DE102012220980A1 - OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 84
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 5
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910020617 PbO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 2
- 229910007472 ZnO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007676 ZnO—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 240000005702 Galium aparine Species 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020615 PbO—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- KAMGYJQEWVDJBD-UHFFFAOYSA-N bismuth zinc borate Chemical compound B([O-])([O-])[O-].[Zn+2].[Bi+3] KAMGYJQEWVDJBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N bismuth;borate Chemical compound [Bi+3].[O-]B([O-])[O-] YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000002352 blister Diseases 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H zinc phosphate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LRXTYHSAJDENHV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000165 zinc phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Das optoelektronische Halbleiterbauelement verwendet einen Leuchtstoff, der einem Konversionselement zugeordnet ist. Das Konversionselement weist außerdem eine Glasmatrix auf sowie Streupartikel mit einem spezifischen mittleren Korngrößendurchmesser d50 im Bereich 0,05 bis 3,0 µm.The optoelectronic semiconductor component uses a phosphor which is assigned to a conversion element. The conversion element also has a glass matrix and scattering particles with a specific mean particle size diameter d50 in the range 0.05 to 3.0 microns.
Description
Technisches Gebiet Technical area
Die Erfindung geht aus von einem optoelektronischen Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, insbesondere eine Konversions-LED. The invention is based on an optoelectronic semiconductor component according to the preamble of
Stand der Technik State of the art
Die
Die
Aus der
Die
Darstellung der Erfindung Presentation of the invention
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, bei einem optoelektronischen Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 eine verbesserte Lösung für das Problem der Wärmeabfuhr beim Konversionselement anzugeben. Eine weitere Aufgabe ist es, gleichzeitig die Effizienz einer Lumineszenzkonversions-LED zu erhöhen und deren Farbortwiedergabe über den Winkel zu verbessern. An object of the present invention is to provide an improved solution to the problem of heat dissipation in the conversion element in an optoelectronic semiconductor device according to the preamble of
Diese Aufgabe wird gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1. This object is achieved by the characterizing features of
Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen. Die vorliegende Erfindung zeichnet sich durch verbesserte Effizienz und Lebensdauer der LED infolge verbesserter Lichtauskopplung und stärkerer Wärmeabfuhr des Konversionselements aus. Dies geschieht durch Ersatz eines organischen Materials (Kunststoff) für die Matrix durch ein anorganisches Glas, das eine bessere Wärmeleitfähigkeit, Temperatur- und UV-Beständigkeit besitzt, sowie den Einsatz von Streuern in diesem Glas. Particularly advantageous embodiments can be found in the dependent claims. The present invention is characterized by improved efficiency and lifetime of the LED due to improved light extraction and greater heat dissipation of the conversion element. This is done by replacing an organic material (plastic) for the matrix with an inorganic glass, which has better thermal conductivity, temperature and UV resistance, and the use of scatterers in this glass.
Ziel der Erfindung ist eine verbesserte Effizienz der LED durch stärkere Wärmeabfuhr des anorganischen Matrixmaterials, das den konvertierenden Leuchtstoff und die Streupartikel enthält. Dies führt letztlich zu einer erhöhten Lebensdauer durch verbesserte thermische und UV-Beständigkeit. Hinzu kommt eine verbesserte Lichtauskopplung und bessere, kaum noch winkelabhängige Farbortwiedergabe. Außerdem ist eine Einsparung der Menge des benötigten Leuchtstoffs durch die Verwendung von Streupartikeln zu beobachten, was gerade bei teuren LED-Leuchtstoffen sowie bei Seltenerd-haltigen Leuchtstoffen ein wichtiger Aspekt ist. The aim of the invention is an improved efficiency of the LED by increased heat dissipation of the inorganic matrix material containing the converting phosphor and the scattering particles. This ultimately leads to an increased service life through improved thermal and UV resistance. In addition, there is an improved light extraction and better, hardly any angle-dependent color reproduction. In addition, a saving in the amount of phosphor required by the use of scattering particles is observed, which is an important aspect especially for expensive LED phosphors and rare earth-containing phosphors.
Häufig wurde bisher der Leuchtstoff in Silikon suspendiert und dann siebgedruckt. Die Schichten sind ca. 30 µm dick. Often, the phosphor has been suspended in silicone and then screen printed. The layers are about 30 microns thick.
Silikon besitzt aber eine schlechte Wärmeleitfähigkeit (ca. 0,1 W/mK), die dazu führt, dass sich der Leuchtstoff im Betrieb stärker erwärmt und dadurch ineffizienter wird. Zudem ist der Einsatz von Silikon bei Hochleistungs-LEDs grenzwertig, da es dauerhaft nur einer Temperatur von ca. 160°C standhält und bei ca. 300°C nur kurzfristig (wenige Sekunden) belastbar ist. However, silicone has a poor thermal conductivity (about 0.1 W / mK), which means that the phosphor heats up more during operation and thus becomes inefficient. In addition, the use of silicone in high-power LEDs is borderline, as it only withstands a temperature of approx. 160 ° C and can only be loaded at approx. 300 ° C for a short time (a few seconds).
Organische Matrizes haben den Nachteil, dass sie meist niederbrechend sind, also einen Brechungsindex nD in der Gegend von 1,5 besitzen. Die einzubettenden Leuchtstoffe besitzen in der Regel einen deutlich höheren Brechungsindex nD, der bei Granaten bei ca. 1,85 und bei Nitriden um 2 liegt. Dadurch ergibt sich eine geringere Variabilität als bei einer glasigen anorganischen Matrix, da Gläser einen deutlich größeren Bereich an Brechungsindizies abdecken können(nD ca. 1,5 bis > 2) und so z.B. die Möglichkeit bieten, ein Glas mit einem ähnlichen Brechungsindex als Matrix für den Leuchtstoff einzusetzen. Gleiches gilt auch in Verbindung mit den erfindungsgemäßen Streupartikeln, für deren Auswahl dadurch auch ein größerer Spielraum gegeben ist. Organic matrices have the disadvantage that they are usually low-refractive, that is have a refractive index n D in the region of 1.5. The phosphors to be embedded generally have a significantly higher refractive index n D , which is around 1.85 in the case of garnets and around 2 in the case of nitrides. This results in a lower variability than in a glassy inorganic matrix, since glasses can cover a much wider range of refractive indices (n D approx. 1.5 to> 2) and thus offer the possibility, for example, of a glass with a similar refractive index as a matrix to use for the phosphor. The same applies in connection with the scattering particles according to the invention, for their selection thereby a greater latitude is given.
Bereits bekannt ist die Einbettung von Leuchtstoff in Glas, beispielsweise mit Verfahren wie in
Enthält die Glasmatrix Streuzentren, so wird das vom Chip emittierte primäre Licht zusätzlich im Konversionselement zum eingebetteten Leuchtstoff hin gestreut. Dadurch erfolgt eine verbesserte Farbwiedergabe über den Winkel, eine bessere Lichtauskopplung und eine effektivere Konversion durch den Leuchtstoff. Dadurch reicht beim Einsatz von Streupartikeln weniger Leuchtstoff zur Erzielung des gleichen Farborts aus als ohne Streupartikel. D.h. durch den Einsatz von Streuzentren kann die Menge an teurem Konversions-Leuchtstoff reduziert werden. Dadurch lässt sich ein erheblicher Kostenvorteil realisieren. If the glass matrix contains scattering centers, the primary light emitted by the chip is additionally scattered in the conversion element towards the embedded phosphor. This results in improved color rendering over the angle, better light extraction, and more effective conversion through the phosphor. As a result, when using scattering particles, less phosphor is sufficient to achieve the same color locus than without scattering particles. That Through the use of scattering centers, the amount of expensive conversion phosphor can be reduced. This can realize a significant cost advantage.
Wenn der Unterschied der Brechzahl der Glasmatrix und des Leuchtstoffs > 0,1 ist, erfolgt bereits eine Lichtstreuung aufgrund der unterschiedlichen Brechungsindizes. Diese Streuung wird umso größer, je größer der Unterschied der Brechungsindizes ist und wird zudem von der Korngrößenverteilung des Leuchtstoffs beeinflusst. Trotzdem führen auch hier zusätzliche Streupartikel in der Glasmatrix zu einer verbesserten Farbwiedergabe über den Winkel sowie zu einer Leuchtstoffeinsparung aufgrund der Streuung der Primärstrahlung. Als Streupartikel sind optisch nicht anregbare anorganische Verbindungen z.B. TiO2, CeO2, Bi2O3, Y2O3, ZrO2, ZrSiO4, SiO2, Al2O3, Mullit, ZnO, SnO2, CaO, BaSO4 geeignet oder auch Glaspartikel, die eine andere Brechzahl als die Glasmatrix aufweisen und eine höhere Erweichungstemperatur aufweisen als die Glasmatrix. In diesem Fall wirken die zugesetzten Streupartikel auch wie ein Füllstoff bei Kompositloten. Eine andere Möglichkeit ist die gezielte Entmischung der Glasmatrix in zwei nicht mischbare Glasphasen. Die mittlere Partikelgröße d50 der Streupartikel sollte bevorzugt in einem Bereich von ungefähr 0,05 µm bis ungefähr 3 µm liegen. Der d50-Wert bezieht sich auf die Partikelanzahl. Ein Brechzahlunterschied DELTA n von Streupartikeln und Matrix sollte vorhanden sein (DELTA n > 0), vorzugsweise ist DELTA n 0,01, besonders bevorzugt ist DELTA n 0,1. Prinzipiell wäre es auch möglich, eine Streuung durch den gezielten Einbau von Blasen in die Glasmatrix zu erzielen, jedoch ist dies prozesstechnisch nur schwer reproduzierbar herzustellen. If the difference in the refractive index of the glass matrix and the phosphor is> 0.1, light scattering already occurs due to the different refractive indices. The larger the difference in the refractive indices, the greater the scattering and, moreover, it is influenced by the particle size distribution of the phosphor. Nevertheless, additional scattering particles in the glass matrix also lead to improved color rendering over the angle and to a saving in phosphor due to the scattering of the primary radiation. Suitable scattering particles are inorganic compounds which can not be excited optically, for
Die Art der Streupartikel, ihre Korngröße, die Anzahl im Glasvolumen sowie der Brechzahlunterschied von Streuer und Glasmatrix beeinflussen die Streuwirkung und Intensität. Da die Rückstreuung durch die Streupartikel die Effizienz der Lichtauskopplung negativ beeinflussen kann, muss ein Optimum zwischen Streuung und Rückstreuung gefunden werden, wohingegen eine stärkere Streuung den Farbort über Winkel verbessert. The type of scattering particles, their grain size, the number in the glass volume and the difference in refractive index of the spreader and glass matrix influence the scattering effect and intensity. Since the backscatter from the scattering particles can adversely affect the efficiency of light extraction, an optimum between scattering and backscattering must be found, whereas greater scattering improves the color locus over angles.
Das Konversionselement kann beispielsweise wie folgt hergestellt werden:
Auftragen einer Glaslotpulverschicht mit Streupartikeln auf ein Substrat, Verglasen der Pulverschicht durch Temperaturbehandlung, Auftragen der Leuchtstoffpartikel, Einsinken des Leuchtstoffs in die Glaslotschicht durch Temperaturbehandlung. Eine andere Möglichkeit der Herstellung der glasigen Matrix ist das Sol-Gel-Verfahren. The conversion element can be produced, for example, as follows:
Applying a Glaslotpulverschicht with scattering particles on a substrate, vitrifying the powder layer by temperature treatment, applying the phosphor particles, sinking of the phosphor in the glass solder layer by temperature treatment. Another way of producing the glassy matrix is the sol-gel method.
Das Konversionselement kann mit der Chipoberfläche verklebt sein (CLC-Technik) oder davon beabstandet sein (remotephosphor-Technik). Vorzugsweise ist die glasige Schicht mit Leuchtstoff und Streupartikeln dem Chip zugewandt. Dies gilt sowohl für Voll- als auch Teilkonversion. The conversion element may be glued to the chip surface (CLC technique) or spaced therefrom (remote phosphor technology). Preferably, the glassy layer with phosphor and scattering particles faces the chip. This applies to both full and partial conversion.
Die Dicke DG der Glasschicht ist typisch DG 1 µm und DG 200 µm, vorzugsweise DG 5 µm und DG 100 µm, insbesondere DG 10 µm und DG 50 µm. Bevorzugt ist die Dicke der Glasschicht mindestens so hoch wie die größten Leuchtstoffpartikel des verwendeten Leuchtstoffpulvers, insbesondere mindestens doppelt so dick. Als Material für die Glasschicht eignet sich bevorzugt ein niedrigschmelzendes Glas mit einer Erweichungstemperatur < 500°C, bevorzugt im Bereich 350 bis 480°C, wie beispielsweise in
Das Konversionselement kann entweder mit einem anorganischen Kleber wie einem niedrigschmelzenden Glas oder einem anorganischen Sol-Gel als auch mit organischem Kleber wie Silikon oder auch einem organischen Sol-Gel auf dem Chip befestigt werden. Ebenfalls kann es als „remote phosphor“, also mit Abstand zum Chip, eingesetzt werden. The conversion element can be attached to the chip either with an inorganic adhesive such as a low melting glass or an inorganic sol-gel as well as with organic adhesive such as silicone or also an organic sol-gel. It can also be used as a "remote phosphor", ie away from the chip.
Insbesondere ist das Glas hochbrechend (vorzugsweise n 1.8), insbesondere ist der Brechungsindex des Glases ähnlich dem Brechungsindex der eingebetteten Leuchtstoffkomponente gewählt und unterscheidet sich davon um nicht mehr als 0,15, bevorzugt maximal um 0,1. Für den Fall, dass mehr als eine Leuchtstoffkomponente im Glas eingebettet wird und sich zudem die Brechungsindizes der Leuchtstoffe um mehr als 0,1 unterscheiden, wird der Brechungsindex der Glasmatrix vorzugsweise an den der Leuchtstoffhauptkomponente angepasst. Die Differenz dieser beiden Brechungsindizes liegt dann bei 0,15, bevorzugt maximal 0,1. In particular, the glass is of high refractive index (preferably n 1.8), in particular the refractive index of the glass is chosen to be similar to the refractive index of the embedded phosphor component and differs therefrom by not more than 0.15, preferably not more than 0.1. In the event that more than one phosphor component is embedded in the glass and, in addition, the refractive indices of the phosphors differ by more than 0.1, the refractive index of the glass matrix is preferably matched to that of the main phosphor component. The difference between these two refractive indices is then 0.15, preferably a maximum of 0.1.
Als Glasmatrix eignen sich beispielsweise Phosphatgläser und Boratgläser, insbesondere Bleiboratgläser, Alkaliphosphatgläser, Aluminiumphosphatgläser, Zinkphosphatgläser, Phospotelluritgläser, Bismuthboratgläser, Zinkboratgläser und Zink-Bismuth-Boratgläser sowie Alkalisilicatgläser, Germanatgläser und Telluritgläser. Suitable glass matrix are, for example, phosphate glasses and borate glasses, in particular lead borate glasses, alkali phosphate glasses, aluminum phosphate glasses, zinc phosphate glasses, phosphotellurite glasses, bismuth borate glasses, zinc borate glasses and zinc bismuth borate glasses, as well as alkali silicate glasses, germanate glasses and tellurite glasses.
Darunter fallen Zusammensetzungen aus den Systemen:
R2O-ZnO-Al2O3-B2O3-P2O5 und R2O-SiO2 und R2O-Al2O3-SiO2 (R2O = Alkalioxid);
R2O-TeO2-P2O5(R2O = Alkali- und/oder Silberoxid), auch in Verbindung mit ZnO und/oder Nb2O5 wie z.B. Ag2O-TeO2-P2O5 ZnO-Nb2O5;
Bi2O3-B2O3, auch in Verbindung mit SiO2 und/oder Alkakli- und/oder Erdalkalioxid und/oder Al2O3 wie z.B. Bi2O3-B2O3-SiO2;
ZnO-Bi2O3-B2O3, auch in Verbindung mit SiO2 und/oder Alkali- und/oder Erdalkalioxid und/oder Al2O3 wie z.B. ZnO-Bi2O3-B2O3-SiO2 oder ZnO-Bi2O3-B2O3-BaO-SrO-SiO2;
Die Bi2O3-haltigen Systeme können auch weitere Glaskomponenten aufweisen, beispielsweise Al2O3, Erdalkalioxide, Alkalioxide, ZrO2, TiO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, TeO2, WO3, PbO, MO3, Sb2O3, Ag2O, SnO2, sowie Seltenerdoxide. This includes compositions from the systems:
R 2 O-ZnO-Al 2 O 3 -B 2 O 3 -P 2 O 5 and R 2 O-SiO 2 and R 2 O-Al 2 O 3 -SiO 2 (R 2 O = alkali oxide);
R 2 O-TeO 2 -P 2 O 5 (R 2 O = alkali and / or silver oxide), also in combination with ZnO and / or Nb 2 O 5 such as Ag 2 O-TeO 2 -P 2 O 5 ZnO -Nb 2 O 5 ;
Bi 2 O 3 -B 2 O 3, also in conjunction with SiO 2 and / or Alkakli- and / or alkaline earth oxide and / or Al 2 O 3 such as Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 ;
ZnO-Bi 2 O 3 -B 2 O 3, also in conjunction with SiO 2 and / or alkali and / or alkaline earth metal oxide and / or Al 2 O 3 such as ZnO-Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 or ZnO-Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -BaO-SrO-SiO 2 ;
The Bi 2 O 3 -containing systems can also have other glass components, for example Al 2 O 3 , alkaline earth oxides, alkali oxides, ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , TeO 2 , WO 3 , PbO , MO 3 , Sb 2 O 3 , Ag 2 O, SnO 2 , and rare earth oxides.
ZnO-B2O3, auch in Verbindung mit SiO2 und/oder Alkali- und/oder Erdalkalioxid und/oder Al2O3 wie z.B. ZnO-B2O3-SiO2;
Bleihaltige Systeme wie PbO-B2O3, PbO-SiO2, PbO-B2O3-SiO2, PbO-B2O3-ZnO2, PbO-B2O3-Al2O3. ZnO-B 2 O 3, also in conjunction with SiO 2 and / or alkali and / or alkaline earth metal oxide and / or Al 2 O 3 such as ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ;
Lead-containing systems such as PbO-B 2 O 3 , PbO-SiO 2 , PbO-B 2 O 3 -SiO 2 , PbO-B 2 O 3 -ZnO 2 , PbO-B 2 O 3 -Al 2 O 3 .
Tellurit- und Germanatgläser mit der Hauptkomponente TeO2 bzw. GeO2. Tellurite and Germanatgläser with the main component TeO 2 and GeO 2 .
Wesentlich ist, daß das Konversionselement eine Glasmatrix mit Streuern aufweist, in die ein Leuchtstoff eingebettet ist. Die Glasmatrix kann u. U. gleichzeitig als Kleber für den Verbund von Chip und Konversionselement dienen. Das verwendete Glas sollte bevorzugt kompakt gewählt sein, d.h. aufgeschmolzen und blasenarm. Der Streuer sollte im Glas homogen verteilt sein. Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann insbesondere eine LED oder auch ein Laser bzw. Laserdiode sein. It is essential that the conversion element has a glass matrix with scatterers, in which a phosphor is embedded. The glass matrix can u. U. simultaneously serve as an adhesive for the composite of chip and conversion element. The glass used should preferably be chosen to be compact, i. melted and low in blisters. The spreader should be homogeneously distributed in the glass. The optoelectronic semiconductor component can in particular be an LED or else a laser or laser diode.
Das neuartige Konversionselement auf Basis von niederschmelzendem Glas mit Leuchtstoff und Streupartikeln eignet sich für die direkte Aufbringung auf dem Chip (CLC) oder auch für die Anbringung in gewissem Abstand (remote phosphor). Durch den Einsatz von Streupartikeln wird die Farbwiedergabe, insbesondere die Winkelabhängigkeit, verbessert, außerdem ergibt sich eine bessere Lichtauskopplung und eine effektivere Konversion durch den Leuchtstoff; dadurch ist eine Einsparung an Leuchtstoff möglich. The novel conversion element based on low-melting glass with phosphor and scattering particles is suitable for direct application on the chip (CLC) or for mounting at a certain distance (remote phosphor). The use of scattering particles improves the color reproduction, in particular the angle dependence, and also results in better light extraction and more effective conversion by the phosphor; As a result, a saving of phosphor is possible.
Wesentliche Merkmale der Erfindung in Form einer numerierten Aufzählung sind:
- 1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Lichtquelle, einem Gehäuse und elektrischen Anschlüssen, wobei die Lichtquelle einen Chip aufweist, der primäre Strahlung emittiert, deren Peakwellenlänge insbesondere im Bereich 300 bis 490 nm liegt, wobei die primäre Strahlung teilweise oder vollständig durch ein davor angebrachtes Konversionselement in Strahlung anderer Wellenlänge umgewandelt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Konversionselement eine Glasmatrix aufweist, in die Streupartikel, die selbst optisch nicht angeregt werden bzw. nicht optisch anregbar sind, eingebettet sind, deren mittlerer Korndurchmesser d50 im Bereich 0,05
µm bis 3 µm liegt und außerdem zumindest Partikel einer Sorte Leuchtstoff eingebettet sind, wobei sich die Brechungsindizes von Glasmatrix und Streupartikeln mindestens um 0,1 unterscheiden. - 2. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Brechungsindizes von Glasmatrix und Leuchtstoff um maximal 0,15 unterscheiden. - 3. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Glasmatrix mehr als eine Leuchtstoffkomponente enthält und sich die Brechungsindizes der Leuchtstoffeum mehr als 0,1 unterscheiden. Die Differenz der Brechungsindizes der Glasmatrix und der Leuchtstoffhauptkomponente liegt dann bei maximal 0,15, bevorzugt maximal 0,1. - 4. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch oder 3 dadurch gekennzeichnet, dass die Glasmatrix niedrigschmelzend ist und eine Erweichungstemperatur < 500°C besitzt. - 5. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Streupartikel ausgewählt ist aus mindestens einem der folgenden Gruppe: optisch nicht anregbare anorganische Verbindungen wie Streuzentren bildende Oxide oder Glaspartikel. - 6. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Streupartikel Glaspartikel sind mit einer Erweichungstemperatur, die höher liegt als die des Materials der Glasmatrix. - 7. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 dadurch gekennzeichnet, dass die Streupartikel mindestens eine Verbindung ausgewählt aus folgender Gruppe enthalten: TiO2, CeO2, Bi2O3, Y2O3, ZrO2, ZrSiO4, SiO2, Al2O3, Mullit, ZnO, SnO2, CaO, BaSO4. - 8. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1–7, dadurch gekennzeichnet, dass die Glasmatrix blasenarm oder im wesentlichen frei von Blasen ist. - 9. Optoelektronisches
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1–8, dadurch gekennzeichnet, dass das Konversionselement mittels eines Klebers auf dem Chip befestigt ist oder beabstandet vom Chip angebracht ist.
- 1. An optoelectronic semiconductor component having a light source, a housing and electrical connections, wherein the light source has a chip emitting primary radiation, the peak wavelength is in particular in the range 300 to 490 nm, wherein the primary radiation partially or completely by a conversion element mounted in front Radiation of different wavelength is converted, characterized in that the conversion element has a glass matrix, are embedded in the scattering particles, which are not excited optically or are not optically excitable, whose average grain diameter d50 in the range 0.05 .mu.m to 3 .mu.m and in addition at least particles of one kind of phosphor are embedded, the refractive indices of glass matrix and scattering particles differing by at least 0.1.
- 2. Optoelectronic semiconductor component according to
claim 1, characterized in that the refractive indices of glass matrix and phosphor differ by a maximum of 0.15. - 3. The optoelectronic semiconductor component according to
claim 1, characterized in that the glass matrix contains more than one phosphor component and the refractive indices of the phosphors differ by more than 0.1. The difference of the refractive indices of the glass matrix and the main phosphor component is then at most 0.15, preferably at most 0.1. - 4. Optoelectronic semiconductor component according to
claim - 5. Optoelectronic semiconductor component according to claim 1-4, characterized in that the material of the scattering particles is selected from at least one of the following group: optically non-stimulable inorganic compounds such as scattering centers forming oxides or glass particles.
- 6. Optoelectronic semiconductor component according to
claim 5, characterized in that the material of the scattering particles are glass particles having a softening temperature which is higher than that of the material of the glass matrix. - 7. The optoelectronic semiconductor component according to
claim 5, characterized in that the scattering particles contain at least one compound selected from the following group:TiO 2,CeO 2, Bi 2O 3, Y 2O 3,ZrO 2,ZrSiO 4,SiO 2, Al 2O 3, mullite, ZnO,SnO 2, CaO,BaSO 4. - 8. The optoelectronic semiconductor component according to claim 1-7, characterized in that the glass matrix is low in bubbles or substantially free of bubbles.
- 9. Optoelectronic semiconductor component according to claim 1-8, characterized in that the conversion element is fixed by means of an adhesive on the chip or spaced from the chip is mounted.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen Brief description of the drawings
Im Folgenden soll die Erfindung anhand von mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Die Figuren zeigen: In the following, the invention will be explained in more detail with reference to several embodiments. The figures show:
Bevorzugte Ausführung der Erfindung Preferred embodiment of the invention
Weitere Ausführungsbeispiele eines Konvertermaterials für die Konversion in blaues Licht sind z. B. hocheffiziente Leuchtstoffe vom Typ (Ba0.4Eu0.6)MgAl10O17, (Sr0,96Eu0,04)10(PO4)6Cl2. Ein Ausführungsbeispiel eines Konverters für die Konversion in gelbes Licht ist z. B. (Sr1-x-yCexLiy)2Si5N8. Insbesondere liegt hier x und y jeweils im Bereich 0,1 bis 0,01. Besonders geeignet ist ein Leuchtstoff (Sr1-x-yCexLiy)2Si5N8, bei dem x = y. Ferner sind auch Granate wie z.B. LuAG für eine Konversion in gelbes Licht möglich. Ausführungsbeispiele eines Konverters für die Konversion in rotes Licht sind z. B. Nitridosilikate, Calsine oder Sione des Typs MSi2O2N2:Eu, die für sich genommen gut bekannt sind. Eine Konversion in grünes Licht mit den entsprechenden Leuchtstoffen ist ebenfalls möglich. Further embodiments of a converter material for the conversion to blue light are z. B. highly efficient phosphors of the type (Ba 0.4 Eu 0.6 ) MgAl 10 O 17 , (Sr 0.96 Eu 0.04 ) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 . An embodiment of a converter for the conversion in yellow light is z. B. (Sr 1-xy Ce x Li y ) 2 Si 5 N 8 . In particular, x and y are each in the range of 0.1 to 0.01. Particularly suitable is a phosphor (Sr 1-xy Ce x Li y ) 2 Si 5 N 8 , in which x = y. Furthermore, grenades such as LuAG are also possible for conversion to yellow light. Embodiments of a converter for the conversion in red light are z. B. nitridosilicates, calsines or sions of the type MSi2O2N2: Eu, which are well known per se. A conversion in green light with the corresponding phosphors is also possible.
Die
Stellt man ein vergleichbares Konversionselement ohne Streupartikel her, so erhält man ein gelbes transparentes Konversionselement, da die Brechzahldifferenz von Leuchtstoff und Glasmatrix ca. 0,05 beträgt, s.
Durch die geringe Brechzahldifferenz von Glasmatrix und eingebettetem Leuchtstoff gibt es kaum Streuung am Leuchtstoff. Dies hat zwar den Vorteil, dass der Leuchtstoff ein breites Korngrößenspektrum haben darf. Nachteilig ist aber, dass dadurch die Primär- und Sekundärstrahlung sehr wenig durchmischt werden. Dies hat zur Folge, dass sich der Farbort als Funktion des Betrachtungswinkels deutlich ändert. Aufgrund des hohen Brechungsindex der Glasmatrix ergibt sich zusätzlich das Problem, dass das Licht aus dem Konversionselement schlecht ausgekoppelt wird und vielfach im Substratglas hin- und her reflektiert wird. Dies wird deutlich, wenn man das im Beispiel beschriebene Konversionselement ohne Streupartikel (
Neben dem mittleren Korndurchmesser d50 des Glaspulvers kann auch die Verteilungsbreite ein interessanter Parameter. Sie wird charakterisiert durch die Werte b20 und b80. Vorteilhaft hier sind enge Verteilungsbreiten, insbesondere ein b20 der mindestens 10%, bevorzugt mindestens 20%, von d50 gleichkommt und ein b80, das höchstens dem fünffachen Wert, bevorzugt höchstens dem vierfachen Wert, von d50 entspricht. In addition to the average particle diameter d50 of the glass powder, the distribution width can also be an interesting parameter. It is characterized by the values b20 and b80. Advantageous here are narrow distribution widths, in particular a b20 which equals at least 10%, preferably at least 20%, of d50 and a b80 which corresponds at most to five times the value, preferably at most four times the value, of d50.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- US 5998925 [0002] US 5998925 [0002]
- WO 2006/122524 [0003] WO 2006/122524 [0003]
- DE 102010042217 [0003] DE 102010042217 [0003]
- WO 2007/107917 A2 [0004] WO 2007/107917 A2 [0004]
- WO 2010038097 A1 [0005] WO 2010038097 A1 [0005]
- DE 102005023134 [0013] DE 102005023134 [0013]
- DE 102010009456 [0019] DE 102010009456 [0019]
- DE 102011078689 [0019] DE 102011078689 [0019]
Claims (9)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012220980.8A DE102012220980A1 (en) | 2012-11-16 | 2012-11-16 | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| PCT/EP2013/073445 WO2014076019A1 (en) | 2012-11-16 | 2013-11-08 | Optoelectronic semiconductor component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012220980.8A DE102012220980A1 (en) | 2012-11-16 | 2012-11-16 | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102012220980A1 true DE102012220980A1 (en) | 2014-05-22 |
Family
ID=49582738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102012220980.8A Withdrawn DE102012220980A1 (en) | 2012-11-16 | 2012-11-16 | OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102012220980A1 (en) |
| WO (1) | WO2014076019A1 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013226630A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Osram Gmbh | Conversion element, component and method for producing a component |
| DE102014117764A1 (en) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting optoelectronic semiconductor component and method for its production |
| DE102015101413A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Variable emission bulbs and method of controllably changing the color impression of a light source |
| WO2016209871A1 (en) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | Osram Sylvania Inc. | Glass composite wavelength converter and light source having same |
| DE102017104127A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| DE102017104133A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| DE102017104135A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| DE102017104128A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Gmbh | Conversion element, optoelectronic component and method for producing a conversion element |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108369982A (en) * | 2015-12-11 | 2018-08-03 | 松下知识产权经营株式会社 | Wavelength conversion body, wavelength converting member and light-emitting device |
| CN113845912B (en) * | 2021-10-21 | 2023-10-31 | 鲁东大学 | Ultraviolet excited broadband green fluorescent powder and preparation method thereof |
| WO2023072867A1 (en) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic component and method for producing an optoelectronic semiconductor chip |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5998925A (en) | 1996-07-29 | 1999-12-07 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material |
| DE102005023134A1 (en) | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Luminescence conversion LED |
| WO2007107917A2 (en) | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device |
| DE102007057812A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-25 | Schott Ag | LED, has light converter comprising light conversion material for receiving output light and producing converted light, and sol gel glass, where light conversion material and filler are embedded in sol-gel glass |
| WO2010038097A1 (en) | 2008-10-01 | 2010-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
| DE102010009016A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelectronic semiconductor chip used in optoelectronic semiconductor component, has litter layer which is provided on front side of semiconductor portion to scatter the radiation of semiconductor portion |
| DE102010009456A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element and method for its production |
| DE102010042217A1 (en) | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Osram Ag | Optoelectronic semiconductor component and method for its production |
| DE102011078689A1 (en) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | Osram Ag | Method for producing a conversion element and conversion element |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080049011A (en) * | 2005-08-05 | 2008-06-03 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | Semiconductor light-emitting device |
| WO2011020098A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | Qd Vision, Inc. | Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods |
| US8723409B2 (en) * | 2010-04-07 | 2014-05-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| DE102010034913B4 (en) * | 2010-08-20 | 2023-03-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Radiation-emitting component and method for producing the radiation-emitting component |
-
2012
- 2012-11-16 DE DE102012220980.8A patent/DE102012220980A1/en not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-11-08 WO PCT/EP2013/073445 patent/WO2014076019A1/en active Application Filing
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5998925A (en) | 1996-07-29 | 1999-12-07 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material |
| DE102005023134A1 (en) | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Luminescence conversion LED |
| WO2006122524A1 (en) | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Luminescence conversion led |
| WO2007107917A2 (en) | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device |
| DE102007057812A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-25 | Schott Ag | LED, has light converter comprising light conversion material for receiving output light and producing converted light, and sol gel glass, where light conversion material and filler are embedded in sol-gel glass |
| WO2010038097A1 (en) | 2008-10-01 | 2010-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
| DE102010009016A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelectronic semiconductor chip used in optoelectronic semiconductor component, has litter layer which is provided on front side of semiconductor portion to scatter the radiation of semiconductor portion |
| DE102010009456A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element and method for its production |
| DE102010042217A1 (en) | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Osram Ag | Optoelectronic semiconductor component and method for its production |
| DE102011078689A1 (en) | 2011-07-05 | 2013-01-10 | Osram Ag | Method for producing a conversion element and conversion element |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013226630A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Osram Gmbh | Conversion element, component and method for producing a component |
| US9688910B2 (en) | 2013-12-19 | 2017-06-27 | Osram Gmbh | Conversion element, component and process for producing a component |
| DE112014005897B4 (en) * | 2013-12-19 | 2019-07-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Conversion element, component and method for producing a component |
| DE102014117764A1 (en) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting optoelectronic semiconductor component and method for its production |
| DE102015101413A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Variable emission bulbs and method of controllably changing the color impression of a light source |
| DE102015101413B4 (en) * | 2015-01-30 | 2020-03-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Illuminant with variable emission and method for controlled change in the color impression of a light source |
| WO2016209871A1 (en) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | Osram Sylvania Inc. | Glass composite wavelength converter and light source having same |
| DE102017104128A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Gmbh | Conversion element, optoelectronic component and method for producing a conversion element |
| DE102017104135A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| DE102017104133A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| DE102017104127A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| US10847684B2 (en) | 2017-02-28 | 2020-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method of manufacturing an optoelectronic component |
| US11009205B2 (en) | 2017-02-28 | 2021-05-18 | Osram Oled Gmbh | Conversion element, optoelectronic component and method for producing a conversion element |
| US11011683B2 (en) | 2017-02-28 | 2021-05-18 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| US11387391B2 (en) | 2017-02-28 | 2022-07-12 | Osram Gmbh | Conversion element, optoelectronic component and method for producing a conversion element |
| US11430922B2 (en) | 2017-02-28 | 2022-08-30 | Oskam Oled Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014076019A1 (en) | 2014-05-22 |
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