DE102013106858A1

DE102013106858A1 - Substrat für ein LED-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE102013106858A1
Application number: DE102013106858.8A
Authority: DE
Inventors: Cheol Ho Heo
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2012-07-19
Filing date: 2013-07-01
Publication date: 2014-01-23
Also published as: US20140021851A1; CN103579476A

Abstract

Es wird ein Substrat für ein LED-Modul und ein Verfahren zur Herstellung des Substrats vorgeschlagen, wobei das Substrat ein Grundsubstrat aufweist, eine Isolierschicht, die auf einem verbleibenden Bereich aufgenommen einen Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat ausgebildet ist, eine auf der Isolierschicht gebildete Elektrodenschicht, eine auf den Chipbefestigungsbereich A gebildete Oxidschicht und eine hochreflektive Schicht, die auf der Oberseite der Oxidschicht gebildet ist.

Description

Bezugnahme auf verwandte Anmeldungen
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2012-0078806 , die am 19. Juli 2012 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde und deren Offenbarung in der vorliegenden Anmeldung durch Bezugnahme enthalten ist.
Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substrat für ein LED-Modul und ein Verfahren zu dessen Herstellung; und insbesondere ein Substrat für ein LED-Modul, das eine hochreflektive Schicht aufweist, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
2. Beschreibung des Standes der Technik
In jüngster Zeit sind Leuchtdioden (nachfolgend als LED bezeichnet) in den Mittelpunkt gerückt als Beleuchtungsmittel oder als Licht emittierendes Mittel, im Hinblick auf Gewichtsverringerung, Verringerung der Größe und Energieeinsparung. Die LED ist ein Leuchtmittel, das Licht emittiert, wenn ein Strom an einen pn-Übergang eines Halbleiters angelegt wird und wird hergestellt durch Benutzen von Halbleiterkristallen der III-V-Gruppe. Wegen der Entwicklung einer Epitaxie-Wachstums-Technologie und einem Herstellungsverfahren für Halbleiterleuchtmittel wurden LEDs mit einem hervorragenden Wirkungsgrad entwickelt, die umfangreich auf verschiedenen Gebieten genutzt werden.
Ein derartiges LED-Modul wird als Modul in einem Körper hergestellt, und im Allgemeinen wird das LED-Modul hergestellt durch Befestigen eines LED-Pakets auf einer gedruckten Leiterplatte (PCB) sowohl bei einem herkömmlichen LED-Modul als auch bei einem als oberflächenmontiertes Bauteil (surface mounted technology, SMT) hergestellten LED-Modul.
Da die Größe oder das Material der gedruckten Leiterplatte (PCB), die für das LED-Modul in dem LED-Modul benutzt wird, hergestellt werden muss, um die Formeigenschaften und die Materialeigenschaften des LED-Bauteils aufzuweisen, wobei das Material eine hervorragende Festigkeit und eine geringe thermische Dehnung aufweist. Insbesondere, da die gedruckte Leiterplatte für das LED-Modul richtungsabhängig ist, entstehen Probleme, da ein zusätzliches Bauteil wie eine Reflektionsplatte oder eine Lichtführungsplatte benutzt wird gemäß der Bauteilbefestigungsform der gedruckten Leiterplatte für das LED-Modul während dessen Herstellung. Das bedeutet, dass, falls das LED-Bauteil auf der gedruckten Leiterplatte für ein herkömmliches LED-Modul befestigt wird, wird eine festgelegte Lichtmenge verschwendet wegen der Richtungsabhängigkeit des LED-Lichts, wodurch der Wirkungsgrad verschlechtert wird.
Dementsprechend wird in dem Fall einer gedruckten Leiterplatte für die LED-Module, die für LED-Module benutzt wird, ein Aluminiummaterial, das eine hervorragende Lichtreflektion besitzt, als Grundsubstrat benutzt. Um eine weiter verbesserte Lichtreflektion umzusetzen, ist die Oberfläche des Grundsubstrats verspiegelt.
In der Druckschrift KR 10-2010-0017841 (nachfolgend Druckschrift zum Stand der Technik Nr. 1 genannt), die als koreanische Offenlegungsschrift veröffentlicht wurde, wird, um die Lichtreflektivität des Substrats des LED-Moduls zu erhöhen, ein metallisches Grundsubstrat für einen Schaltkreis vorgeschlagen, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine weiße Farbschicht auf einer Isolierschicht angeordnet ist.
Allerdings ist bei der Erfindung gemäß der Druckschrift zum Stand der Technik Nr. 1 zu beachten, dass diese ein hochpreisiges Titandioxid als weißen Farbstoff der weißen Farbschicht enthält und diese weiße Farbschicht ist auf der gesamten Oberfläche der Isolierschicht gebildet, wodurch sich die Herstellungskosten erhöhen.
In der Druckschrift KR 10-2010-0123155 (nachfolgend als Druckschrift zum Stand der Technik Nr. 2 bezeichnet), die als koreanische Offenlegungsschrift veröffentlicht wurde, wird ein Verfahren zur Herstellung eines LED-Modul-Substrats zum Erhöhen der Lichtreflektivität offenbart und es wird vorgeschlagen, dass das Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte zum Befestigen eines LED-Bauteils einen Schritt zum Bilden eines Schaltkreisleitermusters umfasst, wobei ein Schaltkreisleitermuster auf einem Grundsubstrat gebildet wird; einen Fotoresist-Beschichtungsschritt zum Beschichten des Fotoresists auf dem Schaltkreisleitermuster; einen Schritt zum Bilden einer Reflektionsschicht, die aus einer Metallschicht auf einer Oberseite des beschichteten Fotoresist hergestellt ist; und einen Schritt zum Bilden der äußeren Form der gedruckten Leiterplatte durch Stanzen der Innenseite/Außenseite des Schaltkreisleitermusters.
Da allerdings das Herstellungsverfahren gemäß der Druckschrift zum Stand der Technik Nr. 2 als Stapelprozess implementiert ist wegen der Beschichtung der Reflektionsschicht als Licht reflektierendes Bauteil, sind die Prozessschritte komplex im Hinblick auf das Schaltkreismuster, wodurch sich die Herstellungskosten erhöhen.
Druckschriften zum Stand der Technik

Druckschrift Nr. 1: Koreanische Offenlegungsschrift KR 10-2010-0017841 ,
Druckschrift Nr. 2: Koreanische Offenlegungsschrift KR 10-2010-0123155

Zusammenfassung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die oben beschriebenen Probleme zu überwinden und der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Substrat für ein LED-Modul anzugeben, das eine hervorragende Lichtreflektivität aufweist, wobei die Herstellungsprozesse vereinfacht sind, wodurch Herstellungskosten gespart werden können. Daneben liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung des LED-Moduls anzugeben.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Substrat für ein LED-Modul vorgesehen, umfassend: ein Grundsubstrat; eine Isolierschicht, gebildet auf einem verbleibenden Bereich ausgenommen einen Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat; eine auf der Isolierschicht gebildete Elektrodenschicht; eine auf dem Chipbefestigungsbereich A des Grundsubstrats gebildete Oxidschicht; und eine hochreflektive Schicht, gebildet auf der Oberseite der Oxidschicht.
Die Oxidschicht ist aus einem Oxid hergestellt, gebildet durch Oxidieren des Grundsubstrat.
Die Oxidschicht umfasst eine oder zwei der folgenden Verbindungen: Aluminiumoxid Al₂O₃, Magnesiumoxid MgO, Manganoxid MnO, Zinkoxid ZnO, Titanoxid TiO₂, Hafniumoxid HfO₂, Tantaloxid Ta₂O₅ und Nioboxid Nb₂O₃.
Der Chipbefestigungsbereich A des Grundsubstrats weist eine kreisförmige Form oder eine rechteckige Form auf.
Die hochreflektive Schicht ist ein metallischer Dünnfilm, der durch ein Beschichtungsverfahren gebildet ist.
Die hochreflektive Schicht umfasst eines der folgenden Elemente: Aluminium Al, Titan Ti, Silber Ag, Nickel Ni und Chrom Cr oder eine Legierung dieser Elemente.
Das Grundsubstrat ist aus einem der folgenden Elemente hergestellt: Aluminium Al, Magnesium Mg, Mangan Mn, Zink Zn, Hafnium Hf, Tantal Ta und Niob Nb oder aus einer Legierung dieser Elemente.
Das Substrat für das LED-Modul umfasst ferner einen LED-Chip, der auf der Oberseite der Reflektionsschicht befestigt und mit der Elektrodenschicht durch Drahtbonden verbunden ist.
Das Substrat für das LED-Modul umfasst ferner eine Beschichtungsschicht, die auf einer Oberseite der Elektrodenschicht gebildet ist, so dass sie durch Drahtbonden mit dem LED-Chip verbunden werden kann.
Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul vorgesehen, umfassend: (a) Herstellen eines Grundsubstrats; (b) Befestigen einer Maske, die eine darauf gebildete Öffnungseinheit aufweist gemäß einem festgelegten Leitermuster auf einer Oberseite des Grundsubstrats; (c) Oxidieren der Oberseite des Grundsubstrats, das durch die Öffnungseinheit freigelegt ist; (d) Bilden einer hochreflektiven Schicht auf einer Oxidschicht, die durch ein Oxidationsverfahren gebildet ist; (e) nach dem Entfernen der Maske Bilden einer Isolierschicht auf einem verbleibenden Bereich ausgenommen einen Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat; und (f) Bilden einer Elektrodenschicht auf der Isolierschicht.
Der Schritt (d) wird durchgeführt durch ein Metallbeschichtungsverfahren der Oberseite des Grundsubstrats in dem Zustand, wenn die Maske angebracht ist.
Der Metallbeschichtungsprozess benutzt eines der folgenden Verfahren: Sputtern, galvanisches Beschichten, thermisches Beschichten, Elektronenstrahlbeschichten, physikalische Dampfbeschichtung (physical vapor deposition, PVD) oder chemische Dampfbeschichtung (chemical vapor deposition, CVD).
Die Öffnungseinheit besitzt die Form eines Kreises oder eines Rechtecks.
Die Breite der Öffnungseinheit ist größer als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A in dem Grundsubstrat.
Der Unterschied zwischen der Breite der Öffnungseinheit und der Breite des Chipbefestigungsbereichs A beträgt zwischen 0,01 und 0,2 des Chipbefestigungsbereichs A.
Die Oxidationsbehandlung ist ein Anodenverfahren oder ein plasmaelektrolytisches Oxidationsverfahren.
Das Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul umfasst ferner, nach dem Schritt (c), das Polieren der gesamten Oberfläche des Grundsubstrats.
Die Elektrodenschicht wird durch eines der folgenden Herstellungsverfahren gebildet: ein additives Verfahren, ein subtraktives Verfahren oder ein semi-additives Verfahren.
In dem Schritt (e) wird die Isolierschicht so gebildet, dass sie die Oxidschicht und die hochreflektive Schicht bedeckt, die sich bis zu dem Chipbefestigungsbereich A des Grundsubstrats erstreckt.
Das Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul umfasst ferner nach dem Schritt (f) das Bilden einer Beschichtungsschicht auf einer Oberseite der Elektrodenschicht durch stromloses Beschichten wie durch electroless nickel immersion gold (ENIG), electroless nickel autocatalytic gold (ENAG), electroless nickel elektroless palladium immersion gold (ENEPIG) oder dergleichen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben, in denen:
1 ist eine geschnittene Ansicht und zeigt ein Substrat eines LED-Moduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
2 ist eine Draufsicht und zeigt ein Substrat eines LED-Moduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
3 ist eine geschnittene Ansicht und zeigt ein Substrat eines LED-Moduls gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
4–9 sind Verfahrensdiagramme und zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats eines LED-Moduls gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
10–12 sind Verfahrensdiagramme und zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats eines LED-Moduls gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung um die oben erwähnten Ziele zu erreichen werden unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben. In der Beschreibung bezeichnen gleiche Bezugszeichen und gleiche Bestandteile und doppelte oder überflüssige Beschreibungen werden aus Gründen der Kürze weggelassen.
Es wird darauf hingewiesen, dass Singularformen wie „ein” und „der” so zu verstehen sind, dass sie ebenso den Plural umfassen, soweit sich nicht aus dem Kontext klar etwas Gegenteiliges ergibt. Es wird darauf hingewiesen, dass Begriffe wie „umfassen”, „enthalten” und „haben”, wenn sie in der Beschreibung benutzt werden, das Vorhandensein von angegebenen Eigenschaften oder Bestandteilen angeben, sie schließen jedoch nicht das Vorhandensein oder die Hinzufügung einer oder mehrerer anderer Merkmale, Bestandteile oder Kombinationen davon aus.
Die Zeichnungen, auf die in der vorliegenden Beschreibung Bezug genommen wird, werden übertrieben hinsichtlich Form, Größe, Dicke oder dergleichen beschrieben, um die technischen Merkmale der vorliegenden Erfindung effektiv zu erläutern als ein Beispiel für Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung.
Nachfolgend werden der Aufbau und die Wirkungen der vorliegenden Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben.
1 ist eine geschnittene Ansicht und zeigt ein Substrat eines LED-Moduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Bezug nehmend auf 1 kann das Substrat 100 für das LED-Modul gemäß der vorliegenden Erfindung ein Grundsubstrat 110 umfassen, eine Isolierschicht 120, eine Elektrodenschicht 130, eine Oxidschicht 140 und eine hochreflektive Schicht 150.
Das Grundsubstrat 110 spielt eine Rolle beim Abgeben von Wärme, die erzeugt wird, wenn von dem LED-Chip 160 Licht auf eine Unterseite des Grundsubstrats 110 abgegeben wird. Dementsprechend kann das Grundsubstrat 110 aus einem metallischen Material hergestellt sein umfassend irgendeines der folgenden Elemente: Aluminium Al, Magnesium Mg, Mangan Mn, Zink Zn, Titan Ti, Hafnium Hf, Tantal Ta und Niob Nb oder eine Legierung dieser Elemente.
Wenn das Grundsubstrat, das aus dem Metallmaterial hergestellt ist, benutzt wird, weist es eine hervorragende thermische Leitfähigkeit auf und die in dem LED-Chip 1160 erzeugte Wärme wird wirksam abgeführt. Allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht auf ein derartiges Metallsubstrat begrenzt, stattdessen kann auch ein herkömmliches Substrat, das auf Epoxidharz oder einem Polyimid basiert, als Grundsubstrat gemäß den Eigenschaften des LED-Chips benutzt werden.
Andererseits, um die Kontaktfläche mit Luft zu vergrößern, kann eine Mehrzahl von Nuten auf der Unterseite des Grundsubstrats 110 gebildet sein oder die vorliegende Erfindung besitzt eine Struktur, die erhalten wird durch Vereinigen des Grundsubstrats 110 und eines Kühlkörpers (nicht gezeigt).
Und um ein Biegephänomen während der Befestigung des LED-Chips zu verhindern wird es bevorzugt, dass die Dicke des Grundsubstrats 110 zwischen 800 nm und 1000 nm beträgt.
Die Isolierschicht 120 ist in der Oberfläche des verbleibenden Grundsubstrats 110 gebildet, ausgenommen einen Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat 110.
Da der Chipbefestigungsbereich A ein Bereich ist, wo die hochreflektive Schicht 150 vorhanden ist, die der Außenseite durch eine Ausnehmung 131 ausgesetzt ist, ist gemäß der Struktur der hochreflektiven Schicht 150 die Breite der hochreflektiven Schicht 150 gleich oder größer als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A.
Gemäß dem Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung, das nachfolgend beschrieben wird, kann der Chipbefestigungsbereich A in unterschiedlichen Formen hergestellt werden. Da 2 eine Draufsicht ist und das Substrat eines LED-Moduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, kann der Chipbefestigungsbereich A beispielsweise in der Form eines Kreises hergestellt sein, wie in 2 gezeigt ist, und er kann in einer beliebigen Form hergestellt sein wie ein Rechteck, eine Ellipse, ein Polygon oder dergleichen.
Wieder auf 1 Bezug nehmend weist die Isolierschicht 120 eine Struktur auf, bei der Glasfaser in ein aushärtendes Harz eingebettet ist. Da eine derartige Isolierschicht 120 in der Form einer Lage hergestellt ist, kann sie auf dem Grundsubstrat 110 gestapelt werden. Ein Epoxidharz, ein Phenolharz, ein Silikonharz oder ein Acrylharz oder dergleichen kann als aushärtendes Harz benutzt werden.
Um wirksam in dem LED-Chip 160 erzeugte Wärme abzuführen kann ein anorganischer Filler, der hervorragende thermische Leitfähigkeit aufweist, in der Isolierschicht 120 enthalten sein. Der anorganische Filler kann aus heterogenen Partikeln hergestellt sein, deren durchschnittliche Korngrößendurchmesser sich voneinander unterscheiden. Beispielsweise kann der Filler aus Partikeln hergestellt sein, die eine durchschnittliche Korngröße besitzen, die zwischen 0,6 μm und 2,4 μm liegt und aus Partikeln, die einen durchschnittlichen Korngrößendurchmesser besitzen, der zwischen 5 μm und 20 μm beträgt.
Auf diese Weise kann die vorliegende Erfindung durch Mischen von groben Partikeln mit großen durchschnittlichen Korndurchmessern und feinen Partikeln mit kleinen durchschnittlichen Korndurchmessern eine exzellente thermische Leitfähigkeit erzielen, da eine dichte Füllung erlaubt ist im Vergleich zu einem Fall, wenn die Partikeldurchmesser unabhängig benutzt werden.
Die Elektrodenschicht 130 führt eine elektrische Signalübertragung mit dem LED-Chip 160 durch, indem sie in einem festgelegten Leitermuster auf der Isolierschicht 120 gebildet ist. Dementsprechend kann die Elektrodenschicht 130 wenigstens ein oder zwei Materialien umfassen, die eine hervorragende thermische Leitfähigkeit besitzen ausgewählt aus der Gruppe umfassend Nickel, Kupfer, Gold, Silber, Zinn und Kobalt.
Sieht man sich die Struktur der Elektrodenschicht 130 im Detail an, kann die Elektrodenschicht 130 aus einer unteren Saatschicht und einer unteren Metallschicht hergestellt sein. Die Saatschicht ist eine dünne Metallschicht, die auf einer Oberseite der Isolierschicht 120 gebildet ist durch ein Sputterverfahren und die Metallschicht ist durch ein elektrolytisches Beschichtungsverfahren gebildet, wobei die Saatschicht als Zeichenlinie benutzt wird.
Daneben kann die Metallschicht gebildet sein durch Benutzen unterschiedlicher Prozesse, die einem Fachmann auf diesem Gebiet wohl bekannt sind, z. B. ein additives Verfahren, ein subtraktives Verfahren, ein semi-additives Verfahren und dergleichen, und die Saatschicht kann weggelassen werden gemäß dem Beschichtungsverfahren.
Andererseits kann die Beschichtungsschicht ferner auf einer Oberseite der Elektrodenschicht 130 gebildet sein, um den LED-Chip 160 durch Drahtbonden oder Löten zu verbinden. Gold (Au) wird benutzt zum Herstellen der Beschichtungsschicht, die gebildet werden kann durch Benutzen stromloser Beschichtungsverfahren wie electroless nickel immersion gold (ENIG), electroless nickel autocatalytic gold (ENAG), electroless nickel elektroless palladium immersion gold (ENEPIG) oder dergleichen.
Die hochreflektive Schicht 150 ist ein metallischer Dünnfilm und hat eine Dicke, die zwischen 2 μm und 3 μm beträgt und die gleichmäßig auf dem Chipbefestigungsbereich A des Grundsubstrats 110 gebildet ist. In den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann sie aus einem Metallmaterial hergestellt sein, das durch Benutzen eines Sputterverfahrens gebildet ist, obwohl die hochreflektierende Schicht 150 aus Aluminium und durch ein Sputterverfahren hergestellt ist. Daneben kann sie aus Titan Ti, Silber Ag, Nickel Ni, Chrom Cr oder dergleichen hergestellt sein. Die gemeinsame Eigenschaft derartiger Werkstoffe ist, dass sie eine hohe Lichtreflektion besitzen, ausgenommen den Punkt, dass sie durch Benutzen des Sputterverfahrens hergestellt werden können.
Da das Substrat des LED-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung eine Struktur aufweist, wobei der LED-Chip 160 auf der hochreflektierenden Schicht 150 befestigt ist und eine hohe Reflektivität aufweist, kann eine wirksame Beleuchtung implementiert werden durch Reflektieren des von dem LED-Chip 160 emittierten Lichts durch die hochreflektierende Schicht 150.
Und ebenso, da die hochreflektierende Schicht 150 lediglich auf dem Chipbefestigungsbereich A gebildet ist, wo das Licht des LED-Chips 160 direkt einfällt, können dessen Herstellungskosten reduziert werden durch Nichtausbilden der hochreflektierenden Schicht 150 auf dem unnötigen Bereich.
Obwohl das Substrat für das LED-Modul einer Struktur, bei der die Breite der hochreflektierenden Schicht 150 gleich ist zu der des Chipbefestigungsbereichs A wie in 1, hat das Substrat für das LED-Modul gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, wie in 3 gezeigt ist, eine Struktur, bei der die Breite der hochreflektierenden Schicht 150 größer ist als die Breite des Chipbefestigungsbereichs A. Dementsprechend ist die hochreflektierende Schicht 150 auf dem Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat 110 ebenso wie in dem Bereich B, der sich von dem Chipbefestigungsbereich A erstreckt, ausgebildet, und die Isolierschicht 120 bedeckt die hochreflektierende Schicht 150 des Bereichs B.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sind die hochreflektierende Schicht 150 und die Isolierschicht 120 durch eine dem Bereich B entsprechende Fläche, wobei die Verbindung zwischen der hochreflektierenden Schicht 150 und dem Grundsubstrat 110 drastisch vergrößert sein kann, wodurch die Zuverlässigkeit der Produkte verbessert wird.
Ebenso wird in dem LED-Chip 160 erzeugte Wärme abgeführt durch die Unterseite der hochreflektierenden Schicht 150 ebenso wie durch die Übergangsfläche zwischen der hochreflektierenden Schicht 150 und der Isolierschicht 120, wodurch eine wirksame Wärmeabfuhr durchgeführt wird.
Dabei wird es bevorzugt, dass die Breite des Bereichs B zwischen 0,01 und 0,2 der Breite des Chipbefestigungsbereichs A beträgt. Obwohl die oben beschriebenen Wirkungen weiter erhöht werden können, wenn die Breite des Bereichs B länger ist, können sich andererseits die Herstellungskosten zum Bilden der hochreflektierenden Schicht 150 erhöhen. Dementsprechend wird es bevorzugt, dass die Breite des Bereichs B einen passenden Wert zwischen den oben beschriebenen Grenzen besitzt.
In dem Fall, wenn das Grundsubstrat 110 aus einem Metallmaterial hergestellt ist, kann die Oxidschicht 140 zwischen der hochreflektierenden Schicht 150 und dem Grundsubstrat 110 gebildet sein, um das Grundsubstrat 110 und die hochreflektierende Schicht 150 elektrisch zu isolieren und um die Lichtabsorptionsrate des Substrats zu reduzieren.
Die Oxidschicht 140 kann gebildet werden durch Anodisieren oder durch elektrolytisches Oxidieren der Oberfläche des Grundsubstrats 110 eines Metallmaterials. Beispielsweise, wenn das Grundsubstrat 110 aus Aluminium Al hergestellt ist, kann die Oxidschicht 140 aus anodisch oxidiertem Aluminium Al₂O₃ hergestellt sein. Da Aluminiumoxid Al₂O₃ hervorragende Isoliereigenschaften und Reflektivität aufweist, obwohl die Dicke der Oxidschicht 140 dünn ist, kann die Isolierung zwischen dem Grundsubstrat 110 und der hochreflektierenden Schicht 150 ausreichend erzielt werden und die Lichtmenge des LED-Chips 160 kann erhöht werden durch Verringern der Lichtabsorptionsrate des Grundsubstrats 110.
Der LED-Chip 160, der auf der Oberseite der hochreflektierenden Schicht 150 gebildet ist, kann gebildet sein als eine Struktur umfassend eine n-Typ Halbleiterschicht, eine p-Typ Halbleiterschicht und eine aktive Schicht, die dazwischen angeordnet ist, wobei er eine Struktur aufweist, durch die Licht durch Koppeln der Elektronen mit Löchern in der aktiven Schicht entladen wird. Die vorliegende Erfindung kann auf unterschiedliche Typen von LED-Chips angewendet werden, unabhängig davon, ob die Struktur des LED-Chips vom vertikalen Typ, vom horizontalen Typ oder vom Flip-Chip-Typ ist, und sie ist nicht beschränkt auf einen speziellen Typ von LED-Chips.
Die Befestigung eines derartigen LED-Chips 160 kann ein Befestigungsverfahren wie Chipbonding, Löten, Punktschweißen, ein Hitze abführendes Feld oder ein Hitze abführendes Klebeband, eine Hitze abführende Paste oder dergleichen umfassen.
Und obwohl die Kopplung zwischen dem LED-Chip 160 und der Elektrodenschicht 30 durch unterschiedliche Strukturen in Abhängigkeit von den Formen und Eigenschaften der Komponenten ausgebildet sein kann, kann im Allgemeinen Drahtbonden benutzt werden. Es wird bevorzugt, dass Drahtbonden durch Golddrahtbonden (Au) durchgeführt wird; und der LED-Chip 160 und die Elektrodenschicht 130 sind elektrisch durch Drahtbonden verbunden.
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen eines Substrats eines LED-Moduls gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung erläutert.
Die 4–9 sind Prozessdiagramme und zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats einer LED gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Das Verfahren zur Herstellung des Substrats für das LED-Modul gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sieht zunächst das Herstellen eines Grundsubstrats 110 vor, wie in 4 gezeigt ist.
Das Grundsubstrat 110 kann ein Substrat sein, das aus einem Metallmaterial hergestellt ist umfassend wenigstens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe umfassend Aluminium Al, Magnesium Mg, Mangan Mn, Zink Zn, Titan Ti, Hafnium Hf, Tantal Ta und Niob Nb oder eine Legierung dieser Elemente.
Nachfolgend wird, wie in 5 gezeigt ist, eine Maske 111, auf der eine Öffnungseinheit 111a gemäß einem festgelegten Leitermuster gebildet ist, auf die Oberfläche des Grundsubstrats 110 aufgebracht.
Da eine hochreflektive Schicht 150 darauf befestigt ist, wird der LED-Chip 160 auf einer Oberseite des Grundsubstrats 110 gebildet, die nach außen durch die Öffnungseinheit 111a offenliegt, und es wird bevorzugt, dass die Öffnungseinheit 111 gebildet wird unter Beachtung der Befestigungsposition des LED-Chips 160.
Die Öffnungseinheit 111a kann eine beliebige Form besitzen wie ein Kreis, ein Rechteck, eine Ellipse, ein Polygon oder dergleichen; und dementsprechend kann die Oberfläche des Grundsubstrats 110, das durch die Öffnungseinheit 111 freigelegt ist, ebenso die beliebige Form aufweisen wie den Kreis, das Rechteck, die Ellipse, das Polygon oder dergleichen gemäß der Form der Öffnungseinheit 111a.
Die Breite der Öffnungseinheit 111a kann gleich oder größer als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A sein. In 5 wurde zuvor als Beispiel offenbart, dass die Breite der Öffnungseinheit 111 größer ist als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A.
In dem Fall, wenn die Breite der Öffnungseinheit 111a größer ist als die des Chipbefestigungsbereichs A, da die Breite der hochreflektierenden Schicht 150, die durch die folgenden Prozesse gebildet wird, größer ist als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A, kann die Struktur des Substrats für das LED-Modul, das in 3 gezeigt ist, hergestellt werden.
Dabei wird es bevorzugt, dass der Unterschied zwischen der Breite der Öffnungseinheit 111a und der Breite des Chipbefestigungsbereichs A zwischen 0,01 und 0,2 der Breite des Chipbefestigungsbereichs A beträgt.
Anschließend, wie in 6 gezeigt ist, wird eine Oxidschicht 140 durch Oxidieren der Oberfläche des Grundsubstrats 110 gebildet, das durch die Öffnungseinheit 111a freigelegt ist.
Der Oxidationsprozess kann ein Anodenprozess oder ein Plasma-Elektrolyt-Oxidationsprozess sein.
Nachfolgend wird ein Oxidationsprozess, bei dem der Anodenprozess benutzt wird, im Detail beschrieben, beispielsweise in dem Fall, wenn das Grundsubstrat 110 Aluminium Al ist. Die Oberfläche des Grundsubstrats 110, die durch die Öffnungseinheit 111a freigelegt ist, reagiert mit einer Elektrolytlösung, wodurch Aluminiumionen Al³⁺ auf einer Zwischenfläche reagieren. Wenn die Stromdichte durch die auf das Grundsubstrat 110 angelegte Spannung konzentriert wird, werden umso mehr Aluminiumionen Al³⁺ gebildet, was darin resultiert, dass mehrere Nuten auf der Oberseite des Grundsubstrat 110, die durch die Öffnungseinheit 111 freigelegt ist, gebildet werden. Anschließend werden die Sauerstoffionen O^2– durch die Kraft des elektrischen Felds in Richtung der Nuten bewegt und sie reagieren mit den Aluminiumionen Al³⁺; und dementsprechend wird die Oxidschicht 140, die aus Aluminiumoxid Al₂O₃ hergestellt ist, auf der Oberfläche des Grundsubstrats 110 gebildet, das durch die Öffnungseinheit 111 freigelegt ist
Nach dem Oxidationsverfahren kann in diesem Fall die Oberfläche der Oxidschicht 140 poliert werden durch zusätzliches Durchführen eines Verfahrensschritts zum Polieren der gesamten Oberseite des Grundsubstrats 110. Im allgemeinen, da die Reflektivität der Lichter sich erhöht, wenn die Wellenlänge des einfallenden Lichts länger und die Einfallsoberfläche flacher ist, kann die Lichtmenge des LED-Chips 160 erhöht werden durch Durchführen eines derartigen Polierverfahrens.
Nachfolgend, wie in 7 gezeigt ist, wird die hochreflektierende Schicht 150 auf der Oxidschicht 140 gebildet.
Wenn die Oberfläche des Grundsubstrats 110 abgelagert wird in dem Zustand, wenn die Maske 111 angebracht ist, wird die hochreflektierende Schicht 150 auf der Oberfläche der Oxidschicht 140 abgelagert, die durch die Öffnungseinheit 111a freigelegt ist.
Und anschließend, wenn die Maske 111 entfernt wird, wie in 8 gezeigt ist, ist das Grundsubstrat 110 mit der Oxidschicht 140 und der hochreflektierenden Schicht 150 versehen, die auf der Oberseite der Oxidschicht 140 gebildet ist.
Das Beschichtungsverfahren kann ein herkömmliches Sputterverfahren sein. Da das Sputterverfahren eine Technologie ist, um einen dünnen Film durch Aufbringen von Metallpartikeln auf einer Oberseite eines Substrats zu bilden, und obwohl das Sputterverfahren in den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung durch Benutzen durch Aluminium implementiert ist, kann es umgesetzt werden durch Benutzen von metallischen Werkstoffen, z. B. Nickel, Chrom, Silber oder dergleichen, die in der Lage sind, das Sputterverfahren durchzuführen.
Zusätzlich kann das Beschichtungsverfahren zum Bilden der Metallschicht herkömmliche Beschichtungsverfahren benutzen, die einem Fachmann auf diesem Gebiet wohl bekannt sind wie eine galvanische Beschichtung, ein thermisches Beschichtungsverfahren, ein Elektronenstrahlbeschichtungsverfahren, ein PVD-Verfahren oder ein CVD-Verfahren.
Anschließend, wie in 9 gezeigt ist, wird die Isolierschicht 120 auf der Oberseite des Grundsubstrats 110 gebildet, ausgenommen die hochreflektierende Schicht 150.
Insbesondere kann die Isolierschicht 120 ein kupferkaschiertes Laminat (copper clad laminate, CCL) sein, bei dem eine Kupferschicht unter Wärmeeinwirkung im Vakuum auf eine Fläche der Isolierlage einer Struktur komprimiert wird, wobei Glasfasern in ein aushärtendes Harz wie Epoxidharz eingebettet sind. Ein derartiges copper clad laminate (CCL) wird auf dem Grundsubstrat 110 gestapelt in dem Zustand wenn die Oberflächen der Kupferschichten nach oben weisen.
Bei der Isolierschicht 120 auf der zuvor eine Ausnehmung gebildet und aufgebracht wurde, kann als ein weiteres Verfahren eine Deckschicht auf den Chipbefestigungsbereich A geschweißt werden, nachdem die Isolierschicht 120 auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrats 110 gestapelt ist und die Ausnehmung kann durch Entfernen der Deckschicht hergestellt werden.
Dementsprechend bedeckt die Isolierschicht 120, die auf dem Grundsubstrat 110 gestapelt ist, eine verbleibende Fläche ausgenommen den Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat 110. Dementsprechend, wenn die Maske 111 in den vorhergehenden Prozessschritten angebracht wurde, wobei die Breie der Öffnungseinheit 111a größer ist als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A, ist die Breite der hochreflektierenden Schicht 150, die gemäß den folgenden Prozessschritten gebildet wird, größer als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A. Das führt dazu, dass ein Teil der Isolierschicht 120 die hochreflektierende Schicht 150 bedeckt, die über den Chipbefestigungsbereich A hinausgeht, wie in 9 gezeigt ist.
Wenn die Isolierschicht 120 gestapelt ist, wird schließlich das Substrat des LED-Moduls gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung fertiggestellt durch Herstellen der Elektrodenschicht 130 auf der Isolierschicht 120.
Die Elektrodenschicht 130 kann gebildet werden durch ein Verfahren, das einem Fachmann auf diesem Gebiet wohl bekannt ist wie ein additives Verfahren, ein subtraktives Verfahren, ein semi-additives Verfahren oder dergleichen, wobei ein Kupferfilm verwendet wird, der auf einer Seite der Isolierschicht 120 gebildet ist.
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung des Substrats für das LED-Modul gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die Oxidschicht 140 als Licht reflektierendes Bauteil und die hochreflektierende Schicht 150 auf der Oxidschicht 140 gebildet werden durch ein leicht durchführbares und einfaches Verfahren durch das Maskenverfahren. Entsprechend diesen Ergebnissen kann die Vereinfachung der Prozesse umgesetzt werden und die Prozesskosten können drastisch reduziert werden.
Das Herstellungsverfahren durch einen derartigen Maskenprozess weist den Vorteil auf, dass es bei der Maskenproduktion von Produkten verwendet werden kann. Da die 10–12 Teile von Prozessdiagrammen sind und das Verfahren zur Herstellung eines Substrats einer LED gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen, wie in 10 gezeigt ist, in dem Zustand wenn die Maske, die darauf gebildet ist, wird eine Mehrzahl von Öffnungseinheiten auf das Grundsubstrat aufgebracht, wie in 11 gezeigt ist und die gesamte Oberfläche des Grundsubstrats wird oxidiert, wie in 12 gezeigt ist, und eine Mehrzahl von hochreflektierenden Schichten wird gebildet, wenn der Metallbeschichtungsprozess durchgeführt wird. Das bedeutet, dass eine Mehrzahl von Produkten hergestellt werden kann durch Aufbringen der Maske, auf der eine Mehrzahl von Öffnungseinheiten gebildet ist und indem jedes Verfahren einmal durchgeführt wird.
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung des Substrats wird das LED-Modul gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung gebildet und da die Größen und Formen der Öffnungseinheit 111a beliebig gewählt werden können und die Größen und Formen der hochreflektierenden Schicht 150 dieser entsprechen, ist die vorliegende Erfindung nicht durch den Raum zum Befestigen des LED-Chips begrenzt und man kann den LED-Chip-Befestigungsbereich an unterschiedliche Größen und Formen anpassen.
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung des LED-Moduls gemäß dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann eine drastische Vereinfachung der Prozesse umgesetzt werden und die Herstellungskosten können reduziert werden durch Bilden der Oxidschicht als lichtreflektierendes Bauteil durch ein einfaches und leicht durchführbares Verfahren durch Benutzen eines Maskenprozesses und die auf der Oxidschicht vorgesehene hoch reflektierende Schicht.
Da die hochreflektierende Schicht in unterschiedlichen Größen und Formen gebildet sein kann, gemäß der Größe und Verteilung der LED-Chips, beschränkt die vorliegende Erfindung nicht den Raum zum Befestigen LED-Chips und kann die optischen Eigenschaften der LED-Chips steuern, indem den LED-Chips erlaubt wird, wirksam verteilt zu sein.
Ausführungsbeispiele der Erfindung wurden zuvor unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen erläutert. Für einen Fachmann auf diesem Gebiet ist es jedoch klar, dass die hier enthaltene Figurenbeschreibung nur zur Erläuterung dient, da die Erfindung über diese beschränkten Ausführungsbeispiele hinausgeht. Beispielsweise ist es klar, dass ein Fachmann auf diesem Gebiet im Lichte der Offenbarung der vorliegenden Erfindung vielfältige alternative und passende Möglichkeiten erkennt, abhängig von den Anforderungen einer speziellen Anwendung, um die Funktionalität irgendeines im Detail beschriebenen Merkmals umzusetzen, was über die spezielle Implementierung in den beschriebenen und gezeigten Ausführungsbeispielen hinaus geht. Das bedeutet, dass viele Änderungen und Abwandlungen der Erfindung existieren, die so zahlreich sind, dass sie nicht aufgeführt werden können, die jedoch alle innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung liegen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 10-2012-0078806 [0001]
KR 10-2010-0017841 [0007]
KR 10-2010-0123155 [0009]

Claims

Substrat für ein LED-Modul, umfassend: ein Grundsubstrat; eine Isolierschicht, gebildet auf einem verbleibenden Bereich ausgenommen ein Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat; eine auf der Isolierschicht gebildete Elektrodenschicht; eine Oxidschicht, die auf dem Chipbefestigungsbereich A auf dem Grundsubstrat gebildet ist; und eine hochreflektive Schicht, die auf der Oberseite der Oxidschicht gebildet ist.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Oxidschichten aus einem Oxid hergestellt ist, das durch Oxidieren des Grundsubstrats gebildet ist.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidschicht irgendeine oder zwei der folgenden Verbindungen aufweist: Aluminiumoxid Al₂O₃, Magnesiumoxid MgO, Manganoxid MnO, Zinkoxid ZnO, Titandioxid TiO₂, Hafniumoxid HfO₂, Tantaloxid Ta₂O₅ und Nioboxid Nb₂O₃.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Chipbefestigungsbereich A des Grundsubstrats die Form eines Kreises oder die Form eines Rechtecks aufweist.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die hochreflektive Schicht ein metallischer Dünnfilm ist, der durch ein Beschichtungsverfahren gebildet ist.
Substrat für ein LED-Moudl nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die hochreflektive Schicht eines der folgenden Elemente oder eine Legierung umfasst: Aluminium Al, Titan Ti, Silber Ag, Nickel Ni und Chrom Cr.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Grundsubstrat aus einem der folgenden Elemente oder einer Legierung hergestellt ist: Aluminium Al, Magnesium Mg, Mangan Mn, Zink Zn, Hafnium Hf, Tantal Ta und Niob Nb.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 1, ferner umfassend: einen LED-Chip, der auf der Oberseite der Reflektionsschicht befestigt und mit der Elektrodenschicht durch Drahtbonden verbunden ist.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine Beschichtungsschicht, die auf einer Oberfläche der Elektrodenschicht gebildet ist, die durch Drahtbonden mit dem LED-Chip verbindbar ist.
Substrat für ein LED-Modul, umfassend: ein Grundsubstrat; eine Oxidschicht auf einem Chipbefestigungsbereich A und einem Bereich B, der durch den Chipbefestigungsbereich A mit dem Grundsubstrat verbunden ist; eine hochreflektive Schicht, die auf der Oxidschicht gebildet ist; eine Isolierschicht, die auf einem verbleibenden Bereich ausgenommen den Chicpbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat gebildet ist, wobei diese Isolierschicht die Oxidschicht und die hochreflektive Schicht des Bereichs B, der sich von dem Chipbefestigungsbereich A erstreckt, abdeckt; und eine auf der Isolierschicht gebildete Elektrodenschicht.
Substrat für ein LED-Modul nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite des Bereichs B, der sich von dem Chipbefestigungsbereich A erstreckt und die Breite des Chipbefestigungsbereichs A in einem Bereich zwischen 0,01 und 0,2 liegt.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul, umfassend: (a) Herstellen eines Grundsubstrats; (b) Aufbringen einer Maske, die eine darauf gebildete Öffnungseinheit gemäß einem festgelegten Leitermuster aufweist, auf das Grundsubstrat; (c) Oxidieren der Oberfläche des Grundsubstrats, das durch die Öffnungseinheit freigelegt ist; (d) Bilden einer hochreflektiven Schicht auf einer Oxidschicht, die durch ein Oxidationsverfahren gebildet ist; (e) nach dem Entfernen der Maske Bilden einer Isolierschicht auf einem verbleibenden Bereich ausgenommen einen Chipbefestigungsbereich A in dem Grundsubstrat; und (f) Bilden einer Elektrodenschicht auf der Isolierschicht.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt (d) durch einen Metallbeschichtungsprozess der Oberfläche des Grundsubstrats durchgeführt wird in dem Zustand, wenn die Maske angebracht ist.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallauftragsprozess eines der folgenden Verfahren umfasst: Sputtern, galvanisches Beschichten, thermisches Auftragen, Elektronenstrahlbeschichten, physikalische Dampfbeschichtung (physical vapor deposition, PVD) und chemisches Dampfbeschichten (chemical vapor deposition, CVD).
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungseinheit eine kreisförmige oder rechteckige Form aufweist.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der Öffnungseinheit größer ist als diejenige des Chipbefestigungsbereichs A in dem Grundsubstrat.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Unterschied zwischen der Breite der Öffnungseinheit und der Breite des Chipbefestigungsbereichs A in dem Bereich von 0,01 bis 0,2 des Chipbefestigungsbereichs A liegt.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidationsbehandlung ein Anodenverfahren oder ein plasmaelektrolytisches Oxidationsverfahren (plasma electrolytic oxidation process) ist.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, ferner umfassend, nach dem Schritt (c), Polieren der gesamten Oberfläche des Grundsubstrats.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrodenschicht gebildet wird durch eines der folgenden Verfahren: ein additives Verfahren, ein subtraktives Verfahren oder ein halb-additives Verfahren.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt (e) die Isolierschicht so gebildet wird, dass sie die Oxidschicht und die hochreflektive Schicht bedeckt, abgesehen von dem Chipbefestigungsbereich A des Grundsubstrats.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für ein LED-Modul nach Anspruch 12, ferner umfassend: nach dem Schritt (f), Bilden einer Beschichtungsschicht auf einer Oberfläche der Elektrodenschicht durch stromloses Beschichten wie durch ein stromloses Nickel-Eintauch-Gold-Verfahren (electroless nickel immersion gold, ENIG), ein stromloses Nickel-autokatalytisches-Gold-Verfahren (elektroless nickel autocatalytic gold, ENAG), ein stromloses Nickel-Palladium-Eintauch-Gold-Verfahren (electroless nickel electroless palladium immersion gold (ENEPIG) oder dergleichen.