DE102012215818A1 - Radiation detector and method of making a radiation detector - Google Patents

Abstract

Ein Strahlungsdetektor mit mehreren übereinander angeordneten einzelnen Strahlungsdetektoren, die jeweils eine relativ dünne Absorptionsschicht besitzen. Somit kann im Vergleich zu einem Strahlungsdetektor mit einer einzelnen Absorptionsschicht größerer Dicke die Effizienz und/oder Detektionsgeschwindigkeit gesteigert werden. Es können entweder mehrere einzelne Teil-Strahlungsdetektoren parallel übereinander gestapelt werden, oder alternativ zwei Absorptionsschichten auf den beiden Seiten eines Substrats angeordnet werden.A radiation detector with several individual radiation detectors arranged one above the other, each of which has a relatively thin absorption layer. In comparison to a radiation detector with a single absorption layer of greater thickness, the efficiency and / or detection speed can thus be increased. Either several individual partial radiation detectors can be stacked in parallel one on top of the other, or alternatively two absorption layers can be arranged on both sides of a substrate.

Description

Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor zur Konversion einfallender Strahlung und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Strahlungsdetektors. The invention relates to a radiation detector for the conversion of incident radiation and a method for producing such a radiation detector.

Stand der Technik State of the art

Zur Detektion einer einfallenden Strahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung, sind Strahlungsdetektoren bekannt. Diese Strahlungsdetektoren umfassen typischerweise eine Absorptionsschicht in der die einfallende Strahlung absorbiert wird. Dabei wird die absorbierte Energie in eine Form umgewandelt, die zur weiteren Signalverarbeitung genutzt werden kann. Man unterscheidet dabei zwischen direkter und indirekter Konversion. Radiation detectors are known for the detection of incident radiation, for example X-ray radiation. These radiation detectors typically include an absorption layer in which the incident radiation is absorbed. The absorbed energy is converted into a form that can be used for further signal processing. One distinguishes between direct and indirect conversion.

Bei der indirekten Konversion wird die einfallende Strahlung zunächst in sichtbares Licht umgewandelt und anschließend wird dieses sichtbare Licht weiter in elektrische Signale konvertiert. Bei der direkten Konversion dagegen erzeugt die einfallende Strahlung unmittelbar Ladungsträger und somit ein direkt auswertbares elektrisches Signal. In indirect conversion, the incident radiation is first converted to visible light, and then this visible light is further converted into electrical signals. In direct conversion, on the other hand, the incident radiation directly generates charge carriers and thus a directly evaluable electrical signal.

Für eine möglichst vollständige Absorption der einfallenden Strahlung sind dabei je nach Anwendungsgebiet relativ große Schichtdicken der Absorptionsschicht erforderlich. Je nach Anwendungsfall sind beispielsweise im medizinischen Bereich Schichtdicken von ca. 0,1 mm bis mehreren Millimetern möglich. Darüber hinaus sind für andere Anwendungsfälle auch erheblich größere Schichtdicken möglich, beispielsweise im Bereich der zerstörungsfreien Materialprüfung. Depending on the field of application, relatively large layer thicknesses of the absorption layer are required for the most complete possible absorption of the incident radiation. Depending on the application, layer thicknesses of about 0.1 mm to several millimeters are possible, for example, in the medical field. In addition, considerably larger layer thicknesses are possible for other applications, for example in the field of non-destructive material testing.

Mit zunehmender Dicke der Absorptionsschicht wird es jedoch zunehmend schwieriger, die durch die einfallende Strahlung erzeugten Ladungsträger aus Elektronen und Löchern aus dem Inneren an die Außenseiten der Absorptionsschicht zu transportieren. Daher sinkt mit zunehmender Dicke der Absorptionsschicht die Effizienz eines solchen Strahlungsdetektors. However, as the thickness of the absorption layer increases, it becomes increasingly difficult to transport the charge carriers of electrons and holes generated by the incident radiation from the interior to the outer sides of the absorption layer. Therefore, as the thickness of the absorption layer increases, the efficiency of such a radiation detector decreases.

Darüber hinaus steigt mit zunehmender Dicke der Absorptionsschicht auch die Zeit, innerhalb der nach Eintreffen einer Strahlung das elektrische Signal vollständig abgeklungen ist. Aufgrund dieser verlängerten Abklingdauer können mit zunehmender Schichtdicke kurze Strahlungspulse schlechter aufgelöst werden. In addition, as the thickness of the absorption layer increases, the time within which the electrical signal has completely decayed after the arrival of radiation also increases. Due to this prolonged decay time short radiation pulses can be resolved less well with increasing layer thickness.

Es besteht daher ein Bedarf, nach einem Strahlungsdetektor der auch bei großen Strahlungsdosen, insbesondere bei energiereichen Quanten („harte Strahlung“) eine möglichst gute Effizienz aufweist. There is therefore a need for a radiation detector which has the best possible efficiency even with large radiation doses, in particular with high-energy quanta ("hard radiation").

Darüber hinaus besteht auch ein Bedarf nach einem Strahlungsdetektor, der auch kurze Strahlungspulse gut auflösen kann. In addition, there is also a need for a radiation detector that can well resolve even short radiation pulses.

Offenbarung der Erfindung Disclosure of the invention

Die vorliegende Erfindung schafft gemäß einem Aspekt einen Strahlungsdetektor zur Konversion einfallender Strahlung mit einem ersten Substrat, einer ersten Ausleseelektrode, die auf dem ersten Substrat angeordnet ist; eine erste Absorptionsschicht, die auf der ersten Ausleseelektrode angeordnet ist; eine erste Außenelektrode, die auf der ersten Absorptionsschicht angeordnet ist; eine zweite Ausleseelektrode; eine zweite Absorptionsschicht, die auf der zweite Ausleseelektrode angeordnet ist; und eine zweite Außenelektrode, die auf der zweiten Absorptionsschicht angeordnet ist. The present invention, in one aspect, provides a radiation detector for converting incident radiation to a first substrate, a first sense electrode disposed on the first substrate; a first absorption layer disposed on the first readout electrode; a first outer electrode disposed on the first absorption layer; a second sense electrode; a second absorption layer disposed on the second readout electrode; and a second outer electrode disposed on the second absorption layer.

Gemäß einem weiteren Aspekt schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors mit den Schritten des Bereitstellens eines ersten Substrats; des Aufbringens einer ersten Ausleseelektrode auf eine erste Seite des ersten Substrats; des Aufbringens einer ersten Absorptionsschicht auf die erste Ausleseelektrode; des Aufbringens einer ersten Außenelektrode auf die erste Absorptionsschicht; des Aufbringens einer zweiten Ausleseelektrode auf eine zweite Seite des Substrats; des Aufbringens einer zweiten Absorptionsschicht auf die zweite Ausleseelektrode; und des Aufbringens einer zweiten Außenelektrode auf die zweite Absorptionsschicht. In another aspect, the present invention provides a method of fabricating a radiation detector comprising the steps of providing a first substrate; applying a first sense electrode to a first side of the first substrate; applying a first absorption layer to the first sense electrode; applying a first outer electrode to the first absorption layer; applying a second sense electrode to a second side of the substrate; applying a second absorption layer to the second readout electrode; and applying a second outer electrode to the second absorption layer.

Gemäß eines weiteren Aspekts schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors mit den Schritten des Bereitstellens eines ersten Substrats; des Aufbringens einer ersten Ausleseelektrode auf das erste Substrat; des Aufbringens einer ersten Absorptionsschicht auf die erste Ausleseelektrode; des Aufbringens einer ersten Außenelektrode auf die erste Absorptionsschicht; des Bereitstellens eines zweiten Substrats; des Aufbringens einer zweiten Ausleseelektrode auf das zweite Substrat; des Aufbringens einer zweiten Absorptionsschicht auf die zweite Ausleseelektrode; des Aufbringens einer zweiten Außenelektrode auf die zweite Absorptionsschicht; und des Zusammenfügens des ersten Substrats mit der ersten Ausleseelektrode, der ersten Absorptionsschicht und der ersten Außenelektrode und des zweiten Substrats und der zweiten Ausleseelektrode, der zweiten Absorptionsschicht und der zweiten Außenelektrode. In another aspect, the present invention provides a method of manufacturing a radiation detector comprising the steps of providing a first substrate; applying a first sense electrode to the first substrate; applying a first absorption layer to the first sense electrode; applying a first outer electrode to the first absorption layer; providing a second substrate; applying a second sense electrode to the second substrate; applying a second absorption layer to the second readout electrode; applying a second outer electrode to the second absorption layer; and assembling the first substrate with the first readout electrode, the first absorption layer, and the first outer electrode and the second substrate and the second readout electrode, the second absorption layer, and the second outer electrode.

Vorteile der Erfindung Advantages of the invention

Eine Idee der vorliegenden Erfindung besteht darin, den Strahlungsdetektor aus Absorptionsschicht und den Elektroden an den beiden Außenseiten der Absorptionsschicht in mehrere dünne, übereinander liegende Strahlungsdetektoren zu unterteilen. Die Ausgangssignale jedes einzelnen dieser dünnen Detektoren können separat abgegriffen und weiter verarbeitet werden. One idea of the present invention is to make the absorption layer radiation detector and the electrodes on the two outer sides of the absorption layer into a plurality of thin, Subdivide radiation detectors lying one above the other. The output signals of each of these thin detectors can be tapped and processed separately.

Auf diese Weise ist es möglich, die einzelnen Strahlungsdetektoren sehr dünn auszuführen. Jeder dieser einzelnen, dünnen Strahlungsdetektoren hat somit eine sehr gute Effizienz und weist ein ausgezeichnetes Signalverhalten auf. In this way it is possible to make the individual radiation detectors very thin. Each of these single, thin radiation detectors thus has a very good efficiency and has an excellent signal behavior.

Durch Übereinanderlegen mehrerer dünner Detektoren kann somit ein Strahlungsdetektor geschaffen werden, der insgesamt eine große effektive Absorptionsdicke aufweist und somit auch für sehr große Strahlungsdosen, insbesondere harte Strahlung geeignet ist. By superimposing a plurality of thin detectors, a radiation detector can thus be created which has a large effective absorption thickness overall and is thus also suitable for very large radiation doses, in particular hard radiation.

Insbesondere eignen sich solche mehrschichtigen Strahlungsdetektoren für ein sehr breites Einsatzgebiet. Beispielsweise kann eine sehr harte Strahlung in mehreren übereinander angeordneten Absorptionsschichten sehr gut erfasst werden. Ein solcher, mehrere Schichten umfassender Strahlungsdetektor kann aber auch für die Detektion schwächer Strahlungen verwendet werden. In diesem Fall wird die Strahlung bereits in den oberen Absorptionsschichten vollständig erfasst und liefert dabei sehr gute Signalwerte. In particular, such multilayer radiation detectors are suitable for a very wide range of applications. For example, a very hard radiation in a plurality of superimposed absorption layers can be detected very well. However, such a radiation detector comprising several layers can also be used for the detection of weaker radiations. In this case, the radiation is already fully detected in the upper absorption layers and thereby provides very good signal values.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist das erste Substrat aus einem flexiblen Material hergestellt. Durch die Verwendung eines solchen flexiblen, biegsamen Materials als Substrat kann ein besonders robuster Aufbau des Strahlungsdetektors erreicht werden. Der Detektoraufbau ist somit deutlich unempfindlicher gegen mechanische Beanspruchungen als dies bei der Verwendung von spröden Materialien der Fall wäre. According to one embodiment of the invention, the first substrate is made of a flexible material. By using such a flexible, flexible material as a substrate, a particularly robust construction of the radiation detector can be achieved. The detector structure is thus much less sensitive to mechanical stress than would be the case with the use of brittle materials.

Gemäß einer Ausführungsform ist die zweite Ausleseelektrode auf dem ersten Substrat angeordnet. Somit erhält man einen Strahlungsdetektor, bei dem zwei dünne Absorptionsschichten auf nur einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind. Dies führt zu einem besonders dünnen und effizienten Aufbau des Strahlungsdetektors. According to one embodiment, the second readout electrode is arranged on the first substrate. Thus, a radiation detector is obtained in which two thin absorption layers are arranged on only one common substrate. This leads to a particularly thin and efficient construction of the radiation detector.

Gemäß einer alternativen Ausführungsform umfasst der Strahlungsdetektor ferner ein zweites Substrat, wobei die zweite Ausleseelektrode auf dem zweiten Substrat angeordnet ist. Auf diese Weise erhält man einen Aufbau eines Strahlungsdetektors, bei dem mehrere dünne Einzeldetektoren auf einfache Weise übereinander gestapelt werden können. According to an alternative embodiment, the radiation detector further comprises a second substrate, wherein the second readout electrode is arranged on the second substrate. In this way, one obtains a structure of a radiation detector, in which a plurality of thin individual detectors can be easily stacked.

Eine Ausführungsform umfasst ferner erste Anschlusselemente zu Kontaktierung der ersten Ausleseelektrode und der ersten Außenelektrode, sowie zweite Anschlusselemente zur Kontaktierung der zweiten Ausleseelektrode und der zweiten Außenelektrode. Somit steht für jede einzelne Schicht des Strahlungsdetektors ein separater Anschluss zur Verfügung. Damit können die Signale jeder einzelnen Detektorschicht getrennt für eine Weiterverarbeitung ausgewertet werden. An embodiment further comprises first connection elements for contacting the first readout electrode and the first outer electrode, and second connection elements for contacting the second readout electrode and the second outer electrode. Thus, a separate connection is available for each individual layer of the radiation detector. Thus, the signals of each individual detector layer can be evaluated separately for further processing.

In einer Ausführungsform umfasst die erste Ausleseelektrode eine Mehrzahl von ersten Elektrodenelementen und die zweite Ausleseelektrode eine Mehrzahl von zweiten Elektrodenelementen. Jedes einzelne dieser Elektrodenelemente kann somit einen Teilbereich des Strahlungsdetektors auswerten. Durch die getrennte Weiterverarbeitung der Signale der einzelnen Elektrodenelemente kann daraufhin die genaue räumliche Position der eintreffenden Strahlung ausgewertet und für eine bildgebende Diagnostik weiterverarbeitet werden. In one embodiment, the first readout electrode comprises a plurality of first electrode elements and the second readout electrode comprises a plurality of second electrode elements. Each individual one of these electrode elements can thus evaluate a subarea of the radiation detector. As a result of the separate further processing of the signals of the individual electrode elements, the exact spatial position of the incident radiation can then be evaluated and further processed for diagnostic imaging.

In einer speziellen Ausführungsform weisen die ersten Elektrodenelemente eine von den zweiten Elektrodenelementen verschiedene Größe auf. Somit können einerseits durch die relativ kleinen Elektrodenelemente der einen Elektrode eine hohe räumliche Auflösung erreicht werden, während die größeren Elemente der anderen Elektrode größere elektrische Signale liefern. In a specific embodiment, the first electrode elements have a size that is different from the second electrode elements. Thus, on the one hand, a high spatial resolution can be achieved by the relatively small electrode elements of one electrode, while the larger elements of the other electrode deliver larger electrical signals.

Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Absorptionsschicht Absorptionseigenschaften auf, die sich von den Absorptionseigenschaften der zweiten Absorptionsschicht unterscheiden. Auf diese Weise können die unterschiedlichen Absorptionsschichten verschiedenartigen Strahlungen detektieren. Somit ist mit einem einzigen Gesamtaufbau die Detektion mehrerer verschiedener Strahlungsenergien gleichzeitig möglich. According to one embodiment, the first absorption layer has absorption properties that differ from the absorption properties of the second absorption layer. In this way, the different absorption layers can detect different types of radiation. Thus, with a single overall design, the detection of several different radiation energies is possible simultaneously.

In einer Ausführungsform umfasst der Strahlungsdetektor ferner eine Strahlungsfilterschicht. Diese Strahlungsfilterschicht kann einen Teil der einfallenden Strahlung ausfiltern und somit gezielt nur spezielle Strahlungsenergien an die einzelnen Absorptionsschichten eindringen lassen. Somit können in den einzelnen Absorptionsschichten ganz gezielt nur bestimmte Strahlungsenergien erfasst und ausgewertet werden. In an embodiment, the radiation detector further comprises a radiation filter layer. This radiation filter layer can filter out a portion of the incident radiation and thus selectively allow only specific radiation energies to penetrate the individual absorption layers. Thus, in the individual absorption layers only specific radiation energies can be detected and evaluated.

In einer speziellen Ausführungsform ist die Strahlungsfilterschicht in das erste Substrat oder das zweite Substrat integriert. Auf diese Weise ergibt sich ein besonders effizienter Aufbau mit integrierter Strahlungsfilterschicht. In a specific embodiment, the radiation filter layer is integrated in the first substrate or the second substrate. This results in a particularly efficient structure with integrated radiation filter layer.

In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors ferner die Schritte des Verbindens der ersten Ausleseelektrode und der ersten Außenelektrode mit ersten Anschlusselementen; und dem Verbinden der zweiten Ausleseelektrode und der zweiten Außenelektrode mit zweiten Anschlusselementen. Somit können die Signale der einzelnen Schichten aus dem Strahlungsdetektor herausgeführt und separat ausgewertet werden. In one embodiment, the method for producing a radiation detector further comprises the steps of connecting the first readout electrode and the first outer electrode to first contactors; and connecting the second sense electrode and the second one Outer electrode with second connection elements. Thus, the signals of the individual layers can be led out of the radiation detector and evaluated separately.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst der Schritt zum Aufbringen einer ersten Außenelektrode ferner einen Schritt zum Strukturieren der Ausleseelektrode in eine Mehrzahl von ersten Elektrodenelementen und der Schritt zum Aufbringen einer zweiten Ausleseelektrode umfasst ferner einen Schritt zum Strukturieren der Ausleseelektrode in eine Mehrzahl von zweiten Elektrodenelementen. Somit werden Ausleseelektroden geschaffen, die eine gezielte räumliche Auflösung der einfallenden Strahlung ermöglichen. Die getrennte räumliche Auswertung ermöglicht daraufhin eine Weiterverarbeitung für bildgebende Diagnostik. According to another embodiment, the step of applying a first outer electrode further comprises a step of patterning the readout electrode into a plurality of first electrode elements, and the step of applying a second readout electrode further comprises a step of patterning the readout electrode into a plurality of second electrode elements. Thus, readout electrodes are created which allow a targeted spatial resolution of the incident radiation. The separate spatial evaluation then allows further processing for diagnostic imaging.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren ferner die Schritte des Aufbringens einer ersten Ausleseschicht auf das erste Substrat, und des Aufbringens einer zweiten Ausleseschicht auf das zweite Substrat; wobei in dem Schritt zum Aufbringen der ersten Ausleseelektrode die Ausleseelektrode auf die erste Ausleseschicht (aufgebracht wird; und in dem Schritt zum Aufbringen der zweiten Ausleseelektrode die Ausleseelektrode auf die zweite Ausleseschicht aufgebracht wird. Somit können die elektrischen Signale der Ausleseelektroden an den Rand des Strahlungsdetektors geleitet werden und stehen daraufhin für eine Weiterverarbeitung zur Verfügung. According to one embodiment of the invention, the manufacturing method according to the invention further comprises the steps of applying a first readout layer to the first substrate, and applying a second readout layer to the second substrate; wherein in the step of applying the first readout electrode, the readout electrode is applied to the first readout layer (and in the step of applying the second readout electrode, the readout electrode is applied to the second readout layer.) Thus, the readout electrode electrical signals can be directed to the edge of the radiation detector and are then available for further processing.

Weitere Merkmale und Vorteile von Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen. Further features and advantages of embodiments of the invention will become apparent from the following description with reference to the accompanying drawings.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen Brief description of the drawings

Es zeigen: Show it:

1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Strahlungsdetektor gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; 1 a schematic representation of a cross section through a radiation detector according to an embodiment of the invention;

2 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Strahlungsdetektor gemäß einer alternativen Ausführungsform der Erfindung; 2 a schematic representation of a cross section through a radiation detector according to an alternative embodiment of the invention;

3 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Strahlungsdetektor gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; 3 a schematic representation of a cross section through a radiation detector according to another embodiment of the invention;

4 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen Strahlungsdetektor gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung; 4 a schematic representation of a cross section through a radiation detector according to another embodiment of the invention;

5 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Strahlungsdetektors gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; und 5 a schematic representation of a method for producing a radiation detector according to an embodiment of the invention; and

6 eine schematische Darstellung für ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. 6 a schematic representation of another method for producing a radiation detector according to an embodiment of the invention.

Die im Folgenden verwendete Richtungsterminologie, das heißt Begriffe wie „links“, „rechts“, „oben“, „unten“, „darüber“, „dahinter“ und dergleichen dient lediglich dem besseren Verständnis der Zeichnungen. Dies soll in keinem Fall eine Beschränkung der Allgemeinheit darstellen. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleichartige oder gleichwirkende Komponenten. Die in den Figuren dargestellten Zeichnungen sind aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht notwendigerweise maßstabsgetreu abgebildet. The directional terminology used below, that is, terms such as "left," "right," "top," "bottom," "above," "behind," and the like, are merely for the better understanding of the drawings. In no case should this constitute a restriction of the general public. Like reference numerals generally designate like or equivalent components. The drawings shown in the figures are not necessarily drawn to scale for the sake of clarity.

1 zeigt einen Strahlungsdetektor gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Strahlungsdetektor umfasst dabei zunächst ein Substrat 10. Bei diesem Substrat 10 handelt es sich vorzugsweise um ein Material, welches die zu detektierende Strahlung nicht oder zumindest nur in sehr geringem Maße absorbiert. Beispielsweise kann es sich bei diesem Substrat um einen Glasträger handeln. Für eine ausreichende Stabilität muss ein solcher Glasträger jedoch auch eine hinreichende Materialstärke besitzen. 1 shows a radiation detector according to an embodiment of the present invention. The radiation detector initially comprises a substrate 10 , In this substrate 10 it is preferably a material which does not absorb the radiation to be detected or at least only to a very small extent. For example, this substrate may be a glass carrier. For a sufficient stability, however, such a glass carrier must also have a sufficient material thickness.

Ferner sind für das Substrat 10 auch andere Materialien möglich. Vorzugsweise sollten die verwendeten Materialien eine möglichst geringe Kernladungszahl besitzen. Zur Erhöhung der Robustheit können beispielsweise auch flexible, biegsame Materialien eingesetzt werden. Beispielsweise kann es bei diesen Materialien um eine Folie oder ein bahnförmiges Substrat aus einem organischen Polymer handeln. Solche flexiblen Substrate 10 führen gegenüber spröden und starren Substraten zu einem gegenüber mechanischen Beanspruchungen robusteren Strahlungsdetektor. Further, for the substrate 10 also other materials possible. Preferably, the materials used should have the lowest possible atomic number. To increase the robustness, it is also possible, for example, to use flexible, flexible materials. For example, these materials may be a film or web-shaped organic polymer substrate. Such flexible substrates 10 lead to brittle and rigid substrates to a more robust against mechanical stress radiation detector.

Auf einer Seite des Substrats 10 ist eine erste Ausleseelektrode angeordnet. Diese Ausleseelektrode besteht aus einer Elektrode 6 und einer Ausleseschicht 4. Für eine bildgebende Diagnostik ist dabei die Elektrode 6 in mehrere elektrisch voneinander getrennte Teilbereiche unterteilt. Jedem Elektrodenelement eines Teilbereichs ist somit ein ganz bestimmter räumlicher Bereich des Strahlungsdetektors zugeordnet. Somit kann nicht nur über die Intensität eines gemessenen Signals die Strahlungsstärke, sondern darüber hinaus auch noch durch die Zuordnung eines Signals zu einem ganz bestimmten Elements der Elektrode 6 die räumliche Position der eintreffenden Strahlung bestimmt werden. Im Falle einer optischen Darstellung und der gemessene Strahlungswert entspricht somit die an einem Elektrodenelement gemessene Strahlung einem Bildelement (Pixel). On one side of the substrate 10 a first sense electrode is arranged. This readout electrode consists of an electrode 6 and a selection layer 4 , For an imaging diagnostics is the electrode 6 divided into several electrically separate subregions. Each electrode element of a subarea is thus assigned a very specific spatial area of the radiation detector. Thus, not only the intensity of a measured signal, the radiation intensity, but also by the assignment of a signal to a very specific element of the electrode 6 the spatial position of the incoming Radiation can be determined. In the case of an optical representation and the measured radiation value, the radiation measured on an electrode element thus corresponds to one picture element (pixel).

Sollte andererseits lediglich die gesamte in den Strahlungsdetektor eintreffende Strahlung bestimmt werden, ohne dass dabei eine detaillierte räumliche Zuordnung erforderlich ist, so kann eine Unterteilung der Elektrode 6 in mehrere Einzelelemente entfallen und die Elektrode 6 kann ganzflächig ausgeführt sein. Eventuell kann in diesem Fall auch die Ausleseschicht 4 entfallen, da keine einzelnen Teilbereiche separat nach außen geleitet werden müssen. If, on the other hand, only the entire radiation entering the radiation detector is determined, without the need for a detailed spatial assignment, a subdivision of the electrode can be carried out 6 divided into several individual elements and the electrode 6 can be executed over the entire surface. Possibly, in this case, the readout layer 4 omitted, since no individual subsections must be routed separately to the outside.

Dies kann insbesondere im Fall von sogenannten Dosismesskammern vorteilhaft sein. Bei solchen Dosismesskammern handelt es sich um sehr dünne Strahlungsdetektoren, bei denen nur ein sehr geringer Teil der einfallenden Strahlung 1 absorbiert wird und daraufhin die erfasste Strahlungsmenge (Dosis) der einfallenden Strahlung 1 ermittelt wird. Der größte Teil der Strahlung 1 durchdringt den Strahlungsdetektor ungehindert und steht daraufhin für weitere Analyse- oder Diagnosemöglichkeiten zur Verfügung. Beispielsweise kann in einer solchen Dosismesskammer in einem Röntgengerät die emittierte Strahlungsmenge genau bestimmt werden und beim Erreichen eines vorgegebenen Sollwerts die Strahlungsquelle sofort deaktiviert werden. Hierfür ist jedoch eine sehr rasche Auswertung erforderlich. Dies bedingt sehr dünne Absorptionsschichten, wie sie mit dem erfindungsgemäßen Aufbau erreicht werden können. This may be advantageous, in particular in the case of so-called dose measuring chambers. Such Dosungsesskammern are very thin radiation detectors, in which only a very small part of the incident radiation 1 is absorbed and then the detected radiation amount (dose) of the incident radiation 1 is determined. Most of the radiation 1 Penetrates the radiation detector unhindered and is then available for further analysis or diagnostic options. For example, in such a dose measuring chamber in an X-ray machine, the emitted radiation quantity can be determined precisely and the radiation source can be deactivated immediately when a predetermined desired value is reached. However, this requires a very rapid evaluation. This requires very thin absorption layers, as can be achieved with the structure of the invention.

Um die von der Elektrode 6 erfassten Signale für eine Weiterverarbeitung außerhalb des Strahlungsdetektors zur Verfügung zu stellen, sind die Elektrodenelemente oder die Gesamtelektrode mit einer elektrisch leitenden Struktur einer Ausleseschicht 4 verbunden, die zwischen Elektrode 6 und Substrat 10 angeordnet ist. Durch diese Ausleseschicht 4 werden die einzelnen Signale der Elektrode 6 an den Rand des Strahlungsdetektors geführt, wo sie über geeignete Kontakte 12, 13 an eine Auswerteelektronik 11 geleitet werden können. To those of the electrode 6 To provide detected signals for further processing outside of the radiation detector are the electrode elements or the total electrode with an electrically conductive structure of a readout layer 4 connected between the electrode 6 and substrate 10 is arranged. Through this readout layer 4 become the individual signals of the electrode 6 led to the edge of the radiation detector, where they have suitable contacts 12 . 13 to an evaluation 11 can be directed.

Für den Aufbau der Ausleseschicht 4 und der Elektrode 6 kommen bevorzugt organische Materialien zum Einsatz. Hierdurch lassen sich die erforderlichen Strukturen besonders kostengünstig herstellen. Andere elektrisch leitfähigen Materialien mit möglichst geringen Absorptionseigenschaften für die zu detektierende Strahlung sind ebenso möglich. Vorzugsweise werden die Ausleseschicht 4 und die Elektrode 6 mittels eines Ätzverfahrens dabei strukturiert. For the construction of the readout layer 4 and the electrode 6 preferably organic materials are used. As a result, the required structures can be produced particularly cost-effectively. Other electrically conductive materials with the lowest possible absorption properties for the radiation to be detected are also possible. Preferably, the readout layer becomes 4 and the electrode 6 structured by means of an etching process.

Oberhalb der Elektrode 6 ist eine erste Absorptionsschicht 2 angeordnet. Diese Absorptionsschicht 2 dient dazu, einfallende Strahlung zu absorbieren und dabei die absorbierte Strahlungsenergie in eine andere Energieform zu überführen, die für eine Signalgebung genutzt werden kann. Im Falle einer Direktwandlung werden dabei durch die einfallende Strahlung unmittelbar Ladungsträger in Form von Elektronen und Löchern generiert. Im Falle einer indirekten Wandlung kann durch die einfallende Strahlung zunächst sichtbares Licht erzeugt werden und daraufhin durch dieses Licht Elektronen-Lochpaare generiert werden. Above the electrode 6 is a first absorption layer 2 arranged. This absorption layer 2 It serves to absorb incident radiation, transforming the absorbed radiant energy into another form of energy that can be used for signaling. In the case of a direct conversion, charge carriers in the form of electrons and holes are directly generated by the incident radiation. In the case of an indirect conversion, visible light can first be generated by the incident radiation and then electron-hole pairs can be generated by this light.

Die Absorptionsschicht kann beispielsweise aus einer Halbleitermatrix bestehen, in die zur Absorption der Strahlung geeignete Absorptionsmaterialien eingebettet sind. Bei diesen Absorptionsmaterialien kann es sich beispielsweise um anorganische Quantenpunkte handeln. Solche Quantenpunkte können beispielsweise aus Bleisulfid (PbS) oder Blei-Tellur (PbTe) bestehen. In diesem Fall dient die organische Halbleitermatrix zum Transport der generierten Ladungsträger. The absorption layer can consist, for example, of a semiconductor matrix in which absorption materials suitable for absorbing the radiation are embedded. These absorption materials may be, for example, inorganic quantum dots. Such quantum dots may consist, for example, of lead sulfide (PbS) or lead tellurium (PbTe). In this case, the organic semiconductor matrix serves to transport the generated charge carriers.

Alternativ können als Absorptionsmaterialien auch Szintillatoren verwendet werden. Solche Szintillatoren wandeln zunächst die einfallende Strahlung in Lichtquanten um. In diesem Fall dient die organische Halbleitermatrix zur Konversion der erzeugten Lichtquanten in elektrische Ladungsträger und weiterhin auch zum Transport der Ladungsträger. Vorzugsweise besitzen die Szintillatorpartikel einen Durchmesser im Nanometerbereich. Der Durchmesser sollte kleiner als 250 Nanometer sein, vorzugsweise sogar kleiner als 50 Nanometer. Alternatively, scintillators can also be used as absorption materials. Such scintillators first convert the incident radiation into light quanta. In this case, the organic semiconductor matrix serves for the conversion of the generated light quanta into electrical charge carriers and furthermore also for the transport of the charge carriers. Preferably, the scintillator particles have a diameter in the nanometer range. The diameter should be less than 250 nanometers, preferably even less than 50 nanometers.

Weiterhin ist es auch möglich, die Absorptionsschicht aus geeigneten Absorptionskörnern herzustellen, die in einem Polymer eingebettet sind. Als Absorptionskörner können beispielsweise PbO, HgI₂, CdTe, CdSe, CZT, PbI₂ oder TIBr verwendet werden. In diesem Fall dient das Polymer lediglich zum Ladungsträgertransport, zur mechanischen und klimatischen Stabilisierung. Furthermore, it is also possible to prepare the absorption layer from suitable absorption grains embedded in a polymer. As absorption grains, for example, PbO, HgI ₂ , CdTe, CdSe, CZT, PbI ₂ or TIBr can be used. In this case, the polymer is used only for the transport of charge carriers, for mechanical and climatic stabilization.

Oberhalb der Absorptionsschicht 2 ist weiterhin eine Außenelektrode 8 angeordnet. Diese Außenelektrode 8 bildet die Gegenelektrode zu der Ausleseelektrode 6. Above the absorption layer 2 is still an outer electrode 8th arranged. This outer electrode 8th forms the counter electrode to the readout electrode 6 ,

Durch den oben beschriebenen Strahlungsdetektor aus den Elektroden 6 und 8 mit der dazwischen befindlichen Absorptionsschicht 2 wird somit ein Strahlungsdetektor gebildet, der einen Teil der einfallenden Strahlung 1 absorbiert und daraufhin ein zur einfallenden Strahlung 1 korrelierendes elektrisches Signal zwischen den beiden Elektroden 6 und 8 erzeugen kann. Dieser obere Strahlungsdetektor, insbesondere die obere Absorptionsschicht 2 ist dabei jedoch so dünn ausgeführt, dass ein Teil der einfallenden Strahlung 1 durch die Absorptionsschicht und darüber hinaus auch durch die Elektroden 6, 8, die Ausleseschicht 4 und das Substrat 10 hindurchdringen kann. By the above-described radiation detector from the electrodes 6 and 8th with the absorption layer in between 2 Thus, a radiation detector is formed, which forms part of the incident radiation 1 absorbed and then to the incident radiation 1 correlating electrical signal between the two electrodes 6 and 8th can generate. This upper radiation detector, in particular the upper absorption layer 2 However, it is designed so thin that part of the incident radiation 1 through the absorption layer and also through the electrodes 6 . 8th , the elite layer 4 and the substrate 10 can penetrate.

Zur weiteren Erfassung in der Strahlung 1 ist daher auf der dem oberen Strahlungsdetektor abgewandten Seite des Substrats 10 ein weiterer Aufbau aus Ausleseelektrode 7, Ausleseschicht 5, Absorptionsschicht 3 und Außenelektrode 9 angeordnet. Der Aufbau kann dabei, wie in 1 dargestellt, analog zum Aufbau der oberen Schichten ausgeführt sein. Insbesondere können für die Absorptionsschicht 3 die gleichen Materialien und auch die gleiche Schichtdicke für die Absorptionsschicht 2 gewählt werden. Auch die Größe und die Strukturierung der Elektrodenelemente 7 im Falle einer Unterteilung der Elektrode 7 in mehrere Teilbereiche kann der Strukturierung der Elektrode 6 entsprechen. For further detection in the radiation 1 is therefore on the side facing away from the upper radiation detector side of the substrate 10 another construction of readout electrode 7 , Readout layer 5 , Absorption layer 3 and outer electrode 9 arranged. The structure can, as in 1 represented, be carried out analogously to the structure of the upper layers. In particular, for the absorption layer 3 the same materials and also the same layer thickness for the absorption layer 2 to get voted. Also the size and structuring of the electrode elements 7 in the case of a subdivision of the electrode 7 in several sub-areas of structuring of the electrode 6 correspond.

Somit kann der Teil der Strahlung 1, der den oberen Teil des Strahlungsdetektors durchdringt in der unteren Absorptionsschicht 9 ganz oder ebenfalls nur teilweise absorbiert werden. Thus, the part of the radiation 1 penetrating the upper part of the radiation detector in the lower absorption layer 9 completely or likewise only partially absorbed.

Im Falle einer oben beschriebenen Dosismesskammer soll durch beide Absorptionsschichten 2 und 3 jeweils nur ein sehr geringer Teil der eintreffenden Strahlung 1 absorbiert werden, während ein Großteil der Strahlung 1 den Strahlungsdetektor vollständig durchdringen sollte. Somit werden beide Absorptionsschichten 2 und 3 sehr dünn ausgeführt. Dieser dünne Aufbau der beiden Absorptionsschichten 2 und 3 führt dazu, dass nach Absorption eines Teils der eintreffenden Strahlung die erzeugten Ladungsträger in den Absorptionsschichten sehr schnell „abgesaugt“ werden und damit ein erzeugtes Signal besonders rasch abklingt. Hierdurch wird die Auflösung sehr kurzer Strahlungsimpulse möglich. In the case of a dose measuring chamber described above is intended by both absorption layers 2 and 3 only a very small part of the incoming radiation 1 be absorbed while much of the radiation 1 should completely penetrate the radiation detector. Thus, both absorption layers become 2 and 3 very thin. This thin structure of the two absorption layers 2 and 3 As a result, after absorption of a part of the incident radiation, the charge carriers generated in the absorption layers are "sucked off" very quickly and thus a generated signal decays particularly rapidly. As a result, the resolution of very short radiation pulses is possible.

Soll durch den oben beschriebenen Strahlungsdetektor für ein Diagnosesystem die einfallende Strahlung möglichst vollständig absorbiert werden, so ist es in diesem Fall ausreichend, die erforderliche Schichtdicke für die Absorptionsschicht auf die beiden Absorptionsschichten 2 und 3 zu verteilen. Die einzelnen Absorptionsschichten sind in diesem Fall daher nur halb so dick als bei einem konventionellen Strahlungsdetektor. Diese geringeren Schichtdicken führen somit zu einer verbesserten Effizienz im Vergleich zu einem konventionellen Strahlungsdetektor mit großer Schichtdicke in der Absorptionsschicht. If the incident radiation is to be absorbed as completely as possible by the above-described radiation detector for a diagnostic system, it is sufficient in this case, the required layer thickness for the absorption layer on the two absorption layers 2 and 3 to distribute. The individual absorption layers in this case are therefore only half as thick as in a conventional radiation detector. These lower layer thicknesses thus lead to an improved efficiency compared to a conventional radiation detector with a large layer thickness in the absorption layer.

Die Anschlüsse der beiden Elektrodenpaare des oberen und des unteren Teilbereichs des zuvor beschriebenen Strahlungsdetektors werden dabei getrennt nach außen geführt. Das Signal zwischen der oberen Elektrode 8 und der unteren Elektrode 6 mit der Ausleseschicht 4 wird dabei über die Anschlüsse 12 bereitgestellt. Das Signal der hinteren Außenelektrode 9 und der entsprechenden Elektrode 7 mit der Ausleseschicht 5 wird dabei über die Anschlüsse 13 bereitgestellt. Die beiden Signale können daher getrennt einer Auswerteelektronik 11 zur Weiterverarbeitung bereitgestellt werden. The connections of the two electrode pairs of the upper and the lower portion of the radiation detector described above are thereby guided separately to the outside. The signal between the upper electrode 8th and the lower electrode 6 with the selection layer 4 is doing over the connections 12 provided. The signal of the rear outer electrode 9 and the corresponding electrode 7 with the selection layer 5 is doing over the connections 13 provided. The two signals can therefore be separated from a transmitter 11 be provided for further processing.

2 zeigt einen alternativen Aufbau eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors. Der obere Aufbau aus Substrat 10, Elektrode 6 mit Auslöseschicht 4, Außenelektrode 8 und Absorptionsschicht 2 entspricht dabei im Wesentlichen dem zuvor beschriebenen Aufbau. Unter diesen ersten, oberen Teil des Strahlungsdetektors sind weiterhin zwei weitere, analog aufgebaute Teile angeordnet. Der hier dargestellte Aufbau aus drei Absorptionsschichten mit dazugehörigen Elektroden oder Substraten ist dabei nur beispielhaft zu verstehen. In gleicher Weise kann der Aufbau auch nur zwei Teilen bestehen oder aber auch aus vier oder mehr Teilen. 2 shows an alternative construction of a radiation detector according to the invention. The upper structure of substrate 10 , Electrode 6 with triggering layer 4 , Outer electrode 8th and absorption layer 2 corresponds essentially to the structure described above. Under this first, upper part of the radiation detector two further, analogously constructed parts are further arranged. The construction of three absorption layers with associated electrodes or substrates shown here is only to be understood as an example. In the same way, the structure may consist of only two parts or even of four or more parts.

Jeder dieser weiteren Teilelemente des Strahlungsdetektors umfasst dabei ein eigenes Substrat 10a, 10b mit darauf angeordneter Ausleseschicht 5a, 5b, Ausleselektroden 7a, 7b, Absorptionsschichten 3a, 3b und Außenelektroden 9a, 9b. Each of these further sub-elements of the radiation detector comprises a separate substrate 10a . 10b with readout layer arranged thereon 5a . 5b , Readout electrodes 7a . 7b , Absorption layers 3a . 3b and external electrodes 9a . 9b ,

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sind dabei alle Teilelemente gleichartig ausgeführt. Das heißt, die Absorptionsschichten 2, 3a, 3b bestehen aus gleichen Materialien und sind zumindest annähernd gleich dick. Auch die Ausleseelektroden 6, 7a, 7b sind in diesem Falle vorzugsweise identisch ausgeführt. In accordance with an embodiment of the invention, all sub-elements are of identical design. That is, the absorption layers 2 . 3a . 3b consist of the same materials and are at least approximately the same thickness. Also the readout electrodes 6 . 7a . 7b are preferably identical in this case.

Die einfallende Strahlung 1 wird dabei in einer der Absorptionsschichten 2, 3a oder 3b absorbiert und in ein verwertbares elektrisches Signal umgewandelt. Wird angenommen, dass die eintreffende Strahlung 1 von einer theoretisch als punktförmig anzunehmenden Strahlungsquelle stammt, so wird sich die Strahlung 1 beim Durchdringen der einzelnen Schichten geringfügig aufweiten. Die dabei entstehenden Verzerrungen im Falle einer bildgebenden Diagnostik können dabei durch die nachgeschaltete Verarbeitung in der Auswerteeinheit 11 kompensiert werden. The incident radiation 1 is doing in one of the absorption layers 2 . 3a or 3b absorbed and converted into a usable electrical signal. It is assumed that the incoming radiation 1 comes from a radiation source theoretically assumed to be punctiform, so the radiation 1 slightly widen when penetrating the individual layers. The resulting distortions in the case of diagnostic imaging can be done by the downstream processing in the evaluation 11 be compensated.

Durch die Verwendung von drei oder mehr getrennten Absorptionsschichten können die einzelnen Absorptionsschichten 2, 3a und 3b noch weiter in ihrer einzelnen Schichtdicke verringert werden. Somit ergibt sich eine weitere Steigerung bezüglich der oben bereits beschriebenen Effizienz und/oder Detektionsgeschwindigkeit. By using three or more separate absorption layers, the individual absorption layers 2 . 3a and 3b be further reduced in their individual layer thickness. Thus, there is a further increase in the above-described efficiency and / or detection speed.

Die bisher beschriebenen Aufbauten in den 1 und 2 besitzen vorzugsweise in allen Absorptionsschichten annähernd gleiche Schichtdicken und gleiche Materialien, was zu gleichen Absorptionseigenschaften in allen Schichten führt. Darüber hinaus ist es auch möglich, die einzelnen Teilelemente des erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors unterschiedlich auszuführen. The structures described so far in the 1 and 2 preferably have approximately the same layer thicknesses and the same materials in all absorption layers, which leads to the same absorption properties in all layers. In addition, it is also possible the individual Partial elements of the radiation detector according to the invention perform differently.

Beispielsweise ist es möglich, die Absorptionseigenschaften der einzelnen Absorptionsschichten 2, 3, 3a, 3b zu variieren und somit in den einzelnen Absorptionsschichten unterschiedliche Strahlungsenergien zu erfassen. So kann beispielsweise die erste Absorptionsschicht 2 so ausgeführt sein, dass sie eine relativ weiche Strahlungsart absorbiert, während eine relativ härtere Strahlungsart diese erste Absorptionsschicht nahezu ungehindert durchdringt. Diese härtere Strahlungsart kann dann in einer oder auch mehreren weiteren Absorptionsschichten 3, 3a, 3b absorbiert und erfasst werden. Somit ist es möglich, mittels eines einzigen Strahlungsdetektors mehrere Strahlungsenergien zeitgleich zu erfassen. Beispielsweise kann die erste Absorptionsschicht infrarotes Licht absorbieren, während Röntgenstrahlung diese erste Absorptionsschicht durchdringt und in einer nachgeschalteten Absorptionsschicht 3, 3a, 3b erfasst und ausgewertet wird. Ebenso ist auch eine gleichzeitige Erfassung von weicherer Röntgenstrahlung und härterer Gammastrahlung möglich. Aber auch die gleichzeitige Erfassung anderer unterschiedlicher Strahlungsenergien ist ebenso möglich. For example, it is possible to determine the absorption properties of the individual absorption layers 2 . 3 . 3a . 3b to vary and thus to detect different radiation energies in the individual absorption layers. For example, the first absorption layer 2 be designed so that it absorbs a relatively soft radiation, while a relatively harder kind of radiation penetrates this first absorption layer almost unhindered. This harder radiation mode can then be in one or more further absorption layers 3 . 3a . 3b absorbed and detected. Thus, it is possible to detect several radiation energies at the same time by means of a single radiation detector. For example, the first absorption layer can absorb infrared light while X-radiation penetrates this first absorption layer and in a downstream absorption layer 3 . 3a . 3b recorded and evaluated. Likewise, a simultaneous detection of softer X-radiation and harder gamma radiation is possible. But the simultaneous detection of other different radiation energies is also possible.

3 zeigt einen erfindungsgemäßen Strahlungsdetektor, gemäß 1, wobei zusätzlich ein Strahlungsfilter 15 integriert ist. Dieser Strahlungsfilter 15 ist in der Lage, bestimmte Strahlungsenergien nahezu vollständig zu absorbieren, während er gleichzeitig andere Strahlungsenergien nahezu ungehindert durchdringen lässt. Wird ein solcher Strahlungsfilter 15 zwischen zwei Absorptionsschichten 2, 3, 3a, 3b angeordnet, so kann damit gewährleistet werden, dass nur die Strahlung, für die der Strahlungsfilter 15 durchlässig ist, die darunter liegenden Absorptionsschichten erreicht. Insbesondere mit der oben beschriebenen getrennten Auswertung unterschiedlicher Strahlungsenergien kann somit sichergestellt werden, dass nur die gewünschten Strahlungsenergien die unteren Absorptionsschichten 3, 3a, 3b erreichen. 3 shows a radiation detector according to the invention, according to 1 , where additionally a radiation filter 15 is integrated. This radiation filter 15 It is able to absorb certain radiant energies almost completely, while at the same time allowing other radiation energies to penetrate almost unhindered. Will such a radiation filter 15 between two absorption layers 2 . 3 . 3a . 3b arranged so it can be ensured that only the radiation for which the radiation filter 15 permeable, reaches the underlying absorption layers. In particular, with the above-described separate evaluation of different radiation energies can thus be ensured that only the desired radiation energies, the lower absorption layers 3 . 3a . 3b to reach.

Ein besonders effizienter Aufbau eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors mit Strahlungsfilter 15 kann erreicht werden, wenn, wie in 3 dargestellt, der Strahlungsfilter in das Substrat 10 integriert ist. A particularly efficient construction of a radiation detector according to the invention with radiation filter 15 can be achieved if, as in 3 shown, the radiation filter in the substrate 10 is integrated.

Der oben beschriebene Einsatz eines Strahlungsfilters 15 ist in der alternativen Ausführungsform nach 2 ebenso möglich. Dabei kann entweder ein Strahlungsfilter 15 eingesetzt werden, oder alternativ auch mehrere Strahlungsfilter zwischen den einzelnen Absorptionsschichten 2, 3, 3a, 3b. The use of a radiation filter described above 15 is in the alternative embodiment according to 2 equally possible. It can either be a radiation filter 15 are used, or alternatively, a plurality of radiation filters between the individual absorption layers 2 . 3 . 3a . 3b ,

Bei der Auswertung unterschiedlicher Strahlungsenergien in den einzelnen Absorptionsschichten ist dabei zu beobachten, dass die unterschiedlichen Strahlungsenergien bei gleicher Fläche unterschiedliche Amplituden im Signalverlauf ergeben. Um diesem Phänomen entgegenzutreten, können bei der gleichzeitigen Auswertung unterschiedlicher Strahlungsenergien die Größe der Elektrodenflächen 6, 7, 7a und 7b variiert werden. 4 zeigt beispielhaft eine solche Variation der Elektrodengröße für einen Strahlungsdetektor nach 1. Die in der oberen Absorptionsschicht 2 absorbierte Strahlung liefert dabei relativ große Signalwerte. Somit kann die Elektrode 6 relativ fein strukturiert werden, was zu einer hohen Auflösung in dem daraus resultierenden Bild führt. When evaluating different radiation energies in the individual absorption layers, it can be observed that the different radiation energies result in different amplitudes in the signal profile for the same area. In order to counteract this phenomenon, the size of the electrode surfaces can be determined by simultaneously evaluating different radiation energies 6 . 7 . 7a and 7b be varied. 4 exemplifies such a variation of the electrode size for a radiation detector 1 , The in the upper absorption layer 2 absorbed radiation delivers relatively large signal values. Thus, the electrode 6 be relatively finely structured, resulting in a high resolution in the resulting image.

Die in der unteren Absorptionsschicht 3 absorbierte härtere Strahlung liefert meist schwächere Signalwerte. Daher ist die Fläche der einzelnen Elektrodenelemente vergrößert. Somit erhält man ausreichend gute Signalpegel. Dafür sinkt die räumliche Auflösung in dem resultierenden Bild. The in the lower absorption layer 3 absorbed harder radiation usually provides weaker signal values. Therefore, the area of the individual electrode elements is increased. Thus one obtains sufficiently good signal levels. For this, the spatial resolution in the resulting image decreases.

Analog zu der Variation der Größe der Elektrodenelemente 6 und 7 in der in 3 dargestellten Ausführungsform ist eine Variation der Elektrodenelemente 6, 7a und 7b gemäß einer Ausführung nach 2 ebenso möglich. Analogous to the variation of the size of the electrode elements 6 and 7 in the in 3 illustrated embodiment is a variation of the electrode elements 6 . 7a and 7b according to an embodiment according to 2 equally possible.

Darüber hinaus ist es auch möglich, auch bei Auswertung gleichartiger Strahlung in allen Absorptionsschichten 2, 3, 3a, 3b nicht nur, wie in den Figuren dargestellt, alle Elemente der Elektroden 6, 7, 7a oder 7b deckungsgleich übereinander anzuordnen. Alternativ ist es ebenso möglich, die Elemente der einzelnen Elektroden zumindest in einer Richtung innerhalb der Elektrodenebene versetzt gegeneinander anzuordnen. Beispielsweise können die Elemente der Elektroden in eine Richtung jeweils um 50 % ihrer Größe versetzt angeordnet werden. Mit Hilfe einer nachgeschalteten Prozessierung in der Auswerteeinheit 11 ist es daraufhin möglich, eine Verbesserung der räumlichen Auflösung zu erzielen. Umfasst der Strahlungsdetektor dabei, wie in 2 dargestellt, mehr als zwei Ausleseelektroden 6, 7a und 7b, so ist es auch möglich, die einzelnen Elektrodenelemente in den unterschiedlichen Schichten in unterschiedlichen Raumrichtungen gegeneinander versetzt anzuordnen. In addition, it is also possible, even when evaluating similar radiation in all absorption layers 2 . 3 . 3a . 3b not only, as shown in the figures, all elements of the electrodes 6 . 7 . 7a or 7b to arrange congruently one above the other. Alternatively, it is also possible to arrange the elements of the individual electrodes offset from one another at least in one direction within the electrode plane. For example, the elements of the electrodes can be arranged offset in one direction by 50% of their size. With the help of downstream processing in the evaluation unit 11 it is then possible to achieve an improvement in the spatial resolution. The radiation detector includes, as in 2 shown, more than two readout electrodes 6 . 7a and 7b , it is also possible to arrange the individual electrode elements in the different layers in different spatial directions offset from each other.

5 zeigt den Ablauf eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens für eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors. Dabei wird zunächst in Schritt 110 ein erstes Substrat 10 bereitgestellt. In Schritt 120 wird auch eine erste Seite des Substrats 10 die Ausleseschicht 4 und die Elektrode 6 aufgebracht. Dabei wird auch eine entsprechende Strukturierung der leitfähigen Strukturen durchgeführt. Beispielsweise kann dies durch einen geeigneten Ätzvorgang erzielt werden. In Schritt 130 wird auf die Elektroden 6 eine erste Absorptionsschicht 2 aufgebracht. Auf diese erste Absorptionsschicht 2 wird weiterhin in Schritt 140 eine erste Außenelektrode 8 aufgebracht. In Schritt 150 wird auf eine zweite Seite des Substrats 10, die der ersten Seite des Substrats 10 gegenüberliegt, eine zweite Ausleseschicht 5 und eine zweite Elektrode 7 aufgebracht. Die Strukturierung dieser Schichten erfolgt analog zu Schritt 120. Vorzugsweise erfolgt das Aufbringen und Strukturieren unmittelbar nach oder zeitgleich mit dem Aufbringen und Strukturieren der ersten Ausleseschicht 4 und der Elektrode 6. Somit kann sichergestellt werden, dass insbesondere bei der Strukturierung keine Beschädigung der Absorptionsschicht 2 erfolgt. 5 shows the sequence of a manufacturing method according to the invention for an embodiment of a radiation detector according to the invention. It is first in step 110 a first substrate 10 provided. In step 120 will also be a first page of the substrate 10 the selection layer 4 and the electrode 6 applied. In this case, a corresponding structuring of the conductive structures is performed. For example, this can be done by a suitable etching process can be achieved. In step 130 gets on the electrodes 6 a first absorption layer 2 applied. On this first absorption layer 2 will continue in step 140 a first outer electrode 8th applied. In step 150 is on a second side of the substrate 10 that is the first side of the substrate 10 opposite, a second readout layer 5 and a second electrode 7 applied. The structuring of these layers takes place analogously to step 120 , The application and structuring preferably take place immediately after or simultaneously with the application and structuring of the first readout layer 4 and the electrode 6 , Thus it can be ensured that, in particular during structuring, no damage to the absorption layer 2 he follows.

Weiterhin wird in Schritt 160 eine zweite Absorptionsschicht 3 auf die zweiten Ausleseelektrode 7 aufgebracht und in Schritt 170 eine zweite Außenelektrode 9 auf die zweite Absorptionsschicht 3 aufgebracht. Furthermore, in step 160 a second absorption layer 3 on the second readout electrode 7 applied and in step 170 a second outer electrode 9 on the second absorption layer 3 applied.

6 zeigt ein Herstellungsverfahren für eine Herstellung eines Strahlungsdetektors gemäß einer alternativen Ausführungsform. In Schritt 210 wird zunächst ein erstes Substrat 10 bereitgestellt. Im Schritt 220 wird eine erste Ausleseschicht 4 und Ausleseelektrode 6 auf das erste Substrat 10 aufgebracht. Das Aufbringen und anschließende Strukturieren erfolgt analog zu Schritt 120 des oben beschriebenen Verfahrens. In einem Schritt 230 wird auf die erste Ausleseelektrode 6 eine erste Absorptionsschicht 2 aufgebracht. Auf diese erste Absorptionsschicht 2 wird weiterhin in Schritt 240 eine erste Außenelektrode 8 aufgebracht. 6 shows a manufacturing method for manufacturing a radiation detector according to an alternative embodiment. In step 210 becomes first a first substrate 10 provided. In step 220 becomes a first readout layer 4 and readout electrode 6 on the first substrate 10 applied. The application and subsequent structuring takes place analogously to step 120 of the method described above. In one step 230 goes to the first readout electrode 6 a first absorption layer 2 applied. On this first absorption layer 2 will continue in step 240 a first outer electrode 8th applied.

Weiterhin wird in Schritt 250 ein zweites Substrat 10a, 10b bereitgestellt. In Schritt 260 wird auf das zweite Substrat 10a, 10b eine zweite Ausleseschicht 5a, 5b und weitere Ausleseelektroden 7a, 7b aufgebracht und bei gegebenenfalls strukturiert. Furthermore, in step 250 a second substrate 10a . 10b provided. In step 260 is on the second substrate 10a . 10b a second readout layer 5a . 5b and further readout electrodes 7a . 7b applied and structured if necessary.

Ferner wird in Schritt 270 auf die zweite Ausleseelektrode 7a, 7b eine zweite Absorptionsschicht 3a, 3b aufgebracht. In Schritt 280 wird auf die zweite Absorptionsschicht 3a, 3b eine zweite Außenelektrode 9a, 9b aufgebracht. Anschließend wird das erste Substrat 10 mit der ersten Ausleseelektrode 6 der ersten Absorptionsschicht 2 und der ersten Außenelektrode 8 mit dem zweiten Substrat 10a, 10b und den darauf angeordneten Elementen zusammengefügt. Further, in step 270 on the second readout electrode 7a . 7b a second absorption layer 3a . 3b applied. In step 280 is on the second absorption layer 3a . 3b a second outer electrode 9a . 9b applied. Subsequently, the first substrate 10 with the first readout electrode 6 the first absorption layer 2 and the first outer electrode 8th with the second substrate 10a . 10b and the elements arranged thereon.

Für ein möglichst deckungsgleiches Aufeinanderlegen der einzelnen Substrate 10, 10a, 10b mit den jeweiligen Detektionselementen können auf den einzelnen Elementen jeweils geeignete Registermarken aufgebracht werden. Somit ist ein präzises Zusammenfügen der einzelnen Schichten möglich. Hierdurch kann sichergestellt werden, dass die einzelnen Elemente der Elektroden 6, 7a und 7b deckungsgleich oder genau mit dem gewünschten Versatz aufeinander zu liegen kommen. For a most congruent stacking of the individual substrates 10 . 10a . 10b With the respective detection elements suitable register marks can be applied to the individual elements. Thus, a precise assembly of the individual layers is possible. This can ensure that the individual elements of the electrodes 6 . 7a and 7b congruent or exactly come to rest with the desired offset to each other.

Alternativ ist es jedoch auch möglich, auf das aufwändige Positionieren der einzelnen Elemente zu verzichten. Der in diesem Fall entstehende zufällige Versatz der einzelnen Elemente der Elektroden 6, 7a und 7b untereinander kann dabei später durch die angeschlossene Auswerteelektronik 11 bestimmt und kompensiert werden. Somit ist eine sehr kostengünstige Herstellung eines mehrschichtigen Strahlungsdetektors möglich. Alternatively, it is also possible to dispense with the time-consuming positioning of the individual elements. The random offset of the individual elements of the electrodes arising in this case 6 . 7a and 7b each other can later through the connected evaluation 11 be determined and compensated. Thus, a very cost-effective production of a multilayer radiation detector is possible.

Für die Verwendung der oben beschriebenen Strahlungsdetektoren ist es besonders vorteilhaft, wenn die Außenelektrode 8 und die erste Ausleseelektrode 6 mit der Ausleseschicht 4 mit ersten Anschlusselementen 12 verbunden werden und die zweite Außenelektrode 9, sowie die zweite Ausleseelektrode 7, 7a, 7b mit der zweiten Ausleseschicht 5, 5a, 5b mit zweiten Anschlusselementen 13, 13a, 13b verbunden werden. Somit stehen die Elektrodenanschlüsse der einzelnen Elemente des Strahlungsdetektors für eine separate Auswertung zur Verfügung. For the use of the radiation detectors described above, it is particularly advantageous if the outer electrode 8th and the first readout electrode 6 with the selection layer 4 with first connection elements 12 be connected and the second outer electrode 9 , as well as the second readout electrode 7 . 7a . 7b with the second readout layer 5 . 5a . 5b with second connection elements 13 . 13a . 13b get connected. Thus, the electrode terminals of the individual elements of the radiation detector are available for a separate evaluation.

Der erfindungsgemäße Strahlungsdetektor kann somit für eine sehr schnelle Ermittlung einer Strahlungsmenge eingesetzt werden. Da die einzelnen Absorptionsschichten besonders dünn ausgeführt werden können, können somit Strahlungsimpulse von einer Millisekunde und weniger noch aufgelöst werden. The radiation detector according to the invention can thus be used for a very rapid determination of a radiation quantity. Since the individual absorption layers can be made particularly thin, thus radiation pulses of one millisecond and less can still be resolved.

Darüber hinaus ermöglicht der erfindungsgemäße Strahlungsdetektor auch die Detektion sehr hoher Strahlungsmengen mit guter Effizienz. Hohe Strahlungsmengen erfordern für die Detektion eine Absorptionsschicht mit einer hohen Schichtdicke. In addition, the radiation detector according to the invention also enables the detection of very high radiation quantities with good efficiency. High radiation levels require an absorption layer with a high layer thickness for the detection.

Diese hohe Schichtdicke kann mit dem erfindungsgemäßen Strahlungsdetektor in mehrere dünnere Einzelschichten unterteilt werden. Diese Einzelschichten können daraufhin separat ausgewertet werden. Für die räumliche Auflösung der detektierten Strahlung werden dabei die Elektroden 6, 7, 7a und 7b jeweils in einzelne Teilbereiche strukturiert und jeder einzelne dieser Teilbereiche wird separat erfasst und ausgewertet. Zusammenfassung This high layer thickness can be subdivided with the radiation detector according to the invention into a plurality of thinner individual layers. These individual layers can then be evaluated separately. For the spatial resolution of the detected radiation while the electrodes 6 . 7 . 7a and 7b Each of these subareas is recorded and evaluated separately. Summary

Zusammenfassend betrifft die vorliegende Erfindung einen Strahlungsdetektor zur Konversion einfallender Strahlung mit verbesserter Effizienz und erhöhter Detektionsgeschwindigkeit. Die für die Strahlungsdetektion erforderliche Absorptionsschicht wird hierzu in mehrere einzelne, dünnere Absorptionsschichten unterteilt und jeweils separat erfasst. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors mit verbesserter Effizienz und Detektionsgeschwindigkeit. In summary, the present invention relates to a radiation detector for converting incident radiation with improved efficiency and increased detection speed. For this purpose, the absorption layer required for the radiation detection is subdivided into a plurality of individual, thinner absorption layers and detected separately in each case. The invention also relates to a method for producing a radiation detector with improved efficiency and detection speed.

Claims (15)

Strahlungsdetektor zur Konversion einfallender Strahlung, umfassend ein erstes Substrat (10); eine erste Ausleseelektrode (6), die auf dem ersten Substrat (10) angeordnet ist; eine erste Absorptionsschicht (2), die auf der ersten Ausleseelektrode (6) angeordnet ist; eine erste Außenelektrode (8), die auf der ersten Absorptionsschicht (2) angeordnet ist; eine zweite Ausleseelektrode (7, 7a, 7b); eine zweite Absorptionsschicht (3, 3a, 3b), die auf der zweiten Ausleseelektrode (7, 7a, 7b) angeordnet ist; eine zweite Außenelektrode (9, 9a, 9b), die auf der zweiten Absorptionsschicht (3, 3a, 3b) angeordnet ist. Radiation detector for converting incident radiation comprising a first substrate ( 10 ); a first readout electrode ( 6 ) on the first substrate ( 10 ) is arranged; a first absorption layer ( 2 ) located on the first readout electrode ( 6 ) is arranged; a first outer electrode ( 8th ), which on the first absorption layer ( 2 ) is arranged; a second readout electrode ( 7 . 7a . 7b ); a second absorption layer ( 3 . 3a . 3b ) located on the second readout electrode ( 7 . 7a . 7b ) is arranged; a second outer electrode ( 9 . 9a . 9b ) deposited on the second absorption layer ( 3 . 3a . 3b ) is arranged. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1, wobei das erste Substrat (10) aus einem flexiblem Material hergestellt ist. A radiation detector according to claim 1, wherein the first substrate ( 10 ) is made of a flexible material. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite Ausleseelektrode (7) auf dem ersten Substrat (10) angeordnet ist. Radiation detector according to claim 1 or 2, wherein the second readout electrode ( 7 ) on the first substrate ( 10 ) is arranged. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend ein zweites Substrat (10a, 10b), wobei die zweite Ausleseelektrode (3a, 3b) auf dem zweiten Substrat (10a, 10b) angeordnet ist. A radiation detector according to claim 1 or 2, further comprising a second substrate ( 10a . 10b ), wherein the second readout electrode ( 3a . 3b ) on the second substrate ( 10a . 10b ) is arranged. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, ferner umfassend erste Anschlusselemente (12) zur Kontaktierung der ersten Ausleseelektrode (6) und der ersten Außenelektrode (8); und zweiten Anschlusselemente (13, 13a, 13b) zur Kontaktierung der zweiten Ausleseelektrode (7, 7a, 7b) und der zweiten Außenelektrode (9). Radiation detector according to one of claims 1 to 4, further comprising first connection elements ( 12 ) for contacting the first readout electrode ( 6 ) and the first outer electrode ( 8th ); and second connection elements ( 13 . 13a . 13b ) for contacting the second readout electrode ( 7 . 7a . 7b ) and the second outer electrode ( 9 ). Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 5 wobei die erste Ausleseelektrode (6) eine Mehrzahl von ersten Elektrodenelementen umfasst; und wobei die zweite Ausleseelektrode (7, 7a, 7b) eine Mehrzahl von zweiten Elektrodenelementen umfasst. Radiation detector according to one of claims 1 to 5, wherein the first readout electrode ( 6 ) comprises a plurality of first electrode elements; and wherein the second readout electrode ( 7 . 7a . 7b ) comprises a plurality of second electrode elements. Strahlungsdetektor nach Anspruch 6, wobei die Mehrzahl von ersten Elektrodenelementen eine von der Mehrzahl von zweiten Elektrodenelementen verschiedene Größe aufweist. The radiation detector according to claim 6, wherein the plurality of first electrode elements has a size different from the plurality of second electrode elements. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die erste Absorptionsschicht (2) Absorptionseigenschaften aufweist, die sich von den Absorptionseigenschaften der zweiten Absorptionsschicht (3, 3a, 3b) unterscheiden. Radiation detector according to one of claims 1 to 7, wherein the first absorption layer ( 2 ) Has absorption properties which differ from the absorption properties of the second absorption layer ( 3 . 3a . 3b ). Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner umfassend eine Strahlungsfilterschicht (15). A radiation detector according to any one of claims 1 to 8, further comprising a radiation filter layer (16). 15 ). Strahlungsdetektor nach Anspruch 9, wobei die Strahlungsfilterschicht (15) in das erste Substrat (10) oder das zweite Substrat (10a, 10b) integriert ist. Radiation detector according to claim 9, wherein the radiation filter layer ( 15 ) in the first substrate ( 10 ) or the second substrate ( 10a . 10b ) is integrated. Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors mit den Schritten: Bereitstellen (110) eines ersten Substrats (10); Aufbringen (120) einer ersten Ausleseelektrode (6) auf eine erste Seite des ersten Substrats (10); Aufbringen (130) einer ersten Absorptionsschicht (2) auf die erste Ausleseelektrode (6); Aufbringen (140) einer ersten Außenelektrode (8) auf die erste Absorptionsschicht (2); Aufbringen (150) einer zweiten Ausleseelektrode (7) auf eine zweite Seite des Substrats (10); Aufbringen (160) einer zweiten Absorptionsschicht (3) die auf die zweiten Ausleseelektrode (7); und Aufbringen (170) einer zweiten Außenelektrode (9) auf die zweiten Absorptionsschicht (3). Method of manufacturing a radiation detector comprising the steps of: providing ( 110 ) of a first substrate ( 10 ); Application ( 120 ) of a first readout electrode ( 6 ) on a first side of the first substrate ( 10 ); Application ( 130 ) a first absorption layer ( 2 ) on the first readout electrode ( 6 ); Application ( 140 ) a first outer electrode ( 8th ) on the first absorption layer ( 2 ); Application ( 150 ) a second readout electrode ( 7 ) on a second side of the substrate ( 10 ); Application ( 160 ) a second absorption layer ( 3 ) on the second readout electrode ( 7 ); and applying ( 170 ) a second outer electrode ( 9 ) on the second absorption layer ( 3 ). Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors mit den Schritten: Bereitstellen (210) eines ersten Substrats (10); Aufbringen (220) einer ersten Ausleseelektrode (6) auf das erste Substrats (10); Aufbringen (230) einer ersten Absorptionsschicht (2) auf die erste Ausleseelektrode (6); Aufbringen (240) einer ersten Außenelektrode (8) auf die erste Absorptionsschicht (2); Bereitstellen (250) eines zweiten Substrats (10a, 10b); Aufbringen (260) einer zweiten Ausleseelektrode (7a, 7b) auf das zweite Substrat (10a, 10b); Aufbringen (270) einer zweiten Absorptionsschicht (3a, 3b) auf die zweiten Ausleseelektrode (7a, 7b); Aufbringen (280) einer zweiten Außenelektrode (9a, 9b) auf die zweiten Absorptionsschicht (3a, 3b); und Zusammenfügen (290) des ersten Substrats (10) mit der ersten Ausleseelektrode (6), der ersten Absorptionsschicht (2) und der ersten Außenelektrode (8) und des zweiten Substrats (10a, 10b) mit der zweiten Ausleseelektrode (7a, 7b), der zweiten Absorptionsschicht (3a, 3b) und der zweiten Außenelektrode (9a, 9b). Method of manufacturing a radiation detector comprising the steps of: providing ( 210 ) of a first substrate ( 10 ); Application ( 220 ) of a first readout electrode ( 6 ) on the first substrate ( 10 ); Application ( 230 ) a first absorption layer ( 2 ) on the first readout electrode ( 6 ); Application ( 240 ) a first outer electrode ( 8th ) on the first absorption layer ( 2 ); Provide ( 250 ) of a second substrate ( 10a . 10b ); Application ( 260 ) a second readout electrode ( 7a . 7b ) on the second substrate ( 10a . 10b ); Application ( 270 ) a second absorption layer ( 3a . 3b ) on the second readout electrode ( 7a . 7b ); Application ( 280 ) a second outer electrode ( 9a . 9b ) on the second absorption layer ( 3a . 3b ); and merging ( 290 ) of the first substrate ( 10 ) with the first readout electrode ( 6 ), the first absorption layer ( 2 ) and the first outer electrode ( 8th ) and the second substrate ( 10a . 10b ) with the second readout electrode ( 7a . 7b ), the second absorption layer ( 3a . 3b ) and the second outer electrode ( 9a . 9b ). Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors nach Anspruch 11 oder 12, ferner umfassend die Schritte: Verbinden der ersten Ausleseelektrode (6) und der ersten Außenelektrode (8) mit ersten Anschlusselementen (12); und Verbinden der zweiten Ausleseelektrode (7, 7a, 7b) und der zweiten Außenelektrode (9) mit zweiten Anschlusselementen (13, 13a, 13b). A method of manufacturing a radiation detector according to claim 11 or 12, further comprising the steps of: connecting the first readout electrode (16) 6 ) and the first outer electrode ( 8th ) with first connection elements ( 12 ); and connecting the second readout electrode ( 7 . 7a . 7b ) and the second outer electrode ( 9 ) with second connection elements ( 13 . 13a . 13b ). Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der Schritt (120, 220) zum Aufbringen einer ersten Ausleseelektrode (6) ferner einen Schritt zum Strukturieren der Ausleseelektrode in eine Mehrzahl von ersten Elektrodenelementen (6) umfasst; und der Schritt (150, 260) zum Aufbringen einer zweiten Ausleseelektrode ferner einen Schritt zum Strukturieren der Ausleseelektrode in eine Mehrzahl von zweiten Elektrodenelementen (7) umfasst. A method of manufacturing a radiation detector according to any one of claims 11 to 13, the step ( 120 . 220 ) for applying a first readout electrode ( 6 ) further comprises a step of patterning the readout electrode into a plurality of first electrode elements ( 6 ); and the step ( 150 . 260 ) for applying a second readout electrode further comprises a step of patterning the readout electrode into a plurality of second electrode elements ( 7 ). Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors nach Anspruch 14, mit den Schritten Aufbringen einer ersten Ausleseschicht (4) auf das erste Substrat (10), und Aufbringen einer zweiten Ausleseschicht (5a, 5b) auf das zweite Substrat (10a, 10b); wobei in dem Schritt (120, 220) zum Aufbringen der ersten Ausleseelektrode (4) die Ausleseelektrode (4) auf die erste Ausleseschicht (4) aufgebracht wird; und in dem Schritt (150, 260) zum Aufbringen der zweiten Ausleseelektrode (5a, 5b) die Ausleseelektrode (7a, 7b) auf die zweite Ausleseschicht (5a, 5b) aufgebracht wird. A method of manufacturing a radiation detector according to claim 14, comprising the steps of applying a first readout layer ( 4 ) on the first substrate ( 10 ), and applying a second readout layer ( 5a . 5b ) on the second substrate ( 10a . 10b ); wherein in the step ( 120 . 220 ) for applying the first readout electrode ( 4 ) the readout electrode ( 4 ) to the first read layer ( 4 ) is applied; and in the step ( 150 . 260 ) for applying the second readout electrode ( 5a . 5b ) the readout electrode ( 7a . 7b ) to the second readout layer ( 5a . 5b ) is applied.

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