DE102012217932B4 - Optoelectronic component with protection circuit - Google Patents

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Abstract

Optoelektronisches Bauelement mit wenigstens einem ersten Träger (1) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden (2), wobei jede Diode (2) zwei elektrische Anschlüsse (4, 5) aufweist, wobei jeder elektrische Anschluss (4, 5) zu einer Kontaktfläche (7, 8) geführt ist, wobei die Kontaktflächen (7, 8) auf einer Unterseite (6) des ersten Trägers (1) angeordnet sind, mit einem zweiten Träger (9), wobei im zweiten Träger (9) wenigstens zwei Z-Dioden (10) angeordnet sind, wobei die Z-Dioden (10) weitere elektrische Anschlüsse (11, 12) aufweisen, wobei jeder weitere elektrische Anschluss (11, 12) zu einer weiteren Kontaktfläche (13, 14) geführt ist, wobei die weiteren Kontaktflächen (13,14) auf einer Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) angeordnet sind, wobei der erste Träger (1) mit der Unterseite (6) auf der Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) aufliegt und mit dem zweiten Träger (9) fest verbunden ist, wobei die Z-Dioden (10) antiparallel zu den Dioden (2) angeordnet sind, wobei die Kontaktflächen (7, 8) einer Diode (2) mit den weiteren Kontaktflächen (13, 14) einer Z-Diode (10) elektrisch in Kontakt stehen, wobei die Z-Dioden (10) elektrisch in Serie geschaltet sind, und wobei die Dioden (2) elektrisch in Serie geschaltet sind, wobei die weiteren Anschlüsse (13, 14) der wenigstens zwei Z-Dioden (10) voneinander isoliert sind und eine elektrisch leitende Verbindung der zwei Z-Dioden (10) über eine elektrische Leitung (15) hergestellt ist, wobei die elektrische Leitung (15) auf oder im ersten Träger (1) ausgebildet ist.

Figure DE102012217932B4_0000
Optoelectronic component having at least one first carrier (1) with at least two light-emitting diodes (2), each diode (2) having two electrical connections (4, 5), each electrical connection (4, 5) forming a contact surface (7 , 8), wherein the contact surfaces (7, 8) on a lower side (6) of the first carrier (1) are arranged, with a second carrier (9), wherein in the second carrier (9) at least two Z-diodes ( 10) are arranged, wherein the Z-diodes (10) further electrical connections (11, 12), wherein each further electrical connection (11, 12) to a further contact surface (13, 14) is guided, wherein the further contact surfaces ( 13, 14) are arranged on an upper side (16) of the second carrier (9), wherein the first carrier (1) with the lower side (6) rests on the upper side (16) of the second carrier (9) and with the second carrier (9) is fixedly connected, wherein the Z-diodes (10) disposed in anti-parallel to the diodes (2) wherein the contact surfaces (7, 8) of a diode (2) are in electrical contact with the further contact surfaces (13, 14) of a Zener diode (10), the Zener diodes (10) being electrically connected in series, and wherein the diodes (2) are electrically connected in series, wherein the further terminals (13, 14) of the at least two Zener diodes (10) are insulated from each other and an electrically conductive connection of the two Zener diodes (10) via an electrical Line (15) is produced, wherein the electrical line (15) is formed on or in the first carrier (1).
Figure DE102012217932B4_0000

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schutzschaltung gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronisches Bauelements gemäß Patentanspruch 8.The invention relates to an optoelectronic component having a protective circuit according to claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 8.

Aus DE 20 2011 001 604 U1 ist eine spannungsbegrenzende und polaritätsumgekehrt reihengeschaltete Leuchtdiodenvorrichtung bekannt. Die Leuchtdiodenvorrichtung weist mindestens eine oder mehrere gegenpolig parallel geschaltete oder reihengeschaltete oder reihen-parallel-geschaltete Leuchtdioden auf, die mit einer Zenerdiode gleichpolig parallel geschaltet sind, wobei die Leuchtdiodenvorrichtung zudem eine zweite Leuchtdioden-Zenerdioden-Baugruppe umfasst, die mindestens eine oder mehrere gleichpolig parallel geschaltete oder reihengeschaltete oder reihen-parallel-geschaltete Leuchtdioden enthält, die mit Zenerdioden gleichpolig parallel geschaltet sind.Out DE 20 2011 001 604 U1 is a voltage-limiting and polarity reversed series light emitting diode device known. The light emitting diode device has at least one or more opposite polarity in parallel or series connected or series-parallel-connected LEDs, which are connected in parallel with a Zener diode, wherein the light-emitting diode device further comprises a second light-emitting diode Zener diode assembly, the at least one or more Gleichpolig parallel switched or series-connected or series-parallel-connected light-emitting diodes, which are connected in parallel with Zener diodes in parallel.

Aus US 2002/ 0 171 087 A1 ist eine Serienschaltung von lichtemittierenden Dioden bekannt. Die lichtemittierenden Dioden sind in einem ersten Träger angeordnet, wobei die elektrischen Kontakte der lichtemittierenden Dioden über elektrische Leitungen eines zweiten Träger in Serie verschaltet sind.US 2002/0171 087 A1 discloses a series connection of light-emitting diodes. The light-emitting diodes are arranged in a first carrier, wherein the electrical contacts of the light-emitting diodes are connected in series via electrical lines of a second carrier.

Aus US 2012/0 056 543 A1 ist eine Überbrückungsschaltung für lichtemittierende Dioden bekannt, wobei parallel zu der Diode eine Zenerdiode und ein Schalter vorgesehen sind, mit dem die Zenerdiode überbrückt werden kann.Out US 2012/0 056 543 A1 a bypass circuit for light emitting diodes is known, wherein parallel to the diode, a zener diode and a switch are provided, with which the zener diode can be bridged.

Aus US 2012/0 223 416 A1 ist eine Anordnung einer lichtemittierenden Diode und zwei antiparallel verschaltete und parallel zur lichtemittierende Diode angeordnete Zenerdioden bekannt. Die Zenerdioden sind in einem zweiten Träger angeordnet und über ein gemeinsames Substrat miteinander elektrisch verbunden. Die lichtemittierende Diode ist in einem erster Träger angeordnet und parallel zur antiparallelen Verschaltung der Zenerdiode verschaltet.Out US 2012/0 223 416 A1 is an arrangement of a light emitting diode and two antiparallel connected and arranged parallel to the light emitting diode Zener diodes known. The Zener diodes are arranged in a second carrier and electrically connected to one another via a common substrate. The light-emitting diode is arranged in a first carrier and connected in parallel to the anti-parallel connection of the Zener diode.

Aus US 2011/0 294 240 A1 ist eine Anordnung von lichtemittierenden Dioden bekannt, wobei in einem zweiten Träger Zenerdioden elektrisch in Serie verschaltet sind. Die lichtemittierenden Dioden werden über elektrische Leitungen des ersten Trägers in Serie geschaltet. Zu jeder lichtemittierenden Diode ist eine Zenerdiode parallel geschaltet.Out US 2011/0 294 240 A1 an arrangement of light-emitting diodes is known, wherein in a second carrier zener diodes are electrically connected in series. The light-emitting diodes are connected in series via electrical lines of the first carrier. To each light emitting diode, a Zener diode is connected in parallel.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement mit einer Serienschaltung von Licht emittierenden Dioden bereitzustellen, wobei das Bauelement gegen einen Ausfall einer Diode geschützt ist und einfach und kostengünstig herzustellen ist. Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Bauelement gemäß Patentanspruch 1 und durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 8 gelöst.The object of the invention is to provide an optoelectronic device with a series circuit of light-emitting diodes, wherein the device is protected against diode failure and is simple and inexpensive to manufacture. The object of the invention is achieved by the device according to claim 1 and by the method according to claim 8.

Weitere vorteilhafte Ausführungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.Further advantageous embodiments are specified in the dependent claims.

Das optoelektronische Bauelement weist den Vorteil auf, dass es einfach und kostengünstig herzustellen ist. Dies wird dadurch erreicht, dass mindestens ein erster Träger vorgesehen ist, in dem wenigstens zwei Dioden vorgesehen sind, und/oder dass mindestens zwei erste Träger mit jeweils mindestens einer Diode vorgesehen sind, dass ein zweiter Träger vorgesehen ist, in dem mehrere Z-Dioden in Serie geschaltet sind, und dass der erste Träger bzw. die ersten Träger mit dem zweiten Träger verbunden sind, wobei die elektrischen Anschlüsse einer Diode mit elektrischen Anschlüssen einer Z-Dioden in Kontakt stehen. Auf diese Weise wird eine Serienschaltung von Z- Dioden und eine Serienschaltung von Dioden erhalten, wobei antiparallel zu einer Z-Diode eine Licht emittierende Diode angeordnet ist. The optoelectronic component has the advantage that it is simple and inexpensive to manufacture. This is achieved in that at least one first carrier is provided, in which at least two diodes are provided, and / or that at least two first carriers are each provided with at least one diode, that a second carrier is provided, in which a plurality Z Diodes are connected in series, and that the first carrier and the first carrier are connected to the second carrier, wherein the electrical connections of a diode with electrical terminals of a Z In contact with the diodes. In this way, a series circuit of Z - Diodes and a series circuit of diodes obtained, being anti-parallel to a Z- Diode is arranged a light-emitting diode.

Das Bauelement bietet den Vorteil, dass bei einem Ausfall einer der in Serie geschalteten, Licht emittierenden Dioden das optoelektronische Bauelement trotzdem noch funktioniert, da die ausgefallene, Licht emittierende Diode durch die antiparallel geschaltete Z-Diode überbrückt wird.The device has the advantage that in case of failure of one of the series-connected, light-emitting diodes, the optoelectronic device still works because the failed, light-emitting diode through the antiparallel connected Z Diode is bridged.

Durch die Anordnung der Licht emittierenden Dioden in dem ersten Träger getrennt von den Z-Dioden in dem zweiten Träger können sowohl die Licht emittierenden Dioden als auch die Z-Dioden mit unterschiedlichen Verfahren und/oder auf unterschiedlichen Trägern hergestellt werden. Dadurch ist eine erhöhte Flexibilität bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements gegeben. Zudem können die Herstellungsverfahren individuell auf die Licht emittierenden Dioden bzw. auf die Z-Dioden abgestimmt werden. Weiterhin können unterschiedliche Träger für die Licht emittierenden Dioden und die Z-Dioden verwendet werden. Dadurch können sowohl die Qualität erhöht als auch Kosten eingespart werden.By the arrangement of the light emitting diodes in the first carrier separate from the Z In the second carrier, both the light emitting diodes and the Zener diodes can be manufactured by different methods and / or on different carriers. This provides increased flexibility in the production of the optoelectronic component. In addition, the manufacturing process can individually on the light-emitting diodes or on the Z Be tuned diodes. Furthermore, different carriers for the light-emitting diodes and the Z Diodes are used. This can both increase the quality and save costs.

Die wenigstens zwei Zenerdioden sind im zweiten Träger voneinander elektrisch isoliert. Erst durch die Befestigung des ersten Trägers auf dem zweiten Träger und die elektrische Kontaktierung der elektrischen Leitungen der Licht emittierenden Dioden des zweiten Trägers bzw. der Ausbildung der elektrischen Leitungen beispielsweise durch Kontaktmaterial wird eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den wenigstens zwei Zenerdioden des zweiten Trägers hergestellt. Auf diese Weise wird eine einfache und kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements erreicht.The at least two Zener diodes are electrically isolated from each other in the second carrier. Only by attaching the first carrier to the second carrier and the electrical contacting of the electrical lines of the light emitting diodes of the second carrier and the formation of the electrical lines, for example by contact material, an electrically conductive connection between the at least two Zener diodes of the second carrier is produced. In this way, a simple and cost-effective production of the optoelectronic component is achieved.

In einer Ausführungsform des Bauelements ist eine Durchbruchspannung einer Z-Diode größer als eine Einsatzspannung einer Licht emittierenden Diode. Auf diese Weise ist sichergestellt, dass bei einer korrekt funktionierenden, Licht emittierenden Diode kein oder möglichst wenig Strom über die Z-Diode fließt. Dadurch wird ein geringer Stromverbrauch sichergestellt. In one embodiment of the device, a breakdown voltage is a Z Diode greater than a threshold voltage of a light-emitting diode. In this way it is ensured that with a correctly functioning, light emitting diode no or as little power over the Z Diode flows. This ensures low power consumption.

In einer weiteren Ausführungsform sind wenigstens zwei Dioden in Serie und/oder antiparallel zu einer Z-Diode angeordnet. Auf diese Weise wird eine erhöhte Flexibilität bei der Auswahl und Anordnung von Licht emittierenden Dioden ermöglicht. Abhängig von der gewählten Anwendung kann es vorteilhaft sein, mehrere Licht emittierende Dioden in Serie und/oder parallel anzuordnen, um eine gewünschte Helligkeit und/oder einen gewünschten Farbort für das abgestrahlte Licht zu erreichen. Beispielsweise können Licht emittierende Dioden mit unterschiedlichen Wellenlängen in Serie und/oder parallel angeordnet sein.In a further embodiment, at least two diodes are arranged in series and / or antiparallel to a Zener diode. In this way, increased flexibility in the selection and arrangement of light-emitting diodes is made possible. Depending on the chosen application, it may be advantageous to arrange multiple light emitting diodes in series and / or parallel to achieve a desired brightness and / or color gamut for the radiated light. For example, light-emitting diodes with different wavelengths can be arranged in series and / or in parallel.

In einer weiteren Ausführungsform können antiparallel zu wenigstens einer Licht emittierenden Diode wenigstens zwei Dioden in Serie und/oder parallel geschaltet sein. Durch die Anordnung mehrerer Z-Dioden kann eine verbesserte Überbrückung bei geringem Sperrstrom erreicht werden.In a further embodiment, at least two diodes may be connected in series and / or in parallel in parallel with at least one light-emitting diode. By arranging several Z Diodes, an improved bypass with low reverse current can be achieved.

In einer weiteren Ausführungsform weist der zweite Träger Silizium auf, bzw. ist insbesondere als Teil eines Siliziumwafers ausgebildet. Dadurch ist die Herstellung der Z-Dioden einfach und kostengünstig möglich.In a further embodiment, the second carrier has silicon, or in particular is formed as part of a silicon wafer. As a result, the production of Zener diodes is simple and inexpensive.

In einer weiteren Ausführungsform ist im zweiten Träger eine elektronische Schaltung zur Steuerung und/oder Regelung der Stromversorgung der Licht emittierenden Dioden integriert. Auf diese Weise wird zum einen die Herstellung der elektronischen Schaltung von der Herstellung der Licht emittierenden Dioden sowohl in Bezug auf den Prozess als auch in Bezug auf den verwendeten Träger entkoppelt. Damit wird eine erhöhte Flexibilität ermöglicht, die zu einer erhöhten Qualität, zu einem kostengünstigen Prozess und zu einem schnelleren Verfahren führen kann. Zudem wird durch die Integration der elektronischen Schaltung in den zweiten Träger ein kompaktes und kostengünstiges Bauelement erhalten. In a further embodiment, an electronic circuit for controlling and / or regulating the power supply of the light-emitting diodes is integrated in the second carrier. In this way, on the one hand, the production of the electronic circuit is decoupled from the production of the light-emitting diodes both with respect to the process and with respect to the carrier used. This allows for increased flexibility, which can lead to increased quality, a cost-effective process and a faster process. In addition, a compact and inexpensive component is obtained by the integration of the electronic circuit in the second carrier.

In einer weiteren Ausführungsform sind die wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden im ersten Träger voneinander elektrisch isoliert. Erst durch die Befestigung des ersten Trägers auf dem zweiten Träger und die elektrische Kontaktierung der elektrischen Leitungen der Z-Dioden des zweiten Trägers bzw. der Ausbildung der elektrischen Leitungen beispielsweise durch Kontaktmaterial wird eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den wenigstens zwei Dioden des ersten Trägers hergestellt. Auf diese Weise wird eine einfache und kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements erreicht.In a further embodiment, the at least two light-emitting diodes in the first carrier are electrically insulated from one another. Only by the attachment of the first carrier on the second carrier and the electrical contacting of the electrical lines of the Z-diodes of the second carrier and the formation of the electrical lines, for example by contact material, an electrically conductive connection between the at least two diodes of the first carrier is produced. In this way, a simple and cost-effective production of the optoelectronic component is achieved.

In einer weiteren Ausführungsform ist im zweiten Träger ein Sensor integriert. Damit ist eine kostengünstige Fertigung möglich. Der Sensor kann beispielsweise als optischer Sensor und/oder als Temperatursensor ausgebildet sein. Der Sensor ist mit einer Steuerschaltung verbunden, die abhängig vom Ausgangssignal des Sensors eine Stromversorgung wenigstens einer der Licht emittierenden Dioden einstellt. Dazu kann die Steuerschaltung in Verbindung mit der Stromversorgung und/oder in Verbindung mit parallel zu den Dioden geschalteten steuerbaren Schaltern stehen.In a further embodiment, a sensor is integrated in the second carrier. For a cost-effective production is possible. The sensor can be designed, for example, as an optical sensor and / or as a temperature sensor. The sensor is connected to a control circuit which adjusts a power supply of at least one of the light-emitting diodes depending on the output signal of the sensor. For this purpose, the control circuit may be in connection with the power supply and / or in conjunction with controllable switches connected in parallel with the diodes.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile der Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der vorliegenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit dem Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils stark schematisierter Darstellung:

  • 1 eine schematische Darstellung eines ersten Trägers mit Licht emittierenden Dioden und eines zweiten Trägers mit Zenerdioden;
  • 2 ein Bauelement, das einen ersten und einen zweiten Träger aufweist, die miteinander verbunden sind und eine Serienschaltung von mit Z-Dioden parallel geschalteten Licht emittierenden Dioden aufweist;
  • 3 eine elektrische Ersatzdarstellung einer weiteren Ausführungsform des Bauelements;
  • 4 eine weitere Ausführungsform eines Bauelements;
  • 5 eine zusätzliche Ausführungsform des Bauelements;
  • 6 eine Ausführungsform eines Bauelements mit elektronischen Schaltungen im zweiten Träger;
  • 7 ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel, bei dem die elektrischen Leitungen vor der Montage bzw. der Verbindung von erstem und zweitem Träger auf dem ersten Träger ausgebildet sind;
  • 8 ein Ausführugnsbeispiel, bei dem mehrere Träger auf einen zweiten Träger montiert sind;
  • 9 ein weiteres Ausführungsbeispiel mit einem ersten und einem zweiten Träger vor der Montage; und
  • 10 die Träger der 9 nach der Montage.
The above-described characteristics, features and advantages of the invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the present description of the exemplary embodiments, which are explained in more detail in conjunction with the drawings. In each case show in highly schematic representation:
  • 1 a schematic representation of a first carrier with light-emitting diodes and a second carrier with Zener diodes;
  • 2 a device having a first and a second carrier, which are connected together and a series circuit of Z Having diodes connected in parallel with light emitting diodes;
  • 3 an electrical substitute representation of another embodiment of the device;
  • 4 another embodiment of a device;
  • 5 an additional embodiment of the device;
  • 6 an embodiment of a device with electronic circuits in the second carrier;
  • 7 an inventive embodiment in which the electrical lines are formed prior to assembly or the connection of the first and second carrier on the first carrier;
  • 8th an embodiment in which a plurality of carriers are mounted on a second carrier;
  • 9 a further embodiment with a first and a second carrier before mounting; and
  • 10 the carriers of 9 after assembly.

1 zeigt in einer schematischen Darstellung einen ersten Träger 1, in dem Licht emittierende Dioden 2 angeordnet sind. Der erste Träger 1 weist Bereiche 3 auf. In jedem Bereich 3 ist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine einzelne Licht emittierende Diode 2 angeordnet. Jede Licht emittierende Diode 2 weist einen ersten und einen zweiten Anschluss 4, 5 auf. Die Anschlüsse 4, 5 sind in Form von elektrischen Leitungen im ersten Träger 1 ausgebildet und von der Diode 2 zu einer Unterseite 6 des ersten Trägers 1 geführt. Der erste Anschluss 4 ist jeweils zu einer ersten Kontaktfläche 7 und der zweite Anschluss 5 ist jeweils zu einer zweiten Kontaktfläche 8 geführt. Die erste und die zweite Kontaktfläche 7, 8 sind auf der Unterseite 6 des ersten Trägers 1 ausgebildet. Auf den Aufbau und die Herstellung der Dioden 2 wird im Einzelnen nicht eingegangen. Diese Verfahren sind dem Fachmann bekannt und beispielsweise in DE 10 2005 007 601 A1 beschrieben. 1 shows a schematic representation of a first carrier 1 in which light-emitting diodes 2 are arranged. The first carrier 1 has areas 3 on. In every sector 3 is a single light-emitting diode in the illustrated embodiment 2 arranged. Each light emitting diode 2 has a first and a second port 4 . 5 on. The connections 4 . 5 are in the form of electrical wires in the first carrier 1 trained and from the diode 2 to a bottom 6 of the first carrier 1 guided. The first connection 4 is in each case to a first contact surface 7 and the second connection 5 is in each case to a second contact surface 8th guided. The first and the second contact surface 7 . 8th are on the bottom 6 of the first carrier 1 educated. On the construction and manufacture of diodes 2 will not be discussed in detail. These methods are known in the art and, for example, in DE 10 2005 007 601 A1 described.

Es ist ein zweiter Träger 9 dargestellt, wobei im zweiten Träger 9 mehrere Zenerdioden 10 integriert sind. Jede Zenerdiode 10 weist einen weiteren ersten Anschluss 11 und einen weiteren zweiten Anschluss 12 auf. Der weitere erste Anschluss 11 ist zu einer weiteren ersten Kontaktfläche 13 und der weitere zweite Anschluss 12 ist zu einer weiteren zweiten Kontaktfläche 14 geführt. In der dargestellten Ausführungsform sind die Zenerdioden 10 in Serie geschaltet, wobei jeweils eine weitere erste Kontaktfläche 13 einer Zenerdiode über eine elektrische Leitung 15 mit einer weiteren zweiten Kontaktfläche 14 einer benachbarten Zenerdiode verbunden ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform sind wenigstens die weiteren ersten Kontaktflächen 13 und die weiteren zweiten Kontaktflächen 14 auf einer Oberseite 16 des zweiten Trägers 9 angeordnet. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch die elektrischen Leitungen 15 auf der Oberseite 16 des zweiten Trägers 9 angeordnet sein. In einer einfachen Ausführung stellt eine Leitung 15 die weiteren Kontaktflächen dar.It is a second carrier 9 represented, wherein in the second carrier 9 several zener diodes 10 are integrated. Every zener diode 10 has another first connection 11 and another second port 12 on. The first connection 11 is to another first contact surface 13 and the second connection 12 is to another second contact surface 14 guided. In the illustrated embodiment, the Zener diodes 10 connected in series, each with a further first contact surface 13 a zener diode via an electrical line 15 with another second contact surface 14 an adjacent zener diode is connected. Depending on the chosen embodiment, at least the further first contact surfaces 13 and the other second contact surfaces 14 on a top 16 of the second carrier 9 arranged. Depending on the selected embodiment, the electrical lines 15 on the top 16 of the second carrier 9 be arranged. In a simple version, a line represents 15 the other contact surfaces.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch zwischen dem ersten und zweiten Anschluss benachbarter, Licht emittierender Dioden 2 eine elektrische Leitung 17 auf der Unterseite 6 des ersten Trägers 1 angeordnet sein und die Dioden 2 in einer Serienschaltung miteinander verbinden. In dieser Ausführungsform kann auch auf die elektrischen Leitungen 15 der Zenerdioden 10 verzichtet werden, wobei die weitere erste und zweite Kontaktfläche 13, 14 weiterhin notwendig sind.Depending on the embodiment chosen, it is also possible to connect between the first and second terminals of adjacent light-emitting diodes 2 an electrical line 17 on the bottom 6 of the first carrier 1 be arranged and the diodes 2 connect together in a series connection. In this embodiment, also on the electrical lines 15 the zener diodes 10 be waived, the further first and second contact surface 13 . 14 continue to be necessary.

Der zweite Träger 9 weist einen ersten Anschlusspunkt 17 auf, der über eine elektrische Leitung 15 mit einer weiteren ersten Kontaktfläche 13 einer benachbarten Zenerdiode 10 verbunden ist. Zudem weist der zweite Träger 9 einen zweiten Anschlusspunkt 18 auf, der mit einer weiteren zweiten Kontaktfläche 14 einer Zenerdiode 10 verbunden ist. Die Zenerdioden 10 sind zwischen dem ersten und dem zweiten Anschlusspunkt 17, 18 in Form einer Serienschaltung angeordnet. Der erste und zweite Anschlusspunkt 17, 18 dienen zum Anschluss an eine Betriebsspannung, die beispielsweise 150 V betragen kann.The second carrier 9 has a first connection point 17 on, over an electrical line 15 with another first contact surface 13 an adjacent Zener diode 10 connected is. In addition, the second carrier 9 a second connection point 18 on top of that with another second contact surface 14 a zener diode 10 connected is. The zener diodes 10 are between the first and the second connection point 17 . 18 arranged in the form of a series connection. The first and second connection point 17 . 18 are used for connection to an operating voltage, which may be 150 V, for example.

Zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird der erste Träger 1 mit der Unterseite 6 auf die Oberseite 16 des zweiten Trägers 9 justiert, wobei die ersten und zweiten Kontaktflächen 7, 8 einer Licht emittierenden Diode 2 in Kontakt gebracht werden mit einer weiteren ersten Kontaktfläche 13 und einer weiteren zweiten Kontaktfläche 14 einer Zenerdiode 10 bzw. einer Leitung 15, wie in 2 dargestellt ist. Auf diese Weise wird ein Bauelement mit in Serie geschalteten Licht emittierenden Dioden 2 erhalten, wobei antiparallel zu jeder Licht emittierenden Diode 2 jeweils eine Zenerdiode 10 angeordnet ist. Der erste und der zweite Träger 1, 9 werden beispielsweise mit einem Bondverfahren, insbesondere einem Waferbondverfahren, oder einer Lotverbindung oder einer elektrisch leitfähigen Klebeverbindung oder einer Steckverbindung fest miteinander verbunden, wobei die elektrischen Kontakte zwischen den Dioden und den Zenerdioden hergestellt werden. Durch die in 1 dargestellte Anordnung können die elektrischen Leitungen 15 und/oder die weiteren ersten und zweiten Kontaktflächen 13, 14 verwendet werden, um die im Träger 1 elektrisch voneinander isolierten Dioden 2 zu einer Serienschaltung zu verbinden. Die elektrischen Leitungen 15 können auf dem zweiten Träger 9 angeordnet sein und jeweils zwei weitere Anschlusskontakte benachbarter Z-Dioden verbinden. Die elektrischen Leitungen 15 können auch auf dem ersten Träger 1 angeordnet sein und jeweils zwei Anschlusskontakte benachbarter Dioden verbinden. Zudem können die elektrischen Leitungen 15 auch erst durch die Montage des ersten und des zweiten Trägers oder erst durch die Montage mehrerer erster Träger und des zweiten Trägers ausgebildet werden.To produce an optoelectronic component, the first carrier is used 1 with the bottom 6 on top 16 of the second carrier 9 adjusted, with the first and second contact surfaces 7 . 8th a light emitting diode 2 be brought into contact with another first contact surface 13 and another second contact surface 14 a zener diode 10 or a line 15 , as in 2 is shown. In this way, a device with series-connected light-emitting diodes 2 obtained, being anti-parallel to each light-emitting diode 2 one Zener diode each 10 is arranged. The first and the second carrier 1 . 9 For example, with a bonding method, in particular a Waferbondverfahren, or a solder connection or an electrically conductive adhesive connection or a connector firmly connected to each other, wherein the electrical contacts between the diodes and the zener diodes are made. By the in 1 shown arrangement, the electrical wires 15 and / or the further first and second contact surfaces 13 . 14 used to be in the carrier 1 electrically isolated from each other diodes 2 to connect to a series connection. The electrical wires 15 can on the second carrier 9 be arranged and each connect two more terminals of adjacent Z-diodes. The electrical wires 15 can also be on the first carrier 1 be arranged and each connect two terminals of adjacent diodes. In addition, the electrical wires 15 also be formed only by the assembly of the first and the second carrier or only by the assembly of a plurality of first carrier and the second carrier.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Dioden 2 beispielsweise in Form von identischen Dioden ausgebildet sein. Zudem können die Licht emittierenden Dioden 2 des Trägers 1 auch in Form von unterschiedlichen Licht emittierenden Dioden 2 ausgebildet sein. Beispielsweise können sich die Dioden 2 des ersten Trägers 1 in der Wellenlänge des emittierenden Lichts unterscheiden.Depending on the chosen embodiment, the diodes 2 be formed for example in the form of identical diodes. In addition, the light-emitting diodes 2 of the carrier 1 also in the form of different light-emitting diodes 2 be educated. For example, the diodes can 2 of the first carrier 1 differ in the wavelength of the emitting light.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Zenerdioden 10 des zweiten Trägers 9 in Form von identischen Zenerdioden 10 ausgebildet sein. Zudem können die Zenerdioden 10 des zweiten Trägers 9 auch in Form von unterschiedlichen Zenerdioden 10 ausgebildet sein. Die Zenerdioden 10 können sich beispielsweise in der Durchbruchspannung und/oder im Durchbruchstrom unterscheiden. In der Regel weist eine Zenerdiode 10, die antiparallel zu einer Licht emittierenden Diode 2 angeordnet ist, eine Durchbruchspannung auf, die größer ist als die Einsatzspannung der Licht emittierenden Diode 2, bei der die Licht emittierende Diode 2 Licht abstrahlt. Dadurch ist sichergestellt, dass während des normalen Betriebs der Dioden 2 wenig oder kein parasitärer Strom über die Zenerdioden 10 fließt.Depending on the chosen embodiment, the Zener diodes 10 of the second carrier 9 in the form of identical zener diodes 10 be educated. In addition, the Zener diodes 10 of the second carrier 9 also in the form of different zener diodes 10 be educated. The zener diodes 10 For example, in the Breakdown voltage and / or differ in the breakdown current. Usually has a zener diode 10 , which are antiparallel to a light-emitting diode 2 is arranged, a breakdown voltage which is greater than the threshold voltage of the light-emitting diode 2 in which the light-emitting diode 2 Light radiates. This ensures that during normal operation of the diodes 2 little or no parasitic current across the zener diodes 10 flows.

Zudem ist die Durchbruchspannung jeder Zenerdiode 10 in der Weise ausgebildet, dass bei einem Ausfall der antiparallel angeordneten Diode 2, d.h. bei einer Unterbrechung des Stromflusses durch die antiparallel angeordnete Diode 2 oder einer Erhöhung des Widerstandes der Diode 2, die Durchbruchspannung der Zenerdiode 10 erreicht wird und die ausgefallene Diode 2 über die antiparallel angeordnete Zenerdiode 10 kurzgeschlossen wird. Auf diese Weise wird sichergestellt, dass die Serienschaltung der Dioden 2 auch bei einem Ausfall einer oder mehrerer der Dioden 2 weiterhin betrieben werden kann.In addition, the breakdown voltage of each zener diode 10 designed in such a way that in case of failure of the anti-parallel diode arranged 2 That is, in an interruption of the current flow through the anti-parallel diode arranged 2 or an increase in the resistance of the diode 2 , the breakdown voltage of the Zener diode 10 is reached and the failed diode 2 via the anti-parallel Zener diode 10 shorted. In this way it is ensured that the series connection of the diodes 2 even with a failure of one or more of the diodes 2 can continue to operate.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform sind anstelle eines ersten Trägers 1 mehrere einzelne erste Träger 1 vorgesehen, wobei jeder erste Träger 1 wenigstens eine Dioden 2 aufweist und wenigstens zwei erste Träger 1 vorgesehen sind. Die mehreren ersten Träger 1 werden als einzelne Bauelemente nacheinander, gleichzeitig oder als Gruppen auf den zweiten Träger 9 aufgelegt. Zudem werden die einzelnen ersten Träger 1 beispielsweise über eine Lotverbindung oder einer Klebeverbindung mit dem zweiten Träger fest verbunden. Zudem werden bei der Montage die elektrischen Kontakte zwischen den Dioden und den Z-Dioden hergestellt, wobei die Dioden in Serie geschaltet werden, wobei die Z-Dioden in Serie geschaltet werden, und wobei die Serienschaltung der Dioden und die Serienschaltung der Z-Dioden antiparallel geschaltet wird.Depending on the chosen embodiment, instead of a first carrier 1 several individual first carriers 1 provided, each first carrier 1 at least one diode 2 and at least two first carriers 1 are provided. The first several carriers 1 be as individual components in succession, simultaneously or as groups on the second carrier 9 hung up. In addition, the individual first carrier 1 For example, via a solder connection or an adhesive bond with the second carrier firmly connected. In addition, during assembly, the electrical contacts between the diodes and the Z Made diodes, wherein the diodes are connected in series, wherein the Z Diodes are connected in series, and wherein the series connection of the diodes and the series circuit of the Z Diodes is switched antiparallel.

Zudem kann der erste Träger 1 auch mehrere parallel nebeneinander angeordnete Reihen von Dioden 2 aufweisen, die mit entsprechend angeordnete Reihen von Z-Dioden eines zweiten Trägers kontaktiert sind. Somit können auch Arrays von Dioden 2 mit Arrays von Z-Dioden verschaltet sein.In addition, the first carrier 1 also several parallel juxtaposed rows of diodes 2 having, with correspondingly arranged rows of Z Diodes of a second carrier are contacted. Thus, also arrays of diodes 2 with arrays of Z Be connected diodes.

3 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Serienschaltung von Dioden 2, die im ersten Träger 1 angeordnet sind und einer Serienschaltung von antiparallel angeordneten Zenerdioden 10, die im zweiten Träger 9 angeordnet sind. In dieser Ausführungsform sind einer Zenerdiode 10 eine oder mehrere in Serie geschaltete Dioden 2 antiparallel geschaltet. Zudem können auch eine oder mehrere parallel angeordnete Dioden 2 antiparallel zu einer Zenerdiode 10 angeordnet sein. 3 shows a further embodiment of a series circuit of diodes 2 that in the first carrier 1 are arranged and a series connection of antiparallel arranged Zener diodes 10 in the second carrier 9 are arranged. In this embodiment, a Zener diode 10 one or more diodes connected in series 2 switched in anti-parallel. In addition, one or more diodes arranged in parallel can also be used 2 antiparallel to a zener diode 10 be arranged.

4 zeigt ein Ersatzschaltbild einer weiteren Ausführungsform von Licht emittierenden Dioden 2, die im ersten Träger und Zenerdioden 10, die im zweiten Träger angeordnet sind. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind einer Diode 2 zwei in Serie geschaltete Zenerdioden 10 antiparallel geschaltet. Zudem ist in einer weiteren Diode 2 eine Parallelschaltung von zwei Zenerdioden 10 antiparallel geschaltet. Weiterhin ist einer Diode 2 eine Parallelschaltung von einer und von zwei in Serie geschalteten Zenerdioden 10 antiparallel geschaltet. 4 shows an equivalent circuit diagram of another embodiment of light-emitting diodes 2 that in the first carrier and Zener diodes 10 which are arranged in the second carrier. In the illustrated embodiment, a diode 2 two Zener diodes connected in series 10 switched in anti-parallel. In addition, in another diode 2 a parallel connection of two zener diodes 10 switched in anti-parallel. Furthermore, a diode 2 a parallel connection of one and two series-connected Zener diodes 10 switched in anti-parallel.

5 zeigt ein Ersatzschaltbild einer weiteren Ausführungsform einer Serienschaltung von Dioden 2, die im ersten Träger angeordnet sind, und einer Serienschaltung von Zenerdioden 10, die im zweiten Träger angeordnet sind. Dabei sind zwei in Serie geschaltete Zenerdioden 10 antiparallel zu zwei in Serie geschalteten Dioden 2 angeordnet. Zudem ist eine Serienschaltung von zwei Dioden 2 antiparallel zu einer Parallelschaltung von jeweils einer Zenerdiode 10 angeordnet. Weiterhin sind in einem weiteren Abschnitt jeweils zwei in Serie parallel angeordnete Dioden 2 antiparallel zu jeweils zwei in Serie geschalteten Zenerdioden 10 angeordnet. 5 shows an equivalent circuit diagram of another embodiment of a series circuit of diodes 2 which are arranged in the first carrier, and a series circuit of Zener diodes 10 which are arranged in the second carrier. There are two Zener diodes connected in series 10 antiparallel to two series-connected diodes 2 arranged. In addition, there is a series connection of two diodes 2 antiparallel to a parallel connection of a respective Zener diode 10 arranged. Furthermore, in a further section in each case two in series arranged in parallel diodes 2 antiparallel to two series-connected zener diodes 10 arranged.

Die Ausführungsbeispiele der 3 bis 5 stellen eine Auswahl von parallel und seriell angeordneten Dioden 2 und Zenerdioden 10 dar. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können zwischen zwei ersten und zweiten Kontaktflächen 7, 8 verschiedene Kombinationen von seriellen und parallelen Anordnungen von Dioden 2 vorgesehen sein. Zudem können abhängig von der gewählten Ausführungsform unterschiedliche Kombinationen von seriellen und parallelen Anordnungen von Zenerdioden 10 zwischen zwei weiteren ersten und zweiten Kontaktfläche 13, 14 angeordnet sein.The embodiments of the 3 to 5 make a selection of parallel and serially arranged diodes 2 and zener diodes 10 Depending on the chosen embodiment, between two first and second contact surfaces 7 . 8th various combinations of serial and parallel arrays of diodes 2 be provided. In addition, depending on the chosen embodiment, different combinations of serial and parallel arrays of zener diodes 10 between two further first and second contact surfaces 13 . 14 be arranged.

6 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Bauelements, bei der Dioden 2 im ersten Träger 1 angeordnet sind und Zenerdioden 10 im zweiten Träger 9 angeordnet sind. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind antiparallel zu einer ersten und einer zweiten Diode 21, 22 eine erste bzw. eine zweite Zenerdiode 31, 32 geschaltet. Antiparallel zu einer dritten, vierten und fünften Licht emittierenden Diode 23, 24, 25 ist jeweils ein steuerbarer Schalter 41, 42, 43 geschaltet. Jeder Schalter 41, 42, 43 weist einen Eingang bzw. einen Ausgang auf, wobei der Eingang mit einer ersten Kontaktfläche 7 und der Ausgang mit einer zweiten Kontaktfläche 8 der antiparallel geschalteten Diode 23, 24, 25 verbunden ist. Zudem weisen die Schalter 41, 42, 43 jeweils einen Steuereingang auf, der mit einer Steuerschaltung 50 in Verbindung steht. Die Steuerschaltung 50 kann in Form einer Steuerung oder in Form einer Regelung ausgebildet sein. Weiterhin ist ein Sensor 60 vorgesehen, der mit der Steuerschaltung 50 verbunden ist. Der Sensor 60 kann beispielsweise in Form eines Photosensors oder eines Temperatursensors ausgebildet sein. Der Photosensor erfasst das von wenigstens einer Diode abgestrahlte Licht und gibt abhängig von der erfassten Intensität des Lichts ein entsprechendes Signal an die Steuerschaltung 50. Die Steuerschaltung 50 steuert oder regelt abhängig von dem Signal des Photosensors den Stromfluss über den entsprechenden Schalter 41, 42, 43. Auf diese Weise kann sowohl die Lichtintensität und/oder der Farbort des von der Diode abgestrahlten Lichts verändert werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann für jede Diode 2 ein Sensor, insbesondere ein Temperatursensor und/oder ein Lichtsensor, vorgesehen sein. Der Sensor 60, die Steuerschaltung 50 und die Schalter 41, 42, 43 sind in den zweiten Träger 9 vorzugsweise integriert. Der Schalter 41, 42, 43, können beispielsweise als Transistor ausgebildet sein. Zudem können weitere elektronische Schaltungen wie z.B. ein Mikrocontroller 70, ein Gleichrichter oder eine Vorrichtung 80 zur Anpassung einer Eingangsspannung an die Strom- und/oder Spannungsanforderungen in den zweiten Träger 9 integriert sein. Zudem kann in den zweiten Träger 9 wenigstens eine Metallisierungsebene zur elektrischen Leitungsverbindung integriert sein. 6 shows a further embodiment of a device, wherein the diodes 2 in the first carrier 1 are arranged and Zener diodes 10 in the second carrier 9 are arranged. In the illustrated embodiment are antiparallel to a first and a second diode 21 . 22 a first and a second zener diode 31 . 32 connected. Anti-parallel to a third, fourth and fifth light-emitting diode 23 . 24 . 25 is each a controllable switch 41 . 42 . 43 connected. Every switch 41 . 42 . 43 has an input or an output, the input having a first contact surface 7 and the output with a second contact surface 8th the antiparallel connected diode 23 . 24 . 25 connected is. In addition, the switches have 41 . 42 . 43 each have a control input, which is connected to a control circuit 50 communicates. The control circuit 50 may be in the form of a controller or in the form of a scheme. Furthermore, there is a sensor 60 provided with the control circuit 50 connected is. The sensor 60 can be in the form of a Be formed photosensor or a temperature sensor. The photosensor detects the light emitted by at least one diode and outputs a corresponding signal to the control circuit depending on the detected intensity of the light 50 , The control circuit 50 controls or regulates the current flow via the corresponding switch depending on the signal of the photosensor 41 . 42 . 43 , In this way, both the light intensity and / or the color location of the light emitted by the diode light can be changed. Depending on the chosen embodiment, for each diode 2 a sensor, in particular a temperature sensor and / or a light sensor may be provided. The sensor 60 , the control circuit 50 and the switches 41 . 42 . 43 are in the second carrier 9 preferably integrated. The desk 41 . 42 . 43 , For example, may be formed as a transistor. In addition, other electronic circuits such as a microcontroller 70 , a rectifier or a device 80 for adapting an input voltage to the current and / or voltage requirements in the second carrier 9 be integrated. In addition, in the second carrier 9 at least one metallization be integrated for electrical line connection.

Der Träger 1 kann aus einem elektrisch leitenden oder einem elektrisch isolierenden Trägermaterial, wie z.B. einer Metallfolie, einem Kunststoff, einem Polymer, einem Halbleitermaterial, aus Saphir oder Siliziumkarbid, beispielsweise ausgebildet sein. Der zweite Träger 9 kann beispielsweise in Form eines isolierenden oder in Form eines halbleitenden Materials, wie z.B. Silizium, ausgebildet sein, insbesondere wenigstens teilweise aus einem halbleitendem Material ausgebildet sein.The carrier 1 may be formed of an electrically conductive or an electrically insulating carrier material, such as a metal foil, a plastic, a polymer, a semiconductor material, sapphire or silicon carbide, for example. The second carrier 9 may for example be in the form of an insulating or in the form of a semiconductive material, such as silicon, be formed, in particular at least partially made of a semiconducting material.

Die Zenerdioden können in Form von p-n-Strukturen mit entsprechenden Dotierungsbereichen in dem zweiten Träger 9, insbesondere in einem Halbleitermaterial des zweiten Träger 9 ausgebildet sein.The zener diodes may be in the form of pn structures with corresponding doping regions in the second carrier 9 , in particular in a semiconductor material of the second carrier 9 be educated.

Die Licht emittierenden Dioden 2 können beispielsweise in Form von Dünnfilmdioden ausgebildet sein. Der erste Träger 1 und der zweite Träger 9 sind beispielsweise mittels einer Lotschicht, einer Klebschicht oder einer Bondschicht miteinander verbunden.
Der erste und/oder der zweite Träger können in Form einer Schicht, einer Folie oder in Form eines Substrates ausgebildet sein. Die Schicht kann ein Halbleitermaterial wie z.B. Silizium oder Germanium aufweisen, insbesondere aus einer Siliziumschicht oder Germaniumschicht bestehen. Zudem kann der erste Träger mit den Licht emittierenden Dioden auch ein Dünnfilmchip sein. Zudem kann ein Trägerelement mit der wenigstens einen Licht emittierenden Diode auch ein Dünnfilmchip sein. Der Träger mit den Dioden wird beispielsweise dadurch hergestellt, dass auf einem Aufwachssubstrat Halbleiterschichten aufgewachsen werden, die Halbleiterschichten zu Licht emittierenden Dioden prozessiert werden und eine Trägerschicht auf die Schichtstruktur aufgebracht wird. Anschließend wird das Aufwachssubstrat entfernt. Die Trägerschicht mit der wenigstens einen Diode wird anschließend auf den zweiten Träger, der die Z-Dioden aufweist, aufgelegt und mit dem zweiten Träger verbunden, wobei die elektrische Kontakte zwischen den Dioden des ersten Trägers und den antiparallel angeordneten Z-Dioden hergestellt werden.The light-emitting diodes 2 may be formed, for example, in the form of thin-film diodes. The first carrier 1 and the second carrier 9 are connected to each other for example by means of a solder layer, an adhesive layer or a bonding layer.
The first and / or the second carrier may be in the form of a layer, a foil or in the form of a substrate. The layer may comprise a semiconductor material such as silicon or germanium, in particular consist of a silicon layer or germanium layer. In addition, the first carrier with the light-emitting diodes may also be a thin-film chip. In addition, a carrier element with the at least one light-emitting diode can also be a thin-film chip. The carrier with the diodes is produced, for example, by growing semiconductor layers on a growth substrate, processing the semiconductor layers into light-emitting diodes, and applying a carrier layer to the layer structure. Subsequently, the growth substrate is removed. The carrier layer with the at least one diode is then placed on the second carrier comprising the Z-diodes and connected to the second carrier, the electrical contacts being arranged between the diodes of the first carrier and the anti-parallel Z Diodes are produced.

Bei der Verwendung mehrerer erster Träger werden die ersten Träger auf den zweiten Träger, der die Z-Dioden aufweist, aufgelegt und mit dem zweiten Träger verbunden, wobei die elektrische Kontakte zwischen den Dioden der ersten Träger und den antiparallel angeordneten Z-Dioden hergestellt werden.When using a plurality of first carriers, the first carriers are placed on the second carrier, which has the Z-diodes, and connected to the second carrier, wherein the electrical contacts between the diodes of the first carrier and arranged in anti-parallel Z Diodes are produced.

Beispielsweise stellt ein erster Träger einen LED-Chip, beispielsweise einen Dünnfilm-LED Chip dar.For example, a first carrier constitutes an LED chip, for example a thin-film LED chip.

In einer weiteren Ausführungsform wird ein erster Träger mit mehreren Dioden mit einem zweiten Träger mit mehreren Z-Dioden verbunden, um das Bauelement herzustellen. Beispielsweise kann der erste Träger in Form eines Wafers ausgebildet sein mit einem zweiten Träger verbunden werden, der in Form eines Wafers ausgebildet ist.In another embodiment, a first multiple diode carrier is connected to a second multi-diode carrier to fabricate the device. For example, the first carrier may be formed in the form of a wafer to be connected to a second carrier, which is formed in the form of a wafer.

7 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführungsform, bei der die elektrischen Leitungen 15 schon vor der Montage auf der Unterseite des ersten Trägers 1 aufgebracht waren, wobei eine elektrische Leitung 15 zwei Kontaktflächen 7,8 benachbarter Dioden verbindet. Damit sind die Dioden bereits vor der Montage der Träger in einer Serienschaltung verbunden. In diesem Fall kann auf dem zweiten Träger 9 mindestens zwischen den Z-Dioden auf die elektrischen Leitungen 15 verzichtet werden. 7 shows an embodiment of the invention, in which the electrical lines 15 even before mounting on the underside of the first carrier 1 were applied, with an electrical line 15 connects two contact surfaces 7.8 of adjacent diodes. Thus, the diodes are already connected before mounting the carrier in a series circuit. In this case, on the second carrier 9 at least between the Z Diodes on the electrical wires 15 be waived.

8 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Anordnung gemäß 2, wobei jedoch im Gegensatz zu 2 in 8 nicht nur ein erster Träger 1, sondern mehrere erste Träger 1 vorgesehen sind, die auf dem zweiten Träger 9 befestigt sind. Jeder erste Träger weist wenigstens eine Diode auf, die über Anschlüsse 4,5 mit Kontaktflächen 7,8 verbunden sind. Die Z-Dioden des zweiten Trägers 9 sind über die elektrischen Leitungen 15 in Serie geschaltet. Bei der Montage der einzelnen ersten Träger 1 werden die Kontaktflächen 7,8 eines ersten Trägers mit zwei elektrischen Leitungen 15 und/oder den weiteren Kontaktflächen 13,14 einer Z-Diode kontaktiert, wobei die Diode des ersten Trägers 1 antiparallel zu einer Z-Diode angeordnet wird. 8th shows a schematic representation of an arrangement according to 2 , but contrary to 2 in 8th not just a first carrier 1 but several first carriers 1 are provided on the second carrier 9 are attached. Each first carrier has at least one diode, which are connected via terminals 4.5 with contact surfaces 7,8. The Z Diodes of the second carrier 9 are over the electrical wires 15 connected in series. When mounting the single first carrier 1 become the contact surfaces 7.8 of a first carrier with two electrical lines 15 and / or the other contact surfaces 13,14 a Z Diode contacted, wherein the diode of the first carrier 1 antiparallel to one Z Diode is arranged.

9 zeigt eine weitere Ausführungsform eines ersten und eines zweiten Trägers 1,9. In dieser Ausführungsform weisen weder der erste Träger 1 noch der zweite Träger 9 elektrische Leitungen auf, die die Dioden 2 bzw. die Z-Dioden 10 schon vor der Montage in einer Serienschaltung verbinden. Vor der Montage wird Kontaktmaterial, d.h. Kontaktmaterialbereiche 45 beispielsweise als Lotmaterial auf den ersten Träger 1 jeweils im Bereich von Kontaktflächen 7,8 benachbarter Dioden 2 aufgebracht. Bereits dabei können die Dioden 2 durch die Kontaktmaterialbereiche elektrisch zu einer Serienschaltung verbunden sein, wie in 9 schematisch dargestellt ist. Dies ist jedoch nicht notwendigerweise erforderlich. 9 shows a further embodiment of a first and a second carrier 1,9. In this embodiment, neither the first carrier 1 still the second carrier 9 electrical wires on which the diodes 2 or the Z diodes 10 connect before the assembly in a series connection. Before assembly becomes contact material, ie contact material areas 45 for example, as a solder material on the first carrier 1 each in the range of contact surfaces 7.8 of adjacent diodes 2 applied. Already there can be the diodes 2 be electrically connected by the contact material areas to a series circuit, as in 9 is shown schematically. However, this is not necessarily required.

Bei der Montage werden der erste und der zweite Träger 1,9 in der Weise justiert und montiert, dass das Kontaktmaterial 45 im Bereich von weiteren Kontaktflächen 13,14 benachbarter Z-Dioden 10 angeordnet ist. Durch die Montage werden die Kontaktmaterialbereiche 45 auseinander gedrückt, so dass die Kontaktmaterialbereiche größere Bereiche abdecken. Nach der Montage, wie in 10 dargestellt, sind durch die Kontaktmaterialbereiche 45 die Dioden 2 elektrisch zu einer Serienschaltung verbunden. Zudem sind durch die Kontaktmaterialbereiche 45 auch die Z-Dioden 10 elektrisch zu einer Serienschaltung verbunden. Somit kann in dieser Ausführungsform auf die elektrischen Leitungen 15 zwischen den Dioden 2 bzw. zwischen den Z-Dioden 10 verzichtet werden.During assembly, the first and second beams 1, 9 are adjusted and mounted in such a way that the contact material 45 in the region of further contact surfaces 13, 14 of adjacent Z-diodes 10 is arranged. By mounting the contact material areas 45 pressed apart so that the contact material areas cover larger areas. After assembly, as in 10 are represented by the contact material areas 45 the diodes 2 electrically connected to a series circuit. In addition, by the contact material areas 45 also the Z-diodes 10 electrically connected to a series circuit. Thus, in this embodiment, the electrical lines 15 between the diodes 2 or between the Z-diodes 10 be waived.

In einer weiteren Ausführungsform kann das Kontaktmaterial 45 auch auf dem zweiten Träger 9 im Bereich von weiteren Kontaktflächen 13,14 benachbarter Z-Dioden 10 angeordnet sein. Zudem können auf den zweiten Träger 9 mit dem aufgebrachten Kontaktmaterial 45 auch einzelne erste Träger 1 mit Dioden 2 montiert werden, wie in 8 dargestellt ist.In a further embodiment, the contact material 45 also on the second carrier 9 in the area of further contact surfaces 13.14 neighboring Z diodes 10 be arranged. In addition, on the second carrier 9 with the applied contact material 45 also individual first carrier 1 with diodes 2 be mounted as in 8th is shown.

Claims (9)

Optoelektronisches Bauelement mit wenigstens einem ersten Träger (1) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden (2), wobei jede Diode (2) zwei elektrische Anschlüsse (4, 5) aufweist, wobei jeder elektrische Anschluss (4, 5) zu einer Kontaktfläche (7, 8) geführt ist, wobei die Kontaktflächen (7, 8) auf einer Unterseite (6) des ersten Trägers (1) angeordnet sind, mit einem zweiten Träger (9), wobei im zweiten Träger (9) wenigstens zwei Z-Dioden (10) angeordnet sind, wobei die Z-Dioden (10) weitere elektrische Anschlüsse (11, 12) aufweisen, wobei jeder weitere elektrische Anschluss (11, 12) zu einer weiteren Kontaktfläche (13, 14) geführt ist, wobei die weiteren Kontaktflächen (13,14) auf einer Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) angeordnet sind, wobei der erste Träger (1) mit der Unterseite (6) auf der Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) aufliegt und mit dem zweiten Träger (9) fest verbunden ist, wobei die Z-Dioden (10) antiparallel zu den Dioden (2) angeordnet sind, wobei die Kontaktflächen (7, 8) einer Diode (2) mit den weiteren Kontaktflächen (13, 14) einer Z-Diode (10) elektrisch in Kontakt stehen, wobei die Z-Dioden (10) elektrisch in Serie geschaltet sind, und wobei die Dioden (2) elektrisch in Serie geschaltet sind, wobei die weiteren Anschlüsse (13, 14) der wenigstens zwei Z-Dioden (10) voneinander isoliert sind und eine elektrisch leitende Verbindung der zwei Z-Dioden (10) über eine elektrische Leitung (15) hergestellt ist, wobei die elektrische Leitung (15) auf oder im ersten Träger (1) ausgebildet ist.Optoelectronic component having at least one first carrier (1) with at least two light-emitting diodes (2), each diode (2) having two electrical connections (4, 5), each electrical connection (4, 5) forming a contact surface (7 , 8), wherein the contact surfaces (7, 8) on a lower side (6) of the first carrier (1) are arranged, with a second carrier (9), wherein in the second carrier (9) at least two Z-diodes ( 10) are arranged, wherein the Z-diodes (10) further electrical connections (11, 12), wherein each further electrical connection (11, 12) to a further contact surface (13, 14) is guided, wherein the further contact surfaces ( 13, 14) are arranged on an upper side (16) of the second carrier (9), wherein the first carrier (1) with the lower side (6) rests on the upper side (16) of the second carrier (9) and with the second carrier (9) is fixedly connected, wherein the Z-diodes (10) disposed in anti-parallel to the diodes (2) wherein the contact surfaces (7, 8) of a diode (2) are in electrical contact with the further contact surfaces (13, 14) of a Zener diode (10), the Zener diodes (10) being electrically connected in series, and wherein the diodes (2) are electrically connected in series, wherein the further terminals (13, 14) of the at least two Zener diodes (10) are insulated from each other and an electrically conductive connection of the two Zener diodes (10) via an electrical Line (15) is produced, wherein the electrical line (15) is formed on or in the first carrier (1). Bauelement nach Anspruch 1, wobei eine Durchbruchspannung einer Z-Diode (10) höher ist als eine Einsatzspannung einer Diode (2).Component after Claim 1 , wherein a breakdown voltage of a Zener diode (10) is higher than a threshold voltage of a diode (2). Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Träger (9) Silizium aufweist, insbesondere als Teil eines Siliziumwafers ausgebildet ist.Component according to one of the preceding claims, wherein the second carrier (9) comprises silicon, in particular formed as part of a silicon wafer. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im zweiten Träger (9) eine elektronische Schaltung (50, 70, 80) zur Steuerung und/oder Regelung der Stromversorgung der Dioden (2) integriert ist.Component according to one of the preceding claims, wherein in the second carrier (9) an electronic circuit (50, 70, 80) for controlling and / or regulating the power supply of the diodes (2) is integrated. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei parallel zu mindestens einer Diode (23,24,25) ein steuerbarer Schalter (41, 42, 43) vorgesehen ist, wobei der Schalter (41, 42, 43) im zweiten Träger (9) integriert ist.Component according to one of the preceding claims, wherein parallel to at least one diode (23,24,25) a controllable switch (41, 42, 43) is provided, wherein the switch (41, 42, 43) in the second carrier (9) integrated is. Bauelement nach Anspruch 5, wobei eine Steuerschaltung (50) im zweiten Träger (9) integriert ist, wobei die Steuerschaltung (50) mit dem Schalter (41, 42, 43) verbunden ist.Component after Claim 5 wherein a control circuit (50) is integrated in the second carrier (9), the control circuit (50) being connected to the switch (41, 42, 43). Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Sensor (60) im zweiten Träger (9) integriert ist, und wobei der Sensor (60) mit einer Steuerschaltung verbunden ist, und wobei der Sensor (60) vorzugsweise als optischer Sensor oder als Temperatursensor ausgebildet ist.Component according to one of the preceding claims, wherein a sensor (60) in the second carrier (9) is integrated, and wherein the sensor (60) is connected to a control circuit, and wherein the sensor (60) preferably as an optical sensor or as a temperature sensor is. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes mit wenigstens einem ersten Träger, wobei auf dem ersten Träger wenigstens zwei Licht emittierende Dioden angeordnet sind, wobei für die Dioden zwei elektrische Anschlüsse vorgesehen sind, wobei für jeden elektrischen Anschluss eine Kontaktfläche vorgesehen ist, die mit einem elektrischen Anschluss verbunden ist, wobei die Kontaktflächen auf einer Unterseite des ersten Trägers angeordnet sind, wobei auf dem zweiten Träger wenigstens zwei Z-Dioden vorgesehen sind, wobei die Z-Dioden mit weiteren elektrischen Anschlüssen verbunden sind, wobei der erste Träger mit der Unterseite auf die Oberseite des zweiten Trägers aufgelegt und mit dem zweiten Träger verbunden wird, wobei die Kontaktflächen einer Diode und die weiteren Kontaktflächen einer Z-Diode über elektrische Leitungen in Kontakt gebracht werden, und wobei der erste Träger in der Weise angeordnet und mit dem zweiten Träger verbunden wird, dass eine Z-Diode antiparallel zu einer der Diode angeordnet ist, wobei die Z-Dioden elektrisch in Serie geschaltet sind, und wobei die Dioden elektrisch in Serie geschaltet sind, wobei die Serienschaltung der Z-Dioden und der Dioden mit einer elektrischen Leitung hergestellt wird, die auf dem ersten Träger aufgebracht ist.Method for producing an optoelectronic component having at least one first carrier, wherein on the first carrier at least two light-emitting diodes are arranged, wherein two electrical connections are provided for the diodes, wherein for each electrical connection a contact surface is provided which with an electrical connection is connected, wherein the contact surfaces are arranged on a lower side of the first carrier, wherein on the second carrier at least two Z-diodes are provided, wherein the Z-diodes are connected to further electrical connections, wherein the first carrier with the underside on the top of the second carrier launched and is connected to the second carrier, wherein the contact surfaces of a diode and the further contact surfaces of a Zener diode are brought into contact via electrical lines, and wherein the first carrier is arranged in such a manner and connected to the second carrier, that a Zener diode is arranged in anti-parallel to one of the diode, wherein the Z-diodes are electrically connected in series, and wherein the diodes are electrically connected in series, wherein the series connection of the Z-diodes and the diodes is made with an electrical line on the first Carrier is applied. Verfahren nach Anspruch 8, wobei vor dem Befestigen des ersten Trägers mit dem zweiten Träger die Dioden voneinander elektrisch isoliert sind und/oder die Z-Dioden voneinander elektrisch isoliert sind, und wobei die elektrisch leitende Verbindung bei der Montage beispielsweise durch Kontaktmaterial hergestellt wird.Method according to Claim 8 wherein before attaching the first carrier to the second carrier, the diodes are electrically isolated from each other and / or the Z-diodes are electrically insulated from each other, and wherein the electrically conductive connection is made during assembly, for example, by contact material.
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