-
[Technisches Gebiet]
-
Die Erfindung betrifft eine zusammengesetzte Isolierschicht, insbesondere eine zusammengesetzte Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen und ein Herstellungsverfahren dieser zusammengesetzten Isolierschicht.
-
[Stand der Technik]
-
Die elektromagnetischen Wellen der elektronischen Produkte stammen hauptsächlich aus digitalen Taktsignalen mit hoher Geschwindigkeit. Je höher die Taktfrequenz ist, desto stärker ist die elektromagnetische Interferenz. Die elektromagnetische Interferenz kann die Kommunikation stören und den Körper des Benutzers schaden.
-
Wenn der Strom durch die elektronischen Bauelemente der elektronischen Produkte fließt, kann ein Magnetfeld erzeugt werden. Die Magnetfeldstärke ist von der Frequenz und der Größe des Stroms abhängig. Dabei können elektromagnetische Wellen erzeugt werden, die zu einer elektromagnetischen Interferenz führen kann. Selbst wenn die elektronischen Produkte, wie PC, PDA, Drucker, Scanner, Digitalkamera, nicht zum Funkfrequenzsystem gehören, können sie elektromagnetische Wellen erzeugen.
-
Mit der Entwicklung des Herstellungsverfahrens des Halbleiters sind die elektronischen Produkte immer kleiner. Die Anzahl der Transistoren auf der Zentraleinheit wird vergrößert, um die Rechengeschwindigkeit der Zentraleinheit zu erhöhen. Dadurch besitzt die Zentraleinheit noch vieler Kontaktstifte. Bei der Arbeit der Zentraleinheit kann zwischen den Kontaktstiften eine hohe elektromagnetische Interferenz auftreten, die die umliegenden Gegenstände (einschließlich des Benutzers) beeinflussen kann.
-
Die
DE 29 807 853 U1 beschreibt eine Hülle für ein Mobiltelefon, die in der Lage ist, elektromagnetische Strahlung abzuschirmen, mit einer transparenten PVC-Folie, einer Hülle, feinem Kupferdraht und einer Aufhängeklemme.
-
Die
DE 28 13 394 A1 beschreibt eine transparente, elektrisch leitende Schichtstruktur, aufgebaut aus einem transparenten festen Substrat, einer Dünnschicht aus einem Oxid des Titans, die mit dem Substrat in Kontakt steht und einer Dünnschicht aus einem elektrisch leitenden Metall in Kontakt mit der Schicht.
-
Die
US 4 022 943 A beschreibt ein Material mit einem Substrate und einem geschäumten Vinyl-Plastik-Schicht auf dem Substrat.
-
Die
DE 196 06 706 A1 beschreibt ein Verfahren zur mehrlagigen Beschichtung von Substraten mit Elektrotauchlack und Pulverlack, wobei durch Elektrotauchlackierung mindestens eine Schicht aus Elektrotauchlack auf dem Substrat aufgebracht wird.
-
Die
DE 699 14 112 T2 beschreibt mehrschichtige Strukturen, die eine haftunterstützende bzw. haftvermittelnde Schicht aus einer stickstoffhaltigen Silanverbindung enthalten.
-
Die
US 2009/0 124 100 A1 beschreibt eine Kontaktanordnung mit einer Isolatorstruktur.
-
Im Stand der Technik ist eine Isolierschicht gegen elektromagnetische Wellen auf der Zentraleinheit nicht bekannt.
-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine zusammengesetzte Isolierschicht und ein Verfahren zu deren Herstellung anzubieten, die die elektromagnetische Interferenz zwischen den Kontaktstiften der Zentraleinheit wirksam vermeiden kann, um die Stabilität der Zentraleinheit zu erhöhen.
-
[Aufgabe der Erfindung]
-
Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den unabhängige in den unabhängigen Ansprüchen angegeben.
-
Demnach wird die Aufgabe gelöst durch eine zusammengesetzte Isolierschicht, die ein Substrat, eine Verbindungsschicht, die auf dem Substrat gebildet ist, eine Metallleiterschicht, die auf der Verbindungsschicht gebildet ist, und eine elektrisch abgelagerte Isolierschicht, die auf der Metallleiterschicht gebildet ist, und eine Keramikisolierschicht, die zwischen der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht gebildet ist, aufweist.
-
Vorzugweise wird als Material der elektrisch abgelagerten Isolierschicht Epoxidharz, Acrylharz, Acrylsäureverbindung, Polyurethan oder deren Gemisch verwendet.
-
Vorzugweise ist eine Metalloxidschicht vorgesehen, die zwischen der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht gebildet ist. Vorzugsweise ist eine Keramikisolierschicht vorgesehen, die zwischen der Metalloxidschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht gebildet ist.
-
Vorzugsweise ist eine Keramikisolierschicht vorgesehen, die zwischen der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht gebildet ist.
-
Vorzugsweise ist die Dicke der Verbindungsschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 1 μm, die Dicke der Metallleiterschicht, der Metalloxidschicht und der Keramikisolierschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 3 μm und die Dicke der elektrisch abgelagerten Isolierschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 500 μm.
-
Der Erfindung liegt eine weitere Aufgabe zugrunde ein Herstellungsverfahren der zusammengesetzten Isolierschicht zu schaffen, das folgende Schritte enthält: auf dem Substrat eine Verbindungsschicht bilden; auf der Verbindungsschicht eine Metallleiterschicht bilden, und auf der Metallleiterschicht eine elektrisch abgelagerte Isolierschicht bilden.
-
Vorzugsweise wird die elektrisch abgelagerte Isolierschicht durch Elektrodeposition auf der Metallleiterschicht gebildet und als Material der elektrisch abgelagerten Isolierschicht Epoxidharz, Acrylharz, Acrylsäureverbindung, Polyurethan oder deren Gemisch verwendet.
-
Vorzugsweise wird zwischen der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht eine Metalloxidschicht gebildet. Vorzugsweise wird zwischen der Metalloxidschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht eine Keramikisolierschicht gebildet.
-
Vorzugsweise wird zwischen der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht eine Keramikisolierschicht gebildet.
-
Vorzugsweise ist die Dicke der Verbindungsschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 1 μm, die Dicke der Metallleiterschicht, der Metalloxidschicht und der Keramikisolierschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 3 μm und die Dicke der elektrisch abgelagerten Isolierschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 500 μm.
-
Daher weist die Erfindung folgende Vorteile auf:
- (1) die Schichten der zusammengesetzten Isolierschicht werden nacheinander auf dem Substrat gebildet und Metalloxidschicht und Karbidschicht enthalten, die hart und spröde sind und auf denen eine elektrisch abgelagerte Isolierschicht gebildet ist, wodurch die Rissen der darunterliegenden Schichten ausgefüllt werden, so dass eine elektromagnetische Interferenz zwischen den Kontaktstiften der Zentraleinheit wirksam vermieden wird;
- (2) die durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren hergestellte zusammengesetzte Isolierschicht kann die elektromagnetische Interferenz zwischen den Kontaktstiften der Zentraleinheit wirksam vermeiden, so dass die Stabilität der Zentraleinheit erhöht wird.
-
Die weiteren Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Erfindung.
-
[Kurze Beschreibung der Zeichnungen]
-
1 ein Ablaufdiagramm des ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens,
-
2 ein Ablaufdiagramm des zweiten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens,
-
3 ein Ablaufdiagramm des dritten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens,
-
4 ein Ablaufdiagramm des vierten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens,
-
5 eine Schnittdarstellung des ersten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht,
-
6 eine Schnittdarstellung des zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht,
-
7 eine Schnittdarstellung des dritten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht,
-
8 eine Schnittdarstellung des vierten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht,
-
9 eine Schnittdarstellung der Verbindung der Steckbuchsen mit der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht und der Kontaktstifte der Zentraleinheit,
-
10 eine Darstellung der Steckbuchsen mit der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht für Zentraleinheit.
-
[Wege zur Ausführung der Erfindung]
-
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den anliegenden Zeichnungen. Diese Zeichnungen dienen nur zur Darstellung der Erfindung. Das Verhältnis und die Lage in den Figuren haben keine beschränkende Bedeutung für die Erfindung.
-
1 zeigt das Ablaufdiagramm des Herstellungsverfahrens des ersten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen. Wie dargestellt, wird ein Substrat in einen Vakuumofen, der bis mindestens 1 × 10–5 Torr evakuiert wird, eingesetzt, um durch Beschuss mit Ionen die Oberfläche des Substrats zu behandeln (Schritt S10; Ein Substrat wird in einem Vakuumofen mit 10–3–10–5 Torr durch Beschuss mit Ionen behandelt, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen).
-
Nach dem Schritt S10 wird auf der Oberfläche des Substrats eine Verbindungsschicht gebildet (Schritt S20; auf dem Substrat wird eine Verbindungsschicht gebildet). Dieser Schritt ist ein Fundamentierschritt, um die Haftkraft der nachfolgenden Sputterschicht (Cu), Metalloxidschicht und Keramikisolierschicht zu erhöhen. In diesem Schritt kehrt der Vakuumofen zu 1 × 10–3–10–4 Torr zurück. In den Vakummofen wird das Arbeitsgas Argon kontinuierlich eingeführt, um in diesem ein Mittelfrequenz-Sputtern mit einem Target aus Titan durchzuführen, wobei die Mittelfrequenz zwischen 5 KHz–100 KHz liegt. Wenn die energiereichen Argonionen (Ar+) das Titantarget auftreffen, werden die Moleküle oder Atome des Titantargets herausgelöst und auf dem Substrat abgeschieden, wodurch eine Titanschicht gebildet ist. Diese Titanschicht bildet die Verbindungsschicht.
-
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird das Substrat auf die Steckbuchsen für Zentraleinheit angewendet. Das Substrat kann aus Metall, Harz, Glas oder dergleichen hergestellt werden. Darauf ist die Erfindung nicht beschränkt. Beim Beschuss der Oberfläche des Substrats mit Ionen werden beschleunigte positive Ionen verwendet, wodurch der Verdampfungsdruck der Oberfläche reduziert wird, so dass die Substanzen, die sich nicht leicht verdampfen lassen, vergast werden. Dadurch werden der Schmutz auf der Oberfläche entfernt, so dass eine reine Oberfläche erhalten wird. Die Verbindungsschicht auf der Oberfläche des Substrats besitzt eine Reibungs-, Korrosions- und Wärmebeständigkeit.
-
Nach dem Schritt S20 wird eine Metallleiterschicht auf der Verbindungsschicht (Schritt S30; auf der Verbindungsschicht wird eine Metallleiterschicht gebildet) gebildet, wobei das Substrat durch Mittelfrequenz-Sputtern und Multibogen-Ionenbeschichtung mit einem Reimmetall beschichtet. Die Mittelfrequenz liegt zwischen 5 KHz–100 KHz. Die Metallleiterschicht kann durch Kupfer, Silber, Gold usw. gebildet sein. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird als Metallleiterschicht eine Kupferschicht verwendet. Darauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt.
-
Nach dem Schritt S30 kann auf der Metallleiterschicht durch Elektrodeposition eine Isolierschicht gebildet werden (Schritt S40; auf der Metallleiterschicht wird eine elektrisch abgelagerte Isolierschicht gebildet). Die Bildung der elektrisch abgelagerte Isolierschicht ist das Merkmal der Erfindung. Das Material der elektrisch abgelagerten Isolierschicht kann Epoxidharz oder Acrylharz sein. Darauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt.
-
Nachfoglend wird die Bildung der elektrisch abgelagerten Isolierschicht auf der Metallleiterschicht detailliert beschrieben:
Nach den Schritten S10–S30 wird eine Elektrodeposition für das Substrat durchgeführt, wobei das Substrat an einer Kathode angeordnet ist und in einer elektrolytischen Lösung getaucht wird. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird als Beschichtungsmaterial Epoxidharz verwendet. Bei der Elektrodeposition liegt die Spannung zwischen 50 V–400 V. Nach der Bestromung bewegen sich die positiven Ionen des Depositionsmaterials zu dem Substrat (Kathode) und werden auf der Oberfläche des Substrats abgelagert. Mit der Zeit vergrößert sich die Dicke die Beschichtung. Wenn sich die Dicke der Beschichtung nicht mehr vergrößert, endet die Elektrodeposition. Wie aus den 9 bis 10 ersichtlich ist, ist auf der Oberfläche des Substrats 11 die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 gebildet. Die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 im vorliegenden Ausführungsbeispiel kann die elektromagnetische Wellen zwischen den Kontaktstiften A der Zentraleinheit vermeiden.
-
2 zeigt das Ablaufdiagramm des Herstellungsverfahrens des zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen, wobei zwischen der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht eine Metalloxidschicht gebildet wird.
-
In diesem Ausführungsbeispiel sind die Schritte S11–S31 identisch wie die Schritte S10–S30. Zunächst wird ein Substrat in einen Vakuumofen, der bis mindestens 1 × 10–5 Torr evakuiert wird, eingesetzt, um durch Beschuss mit Ionen die Oberfläche des Substrats zu reinigen (Schritt S11; Ein Substrat wird in einem Vakuumofen mit 10–3–10–5 Torr durch Beschuss mit Ionen behandelt, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen).
-
Nach dem Schritt S11 wird auf der Oberfläche des Substrats die Verbindungsschicht gebildet (Schritt S21; auf dem Substrat wird eine Verbindungsschicht gebildet). Nach dem Schritt S21 wird auf der Verbindungsschicht die Metallleiterschicht gebildet (Schritt S31; auf der Verbindungsschicht wird eine Metallleiterschicht gebildet). Nach dem Schritt S31 wird auf der Metallleiterschicht die Metalloxidschicht gebildet (Schritt S41; auf der Metallleiterschicht wird eine Metalloxidschicht gebildet). Im Schritt S41 kann durch Mittelfrequenz-Sputtern und Multibogen-Ionenbeschichtung ein Metalloxid auf der Metallleiterschicht gebildet sein. Die Metalloxidschicht ist nicht ganz isolierend und dient nur zur Reduzierung der Stromleitung zwischen den Kontaktstiften der Zentraleinheit und Erhöhung die Oberflächenhärte und die Reibungsbeständigkeit. Das Metalloxid kann durch Kupferoxid gebildet sein. Die Mittelfrequenz liegt zwischen 5 KHz–100 KHz. In diesem Schritt wird ein Arbeitsgas (Sauerstoff) in den Vakuumofen eingeführt, um die Metalloxidschicht zu bilden.
-
Nach dem Schritt S41 kann auf der Metalloxidschicht durch Elektrodeposition die elektrisch abgelagerte Isolierschicht gebildet werden (Schritt S51; auf der Metalloxidschicht wird eine elektrisch abgelagerte Isolierschicht gebildet). Die im Schritt S41 gebildete Metalloxidschicht isoliert die Kontaktstifte der Zentraleinheit nicht und kann nur die Stromleitung zwischen den Kontaktstiften der Zentraleinheit reduzieren und die Oberflächenhärte und die Reibungsbeständigkeit erhöhen. Das Material der elektrisch abgelagerten Isolierschicht kann Epoxidharz oder Acrylharz sein. Darauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt.
-
3 zeigt das Ablaufdiagramm des Herstellungsverfahrens des dritten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen, das sich von dem zweiten Ausführungsbeispiel nur dadurch unterscheidet, dass zwischen der Metalloxidschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht eine Keramikisolierschicht gebildet werden.
-
In diesem Ausführungsbeispiel sind die Schritte S12–S42 identisch wie die Schritte S11–S41. Zunächst wird ein Substrat in einen Vakuumofen, der bis mindestens 1 × 10–5 Torr evakuiert wird, eingesetzt, um durch Beschuss mit Ionen die Oberfläche des Substrats zu reinigen (Schritt S12; Ein Substrat wird in einem Vakuumofen mit 10–3–10–5 Torr durch Beschuss mit Ionen behandelt, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen).
-
Nach dem Schritt S12 wird auf der Oberfläche des Substrats die Verbindungsschicht gebildet (Schritt S22; auf dem Substrat wird eine Verbindungsschicht gebildet). Nach dem Schritt S22 wird auf der Verbindungsschicht die Metallleiterschicht gebildet (Schritt S32; auf der Verbindungsschicht wird eine Metallleiterschicht gebildet). Nach dem Schritt S32 wird auf der Metallleiterschicht die Metalloxidschicht gebildet (Schritt S42; auf der Metallleiterschicht wird eine Metalloxidschicht gebildet). Nach dem Schritt 42 wird auf der Metalloxidschicht die Keramikisolierschicht gebildet (Schritt 52; auf der Metallleiterschicht wird eine Metalloxidschicht gebildet), wobei durch Mittelfrequenz-Sputtern und Multibogen-Ionenbeschichtung ein Metallkarbid beschichtet wird. Die Mittelfrequenz liegt zwischen 5 KHz–100 KHz. In diesem Schritt wird ein Arbeitsgas (C2H2) in den Vakuumofen eingeführt, um die Keramikisolierschicht zu bilden. In diesem Ausführungsbeispiel wird als Keramikisolierschicht TiC-Keramikschicht verwendet, die eine Kratzfestigkeit besitzt. Darauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt. In den Schritten S42 und S52 werden die Metalloxidschicht und die Keramikisolierschicht gebildet, die die Kontaktstifte der Zentraleinheit nicht ganz isolieren und nur die Stromleitung zwischen den Kontaktstiften der Zentraleinheit reduzieren und die Oberflächenhärte und die Kratzfestigkeit erhöhen.
-
Nach dem Schritt S52 kann auf der Keramikisolierschicht durch Elektrodeposition eine Isolierschicht gebildet werden (Schritt S62; auf der Keramikisolierschicht wird eine elektrisch abgelagerte Isolierschicht gebildet). Das Material der elektrisch abgelagerten Isolierschicht kann Epoxidharz oder Acrylharz sein. Darauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt.
-
4 zeigt das Ablaufdiagramm des Herstellungsverfahrens des vierten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen, das sich von dem ersten Ausführungsbeispiel nur dadurch unterscheidet, dass zwischen der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht eine Keramikisolierschicht gebildet wird.
-
In diesem Ausführungsbeispiel sind die Schritte S13–S33 identisch wie die Schritte S10–S30. Zunächst wird ein Substrat in einen Vakuumofen, der bis mindestens 1 × 10–5 Torr evakuiert wird, eingesetzt, um durch Beschuss mit Ionen die Oberfläche des Substrats zu reinigen (Schritt S13; Ein Substrat wird in einem Vakuumofen mit 10–3–10–5 Torr durch Beschuss mit Ionen behandelt, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen).
-
Nach dem Schritt S13 wird auf der Oberfläche des Substrats die Verbindungsschicht gebildet (Schritt S23; auf dem Substrat wird eine Verbindungsschicht gebildet). Nach dem Schritt S23 wird auf der Verbindungsschicht die Metallleiterschicht gebildet (Schritt S33; auf der Verbindungsschicht wird eine Metallleiterschicht gebildet). Nach dem Schritt S33 wird auf der Metallleiterschicht die Keramikisolierschicht gebildet (Schritt S43; auf der Metallleiterschicht wird eine Keramikisolierschicht gebildet), wobei durch Mittelfrequenz-Sputtern und Multibogen-Ionenbeschichtung ein Metallkarbid beschichtet wird. Die Mittelfrequenz liegt zwischen 5 KHz–100 KHz. In diesem Schritt wird ein Arbeitsgas (C2H2) in den Vakuumofen eingeführt, um die Keramikisolierschicht zu bilden. In diesem Ausführungsbeispiel wird als Keramikisolierschicht TiC-Keramikschicht verwendet, die eine Kratzfestigkeit besitzt.
-
Nach dem Schritt S43 kann auf der Keramikisolierschicht durch Elektrodeposition die elektrisch abgelagerte Isolierschicht gebildet werden (Schritt S53; auf der Keramikisolierschicht wird eine elektrisch abgelagerte Isolierschicht gebildet). Das Material der elektrisch abgelagerten Isolierschicht kann Epoxidharz oder Acrylharz sein. Darauf ist die Erfindung jedoch nicht beschränkt.
-
In den obengenannten Ausführungsbeispielen kann auf der elektrisch abgelagerten Isolierschicht eine UV-Isolierschicht gebildet sein. Als Material der UV-Isolierschicht kann Acrylsäureverbindung verwendet werden. Nach der Elektrodeposition wird das Substrat in der UV-Masse getränkt. Danach wird die UV-Masse auf der Oberfläche und in den Löchern des Substrats mit einer Druckluftpistole abgeblasen, wodurch auf der Oberfläche eine dünne UV-Schicht gebildet wird. Die UV-Masse in den Löchern muss mehrmals geblasen werden. Schließlich wird das Substrat mit einer UV-Lampe bestrahlt, die eine Wellenlänge von ca. 365 nm hat, um die UV-Masse zu härten. Dieser Vorgang wird dreimals wiederholt, um die Beschichtung der UV-Masse auf dem Substrat zu gewährleisten. Nach Trocknen der UV-Masse entsteht auf der elektrisch abgelagerten Isolierschiht eine UV-Isolierschicht.
-
5 zeigt eine Schnittdarstellung des ersten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen. Wie aus 1 ersichtlich ist, ist auf dem Substrat 11 die Verbindungsschicht 12 gebildet. Auf der Verbindungsschicht 12 ist die Metallleiterschicht 13 gebildet. Auf der Metallleiterschicht 13 ist die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 gebildet. Die dadurch erhaltene zusammengesetzte Isolierschicht 1 besitzt die beste Schutzfunktion gegen elektromagnetische Wellen.
-
In diesem Ausführungsbeispiel kann das Substrat 11 aus Metall, Harz, Glas oder dergleichen hergestellt werden. In die Steckbuchsen B für Zentraleinheit werden die Kontaktstifte A der Zentraleinheit gesteckt. Die Verbindungsschicht bildet ein Titanfundament des Substrats 11, um die Haftkraft der nachfolgenden Schichten zu erhöhen. Die Metallleiterschicht kann durch Kupfer, Silber, Gold usw. gebildet sein. In diesem Ausführungsbeispiel wird als Metallleiterschicht 13 Kupfer verwendet, die auf der Verbindungsschicht 12 aus Titan gebildet ist. Die Dicke der elektrisch abgelagerten Isolierschicht 16 ist größer als 0 μm und kleiner oder gleich 500 μm. Die Dicke der Verbindungsschicht, der Metallleiterschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht kann je nach Bedarf gewählt werden. Je Nach der elektromagnetischen Interferenz der elektronischen Produkte kann die Schichtdicke verändert werden, um die Interferenz der elektromagnetischen Wellen zu vermeiden, damit die Stabilität der Zentraleinheit erhöht wird. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Dicke der Verbindungsschicht und der Metallleiterschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 3 μm.
-
6 zeigt eine Schnittdarstellung des zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen. Wie aus 2 ersichtlich ist, ist auf dem Substrat 11 die Verbindungsschicht 12 gebildet. Auf der Verbindungsschicht 12 ist die Metallleiterschicht 13 gebildet. Auf der Metallleiterschicht 13 ist die Metalloxidschicht 14 gebildet. Auf der Metalloxidschicht 14 ist die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 gebildet. In diesem Ausführungsbeispiel wird als Metalloxidschicht 14 eine Kupferoxidschicht verwendet. Die Dicke der elektrisch abgelagerten Isolierschicht 16 ist größer als 0 μm und kleiner oder gleich 500 μm. Die Dicke der Verbindungsschicht, der Metallleiterschicht und der Metalloxidschicht ist größer als 0 μm und kleiner oder gleich 3 μm.
-
7 zeigt eine Schnittdarstellung des dritten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen. Wie aus 3 ersichtlich ist, ist auf dem Substrat 11 die Verbindungsschicht 12 gebildet. Auf der Verbindungsschicht 12 ist die Metallleiterschicht 13 gebildet. Auf der Metallleiterschicht 13 ist die Metalloxidschicht 14 gebildet. Auf der Metalloxidschicht 14 ist die Keramikisolierschicht 15 gebildet. Auf der Keramikisolierschicht 15 ist die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 gebildet. In diesem Ausführungsbeispiel wird als Metalloxidschicht 14 eine Kupferoxidschicht und als Keramikisolierschicht 15 TiC verwendet. Die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 kann die Poren der Keramikisolierschicht ausfüllen, wodurch eine bessere Schutzfunktion gegen elektromagnetische Wellen erreicht wird. Die Dicke der Verbindungsschicht, der Metallleiterschicht, der Metalloxidschicht, der Keramikisolierschicht und der elektrisch abgelagerten Isolierschicht kann je nach Bedarf gewählt werden. Je Nach der elektromagnetischen Interferenz der elektronischen Produkte kann die Schichtdicke verändert werden, um die Interferenz der elektromagnetischen Wellen zu vermeiden, damit die Stabilität der Zentraleinheit erhöht wird. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Dicke der Verbindungsschicht, der Metallleiterschicht, der Metalloxidschicht und der Keramikisolierschicht größer als 0 μm und kleiner oder gleich 3 μm.
-
8 zeigt eine Schnittdarstellung des vierten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht zum Schutz gegen elektromagnetische Wellen. Wie aus 4 ersichtlich ist, ist auf dem Substrat 11 die Verbindungsschicht 12 gebildet. Auf der Verbindungsschicht 12 ist die Metallleiterschicht 13 gebildet. Auf der Metallleiterschicht 13 ist die Keramikisolierschicht 15 gebildet. Auf der Keramikisolierschicht 15 ist die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 gebildet.
-
Wie aus 10 ersichtlich ist, ist die elektrisch abgelagerte Isolierschicht 16 die äußerste Beschichtung des Substrats. 9 zeigt eine Schnittdarstellung gemäß 10, wobei die Kontaktstifte A der Zentraleinheit in die Steckbuchsen B gesteckt werden. Da die elektrische abgelagerte Isolierschicht 16 die Kontaktstifte A gegen die elektromagneitsche Wellen schützt, wird die elektromagnetische Interferenz zwischen den Kontaktstiften A reduziert, so dass die Stabilität der Zentraleinheit erhöht wird.
-
Da sich die elektrisch abgelagerte Isolierschicht an der Außenseite der Metallleiterschicht befindet, kann die elektromagnetische Interferenz zwischen den Kontaktstiften wirksam vermieden werden. Selbst wenn an der Außenseite der elektrisch abgelagerten Isolierschicht andere Isolierschicht oder Schutzschicht, wie Metalloxidschicht, Keramikisolierschicht oder UV-Isolierschicht, gebildet ist, hat sie eine gute Schutzfunktion gegen elektromagnetische Wellen.
-
Die Erfindung kann auf die Steckbuchsen für integrierte Schaltung oder Zentraleinheit angewendet werden, um die elektromagnetische Interferenz zu vermeiden. Die Produkte mit der erfindungsgemäßen zusammengesetzten Isolierschicht kann je nach Bedarf verändert werden, so dass die Einsatzflexibilität hoch ist.
-
Bezugszeichenliste
-
- 1
- Zusammengesetzte Isolierschicht
- 11
- Substrat
- 12
- Verbindungsschicht
- 13
- Metallleiterschicht
- 14
- Metalloxidschicht
- 15
- Keramikisolierschicht
- 16
- elektrisch abgelagerte Isolierschicht
- A
- Kontaktstift
- B
- Steckbuchse
- S10–S40
- Schritt
- S11–S51
- Schritt
- S12–S62
- Schritt
- S13–S53
- Schritt
