CN103579476A - 用于led模块的基板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于LED模块的基板以及制造该基板的方法，所述基板包括：基部基板；绝缘层，形成在基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上；电极层，形成在绝缘层上；氧化物层，形成在基部基板的芯片安装区域A上；以及高反射性层，形成在氧化物层的顶表面上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年7月19日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0078806的权益，通过引用将其公开内容结合于本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于LED模块的基板和制造该基板的方法；并且更具体地涉及一种用于设置有高反射性层的LED模块的基板和制造该基板的方法。
背景技术
近来，发光二极管（下文中称为LED）已作为能够实现减重、纤薄和节能的照明装置或光发射装置而成为关注焦点。LED装置是在正向电压（forward）中对半导体的PN结施加电流的同时发射光的光装置，并且通过使用Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体来制造。由于外延生长技术和半导体的发光装置工艺技术的发展，已开发出具有优良转换效率的LED并且已将其广泛地用于各个领域。
这样的LED模块被制造成一本体中的模块，并且通常的情况是，通过利用表面安装技术（SMT）将LED封装安装在用于传统LED模块的印制电路板（PCB）上来制造所述LED模块。
对于将用于LED模块的PCB用在LED模块中的情况，由于其形状或者材料必须制造成满足LED装置的形状和材料特性，因而使用具有极高的强度和小的热应变的材料。特别地，由于用于LED模块的PCB具有方向性，因而存在这样的问题，即，在其制造过程中会根据用于LED模块的PCB的装置安装形状而使用额外的构件（诸如反射板或者导光板）。即，如果LED装置安装在用于传统LED模块的PCB上，则会由于LED光的方向性而导致浪费预定量的光，从而降低效率。
据此，对于将用于LED模块的PCB用在LED模块中的情况，将具有优良光反射性的铝材用作基部基板。并且此外，为了实现更为优良的光反射性，对基部基板的表面进行镜面处理。
在韩国公开专利公报上发表的公开第10-2010-0017841号（下文中称为现有技术文献1）中，为了增大用于LED模块的基板的光反射性，提出一种金属基部电路基板，其中，在绝缘层上安装有白色层（white colorlayer）。
然而，察看现有技术文献1的发明，它包含作为白色层的白色的高价态钛的二氧化物，并且该白色层形成在绝缘层的整个表面上，从而增加制造成本。
作为制造LED模块基板以用于增大光反射性的方法，在韩国公开专利公报上发表的公开第10-2010-0123155号（下文中称为现有技术文献2）中，提出一种制造用于安装LED装置的印制电路板的方法，该方法包括：在基部基板上形成电路图案的电路图案形成步骤；在所述电路图案上涂覆光致抗蚀剂的光致抗蚀剂涂覆步骤；在所涂覆的光致抗蚀剂的表面上形成由金属层组成的反射层的反射层形成步骤；以及通过冲压电路图案的内部/外部来形成印制电路板的外部形状的外部形状形成步骤。
然而，因为由于将反射层作为光反射构件来涂覆而使得现有技术文献2的制造方法通过堆叠工艺实现，因而所述工艺就电路图案而言是复杂的，从而增加制造成本。
【现有技术文献】
【专利文献】
（专利文献1）韩国专利特开公开No.10-2010-0017841
（专利文献2）韩国专利特开公开No.10-2010-0123155
发明内容
已设计本发明以克服上述问题，并且因此本发明的目的是提供一种用于LED模块的基板以及制造该基板的方法，所述基板具有优良的光反射性，其中简化了制作工艺并且节省了制造成本。
根据本发明用以实现所述目的的一个方面，提供一种用于LED模块的基板，该基板包括：基部基板；绝缘层，形成在基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上；电极层，形成在绝缘层上；氧化物层，形成在基部基板的芯片安装区域A上；以及高反射性层，形成在氧化物层的顶表面上。
并且此外，氧化物层由通过将基部基板氧化而形成的氧化物制成。
并且此外，氧化物层包括铝的氧化物Al2O3、镁的氧化物MgO、锰的氧化物MnO、锌的氧化物ZnO、钛TiO2、铪的氧化物HfO2、钽的氧化物Ta2O5以及铌Nb2O3之中的任何一种或两种。
并且此外，基部基板的芯片安装区域A为圆形的形状或者矩形的形状。
并且此外，高反射性层为通过沉积工艺形成的金属薄膜。
并且此外，高反射性层包括铝Al、钛Ti、银Ag、镍Ni和铬Cr或者其合金之中的任何一种。
并且此外，基部基板由铝Al、镁Mg、锰Mn、锌Zn、铪Hf、钽Ta和铌Nb或者其合金之中的任何一种制成。
并且此外，用于LED模块的基板进一步包括安装在反射性层的顶表面上并且通过引线接合连接至电极层的LED芯片。
并且此外，用于LED模块的基板进一步包括形成在电极层的表面上以便引线接合至LED芯片的镀覆层。
根据本发明用以实现所述目的的另一方面，提供一种制造用于LED模块的基板的方法，该方法包括：（a）制备基部基板；（b）将其上根据预定图案形成有开口单元的掩模（mask）附接在基部基板的表面上；（c）将基部基板的通过开口单元而暴露的表面氧化；（d）在通过氧化工艺形成的氧化物层上形成高反射性层；（e）在去除掩模之后，在基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上形成绝缘层；以及（f）在绝缘层上形成电极层。
并且此外，步骤（d）在附接了掩模的条件下通过对基部基板的所述表面进行金属沉积处理来执行。
并且此外，金属沉积工艺使用溅射、镀覆、热沉积、电子束沉积、物理气相沉积（PVD）以及化学气相沉积（CVD）之中的任何一种。
并且此外，开口单元具有圆形的形状或者矩形的形状。
并且此外，开口单元的宽度大于基部基板中的芯片安装区域A的宽度。
并且此外，开口单元的宽度与芯片安装区域A的宽度之间的差异在芯片安装区域A的0.01倍到0.2倍。
并且此外，氧化处理为阳极化工艺或者等离子电解氧化工艺。
并且此外，制造用于LED模块的基板的方法进一步包括：在步骤（C）之后，将基部基板的整个表面磨光。
并且此外，通过加成工艺、减成工艺或者半加成工艺之中的任何一种来形成电极层。
并且此外，在步骤（e）中，绝缘层形成为用以覆盖超出基部基板的芯片安装区域A的氧化物层和高反射性层。
并且此外，制造用于LED模块的基板的方法进一步包括，在步骤（f）之后，通过无电镀覆在电极层的表面上形成电镀层，所述无电镀覆诸如为无电镀镍浸金（ENIG）、无电镀镍自动催化金（ENAG）、无电镀镍无电镀钯浸金（ENEPIG）等。
附图说明
从以下结合附图对实施例进行的描述，本总体发明理念的这些和/或其他的方面和优点将变得显而易见并且更容易认识到，附图中：
图1为示出了根据本发明一个实施例的LED模块的基板的横截面图；
图2为示出了根据本发明一个实施例的LED模块的基板的平面图；
图3为示出了根据本发明另一实施例的LED模块的基板的横截面图；
图4至图9为示出了根据本发明另一实施例的用于制造LED的基板的方法的流程图；以及
图10至图12为示出了根据本发明另一实施例的用于制造LED的基板的方法的流程图。
具体实施方式
将参照附图描述用于实现上述目的的本发明实施例。在说明书中，相同的参考数字指代相同的元件，并且出于简洁的目的将省略重复的或冗余的描述。
应当注意的是，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个（a）”“一个（an）”和“该（the）”旨在包括复数形式。应当理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括（comprise）”、“包括（include）”和“具有（have）”指明所述特征或者元件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、元件、或者其组合的存在或增加。
将对本说明书在形状、尺寸、厚度等方面放大地进行描述，以便将本发明的技术特征作为用于代表在本发明中呈现的实施例的实例有效地进行阐述。
在下文中，将参照附图更详细地本发明的构建和效果。
图1为示出了根据本发明一个实施例的LED模块的基板的横截面图。
参照图1，根据本发明的用于LED模块的基板100可包括基部基板110、绝缘层120、电极层130、氧化物层140以及高反射性层150。
基部基板110起到将LED芯片160所产生的放射至基部基板110的底表面侧的热排出的作用。因此，基部基板110可由这样的金属材料制成，该金属材料包括铝Al、镁Mg、锰Mn、锌Zn、钛Ti、铪Hf、钽Ta和铌Nb或者其合金之中的任何一种。
如果使用由金属材料制成的基部基板，则该基部基板具有优良的导热性，并且在LED芯片160中产生的热量被有效地排出。然而，在本发明中，本发明不限于这样的金属基板，而是根据LED芯片的特性也可将传统的环氧树脂或者基于聚酰亚胺的基板用作基部基板。
在其他方面，为了增加与空气之间的接触面积，在基部基板110的底表面上形成有多个凹槽，或者本发明具有通过使基部基板110与散热片（未示出）形成单体而获得的结构。
并且，为了防止在LED芯片的安装过程中的弯折现象，优选的是，基部基板110的厚度在800nm到1000nm的范围内。
绝缘层120形成在除了基部基板110中的芯片安装区域A之外的其余的基部基板110的表面中。
在此，由于芯片安装区域A是其中通过腔体131暴露至外部的高反射性层150所存在的区域，因而根据高反射性层150的结构，高反射性层150的宽度等于或者大于芯片安装区域A的宽度。
并且，根据在下文中描述的本发明的制造方法，芯片安装区域A可制造成各种形状。如图2的平面图，示出了根据本发明实施例的LED模块的基板，例如，芯片安装区域A可制造成如在图2中所示的圆形的形状，并且该芯片安装区域可制造成任意的形状，诸如矩形、椭圆形、多边形等。
回顾性地参照图1，绝缘层120具有这样的结构，即，玻璃纤维凹入到热固性树脂中。由于这样的绝缘层120制造成片状，因而该绝缘层可堆叠在基部基板110上。可将环氧树脂、酚醛树脂、硅树脂、丙烯酸树脂等用作热固性树脂。
在其他方面，为了有效地排出在LED芯片160中产生的热，绝缘层120可包括具有优良导热性的无机填充物。无机填充物可由非均匀颗粒组成，所述非均匀颗粒的平均粒径彼此不同。例如，无机填充物可由具有的平均粒径在0.6μm至2.4μm范围内的颗粒和具有的平均粒径在5μm至20μm范围内的颗粒组成。
这样，通过将具有大的平均粒径的粗糙颗粒与具有小的平均粒径的精细颗粒混合，由于与单独使用每种颗粒的情况相比允许密集的填充，因而本发明能获得更为优良的导热性。
电极层130通过以预定的图案形成在绝缘层120上来执行与LED芯片160的电信号传输。因此，电极层130可包括由镍、铜、金、银、锡和钴组成的组中选出的具有优良导热性的至少一种或两种材料。
更详细地察看电极层130的结构，电极层130可由底部籽晶层（seedlayer，种子层）和顶部金属层组成。所述籽晶层是通过使用溅射工艺而形成在绝缘层120的表面上的薄金属层，并且所述金属层通过将籽晶层用作型线（drawing line）利用电解镀覆工艺来形成。
此外，所述金属层可通过使用为本领域技术人员所熟知的各种镀覆工艺（例如加成工艺、减成工艺、半加成工艺等）来形成，并且可根据镀覆工艺而省略所述籽晶层。
在其他方面，镀覆层可进一步形成在电极层130的表面上，从而允许将LED芯片160引线接合或者焊接。使用金Au以形成镀覆层，该镀覆层可通过使用无电镀覆工艺（诸如无电镀镍浸金（ENIG）、无电镀镍自动催化金（ENAG）、无电镀镍无电镀钯浸金（ENEPIG）等）形成。
高反射性层150为具有在2μm到3μm范围内的厚度的金属薄膜，该金属薄膜均匀地形成在基部基板110的芯片安装区域A上。在本发明实施例中，尽管高反射性层150由铝Al制成并且通过溅射工艺形成，然而所述高反射性层可由能够通过使用溅射工艺形成的金属材料（即，钛Ti、银Ag、镍Ni、铬Cr等）制成。除了高反射性层可通过使用溅射工艺形成这一点之外，这样的材料的共同特性还具有高的光反射性。
这样，由于根据本发明的用于LED模块的基板采用这样的结构，即，LED芯片160安装在具有高的光反射性的高反射性层150上，因而通过利用高反射性层150反射从LED芯片160发射的光，该基板能实现有效的照明。
并且此外，由于高反射性层150仅形成在在其中LED芯片160的光直接到达的芯片安装区域A上，因而通过不对不必要的区域形成高反射性层150而可降低其制造成本。
在其他方面，在图1中，尽管用于LED模块的基板具有其中高反射性层150的宽度等于芯片安装区域A的宽度的结构，然而如在图3中所示，根据另一实施例的用于LED模块的基板可具有其中高反射性层150的宽度大于芯片安装区域A的宽度的结构。相应地，高反射性层150形成到基部基板110中的芯片安装区域A以及从芯片安装区域A延伸的区域B中，并且绝缘层120覆盖区域B中的高反射性层150。
这样，在本发明的另一实施例中，高反射性层150与绝缘层120通过对应于区域B的区域而结合，高反射性层150与基部基板110之间的接合程度可极大地增加，从而提高产品的可靠性。
并且此外，在LED芯片160中产生的热通过高反射性层150的底表面以及高反射性层150与绝缘层120之间的接合表面排出，从而执行有效的排出。
在此，优选的是，区域B的宽度在芯片安装区域A的宽度的0.01倍到0.2倍的范围内。尽管当区域B的宽度更大时可进一步呈现上述效果，然而相反地，用于形成高反射性层150的加工成本可增加。因此，优选的是，区域B的宽度具有在上述范围内的适当的值。
在基部基板110由金属材料制成的情况下，氧化物层140可形成在高反射性层150与基部基板110之间，以便使基部基板110与高反射性层150电绝缘以及降低基板的光吸收率。
氧化物层140可通过将金属材料的基部基板110的表面阳极化或电解氧化来形成。例如，如果基部基板110由铝Al制成，则氧化物层140可由阳极氧化型氧化铝Al2O3制成。由于氧化铝Al2O3具有优良的绝缘性能和反射性，因而尽管氧化物层140的厚度是薄的，却可充分地确保基部基板110与高反射性层150之间的绝缘性并且可通过降低基部基板110的光吸收率而增加来自LED芯片160的光量。
安装在高反射性层150的顶表面上的LED芯片160可形成为包括n型半导体层、p型半导体层以及夹置于它们之间的活性层的结构，其中，该LED芯片具有通过使电子与活性层中的空穴结合而放出光的结构。然而，本发明可应用于各种类型的LED芯片，无论LED芯片的结构是否是竖直的类型、水平的类型或者倒装的类型，并且本发明不限于特定类型的LED芯片。
这样的LED芯片160的安装可利用这样的结合方法，诸如芯片粘结剂、焊接、点焊、热排出垫（heat discharging pad）或热排出带、热排出膏等。
并且，尽管LED芯片160与电极层130之间的接合能根据部件的形状和特性连接成各种结构，然而通常这样的接合可使用引线接合。优选的是，引线接合是金Au引线接合；并且，LED芯片160与电极层130通过引线接合而电连接。
在此，将察看根据本发明实施例的制造用于LED模块的基板的方法。
图4至图9为示出了据本发明另一实施例的用于制造LED的基板的方法的流程图。
如在图4中所示，造据本发明的实施例的制用于LED模块的基板的方法首先制备基部基板110。
基部基板110可为由这样的金属材料制成的基板，该金属材料包括从由铝Al、镁Mg、锰Mn、锌Zn、钛Ti、铪Hf、钽Ta和铌Nb或者其合金组成的组中选择的至少一种金属。
之后，如在图5中所示，将掩模111附接至基部基板110的表面，在所述掩模上根据预定图案形成有开口单元111a。
由于其上安装有LED芯片160的高反射性层150形成在基部基板110的通过开口单元111a而暴露至其外部的表面上，因而优选的是，考虑到LED芯片160的安装位置来形成开口单元111a。
此时，开口单元111a可具有任意的形状，诸如圆形、矩形、椭圆形、多边形等；并且相应地，根据开口单元111a的形状，基部基板110的通过开口单元111a而暴露的表面也具有所述诸如圆形、矩形、椭圆形、多边形等的任意形状。
开口单元111a的宽度可等于或者大于芯片安装区域A的宽度。在图5中，如先前作为实例所披露的，开口单元111a的宽度大于芯片安装区域A的宽度。
在开口单元111a的宽度大于芯片安装区域A的宽度的情况下，由于通过以下工艺所形成的高反射性层150的宽度大于芯片安装区域A的宽度，可制造如在图3中所示的用于LED模块的基板的结构。
此时，优选的是，开口单元111a的宽度与芯片安装区域A的宽度之间的差异在芯片安装区域A的宽度的0.01倍到0.2倍之间。
之后，如在图6中所示，通过使基部基板110的通过开口单元111a而暴露的表面氧化来形成氧化物层140。
氧化工艺可为阳极化工艺或者等离子电解氧化工艺。
详细地察看例如使用阳极化工艺的氧化工艺，在基部基板110为铝Al情况下，基部基板110的通过开口单元111a而暴露的表面与电解质溶液反应，从而在它们之间的界面表面上形成铝离子Al3+。此时，如果电流密度由于施加至基部基板110的电压而集中，则会形成更多的铝离子Al3+，因此，在基部基板110的通过开口单元111a而暴露的表面上会形成多个凹槽。并且然后，由于电场力而使得氧离子O2-朝向凹槽移动并且与铝离子Al3+反应；并且因此，在基部基板110的通过开口单元111a而暴露的表面上形成由氧化铝Al2O3构成的氧化物层140。
在氧化工艺之后，根据情况，可通过额外地执行对基部基板110的整个表面进行磨光的步骤将氧化物层140的表面磨光。通常，由于光的反射性会在待入射的光的波长更长和入射表面更为平坦时增大，因而通过执行这样的磨光工艺可增加来自LED芯片160的光量。
之后，如在图7中所示，高反射性层150形成在氧化物层140上。
如果基部基板110的表面在附接了掩模111的条件下沉积，则高反射性层150沉积在氧化物层140的通过开口单元111a而暴露的表面上。
并且然后，如果去除掩模111，如在图8中所示，则基部基板110设置有氧化物层140以及形成在氧化物层140的顶表面上的高反射性层150。
在此，沉积工艺可为传统的溅射工艺。由于溅射工艺是通过将金属颗粒沉积在基板的表面上以形成薄膜的技术，因而尽管在本发明的实施例中溅射工艺是通过使用铝Al来实现的，然而溅射工艺可通过使用能够执行所述溅射工艺的金属材料（例如镍、铬、银等）来实现。
另外，沉积工艺可以是这样的，即，金属层还可通过使用为本领域的技术人员所熟知的传统的沉积工艺（诸如镀覆工艺、热沉积工艺、电子束沉积工艺、物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺）来形成。
并且然后，如在图9中所示，将绝缘层120堆叠在基部基板110的除了高反射性层150之外的表面上。
特别地，绝缘层120可为这样的覆铜层压件（copper clad laminate，CCL），在该覆铜层压件中，铜层在真空下热压缩在一种结构的绝缘片的一个表面上，在该结构中，玻璃纤维凹入到热固性树脂（诸如环氧树脂）中。这样的覆铜层压件CCL在铜层的表面朝上的条件下堆叠在基部基板110上。
此时，可堆叠先前在其上形成有腔体的绝缘层120，作为另一种方法，将覆层定位焊接（tack weld）在芯片安装区域A上，在将绝缘层120堆叠在基部基板110的整个表面上之后，可通过去除该覆层来制作腔体。
在此，堆叠在基部基板110上的绝缘层120覆盖基部基板110中的除了芯片安装区域A之外的其余区域。因此，如果在之前的工艺中附接了其中开口单元111a的宽度大于芯片安装区域A的宽度的掩模111，则根据之后的工艺形成的高反射性层150的宽度变得大于芯片安装区域A的宽度，因而，如在图9中所示，绝缘层120的一部分超出芯片安装区域A而覆盖高反射性层150。
如果堆叠绝缘层120，则最终，根据本发明实施例的用于LED模块的基板通过在绝缘层120上形成电极层130来完成。
电极层130可通过使用为本领域技术人员所熟知的工艺（诸如使用形成在绝缘层120的一个表面上的铜膜的加成工艺、减成工艺、半加成工艺等）来形成。
这样，根据本发明的实施例的制造用于LED模块的基板的方法，可利用掩模工艺以容易且简单的方法来形成作为光反射构件的氧化物层140以及位于氧化物层140上的高反射性层150。因而，能实现工艺的简化并且能极大地降低工艺成本。
并且，利用这样的掩模法的制造方法具有可应用于产品的大规模生产的优点。如图10至图12为示出了根据本发明另一实施例的用于制造LED的基板的方法的部分的流程图，如在图10中所示，在其上形成有多个开口单元的掩模附接至基部基板的条件下，如在图11中所示，基部基板的整个表面被氧化，如在图12中所示，通过执行金属沉积工艺形成多个高反射性层。即，可通过附接其上形成有多个开口单元的掩模并且通过将每个工艺执行一次来制造多个产品。
并且，根据本发明实施例的制造用于LED模块的基板的方法，由于开口单元111a的尺寸和形状是任意设定的并且可形成高反射性层150的与开口单元对应的尺寸和形状，因而本发明不限于用于安装LED芯片的空间并且能实现具有各种尺寸和形状的LED芯片安装空间。
根据本发明实施例的制造用于LED模块的方法，通过利用掩模工艺以简单且容易的方法形成作为光反射构件的氧化物层并且形成设置在该氧化物层上的高反射性层，本发明能显著地实现工艺的简化并且降低制造成本。
并且，由于高反射性层可根据LED芯片的尺寸和分布而形成为各种尺寸和形状，因而本发明不限于用于安装LED芯片的空间并且能通过允许LED芯片有效地分布来控制LED芯片的光学性能。
在上文中已参照附图讨论本发明的实施例。然而，本领域技术人员应当容易地意识到，在本文中给出的与这些图相关的详细描述是用于说明的目的，因为本发明超出这些有限的实施例之外。例如，应该意识到的是，在本发明的教导下，本领域技术人员应当意识到超出所描述并示出的实施例的实施选择的根据特定应用以实现在本文中所描述的任何给定的细节的功能的多种可替换的且合适的方法。即，存在列举不尽但均落在本发明范围内的本发明的许多修改和变型。
Claims (22)
1.一种用于LED模块的基板，所述基板包括：
基部基板；
绝缘层，形成在所述基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上；
电极层，形成在所述绝缘层上；
氧化物层，形成在所述基部基板的所述芯片安装区域A上；以及
高反射性层，形成在所述氧化物层的顶表面上。
2.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，每个所述氧化物层均由通过将所述基部基板氧化而形成的氧化物制成。
3.根据权利要求2所述的用于LED模块的基板，其中，所述氧化物层包括铝的氧化物Al2O3、镁的氧化物MgO、锰的氧化物MnO、锌的氧化物ZnO、钛TiO2、铪的氧化物HfO2、钽的氧化物Ta2O5以及铌Nb2O3之中的任何一种或者两种。
4.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，所述基部基板的所述芯片安装区域A为圆形的形状或者矩形的形状。
5.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，所述高反射性层为通过沉积工艺形成的金属薄膜。
6.根据权利要求5所述的用于LED模块的基板，其中，所述高反射性层包括铝Al、钛Ti、银Ag、镍Ni和铬Cr或者其合金之中的任何一种。
7.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，所述基部基板由铝Al、镁Mg、锰Mn、锌Zn、铪Hf、钽Ta和铌Nb或者其合金之中的任何一种制成。
8.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，进一步包括：
LED芯片，安装在所述反射性层的顶表面上并且通过引线接合连接至所述电极层。
9.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，进一步包括：
镀覆层，形成在所述电极层的表面上以便引线接合至所述LED芯片。
10.一种用于LED模块的基板，包括：
基部基板；
氧化物层，位于所述基部基板中的一芯片安装区域A和一区域B上，所述区域B从所述芯片安装区域A连接；
高反射性层，形成在所述氧化物层上
绝缘层，形成在所述基部基板中的除了所述芯片安装区域A之外的其余区域上，其中，所述绝缘层覆盖从所述芯片安装区域A延伸的所述区域B中的所述氧化物层和所述高反射性层；以及
电极层，形成在所述绝缘层上。
11.根据权利要求10所述的用于LED模块的基板，其中，从所述芯片安装区域A延伸的所述区域B的宽度与所述芯片安装区域A的宽度的比在0.01到0.2的范围内。
12.一种制造用于LED模块的基板的方法，所述方法包括：
（a）制备基部基板；
（b）将掩模附接在所述基部基板的一表面上，在所述掩模上根据预定图案形成有开口单元；
（c）将所述基部基板的通过所述开口单元而暴露的所述表面氧化；
（d）在通过氧化工艺形成的氧化物层上形成高反射性层；
（e）在去除所述掩模之后，在所述基部基板中的除了所述芯片安装区域A之外的其余区域上形成绝缘层；以及
（f）在所述绝缘层上形成电极层。
13.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，在附接了所述掩模的条件下，通过对所述基部基板的所述表面进行金属沉积工艺来执行所述步骤（d）。
14.根据权利要求13所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，所述金属沉积工艺使用溅射、镀覆、热沉积、电子束沉积、物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）之中的任何一种。
15.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，所述开口单元具有圆形的形状或者矩形的形状。
16.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，所述开口单元的宽度大于所述基部基板中的所述芯片安装区域A的宽度。
17.根据权利要求16所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，所述开口单元的宽度与所述芯片安装区域A的宽度之间的差异在所述芯片安装区域A的0.01倍到0.2倍的范围内。
18.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，氧化处理为阳极化工艺或者等离子电解氧化工艺。
19.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，所述方法进一步包括，
在所述步骤（c）之后，
对所述基部基板的整个表面抛光。
20.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，通过加成工艺、减成工艺或者半加成工艺之中的任何一种来形成所述电极层。
21.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，其中，在所述步骤（e）中，所述绝缘层形成为用以覆盖超出所述基部基板的所述芯片安装区域A的所述氧化物层和所述高反射性层。
22.根据权利要求12所述的制造用于LED模块的基板的方法，所述方法进一步包括：
在所述步骤（f）之后，
通过无电镀覆在所述电极层的表面上形成镀覆层，所述无电镀覆诸如为无电镀镍浸金（ENIG）、无电镀镍自动催化金（ENAG）、无电镀镍无电镀钯浸金（ENEPIG）等。
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| DE (1) | DE102013106858A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103956356A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-30 | 复旦大学 | 一种高效导热的大功率led集成封装结构 |
| CN106793436A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-31 | 大连理工大学 | 一种增强大气压放电等离子体强度的镍‑氧化镍‑氧化镁复合阴极、制备方法及其应用 |
| CN109913804A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及其制造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8930407B2 (en) * | 2008-06-20 | 2015-01-06 | Technion Research & Development Foundation Limited | Incremental clustering of indexed XML data |
| US20150062915A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Cree, Inc. | Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output |
| CN105765746A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-07-13 | 夏普株式会社 | 发光装置用基板、发光装置以及发光装置用基板的制造方法 |
| WO2015104928A1 (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | シャープ株式会社 | 発光装置用基板、発光装置および発光装置用基板の製造方法 |
| KR102203683B1 (ko) * | 2014-04-10 | 2021-01-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 발광장치 |
| JP6366337B2 (ja) * | 2014-04-23 | 2018-08-01 | シチズン電子株式会社 | Ｌｅｄ発光装置及びその製造方法 |
| TWI538591B (zh) * | 2014-05-01 | 2016-06-11 | Tong Hsing Electronic Ind Ltd | Method for manufacturing multilayer ceramic heat dissipation circuit substrate and its product |
| DE102014225720A1 (de) | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Bundesdruckerei Gmbh | LED-Modul |
| WO2017045901A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Philips Lighting Holding B.V. | Barrier layer delaying oxygen depletion in sealed gas-filled led lamps |
| TWI684293B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-02-01 | 同泰電子科技股份有限公司 | 高反射背光電路板結構及其製作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
| CN102403437A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | 日立电线株式会社 | 半导体发光元件搭载用基板以及使用其的半导体发光装置 |
| CN102437267A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-05-02 | 奉化市匡磊半导体照明有限公司 | 金属基底板发光芯片封装结构 |
| CN102460749A (zh) * | 2009-06-26 | 2012-05-16 | 富士胶片株式会社 | 光反射基板及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2160082B1 (en) | 2007-05-18 | 2018-07-04 | Denka Company Limited | Metal base circuit board |
| KR20100123155A (ko) | 2009-05-14 | 2010-11-24 | 최선관 | 엘이디소자 실장용 인쇄회로기판 및 그의 제조방법 |
| KR20120078806A (ko) | 2011-01-03 | 2012-07-11 | 삼성전자주식회사 | 문자 입력 방법 및 장치 |
-
2013
- 2013-07-01 DE DE102013106858.8A patent/DE102013106858A1/de not_active Withdrawn
- 2013-07-17 US US13/944,496 patent/US20140021851A1/en not_active Abandoned
- 2013-07-18 CN CN201310303977.6A patent/CN103579476A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
| CN102460749A (zh) * | 2009-06-26 | 2012-05-16 | 富士胶片株式会社 | 光反射基板及其制造方法 |
| CN102403437A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | 日立电线株式会社 | 半导体发光元件搭载用基板以及使用其的半导体发光装置 |
| CN102437267A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-05-02 | 奉化市匡磊半导体照明有限公司 | 金属基底板发光芯片封装结构 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103956356A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-30 | 复旦大学 | 一种高效导热的大功率led集成封装结构 |
| CN106793436A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-31 | 大连理工大学 | 一种增强大气压放电等离子体强度的镍‑氧化镍‑氧化镁复合阴极、制备方法及其应用 |
| CN106793436B (zh) * | 2016-12-16 | 2019-05-10 | 大连理工大学 | 一种增强大气压放电等离子体强度的镍-氧化镍-氧化镁复合阴极、制备方法及其应用 |
| CN109913804A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE102013106858A1 (de) | 2014-01-23 |
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