DE102012003866B4

DE102012003866B4 - Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Kontaktieren von Solarzellen, sowie Solarzellen

Info

Publication number: DE102012003866B4
Application number: DE102012003866A
Authority: DE
Inventors: Jürgen Werner; Renate Zapf-Gottwick
Original assignee: Universitaet Stuttgart
Current assignee: Universitaet Stuttgart
Priority date: 2012-02-23
Filing date: 2012-02-23
Publication date: 2013-07-25
Anticipated expiration: 2032-02-24
Also published as: WO2013124254A1; CN104137270A

Abstract

Es wird ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zur Kontaktierung von Solarzellen (10), angegeben, insbesondere zur Herstellung von Frontkontakten (19) an Solarzellen (10), bei dem zunächst eine metallische Saatstruktur (20) auf der zu kontaktierenden Oberfläche mittels eines LIFT-Prozesses erzeugt wird und anschließend eine Siebdruckschicht (22) auf die Saatstruktur (20) mittels eines Siebdruckverfahrens aufgedruckt wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zur Kontaktierung von Solarzellen, insbesondere zur Herstellung von Frontkontakten an Solarzellen, bei denen zunächst eine metallische Saatstruktur auf der zu kontaktierenden Oberfläche mittels LIFT-Prozesses (Laser-Induced-Forward-Transfer-Prozess) erzeugt wird und anschließend mindestens eine Siebdruckschicht auf die Saatstruktur mittels eines Siebdurckverfahrens aufgedruckt wird.
Die Erfindung betrifft weiter eine Solarzelle mit einem Frontkontakt, der eine Saatstruktur aus Nickel oder einer Nickellegierung und darauf eine Verstärkungsschicht aufweist. Die Erfindung betrifft schließlich auch rückseitig kontaktierte Solarzellen.
Aus der DE 10 2009 053 776 A1 ist ein Verfahren zum Kontaktieren einer Solarzelle gemäß der vorstehend genannten Art bekannt. Hierbei wird ein Dotierstoff zum Bilden einer Emitterschicht eingebracht. Dabei wird mit einem Metall beschichtete Folie mit der Rückseite des Siliziumwafers in Kontakt gebracht und das Metall mithilfe eines Lasers auf den Wafer übertragen. Dies geschieht nach dem sogenannten LIFT-Verfahren (Laser Induced Forward Transfer). Daran können sich zusätzliche Siebdruckschritte anschließen, wobei die N-Typ- und die P-Typ-Bereiche getrennt kontaktiert werden. Ferner kann eine Verstärkung der mit Laser erzeugten Strukturen galvanisch oder stromlos erfolgen.
Aus Röder, T. C.; Hoffmann, E.; Köhler, J. R.; Werner, J. H.: ”30 μm WIDE CONTACTS ON SILICON CELLS BY LASER TRANSFER”, in: 35th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC), 2010, Seiten 3597–3599, DOI: 10.1109/PVSC.2010.5614378 ist es bekannt, mittels des LIFT-Verfahrens Saatstrukturen-Frontkontakte direkt durch die Antireflektionsbeschichtung an der Vorderseite von Solarzellen herzustellen. Die Finger weisen dabei eine Breite von weniger als 30 μm auf.
Ein Siebdruckverfahren wird als ungeeignet zur Verstärkung der durch das LIFT-Verfahren hergestellten Kontaktfinger angesehen. Vielmehr werden die Kontaktfinger durch ein Elektroplattierverfahren verstärkt.
Dies stellt zwar eine grundsätzliche Möglichkeit dar, um dünne Frontkontakte an Solarzellen mit guter Leitfähigkeit herzustellen, jedoch ist das zusätzliche Elektroplattierverfahren relativ aufwändig.
Aus der DE 10 2009 020 774 A1 sind ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates mittels eines LIFT-Prozesses gemäß der vorstehend genannten Art und eine Solarzelle mit einem solchermaßen hergestellten Frontkontakt bekannt.
Danach soll die durch den LIFT-Prozess hergestellte metallische Saatstruktur in einem nachfolgenden Schritt verstärkt werden, wozu insbesondere ein Galvanikverfahren bevorzugt ist.
Im Labormaßstab lassen sich hiermit Solarzellen mit einem niedrigen Kontaktwiderstand herstellen, die auch einen niedrigen Linienwiderstand aufweisen, sofern zur Verstärkung eine Kupfer- oder Silberschicht verwendet wird.
Allerdings ist die Verwendung von Silberpasten sehr teuer, weshalb die Verwendung von Silber als Kontaktmaterial möglichst vermieden werden soll. Problematisch bei der Verwendung von Kupfer Zur Verstärkung der Saatstruktur ist der nachteilige Einfluss von Kupfer durch Diffusion in die Solarzelle.
Zwar wird gemäß der vorstehend genannten Anmeldung vorgeschlagen, die durch den LIFT-Prozess erzeugte metallische Saatstruktur als Diffusionssperrschicht auszubilden, jedoch ist es schwierig, bei der Verwendung eines Galvanikverfahrens im industriellen Maßstab eine sehr genaue Platzierung der Verstärkungslinien nur über der metallischen Saatstruktur zu gewährleisten. Denn es muss ja in jedem Fall verhindert werden, dass sich die Verstärkungsschicht teilweise über Bereiche der Solarzelle erstreckt, die nicht vollständig von der metallischen Saatstruktur gegenüber der Kupferdeckschicht getrennt sind, da sonst ja die Wirkung als Diffusionssperre nicht mehr gewährleistet wäre.
Andererseits muss der Frontkontakt bei Solarzellen möglichst schmal sein, um die optischen Verluste so gering wie möglich zu halten.
Aus der DE 43 30 961 C1 ist ferner ein Verfahren zur Herstellung von strukturierten Metallisierungen auf Oberflächen bekannt, bei dem gleichfalls zunächst eine Laserbekeimung der Substratoberfläche, etwa der ITO-Oberfläche einer LCD-Zelle, mittels eines LIFT-Verfahrens durchgeführt wird und anschließend eine galvanische Verstärkung zum Beispiel in einem Nickelbad vorgenommen wird.
Auch hierbei ergeben sich die zuvor beschriebenen Nachteile.
Aus der WO 2008/080893 A1 ist ferner ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitfähigen Oberflächen auf einem elektrisch nicht leitfähigen Substrat bekannt, bei dem zunächst eine Dispersion von einem Träger durch Bestrahlung mit einem Laser auf das Substrat übertragen wird, anschließend die auf das Substrat übertragene Dispersion zur Bildung einer Basisschicht getrocknet wird und schließlich ein stromloses oder galvanisches Beschichten der Basisschicht erfolgt.
Dieses Verfahren ist besonders zur Erzeugung von elektrisch leitfähigen Oberflächen auf elektrisch nicht leitfähigen Substraten geeignet.
Aus der US 2007/0169806 A1 ist ferner ein Verfahren zur Kontaktierung von Solarzellen bekannt, bei dem zunächst an der Frontseite der Solarzelle eine partielle Ablation der Passivierungsschicht mit Hilfe eines Laser-Verfahrens erfolgt und anschließend die so freigelegten Flächenbereiche mit Hilfe eines Ink-Jet-Verfahrens bedruckt werden.
Auch dieses Verfahren ist mit den vorstehend beschriebenen Nachteilen behaftet.
Vor diesem Hintergrund liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zur Kontaktierung von Solarzellen, anzugeben, mit dem auf möglichst kostengünstige Weise insbesondere die Frontkontakte für Solarzellen hergestellt werden können, wobei ein möglichst hoher Wirkungsgrad erzielbar sein soll.
Ferner soll eine verbesserte Solarzelle angegeben werden, die bei hohem Wirkungsgrad mit möglichst geringen Kosten im industriellen Maßstab herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zur Kontaktierung von Solarzellen, insbesondere zur Herstellung von Frontkontakten an Solarzellen, gelöst, bei dem zunächst eine metallische Saatstruktur auf der zu kontaktierenden Oberfläche mittels eines LIFT-Prozesses erzeugt wird und anschließend mindestens eine Siebdruckschicht auf die Saatstruktur mittels eines Siebdruckverfahrens aufgedruckt wird, wobei die Saatstruktur erste Flächenbereiche aufweist und die Siebdruckschicht mit zweiten Flächenbereichen mittels des Siebdruckverfahrens derart erzeugt wird, dass die zweiten Flächenbereiche mit einer Außenkontur der ersten Flächenbereiche übereinstimmen oder innerhalb davon verlaufen.
Die Aufgabe der Erfindung wird auf diese Weise vollkommen gelöst.
Die Metallisierung mittels der Kombination aus dem LIFT-Prozess und dem anschließenden Siebdruckverfahren bringt eine neue Kombination von zwei Verfahren. Die über das LIFT-Verfahren erzeugte metallische Saatstruktur schafft einen niedrigen Kontaktwiderstand zur Solarzelle. Die Siebdruckschicht bringt in Kombination damit einen niedrigen Linienwiderstand. Durch die Erzeugung der Siebdruckschicht derart, dass deren Flächenbereiche mit der Außenkontur der ersten Flächenbereiche, die durch das LIFT-Verfahren erzeugt sind, übereinstimmen oder innerhalb davon verlaufen, ist gewährleistet, dass die Saatstrukturen ihre Funktion als Diffusionssperrschicht wahrnehmen können.
Ferner wird der Anteil von Kontakt- und Linienwiderstand am Serienwiderstand der Solarzelle gering gehalten. Der hiervon beeinflusste Serienwiderstand wird somit gering gehalten, so dass der Füllfaktor der Solarzelle möglichst groß ist.
Auch bei rückseitig kontaktierten Solarzellen ergeben sich grundsätzlich die die gleichen Vorteile wie bei frontseitig kontaktierten Solarzellen.
Da das Siebdruckverfahren ein im industriellen Maßstab erprobtes Verfahren ist, mit dem sich äußerst feine Strukturen auf kostengünstige Weise präzise erzeugen lassen, ergibt sich in Kombination mit dem LIFT-Verfahren eine besonders kostengünstige und präzise Erzeugung von hochwertigen Kontaktierungen an Solarzellen.
In bevorzugter Weiterbildung der Erfindung wird die Saatstruktur aus Nickel oder einer Nickellegierung hergestellt und die Siebdruckschicht aus einer kupfer- oder nickelhaltigen Siebdruckpaste hergestellt.
Dabei wird die Saatstruktur vorzugsweise als Diffusionssperrschicht hergestellt.
Durch diese Maßnahme wird eine sehr kostengünstige Erzeugung von hochwertigen Leiterbahnen auf der Frontseite von Solarzellen ermöglicht. Die durch den LIFT-Prozess hergestellte nickelhaltige Saatstruktur wird mit ausreichender Dicke erzeugt, um als Diffusionssperrschicht zu wirken. Somit kann hierauf eine kupferhaltige oder nickelhaltige Siebdruckpaste appliziert werden, um so eine elektrisch sehr gut Leitende Verstärkungsschicht zu erzeugen. Insbesondere wird es auf diese Weise ermöglicht, auf die Verwendung von Silber zu verzichten und stattdessen eine nickelhaltige Saatstruktur in Verbindung mit einer Verstärkungsschicht zu ersetzen, so dass sich eine hohe Kostenersparnis ergibt.
Die Saatstruktur wird vorzugsweise mit einer Schichtdicke von 0,1 bis 100 Nanometer, weiter bevorzugt von 0,5 bis 50 Nanometer, weiter bevorzugt von 1 bis 10 Nanometer hergestellt.
Auf diese Weise wird die Dicke der Saatstruktur so gering wie möglich gehalten, jedoch ausreichend, um als Diffusionssperrschicht wirken zu können. Angestrebt wird hierbei auf jeden Fall eine durchgehende Schicht, so dass die Diffusionssperrwirkung erzielt wird.
Hierzu kann die Saatstruktur auch mittels eines weiteren LIFT-Prozesses verstärkt werden, bevor die Siebdruckschicht aufgetragen wird.
Alternativ kann die Siebdruckschicht grundsätzlich auch aus Nickel oder einer Nickellegierung oder einem anderen Metall hergestellt werden.
Bei der Verwendung von Nickel oder einer Nickellegierung können zwar die Probleme mit der erforderlichen Diffusionssperre vermieden werden, allerdings hat Nickel eine deutlich geringere Leitfähigkeit als Kupfer, so dass der Linienwiderstand nicht so niedrig wie bei der Verwendung von Kupfer eingestellt werden kann.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die Saatstruktur durch eine Deckschicht, vorzugsweise durch eine Passivierungsschicht hindurch, vorzugsweise auf einer Frontseite einer Solarzelle erzeugt.
Auf diese Weise kann das im Stand der Technik erforderliche ”Hindurchschießen” einer silberhaltigen Siebdruckpaste vermieden werden. Der hierzu erforderliche Hochtemperaturschritt, der im Stand der Technik bei etwa 700 bis 800°C erfolgt, entfällt vollständig.
Erfindungsgemäß wird die durch eine Siebdruckform auf der Saatstruktur aufgetragene Siebdruckpaste vorzugsweise bei einer Temperatur von weniger als 400°C, vorzugsweise bei höchstens 330°C, eingebrannt.
Da die hierfür erforderlichen Ofen bei deutlich geringeren Temperaturen als bei dem im Stand der Technik notwendigen Hochtemperaturschritt betrieben werden können, ergibt sich zusätzlich eine erhebliche Energieersparnis, wodurch die Herstellungskosten für die so hergestellten Solarzellen entsprechend erniedrigt werden.
In weiter bevorzugter Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine rückseitige Passivierungsschicht, vorzugsweise aus amorphem Silizium, aufgebracht.
Wegen der Vermeidung des Hochtemperaturschrittes und dem möglichen Einbrennen bei Temperaturen von weniger als 400°C kann auf diese Weise die vorteilhafte Passivierung mit einer amorphen Siliziumschicht genutzt werden, die einem Hochtemperaturschritt, wie im Stand der Technik üblich, nicht standhalten würde.
Die Erfindung wird ferner durch eine Solarzelle mit einem Frontkontakt oder mit einem rückseitigen Kontakt, gelöst, der eine Saatstruktur aus Nickel oder einer Nickellegierung und darauf eine Siebdruckschicht aus Kupfer, einer Kupferlegierung, Nickel oder einer Nickellegierung aufweist, wobei die Saatstruktur als Diffusionssperrschicht gegenüber der Siebdruckschicht ausgebildet ist, und wobei die Saatstruktur erste Flächenbereiche und die Siebdruckschicht zweite Flächenbereiche aufweist, die mit einer Außenkontur der ersten Flächenbereiche übereinstimmen oder innerhalb davon verlaufen.
Auch auf diese Weise wird die Aufgabe der Erfindung vollkommen gelöst.
Erfindungsgemäß wird durch die Kombination einer Saatstruktur, die als Diffusionssperrschicht ausgebildet ist, mit einer Siebdruckschicht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung ein niedriger Kontaktwiderstand mit einem niedrigen Linienwiderstand kombiniert. Wegen der Ausführung der Siebdruckschicht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung ergibt sich ein niedriger Linienwiderstand und eine kostengünstige Herstellbarkeit. Ferner ist gewährleistet, dass die Saatstruktur ihre Funktion als Diffusionssperrschicht sicher wahrnehmen kann.
Auch bei rückseitig kontaktierte Solarzellen ergeben sich grundsätzlich die die gleichen Vorteile wie bei frontseitig kontaktierten Solarzellen.
Die über das LIFT-Verfahren erzeugte metallische Saatstruktur bewirkt einen niedrigen Kontaktwiderstand zur Solarzelle. Die Siebdruckschicht bringt in Kombination damit einen niedrigen Linienwiderstand.
Hierbei weist die Saatstruktur vorzugsweise eine Schichtdicke von 0,1 bis 100 Nanometer, vorzugsweise von 0,5 bis 50 Nanometer, weiter bevorzugt von 1 bis 10 Nanometer auf.
Mit einer derartigen Schichtdicke ist die Wirkung als Diffusionssperrschicht sicher gewährleistet.
Weitere Merkmale und Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung. Es zeigen:
1 einen vereinfachten Querschnitt durch eine erfindungsgemäße Solarzelle;
2a) bis 2c) verschiedene Phasen eines LIFT-Prozesses zur Erzeugung der Saatstruktur; und
3 eine schematische Darstellung einer Solarzelle mit einer aufgesetzten Siebdruckform.
In 1 ist ein Querschnitt durch eine Silizium-Solarzelle gezeigt, die insgesamt mit 10 bezeichnet ist. Die Solarzelle 10 weist an ihrer Frontseite einen Emitter 12 (n-Typ) auf, gefolgt von einer Basisschicht 14 (p-Typ), auf die ein Rückseitenkontakt 16 bestehend aus Aluminium flächig aufgebracht ist. Optional ist der Rückseitenkontakt 16 mit einer Passivierungsschicht 23 aus amorphem Silizium überzogen.
Auf dem Emitter 12 befindet sich an der Frontseite eine Passivierungsschicht, die etwa aus Siliziumnitrid bestehen kann. An ausgewählten Stellen ist durch die Passivierungsschicht 18 hindurch mittels eines LIFT-Prozesses, wie nachfolgend noch erläutert wird, eine Saatstruktur 20 erzeugt, die als dünne Mittelschicht ausgebildet ist und den Emitter 12 unmittelbar kontaktiert. Hierauf ist eine Verstärkungsschicht in Form einer Siebdruckschicht 22 aus einer Kupferlegierung aufgebracht. Durch die Kombination aus Saatstruktur 20 und Siebdruckschicht 22 sind so an der Frontseite der Solarzelle 10 die Frontkontakte 19 gebildet. Es ergibt sich ein H-förmiges Gitter mit schmalen Leiterbahnen 19, den Fingern, die den eingesammelten Strom auf Stromsammelschienen, wie Busbars (nicht dargestellt), leiten.
Das Prinzip des LIFT-Prozesses ist im Einzelnen in der DE 10 2009 020 774 A1 erläutert, die hier vollständig durch Bezugnahme eingeschlossen wird.
Mittels des LIFT-Prozesses wird nun durch die Passivierungsschicht 18 hindurch eine metallische Saatstruktur 20 erzeugt, die beispielsweise aus Nickel besteht. Hierzu wird gemäß 2a) in unmittelbarer Nachbarschaft vor der Substratschicht, also vor der Passivierungsschicht 18, ein Trägermaterial 32 in Form einer dünnen Glasschicht oder einer dünnen Folie angeordnet, die auf ihrer der Solarzelle 10 zugewandten Seite mit einer dünnen Metallschicht 34 versehen ist. Es kann sich hierbei beispielsweise um eine Nickelschicht handeln.
In 2b) ist nun dargestellt, wie aus der dünnen Metallschicht 34 ein Teil abgelöst wird und gemäß 2c) durch die Passivierungsschicht 18 hindurch unmittelbar auf die Oberfläche des Emitters 12 geschossen wird. Hierzu wird ein gepulster Laser 24 verwendet, der durch eine Linse 28 und einen Spalt 30 hindurch einen Laserstrahl 26 durch die transparente Trägerschicht 32 auf die Metallschicht 34 richtet. Durch die hohe Energie des gepulsten Laserstrahls wird die Metallschicht 34 lokal abgelöst und verdampft durch die Passivierungsschicht 18 hindurch, um sich auf der Oberfläche des Emitters 12, wie in 2c) gezeigt, als Saatstruktur 20 niederzuschlagen. Diese Schicht ist hier als ”Saatstruktur” bezeichnet, da sie durch einen zusätzlichen Verfahrensschritt, das Siebdrucken, verstärkt wird.
Es versteht sich, dass die Darstellung in den 1 bis 3 rein schematisch ist und nicht die tatsächlichen Größenverhältnisse wiedergibt.
Vorzugsweise wird für den LIFT-Prozess ein gepulster Laser verwendet. Es kann sich beispielsweise um einen Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 532 oder 1.064 Nanometer handeln.
Die gemäß der 2a) bis c) erzeugte Saatstruktur wird gemäß 3 anschließend verstärkt.
Hierzu wird ein Siebdruckverfahren verwendet. Beim Siebdruck wird gemäß 3 zunächst eine Siebdruckform 36 mit einem Sieb 40 auf der Oberfläche derart auf der Solarzelle positioniert, dass die Ausnehmungen im Sieb 40 genau mit den Linien der Saatstruktur 20 korrespondieren. Anschließend wird mit einem Rakel (nicht dargestellt) eine Siebdruckpaste aufgetragen, sodann die Siebdruckform 36 entfernt und die Solarzelle 10 anschließend in einem geeigneten Ofen behandelt, um die Siebdruckpaste einzubrennen. Dies erfolgt vorzugsweise mit einer im Wesentlichen kupferhaltigen Siebdruckpaste bei einer Temperatur von weniger als 400°C, vorzugsweise bei höchstens 330°C.
Durch eine ausreichend präzise Siebdruckform 36 und eine genaue Positionierung vor dem Auftragen der Siebdruckpaste wird sichergestellt, dass sich die erzeugte Siebdruckschicht 22 nur innerhalb der Flächenbereiche der Saatstruktur 20 befindet, maximal mit dem Umriss der Saatstruktur 20 korrespondiert.
Hierdurch wird sichergestellt, dass kein direkter Kontakt zwischen der Siebdruckschicht 22 und der Passivierungsschicht 18 oder der Oberfläche des Emitters 12 entsteht.
Da die Saatstruktur 20 mit ausreichender Stärke hergestellt ist, vorzugsweise mit einer Stärke von etwa 1 bis 10 Nanometer, wodurch eine durchgehende Schicht sichergestellt ist, wird auf diese Weise eine sichere Diffusionssperrschicht zwischen der Siebdruckschicht 22 aus einer Kupferlegierung und der Passivierungsschicht 18 bzw. dem Emitter 12 gewährleistet.
Auf diese Weise werden die nachteiligen Einflüsse einer Kupferdiffusion, die schon bei Raumtemperatur auftritt, sicher vermieden.
Durch die Kombination zwischen der aus Nickel oder einer Nickellegierung bestehenden Saatstruktur 20 und der präzise aufgetragenen Siebdruckschicht 22 ergeben sich Frontkontakte 19 mit einem sehr niedrigen Kontaktwiderstand und einem geringen Linienwiderstand.
Das Herstellverfahren, das aus einem LIFT-Prozess kombiniert mit einem nachfolgenden Siebdruckschritt besteht, lässt sich im industriellen Maßstab in zuverlässiger Weise sehr kostengünstig mit geringem Energieaufwand durchführen.
Da das Einbrennen der Siebdruckschicht 22 bei einer Temperatur unterhalb von 400°C, vorzugsweise bei höchstens 330°C, erfolgt, kann zusätzlich die Rückseite 16 mit einer Passivierungsschicht 23, vorzugsweise aus amorphem Silizium, belegt werden.

Claims

Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zur Kontaktierung von Solarzellen (10), insbesondere zur Herstellung von Frontkontakten (19) an Solarzellen (10), bei dem zunächst eine metallische Saatstruktur (20) auf der zu kontaktierenden Oberfläche mittels eines LIFT-Prozesses erzeugt wird und anschließend mindestens eine Siebdruckschicht (22) auf die Saatstruktur (20) mittels eines Siebdruckverfahrens aufgedruckt wird, wobei die Saatstruktur (20) erste Flächenbereiche aufweist und die Siebdruckschicht (22) mit zweiten Flächenbereichen mittels des Siebdruckverfahrens derart erzeugt wird, dass die zweiten Flächenbereiche mit einer Außenkontur der ersten Flächenbereiche übereinstimmen oder innerhalb davon verlaufen.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Saatstruktur (20) aus Nickel oder einer Nickellegierung hergestellt wird und die Siebdruckschicht (22) aus einer kupfer- oder nickelhaltigen Siebdruckpaste hergestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Saatstruktur (20) als Diffusionssperrschicht hergestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Saatstruktur (20) und die Siebdruckschicht (22) aus Nickel oder einer Nickellegierung hergestellt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Saatstruktur (20) mit einer Schichtdicke von 0,1 bis 100 Nanometer, vorzugsweise von 0,5 bis 50 Nanometer, weiter bevorzugt von 1 bis 10 Nanometer hergestellt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Saatstruktur (20) mittels eines weiteren LIFT-Prozesses verstärkt wird, bevor die Siebdruckschicht (22) aufgetragen wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Saatstruktur (20) durch eine Deckschicht, vorzugsweise durch eine Passivierungsschicht (18) hindurch, vorzugsweise auf einer Frontseite einer Solarzelle (10), erzeugt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Siebdruckpaste durch eine Siebdruckform (36) auf der Saatstruktur (20) aufgetragen wird, die bei einer Temperatur von weniger als 400°C, vorzugsweise höchstens bei 330°C eingebrannt wird.
Verfahren zum Kontaktieren einer Solarzelle (10), bei dem eine rückseitige Passivierungsschicht (23), vorzugsweise aus amorphem Silizium, aufgebracht wird.
Solarzelle mit einem Frontkontakt (19) oder mit einem rückseitigen Kontakt, der eine Saatstruktur (20) aus Nickel oder einer Nickellegierung und darauf eine Siebdruckschicht (22) aus Kupfer, einer Kupferlegierung, aus Nickel oder einer Nickellegierung aufweist, wobei die Saatstruktur (20) als Diffusionssperrschicht gegenüber der Siebdruckschicht (22) ausgebildet ist, und wobei die Saatstruktur (20) erste Flächenbereiche aufweist und die Siebdruckschicht (22) zweite Flächenbereiche aufweist, die mit einer Außenkontur der ersten Flächenbereiche übereinstimmen oder innerhalb davon verlaufen.
Solarzelle nach Anspruch 10, bei der die Saatstruktur (20) eine Schichtdicke von 0,1 bis 100 Nanometer, vorzugsweise von 0,5 bis 50 Nanometer, weiter bevorzugt von 1 bis 10 Nanometer aufweist.