DE102013107887A1 - coating system - Google Patents

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Abstract

Beschichtungssystem (1) für Oberflächen, insbesondere für Wände und/oder Dachoberflächen (2), das als Fotovoltaik-Modul oder Solargenerator, eingesetzt und zur Erzeugung von Energie dem Licht ausgesetzt wird, bestehend aus zumindest einer p-dotierten leitenden Halbleiterschicht (9) mit einer Grenzschicht oder Isolierschicht (11) und einer auf dieser aufgebrachten n-dotierten Halbleiterschicht (8), in der Leitelemente oder Halbleiterelemente (5) eingebracht sind, und einer auf die n-dotierte Halbleiterschicht (8) aufgebrachten Isolierschicht, wobei zumindest eine Halbleiterschicht (9) unmittelbar auf eine Oberfläche oder einer Wand oder Dachoberfläche (2) aufgebracht und mit dieser verbunden ist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde; die Photovoltaikmodule oder Solargeneratoren und das Beschichtungssystem auf einfache und kostengünstige Weise herzustellen und auf kostengünstige Weise mit einem vereinfachten Arbeitsverfahren auf eine Oberfläche aufzutragen. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Halbleiterschichten (8, 9) sowie die Grenzschicht oder Isolierschicht (11) mit Hilfe einer Auftragsvorrichtung oder einer Düseneinrichtung als Gesamt- oder Verbund- oder Mehrfachschicht (14) in einem Arbeitsverfahren auf einen Untergrund oder Oberfläche oder Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufgebracht wird.Coating system (1) for surfaces, in particular for walls and / or roof surfaces (2), which is used as a photovoltaic module or solar generator, and exposed to the light for generating energy, comprising at least one p-doped conductive semiconductor layer (9) a boundary layer or insulating layer (11) and an n-doped semiconductor layer (8) applied thereto, in which conducting elements or semiconductor elements (5) are introduced, and an insulating layer applied to the n-doped semiconductor layer (8), wherein at least one semiconductor layer ( 9) is applied directly to a surface or a wall or roof surface (2) and connected thereto. The invention is based on the object; to manufacture the photovoltaic modules or solar generators and the coating system in a simple and cost-effective manner and to apply in a cost-effective manner to a surface using a simplified method of operation. The object is achieved in that the semiconductor layers (8, 9) and the boundary layer or insulating layer (11) by means of an applicator device or a nozzle device as a total or composite or multiple layer (14) in a work process on a substrate or surface or Roof or wall surface is applied directly.

Description

Die Erfindung betrifft ein Beschichtungssystem für Oberflächen, insbesondere für Wände und/oder Dachoberflächen, das als Fotovoltaik-Modul oder Solargenerator eingesetzt und zur Erzeugung von Energie dem Licht ausgesetzt wird, bestehend aus zumindest einer p-dotierten leitenden Halbleiterschicht mit einer Grenzschicht oder Isolierschicht und einer auf dieser aufgebrachten n-dotierten Halbleiterschicht, in der Leitelemente oder Halbleiterelemente eingebracht sind, und einer auf die n-dotierte Halbleiterschicht aufgebrachten Isolierschicht, wobei zumindest eine Halbleiterschicht unmittelbar auf eine Oberfläche oder eine Wand oder Dachoberfläche aufgebracht und mit dieser verbunden ist.The invention relates to a coating system for surfaces, in particular for walls and / or roof surfaces, which is used as a photovoltaic module or solar generator and exposed to the production of energy to light, consisting of at least one p-doped conductive semiconductor layer with a boundary layer or insulating layer and a on this applied n-doped semiconductor layer, are introduced in the guide elements or semiconductor elements, and an insulating layer applied to the n-doped semiconductor layer, wherein at least one semiconductor layer is applied directly to a surface or a wall or roof surface and connected thereto.

Es sind bereits Solarmodule, Photovoltaikmodule oder Solargeneratoren allgemein bekannt, die das Licht der Sonne direkt in elektrische Energie umwandeln. Als wichtigste Bestandteile enthalten die Module mehrere Solarzellen.There are already known solar modules, photovoltaic modules or solar generators that convert the light of the sun directly into electrical energy. The most important components of the modules are several solar cells.

Solarmodule werden einzeln oder in Gruppen verschaltet in Fotovoltaikanlagen, kleinen Stromnetz unabhängigen Verbrauchern oder zur Stromversorgung von Raumfahrzeugen verwendet.Solar modules are used singly or in groups interconnected in photovoltaic systems, small electricity independent consumers or for the power supply of spacecraft.

Ein Solarmodul wird durch seine elektrischen Anschlusswerte (z. B. Leerlaufspannung und Kurzschlussstrom) charakterisiert. Diese hängen von den Eigenschaften der einzelnen Solarzellen und der Verschaltung der Solarzellen innerhalb des Moduls ab.A solar module is characterized by its electrical connection values (eg open circuit voltage and short-circuit current). These depend on the properties of the individual solar cells and the interconnection of the solar cells within the module.

Um den Anforderungen einer Anlage für solar erzeugten Strom gerecht zu werden, fasst man Solarzellen mittels mehrerer verschiedener Materialien zu einem Solarmodul zusammen. Dieser Verbund erfüllt folgende Zwecke: transparente, strahlungs- und witterungsbeständige Abdeckung, robuste elektrische Anschlüsse, Schutz der spröden Solarzelle vor mechanischen Einflüssen, Schutz der Solarzellen und elektrischen Verbindungen vor Feuchtigkeit, ausreichende Kühlung der Solarzellen, Berührungsschutz der elektrisch leitenden Bauteile sowie einfache Handhabungs- und Befestigungsmöglichkeit.In order to meet the requirements of a plant for solar-generated electricity, solar cells are combined by means of several different materials to form a solar module. This composite fulfills the following purposes: transparent, radiation- and weather-resistant cover, robust electrical connections, protection of the brittle solar cell from mechanical influences, protection of the solar cells and electrical connections against moisture, adequate cooling of the solar cells, contact protection of the electrically conductive components and simple handling and mounting option.

Es gibt verschiedene Bauformen von Solarmodulen mit verschiedenen Arten von Solarzellen. Im Folgenden wird anhand des weltweit am häufigsten eingesetzten Modultyps der Aufbau erwähnt.There are different types of solar modules with different types of solar cells. In the following, the structure is mentioned based on the most commonly used module type worldwide.

Die Solarzelle oder fotovoltaische Zelle ist ein elektrisches Bauelement, das kurzwellige Strahlungsenergie, in der Regel Sonnenlicht, direkt in elektrische Energie wandelt. Die physikalische Grundlage der Umwandlung ist der fotovoltaische Effekt, der ein Sonderfall des inneren fotoelektrischen Effekts ist.The solar cell or photovoltaic cell is an electrical component that converts shortwave radiant energy, usually sunlight, directly into electrical energy. The physical basis of the transformation is the photovoltaic effect, which is a special case of the internal photoelectric effect.

Solarzellen unterscheiden sich dadurch grundsätzlich von anderen Arten der regenerativen Elektrizitätserzeugung, bei denen lediglich die Antriebsenergie für den Generator nicht konventionell erzeugt wird.As a result, solar cells fundamentally differ from other types of regenerative electricity generation in which only the drive energy for the generator is not conventionally generated.

Unter dem Begriff fotoelektrischer Effekt, auch lichtelektrischer Effekt oder kurz Fotoeffekt werden vier nahe verwandte, aber unterschiedliche Phänomene in der Physik zusammengefasst. In allen vier Fällen wird ein Foton von einem Elektron, das z. B. in einem Atom oder im Leitungsband eines metallischen Körpers gebunden ist, absorbiert und das Elektron dadurch aus der Bindung gelöst. Die Energie des Fotons muss dazu mindestens so groß sein, wie die Bindungsenergie des Elektrons.The term photoelectric effect, also photoelectric effect or short photo effect, summarizes four closely related but different phenomena in physics. In all four cases, a photon of an electron, the z. B. is bound in an atom or in the conduction band of a metallic body, absorbed and thereby dissolved the electron from the bond. The energy of the photon must be at least as great as the binding energy of the electron.

Je nach Zustand des Elektrons vor der Energieübertragung unterscheidet man vier Arten des fotoelektrischen Effekts:Depending on the state of the electron before the energy transfer there are four types of photoelectric effect:

Als äußeren fotoelektrischen Effekt auch Fotoemission oder Hallwachs-Effekt bezeichnet man das Herauslösen von Elektronen aus Metalloberflächen durch Bestrahlung mit Licht bestimmter Frequenzen. As an external photoelectric effect also photoemission or Hall wax effect called the dissolution of electrons from metal surfaces by irradiation with light of certain frequencies.

Der innere fotoelektrische Effekt tritt in Halbleitern auf. Darauf aufbauend ermöglicht der fotovoltaische Effekt die Umwandlung von Lichtenergie in elektrische Energie.The internal photoelectric effect occurs in semiconductors. Based on this, the photovoltaic effect allows the conversion of light energy into electrical energy.

Unter Foto-Ionisation auch atomarer oder molekularer Fotoeffekt versteht man die Ionisierung von Atomen durch Bestrahlung mit Licht genügend hoher Frequenzen.Photo ionization also means atomic or molecular photoelectric effect, which is the ionization of atoms by irradiation with light of sufficiently high frequencies.

Es ist bereits ein Beschichtungssystem für Oberflächen, insbesondere für Wände und/oder Dachoberflächen, das als Fotovoltaik-Modul oder Solargenerator, eingesetzt und zur Erzeugung von Energie dem Licht ausgesetzt wird aus der US 2009/0133340 A1 bekannt, bestehend aus auf der Wand oder Dachoberfläche aufgebrachtem Material, bestehend aus zumindest einer p-dotierten leitenden Halbleiterschicht mit einer Grenzschicht, einer auf dieser aufgebrachten n-dotierten Halbleiterschicht, in der Leitelemente eingebracht sind, und einer auf die n-dotierte Halbleiterschicht aufgebrachten Isolierschicht. Bei dieser Anordnung ist es nachteilig, dass die eine Halbleiterschicht mit Hilfe eines Haftvermittlersystems mittelbar auf die Wand oder Dachoberfläche aufgebracht ist. There is already a coating system for surfaces, especially for walls and / or roof surfaces, which is used as a photovoltaic module or solar generator, and is exposed to the production of energy from the light from the US 2009/0133340 A1 known, consisting of applied to the wall or roof surface material consisting of at least one p-doped conductive semiconductor layer having a boundary layer, an applied thereto n-doped semiconductor layer, are introduced in the guide elements, and an insulating layer applied to the n-doped semiconductor layer , In this arrangement, it is disadvantageous that the one semiconductor layer is applied indirectly to the wall or roof surface with the aid of an adhesion promoter system.

Auch ist aus diesem Dokument bekannt, dass die Leitelemente in die Oberfläche der Lichtenergie ausgesetzten, lichtdurchlässigen Schicht eingebracht sind und die der Lichtenergie ausgesetzte Schicht eine n-dotierte Schicht aus Silizium oder Galliumarsenid oder Kupfer-Indium-Diselenid ist, wobei die der Lichtenergie ausgesetzte, negativ geladene Schicht auf der p-dotierten Schicht aufgebracht ist, die mittel- oder unmittelbar auf einer Wand oder Dachoberfläche aufgebracht ist. Aus diesem Dokument ist es ferner bekannt, dass die positiv-dotierte Schicht und die Wand oder die Dachoberfläche mit Hilfe eines Klebeprozesses zusammengebracht werden können. Die Montage von Halbleitersystemen bzw. Schichten ist hier jedoch aufwändig und teuer.It is also known from this document that the guide elements are introduced into the surface of the light-energy exposed, translucent layer and the light-energy-exposed layer is an n-doped layer of silicon or gallium arsenide or copper indium diselenide the negatively charged layer exposed to light energy is deposited on the p-doped layer, which is applied directly or indirectly to a wall or roof surface. It is further known from this document that the positively-doped layer and the wall or the roof surface can be brought together by means of an adhesive process. However, the assembly of semiconductor systems or layers is complicated and expensive.

Ferner ist aus der DE 44 35 376 A1 bekannt, die Dispergierbarkeit des ITO-Pulvers, bevor es in einer Bindemittellösung dispergiert wird, mit einem Dispergiermittel oder durch Zugabe eines Dispergiermittels zu der Bindemittellösung zu verbessern. Die Verwendung eines Dispergiermittels macht es jedoch schwierig, den Widerstand des resultierenden Films auf einen erwünschten Wert zu verringern. Es wird angenommen, dass die Dispersion der ITO-Teilchen unter Zuhilfenahme eines Dispergiermittels bewirkt, dass das Bindemittel und das Dispergiermittel durch die Teilchen innig adsorbiert werden unter Ausbildung einer Isolationsschicht auf der Oberfläche jedes Teilchens, wodurch es schwierig wird, den Widerstand eines ITO-Pulver enthaltenden, leitfähigen Films zu verringern.Furthermore, from the DE 44 35 376 A1 It is known to improve the dispersibility of the ITO powder before it is dispersed in a binder solution with a dispersant or by adding a dispersant to the binder solution. However, the use of a dispersant makes it difficult to reduce the resistance of the resulting film to a desired value. It is believed that the dispersion of the ITO particles with the aid of a dispersant causes the binder and the dispersant to be intimately adsorbed by the particles to form an insulating layer on the surface of each particle, thereby making it difficult to resist the resistance of an ITO powder containing conductive film.

Auch ist ein dem Erfindungsgegenstand nächst liegender Stand der Technik bekannt ( DE 10 2009 033 357 ), der ein Beschichtungssystem für Oberflächen, insbesondere für Wände und/oder Dachoberflächen beinhaltet, das als Fotovoltaik-Modul oder Solargenerator, eingesetzt und zur Erzeugung von Energie dem Licht ausgesetzt wird, bestehend aus auf der Wand oder Dachoberfläche aufgebrachtem Material, bestehend aus zumindest einer p-dotierten leitenden Halbleiterschicht mit einer Grenzschicht, einer auf dieser aufgebrachten n-dotierten Halbleiterschicht, in der Leitelemente eingebracht sind, und einer auf die n-dotierte Halbleiterschicht aufgebrachten Isolierschicht, wobei zumindest eine Halbleiterschicht unmittelbar auf die Wand oder Dachoberfläche aufgebracht und mit dieser verbunden ist, wobei beide Halbleiterschichten aus einem Material gebildet sind, in das Halbleiterelemente eingebracht sind.Also, a subject of the subject closest prior art is known ( DE 10 2009 033 357 ), which includes a coating system for surfaces, in particular for walls and / or roof surfaces, which is used as a photovoltaic module or solar generator, and exposed to the production of energy light, consisting of applied to the wall or roof surface material consisting of at least one p-type semiconductor conductive layer having a barrier layer, an n-type semiconductor layer deposited thereon in which conductive elements are formed, and an insulating layer coated on the n-type semiconductor layer, at least one semiconductor layer being directly attached to and bonded to the wall or roof surface is, wherein both semiconductor layers are formed of a material in which semiconductor elements are incorporated.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde; die Photovoltaikmodule oder Solargeneratoren und das Beschichtungssystem auf einfache und kostengünstige Weise herzustellen und auf kostengünstige Weise mit einem vereinfachten Arbeitsverfahren auf eine Oberfläche aufzutragen.The invention is based on the object; to manufacture the photovoltaic modules or solar generators and the coating system in a simple and cost-effective manner and to apply in a cost-effective manner to a surface using a simplified method of operation.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Halbleiterschichten sowie die Grenz- oder Isolierschicht mit Hilfe einer Auftragsvorrichtung oder einer Düseneinrichtung als Gesamt- oder Verbund- oder Mehrfachschicht in einem Arbeitsverfahren auf einen Untergrund oder eine Oberfläche oder eine Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufgebracht wird.The object is achieved in that the semiconductor layers and the boundary or insulating layer is applied directly by means of an applicator or a nozzle device as a total or composite or multiple layer in a work on a substrate or a surface or a roof or wall surface.

Hierdurch wird die Herstellung und auch das Aufbringen der Schicht bzw. der Verbundschicht auf einen Untergrund oder eine Oberfläche wesentlich vereinfacht und somit auch verbilligt, wobei die Oberflächenstruktur bzw. das Aussehen der Oberfläche nicht oder fast gar nicht verändert wird. Da das Material des Beschichtungssystems aus einem fließfähigen, streichfähigen Material und einer Verbundschicht besteht, kann sie problemlos auf die Oberfläche eines Untergrunds z. B. eines Dachs oder einer Wand bzw. auf einem Boden dauerfest aufgetragen und fixiert werden. In dem Gemisch oder auf der untersten Schicht kann auch eine klebfähige Substanz eingebracht sein, um die Haftfähigkeit auf dem Untergrund zu verbessern.As a result, the production and also the application of the layer or the composite layer to a substrate or a surface is much easier and thus cheaper, the surface structure or the appearance of the surface is not or almost not changed. Since the material of the coating system consists of a flowable, spreadable material and a composite layer, it can be easily applied to the surface of a substrate z. As a roof or a wall or permanently applied to a floor and fixed. An adhesive substance can also be incorporated in the mixture or on the lowest layer in order to improve the adhesion to the substrate.

Hierzu ist vorteilhaft, dass, das Beschichtungssystems als streich- oder fließfähiges Material ausgebildet ist, in das als Chips ausgebildete Halbleiterelemente derart zahlreich eingebracht sind, dass sie untereinander in Kontakt stehen und die beiden durch eine Grenzschicht und/oder Isolierschicht voneinander getrennten Halbleiterschichten bilden, die derart unterschiedliche spezifische Dichte aufweisen, dass sie sich in einem Auffangbehälter auf unterschiedlichen Höhen absetzen, ihre Lage beibehalten und sich nach dem Erstarrungs- oder Verfestigungsvorgang nicht mehr miteinander vermischen. Hierzu sind die einzelnen Schichten so ausgebildet, dass sie weiterhin fließ- und/oder streichfähig bleiben ohne dass sie sich untereinander vermischen, sodass sie mit Hilfe des vereinfachten Arbeitsverfahrens auf eine Oberfläche aufgebracht werden können.For this purpose, it is advantageous that the coating system is formed as a spreadable or flowable material in which semiconductor elements formed as chips are so numerous introduced that they are in contact and form the two separated by a boundary layer and / or insulating layer semiconductor layers, the have such different specific gravity that they settle in a receptacle at different heights, maintain their position and no longer mix with each other after the solidification or solidification process. For this purpose, the individual layers are designed so that they continue to remain flowable and / or spreadable without them intermixing with each other, so that they can be applied to a surface using the simplified working method.

Vorteilhaft ist es auch, dass, auf oder in die n-dotierte und/oder p-dotierte fließund/oder streichfähigen Halbleiterschichten die Leitelemente eingebracht sind, die aus zahlreichen, untereinander in Verbindung stehenden Leiterbahnen, Leiterelementen bzw. Leitflächenteilen oder einem Leitgitter gebildet sind, wobei diese Schichten in Verbindung mit der dazwischen liegenden Grenzschicht und/oder Isolierschicht mit Hilfe einer länglichen und/oder flach ausgebildeten, Schlitz-Öffnungen aufweisenden Düse auf einen Untergrund unmittelbar aufbringbar sind.It is also advantageous that, on or in the n-doped and / or p-doped flowable and / or spreadable semiconductor layers, the guide elements are formed, which are formed of numerous interconnected interconnects, conductor elements or Leitflächenteilen or a guide grid, wherein these layers in connection with the intermediate boundary layer and / or insulating layer with the aid of an elongated and / or flat, slit-opening nozzle having a nozzle directly on a substrate are applied.

Vorteilhaft ist es auch, dass, im Auffangbehälter jeweils eine aus drei oder vier Schichten gebildete Verbundschicht aufgenommen ist, die von einer dicken Schicht mit Hilfe der Düse in eine sehr dünne Schicht umgeformt wird, wobei die unterste Schicht klebefähige Substanzen enthält oder auf der untersten n- oder p-dotierten Schicht zusätzlich eine Klebeschicht vorgesehen ist. Vorteilhaft ist es auch, dass der Auffangbehälter als Druckbehälter ausgebildet ist und die Gesamt- oder Verbundschicht oder drei- oder vierfach- oder Mehrfachschicht mit Hilfe von Druckluft auf einen Untergrund oder eine Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufgebracht wird. Hierzu ist es vorteilhaft, dass das Material als streich- und fließfähiges Material ausgebildet ist, in das die als Chips ausgebildeten Halbleiterelemente derart zahlreich eingebracht sind, dass sie untereinander in Kontakt stehen und die Halbleiterschicht bilden. It is also advantageous that in each case a composite layer formed of three or four layers is formed, which is transformed from a thick layer by means of the nozzle into a very thin layer, wherein the bottom layer contains adhesive substances or on the lowest n - or p-doped layer additionally provided an adhesive layer. It is also advantageous that the collecting container is designed as a pressure vessel and the total or composite layer or three- or vierfach- or multiple layer using compressed air is applied directly to a substrate or a roof or wall surface. For this purpose, it is advantageous that the material is formed as a spreadable and flowable material, in which the semiconductor elements formed as chips are introduced in such a number that they are in contact with each other and form the semiconductor layer.

Auch ist es von Vorteil, dass die der Lichtenergie ausgesetzte Schicht eine n-dotierte Schicht aus Silizium oder Galliumarsenid oder Kupfer-Indium-Diselenid ist und auf der p-dotierten Schicht aufgebracht ist, die mittel- oder unmittelbar auf der Wand oder Dachoberfläche aufgebracht ist.It is also advantageous that the light-energy-exposed layer is an n-doped layer of silicon or gallium arsenide or copper indium diselenide and is applied to the p-doped layer which is applied directly or indirectly to the wall or roof surface ,

Ferner ist es vorteilhaft, dass zwischen der positiv-dotierten Schicht und der Wand oder der Dachoberfläche die Klebeverbindung vorgesehen ist.Furthermore, it is advantageous that between the positive-doped layer and the wall or the roof surface, the adhesive connection is provided.

Vorteilhaft ist es auch, dass die Halbleiterschichten eine streichbare Farbmasse sind, in der Halbleiterelemente eingebracht sind, schichtweise auf der Wand oder Dachoberfläche aufgebracht werden und es elektrisch leitende Farben sind, die insbesondere auf der Basis einer Kunststoffdispersionsfarbe mit Bindemittel aufgebaut sind.It is also advantageous that the semiconductor layers are a spreadable color composition in which semiconductor elements are introduced, applied in layers to the wall or roof surface and are electrically conductive inks, which are constructed in particular on the basis of a plastic dispersion paint with a binder.

Durch das schichtweise Aufbringen wird der Fertigungsprozess wesentlich schneller durchgeführt. Außerdem ist es vorteilhaft, dass als Trägerschicht ein Spinnvlies oder ein Bändchengewebe verwendet wird.The layered application of the manufacturing process is much faster. Moreover, it is advantageous that a spunbonded fabric or a ribbon fabric is used as the carrier layer.

Auch ist es vorteilhaft, dass die Halbleiterschicht eine elektrisch leitende Farbe ist, die insbesondere auf der Basis einer Kunststoffdispersionsfarbe mit Bindemittel aufgebaut ist. Mit Hilfe der Kunststoffdispersionsfarbe kann die Oberfläche beliebig gestaltet werden und gleichzeitig auch zur Stromgewinnung eingesetzt werden.It is also advantageous that the semiconductor layer is an electrically conductive paint, which is constructed in particular on the basis of a plastic dispersion paint with a binder. With the help of the plastic dispersion paint, the surface can be designed as desired and at the same time used for power generation.

Ferner ist es vorteilhaft, dass die Halbleiterschichten aus einem fließfähigen, oder flockigen Material bestehen, in das Halbleiterelemente wie Silizium, Galliumarsenid oder Kupfer-Indium-Diselenid als kleine Teilchen eingebracht, insbesondere mittels eines Werkzeugs eingeschossen werden und eine leitfähige Masse bilden, die als p-dotierte und dann als n-dotierte Schicht auf die Wand oder Dachoberfläche, insbesondere nacheinander, aufgebracht werden, wobei die obere Halbleiterschicht eine lichtdurchlässige Schutzschicht aufweist und die die Halbleiterelemente aufweisende Schicht in ein Klebebett eingebracht wird.Furthermore, it is advantageous that the semiconductor layers consist of a flowable or flaky material in which semiconductor elements such as silicon, gallium arsenide or copper indium diselenide are introduced as small particles, in particular injected by means of a tool and form a conductive mass, which is referred to as p doped and then n-doped layer on the wall or roof surface, in particular successively applied, wherein the upper semiconductor layer has a light-transmissive protective layer and the semiconductor elements having the layer is introduced into an adhesive bed.

Auch ist es vorteilhaft, dass zwischen den beiden Halbleiterschichten die nichtleitende Grenzschicht vorgesehen ist, die ebenfalls als streichbare Masse ausgebildet ist und auf der oberen n-dotierten Halbleiterschicht aufgebrachte Leiterbahnen, Leitflächenteile oder ein Leitgitter mit Hilfe eines Haftverbinders fixiert sind. It is also advantageous that between the two semiconductor layers, the non-conductive boundary layer is provided, which is also designed as spreadable composition and on the upper n-doped semiconductor layer applied conductor tracks, Leitflächenteile or a guide grid are fixed by means of an adhesive connector.

Von Vorteil ist es auch, dass die einzelnen Schichten aus einem fließ- oder schüttfähigen Material bestehen und nacheinander auf eine Oberfläche aufgetragen werden.It is also advantageous that the individual layers consist of a flowable or pourable material and are applied successively to a surface.

Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung sind in den Patentansprüchen und in der Beschreibung erläutert und in den Figuren dargestellt.Further advantages and details of the invention are explained in the patent claims and in the description and illustrated in the figures.

Dabei zeigen:Showing:

1 einen Aufbau einer Solarzelle, 1 a structure of a solar cell,

2 ein Klebebett der Solarzelle, das auf der Oberfläche eines Dachs aufgebracht ist. 2 an adhesive bed of the solar cell, which is applied to the surface of a roof.

3 einen Auffangbehälter zur Aufnahme des Beschichtungssystems, 3 a collecting container for receiving the coating system,

4 eine an den Auffangbehälter angeschlossene Düse zum Aufbringen des Beschichtungssystems auf eine Oberfläche. 4 a nozzle connected to the receptacle for applying the coating system to a surface.

In 1 ist ein Beschichtungssystem 1 für Oberflächen, insbesondere für Wände und/oder Dachoberflächen 2, bezeichnet, das als Fotovoltaik-Modul oder Solargeneratoren 3, ausgebildet ist, die zur Erzeugung von Energie dem Licht ausgesetzt werden.In 1 is a coating system 1 for surfaces, in particular for walls and / or roof surfaces 2 , referred to as a photovoltaic module or solar generators 3 , is formed, which are exposed to the production of energy to the light.

Die Energieerzeugung mit Solarzellen sowie deren Entwicklung, Fertigung und Einsatz werden hier Fotovoltaik genannt. Die Umwandlung der Strahlungs- in elektrische Energie in den Solarzellen beruht auf dem inneren Fotoeffekt im Halbleitermaterial. Die Solarzellen sind nachstehend näher erläutert. Elektrische Kontakte werden nachträglich aufgeklebt, aufgedruckt oder aufgedampft. The generation of energy with solar cells and their development, production and use are called photovoltaics here. The conversion of the radiation into electrical energy in the solar cells is based on the internal photoelectric effect in the semiconductor material. The solar cells are explained in more detail below. Electrical contacts are subsequently glued, printed or vapor-deposited.

Die Solarzellen bestehen aus Halbleitermaterialien z. B. Silizium, Germanium, Galliumarsenid oder einem ähnlich einsatzfähigen Stoff, der das Sonnenlicht absorbiert und in Gleichstrom umwandelt. Diese direkte Umwandlung von Licht in elektrische Energie in einem Festkörper wird als fotovoltaischer Effekt bezeichnet. Die Lichteinstrahlung setzt im Halbleiter negative und positive Ladungsträger frei. Ein internes elektrisches Feld trennt diese Ladungsträger. Auf diese Weise entsteht eine elektrische Spannung zwischen den Metallkontakten, die an der Oberfläche der Solarzellen angebracht sind. Wird der äußere Kreis über eine Leitung 12 geschlossen, so fließt ein elektrischer Gleichstrom, der einem Verbraucher 6 zugeführt werden kann. Die weitaus meisten heute hergestellten Solarzellen bestehen aus Silizium. The solar cells consist of semiconductor materials z. As silicon, germanium, gallium arsenide or a similar operational substance that absorbs the sunlight and converts it into direct current. This direct conversion of light into electrical energy in a solid is called a photovoltaic effect. The light radiation releases negative and positive charge carriers in the semiconductor. An internal electric field separates these charge carriers. In this way creates an electrical voltage between the metal contacts, which are attached to the surface of the solar cell. Is the outer circle over a pipe 12 closed, a DC electric current flows to a consumer 6 can be supplied. The vast majority of solar cells produced today are made of silicon.

Das in 1 teilweise dargestellte Modul bildet die Grundeinheit der hier nur zum Teil dargestellten Fotovoltaikanlage. Werden die Solarzellen in Reihe geschaltet, entsteht ein String. Mehrere Module in Reihe geschaltet bilden einen Strang. This in 1 partially illustrated module forms the basic unit of the photovoltaic system shown here only partially. If the solar cells are connected in series, a string is created. Several modules connected in series form a strand.

Die in 1 dargestellten Solarzellen bestehen aus hoch reinem Silizium. Sie setzen sich aus einer n-leitenden Schicht 8 und einer p-leitenden Schicht 9 zusammen. An einer Grenzschicht oder Isolierschicht 11 beider Schichten 8, 9 baut sich ein elektrisches Feld auf. Fällt Licht auf die Zelle, so werden unterschiedliche Ladungsträger frei gesetzt. Das elektrische Feld trennt die Ladungsträger, wodurch Spannung über die Anschlusskontakte der Zelle erzeugt wird. Schaltet man ein Gerät, hier den Verbraucher 6, über die Leitung 12 zwischen diese Kontakte, so kann Strom fließen. Die Anschlusskontakte bestehen aus einer ganzflächigen Metallschicht auf der Unterseite und fingerartig gestalteten Metallkontakten auf der Oberseite, damit Sonnenlicht auf die Halbleiterschicht einfallen kann. Um Verluste durch Reflexion zu verringern, wird auf der Oberseite eine bläuliche Antireflexschicht aufgetragen.In the 1 illustrated solar cells are made of high purity silicon. They are made up of an n-type layer 8th and a p-type layer 9 together. At a boundary layer or insulating layer 11 both layers 8th . 9 an electric field builds up. If light falls on the cell, different charge carriers are released. The electric field separates the charge carriers, which creates voltage across the terminal contacts of the cell. Turning on a device, here the consumer 6 , over the line 12 between these contacts, electricity can flow. The contacts consist of a full-surface metal layer on the bottom and finger-like metal contacts on the top, so that sunlight can be incident on the semiconductor layer. To reduce reflection losses, a bluish antireflective coating is applied on top.

Den besten Wirkungsgrad erreichen monokristalline Zellen. Allerdings ist die Herstellung von Silizium-Einkristallen aufwändig und teuer. Etwas preiswerter lassen sich polykristalline Zellen (aus vielen Kristallen) fertigen, die aber weniger effizient sind. Es ist mit dieser Anlage möglich, 30 % der einfallenden Sonnenenergie in Strom umzuwandeln.The best efficiency is achieved by monocrystalline cells. However, the production of silicon monocrystals is complicated and expensive. A little cheaper polycrystalline cells (made of many crystals), but they are less efficient. It is possible with this system to convert 30% of the incident solar energy into electricity.

Beispielsweise kann amorphes Silizium (die Moleküle sind nicht als Kristallgitter regelmäßig angeordnet) in Form von kleinen Plättchen bzw. Flitter in ein Trägermaterial, insbesondere auf ein streichfähiges, fließfähiges Material, wenige mm dick eingebracht werden, z. B. Material aus Gallium-Arsenid (GaAs) oder Kupfer-Indium-Diselenid (CIS).For example, amorphous silicon (the molecules are not regularly arranged as a crystal lattice) in the form of small platelets or tinsel in a carrier material, in particular a spreadable, flowable material, a few mm thick are introduced, for. Gallium arsenide (GaAs) or copper indium diselenide (CIS) material.

Für technische Anwendungen schaltet man mehrere Zellen in Reihe, wobei sich die Spannungen summieren. Nach diesem Ausführungsbeispiel ist es möglich, eine sehr große zusammenhängende Grundfläche zu schaffen und damit hohe Wattzahlen zu erzielen. For technical applications, several cells are connected in series, whereby the voltages accumulate. According to this embodiment, it is possible to provide a very large contiguous base and thus to achieve high wattage.

Das hier eingesetzte Material ist, wie bereits erwähnt, als streichfähiges, fließfähiges Material gebildet. Es kann beispielsweise Kunststoffdispersionsfarbe auf der Basis eines geeigneten Bindemittels sein. Die als Chips ausgebildeten Halbleiterelemente, wie Silizium (SI), Gallium-Arsenid (GaAs) oder Kupfer-Indium-Diselenid (CIS), sind derart zahlreich in die Halbleiterschichten 8, 9 eingebracht, dass sie untereinander in Kontakt stehen. Das Beschichtungssystem 1 ist für Oberflächen, insbesondere als Halbleiterschichten 8 und 9, geeignet, lässt sich einfach auf die Oberfläche aufbringen, streichen, gießen oder schütten und ist zur Erzeugung von Energie aus Licht einzusetzen. The material used here, as already mentioned, formed as a spreadable, flowable material. It may be, for example, plastic dispersion paint based on a suitable binder. The semiconductor elements formed as chips, such as silicon (SI), gallium arsenide (GaAs) or copper indium diselenide (CIS), are so numerous in the semiconductor layers 8th . 9 introduced that they are in contact with each other. The coating system 1 is for surfaces, especially as semiconductor layers 8th and 9 , suitable, easy to apply to the surface, paint, pour or pour, and is used to generate energy from light.

Das Beschichtungssystem 1 besteht aus zwei Halbleiterelementen aufweisenden Schichten, nachstehend als Halbleiterschicht 8 und 9 bezeichnet, die wie bereits erwähnt, durch eine Grenzschicht 11 getrennt sind. Die Halbleiterelemente bzw. der Flitter können mit Hilfe einer Sprühpistole in die Masse eingebracht werden. Die einzelnen Schichten z. B. eine Klebeschicht 10, die Halbleiterschichten 8 und 9 sowie die Grenzschicht 11 können nacheinander auf die Wand oder Dachoberfläche 2 aufgebracht werden, die sich aufgrund der Materialeigenschaften miteinander verbinden. Zum Abschluss werden Leiterbahnen, Leitflächenteile oder Leitgitter 5 aufgebracht, z. B. verklebt, die dann mit einer lichtdurchlässigen Schutzschicht 13 überzogen werden. Die obere n-dotierte Schicht 8 und die unter p-dotierte Schicht 9 werden an den Verbraucher 6 angeschlossen.The coating system 1 consists of two semiconductor elements having layers, hereinafter as a semiconductor layer 8th and 9 referred to, as already mentioned, by a boundary layer 11 are separated. The semiconductor elements or the baubles can be introduced into the mass with the aid of a spray gun. The individual layers z. B. an adhesive layer 10 , the semiconductor layers 8th and 9 as well as the boundary layer 11 Can successively on the wall or roof surface 2 be applied, which connect with each other due to the material properties. At the end, the tracks, the guideways or the guidings 5 applied, z. B. glued, then with a translucent protective layer 13 be coated. The upper n-doped layer 8th and the under p-doped layer 9 be to the consumer 6 connected.

Gemäß den 3 und 4 sind die die Halbleiterschichten 8, 9 sowie die Grenzschicht oder Isolierschicht 11 mit Hilfe einer Auftragsvorrichtung oder einer Düseneinrichtung als Gesamt- oder Verbund- oder Mehrfachschicht 14 in einem Arbeitsverfahren auf einen Untergrund oder eine Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufgebracht wird. Das Beschichtungssystems 1 ist als streich- oder fließfähiges Material ausgebildet, in das als Chips ausgebildete Halbleiterelemente derart zahlreich eingebracht sind, dass sie untereinander in Kontakt stehen und die beiden durch eine Grenzschicht und/oder Isolierschicht voneinander getrennten Halbleiterschichten 8, 9 bilden, die derart unterschiedliche spezifische Dichte aufweisen, dass sie sich in einem Auffangbehälter 17 (3) auf unterschiedlichen Höhen absetzen, ihre Lage beibehalten und sich nach dem Erstarrungs- oder Verfestigungsvorgang nicht mehr miteinander vermischen. wobei sie sich jedoch nur soweit verfestigen, dass das Material als Verbundwerkstoff ohne weiteres unmittelbar auf eine Oberfläche aufgebracht werden kann.According to the 3 and 4 these are the semiconductor layers 8th . 9 as well as the boundary layer or insulating layer 11 by means of an applicator or a nozzle device as a total or composite or multiple layer 14 is applied directly to a substrate or a roof or wall surface in a work process. The coating system 1 is formed as a spreadable or flowable material, are introduced in the form of chips semiconductor elements so many that they are in contact with each other and the two separated by a boundary layer and / or insulating layer semiconductor layers 8th . 9 form, which have such different specific gravity that they are in a collecting container 17 ( 3 ) settle at different heights, maintain their position and no longer mix with each other after the solidification or solidification process. However, they only solidify so far that the material can be applied as a composite material readily on a surface directly.

Nach der Lehre von Archimedes erfährt ein vollständig in einer Flüssigkeit oder Gas eingetauchter Körper eine Auftriebskraft, die der Gewichtskraft des Volumens der verdrängten Flüssigkeit entspricht. Um die zwei Unbekannten, Dichte und Volumen, zu bestimmen, sind zwei Messungen erforderlich. Taucht man einen beliebigen Körper mit dem Volumen VK vollständig in zwei Flüssigkeiten oder Gase mit den bekannten Dichten ρ1 und ρ2 ein, so erfährt er die unterschiedlich resultierenden Gewichtskräfte FG1 bzw. FG2. Messbar sind die resultierenden Kräfte mittels einer einfachen Waage. Die gesuchte Dichte ρK lässt sich wie folgt bestimmen:
Ausgehend von der Formel für die Gewichtskraft des Körpers und den Auftriebskräften FAi FG = VK·ρK·g, FAi = VK·ρi·g messen die beiden Waagen für die in die Flüssigkeit (oder das Gas) 1 oder 2 eingetauchten Massen die Gewichtskräfte FGi = FG – |FAi| According to the teachings of Archimedes, a body completely immersed in a liquid or gas experiences a buoyancy force corresponding to the weight force of the volume of the displaced liquid. To determine the two unknowns, density and volume, two measurements are required. If one submits any body with the volume V K completely into two liquids or gases with the known densities ρ 1 and ρ 2 , it experiences the different resulting weight forces F G1 and F G2 . The resulting forces can be measured by means of a simple balance. The sought density ρ K can be determined as follows:
Starting from the formula for the weight of the body and the buoyancy forces F Ai F G = V K · ρ K · g, F Ai = V K · ρ i · g the two scales measure the weights for the masses immersed in the liquid (or gas) 1 or 2 F Gi = F G - | F Ai |

Eliminiert man aus den beiden Gleichungen für i = 1,2 das Volumen VK, erhält man nach einigen einfachen mathematischen Umformungen die Lösung.If one eliminates the volume V K from the two equations for i = 1,2, the solution is obtained after a few simple mathematical transformations.

Auf oder in die n-dotierten und/oder p-dotierten, fließ- und/oder streichfähigen Halbleiterschichten 8 sind die Leitelemente 5 eingebracht, die aus zahlreichen, untereinander in Verbindung stehenden Leiterbahnen, Leiterelemente bzw. Leitflächenteilen oder einem Leitgitter gebildet sind, wobei diese Schichten in Verbindung mit der dazwischen liegenden Grenzschicht und/oder Isolierschicht 11 mit Hilfe der eine längliche und/oder flach ausgebildete Schlitz-Öffnung aufweisenden Düse 15 (4) auf einen Untergrund unmittelbar aufbringbar sind, die über deine Leitung 16 mit dem Auffangbehälter 17 verbunden ist. Die Grenzschicht und/oder Isolierschicht 11 kann unter anderem auch als Kleber ausgebildet sein.On or in the n-doped and / or p-doped, flowable and / or spreadable semiconductor layers 8th are the guiding elements 5 introduced, which are formed of numerous interconnected interconnects, conductor elements or Leitflächenteilen or a guide grid, said layers in conjunction with the intermediate boundary layer and / or insulating layer 11 with the aid of an elongate and / or flat slot opening having nozzle 15 ( 4 ) are directly attachable to a substrate that is above your pipe 16 with the collection container 17 connected is. The boundary layer and / or insulating layer 11 may be formed, inter alia, as an adhesive.

Im Auffangbehälter 17 ist jeweils eine aus drei oder vier Schichten gebildete Verbundschicht aufgenommen, die von einer dicken Schicht mit Hilfe der Düse 15 in eine sehr dünnen Schicht umgeformt wird, wobei die unterste Schicht klebefähige Substanzen enthält oder auf der untersten n- oder p-dotierten Schicht zusätzlich eine Klebeschicht vorgesehen ist. Damit die Schichten oder die Verbundschicht sicher und schnell auf eine Oberfläche aufgebracht werden kann, ist der Auffangbehälter 17 als Druckbehälter ausgebildet und die Gesamt-, Verbund- oder drei-, vier- oder Mehrfachschicht 14 wird mit Hilfe von Druckluft auf einen Untergrund oder eine Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufgebracht. Hierzu kann auch eine Wand des Druckbehälters oder eine im Druckbehälter vorgesehene zusätzliche verschiebbare Wand 18 vorgesehen sein, die mit Hilfe von einer Druckeinrichtung oder von Druckluft die Gesamt- oder Verbundschicht oder Mehrfachschicht 14 aus dem Auffangbehälter 17 heraus in Richtung Auslassöffnung und dann durch die Düse 15 drückt mit deren Hilfe die Gesamt- oder Verbundschicht oder Mehrfachschicht auf eine Oberfläche, einen Untergrund oder eine Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufbringt.In the collection container 17 In each case, a composite layer formed of three or four layers is recorded, that of a thick layer by means of the nozzle 15 is formed into a very thin layer, wherein the bottom layer contains adhesives or on the bottom n- or p-doped layer additionally an adhesive layer is provided. So that the layers or the composite layer can be applied safely and quickly to a surface, the collecting container 17 designed as a pressure vessel and the total, composite or three, four or multiple layer 14 is applied directly to a substrate or a roof or wall surface by means of compressed air. For this purpose, a wall of the pressure vessel or provided in the pressure vessel additional sliding wall 18 be provided, which with the help of a pressure device or compressed air, the total or composite layer or multiple layer 14 from the collection container 17 out in the direction of the outlet opening and then through the nozzle 15 presses with the help of the total or composite layer or multiple layer on a surface, a substrate or a roof or wall surface immediately applies.

Die aus drei oder vier Schichten gebildete Verbundschicht wird mit Hilfe der Düse 15 in eine sehr dünne laminare Schicht umgeformt wird, wobei die unterste Schicht klebefähige Substanzen enthält oder auf der unteren n- oder p-dotierten Schicht zusätzlich die Klebeschicht 10 vorgesehen ist.The composite layer formed by three or four layers is formed by means of the nozzle 15 is transformed into a very thin laminar layer, wherein the lowermost layer contains adhesives or on the lower n- or p-doped layer additionally the adhesive layer 10 is provided.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Beschichtungssystem coating system
22
Wand, Dachoberfläche Wall, roof surface
33
Photovoltaikmodul, Solargenerator Photovoltaic module, solar generator
55
Leitelement, Leiterbahn, Leitflächenteil, Leitgitter Guide element, conductor track, guide element, guide grid
66
Verbraucher consumer
88th
n-dotierte Schicht, Halbleiterschicht n-doped layer, semiconductor layer
99
p-dotierte Schicht, Halbleiterschicht p-doped layer, semiconductor layer
1010
Klebeverbindung, Klebeschicht Adhesive bond, adhesive layer
1111
Grenzschicht, Isolierschicht Boundary layer, insulating layer
1212
Leitung management
1313
Schutzschicht protective layer
1414
Gesamtschicht, Verbundschicht, Mehrfachschicht Total layer, composite layer, multiple layer
1515
Düse jet
1616
Leitung, Schlauch Pipe, hose
1717
Auffangbehälter receptacle
1818
verschiebbare Wand sliding wall

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 2009/0133340 A1 [0014] US 2009/0133340 A1 [0014]
  • DE 4435376 A1 [0016] DE 4435376 A1 [0016]
  • DE 102009033357 [0017] DE 102009033357 [0017]

Claims (10)

Beschichtungssystem (1) für Oberflächen, insbesondere für Wände und/oder Dachoberflächen (2), das als Fotovoltaik-Modul oder Solargenerator eingesetzt und zur Erzeugung von Energie dem Licht ausgesetzt wird, bestehend aus zumindest einer p-dotierten leitenden Halbleiterschicht (9) mit einer Grenzschicht oder Isolierschicht (11) und einer auf dieser aufgebrachten n-dotierten Halbleiterschicht (8), in der Leitelemente oder Halbleiterelemente (5) eingebracht sind, und einer auf die n-dotierte Halbleiterschicht (8) aufgebrachten Isolierschicht, wobei zumindest eine Halbleiterschicht (9) unmittelbar auf eine Oberfläche oder eine Wand oder Dachoberfläche (2) aufgebracht und mit dieser verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschichten (8, 9) sowie die Grenz- oder Isolierschicht (11) mit Hilfe einer Auftragsvorrichtung oder einer Düseneinrichtung als Gesamt- oder Verbund- oder Mehrfachschicht (14) in einem Arbeitsverfahren auf einen Untergrund oder eine Oberfläche oder eine Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufgebracht wird.Coating system ( 1 ) for surfaces, in particular for walls and / or roof surfaces ( 2 ), which is used as a photovoltaic module or solar generator and exposed to the production of energy to the light, consisting of at least one p-doped conductive semiconductor layer ( 9 ) with a boundary layer or insulating layer ( 11 ) and an applied on this n-doped semiconductor layer ( 8th ), in the guide elements or semiconductor elements ( 5 ) and one on the n-doped semiconductor layer ( 8th ) applied insulating layer, wherein at least one semiconductor layer ( 9 ) directly onto a surface or a wall or roof surface ( 2 ) and connected thereto, characterized in that the semiconductor layers ( 8th . 9 ) as well as the boundary or insulating layer ( 11 ) by means of an applicator device or a nozzle device as a total or composite or multilayer ( 14 ) is applied directly to a substrate or surface or roof or wall surface in a work process. Verfahren zur Herstellung und Verarbeitung des Beschichtungssystems (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungssystems (1) als streich- oder fließfähiges Material ausgebildet ist, in das als Chips ausgebildete Halbleiterelemente derart zahlreich eingebracht sind, dass sie untereinander in Kontakt stehen und die beiden durch eine Grenzschicht und/oder Isolierschicht voneinander getrennten Halbleiterschichten (8, 9) bilden, die derart unterschiedliche spezifische Dichte aufweisen, dass sie sich in einem Auffangbehälter (17) auf unterschiedlichen Höhen absetzen, ihre Lage beibehalten und sich nach dem Erstarrungsoder Verfestigungsvorgang nicht mehr miteinander vermischen. Process for the production and processing of the coating system ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the coating system ( 1 ) is formed as a spreadable or flowable material, are introduced in the form of chips semiconductor elements so many that they are in contact with each other and the two separated by a boundary layer and / or insulating layer semiconductor layers ( 8th . 9 ) that have such different specific gravity that they are in a collecting container ( 17 ) settle at different heights, maintain their position and no longer mix with each other after the solidification or solidification process. Verfahren zur Herstellung und Verarbeitung des Beschichtungssystems (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf oder in die n-dotierte und/oder p-dotierte fließ- und/oder streichfähigen Halbleiterschichten (8, 9) die Leitelemente (5) eingebracht sind, die aus zahlreichen, untereinander in Verbindung stehenden Leiterbahnen, Leiterelementen bzw. Leitflächenteilen oder einem Leitgitter gebildet sind, wobei diese Schichten in Verbindung mit der dazwischen liegenden Grenzschicht und/oder Isolierschicht (11) mit Hilfe einer länglichen und/oder flach ausgebildeten, Schlitz-Öffnungen aufweisenden Düse (15) auf einen Untergrund unmittelbar aufbringbar sind.Process for the production and processing of the coating system ( 1 ) according to claim 1, characterized in that on or in the n-doped and / or p-doped flowable and / or spreadable semiconductor layers ( 8th . 9 ) the guiding elements ( 5 ) are formed, which are formed of numerous, interconnected interconnects, conductor elements or Leitflächenteilen or a guide grid, said layers in conjunction with the intermediate boundary layer and / or insulating layer ( 11 ) by means of an elongated and / or flat-shaped, slot-openings nozzle ( 15 ) are directly applied to a substrate. Verfahren zur Aufbringung des Beschichtungssystems (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Auffangbehälter (17) jeweils eine aus drei oder vier Schichten gebildete Verbundschicht aufgenommen ist, die von einer dicken Schicht mit Hilfe der Düse (15) in eine sehr dünne Schicht umgeformt wird, wobei die unterste Schicht klebefähige Substanzen enthält oder auf der untersten n- oder p-dotierten Schicht zusätzlich eine Klebeschicht (10) vorgesehen ist.Method of applying the coating system ( 1 ) according to claim 1, characterized in that in the collecting container ( 17 ) is in each case a composite layer formed of three or four layers, which is covered by a thick layer by means of the nozzle ( 15 ) is converted into a very thin layer, wherein the bottom layer contains adhesives or on the bottom n- or p-doped layer additionally an adhesive layer ( 10 ) is provided. Beschichtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Auffangbehälter (17) als Druckbehälter ausgebildet ist und die Gesamt- oder Verbundschicht oder drei- oder vierfach- oder Mehrfachschicht (14) mit Hilfe von Druckluft auf einen Untergrund oder eine Dach- oder Wandfläche unmittelbar aufgebracht wird.Coating system according to claim 1, characterized in that the collecting container ( 17 ) is formed as a pressure vessel and the total or composite layer or three- or vierfach- or multiple layer ( 14 ) is applied directly by means of compressed air to a substrate or a roof or wall surface. Beschichtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die der Lichtenergie ausgesetzte Schicht (8) eine n-dotierte Schicht aus Silizium oder Galliumarsenid oder Kupfer-Indium-Diselenid ist. Coating system according to claim 1, characterized in that the layer exposed to light energy ( 8th ) is an n-doped layer of silicon or gallium arsenide or copper indium diselenide. Beschichtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die der Lichtenergie ausgesetzte, negativ geladene Schicht (8) auf der p-dotierten Schicht (9) aufgebracht ist, die mittel- oder unmittelbar auf der Wand oder Dachoberfläche (2) aufgebracht ist.Coating system according to Claim 1, characterized in that the negatively charged layer ( 8th ) on the p-doped layer ( 9 ) is applied directly or indirectly to the wall or roof surface ( 2 ) is applied. Beschichtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der positiv-dotierten Schicht (9) und der Wand oder der Dachoberfläche (2) die Klebeverbindung (10) vorgesehen ist.Coating system according to claim 1, characterized in that between the positively-doped layer ( 9 ) and the wall or roof surface ( 2 ) the adhesive bond ( 10 ) is provided. Beschichtungssystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschichten (8, 9) eine streichbare Farbmasse sind, in der Halbleiterelemente eingebracht sind und schichtweise auf der Wand oder Dachoberfläche (2) aufgebracht werden.Coating system according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor layers ( 8th . 9 ) are paintable color mass, are introduced in the semiconductor elements and layered on the wall or roof surface ( 2 ) are applied. Beschichtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschichten (8, 9) elektrisch leitende Farben sind, die insbesondere auf der Basis einer Kunststoffdispersionsfarbe mit Bindemittel aufgebaut sind.Coating system according to claim 1, characterized in that the semiconductor layers ( 8th . 9 ) are electrically conductive inks, which are constructed in particular on the basis of a plastic dispersion paint with binder.
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