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Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität gemäß 35 USC, § 119(a), der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2012-0021889, eingereicht am 02. März 2012, die hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
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HINTERGRUND
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Gebiet der Offenbarung
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Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
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Beschreibung des verwandten Gebiets
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Mit der Entwicklung einer Informationsgesellschaft haben sich die Anforderungen für Anzeigevorrichtungen, die zum Anzeigen von Bildern verwendet werden, auf eine Vielzahl von Arten erhöht. Somit werden Flachbildschirmanzeigevorrichtungen, die im Vergleich zu Katodenstrahlröhren (CRTs) des verwandten Gebiets dünner und leichter sind, aktiv erforscht und hergestellt. Die Flachbildschirmanzeigevorrichtungen enthalten Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD-Vorrichtungen), Plasmaanzeigevorrichtungen (PDPs), organische Lichtemitteranzeigevorrichtungen (OLED-Vorrichtungen) usw. Unter den Flachbildschirmanzeigevorrichtungen werden die LCD-Vorrichtungen wegen Merkmalen wie etwa geringer Größe, geringem Gewicht, Dünne und Ansteuerung mit niedriger Leistung nun umfassend verwendet.
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Im Allgemeinen enthält die LCD-Anzeigevorrichtung ein Dünnschichttransistor-Anordnungssubstrat, in dem Dünnschichttransistoren angeordnet sind, ein Farbfilteranordnungssubstrat, in dem Farbfilter angeordnet sind, und eine Flüssigkristalllage, die zwischen den zwei Substraten liegt. Die LCD-Anzeigevorrichtung kann durch aufeinander folgendes Ausführen eines Transistorherstellungsprozesses, eines Farbfilterherstellungsprozesses, eines Flüssigkristallzellen-Herstellungsprozesses und eines Modulherstellungsprozesses hergestellt werden.
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Der Flüssigkristallzellen-Herstellungsprozess kann einen Ausrichtungsschicht-Ausbildungsprozess zum Ausrichten von Flüssigkristallmolekülen, einen Zellenzwischenraum-Ausbildungsprozess, einen Flüssigkristallinjektionsprozess, einen Zellentrennprozess und einen Untersuchungsprozess enthalten.
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Um eine Prozesseffizienz für die Prozessautomatisierung sicherzustellen, kann ein Beschriftungsprozess zum Ausbilden einer Identifizierungsmarke auf einem Anordnungssubstrat für die LCD-Anzeigevorrichtung ausgeführt werden, wenn die LCD-Anzeigevorrichtung hergestellt wird. Somit kann der Flüssigkristallzellen-Ausbildungsprozess den Beschriftungsprozess zum Ausbilden einer Identifizierungsmarke auf dem Substrat in Einheitszellen enthalten.
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1 ist eine Draufsicht, die ein Anordnungssubstrat einer LCD-Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit dem verwandten Gebiet zeigt.
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Anhand von 1 enthält das Anordnungssubstrat 101 der LCD-Anzeigevorrichtung des verwandten Gebiets mehrere Anordnungszellen 110, die auf einem Substrat 101 ausgebildet sind.
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Die mehreren Anordnungszellen 110 sind jeweils zu einem Anzeigebereich 111, der zum Anzeigen von Bildern verwendet wird, und zu einem Nicht-Anzeige-Bereich 113, in dem kein Bild angezeigt wird, definiert.
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Auf dem Nicht-Anzeige-Bereich 113 kann eine Identifizierungsmarkenlage 115 ausgebildet sein. Die Identifizierungsmarkenlage 115 kann ausgebildet werden, wenn auf jeder Anordnungszelle 110 nicht gezeigte Gate- oder Datenleitungen ausgebildet werden. Auf die Identifizierungsmarkenlage 115 kann eine Identifizierungsmarke geschrieben werden. Die Identifizierungsmarke können Prozessinformationen über jede Anordnungszelle sein. Die Identifizierungsmarke kann auf der Identifizierungsmarkenlage durch einen Impulslaserstrahl in einer Tiefdruckform ausgebildet werden.
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Die Identifizierungsmarkenlage 115 wird in derselben Metalllage wie die Gate- oder Datenleitung mit einer Dicke von mehreren tausend Ångström ausgebildet. Somit muss zum Schreiben der Identifizierungsmarke ein hochenergetischer Impulslaserstrahl verwendet werden. Wie in 2 gezeigt ist, kann der hochenergetische Impulslaserstrahl in den Isolierlagen, die auf den oberen und unteren Oberflächen der Identifizierungsmarkenlage geschichtet sind, Risse veranlassen. In Übereinstimmung damit kann das Substrat durch auf die Rissabschnitte ausgeübte äußere Einflüsse beschädigt werden.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG
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Dementsprechend sind Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung auf eine LCD-Vorrichtung gerichtet, die eines oder mehrere Probleme infolge der Beschränkungen und Nachteile des verwandten Gebiets wesentlich mildert.
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Die Ausführungsformen sollen eine LCD-Vorrichtung schaffen, die dafür ausgelegt ist, die Erzeugung von Rissen in einem Substrat, wenn eine Identifizierungsmarke geschrieben wird, zu verhindern.
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Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Ausführungsformen sind in der folgenden Beschreibung dargelegt und gehen teilweise aus der Beschreibung hervor oder können durch die Praxis der Ausführungsformen gelernt werden. Die Vorteile der Ausführungsformen werden durch die besonders in der schriftlichen Beschreibung und in den Ansprüchen davon sowie in den beigefügten Zeichnungen dargelegte Struktur verwirklicht und erhalten.
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In Übereinstimmung mit einem ersten allgemeinen Aspekt der vorliegenden Ausführungsform enthält eine LCD-Anzeigevorrichtung: ein Substrat; eine Anordnungszelle, die auf dem Substrat ausgebildet ist und in einen Anzeigebereich und in einen Nicht-Anzeige-Bereich definiert ist; einen Dünnschichttransistor, der auf dem Anzeigebereich der Anordnungszelle ausgebildet ist; eine Lichtsperrlage, die zum Sperren von Licht, das in eine Halbleiterlage des Dünnschichttransistors eingestrahlt wird, konfiguriert ist; und eine zum Schreiben von Informationen über die Anordnungszelle verwendete Identifizierungsmarkenlage, die in derselben Schicht wie die Lichtsperrlage ausgebildet ist.
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Weitere Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile sind oder werden für den Fachmann auf dem Gebiet bei Prüfung der folgenden Figuren und der ausführlichen Beschreibung offensichtlich. Alle solche zusätzlichen Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile sollen in dieser Beschreibung enthalten sein, im Umfang der vorliegenden Offenbarung liegen und durch die folgenden Ansprüche geschützt sein. Nichts in diesem Abschnitt ist als Beschränkung dieser Ansprüche zu verstehen. Weitere Aspekte und Vorteile sind im Folgenden in Verbindung mit den Ausführungsformen diskutiert. Selbstverständlich sind sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beispielhaft und erläuternd und sollen eine weitere Erläuterung der wie beanspruchten Offenbarung geben.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Ausführungsformen zu schaffen, und die hier integriert sind und einen Bestandteil dieser Anmeldung bilden, veranschaulichen eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Offenbarung. In den Zeichnungen ist:
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1 eine Draufsicht eines Anordnungssubstrats einer LCD-Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit dem verwandten Gebiet;
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2 eine Draufsicht, die die Erzeugung von Rissen, wenn eine Identifizierungsmarke geschrieben wird, darstellt;
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3 eine Draufsicht, die einen Teil einer Anordnungszelle einer LCD-Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
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4 eine Querschnittsansicht, die die Anordnungszelle der LCD-Anzeigevorrichtung entlang der Linien A-A' und B-B' in 3 zeigt;
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5 eine Tabelle, die Laserimpulsstrahlen darstellt, die jeweils zum Schreiben einer Identifizierungsmarke in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform und mit dem verwandten Gebiet verwendet werden; und
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6 eine Draufsicht, die den Zustand einer Identifizierungsmarkenlage der LCD-Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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In der vorliegenden Offenbarung kann selbstverständlich ein Element wie etwa ein Substrat, eine Lage, ein Gebiet, eine Schicht oder eine Elektrode, wenn darauf in der Weise Bezug genommen wird, dass es in den Ausführungsformen ”auf” oder ”unter” einem anderen Element ausgebildet ist, direkt auf oder unter dem anderen Element sein oder können dazwischenliegende Elemente (indirekt) vorhanden sein. Der Begriff ”auf” oder ”unter” einem Element wird anhand der Zeichnungen bestimmt.
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Es wird nun ausführlich auf die vorliegenden Ausführungsformen Bezug genommen, für die Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. In den Zeichnungen können die Größen und Dicken von Elementen zur Klarheit und Zweckmäßigkeit der Beschreibung überhöht, weggelassen oder vereinfacht sein, wobei sie aber nicht die praktischen Größen von Elementen bedeuten.
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3 ist eine Draufsicht, die einen Teil einer Anordnungszelle einer LCD-Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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Anhand von 3 kann eine Anordnungszelle 10 der LCD-Vorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in einen Anzeigebereich 11, der zum Anzeigen von Bildern verwendet wird, und in einen Nicht-Anzeige-Bereich 13, in dem kein Bild angezeigt wird, definiert werden. Der Nicht-Anzeige-Bereich 13 kann in der Weise definiert werden, dass er Ränder des Anzeigenbereichs 11 umgibt.
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Der Anzeigebereich 11 kann in mehrere Pixelgebiete definiert sein.
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Jedes der Pixelgebiete kann durch eine Gate-Leitung 31 und durch eine Datenleitung 41, die einander schneiden, definiert sein. Die Gate-Leitung 31 kann dadurch ausgebildet sein, dass sie entlang einer ersten Richtung verläuft. Die Datenleitung 41 kann dadurch ausgebildet sein, dass sie entlang einer zweiten Richtung, die die Gate-Leitung 31 schneidet, verläuft. Mit der Gate-Leitung 31 und mit der Datenleitung 41 kann ein Dünnschichttransistor elektrisch verbunden sein.
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Der Dünnschichttransistor kann eine Gate-Elektrode 33, eine Halbleiterlage 21, eine Source-Elektrode 43 und eine Drain-Elektrode 45 enthalten.
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Die Gate-Leitung 31 kann mit der Gate-Elektrode 33 des Dünnschichttransistors elektrisch verbunden sein. Die Datenleitung 41 kann mit der Source-Elektrode 43 des Dünnschichttransistors elektrisch verbunden sein.
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Die Gate-Elektrode 33 kann dadurch ausgebildet sein, dass sie von der Gate-Leitung 31 vorsteht. Mit anderen Worten, die Gate-Elektrode 33 kann in Form eines Vorsprungs ausgebildet sein, der von der Gate-Leitung 31 vorsteht. Die Source-Elektrode 43 kann dadurch ausgebildet sein, dass sie von der Datenleitung 41 vorsteht. Mit anderen Worten, die Source-Elektrode 43 kann in Form eines Vorsprungs ausgebildet sein, der von der Datenleitung 41 vorsteht.
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In jedem Pixelgebiet kann eine Pixelelektrode 51 ausgebildet sein. Die Pixelelektrode 51 kann mit der Drain-Elektrode 45 des Dünnschichttransistors elektrisch verbunden sein. Eine solche Pixelelektrode 51 kann aus einem durchsichtigen leitenden Material ausgebildet sein.
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Auf dem Nicht-Anzeige-Bereich 13 kann eine Identifizierungsmarkenlage 15 ausgebildet sein.
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Auf die Identifizierungsmarkenlage 15 kann eine Identifizierungsmarke geschrieben sein. Die Identifizierungsmarke können Prozessinformationen über jede Anordnungszelle 10 sein. Die Identifizierungsmarke kann auf der Identifizierungsmarkenlage unter Verwendung eines Impulslaserstrahls in einer Tiefdruckform ausgebildet werden.
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4 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnungszelle der LCD-Anzeigevorrichtung entlang der Linien A-A' und B-B' in 3 zeigt.
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Anhand von 4 können auf einem Substrat 1 eine Lichtsperrlage 17 und eine Identifizierungsmarkenlage 15 ausgebildet sein.
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Die Lichtsperrlage 17 kann auf einem Gebiet ausgebildet sein, das einem Kanalgebiet 21a einer Halbleiterlage 21, das später ausgebildet wird, gegenüberliegt. Genau kann die Lichtsperrlage 17 auf einem Gebiet ausgebildet sein, das einer Gate-Elektrode 33, die später ausgebildet wird, gegenüberliegt.
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Die Lichtsperrlage 17 weist eine Funktion zum Abschirmen von Licht, das von einer Hintergrundbeleuchtungseinheit in das Kanalgebiet 21a der Halbleiterlage 21 eingestrahlt wird, auf. Somit kann die Lichtsperrlage 17 ein Stromleck wegen durch Licht ausgebildeten Ladungsträgern verhindern. Die Lichtsperrlage 17 kann in der Weise ausgebildet sein, dass sie eine breitere Fläche als das Kanalgebiet 21a der Halbleiterlage 21 aufweist. Obgleich dies in den Zeichnungen nicht gezeigt ist, kann die Lichtsperrlage 17 in der Weise ausgebildet sein, dass sie eine breitere Fläche als die Halbleiterlage 21 aufweist. Die Lichtsperrlage 17, die im Vergleich zu der Halbleiterlage 21 mit einer breiteren Fläche ausgebildet ist, kann die Halbleiterlage 21 vor Licht der Hintergrundbeleuchtungseinheit schützen.
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Die Identifizierungsmarkenlage 15 kann in einem Rand des Nicht-Anzeige-Bereichs 13 ausgebildet sein. Auf die Identifizierungsmarkenlage 15 kann eine Identifizierungsmarke geschrieben sein. Die Identifizierungsmarke können Prozessinformationen über jede Anordnungszelle 10 sein. Die Identifizierungsmarke kann auf der Identifizierungsmarkenlage 15 unter Verwendung eines Impulslaserstrahls in einer Tiefdruckform ausgebildet werden.
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Die Identifizierungsmarkenlage 15 kann durch denselben Prozess wie die Lichtsperrlage 17 ausgebildet werden. Außerdem kann die Identifizierungsmarkenlage 15 aus demselben Material wie die Lichtsperrlage 17 ausgebildet werden. Zum Beispiel können die Identifizierungsmarkenlage 15 und die Lichtsperrlage 17 aus wenigstens einem Ausgewählten aus einer Materialgruppe, die Titan Ti, Chrom Cr, Nickel Ni, Aluminium Al, Platin Pt, Gold Au, Wolfram W, Kupfer Cu und Molybdän Mo enthält, ausgebildet werden.
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Die Identifizierungsmarkenlage 15 und die Lichtsperrlage 17 können in einer Dicke von mehreren Angström ausgebildet sein. Vorzugsweise sind die Identifizierungsmarkenlage 15 und die Lichtsperrlage 17 in einem Dickenbereich von etwa 300~500 Å ausgebildet. Die Lichtsperrlage 17 wird dazu verwendet, nur Licht zu sperren, das von der Hintergrundbeleuchtungseinheit in das Kanalgebiet 21a der Halbleiterlage 21 eingestrahlt wird. Somit kann die Lichtsperrlage 17 dünner als die Gate-Leitung oder die Daten-Leitung, die zum Übertragen eines Signals verwendet wird, ausgebildet sein.
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Um reflektiertes Licht wiederzuverwenden, kann die Identifizierungsmarkenlage 15 aus Molybdän Mo, das zum Reflektieren von Licht geeignet ist, ausgebildet sein. Somit kann die Identifizierungsmarkenlage 15 den Leistungsverbrauch verringern und die Helligkeit erhöhen. Außerdem kann die Identifizierungsmarkenlage 15 mit der Dicke von mehreren hundert Angström ermöglichen, dass die Identifizierungsmarke durch einen niederenergetischen Impulslaserstrahl 70 geschrieben wird. Vorzugsweise ist die Identifizierungsmarkenlage 15 in einem Dickenbereich von etwa 300~500 Å ausgebildet. Somit kann die Erzeugung von Rissen in dem Substrat 1 oder in der Isolierschicht durch den Laserstrahl verhindert werden. In Übereinstimmung damit kann eine Beschädigung der LCD-Vorrichtung wegen äußerer Einflüsse verhindert werden und kann darüber hinaus die Zuverlässigkeit der LCD-Vorrichtung erhöht werden.
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Auf dem Substrat 1, das mit der Identifizierungsmarkenlage 15 und mit der Lichtsperrlage 17 versehen ist, kann eine Pufferlage 19 ausgebildet sein. Die Pufferlage 19 kann das Eindringen von Verunreinigungen, die durch das Substrat 1 gehen, verhindern. Außerdem kann die Pufferlage 19 eine Stufenbedeckung, die durch die Identifizierungsmarkenlage 15 und durch die Lichtsperrlage 17 verursacht wird, verringern. Eine solche Pufferlage 19 kann aus einem Siliciumoxid wie etwa SiO2 oder anderen ausgebildet sein.
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Auf der Pufferlage 19 kann die Halbleiterlage 21 ausgebildet sein. Die Halbleiterlage 21 kann in das Kanalgebiet 21a, in das Source-Gebiet 21b und in das Drain-Gebiet 21c definiert sein. Das Source-Gebiet 21b und das Drain-Gebiet 21c können durch beide Seitenenden des Kanalgebiets 21a ausgebildet sein. Das Kanalgebiet 21a kann auf einem Gebiet der Pufferlage 19, das der Lichtsperrlage 17 gegenüberliegt, ausgebildet sein. Die Halbleiterlage 21 kann aus polykristallinem Silicium ausgebildet sein. Außerdem kann die Halbleiterlage 21 durch einen Niedertemperatur-Polysiliciumprozess (LTPS-Prozess) ausgebildet werden.
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Auf der Halbleiterlage 21 und auf der Pufferlage 19 kann eine Gate-Isolierschicht 20 ausgebildet sein. Die Gate-Isolierschicht 20 wird dazu verwendet, die Halbleiterlage 21 von einer Gate-Elektrode 33, die später ausgebildet wird, elektrisch zu trennen. Somit muss die Gate-Isolierschicht 20 die Eigenschaft einer hochwertigen Isolation aufweisen. Eine solche Gate-Isolierschicht 20 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial oder aus einem organischen Isoliermaterial ausgebildet sein. Das anorganische Isoliermaterial kann Siliciumnitrid SiNx und Siliciumoxid SiOx enthalten. Das organische Isoliermaterial kann Benzocyclobuten BCB usw. enthalten.
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Auf der Gate-Isolierschicht 20 können die Gate-Elektrode 33 und eine Gate-Leitung 31 ausgebildet sein. Die Gate-Elektrode 33 kann mit der Gate-Leitung 31 elektrisch verb unden sein. Außerdem kann die Gate-Elektrode 33 dadurch ausgebildet sein, dass sie von der Gate-Leitung 31 vorsteht. Darüber hinaus kann die Gate-Elektrode 33 an einer Stelle ausgebildet sein, die dem Kanalgebiet 21a der Halbleiterlage 21 und der Lichtsperrlage 17 gegenüberliegt. Eine solche Gate-Elektrode 33 und Gate-Leitung 31 können aus einem Gate-Metallmaterial ausgebildet sein. Das Gate-Metallmaterial kann wenigstens eines enthalten, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Titan Ti, Chrom Cr, Nickel Ni, Aluminium Al, Platin Pt, Gold Au, Wolfram W, Kupfer Cu und Molybdän Mo besteht.
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Auf der Gate-Isolierschicht 20, die mit der Gate-Leitung 31 und mit der Gate-Elektrode 33 versehen ist, kann eine Lagenisolierschicht 22 ausgebildet sein. Die Lagenisolierschicht 22 wird dazu verwendet, die Gate-Elektrode 33 von der Source- und von der Drain-Elektrode 43 und 45, die später ausgebildet werden, elektrisch zu trennen. Somit muss die Lagenisolierschicht 22 die Eigenschaft einer hochwertigen Isolation aufweisen. Eine solche Lagenisolierschicht 22 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial oder aus einem organischen Isoliermaterial ausgebildet sein. Das anorganische Isoliermaterial kann Siliciumnitrid SiNx und Siliciumoxid SiOx enthalten. Das organische Isoliermaterial kann Benzocyclobuten BCB usw. enthalten.
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In der Lagenisolierschicht 22 und in der Gate-Isolierschicht 20 können ein Source-Kontaktloch 42 und ein Drain-Kontaktloch 46 ausgebildet sein. Das Source-Kontaktloch 42 kann durch die Lagenisolierschicht 22 und durch die Gate-Isolierschicht 20 gehen und das Source-Gebiet 21b der Halbleiterlage 21 freilegen. Das Drain-Kontaktloch 46 kann durch die Lagenisolierschicht 22 und durch die Gate-Isolierschicht 20 gehen und das Drain-Gebiet 21c der Halbleiterlage 21 freilegen. Mit anderen Worten, das Source-Kontaktloch 42 und das Drain-Kontaktloch 46 können in der Weise ausgebildet sein, dass sie durch die Lagenisolierschicht 22 und durch die Gate-Isolierschicht 20 gehen, um das Source-Gebiet 21b und das Drain-Gebiet 21c der Halbleiterlage 21 freizulegen.
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Auf der Lagenisolierschicht 22, die mit dem Source- und mit dem Drain-Kontaktloch 42 und 46 versehen ist, können die Source- und die Drain-Elektrode 43 und 45 und eine Datenleitung 41 ausgebildet sein. Die Source-Elektrode 43 kann mit der Datenleitung 41 elektrisch verbunden sein. Außerdem kann die Source-Elektrode 43 dadurch ausgebildet sein, dass sie von der Datenleitung 41 vorsteht. Darüber hinaus kann die Source-Elektrode 43 mit dem Source-Gebiet 21b der Halbleiterlage 21 über das Source-Kontaktloch 42 elektrisch verbunden sein. Die Drain-Elektrode 45 kann mit dem Drain-Gebiet 21c der Halbleiterlage 21 elektrisch verbunden sein. Die Datenleitung 41, die Source-Elektrode 43 und die Drain-Elektrode 45 können aus einem Daten-Metallmaterial ausgebildet sein. Das Daten-Metallmaterial kann wenigstens eines enthalten, das aus einer Materialgruppe ausgewählt ist, die aus Titan Ti, Chrom Cr, Nickel Ni, Aluminium Al, Platin Pt, Gold Au, Wolfram W, Kupfer Cu und Molybdän Mo besteht.
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Auf der Lagenisolierschicht 22, die mit der Datenleitung 41, mit der Source-Elektrode 43 und mit der Drain-Elektrode 45 versehen ist, kann eine Passivierungslage 24 ausgebildet sein. Die Passivierungslage 24 kann eine Funktion zum Schützen der Hauptkomponenten des Dünnschichttransistors vor äußeren Substanzen aufweisen. Eine solche Passivierungslage 24 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial oder aus einem organischen Isoliermaterial ausgebildet sein. Das anorganische Isoliermaterial kann Siliciumnitrid SiNx und Siliciumoxid SiOx enthalten. Das organische Isoliermaterial kann Benzocyclobuten BCB usw. enthalten.
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Ein Pixelkontaktloch 53, das die Drain-Elektrode 45 freilegt, kann in einer Weise ausgebildet sein, dass es durch die Passivierungslage 24 geht. Die Pixelelektrode 51 kann auf der Passivierungslage 24 in einem Pixelgebiet ausgebildet sein. Die Pixelelektrode 51 kann über das Pixelkontaktloch 53 mit der Drain-Elektrode 45 elektrisch verbunden sein. Eine solche Pixelelektrode 51 kann aus einem durchsichtigen leitenden Material ausgebildet sein. Die Pixelelektrode 51 kann z. B. aus Indiumzinnoxid ITO oder aus Indiumzinkoxid IZO oder aus Indiumzinnzinkoxid ITZO ausgebildet sein.
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5 ist eine Tabelle, die Laserimpulsstrahlen vergleicht, die jeweils zum Schreiben einer Identifizierungsmarke in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform und mit dem verwandten Gebiet verwendet werden.
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Die Tabelle aus 5 vergleicht die Intensität eines Impulslaserstrahls, der in die Identifizierungsmarkenlage des verwandten Gebiets, die aus demselben Material und in derselben Lage wie die Gate-Leitung oder die Datenleitung ausgebildet ist, eingestrahlt wird, und die Intensität eines weiteren Impulslaserstrahls, der in die Identifizierungsmarkenlage in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform eingestrahlt wird.
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Die Identifizierungsmarkenlage des verwandten Gebiets ist aus demselben Material und in derselben Lage wie die Gate- oder die Datenleitung und in einem Dickenbereich von etwa 2000~5000 Å ausgebildet. Der in die Identifizierungsmarkenlage des verwandten Gebiets eingestrahlte Impulslaserstrahl weist eine Leistung von 1,56 W, eine Frequenz von etwa 70 kHz und eine Spitzenleistung von 223 mW auf.
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Währenddessen ist die Identifizierungsmarkenlage der vorliegenden Ausführungsform aus demselben Material und in derselben Lage wie die Lichtsperrlage und in einem Dickenbereich von mehreren hundert Angström, vorzugsweise 300~500 Å, ausgebildet. Der in die Identifizierungsmarkenlage der vorliegenden Ausführungsform eingestrahlte Impulslaserstrahl kann eine Leistung von 0,624 W, eine Frequenz von etwa 40 kHz und eine Spitzenleistung von 156 mW aufweisen.
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Die Leistung bedeutet eine Gesamtenergie pro Zeiteinheit. Außerdem bedeutet die Spitzenleistung eine Leistungsmenge für einen einzelnen Impuls des Impulslaserstrahls.
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Die Intensität des Impulslaserstrahls des verwandten Gebiets und die Intensität des Impulslaserstrahls in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform entsprechen einer Intensität des Impulslaserstrahls, die hoch genug ist, die Identifizierungsmarke über ein optisches Lesegerät OCR zu erkennen.
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Wie aus der Tabelle aus 5 zu sehen ist, kann die vorliegende Ausführungsform, die einen Niederleistungslaserstrahl von 0,624 mW verwendet, im Vergleich zu dem verwandten Gebiet, das einen Hochleistungslaserstrahl von 1,56 W verwendet, die Wirkung einer Leistungsverringerung von 60% sicherstellen.
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6 ist eine Draufsicht, die den Zustand einer Identifizierungsmarkenlage der LCD-Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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Wie in 6 gezeigt ist, wird in der oberen und in der unteren Lage der Identifizierungsmarkenlage in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform kein Riss erzeugt.
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Genauer werden Risse in einem Substrat oder in einer Isolierlage, die auf der unteren oder auf der oberen Oberfläche der Identifizierungsmarkenlage des verwandten Gebiets positioniert ist, erzeugt. Dagegen ist die Identifizierungsmarkenlage der vorliegenden Ausführungsform in derselben Lage wie die Lichtsperrlage ausgebildet. Somit kann die Erzeugung eines Risses in dem Substrat oder in der Pufferlage, die auf der unteren oder auf der oberen Oberfläche der Identifizierungsmarkenlage positioniert ist, verhindert werden.
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Die Erzeugung eines Risses in dem Substrat hängt von der Spitzenleistung und von der Frequenz des Impulslaserstrahls ab. Falls die Identifizierungsmarke in der vorliegenden Ausführungsform unter Verwendung eines Impulslaserstrahls mit einer Frequenz von etwa 40 kHz und mit der Spitzenleistung von etwa 156 mW geschrieben wird, wird kein Riss erzeugt. Da die Erzeugung eines Risses in dem Substrat oder in der Isolierschicht verhindert wird, kann eine Beschädigung der LCD-Vorrichtung verhindert werden. Darüber hinaus kann die Zuverlässigkeit der LCD-Vorrichtung erhöht werden.
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Wie oben beschrieben wurde, ermöglicht die vorliegende Ausführungsform, dass die Identifizierungsmarkenlage in derselben Lage wie die dünne Lichtsperrlage ausgebildet wird. Somit kann die Erzeugung eines Risses in dem Substrat verhindert werden. In Übereinstimmung damit kann die Beständigkeit der LCD-Vorrichtung gegen äußere Einflüsse erhöht werden und kann darüber hinaus die Zuverlässigkeit der LCD-Vorrichtung erhöht werden.
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Jede Bezugnahme in dieser Beschreibung auf ”eine Ausführungsform”, ”Ausführungsform”, ”beispielhafte Ausführungsform” usw. bedeutet, dass ein besonderes Merkmal, eine besondere Struktur oder eine besondere Eigenschaft, die in Verbindung mit der Ausführungsform beschrieben ist, in wenigstens einer Ausführungsform der Erfindung enthalten ist. Das Auftreten solcher Formulierungen an verschiedenen Stellen in der Beschreibung bezieht sich nicht notwendig überall auf dieselbe Ausführungsform. Ferner wird behauptet, dass es, wenn in Verbindung mit irgendeiner Ausführungsform ein besonderes Merkmal, eine besondere Struktur oder eine besondere Eigenschaft beschrieben ist, im Aufgabenbereich des Fachmanns auf dem Gebiet liegt, dieses Merkmal, diese Struktur oder diese Eigenschaft in Verbindung mit anderen der Ausführungsformen herbeizuführen.
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Obgleich Ausführungsformen mit Bezug auf eine Anzahl veranschaulichender Ausführungsformen davon beschrieben worden sind, können vom Fachmann auf dem Gebiet selbstverständlich zahlreiche andere Änderungen und Ausführungsformen konstruiert werden, die im Erfindungsgedanken und Umfang der Prinzipien dieser Offenbarung liegen. Insbesondere sind in Bezug auf die Bestandteile und/oder Anordnungen der jeweiligen Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche verschiedene Änderungen und Abwandlungen möglich. Außer Änderungen und Abwandlungen in Bezug auf die Bestandteile und/oder Anordnungen sind für den Fachmann auf dem Gebiet ebenfalls alternative Verwendungen offensichtlich.
