DE102011112696B4 - Solar cell with film for back contact, process for its preparation and use of a film as back contact - Google Patents
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Abstract
Solarzelle (6) mit einer photovoltaisch absorbierenden Schicht (8), wobei eine einer Einfallrichtung auftreffender Photonen abgewandte Seite der photovoltaisch absorbierenden Schicht eine Folie (1) mit einem Substrat (2) und einer auf dem Substrat (2) befindlichen diffraktiven optischen Struktur mit einem photonischen Kristall (3) aufweist.A solar cell (6) having a photovoltaic absorbing layer (8), wherein a side of the photovoltaic absorbing layer facing away from a direction of incidence comprises a foil (1) having a substrate (2) and a diffractive optical structure located on the substrate (2) photonic crystal (3).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einer Folie zur Rückseitenkontaktierung, ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Solarzelle sowie eine Verwendung einer entsprechenden Folie als Rückseitenkontakt einer Solarzelle.The present invention relates to a solar cell with a film for back side contacting, a method for producing such a solar cell, and a use of a corresponding film as back contact of a solar cell.
Herkömmliche Solarzellen verfügen im Allgemeinen über einen Absorber, in dem Photonen absorbiert werden, wobei die Absorption einerseits vom Material des Absorbers und andererseits von dessen Dicke abhängt. Die Absorption des Lichts ist hierbei in der Regel bei begrenzter Dicke und kleinen Absorptionskoeffizienten, welche beispielsweise in der Nähe der elektronischen Bandkante des Absorbers vorliegen, unzureichend. Photonen mit einer Wellenlänge nahe der Bandkante können die Solarzelle in einem solchen Fall wieder verlassen und sind für die Energiegewinnung verloren.Conventional solar cells generally have an absorber in which photons are absorbed, the absorption depending on the one hand on the material of the absorber and on the other hand on its thickness. The absorption of the light here is usually insufficient with limited thickness and small absorption coefficients, which are present for example in the vicinity of the electronic band edge of the absorber. Photons with a wavelength near the band edge can leave the solar cell in such a case again and are lost for energy.
Aus diesem Grund ist es wünschenswert, die Weglänge, die ein Photon in einem photovoltaischen Absorber zurücklegt, möglichst zu vergrößern, um die Wahrscheinlichkeit einer Absorption zu erhöhen. Aus dem Stand der Technik sind hierzu bereits Lösungen bekannt. Beispielsweise kann an eine der Einfallsrichtung der Photonen abgewandte Seite der Solarzelle eine reflektierende, texturierte Fläche aufgebracht werden, welche auftreffende Photonen in den über ihr befindlichen Halbraum zurückreflektiert und sie somit die Solarzelle nochmals durchlaufen lässt.For this reason, it is desirable to maximize the path length traveled by a photon in a photovoltaic absorber in order to increase the probability of absorption. Solutions for this are already known from the prior art. By way of example, a reflective, textured surface can be applied to a side of the solar cell facing away from the direction of incidence, which reflects incident photons back into the half space above them and thus allows the solar cell to pass through again.
Eine weitere Möglichkeit besteht im Einsatz resonanter Strukturen wie optischen Gittern, die das Licht beugen und hierdurch die im photovoltaischen Absorber zurückgelegte Weglänge vergrößern. Optische Gitter können jedoch nicht mit texturierten Flächen kombiniert werden und sind in ihrer Herstellung vergleichsweise teuer.Another possibility is the use of resonant structures such as optical gratings, which diffract the light and thereby increase the path length traveled in the photovoltaic absorber. However, optical gratings can not be combined with textured surfaces and are relatively expensive to manufacture.
Ein wesentlicher Nachteil bei Verwendung derartiger Strukturen besteht weiterhin darin, dass das Aufbringen einer reflektierenden Fläche oder eines optischen Gitters auf eine Solarzelle mit zusätzlichen Prozessschritten der selbigen verbunden ist, was den Fertigungsaufwand erhöht sowie die Fertigstellung der Solarzelle hinauszögert und die zusätzlichen Prozessschritte zu Fehlern in der Solarzelle führen können.A significant disadvantage of using such structures is further that the application of a reflective surface or an optical grating is connected to a solar cell with additional process steps of the same, which increases the production cost and delays the completion of the solar cell and the additional process steps to errors in the Solar cell can lead.
Die Druckschriften
Mikrokapseln, welche in Solarzellen eingesetzt werden können, sind in
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu entwickeln, die die genannten Nachteile vermeidet.The present invention is therefore based on the object to develop a device which avoids the disadvantages mentioned.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Solarzelle mit einer Folie zur Rückseitenkontaktierung, ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Solarzelle sowie eine Verwendung einer entsprechenden Folie als Rückseitenkontakt einer Solarzelle. Vorteilhafte Weiterbildungen werden in den Unteransprüchen beschrieben.This object is achieved by a solar cell with a film for back contact, a method for producing such a solar cell and a use of a corresponding film as back contact of a solar cell. Advantageous developments are described in the subclaims.
Eine erfindungsgemäße Solarzelle mit einer photovoltaisch absorbierenden Schicht weist auf einer einer Einfallsrichtung auftreffender Photonen abgewandten Seite der photovoltaisch absorbierenden Schicht eine Folie mit einem Substrat und einer auf dem Substrat befindlichen diffraktiven optischen Struktur mit einem photonischen Kristall auf. Auf die diffraktive optische Struktur auftreffende Photonen werden durch den photonischen Kristall gebeugt sowie reflektiert. Ist die diffraktive optische Struktur in Kontakt mit der Solarzelle, werden die Photonen somit nochmals durch die Solarzelle, also auch durch den photovoltaischen Absorber geleitet. Die Reflexion erfolgt hierbei breitbandig, d. h. dass eine Vielzahl von Wellenlängen reflektiert wird. Die Beugung kann besonders effizient als resonante Beugung für bestimmte, durch Strukturparameter des photonischen Kristalls vorgegebene Wellenlängen erfolgen.A solar cell according to the invention with a photovoltaically absorbing layer has on a side of the photovoltaically absorbing layer facing away from an incident direction a film with a substrate and a diffractive optical structure on the substrate with a photonic crystal. Photons incident on the diffractive optical structure are diffracted and reflected by the photonic crystal. If the diffractive optical structure is in contact with the solar cell, the photons are thus conducted once again through the solar cell, that is also through the photovoltaic absorber. The reflection is in this case broadband, d. H. that a plurality of wavelengths is reflected. The diffraction can be carried out particularly efficiently as resonant diffraction for specific wavelengths predetermined by structural parameters of the photonic crystal.
Hierdurch ist eine Kombination aus reiner Reflexion mehrerer Wellenlängen und einer effizienten Beugung ausgewählter Wellenlängen gegeben, welche es ermöglicht, die Photonen durch eine Erhöhung der Absorptionswahrscheinlichkeit für die Energiegewinnung zu verwenden. Ein photonischer Kristall weist gegenüber einem optischen Gitter den Vorteil auf, dass er nicht nur zweidimensional wirken kann, sondern auch dreidimensional ausgelegt sein kann. Ein photonischer Kristall kann zum einen einfacher auf ein Substrat aufgebracht werden und kann zum anderen einen weiten Bereich an Einstellmöglichkeiten durch die mehrdimensionale Ausführung aufweisen, beispielsweise hinsichtlich der Schichtdicke oder des inneren Aufbaus.This provides a combination of pure reflection of several wavelengths and efficient diffraction of selected wavelengths, which makes it possible to use the photons by increasing the absorption probability for energy production. A photonic crystal has the advantage over an optical grating that it can not only have a two-dimensional effect, but can also be designed in three dimensions. On the one hand, a photonic crystal can be applied more easily to a substrate and, on the other hand, can have a wide range of adjustment possibilities due to the multi-dimensional design, for example with respect to the layer thickness or the internal structure.
Das Substrat kann eine Oberflächenrauigkeit aufweisen, die eine Reflexion in verschiedenen Winkeln ermöglicht.The substrate may have a surface roughness that allows reflection at different angles.
Die Folie hat den Vorteil, dass diese unabhängig vom Absorber gefertigt und bearbeitet werden kann und lediglich nach ihrer Fertigung mit dem Absorber verbunden werden muss. Weitere Strukturierungsschritte des Absorbers werden so vermieden, so dass die thermische und mechanische Belastung der Solarzelle bei ihrer Herstellung verringert wird.The film has the advantage that it can be manufactured and processed independently of the absorber and only needs to be connected to the absorber after its production. Further structuring steps of the absorber are thus avoided so that the thermal and mechanical stress of the solar cell is reduced in their manufacture.
In einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Substrat flexibel ist. Hiermit kann die Folie auf eine Vielzahl von Solarzellen aufgebracht werden, ohne dass bei der Herstellung der Folie bereits geometrische Eigenschaften der Solarzelle berücksichtigt werden müssen und somit der Anwendungsbereich erfindungsgemäßer Folien vergrößert werden kann.In an embodiment it can be provided that the substrate is flexible. Hereby, the film can be applied to a large number of solar cells, without it being necessary to take into account geometrical properties of the solar cell during the production of the film, and thus the field of application of films according to the invention can be increased.
Weiterhin kann vorgesehen sein, dass das Material des Substrats selbst leitfähig ist und bzw. oder das Substrat eine zusätzliche Metallisierung aufweist. Ein leitfähiges Substrat umfasst in vorteilhafter Weise Metall, insbesondere Aluminium. Durch die Leitfähigkeit des Substrats kann auf einfache Art und Weise eine elektrische Kontaktierung der Folie mit der Solarzelle herbeigeführt werden. Dies ist nötig, um den produzierten Strom der Solarzelle auch bei elektrischer Kontaktierung der Folie mit der absorbierenden Schicht der Solarzelle abführen zu können. Die zusätzliche Metallisierung kann in vorteilhafter Weise die Leitfähigkeit erhöhen sowie eine Herstellung der diffraktiven optischen Struktur, insbesondere des photonischen Kristalls, vereinfachen. Um die Herstellung des photonischen Kristalls zu vereinfachen, wird die Metallisierung in einer Gitterstruktur aufgebracht bzw. für die Metallisierung ein Metall mit einer Gitterstruktur ausgewählt, welche ein Ausbilden einer speziellen Kristallstruktur der darauf abzuscheidenden diffraktiven optischen Struktur unterstützt, mithin also als Keimschicht für den diffraktiven optischen Kristall dient.Furthermore, it can be provided that the material of the substrate itself is conductive and / or the substrate has an additional metallization. A conductive substrate advantageously comprises metal, in particular aluminum. Due to the conductivity of the substrate can be brought about in a simple manner an electrical contacting of the film with the solar cell. This is necessary in order to be able to dissipate the produced current of the solar cell even when the foil is in electrical contact with the absorbing layer of the solar cell. The additional metallization can advantageously increase the conductivity and simplify production of the diffractive optical structure, in particular of the photonic crystal. In order to simplify the production of the photonic crystal, the metallization is applied in a lattice structure or for metallization, a metal with a lattice structure is selected, which supports formation of a special crystal structure of the diffractive optical structure to be deposited thereon, thus as a seed layer for the diffractive optical Crystal serves.
In einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass der photonische Kristall ein dreidimensionaler photonischer Kristall ist. Durch eine Ausbildung des Kristalls in drei Dimensionen wird wiederum die Wahrscheinlichkeit erhöht, dass ein auftreffendes Photon von dem Kristall gestreut bzw. reflektiert wird. Darüber hinaus erlaubt ein dreidimensionaler photonischer Kristall eine weitergehende Einstellung seiner Eigenschaften, beispielsweise eine Einstellung der Schichtdicke, um die Reflexions- oder Beugungswahrscheinlichkeit zu erhöhen, oder eine Änderung einer den photonischen Kristall definierenden Gitterstruktur in mehr als einer Dimension.In one embodiment, it may be provided that the photonic crystal is a three-dimensional photonic crystal. Forming the crystal in three dimensions in turn increases the likelihood that an incident photon will be scattered by the crystal. In addition, a three-dimensional photonic crystal allows further adjustment of its properties, for example, adjustment of the layer thickness to increase the reflection or diffraction probability, or a change of a photonic crystal defining lattice structure in more than one dimension.
In einer alternativen Ausführungsform kann der photonische Kristall auch ein zweidimensionaler photonischer Kristall sein. Dies erlaubt ebenfalls eine erhöhte Flexibilität einer Einstellung der Kristalleigenschaften gegenüber einem eindimensionalen photonischen Kristall, allerdings ist der Kristallaufbau gegenüber einem dreidimensionalen photonischen Kristall einfacher gehalten.In an alternative embodiment, the photonic crystal may also be a two-dimensional photonic crystal. This also allows increased flexibility of adjusting the crystal properties over a one-dimensional photonic crystal, but simplifies the crystal structure over a three-dimensional photonic crystal.
In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der dreidimensionale photonische Kristall eine invertierte Gitterstruktur, insbesondere einen invertierten Opal, eine kubisch flächenzentrierte Kristallstruktur (welche auch als fcc-Gitter bezeichnet wird), eine hexagonal dichteste Kugelpackung (welche auch als hcp-Gitter bezeichnet wird) oder eine Struktur mit einer tetragonalen Symmetrie wie eine Woodpile-Struktur. Eine Woodpile-Struktur, welche auch als Holzstoff-Struktur bezeichnet wird, besteht aus übereinander geschichteten Balken, wobei in einer der Schichten liegende Balken parallel zueinander angeordnet sind und in jeder der diese Struktur bildenden Schichten die Balken um einen bestimmten Winkel, im Allgemeinen zwischen 70° und 110°, vorzugsweise 90° gegenüber der Ausrichtung der Balken in der vorhergehenden Schicht gedreht sind. Eine Woodpile-Struktur zeichnet sich dadurch aus, dass durch die schichtweise Anordnung und voneinander beabstandete Balken einer Schicht Bereiche mit unterschiedlicher Dielektrizitätszahl leicht herstellbar sind. Statt der genannten invertierten Gitterstrukturen kann der dreidimensionale photonische Kristall auch die aufgezählten Gitterstrukturen in nicht-invertierter Form umfassen.In a preferred embodiment, the three-dimensional photonic crystal comprises an inverted lattice structure, in particular an inverted opal, a cubic face-centered crystal structure (also referred to as fcc lattice), a hexagonal closest sphere packing (also referred to as hcp lattice) or a structure with a tetragonal symmetry like a woodpile structure. A woodpile structure, also referred to as a wood pulp structure, consists of stacked beams, with beams lying in one of the layers being arranged parallel to each other, and in each of the layers forming this structure, the beams are inclined by a certain angle, generally between 70 ° and 110 °, preferably 90 ° relative to the orientation of the beams in the previous layer are rotated. A woodpile structure is characterized by the fact that the layered arrangement and spaced-apart beams of a layer areas with different dielectric constant are easy to produce. Instead of the said inverted grating structures, the three-dimensional photonic crystal may also comprise the enumerated grating structures in non-inverted form.
Eine invertierte Gitterstruktur zeichnet sich besonders dadurch aus, dass Räume zwischen den die nicht-invertierte Gitterstruktur definierenden Gitterpunkten mit Material gefüllt sind, wodurch die Ausbildung von Bereichen mit unterschiedlicher Dielektrizitätszahl erreicht werden kann. Durch die Bereitstellung eines invertierten Opals wird vorteilhaft eine Struktur verwendet, bei der die kubisch dichteste Kugelpackung des Opals den zur Verfügung stehenden Raum der invertierten Struktur minimiert und diese besonders effizient Photonen in ihrer Ausbreitungsrichtung beeinflussen kann.An inverted lattice structure is characterized in particular by the fact that spaces between the lattice points defining the non-inverted lattice structure are filled with material, whereby the formation of regions having a different relative permittivity can be achieved. By providing an inverted opal, a structure is advantageously used in which the cubic closest sphere packing of the opal minimizes the available space of the inverted structure and this can particularly efficiently influence photons in their propagation direction.
Weiterhin kann vorgesehen sein, dass der photonische Kristall Kavitäten mit einem Durchmesser zwischen 200 nm bis 1000 nm aufweist. Die Kavitäten weisen somit eine Größenordnung auf, die der halben Wellenlänge des sichtbaren Lichts und des nahen Infrarots entspricht. Die letztgenannten Wellenlängen sind in der Regel die für die Energiekonversion durch Solarzellen gewünschten Wellenlängenbereiche, welche bei derartigen Größen der Kavitäten besonders effizient in ihrer Ausbreitungsrichtung beeinflusst werden. Durch die entsprechende Wahl der Abmessungen werden Photonen dieser Wellenlängen besonders effizient beeinflusst.Furthermore, it can be provided that the photonic crystal has cavities with a diameter between 200 nm to 1000 nm. The cavities thus have an order of magnitude which corresponds to half the wavelength of the visible light and the near infrared. The latter wavelengths are generally the wavelength ranges desired for the energy conversion by solar cells, which are particularly efficiently influenced in their propagation direction with such sizes of the cavities. By appropriate choice of dimensions, photons of these wavelengths are particularly efficiently influenced.
Weiterhin kann vorgesehen sein, dass die Kavitäten mit einem dielektrischen, transparenten Material mit niedriger Brechzahl, insbesondere Luft, oder Polymerkugeln aus Polymethylmethacrylat (PMMA) oder Polystryrol gefüllt sind. Die Verwendung derartiger dielektrischer Materialien erlaubt die Herstellung eines photonischen Kristalls mit lokal unterschiedlich einstellbaren Dielektrizitätskonstanten. Polymerkugeln erlauben die Ausbildung einer definierten gleichmäßigen Gitterstruktur sowie eine definierte Einstellung der bereichsweisen Dielektrizitätskonstanten. Der Begriff ”transparent” soll hierbei so definiert sein, dass das entsprechende Material eine einfallende optische Strahlung derart schwach absorbiert, dass nach Durchlaufen des besagten Materials diese optische Strahlung eine zur Detektion ausreichende Intensität aufweist. Der Begriff ”optische Strahlung” soll dabei nicht nur sichtbares Licht mit einer Wellenlänge von 400 nm bis 780 nm bezeichnen können, sondern auch infrarotes Licht und/oder ultraviolettes Licht. Der Begriff ”niedrige Brechzahl” soll Brechzahlen n ≤ 2 bei einer Wellenlänge des gebrochenen Lichts von 589 nm bezeichnen.Furthermore, it can be provided that the cavities are filled with a dielectric, transparent material with a low refractive index, in particular air, or polymer spheres made of polymethyl methacrylate (PMMA) or polystyrene. The use of such dielectric materials allows the production of a photonic crystal with local different adjustable dielectric constants. Polymer balls allow the formation of a defined uniform lattice structure as well as a defined adjustment of the area-wise dielectric constant. The term "transparent" should in this case be defined such that the corresponding material absorbs incident optical radiation so weakly that after passing through said material, this optical radiation has an intensity sufficient for detection. The term "optical radiation" should not only be able to designate visible light with a wavelength of 400 nm to 780 nm, but also infrared light and / or ultraviolet light. The term "low refractive index" is intended to denote refractive indices n ≦ 2 at a wavelength of the refracted light of 589 nm.
Außerdem kann vorgesehen sein, dass die diffraktive optische Struktur leitfähig ist, wozu sie vorzugsweise ein transparentes leitfähiges Oxid, insbesondere dotiertes Zinkoxid oder Indiumzinnoxid, umfasst. Die Dotierung kann hierbei beispielsweise Aluminium umfassen. Durch eine leitfähige diffraktive optische Struktur wird die elektrische Kontaktierung der erfindungsgemäßen Folie mit der Solarzelle erleichtert. Die Verwendung von transparenten Oxiden erlaubt Photonen, gegebenenfalls bis zum Substrat durchzudringen und spätestens an dieser Stelle reflektiert zu werden, sodass keine Absorption in der diffraktiven optischen Struktur selbst stattfindet. Die diffraktive optische Struktur kann in einer weiteren Ausführungsform jedoch auch elektrisch isolierend sein.In addition, it can be provided that the diffractive optical structure is conductive, for which purpose it preferably comprises a transparent conductive oxide, in particular doped zinc oxide or indium tin oxide. The doping may include, for example, aluminum. A conductive diffractive optical structure facilitates the electrical contacting of the film according to the invention with the solar cell. The use of transparent oxides allows photons to possibly penetrate to the substrate and be reflected at the latest at this point, so that no absorption takes place in the diffractive optical structure itself. However, in another embodiment, the diffractive optical structure may also be electrically insulating.
In einer weiteren Ausführungsform weist der photonische Kristall eine Dicke zwischen 100 nm und 1 mm, vorzugsweise 500 nm bis 500 μm, auf. Des Weiteren kann die mit dem photonischen Kristall versehene Folie als kontinuierliche Bahn hergestellt werden und eine Breite zwischen 1 mm und 2 m, vorzugsweise zwischen 1 mm und 1 m, aufweisen. Selbstverständlich sind auch Folien mit begrenzter Länge, wie zum Beispiel mit einer Länge von bis zu 50 cm, möglich.In a further embodiment, the photonic crystal has a thickness of between 100 nm and 1 mm, preferably 500 nm to 500 μm. Furthermore, the photonic crystal-provided film can be produced as a continuous web and have a width between 1 mm and 2 m, preferably between 1 mm and 1 m. Of course, also films of limited length, such as with a length of up to 50 cm, possible.
Ein Verfahren, bei dem eine Solarzelle mit einer Folie zur Rückseitenkontaktierung hergestellt wird, umfasst als ersten Schritt das Aufbringen einer kolloidalen Suspension auf das Substrat, sofern eine herzustellende kristalline Struktur kugelförmige Kavitäten aufweisen soll. Die kolloidale Suspension enthält zu diesem Zweck vorzugsweise Polymerkugeln, beispielsweise aus PMMA oder Polystyrol. Durch das Aufbringen auf das Substrat wird eine selbstorganisierende Ausbildung einer kristallinen Struktur ermöglicht. In besonders vorteilhafter Weise weisen die in der kolloidalen Suspension verwendeten Kugeln einen Durchmesser zwischen 200 nm und 1000 nm auf. Nach Herstellung der kristallinen Struktur auf dem Substrat wird die kristalline Struktur gegebenenfalls mit einer zusätzlichen Schicht versehen und so eine invertierte kristalline Struktur geschaffen, d. h. Hohlräume zwischen den die kristalline Struktur bildenden Polymerkugeln werden mit Material, vorzugsweise transparenten leitfähigen Oxiden, gefüllt. Auch die erzeugte invertierte Struktur weist somit Kavitäten mit der Größe der verwendeten Polymerkugeln auf. Durch das Aufbringen der kolloidalen Lösung auf das Substrat kann auch eine Glättung der Oberflächenrauigkeit des Substrats erreicht werden (falls das Substrat eine texturierte Oberfläche aufweist), wodurch eine Verbindung mit einem photovoltaischen Absorber einer Solarzelle erleichtert wird.A method in which a solar cell is produced with a film for back contact, comprises, as a first step, the application of a colloidal suspension to the substrate, if a crystalline structure to be produced is to have spherical cavities. For this purpose, the colloidal suspension preferably contains polymer spheres, for example of PMMA or polystyrene. By applying to the substrate, a self-organizing formation of a crystalline structure is made possible. In a particularly advantageous manner, the spheres used in the colloidal suspension have a diameter between 200 nm and 1000 nm. After preparation of the crystalline structure on the substrate, the crystalline structure is optionally provided with an additional layer to provide an inverted crystalline structure, i. H. Voids between the polymer beads forming the crystalline structure are filled with material, preferably transparent conductive oxides. The generated inverted structure thus also has cavities with the size of the polymer spheres used. By applying the colloidal solution to the substrate, it is also possible to achieve a smoothing of the surface roughness of the substrate (if the substrate has a textured surface), thereby facilitating a connection with a photovoltaic absorber of a solar cell.
Sofern der photonische Kristall der diffraktiven optischen Struktur eine Woodpile-Struktur aufweist, wird zunächst ein Polymer auf das Substrat aufgebracht. Nach einem Aushärten des Polymers wird die Woodpile-Struktur durch eine dreidimensionale Lithographietechnik in das Polymer geschrieben und nicht beschriebene Bereiche des Polymers herausgelöst, sodass nur noch die durch Lithographie eingeschriebenen Bereiche des Polymers stehen bleiben. Gegebenenfalls kann die hergestellte Woodpile-Struktur auch invertiert werden.If the photonic crystal of the diffractive optical structure has a woodpile structure, a polymer is first applied to the substrate. After curing of the polymer, the woodpile structure is written into the polymer by means of a three-dimensional lithography technique and unillustrated regions of the polymer are dissolved out so that only the areas of the polymer inscribed by lithography remain in place. Optionally, the woodpile structure produced can also be inverted.
In einer Ausführungsform des Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die kolloidale Suspension durch Tauchbeschichtung, Rakelbeschichtung oder Sprühbeschichtung aufgebracht wird. Hierdurch wird in einfacher Art und Weise eine gleichmäßige Beschichtung des Substrats ermöglicht.In one embodiment of the method it can be provided that the colloidal suspension is applied by dip coating, knife coating or spray coating. As a result, a uniform coating of the substrate is possible in a simple manner.
Weiterhin kann vorgesehen sein, dass durch Aufbringen eines transparenten leitfähigen oder elektrisch isolierenden Oxids durch Gasphasenabscheidung, in vorteilhafter Weise Atomlagenabscheidung, oder elektrochemische Abscheidungen die invertierte Struktur erzeugt wird. Hierbei werden, wie bereits erläutert, Hohlräume zwischen den das nicht-invertierte Gitter bildenden Polymerkugeln mit Material aufgefüllt. Die genannten Verfahren weisen den Vorteil auf, dass eine zuverlässige und gleichmäßige Invertierung der Struktur zeitsparend mit bekannten Techniken durchgeführt werden kann.Furthermore, it can be provided that by applying a transparent conductive or electrically insulating oxide by vapor deposition, advantageously atomic layer deposition, or electrochemical depositions, the inverted structure is generated. Here, as already explained, cavities between the polymer balls forming the non-inverted grid are filled up with material. The aforementioned methods have the advantage that a reliable and uniform inversion of the structure can be performed in a time-saving manner using known techniques.
In einem Verfahrensschritt kann vorgesehen sein, dass Bestandteile der kolloidalen Suspension aus der invertierten Struktur gelöst werden, wobei in vorteilhafter Weise Tetrahydrofuran als Lösungsmittel verwendet wird. Hierdurch kann die kolloidale Suspension, welche zur Herstellung der invertierten Struktur verwendet wurde, vollständig aus der invertierten Struktur entfernt werden, um somit keine störenden Beimischungen zuzulassen. Der flüssige Teil der kolloidalen Suspension verflüchtigt sich in der Regel bereits durch verdampfen, die in der kolloidalen Suspension enthaltenen Kugeln werden durch die Verwendung eines Lösungsmittels herausgelöst.In one process step it can be provided that constituents of the colloidal suspension are dissolved out of the inverted structure, wherein tetrahydrofuran is advantageously used as solvent. As a result, the colloidal suspension used to prepare the inverted structure can be completely removed from the inverted structure so as not to allow any interfering admixtures. The liquid part of the colloidal suspension usually volatilizes by evaporation, the spheres contained in the colloidal suspension are dissolved out by the use of a solvent.
Zur Herstellung einer Solarzelle mit einer Folie mit den zuvor beschriebenen Eigenschaften kann vorgesehen sein, dass die Folie mit einem photovoltaischen Absorber der Solarzelle durch thermisches Fügen oder Laserfügen verbunden wird. Hierdurch wird einerseits eine zuverlässige elektrische und mechanische Kontaktierung der beiden Elemente sichergestellt, während andererseits keine oder nur wenige zusätzliche Defekte in der vorgefertigten Solarzelle entstehen. To produce a solar cell with a film having the properties described above, it can be provided that the film is connected to a photovoltaic absorber of the solar cell by thermal joining or laser joining. As a result, a reliable electrical and mechanical contacting of the two elements is ensured on the one hand, while on the other hand no or only a few additional defects in the prefabricated solar cell arise.
In einer Ausführungsform kann hierbei auch vorgesehen sein, dass eine elektrische Kontaktierung eines leitfähigen Substrats mit dem photovoltaischen Absorber an lediglich zwei definierten Abschnitten durch lokales Schmelzen des Substrats erfolgt, wobei das leitfähige Substrat und der photovoltaische Absorber durch einen nicht leitfähigen Bereich räumlich voneinander separiert sind und die beiden aufzuschmelzenden Abschnitte ebenfalls voneinander isoliert sind. Dies erlaubt eine Kontaktierung der Folie mit dem photovoltaischen Absorber der Solarzelle an ausgewählten Abschnitten und verhindert einen ungewollten Kurzschluss.In one embodiment, it can also be provided that an electrical contacting of a conductive substrate with the photovoltaic absorber takes place at only two defined sections by local melting of the substrate, wherein the conductive substrate and the photovoltaic absorber are spatially separated from each other by a non-conductive region and the two sections to be melted are also isolated from each other. This allows a contacting of the film with the photovoltaic absorber of the solar cell at selected sections and prevents unwanted short circuit.
In vorteilhafter Weise kann vorgesehen sein, dass die Folie derart strukturiert wird, dass eine Anordnung von Rückseitenkontakten des photovoltaischen Absorbers der Solarzelle zu einer Anordnung von aufschmelzbaren Kontaktierpunkten der Folie korrespondiert. Hierdurch wird eine besonders einfache Aufbringung und elektrische Kontaktierung der Folie mit der vorgefertigten Solarzelle ermöglicht.In an advantageous manner, it can be provided that the film is structured such that an arrangement of rear side contacts of the photovoltaic absorber of the solar cell corresponds to an arrangement of fusible contact points of the film. This allows a particularly simple application and electrical contacting of the film with the prefabricated solar cell.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend anhand der
In
Die dargestellte Folie
In
Die Kavitäten
Die Kavitäten
Zur Herstellung einer derartigen Folie
Das transparente leitfähige Oxid wird durch Atomlagenabscheidung aufgebracht, wobei eine Schichtdicke von 30 nm innerhalb von 15–20 Minuten erreicht werden kann. Statt Atomlagenabscheidung kann auch ein elektrochemisches Aufwachsen oder eine Gasphasenabscheidung erfolgen.The transparent conductive oxide is deposited by atomic layer deposition, whereby a layer thickness of 30 nm can be achieved within 15-20 minutes. Instead of atomic layer deposition, electrochemical growth or vapor deposition can also take place.
Der photovoltaische Absorber
Hierzu kann auch vorgesehen sein, dass das Substrat
Anstelle des invertierten Opals kann auch eine Woodpile-Struktur, wie sie in
Eine derartige Woodpile-Struktur kann auch invertiert werden, indem Hohlräume zwischen den Balken
Lediglich in den Ausführungsbeispielen offenbarte Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen können miteinander kombiniert und einzeln beansprucht werden.Only features disclosed in the embodiments of the various embodiments can be combined and claimed individually.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060260673A1 (en) * | 2003-10-17 | 2006-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element and method of producing photovoltaic element |
DE102007007029A1 (en) * | 2007-02-08 | 2008-08-14 | Bundesdruckerei Gmbh | Security and / or value document with photonic crystal |
DE102007012042A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Giesecke & Devrient Gmbh | security element |
DE102008032610A1 (en) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Microcapsule, system comprising microcapsules, method for changing the state of at least one microcapsule and device for this purpose |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060260673A1 (en) * | 2003-10-17 | 2006-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element and method of producing photovoltaic element |
DE102007007029A1 (en) * | 2007-02-08 | 2008-08-14 | Bundesdruckerei Gmbh | Security and / or value document with photonic crystal |
DE102007012042A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Giesecke & Devrient Gmbh | security element |
DE102008032610A1 (en) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Microcapsule, system comprising microcapsules, method for changing the state of at least one microcapsule and device for this purpose |
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