DE102012223217B9

DE102012223217B9 - Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage

Info

Publication number: DE102012223217B9
Application number: DE201210223217
Authority: DE
Inventors: Ingo Sänger
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2012-12-14
Filing date: 2012-12-14
Publication date: 2014-07-10
Anticipated expiration: 2032-12-15
Also published as: TWI474134B; JP2014131031A; KR101417687B1; KR20140077849A; DE102012223217B3; JP5686882B2; US20140168739A1; US8917433B2; TW201435516A

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit einer Spiegelanordnung (200) mit einer Mehrzahl von Spiegelelementen (200a, 200b, 200c, ...), die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung (200) reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind, einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (100, 400), welche wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (101, 102, 103, 401, 402, 403) aufweist, wobei durch Verschieben dieser polarisationsbeeinflussenden Komponente ein Überlappungsgrad zwischen der polarisationsbeeinflussenden Komponente (101, 102, 103, 401, 402, 403) und der Spiegelanordnung (200) variabel einstellbar ist, und einer Umlenkeinrichtung (300, 360, 370), welche bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung stromaufwärts sowie stromabwärts der Spiegelanordnung (200) jeweils eine Reflexionsfläche (300a, 300b, 360a, 360b, 370a, 370b) aufweist.

Description

Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Im Betrieb einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage besteht der Bedarf, definierte Beleuchtungssettings, d. h. Intensitätsverteilungen in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung, gezielt einzustellen. Hierzu ist außer der Verwendung diffraktiver optischer Elemente (sogenannter DOE's) auch der Einsatz von Spiegelanordnungen, z. B. aus WO 2005/026843 A2 , bekannt. Solche Spiegelanordnungen umfassen eine Vielzahl unabhängig voneinander einstellbarer Mikrospiegel.
Es sind ferner verschiedene Ansätze bekannt, in der Beleuchtungseinrichtung zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene und/oder im Retikel einzustellen. Insbesondere ist es sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch im Projektionsobjektiv bekannt, für eine kontrastreiche Abbildung eine tangentiale Polarisationsverteilung einzustellen. Unter „tangentialer Polarisation” (oder „TE-Polarisation”) wird eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd senkrecht zum auf die optische Systemachse gerichteten Radius orientiert sind. Hingegen wird unter „radialer Polarisation” (oder „TM-Polarisation”) eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd radial zur optischen Systemachse orientiert sind.
Zum Stand der Technik wird beispielsweise auf die WO 2005/069081 A2 , WO 2005/031467 A2 , US 6,191,880 B1 , US 2007/0146676 A1 , WO 2009/034109 A2 , WO 2008/019936 A2 , WO 2009/100862 A1 , DE 10 2008 009 601 A1 , DE 10 2004 011 733 A1 , DE 10 2010 029 905 A1 und US 2011/0228247 A1 verwiesen.
Ein möglicher Ansatz zur flexiblen Einstellung der Polarisationsverteilung beinhaltet hierbei die Verwendung einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung aus einer Mehrzahl von quer zur Lichtausbreitungsrichtung verschiebbar angeordneten polarisationsbeeinflussenden Komponenten in Kombination mit einer Spiegelanordnung, welche eine Vielzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente umfasst. Hierbei können abhängig von dem Grad der Abdeckung der Spiegelanordnung durch die polarisationsbeeinflussenden Komponenten in Verbindung mit einer ebenfalls variablen Einstellung der Spiegelelemente der Spiegelanordnung in flexibler Weise unterschiedliche Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung realisiert werden.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welche mit vergleichsweise geringem konstruktiven Aufwand sowie insbesondere auch als Erweiterung bzw. Nachrüstung bestehender Systeme die flexible Einstellung unterschiedlicher polarisierter Beleuchtungssettings ermöglicht.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.
Ein erfindungsgemäßes optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage weist auf:

– eine Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl von Spiegelelementen, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind;
– eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, welche wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente aufweist, wobei durch Verschieben dieser polarisationsbeeinflussenden Komponente ein Überlappungsgrad zwischen der polarisationsbeeinflussenden Komponente und der Spiegelanordnung variabel einstellbar ist; und
– eine Umlenkeinrichtung, welche bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung stromaufwärts sowie stromabwärts der Spiegelanordnung jeweils eine Reflexionsfläche aufweist.

Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, in einem optischen System, welches zur flexiblen Einstellung unterschiedlicher Polarisationsverteilungen eine Spiegelanordnung mit unabhängig voneinander verstellbaren Spiegelelementen und eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung mit wenigstens einer hinsichtlich ihres Überlappungsgrades mit der Spiegelanordnung variabel einstellbaren polarisationsbeeinflussenden Komponente aufweist, eine Umlenkeinrichtung vorzusehen, welche bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung sowohl vor als auch nach der Spiegelanordnung jeweils eine Reflexionsfläche aufweist. Hierdurch wird es ermöglicht, die zur flexiblen Einstellung unterschiedlicher Polarisationszustände dienende Kombination aus Spiegelanordnung und wenigstens einer polarisationsbeeinflussenden Komponente mitsamt der Umlenkeinrichtung nach Art eines Moduls (gewissermaßen vergleichbar mit dem „Plug-and-Play”-Prinzip) in einer herkömmlichen, zur Einstellung eines gewünschten Beleuchtungssettings z. B. mit einem diffraktiven optischen Element (DOE) ausgestatteten Beleuchtungseinrichtung durch Ersatz dieses DOE's einzusetzen, da das Beleuchtungslicht mittels der Umlenkeinrichtung und ohne Erfordernis weiterer Modifikationen im übrigen optischen Design der Beleuchtungseinrichtung in einfacher Weise aus dem optischen Strahlengang ausgekoppelt sowie in den optischen Strahlengang wieder eingekoppelt wird.
Mit anderen Worten kann erfindungsgemäß bei vollständiger Kompatibilität zum vorhandenen optischen Design der jeweils bestehenden und z. B. mit einem DOE ausgestatteten Beleuchtungseinrichtung eine zusätzliche Ausrüstung der Beleuchtungseinrichtung dahingehend erfolgen, dass durch Austausch dieses DOE gegen das erfindungsgemäße Modul zusätzlich die flexible Einstellung unterschiedlicher polarisierter Beleuchtungssettings erfolgen kann. Die vorstehend beschriebene Ein- bzw. Auskopplung des Beleuchtungslichtes ist ferner insofern vorteilhaft, als hierdurch gegebenenfalls eine optimale Ausnutzung des verfügbaren Bauraums ermöglicht wird.
Gemäß einer Ausführungsform bewirkt die Umlenkeinrichtung (d. h. die stromabwärts der Spiegelanordnung angeordnete Reflexionsfläche und/oder die stromabwärts der Spiegelanordnung angeordnete Reflexionsfläche) infolge unterschiedlicher Reflexionsgrade für s- und p-polarisiertes Licht für auftreffendes Licht eine effektive Polarisationsdrehung R_sp, welche bei der Auslegung der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung insofern berücksichtigt bzw. vorgehalten ist, als sich die zur Erzeugung einer gewünschten Polarisationsverteilung in dem optischen System erforderliche Polarisationsdrehung R ergibt durch R = R_Pol + R_sp, wobei mit R_pol die durch die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung erzeugte Polarisationsdrehung bezeichnet ist.
Gemäß dieser Ausführungsform wird dem Umstand Rechnung getragen, dass im Betrieb des erfindungsgemäßen optischen Systems an der Umlenkeinrichtung (d. h. an der „zweiten”, d. h. der stromabwärts der Spiegelanordnung angeordneten Reflexionsfläche der Umlenkeinrichtung und/oder bereits an der ersten, stromaufwärts der Spiegelanordnung angeordneten Reflexionsfläche) reflektiertes Licht infolge unterschiedlicher Reflexionsgrade für s- und p-Polarisation effektiv eine zusätzliche (und damit zunächst unerwünschte) Polarisationsdrehung erfährt, sofern dieses Licht nicht im Eigenzustand (d. h. entweder vollständig s-polarisiert oder vollständig p-polarisiert) auf die betreffende Reflexionsfläche auftrifft.
Diese zunächst unerwünschte zusätzliche Polarisationsdrehung ist darauf zurückzuführen, dass für nicht im Eigenzustand auf die betreffende Reflexionsfläche der Umlenkeinrichtung auftreffendes Licht gemäß den Fresnel'schen Formeln die p-polarisierte Komponente relativ zur s-polarisierten Komponente stärker abgeschwächt wird (auch als „s-p-Aufspaltung” bezeichnet), was zur Folge hat, dass das an der betreffenden Reflexionsfläche reflektierte Licht zum einen eine Intensitätsabschwächung und zum anderen einen vergleichsweise größeren Anteil der s-polarisierten Komponente und damit eine effektiv verdrehte Richtung der (weiterhin linearen) Polarisation aufweist. Im Ergebnis kann die hiermit einhergehende Abweichung des letztendlich in der Beleuchtungseinrichtung erzeugten Polarisationszustandes vom gewünschten Polarisationszustand zu einer Beeinträchtigung der Performance der Projektionsbelichtungsanlage aufgrund von Abbildungsfehlern und einem Kontrastverlust führen.
Ausgehend von dieser Erkenntnis liegt nun der Erfindung insbesondere das weitere Konzept zugrunde, die vorstehend beschriebene, zunächst unerwünschte Polarisationsdrehung an der zweiten und/oder ersten Reflexionsfläche der Umlenkeinrichtung dadurch zu berücksichtigen bzw. im optischen System „vorzuhalten”, dass die polarisationsbeeinflussende Wirkung der wenigstens einen polarisationsbeeinflussenden Komponente bereits von vorneherein unter Berücksichtigung der besagten Polarisationsdrehung entsprechend ausgelegt wird. Mit anderen Worten wird die polarisationsbeeinflussende Anordnung bzw. deren Komponente(n) hinsichtlich ihrer polarisationsbeeinflussenden Wirkung derart ausgestaltet, dass sich die letztendlich erwünschte Polarisationseinstellung nicht unmittelbar bereits nach der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung, sondern erst in Kombination mit der vorstehend beschriebenen polarisationsbeeinflussenden Wirkung der zweiten Umlenkeinrichtung ergibt.
Wie im Weiteren beschrieben kann die polarisationsbeeinflussende Wirkung der in dem erfindungsgemäßen optischen System eingesetzten, wenigstens einen polarisationsbeeinflussenden Komponente insbesondere unter Ausnutzung optischer Aktivität (etwa bei Ausgestaltung der besagten polarisationsbeeinflussenden Komponente(n) aus optisch aktivem kristallinem Quarz) oder unter Ausnutzung linearer Doppelbrechung (insbesondere unter Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponente(n) als Lambda/4-Platte(n) oder als Lambda/2-Platte(n), jeweils mit geeigneter Orientierung der schnellen Achse der Doppelbrechung) erfolgen.
In diesem Zusammenhang bedeutet nun die Realisierung des vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen Konzepts der Berücksichtigung der an der zweiten und/oder an der ersten Reflexionsfläche der Umlenkeinrichtung auftretenden Polarisationsdrehung, dass entweder – nämlich im Falle der Ausnutzung der optischen Aktivität – eine entsprechende Dickenanpassung der polarisationsbeeinflussenden Komponente(n) oder – bei Ausnutzung der linearen Doppelbrechung z. B. einer Lambda/4-Platte oder Lambda/2-Platte – eine geeignete Änderung der Orientierung der schnellen Achse der Doppelbrechung in den betreffenden polarisationsbeeinflussenden Komponenten vorgenommen wird.
Die Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponente(n) als Lambda/4-Platte(n) ist für einen zweifachen Lichtdurchtritt (wie im Weiteren noch näher beschrieben) vorteilhaft, wohingegen die Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponente(n) als Lambda/2-Platte(n) für einen einfachen Lichtdurchtritt durch die betreffende(n) Komponente(n) bevorzugt ist.
In einem konkreten Beispiel kann etwa, anstelle jede von insgesamt drei polarisationsbeeinflussenden Komponenten mit einem Polarisationsdrehwinkel von 45° zur flexiblen Erzeugung entsprechend „gequantelter” Polarisationszustände auszugestalten, die erste dieser Komponenten mit einem Polarisationsdrehwinkel von mehr als 45° (45° + γ₁), die zweite der Komponenten mit einem Polarisationsdrehwinkel von weniger als 45° (45° – γ₂) und die dritte der Komponenten ebenfalls mit einem Polarisationsdrehwinkel von weniger als 45° (45° – γ₃) ausgestaltet werden. Während durch die „Verstimmung” der ersten Komponente die oben diskutierte unerwünschte Polarisationsdrehung an der zweiten Reflexionsfläche der Umlenkeinrichtung kompensiert wird (nämlich dahingehend, dass erst in Kombination mit der besagten s-p-Aufspaltung der im Beispiel gewünschte Polarisationsdrehwinkel erreicht wird), ergibt sich bei Überlappung der ersten und zweiten polarisationsbeeinflussenden Komponente insbesondere im Falle γ₁ = γ₂ > 0 für diejenigen Lichtstrahlen, die sowohl die erste als auch die zweite Komponente durchlaufen, dass diese Lichtstrahlen mit um 90° verdrehter Polarisationsrichtung und damit z. B. (abhängig von der ursprünglichen Polarisationsrichtung) im Eigenzustand auf die zweite Reflexionsfläche der Umlenkeinrichtung auftreffen, so dass sich hier keine Polarisationsdrehung infolge „s-p-Aufspaltung” ergibt. Als weiterer Spezialfall kann im Hinblick auf die mögliche Überlappung von drei polarisationsbeeinflussenden Komponenten γ₁ = γ₂ = γ₃ > 0 gewählt werden.
Gemäß einer Ausführungsform weist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung wenigstens zwei, insbesondere wenigstens drei polarisationsbeeinflussende Komponenten auf. Infolgedessen kann die flexible Einstellung des Polarisationszustandes nicht nur durch Variation des Überlappungsgrades zwischen einer polarisationsbeeinflussenden Komponente und der Spiegelanordnung, sondern auch durch Variation des Überlappungsgrades zwischen der Mehrzahl von polarisationsbeeinflussenden Komponenten untereinander erfolgen.
Dabei können insbesondere wenigstens zwei dieser polarisationsbeeinflussenden Komponenten unterschiedliche Dicken aufweisen, um die vorstehend beschriebene „Verstimmung” der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung zur Berücksichtigung der an der Umlenkeinrichtung auftretenden Polarisationsdrehung zu bewirken.
Gemäß einer Ausführungsform ist die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente aus einem optisch aktiven Kristallmaterial, insbesondere kristallinem Quarz (SiO₂) mit zur Lichtausbreitungsrichtung paralleler Kristallachse, hergestellt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente aus einem linear doppelbrechenden Kristallmaterial, insbesondere Magnesiumfluorid (MgF₂), Saphir (Al₂O₃) oder kristallinem Quarz (SiO₂) mit zur Lichtausbreitungsrichtung paralleler Kristallachse, hergestellt. Dabei kann die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente insbesondere eine Lambda/4-Platte oder eine Lambda/2-Platte sein.
Des Weiteren kann die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente zwischen einer Position innerhalb des optischen Strahlenganges und einer Position außerhalb des optischen Strahlenganges verschiebbar sein, wobei (insbesondere bei Ausgestaltung als Lambda/4-Platte) die polarisationsbeeinflussende Komponente in ihrer Position innerhalb des optischen Strahlenganges im Betrieb des optischen Systems zweifach von auftreffendem Licht durchlaufen wird.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Umlenkeinrichtung als Prisma ausgebildet, wobei die Reflexionsflächen durch Grenzflächen dieses Prismas gebildet werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Umlenkeinrichtung derart ausgebildet, dass wenigstens eine der Reflexionsflächen im Betrieb des optischen Systems auftreffendes Licht in Totalreflexion reflektiert.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Umlenkeinrichtung zwei Umlenkspiegel auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist das optische System in Lichtausbreitungsrichtung vor der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung eine weitere Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl von Spiegelelementen auf, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von dieser Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind. Dabei können insbesondere die Spiegelelemente dieser weiteren Spiegelanordnung gemeinsam die erste Reflexionsfläche bilden.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 250 nm, insbesondere weniger als 200 nm, weiter insbesondere weniger als 160 nm ausgelegt.
Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung ein optisches System mit den zuvor beschriebenen Merkmalen aufweist.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele und unter Bezugnahme auf die beigefügten Abbildungen näher erläutert.
Es zeigen:
1–6 schematische Darstellungen zur Erläuterung möglicher Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen optischen Systems zur flexiblen Einstellung unterschiedlicher Polarisationszustände; und
7 eine schematische Darstellung des Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die vorliegende Erfindung realisiert werden kann.
Im Weiteren wird zunächst unter Bezugnahme auf 7 ein prinzipieller Aufbau einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einem erfindungsgemäßen optischen System erläutert. Die Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung 10 sowie ein Projektionsobjektiv 20 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 10 dient zur Beleuchtung einer Struktur tragenden Maske (Retikel) 30 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 1, welche beispielsweise einen ArF-Excimerlaser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Generell sind die Beleuchtungseinrichtung 10 sowie das Projektionsobjektiv 20 bevorzugt für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 400 nm, insbesondere weniger als 250 nm, weiter insbesondere weniger als 200 nm, ausgelegt.
Gemäß der Erfindung ist Bestandteil der Beleuchtungseinrichtung 10 insbesondere eine Spiegelanordnung 200, welche eine Vielzahl von unabhängig voneinander einstellbaren Spiegelelementen aufweist. In Lichtausbreitungsrichtung vor der Spiegelanordnung 200 ist eine im Weiteren unter Bezugnahme auf 1 ff. in unterschiedlichen Ausführungsformen noch näher erläuterte polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 100 angeordnet. Die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 100 kann alternativ, wie ebenfalls noch näher erläutert, auch in Lichtausbreitungsrichtung nach der Spiegelanordnung 200 angeordnet sein.
Gemäß 7 sind ferner Ansteuerungseinheiten 105, 205 vorgesehen, welche der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 bzw. der Spiegelanordnung 200 zugeordnet sind und jeweils deren Verstellung über geeignete Aktuatoren ermöglichen. Aktuatoren zur Verstellung der Anordnungen 100, 200 können lediglich beispielhaft elektrostatisch (mittels sogenannter Kammelektroden) oder auch in beliebiger anderer geeigneter Weise ausgestaltet sein.
Die Beleuchtungseinrichtung 10 weist eine optische Einheit 11 auf, die u. a. im dargestellten Beispiel einen Umlenkspiegel 12 umfasst. In Lichtausbreitungsrichtung nach der optischen Einheit 11 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung (nicht dargestellt), welche z. B. in für sich bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann, sowie eine Linsengruppe 14, hinter der sich eine Feldebene mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 15 auf die Struktur tragende, in einer weiteren Feldebene angeordnete Maske (Retikel) 30 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt. Die Struktur tragende Maske 30 wird mit dem Projektionsobjektiv 20 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat 40 bzw. einen Wafer abgebildet. Das Projektionsobjektiv 20 kann insbesondere für den Immersionsbetrieb ausgelegt sein. Ferner kann es eine numerische Apertur NA größer als 0.85, insbesondere größer als 1.1, aufweisen.
Die Spiegelanordnung 200 weist, wie in 1–6 jeweils angedeutet, eine Mehrzahl von Spiegelelementen 200a, 200b, 200c, ... auf. Eine solche Spiegelanordnung wird mitunter auch als MMA („micro mirror array” = Mikrospiegelanordnung) oder auch als räumlicher Lichtmodulator (= „spatial light modulator”) bezeichnet. Die Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, ... sind zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung 200 reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar, wozu gemäß 1 die Ansteuerungseinheit 205 dient. In Lichtausbreitungsrichtung vor der Spiegelanordnung 200 befindet sich im Ausführungsbeispiel noch eine in 1 nicht gezeigte angedeutete Mikrolinsenanordnung, welche eine Vielzahl von Mikrolinsen zur gezielten Fokussierung auf die Spiegelelemente der Spiegelanordnung aufweist, um Lichtverlust sowie Streulichtgenerierung in den Bereichen zwischen den Einzelspiegeln (durch Überstrahlung der Einzelspiegel) zu vermeiden. Die Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, ... können jeweils individuell, z. B. in einem Winkelbereich von –2° bis +2°, insbesondere –5° bis +5°, weiter insbesondere –10° bis +10°, verkippt werden. Durch eine geeignete Verkippungsanordnung der Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, ... in der Spiegelanordnung 200 kann in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung 10 aus 7 eine gewünschte Lichtverteilung, z. B. ein annulares Beleuchtungssetting oder auch ein Dipol-Setting oder ein Quadrupol-Setting, ausgebildet werden, indem das zuvor homogenisierte und kollimierte Laserlicht je nach gewünschtem Beleuchtungssetting durch die Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, ... der Spiegelanordnung 200 jeweils in die entsprechende Richtung gelenkt wird.
Im Weiteren wird unter Bezugnahme auf 1 zunächst das Zusammenwirken der bereits im Zusammenhang mit 7 erwähnten polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 mit der Spiegelanordnung 200 erläutert.
Im Ausführungsbeispiel von 1 weist die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 100 (ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) drei unabhängig voneinander verstellbare, jeweils senkrecht zur Lichtausbreitungsrichtung in den Strahlengang einführbare polarisationsbeeinflussende Komponenten 101–103 auf, welche im Ausführungsbeispiel von 1 jeweils in Form von optischen Rotatoren aus optisch aktivem kristallinem Quarz ausgebildet sind, wobei jeder dieser Rotatoren für hindurchtretendes Licht für sich eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um einen bestimmten Winkel α₁, α₂ bzw. α₃ bewirkt.
Abhängig von dem Grad der Abdeckung der Spiegelanordnung 200 durch die polarisationsbeeinflussenden Komponenten 101, 102, 103 in Verbindung mit der variablen Einstellung der Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, ... der Spiegelanordnung 200 (deren Anzahl typischerweise wesentlich höher als dargestellt ist und insbesondere auch hundert oder mehr betragen kann) können mit dem Aufbau von 1 in flexibler Weise unterschiedliche Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung realisiert werden. Mittels der (nicht dargestellten) Mikrolinsenanordnung können die einzelnen Teilstrahlen jeweils auf die einzelnen Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, ... der Spiegelanordnung 200 fokussiert werden, wobei eine solche Mikrolinsenanordnung alternativ in Lichtausbreitungsrichtung vor oder auch nach der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 angeordnet sein kann.
Infolgedessen wird lediglich beispielhaft die Polarisationsvorzugsrichtung bei Lichtdurchtritt durch nur den Rotator 101 um einen Winkel α₁, bei Durchlaufen der Rotatoren 101 und 102 um einen Winkel α₁ + α₂ und bei Durchlaufen sämtlicher Rotatoren 101–103 um einen Winkel α₁ + α₂ + α₃ gedreht. Die in 1 eingezeichneten Doppelpfeile für die jeweiligen Teilstrahlen bezeichnen jeweils die Polarisationsvorzugsrichtung der Teilstrahlen am betreffenden Ort.
Gemäß 1 ist weiter eine Umlenkeinrichtung 300 in Form eines Prismas vorgesehen, wobei diese Umlenkeinrichtung 300 bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung stromaufwärts sowie stromabwärts der Spiegelanordnung 200 jeweils eine Reflexionsfläche 300a, 300b aufweist. Wie aus 1 ersichtlich ist, bewirkt die Umlenkeinrichtung 300 eine Faltung des optischen Strahlenganges dahingehend, dass Licht, welches im Betrieb der Beleuchtungseinrichtung auf die erste Reflexionsfläche 300a der Umlenkeinrichtung 300 auftrifft, zunächst im Wesentlichen senkrecht zur ursprünglichen (d. h. vor Auftreffen auf die erste Reflexionsfläche 300a vorliegenden) Ausbreitungsrichtung abgelenkt wird, woraufhin dieses Licht je nach Einschubposition der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 101, 102 und 103 der Anordnung 100 zunächst die betreffende(n) Komponente(n) 101, 102 bzw. 103 durchläuft, anschließend auf die Spiegelanordnung 200 trifft und je nach Stellung der Spiegelelemente 200a–200d auf die zweite Reflexionsfläche 300b auftrifft. Diese zweite Reflexionsfläche 300b bewirkt wiederum eine Umlenkung in die ursprüngliche (d. h. vor dem Auftreffen auf die erste Reflexionsfläche 300a gegebene) Ausbreitungsrichtung.
Die Umlenkeinrichtung 300 ermöglicht es somit, die gesamte in 1 gezeigte Gruppe aus polarisationsbeeinflussender optischer Anordnung 100, Spiegelanordnung 200 und Umlenkeinrichtung 300 etwa anstelle eines in einer bestehenden Beleuchtungseinrichtung vorgesehenen diffraktiven optischen Elementes (DOE) einzusetzen, ohne weitere Modifikationen am optischen Strahlengang bzw. an dem Design der Beleuchtungseinrichtung vorzunehmen, da das Licht gewissermaßen vorübergehend zum Zwecke der Einstellung eines gewünschten polarisierten Beleuchtungssettings aus dem ursprünglichen Strahlweg herausgelenkt wird.
Dabei wird die eingangs beschriebene, unerwünschte Polarisationsdrehung z. B. an der zweiten Reflexionsfläche 300b der Umlenkeinrichtung 300 aufgrund der unterschiedlichen Reflexionsgrade für s- und p-polarisiertes Licht (d. h. der „s-p-Aufspaltung”) dadurch berücksichtigt bzw. im optischen System „vorgehalten”, dass die polarisationsbeeinflussende Wirkung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 101, 102, 103 der Anordnung 100 bereits von vorneherein unter Berücksichtigung der besagten Polarisationsdrehung entsprechend ausgelegt wird. Mit anderen Worten wird die polarisationsbeeinflussende Anordnung 100 hinsichtlich ihrer polarisationsbeeinflussenden Wirkung derart ausgestaltet, dass sich die letztendlich erwünschte Polarisationseinstellung nicht unmittelbar bereits nach der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100, sondern erst in Kombination mit der besagten polarisationsbeeinflussenden Wirkung der Umlenkeinrichtung 300 ergibt.
2 zeigt lediglich schematisch eine weitere Ausführungsform der Erfindung, welche sich von derjenigen aus 1 lediglich daraus unterscheidet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 100 bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung nach der Spiegelanordnung 200 angeordnet ist. Die Platzierung der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 relativ zur Spiegelanordnung 200 erfolgt vorzugsweise jeweils derart, dass die Strahlengänge der zu den einzelnen Spiegelelementen 200a, 200b, 200c, 200d, ... führenden bzw. hiervon ausgehenden Lichtstrahlen im Bereich der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 noch voneinander getrennt sind bzw. noch nicht einander überlappen.
Gemäß einer weiteren, in 3 schematisch dargestellten Ausführungsform kann zusätzlich zu der in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen vorhandenen Spiegelanordnung 200 eine weitere Spiegelanordnung aus unabhängig voneinander einstellbaren Spiegelelementen 350a-1, 350a-2, 350a-3, 350a-4, ... vorgesehen sein, wobei diese Spiegelelemente 350a-1, ... 350a-4, ... gemeinsam die erste Reflexionsfläche 350a der Umlenkeinrichtung 350 bilden. Die unabhängige Einstellbarkeit der Spiegelelemente 350a-1, ..., 350a-4, ... ermöglicht eine flexible Adressierung der Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, 200d, ... der Spiegelanordnung 200 und damit eine weitere Steigerung der insgesamt bei der Einstellung unterschiedlicher polarisierter Beleuchtungssettings gegebenen Flexibilität.
Die Erfindung ist nicht auf die in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen gegebene Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 mit drei polarisationsbeeinflussenden Komponenten 101, 102 und 103 beschränkt. Vielmehr kann die polarisationsbeeinflussende Anordnung in weiteren Ausführungsformen auch weniger (d. h. nur ein oder zwei) oder auch mehr polarisationsbeeinflussende Komponenten aufweisen.
Die Erfindung ist ferner nicht auf die in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen gegebene Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 101, 102 und 103 der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 aus optisch aktivem Kristallmaterial beschränkt. Vielmehr kann in weiteren Ausführungsformen die Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung auch aus linear doppelbrechendem Material mit bei der gewünschten Arbeitswellenlänge hinreichender Transparenz, beispielsweise aus Magnesiumfluorid (MgF₂), Saphir (Al₂O₃) oder auch aus kristallinem Quarz mit zur Lichtausbreitungsrichtung senkrechter Orientierung der optischen Kristallachse erfolgen. Entsprechende Ausführungsbeispiele mit Ausnutzung linearer Doppelbrechung sind in 4 und 5 gezeigt.
4 zeigt zunächst ein Ausführungsbeispiel, bei welchem die Umlenkeinrichtung 300 analog zu den zuvor anhand von 1–3 beschriebenen Ausführungsbeispielen als Prisma ausgebildet ist, wobei im Unterschied zu 1–3 die polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401, 402 und 403 der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 400 als linear doppelbrechende Komponenten, und zwar im konkreten Falle als Lambda/4-Platten ausgestaltet sind.
Die polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401, 402, 403 sind – insoweit analog zu den vorstehend unter Bezugnahme auf 1–3 beschriebenen Ausführungsformen – derart senkrecht zur Lichtausbreitungsrichtung verschiebbar, dass durch das jeweilige Verschieben der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401, 402, 403 ein Überlappungsgrad zwischen jeder polarisationsbeeinflussenden Komponente 401, 402, 403 und der Spiegelanordnung 200 variabel einstellbar ist.
Ferner erfolgt gemäß 4 die Anordnung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401, 402 und 403 derart in unmittelbarer Nähe zur Spiegelanordnung 200, dass bei Positionierung jeweils einer polarisationsbeeinflussenden Komponente 401, 402 bzw. 403 im optischen Strahlengang ein zweifacher Lichtdurchtritt durch die betreffende Komponente 401, 402 bzw. 403 erfolgt, da die jeweilige Komponente nicht nur vor sondern auch nach Reflexion der betreffenden Lichtstrahlen an der Spiegelanordnung 200 durchlaufen wird.
Hierdurch wird dem Umstand Rechnung getragen, dass – anders als im Falle einer Ausnutzung der optischen Aktivität, bei welchem eine entsprechende Anordnung mit erneutem Lichtdurchtritt durch die Komponente in entgegengesetzter Richtung zu einer Aufhebung bzw. „Rückgängigmachung” der ursprünglichen aufgrund der optischen Aktivität bewirkten Polarisationsdrehung führen würde – der zweifache Lichtdurchtritt durch eine linear doppelbrechende Komponente nicht zu einer Aufhebung, sondern zu einer Verdoppelung von deren polarisationsbeeinflussender Wirkung führt. Im konkreten Ausführungsbeispiel von 4 bedeutet dies, dass die jeweils als Lambda/4-Platte ausgelegten polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401, 402 und 403 bei zweifachem Lichtdurchtritt jeweils als Lambda/2-Platte wirken, so dass deren jeweilige polarisationsbeeinflussende Wirkung einer Spiegelung der Polarisationsrichtung an der jeweiligen schnellen Achse der Doppelbrechung entspricht.
Im Zusammenhang mit der Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401–403 aus linear doppelbrechendem Material ist jedoch zu beachten, dass infolge einer im Allgemeinen nicht gegebenen Vertauschbarkeit der als Retarder wirkenden Komponenten 401–403 die vorstehend beschriebene Wirkung einer Lambda/4-Platte bei zweifachem Lichtdurchtritt als Lambda/2-Platte nur für den Fall einer einzigen polarisationsbeeinflussenden Komponente 401, 402 bzw. 403 (bzw. die Anordnung von nur einer dieser Komponenten im optischen Strahlengang) gilt, da bei Anordnung von zwei oder mehr der doppelbrechenden Komponenten im optischen Strahlengang jeweils die Lage der schnellen Achse der Doppelbrechung in der bzw. den jeweils vorangehenden Komponente(n) berücksichtigt werden muss.
In weiteren Ausführungsformen kann auch eine Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401–403 aus Lambda/2-Platten erfolgen, wobei in diesem Falle die Anordnung der Lambda/2-Platten derart erfolgt, dass die betreffende(n) Lambda/2-Platte(n) nur einmalig vom Beleuchtungslicht durchlaufen werden. Im Falle der Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponente(n) als Lambda/2-Platte(n) mit jeweils einfachem Lichtdurchtritt durch die betreffende(n) Komponente(n) stellt der im vorstehenden Absatz beschriebene Umstand kein Problem dar, da zur Polarisationsdrehung durch eine zweite Lambda/2-Platte nur der durch die jeweilige erste Lambda/2-Platte eingestellte Polarisationszustand berücksichtigt werden muss.
Die vorstehend beschriebene, im Ausführungsbeispiel von 4 ermöglichte Anordnung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401, 402 und 403 in unmittelbarer Nähe der Spiegelanordnung 200 ist insbesondere insofern vorteilhaft, als eine exaktere Adressierung der Spiegelelemente 200a, 200b, 200c, 200d, ... der Spiegelanordnung 200 erfolgen und eine unerwünschte Überlappung der Strahlengänge zwischen einzelnen der Spiegelelemente besser verhindert werden kann.
Die vorstehend beschriebene Platzierung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung in unmittelbarer Nähe der Spiegelanordnung 200 ist ferner dann vorteilhaft, wenn, wie im Weiteren beschrieben, die Umlenkeinrichtung unter Ausnutzung von Totalreflexion realisiert wird. Des Weiteren kann bei Platzierung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung in unmittelbarer Nähe der Spiegelanordnung 200 auch Bauraum eingespart werden.
5 zeigt ein Ausführungsbeispiel, welches sich von demjenigen aus 4 dadurch unterscheidet, dass die Umlenkeinrichtung 360 die gewünschte Strahlumlenkung durch zweifache Totalreflexion an Reflexionsflächen 360a, 360b bewirkt. Hierzu weist die Umlenkeinrichtung 360, welche in diesem Ausführungsbeispiel als prismatischer Körper z. B. als Quarzglas (SiO₂) hergestellt ist, eine zur Lichtausbreitungsrichtung senkrechte Lichteintrittsfläche auf, wobei die Reflexionsflächen 360a, 360b einen durch die besagte Lichteintrittsfläche in das relativ „optisch dichtere” Material der Umlenkeinrichtung 360 eingetretenen Lichtstrahl vor bzw. nach Reflexion an der Spiegelanordnung 200 jeweils totalreflektieren, bevor diese Lichtstrahlen durch eine zur Lichteintrittsfläche parallele Lichtaustrittsfläche aus der Umlenkeinrichtung 360 mit der ursprünglichen Ausbreitungsrichtung wieder austreten.
Das Ausführungsbeispiel von 5 ist wie dasjenige aus 4 in Verbindung mit einer Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 401, 402 und 403 der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 aus linear doppelbrechendem Kristall realisiert, jedoch selbstverständlich auch analog zu den Ausführungsbeispielen von 1–3 unter Ausnutzung optischer Aktivität realisierbar.
In einem weiteren, in 6 schematisch dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Umlenkeinrichtung 370 auch zwei Umlenkspiegel 371, 372 aufweisen, welche die zur jeweiligen Faltung des Strahlengangs erforderlichen Reflexionsflächen 370a, 370b bereitstellen. Dieses Ausführungsbeispiel ist wiederum in Verbindung mit einer Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden Komponenten 101, 102 und 103 der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 100 aus optisch aktivem Kristallmaterial realisiert, jedoch selbstverständlich auch analog zu den Ausführungsbeispielen von 4 und 5 unter Ausnutzung linearer Doppelbrechung realisierbar.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.

Claims

Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit: • einer Spiegelanordnung (200) mit einer Mehrzahl von Spiegelelementen (200a, 200b, 200c, ...), die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von der Spiegelanordnung (200) reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind; • einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (100, 400), welche wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (101, 102, 103, 401, 402, 403) aufweist, wobei durch Verschieben dieser polarisationsbeeinflussenden Komponente ein Überlappungsgrad zwischen der polarisationsbeeinflussenden Komponente (101, 102, 103, 401, 402, 403) und der Spiegelanordnung (200) variabel einstellbar ist; und • einer Umlenkeinrichtung (300, 360, 370), welche bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung stromaufwärts sowie stromabwärts der Spiegelanordnung (200) jeweils eine Reflexionsfläche (300a, 300b, 350a, 350b, 360a, 360b, 370a, 370b) aufweist.
Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Umlenkeinrichtung (300, 360, 370) infolge unterschiedlicher Reflexionsgrade für s- und p-polarisiertes Licht für auftreffendes Licht eine effektive Polarisationsdrehung R_sp bewirkt, welche bei Auslegung der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (100, 400) insofern berücksichtigt bzw. vorgehalten ist, als sich die zur Erzeugung einer gewünschten Polarisationsverteilung in dem optischen System erforderliche Polarisationsdrehung R ergibt durch R = R_Pol + R_sp, wobei mit R_pol die durch die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (100, 400) erzeugte Polarisationsdrehung bezeichnet ist.
Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung (100, 400) wenigstens zwei, insbesondere wenigstens drei polarisationsbeeinflussende Komponenten (101, 102, 103, 401, 402, 403) aufweist.
Optisches System nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei dieser polarisationsbeeinflussenden Komponenten (101, 102, 103) unterschiedliche Dicken aufweisen.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (101, 102, 103) aus optisch aktivem Kristallmaterial, insbesondere kristallinem Quarz (SiO₂) mit zur Lichtausbreitungsrichtung paralleler Kristallachse, hergestellt ist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (401, 402, 403) aus linear doppelbrechendem Kristallmaterial, insbesondere Magnesiumfluorid (MgF₂), Saphir (Al₂O₃) oder kristallinem Quarz (SiO₂) mit zur Lichtausbreitungsrichtung paralleler Kristallachse, hergestellt ist.
Optisches System nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (401, 402, 403) eine Lambda/4-Platte ist.
Optisches System nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (401, 402, 403) zwischen einer Position innerhalb des optischen Strahlenganges und einer Position außerhalb des optischen Strahlenganges verschiebbar ist, wobei die polarisationsbeeinflussende Komponente (401, 402, 403) in ihrer Position innerhalb des optischen Strahlenganges im Betrieb des optischen Systems zweifach von auftreffendem Licht durchlaufen wird.
Optisches System nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (401, 402, 403) eine Lambda/2-Platte ist.
Optisches System nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine polarisationsbeeinflussende Komponente (401, 402, 403) zwischen einer Position innerhalb des optischen Strahlenganges und einer Position außerhalb des optischen Strahlenganges verschiebbar ist, wobei die polarisationsbeeinflussende Komponente (401, 402, 403) in ihrer Position innerhalb des optischen Strahlenganges im Betrieb des optischen Systems einfach von auftreffendem Licht durchlaufen wird.
Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umlenkeinrichtung (300) als Prisma ausgebildet ist, wobei die Reflexionsflächen (300a, 300b) durch Grenzflächen dieses Prismas gebildet werden.
Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Umlenkeinrichtung (360) derart ausgebildet ist, dass wenigstens eine der Reflexionsflächen (360a, 360b) im Betrieb des optischen Systems auftreffendes Licht in Totalreflexion reflektiert.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Umlenkeinrichtung (370) zwei Umlenkspiegel (371, 372) aufweist.
Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses in Lichtausbreitungsrichtung vor der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (100) eine weitere Spiegelanordnung mit einer Mehrzahl von Spiegelelementen (350a-1, 350a-2, 350a-3, ...) aufweist, die zur Veränderung einer Winkelverteilung des von dieser Spiegelanordnung reflektierten Lichtes unabhängig voneinander verstellbar sind.
Optisches System nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelelemente (350a-1, 350a-2, 350a-3, ...) dieser weiteren Spiegelanordnung gemeinsam die erste Reflexionsfläche (350a) bilden.
Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 250 nm, insbesondere weniger als 200 nm, weiter insbesondere weniger als 160 nm ausgelegt ist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung (10) und einem Projektionsobjektiv (20), dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinrichtung (10) ein optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.
Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: • Bereitstellen eines Substrats (40), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; • Bereitstellen einer Maske (30), die abzubildende Strukturen aufweist; • Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 17; und • Projizieren wenigstens eines Teils der Maske (30) auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage.