DE102013113853A1

DE102013113853A1 - Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Info

Publication number: DE102013113853A1
Application number: DE102013113853.5A
Authority: DE
Inventors: Kilian Regau; Philipp Schwamb; Karsten Diekmann; Erwin Lang
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Osram Oled GmbH
Priority date: 2013-12-11
Filing date: 2013-12-11
Publication date: 2015-06-11
Also published as: WO2015086226A3; WO2015086226A2

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (100) aufweisend: einen Schichtenstapel mit: einer optisch aktiven Struktur (106) mit einer ersten Elektrode (110); einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112); und einer zweiten Elektrode (114); wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) elektrisch zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) in dem Schichtenstapel ausgebildet ist; und einer Kondensatorstruktur (104), mit wenigstens einem Kondensator mit: einer dritten Elektrode, einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114), und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114) elektrisch verbunden sind derart, dass die Kondensatorstruktur (104) elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur (106) ausgebildet ist.In various exemplary embodiments, an optoelectronic component (100) is provided, the optoelectronic component (100) comprising: a layer stack comprising: an optically active structure (106) having a first electrode (110); an organic functional layer structure (112); and a second electrode (114); wherein the organic functional layer structure (112) has a planar optically active region that is configured to convert an electrical current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic radiation into an electrical current, and wherein the organic functional layer structure (112 ) is electrically formed between the first electrode (110) and the second electrode (114) in the layer stack; and a capacitor structure (104) having at least one capacitor comprising: a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode, the third electrode having the first electrode (110) or the second electrode (114), and the fourth electrode having the third electrode The first electrode (110) or the second electrode (114) are electrically connected such that the capacitor structure (104) is electrically parallel to the optically active structure (106).

Description

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt.In various embodiments, an optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component are provided.

Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, beispielsweise organische Leuchtdiode (organic light emitting diode – OLED), finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle.Organic-based optoelectronic components, for example organic light-emitting diodes (OLEDs), are finding increasing widespread use in general lighting, for example as surface light sources.

Organische Leuchtdioden sind empfindliche elektronische Bauteile, welche nur in eine Richtung gepolt angeschlossen werden dürfen, Rückwärtsbetrieb ist meist nicht vorgesehen und kann zu einem dauerhaften Ausfall der OLED führen. Ebenso können undefinierte elektrostatische Entladungen (electrostatic discharge – ESD) die OLED belasten, wobei die elektrostatischen Entladungen zu Fehler im Betrieb der OLED oder zu einem Durschlagen des pn-Überganges mit irreversiblen Schäden führen können, beispielsweise die OLED schädigen und/oder zu einem dauerhaften Ausfall führen, beispielsweise bei elektrischen Kurzschlüssen (Shorts).Organic light-emitting diodes are sensitive electronic components which may only be connected polarized in one direction, reverse operation is usually not provided and can lead to a permanent failure of the OLED. Likewise, undefined electrostatic discharges (electrostatic discharge - ESD) can stress the OLED, wherein the electrostatic discharges can lead to errors in the operation of the OLED or to a phn transition of the OLD with irreversible damage, such as damage the OLED and / or a permanent failure lead, for example, in electrical shorts (shorts).

Herkömmliche OLEDs werden in einem Ersatzschaltbild als eine Parallelschaltung eines nichtlinearen Widerstandes und einer Kapazität beschrieben (5). Eine herkömmliche OLED kann auf einem Träger 502 eine Anode 506 und eine Kathode 508 mit einem organischen funktionellen Schichtensystem 506 dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem 506 weist eine oder mehrere Emitterschicht(en) auf, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur(en) aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehreren Elektronenblockadeschichte(n), auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en) („hole transport layer” – HTL), und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten.Conventional OLEDs are described in an equivalent circuit diagram as a parallel connection of a nonlinear resistor and a capacitor ( 5 ). A conventional OLED can be mounted on a carrier 502 an anode 506 and a cathode 508 with an organic functional layer system 506 in between. The organic functional layer system 506 For example, one or more emitter layer (s) in which electromagnetic radiation is generated has one or more charge carrier pair generation layer structures (s) each of two or more charge generating layers (CGL) Charge pair generation, and one or more electron block layer (s), also referred to as hole transport layer (HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) ("electron transport layer" (ETL)). to direct the current flow.

Die OLED wird mittels elektrischer Anschlüsse 518, 520 elektrisch kontaktiert. Zum Schutz vor schädlichen Umwelteinflüssen kann die OLED mit einer bezüglich des schädlichen Umwelteinflusses hermetisch dichten Verkapselung umgeben werden. Die Verkapselung kann herkömmlich eine Dünnfilmverkapselung 510, Barrierendünnschicht 510, Barriereschicht, Verkapselungsschicht, Barrierefolie einem intrinsisch hermetisch dichtem Stoff oder Stoffgemisch oder ähnlichem, eine Abdeckung 512 und/oder eine Kavitätsglasverkapselung (Cavity-Verkapselung) aufweisen.The OLED is powered by electrical connections 518 . 520 electrically contacted. To protect against harmful environmental influences, the OLED can be surrounded by a hermetically sealed encapsulation with regard to the harmful environmental impact. The encapsulation may conventionally be thin-film encapsulation 510 , Barrier thin film 510 , Barrier layer, encapsulation layer, barrier film to an intrinsically hermetically sealed fabric or mixture of substances or the like, a cover 512 and / or a Kavitätsglasverkapselung (cavity encapsulation) have.

Im nicht-leitenden Zustand weist die OLED eine Kapazität 516 auf. Im leitenden Zustand verschwindet die Kapazität 516 und eine Stromleitung erfolgt durch den nichtlinearen Widerstand 514 (veranschaulicht als Diode). Der kapazitive Anteil ist hilfreich ESD-Belastungen abzupuffern. Allerdings verliert die OLED im Betrieb ihren kapazitiven Charakter, so dass die Empfindlichkeit gegenüber ESD-Belastungen im Betrieb steigt.In the non-conductive state, the OLED has a capacity 516 on. In the conductive state, the capacity disappears 516 and a power line is through the non-linear resistor 514 (illustrated as a diode). The capacitive component is helpful in buffering ESD loads. However, during operation, the OLED loses its capacitive character, so that the sensitivity to ESD loads during operation increases.

Um optoelektronische Bauelemente verarbeiten zu können, wird herkömmlich bei der Verarbeitung in einer ESD-freien Umgebung gearbeitet, was hohe Kosten für die Ausstattung der Produktionslinien nach sich zieht. Die Aufrüstung von Verarbeitungslinien zum Erzeugen einer ESD-freien Umgebung kommt aus Kostengründen für Verarbeiter optoelektronischer Bauelemente nur im Ausnahmefall in Betracht.In order to be able to process optoelectronic components, work is conventionally carried out during processing in an ESD-free environment, which entails high costs for equipping the production lines. The upgrade of processing lines to create an ESD-free environment is for cost reasons for processors of optoelectronic devices only in exceptional cases into consideration.

Herkömmlich werden ESD-Belastungen mittels einer Schutzdiode abgepuffert, wobei die Schutzdiode elektrisch antiparallel zu der OLED ausgebildet ist.Conventionally, ESD loads are buffered by means of a protective diode, wherein the protective diode is formed electrically antiparallel to the OLED.

Weiterhin werden organische Leuchtdioden mit den Treibern von anorganischen Leuchtdioden (Standard-LED-Treiber) betrieben. Der von Standard-LED-Treiber bereitgestellte Strom – auch bezeichnet als Ripplestrom oder pulsierender Gleichstrom weist einen Gleichstromanteil und einen Wechselstromanteil auf. Der Wechselstromanteil kann als Stromripple bezeichnet werden. Standard-LED-Treiber sind aus Kostengründen meist nicht auf niedrige Stromripple optimiert, da dieser bei der hohen Lebensdauer von anorganischen LEDs von untergeordneter Bedeutung ist. Von Standard-LED-Treibern wird herkömmlich ein elektrischer Strom bereitgestellt, der einen für OLEDS hohen Stromripple aufweist, der die Lebensdauer der OLED reduziert. Speziell für OLEDs optimierte Treiber könnten den Stromripple reduzieren, was jedoch mit einer Erhöhung der Kosten verbunden ist.Furthermore, organic light-emitting diodes are operated with the drivers of inorganic light-emitting diodes (standard LED driver). The current provided by standard LED drivers - also referred to as ripple current or pulsating direct current, has a DC component and an AC component. The AC component can be referred to as a current ripple. For reasons of cost, standard LED drivers are usually not optimized for low current ripple, as this is of minor importance given the high lifetime of inorganic LEDs. Standard LED drivers conventionally provide an electrical current that has a high current ripple for OLEDS that reduces the life of the OLED. Drivers specially optimized for OLEDs could reduce the current ripple, but with an increase in cost.

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist, mittels einer Verlängerung der Lebenszeit und/oder einer kostengünstigeren Treiberstruktur effizientere optoelektronische Bauelemente auszubilden.In various embodiments, an optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component are provided with which it is possible to form more efficient optoelectronic components by means of an extension of the lifetime and / or a less expensive driver structure.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement aufweisend einen Schichtenstapel mit: einer optisch aktiven Struktur mit einer ersten Elektrode; einer organischen funktionellen Schichtenstruktur; und einer zweiten Elektrode; wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur elektrisch zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in dem Schichtenstapel ausgebildet ist; und einer Kondensatorstruktur, mit wenigstens einem Kondensator mit: einer dritten Elektrode, einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist.In various embodiments, an optoelectronic component is provided, the optoelectronic component having a layer stack comprising: an optically active structure having a first electrode; an organic functional layer structure; and a second electrode; wherein the organic functional layer structure has a planar optically active region, the for converting an electric current into an electromagnetic radiation and / or for converting an electromagnetic radiation into an electric current, and wherein the organic functional layer structure is formed electrically between the first electrode and the second electrode in the layer stack; and a capacitor structure having at least one capacitor comprising: a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode, wherein the third electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode, and the fourth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure.

Eine elektrische Verbindung einer ersten elektrisch leitenden Schicht mit einer zweiten elektrisch leitenden Schicht kann direkt oder indirekt ausgebildet. Eine direkte Verbindung kann ausgebildet sein, indem die erste elektrisch leitende Schicht auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht ausgebildet ist und ein gemeinsame Grenzfläche aufweisen. Eine indirekte elektrische Verbindung kann auch als eine elektrische Kopplung bezeichnet werden, wobei die erste elektrisch leitende Schicht durch eine dritte elektrisch leitende Schicht mit der zweiten elektrisch leitenden Schicht elektrisch verbunden ist. Die erste elektrisch leitende Schicht und die zweite elektrisch leitende Schicht können im Fall einer indirekten elektrischen Verbindung frei sein von gemeinsamen Grenzflächen. Beispielsweise können die erste Elektrode und die dritte Elektrode direkt miteinander verbunden sein bzw. als eine gemeinsame Elektrode ausgebildet sein und die vierte Elektrode mit der zweiten Elektrode direkt oder indirekt elektrisch verbunden sein.An electrical connection of a first electrically conductive layer to a second electrically conductive layer can be formed directly or indirectly. A direct connection may be formed by the first electrically conductive layer being formed on the second electrically conductive layer and having a common interface. An indirect electrical connection may also be referred to as an electrical coupling, wherein the first electrically conductive layer is electrically connected to the second electrically conductive layer by a third electrically conductive layer. The first electrically conductive layer and the second electrically conductive layer may be free of common interfaces in the case of an indirect electrical connection. For example, the first electrode and the third electrode may be directly connected to each other or formed as a common electrode and the fourth electrode may be electrically or directly electrically connected to the second electrode.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode.In one embodiment, the optoelectronic component may be formed as an organic optoelectronic component, for example as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light emitting diode.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein flächiges optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein.In one embodiment, the optoelectronic component can be designed as a planar optoelectronic component.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die Kondensatorstruktur wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur ist.In one embodiment, the optoelectronic component may be formed such that the capacitor structure is at least translucent with respect to the electromagnetic radiation of the optically active structure.

In einer Ausgestaltung kann der Kondensator im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein. Der Kondensator kann beispielsweise wenigstens transluzent ausgebildet sein.In one embodiment, the capacitor may be formed in the beam path of the electromagnetic radiation of the optically active structure. The capacitor may be formed, for example, at least translucent.

In einer Ausgestaltung können die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur monolithisch integriert ausgebildet sein. Mit anderen Worten: die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur bilden einen Schichtenstapel. Der Schichtenstapel kann beispielsweise mit einer einzigen Verkapselung verkapselt sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Schichtenstapel ausgebildet sein, indem die Kondensatorstruktur auf der Verkapselung und/oder dem Träger der optisch aktiven Struktur angeordnet oder ausgebildet ist. Alternativ oder zusätzlich kann der Schichtenstapel auf einem einzigen Substrat ausgebildet sein oder über einem gemeinsamen Substrat angeordnet sein. Beispielsweise kann eine Kondensatorstruktur auf der optisch aktiven Struktur angeordnet sein, indem die Kondensatorstruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet oder aufgeklebt ist.In one embodiment, the optically active structure and the capacitor structure may be monolithically integrated. In other words, the optically active structure and the capacitor structure form a layer stack. The layer stack may, for example, be encapsulated with a single encapsulation. Alternatively or additionally, the layer stack may be formed by arranging or forming the capacitor structure on the encapsulation and / or the support of the optically active structure. Alternatively or additionally, the layer stack may be formed on a single substrate or disposed over a common substrate. For example, a capacitor structure can be arranged on the optically active structure by the capacitor structure being formed or glued on or above the optically active structure.

In einer Ausgestaltung können die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet sind.In one embodiment, the optically active structure and the capacitor structure may have a common electrode, for example formed as a common electrically conductive layer.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet ist, dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist.In one embodiment, the optoelectronic component may further comprise an encapsulation structure on or above the layer stack, wherein the encapsulation structure is formed such that the layer stack is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der Verkapselungsstruktur ausgebildet sind/ist, beispielsweise als Abdeckung oder Barriereschicht.In one embodiment, the optoelectronic component may further comprise an encapsulation structure on or above the layer stack, wherein the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode is / is formed as part of the encapsulation structure, for example as cover or barrier layer.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur zwischen der optisch aktiven Struktur und der Kondensatorstruktur aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet ist, dass die optisch aktive Struktur bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist.In one embodiment, the optoelectronic component may further comprise an encapsulation structure between the optically active structure and the capacitor structure, wherein the encapsulation structure is formed such that the optically active structure is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.

In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum als eine Barriereschicht ausgebildet sein für die optisch aktive Struktur bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff.In one embodiment, the dielectric may be formed as a barrier layer for the optically active structure with respect to water and / or oxygen.

In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum einen geöffneten Bereich aufweisen, wobei die zweite Elektrode im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode elektrisch verbunden ist.In one embodiment, the dielectric may have an open region, wherein the second electrode is electrically connected in the open region with the fourth electrode.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner einen Träger und/oder ein hermetisch dichtes Substrat aufweisen, wobei die optisch aktive Struktur auf oder über dem Träger und/oder hermetisch dichtem Substrat ausgebildet ist und wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger und/oder hermetisch dichtes Substrat ausgebildet ist; oder der Träger und/oder das hermetisch dichte Substrat diese aufweist.In one embodiment, the optoelectronic component may further comprise a carrier and / or a hermetically sealed substrate, wherein the optically active structure is formed on or above the support and / or hermetically sealed substrate and wherein the third electrode or the fourth electrode is formed as a support and / or hermetically sealed substrate; or the carrier and / or the hermetically sealed substrate has these.

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur zwei oder mehr Kondensatoren aufweisen.In one embodiment, the capacitor structure may comprise two or more capacitors.

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur zwei oder mehr Plattenkondensatoren aufweisen.In one embodiment, the capacitor structure may comprise two or more plate capacitors.

In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur einen Stapel von Kondensatoren ausbilden.In one embodiment, two or more capacitors of the capacitor structure may form a stack of capacitors.

In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur nebeneinander ausgebildet sein.In one embodiment, two or more capacitors of the capacitor structure may be formed side by side.

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur einen zweiten Kondensator mit einer fünften Elektrode, einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode aufweisen, wobei die fünfte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart, dass der zweite Kondensator elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist.In one embodiment, the capacitor structure may comprise a second capacitor having a fifth electrode, a second dielectric and a sixth electrode, wherein the fifth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode, and the sixth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode are such that the second capacitor is formed electrically parallel to the optically active structure.

In einer Ausgestaltung kann der zweite Kondensator elektrisch parallel zu dem ersten Kondensator ausgebildet sein.In one embodiment, the second capacitor may be formed electrically parallel to the first capacitor.

In einer Ausgestaltung kann der zweite Kondensator elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator ausgebildet sein.In one embodiment, the second capacitor may be formed electrically in series with the first capacitor.

In einer Ausgestaltung können der erste Kondensator und der zweite Kondensator eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet sind.In one embodiment, the first capacitor and the second capacitor may have a common electrode, for example, formed as a common electrically conductive layer.

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Kondensator und der zweite Kondensator eine ungefähr gleiche Kapazität aufweisen.In one embodiment, the capacitor structure may be formed such that the first capacitor and the second capacitor have an approximately equal capacitance.

In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur auf oder über dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator ausgebildet sein.In one embodiment, the optically active structure may be formed on or above the first capacitor and the second capacitor.

In einer Ausgestaltung können der erste Kondensator und der zweite Kondensator auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein.In one embodiment, the first capacitor and the second capacitor may be formed on or above the optically active structure.

In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur zwischen dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator ausgebildet sein.In one embodiment, the optically active structure may be formed between the first capacitor and the second capacitor.

In einer Ausgestaltung kann die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet sein.In one embodiment, the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode may be formed at least translucent.

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur wenigstens transluzent ausgebildet sein.In one embodiment, the capacitor structure may be formed at least translucent.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden eines Schichtenstapel mit: einer optisch aktiven Struktur mit einer ersten Elektrode; einer organischen funktionellen Schichtenstruktur; und einer zweiten Elektrode; wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur elektrisch zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in dem Schichtenstapel ausgebildet wird; und einer Kondensatorstruktur, mit wenigstens einem Kondensator mit: einer dritten Elektrode, einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet wird derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet wird.In various embodiments, there is provided a method of making an optoelectronic device, the method comprising: forming a layer stack comprising: an optically active structure having a first electrode; an organic functional layer structure; and a second electrode; wherein the organic functional layer structure comprises a sheet-like optically active region formed to convert an electric current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic radiation into an electric current, and wherein the organic functional layer structure electrically interposes between the first electrode and the second electrode is formed in the layer stack; and a capacitor structure having at least one capacitor comprising: a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode, wherein the third electrode is formed electrically connected to the first electrode or the second electrode, and the fourth electrode to the first electrode or the second electrode is such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure.

In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes Merkmale des optoelektronischen Bauelementes; und das optoelektronische Bauelement Merkmale des Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes aufweisen, soweit sie jeweils sinnvoll anwendbar sind.In various embodiments, the method for producing an optoelectronic component may include features of the optoelectronic component; and the optoelectronic component have features of the method for producing an optoelectronic component, insofar as they are usefully applicable in each case.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigenShow it

1A–F schematische Darstellungen optoelektronischer Bauelemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 1A -F schematic representations of optoelectronic devices according to various embodiments;

2 eine schematische Darstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 2 a schematic representation of an optoelectronic component according to various embodiments;

3 ein schematisches Diagramm zu einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; 3 a schematic diagram of a method for producing an optoelectronic component according to various embodiments;

4A–K schematische Darstellungen verschiedener Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelementes; und 4A -K schematic representations of various embodiments of the optoelectronic component; and

5 eine schematische Darstellung eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes. 5 a schematic representation of a conventional optoelectronic device.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part hereof, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments can be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various exemplary embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.

In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches Bauelement eine optisch aktive Struktur aufweist. Die optisch aktive Struktur kann mittels einer angelegten Spannung an die optisch aktive Struktur elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV-Strahlung (A–C), sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A–C) aufweist.In various embodiments, optoelectronic components are described, wherein an optoelectronic component has an optically active structure. The optically active structure can emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active structure. In various embodiments, the electromagnetic radiation may have a wavelength range comprising X-radiation, UV radiation (A-C), visible light and / or infrared radiation (A-C).

Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische Leuchtdiode. Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden.A sheet-like optoelectronic component which has two flat, optically active sides can, for example, be transparent or translucent in the connecting direction of the optically active sides, for example as a transparent or translucent organic light-emitting diode. A planar optoelectronic component can also be referred to as a planar optoelectronic component.

Das optoelektronische Bauelement kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als ein sogenannter Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. Die optisch inaktive Seite kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen transparent oder transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein, beispielsweise zur Wärmeverteilung. Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein.However, the optoelectronic component can also have a planar, optically active side and a planar, optically inactive side, for example an organic light-emitting diode which is set up as a so-called top emitter or bottom emitter. The optically inactive side may be transparent or translucent in various embodiments, or be provided with a mirror structure and / or an opaque substance or mixture of substances, for example for heat distribution. The beam path of the optoelectronic component can be directed, for example, on one side.

Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels eines elektrischen Stromes durch eine optisch aktive Struktur verstanden werden.In the context of this description, provision of electromagnetic radiation can be understood as meaning emission of electromagnetic radiation. In other words, providing electromagnetic radiation may be understood as emitting electromagnetic radiation by means of an electric current through an optically active structure.

Eine optisch aktive Struktur, beispielsweise eine elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur, kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED), als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED), als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emittierender Transistor, beispielsweise ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all-OFET” handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist.An optically active structure, for example a structure emitting electromagnetic radiation, may in various embodiments be an electromagnetic radiation emitting semiconductor structure and / or as a diode emitting electromagnetic radiation, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as a transistor emitting electromagnetic radiation or as an organic electromagnetic radiation emitting transistor may be formed. The electromagnetic radiation emitting device may, for example, as a light emitting diode (light emitting diode, LED), as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as a light emitting transistor or as an organic light emitting transistor, for example, an organic field effect transistor (organic field effect transistor OFET) and / or organic electronics. The organic field effect transistor may be a so-called "all-OFET" in which all layers are organic. The electromagnetic radiation emitting device may be part of an integrated in various embodiments Be circuit. Furthermore, a plurality of electromagnetic radiation emitting components may be provided, for example housed in a common housing. An optoelectronic component may have an organic functional layer system, which is synonymously also referred to as an organic functional layer structure. The organic functional layer structure may include or may be formed from an organic substance or mixture of organic substances, for example, configured to provide electromagnetic radiation from a provided electrical current.

Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger.An organic light emitting diode may be formed as a top emitter or a bottom emitter. In a bottom emitter, light is emitted from the electrically active region through the carrier. In a top emitter, light is emitted from the top of the electrically active region and not by the carrier.

Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.A top emitter and / or bottom emitter can also be optically transparent or optically translucent, for example, each of the layers or structures described below can be made transparent or translucent.

Unter dem Begriff „transluzent” bzw. „transluzente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht” in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kannThe term "translucent" or "translucent layer" can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light, for example for the light generated by the light emitting device, for example, one or more wavelength ranges, for example, for light in a wavelength range of visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). By way of example, the term "translucent layer" in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that essentially the entire amount of light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure (for example layer), in which case a portion of the light can be scattered

Unter dem Begriff „transparent” oder „transparente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.In various embodiments, the term "transparent" or "transparent layer" can be understood as meaning that a layer is permeable to light (for example at least in a subregion of the wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein a structure (for example a layer) coupled-in light without scattering or light conversion is also coupled out of the structure (for example, layer).

Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Schicht oder Struktur als eine im Wesentlichen bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch diese Schicht oder Struktur undurchlässige Schicht oder Struktur verstanden werden.In the context of this description, a hermetically water- and / or oxygen-tight layer or structure can be understood as a layer or structure which is substantially impervious to diffusion of water and / or oxygen through this layer or structure.

Eine hermetisch dichte Schicht oder Struktur kann beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10^–1 g/(m² d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10^–4 g/(m²d) aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10^–4 g/(m²d) bis ungefähr 10^–10 g/(m²d), beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10^–4 g/(m²d) bis ungefähr 10^–6 g/(m²d).For example, a hermetically sealed layer or structure may have a diffusion rate with respect to water and / or oxygen of less than about 10 ^-1 g / (m ² d), a hermetically sealed cover, and / or a hermetically sealed support may have a water diffusion rate, for example and / or having oxygen of less than about 10 ^-4 g / (m ² d), for example in a range of about 10 ^-4 g / (m ² d) to about 10 ^-10 g / (m ² d), for example in a range of about 10 ^-4 g / (m ² d) to about 10 ^-6 g / (m ² d).

In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes Stoffgemisch eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein.In various embodiments, a hermetically sealed substance or a hermetically sealed mixture of substances may comprise or be formed from a ceramic, a metal and / or a metal oxide.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein optoelektronisches Bauelement 100 einen Schichtenstapel auf. Der Schichtenstapel weist eine optisch aktive Struktur 106 und eine Kondensatorstruktur 104 auf – veranschaulicht in 1A–F.In various embodiments, an optoelectronic device 100 a layer stack on. The layer stack has an optically active structure 106 and a capacitor structure 104 on - illustrated in 1A -F.

Die optisch aktive Struktur 106 kann wenigstens eine erste Elektrode 110, eine organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 und eine zweite Elektrode 114 aufweisen. Das optoelektronische Bauelement kann eine flächige optisch aktive Struktur aufweisen, beispielsweise mittels einer entsprechenden Ausgestaltung der organischen funktionellen Schichtenstruktur, die zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ist elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 in dem Schichtenstapel ausgebildet.The optically active structure 106 may be at least a first electrode 110 , an organic functional layer structure 112 and a second electrode 114 exhibit. The optoelectronic component may have a planar optically active structure, for example by means of a corresponding configuration of the organic functional layer structure, which is designed to convert an electric current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic radiation into an electric current. The organic functional layer structure 112 is electrically between the first electrode 110 and the second electrode 114 formed in the layer stack.

Die Kondensatorstruktur 104 weist wenigstens einen Kondensator auf. Der Kondensator weist wenigstens eine dritte Elektrode, ein Dielektrikum, und eine vierte Elektrode auf. Die dritte Elektrode ist mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist.The capacitor structure 104 has at least one capacitor. The capacitor has at least a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode. The third electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode, and the fourth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der Schichtenstapel auf oder über einem hermetisch dichten Substrat 128 oder einem Träger 102 ausgebildet – beispielsweise veranschaulicht in 1A–E. In anderen Ausführungsbeispielen kann wenigstens ein Teil der Kondensatorstruktur 104 als Träger oder Substrat für die optisch aktive Struktur 106 ausgebildet sein – beispielsweise veranschaulicht in 1F.In various embodiments, the layer stack is on or over a hermetically sealed substrate 128 or a carrier 102 trained - for example, illustrated in 1A -E. In other embodiments, at least a portion of the capacitor structure 104 as a carrier or Substrate for the optically active structure 106 be formed - for example, illustrated in 1F ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 auf unterschiedlichen Seiten des Trägers 102 bzw. des Substrates 128 ausgebildet – beispielsweise veranschaulicht in 1B.In various embodiments, the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 on different sides of the vehicle 102 or the substrate 128 trained - for example, illustrated in 1B ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Kondensatorstruktur 104 bezüglich des Trägers 102 bzw. des Substrates 128 auf der optisch aktiven Struktur ausgebildet – 1C. In anderen Ausführungsbeispielen ist die optisch aktive Struktur 106 bezüglich des Trägers 102 bzw. des Substrates 128 auf der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet – beispielsweise veranschaulicht in 1A.In various embodiments, the capacitor structure is 104 concerning the vehicle 102 or the substrate 128 formed on the optically active structure - 1C , In other embodiments, the optically active structure is 106 concerning the vehicle 102 or the substrate 128 on the capacitor structure 104 trained - for example, illustrated in 1A ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Kondensatorstruktur 104 zwei oder mehr Kondensatoren 104-n auf, wobei n eine ganze Zahl ist und den jeweiligen Kondensator kennzeichnet. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement 100 einen ersten Kondensator 104-1 und einen zweiten Kondensator 104-2 aufweisen – beispielsweise veranschaulicht in 1D. Beispielsweise kann die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet sein, oder umgekehrt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 neben oder zwischen (vertikal und/oder horizontal) dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet sein – beispielsweise veranschaulicht in 1E.In various embodiments, the capacitor structure 104 two or more capacitors 104-n on, where n is an integer and indicates the respective capacitor. For example, the optoelectronic component 100 a first capacitor 104-1 and a second capacitor 104-2 have - for example, illustrated in 1D , For example, the optically active structure 106 on or above the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 be formed, or vice versa. In various embodiments, the optically active structure 106 beside or between (vertical and / or horizontal) the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 be formed - for example, illustrated in 1E ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine dielektrische Schicht der optisch aktiven Struktur 106 bzw. des optoelektronischen Bauelementes als Dielektrikum des wenigstens einen Kondensators ausgebildet sein, beispielsweise die Barriereschicht 208 auf oder unter der optisch aktiven Struktur 106. Auf der der optisch aktiven Struktur 106 abgewandten Seite der dielektrischen Schicht kann eine weitere elektrisch leitende Schicht, beispielsweise eine Metallisierungsschicht ausgebildet sein, und diese elektrisch leitende Schicht mit einer der Elektroden 110, 114 der optisch aktiven Struktur 106 elektrisch verbunden sein, beispielsweise kann eine Metallisierungsschicht auf oder über einer Dünnfilmverkapselung der optisch aktiven Struktur 106 mit der ITO-Anode elektrisch verbunden sein. Dadurch kann eine Kapazität, die elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist, realisiert sein. Die Kapazität kann eine permanente Kapazität sein, dass heißt auch im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes vorhanden sein. Sie ist auch in Funktion, wenn das optoelektronische Bauelement selbst betrieben wird und im Wesentlichen frei von Kapazität ist. Bei einer elektrostatischen Entladung über den elektrischen Anschlüssen 412, 414 (siehe auch 4A–G) des optoelektronischen Bauelementes 100 kann die Kapazität der Kondensatorstruktur 104 elektrisch aufgeladen werden und sich im Nachgang zu der elektrostatischen Entladung wieder über eine der Elektroden des optoelektronischen Bauelementes 100 entladen. Dadurch kann verhindert werden dass das optoelektronische Bauelement 100 selbst direkt elektrisch belastet wird, beispielsweise durch einen hohen Spannungspuls einer elektrostatischen Entladung.In various embodiments, a dielectric layer of the optically active structure 106 or of the optoelectronic component may be formed as a dielectric of the at least one capacitor, for example the barrier layer 208 on or under the optically active structure 106 , On the optically active structure 106 On the opposite side of the dielectric layer, it is possible to form a further electrically conductive layer, for example a metallization layer, and this electrically conductive layer with one of the electrodes 110 . 114 the optically active structure 106 For example, a metallization layer may be on or over a thin-film encapsulation of the optically active structure 106 be electrically connected to the ITO anode. This allows a capacitance that is electrically parallel to the optically active structure 106 is formed, be realized. The capacitance can be a permanent capacitance, which means that it can also be present during operation of the optoelectronic component. It is also in operation when the optoelectronic device itself is operated and is substantially free of capacitance. For an electrostatic discharge over the electrical connections 412 . 414 (see also 4A -G) of the optoelectronic component 100 can the capacity of the capacitor structure 104 be electrically charged and in the wake of the electrostatic discharge again via one of the electrodes of the optoelectronic component 100 discharged. This can prevent that the optoelectronic component 100 itself is electrically loaded directly, for example, by a high voltage pulse of an electrostatic discharge.

Weiterhin kann die Kondensatorstruktur 104 als elektrisch parallel zum optoelektronischen Bauelement 100 geschaltete niederohmige Impedanz für Pulse hoher Frequenz wirken, beispielsweise können elektrostatische Entladungsströme sehr schnell aber kurz sein, das heißt eine hohe Frequenz aufweisen. Wird eine elektrostatische Entladung als hochfrequenter kurzzeitiger Strom über das optoelektronische Bauelement 100 getrieben, so kann an der Impedanz des optoelektronischen Bauelementes 100 herkömmlich eine kurzzeitige hohe Spannung bzw. ein hohes elektrisches Feld anliegen. Dieses elektrische Feld kann das optoelektronische Bauelement 100 irreversibel schädigen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann mittels der Kondensatorstruktur 104 die Gesamtimpedanz für hohe Frequenzen reduziert werden, so dass im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 derselbe elektrostatische Entladungsstrom einen geringeren Spannungsabfall über die optisch aktive Struktur 106 bewirkt und somit ein geringeres elektrisches Feld in der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet wird. Die Belastung der optisch aktiven Struktur 106 kann dadurch verringert werden, da die Kapazität der Kondensatorstruktur 104 bezüglich der Kapazität der optisch aktiven Struktur 106 auch im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 vorliegt. Die Kondensatorstruktur 104 kann somit auch einen niederohmigen parallelen Strompfad für einen hochfrequenten Ripplestrom ausbilden, wobei der hochfrequente Rippelstrom beispielsweise durch einen LED-Treiber in das optoelektronische Bauelement 100 eingeprägt wird. Ein Rippelstrom ist dabei ein in der Zuleitung des optoelektronischen Bauelementes 100 fließender Mischstrom aus reinem Gleichstrom und überlagertem hochfrequentem Wechselstrom (Ripple). Der Rippelstrom kann sich in dem optoelektronischen Bauelement 100 auf die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 aufteilen. Über einen Kondensator kann herkömmlich kein Gleichstrom fließen, so dass der Gleichstrom-Anteil des Rippelstromes allein durch die optisch aktive Struktur 106 fließen kann. Der hochfrequente Wechselstrom-Anteil kann sich auf die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 aufteilen. Der Wechselstrom-Anteil kann bei entsprechend hoher Kapazität der Kondensatorstruktur 104 einen deutlich niederohmigeren Strompfad vorfinden als durch die optisch aktive Struktur 106. Somit wird die optisch aktive Struktur 106 des optoelektronischen Bauelementes 100 mit einem geringeren Anteil an hochfrequenten Wechselstrom belastet als bei einem optoelektronischen Bauelement 100 ohne Kondensatorstruktur 104.Furthermore, the capacitor structure 104 as electrically parallel to the optoelectronic component 100 switched low-impedance for high-frequency pulses, for example, electrostatic discharge currents can be very fast but short, that is, have a high frequency. Is an electrostatic discharge as a high-frequency short-time current through the optoelectronic device 100 driven, so may at the impedance of the optoelectronic device 100 conventionally apply a short-time high voltage or a high electric field. This electric field can be the optoelectronic component 100 damage irreversibly. In various embodiments, by means of the capacitor structure 104 the overall impedance for high frequencies are reduced, so that during operation of the optoelectronic component 100 the same electrostatic discharge current has a lower voltage drop across the optically active structure 106 causes and thus a lower electric field in the optically active structure 106 is trained. The load of the optically active structure 106 can be reduced because of the capacitance of the capacitor structure 104 in terms of the capacity of the optically active structure 106 also during operation of the optoelectronic component 100 is present. The capacitor structure 104 can thus also form a low-impedance parallel current path for a high-frequency ripple current, wherein the high-frequency ripple current, for example, by an LED driver in the optoelectronic device 100 is impressed. A ripple current is one in the supply line of the optoelectronic component 100 flowing mixed stream of pure direct current and superimposed high-frequency alternating current (ripple). The ripple current may be in the optoelectronic device 100 on the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 split. Conventionally no DC current can flow through a capacitor, so that the DC component of the ripple current is solely due to the optically active structure 106 can flow. The high-frequency AC component can affect the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 split. The AC component can be at a correspondingly high capacity of the capacitor structure 104 find a much lower current path than through the optically active structure 106 , Thus, the optically active structure becomes 106 of the optoelectronic component 100 loaded with a lower proportion of high-frequency alternating current than in an optoelectronic component 100 without capacitor structure 104 ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 eine elektrische Verbindung der Metallisierungsschicht zu einer der Elektroden in der optisch aktiven Struktur 106 aufweisen, beispielsweise zu der Elektrode mit der größeren elektrischen Leitfähigkeit. Eine höhere Gesamtkapazität der Kondensatorstruktur 104 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen mittels geeigneter Isoliermaterialien, beispielsweise hoher relativer Permittivität, oder dünneren Isolierschichten – das heißt einem geringen Abstand zwischen den Elektroden des Kondensators der Kondensatorstruktur 104, erreicht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können mehrere Stapel von Dielektrika und elektrisch leitenden Schichten in der Kondensatorstruktur 104 übereinander gestapelt ausgebildet sein und mittels geeigneter Schaltungen elektrisch parallel geschaltet sein bezüglich der optisch aktiven Struktur 106.In various embodiments, the capacitor structure 104 an electrical connection of the metallization layer to one of the electrodes in the optically active structure 106 For example, to the electrode with the greater electrical conductivity. A higher total capacity of the capacitor structure 104 may in various embodiments by means of suitable insulating materials, for example, high relative permittivity, or thinner insulating layers - that is, a small distance between the electrodes of the capacitor of the capacitor structure 104 , be achieved. In various embodiments, multiple stacks of dielectrics and electrically conductive layers may be included in the capacitor structure 104 be formed stacked one above the other and be electrically connected in parallel by means of suitable circuits with respect to the optically active structure 106 ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine dielektrische Schicht eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes 100 als Dielektrikum der Kondensatorstruktur 104 verwendet werden. Weiterhin kann bei einem optoelektronischen Bauelement mit Metallsubstrat das Metall des Substrates als eine der Elektroden der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet sein. Mit anderen Worten: bei optoelektronischen Bauelementen 100 auf Metallsubstraten, beispielsweise auch flexible optoelektronischen Bauelemente 100, beispielsweise flexible organische Leuchtdioden 100, kann die Funktion der Metallisierungsschicht, beispielsweise auch mittels des Metallsubstrates realisiert werden.In various embodiments, a dielectric layer of a conventional optoelectronic device 100 as a dielectric of the capacitor structure 104 be used. Furthermore, in the case of an optoelectronic component having a metal substrate, the metal of the substrate may be used as one of the electrodes of the capacitor structure 104 be educated. In other words: in optoelectronic components 100 on metal substrates, for example, flexible optoelectronic components 100 , For example, flexible organic light emitting diodes 100 , The function of the metallization, for example, by means of the metal substrate can be realized.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine optoelektronische Bauelementevorrichtung das optoelektronische Bauelement 100 und ein elektrisches Vorschaltgerät (EVG) auf, wobei das elektrische Vorschaltgerät zum Steuern oder Regeln des Betriebsstromes des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet ist und mit diesem elektrisch verbunden ist. Die Kondensatorstruktur 104 des optoelektronischen Bauelementes 100 kann auch den üblicherweise bei einem elektrischen Standard-Vorschaltgerät vorhandenen hohen Stromrippel, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30% bis ungefähr 50%, beispielsweise bezüglich der Stromstärke des Gleichstromanteils, glätten. Innerhalb des optoelektronischen Bauelementes 100 kann der Stromrippel somit an der optisch aktiven Struktur 106 vorbeigeleitet werden. Dadurch kann eine Lebensdauerverbesserung des optoelektronischen Bauelementes 100 erreicht werden.In various exemplary embodiments, an optoelectronic component device has the optoelectronic component 100 and an electrical ballast (EVG), wherein the electrical ballast for controlling or regulating the operating current of the optoelectronic component 100 is formed and electrically connected thereto. The capacitor structure 104 of the optoelectronic component 100 may also smooth the current ripple commonly present in a standard electrical ballast, for example, in a range of about 30% to about 50%, for example, with respect to the DC current component. Within the optoelectronic component 100 Thus, the current ripple on the optically active structure 106 be led past. This can improve the life of the optoelectronic component 100 be achieved.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode. Das optoelektronische Bauelement 100 kann als ein flächiges optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet sein. Das optoelektronische Bauelement 100 kann derart ausgebildet sein, dass die Kondensatorstruktur 104 wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der wenigstens eine Kondensator der Kondensatorstruktur 104 im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet sein.In various embodiments, the optoelectronic component 100 be formed as an organic optoelectronic device, for example as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light-emitting diode. The optoelectronic component 100 can as a planar optoelectronic device 100 be educated. The optoelectronic component 100 may be formed such that the capacitor structure 104 at least translucent with respect to the electromagnetic radiation of the optically active structure 106 is trained. In various embodiments, the at least one capacitor may be the capacitor structure 104 in the beam path of the electromagnetic radiation of the optically active structure 106 be educated.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 monolithisch integriert ausgebildet sein. Die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 können eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet sein.In various embodiments, the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 be designed monolithically integrated. The optically active structure 106 and the capacitor structure 104 may have a common electrode, for example, be formed as a common electrically conductive layer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner eine Verkapselungsstruktur 226 (veranschaulicht in 2) auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, die derart ausgebildet ist, dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner eine Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der Verkapselungsstruktur ausgebildet sind/ist, beispielsweise als Abdeckung 224 oder Barriereschicht 208 – veranschaulicht in 2. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner eine Verkapselungsstruktur 226 zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und der Kondensatorstruktur 104 aufweisen, die derart ausgebildet ist, dass die optisch aktive Struktur 106 bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Dielektrikum des wenigstens einen Kondensators und/oder das Dielektrikum der Kondensatorstruktur 104 als eine Barriereschicht ausgebildet sein für die optisch aktive Struktur 106 bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die optisch aktive Struktur. Mit anderen Worten: ein Dielektrikum der Kondensatorstruktur kann als eine hermetisch dichte Schicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff für die optisch aktive Struktur ausgebildet sein.In various embodiments, the optoelectronic component 100 also an encapsulation structure 226 (illustrated in 2 ) on or above the layer stack, which is formed such that the layer stack is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen. In various embodiments, the optoelectronic component 100 also an encapsulation structure 226 on or above the layer stack, wherein the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode is / are formed as part of the encapsulation structure, for example as a cover 224 or barrier layer 208 - illustrated in 2 , In various embodiments, the optoelectronic component 100 also an encapsulation structure 226 between the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 have, which is formed such that the optically active structure 106 is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen. In various embodiments, the dielectric of the at least one capacitor and / or the dielectric of the capacitor structure 104 be designed as a barrier layer for the optically active structure 106 with respect to a diffusion of water and / or oxygen into the optically active structure. In other words, a dielectric of the capacitor structure may be formed as a hermetically sealed layer with respect to water and / or oxygen for the optically active structure.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner einen Träger 102 und/oder ein hermetisch dichtes Substrat 128 aufweisen, wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode der Kondensatorstruktur als Träger ausgebildet ist, beispielsweise aus einem elektrisch leitenden Material, siehe auch Ausgestaltungen in der Beschreibung der 2 In various embodiments, the optoelectronic component 100 further a carrier 102 and / or a hermetically sealed substrate 128 , wherein the third electrode or the fourth electrode of the capacitor structure is formed as a carrier, for example of an electrically conductive material, see also embodiments in the description of 2

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 zwei oder mehr Kondensatoren aufweisen, beispielsweise zwei oder mehr Plattenkondensatoren. Zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 können als ein Stapel von Kondensatoren ausgebildet sein. Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 können alternativ nebeneinander ausgebildet sein.In various embodiments, the capacitor structure 104 have two or more capacitors, for example, two or more plate capacitors. Two or more capacitors of the capacitor structure 104 may be formed as a stack of capacitors. The two or more capacitors of the capacitor structure 104 may alternatively be formed side by side.

Die Kondensatorstruktur 104 weist wenigstens einen (ersten) Kondensator 104-1 auf. Der Kondensator 104-1 weist wenigstens eine dritte Elektrode, ein Dielektrikum, und eine vierte Elektrode auf. Die dritte Elektrode ist mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 einen zweiten Kondensator 104-2 mit einer fünften Elektrode, einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode aufweisen, wobei die fünfte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist. Der zweite Kondensator 104-2 kann elektrisch parallel oder elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator 104-1 ausgebildet sein. Der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator können eine gemeinsame Schicht aufweisen oder mittels wenigstens einer Zwischenschicht oder einem Schichtenstapel, beispielsweise der optisch aktiven Struktur 106, in einem Abstand voneinander ausgebildet sein. Der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 können beispielsweise eine gemeinsame Elektrode aufweisen. Die gemeinsame Elektrode kann beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet sein. In einem Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 eine ungefähr gleiche Kapazität aufweisen.The capacitor structure 104 has at least one (first) capacitor 104-1 on. The capacitor 104-1 has at least a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode. The third electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode, and the fourth electrode is electrically connected to the first electrode or the second electrode such that the capacitor structure is formed electrically parallel to the optically active structure. In various embodiments, the capacitor structure 104 a second capacitor 104-2 with a fifth electrode, a second dielectric and a sixth electrode, wherein the fifth electrode with the first electrode or the second electrode, and the sixth electrode with the first electrode or the second electrode are electrically connected such that the capacitor structure electrically parallel to the optically active structure is formed. The second capacitor 104-2 may be electrically parallel or electrically in series with the first capacitor 104-1 be educated. The first capacitor 104-1 and the second capacitor may comprise a common layer or by means of at least one intermediate layer or a layer stack, for example the optically active structure 106 be formed at a distance from each other. The first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 For example, they may have a common electrode. The common electrode may be formed, for example, as a common electrically conductive layer. In one embodiment, the capacitor structure may be formed such that the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 have an approximately equal capacity.

In einem Ausführungsbeispiel ist die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet. In einem anderen Ausführungsbeispielen sind der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet. In einem weiteren Ausführungsbeispielen ist die optisch aktive Struktur 106 zwischen und/oder neben dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet, beispielsweise in einer Ebene.In one embodiment, the optically active structure is 106 on or above the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 educated. In another embodiment, the first capacitor is 104-1 and the second capacitor 104-2 on or over the optically active structure 106 educated. In another embodiment, the optically active structure 106 between and / or next to the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 trained, for example, in a plane.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet sein.In various embodiments, the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode may / at least be made translucent.

2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component according to various embodiments.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein hermetisch dichtes Substrat 128, eine optisch aktive Struktur 106 und eine Verkapselungsstruktur 226 aufweisen.The optoelectronic component 100 may in various embodiments a hermetically sealed substrate 128 , an optically active structure 106 and an encapsulation structure 226 exhibit.

Das hermetisch dichte Substrat 128 kann einen Träger 102 und eine erste Barriereschicht 204 aufweisen. In einem Ausführungsbeispiel kann der Träger 102 hermetisch dicht sein, beispielsweise ein Metall, Glass und/oder eine Keramik aufweisen, beispielsweise in Form eines Metallbleches. Ein hermetisch dichter Träger 102 kann somit ein hermetisch dichtes Substrat 128 sein und frei sein von erster Barriereschicht 204.The hermetically sealed substrate 128 can be a carrier 102 and a first barrier layer 204 exhibit. In one embodiment, the carrier may 102 be hermetically sealed, for example, a metal, glass and / or have a ceramic, for example in the form of a metal sheet. A hermetically sealed carrier 102 can thus be a hermetically sealed substrate 128 be and be free from the first barrier layer 204 ,

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur(en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen.The organic functional layer structure 112 may comprise one, two or more functional layered structure units and one, two or more interlayer structures between the layered structure units. The organic functional layer structure 112 For example, a first organic functional layered structure unit 216 , an interlayer structure 218 and a second organic functional layer structure unit 220 exhibit.

Die Verkapselungsstruktur 226 kann eine zweite Barriereschicht 208, eine schlüssige Verbindungsschicht 222 und eine Abdeckung 224 aufweisen.The encapsulation structure 226 can be a second barrier layer 208 , a coherent connection layer 222 and a cover 224 exhibit.

Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.The carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material. Furthermore, the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP). Further, the plastic may include or be formed from polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN).

Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl. The carrier 102 may comprise or be formed from a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, for example a metal compound, for example steel.

Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.The carrier 102 can be opaque, translucent or even transparent.

Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.The carrier 102 may be part of or form part of a mirror structure.

Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie.The carrier 102 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or may be formed in such a way, for example as a foil.

Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes 100.The carrier 102 may be formed as a waveguide for electromagnetic radiation, for example, be transparent or translucent with respect to the emitted or absorbed electromagnetic radiation of the optoelectronic component 100 ,

Die erste Barriereschicht 204 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.The first barrier layer 204 may include or be formed from any of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and the like Mixtures and alloys thereof.

Die erste Barriereschicht 204 kann mittels eines der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)), beispielsweise eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder ein plasmaloses Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)); ein chemisches Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition (CVD)), beispielsweise ein plasmaunterstütztes Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder ein plasmaloses Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)); oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.The first barrier layer 204 may be formed by one of the following methods: Atomic Layer Deposition (ALD), for example, Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD); a chemical vapor deposition (CVD) process, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or plasmaless plasma vapor deposition (PLCVD); or alternatively by other suitable deposition methods.

Bei einer ersten Barriereschicht 204, die mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat” bezeichnet werden.At a first barrier layer 204 having multiple sublayers, all sublayers can be formed by an atomic layer deposition method. A layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".

Bei einer ersten Barriereschicht 204, die mehrere Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere Teilschichten der ersten Barriereschicht 204 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens.At a first barrier layer 204 comprising a plurality of sublayers may include one or more sublayers of the first barrier layer 204 be deposited by a deposition method other than an atomic layer deposition method, for example, by a vapor deposition method.

Die erste Barriereschicht 204 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.The first barrier layer 204 may have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment, for example, about 40 nm according to an embodiment.

Die erste Barriereschicht 204 kann ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material(ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.The first barrier layer 204 may comprise one or more high refractive index materials, for example one or more high refractive index material (s), for example having a refractive index of at least 2.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste Barriereschicht 204 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 102 hermetisch dicht ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist.Furthermore, it should be pointed out that in various embodiments also entirely on a first barrier layer 204 can be omitted, for example in the event that the carrier 102 hermetically sealed, for example, comprises glass, metal, metal oxide or is formed therefrom.

Die erste Elektrode 204 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.The first electrode 204 may be formed as an anode or as a cathode.

Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO); ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren Komposite. Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide: beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂, oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₅ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.The first electrode 110 may comprise or be formed from one of the following electrically conductive material: a metal; a conductive conductive oxide (TCO); a network of metallic nanowires and particles, such as Ag, combined, for example, with conductive polymers; a network of carbon nanotubes combined, for example, with conductive polymers; Graphene particles and layers; a network of semiconducting nanowires; an electrically conductive polymer; a transition metal oxide; and / or their composites. The first electrode 110 of metal or metal may include or be formed from one of the following materials: Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials. The first electrode 110 For example, as the transparent conductive oxide, it may have any of the following materials: for example, metal oxides: for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, SnO ₂ , or In ₂ O _{3 also} include ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn ₂ SnO ₄ , CdSnO ₃ , ZnSnO ₃ , MgIn ₂ O ₄ , GaInO ₃ , Zn ₂ In ₂ O ₅ or In ₄ Sn ₃ O ₁₂ or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs and can be used in various embodiments. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and can also be doped or n-doped, or be hole-conducting (p-TCO) or electron-conducting (n-TCO).

Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.The first electrode 110 may comprise a layer or a layer stack of multiple layers of the same material or different materials. The first electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.

Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.The first electrode 204 For example, it may have a layer thickness in a range from 10 nm to 500 nm, for example from less than 25 nm to 250 nm, for example from 50 nm to 100 nm.

Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.The first electrode 110 may have a first electrical connection to which a first electrical potential can be applied. The first electrical potential may be provided by a power source, such as a power source or a voltage source. Alternatively, the first electrical potential to an electrically conductive carrier 102 be created and the first electrode 110 through the carrier 102 be fed indirectly electrically. The first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.

In 2 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 und einer zweite organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 220 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.In 2 is an optoelectronic device 100 with a first organic functional layered structure unit 216 and a second organic functional layered structure unit 220 shown. In various embodiments, the organic functional layer structure 112 but also have more than two organic functional layer structures, for example 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more, for example 15 or more, for example 70.

Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die optional weiteren organischen funktionellen Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220, oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 ausgebildet sein.The first organic functional layered structure unit 216 and optionally further organic functional layer structures may be the same or different, for example, have a same or different emitter material. The second organic functional layered structure unit 220 , or the other organic functional layer structure units may, as one of the embodiments described below, the first organic functional layer structure unit 216 be educated.

Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen.The first organic functional layered structure unit 216 may comprise a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.In an organic functional layered structure unit 216 one or more of said layers may be provided, wherein like layers may have physical contact, may only be electrically connected to each other, or may even be formed electrically insulated from each other, for example, formed side by side. Individual layers of said layers may be optional.

Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO_x, WO_x, VO_x, ReO_x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin) ; Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin) Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenylfluoren); Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und/oder N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.A hole injection layer may be on or over the first electrode 110 be educated. The hole injection layer may include one or more of the following materials exhibit or can be formed therefrom: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO _x, WO _x, VO _x, ReO _x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc; NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine) spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'- bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenylfluorene); Spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (n, n-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene); 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro; N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine; 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluorenes-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane; 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluorene; and / or N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.

Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.The hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.

Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann eine Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzdn); beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenylfluoren); Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat, ein leitendes Polyanilin und/oder Polyethylendioxythiophen.On or above the hole injection layer, a hole transport layer may be formed. The hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzene); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) - benzidine); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); Spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenylfluorene); Spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (n, n-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene); 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro; N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine; 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluorenes-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane; 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) amino spiro-bifluorene; and N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine, a tertiary amine, a carbazole derivative, a conductive polyaniline and / or polyethylenedioxythiophene.

Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.

Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216, 220 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern.On or above the hole transport layer, an emitter layer may be formed. Each of the organic functional layered structure units 216 . 220 may each have one or more emitter layers, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters.

Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nichtpolymere Moleküle („small molecules”) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.An emitter layer may include or be formed from organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules, or a combination of these materials.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)-iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)₃ (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy)₃*2(PF₆) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter.The optoelectronic component 100 may comprise or be formed from one or more of the following materials in an emitter layer: organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium Complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescing Ir (ppy) ₃ (tris (2-phenylpyridine) iridium III ), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) ₃ * 2 (PF ₆ ) (tris [4,4'-di-tert-butyl- (2,2 ') -bipyridine] ruthenium (III) complex) and blue fluorescent DPAVBi (4,4-bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA (9,10-bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracene) and red fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter.

Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating).Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited, for example, by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating).

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.In various embodiments, the emitter layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.

Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.The emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials. Alternatively, the emitter layer may comprise a plurality of sub-layers which emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/sind.The organic functional layered structure unit 216 may include one or more emitter layers configured as a hole transport layer.

Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.Furthermore, the organic functional layer structure unit 216 have one or more emitter layers, which is / are designed as an electron transport layer.

Auf oder über der Emitterschicht kann eine Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein.On or above the emitter layer, an electron transport layer can be formed, for example deposited.

Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo1e,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f] [1,10]phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.The electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET-18; 2,2 ', 2''- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoic, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) - 1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum; 6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes; 2,7-bis -9,9-dimethylfluorene [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl]; 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxides; Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and silanol-based materials containing a silacyclopentadiene moiety.

Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The electron transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.

Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs₂CO₃, Cs₃PO₄, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2 phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.An electron injection layer may be formed on or above the electron transport layer. The electron injection layer may include or be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs ₂ CO ₃ , Cs ₃ PO ₄ , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2 ', 2''- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolines (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum; 6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) -anthracenes; 2,7-bis -9,9-dimethylfluorene [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl]; 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxides; Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and silanol-based materials containing a silacyclopentadiene moiety.

Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.The electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.

Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216, 220, kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 über oder neben der ersten funktionellem Schichtenstruktur-Einheiten 216 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216, 220 kann eine Zwischenschichtstruktur 218 ausgebildet sein.For an organic functional layer structure 112 with two or more organic functional layered structure units 216 . 220 , the second organic functional layered structure unit 220 above or next to the first functional layered structure units 216 be educated. Electrically between the organic functional layer structure units 216 . 220 can be an interlayer structure 218 be educated.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Zwischenschichtstruktur 218 als eine Zwischenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine Zwischenelektrode 218 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 218 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 218 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.In various embodiments, the interlayer structure 218 as an intermediate electrode 218 be formed, for example according to one of the embodiments of the first electrode 110 , An intermediate electrode 218 can be electrically connected to an external voltage source. The external voltage source can be at the intermediate electrode 218 For example, provide a third electrical potential. The intermediate electrode 218 However, it can also have no external electrical connection, for example by the intermediate electrode having a floating electrical potential.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Zwischenschichtstruktur 218 als eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 218 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 218 kann eine oder mehrere elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) aufweisen. Die elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 218 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht(en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 218 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere aufweisen.In various embodiments, the interlayer structure 218 as a carrier pair generation layered structure 218 (charge generation layer CGL) be formed. A carrier pair generation layered structure 218 may comprise one or more electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and one or more hole-conducting charge carrier pair generation layer (s). The electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) may each be formed of an intrinsically conductive substance or a dopant in a matrix. The carrier pair generation layer structure 218 should be designed with respect to the energy levels of the electron-conducting charge carrier pair generation layer (s) and the hole-conducting charge carrier pair generation layer (s) such that separation occurs at the interface of an electron-conducting charge carrier pair generation layer with a hole-conducting charge carrier generation layer can be done by electron and hole. The carrier pair generation layer structure 218 may further comprise a diffusion barrier between adjacent layers.

Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, 220 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.Each organic functional layered structure unit 216 . 220 For example, it may have a layer thickness of at most approximately 3 μm, for example a layer thickness of at most approximately 1 μm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht(en). Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel-/Auskoppelstrukturen sein, die die Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. The optoelectronic component 100 Optionally, it may further comprise other organic functional layers, for example, disposed on or over the one or more emitter layers or on or over the one or more electron transport layer (s). The further organic functional layers can be, for example, internal or external coupling-in / coupling-out structures that control the functionality and thus the efficiency of the optoelectronic component 100 improve further.

Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein.On or above the organic functional layer structure 112 or optionally on or over the one or more further of the organic functional layer structure and / or organic functional layers, the second electrode 114 be educated.

Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.The second electrode 114 may according to one of the embodiments of the first electrode 110 be formed, wherein the first electrode 110 and the second electrode 114 may be the same or different. The second electrode 114 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting electrode or as a cathode, that is, as an electron-injecting electrode.

Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.The second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical potential can be applied. The second electrical potential may be provided by the same or a different energy source as the first electrical potential and / or the optional third electrical potential. The second electrical potential may be different from the first electrical potential and / or the optionally third electrical potential. For example, the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.

Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 208 ausgebildet sein.On the second electrode 114 may be the second barrier layer 208 be educated.

Die zweite Barriereschicht 208 kann auch als Dünnschichtverkapselung (thin film encapsulation TFE) bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 208 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 204 ausgebildet sein.The second barrier layer 208 may also be referred to as thin film encapsulation (TFE). The second barrier layer 208 may according to one of the embodiments of the first barrier layer 204 be educated.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite Barriereschicht 208 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 208 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 224, beispielsweise eine Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung.It should also be pointed out that, in various exemplary embodiments, it is also entirely a matter of a second barrier layer 208 can be waived. In such an embodiment, the optoelectronic component 100 For example, have a further encapsulation structure, whereby a second barrier layer 208 can be optional, for example, a cover 224 For example, a Kavitätsglasverkapselung or metallic encapsulation.

Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt) oder eine interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein-/Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 208) in dem optoelektronischen Bauelement 100 vorgesehen sein.Furthermore, in various exemplary embodiments, one or more input / output layers in the optoelectronic component can additionally be provided 100 be formed, for example, an external Auskoppelfolie on or above the carrier 102 (not shown) or an internal coupling-out layer (not shown) in the layer cross-section of the optoelectronic component 100 , The input / outcoupling layer may have a matrix and scattering centers distributed therein, wherein the mean refractive index of the input / outcoupling layer is greater than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided. Furthermore, in various exemplary embodiments, one or more antireflection layers (for example, combined with the second barrier layer 208 ) in the optoelectronic component 100 be provided.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 208 eine schlüssige Verbindungsschicht 222 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 auf der zweiten Barriereschicht 208 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.In various embodiments, on or above the second barrier layer 208 a coherent connection layer 222 be provided, for example, an adhesive or a paint. By means of the coherent connection layer 222 can a cover 224 on the second barrier layer 208 be connected conclusively, for example, be glued.

Eine schlüssige Verbindungsschicht 222 aus einem transparenten Material kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen.A coherent connection layer 222 For example, particles that diffuse electromagnetic radiation, for example light-scattering particles, can comprise a transparent material. This allows the coherent connection layer 222 act as a scattering layer and lead to an improvement of the color angle distortion and the Auskoppeleffizienz.

Als lichtstreuende Partikel können dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiO₂), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga₂O_x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 222 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.Dielectric scattering particles may be provided as light-scattering particles, for example of a metal oxide, for example silicon oxide (SiO ₂ ), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga ₂ O _x ) alumina, or titanium oxide. Other particles may also be suitable provided they have a refractive index that is different from the effective refractive index of the matrix of the coherent bonding layer 222 is different, for example, air bubbles, acrylate, or glass bubbles. Furthermore, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.

Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.The conclusive connection layer 222 may have a layer thickness of greater than 1 micron, for example, a layer thickness of several microns. In various embodiments, the conclusive tie layer 222 include or be a lamination adhesive.

Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann derart eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung 224. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungaindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.The conclusive connection layer 222 may be configured to include an adhesive having a refractive index that is less than the refractive index of the cover 224 , Such an adhesive may, for example, be a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3. However, the adhesive may also be a high-refractive adhesive having, for example, high-refraction, non-diffusing particles and having a coating thickness-averaged refractive index approximately equal to the average refractive index of the organically functional layered structure 112 corresponds, for example, in a range of about 1.7 to about 2.0. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 222 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.In various embodiments, between the second electrode 114 and the coherent link layer 222 or an electrically insulating layer (not shown), for example SiN, for example with a layer thickness in a range from about 300 nm to about 1.5 μm, for example with a layer thickness in a range from about 500 nm to about 1 μm to protect electrically unstable materials, for example during a wet chemical process.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 222 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barriereschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.In various embodiments, a conclusive tie layer may be used 222 be optional, for example, if the cover 224 directly on the second barrier layer 208 is formed, for example, a cover 224 made of glass, which is formed by means of plasma spraying.

Auf oder über der elektrisch aktiven Struktur 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur, beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht, angeordnet sein (nicht dargestellt).On or above the electrically active structure 106 Furthermore, a so-called getter layer or getter structure, for example a laterally structured getter layer, can be arranged (not shown).

Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 ausgebildet sein. Die Abdeckung 224 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 mit der elektrisch aktiven Struktur 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 224 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 224, eine Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung 224 sein. Die Glasabdeckung 224 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl. glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 208 bzw. der elektrisch aktiven Struktur 106 schlüssig verbunden werden.On or above the coherent connection layer 222 can a cover 224 be educated. The cover 224 can by means of the coherent connection layer 222 with the electrically active structure 106 be coherently connected and protect it from harmful substances. The cover 224 For example, a glass cover 224 , a metal foil cover 224 or a sealed plastic film cover 224 be. The glass cover 224 For example, by means of a frit bonding / glass soldering / seal glass bonding by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 with the second barrier layer 208 or the electrically active structure 106 be connected conclusively.

Die Abdeckung 224 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 222 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.The cover 224 and / or the conclusive tie layer 222 may have a refractive index (for example at a wavelength of 633 nm) of 1.55.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes 100 ein Ausbilden eines Schichtenstapels auf. Das Ausbilden des Schichtenstapels weist ein Ausbilden 302 einer optisch aktiven Struktur 106 und ein Ausbilden 304 einer Kondensatorstruktur 104 auf – veranschaulicht in 3.In various embodiments, a method for producing an optoelectronic component 100 forming a layer stack. The formation of the layer stack has a formation 302 an optically active structure 106 and a training 304 a capacitor structure 104 on - illustrated in 3 ,

Die optisch aktive Struktur kann mit wenigstens einer ersten Elektrode 110, einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 und einer zweiten Elektrode 114 ausgebildet werden. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann flächig ausgebildet werden. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 in dem Schichtenstapel ausgebildet werden.The optically active structure may include at least a first electrode 110 , an organic functional layer structure 112 and a second electrode 114 be formed. The organic functional layer structure 112 can be formed areally. The organic functional layer structure 112 can be electrically between the first electrode 110 and the second electrode 114 be formed in the layer stack.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement 100 als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das optoelektronische Bauelement als ein flächiges optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet werden, dass die Kondensatorstruktur 104 wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet werden.In various embodiments of the method, the optoelectronic component 100 be formed as an organic optoelectronic device, for example as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light-emitting diode. In various embodiments of the method 300 For example, the optoelectronic component can be used as a planar optoelectronic component 100 be formed. In various embodiments of the method 300 can the optoelectronic device 100 be formed such that the capacitor structure 104 at least translucent with respect to the electromagnetic radiation of the optically active structure 106 be formed.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann der Kondensator im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet werden.In various embodiments of the method 300 the capacitor in the beam path of the electromagnetic radiation of the optically active structure 106 be formed.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 monolithisch integriert ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 mit einer gemeinsamen Elektrode ausgebildet werden, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet werden. In various embodiments of the method 300 can be the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 be formed monolithically integrated. In various embodiments of the method 300 can be the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 be formed with a common electrode, for example, be formed as a common electrically conductive layer.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen derart, dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der Verkapselungsstruktur 226 ausgebildet werden/wird, beispielsweise als Abdeckung 224 oder Barriereschicht 208. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer Verkapselungsstruktur 226 zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und der Kondensatorstruktur 104 aufweisen, die derart ausgebildet wird, dass die optisch aktive Struktur 106 bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist.In various embodiments of the method 300 can the procedure 300 further forming an encapsulation structure 226 on or above the layer stack such that the layer stack is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen. In various embodiments of the method 300 can the procedure 300 further forming an encapsulation structure 226 on or above the layer stack, wherein the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode as part of the encapsulation structure 226 be trained / is, for example, as a cover 224 or barrier layer 208 , In various embodiments of the method 300 can the procedure 300 further forming an encapsulation structure 226 between the optically active structure 106 and the capacitor structure 104 which is formed such that the optically active structure 106 is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Dielektrikum als eine Barriereschicht ausgebildet werden bezüglich der optisch aktiven Struktur 106 und Wasser und/oder Sauerstoff.In various embodiments of the method 300 For example, the dielectric may be formed as a barrier layer with respect to the optically active structure 106 and water and / or oxygen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Bereitstellen eines Trägers 102 oder hermetisch dichten Substrates 128 aufweisen, wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger 102 oder hermetisch dichtes Substrat 128 ausgebildet werden oder der Träger 102 oder das hermetisch dichte Substrat diese aufweist.In various embodiments of the method 300 can the procedure 300 further providing a carrier 102 or hermetically sealed substrate 128 , wherein the third electrode or the fourth electrode as a carrier 102 or hermetically sealed substrate 128 be trained or the carrier 102 or the hermetically sealed substrate has these.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit zwei oder mehr Kondensatoren 104-n ausgebildet werden, wobei n den Kondensator kennzeichnet und eine natürliche Zahl ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit zwei oder mehr Plattenkondensatoren ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 als ein Stapel von Kondensatoren ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 nebeneinander ausgebildet werden.In various embodiments of the method 300 can the capacitor structure 104 with two or more capacitors 104-n be formed, where n denotes the capacitor and is a natural number. In various embodiments of the method 300 can the capacitor structure 104 be formed with two or more plate capacitors. In various embodiments of the method 300 can be two or more capacitors of the capacitor structure 104 be formed as a stack of capacitors. In various embodiments of the method 300 can be two or more capacitors of the capacitor structure 104 be formed next to each other.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit einem zweiten Kondensator 104-2 mit einer fünften Elektrode, einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode ausgebildet werden, wobei die fünfte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet wird derart, dass der zweite Kondensator 104-2 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann der zweite Kondensator 104-2 elektrisch parallel oder elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator 104-1 ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 mit einer gemeinsamen Elektrode ausgebildet werden, beispielsweise als und/oder aus einer gemeinsamen elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 derart ausgebildet werden, dass der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 eine ungefähr gleiche Kapazität aufweisen.In various embodiments of the method 300 can the capacitor structure 104 with a second capacitor 104-2 formed with a fifth electrode, a second dielectric and a sixth electrode, wherein the fifth electrode with the first electrode or the second electrode, and the sixth electrode with the first electrode or the second electrode is electrically connected such that the second capacitor 104-2 electrically parallel to the optically active structure 106 is trained. In various embodiments of the method 300 can the second capacitor 104-2 electrically in parallel or electrically in series with the first capacitor 104-1 be formed. In various embodiments of the method 300 can be the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 be formed with a common electrode, for example, as and / or formed from a common electrically conductive layer. In various embodiments of the method 300 can the capacitor structure 104 be formed such that the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 have an approximately equal capacity.

In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 wird die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet. In einem anderen Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 wird der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet. In einem anderen Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 wird die optisch aktive Struktur 106 zwischen dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet.In one embodiment of the method 300 becomes the optically active structure 106 on or above the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 educated. In another embodiment of the method 300 becomes the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 on or over the optically active structure 106 educated. In another embodiment of the method 300 becomes the optically active structure 106 between the first capacitor 104-1 and the second capacitor 104-2 educated.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet werden.In various embodiments of the method 300 For example, the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode can be made at least translucent.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Kondensatorstruktur 104 einen ersten Kondensator 104-1 auf. Der erste Kondensator 104 weist wenigstens eine dritte Elektrode 110, ein Dielektrikum 406, 404, und eine vierte Elektrode 402 auf.In various embodiments, the capacitor structure 104 a first capacitor 104-1 on. The first capacitor 104 has at least one third electrode 110 , a dielectric 406 . 404 , and a fourth electrode 402 on.

Die Elektroden eines Kondensators der Kondensatorstruktur können jeweils als eine elektrisch leitende Schicht 402 ausgebildet sein, beispielsweise für den Fall, dass die dritte Elektrode und die vierte Elektrode in ihrer Ausgestaltung austauschbar sind, beispielsweise gleich ausgebildet sind, beispielsweise veranschaulicht in 4C, D, F–K. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Elektrode eines Kondensators als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht einer anderen elektrisch funktionalen Struktur ausgebildet sein. Beispielsweise kann die dritte Elektrode 110 des ersten Kondensators 104-1 gleich der ersten Elektrode 110 der optisch aktiven Struktur 106 sein, beispielsweise mit dieser identisch sein – beispielsweise veranschaulich in 4A. Alternativ kann eine Elektrode des Kondensators als eine elektrisch leitende Schicht 402 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die vierte Elektrode 402 des ersten Kondensators mit der zweiten Elektrode 114 der optisch aktiven Struktur 106 elektrisch verbunden sein derart, dass die Kondensatorstruktur 104 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist, beispielsweise veranschaulicht in 4C, D, F–K. Die dritte Elektrode bzw. die vierte Elektrode des Kondensators 104-1 können gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein, siehe Beschreibung oben.The electrodes of a capacitor of the capacitor structure may each act as an electrically conductive layer 402 be formed, for example, in the event that the third electrode and the fourth electrode are interchangeable in their configuration, for example, are the same, for example, illustrated in 4C , D, F-K. In various embodiments, one electrode of a capacitor may be formed as a common electrically conductive layer of another electrically functional structure. For example, the third electrode 110 of the first capacitor 104-1 equal to the first electrode 110 the optically active structure 106 be, for example, be identical to this - for example, in FIG 4A , Alternatively, one electrode of the capacitor may be used as an electrically conductive layer 402 be educated. For example, the fourth electrode 402 of the first capacitor with the second electrode 114 the optically active structure 106 be electrically connected such that the capacitor structure 104 electrically parallel to the optically active structure 106 is formed, for example, illustrated in 4C , D, F-K. The third electrode or the fourth electrode of the capacitor 104-1 may according to one of the embodiments of the first electrode 110 and / or the second electrode 114 be trained, see description above.

Die optisch aktive Struktur 106 kann mittels eines ersten elektrischen Anschluss 412 und eines zweiten elektrischen Anschlusses 414 elektrisch bestrombar sein, beispielsweise mit einem elektronischen Vorschaltgerätes (EVG) verbindbar und bestrombar.The optically active structure 106 can by means of a first electrical connection 412 and a second electrical connection 414 be electrically energized, for example, with an electronic ballast (ECG) connected and energized.

In einem Ausführungsbeispiel weist das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 eine einzige dielektrische Schicht auf, beispielsweise eine Barriereschicht – beispielsweise veranschaulicht in 4B.In one embodiment, the dielectric of the first capacitor 104-1 a single dielectric layer, for example a barrier layer - for example illustrated in FIG 4B ,

In einem anderen Ausführungsbeispiel kann das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 zwei oder mehr dielektrische Schichten aufweisen beispielsweise veranschaulicht in 4A und 4E. Beispielsweise kann das Dielektrikum eine Barriereschicht 406 und eine elektrisch isolierende Schicht 404 aus einem elektrisch nichtleitenden und/oder einem dielektrischen Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Somit kann die Kondensatorstruktur 104 bezüglich der Barriereschicht 406 ein Teil einer Verkapselungsstruktur sein oder aufweisen. Die Barriereschicht 406 des Kondensators 104-1 kann beispielsweise hermetisch dicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet sein und die optisch aktive Struktur 106 dadurch hinsichtlich einer Diffusion der Stoffe von der Seite des Trägers 102 aus hermetisch abdichten. Die Barriereschicht 406 des Kondensators 104-1 kann beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Barriereschicht 208 der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet sein. Mittels der elektrisch isolierenden Schicht 404 kann eine vorgegebene Kapazität eingestellt werden. Weiterhin kann die elektrisch isolierende Schicht 404 und/oder die Barriereschicht 406 als eine haftvermittelnde Schicht ausgebildet sein, beispielsweise bezüglich der dritten Elektrode 110 und/oder der vierten Elektrode 402. Beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht 404 mit einem technisch einfacheren, schnelleren und/oder kostengünstigeren Verfahren ausgebildet werden als die Barriereschicht 406, beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht 404 eine größere Porosität aufweisen. Weiterhin kann die Verkapselungsstruktur gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barriereschicht 406 oder die elektrisch isolierende Schicht 404 optional sein.In another embodiment, the dielectric of the first capacitor 104-1 For example, two or more dielectric layers are illustrated in FIG 4A and 4E , For example, the dielectric may be a barrier layer 406 and an electrically insulating layer 404 be made of an electrically non-conductive and / or a dielectric material or be formed therefrom. Thus, the capacitor structure 104 with respect to the barrier layer 406 be part of an encapsulation structure or have. The barrier layer 406 of the capacitor 104-1 For example, it may be hermetically sealed with respect to water and / or oxygen and the optically active structure 106 thereby with respect to a diffusion of the substances from the side of the carrier 102 from hermetically seal. The barrier layer 406 of the capacitor 104-1 For example, according to one of the embodiments of the barrier layer 208 the optically active structure 106 be educated. By means of the electrically insulating layer 404 a preset capacity can be set. Furthermore, the electrically insulating layer 404 and / or the barrier layer 406 be formed as an adhesion-promoting layer, for example with respect to the third electrode 110 and / or the fourth electrode 402 , For example, the electrically insulating layer 404 be formed with a technically simpler, faster and / or cheaper method than the barrier layer 406 For example, the electrically insulating layer 404 have a greater porosity. Furthermore, the encapsulation structure may be formed according to one of the embodiments described above. In various embodiments, the barrier layer 406 or the electrically insulating layer 404 be optional.

In einem Ausführungsbeispiel kann die vierte Elektrode 402 auf oder über einem Träger 102 und/oder einem hermetisch dichten Substrat 128 ausgebildet sein – beispielsweise veranschaulicht in 4A. In einem anderen Ausführungsbeispiel kann der Träger 102 bzw. das hermetisch dichte Substrat 128 als vierte Elektrode ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in 4B und 4E als elektrisch leitender Träger 408, oder die vierte Elektrode aufweisen.In one embodiment, the fourth electrode 402 on or over a carrier 102 and / or a hermetically sealed substrate 128 be formed - for example, illustrated in 4A , In another embodiment, the carrier 102 or the hermetically sealed substrate 128 be formed as a fourth electrode, for example, illustrated in FIG 4B and 4E as an electrically conductive carrier 408 , or have the fourth electrode.

In einem Ausführungsbeispiel kann das Dielektrikum einen geöffneten Bereich aufweisen, wobei beispielsweise die zweite Elektrode 114 im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode 408 elektrisch verbunden ist. Beispielsweise kann ein hermetisch dichtes Substrat 128 einen elektrisch leitenden Träger 102 und eine Barriereschicht 204 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen aufweisen. Somit kann das hermetisch dichte Substrat 128 die vierte Elektrode und das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 aufweisen. Der erste Kondensator 104-1 kann dann aus erster Elektrode 110 und hermetisch dichtem Substrat 128 mit elektrisch leitendem Träger bzw. einem elektrisch leitenden Träger 408 und wenigstens einer dielektrischen Schicht 406 gebildet werden, beispielsweise insofern der elektrisch leitende Träger elektrisch mit der zweiten Elektrode 114 elektrisch verbunden ist. Mit anderen Worten: in einem Ausführungsbeispiel kann auf einem elektrisch leitenden Träger 102 eine dielektrische Schicht, beispielsweise Barriereschicht 204, ausgebildet sein. Auf der dielektrischen Schicht ist die erste Elektrode 110 der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet. Die erste Elektrode 110 ist mittels der dielektrischen Schicht von dem elektrisch leitenden Träger 102 elektrisch isoliert. Auf der ersten Elektrode 110 sind die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114 ausgebildet. Die zweite Elektrode ist elektrisch isoliert von der ersten Elektrode 110 in einen Kontaktbereich (Kontaktpad-Bereich) auf den elektrisch leitenden Träger 102 herunter geführt. Im Kontaktpad-Bereich der zweiten Elektrode 114 ist die dielektrische Schicht geöffnet (geöffneter Bereich), sodass die zweite Elektrode 114 direkt mit dem elektrisch leitenden Träger elektrisch verbunden ist in dem geöffneten Bereich der dielektrischen Schicht. Die zweite Elektrode 114 kann in dem Kontaktpad-Bereich oder durch den elektrisch leitenden Träger bestromt werden. Dadurch wird mittels des elektrisch leitenden Trägers 102, der dielektrischen Schicht auf dem Träger 102 und der ersten Elektrode 110 mittels der elektrischen Verbindung von zweiter Elektrode 114 und elektrisch leitendem Träger im geöffneten Bereich der dielektrischen Schicht ein Kondensator 104-1 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 realisiert. Analog kann die erste Elektrode 110 mit einer elektrisch leitenden Abdeckung 224 in einem geöffneten Bereich der zweiten Barriereschicht 208 elektrisch verbunden sein.In one embodiment, the dielectric may have an opened region, wherein, for example, the second electrode 114 in the open area with the fourth electrode 408 electrically connected. For example, a hermetically sealed substrate 128 an electrically conductive carrier 102 and a barrier layer 204 according to one of the embodiments described above. Thus, the hermetically sealed substrate 128 the fourth electrode and the dielectric of the first capacitor 104-1 exhibit. The first capacitor 104-1 can then be from first electrode 110 and hermetically sealed substrate 128 with electrically conductive carrier or an electrically conductive carrier 408 and at least one dielectric layer 406 are formed, for example, insofar as the electrically conductive carrier electrically to the second electrode 114 electrically connected. In other words, in one embodiment, on an electrically conductive support 102 a dielectric layer, for example a barrier layer 204 be trained. On the dielectric layer is the first electrode 110 the optically active structure 106 educated. The first electrode 110 is by means of the dielectric layer of the electrically conductive support 102 electrically isolated. On the first electrode 110 are the organic functional layer structure 112 and the second electrode 114 educated. The second electrode is electrically isolated from the first electrode 110 in a contact area (contact pad area) on the electrically conductive support 102 run down. In the contact pad area of the second electrode 114 the dielectric layer is open (opened area), so that the second electrode 114 is electrically connected directly to the electrically conductive carrier in the open region of the dielectric layer. The second electrode 114 can be energized in the contact pad area or by the electrically conductive carrier. As a result, by means of the electrically conductive support 102 , the dielectric layer on the support 102 and the first electrode 110 by means of the electrical connection of the second electrode 114 and electrically conductive carrier in the open region of the dielectric layer, a capacitor 104-1 electrically parallel to the optically active structure 106 realized. Analogously, the first electrode 110 with an electrically conductive cover 224 in an opened area of the second barrier layer 208 be electrically connected.

Dadurch können die zweite Elektrode 114, die zweite Barriereschicht 208, die elektrisch leitende Abdeckung 224 und ggfs. die Haftschicht 222 einen Kondensator ausbilden, der elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ist.This allows the second electrode 114 , the second barrier layer 208 , the electrically conductive cover 224 and optionally the adhesive layer 222 form a capacitor which is electrically parallel to the optically active structure 106 is.

Die Kapazität des ersten Kondensators 104-1 ist unabhängig vom Betriebszustand der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet.The capacity of the first capacitor 104-1 is independent of the operating state of the optically active structure 106 educated.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 auf den zwei oder mehr Kondensatoren ausgebildet sein – beispielsweise veranschaulicht in 4A bis 4E. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise als Top-Emitter oder Bottom-Emitter ausgebildet sein.In various embodiments, the optically active structure 106 be formed on the two or more capacitors - for example, illustrated in 4A to 4E , The optoelectronic component 100 may be formed for example as a top emitter or bottom emitter.

Bei einem beispielsweise als Bottom-Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und dem Träger 102, sollten der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren wenigstens transluzent ausgebildet sein, beispielsweise transparent. Beispielsweise können die dritte Elektrode und die vierte Elektrode bzw. das Dielektrikum gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen einer wenigstens transluzenten elektrisch leitenden bzw. elektrisch nicht-leitenden Schicht ausgebildet sein.In an example designed as a bottom emitter optoelectronic device 100 with a capacitor or multiple capacitors between the optically active structure 106 and the carrier 102 , the one or more capacitors should be at least translucent, for example transparent. By way of example, the third electrode and the fourth electrode or the dielectric may be formed in accordance with one of the embodiments of an at least translucent, electrically conductive or electrically non-conductive layer described above.

Bei einem beispielsweise als Top-Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und dem Träger 102, können der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren beispielsweise opak ausgebildet sein, beispielsweise spiegelnd.In an example designed as a top emitter optoelectronic device 100 with a capacitor or multiple capacitors between the optically active structure 106 and the carrier 102 For example, the one or more capacitors may be opaque, for example, reflective.

Bei einer wenigstens teilweise opaken Kondensatorstruktur 104 und einem optoelektronischen Bauelement 100 das beispielsweise Bottom-Emitter ausgebildet ist, kann die Kondensatorstruktur 104 beispielsweise auf der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet sein (beispielsweise veranschaulicht in 4F). Die Kondensatorstruktur 104 kann in diesem Ausführungsbeispiel weiterhin als Spiegelstruktur und/oder Verkapselungsstruktur 226 ausgebildet sein, beispielsweise ein Teil der Verkapselungsstruktur 226 sein, beispielsweise kann das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 als zweite Barriereschicht 208 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.In an at least partially opaque capacitor structure 104 and an optoelectronic device 100 which is formed, for example, bottom emitter, the capacitor structure 104 for example, on the optically active structure 106 be formed (for example, illustrated in 4F ). The capacitor structure 104 may in this embodiment continue as a mirror structure and / or encapsulation structure 226 be formed, for example, a part of the encapsulation structure 226 For example, the dielectric of the first capacitor 104-1 as a second barrier layer 208 be formed according to one of the embodiments described above.

In ein Ausführungsbeispiel kann eine Barriereschicht 208, die als Dielektrikum eines Kondensators 104-n der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet ist, ein sogenanntes „high-k-Dielektrikum” sein, mit einer höheren Dielektrizitätszahl als ein Siliziumoxid oder ein Oxinitrid. Beispielsweise kann die Barriereschicht eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Yttriumoxid, Zirkonoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Praseodymoxid und/oder Titanoxid.In one embodiment, a barrier layer 208 acting as a dielectric of a capacitor 104-n the capacitor structure 104 is designed to be a so-called "high-k dielectric" with a higher dielectric constant than a silicon oxide or an oxynitride. By way of example, the barrier layer may comprise or be formed from one of the following materials: silicon nitride, aluminum oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, lanthanum oxide, tantalum oxide, praseodymium oxide and / or titanium oxide.

Bei einem beispielsweise als Top-Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren auf der optisch aktiven Struktur 106, beispielsweise veranschaulicht in 4G, sollten der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren wenigstens transluzent ausgebildet sein, beispielsweise transparent. Beispielsweise können die dritte Elektrode und die vierte Elektrode bzw. das Dielektrikum gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen einer wenigstens transluzenten elektrisch leitenden bzw. elektrisch nicht-leitenden Schicht ausgebildet sein.In an example designed as a top emitter optoelectronic device 100 with one or more capacitors on the optically active structure 106 , for example, illustrated in 4G , the one or more capacitors should be at least translucent, for example transparent. By way of example, the third electrode and the fourth electrode or the dielectric may be formed in accordance with one of the embodiments of an at least translucent, electrically conductive or electrically non-conductive layer described above.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 einen ersten Kondensator 104-1, einen zweiten Kondensator 104-2 (beispielsweise veranschaulicht in 4C), einen dritten Kondensator 104-3 (beispielsweise veranschaulicht in 4D) und/oder mehr Kondensatoren 104-n (beispielsweise veranschaulicht in 1D) aufweisen. Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 können benachbart sein, beispielsweise sich eine gemeinsame Elektrode bzw. eine elektrisch leitende Schicht teilen (beispielsweise veranschaulicht in 4C und 4D). Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 sind bezüglich der elektrischen Kopplung bzw. elektrischen Verbindung mit der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 derart ausgebildet, dass die zwei oder mehr Kondensatoren elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur sind (beispielsweise veranschaulicht in 4C und 4D). Die zwei oder mehr Kondensatoren können bezüglich einander elektrisch parallel und/oder in Reihe ausgebildet sein derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist. Dadurch kann beispielsweise die Durchbruchwahrscheinlichkeit eines Kondensators reduziert werden; und/oder die Kapazität und/oder Impedanz der Kondensatorstruktur 104 eingestellt werden. Beispielsweise können die zwei oder mehr Kondensatoren gleich Kapazitäten aufweisen.In various embodiments, the capacitor structure 104 a first capacitor 104-1 , a second capacitor 104-2 (Illustrated in, for example 4C ), a third capacitor 104-3 (Illustrated in, for example 4D ) and / or more capacitors 104-n (Illustrated in, for example 1D ) exhibit. The two or more capacitors of the capacitor structure 104 may be adjacent, for example, sharing a common electrode or layer (e.g., illustrated in FIG 4C and 4D ). The two or more capacitors of the capacitor structure 104 are with respect to the electrical coupling or electrical connection with the first electrode 110 and / or the second electrode 114 formed such that the two or more capacitors are electrically parallel to the optically active structure (for example, illustrated in FIG 4C and 4D ). The two or more capacitors may be electrically parallel with respect to each other and / or formed in series such that the capacitor structure is electrically parallel to the optically active structure 106 is trained. As a result, for example, the breakdown probability of a capacitor can be reduced; and / or the capacitance and / or impedance of the capacitor structure 104 be set. For example, the two or more capacitors may have equal capacitances.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 zwischen zwei oder mehr Kondensatoren und/oder neben einem oder mehreren Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die beschriebene Kondensatorstruktur 104 im optisch inaktiven Randbereich des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein, beispielsweise unter oder auf den elektrischen Anschlüssen 412, 414.In various embodiments, the optically active structure 106 between two or more capacitors and / or adjacent one or more capacitors of the capacitor structure 104 be educated. For example, can the described capacitor structure 104 be formed in the optically inactive edge region of the optoelectronic component, for example, under or on the electrical connections 412 . 414 ,

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 als eine Folie oder ein Folienstapel ausgebildet – veranschaulicht in 4H, J, K. Eine Folie kann beispielsweise eine metallbeschichtete Kunststofffolie oder eine kunststoffbeschichtete Metallfolie sein. Der Kunststoff der Folie kann das Dielektrikum 404 oder einen Teil des Dielektrikums 404 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. Das Metall der Folie kann eine Elektrode 402 oder einen Teil einer Elektrode 402 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden.In various embodiments, the capacitor structure 104 formed as a film or a film stack - illustrated in 4H , J, K. A film may be, for example, a metal-coated plastic film or a plastic-coated metal foil. The plastic of the film may be the dielectric 404 or part of the dielectric 404 the capacitor structure 104 form. The metal of the foil may be an electrode 402 or part of an electrode 402 the capacitor structure 104 form.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Folie auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 angeordnet sein, beispielsweise mittels einer schlüssigen Verbindungsschicht 222 mit dem optisch aktiven Bereich verbunden sein, beispielsweise mittels einer oben beschriebenen Klebstoffschicht.In various embodiments, the film may be on or over the optically active structure 106 be arranged, for example by means of a coherent connection layer 222 be connected to the optically active region, for example by means of an adhesive layer described above.

Eine Folie kann eine Elektrode 402 oder mehrere der Elektroden 402 eines Kondensators der Kondensatorstruktur aufweisen. Beispielsweise kann eine Kunststofffolie einseitig oder beidseitig mit einer Metallschicht beschichtet sein.A foil can be an electrode 402 or more of the electrodes 402 having a capacitor of the capacitor structure. For example, a plastic film may be coated on one or both sides with a metal layer.

In einem Ausführungsbeispiel ist die Kondensatorstruktur 104 oder ein Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 auf der Barrieredünnschicht 208 bzw. der Verkapselungsstruktur 226 des optisch aktiven Bereiches 106 angeordnet, beispielsweise aufgeklebt – veranschaulicht in 4H.In one embodiment, the capacitor structure is 104 or a capacitor 104-1 the capacitor structure 104 on the barrier thin film 208 or the encapsulation structure 226 of the optically active region 106 arranged, for example glued - illustrated in 4H ,

In einem Ausführungsbeispiel ist die Kondensatorstruktur 104 oder ein Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 auf dem Träger 102 bzw. einer Verkapselung 226 angeordnet, beispielsweise aufgeklebt – veranschaulicht in 4J. In einem Ausführungsbeispiel ist die optisch aktive Struktur 106 auf der Kondensatorstruktur 104 oder einem Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet – veranschaulicht in 4K. Zur Planarisierung und/oder hermetischen Abdichtung kann eine Barriereschicht 208 und/oder eine Planarisierungsschicht 416 zwischen dem Kondensator 104-1 und dem optisch aktiven Beriech 106 ausgebildet sein.In one embodiment, the capacitor structure is 104 or a capacitor 104-1 the capacitor structure 104 on the carrier 102 or an encapsulation 226 arranged, for example glued - illustrated in 4J , In one embodiment, the optically active structure is 106 on the capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 the capacitor structure 104 educated - illustrated in 4K , For planarization and / or hermetic sealing can be a barrier layer 208 and / or a planarization layer 416 between the capacitor 104-1 and the optically active region 106 be educated.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen mit einer beidseitig metallbeschichten Kunststofffolie, kann die Folie die Kondensatorstruktur 104 oder einen Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet werden, beispielsweise indem die Metallschichten der Folien elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 kontaktiert werden. Alternativ oder zusätzlich kann die Folie, beispielweise eine einseitig oder beidseitig metallbeschichtete Folie, mit einer der Elektroden der optisch aktiven Struktur 106 die Kondensatorstruktur 104 oder einen Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. Beispielsweise kann der Kunststoff der metallbeschichteten Kunststofffolie und die Verkapselungsstruktur 226 bzw. ein Teil der Verkapselungsstruktur 226, beispielsweise die Barrieredünnschicht 208; und/oder der Träger 102 das Dielektrikum eines Kondensators der Kondensatorstruktur 104 ausbilden.In various embodiments with a plastic film coated on both sides, the film may have the capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 the capacitor structure 104 be formed, for example by the metal layers of the films electrically parallel to the optically active structure 106 be contacted. Alternatively or additionally, the film, for example a film coated on one or both sides with one of the electrodes of the optically active structure 106 the capacitor structure 104 or a capacitor 104-1 the capacitor structure 104 form. For example, the plastic of the metal-coated plastic film and the encapsulation structure 226 or part of the encapsulation structure 226 , for example the barrier thin film 208 ; and / or the carrier 102 the dielectric of a capacitor of the capacitor structure 104 form.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Kunststoff einer metallbeschichteten Kunststofffolie oder kunststoffbeschichteten Metallfolie eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Polyethylenterephthalat bzw. Polyester, ein Polyethylennaphthalat, ein Polyphenylensulfid, ein Polypropylen, ein Polytetrafluorethylen, ein Polystyrol, ein Polyimid, ein Polyamid und/oder ein Polycarbonat.In various embodiments, the plastic of a metal-coated plastic film or plastic-coated metal foil may comprise or be formed from one of the following: a polyethylene terephthalate or polyester, a polyethylene naphthalate, a polyphenylene sulfide, a polypropylene, a polytetrafluoroethylene, a polystyrene, a polyimide, a polyamide and / or a polycarbonate.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 einen Kondensator oder mehrere Kondensatoren aufweisen, zwei oder mehrere Kondensatoren können in der Kondensatorstruktur elektrisch in Reihe oder parallel zueinander ausgebildet sein.In various embodiments, the capacitor structure 104 a capacitor or a plurality of capacitors, two or more capacitors may be formed in the capacitor structure electrically in series or parallel to each other.

Ein Kondensator der Kondensatorstruktur kann wenigstens eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Polyethylenterephthalat bzw. Polyester, ein Polyethylennaphthalat, ein Polyphenylensulfid, ein Polypropylen, ein Polytetrafluorethylen, ein Polystyrol, ein Polyimid, ein Polyamid, ein Polycarbonat, ein Polyacrylat, ein Polyalkohol, beispielsweise ein Polyvinylalkohol und/oder ein Polysiloxan; ein Metalloxid, beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Indiumzinkoxid, Indiumzinnoxid, Siliziumoxid; ein Metalloxinitrid, beispielsweise der genannten Materialien; ein sogenanntes „high-k-Dielektrikum”, beispielsweise Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Yttriumoxid, Zirkonoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Praseodymoxid und/oder Titanoxid; ein Glas, beispielsweise ein Kalknatronsilikatglas; ein Metall oder eine Metalllegierung, beispielsweise Kupfer, Aluminium, Stahl; – beispielsweise jeweils zusätzlich in der Funktion als Klebstoff, Planarisierungsschicht, Folie, Träger, Abdeckung und/oder Barriereschicht.A capacitor of the capacitor structure may include or may be formed of at least one of the following materials: a polyethylene terephthalate, a polyethylene naphthalate, a polyphenylene sulfide, a polypropylene, a polytetrafluoroethylene, a polystyrene, a polyimide, a polyamide, a polycarbonate, a polyacrylate Polyalcohol, for example a polyvinyl alcohol and / or a polysiloxane; a metal oxide, for example, zinc oxide, tin oxide, indium zinc oxide, indium tin oxide, silicon oxide; a metal oxynitride, for example the said materials; a so-called "high-k dielectric", for example silicon nitride, aluminum oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, lanthanum oxide, tantalum oxide, praseodymium oxide and / or titanium oxide; a glass, for example a soda lime silicate glass; a metal or a metal alloy, for example, copper, aluminum, steel; - For example, each additionally in the function of adhesive, planarization layer, film, carrier, cover and / or barrier layer.

Weiterhin kann das Dielektrikum in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Material der oben genannten Materialien der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise eine der oben genannten Matrix-Materialien einer dotierten Schicht. Dies weist den Vorteil auf, dass die Materialien und die Handhabung der Materialien bereits aus dem Herstellen des optoelektronischen Bauelementes bekannt sind Die Kapazität der Kondensatorstruktur kann eingestellt werden mittels der Materialauswahl des Dielektrikums (eine höhere Dielektrizitätskonstante führt zu einer höheren Kapazität), der Fläche des Dielektrikums zwischen den Elektroden eines Kondensators (eine höhere Fläche führt zu einer höheren Kapazität), der Dicke des Dielektrikums (eine geringere Dicke führt zu einer höheren Kapazität) und/oder der Anzahl elektrisch parallel oder in Reihe geschalteter Kondensatoren. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Dielektrikum eines Kondensators der Kondensatorstruktur bzw. die Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der Kondensator bzw. die Kondensatorstruktur eine Kapazität aufweist in einem Bereich von ungefähr 1 nF bis ungefähr 100 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 100 nF bis 10 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 110 nF bis 7 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 120 nF bis 50 μF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 120 nF bis 50 μF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 μF bis 50 μF; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nF bis 1 μF; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μF bis 100 μF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 100 μF bis 1 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 mF bis 10 mF.Furthermore, in various exemplary embodiments, the dielectric may include or be formed from a material of the abovementioned materials of the organic functional layer structure, for example one of the abovementioned matrix materials of a doped layer. This has the advantage that the materials and the handling of the materials are already known from the production of the optoelectronic component. The capacitance of the capacitor structure can be adjusted by means of the material selection of the dielectric (a higher dielectric constant leads to a higher capacitance), the surface of the dielectric between the electrodes of a capacitor (a higher area leads to a higher capacitance), the thickness of the dielectric (a smaller thickness leads to a higher capacitance) and / or the number of electrically parallel or series connected capacitors. In various embodiments, the dielectric of a capacitor of the capacitor structure or the capacitor structure may be formed such that the capacitor or the capacitor structure has a capacitance in a range of about 1 nF to about 100 mF, for example in a range of about 100 nF to 10 mF, for example, in a range of about 110 nF to 7 mF, for example in a range of about 120 nF to 50 μF, for example in a range of about 120 nF to 50 μF, for example in a range of about 10 μF to 50 μF; for example, in a range of about 1 nF to 1 μF; for example in a range of about 1 μF to 100 μF, for example in a range of about 100 μF to 1 mF, for example in a range of about 1 mF to 10 mF.

Das Dielektrikum kann in verschieden Ausführungsbeispielen beispielsweise eine Fläche in einem Bereich von einigen mm² bis zu einige 10000 cm² aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 700 cm² bis ungefähr 10000 cm², beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 750 cm² bis ungefähr 9000 cm², beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1100 cm² bis ungefähr 9000 cm². Die Fläche kann die Form der Fläche oder eines Teils der Fläche der optisch aktiven Struktur 106 aufweisen, beispielsweise ein runde, quadratische eckige, vieleckig Form aufweisen. Weiterhin kann ein Kondensator zwei oder mehr räumlich voneinander isolierte Dielektrika aufweisen.For example, in various embodiments, the dielectric may have an area in a range of a few mm ² to a few 10000 cm ² , for example, in a range of about 700 cm ² to about 10000 cm ² , for example, in a range of about 750 cm ² to about 9000 cm ² , for example in a range of about 1100 cm ² to about 9000 cm ² . The area may be the shape of the area or part of the area of the optically active structure 106 have, for example, a round, square polygonal, polygonal shape. Furthermore, a capacitor may have two or more dielectrics isolated spatially from one another.

Das Dielektrikum kann in verschieden Ausführungsbeispielen beispielsweise eine Dicke in einem Bereich von einigen nm bis zu einige μm aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 20 μm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 10 μm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 5 μm; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 2 μm; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 μm bis ungefähr 7 μm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 5 μm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 2 μm bis ungefähr 4 μm.For example, in various embodiments, the dielectric may have a thickness in the range of several nm to several μm, for example in a range of about 5 nm to about 20 μm, for example in a range of about 10 nm to about 10 μm, for example in one Range from about 20 nm to about 5 μm; for example, in a range of about 50 nm to about 2 μm; for example, in a range of about 10 nm to about 100 nm, for example, in a range of about 20 nm to about 50 nm; for example, in a range of about 0.1 μm to about 7 μm, for example in a range of about 1 μm to about 5 μm, for example in a range of about 2 μm to about 4 μm.

Die weiteren der in den 4A–K veranschaulichten Schichten und Bezugszeichen siehe Beschreibung oben.The others in the 4A -K illustrated layers and reference numbers see description above.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Merkmale der beschriebenen Ausgestaltungen miteinander kombiniert sein, soweit dies sinnvoll ist bezüglich der Parallelschaltung der Kondensatorstruktur 104 zu der optisch aktiven Struktur 106.In various embodiments, the features of the embodiments described may be combined with each other, as far as is appropriate with respect to the parallel connection of the capacitor structure 104 to the optically active structure 106 ,

Claims

Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend einen Schichtenstapel mit: • einer optisch aktiven Struktur (106) mit • einer ersten Elektrode (110); • einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112); und • einer zweiten Elektrode (114); • wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist, und • wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) elektrisch zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) in dem Schichtenstapel ausgebildet ist; und • einer Kondensatorstruktur (104), mit wenigstens einem Kondensator mit: • einer dritten Elektrode, • einem Dielektrikum, und • einer vierten Elektrode, • wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114), und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114) elektrisch verbunden sind derart, dass die Kondensatorstruktur (104) elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur (106) ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 100 ), comprising a layer stack comprising: an optically active structure ( 106 ) with • a first electrode ( 110 ); An organic functional layer structure ( 112 ); and a second electrode ( 114 ); Where the organic functional layer structure ( 112 ) has a planar optically active region that is configured to convert an electrical current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic radiation into an electrical current, and wherein the organic functional layer structure ( 112 ) electrically between the first electrode ( 110 ) and the second electrode ( 114 ) is formed in the layer stack; and a capacitor structure ( 104 ), comprising at least one capacitor having: a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode, the third electrode being connected to the first electrode, 110 ) or the second electrode ( 114 ), and the fourth electrode with the first electrode ( 110 ) or the second electrode ( 114 ) are electrically connected such that the capacitor structure ( 104 ) electrically parallel to the optically active structure ( 106 ) is trained.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei das optoelektronische Bauelement (100) als ein organisches optoelektronisches Bauelement (100) ausgebildet ist, vorzugsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode. Optoelectronic component ( 100 ) according to claim 1, wherein the optoelectronic component ( 100 ) as an organic optoelectronic device ( 100 ), preferably as an organic photodetector, an organic solar cell and / or an organic light emitting diode.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei das optoelektronische Bauelement (100) derart ausgebildet ist, dass die Kondensatorstruktur (104) wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur (106) ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 or 2, wherein the optoelectronic component ( 100 ) is formed such that the capacitor structure ( 104 ) at least translucent with respect to the electromagnetic radiation of the optically active structure ( 106 ).

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Kondensator im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur (106) ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 3, wherein the capacitor in the beam path of the electromagnetic radiation of the optically active structure ( 106 ) is trained.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die optisch aktive Struktur (106) und die Kondensatorstruktur (104) monolithisch integriert ausgebildet sind.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 4, wherein the optically active structure ( 106 ) and the capacitor structure ( 104 ) are formed monolithically integrated.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die optisch aktive Struktur (106) und die Kondensatorstruktur (104) eine gemeinsame Elektrode aufweisen, vorzugsweise ist die gemeinsame Elektrode als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 5, wherein the optically active structure ( 106 ) and the capacitor structure ( 104 ) have a common electrode, preferably, the common electrode is formed as a common electrically conductive layer.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner aufweisend eine Verkapselungsstruktur (226) auf oder über dem Schichtenstapel derart, dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 6, further comprising an encapsulation structure ( 226 ) on or above the layer stack such that the layer stack is hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, ferner aufweisend eine Verkapselungsstruktur (226) auf oder über dem Schichtenstapel, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der Verkapselungsstruktur (226) ausgebildet sind/ist, vorzugsweise als Abdeckung (224) oder Barriereschicht (208).Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 7, further comprising an encapsulation structure ( 226 ) on or above the layer stack, wherein the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode as part of the encapsulation structure ( 226 ) are formed, preferably as a cover ( 224 ) or barrier layer ( 208 ).

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Dielektrikum als eine Barriereschicht für die optisch aktive Struktur (106) bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet ist oder eine solche aufweist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 8, wherein the dielectric is used as a barrier layer for the optically active structure ( 106 ) with respect to water and / or oxygen is formed or has such.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Dielektrikum einen geöffneten Bereich aufweist, wobei die zweite Elektrode (114) im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode elektrisch verbunden ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 9, wherein the dielectric has an opened region, wherein the second electrode ( 114 ) is electrically connected in the opened area with the fourth electrode.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner aufweisend einen Träger (102), wobei die optisch aktive Struktur (106) auf oder über dem Träger (102) ausgebildet ist und wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger (102) ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to any one of claims 1 to 10, further comprising a carrier ( 102 ), wherein the optically active structure ( 106 ) on or above the carrier ( 102 ) and wherein the third electrode or the fourth electrode as carrier ( 102 ) is trained.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Kondensatorstruktur (104) zwei oder mehr Kondensatoren (104-n) aufweist.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 11, wherein the capacitor structure ( 104 ) two or more capacitors ( 104-n ) having.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 12, wobei die Kondensatorstruktur (104) einen zweiten Kondensator (104-2) aufweist, wobei der zweite Kondensator (104-2) elektrisch in Reihe oder parallel zu dem ersten Kondensator (104-1) ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 100 ) according to claim 12, wherein the capacitor structure ( 104 ) a second capacitor ( 104-2 ), wherein the second capacitor ( 104-2 ) electrically in series or parallel to the first capacitor ( 104-1 ) is trained.

Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet sind.Optoelectronic component ( 100 ) according to one of claims 1 to 13, wherein the third electrode, the dielectric and / or the fourth electrode are formed at least translucent.

Verfahren (300) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (100), das Verfahren (300) aufweisend: Ausbilden eines Schichtenstapel mit: • einer optisch aktiven Struktur (106) mit • einer ersten Elektrode (110); • einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (112); und • einer zweiten Elektrode (114); • wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird, und • wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur (112) elektrisch zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) in dem Schichtenstapel ausgebildet wird; und • einer Kondensatorstruktur (104), mit wenigstens einem Kondensator mit: • einer dritten Elektrode, • einem Dielektrikum, und • einer vierten Elektrode, • wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114), und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode (110) oder der zweiten Elektrode (114) elektrisch verbunden ausgebildet wird derart, dass die Kondensatorstruktur (104) elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur (106) ausgebildet wird.Procedure ( 300 ) for producing an optoelectronic component ( 100 ), the procedure ( 300 ) comprising: forming a layer stack comprising: an optically active structure ( 106 ) with • a first electrode ( 110 ); An organic functional layer structure ( 112 ); and a second electrode ( 114 ); Where the organic functional layer structure ( 112 ) has a planar optically active region which is formed to convert an electric current into an electromagnetic radiation and / or to convert an electromagnetic radiation into an electric current, and wherein the organic functional layer structure ( 112 ) electrically between the first electrode ( 110 ) and the second electrode ( 114 ) is formed in the layer stack; and a capacitor structure ( 104 ), comprising at least one capacitor having: a third electrode, a dielectric, and a fourth electrode, the third electrode being connected to the first electrode, 110 ) or the second electrode ( 114 ), and the fourth electrode with the first electrode ( 110 ) or the second electrode ( 114 ) is electrically connected such that the capacitor structure ( 104 ) electrically parallel to the optically active structure ( 106 ) is formed.