DE102012105691B4 - Method for depositing an electrophoretically deposited particulate layer, radiation-emitting semiconductor component and optical element - Google Patents

Method for depositing an electrophoretically deposited particulate layer, radiation-emitting semiconductor component and optical element Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretischen Schicht (11) mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Substrates (1),
- zumindest teilweises Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (7) auf das Substrat (1), die dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner (12) zumindest teilweise ein Salz auszubilden,
- Abscheiden einer elektrophoretischen Schicht (11) auf der elektrisch leitenden Schicht (7) in einem Elektrophoresebad (8), und
- Einbringen zumindest der elektrisch leitenden Schicht (7) in den protischen Reaktionspartner (8), so dass die elektrisch leitende Schicht (7) zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner (12) ausbildet, wobei der protische Reaktionspartner ein Amin beinhaltet.

Figure DE102012105691B4_0000
Method for depositing an electrophoretic layer (11) with the following steps:
Providing a substrate (1),
at least partially applying an electrically conductive layer (7) to the substrate (1) which is suitable for at least partially forming a salt with a protic reactant (12),
Depositing an electrophoretic layer (11) on the electrically conductive layer (7) in an electrophoresis bath (8), and
- Introducing at least the electrically conductive layer (7) in the protic reactant (8), so that the electrically conductive layer (7) at least partially forms a salt with the protic reactant (12), wherein the protic reactant includes an amine.
Figure DE102012105691B4_0000

Description

Es wird ein Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Schicht angegeben. Weiterhin werden ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und ein optisches Element angegeben.A process for the deposition of an electrophoretically deposited particulate layer is given. Furthermore, a radiation-emitting semiconductor component and an optical element are specified.

Ein Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretischen Schicht ist beispielsweise in der Druckschrift US 6,576,488 B2 beschrieben. Hierbei wird das Substrat mit einer elektrisch leitenden Schicht versehen, um die Oberfläche, auf die die elektrophoretisch abgeschiedene partikuläre Schicht aufgebracht werden soll, elektrisch leitend auszubilden. Die elektrisch leitende Schicht verbleibt hierbei unverändert in dem späteren Bauelement. Hierdurch kann es beim späteren Betrieb des Bauteils zu Kurzschlüssen kommen. Weiterhin kann es aufgrund der elektrisch leitenden Schicht zu einer zusätzlichen unerwünschten Lichtabsorption kommen. Auch Materialien mit einem hohen Absorptionskoeffizienten für sichtbares Licht sind nicht für die elektrisch leitende Schicht geeignet.A method for depositing an electrophoretic layer is, for example, in the document US 6,576,488 B2 described. In this case, the substrate is provided with an electrically conductive layer in order to form the surface to which the electrophoretically deposited particulate layer is to be applied in an electrically conductive manner. The electrically conductive layer remains unchanged in the later component. This can lead to short circuits during later operation of the component. Furthermore, due to the electrically conductive layer, additional undesired light absorption may occur. Also, materials having a high absorption coefficient for visible light are not suitable for the electrically conductive layer.

Auch die Druckschrift JP 2007305773 A offenbart ein Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretischen Schicht.Also the publication JP 2007305773 A discloses a method for depositing an electrophoretic layer.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur elektrophoretischen Abscheidung einer elektrophoretischen Schicht anzugeben.The object of the present invention is to provide an improved method for the electrophoretic deposition of an electrophoretic layer.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen sowie Weiterbildungen des Verfahrenssind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This object is achieved by a method with the steps of claim 1. Advantageous embodiments and further developments of the method are indicated in the dependent claims.

Bei einem Verfahren zur elektrophoretischen Abscheidung einer elektrophoretischen partikulären Schicht wird in einem ersten Schritt ein Substrat bereitgestellt. Auf das Substrat wird zumindest teilweise eine elektrisch leitende Schicht aufgebracht. Die elektrisch leitende Schicht ist hierbei insbesondere dazu geeignet, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden. Auf die elektrisch leitende Schicht wird eine elektrophoretische partikuläre Schicht in einem Elektrophoresebad abgeschieden.In a method for the electrophoretic deposition of an electrophoretic particulate layer, a substrate is provided in a first step. At least partially an electrically conductive layer is applied to the substrate. In this case, the electrically conductive layer is particularly suitable for at least partially forming a salt with a protic reaction partner. An electrophoretic particulate layer in an electrophoresis bath is deposited on the electrically conductive layer.

Nach dem elektrophoretischen Abscheiden der elektrophoretischen partikulären Schicht wird dann zumindest die elektrisch leitende Schicht in den protischen Reaktionspartner eingebracht, sodass die elektrisch leitende Schicht zumindest teilweise ein Salz mit einem Bestandteil des protischen Reaktionspartner ausbildet.After the electrophoretic deposition of the electrophoretic particulate layer, at least the electrically conductive layer is then introduced into the protic reaction partner so that the electrically conductive layer at least partially forms a salt with a constituent of the protic reactant.

Das Material M der elektrisch leitenden Schicht wird hierbei mit einem protischen Reaktionspartner der allgemeinen Formel ROH in der Regel wie folgt umgesetzt: M+ROH→M(OR)+H2 The material M of the electrically conductive layer is in this case reacted as follows with a protic reaction partner of the general formula ROH as follows: M + ROH → M (OR) + H 2

Weist die elektrisch leitende Schicht beispielsweise Aluminium auf, so bildet das Aluminium mit Wasser als protischen Reaktionspartner wie folgt ein Salz aus: 2Al+6H2O→2AL(OH)3+2H2 If the electrically conductive layer comprises, for example, aluminum, then the aluminum forms a salt with water as the protic reaction partner as follows: 2Al + 6H 2 O → 2AL (OH) 3 + 2H 2

Das Wasser als protischer Reaktionspartner kann hierbei als Flüssigkeit oder gasförmig als Wasserdampf vorliegen.The water as a protic reactant can be present as liquid or gaseous as water vapor.

Alternativ könnte beispielsweise auch Salzsäure als protischer Reaktionspartner für eine Aluminum-haltige elektrisch leitende Schicht verwendet werden. Die Salzbildung würde dann beispielsweise nach folgendem Schema ablaufen: Al+HCl→AlCl3+H2 Alternatively, for example, hydrochloric acid could be used as a protic reactant for an aluminum-containing electrically conductive layer. The salt formation would then proceed according to the following scheme, for example: Al + HCl → AlCl 3 + H 2

Weist die elektrisch leitende Schicht beispielsweise Natrium auf, so bildet das Natrium mit Wasser als protischen Reaktionspartner in der Regel wie folgt ein Salz aus: 2Na+4H2O→2Na(OH)2+2H2 If the electrically conductive layer comprises, for example, sodium, the sodium usually forms a salt with water as the protic reactant, as follows: 2Na + 4H 2 O → 2Na (OH) 2 + 2H 2

Weist die elektrisch leitende Schicht beispielsweise Silizium auf, so bildet das Silizium mit Salzsäure als protischen Reaktionspartner in der Regel wie folgt ein Salz aus: Si+3HCl→HSiCl3+H2 If the electrically conductive layer comprises, for example, silicon, the silicon generally forms a salt with hydrochloric acid as the protic reactant, as follows: Si + 3HCl → HSiCl 3 + H 2

Die chemische Reaktion zwischen dem Material der elektrisch leitenden Schicht und dem protischen Reaktionspartner kann in der Regel durch Zugabe von Basen oder Laugen vorteilhafterweise beschleunigt werden. Die chemische Reaktion zwischen dem Material der elektrisch leitenden Schicht und dem protischen Reaktionspartner kann weiterhin direkt in dem protischen Reaktionspartner stattfinden oder aber auch in einem aprotischen Lösungsmittel, dem der protische Reaktionspartner in einer entsprechenden Menge hinzugefügt ist.The chemical reaction between the material of the electrically conductive layer and the protic reactant can be advantageously accelerated by the addition of bases or alkalis as a rule. The chemical reaction between the material of the electrically conductive layer and the protic reactant can continue to take place directly in the protic reactant or else in an aprotic solvent to which the protic reactant is added in an appropriate amount.

Die Verwendung einer elektrisch leitenden Schicht zur nachfolgenden elektrophoretischen Abscheidung einer elektrophoretischen partikulären Schicht weist den Vorteil auf, dass es in der Regel nicht mehr zu einer inhomogenen elektrophoretischen Abscheidung aufgrund unterschiedlicher Materialien des Substrats kommt. Weiterhin können auch nichtleitende Substrate mit Hilfe der elektrisch leitenden Schicht mit einer elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Schicht versehen werden. Ein weiterer Vorteil des hier beschriebenen Verfahrens ist, dass durch die Umsetzung des Materials der elektrisch leitenden Schicht zu einem Salz auch die Verwendung optisch stark absorbierender Materialien für die elektrisch leitende Schicht möglich ist.The use of an electrically conductive layer for the subsequent electrophoretic deposition of an electrophoretic particulate layer has the advantage that it usually no longer comes to an inhomogeneous electrophoretic deposition due to different materials of the substrate. Furthermore, non-conductive substrates using the electric conductive layer are provided with an electrophoretically deposited particulate layer. Another advantage of the method described here is that the conversion of the material of the electrically conductive layer into a salt also makes it possible to use optically highly absorbent materials for the electrically conductive layer.

Dem vorliegenden Verfahren liegt insbesondere die Idee zugrunde, dass die elektrisch leitende Schicht nach der elektrophoretischen Abscheidung zumindest teilweise in ein Salz umgewandelt wird. Ein Salz weist in der Regel eine vergleichsweise niedrige elektrische Leitfähigkeit gegenüber anderen Materialien, wie beispielsweise einem Metall, einer Metalllegierung, einem Halbmetall oder einem Halbleiter, auf. Auf diese Art und Weise werden die elektrische Leitfähigkeit der elektrisch leitenden Schicht, und damit auch die Wahrscheinlichkeit für Kurzschlüsse innerhalb des späteren Bauelementes zumindest verringert. Insbesondere ist es möglich, das zu beschichtende Substrat vollflächig mit der elektrisch leitenden Schicht zu beschichten. Es ist mit Vorteil weiterhin möglich, die elektrisch leitende Schicht zusammenhängend über elektrischen Kontakten des Substrats aufzubringen, die sogar unterschiedliche Polaritäten haben können.The present method is based in particular on the idea that the electrically conductive layer is at least partially converted into a salt after the electrophoretic deposition. A salt typically has a comparatively low electrical conductivity over other materials, such as a metal, a metal alloy, a semimetal, or a semiconductor. In this way, the electrical conductivity of the electrically conductive layer, and thus also the probability of short circuits within the later component are at least reduced. In particular, it is possible to coat the substrate to be coated over its entire area with the electrically conductive layer. It is also advantageously possible to apply the electrically conductive layer in a continuous manner via electrical contacts of the substrate, which may even have different polarities.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens ist die elektrisch leitende Schicht im Wesentlichen chemisch inert gegenüber einem organischen Lösungsmittel des Elektrophoresebads. Mit dem Begriff „chemisch inert“ ist hierbei gemeint, dass die elektrisch leitende Schicht keine wesentliche chemische Reaktion mit dem organischen Lösungsmittel eingeht, wobei in der Realität eine geringfügige chemische Reaktion zwischen zwei Materialien in der Regel nicht vollständig ausgeschlossen werden kann.In a particularly preferred embodiment of the method, the electrically conductive layer is substantially chemically inert to an organic solvent of the electrophoresis bath. By the term "chemically inert" is meant that the electrically conductive layer does not undergo any significant chemical reaction with the organic solvent, and in reality a minor chemical reaction between two materials can not be completely ruled out as a rule.

Besonders bevorzugt weist die elektrisch leitende Schicht ein Metall, eine Metalllegierung, ein Halbmetall oder ein Halbleitermaterial auf oder ist aus einem Metall, einem Halbmetall oder einem Halbleitermaterial gebildet. Beispielsweise weist die elektrisch leitende Schicht eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Lithium, Natrium, Kalium, Rubidium, Cäsium, Beryllium, Calcium, Magnesium, Strontium, Barium, Scandium, Titan, Aluminium, Silizium, Gallium, Zinn, Zirkonium, Zinkoxid, Zinksulfid, Zinkselenid, Zinktellurid, Zinnoxid.The electrically conductive layer particularly preferably comprises a metal, a metal alloy, a semimetal or a semiconductor material or is formed from a metal, a semimetal or a semiconductor material. For example, the electrically conductive layer comprises one of the following materials or is formed from one of the following materials: lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, calcium, magnesium, strontium, barium, scandium, titanium, aluminum, silicon, gallium, Tin, zirconium, zinc oxide, zinc sulfide, zinc selenide, zinc telluride, tin oxide.

Die elektrisch leitende Schicht weist besonders bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 20 µm auf. Besonders bevorzugt weist die elektrisch leitende Schicht eine Dicke zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 300 nm auf.The electrically conductive layer particularly preferably has a thickness of between 20 nm and 20 μm inclusive. Particularly preferably, the electrically conductive layer has a thickness of between 20 nm and 300 nm inclusive.

Bevorzugt weist die elektrische Schicht eine elektrische Leitfähigkeit von mindestens 1 Siemens/Meter auf. Eine derartige elektrische Leitfähigkeit ermöglicht mit Vorteil einen ausreichenden Ladungstransport auch bei vergleichsweise dünnen elektrisch leitenden Schichten, die etwa eine Dicke zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 300 nm aufweisen.The electrical layer preferably has an electrical conductivity of at least 1 Siemens / meter. Such electrical conductivity advantageously allows sufficient charge transport even with comparatively thin electrically conductive layers having a thickness of between about 20 nm and 300 nm inclusive.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens ist der protische Reaktionspartner in einer Flüssigkeit oder einem Gas enthalten oder liegt als Flüssigkeit oder als Gas vor.According to one embodiment of the method, the protic reactant is contained in a liquid or a gas or is present as a liquid or as a gas.

Der protische Reaktionspartner enthält ein Amin. Der protische Reaktionspartner kann außerdem auch Wasser, einen Alkohol, eine Carbonsäure, eine Mineralsäure oder ein Amid aufweisen. Als protischer Reaktionspartner kann auch Wasser, ein Alkohol, eine Carbonsäure, eine Mineralsäure, ein Amid oder eine Mischung mindestens zweier solcher Materialien verwendet werden.The protic reactant contains an amine. The protic reactant may also comprise water, an alcohol, a carboxylic acid, a mineral acid or an amide. Water, an alcohol, a carboxylic acid, a mineral acid, an amide or a mixture of at least two such materials can also be used as the protic reactant.

Die elektrisch leitende Schicht kann beispielsweise durch thermisches Aufdampfen oder Sputtern auf das Substrat aufgebracht werden.The electrically conductive layer can be applied to the substrate by thermal vapor deposition or sputtering, for example.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die elektrisch leitende Schicht strukturiert auf das Substrat aufgebracht. Unter Verwendung eines elektrisch isolierenden Substrats wird auf diese Art und Weise die elektrophoretische partikuläre Schicht gezielt nur auf Teilbereichen des Substrats, nämlich auf denen, die mit der elektrisch leitenden Schicht versehen sind, abgeschieden. Die Bereiche des Substrats, die nicht mit der elektrisch leitenden Schicht versehen werden sollen, können beim Abscheiden der elektrisch leitenden Schicht beispielsweise mittels Schattenmasken oder einer Fotolackschicht geschützt werden.According to one embodiment of the method, the electrically conductive layer is applied in a structured manner to the substrate. In this way, using an electrically insulating substrate, the electrophoretic particulate layer is selectively deposited only on partial areas of the substrate, namely on those provided with the electrically conductive layer. The regions of the substrate which are not to be provided with the electrically conductive layer can be protected during the deposition of the electrically conductive layer, for example by means of shadow masks or a photoresist layer.

Gemäß einer Ausführungsform weist das Elektrophoresebad als organisches Lösungsmittel eines der folgenden Stoffe auf: Alkohol, Keton, Aromat, Aldehyd. Diese Materialien reagieren in der Regel mit Vorteil nicht oder nur in sehr geringem Maße mit einem Metall, einer Metalllegierung, einem Halbmetall oder einem Halbleitermaterial, also dem bevorzugten Material für die elektrisch leitende Schicht.According to one embodiment, the electrophoresis bath contains as organic solvent one of the following substances: alcohol, ketone, aromatic, aldehyde. As a rule, these materials do not react, or only to a very limited extent, with a metal, a metal alloy, a semimetal or a semiconductor material, ie the preferred material for the electrically conductive layer.

Bei dem vorliegenden Verfahren wird das Material der elektrisch leitenden Schicht bevorzugt teilweise oder vollständig in ein Salz umgewandelt. Das gebildete Salz verbleibt entweder in dem Bauelement oder wird zumindest teilweise mit einem Lösungsmittel herausgewaschen.In the present method, the material of the electrically conductive layer is preferably partially or completely converted to a salt. The formed salt either remains in the device or is at least partially washed out with a solvent.

Die elektrophoretisch aufgebrachte partikuläre Schicht weist in der Regel Poren auf, durch die der protische Reaktionspartner in flüssiger oder gasförmiger Form, aber auch das Lösungsmittel zum Herauswaschen des Salzes zu der elektrisch leitenden Schicht beziehungsweise zu dem gebildeten Salz gelangen kann. Auf diese Art und Weise kann die chemische Reaktion zwischen dem protischen Reaktionspartner und der elektrisch leitenden Schicht erfolgen. Weiterhin kann auch das gebildete Salz in das Lösungsmittel zum Auswaschen hinein diffundieren.The electrophoretically applied particulate layer usually has pores through which the protic reactant in liquid or gaseous form, but also the solvent for washing out the salt can reach the electrically conductive layer or to the salt formed. In this way, the chemical reaction between the protic reactant and the electrically conductive layer can take place. Furthermore, the salt formed can also diffuse into the solvent for washing out.

Die elektrophoretisch abgeschiedene Schicht kann beispielsweise Partikel eines Leuchtstoffs oder Partikel eines reflektierenden Materials aufweisen oder aus Partikeln eines Leuchtstoffs oder Partikel eines reflektierenden Materials gebildet sein.The electrophoretically deposited layer may, for example, comprise particles of a phosphor or particles of a reflective material or be formed from particles of a phosphor or particles of a reflective material.

Als reflektierendes Material wird besonders bevorzugt Titanoxid oder Aluminiumoxid verwendet.Titanium oxide or aluminum oxide is particularly preferably used as the reflective material.

Als Leuchtstoff für die elektrophoretisch abgeschiedene partikuläre Schicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien verwendet werden: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone.As the phosphor for the electrophoretically deposited particulate layer, for example, one of rare earth-doped garnets, rare-earth-doped alkaline earth sulfides, rare earth-doped thiogallates, rare earth-doped aluminates, rare-earth-doped silicates, rare earths can be used doped orthosilicates, rare earth doped chlorosilicates, rare earth doped alkaline earth silicon nitrides, rare earth doped oxynitrides, rare earth doped aluminum oxynitrides, rare earth doped silicon nitrides, rare earth doped sialons.

Insbesondere sind Ce3+-dotierte Granate, etwa YAG:Ce und LuAG:Ce als Leuchtstoffe geeignet. Als geeigneter LuAG:Ce Leuchtstoff sei etwa (Y,Lu)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ genannt. Weiterhin sind insbesondere Eu2+-dotierte Nitride, wie CaAlSiN3:Eu2+, (Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+; Eu2+-dotierte Sulfide, SiONe, SiAlON, Orthosilikate, wie beispielsweise (Ba,Sr)2SiO4:EU 2+, Chlorosilikate, Chlorophosphate, BAM (Bariummagnesiumaluminat:Eu), Halophosphate als Leuchtstoffe geeignet.In particular, Ce 3+ -doped garnets, such as YAG: Ce and LuAG: Ce are suitable as phosphors. As a suitable LuAG: Ce phosphor may be mentioned as (Y, Lu) 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce 3+ . Furthermore, in particular Eu 2+ -doped nitrides, such as CaAlSiN 3 : Eu 2 +, (Ba, Sr) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ ; Eu 2+ -doped sulfides, SiONs, SiAlON, orthosilicates, such as (Ba, Sr) 2 SiO 4 : E U 2+ , chlorosilicates, chlorophosphates, BAM (barium magnesium aluminate: Eu), Halophosphate suitable as phosphors.

Mit dem vorliegenden Verfahren kann insbesondere ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement hergestellt werden. Hierbei kann als Substrat ein Träger mit mindestens einem Leuchtdiodenchip verwendet.In particular, a radiation-emitting semiconductor component can be produced with the present method. In this case, the substrate used may be a carrier with at least one light-emitting diode chip.

Der Träger ist beispielsweise ein Keramikelement, auf das der mindestens eine Leuchtdiodenchip aufgebracht ist. Bei dem vorliegenden Verfahren wird dann entweder vollflächig oder strukturiert die elektrisch leitende Schicht über dem Träger und/oder über dem Leuchtdiodenchip aufgebracht und beispielsweise eine Leuchtstoffschicht als elektrophoretische partikuläre Schicht in dem Elektrophoresebad abgeschieden.The carrier is, for example, a ceramic element, to which the at least one light-emitting diode chip is applied. In the present method, the electrically conductive layer is then applied over the carrier and / or over the light-emitting diode chip, either over the entire area or structured, and, for example, a phosphor layer is deposited as an electrophoretic particulate layer in the electrophoresis bath.

Die elektrophoretisch abgeschiedene partikuläre Leuchtstoffschicht ist hierbei dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung des Leuchtdiodenchips zumindest teilweise in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs umzuwandeln.The electrophoretically deposited particulate phosphor layer is in this case provided to at least partially convert electromagnetic radiation of the light-emitting diode chip into radiation of another wavelength range.

Besonders bevorzugt wird hierbei die elektrophoretische partikuläre Leuchtstoffschicht zumindest auf der Strahlungsaustrittsfläche des Leuchtdiodenchips abgeschieden.In this case, the electrophoretic particulate phosphor layer is particularly preferably deposited at least on the radiation exit surface of the LED chip.

Weiterhin kann als Substrat zur Abscheidung der elektrophoretischen partikulären Leuchtstoffschicht auch ein Glasträger verwendet werden, der dazu vorgesehen ist, in den Strahlengang des Leuchtdiodenchips eingebracht zu werden.Furthermore, as a substrate for depositing the electrophoretic particulate phosphor layer and a glass substrate may be used, which is intended to be introduced into the beam path of the LED chip.

Weiterhin kann die elektrophoretische partikuläre Leuchtstoffschicht beispielsweise auch auf einem optischen Element - etwa einer Linse - abgeschieden werden, die beispielsweise ebenfalls zur Umwandlung von elektromagnetischer Strahlung innerhalb einer Leuchtdiode dient.Furthermore, the electrophoretic particulate phosphor layer, for example, on an optical element - such as a lens - are deposited, which also serves, for example, for the conversion of electromagnetic radiation within a light emitting diode.

Bei dem optischen Element kann es sich beispielsweise um eine Glaslinse oder um eine Silikonlinse handeln.The optical element may be, for example, a glass lens or a silicone lens.

Weiterhin kann eine elektrophoretische partikuläre Schicht auf dem Träger mit dem mindestens einen Leuchtdiodenchip abgeschieden werden, die ein reflektierendes Material umfasst oder aus einem reflektierenden Material gebildet ist. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um ein Keramiksubstrat handeln, wie oben beschrieben. Weiterhin ist es auch möglich, dass der Träger durch einen Leadframe gebildet ist, auf den mindestens ein Leuchtdiodenchip aufgebracht ist.Furthermore, an electrophoretic particulate layer can be deposited on the carrier with the at least one light-emitting diode chip, which comprises a reflective material or is formed from a reflective material. The carrier may be, for example, a ceramic substrate as described above. Furthermore, it is also possible for the carrier to be formed by a leadframe onto which at least one light-emitting diode chip is applied.

Der Träger kann ein Gehäusekörper sein, beispielsweise mit einer Ausnehmung, in die der Leuchtdiodenchip montiert ist. Der Gehäusekörper weist beispielsweise ein Kunststoffmaterial auf oder ist aus einem Kunststoffmaterial gebildet. Auch ein solcher Gehäusekörper kann mit Hilfe der elektrisch leitenden Schicht zumindest stellenweise mit einem elektrophoretisch abgeschiedenen Material, insbesondere mit einem reflektierenden Material, versehen werden.The carrier may be a housing body, for example with a recess into which the LED chip is mounted. The housing body has, for example, a plastic material or is formed from a plastic material. Such a housing body can also be provided at least in places with an electrophoretically deposited material, in particular with a reflective material, with the aid of the electrically conductive layer.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.

  • Anhand der schematischen Darstellungen der 1 bis 8 wird ein Verfahren gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 9 bis 11 B wird ein Verfahren gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • 12 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß einem Beispiel.
  • Anhand der 13 und 14 sowie 15 und 16 wird jeweils ein Verfahren gemäß zweier weiterer Ausführungsbeispiele beschrieben.
Further advantageous embodiments and developments of the invention will become apparent from the embodiments described below in conjunction with the figures.
  • Based on the schematic representations of 1 to 8th a method according to a first embodiment will be described.
  • Based on the schematic sectional views of 9 to 11 B becomes a procedure described according to another embodiment.
  • 12 shows a schematic sectional view of a radiation-emitting semiconductor device according to an example.
  • Based on 13 and 14 and FIGS. 15 and 16 each describe a method according to two further exemplary embodiments.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not to be considered to scale. On the contrary, individual elements, in particular layer thicknesses, can be exaggerated for better representability and / or better understanding.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 8 wird in einem ersten Schritt ein Substrat 1 bereitgestellt. Das Substrat 1 ist in den 1 und 2 schematisch dargestellt, wobei 2 eine schematische Schnittdarstellung des Substrats 1 entlang der Linie A-A' der 1 zeigt.In the method according to the embodiment of the 1 to 8th becomes a substrate in a first step 1 provided. The substrate 1 is in the 1 and 2 schematically shown, wherein 2 a schematic sectional view of the substrate 1 along the line AA 'the 1 shows.

Bei dem Substrat 1 handelt es sich vorliegend um einen Träger 2, auf den eine Vielzahl an Leuchtdiodenchips 3 aufgebracht ist. Der Träger 2 weist erste metallische Kontaktbereiche 4 und zweite metallische Kontaktbereiche 5 auf, die zur elektrischen Kontaktierung der Leuchtdiodenchips 3 dienen. Jeder Leuchtdiodenchip 3 ist auf einen ersten Anschlussbereich 4 aufgebracht und mittels eines Bonddrahtes 6 mit einem zweiten Anschlussbereich 5 elektrisch leitend verbunden. Die Leuchtdiodenchips 3 sind vorliegend in Form einer Matrix auf dem Träger 2 angeordnet.At the substrate 1 this is a carrier 2 , on the a variety of LED chips 3 is applied. The carrier 2 has first metallic contact areas 4 and second metallic contact areas 5 on, for the electrical contacting of the LED chips 3 serve. Each LED chip 3 is on a first connection area 4 applied and by means of a bonding wire 6 with a second connection area 5 electrically connected. The LED chips 3 are present in the form of a matrix on the support 2 arranged.

Jeder Leuchtdiodenchip 3 umfasst eine strahlungserzeugende aktive Zone, die dazu geeignet ist, im Betrieb des Leuchtdiodenchips 3 sichtbares Licht eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden. Besonders bevorzugt sendet der Leuchtdiodenchip 3 blaues Licht aus.Each LED chip 3 comprises a radiation-generating active zone suitable for operating the LED chip 3 to emit visible light of a first wavelength range. Particularly preferably, the light-emitting diode chip transmits 3 blue light off.

In einem nächsten Schritt, der schematisch in 3 dargestellt ist, wird auf das Substrat 1 eine elektrisch leitende Schicht 7 aufgebracht. Die elektrisch leitende Schicht 7 wird bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ganzflächig auf den Träger 1 aufgebracht, beispielsweise durch Aufdampfen oder Sputtern.In a next step, which is schematically in 3 is shown on the substrate 1 an electrically conductive layer 7 applied. The electrically conductive layer 7 is in the present embodiment over the entire surface of the carrier 1 applied, for example by vapor deposition or sputtering.

Die elektrisch leitende Schicht 7 ist dazu geeignet, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden. Beispielsweise weist die elektrisch leitende Schicht 7 eines der folgenden Materialien auf oder besteht aus einem der folgenden Materialien: Lithium, Natrium, Kalium, Rubidium, Cäsium, Beryllium, Calcium, Magnesium, Strontium, Barium, Scandium, Titan, Aluminium, Silizium, Gallium, Zinn, Zirkonium, Zinkoxid, Zinksulfid, Zinkselenid, Zinktellurid, Zinnoxid.The electrically conductive layer 7 is suitable for at least partially forming a salt with a protic reactant. For example, the electrically conductive layer 7 one or more of the following materials: lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, calcium, magnesium, strontium, barium, scandium, titanium, aluminum, silicon, gallium, tin, zirconium, zinc oxide, zinc sulfide , Zinc selenide, zinc telluride, tin oxide.

In einem nächsten Schritt, der schematisch in 4 dargestellt ist, wird das mit der elektrisch leitenden Schicht 7 beschichtete Substrat 1 in ein Elektrophoresebad 8 eingebracht. Das Elektrophoresebad 8 setzt sich vorliegend aus einem organischen Lösungsmittel 9 und Leuchtstoffpartikeln 10 zusammen, wobei die Leuchtstoffpartikel 10 dafür vorgesehen sind, auf der elektrisch leitenden Schicht 7 abgeschieden zu werden. Als organisches Lösungsmittel 9 enthält das Elektrophoresebad 8 beispielsweise eines der folgenden Stoffe: Alkohol, Keton, Aromat, Aldehyd.In a next step, which is schematically in 4 is shown, with the electrically conductive layer 7 coated substrate 1 in an electrophoresis bath 8th brought in. The electrophoresis bath 8th in the present case consists of an organic solvent 9 and phosphor particles 10 together, with the phosphor particles 10 are provided on the electrically conductive layer 7 to be separated. As an organic solvent 9 contains the electrophoresis bath 8th for example, one of the following substances: alcohol, ketone, aromatic, aldehyde.

Durch Anlegen einer elektrischen Spannung an das Elektrophoresebad 8 wandern die abzuscheidenden Leuchtstoffpartikel 10 in dem Elektrophoresebad 8 zu dem beschichteten Substrat 1 und lagern sich auf der elektrisch leitenden Schicht 7 ab, so dass eine elektrophoretisch abgeschiedene Schicht 11 aus Leuchtstoffpartikeln 10 entsteht. Nach der elektrophoretischen Abscheidung wird das beschichtete Substrat 1 wieder aus dem Elektrophoresebad 8 herausgenommen. Das mit der elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Leuchtstoffschicht 11 versehene Substrat 1 ist schematisch in 5 dargestellt. Die hier elektrophoretisch abgeschiedene Leuchtstoffschicht 11 ist mit Vorteil besonders gleichmäßig in der Dicke ausgebildet. Dies führt bei den fertigen Bauteilen zu einer besonders homogenen Lichtabstrahlung. Weiterhin werden bei dem Elektrophoreseverfahren mit Vorteil auch die Seitenflächen der Leuchtdiodenchips 3 beschichtet, so dass Licht des Leuchtdiodenchips 3, das über die Seitenflächen abgestrahlt wird, ebenfalls zumindest teilweise konvertiert wird. Auch dies trägt zu einem homogeneren Farbeindruck des von dem fertigen Bauteil ausgesandten Lichts bei.By applying an electrical voltage to the electrophoresis bath 8th migrate the deposited phosphor particles 10 in the electrophoresis bath 8th to the coated substrate 1 and deposit on the electrically conductive layer 7 so that an electrophoretically deposited layer 11 from phosphor particles 10 arises. After the electrophoretic deposition, the coated substrate becomes 1 again from the electrophoresis bath 8th removed. The with the electrophoretically deposited particulate phosphor layer 11 provided substrate 1 is schematic in 5 shown. The here electrophoretically deposited phosphor layer 11 is advantageously formed particularly uniform in thickness. This leads to a particularly homogeneous light emission in the finished components. Furthermore, in the electrophoresis method, the side surfaces of the LED chips are also advantageously used 3 coated so that light of the LED chip 3 , which is emitted via the side surfaces, is also at least partially converted. This also contributes to a more homogeneous color impression of the light emitted by the finished component.

In einem nächsten Schritt, der schematisch in 6 dargestellt ist, wird das Substrat 1 mit der elektrisch leitenden Schicht 7 und der elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Leuchtstoffschicht 11 in einen protischen Reaktionspartner 12 eingebracht, sodass die elektrisch leitende Schicht 7 zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner 12 ausbildet. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel handelt es sich bei dem protischen Reaktionspartner 12 um eine Flüssigkeit. Alternativ kann der protische Reaktionspartner 12 auch in der Gasphase vorliegen.In a next step, which is schematically in 6 is shown, the substrate 1 with the electrically conductive layer 7 and the electrophoretically deposited particulate phosphor layer 11 into a protic reaction partner 12 introduced so that the electrically conductive layer 7 at least partially a salt with the protic reactant 12 formed. In the present embodiment, the protic reactant is 12 to a liquid. Alternatively, the protic reactant 12 also in the gas phase.

Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel weist die elektrophoretisch abgeschiedene partikuläre Leuchtstoffschicht 11 Poren auf, so dass der protische Reaktionspartner 12 durch die Poren hindurch zu der elektrisch leitenden Schicht 7 gelangt und zumindest teilweise ein Salz mit der elektrisch leitenden Schicht 7 ausbildet (7). Zwischen dem Substrat 1 mit den Leuchtdiodenchips 3 und der elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Leuchtstoffschicht 11 befindet sich nun eine Schicht 7', die zumindest teilweise als Salz ausgebildet ist. Insbesondere ist die elektrisch leitende Schicht 7 derart zumindest teilweise in ein Salz umgewandelt, dass Kurzschlüsse, beispielsweise zwischen dem ersten 4 Anschlussbereich und dem zweiten Anschlussbereich 5 eines Leuchtdiodenchips 3 vermieden werden.In the present embodiment, the electrophoretically deposited particulate phosphor layer 11 Pores on, so that protic reactants 12 through the pores to the electrically conductive layer 7 passes and at least partially a salt with the electrically conductive layer 7 trains ( 7 ). Between the substrate 1 with the LED chips 3 and the electrophoretically deposited particulate phosphor layer 11 there is now a layer 7 ' which is at least partially formed as a salt. In particular, the electrically conductive layer 7 thus at least partially converted into a salt that short circuits, for example, between the first 4 Connection area and the second connection area 5 a light-emitting diode chip 3 be avoided.

In einem nächsten Schritt wird nun das gebildete Salz mit einem Lösungsmittel zumindest teilweise aus dem Bauteil herausgewaschen (8).In a next step, the salt formed is now at least partially washed out of the component with a solvent ( 8th ).

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 9 bis 11 handelt es sich im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 8 bei dem Substrat 1 um ein optisches Element. Vorliegend wird als optisches Element eine Linse verwendet, die beispielsweise aus Silikon oder Glas hergestellt sein kann. Die Linse ist in einer schematischen Schnittdarstellung in 9 gezeigt. Die Linse weist eine Strahlungseintrittsfläche 13 und eine Strahlungsaustrittsfläche 14 auf.In the method according to the embodiment of the 9 to 11 it is in contrast to the embodiment of the 1 to 8th at the substrate 1 around an optical element. In the present case, a lens is used as the optical element, which may be made of silicone or glass, for example. The lens is shown in a schematic sectional view in FIG 9 shown. The lens has a radiation entrance surface 13 and a radiation exit surface 14 on.

In einem nächsten Schritt, der schematisch in 10 dargestellt ist, wird eine elektrisch leitende Schicht 7 auf der Strahlungsaustrittsfläche 14 der Linse abgeschieden, beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen. Die elektrisch leitende Schicht 7 weist beispielsweise ein Metall, eine Metalllegierung, ein Halbmetall oder ein Halbleitermaterial auf.In a next step, which is schematically in 10 is shown, an electrically conductive layer 7 on the radiation exit surface 14 the lens deposited, for example by sputtering or vapor deposition. The electrically conductive layer 7 has, for example, a metal, a metal alloy, a semimetal or a semiconductor material.

In einem weiteren Schritt, der schematisch in 11A dargestellt ist, wird nun eine Leuchtstoffschicht 11 mit Leuchtstoffpartikeln auf der elektrisch leitenden Schicht 7 elektrophoretisch abgeschieden.In a further step, which is schematically in 11A is now shown, a phosphor layer 11 with phosphor particles on the electrically conductive layer 7 electrophoretically deposited.

In einem weiteren Schritt wird das Material der elektrisch leitenden Schicht 7 mittels einem protischen Reaktionspartner 12 zu einem Salz umgesetzt (11B). Diese Umsetzung erfolgt vorliegend besonders bevorzugt möglichst vollständig, da ein Salz im Unterschied zu der elektrisch leitenden Schicht 7 besonders gut durchlässig für sichtbares Licht ist. Weiterhin wird das Salz besonders bevorzugt bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aus dem optischen Element herausgewaschen, um eine besonders gute Durchlässigkeit des optischen Elements für sichtbares Licht zu erzielen.In a further step, the material of the electrically conductive layer 7 by means of a protic reaction partner 12 converted to a salt ( 11B ). In the present case, this reaction is particularly preferably carried out as completely as possible, since a salt differs from the electrically conductive layer 7 is very well transparent to visible light. Furthermore, the salt is particularly preferably washed out of the optical element in the present embodiment, in order to achieve a particularly good transmission of the optical element for visible light.

In einem weiteren Schritt werden die Bauteile vereinzelt, so dass jedes Bauteil nur einen Leuchtdiodenchip 3 aufweist (nicht dargestellt).In a further step, the components are separated, so that each component only one LED chip 3 has (not shown).

Das optoelektronische Bauelement gemäß dem Beispiel der 12 weist einen Leuchtdiodenchip 3 auf, der in eine Ausnehmung 15 eines Gehäusekörpers 16 eingebracht ist. In Abstrahlrichtung nachfolgend auf den Leuchtdiodenchip 3 ist auf dem Gehäusekörper 16 ein optisches Element aufgebracht, dessen Strahlungsaustrittsfläche 14 mit einer elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Leuchtstoffschicht 11 versehen ist. Die Herstellung eines derartigen optischen Bauelements wurde bereits anhand der 9 bis 11B im Detail beschrieben.The optoelectronic component according to the example of 12 has a LED chip 3 on, in a recess 15 a housing body 16 is introduced. In the emission direction following the LED chip 3 is on the case body 16 an optical element applied, the radiation exit surface 14 with an electrophoretically deposited particulate phosphor layer 11 is provided. The production of such an optical component has already been described with reference to FIG 9 to 11B described in detail.

Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements sendet der Leuchtdiodenchip 3 vorliegend Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs aus, der insbesondere blaues Licht umfasst. Das von dem Leuchtdiodenchip 3 ausgesandte blaue Licht tritt durch die Strahlungseintrittsfläche 13 in das optische Element hinein und durchläuft das optische Element. Nach dem Austritt des Lichts durch die Strahlungsaustrittsfläche 14 des optischen Elements durchläuft das Licht die elektrophoretisch abgeschiedene partikuläre Leuchtstoffschicht 11, die einen Teil des von dem Leuchtdiodenchip 3 ausgesandten blauen Lichts in gelbes Licht umwandelt. Das optoelektronische Bauelement sendet mischfarbiges Licht aus blauem Licht des Leuchtdiodenchips 3 und gelbem Lichts des Leuchtstoffs aus.During operation of the optoelectronic component, the light-emitting diode chip transmits 3 In this case, radiation of a first wavelength range, which in particular comprises blue light. That of the LED chip 3 emitted blue light passes through the radiation entrance surface 13 into the optical element and passes through the optical element. After the exit of the light through the radiation exit surface 14 of the optical element, the light passes through the electrophoretically deposited particulate phosphor layer 11 that is part of the of the LED chip 3 emitted blue light converted into yellow light. The optoelectronic component emits mixed-color light of blue light of the LED chip 3 and fluorescent yellow light.

Mit dem vorliegend beschriebenen Verfahren kann weiterhin nicht nur ein Leuchtstoff, sondern auch ein reflektierendes Material auf einem Substrat 1 abgeschieden werden. Zwei derartige Ausführungsformen des Verfahrens werden im Folgenden anhand der 13 und 14 sowie 15 und 16 beschrieben.Furthermore, not only a phosphor but also a reflective material on a substrate can be used with the method described herein 1 be deposited. Two such embodiments of the method are described below with reference to 13 and 14 and 15 and 16 described.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 13 und 14 wird ein Substrat 1 bereitgestellt, das einen Träger mit einem ersten metallischen Anschlussbereich 4 und vier zweiten metallischen Anschlussbereichen 5 aufweist. Auf den ersten Anschlussbereich 4 ist vorliegend ein Leuchtdiodenchip 3 aufgebracht. Bei den Anschlussbereichen 4, 5 kann es sich beispielsweise um Teile eines Leadframes handeln und bei dem Träger 2 um einen Gehäusekörper, etwa aus Kunststoff, in den der Leadframe eingebettet ist.In the method according to the embodiment of the 13 and 14 becomes a substrate 1 provided with a support having a first metallic connection area 4 and four second metallic terminal areas 5 having. At the first connection area 4 In this case, a light-emitting diode chip 3 applied. At the connection areas 4 . 5 For example, they can be parts of a leadframe and the carrier 2 around a housing body, such as plastic, in which the leadframe is embedded.

In einem weiteren Schritt wird auf dem Substrat 1 eine elektrisch leitende Schicht 7 aufgebracht (nicht dargestellt). Hierbei wird der Leuchtdiodenchip 3 mittels einer Schattenmaske oder einer Fotolackschicht geschützt, sodass die Oberfläche des Leuchtdiodenchips 3 frei bleibt von der elektrisch leitenden Schicht 7. Die elektrisch leitende Schicht 7 wird somit vorliegend strukturiert auf das Substrat aufgebracht.In a further step will be on the substrate 1 an electrically conductive layer 7 applied (not shown). Here, the LED chip is 3 protected by a shadow mask or a photoresist layer, so that the surface of the LED chip 3 remains free from the electrically conductive layer 7 , The electrically conductive layer 7 is thus structurally applied to the substrate.

In einem nächsten Schritt werden nun mittels eines Elektrophoreseverfahrens Partikel eines reflektierenden Materials in Form einer Schicht 11 auf der elektrisch leitenden Schicht 7 abgeschieden (14).In a next step, particles of a reflective material in the form of a layer are now by means of an electrophoresis process 11 on the electrically conductive layer 7 isolated ( 14 ).

In einem weiteren Schritt wird das Material der elektrisch leitenden Schicht 7 mittels einem protischen Reaktionspartner 12 zumindest teilweise zu einem Salz umgesetzt, so dass zumindest zwischen den elektrischen Anschlussbereichen 4, 5 des Substrats 1 keine elektrisch leitende Verbindung durch die elektrisch leitende Schicht 7 mehr besteht (nicht dargestellt).In a further step, the material of the electrically conductive layer 7 by means of a protic reaction partner 12 at least partially converted to a salt, so that at least between the electrical connection areas 4 . 5 of the substrate 1 no electrically conductive connection through the electrically conductive layer 7 exists more (not shown).

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 15 und 16 wird im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 13 und 14 ein Substrat 1 bereitgestellt, das einen Träger 2 umfasst, der beispielsweise aus einer Keramik, wie Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid, gefertigt ist. Auf dem Träger 2 sind ein erster metallischer Anschlussbereich 4 und ein zweiter metallischer Anschlussbereich 5 aufgebracht. Auf dem ersten metallischen Anschlussbereich 4 ist ein Leuchtdiodenchip 3 aufgebracht.In the method according to the embodiment of the 15 and 16 is in contrast to the embodiment of the 13 and 14 a substrate 1 provided a carrier 2 which is made of, for example, a ceramic such as alumina or aluminum nitride. On the carrier 2 are a first metallic connection area 4 and a second metallic connection area 5 applied. On the first metallic connection area 4 is a light-emitting diode chip 3 applied.

Auf dem Substrat 1 wird eine elektrisch leitende Schicht 7 aufgebracht (nicht dargestellt), wobei die Oberfläche des Leuchtdiodenchips 3 mit einer Schattenmaske oder einer Fotolackschicht geschützt wird, so dass die Oberfläche des Leuchtdiodenchips 3 frei von der elektrisch leitenden Schicht 7 bleibt.On the substrate 1 becomes an electrically conductive layer 7 applied (not shown), wherein the surface of the LED chip 3 is protected with a shadow mask or a photoresist layer, so that the surface of the LED chip 3 free from the electrically conductive layer 7 remains.

In einem weiteren Schritt wird mittels eines Elektrophoreseverfahrens eine elektrophoretische Schicht 11 auf der elektrisch leitenden Schicht 7 abgeschieden, wobei die elektrophoretische Schicht 11 Partikel eines reflektierenden Materials umfasst oder aus Partikeln eines reflektierenden Materials gebildet sind.In a further step, an electrophoretic layer is produced by means of an electrophoresis method 11 on the electrically conductive layer 7 deposited, the electrophoretic layer 11 Particles of a reflective material comprises or are formed from particles of a reflective material.

In einem weiteren Schritt wird das Material der elektrisch leitenden Schicht 7 wiederum mittels einem protischen Reaktionspartner 12 zu einem Salz umgesetzt (nicht dargestellt), so dass zumindest zwischen den elektrischen Anschlussbereichen 4, 5 des Substrats 1 keine elektrisch leitende Verbindung durch die elektrisch leitende Schicht 7 mehr besteht.In a further step, the material of the electrically conductive layer 7 again by means of a protic reaction partner 12 converted to a salt (not shown), so that at least between the electrical connection areas 4 . 5 of the substrate 1 no electrically conductive connection through the electrically conductive layer 7 more exists.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, which in particular includes any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

Claims (11)

Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretischen Schicht (11) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Substrates (1), - zumindest teilweises Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (7) auf das Substrat (1), die dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner (12) zumindest teilweise ein Salz auszubilden, - Abscheiden einer elektrophoretischen Schicht (11) auf der elektrisch leitenden Schicht (7) in einem Elektrophoresebad (8), und - Einbringen zumindest der elektrisch leitenden Schicht (7) in den protischen Reaktionspartner (8), so dass die elektrisch leitende Schicht (7) zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner (12) ausbildet, wobei der protische Reaktionspartner ein Amin beinhaltet.Method for depositing an electrophoretic layer (11) with the following steps: Providing a substrate (1), at least partially applying an electrically conductive layer (7) to the substrate (1) which is suitable for at least partially forming a salt with a protic reactant (12), Depositing an electrophoretic layer (11) on the electrically conductive layer (7) in an electrophoresis bath (8), and - Introducing at least the electrically conductive layer (7) in the protic reactant (8), so that the electrically conductive layer (7) at least partially forms a salt with the protic reactant (12), wherein the protic reactant includes an amine. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die elektrisch leitende Schicht (7) chemisch inert ist gegenüber einem organischen Lösungsmittel (9) des Elektrophoresebads (8).Method according to the preceding claim, in which the electrically conductive layer (7) is chemically inert to an organic solvent (9) of the electrophoresis bath (8). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die elektrisch leitende Schicht (7) ein Metall, eine Metalllegierung, ein Halbmetall oder ein Halbleitermaterial aufweist.Method according to the preceding claim, wherein the electrically conductive layer (7) comprises a metal, a metal alloy, a semi-metal or a semiconductor material. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die elektrisch leitende Schicht (7) eines der folgenden Materialien aufweist: Lithium, Natrium, Kalium, Rubidium, Cäsium, Beryllium, Calcium, Magnesium, Strontium, Barium, Scandium, Titan, Aluminium, Silizium, Gallium, Zinn, Zirkonium, Zinkoxid, Zinksulfid, Zinkselenid, Zinktellurid, Zinnoxid.Method according to one of the preceding claims, in which the electrically conductive layer (7) comprises one of the following materials: lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, calcium, magnesium, strontium, barium, scandium, titanium, aluminum, silicon, Gallium, tin, zirconium, zinc oxide, zinc sulfide, zinc selenide, zinc telluride, tin oxide. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die elektrisch leitende Schicht (7) eine Dicke zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 20 µm aufweist.Method according to one of the preceding claims, in which the electrically conductive layer (7) has a thickness of between 20 nm and 20 μm inclusive. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem der protische Reaktionspartner (12) in einer Flüssigkeit oder in einem Gas enthalten ist.A method according to any one of the preceding claims, wherein the protic reactant (12) is contained in a liquid or in a gas. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem das Elektrophoresebad (8) als organisches Lösungsmittel (9) einen der folgenden Stoffe enthält: Alkohol, Keton, Aromat, Aldehyd.Method according to one of the preceding claims, in which the electrophoresis bath (8) contains as organic solvent (9) one of the following substances: alcohol, ketone, aromatic, aldehyde. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die elektrisch leitende Schicht (7) strukturiert auf das Substrat (1) aufgebracht wird.Method according to one of the above claims, wherein the electrically conductive layer (7) is applied in a structured manner to the substrate (1). Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die elektrophoretisch abgeschiedene Schicht (11) Partikel eines Leuchtstoffs oder Partikel eines reflektierenden Materials aufweist.A method according to any one of the preceding claims, wherein the electrophoretically deposited layer (11) comprises particles of a phosphor or particles of a reflective material. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem als reflektierendes Material einer der folgenden Stoffe verwendet wird: Titanoxid, Aluminiumoxid. Method according to the preceding claim, wherein one of the following materials is used as the reflective material: titanium oxide, aluminum oxide. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem das Substrat (1) ein Träger (2) mit mindestens einem Leuchtdiodenchip (3) oder ein optisches Element ist.Method according to one of the above claims, wherein the substrate (1) is a carrier (2) with at least one light-emitting diode chip (3) or an optical element.
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