DE102011088710B4 - MAGNETORISTIVE ANGLE SENSORS - Google Patents
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Abstract
Magnetoresistiver Winkelsensor, der folgende Merkmale aufweist:
eine erste Mehrzahl von Leitern (102a - 102n, 202b), die parallel zueinander in einer ersten Ebene angeordnet sind, um ein erstes Array zu bilden;
eine zweite Mehrzahl von Leitern (104a - 104n, 202a), die parallel zueinander in einer zweiten Ebene angeordnet sind, um ein zweites Array zu bilden, wobei die zweite Ebene unterschiedlich zu und beabstandet von der ersten Ebene ist und die zweite Mehrzahl von Leitern (104a - 104n, 202a) orthogonal im Hinblick auf die erste Mehrzahl von Leitern (102a - 102n, 202b) angeordnet ist;
zumindest ein magnetoresistives Element (206) zum Messen eines Winkels eines angelegten Magnetfelds, wobei das magnetoresistives Element (206) in der Nähe der ersten Ebene und der zweiten Ebene angeordnet ist; und
eine Sensorschaltungsanordnung (200), die konfiguriert ist, um einen ersten Winkel des angelegten Magnetfeldes zu messen, ohne Strom in der ersten und zweiten Mehrzahl aus Leitern (102a- 102n, 104a - 104n, 202b, 202a), und einen zweiten Winkel zu messen, mit einem Strom, der an die erste und zweite Mehrzahl aus Leitern (102a - 102n, 104a - 104n, 202b, 202a) angelegt ist.
Magnetoresistive angle sensor, comprising:
a first plurality of conductors (102a-102n, 202b) disposed parallel to one another in a first plane to form a first array;
a second plurality of conductors (104a-104n, 202a) disposed parallel to each other in a second plane to form a second array, the second plane being different from and spaced from the first plane and the second plurality of conductors (104). 104a-104n, 202a) being orthogonal with respect to the first plurality of conductors (102a-102n, 202b);
at least one magnetoresistive element (206) for measuring an angle of an applied magnetic field, the magnetoresistive element (206) being disposed proximate the first plane and the second plane; and
sensor circuitry (200) configured to measure a first angle of the applied magnetic field without measuring current in the first and second plurality of conductors (102a-102n, 104a-104n, 202b, 202a) and a second angle with a current applied to the first and second plurality of conductors (102a-102n, 104a-104n, 202b, 202a).
Description
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf integrierte Schaltungen und insbesondere auf magnetoresistive Winkelsensoren integrierter Schaltungen.The invention relates generally to integrated circuits, and more particularly to magnetoresistive angle integrated circuit sensors.
Magnetoresistive (MR-) Winkelsensoren sind üblicherweise dünne, flache Strukturen, die auf einer Hauptoberfläche eines Substrats gebildet sind, wie z. B. einem Halbleiterchip. Die Projektion eines Magnetfelds auf diese Hauptoberfläche wird als das planare Magnetfeld bezeichnet. MR-Sensoren messen direkt den Winkel zwischen dem planaren Magnetfeld und einer Referenzrichtung in der Hauptoberfläche. MR-Sensoren messen jedoch üblicherweise nicht die Größe des Magnetfelds. Bei vielen Anwendungen ist dies ein Nachteil. Zum Beispiel weisen MR-Winkelsensoren üblicherweise einen kleinen Dauermagneten auf, der an den Schaft angebracht ist und dessen Position gemessen werden soll. Dieser Magnet kann jedoch abgelöst werden, abplatzten oder abbrechen oder kann ein loses Metallstück anziehen, das einen Teil des Magnetfelds kurzschließt. Diese und andere Situationen können Winkelmessfehler schaffen, die häufig nicht erfasst werden können. Es ist ferner vorteilhaft, die Stärke des Magneten über der Zeit zu überwachen, um Drift oder Korrosion über die Lebensdauer zu erfassen oder zu erfassen, ob starke Magnetfelder von nahe liegenden Maschinen und Systemen auf den Sensor wirken.Magnetoresistive (MR) angle sensors are typically thin, flat structures formed on a major surface of a substrate, such as a substrate. B. a semiconductor chip. The projection of a magnetic field on this major surface is referred to as the planar magnetic field. MR sensors directly measure the angle between the planar magnetic field and a reference direction in the main surface. However, MR sensors usually do not measure the size of the magnetic field. In many applications this is a disadvantage. For example, MR angle sensors typically have a small permanent magnet attached to the shaft and whose position is to be measured. However, this magnet may become detached, flake or break off, or may attract a loose piece of metal that shorts a portion of the magnetic field. These and other situations can create angle measurement errors that often can not be detected. It is also advantageous to monitor the strength of the magnet over time to detect drift or corrosion over the lifetime or to detect if strong magnetic fields from nearby machines and systems are acting on the sensor.
Ein bestimmter Typ eines MR-Sensors ist ein anisotroper MR-Sensor oder AMR-Sensor. AMR-Sensoren sind häufig kostengünstiger, genauer und robuster als andere Sensoren. AMR-Sensoren können ferner den Magnetfeldwinkel messen, aber nur zwischen 0 Grad und 180 Grad. Für einige Anwendungen, wie z. B. eine Steuerwinkelpositionserfassung, ist es erwünscht, eine ganze Auflösung von 0 Grad bis 360 Grad zu messen.One particular type of MR sensor is an anisotropic MR sensor or AMR sensor. AMR sensors are often less expensive, more accurate and more robust than other sensors. AMR sensors can also measure the magnetic field angle, but only between 0 degrees and 180 degrees. For some applications, such as For example, a control angle position detection, it is desirable to measure a whole resolution of 0 degrees to 360 degrees.
MR-Sensoren unterliegen ferner einer Hysterese zumindest teilweise aufgrund von Unreinheiten in den MR-Schichten, was bedeutet, dass das Ausgangssignal dem wahren Winkel des angelegten Magnetfelds um ungefähr 0,1 Grad bis ungefähr 1 Grad nacheilt. Dies ist ein weiterer Nachteil, der herkömmlichen MR-Sensoren zugeordnet ist.MR sensors are also subject to hysteresis, at least in part, due to impurities in the MR layers, which means that the output signal lags the true angle of the applied magnetic field by about 0.1 degrees to about 1 degree. This is another disadvantage associated with conventional MR sensors.
Die
Weitere Magnetfeldsensoren sind in der
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen magnetoresistiven Winkelsensor und ein Verfahren zu schaffen, die eine zuverlässige und kostengünstige Messung eines Magnetfeldwinkels eines angelegten Magnetfeldes ermöglichen.It is the object of the present invention to provide a magnetoresistive angle sensor and a method which enable a reliable and inexpensive measurement of a magnetic field angle of an applied magnetic field.
Die Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Weiterbildungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.The object is solved by the features of the independent claims. Further developments can be found in the dependent claims.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1A ein Leitergitter gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
1B ein Leitergitter gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
1C die Leitergitter gemäß1A und1B zusammen gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
2A eine Querschnittsansicht eines Sensorsystems gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
2B eine Draufsicht des Sensorsystems aus2A ; -
3 eine Leiterkonfiguration gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
4 eine Magnetfeldrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel von3 ; -
5 ein Diagramm aus Magnetfeldern und Winkeln gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
6 ein Diagramm aus Magnetfeldern und Winkeln gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
7 ein Diagramm aus Magnetfeldern und Winkeln gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
8 ein Flussdiagramm eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
9 ein Diagramm eines Entmagnetisierungsmusters gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
10 ein Diagramm von angelegten Strömen gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
11 eine Leiterkonfiguration gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
12 ein Flussdiagramm eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
13A eine Leiterkonfiguration gemäß einem Ausführungsbeispiel; und -
13B die Leiterkonfiguration gemäß13A .
-
1A a lead grid according to an embodiment; -
1B a lead grid according to an embodiment; -
1C the ladder grid according to1A and1B together according to an embodiment; -
2A a cross-sectional view of a sensor system according to an embodiment; -
2 B a plan view of the sensor system2A ; -
3 a conductor configuration according to an embodiment; -
4 a magnetic field direction according to the embodiment of3 ; -
5 a diagram of magnetic fields and angles according to an embodiment; -
6 a diagram of magnetic fields and angles according to an embodiment; -
7 a diagram of magnetic fields and angles according to an embodiment; -
8th a flowchart of a method according to an embodiment; -
9 a diagram of a demagnetization pattern according to an embodiment; -
10 a diagram of applied currents according to an embodiment; -
11 a conductor configuration according to an embodiment; -
12 a flowchart of a method according to an embodiment; -
13A a conductor configuration according to an embodiment; and -
13B the conductor configuration according to13A ,
Während die Erfindung an verschiedene Modifikationen und alternative Formen angepasst werden kann, sind spezifische Details derselben beispielhaft in den Zeichnungen gezeigt und werden detailliert beschrieben. Es sollte jedoch darauf hingewiesen werden, dass es nicht die Absicht ist, die Erfindung auf die bestimmten, beschriebenen Ausführungsbeispiele einzuschränken. Im Gegenteil, die Erfindung soll alle Modifikationen, Entsprechungen und Alternativen abdecken, die in das Wesen und den Schutzbereich der Erfindung fallen, wie sie durch die angehängten Ansprüche definiert ist.While the invention may be adapted to various modifications and alternative forms, specific details thereof are shown by way of example in the drawings and will be described in detail. It should be understood, however, that it is not intended to limit the invention to the particular embodiments described. On the contrary, the invention is intended to cover all modifications, equivalents and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
Ausführungsbeispiele beziehen sich auf magnetoresistive (MR-) Sensoren zum Messen der Stärke bzw. Größe eines Magnetfelds, während auch ein Winkel des Magnetfelds für volle 360 Grad gemessen wird und die magnetische Hysterese reduziert wird. Bei einem Ausführungsbeispiel können diese und andere Vorteile geschaffen werden durch Anordnen eines orthogonalen Stromgitters in der Nähe eines MR-Widerstands. Die MR-Sensoren können AMR-, Giant-MR- (GMR-) und/oder Tunnelungs-MR- (TMR-) Techniken bei Ausführungsbeispielen aufweisen, was hier allgemein als XMR bezeichnet wird.Embodiments relate to magnetoresistive (MR) sensors for measuring the magnitude of a magnetic field while also measuring an angle of the magnetic field for a full 360 degrees and reducing magnetic hysteresis. In one embodiment, these and other advantages can be provided by placing an orthogonal power grid near an MR resistor. The MR sensors may include AMR, giant MR (GMR), and / or tunneling MR (TMR) techniques in embodiments, which is referred to herein generally as XMR.
Bezug nehmend auf
Um den Chipbereich und Stromanforderungen zu reduzieren, sind die individuellen Leiter von jedem der Gitter
Bei anderen Ausführungsbeispielen weisen ein oder beide Gitter
Gitter
Um die Anzahl der Leiterebenen zu reduzieren, verwendet ein anderes Ausführungsbeispiel den Bereich über und unter dem MR-Streifen
Bei einem solchen Ausführungsbeispiel sind die Beiträge der Leiter
System
Bezug nehmend ferner auf
Da Bw bekannt ist, kann Ba geschätzt werden:
Diese Methode funktioniert am Besten, wenn Ba und Bw nicht wesentlich unterschiedlich sind. Wenn z. B. Ba ungefähr 50 mT ist und Ba ungefähr 5 mT ist, ist φ2 - φ1 ungefähr 6 Grad. Wenn die Genauigkeit der XMR-Winkelmessung ungefähr 0,6 Grad ist, kann das Sensorsystem Ba mit einer Genauigkeit von ungefähr 0,6/6 = 10 % schätzen. Es wird darauf hingewiesen, dass die Genauigkeit einer XMR-Winkelmessung nur ungefähr 1,5 Grad in dem vollen Bereich von 0 - 360 Grad sein kann, es ist jedoch viel besser, in einem schmalen Bereich von φ1 - φ1 + 6 Grad. Wenn das angelegte Feld nur ungefähr 25 mT ist, erhöht sich die Genauigkeit bei der Schätzung von Ba um einen Faktor von 2 auf ungefähr 5 %. Wenn das angelegte Feld viermal größer ist (200 mT), ist die Genauigkeit viermal kleiner (40 %).This method works best when Ba and Bw are not significantly different. If z. B. Ba is about 50 mT and Ba is about 5 mT, φ 2 -φ 1 is about 6 degrees. If the accuracy of the XMR angle measurement is about 0.6 degrees, the sensor system can estimate Ba with an accuracy of about 0.6 / 6 = 10%. It should be noted that the accuracy of a XMR angle measurement in the full range of 0 only about 1.5 degrees - may be 360 degrees, but it is much better in a narrow range of φ 1 - φ 1 + 6 degrees. If the applied field is only about 25 mT, the accuracy increases Estimate Ba by a factor of 2 to approximately 5%. If the applied field is four times larger (200 mT), the accuracy is four times smaller (40%).
Es ist daher möglich, den Strom durch die Gitter
Es ist möglich, das Vorzeichen von beiden Strömen
Es ist ein Vorteil von Ausführungsbeispielen dieses Verfahrens, dass es nur die planare Feldgröße misst und nicht die außerplanare Größe, die irrelevant für das Verhalten von XMR-Winkelsensoren ist. Daher wäre es möglich, ein starkes Magnetfeld senkrecht zu den XMR-Bauelementen zu haben, ohne die Winkelmessung zu beeinflussen.It is an advantage of embodiments of this method that it only measures the planar field size and not the off-plan size that is irrelevant to the behavior of XMR angle sensors. Therefore, it would be possible to have a strong magnetic field perpendicular to the XMR devices without affecting the angle measurement.
Es ist nicht notwendig, beide Ströme
Mit diesen vier Messungen ist es einfach, einen Schätzwert für Ba zu extrahieren:
Es ist ferner möglich, nur ein Stromgitter zu verwenden. Zum Beispiel wird bei einem Ausführungsbeispiel nur Stromgitter
Bezug nehmend auf
Wobei
Wenn kein Strom in dem Gitter
Das System kann bei Ausführungsbeispielen ferner verwendet werden, um den Einfluss von zusätzlichen (ungewollten) planaren Magnetfeldern Bd oder Störfeldern aufzuheben, solange die planare Größe des Feldes von dem Magneten Bm oder des Feldes von dem Magneten bekannt ist. Bei einem Ausführungsbeispiel misst das System
Bezug nehmend auf
Bei
Ausführungsbeispiele können auch die Hysterese bei XMR-Winkelsensoren reduzieren oder beseitigen. Stromgitter
Bei einem Ausführungsbeispiel mit sequentiellem Modus kann das Zittern vor der Winkelmessung angelegt werden. Da das Sensorsystem die Richtung des angelegten Feldes kennen muss, muss es vorangehende Messungen des Winkels φ verwenden. Daher benötigt das System einen ersten Schätzwert von φ nach dem Einschalten, der auf übliche Weise ohne Zittern erhalten wird. Mit diesem Schätzwert kann das System ein Verhältnis der Ströme Iy/Ix berechnen, um ein Feld Bw zu erzeugen, das orthogonal zu Ba ist.In a sequential mode embodiment, the jitter may be applied before the angle measurement. Since the sensor system must know the direction of the applied field, it must use previous measurements of the angle φ. Therefore, the system needs a first estimate of φ after power-on, which is obtained in the usual way without jitter. With this estimate, the system can calculate a ratio of the currents Iy / Ix to produce a field Bw that is orthogonal to Ba.
Dann kann Bezug nehmend auf
Es kann bei einem Ausführungsbeispiel vorteilhaft sein, das Verhältnis zu verwenden
Bei einem Simultanmodusausführungsbeispiel ist das magnetische Zittern orthogonal und während der Messung des Winkels
Bezug nehmend auf
Es sei z. B. bei einem Ausführungsbeispiel angenommen, dass zwei AMR-Halbbrücken vorhanden sind, wobei die linke zwei AMR-Widerstände aufweist und jeder Widerstand zwei Streifen und Barberpole bei +/- 45 Grad zu der
Bezug nehmend auf
Somit ist es nicht notwendig, dasselbe Bw-Feld an alle XMR-Widerstände des Sensorsystems anzulegen. Stattdessen können unterschiedliche Bw-Felder an individuelle XMR-Streifen bei Ausführungsbeispielen zu einem Zeitpunkt angelegt werden, wenn das Sensorsystem verschiedene Ströme nacheinander an das Stromleitergitter anlegt. Wenn das Sensorsystem all diese Informationen sammelt, kann das System die gewünschten Werte bestimmen, wie z. B. die Größe von Ba und/oder die Halbraumausrichtung von Ba.Thus, it is not necessary to apply the same Bw field to all XMR resistors of the sensor system. Instead, different Bw fields may be applied to individual XMR strips in embodiments at a time when the sensor system applies different currents to the conductor grid one after the other. When the sensor system collects all this information, the system can determine the desired values, such as: B. the size of Ba and / or the Halbraumausrichtung of Ba.
Für eine Hystereseaufhebung mit magnetischem Zittern, wie oben erörtert wurde, ist es ebenfalls möglich, unterschiedliche Magnetfelder an jedem XMR-Streifen anzulegen, da das Vorzeichen des Bw-Feldes bei jedem XMR-Streifen irrelevant ist. Daher können die Serpentinenstromleiter
Das Ausführungsbeispiel von
Somit kann eine Serpentine einmal, aber nicht für beide, orthogonale Richtungen verwendet werden, um ein orthogonales magnetisches Zittern zu erzeugen. Nichtsdestotrotz ist es möglich, zwei Stromgitter zu verwenden, wo das erste die Serpentine ist, wie bei
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