DE102013111736A1 - Organic light-emitting diode and method for producing an organic light-emitting diode - Google Patents
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Abstract
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine organische lichtemittierende Diode (10) bereitgestellt. Die organische lichtemittierende Diode (10) weist einen Träger (12) auf. Erste strahlformende Elemente (40) sind über dem Träger (12) ausgebildet. Eine erste niedrigbrechende Schicht (42) ist über den ersten strahlformenden Elementen (40) ausgebildet. Die ersten strahlformenden Elemente (40) sind zumindest teilweise in die erste niedrigbrechende Schicht (40) eingebettet. Eine erste Elektrode (20) ist über der ersten niedrigbrechenden Schicht (40) ausgebildet. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) ist über der ersten Elektrode (20) ausgebildet. Eine zweite Elektrode (23) ist über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet. Ein Abdeckkörper (38) ist über der zweiten Elektrode (23) ausgebildet.In various embodiments, an organic light emitting diode (10) is provided. The organic light emitting diode (10) has a carrier (12). First beam-shaping elements (40) are formed above the carrier (12). A first low refractive layer (42) is formed over the first beam shaping elements (40). The first beam-shaping elements (40) are at least partially embedded in the first low-refraction layer (40). A first electrode (20) is formed over the first low refractive layer (40). An organic functional layer structure (22) is formed over the first electrode (20). A second electrode (23) is formed over the organic functional layer structure (22). A cover body (38) is formed over the second electrode (23).
Description
Die Erfindung betrifft eine organische lichtemittierende Diode und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode.The invention relates to an organic light-emitting diode and a method for producing an organic light-emitting diode.
Organische Leuchtdioden, beispielsweise organische lichtemittierende Dioden (organic light emitting diode – OLED), finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle. Eine OLED kann beispielsweise einen Stapel aus einer Anode, einer Kathode und einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstrukturen aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en) („hole transport layer” – HTL), und/oder eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten, aufweisen.Organic light-emitting diodes, for example organic light-emitting diodes (OLEDs), are finding widespread application in general lighting, for example as surface light sources. For example, an OLED may include a stack of an anode, a cathode, and an organic functional layer system therebetween. The organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structures each consisting of two or more charge generating layers (CGL) for charge carrier pair generation, and one or more emitter layers multiple electron block layers, also referred to as hole transport layer (HTL), and / or one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), to direct current flow , exhibit.
Die Emissionscharakteristik von OLEDs lässt sich nur bedingt durch eine Veränderung des OLED Stapels beeinflussen ohne die Effizienz der OLED zu reduzieren. Bei OLEDs mit effizienter interner Auskoppelung ist gar keine Beeinflussung der OLED-Emission durch den Stapel mehr möglich da die interne Auskoppelung in der Regel mit einer Homogenisierung des erzeugten Lichts einhergeht und zu einer Lambertschen Abstrahlcharakteristik führt.The emission characteristics of OLEDs can only be influenced to a limited extent by a change in the OLED stack without reducing the efficiency of the OLED. In the case of OLEDs with efficient internal decoupling, it is no longer possible to influence the OLED emission through the stack since the internal decoupling generally involves a homogenization of the generated light and leads to a lambertian emission characteristic.
Zur Strahlformung können bei OLEDs beispielsweise Mikrostrukturen, beispielsweise Mikrolinsen, mit oder ohne Verspiegelung, auf äußeren Oberflächen der OLEDs angeordnet werden. Diese Mikrostrukturen sitzen somit vor oder hinter den OLEDs und beeinflussen das Licht, das die entsprechenden OLEDs bereits verlassen hat. Die außen auf der OLED offen aufliegenden Strukturen können jedoch durch Verschmutzungen oder mechanische Beeinträchtigung nachteilig beeinflusst werden. Ferner verändern diese Strukturen das äußere Erscheinungsbild der OLEDs.In the case of OLEDs, for example, microstructures, for example microlenses, with or without mirroring, can be arranged on outer surfaces of the OLEDs for beam shaping. These microstructures thus sit in front of or behind the OLEDs and influence the light that has already left the corresponding OLEDs. However, the externally exposed structures on the OLED can be adversely affected by contamination or mechanical impairment. Furthermore, these structures change the external appearance of the OLEDs.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine organische lichtemittierende Diode bereitgestellt, die eine vorgegebene, beispielsweise nicht homogene, Abstrahlcharakteristik aufweist, deren äußeres Erscheinungsbild in ausgeschaltetem Zustand dem Erscheinungsbild einer homogen leuchtenden organischen lichtemittierenden Diode entspricht, und/oder die eine hohe Effizienz hat.In various embodiments, an organic light-emitting diode is provided which has a predetermined, for example non-homogeneous, radiation characteristic whose external appearance when switched off corresponds to the appearance of a homogeneously illuminating organic light-emitting diode, and / or which has a high efficiency.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode bereitgestellt, das dazu beiträgt, dass die organische lichtemittierende Diode eine vorgegebene, beispielsweise nicht homogene, Abstrahlcharakteristik aufweist, dass das äußere Erscheinungsbild der organischen lichtemittierenden Diode in ausgeschaltetem Zustand dem Erscheinungsbild einer homogen leuchtenden organischen lichtemittierenden Diode entspricht, und/oder dass die organischen lichtemittierenden Diode eine hohe Effizienz hat, und/oder das einfach und/oder kostengünstig durchführbar ist.In various embodiments, a method is provided for producing an organic light-emitting diode, which contributes to the organic light-emitting diode having a predetermined, for example non-homogeneous, radiation characteristic such that the external appearance of the organic light-emitting diode when switched off is the appearance of a homogeneously luminous organic light corresponds to light-emitting diode, and / or that the organic light-emitting diode has a high efficiency, and / or that is simple and / or inexpensive to carry out.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine organische lichtemittierende Diode bereitgestellt. Die organische lichtemittierende Diode weist einen Träger auf. Erste strahlformende Elemente der organischen lichtemittierenden Diode sind über dem Träger ausgebildet. Eine erste niedrigbrechende Schicht der organischen lichtemittierenden Diode ist über den ersten strahlformenden Elementen ausgebildet. Die ersten strahlformenden Elemente sind zumindest teilweise in die erste niedrigbrechende Schicht eingebettet. Eine erste Elektrode der organischen lichtemittierenden Diode ist über der niedrigbrechenden Schicht ausgebildet. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur ist über der ersten Elektrode ausgebildet. Ein Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur ist größer ist als ein erster Brechungsindex der ersten niedrigbrechenden Schicht. Eine zweite Elektrode der organischen lichtemittierenden Diode ist über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Ein Abdeckkörper der organischen lichtemittierenden Diode ist über der zweiten Elektrode ausgebildet.In various embodiments, an organic light emitting diode is provided. The organic light-emitting diode has a support. First beam-shaping elements of the organic light-emitting diode are formed above the carrier. A first low refractive index layer of the organic light emitting diode is formed over the first beam shaping elements. The first beam-shaping elements are at least partially embedded in the first low-refractive-index layer. A first electrode of the organic light emitting diode is formed over the low refractive index layer. An organic functional layer structure is formed over the first electrode. A refractive index of the organic functional layer structure is larger than a first refractive index of the first low-refractive layer. A second electrode of the organic light emitting diode is formed over the organic functional layer structure. A cover body of the organic light-emitting diode is formed over the second electrode.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine organische lichtemittierende Diode bereitgestellt. Die organische lichtemittierende Diode weist einen Träger auf. Eine erste Elektrode der organischen lichtemittierenden Diode ist über dem Träger ausgebildet. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur ist über der ersten Elektrode ausgebildet. Eine zweite Elektrode ist über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Eine zweite niedrigbrechende Schicht ist über der zweiten Elektrode ausgebildet. Ein zweiter Brechungsindex der zweiten niedrigbrechenden Schicht ist kleiner ist als der Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur. Zweite strahlformende Elements der organischen lichtemittierenden Diode sind über der zweiten niedrigbrechenden Schicht ausgebildet und teilweise in die zweite niedrigbrechende Schicht eingebettet. Ein Abdeckkörper der organischen lichtemittierenden Diode ist über den zweiten strahlformenden Elementen ausgebildet.In various embodiments, an organic light emitting diode is provided. The organic light-emitting diode has a support. A first electrode of the organic light emitting diode is formed over the carrier. An organic functional layer structure is formed over the first electrode. A second electrode is formed over the organic functional layer structure. A second low refractive layer is formed over the second electrode. A second refractive index of the second low refractive index layer is smaller than the refractive index of the organic functional layered structure. Second beam-shaping elements of the organic light-emitting diode are formed over the second low refractive index layer and partially embedded in the second low refractive index layer. A cover body of the organic light-emitting diode is formed over the second beam-shaping elements.
Die organische lichtemittierende Diode (OLED) mit den innen liegenden strahlformenden Elementen ermöglicht eine Beeinflussung der OLED Abstrahlcharakteristik ohne das äußere Erscheinungsbild der OLED in ausgeschaltetem Zustand zu beeinflussen und/oder ohne die Effizienz der OLED zu beeinflussen. Insbesondere kann eine inhomogene Abstrahlcharakteristik, beispielsweise eine gerichtete, Abstrahlcharakteristik vorgegeben werden. In diesem Zusammenhang bezeichnet eine homogene Abstrahlcharakteristik beispielsweise eine Lambert'sche Abstrahlcharakteristik und eine inhomogene Abstrahlcharakteristik bezeichnet eine von der Lambert'schen Abstrahlcharakteristik abweichende Abstrahlcharakteristik. Die strahlformenden Elemente erzeugen somit eine inhomogene Lichtverteilung.The organic light-emitting diode (OLED) with the internal jet-forming Elements makes it possible to influence the OLED emission characteristic without influencing the external appearance of the OLED when switched off and / or without influencing the efficiency of the OLED. In particular, an inhomogeneous emission characteristic, for example a directional emission characteristic, can be predetermined. In this context, a homogeneous emission characteristic denotes, for example, a Lambertian emission characteristic and an inhomogeneous emission characteristic designates a radiation characteristic deviating from the Lambertian emission characteristic. The beam-forming elements thus produce an inhomogeneous light distribution.
Die strahlformenden Elemente sind von Außenseiten, beispielsweise einer Oberseite und einer Unterseite der OLED beabstandet ausgebildet. Die Oberseite der OLED kann beispielsweise von einer Außenseite des Abdeckkörpers gebildet sein. Die Unterseite der OLED kann beispielsweise von einer Außenseite des Trägers gebildet sein. Die jeweilige niedrigbrechende Schicht kann beispielsweise auf ihrer einen Seite die entsprechenden strahlformenden Elemente einbetten und auf ihrer anderen Seite plan sein und somit als Planarisierungsschicht dienen. Dass die strahlformenden Elemente in die entsprechende niedrigbrechende Schicht eingebettet sind, kann beispielsweise bedeuten, dass die strahlformenden Elemente zumindest teilweise direkt an die entsprechende niedrigbrechende Schicht grenzen und/oder zumindest teilweise von der entsprechenden niedrigbrechenden Schicht umgeben sind, beispielsweise in lateraler Richtung.The beam-shaping elements are formed spaced apart from outer sides, for example an upper side and a lower side of the OLED. The upper side of the OLED can be formed, for example, by an outer side of the covering body. The underside of the OLED can be formed for example by an outer side of the carrier. The respective low-refractive-index layer can, for example, embed the corresponding beam-shaping elements on its one side and be planar on its other side and thus serve as a planarization layer. The fact that the beam-shaping elements are embedded in the corresponding low-refractive layer may mean, for example, that the beam-forming elements at least partially directly adjoin the corresponding low-refractive layer and / or are at least partially surrounded by the corresponding low-refractive layer, for example in the lateral direction.
In verschiedenen Ausführungsformen weist die organische lichtemittierende Diode die ersten strahlformenden Elemente und die erste niedrigbrechende Schicht und die zweiten strahlformenden Elemente und die zweite niedrigbrechende Schicht auf.In various embodiments, the organic light emitting diode comprises the first beam shaping elements and the first low refractive index layer and the second beam shaping elements and the second low refractive index layer.
Bei verschiedenen Ausführungsformen grenzen die strahlformenden Elemente direkt an den Träger und/oder direkt an den Abdeckkörper. Beispielsweise sind die ersten strahlformenden Elemente in direktem Kontakt mit dem Träger.In various embodiments, the beam-shaping elements directly adjoin the carrier and / or directly to the cover body. For example, the first beam-shaping elements are in direct contact with the carrier.
Beispielsweise sind die Zweiten strahlformenden Elemente in direktem Kontakt mit dem Abdeckkörper.For example, the second beam-forming elements are in direct contact with the cover body.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind die strahlformenden Elemente von dem Träger und/oder von dem Abdeckkörper gebildet. In anderen Worten sind die strahlformenden Elemente einstückig mit dem Träger und/oder mit dem Abdeckkörper gebildet. Beispielsweise bildet der Träger an seiner Außenseite die Unterseite der OLED und an seiner Innenseite die ersten strahlformenden Elemente. Beispielsweise bildet der Abdeckkörper an seiner Außenseite die Oberseite der OLED und an seiner Innenseite die zweiten strahlformenden Elemente.In various embodiments, the beam-shaping elements are formed by the carrier and / or by the cover body. In other words, the beam-shaping elements are formed integrally with the carrier and / or with the cover body. For example, the carrier forms on its outside the underside of the OLED and on its inside the first beam-shaping elements. For example, the cover body forms on its outer side the upper side of the OLED and on its inner side the second beam-forming elements.
Bei verschiedenen Ausführungsformen bilden die strahlformenden Elemente eine Innenseite des Trägers und/oder eine Innenseite des Abdeckkörpers.In various embodiments, the beam-shaping elements form an inside of the carrier and / or an inside of the cover body.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist zwischen der ersten niedrigbrechenden Schicht und der ersten Elektrode eine erste Auskoppelschicht ausgebildet. Alternativ oder Zusätzlich ist zwischen der zweiten niedrigbrechenden Schicht und der zweiten Elektrode eine zweite Auskoppelschicht ausgebildet. Die Auskoppelschichten dienen jeweils zur Erhöhung der Lichtauskopplung und damit zur Erhöhung der Effizienz der OLED. Die Auskoppelschichten homogenisieren beispielsweise jeweils das erzeugte Licht und erzeugen in der OLED vor der Beeinflussung des erzeugten Lichts durch die strahlformenden Elemente eine homogene Lichtverteilung. In anderen Worten kann das erzeugte Licht in der OLED zunächst mittels einer oder mehrerer Auskoppelschichten homogenisiert werden und nachfolgend mittels der strahlformenden Elemente gerichtet werden. Die mittels der Auskoppelschichten bewirkte hohe Effizienz bleibt von der Strahlformung der strahlformenden Elemente unbeeinträchtigt. Somit ergibt die Kombination der Auskoppelschicht, der niedrigbrechenden Schicht und der strahlformenden Elemente eine OLED, die eine gerichtete und/oder inhomogene Abstrahlcharakteristik und eine besonders hohe Effizienz hat.In various embodiments, a first coupling-out layer is formed between the first low-refractive-index layer and the first electrode. Alternatively or additionally, a second coupling-out layer is formed between the second low-refractive-index layer and the second electrode. The coupling-out layers each serve to increase the light extraction and thus to increase the efficiency of the OLED. For example, the coupling-out layers homogenize the generated light in each case and produce a homogenous light distribution in the OLED before influencing the light generated by the beam-shaping elements. In other words, the light generated in the OLED can first be homogenized by means of one or more outcoupling layers and subsequently be directed by means of the beam-shaping elements. The high efficiency caused by the coupling-out layers remains unimpaired by the beam shaping of the beam-shaping elements. Thus, the combination of the coupling-out layer, the low-refraction layer and the beam-shaping elements results in an OLED having a directional and / or inhomogeneous emission characteristic and a particularly high efficiency.
Bei verschiedenen Ausführungsformen hat die erste Auskoppelschicht und/oder zweite Auskoppelschicht einen Brechungsindex, der an den Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur angepasst ist. In anderen Worten können die Auskoppelschichten und die organische funktionelle Schichtenstruktur indexgemacht sein. Im Gegensatz dazu weisen die niedrigbrechenden Schichten einen Brechungsindex auf, der von denen der Auskoppelschichten und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur abweicht. Beispielsweise liegen die Brechungsindizes der Auskoppelschichten und der organischen funktionellen Schichtenstruktur in einem Bereich zwischen 1,7 und 1,8.In various embodiments, the first coupling-out layer and / or the second coupling-out layer has a refractive index that is matched to the refractive index of the organic functional layer structure. In other words, the coupling-out layers and the organic functional layer structure can be indexed. In contrast, the low-index layers have a refractive index which differs from that of the coupling-out layers and / or the organic functional layer structure. For example, the refractive indices of the coupling-out layers and the organic functional layer structure are in a range between 1.7 and 1.8.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die erste Auskoppelschicht und/oder die zweite Auskoppelschicht lichtstreuende Elemente auf. Die lichtstreuenden Elemente können beispielsweise Partikel oder Hohlräume sein.In various embodiments, the first coupling-out layer and / or the second coupling-out layer has light-scattering elements. The light-scattering elements may be, for example, particles or cavities.
Bei verschiedenen Ausführungsformen hat die erste und/oder zweite niedrigbrechende Schicht einen Brechungsindex in einem Bereich zwischen 1 und 1,6.In various embodiments, the first and / or second low refractive index layer has a refractive index in a range between 1 and 1.6.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind die strahlformenden Elemente halblinsenförmig, pyramidenförmig, pyramidenstumpfförmig, kegelförmig, kegelstumpfförmig, nach Art von Fresnellinsen und/oder kugelschnittförmig ausgebildet. In various embodiments, the beam-shaping elements are half-lens-shaped, pyramid-shaped, truncated pyramidal, conical, frusto-conical, designed in the manner of Fresnel lenses and / or spherical sectional shape.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist von den strahlformenden Elementen eine strahlformende Schicht gebildet. In anderen Worten können die strahlformenden Elemente derart zusammenhängen, dass von Ihnen eine geschlossene Schicht gebildet ist.In various embodiments, a beam-shaping layer is formed by the beam-shaping elements. In other words, the beam-shaping elements may be related such that they form a closed layer.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind die Außenmaße der ersten und/oder zweiten strahlformenden Elemente in mindestens zwei Dimensionen kleiner als 1 mm.In various embodiments, the outer dimensions of the first and / or second beam-forming elements are smaller than 1 mm in at least two dimensions.
Bei verschiedenen Ausführungsformen sind die ersten und/oder zweiten strahlformenden Elemente vollständig oder teilweise verspiegelt.In various embodiments, the first and / or second beam-shaping elements are completely or partially mirrored.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode bereitgestellt, beispielsweise einer der im Vorhergehenden erläuterten organischen lichtemittierenden Dioden. Bei dem Verfahren werden der Träger und die ersten strahlformenden Elemente von einer Außenseite des Trägers beabstandet ausgebildet. Die erste niedrigbrechende Schicht wird über den strahlformenden Elementen ausgebildet. Die ersten strahlformenden Elemente werden zumindest teilweise in die erste niedrigbrechende Schicht eingebettet. Die erste Elektrode wird über der niedrigbrechenden Schicht ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur wird über der ersten Elektrode ausgebildet. Der Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur ist größer als ein erster Brechungsindex der niedrigbrechenden Schicht. Die zweite Elektrode wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Der Abdeckkörper wird über der zweiten Elektrode ausgebildet.In various embodiments, a method of fabricating an organic light emitting diode, such as one of the organic light emitting diodes discussed above, is provided. In the method, the carrier and the first beam-shaping elements are formed spaced from an outside of the carrier. The first low refractive index layer is formed over the beam shaping elements. The first beam-shaping elements are at least partially embedded in the first low-refractive-index layer. The first electrode is formed over the low refractive index layer. The organic functional layer structure is formed over the first electrode. The refractive index of the organic functional layer structure is larger than a first refractive index of the low-refractive layer. The second electrode is formed over the organic functional layer structure. The cover body is formed over the second electrode.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode bereitgestellt, beispielsweise einer der im Vorhergehenden erläuterten organischen lichtemittierenden Dioden. Bei dem Verfahren wird der Träger bereitgestellt. Die erste Elektrode wird über dem Träger ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur wird über der ersten Elektrode ausgebildet. Die zweite Elektrode wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Die zweite niedrigbrechende Schicht, deren zweiter Brechungsindex kleiner ist als der Brechungsindex der organischen funktionellen Schichtenstruktur, wird über der zweiten Elektrode ausgebildet. Die zweiten strahlformenden Elemente und der Abdeckkörper werden ausgebildet. Die zweiten strahlformenden Elemente werden von einer Außenseite des Abdeckkörpers beabstandet zwischen der Außenseite des Abdeckkörpers und der zweiten Elektrode ausgebildet. Die zweiten strahlformenden Elemente werden zumindest teilweise in die zweite niedrigbrechende Schicht eingebettet.In various embodiments, a method of fabricating an organic light emitting diode, such as one of the organic light emitting diodes discussed above, is provided. In the method, the carrier is provided. The first electrode is formed over the carrier. The organic functional layer structure is formed over the first electrode. The second electrode is formed over the organic functional layer structure. The second low refractive index layer whose second refractive index is smaller than the refractive index of the organic functional layered structure is formed over the second electrode. The second beam-shaping elements and the cover body are formed. The second beam-shaping elements are formed spaced from an outer side of the cover body between the outside of the cover body and the second electrode. The second beam-shaping elements are at least partially embedded in the second low-refractive-index layer.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
Es zeigenShow it
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein are consistent with each other can be combined, unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.As used herein, the terms "connected," "connected," and "coupled" are used to describe both direct and indirect connection, direct or indirect connection, and direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
Dass eine Schicht oder Elemente ganz oder teilweise verspiegelt sind, kann beispielsweise bedeuten, dass lediglich Teilbereiche der Schicht bzw. der Elemente verspiegelt sind und/oder dass die Schicht bzw. die Elemente zumindest teilweise durchlässig sind und/oder dass die entsprechende Schicht bzw. die entsprechenden Elemente lediglich in einer Richtung lichtdurchlässig und in einer anderen Richtung spiegelnd sind.The fact that a layer or elements are completely or partially mirrored may mean, for example, that only partial areas of the layer or elements are mirrored and / or that the layer or elements are at least partially permeable and / or that the corresponding layer or layers corresponding elements are translucent only in one direction and reflective in another direction.
Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht
Über der zweiten Elektrode
Über der Verkapselungsschicht
Die herkömmliche organische lichtemittierende Diode
Optional kann sich der Abdeckkörper
Die herkömmliche organische lichtemittierende Diode
Der aktive Bereich ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich der herkömmlichen organischen lichtemittierenden Diode
Die organische funktionelle Schichtenstruktur
Der Träger
Die erste Elektrode
Als Metall können beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien verwendet werden.As the metal, for example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these materials can be used.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs.Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO2 or In2O3, ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 or In4Sn3O12 or mixtures of different transparent conductive oxides also belong to the group of TCOs.
Die erste Elektrode
Die erste Elektrode
Die erste Elektrode
Die organische funktionelle Schichtenstruktur
Die Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode
Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.The hole injection layer may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 1000 nm, for example in a range of about 30 nm to about 300 nm, for example in a range of about 50 nm to about 200 nm.
Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann die Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DPFL-TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); DPFL-NPB(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); Spiro-TAD(2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; N,N' bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und N,N,N',N' tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.On or above the hole injection layer, the hole transport layer may be formed. The hole transport layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); beta-NPB N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl,) benzidine); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); Spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene); DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene); Spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene); 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene; 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro; N, N 'bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine; 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluorenes-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene; 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane; 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluorene; and N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The hole transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht kann die eine oder mehrere Emitterschichten ausgebildet sein, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern. Die Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nichtpolymere Moleküle („small molecules”) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Die Emitterschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z. B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtbbpy)3*2(PF6)(Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi(4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA(9,10-Bis[N,N-di-(p-to1yl)amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating). Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid, oder einem Silikon.On or above the hole transport layer, the one or more emitter layers may be formed, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters. The emitter layer may be organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small non-polymeric molecules ("small molecules") or a Combination of these materials. The emitter layer may comprise or be formed from one or more of the following materials: organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, For example, iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescing Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru (dtbbpy) 3 * 2 (PF6) (tris [4,4'-di-tert-butyl- (2,2 ') -bipyridine] ruthenium (III) complex) and blue fluorescent DPAVBi (4 , 4-bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA (9,10-bis [N, N-di (p-toyl) amino] anthracene) and red fluorescent DCM2 (4 Dicyanomethylene) -2-methyl-6-ylolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter. Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited, for example, by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating). The emitter materials may be suitably embedded in a matrix material, for example a technical ceramic or a polymer, for example an epoxy, or a silicone.
Die erste Emitterschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The first emitter layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren, Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nichtweißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.The emitter layer may have single-color or different-colored (for example blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials. Alternatively, the emitter layer may comprise a plurality of sub-layers which emit light of different colors. By mixing the different colors, the emission of light may result in a white color impression. Alternatively or additionally, it may be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, resulting in a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation Radiation produces a white color impression.
Auf oder über der Emitterschicht kann die Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine Oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.On or above the emitter layer, the electron transport layer may be formed, for example deposited. The electron transport layer may include or be formed from one or more of the following materials: NET-18; 2,2 ', 2' '- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolines (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum; 6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes; 2,7-bis -9,9-dimethylfluorene [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl]; 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxides; Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and silanol-based materials containing a silacyclopentadiene moiety.
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.The electron transport layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 50 nm, for example in a range of about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann die Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2CO3, CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine Oxide; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit.On or above the electron transport layer, the electron injection layer may be formed. The electron injection layer may include or be formed from one or more of the following materials: NDN-26, MgAg, Cs 2 CO 3, CS 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2 ', 2' '- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole); 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazoles, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolines (BCP); 8-hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalen-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles; 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum; 6,6'-bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl; 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes; 2,7-bis -9,9-dimethylfluorene [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl]; 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxides; Naphthalenetetracarboxylic dianhydride or its imides; Perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; and silanol-based materials containing a silacyclopentadiene moiety.
Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm. The electron injection layer may have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 200 nm, for example in a range of about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μPm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μPm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.The organic functional layer structure unit may for example have a layer thickness of at most approximately 3 .mu.m, for example a layer thickness of at most approximately 1 .mu.m, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
Die herkömmliche organische lichtemittierende Diode
Die zweite Elektrode
Die Verkapselungsschicht
Die Verkapselungsschicht
Die Verkapselungsschicht
Die Verkapselungsschicht
Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger
Die Verkapselungsschicht
Optional kann eine Ein- oder Auskoppelschicht beispielsweise als externe Folie (nicht dargestellt) auf dem Träger
Die Haftmittelschicht
Als lichtstreuende Partikel können dielektrische Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiO2), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga2Ox) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftmittelschicht
Die Haftmittelschicht
Die Haftmittelschicht
Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur, d. h. eine lateral strukturierte Getter-Schicht, (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. Eine Getter-Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke größer 1 μm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter-Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der Haftmittelschicht
Der Abdeckkörper
Die organische lichtemittierende Diode
Optional kann die erste niedrigbrechende Schicht
Die erste niedrigbrechende Schicht
Die ersten strahlformenden Elemente
Die ersten strahlformenden Elemente
Die ersten strahlformenden Elemente
Die erste niedrigbrechende Schicht
Optional kann über der ersten niedrigbrechenden Schicht
Die erste Auskoppelschicht
Die erste Auskoppelschicht
Die organische lichtemittierende Diode
Die zweite Auskoppelschicht
Die zweite Auskoppelschicht
Über der Verkapselungsschicht
Die zweite niedrigbrechende Schicht
Die zweite niedrigbrechende Schicht
Die organische lichtemittierende Diode
Optional kann die zweite niedrigbrechende Schicht
Die ersten strahlformenden Elemente
Die zweiten strahlformenden Elemente
Ein Brechungsindex des Materials der zweiten strahlformenden Elemente
Die zweiten strahlformenden Elemente
Falls die zweite Auskoppelschicht
Die strahlformenden Elemente
In einem Schritt S2 wird ein Träger bereitgestellt und/oder ausgebildet, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterte Träger
In einem Schritt S4 werden strahlformende Elemente ausgebildet, beispielsweise die ersten strahlformenden Elemente
In einem Schritt S6 wird eine niedrigbrechende Schicht ausgebildet, beispielsweise die erste niedrigbrechende Schicht
In einem optionalen Schritt S8 kann eine Auskoppelschicht ausgebildet werden, beispielsweise kann die erste Auskoppelschicht
In einem Schritt S10 wird eine erste Elektrode ausgebildet, beispielsweise wird die erste Elektrode
In einem Schritt S12 wird eine organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet. Beispielsweise wird die organische funktionelle Schichtenstruktur
In einem Schritt S14 wird eine zweite Elektrode ausgebildet. Beispielsweise wird die zweite Elektrode
In einem Schritt S16 wird eine Abdeckung ausgebildet. Beispielsweise wird die Abdeckung ausgebildet, indem die Verkapselungsschicht
In einem Schritt S20 wird ein Träger ausgebildet. Beispielsweise wird der Träger
In einem Schritt S22 wird eine erste Elektrode ausgebildet. Beispielsweise wird die erste Elektrode
In einem Schritt S24 wird eine organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet. Beispielsweise wird die organische funktionelle Schichtenstruktur
In einem Schritt S26 wird eine zweite Elektrode ausgebildet. Beispielsweise wird die zweite Elektrode
In einem optionalen Schritt S28 kann eine Auskoppelschicht ausgebildet werden. Beispielsweise kann die zweite Auskoppelschicht
In einem Schritt S30 wird eine niedrigbrechende Schicht ausgebildet. Beispielsweise wird die zweite niedrigbrechende Schicht
In einem Schritt S32 werden strahlformende Elemente ausgebildet. Beispielsweise werden die zweiten strahlformenden Elemente
In einem Schritt S34 wird eine Abdeckung ausgebildet. Die Abdeckung kann beispielsweise den Abdeckkörper
Optional können die in den
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die gezeigten organischen lichtemittierenden Dioden
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