220 in particular in such a way that the vibration direction of the first drive vibration of the first inertial mass 150 runs perpendicular to a further vibration direction of the second inertial mass 250 . In this case, the two inertial masses 150, 250 are not connected to one another by means of the connecting means 450. By implementing two inertial masses 150, 250 that can oscillate perpendicularly to one another, it is advantageously possible, for example, to increase the integration density of the component structures 110, 120 in the microstructure component 1 and thus to provide a microstructure component 1 with a smaller overall size. Thus, in particular on one chip surface, a plurality of, in particular two, yaw rates can be detected, the chip surface being smaller than in the case of yaw rate sensors arranged next to one another parallel to the main extension plane 500 . The two component structures 110, 120 are preferably arranged within a single first cavity 140, 240 formed from a respective cavity 140 or 240 of the two wafers 100 or 200, which cavity has a vacuum in particular.

In Z-Richtung 503 oberhalb der zweiten Bauelementstruktur 220 ist insbesondere eine zweite Isolationsschicht 270 und/oder eine weitere zweite Isolationsschicht 270' angeordnet, wobei insbesondere zwischen der ersten und weiteren zweiten Isolationsschicht 270, 270' eine Deckelelektrode 260 angeordnet ist, welche insbesondere Zuleitungen zu Detektionselektroden zur Detektion einer Detektionsschwingung der ersten Inertialmasse 150 oder der zweiten Inertialmasse 250 oder Inertialmasseneinheit 150, 250 konfiguriert ist. Weiterhin ist in Z-Richtung oberhalb der weiteren zweiten Isolationsschicht 270' und/oder zweiten Bauelementstruktur 220 eine zweite Substratschicht 210 des zweiten Wafers 200 angeordnet, wobei die zweite Substratschicht 210 eine weitere Haupterstreckungsebene parallel zur Haupterstreckungsebene 500 der ersten Substratschicht 110 aufweist. Insbesondere ist eine die zweite Substratschicht, die weitere Isolationsschicht 270', die Deckelelektroden 260 und/oder die Isolationsschicht 270 durchtrennende Öffnung 240' angeordnet, welche dazu konfiguriert ist, eine Opferschichtätzung nach dem Bonden bzw. Verbinden des zweiten Wafers 200 mit dem ersten Wafers 100 zu ermöglichen, wobei die Öffnung 240' weiterhin als Evakuationsloch zur Erzeugung eines Vakuums in einem durch eine erste Kaverne 140 des ersten Wafers 100 und eine zweite Kaverne des zweiten Wafers erzeugten ersten Hohlraum 140, 240 konfiguriert ist. Weiterhin ist in Z-Richtung 503 oberhalb der zweiten Substratschicht 210 eine aus dem dritten Wafer 300 ausgebildete Kappe 310 oder eine dritte Substratschicht 310 angeordnet, welche mittels Kappenverbindungsmittel 330 oder Substratverbindungsmittel 330 auf der zweiten Substratschicht 210 befestigt oder gebondet ist. Insbesondere ist in Z-Richtung 503 neben der Kappe 310 oder dritten Funktionsschicht 310 ein mit der Deckelelektrode 260 und/oder Bodenelektrode 160 in elektrisch leitfähigem Kontakt stehendes Kontaktierungsmittel 261 angeordnet. Weiterhin bevorzugt weist die Kappe 310 ein Gettermaterial 320 zur Evakuierung bzw. Erzeugung eines Vakuums eines durch die erste Kaverne 140, zweite Kaverne 240 und/oder eine dritte Kaverne 340 des dritten Wafers 300 gebildeten, insbesondere hermetisch abgedichteten, Hohlraum 140, 240, 340 auf. Bevorzugt ist die erste Bauelementstruktur 120 und die zweite Bauelementstruktur 220 in dem Hohlraum 140, 240, 340 angeordnet. Insbesondere ist die Öffnung 240' derart angeordnet, dass der erste Hohlraum 140, 240 über die Öffnung 240' mit der dritten Kaverne 340 verbunden wird.A second insulation layer 270 and/or a further second insulation layer 270' is arranged in particular in the Z direction 503 above the second component structure 220, with a cover electrode 260 being arranged in particular between the first and further second insulation layer 270, 270', which cover electrode 260 is arranged in particular, which feed lines to Detection electrodes for detecting a detection oscillation of the first inertial mass 150 or the second inertial mass 250 or inertial mass unit 150, 250 is configured. Furthermore, a second substrate layer 210 of the second wafer 200 is arranged in the Z-direction above the further second insulation layer 270' and/or second component structure 220, wherein the second substrate layer 210 has a further main extension plane parallel to the main extension plane 500 of the first substrate layer 110. In particular, an opening 240' is arranged that cuts through the second substrate layer, the further insulation layer 270', the cover electrodes 260 and/or the insulation layer 270, which is configured to etch a sacrificial layer after the bonding or connection of the second wafer 200 to the first wafer 100 to allow, wherein the opening 240 'is further configured as an evacuation hole for creating a vacuum in a first cavity 140, 240 created by a first cavity 140 of the first wafer 100 and a second cavity of the second wafer. Furthermore, a cap 310 formed from the third wafer 300 or a third substrate layer 310 is arranged in the Z-direction 503 above the second substrate layer 210, which is fastened or bonded to the second substrate layer 210 by means of cap connecting means 330 or substrate connecting means 330. In particular, a contacting means 261 in electrically conductive contact with the cover electrode 260 and/or bottom electrode 160 is arranged in the Z direction 503 next to the cap 310 or third functional layer 310 . Furthermore preferably has the Cap 310 has a getter material 320 for evacuating or generating a vacuum of a cavity 140, 240, 340 formed by the first cavity 140, the second cavity 240 and/or a third cavity 340 of the third wafer 300 and is in particular hermetically sealed. The first component structure 120 and the second component structure 220 are preferably arranged in the cavity 140 , 240 , 340 . In particular, the opening 240' is arranged in such a way that the first cavity 140, 240 is connected to the third cavern 340 via the opening 240'.

2 zeigt schematisch beispielhafte Bauelementstrukturen 120, 130 eines Mikrostrukturbauelements 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Bauelementstruktur 120 weist eine parallel zur Haupterstreckungsebene 500, hier entlang der Schwingungsrichtung 501, auslenkbare erste Inertialmasse 150 auf. Das erste auslenkbare Element 130 ist, hier ein über eine erste Endverbindung 420, mit der ersten Inertialmasse 150 gekoppeltes erstes Federelement 130. Das zweite auslenkbare Element 230 ist hier ein über eine zweite Endverbindung 440 mit einem Ankerelement 210' gekoppeltes zweites Federelement 230. Weiterhin sind das erste auslenkbare Element 130 und das zweite auslenkbare Element 230 über eine erste Bondfläche 410 und über eine zweite Bondfläche 430 miteinander gekoppelt. Hier sind die erste Bondfläche 410 und die zweite Bondfläche 430 entlang der Schwingungsrichtung 501 an gegenüberliegenden Endverbindungen 420, 440 versetzt oder bezüglich eines Symmetriepunktes 401 punktsymmetrisch oder kreuzweise angeordnet. Die Stege 131, 132, 133, 231, 232, 233 weisen zueinander im Wesentlichen parallele Haupterstreckungsrichtungen 502 auf, welche im Wesentlichen entlang einer parallel zur Haupterstreckungsebene 500 und senkrecht zur X-Richtung 501 angeordneten Y-Richtung 502 angeordnet ist. Weiterhin sind die Stege 131, 132, 133, 231, 232, 233 außerhalb der Bondflächen 410, 430 dünner ausgebildet als im Bereich der Bondflächen 410, 430. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, nur Bondverbindungen während des Bondens in den dafür vorgesehen Bondflächen 410, 430 anzuordnen. 2 shows schematically exemplary component structures 120, 130 of a microstructure component 1 according to an embodiment of the present invention. The component structure 120 has a first inertial mass 150 that can be deflected parallel to the main extension plane 500, here along the vibration direction 501. The first deflectable element 130 is, here, a first spring element 130 coupled via a first end connection 420 to the first inertial mass 150. The second deflectable element 230 is here a second spring element 230 coupled to an anchor element 210' via a second end connection 440. Furthermore, the first deflectable element 130 and the second deflectable element 230 are coupled to one another via a first bonding pad 410 and via a second bonding pad 430 . Here, the first bonding surface 410 and the second bonding surface 430 are offset along the vibration direction 501 at opposite end connections 420, 440 or arranged point-symmetrically or crosswise with respect to a point of symmetry 401. The webs 131, 132, 133, 231, 232, 233 have main extension directions 502 which are essentially parallel to one another and which are arranged essentially along a Y-direction 502 which is arranged parallel to the main extension plane 500 and perpendicular to the X-direction 501. Furthermore, the webs 131, 132, 133, 231, 232, 233 are thinner outside of the bonding surfaces 410, 430 than in the region of the bonding surfaces 410, 430. This advantageously makes it possible to only make bond connections during bonding in the bonding surfaces 410, 430 to arrange.

3 zeigt schematisch beispielhafte Bauelementstrukturen 120, 130 eines Mikrostrukturbauelements 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Hier sind vier Federelementeinheiten 130, 230 symmetrisch um die erste Inertialmasse 150 oder Inertialmasseneinheit 150, 250, welche insbesondere aus erster Inertialmasse 150 und zweiter Inertialmasse 250 (siehe 1) besteht, angeordnet, wobei die vier Federelementeinheiten 130, 230 insbesondere in einer zweifach achsensymmetrischen Anordnung bezüglich einer ersten zur X-Richtung parallelen Symmetriegeraden 501' und einer zweiten zur Y-Richtung parallelen weiteren Symmetriegeraden 502' angeordnet sind. Hierbei sind die Symmetriepunkte 401 jeweils ebenfalls auf einer Punktsymmetrieverbindungsgeraden (hier exemplarisch mit Bezugszeichen 501" dargestellt) angeordnet, welche jeweils parallel zu einer der beiden Symmetriegeraden 501', 502' verlaufen. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, dass keine unerwünschten Drehschwingungen oder Translationsschwingungen angeregt werden. 3 shows schematically exemplary component structures 120, 130 of a microstructure component 1 according to an embodiment of the present invention. Here four spring element units 130, 230 are symmetrical about the first inertial mass 150 or inertial mass unit 150, 250, which in particular consists of the first inertial mass 150 and the second inertial mass 250 (see 1 ) consists, arranged, wherein the four spring element units 130, 230 are arranged in particular in a doubly axisymmetric arrangement with respect to a first line of symmetry 501' parallel to the X-direction and a second further line of symmetry 502' parallel to the Y-direction. In this case, the points of symmetry 401 are each also arranged on a point-symmetry connecting straight line (shown here as an example with reference number 501"), which in each case runs parallel to one of the two symmetry lines 501', 502'. This advantageously makes it possible for no undesired rotational or translational vibrations to be excited .

4 zeigt schematisch einen beispielhaften Aufbau einer Strukturierungsanlage 600. Die Strukturierung der Komponenten oder Bauelementstrukturen 110, 120 auf den Wafern 100, 200, 300 erfolgt hierbei mittels des DRIE-Ätzverfahrens, wobei eine punktförmige, feststehende lonenquelle angeordnet wird. Aufgrund der lateralen Ausdehnung - parallel zur Haupterstreckungsebene 500 - der Wafer entsteht auf Grund der Strahlverläufe 610, 620 im Randbereich des Wafers 100, 200, 300 ein Parallaxenfehler. Dabei sind die Flanken 131, 132, 133, 231, 232, 233 im Randbereich nicht mehr vollständig symmetrisch bezüglich einer zur X-Richtung 501 oder Y-Richtung 502 parallelen Symmetriegeraden. 4 1 schematically shows an exemplary structure of a structuring system 600. The structuring of the components or device structures 110, 120 on the wafers 100, 200, 300 takes place here by means of the DRIE etching process, with a punctiform, fixed ion source being arranged. Due to the lateral expansion—parallel to the main plane of extent 500—of the wafer, a parallax error occurs due to the beam paths 610, 620 in the edge region of the wafer 100, 200, 300. The flanks 131, 132, 133, 231, 232, 233 in the edge region are no longer completely symmetrical with respect to a line of symmetry parallel to the X direction 501 or Y direction 502.

5 illustriert nochmals das Prinzip zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In 5 ist ein erster Wafer 100 und ein zweiter Wafer 200 in einer Schnittbildansicht dargestellt. Hier weist ein erster Wafer 100 eine Mehrzahl von auf einem ersten Substrat 110 angeordneten ersten Bauelementstrukturen 120', 120" auf. Hier sind die ersten Bauelementstrukturen 120' in einem Zentralbereich 1' und weitere erste Bauelementstrukturen 120" in einem Randbereich 1" angeordnet. Beispielsweise sind die weiteren Bauelementstrukturen 120" hier entlang der X-Richtung 501 bezogen auf den Zentralbereich 1' an gegenüberliegenden Randbereichen 1" angeordnet. In entsprechender Weise weist ein zweiter Wafer 200 eine Mehrzahl von zweiten Bauelementstrukturen 220', 220" auf, welche auf einem zweiten Substrat 210 angeordnet sind. Der zweite Wafer weist zweite Bauelementstrukturen 220' in dem Zentralbereich 1' und weitere zweite Bauelementstrukturen 220" in dem Randbereich 1" auf. Die jeweils in dem Zentralbereich angeordnet en Bauelementstrukturen 120', 220' sind spiegelsymmetrisch bezüglich einer zur Haupterstreckungsebene 500 parallelen Symmetrieebene ausgebildet. Hingegen sind hier die weiteren Bauelementstrukturen 120", 220"in dem Randbereich - insbesondere auf Grund des Parallaxenfehlers - nicht spiegelsymmetrisch bezüglich der Symmetrieebene ausgebildet. Hierbei wird insbesondere ein Winkel zwischen Z-Richtung 503 und einer Erstreckungsrichtung der Bauelementstrukturen 120', 120", 220', 220" parallel zum Strahlverlauf 610, 620 als Flankenfehlwinkel bezeichnet. Selbst mit den besten Ätzanlagen liegen Abweichungen der Flankenfehlwinkel von ca. 0,4 ° voneinander vor. Hierdurch wird die Antriebsschwingung der Inertialmassen 150, 250 derart gestört, dass Eigenschwingungen in Z-Richtung angeregt werden, was als Quadratur bezeichnet wird. Aus dem ersten Wafer 100 wird eine erste Substratschicht 110 und eine erste Funktionsschicht ausgebildet, wobei aus der ersten Funktionsschicht die ersten Bauelementstrukturen 120', 120" jeweils mit ersten auslenkbaren Elementen 130 (wie beispielsweise in 2 dargestellt) ausgebildet werden. Die ersten auslenkbaren Elemente 130 sind entsprechend der Bauelementstrukturen 120', 120" jeweils in einem Randbereich - beispielsweise entlang der X-Richtung an einem linken Waferrand in der Wafermitte 1' bzw. in dem Zentralbereich 1' oder an einemrechten Waferrand, d.h. entlang der X-Richtung bezogen auf die Wafermitte 1' dem linken Waferrand gegenüberliegend. In gleicher Weise sind die zweiten auslenkbaren Elemente 230 (wie in 2 dargestellt) auf dem zweiten Wafer 200 ausgebildet. Hier wird die zweite Bauelementstruktur 220 wird über der ersten Bauelementstruktur 120 derart angeordnet (hier durch Pfeile 701, 702 illustriert), dass die Quadraturen der beiden Bauelementstrukturen 120, 220 sich vollständig überall auf der so gebildeten Wafereinheit 100, 200 kompensieren, obwohl die Flankenfehlwinkel der einzelnen auslenkbaren Elemente 130, 230 (siehe beispielsweise 2) je nach Position auf dem jeweiligen Wafer 100, 200 mehr oder weniger stark voneinander abweichen, d. h. die Strukturquerschnitte schief sind. Weiterhin wird die erste Bauelementstruktur 120 mit der zweiten Bauelementstruktur 220 verbunden, wobei die so hergestellten Mikrostruktureinheiten 1', 1" die aus den Bauelementstrukturen 120', 120", 220', 220"zu ausgebildeten Bauelementstruktureinheiten 720', 720" aufweist, welche symmetrisch bezüglich einer Spiegelung an der Verbindungsebene 400 sind und somit keine oder eine verringerte Quadratur aufweisen. Hierdurch ist es mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens vorteilhaft möglich, ein quadraturfreies Mikrostrukturelement 1 bereitzustellen oder zumindest ein eine geringere Quadratur gegenüber dem Stand der Technik aufweisendes Mikrostrukturbauelement 1 bereitzustellen. 5 once again illustrates the principle for producing a microstructure component 1 according to an embodiment of the present invention. In 5 a first wafer 100 and a second wafer 200 are shown in a sectional view. Here, a first wafer 100 has a plurality of first component structures 120′, 120″ arranged on a first substrate 110. Here the first component structures 120′ are arranged in a central area 1′ and further first component structures 120″ are arranged in an edge area 1″. For example the further component structures 120" are arranged here along the X-direction 501 in relation to the central region 1' on opposite edge regions 1". In a corresponding manner, a second wafer 200 has a plurality of second component structures 220', 220", which are on a second Substrate 210 are arranged. The second wafer has second component structures 220′ in the central region 1′ and further second component structures 220″ in the edge region 1″. The component structures 120 ′, 220 ′ arranged in each case in the central area are mirror-symmetrical with respect to a plane of symmetry parallel to the main plane of extension 500 . On the other hand, here the further component structures 120", 220" in the edge region are not mirror-symmetrical with respect to the plane of symmetry, in particular due to the parallax error. In particular, an angle between the Z direction 503 and an extension direction of the component structures 120′, 120″, 220′, 220″ parallel to the beam path 610, 620 is referred to as a flank error angle. Even with the best etching equipment Deviations of the flank error angles of approx. 0.4 ° from each other. As a result, the drive vibration of the inertial masses 150, 250 is disturbed in such a way that natural vibrations are excited in the Z direction, which is referred to as quadrature. A first substrate layer 110 and a first functional layer are formed from the first wafer 100, with the first component structures 120', 120" being formed from the first functional layer, each with first deflectable elements 130 (as, for example, in 2 shown) are formed. The first deflectable elements 130 are in accordance with the component structures 120', 120" each in an edge area - for example along the X direction on a left wafer edge in the wafer center 1' or in the central area 1' or on a right wafer edge, i.e. along the X -direction in relation to the wafer center 1' opposite the left wafer edge. In the same way, the second deflectable elements 230 (as in 2 shown) formed on the second wafer 200. Here the second component structure 220 is arranged over the first component structure 120 (illustrated here by arrows 701, 702) in such a way that the quadratures of the two component structures 120, 220 compensate completely everywhere on the wafer unit 100, 200 formed in this way, although the flank error angles of the individual deflectable elements 130, 230 (see, for example 2 ) deviate from each other to a greater or lesser extent depending on the position on the respective wafer 100, 200, ie the structure cross sections are crooked. Furthermore, the first component structure 120 is connected to the second component structure 220, the microstructure units 1', 1" produced in this way having the component structure units 720', 720" formed from the component structures 120', 120", 220', 220" which are symmetrical with respect to a reflection at the connection plane 400 and thus have no or reduced quadrature. As a result, it is advantageously possible by means of the method according to the invention to provide a quadrature-free microstructure element 1 or at least to provide a microstructure component 1 having a lower quadrature compared to the prior art.

Claims (9)

Mikrostrukturbauelement (1), insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, mit einem Schichtaufbau, umfassend eine erste Substratschicht (110) mit einer Haupterstreckungsebene (500) und eine in einer ersten Funktionsschicht ausgebildeten ersten Bauelementstruktur (120), wobei die erste Bauelementstruktur (120) mit der ersten Substratschicht (110) verbunden ist, wobei die erste Bauelementstruktur (120) mindestens ein erstes auslenkbares Element (130) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass in eine zur Haupterstreckungsebene (500) senkrechte Stapelrichtung (503) über der ersten Bauelementstruktur (120) eine in einer zweiten Funktionsschicht ausgebildete zweite Bauelementstruktur (220) und eine mit der zweiten Bauelementstruktur (220) verbundene zweite Substratschicht (210) angeordnet sind, wobei die zweite Bauelementstruktur (220) mindestens ein zweites auslenkbares Element (230) aufweist, wobei die zweite Bauelementstruktur (220) mit der ersten Bauelementstruktur (120) verbunden ist, wobei die erste Bauelementstruktur (120) eine parallel zur Haupterstreckungsebene (500) auslenkbare erste Inertialmasse (150) aufweist, wobei das erste auslenkbare Element (130) ein mit der ersten Inertialmasse (150) gekoppeltes erstes Federelement (130) ist, wobei das zweite auslenkbare Element (230) ein mit einem Ankerelement (210', 210") gekoppeltes zweites Federelement ist, wobei das erste auslenkbare Element (130) über eine erste Bondfläche (410) und eine zweite Bondfläche (430) mit dem zweiten auslenkbaren Element (230) gekoppelt ist, wobei das zweite auslenkbare Element (230) bezüglich eines Symmetriepunkts (401) spiegelsymmetrisch zum ersten auslenkbaren Element (130) ausgebildet ist, wobei der Symmetriepunkt (401) in einer zwischen dem ersten und zweiten auslenkbaren Element (130, 230) angeordneten Ebene (400) liegt, die parallel zur Haupterstreckungsebene (500) verläuft.Microstructure component (1), in particular for detecting accelerations and/or yaw rates, with a layered structure, comprising a first substrate layer (110) with a main extension plane (500) and a first component structure (120) formed in a first functional layer, the first component structure ( 120) is connected to the first substrate layer (110), the first component structure (120) having at least one first deflectable element (130), characterized in that in a direction perpendicular to the main extension plane (500) (503) above the first component structure ( 120) a second component structure (220) formed in a second functional layer and a second substrate layer (210) connected to the second component structure (220) are arranged, the second component structure (220) having at least one second deflectable element (230), the second component structure (220) with the first component structure (1 20), the first component structure (120) having a first inertial mass (150) that can be deflected parallel to the main extension plane (500), the first deflectable element (130) being a first spring element (130) coupled to the first inertial mass (150). , wherein the second deflectable element (230) is a second spring element coupled to an anchor element (210', 210"), the first deflectable element (130) being connected via a first bonding surface (410) and a second bonding surface (430) to the second deflectable element (230), the second deflectable element (230) being mirror-symmetrical to the first deflectable element (130) with respect to a point of symmetry (401), the point of symmetry (401) being in a position between the first and second deflectable element (130 , 230) arranged plane (400) which runs parallel to the main extension plane (500). Mikrostrukturbauelement (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste auslenkbare Element (130) und/oder das zweite auslenkbare Element (230) parallel zu einer Haupterstreckungsebene (500) der ersten Substratschicht (110) auslenkbar ist/sind, wobei insbesondere das erste auslenkbare Element (130) und das zweite auslenkbare Element (230) in parallele oder unterschiedliche, insbesondere senkrecht zueinander angeordnete, Schwingungsrichtungen (501, 502) auslenkbar sind.Microstructure component (1) after claim 1 , characterized in that the first deflectable element (130) and/or the second deflectable element (230) is/are deflectable parallel to a main extension plane (500) of the first substrate layer (110), wherein in particular the first deflectable element (130) and the second deflectable element (230) can be deflected in parallel or different vibration directions (501, 502), in particular perpendicular to one another. Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste auslenkbare Element (130) über eine erste Endverbindung (420) mit der ersten Inertialmasse (150) gekoppelt ist, wobei das zweite auslenkbare Element (230) über eine zweite Endverbindung (440) mit einem Ankerelement (210', 210") gekoppelt ist.Microstructure component (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the first deflectable element (130) is coupled to the first inertial mass (150) via a first end connection (420), the second deflectable element (230) via a second end connection (440) is coupled to an anchor element (210', 210"). Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Bondfläche (410) und die zweite Bondfläche (430) entlang der Schwingungsrichtung (501) an gegenüberliegenden Endverbindungen (420, 440), insbesondere versetzt, angeordnet sind.Microstructure component (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the first bonding surface (410) and the second bonding surface (430) are arranged along the vibration direction (501) on opposite end connections (420, 440), in particular offset. Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Funktionsschicht eine erste Kaverne (140) aufweist, wobei die zweite Funktionsschicht eine zweite Kaverne (240) aufweist, wobei über der zweiten Bauelementstruktur (220) eine in einer dritten Funktionsschicht ausgebildete Kappe (310) mit einer dritten Kaverne (340) angeordnet ist, wobei die erste Kaverne (140), die zweite Kaverne (240) und die dritte Kaverne (340) zu einem die erste Bauelementstruktur (120) und die zweite Bauelementstruktur (220) umgebenden, insbesondere hermetisch abgedichteten, Hohlraum (140, 240, 340) ausgebildet sind.Microstructure component (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the first functional layer has a first cavity (140), wherein the second functional layer has a second cavity (240), wherein above the second component structure (220) in a third functional layer formed cap (310) is arranged with a third cavity (340), wherein the first cavity (140), the second cavity (240) and the third cavity (340) form the first component structure (120) and the second component structure (220 ) surrounding, in particular hermetically sealed, cavity (140, 240, 340) are formed. Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements (1), insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, mit einem eine Stapelrichtung (503) aufweisenden Schichtaufbau, wobei in einem ersten Herstellungsschritt aus einem ersten Wafer (100) eine erste Substratschicht (110) und eine erste Funktionsschicht ausgebildet wird, wobei aus der ersten Funktionsschicht eine erste Bauelementstruktur (120) ausgebildet wird, wobei aus der ersten Bauelementstruktur (120) mindestens ein erstes auslenkbares Element (130) ausgebildet wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt aus einem zweiten Wafer (200) eine zweite Substratschicht (210) und eine zweite Funktionsschicht ausgebildet wird, wobei aus der zweiten Funktionsschicht eine zweite Bauelementstruktur (220) ausgebildet wird, wobei aus der zweiten Bauelementstruktur (220) mindestens ein zweites auslenkbares Element (230) ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass in einem dritten Herstellungsschritt die zweite Bauelementstruktur (220) und die zweite Substratschicht (210) in Stapelrichtung (503) über der ersten Bauelementstruktur (120) angeordnet werden, wobei die erste Bauelementstruktur (120) mit der zweiten Bauelementstruktur (220) verbunden wird, wobei aus der ersten Bauelementstruktur (120) eine entlang der Schwingungsrichtung (501) auslenkbare erste Inertialmasse (150) ausgebildet wird, wobei das erste auslenkbare Element (130) mit der ersten Inertialmasse (150) gekoppelt wird, wobei das zweite auslenkbare Element (230) mit einem Ankerelement (210', 210") gekoppelt wird, wobei das erste auslenkbare Element (130) über eine erste Bondfläche (410) und eine zweite Bondfläche (430) mit dem zweiten auslenkbaren Element (230) gekoppelt wird, wobei das zweite auslenkbare Element (230) bezüglich eines Symmetriepunkts (401) spiegelsymmetrisch zum ersten auslenkbaren Element (130) ausgebildet wird, wobei der Symmetriepunkt (401) in einer zwischen dem ersten und zweiten auslenkbaren Element (130, 230) angeordneten Ebene (400) liegt, die parallel zur Haupterstreckungsebene (500) verläuft.Method for producing a microstructure component (1), in particular for detecting accelerations and/or yaw rates, with a layer structure having a stacking direction (503), wherein in a first production step a first substrate layer (110) and a first substrate layer (110) and a first functional layer is formed, with a first component structure (120) being formed from the first functional layer, with at least one first deflectable element (130) being formed from the first component structure (120), with a second wafer (200) being used in a second production step to produce a second substrate layer (210) and a second functional layer are formed, with a second component structure (220) being formed from the second functional layer, with at least one second deflectable element (230) being formed from the second component structure (220), characterized in that in a third manufacturing step the second construction element structure (220) and the second substrate layer (210) are arranged in the stacking direction (503) above the first component structure (120), the first component structure (120) being connected to the second component structure (220), the first component structure (120 ) a first inertial mass (150) that can be deflected along the vibration direction (501) is formed, the first deflectable element (130) being coupled to the first inertial mass (150), the second deflectable element (230) having an anchor element (210', 210") is coupled, the first deflectable element (130) being coupled to the second deflectable element (230) via a first bonding surface (410) and a second bonding surface (430), the second deflectable element (230) relative to a point of symmetry (401) is mirror-symmetrical to the first deflectable element (130), the point of symmetry (401) being in a position between the first and second deflectable element (130, 230) arranged plane (400) which runs parallel to the main extension plane (500). Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass im ersten Herstellungsschritt das erste auslenkbare Element (130) entlang einer Schwingungsrichtung (501) auslenkbar angeordnet wird, wobei im zweiten Herstellungsschritt das zweite auslenkbare Element (230) entlang einer weiteren Schwingungsrichtung (502) auslenkbar angeordnet wird, wobei im dritten Herstellungsschritt die zweite Bauelementstruktur (220) über der ersten Bauelementstruktur (210) derart angeordnet wird, dass die Schwingungsrichtung (501) parallel oder senkrecht zur weiteren Schwingungsrichtung (502) verläuft.procedure after claim 6 , characterized in that in the first manufacturing step the first deflectable element (130) is arranged so as to be deflectable along a vibration direction (501), wherein in the second manufacturing step the second deflectable element (230) is arranged so as to be deflectable along a further vibration direction (502), wherein in the third Manufacturing step, the second component structure (220) is arranged over the first component structure (210) in such a way that the vibration direction (501) runs parallel or perpendicular to the further vibration direction (502). Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass das erste auslenkbare Element (130) über eine erste Endverbindung (420) mit der ersten Inertialmasse (150) gekoppelt wird, wobei das zweite auslenkbare Element (230) über eine zweite Endverbindung (440) mit einem Ankerelement (210', 210") gekoppelt wird, wobei das erste auslenkbare Element (130) mit dem zweiten auslenkbaren Element (130) insbesondere im Bereich der beiden Endverbindungen (420, 440) miteinander gekoppelt werden.Procedure according to one of Claims 6 or 7 , characterized in that the first deflectable element (130) is coupled to the first inertial mass (150) via a first end connection (420), the second deflectable element (230) being coupled to an anchor element (210') via a second end connection (440). , 210"), the first deflectable element (130) being coupled to the second deflectable element (130), in particular in the region of the two end connections (420, 440). Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Bondfläche (410) und die zweite Bondfläche (430) entlang der Schwingungsrichtung (501) an gegenüberliegenden Endverbindungen (420, 440), insbesondere versetzt, angeordnet werden.Procedure according to one of Claims 6 until 8th , characterized in that the first bonding surface (410) and the second bonding surface (430) along the vibration direction (501) on opposite end connections (420, 440), in particular offset, are arranged.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007027127A1 (en) 2006-06-13 2007-12-27 Denso Corp., Kariya Composite sensor for detecting tire`s e.g. air pressure, has membrane and pressure sensor substrate that contact silicon substrate, and reference pressure chamber arranged between substrate and membrane
DE102010000729A1 (en) 2009-01-09 2010-09-09 Denso Corporation, Kariya-City Semiconductor device and method for its manufacture
US20100242603A1 (en) 2009-03-24 2010-09-30 Freescale Semiconductor, Inc. Vertically integrated mems sensor device with multi-stimulus sensing
US20130105921A1 (en) 2011-10-31 2013-05-02 The Regents Of The University Of Michigan Microsystem device and methods for fabricating the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007027127A1 (en) 2006-06-13 2007-12-27 Denso Corp., Kariya Composite sensor for detecting tire`s e.g. air pressure, has membrane and pressure sensor substrate that contact silicon substrate, and reference pressure chamber arranged between substrate and membrane
DE102010000729A1 (en) 2009-01-09 2010-09-09 Denso Corporation, Kariya-City Semiconductor device and method for its manufacture
US20100242603A1 (en) 2009-03-24 2010-09-30 Freescale Semiconductor, Inc. Vertically integrated mems sensor device with multi-stimulus sensing
US20130105921A1 (en) 2011-10-31 2013-05-02 The Regents Of The University Of Michigan Microsystem device and methods for fabricating the same

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