DE102011084303A1 - Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leistungselektronische Baugruppe und Träger für eine solche Baugruppe - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leistungselektronische Baugruppe und Träger für eine solche Baugruppe Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leistungselektronische Baugruppe mit den Schritten Aufsprühen eines keramischen Isolators auf einen metallischen Grundkörper, Aufbringen einer metallhaltigen Leitpaste, Sintern der metallhaltigen Leitpaste nach dem Aufbringen zur Herstellung mindestens einer gesinterten Leiterbahn, Aufbringen einer metallischen Schicht in einem Gasspritzverfahren zur Herstellung mindestens einer Hochstromleiterbahn, und Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen mindestens einer der mindestens einen Hochstromleiterbahn und mindestens einer der mindestens einen gesinterten Leiterbahn. Ferner betrifft die Erfindung einen Träger für eine leistungselektronische Baugruppe hergestellt mit dem Verfahren.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leistungselektronische Baugruppe und einen Träger für eine solche Baugruppe.
  • Ein wichtiger Aspekt einer Leistungselektronik ist die Wärmeabfuhr in eine Wärmesenke, insbesondere einen Kühlkörper. Dazu muss die Wärme von den leistungselektronischen Bauelementen, etwa Transistoren oder integrierten Schaltkreisen, zu der Wärmesenke transportiert werden. Bei herkömmlichen leitungselektronischen Baugruppen geschieht dies über ein thermisches Interface. Üblicherweise wird die leitungselektronischen Bauelemente auf einer Hochstromleiterplatte oder einer kupferbeschichteten Keramik, insbesondere einer sogenannten DCB-Keramik (DCB: direct copper bonded), angeordnet. Diese DCB-Keramik bildet einen Zwischenträger und wird an einem Kühlkörper befestigt, zum Beispiel mittels Schrauben, Kleben, Klemmen oder Laminieren. Bei dieser Anordnung kann die relativ hohe Wärmeleitfähigkeit der Keramik ausgenutzt werden. Dennoch weist das thermische Interface aus Zwischenträger und Anbindung an den Kühlkörper insgesamt eine relativ geringe Wärmeleitfähigkeit auf, die die Wärmeabfuhr beeinträchtigt.
  • Davon ausgehend liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leitungselektronische Baugruppe zur Verfügung zu stellen, das einfach und kostengünstig auszuführen ist und eine verbesserte Wärmeabfuhr ermöglicht, sowie einen Träger für eine solche Baugruppe mit diesen Eigenschaften.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 10. Bevorzugte Ausgestaltungen sind in den sich jeweils anschließenden Unteransprüchen angegeben.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leistungselektronische Baugruppe weist die folgenden Schritte auf:
    • a) Aufsprühen eines keramischen Isolators auf einen metallischen Grundkörper,
    • b) Aufbringen einer metallhaltigen Leitpaste,
    • c) Sintern der metallhaltigen Leitpaste nach dem Aufbringen zur Herstellung mindestens einer gesinterten Leiterbahn,
    • d) Aufbringen einer metallischen Schicht in einem Gasspritzverfahren zur Herstellung mindestens einer Hochstromleiterbahn,
    • e) Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen mindestens einer der mindestens einen Hochstromleiterbahn und mindestens einer der mindestens einen gesinterten Leiterbahn.
  • Der metallische Grundkörper kann beispielsweise aus Aluminium bestehen und kann insbesondere in einem Aluminium-Druckgussverfahren hergestellt worden sein. Der metallische Grundkörper kann ein Kühlkörper sein, aber auch ein Bauteil mit einer darüber hinausgehenden Funktion, etwa ein Gehäuseteil.
  • Auf den metallischen Grundkörper wird ein keramischer Isolator aufgesprüht. Durch das Aufsprühen kann der Isolator dünn und zugleich eben und sicher haftend auf den metallischen Grundkörper aufgebracht werden. Es kann ein aus dem Bereich des Verschleißschutzes bekanntes keramisches Material verwendet werden, etwa eine Aluminiumoxidkeramik.
  • Die metallhaltige Leitpaste kann insbesondere Silberpartikel enthalten. Sie kann in einem vorgegebenen Muster, beispielsweise in Form von Bahnen, aufgebracht werden. Diese Bahnen werden im Anschluss daran gesintert bei einer Temperatur, die unterhalb der Erweichungstemperatur des metallischen Grundkörpers liegt. Verwendet man beispielsweise einen metallischen Grundkörper aus Aluminium, dessen Erweichungstemperatur bei 580 °C liegt, so wird die aufgebrachte Leitpaste bei einer Temperatur von weniger als 580 °C, zum Beispiel im Bereich von 450 °C bis 550 °C, vorzugsweise bei etwa 500 °C, gesintert. Beim Sintern werden zumeist feinkörnige bis pulverförmige, zuvor miteinander vermischte Stoffe durch Erwärmung miteinander verbunden. Die Erwärmungstemperatur liegt dabei unterhalb der Schmelztemperaturen der vorliegenden Materialien, so dass nicht alle oder auch keiner der Ausgangsstoffe aufgeschmolzen wird. Durch das Sintern werden die gesinterten Leiterbahnen dauerhaft fixiert.
  • Eine metallische Schicht wird in einem Gasspritzverfahren zur Herstellung mindestens einer Hochstromleiterbahn aufgebracht. Das Aufbringen der metallischen Schicht durch Gasspritzen ermöglicht in einfacher Weise die mindestens eine Hochstromleiterbahn fest mit dem metallischen Grundkörper zu verbinden.
  • Die mindestens eine Hochstromleiterbahn wird mit der mindestens einen gesinterten Leiterbahn elektrisch verbunden.
  • Ein besonderer Vorteil des Verfahrens besteht darin, dass sämtliche Leiterbahnen nach Aufbringen des keramischen Isolators direkt auf den metallischen Grundkörper aufgebracht werden können. Es kann daher auf einen Zwischenträger verzichtet werden. Dadurch ist das Verfahren besonders einfach und kostengünstig. Durch den Verzicht auf einen Zwischenträger ist die gesamte Anordnung besonders kompakt.
  • Außerdem können auf einem gemeinsamen Träger sowohl kleine Leiterbahnstrukturen geschaffen werden, nämlich in Form der gesinterten Leiterbahnen, als auch hochstromfähige Leiterbahnen, nämlich in Form der im Gasspritzverfahren aufgebrachten metallischen Schichten. Zudem können einzelne dieser Leiterbahnen auch unterschiedlicher Typen miteinander verbunden werden, zum Beispiel um eng benachbarte Leiterbahnen, die zum Kontaktieren kleiner leistungselektronische Bauteile notwendig sind, auf kleinstem Raum aufzuschlüsseln und in Hochstromleiterbahnen zu überführen.
  • Durch den Verzicht auf einen Zwischenträger wird außerdem der Wärmewiderstand zwischen den leistungselektronischen Bauelementen und dem metallischen Grundkörper wesentlich verringert, so dass die Wärme schneller bzw. über kleinere Kontaktflächen abgeführt werden kann. Hierzu trägt zusätzlich bei, dass die als Isolator eingesetzte keramische Schicht besonders dünn ausgeführt werden kann, da sie selbst keine tragfähige Struktur bilden muss, und gleichzeitig aufgrund der Eigenschaften des keramischen Materials eine hohe spezifische Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  • Gemäß einer Ausgestaltung erfolgt das Herstellen der elektrischen Verbindung nach dem Herstellen der mindestens einen Hochstromleiterbahn. Diese Verbindung kann beispielsweise durch einen Draht mittels Drahtbonding, durch Löten oder Leitkleben hergestellt werden. Das ermöglicht es, die mindestens eine Hochstromleiterbahn und die mindestens eine gesinterte Leiterbahn unabhängig voneinander an verschiedenen Positionen auf den metallischen Grundkörper aufzubringen und die elektrische Verbindung anschließend gezielt herzustellen.
  • Gemäß einer Ausgestaltung erfolgt das Herstellen der elektrischen Verbindung beim Herstellen der Hochstromleiterbahn durch Aufbringen der metallischen Schicht im Gasspritzverfahren auf die gesinterte Leiterbahn. Dadurch, dass die metallische Schicht auf die gesinterte Leiterbahn im Gasspritzverfahren aufgebracht wird, kann eine sichere und feste Verbindung zwischen der gesinterten Leiterbahn und der Hochstromleiterbahn direkt hergestellt werden. Ein nachträgliches Verbinden ist bei dieser Ausgestaltung nicht erforderlich, so dass sich das Verfahren weiter vereinfacht.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird der keramische Isolator mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen aufgebracht. Dieses thermische Spritzverfahren ist auch unter der Abkürzung HVOF (high velocity oxygen fuel) bekannt und ermöglicht, die Oberfläche des metallischen Grundkörpers dauerhaft zu beschichten, ohne sie unnötigerweise thermisch zu belasten oder thermisch zu verändern. Grundsätzlich können auch andere thermische Spritzverfahren eingesetzt werden. Beim Hochgeschwindigkeitsflammspritzen wird der keramische Isolator in Form von Spritzpartikeln in einem inerten Gasstrom auf die zu beschichtende Oberfläche, hier die Oberfläche des metallischen Grundkörpers, beschleunigt. Beim Aufprallen der Spritzpartikel auf die zu beschichtende Oberfläche flachen die Spritzpartikel ab und verbinden sich mit der zu beschichtenden Oberfläche. Durch das sukzessive Auftreffen der Spritzpartikel auf der Oberfläche des metallischen Grundkörpers entsteht eine Schicht aus den Isolatorpartikeln.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird die metallhaltige Leitpaste mittels Siebdruck aufgedruckt. Hierbei wird die Leitpaste durch ein feinmaschiges Sieb, z. B. ein Gewebe, auf die zu bedruckende Oberfläche gedruckt. Stellen der zu bedruckenden Oberfläche, die hierbei ausgespart werden sollen, werden durch Schablonen abdeckt, wodurch das Gewebe oder das Sieb für die Leitpaste undurchlässig gemacht wird. Vorteilhaft beim Siebdruckverfahren ist, dass unterschiedlich geformte Materialien bedruckt werden können. Das Druckformat kann beim Siebdruck von wenigen Millimetern bis zu mehreren Metern reichen. Es können daher Grundkörper unterschiedlicher Form und Größe verwendet werden. Ein Vorteil des Siebdrucks besteht darin, dass durch verschiedene Maschenfeinheiten des Siebes das Aufdrucken der metallischen Leipaste variiert werden kann, so dass die Schichtdicke und Auflösung variabel sind. Insbesondere kann die metallische Leitpaste hoch aufgelöst auf den Isolator aufgebracht werden. Der Einsatz von Schablonen und von Sieben verschiedener Maschengrößen ermöglicht dabei, bestimmte Strukturen oder Muster mit gewünschter Schärfe beziehungsweise Auflösung auf dem Substrat abzubilden. In einem vorgegeben Muster können somit Bahnen aus der metallischen Leitpaste hergestellt werden, die im Anschluss zu gesinterten Leiterbahnen ausgehärtet werden. Ferner kann in vorteilhafter Weise beim Siebdruck eine Blasenbildung vermieden werden, so dass eine homogene Bahn aus der Leitpaste auf das Substrat auftragbar ist.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird die metallische Schicht in einem Kaltgasspritzverfahren aufgebracht wird. Beim Kaltgasspritzverfahren treffen die metallischen Partikel, insbesondere Kupferpartikel, in einem Inertgas wie beispielsweise Stickstoff durch eine metallische Maske hindurch mit Teilchengeschwindigkeiten in einer Größenordnung von z.B. 600m/s auf das Trägermaterial. Die metallische Maske gibt dabei die Struktur der Leiterbahn(en) vor und muss einem hohen Druck von z.B. mehr als 30 bar oder mehr als 60 bar widerstehen, womit eine gewisse Dicke der Maske verbunden ist. Aus diesen Randbedingungen resultieren Leiterbahnen mit einer Mindestbreite und einem Mindestabstand von mehr als 0,5 mm. Diese Strukturgrößen sind für die Hochstromleiterbahnen gut geeignet. Durch Aufbringen der metallischen Schicht in einem Kaltgasspritzverfahren kann die metallische Schicht fest und einfach mit der darunterliegenden Oberfläche verbunden werden. Ein besonderer Vorteil des Kaltgasspritzens liegt in der geringen thermischen Beanspruchung der aufzubringenden Schicht und des Trägermaterials. Die dabei angewendeten hohen Partikelgeschwindigkeiten erlauben die Herstellung besonders oxidarmer und dichter Schichten.
  • Gemäß einer Ausgestaltung weist die gesinterte Leiterbahn eine Breite von 0,3 mm oder weniger und/oder zwei gesinterte Leiterbahnen einen Abstand von weniger als 0,3 mm oder weniger voneinander auf. Dadurch können elektronische Bauteile mit entsprechend kleinen Anschlussmaßen verwendet werden.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird oberhalb einer gesinterten Leiterbahn und/oder einer Hochstromleiterbahn eine elektrische Isolationsschicht aufgetragen und oberhalb davon eine weitere gesinterte Leiterbahn und/oder eine weitere Hochstromleiterbahn aufgetragen. Die weiteren gesinterten Leiterbahnen und die weiteren Hochstromleiterbahnen können zum Beispiel wie oben beschrieben hergestellt werden. Dadurch, dass eine Isolationsschicht oberhalb einer gesinterten Leiterbahn und/oder einer Hochstromleiterbahn aufgebracht wird, können die weiteren gesinterten Leiterbahnen und die weiteren Hochstrombahnen elektrisch von den darunter liegenden gesinterten Leiterbahnen und/oder Hochstromleiterbahnen isoliert werden. Auf diese Weise können platzsparend mehrere elektrisch voneinander isolierte Schichten, die gesinterte Leiterbahnen und/oder Hochstromleiterbahnen umfassen, übereinander angeordnet werden. Insbesondere sind auch sich überkreuzende Leiterbahnstrukturen möglich.
  • Gemäß einer Ausgestaltung besteht die elektrische Isolationsschicht aus einem Glasmaterial. Das elektrisch isolierende Glasmaterial kann beispielsweise ebenfalls auf die gesinterten Leiterbahnen und/oder Hochstromleiterbahnen aufgedruckt und danach gesintert werden. Bevorzugt wird ein elektrisch isolierendes Glasmaterial verwendet, das eine niedrige Sintertemperatur von beispielsweise weniger als 550 °C hat. Besonders bevorzugt werden Glasmaterialien verwendet, die im Bereich von etwa 500 °C sintern und damit auf ein Bauteil aufgebracht werden können, dessen metallischer Grundkörper aus Aluminium besteht.
  • Die oben genannte Aufgabe wird ebenfalls gelöst durch einen Träger für eine leistungselektronische Baugruppe mit den Merkmalen des Anspruchs 10. Der Träger für eine leistungselektronische Baugruppe hat einen auf einen metallischen Grundkörper aufgesprühten keramischen Isolator, mindestens eine aus einer metallhaltigen Leitpaste gesinterte Leiterbahn, mindestens eine Hochstromleiterbahn, die in einem Gasspritzverfahren aufgebracht ist, wobei zwischen mindestens einer der mindestens einen Hochstromleiterbahn und mindestens einer der mindestens einen gesinterten Leiterbahn eine elektrische Verbindung besteht.
  • Dieser Träger kann insbesondere mit einem der vorstehend erläuterten Verfahren hergestellt werden. Zu den Merkmalen des Trägers wird auf die vorstehenden Erläuterungen der korrespondierenden Verfahrensmerkmale verwiesen, die entsprechen gelten. Insbesondere kann der Träger weitere Merkmale aufweisen, die sich aus der Ausführung eines der obigen Verfahren ergeben. Zu den Vorteilen des Trägers wird ebenfalls auf die vorstehenden Erläuterungen des Verfahrens verwiesen.
  • Gemäß einer Ausgestaltung weist die Hochstromleiterbahn eine Schichtdicke von mindestens 0,1 mm auf. Die Schichtdicke kann auch mindestens 0,2 mm, mindestens 0,5 mm, mindestens 1 mm oder sogar mindestens 2,0 mm betragen. Derartige Schichtdicken können mit den eingesetzten Gasspritzverfahren ohne weiteres hergestellt werden und führen zu einer sehr hohen Strombelastbarkeit der Hochstromleiterbahnen.
  • Gemäß einer Ausgestaltung weist die mindestens eine gesinterte Leiterbahn eine Breite von 0,3 mm oder weniger auf und/oder zwei gesinterte Leiterbahnen weisen einen Abstand von 0,3 mm oder weniger voneinander auf. Zur Erläuterung wird auf die obigen Erläuterungen der entsprechenden Verfahrensschritte verwiesen.
  • Gemäß einer Ausgestaltung ist die metallhaltige Leitpaste mittels Siebdruck aufgedruckt worden. Wie bereits im entsprechenden Verfahrensschritt beschrieben ermöglicht der Siebdruck, die Bahnen der gesinterten Leiterbahnen hoch aufgelöst und nahe beieinander anzuordnen. Auf die obigen Ausführungen hierzu wird verwiesen.
  • Gemäß einer Ausgestaltung ist oberhalb einer gesinterten Leiterbahn und/oder einer Hochstromleiterbahn eine elektrische Isolationsschicht und oberhalb davon eine weitere gesinterte Leiterbahn und/oder eine weitere Hochstromleiterbahn angeordnet. Dadurch können sich überkreuzende Leiterbahnen verwirklicht und komplex verschaltete Strukturen auf kleinsten Raum aufgebaut werden.
  • Gemäß einer Ausgestaltung besteht die elektrische Isolationsschicht aus einem Glasmaterial. Auch hierzu wird auf die obigen, entsprechend geltenden Ausführungen verwiesen.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand von in Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 einen Querschnitt durch einen Träger für eine leistungselektronische Baugruppe,
  • 2 einen Querschnitt durch einen weiteren Träger für eine leistungselektronische Baugruppe.
  • 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Träger für eine leistungselektronische Baugruppe. Ein metallischer Grundkörper 2, der als Kühlkörper dient, umfasst eine ebene Oberfläche 21 und Kühlrippen 22.
  • Auf der Oberfläche 21 des metallischen Grundkörpers 2 ist ein keramischer Isolator 1 mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen (HVOF) aufgebracht. Der keramische Isolator 1 besteht aus einer Aluminiumoxidkeramik und erstreckt sich über die gesamte Oberfläche 21 des Grundkörpers 2. Er hat ebenfalls eine ebene Oberfläche. Die Dicke des keramischen Isolators 1 ist über seine gesamte Erstreckung im Wesentlichen gleich groß.
  • Auf den keramischen Isolator 1 ist mittels Siebdruck eine metallhaltige Leitpaste, die Silberpartikel enthält, in Form von Bahnen aufgebracht. Durch Sintern bei einer Temperatur von etwa 500 °C sind daraus gesinterte Leiterbahnen 3 entstanden.
  • Außerdem umfasst der Träger Hochstromleiterbahnen 4, 14 die durch Aufbringen einer metallischen Schicht in einem Kaltgasspritzverfahren aufgebracht worden sind. Die Hochstromleiterbahnen 4 und 14 bestehen aus Kupfer und weisen eine Dicke von mindestens 0,1 mm auf.
  • Gemäß 1 sind die gesinterten Leiterbahnen 3 unmittelbar auf dem keramischen Isolator 1 angeordnet. Die Hochstromleiterbahnen 4 sind ebenfalls unmittelbar auf dem keramischen Isolator 1 angeordnet, ohne eine elektrische Verbindung zu den gesinterten Leiterbahnen 3 aufzuweisen. Die Hochstromleiterbahn 14 überdeckt teilweise eine gesinterte Leiterbahn 3 und ist somit sowohl auf einer gesinterten Leiterbahn 3 als auch auf dem keramischen Isolator 1 angeordnet. Die elektrische Verbindung der Hochstromleiterbahn 14 zu der teilweise darunter befindlichen gesinterten Leiterbahn 3 ist beim Aufbringen der die Hochstromleiterbahn 14 bildenden metallischen Schicht auf die gesinterte Leiterbahn 3 hergestellt worden.
  • 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, dessen unterer Teil der 1 gleicht. Oberhalb der gesinterten Leiterbahnen 3 und Hochstromleiterbahnen 4, die unmittelbar auf dem keramischen Isolator 2 angeordnet sind, ist eine elektrische Isolationsschicht 5 aufgetragen. Die elektrische Isolationsschicht 5 besteht aus einem aufgebrachten und danach in einem Temperaturbereich von 500 °C gesinterten Glasmaterial. Auf die elektrische Isolationsschicht 5 sind weitere aufgedruckte und dann gesinterte Leiterbahnen 3 und/oder aufgesprühte Hochstromleiterbahnen 4 und 14 angeordnet. Durch die elektrische Isolationsschicht 5 können die Leiterbahnen 3 und die Hochstromleiterbahnen 4 und 14 in übereinander liegenden und elektrisch voneinander isolierten Schichten angeordnet werden und sich insbesondere überkreuzen.

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine leistungselektronische Baugruppe mit den Schritten a) Aufsprühen eines keramischen Isolators (1) auf einen metallischen Grundkörper (2), b) Aufbringen einer metallhaltigen Leitpaste, c) Sintern der metallhaltigen Leitpaste nach dem Aufbringen zur Herstellung mindestens einer gesinterten Leiterbahn (3), d) Aufbringen einer metallischen Schicht in einem Gasspritzverfahren zur Herstellung mindestens einer Hochstromleiterbahn (4, 14), e) Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen mindestens einer der mindestens einen Hochstromleiterbahn (4, 14) und mindestens einer der mindestens einen gesinterten Leiterbahn (3).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Herstellen der elektrischen Verbindung nach dem Herstellen der mindestens einen Hochstromleiterbahn (4) erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Herstellen der elektrischen Verbindung beim Herstellen der Hochstromleiterbahn (14) durch Aufbringen der metallischen Schicht im Gasspritzverfahren auf die gesinterte Leiterbahn (3) erfolgt.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der keramische Isolator (1) mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen aufgebracht wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Leitpaste mittels Siebdruck aufgedruckt wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht in einem Kaltgasspritzverfahren aufgebracht wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die gesinterte Leiterbahn (3) eine Breite von 0,3 mm oder weniger und/oder zwei gesinterte Leiterbahnen (3) einen Abstand von weniger als 0,3 mm oder weniger voneinander aufweisen.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass oberhalb einer gesinterten Leiterbahn (3) und/oder einer Hochstromleiterbahn (4, 14) eine elektrische Isolationsschicht (5) aufgetragen wird und oberhalb davon eine weitere gesinterte Leiterbahn (3) und/oder eine weitere Hochstromleiterbahn (4, 14).
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Isolationsschicht (5) aus einem Glasmaterial besteht.
  10. Träger für eine leistungselektronische Baugruppe mit einem auf einen metallischen Grundkörper (2) aufgesprühten keramischen Isolator (1), mindestens einer aus einer metallhaltigen Leitpaste gesinterten Leiterbahn (3), mindestens einer Hochstromleiterbahn (4, 14), die in einem Gasspritzverfahren aufgebracht ist, wobei zwischen mindestens einer der mindestens einen Hochstromleiterbahn (4, 14) und mindestens einer der mindestens einen gesinterten Leiterbahn (3) eine elektrische Verbindung besteht.
  11. Träger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochstromleiterbahn (4, 14) eine Schichtdicke von mindestens 0,1 mm aufweist.
  12. Träger nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine gesinterte Leiterbahn (3) eine Breite von 0,3 mm oder weniger aufweist und/oder zwei gesinterte Leiterbahnen (3) einen Abstand von 0,3 mm oder weniger voneinander aufweisen.
  13. Träger nach Anspruch 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die metallhaltige Leitpaste mittels Siebdruck aufgedruckt worden ist.
  14. Träger nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass oberhalb einer gesinterten Leiterbahn (3) und/oder einer Hochstromleiterbahn (4, 14) eine elektrische Isolationsschicht (5) und oberhalb davon eine weitere gesinterte Leiterbahn (3) und/oder eine weitere Hochstromleiterbahn (4, 14) angeordnet ist.
  15. Träger nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Isolationsschicht (5) aus einem Glasmaterial besteht.
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