DE102012217776A1 - Method for producing an optoelectronic component - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (201), umfassend: – Bereitstellen (101) eines Aufwachssubstrats (301), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (203) umfassend eine aktive Zone (205) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist, – Anordnen (103) eines Hilfsträgersubstrats (321) einer dem Aufwachssubstrat (301) gegenüberliegenden ersten Oberfläche (320) der Halbleiterschichtenfolge (203), – Entfernen (105) des Aufwachssubstrats (301), – Bilden (107) einer die Halbleiterschichtenfolge (203) mechanisch stabilisierende Konverterschicht (207) zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone (205) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) und – Entfernen (109) des Hilfsträgersubstrats (321). Die Erfindung betrifft ferner ein optoelektronisches Bauelement (201).The invention relates to a method for producing an optoelectronic component (201), comprising: providing (101) a growth substrate (301) on which a semiconductor layer sequence (203) comprising an active zone (205) for generating electromagnetic radiation is arranged, Arranging (103) a subcarrier substrate (321) of a first surface (320) of the semiconductor layer sequence (203) opposite the growth substrate (301), - removing (105) the growth substrate (301), - forming (107) one of the semiconductor layer sequence (203) mechanically stabilizing converter layer (207) for converting a wavelength of at least a portion of the electromagnetic radiation generated by the active region (205) to a different wavelength from the wavelength on a second surface (326) of the semiconductor layer sequence (203) opposite to the first surface, and removing (109) of the subcarrier substrate (321). The invention further relates to an optoelectronic component (201).

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements. Die Erfindung betrifft ferner ein optoelektronisches Bauelement. The invention relates to a method for producing an electronic component. The invention further relates to an optoelectronic component.

Aus der Offenlegungsschrift DE 10 2008 030 815 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen bekannt. From the publication DE 10 2008 030 815 A1 For example, a method for producing a plurality of optoelectronic components is known.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe kann darin gesehen werden, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements bereitzustellen. The object underlying the invention can be seen to provide a method for producing an optoelectronic device.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe kann ferner darin gesehen werden, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben. The problem underlying the invention can also be seen to provide an optoelectronic device.

Diese Aufgaben werden mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen. These objects are achieved by means of the subject matter of the independent claims. Advantageous embodiments are the subject of each dependent subclaims.

Gemäß einem Aspekt wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt. Es wird ein Aufwachssubstrat bereitgestellt, auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge umfassend eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist. Auf einer dem Aufwachssubstrat gegenüberliegenden ersten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge wird ein Hilfsträgersubstrat angeordnet. Es wird dann das Aufwachssubstrat entfernt. According to one aspect, a method for producing an optoelectronic component is provided. A growth substrate is provided on which a semiconductor layer sequence comprising an active zone for generating electromagnetic radiation is arranged. An auxiliary carrier substrate is arranged on a first surface of the semiconductor layer sequence opposite the growth substrate. The growth substrate is then removed.

Es wird anschließend eine die Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisierende Konverterschicht zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge gebildet. Das Hilfsträgersubstrat wird anschließend entfernt. A converter layer mechanically stabilizing the semiconductor layer sequence for converting a wavelength of at least one part of the electromagnetic radiation generated by the active zone into another wavelength different from the wavelength is then formed on a second surface of the semiconductor layer sequence opposite the first surface. The subcarrier substrate is then removed.

Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt. Das Bauelement umfasst eine Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, wobei auf einer Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge eine die Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisierende Konverterschicht zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge angeordnet ist. According to a further aspect, an optoelectronic component is provided. The component comprises a semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence comprises an active zone for generating electromagnetic radiation, wherein a converter layer mechanically stabilizing the semiconductor layer sequence for converting a wavelength of at least a portion of the electromagnetic radiation generated by the active zone into a different wavelength from the wavelength is arranged on one surface of the semiconductor layer sequence.

Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, eine Schicht vorzusehen, welche sowohl als Konverterschicht als auch als mechanische Stabilisierungsschicht ausgebildet ist. Diese Schicht weist also insbesondere in vorteilhafter Weise zwei Funktionalitäten auf: Konvertierung einer Wellenlänge und mechanische Stabilisierung. The invention thus encompasses, in particular, the idea of providing a layer which is designed both as a converter layer and as a mechanical stabilization layer. This layer thus has two functionalities, in particular advantageously: conversion of a wavelength and mechanical stabilization.

Es kann somit in vorteilhafter Weise auf eine separate mechanische Stabilisierungsschicht verzichtet werden. Dadurch wird in vorteilhafter Weise eine Prozesszeit eingespart. Ferner werden in vorteilhafter Weise Kosten eingespart. It can thus be dispensed advantageously on a separate mechanical stabilization layer. This advantageously saves a process time. Furthermore, costs are advantageously saved.

Da die Konverterschicht die Halbleiterschichtenfolge ferner mechanisch stabilisiert, kann in vorteilhafter Weise das Hilfsträgersubstrat als Ganzes entfernt werden und steht somit in vorteilhafter Weise für weitere Schritte hinsichtlich des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements zur Verfügung. Since the converter layer further mechanically stabilizes the semiconductor layer sequence, the auxiliary carrier substrate as a whole can advantageously be removed and is thus advantageously available for further steps with regard to the method for producing an optoelectronic component.

Aufgrund der mechanischen Stabilisierung ist ferner in vorteilhafter Weise eine nachfolgende Prozessierung besonders vereinfacht, insbesondere ein Transfer von einem Ort zu einem anderen. Die Gefahr, dass die Halbleiterschichtenfolge bricht, ist in vorteilhafter Weise verringert oder sogar ganz vermieden. Es werden ferner in vorteilhafter Weise mechanische Spannungen verringert oder sogar ganz vermieden. Furthermore, due to the mechanical stabilization, subsequent processing is advantageously particularly simplified, in particular a transfer from one location to another. The risk that the semiconductor layer sequence breaks is advantageously reduced or even completely avoided. Furthermore, mechanical stresses are advantageously reduced or even completely avoided.

Aufgrund der mechanischen Stabilisierung sowie aufgrund des Entfernens des Hilfsträgersubstrats kann in vorteilhafter Weise eine erste Prüfung der Halbleiterschichtenfolge auf Funktionsfähigkeit vorgenommen werden. Die mechanische Stabilisierung bewirkt hier in vorteilhafter Weise eine besonders sichere und zuverlässige Handhabung der Halbleiterschichtenfolge. Durch das Entfernen des Hilfsträgersubstrats ist die nun freiliegende erste Oberfläche zugänglich und kann entsprechend vermessen, überprüft oder weiter bearbeitet werden. Due to the mechanical stabilization as well as due to the removal of the subcarrier substrate, a first examination of the semiconductor layer sequence for operability can be carried out in an advantageous manner. The mechanical stabilization causes here in an advantageous manner a particularly safe and reliable handling of the semiconductor layer sequence. By removing the subcarrier substrate, the now exposed first surface is accessible and can be appropriately measured, checked or further processed.

Es sind also keine weiteren Hilfsmittel in vorteilhafter Weise bei einem Transfer der Halbleiterschichtenfolge auf beispielsweise einen Wafer notwendig, da die Konverterschicht eine Doppelfunktion, Konversion und mechanische Verstärkung oder Stabilisierung, übernimmt. Thus, no further aids are advantageously necessary in a transfer of the semiconductor layer sequence to, for example, a wafer, since the converter layer performs a dual function, conversion and mechanical amplification or stabilization.

Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass nach dem Entfernen des Hilfsträgersubstrats die aktive Zone angeregt wird, sodass diese elektromagnetische Strahlung in Richtung der Konverterschicht abstrahlt, wobei ein Farbort der von der Konverterschicht emittierten Strahlung gemessen und mittels Bearbeiten der Konverterschicht auf einen vorbestimmten Farbort geändert wird. Insbesondere wird ein Weißpunkt gemessen und insbesondere entsprechend angepasst, eingestellt oder geändert wird. According to one embodiment it can be provided that, after removal of the auxiliary carrier substrate, the active zone is excited so that it radiates electromagnetic radiation in the direction of the converter layer, wherein a color location of the radiation emitted by the converter layer is measured and changed to a predetermined color location by processing the converter layer , In particular, a white point is measured and in particular adjusted accordingly, adjusted or changed.

Dadurch kann in vorteilhafter Weise bereits in einem frühen Stadium des Herstellungsprozesses ein Farbort vermessen und entsprechend geändert werden, bevor das optoelektronische Bauelement beispielsweise in ein Gehäuse eingebaut wird, in welchem eine entsprechende Farbortveränderung erschwert oder unmöglich ist. In der Regel ist das Hilfsträgersubstrat nicht ausreichend transparent, um den Farbort zu vermessen. Dadurch aber, dass das Hilfsträgersubstrat entfernt werden kann, da die Konverterschicht die mechanische Stabilisierung übernimmt, kann der Farbort nun in vorteilhafter Weise vermessen und durch einen Bearbeitungsschritt oder mehreren Bearbeitungsschritten geändert werden. As a result, it is advantageously possible to measure a color location already at an early stage of the production process and to modify it accordingly before the optoelectronic component is installed, for example, in a housing in which a corresponding chromaticity change is made difficult or impossible. As a rule, the auxiliary carrier substrate is not sufficiently transparent to measure the color location. By virtue of the fact that the auxiliary carrier substrate can be removed since the converter layer assumes the mechanical stabilization, the color location can now advantageously be measured and changed by one or more processing steps.

Gemäß einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Bearbeiten ein Schleifen und/oder ein Polieren einer der zweiten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge gegenüberliegenden Konverterschichtoberfläche umfasst. Das heißt also insbesondere, dass die freiliegende Konverterschichtoberfläche geschliffen und/oder poliert wird. Hierbei wird insbesondere Material abgetragen. Es findet somit in vorteilhafter Weise insbesondere eine Reduzierung einer Schichtdicke statt. Insbesondere kann dadurch in vorteilhafter Weise eine Oberflächenstruktur der Konverterschichtoberfläche verändert, insbesondere geglättet oder aufgeraut werden. Diese Maßnahmen bewirken beispielsweise in vorteilhafter Weise, dass ein Anteil an konvertiertem Licht oder elektromagnetischer Strahlung geringer wird. Dies bewirkt in vorteilhafter Weise eine Farbortveränderung der gesamten elektromagnetischen Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge abgestrahlt wird. According to an embodiment, it may be provided that the machining comprises a grinding and / or a polishing of a converter layer surface opposite the second surface of the semiconductor layer sequence. This means, in particular, that the exposed converter layer surface is ground and / or polished. In this case, in particular, material is removed. It thus takes place in an advantageous manner, in particular a reduction of a layer thickness. In particular, a surface structure of the converter layer surface can thereby advantageously be changed, in particular smoothed or roughened. These measures effect, for example, advantageously that a proportion of converted light or electromagnetic radiation is lower. This advantageously effects a change in color of the entire electromagnetic radiation which is emitted by the semiconductor layer sequence.

Es findet hier also in vorteilhafter Weise eine physikalische oder mechanische Nachbearbeitung der mechanisch stabilisierenden Konverterschicht statt. Dieses Nachbearbeiten ist insbesondere dadurch vereinfacht, dass keine klebrigen Außenflächen vorliegen, die ein derartiges Nacharbeiten zumindest erschweren oder sogar ganz verhindern. In this case, a physical or mechanical post-processing of the mechanically stabilizing converter layer takes place in an advantageous manner. This reworking is simplified in particular by the fact that there are no sticky outer surfaces which make such reworking at least difficult or even completely impossible.

Nach einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Konverterschicht zumindest ein Material aus der folgenden Gruppe von Materialien umfasst. Polysilazan, Silikon und Keramik. Das heißt also insbesondere, dass die Konverterschicht ein Polysilazan, ein Silikon oder ein Keramik oder eine Kombination der vorgenannten Materialien umfassen kann. Polysilazan, Silikon und Keramik sind Oberbegriffe für entsprechende Verbindungen. Sämtliche Polysilazanverbindungen, sämtliche Silikonverbindungen und sämtliche Keramikverbindungen können für die Konverterschicht verwendet werden. Insbesondere können verschiedene Polysilazane, verschiedene Silikone und/oder verschiedene Keramiken für die Konverterschicht verwendet werden. According to a further embodiment it can be provided that the converter layer comprises at least one material from the following group of materials. Polysilazane, silicone and ceramics. This means in particular that the converter layer may comprise a polysilazane, a silicone or a ceramic or a combination of the aforementioned materials. Polysilazane, silicone and ceramics are generic terms for such compounds. All polysilazane compounds, all silicone compounds and all ceramic compounds can be used for the converter layer. In particular, various polysilazanes, various silicones and / or various ceramics may be used for the converter layer.

Polysilazan weist eine besonders hohe mechanische Festigkeit auf und lässt sich dadurch in vorteilhafter Weise mechanisch sehr gut bearbeiten wie beispielsweise schleifen oder polieren. Polysilazane has a particularly high mechanical strength and can be machined very advantageously in an advantageous manner such as grinding or polishing.

Silikon ist ein bereits etabliertes Matrixmaterial für Leuchtstoffe und ist insofern in vorteilhafter Weise in harten Modifikationen erhältlich. Das heißt also insbesondere, dass solche Keramiken eine besonders hohe Härte aufweisen, was in vorteilhafter Weise zu einer besonders hohen mechanischen Stabilisierung führt. Silicone is already an established matrix material for phosphors and is thus advantageously available in hard modifications. This means in particular that such ceramics have a particularly high hardness, which advantageously leads to a particularly high mechanical stabilization.

Keramiken sind intrinsisch mechanisch besonders stabil und können insofern in vorteilhafter Weise mechanisch besonders gut bearbeitet werden, beispielsweise können sie gesägt werden. Keramik kann in vorteilhafter Weise als ein Plättchen hergestellt werden. Das heißt also insbesondere, das für das Bilden einer entsprechenden Konverterschicht das Anbringen oder Anordnen einer Keramikplatte oder eines Keramikplättchens auf die zweite Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge werden kann. Insbesondere können mehrere Platten oder Plättchen auf die zweite Oberfläche aufgebracht werden. Ceramics are intrinsically mechanically very stable and can be processed in this way advantageously particularly good mechanical, for example, they can be sawn. Ceramics can be advantageously prepared as a wafer. That means, in particular, that for the formation of a corresponding converter layer it is possible to attach or arrange a ceramic plate or a ceramic plate onto the second surface of the semiconductor layer sequence. In particular, a plurality of plates or platelets can be applied to the second surface.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Konverterschicht aus Polysilazan gebildet wird und eine Dicke der Konverterschicht zwischen 50 µm und 150 µm beträgt. Dass die Konverterschicht aus Polysilazan gebildet wird, umfasst insbesondere den Fall, dass die Konverterschicht ein Polysilazan oder mehrere Polysilazane umfasst, insbesondere mehrere verschiedene Polysilazane. According to a further embodiment it can be provided that the converter layer is formed from polysilazane and a thickness of the converter layer is between 50 μm and 150 μm. The fact that the converter layer is formed from polysilazane comprises in particular the case that the converter layer comprises one polysilazane or more polysilazanes, in particular several different polysilazanes.

Polysilazane weisen weiterhin den Vorteil auf, dass sie sehr alterungsstabil sind. Das heißt also insbesondere, dass sie sowohl eine hohe thermische Stabilität als auch eine hohe Stabilität unter Einwirkung von blauem LED-Licht aufweisen. LED steht hierbei für die englischen Begriffe Light Emitting Diode und bedeutet lichtemittierende Diode. Blau bezeichnet insbesondere einen Wellenlängenbereich von kleiner 460 nm. Polysilazanes also have the advantage that they are very resistant to aging. This means, in particular, that they have both high thermal stability and high stability under the action of blue LED light. LED stands for the English term Light Emitting Diode and means light emitting diode. In particular, blue denotes a wavelength range of less than 460 nm.

Ferner weisen Polysilazane den Vorteil auf, dass sie schon bei Raumtemperatur ausgehärtet werden können. In vorteilhafter Weise lässt sich eine solche Aushärtung noch durch eine erhöhte Temperatur größer als Raumtemperatur beschleunigen. Raumtemperatur beträgt in der Regel 300 K. Eine maximale Aushärtetemperatur kann beispielsweise 220 °C betragen. Furthermore, polysilazanes have the advantage that they can be cured at room temperature. Advantageously, such curing can be accelerated even by an elevated temperature greater than room temperature. Room temperature is generally 300 K. A maximum curing temperature may be, for example 220 ° C.

Gemäß einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Polysilazan Vinylpolysilazan, Polyureasilazan oder Perhydropolysilazan ist. According to one embodiment it can be provided that the polysilazane is vinylpolysilazane, polyureasilazane or perhydropolysilazane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Bilden der Konverterschicht ein Aufbringen des Polysilazans auf der zweiten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge umfasst, wobei das Polysilazan nach dem Aufbringen bei einer Temperatur von maximal 220 °C ausgehärtet wird. According to a further embodiment it can be provided that the formation of the converter layer comprises application of the polysilazane on the second surface of the semiconductor layer sequence, wherein the polysilazane is cured after application at a temperature of at most 220 ° C.

Bei einem Aushärten bei Raumtemperatur, also bei beispielsweise 300 K, kann eine Aushärtezeit acht bis zwölf Stunden betragen. Das heißt also insbesondere, dass vorzugsweise eine Temperatur von 300 K eingestellt wird und dass eine Aushärtezeit entsprechend dauert. When curing at room temperature, so for example 300 K, a curing time can be eight to twelve hours. This means in particular that preferably a temperature of 300 K is set and that a curing time lasts accordingly.

Bei einer Temperatur von 80° C kann beispielsweise eine Aushärtedauer zwei Stunden betragen. Das heißt also insbesondere, dass eine Temperatur von 80° C eingestellt wird und eine Aushärtezeit entsprechend dauert oder abgewartet wird. For example, at a temperature of 80 ° C, a curing time may be two hours. This means in particular that a temperature of 80 ° C is set and a curing time lasts or waits accordingly.

Bei einer Temperatur von 130° C bis 180° C kann eine Aushärtedauer beispielsweise eine Stunde betragen. Das heißt also insbesondere, dass eine Temperatur zwischen 130° C und 180° C eingestellt wird und eine Aushärtezeit entsprechend abgewartet wird oder dauert. At a temperature of 130 ° C to 180 ° C, a curing time can be for example one hour. This means in particular that a temperature between 130 ° C and 180 ° C is set and a curing time is appropriately waited or lasts.

Nach einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine Aushärtedauer zwischen zwei Tagen und sieben Tagen beträgt. Dies bewirkt in vorteilhafter Weise eine vollständige Aushärtung der Konverterschicht, insbesondere des Polysilazans. According to a further embodiment it can be provided that a hardening time is between two days and seven days. This causes advantageously complete curing of the converter layer, in particular of the polysilazane.

Nach einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass während des Aushärtens der Konverterschicht, insbesondere des Polysilazans, die Konverterschicht mittels ultraviolettem Licht beaufschlagt wird. Ultraviolettes Licht im Sinne der vorliegenden Erfindung weit insbesondere eine Wellenlänge von kleiner 380 nm auf. According to a further embodiment it can be provided that during the curing of the converter layer, in particular of the polysilazane, the converter layer is exposed to ultraviolet light. Ultraviolet light according to the present invention, in particular a wavelength of less than 380 nm.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Konverterschicht aus Silikon gebildet wird, insbesondere mehrere Silikone umfasst, und eine Dicke der Konverterschicht zwischen 20 µm und 100 µm beträgt. According to a further embodiment it can be provided that the converter layer is formed from silicone, in particular comprises a plurality of silicones, and a thickness of the converter layer is between 20 μm and 100 μm.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Konverterschicht aus Keramik gebildet wird, insbesondere aus mehreren Keramiken gebildet wird oder mehrere Keramiken umfasst, und eine Dicke der Konverterschicht zwischen 100 µm und 200 µm beträgt. According to a further embodiment it can be provided that the converter layer is formed from ceramic, in particular is formed from a plurality of ceramics or comprises a plurality of ceramics, and a thickness of the converter layer is between 100 μm and 200 μm.

Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine Dicke der Konverterschicht zwischen 20 µm und 200 µm beträgt, vorzugsweise zwischen 50 µm und 150 µm, insbesondere zwischen 20 µm und 100 µm oder beispielsweise zwischen 100 µm und 200 µm. According to one embodiment it can be provided that a thickness of the converter layer is between 20 μm and 200 μm, preferably between 50 μm and 150 μm, in particular between 20 μm and 100 μm or for example between 100 μm and 200 μm.

Gemäß einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass vor dem Bilden der Konverterschicht zumindest ein Trenngraben, insbesondere mehrere Trenngräben, in der Halbleiterschichtenfolge gebildet wird, in welchen ein fotosensitives Material angeordnet wird. Dadurch kann in vorteilhafter Weise mittels anschließender Lithographieprozesse, die Halbleiterschichtenfolge an den entsprechenden Positionen der Trenngräben getrennt werden, sodass aus einer zusammenhängenden Halbleiterschichtenfolge mehrere getrennt voneinander gebildete Halbleiterschichtenfolgen gebildet werden, die dann jede für sich insbesondere ein optoelektronisches Bauteil bilden können. Ein fotosensitives Material im Sinne der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise ein Fotolack umfassen. Ein Fotolack kann beispielsweise ein Negativlack sein, dessen Löslichkeit durch Belichten abnimmt. Ein Fotolack kann beispielsweise ein Positivlack sein, dessen Löslichkeit durch Belichten anwächst oder zunimmt. According to another embodiment it can be provided that, prior to the formation of the converter layer, at least one separation trench, in particular a plurality of isolation trenches, is formed in the semiconductor layer sequence, in which a photosensitive material is arranged. As a result, the semiconductor layer sequence at the corresponding positions of the separation trenches can be advantageously separated by means of subsequent lithography processes, so that a plurality of semiconductor layer sequences formed separately from one another are formed from a contiguous semiconductor layer sequence, which then each can form, in particular, an optoelectronic component. A photosensitive material in the sense of the present invention may comprise, for example, a photoresist. A photoresist may be, for example, a negative resist whose solubility decreases by exposure. For example, a photoresist may be a positive varnish whose solubility increases or increases by exposure.

Gemäß einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine optisch nicht transparente Schicht zur Abschirmung, auch als Abschirmschicht bezeichnet, von aus der Halbleiterschichtenfolge emittierter Strahlung jeweils auf sich gegenüberliegenden Oberflächen der Trenngräben gebildet wird, insbesondere zumindest teilweise gebildet wird, also nur einen Teilbereich der Oberflächen bedeckt. Das heißt also insbesondere, dass nach einem Trennen der Halbleiterschichtenfolge an den sich gebildeten seitlichen Oberflächen, zumindest teilweise, insbesondere ganz, eine nichttransparente Schicht gebildet hat. Diese bewirkt in vorteilhafter Weise, dass Licht, welches sonst an den seitlichen Oberflächen abgestrahlt werden würde, geblockt wird, sodass hier ein unerwünschtes Streuverhalten vermieden werden kann. Die Abschirmschicht bewirkt ferner, dass sie die emittierte Strahlung zumindest teilweise zurückreflektiert, so dass diese dann mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit in vorteilhafter Weise für eine erneute Emission in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Bauteils zur Verfügung steht und nicht durch seitliche Abstrahlung verloren geht. Vorzugsweise weist die Abschirmschicht reflektierende Partikel wie beispielsweise Titandioxid auf. According to one embodiment it can be provided that an optically non-transparent layer for shielding, also referred to as shielding layer, is formed by radiation emitted from the semiconductor layer sequence on respectively opposite surfaces of the separation trenches, in particular is at least partially formed, thus covering only a portion of the surfaces , This therefore means in particular that after a separation of the semiconductor layer sequence on the side surfaces formed, at least partially, in particular completely, a nontransparent layer has formed. This causes in an advantageous manner that light which would otherwise be emitted to the side surfaces, is blocked, so that here an undesirable scattering behavior can be avoided. The shielding layer furthermore has the effect that it at least partially reflects back the emitted radiation so that, with a certain probability, it is advantageously available for a renewed emission in the direction of a main emission direction of the component and is not lost by lateral emission. Preferably, the shielding layer comprises reflective particles such as titanium dioxide.

Insbesondere wird die Abschirmschicht nach einer Vereinzelung oder Trennung der Halbleiterschichtenfolge nach dem entsprechenden Fotolithographischen Prozess in die Trenngräben, die nun frei von einem Fotolack sind, gebildet. In particular, after a separation or separation of the semiconductor layer sequence after the corresponding photolithographic process, the shielding layer is formed in the separation trenches, which are now free of a photoresist.

Die optisch nicht transparente Schicht oder die Abschirmschicht kann beispielsweise Titandioxid-Partikel umfassen. The optically non-transparent layer or the shielding layer may comprise, for example, titanium dioxide particles.

Vorzugsweise wird eine reflektive Schicht als optisch nicht transparente Schicht aufgebracht. Das heißt also insbesondere, dass diese Schicht, die seitlich abgestrahlte Strahlung zurück in die Halbleiterschichtenfolge reflektiert. Preferably, a reflective layer is applied as an optically non-transparent layer. This means, in particular, that this layer reflects the radiation emitted laterally back into the semiconductor layer sequence.

Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die Schicht an seitlichen Oberflächen der Konverterschicht aufgebracht wird, so dass Strahlung, die seitlich von der Konverterschicht abgestrahlt wird, abgeschirmt wird. In particular, it can be provided that the layer is applied to lateral surfaces of the converter layer, so that radiation which is emitted laterally from the converter layer is shielded.

Den Vorgang, dass Strahlung von einer Halbleiterschichtenfolge in eine benachbarte Halbleiterschichtenfolge strahlt, ist auch als Crosstalking bekannt. Dies führt insbesondere dazu, dass obwohl die eine Halbleiterschichtenfolge selber nicht mehr aktiv strahlt, diese dennoch leuchtet, da sie von der benachbarten Halbleiterschichtenfolge angestrahlt wird. The process that radiates radiation from a semiconductor layer sequence into an adjacent semiconductor layer sequence is also known as crosstalking. This leads, in particular, to the fact that although the one semiconductor layer sequence itself no longer actively radiates, it nevertheless shines, since it is illuminated by the adjacent semiconductor layer sequence.

Durch das Vorsehen einer Schicht auf gegenüberliegenden seitlichen Oberflächen der benachbart zueinander angeordneten Halbleiterschichtenfolgen wird das Crosstalking vermindert oder sogar ganz vermieden. Das bewirkt ferner in vorteilhafter Weise eine Erhöhung eines Wirkungsgrades. Ferner werden optische Abbildungseigenschaften erheblich verbessert, was beispielsweise bei einer Beleuchtung im Medizinbereich erhebliche Vorteile mit sich bringt. By providing a layer on opposite lateral surfaces of the semiconductor layer sequences arranged adjacent to one another, the crosstalking is reduced or even completely avoided. This also advantageously causes an increase in efficiency. Furthermore, optical imaging properties are significantly improved, which brings considerable advantages, for example, in a lighting in the medical field.

In einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass nach dem Trennen der Halbleiterschichtenfolge der Trenngraben mittels der Schicht aufgefüllt wird. Das heißt also insbesondere, dass in dem Trenngraben nach der Trennung entsprechendes Schichtmaterial eingefüllt oder eingebracht wird. Der Trenngraben ist nach der Trennung frei von dem fotosensitiven Material, so dass diese Lücke mittels der Abschirmungsschicht gefüllt werden kann, insbesondere zumindest teilweise, insbesondere wird die Abschirmungsschicht oder Abschirmschicht auf die gegenüberliegenden Oberflächen der Trenngräben aufgebracht, die Abschirmschicht muss also nicht zwangsläufig den gesamten Trenngraben ausfüllen. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass eine Mantelschicht, die beispielsweise als Kunststoffschicht gebildet ist, in den Trenngraben eingebracht wird, die in vorteilhafter Weise das einzelne Bauteil seitlich ummantelt und vor äußeren Einflüssen schützen kann. Die Mantelschicht kann insbesondere analog zu der Konverterschicht aufgebaut sein. Die im Zusammenhang mit der Konverterschicht gemachten Ausführungen gelten analog für die Mantelschicht. In an embodiment, it can be provided that, after the separation of the semiconductor layer sequence, the separation trench is filled up by means of the layer. This means in particular that in the separation trench after separation corresponding layer material is filled or introduced. The separation trench is free of the photosensitive material after separation so that this gap can be filled by the shielding layer, in particular at least partially, in particular the shielding layer or shielding layer is applied to the opposing surfaces of the separation trenches, thus the shielding layer does not necessarily have to cover the entire separation trench fill out. In particular, it can be provided that a cladding layer, which is formed, for example, as a plastic layer, is introduced into the separating trench, which can advantageously laterally encase the individual component and protect it against external influences. The cladding layer may in particular be constructed analogously to the converter layer. The statements made in connection with the converter layer apply analogously to the cladding layer.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass nach dem Entfernen des Hilfsträgersubstrats eine Folie auf der ersten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge angeordnet wird, um die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise auf einen Wafer anzuordnen. Die Folie kann beispielsweise auf die erste Oberfläche geklebt werden. According to a further embodiment it can be provided that, after the removal of the auxiliary carrier substrate, a film is arranged on the first surface of the semiconductor layer sequence in order to arrange the semiconductor layer sequence, for example, on a wafer. For example, the foil may be glued to the first surface.

Dadurch kann in vorteilhafter Weise die Halbleiterschichtenfolge mittels einer Klebetechnik montiert werden, ohne dass dadurch thermische Verspannungen bei der Montage auftreten. Die thermischen Verspannungen werden somit in vorteilhafter Weise vermieden. As a result, the semiconductor layer sequence can advantageously be mounted by means of an adhesive technique without causing thermal stresses during assembly. The thermal stresses are thus avoided in an advantageous manner.

Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass nach der Vereinzelung oder Trennung der Halbleiterschichtenfolge ein Abstand zwischen von einander getrennten Halbleiterschichtenfolgen vergrößert wird. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die Folie gedehnt wird. Die Trenngräben werden also in vorteilhafter Weise expandiert. Der jeweilige Abstand der aufgrund der Vereinzelung gebildeten optoelektronischen Bauteile zueinander wird also vergrößert. In die so vergrößerten oder expandierten Trenngräben kann insbesondere die Mantelschicht, vorzugsweise eine Konverterschicht oder eine Kunststoffschicht, eingebracht werden. Insbesondere kann vor dem Einbringen der Mantelschicht die Abschirmschicht an den entsprechenden Oberflächen gebildet werden. According to one embodiment it can be provided that, after singulation or separation of the semiconductor layer sequence, a distance between mutually separated semiconductor layer sequences is increased. In particular, it can be provided that the film is stretched. The separation trenches are thus expanded in an advantageous manner. The respective distance between the optoelectronic components formed on the basis of the separation is therefore increased. In particular, the cladding layer, preferably a converter layer or a plastic layer, can be introduced into the thus enlarged or expanded separation trenches. In particular, before the introduction of the cladding layer, the shielding layer can be formed on the corresponding surfaces.

Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass in der Halbleiterschichtenfolge Trenngräben gebildet sind, in welchem vorzugsweise jeweils ein fotosensitives Material angeordnet ist. According to one embodiment, it may be provided that separation trenches are formed in the semiconductor layer sequence, in which preferably a photosensitive material is arranged in each case.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine optisch nicht transparente Schicht zur Abschirmung von aus der Halbleiterschichtenfolge emittierter Strahlung jeweils auf sich gegenüberliegenden Oberflächen der Trenngräben gebildet ist. Die im Zusammenhang mit dem Verfahren gemachten obigen Ausführungen gelten analog. According to a further embodiment it can be provided that an optically non-transparent layer for shielding radiation emitted from the semiconductor layer sequence is respectively formed on mutually opposite surfaces of the separation trenches. The above statements made in connection with the method apply analogously.

Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Polysilazan folgende Strukturformel aufweist:

According to one embodiment it can be provided that the polysilazane has the following structural formula:

Nach einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Polysilazan folgende Strukturformel aufweist:

According to one embodiment it can be provided that the polysilazane has the following structural formula:

R, R1, R2 oder R3 stehen für H- oder Vinyl-Gruppen. „Me“ steht für eine oder mehrere Methlygruppen. R, R1, R2 or R3 stand for H or vinyl groups. "Me" stands for one or more methyl groups.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsformen näher erläutert. Hierbei zeigen The invention is explained in more detail below with reference to preferred embodiments. Show here

1 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, 1 a flowchart of a method for producing an optoelectronic component,

2 ein optoelektronisches Bauelement, 2 an optoelectronic component,

3 bis 12 jeweils eine Ansicht eines Zwischenschritts eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, 3 to 12 in each case a view of an intermediate step of a method for producing an optoelectronic component,

13 ein Bondpad, 13 a bondpad,

14 ein optoelektronisches Bauelement, 14 an optoelectronic component,

15 ein weiteres optoelektronisches Bauelement und 15 another optoelectronic device and

16 ein weiteres optoelektronisches Bauelement. 16 another optoelectronic device.

Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet werden. Hereinafter, like reference numerals may be used for like features.

Des Weiteren werden aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht in jeder Figur sämtliche Bezugszeichen verwendet. Furthermore, for reasons of clarity, not all figures are used in every figure.

1 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. 1 shows a flowchart of a method for producing an optoelectronic device.

Gemäß einem Schritt 101 wird ein Aufwachssubstrat bereitgestellt, auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge umfassend eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist. Das heißt also insbesondere, dass bei Anregung der aktiven Zone diese elektromagnetische Strahlung erzeugt. In one step 101 a growth substrate is provided on which a semiconductor layer sequence comprising an active zone for generating electromagnetic radiation is arranged. This means, in particular, that when the active zone is excited, it generates electromagnetic radiation.

Gemäß einem Schritt 103 wird ein Hilfsträgersubstrat auf einer dem Aufwachssubstrat gegenüberliegenden ersten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Es wird dann gemäß einem Schritt 105 das Aufwachssubstrat entfernt. In one step 103 a subcarrier substrate is arranged on a first surface of the semiconductor layer sequence opposite the growth substrate. It then becomes one step 105 the growth substrate removed.

In einem Schritt 107 wird dann eine die Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisierende Konverterschicht zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge gebildet. In one step 107 Then, a semiconductor layer sequence mechanically stabilizing converter layer for converting a wavelength of at least a portion of the generated by the active zone electromagnetic radiation in a different wavelength from the other wavelength on a first surface opposite the second surface of the semiconductor layer sequence is formed.

In einem Schritt 109 wird dann das Hilfsträgersubstrat entfernt. In one step 109 then the subcarrier substrate is removed.

Die Konverterschicht übernimmt somit in vorteilhafter Weise eine Doppelfunktion: mechanische Stabilisierung und Konversion von elektromagnetischer Strahlung. Aufgrund der mechanischen Stabilisierung mittels der Konverterschicht kann in vorteilhafter Weise das Hilfsträgersubstrat als Ganzes entfernt werden, ohne dass eine mechanische Stabilität der Halbleiterschichtenfolge beeinträchtigt ist. Das Hilfsträgersubstrat kann insofern als Ganzes für weitere Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen wiederverwendet werden. Das spart in vorteilhafter Weise Material ein. The converter layer thus advantageously takes on a dual function: mechanical stabilization and conversion of electromagnetic radiation. Due to the mechanical stabilization by means of the converter layer, the auxiliary carrier substrate as a whole can be removed in an advantageous manner, without a mechanical stability of the semiconductor layer sequence being impaired. The subcarrier substrate can be reused as a whole for further processes for the production of optoelectronic devices. This saves material in an advantageous manner.

In einer weiteren nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass nach dem Entfernen des Hilfsträgersubstrats die aktive Zone angeregt wird. Diese wird dann elektromagnetische Strahlung in Richtung der Konverterschicht abstrahlen. Hierbei wird dann zumindest teilweise die elektromagnetische Strahlung konvertiert. Es wird ein Farbort der von der Konverterschicht emittierten Strahlung gemessen und mittels Bearbeiten der Konverterschicht auf einen vorbestimmten Farbort geändert. Das Bearbeiten kann beispielsweise ein Schleifen und/oder ein Polieren einer der zweiten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge gegenüberliegenden Konverterschichtoberfläche umfassen. In a further embodiment, not shown, it can be provided that after removal of the auxiliary carrier substrate, the active zone is excited. This will then emit electromagnetic radiation in the direction of the converter layer. In this case, the electromagnetic radiation is then at least partially converted. A color locus of the radiation emitted by the converter layer is measured and changed to a predetermined color location by processing the converter layer. The processing may include, for example, grinding and / or polishing of a converter layer surface opposite the second surface of the semiconductor layer sequence.

Insbesondere wenn die Konverterschicht aus einem Polysilazan gebildet oder ein solches umfasst, ist eine mechanische Bearbeitung, insbesondere Schleifen und/oder Polieren, aufgrund der Härte des Polysilazan besonders vereinfacht. In particular, if the converter layer is formed from or comprises a polysilazane, mechanical processing, in particular grinding and / or polishing, is particularly simplified on account of the hardness of the polysilazane.

2 zeigt ein optoelektronisches Bauelement 201. 2 shows an optoelectronic device 201 ,

Das optoelektronische Bauelement 201 umfasst eine Halbleiterschichtenfolge 203, die aus mehreren Halbleiterschichten 203a und 203b gebildet ist. Die Halbleiterschichtenfolge 203 umfasst eine aktive Zone 205 zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung. The optoelectronic component 201 comprises a semiconductor layer sequence 203 consisting of several semiconductor layers 203a and 203b is formed. The semiconductor layer sequence 203 includes an active zone 205 for generating electromagnetic radiation.

Hierbei ist auf einer Oberfläche 206 der Halbleiterschichtenfolge 203 eine die Halbleiterschichtenfolge 203 mechanisch stabilisierende Konverterschicht 207 angeordnet. Die Konverterschicht 207 ist insbesondere ausgebildet, eine Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge zu konvertieren. This is on a surface 206 the semiconductor layer sequence 203 a the semiconductor layer sequence 203 mechanically stabilizing converter layer 207 arranged. The converter layer 207 is in particular designed to convert a wavelength of at least part of the electromagnetic radiation generated by the active zone into a different wavelength from the wavelength.

Die mechanische Stabilität der Halbleiterschichtenfolge 203 wird in dem optoelektronischen 201 mittels der Konverterschicht 207 bewirkt. The mechanical stability of the semiconductor layer sequence 203 is in the optoelectronic 201 by means of the converter layer 207 causes.

Das optoelektronische Bauelement 201 ist somit in vorteilhafter Weise ausreichend mechanisch stabilisiert und kann somit in vorteilhafter Weise leicht gehandhabt werden und beispielsweise ohne mechanische Verspannungen auf einen Wafer transferiert werden. Eine Bruchgefahr des optoelektronischen Bauelements 201 bei solchen Transfers ist dadurch in vorteilhafter Weise erheblich verringert oder sogar ganz vermieden. The optoelectronic component 201 is thus advantageously sufficiently mechanically stabilized and can thus be handled easily in an advantageous manner and, for example, transferred to a wafer without mechanical tension. A risk of breakage of the optoelectronic component 201 In such transfers, this advantageously significantly reduces or even completely avoided.

3 bis 12 zeigen jeweils eine Ansicht eines Zwischenschritts eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. 3 to 12 each show a view of an intermediate step of a method for producing an optoelectronic component.

3 zeigt ein Aufwachssubstrat 301, auf welchem eine ndotierte Halbleiterschicht 303 aufgebracht wird. Auf die n-dotierte Halbleiterschicht 303 wird eine p-dotierte Halbleiterschicht 305 aufgebracht. Zwischen den beiden Schichten 303, 305 ist eine aktive Zone angeordnet, die der Übersicht halber in den 3 bis 12 nicht gezeigt ist. 3 shows a growth substrate 301 on which a n-doped semiconductor layer 303 is applied. On the n-doped semiconductor layer 303 becomes a p-type semiconductor layer 305 applied. Between the two layers 303 . 305 is an active zone arranged, the sake of clarity in the 3 to 12 not shown.

Das Aufwachssubstrat 301 kann beispielsweise aus Saphir oder Silizium gebildet sein. The growth substrate 301 may be formed of sapphire or silicon, for example.

4 zeigt das Aufwachssubstrat 301 mit den beiden Halbleiterschichten 303 und 305, wobei noch zusätzlich eine Strukturierung sowie ein Aufbringen weiterer Halbleiterschichten wie beispielsweise Metall- und/oder Isolierschichten stattgefunden hat. 4 shows the growth substrate 301 with the two semiconductor layers 303 and 305 , wherein additionally structuring and application of further semiconductor layers such as metal and / or insulating layers has taken place.

So wurde insbesondere eine weitere Halbleiterschicht 307 auf die p-dotierte Halbleiterschicht 305 aufgebracht. Auf die weitere Halbleiterschicht 307 wurde ferner eine Spiegelschicht 309 aufgebracht, welche elektromagnetische Strahlung der aktiven Zone in Richtung der n-dotierten Halbleiterschicht 303 reflektieren kann. Thus, in particular, a further semiconductor layer 307 on the p-doped semiconductor layer 305 applied. On the further semiconductor layer 307 also became a mirror layer 309 which electromagnetic radiation of the active zone in the direction of the n-doped semiconductor layer 303 can reflect.

Die Halbleiterschichten 303, 305 und 307 bilden hier eine Halbleiterschichtenfolge umfassend eine aktive Zone. In dieser Halbleiterschichtenfolge sind des Weiteren Ausnehmungen 311 gebildet, die sich bis zur n-dotierten Schicht 303 erstrecken. An den sich durch die Ausnehmungen 311 entsprechend gebildeten seitlichen Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge ist jeweils eine Passivierungsschicht 313 gebildet. The semiconductor layers 303 . 305 and 307 form here a semiconductor layer sequence comprising an active zone. Furthermore, recesses are in this semiconductor layer sequence 311 formed, extending to the n-doped layer 303 extend. At the through the recesses 311 correspondingly formed lateral surfaces of the semiconductor layer sequence is in each case a passivation layer 313 educated.

Ferner sind Trenngräben 315 in der Halbleiterschichtenfolge vorgesehen, die die Halbleiterschichtenfolge voneinander trennen, wobei die Trenngräben 315 durchgehend bis zum Aufwachssubstrat 301 sich erstrecken oder verlaufen. Furthermore, separation trenches 315 provided in the semiconductor layer sequence, which separate the semiconductor layer sequence from each other, wherein the separation trenches 315 through to the growth substrate 301 extend or run.

Gemäß 5 wird eine Metallschicht 317 auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht, wobei die Metallschicht 317 die Ausnehmungen 311 ausfüllt. Dadurch kann in vorteilhafter Weise eine elektrische Kontaktierung der n-dotierten Halbleiterschicht 303 bewirkt werden. According to 5 becomes a metal layer 317 applied to the semiconductor layer sequence, wherein the metal layer 317 the recesses 311 fills. As a result, an electrical contacting of the n-doped semiconductor layer may be advantageous 303 be effected.

Gemäß 6 wird eine weitere elektrisch leitende Schicht 319 auf die Metallschicht 317 aufgebracht. Auf einer ersten Oberfläche 320 der nun gebildeten Halbleiterschichtenfolge umfassend die weitere leitende Schicht 319 wird gemäß 6 ein Hilfsträgersubstrat 321 aufgebracht. Das Hilfsträgersubstrat 321 kann beispielsweise aus Silizium gebildet sein. According to 6 becomes another electrically conductive layer 319 on the metal layer 317 applied. On a first surface 320 the now formed semiconductor layer sequence comprising the further conductive layer 319 is according to 6 a subcarrier substrate 321 applied. The subcarrier substrate 321 may be formed of silicon, for example.

Gemäß 7 wird dann das Aufwachssubstrat 301 entfernt. Hierfür kann beispielsweise ein Laser verwendet werden. According to 7 then becomes the growth substrate 301 away. For this example, a laser can be used.

Gemäß 8 werden Trenngräben 323 in der Halbleiterschichtenfolge gebildet, in welchen jeweils Fotolack 325, insbesondere Trockenfotolack, eingebracht wird (vgl. 9). According to 8th become dividing trenches 323 formed in the semiconductor layer sequence, in each of which photoresist 325 , in particular dry photoresist is introduced (see. 9 ).

Gemäß 9 wird ferner nach dem Einbringen des Fotolacks 325 eine die Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisierende Konverterschicht 327 auf einer der ersten Oberfläche 320 gegenüberliegenden zweiten Oberfläche 326 der Halbleiterschichtenfolge, hier insbesondere auf die frei liegende Oberfläche der n-dotierten Schicht 303, aufgebracht. Dies insbesondere bis zu einer Höhe welche die Höhe des Fotolacks zumindest erreicht oder überschreitet. According to 9 is also after the introduction of the photoresist 325 a semiconductor layer sequence mechanically stabilizing converter layer 327 on one of the first surface 320 opposite second surface 326 the semiconductor layer sequence, in particular the exposed surface of the n-doped layer 303 , applied. This in particular up to a height which at least reaches or exceeds the height of the photoresist.

Gemäß 10 wird dann das Hilfsträgersubstrat 321 entfernt. According to 10 then becomes the subcarrier substrate 321 away.

Eine mechanische Stabilisierung der zurückgebliebenen Halbleiterschichtenfolge wird nun mittels der Konverterschicht 327 bewirkt. Aufgrund dieser mechanischen Stabilisierung kann das Hilfsträgersubstrat 321 entfernt werden, ohne dass es zu mechanischen Verspannungen kommt. Insbesondere ist in vorteilhafter Weise eine Bruchgefahr verringert oder sogar ganz vermieden. A mechanical stabilization of the remaining semiconductor layer sequence is now achieved by means of the converter layer 327 causes. Due to this mechanical stabilization, the auxiliary carrier substrate 321 be removed without causing mechanical tension. In particular, a risk of breakage is reduced or even avoided in an advantageous manner.

Es kann nun vorgesehen sein, dass die Halbleiterschichtenfolge auf eine Funktionsfähigkeit überprüft wird. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die aktive Zone der Halbleiterschichtenfolge angeregt wird, sodass diese elektromagnetische Strahlung abstrahlt, die dann zumindest teilweise in der Konverterschicht 327 konvertiert wird. Insbesondere wird ein Farbort der von der Konverterschicht 327 abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung gemessen. Abhängig von dieser Messung wird die Konverterschicht 327 vorzugsweise bearbeitet, insbesondere wird eine Konverterschichtoberfläche zumindest teilweise abgeschliffen und/oder poliert. Dies bewirkt in vorteilhafter Weise eine Änderung des Farborts der abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung. Der Farbort kann somit in vorteilhafter Weise bereits zum jetzigen Zeitpunkt weitestgehend eingestellt werden. Dies insbesondere mittels einfacher mechanischer Bearbeitungsschritte. It can now be provided that the semiconductor layer sequence is checked for operability. In particular, it can be provided that the active zone of the semiconductor layer sequence is excited, so that it emits electromagnetic radiation, which then at least partially in the converter layer 327 is converted. In particular, a color locus of the converter layer 327 radiated electromagnetic radiation measured. Depending on this measurement, the converter layer 327 preferably processed, in particular a converter layer surface is at least partially abraded and / or polished. This advantageously causes a change in the color locus of the radiated electromagnetic radiation. The color location can thus advantageously be adjusted as far as possible at the present time. This in particular by means of simple mechanical processing steps.

11 zeigt der Übersicht halber noch einmal die Ansicht gemäß 5, wobei eine Ausschnittsvergrößerung gemäß einer Draufsicht der Halbleiterschichtenfolge gezeigt ist. Somit sind die einzeln strukturierten Bereiche noch deutlicher zu erkennen. 11 shows the overview according to the view again 5 wherein an enlargement of section according to a plan view of the semiconductor layer sequence is shown. Thus, the individually structured areas are even more clearly visible.

12 zeigt die Halbleiterschichtenfolge nach einem fotolithographischen Prozess, sodass aufgrund des Einbringens des Fotolacks 325 eine Vereinzelung oder Trennung stattgefunden hat. Die Halbleiterschichtenfolge wird vorzugsweise vor dem Trennen oder Vereinzelung insbesondere auf eine Folie 329 geklebt. Dieser Aufklebprozess benötigt in der Regel eine gewisse Stabilität der Halbleiterschichtenfolge. Diese wird mittels der Konverterschicht 327 bewirkt. In die Trenngräben 323 kann vorzugsweise an jeweils gegenüberliegenden Oberflächen eine Abschirmungsschicht zum Abschirmen von mittels der aktiven Zone oder der Konverterschicht 327 emittierten elektromagnetischer Strahlung aufgebracht werden. Die Abschirmschicht bewirkt ferner, dass sie die emittierte Strahlung zumindest teilweise zurückreflektiert, so dass diese dann mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit in vorteilhafter Weise für eine erneute Emission in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Bauteils zur Verfügung steht und nicht durch seitliche Abstrahlung verloren geht. Vorzugsweise weist die Abschirmschicht reflektierende Partikel wie beispielsweise Titandioxid auf. 12 shows the semiconductor layer sequence after a photolithographic process, so that due to the introduction of the photoresist 325 a separation or separation has taken place. The semiconductor layer sequence is preferably prior to separation or singulation on a particular film 329 glued. As a rule, this adhesive process requires a certain stability of the semiconductor layer sequence. This is done by means of the converter layer 327 causes. In the dividing trenches 323 For example, it is preferable to provide, on opposite surfaces in each case, a shielding layer for shielding by means of the active zone or the converter layer 327 emitted electromagnetic radiation can be applied. The shielding layer furthermore has the effect that it at least partially reflects back the emitted radiation so that, with a certain probability, it is advantageously available for a renewed emission in the direction of a main emission direction of the component and is not lost by lateral emission. Preferably, the shielding layer comprises reflective particles such as titanium dioxide.

13 zeigt ein Bondpad 1301 mit Kontaktbereichen 1303. Das Bondpad 1301 wird für eine elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat 1401 (vgl. 14, die eine Schnittansicht des Trägersubstrats 1401 zeigt.) umfassend eine Durchkontaktierung 1403, welche sich durch das Trägersubstrat 1401 erstreckt, verwendet. Dies ist in 14 gezeigt. Hierbei sind die Halbleiterschichtenfolgen gemäß 12 auf dem Trägersubstrat 1401 aufgebracht. Auf einer der Halbleiterschichtenfolge gegenüberliegenden Oberfläche des Trägersubstrats 1401 ist eine Kontaktierungsschicht 1405 gebildet, die die Durchkontaktierung 1403 elektrisch kontaktiert. 13 shows a bondpad 1301 with contact areas 1303 , The bondpad 1301 is for an electrical contacting of the semiconductor layer sequence on a carrier substrate 1401 (see. 14 , which is a sectional view of the carrier substrate 1401 shows) comprising a via 1403 which extends through the carrier substrate 1401 extends, uses. This is in 14 shown. Here, the semiconductor layer sequences are according to 12 on the carrier substrate 1401 applied. On a surface of the carrier substrate opposite the semiconductor layer sequence 1401 is a contacting layer 1405 formed the the via 1403 electrically contacted.

Rechts in der 14 ist der Übersicht halber eine Ausschnittsvergrößerung des mittels eines Pfeils mit dem Bezugszeichen 1407 gekennzeichneten Bereichs in einer Draufsicht gezeigt. Right in the 14 is the sake of clarity, an enlarged detail of the means of an arrow with the reference numeral 1407 marked area shown in a plan view.

15 zeigt ein optoelektronisches Bauelement 1500, das im Wesentlichen zu den vorherigen optoelektronischen Bauelementen aufgebaut ist. Deutlicher hier nun zu erkennen ist insbesondere die aktive Zone 1501, die zwischen der n-dotierten Halbleiterschicht 303 und der p-dotierten Halbleiterschicht 305 vorgesehen ist. 15 shows an optoelectronic device 1500 , which is essentially constructed to the previous optoelectronic devices. More clearly visible here is in particular the active zone 1501 between the n-doped semiconductor layer 303 and the p-type semiconductor layer 305 is provided.

Ferner ist ein entsprechender Schichtaufbau der Halbleiterschichtenfolge übersichtlicher dargestellt. Das Bezugszeichen 1503 kennzeichnet eine erste Spiegelschicht unterhalb der pdotierten Halbleiterschicht 305. Unter der ersten Spiegelschicht 1503 sind verschiedene Siliziumdioxidschichten 1505, 1507, 1509 und 1511 nacheinander angeordnet. Unterhalb der letzten Siliziumdioxidschicht 1511 ist eine zweite Spiegelschicht 1513 angeordnet, was in vorteilhafter Weise eine Auskoppeleffizienz des optoelektronischen Bauelements 1500 in vorteilhafter Wiese verbessert. Furthermore, a corresponding layer structure of the semiconductor layer sequence is shown in a clearer manner. The reference number 1503 denotes a first mirror layer below the p-doped semiconductor layer 305 , Under the first mirror layer 1503 are different silicon dioxide layers 1505 . 1507 . 1509 and 1511 arranged one after the other. Below the last silicon dioxide layer 1511 is a second mirror layer 1513 arranged, which is advantageously a coupling-out of the optoelectronic device 1500 improved in an advantageous way.

Beide Spiegelschichten 1503 und 1513 können beispielsweise ein Metall umfassen. Both mirror layers 1503 and 1513 For example, they may comprise a metal.

Unterhalb der zweiten Spiegelschicht 1513 ist eine TiWN-Schicht 1515 als Zwischenschicht gebildet. „TiWN“ steht für Titan Wolfram Nitrid. Below the second mirror layer 1513 is a TiWN layer 1515 formed as an intermediate layer. "TiWN" stands for Titanium Tungsten Nitride.

Des Weiteren ist eine Lotschicht 1517 unterhalb der TiWN-Schicht 1515 gebildet, mittels welcher die Halbleiterschichten auf das Trägersubstrat 1401 angelötet sind. Furthermore, a solder layer 1517 below the TiWN layer 1515 formed by means of which the semiconductor layers on the carrier substrate 1401 are soldered.

16 zeigt ein weiteres optoelektronisches Bauelement 1601, wobei die Konverterschicht 327 eine Linsenform aufweist. Die Konverterschicht 327 weist hier insbesondere eine konvexe Form auf, sodass die Konverterschicht 327 sowohl eine Konversions-, eine mechanische Stabilisierungs- als auch eine Linsenfunktion aufweist. 16 shows a further optoelectronic device 1601 , wherein the converter layer 327 has a lens shape. The converter layer 327 Here, in particular, has a convex shape, so that the converter layer 327 has both a conversion, a mechanical stabilization and a lens function.

Ferner ist die n-dotierte Halbleierschicht 303 gemäß 15 und 16 an der der p-dotierten Halbleiterschicht 305 gegenüberliegenden Oberfläche strukturiert, was in vorteilhafter Weise bewirkt, dass eine Auskoppeleffizienz von elektromagnetischer Strahlung erhöht ist. Further, the n-type semiconductor layer is 303 according to 15 and 16 at the p-doped semiconductor layer 305 structured surface opposite, which advantageously causes a coupling-out efficiency of electromagnetic radiation is increased.

Aufgrund der mechanisch stabilisierenden Konverterschicht ergeben sich insbesondere die folgenden Vorteile: Due to the mechanically stabilizing converter layer, the following advantages result in particular:

Es gibt keinen Substratverwurf mehr beim Transfer des Chips, also insbesondere der Halbleiterschichtenfolge umfassend die aktive Zone und die Konverterschicht auf einen Wafer. Insbesondere wenn Saphir als Wachstumssubstrat verwendet wird, können in vorteilhafter Weise Kosten eingespart werden, da das Saphirsubstrat als Aufwachssubstrat als Ganzes wiederverwendet werden kann. There is no substrate discarding during the transfer of the chip, ie in particular the semiconductor layer sequence comprising the active zone and the converter layer on a wafer. In particular, when sapphire is used as a growth substrate, cost can advantageously be saved because the sapphire substrate can be reused as a growth substrate as a whole.

Ferner ist es nun ermöglicht, eine Galiumnitridhalbleiterschicht auf einem Siliziumflipchip herzustellen. Insbesondere ist es jetzt in vorteilhafter Weise ermöglicht, einen Flipchip auf Basis einer Galiumnitrid (GaN)-Halbleiterschicht auf einem Siliziumwafer als Aufwachssubstrat für Epitaxieverfahren herzustellen, wobei das Aufwachssubstrat allgemein auch als Epiwachstumswafer bezeichnet werden kann. Further, it is now possible to fabricate a gallium nitride semiconductor layer on a silicon flip chip. In particular, it is now advantageously possible to fabricate a flip-chip based on a galium nitride (GaN) semiconductor layer on a silicon wafer as a growth substrate for epitaxy processes, wherein the growth substrate may generally also be referred to as epitaxial growth wafer.

Ferner kann ein Farbort, also insbesondere eine Wellenlänge, eines Galiumnitrid auf einem Siliziumflipchip eingestellt werden, insbesondere mittels Schleifen, sodass in vorteilhafter Weise ein Weißpunkt. eingestellt werden kann. Furthermore, a color locus, that is to say in particular a wavelength, of a galium nitride can be set on a silicon flip chip, in particular by means of loops, so that advantageously a white point. can be adjusted.

Es ist somit eine Charakterisierung eines solchen Flipchips vor einem Verbauen möglich, was auch als Spinning bezeichnet werden kann. It is thus possible to characterize such a flip chip before it is cast, which can also be referred to as spinning.

Ferner ist eine nutzbare Epifläche in vorteilhafter Weise optimiert. Furthermore, a usable Epifläche is optimized in an advantageous manner.

Eine bisher verwendete Kontaktgeometrie zum Board kann in vorteilhafter Weise flexibler gestaltet werden. A previously used contact geometry to the board can be made more flexible in an advantageous manner.

Eine Kunststoffmatrix für die Konversion, insbesondere wenn Polysilazan für die Konverterschicht verwendet wird, stabilisiert den Chip mechanisch beim Chiptransfer auf den Wafer. A plastic matrix for conversion, especially when polysilazane is used for the converter layer, mechanically stabilizes the chip during chip transfer onto the wafer.

Insbesondere Polysilazane können mechanisch einfach bearbeitet werden, insbesondere mittels Schleifen und/oder Trennen. In particular, polysilazanes can be easily processed mechanically, in particular by means of grinding and / or cutting.

Die Chipoberfläche, insbesondere die Konverterschichtoberfläche, kann beispielsweise gewölbt gestaltet werden, was eine optische Wirkung der geometrisch geformten Konverterschicht, insbesondere der Polysilazane, bewirkt. The chip surface, in particular the converter layer surface, can be curved, for example, which effects an optical effect of the geometrically shaped converter layer, in particular the polysilazane.

Es sind in vorteilhafter Weise keine weiteren Hilfsmittel beim Chiptransfer auf den Wafer notwendig, da die Konverterschicht, insbesondere die Polysilazane, eine Doppelfunktion (Konversion und mechanische Verstärkung), übernimmt. There are advantageously no further aids in the chip transfer to the wafer necessary because the converter layer, in particular the polysilazanes, a dual function (conversion and mechanical amplification), takes over.

In der Ausführungsform umfassend die Bondpads, insbesondere die Doppelpads, kann der Chip in Klebetechnik montiert werden, wodurch thermische Verspannungen bei der Montage vermieden werden können. In the embodiment comprising the bond pads, in particular the double pads, the chip can be mounted in adhesive technology, whereby thermal stresses during assembly can be avoided.

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. While the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

• DE 102008030815 A1 [0002] DE 102008030815 A1 [0002]

Claims (14)

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (201), umfassend: – Bereitstellen (101) eines Aufwachssubstrats (301), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (203) umfassend eine aktive Zone (205) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist, – Anordnen (103) eines Hilfsträgersubstrats (321) einer dem Aufwachssubstrat (301) gegenüberliegenden ersten Oberfläche (320) der Halbleiterschichtenfolge (203), – Entfernen (105) des Aufwachssubstrats (301), – Bilden (107) einer die Halbleiterschichtenfolge (203) mechanisch stabilisierende Konverterschicht (207) zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone (205) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) und – Entfernen (109) des Hilfsträgersubstrats (321). Method for producing an optoelectronic component ( 201 ), comprising: - providing ( 101 ) of a growth substrate ( 301 ), on which a semiconductor layer sequence ( 203 ) comprising an active zone ( 205 ) is arranged to generate electromagnetic radiation, - arranging ( 103 ) of a subcarrier substrate ( 321 ) of the growth substrate ( 301 ) opposite first surface ( 320 ) of the semiconductor layer sequence ( 203 ), - Remove ( 105 ) of the growth substrate ( 301 ), - Form ( 107 ) one of the semiconductor layer sequence ( 203 ) mechanically stabilizing converter layer ( 207 ) for converting a wavelength of at least a part of the by means of the active zone ( 205 ) generated electromagnetic radiation in a different wavelength from the wavelength on a second surface opposite the first surface ( 326 ) of the semiconductor layer sequence ( 203 ) and - remove ( 109 ) of the auxiliary carrier substrate ( 321 ). Verfahren nach Anspruch 1, wobei nach dem Entfernen des Hilfsträgersubstrats (321) die aktive Zone (205) angeregt wird, so dass diese elektromagnetische Strahlung in Richtung der Konverterschicht (207) abstrahlt, wobei ein Farbort der von der Konverterschicht (207) emittierten Strahlung gemessen und mittels Bearbeiten der Konverterschicht (207) auf einen vorbestimmten Farbort geändert wird. The method of claim 1, wherein after removing the subcarrier substrate ( 321 ) the active zone ( 205 ) is excited, so that this electromagnetic radiation in the direction of the converter layer ( 207 ), wherein a color locus of the of the converter layer ( 207 ) emitted radiation and by means of processing the converter layer ( 207 ) is changed to a predetermined color location. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Bearbeiten ein Schleifen und/oder ein Polieren einer der zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) gegenüberliegenden Konverterschichtoberfläche umfasst. The method of claim 2, wherein the machining comprises grinding and / or polishing one of the second surface ( 326 ) of the semiconductor layer sequence ( 203 ) opposite converter layer surface. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Konverterschicht (207) zumindest ein Material aus der folgenden Gruppe von Materialien umfasst: Polysilazan, Silikon und Keramik. Method according to one of the preceding claims, wherein the converter layer ( 207 ) comprises at least one material from the following group of materials: polysilazane, silicone and ceramic. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Konverterschicht (207) aus Polysilazan gebildet wird und eine Dicke der Konverterschicht (207) zwischen 50 µm und 150 µm beträgt. Method according to claim 4, wherein the converter layer ( 207 ) is formed from polysilazane and a thickness of the converter layer ( 207 ) is between 50 μm and 150 μm. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei das Polysilazan Vinylpolysilazan, Polyureasilazan oder Perhydropolysilazan ist.  The method of claim 4 or 5, wherein the polysilazane is vinyl polysilazane, polyureasilazane or perhydropolysilazane. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei das Bilden der Konverterschicht (207) ein Aufbringen des Polysilazans auf der zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) umfasst, wobei das Polysilazan nach dem Aufbringen bei einer Temperatur von maximal 220° C ausgehärtet wird. Method according to one of claims 4 to 6, wherein the forming of the converter layer ( 207 ) applying the polysilazane on the second surface ( 326 ) of the semiconductor layer sequence ( 203 ), wherein the polysilazane is cured after application at a temperature of at most 220 ° C. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Konverterschicht (207) aus Silikon gebildet wird und eine Dicke der Konverterschicht zwischen 20 µm und 100 µm beträgt. Method according to claim 4, wherein the converter layer ( 207 ) is formed of silicone and a thickness of the converter layer is between 20 .mu.m and 100 .mu.m. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Konverterschicht (207) aus Keramik gebildet wird und eine Dicke der Konverterschicht zwischen 100 µm und 200 µm beträgt. Method according to claim 4, wherein the converter layer ( 207 ) is formed of ceramic and a thickness of the converter layer is between 100 .mu.m and 200 .mu.m. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei vor dem Bilden der Konverterschicht (207) Trenngräben (323) in der Halbleiterschichtenfolge (203) gebildet werden, in welchen jeweils ein photosensitives Material (325) angeordnet wird. Method according to one of the preceding claims, wherein prior to forming the converter layer ( 207 ) Separating trenches ( 323 ) in the semiconductor layer sequence ( 203 ) are formed, in each of which a photosensitive material ( 325 ) is arranged. Verfahren nach Anspruch 10, wobei eine optisch nicht transparente Schicht zur Abschirmung von aus der Halbleiterschichtenfolge (203) emittierter Strahlung jeweils auf sich gegenüberliegenden Oberflächen der Trenngräben (323) gebildet wird. The method of claim 10, wherein an optically non-transparent layer for shielding from the semiconductor layer sequence ( 203 ) emitted radiation respectively on opposing surfaces of the separation trenches ( 323 ) is formed. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei nach dem Entfernen des Hilfsträgersubstrats (321) eine Folie auf der ersten Oberfläche (320) der Halbleiterschichtenfolge (203) angeordnet wird, um die Halbleiterschichtenfolge auf einen Wafer anzuordnen. Method according to one of the preceding claims, wherein after removing the subcarrier substrate ( 321 ) a film on the first surface ( 320 ) of the semiconductor layer sequence ( 203 ) is arranged to arrange the semiconductor layer sequence on a wafer. Optoelektronisches Bauelement (201), umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (203) umfassend eine aktive Zone (205) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, wobei auf einer Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (203) eine die Halbleiterschichtenfolge (203) mechanisch stabilisierende Konverterschicht zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone (205) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge angeordnet ist. Optoelectronic component ( 201 ), comprising a semiconductor layer sequence ( 203 ) comprising an active zone ( 205 ) for generating electromagnetic radiation, wherein on a surface of the semiconductor layer sequence ( 203 ) a the semiconductor layer sequence ( 203 ) mechanically stabilizing converter layer for converting a wavelength of at least a part of the by means of the active zone ( 205 ) is arranged in a different wavelength from the other wavelength electromagnetic radiation. Optoelektronisches Bauelement (201) nach Anspruch 13, wobei in der Halbleiterschichtenfolge (203) Trenngräben (323) gebildet sind, wobei jeweils an gegenüberliegenden Oberflächen der Trenngräben (323) eine optisch nicht transparente Schicht zur Abschirmung von aus der Halbleiterschichtenfolge (203) emittierter Strahlung gebildet ist. Optoelectronic component ( 201 ) according to claim 13, wherein in the semiconductor layer sequence ( 203 ) Separating trenches ( 323 ) are formed, wherein in each case on opposite surfaces of the separation trenches ( 323 ) an optically non-transparent layer for shielding from the semiconductor layer sequence ( 203 ) emitted radiation is formed.

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