DE102011052999A1

DE102011052999A1 - Treating object e.g. semiconductor substrate including silicon solar cell substrate, by arranging object in a treatment liquid, adding treatment promoting gas to treatment liquid, and introducing gas, via membrane, into treatment liquid

Info

Publication number: DE102011052999A1
Application number: DE102011052999A
Authority: DE
Inventors: Werner Saule; Ernst Hartmannsgruber
Original assignee: Rena GmbH
Current assignee: Rena GmbH
Priority date: 2011-08-25
Filing date: 2011-08-25
Publication date: 2013-02-28

Abstract

The method comprises partially arranging an object (10) in a treatment liquid (4), adding a treatment promoting gas to the treatment liquid, introducing the treatment promoting gas with a flow rate of maximum 2-5 liters per minute, via a membrane, into the treatment liquid such that a gas film is formed from the treatment promoting gas at a gas release side of the membrane, and arranging a part of the treatment liquid between the gas film and an area of the object to be treated. The membrane is arranged in a distance of less than 1.5 mm from the area of the object to be treated. The method comprises partially arranging an object (10) in a treatment liquid (4), adding a treatment promoting gas to the treatment liquid with a flow rate of maximum 2-5 liters per minute, via a membrane, into the treatment liquid such that a gas film is formed from the treatment promoting gas at a gas release side of the membrane, and arranging a part of the treatment liquid between the gas film and an area of the object to be treated. The membrane is arranged in a distance of less than 1.5 mm from the area of the object to be treated. The method further comprises: generating the treatment promoting gas by an electrolytic apparatus partially arranged into the treatment liquid and by electrolysis of component of the treatment liquid; and etching the object in the treated area that is greater than the other area of the object introduced into the treatment liquid. The generated gas is partially released in a part of the treatment liquid arranged between the electrolytic apparatus and the area of the object. The treatment liquid is an etching solution consisting of hydrofluoric acid and deionized water. The treatment promoting gas is ozone gas. An emitter doping of a solar cell substrate provided as the object is locally etched back/removed by the etching in the treated area. The emitter doping in other area of the solar cell substrate is etched back by the treatment liquid at the same time strong etching in the treated areas. An independent claim is included for a device for treating an object.

Description

Die Erfindung betrifft Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie Vorrichtungen zur Durchführung dieser Verfahren. The invention relates to methods according to the preamble of claim 1 and to devices for carrying out these methods.

Teilweise besteht die Möglichkeit, nasschemische Prozesse, beispielsweise ein oberflächliches Ätzen von Objekten oder eine Oxidation solcher Objekte, zu beschleunigen, indem einer verwendeten Behandlungslösung Gase beigemischt werden. Beispielsweise lehrt DE 10 2007 026 082 A1 , einer Behandlungsflüssigkeit zu diesem Zweck Ozongas beizumischen. Zu diesem Zweck wird die Behandlungsflüssigkeit in einem Kreislauf durch eine Mischeinrichtung gepumpt, in welcher Ozongas beigemischt wird. Die Realisierung solcher Kreisläufe stellt an sich bereits einen apparativen Aufwand dar. Zudem werden als Mischeinrichtungen in der Regel sogenannte Membrankontaktoren eingesetzt, bei welchen die zu mischenden Komponenten mit entgegengesetzten Strömungsrichtungen durch Membranen getrennt aneinander vorbeigeleitet werden. Die Herstellung solcher Membrankontaktoren gestaltet sich aufwändig, was den Gesamtaufwand für die Beimischung des Ozongases zu der Behandlungsflüssigkeit weiter erhöht. Alternativ werden statische Mischer eingesetzt, mittels welchen das Gas jedoch nur ineffizient in der Behandlungsflüssigkeit gelöst werden kann. In some cases, it is possible to accelerate wet-chemical processes, for example a surface etching of objects or an oxidation of such objects, by adding gases to a treatment solution used. For example, teaches DE 10 2007 026 082 A1 to add ozone gas to a treatment fluid for this purpose. For this purpose, the treatment liquid is pumped in a circuit through a mixing device, in which ozone gas is mixed. The realization of such circuits in itself already represents an apparatus expense. In addition, so-called membrane contactors are generally used as mixing devices in which the components to be mixed with opposite flow directions through membranes separated from each other are passed. The preparation of such membrane contactors is elaborate, which further increases the overall effort for the admixture of the ozone gas to the treatment liquid. Alternatively, static mixers are used, by means of which, however, the gas can only be dissolved inefficiently in the treatment liquid.

Vor diesem Hintergrund liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Alternative zu bekannten gattungsgemäßen Verfahren zur Verfügung zu stellen. Against this background, the object of the present invention is to provide an alternative to known generic methods.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Ferner wird sie gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 4. This object is achieved by a method having the features of claim 1. Furthermore, it is achieved by a method having the features of claim 4.

Weiterhin liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, Vorrichtungen zur Durchführung dieser Verfahren zur Verfügung zu stellen. Furthermore, the invention has for its object to provide devices for carrying out these methods.

Diese Aufgabe wird zum einen gelöst durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 11, beziehungsweise durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 14. This object is achieved on the one hand by a device having the features of claim 11, or by a device having the features of claim 14.

Vorteilhafte Weiterbildungen sind jeweils Gegenstand abhängiger Unteransprüche. Advantageous developments are each the subject of dependent claims.

Das Verfahren gemäß Anspruch 1 sieht vor, dass das zu behandelnde Objekt zumindest abschnittsweise in einer Behandlungsflüssigkeit angeordnet wird und der Behandlungsflüssigkeit ein die Behandlung förderndes Gas beigemengt wird. Zu diesem Zweck wird das die Behandlung fördernde Gas durch wenigstens eine Membran hindurch eingeleitet. Dies erfolgt derart, dass sich an einer Gasaustrittsseite der wenigstens einen Membran ein Gasfilm aus dem die Behandlung fördernden Gas ausbildet. Zwischen dem Gasfilm und zu behandelnden Bereichen des Objekts wird ein Teil der Behandlungsflüssigkeit angeordnet. The method according to claim 1 provides that the object to be treated is arranged at least in sections in a treatment liquid and the treatment liquid is added to a treatment-promoting gas. For this purpose, the treatment-promoting gas is introduced through at least one membrane. This takes place in such a way that a gas film from the gas which promotes the treatment is formed on a gas outlet side of the at least one membrane. Between the gas film and areas of the object to be treated, a part of the treatment liquid is arranged.

Unter dem Begriff des Gases werden vorliegend auch Gasgemische verstanden. Ein die Behandlung förderndes Gas im Sinne der vorliegenden Erfindung ist ein Gas, welches die Behandlung beschleunigt oder sie überhaupt erst in Folge eines Zusammenwirkens des Gases mit Bestandteilen der Behandlungsflüssigkeit ermöglicht. In the present case, the term gas also means gas mixtures. A treatment-promoting gas in the context of the present invention is a gas which accelerates the treatment or makes it possible in the first place as a result of an interaction of the gas with constituents of the treatment liquid.

Das beschriebene Verfahren verzichtet auf die Verwendung eines Membrankontaktors, was sich günstig auf den für die Durchführung des Verfahrens erforderlichen Aufwand auswirkt. Des Weiteren kann die Membran im Behandlungsbecken angeordnet werden, vorzugsweise in geringem Abstand zu den zu behandelnden Bereichen des Objekts. Dies ermöglicht es, das die Behandlung fördernde Gas, im Weiteren teilweise kurz als Gas bezeichnet, nahe an den zu behandelnden Bereichen des Objekts physikalisch in der Behandlungsflüssigkeit zu lösen. Gegenüber bekannten Lösungen, bei welchen das Gas außerhalb des Behandlungsbeckens in der Behandlungsflüssigkeit gelöst wird und das resultierende Gas-Behandlungsflüssigkeits-Gemenge an die zu behandelnden Bereiche herangeführt wird, hat dies den Vorteil, dass das in der Behandlungsflüssigkeit gelöste Gas auf seinem Weg ins Behandlungsbecken, beziehungsweise zu den zu behandelnden Bereichen des Objekts, nicht oder nur in sehr geringem Umfang zerfallen und ausgasen kann. Der Gasverbrauch kann somit verringert und etwaige eingesetzte Gasgeneratoren kleiner dimensioniert werden. Dies wirkt sich günstig auf den für die Durchführung des Verfahrens erforderlichen Aufwand aus. Zudem kann die Abluftbelastung reduziert werden, was ebenfalls zur Aufwandsreduktion beiträgt. The described method dispenses with the use of a membrane contactor, which has a favorable effect on the effort required to carry out the method. Furthermore, the membrane can be arranged in the treatment basin, preferably at a small distance from the areas of the object to be treated. This makes it possible to physically dissolve the treatment-promoting gas, hereinafter sometimes referred to as gas, physically in the treatment liquid, close to the areas of the object to be treated. Compared to known solutions in which the gas is dissolved outside the treatment tank in the treatment liquid and the resulting gas treatment liquid mixture is brought to the areas to be treated, this has the advantage that the gas dissolved in the treatment liquid on its way to the treatment tank, or to the areas of the object to be treated, not or only to a very limited extent can decay and outgas. The gas consumption can thus be reduced and any gas generators used smaller dimensions. This has a favorable effect on the effort required to carry out the method. In addition, the exhaust air pollution can be reduced, which also contributes to the reduction in effort.

Die wenigstens eine Membran, welche vorzugsweise im Behandlungsbecken angeordnet wird, kann aus porösem Polytetrafluorethylen oder einer porösen Keramik oder expandiertem Polytetrafluorethylen gefertigt sein. The at least one membrane, which is preferably arranged in the treatment tank, may be made of porous polytetrafluoroethylene or a porous ceramic or expanded polytetrafluoroethylene.

Die Gasaustrittsseite der wenigstens einen Membran wird vorzugsweise den zu behandelnden Bereichen des Objekts zugewandt ausgerichtet. Dies ermöglicht eine effiziente Ausnutzung des eingesetzten Gases. The gas outlet side of the at least one membrane is preferably aligned facing the areas of the object to be treated. This allows efficient utilization of the gas used.

Die wenigstens eine Membran ist mit für Membranen typischen Öffnungen versehen, welche teilweise auch als Poren bezeichnet werden und durch welche hindurch das Gas an die Gasaustrittsseite der Membran gelangen und in die Behandlungsflüssigkeit eingeleitet werden kann. Das zu behandelnde Objekt wird bevorzugt vollständig in die Behandlungsflüssigkeit eingetaucht. Je nach Anwendungsfall kann es jedoch erforderlich sein, Teile des zu behandelnden Objekts außerhalb der Behandlungsflüssigkeit anzuordnen. The at least one membrane is provided with openings typical for membranes, which are sometimes referred to as pores and through which pass the gas to the gas outlet side of the membrane and can be introduced into the treatment liquid. That too treating object is preferably completely immersed in the treatment liquid. Depending on the application, however, it may be necessary to arrange parts of the object to be treated outside the treatment liquid.

Wie bereits dargelegt wurde, können nasschemische Prozesse teilweise beschleunigt werden, indem in einer verwendeten Behandlungslösung das die Behandlung fördernde Gas physikalisch gelöst wird. Die Behandlungsdauer lässt sich jedoch nicht beliebig verkürzen, da die Löslichkeit des Gases, beispielsweise von Ozon, in der Behandlungsflüssigkeit begrenzt ist. Überraschenderweise hat sich gezeigt, dass mit dem beschriebenen Verfahren Ätzraten realisiert werden können, die über der Ätzrate einer mit dem Gas gesättigten Behandlungsflüssigkeit liegen. Vermutlich ist dies darauf zurückzuführen, dass mit Hilfe des Gasfilms der zwischen dem Gasfilm und zu behandelnden Bereichen des Objekts angeordnete Teil der Behandlungsflüssigkeit mit dem Gas übersättigt werden kann. In diesem Teil der Behandlungsflüssigkeit wäre demnach mehr Gas enthalten als dessen Löslichkeit in der Behandlungsflüssigkeit erwarten lässt. As already stated, wet-chemical processes can be partially accelerated by physically dissolving the treatment-promoting gas in a used treatment solution. However, the duration of treatment can not be shortened arbitrarily, since the solubility of the gas, for example of ozone, is limited in the treatment liquid. Surprisingly, it has been shown that etching rates can be achieved which are above the etching rate of a treatment liquid saturated with the gas with the method described. Presumably, this is due to the fact that with the aid of the gas film of the arranged between the gas film and areas of the object to be treated part of the treatment liquid can be supersaturated with the gas. In this part of the treatment liquid would therefore contain more gas than its solubility in the treatment liquid would be expected.

Bei der Realisierung sehr schnell ablaufender Behandlungen, insbesondere sehr hoher Ätzraten, ist der Gasfluss durch die Membran von Bedeutung. Unterhalb eines Mindestflusses nimmt die Behandlungsgeschwindigkeit, beziehungsweise bei entsprechenden Anwendungsfällen die Ätzrate, ab. Dies könnte daran liegen, dass das Gas nicht mehr mit hinreichendem Druck durch die Membran gedrückt wird, sondern nur noch durch diese hindurch diffundiert. Ist andererseits der Gasfluss zu hoch, ergibt sich ein inhomogenes Behandlungsergebnis. Dies ist vermutlich darauf zurückzuführen, dass erste Gasblasen in der Behandlungsflüssigkeit gebildet werden, welche jedoch noch nicht gleichmäßig über die ganze Membrangasaustrittsfläche verteilt sind. Für eine gleichmäßige Blasenbildung wären noch höhere Gasflüsse erforderlich. Diese bedingen jedoch einen wesentlich größeren Gasverbrauch, welcher den Aufwand für die Verfahrensdurchführung je nach eingesetztem Gas erheblich erhöhen kann. Derjenige Gasfluss, welcher die Ausbildung des erforderlichen Gasfilms und zudem eine beschleunigte und homogene Behandlung des Objekts ermöglicht, ist unter anderem vom Typ der eingesetzten Membran und deren Fläche abhängig. Für Membranflächen von 1 m² hat sich ein Fluss von maximal 5 Litern pro Minute bewährt. Vorzugsweise beträgt der Gasfluss 2 bis 5 Liter pro Minute. Es hat sich bewährt, den Gasfluss mit einer Genauigkeit von 0,1 bis 0,2 Litern pro Minute auf einen im jeweiligen Anwendungsfall zweckmäßigen Wert einzustellen oder einzuregeln. In the implementation of very fast-running treatments, in particular very high etching rates, the gas flow through the membrane of importance. Below a minimum flow, the treatment rate decreases, or, in the case of corresponding applications, the etching rate. This could be because the gas is no longer pushed through the membrane with sufficient pressure, but only diffuses through it. On the other hand, if the gas flow is too high, an inhomogeneous treatment result results. This is presumably due to the fact that first gas bubbles are formed in the treatment liquid, which, however, are not evenly distributed over the entire membrane gas outlet surface. For even bubble formation even higher gas flows would be required. However, these require a much larger gas consumption, which can significantly increase the cost of implementing the process depending on the gas used. The gas flow which makes possible the formation of the required gas film and, moreover, an accelerated and homogeneous treatment of the object depends, inter alia, on the type of membrane used and its area. For membrane areas of 1 m ² , a flow of no more than 5 liters per minute has proven successful. Preferably, the gas flow is 2 to 5 liters per minute. It has proven useful to set or regulate the gas flow with an accuracy of 0.1 to 0.2 liters per minute to a value appropriate in the respective application.

Die Behandlungsgeschwindigkeit hängt weiterhin vom Abstand der Membran von den zu behandelnden Bereichen ab. Vorteilhafterweise ist die wenigstens eine Membran in einem Abstand von weniger als 5 mm, vorzugsweise von weniger als 1,5 mm, von den zu behandelnden Bereichen des Objekts angeordnet. The rate of treatment also depends on the distance of the membrane from the areas to be treated. Advantageously, the at least one membrane is arranged at a distance of less than 5 mm, preferably less than 1.5 mm, from the areas of the object to be treated.

Das Verfahren gemäß dem nebengeordneten Verfahrensanspruch sieht vor, dass ein Objekt zumindest abschnittsweise in einer Behandlungsflüssigkeit angeordnet wird und der Behandlungsflüssigkeit ein die Behandlung förderndes Gas beigemengt wird. Mittels wenigstens einer zumindest abschnittsweise in der Behandlungsflüssigkeit angeordneten Elektrolysevorrichtung wird durch Elektrolyse von Bestandteilen der Behandlungsflüssigkeit das die Behandlung fördernde Gas erzeugt. Das erzeugte Gas wird zumindest teilweise in einem zwischen der wenigstens einen Elektrolysevorrichtung und zu behandelnden Bereichen des Objekts angeordneten Teil der Behandlungsflüssigkeit gelöst. The method according to the independent method claim provides that an object is arranged at least in sections in a treatment liquid and the treatment liquid is added to a treatment-promoting gas. By means of at least one electrolysis device arranged at least in sections in the treatment liquid, the gas which promotes the treatment is produced by electrolysis of constituents of the treatment liquid. The generated gas is at least partially dissolved in a part of the treatment liquid arranged between the at least one electrolysis device and areas of the object to be treated.

Mit diesem Verfahren kann das die Behandlung fördernde Gas ebenfalls im Behandlungsbecken in der Behandlungsflüssigkeit gelöst werden. Dies erfolgt wiederum möglichst nahe an den zu behandelnden Bereichen. Die Elektrolysevorrichtung wird daher bevorzugt zumindest abschnittsweise, vorzugsweise vollständig, im Behandlungsbecken angeordnet. With this method, the treatment-promoting gas can also be dissolved in the treatment tank in the treatment liquid. This again takes place as close as possible to the areas to be treated. The electrolysis device is therefore preferably arranged at least in sections, preferably completely, in the treatment tank.

Das Verfahren kann derart durchgeführt werden, dass in den zwischen der wenigstens einen Elektrolysevorrichtung und den zu behandelnden Bereichen des Objekts angeordneten Teil der Behandlungsflüssigkeit das Gas bis zur Löslichkeitsgrenze oder zu einem geringeren Anteil gelöst wird. Es hat sich jedoch gezeigt, dass auch mit diesem Verfahren Behandlungsgeschwindigkeiten realisiert werden können, die über derjenigen liegen, die bis zur Löslichkeitsgrenze in der Behandlungsflüssigkeit gelösten Gas entsprechen. Der zwischen der wenigstens einen Elektrolysevorrichtung und den zu behandelnden Bereichen angeordnete Teil der Behandlungsflüssigkeit kann somit vermutlich auch auf diese Weise mit dem Gas übersättigt werden. The method can be carried out such that in the part of the treatment liquid arranged between the at least one electrolysis device and the areas of the object to be treated, the gas is dissolved up to the solubility limit or to a lesser extent. However, it has been shown that treatment rates which are above those which correspond to the solubility limit in the treatment liquid can also be achieved with this method. The part of the treatment liquid arranged between the at least one electrolysis device and the areas to be treated can thus presumably also be supersaturated with the gas in this way.

An der wenigstens einen Elektrolysevorrichtung kann ein Gasfilm aus dem die Behandlung fördernden Gas ausgebildet werden. Andererseits kann das die Behandlung fördernde Gas auch direkt, das heißt ohne Ausbildung eines Gasfilms, in der Behandlungsflüssigkeit gelöst werden. At the at least one electrolysis device, a gas film can be formed from the treatment-promoting gas. On the other hand, the treatment-promoting gas can also be dissolved directly in the treatment liquid, that is, without formation of a gas film.

Die nachfolgend beschriebenen Weiterbildungen beziehen sich sowohl auf das Verfahren gemäß Anspruch 1 wie auch auf das Verfahren des nebengeordneten Anspruchs. The developments described below relate both to the method according to claim 1 and to the method of the independent claim.

Vorteilhafterweise wird als Objekt ein Halbleitersubstrat, vorzugsweise ein Solarzellensubstrat und besonders bevorzugt ein Siliziumsolarzellensubstrat, vorgesehen und behandelt. Der Begriff des Solarzellensubstrats schließt dabei auf dem Solarzellensubstrat ausgebildete Schichten, beispielsweise eine Siliziumoxidschicht auf einem Siliziumsolarzellensubstrat, ein. Advantageously, as the object, a semiconductor substrate, preferably a solar cell substrate, and more preferably one Silicon solar cell substrate, provided and treated. The term of the solar cell substrate includes layers formed on the solar cell substrate, for example a silicon oxide layer on a silicon solar cell substrate.

Das Behandeln kann in einem Ätzen der zu behandelnden Bereiche des Objekts bestehen. Die beschriebenen Verfahren haben sich in diesem Zusammenhang besonders bewährt. Die Ätzraten können hierbei durch Erwärmen der Behandlungsflüssigkeit weiter erhöht werden. Alternativ zu dem Ätzen kann das Behandeln beispielsweise in einem Oxidieren der zu behandelnden Bereiche bestehen. The treatment may consist of etching the areas of the object to be treated. The methods described have proven particularly useful in this context. The etching rates can be further increased by heating the treatment liquid. As an alternative to etching, for example, the treatment may consist in oxidizing the areas to be treated.

Vorzugsweise wird als Behandlungsflüssigkeit eine Flusssäure aufweisende Ätzlösung verwendet und besonders bevorzugt eine aus Flusssäure und deionisiertem Wasser bestehende Ätzlösung. Diese Ätzlösungen haben sich insbesondere beim Behandeln von Silizium oder siliziumhaltigen Objekten, beispielsweise Siliziumsubstraten, bewährt. Preferably, a hydrofluoric acid etching solution is used as the treatment liquid, and particularly preferably an etching solution consisting of hydrofluoric acid and deionized water. These etching solutions have proven particularly useful in treating silicon or silicon-containing objects, for example silicon substrates.

Als Gas kann Ozongas oder ein ozonhaltiges Gasgemisch in die Behandlungsflüssigkeit eingeleitet werden. Die Einleitung von Ozongas hat sich insbesondere im Zusammenhang mit der Verwendung einer Flusssäure aufweisenden Ätzlösung als Behandlungsflüssigkeit bewährt, kann jedoch auch in Verbindung mit anderen Behandlungsflüssigkeiten erfolgen. So kann zum Beispiel Ozongas oder ein ozonhaltiges Gasgemisch in Wasser, vorzugsweise deionisiertes Wasser, eingeleitet werden, welches als Behandlungsflüssigkeit vorgesehen wird. Dies ermöglicht eine vorteilhafte nasschemische Oxidation von Silizium oder siliziumhaltigen Objekten, insbesondere von Siliziumsubstraten. As gas, ozone gas or an ozone-containing gas mixture can be introduced into the treatment liquid. The introduction of ozone gas has proven particularly in connection with the use of a hydrofluoric acid etching solution as a treatment liquid, but can also be done in conjunction with other treatment liquids. Thus, for example, ozone gas or an ozone-containing gas mixture may be introduced into water, preferably deionized water, which is provided as a treatment liquid. This allows an advantageous wet-chemical oxidation of silicon or silicon-containing objects, in particular of silicon substrates.

Bevorzugt besteht das Behandeln in einem Ätzen und das Objekt wird in den zu behandelnden Bereichen stärker geätzt als in anderen in die Behandlungsflüssigkeit eingebrachten Bereichen des Objekts. Dies ist möglich, indem eine Behandlungsflüssigkeit gewählt wird, welche bereits ohne beigemengtes Gas eine Ätzwirkung aufweist. Auf diese Weise können zeitgleich und somit aufwandsgünstig unterschiedliche Bereiche verschieden stark geätzt werden. Es kann jedoch auch eine Behandlungsflüssigkeit gewählt werden, welche in Abwesenheit des Gases keine Ätzwirkung aufweist. Dies ermöglicht ein starkes selektives Ätzen in den zu behandelnden Bereichen, während in übrigen Bereichen des Objekts kein oder nur ein unwesentliches Ätzen erfolgt. Preferably, the treatment consists of etching and the object is etched more strongly in the areas to be treated than in other areas of the object introduced into the treatment liquid. This is possible by selecting a treatment liquid which has an etching effect even without added gas. In this way, different areas can be etched to different degrees at the same time and therefore at low cost. However, it is also possible to choose a treatment liquid which has no etching effect in the absence of the gas. This allows a strong selective etching in the areas to be treated, while in other areas of the object no or only insignificant etching takes place.

Die beschriebene Selektivität des Ätzvorgangs kann unter anderem vorteilhaft bei der Fertigung von Halbleiterelementen, insbesondere von Solarzellen, eingesetzt werden. Eine bevorzugte Ausführungsvariante sieht daher vor, dass mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen ein dotierter Bereich eines als Objekt vorgesehenen Halbleitersubstrats zurückgeätzt wird. Als Halbleitersubstrat dient dabei vorzugsweise ein Solarzellensubstrat. Besonders bevorzugt wird eine Emitterdotierung eines als Objekt vorgesehenen Solarzellensubstrats lokal zurückgeätzt. Unter einem lokalen Zurückätzen ist zu verstehen, dass in den zu behandelnden Bereichen zurückgeätzt wird, in übrigen Bereichen hingegen nur in wesentlich geringerem Umfang oder überhaupt nicht. Bei einer Emitterdotierung im Sinne der Erfindung handelt es sich um eine zum Zwecke des Ausbildens eines Emitters einer Solarzelle vorgenommene Dotierung. Die Emitterdotierung wird zurückgeätzt, indem Bereiche des Solarzellensubstrats, in welche die Emitterdotierung eingebracht wurde, geätzt werden. Das lokale Zurückätzten des Emitters dient in der Regel dem Zweck, den Schichtwiderstand der Emitterdotierung lokal zu erhöhen. The described selectivity of the etching process can be used, inter alia, advantageously in the production of semiconductor elements, in particular of solar cells. A preferred embodiment therefore provides that a doped region of a semiconductor substrate provided as an object is etched back by means of the stronger etching in the regions to be treated. The semiconductor substrate used is preferably a solar cell substrate. Particularly preferably, an emitter doping of a solar cell substrate provided as an object is locally etched back. By a local re-etching is meant that in the areas to be treated is etched back, in other areas, however, only to a much lesser extent or not at all. An emitter doping in the sense of the invention is a doping made for the purpose of forming an emitter of a solar cell. The emitter doping is etched back by etching portions of the solar cell substrate in which the emitter doping has been introduced. The local etching back of the emitter usually serves the purpose of locally increasing the sheet resistance of the emitter doping.

In einer Ausführungsvariante kann das lokale Rückätzen der Emitterdotierung darin bestehen, dass eine auf einer großflächigen Seite des Solarzellensubstrats flächig aufgebrachte Emitterdotierung vollflächig zurückgeätzt wird. Alternativ besteht die Möglichkeit, solch eine flächig aufgebrachte Emitterdotierung nur lokal, das heißt an ausgewählten Stellen, zurückzuätzen und auf diese Weise einen sogenannten selektiven Emitter auszubilden. In one embodiment, the local re-etching of the emitter doping may consist in the fact that an emitter doping applied flat on a large-area side of the solar cell substrate is etched back over the entire area. Alternatively, it is possible to etch such a surface applied emitter doping only locally, that is, at selected locations, and in this way form a so-called selective emitter.

Vorteilhafterweise wird ein Solarzellensubstrat als Objekt vorgesehen und mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen eine Emitterdotierung des Solarzellensubstrats lokal entfernt. Auf diese Weise kann beispielsweise die Emitterdotierung von einer gesamten großflächigen Seite des Solarzellensubstrats, in der Regel einer Rückseite der fertigen Solarzelle, entfernt und somit ein Kurzschluss zwischen den Kontakten der fertigen Solarzelle verhindert werden. Die Verhinderung solch eines Kurzschlusses wird üblicherweise als Kantenisolation bezeichnet. Advantageously, a solar cell substrate is provided as an object and locally removed by means of the stronger etching in the areas to be treated emitter doping of the solar cell substrate. In this way, for example, the emitter doping of an entire large-scale side of the solar cell substrate, usually a back of the finished solar cell, removed and thus a short circuit between the contacts of the finished solar cell can be prevented. The prevention of such a short circuit is commonly referred to as edge isolation.

Bei einer anderen Ausführungsvariante kann die Kantenisolation dadurch erfolgen, dass die Emitterdotierung wiederum lokal entfernt wird, dieses Mal jedoch nur in den Kantenbereichen des Solarzellensubstrats. Dies hat sich insbesondere bei Solarzellentypen bewährt, bei welchen auf Vorder- und Rückseite Dotierungen bestehen, die nicht beschädigt werden dürfen, beispielsweise bei sogenannten metall-wrap-through-Solarzellen, welche häufig kurz als MWT-Solarzellen bezeichnet werden. In another embodiment variant, the edge insulation can take place in that the emitter doping is again locally removed, but this time only in the edge regions of the solar cell substrate. This has proven particularly useful in solar cell types in which on the front and back dopings exist that must not be damaged, for example in so-called metal wrap-through solar cells, which are often referred to as MWT solar cells.

Bei einer vorteilhaften Verfahrensvariante wird ein Solarzellensubstrat als Objekt vorgesehen, mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen eine Emitterdotierung des Solarzellensubstrats lokal entfernt und zeitgleich mit dem stärkeren Ätzen in den zu behandelnden Bereichen die Emitterdotierung in anderen Bereichen des Solarzellensubstrats mittels der Behandlungsflüssigkeit zurückgeätzt. Bei der eingesetzten Behandlungsflüssigkeit handelt es sich um eine Ätzlösung, welche bereits in Abwesenheit des Gases eine Ätzwirkung aufweist. Diese ist aufgrund der oben beschriebenen Effekte geringer als in dem zwischen dem Gasfilm und den zu behandelnden Bereichen des Objekts angeordneten Teil der Behandlungsflüssigkeit, beziehungsweise als in dem zwischen der wenigstens einen Elektrolysevorrichtung und den zu behandelnden Bereichen des Objekts angeordneten Teil der Behandlungsflüssigkeit. Dies ermöglicht es, in einem einheitlichen Ätzschritt gleichzeitig eine Kantenisolation vorzunehmen und die Emitterdotierung zurückzuätzen. Diese beiden Verfahrensschritte, die moderne Solarzellenherstellungsverfahren zum Teil erfordern, können somit aufwandsgünstig durchgeführt werden. In an advantageous variant of the method, a solar cell substrate is provided as an object, emitter doping of the solar cell substrate locally removed by means of the stronger etching in the areas to be treated, and simultaneously with the stronger etching in the areas to be treated the emitter doping in other areas of the Solar cell substrate etched back using the treatment liquid. The treatment liquid used is an etching solution which already has an etching effect in the absence of the gas. Due to the effects described above, this is less than in the part of the treatment liquid arranged between the gas film and the areas of the object to be treated, or as part of the treatment liquid arranged between the at least one electrolysis device and the areas of the object to be treated. This makes it possible to simultaneously perform edge isolation in a uniform etching step and to etch back the emitter doping. These two process steps, which in part require modern solar cell production processes, can thus be carried out at low cost.

Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruchs 1 oder nach einem der hierauf rückbezogenen Ansprüche weist ein Behandlungsbecken auf, eine in dem Behandlungsbecken angeordnete Behandlungsflüssigkeit und eine Aufnahmevorrichtung zur Aufnahme zu behandelnder Objekte in dem Behandlungsbecken. Es ist wenigstens eine Membran vorgesehen, durch welche ein die Behandlung förderndes Gas hindurchleitbar ist. Eine Gasaustrittsseite der wenigstens einen Membran ist in dem Behandlungsbecken in der Behandlungsflüssigkeit angeordnet. Die Gasaustrittsseite der wenigstens einen Membran ist ferner der Aufnahmevorrichtung zugewandt ausgerichtet und beabstandet von der Aufnahmevorrichtung angeordnet. An apparatus for carrying out the method according to claim 1 or according to one of the claims appended hereto comprises a treatment basin, a treatment liquid arranged in the treatment basin and a receiving device for receiving objects to be treated in the treatment basin. At least one membrane is provided, through which a gas promoting the treatment can be passed. A gas outlet side of the at least one membrane is arranged in the treatment tank in the treatment liquid. The gas outlet side of the at least one membrane is further aligned facing the receiving device and spaced from the receiving device.

Die Gasaustrittsseite ist zweckmäßigerweise derart gestaltet, dass an ihr ein Gasfilm aus dem die Behandlung fördernden Gas ausbildbar ist. The gas outlet side is expediently designed in such a way that a gas film can be formed on it from the gas which promotes the treatment.

Vorzugsweise ist die wenigstens eine Membran mit einem Ozongenerator verbunden, von welchem aus der wenigstens einen Membran Ozon zugeführt werden kann. Dies kann über geeignete Zufuhrleitungen erfolgen. Preferably, the at least one membrane is connected to an ozone generator, from which ozone can be supplied to the at least one membrane. This can be done via suitable supply lines.

Vorteilhafterweise ist die Gasaustrittsseite der wenigstens einen Membran in einem solchen Abstand von der Aufnahmevorrichtung angeordnet, dass die Gasaustrittsseite von zu behandelnden Bereichen eines in der Aufnahmevorrichtung aufgenommenen Objekts weniger als 5 mm, vorzugsweise weniger als 1,5 mm, beabstandet ist. Auf diese Weise kann eine besonders schnelle Behandlung realisiert werden. Advantageously, the gas outlet side of the at least one membrane is arranged at a distance from the receiving device such that the gas outlet side of areas to be treated of an object received in the receiving device is less than 5 mm, preferably less than 1.5 mm. In this way, a particularly fast treatment can be realized.

Die wenigstens eine Membran kann beispielsweise aus porösem Polytetrafluorethylen gefertigt sein. Vorzugsweise ist die wenigstens eine Membran vollständig in dem Behandlungsbecken angeordnet. Die wenigstens eine Membran kann oberhalb oder unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet werden. Die wenigstens eine Membran wird dabei vorzugsweise in vertikaler Richtung oberhalb oder unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet, da dies besonders hohe Behandlungsgeschwindigkeiten ermöglicht. The at least one membrane may be made of porous polytetrafluoroethylene, for example. Preferably, the at least one membrane is completely disposed in the treatment tank. The at least one membrane can be arranged above or below the receiving device. The at least one membrane is preferably arranged in the vertical direction above or below the receiving device, since this enables particularly high treatment speeds.

Zum Zwecke einer doppelseitigen Behandlung der Objekte, beispielsweise ein schnelles doppelseitiges Ätzen, kann zumindest eine Membran oberhalb und zumindest eine weitere Membran unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet werden. For the purpose of a double-sided treatment of the objects, for example a fast double-sided etching, at least one membrane can be arranged above and at least one further membrane below the receiving device.

Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem nebengeordneten Verfahrensanspruch oder eines der hierauf rückbezogenen Ansprüche weist ein Behandlungsbecken und eine Aufnahmevorrichtung zur Aufnahme zu behandelnder Objekte in dem Behandlungsbecken auf. Ferner ist wenigstens eine Elektrolysevorrichtung vorgesehen, welche zumindest abschnittsweise in dem Behandlungsbecken angeordnet ist. Die wenigstens eine Elektrolysevorrichtung ist dazu geeignet, aus einer in dem Behandlungsbecken anordenbaren Behandlungsflüssigkeit durch Elektrolyse von Bestandteilen der Behandlungsflüssigkeit ein die Behandlung der Objekte förderndes Gas zu erzeugen. A device for carrying out the method according to the independent method claim or one of the dependent claims has a treatment basin and a receiving device for receiving objects to be treated in the treatment basin. Furthermore, at least one electrolysis device is provided, which is arranged at least in sections in the treatment tank. The at least one electrolysis device is suitable for producing a gas which promotes the treatment of the objects from a treatment liquid which can be arranged in the treatment tank by electrolysis of constituents of the treatment liquid.

Die wenigstens eine Elektrolysevorrichtung ist vorzugsweise vollständig in dem Behandlungsbecken angeordnet und besonders bevorzugt vollständig in einer in dem Behandlungsbecken angeordneten Behandlungsflüssigkeit. The at least one electrolysis device is preferably arranged completely in the treatment basin and particularly preferably completely in a treatment liquid arranged in the treatment basin.

Vorteilhafterweise weist zumindest eine Elektrolysevorrichtung wenigstens eine Elektrolyseplatte auf. Diese ist bevorzugt als diamantbeschichtete Siliziumplatte ausgeführt. Die diamantbeschichtete Siliziumplatten ermöglichen die Erzeugung von Ozon in einer wasserhaltigen Behandlungsflüssigkeit und haben sich in diesem Zusammenhang besonders bewährt. Advantageously, at least one electrolysis device has at least one electrolysis plate. This is preferably designed as a diamond-coated silicon plate. The diamond-coated silicon plates enable the production of ozone in a water-containing treatment liquid and have proven particularly useful in this context.

Vorzugsweise ist die wenigstens eine Elektrolysevorrichtung in einem solchen Abstand von der Aufnahmevorrichtung angeordnet, dass die wenigstens eine Elektrolysevorrichtung von zu behandelnden Bereichen eines in der Aufnahmevorrichtung aufgenommenen Objekts weniger als 5 mm, vorzugsweise als 1,5 mm, beabstandet ist. Dies ermöglicht besonders hohe Behandlungsgeschwindigkeiten. Preferably, the at least one electrolysis device is arranged at such a distance from the receiving device, that the at least one electrolysis device of areas to be treated of an object received in the receiving device less than 5 mm, preferably as 1.5 mm, is spaced. This allows particularly high treatment speeds.

Die wenigstens eine Elektrolysevorrichtung kann ober- oder unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet werden. Zweckmäßigerweise wird sie in vertikaler Richtung ober- oder unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet, da dies besonders hohe Behandlungsgeschwindigkeiten ermöglicht. Für eine doppelseitige Behandlung kann zumindest eine Elektrolysevorrichtung oberhalb der Aufnahmevorrichtung und wenigstens eine weitere Elektrolysevorrichtung unterhalb der Aufnahmevorrichtung angeordnet werden. The at least one electrolysis device can be arranged above or below the receiving device. It is expediently arranged above or below the receiving device in the vertical direction, since this allows particularly high treatment speeds. For a double-sided treatment, at least one electrolysis device above the receiving device and at least one further Electrolysis device can be arranged below the receiving device.

Neben den beschriebenen Anwendungsfällen können die oben beschriebenen Verfahren und Vorrichtungen unter anderem auch zum schnellen und homogenen Ätzen von Siliziummaterialien, insbesondere von Siliziumsubstraten, verwendet werden. In addition to the described applications, the methods and devices described above can also be used inter alia for the rapid and homogeneous etching of silicon materials, in particular of silicon substrates.

Im Weiteren wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert. Soweit zweckdienlich, sind hierin gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Erfindung ist nicht auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt – auch nicht im Bezug auf funktionale Merkmale. Die bisherige Beschreibung wie auch die nachfolgende Figurenbeschreibung enthalten zahlreiche Merkmale, die in den abhängigen Unteransprüchen teilweise zu mehreren zusammengefasst wiedergegeben sind. Diese Merkmale wie auch alle übrigen oben und in der nachfolgenden Figurenbeschreibung offenbarten Merkmale wird der Fachmann jedoch auch einzeln betrachten und zu sinnvollen weiteren Kombinationen zusammenfügen. Insbesondere sind diese Merkmale jeweils einzeln und in beliebiger geeigneter Kombination mit den Verfahren und/oder den Vorrichtungen der unabhängigen Ansprüche kombinierbar. Es zeigen: Furthermore, the invention will be explained in more detail with reference to figures. Where appropriate, elements having equivalent effect are provided with like reference numerals. The invention is not limited to the embodiments illustrated in the figures - not even with respect to functional features. The previous description as well as the following description of the figures contain numerous features, which are reproduced in the dependent subclaims in part to several summarized. However, those features as well as all the other features disclosed above and in the following description of the figures will also be considered individually by the person skilled in the art and put together to form meaningful further combinations. In particular, these features can be combined individually and in any suitable combination with the methods and / or the devices of the independent claims. Show it:

1 Ein erstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 1 A first embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

2 Ein zweites Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 2 A second embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

3 Ein drittes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 3 A third embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

4 Ein viertes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 4 A fourth embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

5 Ein fünftes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 5 A fifth embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

6 Ein sechstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 6 A sixth embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

7 Ein siebtes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 7 A seventh embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

8 Ein achtes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in schematischer Darstellung 8th An eighth embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus for performing this method in a schematic representation

1 illustriert in einer schematischen, seitlichen Schnittdarstellung ein erstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts. Ferner zeigt die 1 ein Ausführungsbeispiel, ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens. Die in 1 dargestellte Vorrichtung weist ein Behandlungsbecken 2 auf, in welchem eine Ätzlösung 4 als Behandlungsflüssigkeit angeordnet ist. Als Ätzlösung 4 wird vorzugsweise eine Flusssäure aufweisende Ätzlösung verwendet, vorzugsweise eine aus Flusssäure und deionisiertem Wasser bestehende Ätzlösung. 1 illustrates in a schematic, side sectional view of a first embodiment of a method for treating an object. Furthermore, the shows 1 an embodiment, a first embodiment of an apparatus for performing this method. In the 1 The device shown has a treatment basin 2 in which an etching solution 4 is arranged as a treatment liquid. As an etching solution 4 Preferably, a hydrofluoric acid etching solution is used, preferably an etching solution consisting of hydrofluoric acid and deionized water.

Als Aufnahmevorrichtung ist eine Transportvorrichtung vorgesehen, welche aus mehreren Transportrollen 6 besteht. Diese Transportrollen 6 dienen der Aufnahme und dem Transport von Siliziumsolarzellensubstraten 10 in eine Transportrichtung 8. Die genannten Siliziumsolarzellensubstrate 10 sind in allen Ausführungsbeispielen beispielhaft als zu behandelnde Objekte vorgesehen. As a receiving device, a transport device is provided, which consists of several transport rollers 6 consists. These transport wheels 6 serve to accommodate and transport of silicon solar cell substrates 10 in a transport direction 8th , The mentioned silicon solar cell substrates 10 are provided in all embodiments by way of example as objects to be treated.

In vertikaler Richtung oberhalb der Transportrollen 6 ist eine Membran 14a angeordnet. Die Membran 14a ist, wie für Membranen typisch, mit mehreren Öffnungen versehen. Diese teilweise auch als Poren bezeichneten Öffnungen sind in den schematisch Darstellungen der 1 bis 3 vergrößert dargestellt. Durch die genannten Öffnungen hindurch ist ein die Behandlung des Siliziumsolarzellensubstrats 10 förderndes Gas in die Ätzlösung 4 einleitbar. In 1 ist dies durch nach unten weisende Pfeile angedeutet. Eine Gasaustrittsseite 15a der Membran 14a ist den Transportrollen 6 zugewandt ausgerichtet und weist in der Darstellung der 1 daher nach unten. Des Weiteren ist sie beabstandet von den Transportrollen 6 angeordnet. In the vertical direction above the transport rollers 6 is a membrane 14a arranged. The membrane 14a is, as typical for membranes, provided with several openings. These openings, sometimes referred to as pores, are shown schematically in FIGS 1 to 3 shown enlarged. Through the openings mentioned is a treatment of the silicon solar cell substrate 10 promoting gas in the etching solution 4 introduced. In 1 this is indicated by downward pointing arrows. A gas outlet side 15a the membrane 14a is the transport wheels 6 oriented facing and points in the representation of the 1 therefore down. Furthermore, it is spaced from the transport rollers 6 arranged.

Über eine Zufuhrleitung 16a ist die Membran 14a mit einem an sich bekannten Ozongenerator 18 verbunden. Mit diesem Ozongenerator 18 wird Ozon erzeugt, welches in den Ausführungsbeispielen der 1 bis 5 als die Behandlung förderndes Gas verwendet wird. Via a supply line 16a is the membrane 14a with a known ozone generator 18 connected. With this ozone generator 18 ozone is generated, which in the embodiments of the 1 to 5 as the treatment-promoting gas is used.

Wie in 1 erkennbar ist, wird bei dem schematisch dargestellten Verfahren das Siliziumsolarzellensubstrat 10 vollständig in der Ätzlösung 4 angeordnet. Mittels des Ozongenerators 18 wird Ozongas erzeugt und über die Zufuhrleitung 16a der Membran 14a zugeführt. Im Weiteren wird das Ozongas durch die Membran 14a hindurch in die Ätzlösung 4 eingeleitet. Dies erfolgt derart, dass an der Gasaustrittsseite 15a der Membran 14a ein Gasfilm 12a ausgebildet wird. Der Gasfilm 12a wird demnach aus dem Ozongas ausgebildet. As in 1 can be seen, in the schematically illustrated method, the silicon solar cell substrate 10 completely in the etching solution 4 arranged. By means of the ozone generator 18 ozone gas is generated and via the supply line 16a of the membrane 14a fed. Furthermore, the ozone gas will pass through the membrane 14a through into the etching solution 4 initiated. This is done in such a way that at the gas outlet side 15a the membrane 14a a gas film 12a is trained. The gas film 12a is therefore formed from the ozone gas.

Wie 1 illustriert, ist die Gasaustrittsseite 15a der Membran 14a in solch einem Abstand von den Transportrollen 6 angeordnet, dass die Gasaustrittsseite 1 von einer ihr zugewandten Oberfläche des Siliziumsolarzellensubstrats 10 beabstandet ist. Ein zugehöriger Abstand 13 beträgt im vorliegenden Ausführungsbeispiel weniger als 1,5 mm. Der Abstand 13 ist derart gewählt, dass zwischen dem Gasfilm 12a und der oberseitigen Oberfläche des Siliziumsolarzellensubstrats 10, also den zu behandelnden Bereichen des Siliziumsolarzellensubstrats 10, sich ein Teil 20a der Ätzlösung 4 befindet. Dieser Teil 20a der Ätzlösung 4 ist somit gleichsam zwischen dem Gasfilm 12a und der oberseitigen Oberfläche des Siliziumsolarzellensubstrats 10 angeordnet. As 1 illustrated, is the gas outlet side 15a the membrane 14a at such a distance from the transport rollers 6 arranged that the gas outlet side 1 from a facing surface of the silicon solar cell substrate 10 is spaced. An associated distance 13 is less than 1.5 mm in the present embodiment. The distance 13 is chosen such that between the gas film 12a and the top surface of the silicon solar cell substrate 10 , So the areas of the silicon solar cell substrate to be treated 10 to be a part 20a the etching solution 4 located. this part 20a the etching solution 4 is thus between the gas film 12a and the top surface of the silicon solar cell substrate 10 arranged.

Wie oben dargelegt wurde, kann auf diese Weise ein sehr starkes und damit schnelles Ätzen der oberseitigen Oberfläche des Siliziumsolarzellensubstrats 10 realisiert werden. Dies ist vermutlich auf eine Übersättigung des Teils 20a der Ätzlösung 4 mit Ozongas zurückzuführen. Als Gasfluss wurde im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Wert im Bereich von 2 bis 5 Litern pro Minute gewählt. Vorteilhafterweise wird der Gasfluss geregelt. Hierfür sind an sich bekannte Mess- und Regeleinrichtungen vorzusehen. Als Membranen können in den Ausführungsbeispielen der 1 bis 5 insbesondere poröse Polytetrafluorethylenkörper oder poröse Keramikkörper oder Körper aus expandiertem Polytetrafluorethylen verwendet werden. As stated above, in this way, a very strong and thus rapid etching of the top surface of the silicon solar cell substrate 10 will be realized. This is probably due to a supersaturation of the part 20a the etching solution 4 attributed to ozone gas. As the gas flow, a value in the range of 2 to 5 liters per minute was chosen in the present embodiment. Advantageously, the gas flow is regulated. For this purpose, known measuring and control devices are to be provided. As membranes can in the embodiments of the 1 to 5 in particular, porous polytetrafluoroethylene bodies or porous ceramic bodies or bodies of expanded polytetrafluoroethylene can be used.

Mittels des in 1 dargestellten Verfahrens, beziehungsweise der in 1 dargestellten Vorrichtung, kann beispielsweise eine Emitterdotierung des Siliziumsolarzellensubstrats 10 lokal auf einer Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 entfernt oder zurückgeätzt werden. Unter der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 ist dabei die in der Darstellung der 1 nach oben weisende Oberfläche des Siliziumsolarzellensubstrats 10 zu verstehen. In dem Fall, in welchem die Emitterdotierung von der Oberseite entfernt wird, kann auf diese Weise beispielsweise eine Kantenisolation erfolgen. By means of in 1 represented method, or in 1 As shown, for example, an emitter doping of the silicon solar cell substrate 10 locally on top of the silicon solar cell substrate 10 be removed or etched back. Under the top of the silicon solar cell substrate 10 is the one in the representation of the 1 upwardly facing surface of the silicon solar cell substrate 10 to understand. In the case in which the emitter doping is removed from the top, for example, an edge insulation can take place in this way.

In besonders vorteilhafter Weise kann mit der in 1 dargestellten Vorrichtung, beziehungsweise dem in 1 illustrierten Verfahren, auf der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 mittels der dort vorherrschenden starken Ätzwirkung eine Emitterdotierung lokal von der gesamten Oberseite entfernt werden und zeitgleich die Emitterdotierung auf einer Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 mittels der Ätzlösung 4 zurückgeätzt werden. Unter der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 ist dabei die in 1 nach unten weisende Oberfläche des Siliziumsolarzellensubstrats 10 zu verstehen. In welchem Umfang die Emitterdotierung auf der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 zurückgeätzt wird, bestimmt sich dabei durch die Verweildauer des Siliziumsolarzellensubstrats 10 in der Ätzlösung 4, die konkrete Zusammensetzung der Ätzlösung 4, insbesondere deren Flusssäuregehalt, und die Temperatur der Ätzlösung 4. Diese Parameter haben zwar ebenfalls Einfluss auf die Ätzgeschwindigkeit an der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10, doch wird der Ätzvorgang dort durch das vorhandene Ozongas in der beschriebenen Weise erheblich beschleunigt. In a particularly advantageous manner can with the in 1 illustrated device, or in 1 illustrated method, on top of the silicon solar cell substrate 10 by means of the strong etching effect prevailing there, an emitter doping can be locally removed from the entire upper side and at the same time the emitter doping on a lower side of the silicon solar cell substrate 10 by means of the etching solution 4 be etched back. Under the bottom of the silicon solar cell substrate 10 is the in 1 downwardly facing surface of the silicon solar cell substrate 10 to understand. To what extent is the emitter doping on the underside of the silicon solar cell substrate 10 is etched back, thereby determined by the residence time of the silicon solar cell substrate 10 in the etching solution 4 , the concrete composition of the etching solution 4 , in particular their hydrofluoric acid content, and the temperature of the etching solution 4 , Although these parameters also affect the etching rate at the top of the silicon solar cell substrate 10 However, the etching process is significantly accelerated there by the existing ozone gas in the manner described.

2 illustriert in einer schematischen Schnittdarstellung ein zweites Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Behandlung eines Objekts wie auch ein Ausführungsbeispiel einer hierzu geeigneten Vorrichtung. Die dargestellte Vorrichtung unterscheidet sich von derjenigen aus 1 dadurch, dass eine Membran 14b nun nicht vertikal oberhalb des Siliziumsolarzellensubstrats 10, sondern in vertikaler Richtung unterhalb des Siliziumsolarzellensubstrats 10 angeordnet ist. Der Membran 14b wird wiederum Ozongas von dem Ozongenerator 18 über ein Zufuhrleitung 16b zugeführt. Eine Gasaustrittsseite 15b der Membran 14b ist in dem Behandlungsbecken 2 vollständig in der Ätzlösung 4 angeordnet und den Transportrollen 6 zugewandt ausgerichtet. Analog wie im Fall der 1 ist die Gasaustrittsseite 15b der Membran 14b beabstandet von den Transportrollen 6 angeordnet. Der Abstand zwischen der Gasaustrittsseite 15b und der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 beträgt vorzugweise weniger als 5 mm, besonders bevorzugt weniger als 1,5 mm. 2 illustrates in a schematic sectional view a second embodiment of a method for the treatment of an object as well as an embodiment of a device suitable for this purpose. The illustrated device differs from that 1 in that a membrane 14b now not vertically above the silicon solar cell substrate 10 but in the vertical direction below the silicon solar cell substrate 10 is arranged. The membrane 14b in turn, ozone gas from the ozone generator 18 via a supply line 16b fed. A gas outlet side 15b the membrane 14b is in the treatment basin 2 completely in the etching solution 4 arranged and the transport rollers 6 oriented facing. Analogous to the case of 1 is the gas outlet side 15b the membrane 14b spaced from the transport rollers 6 arranged. The distance between the gas outlet side 15b and the bottom of the silicon solar cell substrate 10 is preferably less than 5 mm, more preferably less than 1.5 mm.

Das von dem Ozongenerator 18 stammende Ozongas wird wiederum derart durch die Membran 14b in die Ätzlösung 4 eingeleitet, dass sich an der Gasaustrittsseite 15b ein Gasfilm 12b aus Ozongas ausbildet. Zwischen diesem Gasfilm 12b und der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 ist wiederum ein Teil 20b der Ätzlösung 4 angeordnet. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 1 wird bei dem Ausführungsbeispiel der 2 die Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 stärker geätzt. Dafür wird im Fall der 2 die Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 hingegen nur aufgrund der der Ätzlösung 4 bereits ohne Ozonbeimengung innewohnenden Ätzwirkung geätzt, sodass der Ätzabtrag dort wesentlich geringer ausfällt, beziehungsweise langsamer erfolgt. That of the ozone generator 18 originating ozone gas in turn is so through the membrane 14b in the etching solution 4 initiated at the gas outlet side 15b a gas film 12b from ozone gas. Between this gas film 12b and the bottom of the silicon solar cell substrate 10 is in turn a part 20b the etching solution 4 arranged. In contrast to the embodiment of 1 is in the embodiment of the 2 the bottom of the silicon solar cell substrate 10 etched harder. In the case of the 2 the top of the silicon solar cell substrate 10 however, only because of the etching solution 4 etched without ozone addition inherent etching, so that the Ätzabtrag there significantly less fails, or takes place more slowly.

Ebenso wie mit dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel kann mit dem Ausführungsbeispiel der 2 eine Emitterdotierung lokal in vorteilhafter Weise entfernt werden, im Fall des Ausführungsbeispiels der 2 allerdings von der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10. Ferner kann in besonders vorteilhafter Weise mittels stärkeren Ätzens auf der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 eine Emitterdotierung des Siliziumsolarzellensubstrats auf der gesamten Unterseite lokal entfernt werden, während zeitgleich die Emitterdotierung auf der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 zurückgeätzt wird. Wie im Fall des Ausführungsbeispiels der 1 hat dies gegenüber anderen Verfahren, bei welchen beispielsweise das Siliziumsolarzellensubstrat entlang der Oberfläche einer Ätzlösung bewegt wird, die Vorteile, dass die Kantenisolation und das Emitterrückätzen gleichzeitig erfolgen können, es sich um vergleichsweise einfach handhabbare Prozesse handelt und keine Probleme dadurch entstehen können, dass Ätzlösung aufgrund von Kapillareffekten auf außerhalb der Ätzlösung angeordnete Teile des Siliziumsolarzellensubstrats kriecht. Derartige Kapillareffekte bereiten insbesondere bei texturierten Siliziumsolarzellensubstraten Probleme. As well as with the in 1 illustrated embodiment can with the embodiment of 2 an emitter doping can be removed locally in an advantageous manner, in the case of Embodiment of 2 however, from the top of the silicon solar cell substrate 10 , Furthermore, in a particularly advantageous manner by means of stronger etching on the underside of the silicon solar cell substrate 10 an emitter doping of the silicon solar cell substrate are locally removed on the entire bottom, while at the same time the emitter doping on the top of the silicon solar cell substrate 10 is etched back. As in the case of the embodiment of 1 has this over other methods in which, for example, the silicon solar cell substrate is moved along the surface of an etching solution, the advantages that the edge insulation and the emitter re-etching can occur simultaneously, it is relatively easy to handle processes and no problems may arise because of etching solution due creep of capillary effects on outside of the etching solution arranged parts of the silicon solar cell substrate. Such capillary effects cause problems, in particular in the case of textured silicon solar cell substrates.

3 illustriert ein drittes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer hierfür geeigneten Vorrichtung. Die dargestellte Vorrichtung unterscheidet sich von derjenigen aus 1 dadurch, dass zusätzlich zu der oberhalb der Transportrollen 6 angeordneten Membran 14a auch die bereits aus dem Ausführungsbeispiel der 2 bekannte, unterhalb der Transportrollen 6 angeordnete Membran 14b vorgesehen ist. Darüber hinaus sind auch die entsprechenden, aus den 1 und 2 bereits bekannten Zufuhrleitungen 16a, 16b und Gasfilme 12a, 12b vorgesehen. Auf diese Weise kann ein starkes und damit schnelles Ätzen sowohl der Oberseite wie auch der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 realisiert werden. 3 illustrates a third embodiment of a method for treating an object and an embodiment of a device suitable for this purpose. The illustrated device differs from that 1 in that in addition to the above the transport rollers 6 arranged membrane 14a also already from the embodiment of 2 known, below the transport rollers 6 arranged membrane 14b is provided. In addition, the corresponding, from the 1 and 2 already known supply lines 16a . 16b and gas films 12a . 12b intended. In this way, a strong and thus rapid etching of both the top and the bottom of the silicon solar cell substrate 10 will be realized.

Offensichtlich ist es bei dem Ausführungsbeispiel der 3 nicht zwingend erforderlich, die Membranen 14a und 14b gleichzeitig mit Ozongas zu beschicken. Wird nur einer Membran Ozongas zugeführt, so können mit der in 3 dargestellten Vorrichtung die Verhältnisse und Verfahren des Ausführungsbeispiels der 1 oder die Verhältnisse und das Verfahren des Ausführungsbeispiels der 2 realisiert werden. Obviously, it is in the embodiment of 3 not mandatory, the membranes 14a and 14b to feed at the same time with ozone gas. If only one membrane ozone gas supplied, so can with the in 3 the apparatus and the method of the embodiment of the 1 or the relationships and the method of the embodiment of the 2 will be realized.

4 illustriert ein viertes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer hierzu geeigneten Vorrichtung. Während die 1 bis 3 eine schematische, seitliche Schnittdarstellung zeigen, gibt 4 eine schematische Vorderansicht wieder. Dementsprechend wird in der Darstellung der 4 das Siliziumsolarzellensubstrat 10 in der aus der Zeichenebene herausragenden Transportrichtung 8 transportiert. 4 illustrates a fourth embodiment of a method for treating an object and an embodiment of a device suitable for this purpose. While the 1 to 3 show a schematic, side sectional view gives 4 a schematic front view again. Accordingly, in the illustration of the 4 the silicon solar cell substrate 10 in the transport direction protruding from the plane of the drawing 8th transported.

In dem Ausführungsbeispiel der 4 sind zwei parallel verlaufende, Membranen 24a, 24b vorgesehen, welchen über eine Zufuhrleitung 26 von dem Ozongenerator 18 stammendes Ozongas zugeführt werden. Dieses Ozongas wird durch die Membranen 24a, 24b hindurch derart in die Ätzlösung 4 eingeleitet, dass sich an Gasaustrittsseiten der Membranen 24a, 24b Gasfilme 22a, 22b ausbilden. Diese Gasfilme 22a, 22b sind oberhalb von Randbereichen 23a, 23b des Siliziumsolarzellensubstrats 10 angeordnet. Das Siliziumsolarzellensubstrat 10 wird daher in diesen Randbereichen 23a, 23b stark geätzt, während in den übrigen Bereichen lediglich ein schwächeres Ätzen allein aufgrund der Ätzwirkung der Ätzlösung 4 erfolgt. In the embodiment of 4 are two parallel membranes 24a . 24b provided, which via a supply line 26 from the ozone generator 18 originating ozone gas to be supplied. This ozone gas passes through the membranes 24a . 24b through into the etching solution 4 initiated, that at gas outlet sides of the membranes 24a . 24b gas Movies 22a . 22b form. These gas films 22a . 22b are above marginal areas 23a . 23b of the silicon solar cell substrate 10 arranged. The silicon solar cell substrate 10 is therefore in these peripheral areas 23a . 23b strongly etched, while in the remaining areas only a weaker etching due solely to the etching effect of the etching solution 4 he follows.

In vorteilhafter Weise kann daher mit Ausführungsbeispiel der 4 in den Randbereichen 23a, 23b eine Emitterdotierung des Siliziumsolarzellensubstrats 10 lokal entfernt und auf diese Weise eine Kantenisolation in den Randbereichen vorgenommen werden. Wie oben dargelegt wurde, ist es insbesondere für besondere Solarzellenformen wie MWT-Solarzellen von Vorteil. Sofern die Emitterdotierung nicht nur in den beiden Randbereichen 23a, 23b lokal entfernt werden soll, sondern auch in den beiden senkrecht zu den Randbereichen 23a, 23b verlaufenden Randbereichen, so kann das Siliziumsolarzellensubstrat 10 während seines Transports durch das Behandlungsbecken 2 in seiner Transportebene um 90° um seine senkrecht zur Transportebene verlaufende Achse gedreht werden. Auf diese Weise können im weiteren Verfahrenslauf die beiden bislang unbehandelten Randbereiche geätzt und die Emitterdotierung dort lokal entfernt werden. Advantageously, therefore, with embodiment of the 4 in the border areas 23a . 23b an emitter doping of the silicon solar cell substrate 10 locally and in this way an edge isolation in the edge areas are made. As stated above, it is particularly advantageous for particular solar cell shapes such as MWT solar cells. If the emitter doping not only in the two edge areas 23a . 23b should be removed locally, but also in the two perpendicular to the edge areas 23a . 23b extending edge regions, so the silicon solar cell substrate 10 during its transport through the treatment tank 2 be rotated in its transport plane by 90 ° about its axis perpendicular to the transport plane axis. In this way, the two previously untreated edge regions can be etched in the further process run and the emitter doping can be locally removed there.

5 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer zur Durchführung dieses Verfahrens geeigneten Vorrichtung. Die in 5 dargestellte Vorrichtung unterscheidet sich von derjenigen aus 4 dadurch, dass eine weitere Membran 24c vorgesehen ist, welche parallel zu den beiden anderen Membranen 24a, 24b verläuft. Infolgedessen wird bei dem Ausführungsbeispiel der 5 zusätzlich zu den Randbereichen 23a, 23b eine Streifenbereich 28 lokal stark geätzt. Auf diese Weise kann beispielsweise eine auf der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 befindliche Emitterdotierung in den Randbereichen 23a, 23b und dem Streifenbereich 28 lokal kontrolliert und aufwandsgünstig zurückgeätzt werden. Da ohne weiteres eine viel größere Anzahl an länglichen, parallel verlaufenden Membranen vorgesehen werden kann als die in 5 schematisch wiedergegebenen drei, können auf diese Weise aufwandsgünstig selektive Emitterstrukturen ausgebildet werden, welche stärker und schwächer dotierte Bereiche aufweisen. Die schwächer dotierten Bereiche werden dabei durch zurückgeätzte Rand- und Streifenbereiche gebildet. 5 shows a fifth embodiment of a method for treating an object and an embodiment of an apparatus suitable for carrying out this method. In the 5 shown device differs from that 4 in that another membrane 24c is provided, which is parallel to the other two membranes 24a . 24b runs. As a result, in the embodiment of the 5 in addition to the border areas 23a . 23b a strip area 28 strongly etched locally. In this way, for example, one on top of the silicon solar cell substrate 10 located Emitterdotierung in the border areas 23a . 23b and the strip area 28 locally controlled and easily etched back. Since a much larger number of elongated, parallel membranes can be readily provided than in 5 schematically reproduced three, can be formed in this way cost-effective selective emitter structures having stronger and weaker doped areas. The weaker doped regions are formed by etched back edge and strip areas.

In den Ausführungsbeispielen der 4 und 5 sind die Membranen 24a, 24b, 24c oberhalb der Transportrollen 6 und somit oberhalb der Aufnahme für das Siliziumsolarzellensubstrat 10 angeordnet. Grundsätzlich können sie jedoch auch, in Analogie zu der Membran 14b aus 2, unterhalb der Transportrollen 6 angeordnet werden. In diesem Fall würden sich die stark zu ätzenden Rand- und Streifenbereiche auf der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats befinden. Auch in den Ausführungsbeispielen der 4 und 5 sind die Membranen vorzugsweise in einem Abstand von weniger als 5 mm, besonders bevorzugt von weniger als 1,5 mm, von den zu behandelnden Bereichen, das heißt den Rand- und Streifenbereichen 23a, 23b, 28, angeordnet. In the embodiments of the 4 and 5 are the membranes 24a . 24b . 24c above the transport rollers 6 and thus above the receptacle for the silicon solar cell substrate 10 arranged. In principle, however, they can also, in analogy to the membrane 14b out 2 , below the transport rollers 6 to be ordered. In this case, the edge and strip areas to be etched would be located on the underside of the silicon solar cell substrate. Also in the embodiments of the 4 and 5 the membranes are preferably at a distance of less than 5 mm, more preferably less than 1.5 mm, of the areas to be treated, that is, the edge and strip areas 23a . 23b . 28 arranged.

Die Membranen 14a, 14b, 24a, 24b, 24c können in den Ausführungsbeispielen der 1 bis 5 als Leisten zwischen Niederhaltern eingehängt werden. Dies ermöglicht eine flexible Anpassung der jeweiligen Vorrichtung für verschiedene Anwendungen, da mit Hilfe einer hinreichenden Anzahl vorgesehener Leisten verschiedene Ätzraten eingestellt werden können. The membranes 14a . 14b . 24a . 24b . 24c can in the embodiments of the 1 to 5 be hung as strips between hold-downs. This allows a flexible adaptation of the respective device for different applications, since with the help of a sufficient number of provided strips different etching rates can be set.

6 illustriert in einer schematischen, seitlichen Schnittdarstellung ein sechstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie einer zur Durchführung dieses Verfahrens geeigneten Vorrichtung. Wie ein Vergleich mit dem Ausführungsbeispiel der 1 zeigt, sind im Ausführungsbeispiel der 6 anstelle der Membran 14a, des Gasfilms 12a, der Zufuhrleitung 16a und dem Ozongasgenerator 18 diamantbeschichtete Siliziumplatten 34a als Elektrolysevorrichtung vorgesehen, welche über Stromleitungen 38a, 38b mit einer Stromquelle 39 verbunden sind. Die diamantbeschichteten Siliziumplatten 34a sind vollständig im Behandlungsbecken 2 und der darin vorgesehenen Ätzlösung 4 angeordnet. Die diamantbeschichteten Siliziumplatten 34a dienen als Elektroden. Wird ihnen von der Stromquelle 39 aus über die Stromleitungen 38a, 38b Strom zugeführt, so wird durch Elektrolyse von deionisiertem Wasser, welches Bestandteil der Ätzlösung 4 ist, Ozongas erzeugt. Dieses in 6 durch Pfeile 36a illustrierte Ozongas wird zumindest teilweise in einem zwischen den diamantbeschichteten Siliziumplatten 34a und der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 befindlichen Teil 40a der Ätzlösung 4 gelöst. Infolgedessen kann die Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 stärker, beziehungsweise schneller, geätzt werden als diejenigen Bereiche des Siliziumsolarzellensubstrats 10, an welchen Ätzlösung ohne darin gelöstes Ozongas angreift. Es können jedoch mit dem Verfahren und der Vorrichtung der 6 auch Ätzgeschwindigkeiten realisiert werden, die über denjenigen liegen, die einem bis zur Löslichkeitsgrenze in der Ätzlösung 4 gelöstem Ozongas 36a entsprechen. Der zwischen den diamantbeschichteten Siliziumplatten 34a und dem Siliziumsolarzellensubstrat 10 angeordnete Teil 40a der Ätzlösung 4 kann somit vermutlich auch auf die in 6 dargestellte Weise mit Ozongas übersättigt werden. 6 illustrates in a schematic, side sectional view a sixth embodiment of a method for treating an object and a device suitable for carrying out this method. As a comparison with the embodiment of 1 shows are in the embodiment of 6 instead of the membrane 14a , the gas film 12a , the feed line 16a and the ozone gas generator 18 diamond coated silicon plates 34a provided as an electrolysis device, which via power lines 38a . 38b with a power source 39 are connected. The diamond-coated silicon plates 34a are completely in the treatment basin 2 and the etching solution provided therein 4 arranged. The diamond-coated silicon plates 34a serve as electrodes. Get them from the power source 39 out over the power lines 38a . 38b Power supplied, so is by electrolysis of deionized water, which is part of the etching solution 4 is, ozone gas is generated. This in 6 through arrows 36a illustrated ozone gas is at least partially in a between the diamond-coated silicon plates 34a and the top of the silicon solar cell substrate 10 located part 40a the etching solution 4 solved. As a result, the top surface of the silicon solar cell substrate 10 stronger, or faster, are etched than those areas of the silicon solar cell substrate 10 , which is attacked by etching solution without dissolved ozone gas. However, with the method and apparatus of the 6 etch rates can be realized which are above those one to the Löslichkeitsgrenze in the etching solution 4 dissolved ozone gas 36a correspond. The between the diamond-coated silicon plates 34a and the silicon solar cell substrate 10 arranged part 40a the etching solution 4 can therefore probably also on the in 6 be oversaturated manner with ozone gas.

Aufgrund der erkennbaren Analogie zu dem Verfahren und der Vorrichtung der 1 kann das Ausführungsbeispiel der 6 zu denselben Zwecken verwendet werden wie das Ausführungsbeispiel der 1. Insbesondere kann mittels des in 6 dargestellten Verfahrens und der dargestellten Vorrichtung eine Emitterdotierung eines Siliziumsolarzellensubstrats lokal auf der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats entfernt oder zurückgeätzt werden. Im Fall der lokalen Entfernung der Emitterdotierung kann auf diese Weise eine Kantenisolation erfolgen. Des Weiteren ist es möglich, an der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 mittels der dort vorherrschenden stärkeren Ätzwirkung eine Emitterdotierung lokal von der Oberseite zu entfernen und zeitgleich die Emitterdotierung auf der Unterseite mittels der Ätzlösung 4 zurückzuätzen. Hinsichtlich weiterer diesbezüglicher Informationen wird auf die Ausführungen zu 1 verwiesen. Due to the recognizable analogy to the method and the device of 1 can the embodiment of 6 be used for the same purposes as the embodiment of 1 , In particular, by means of the in 6 In the illustrated method and apparatus, emitter doping of a silicon solar cell substrate is locally removed or etched back on top of the silicon solar cell substrate. In the case of local removal of the emitter doping can be done in this way an edge isolation. Furthermore, it is possible to be at the top of the silicon solar cell substrate 10 locally remove the emitter doping locally from the top by means of the stronger etching effect prevailing there, and at the same time remove the emitter doping on the underside by means of the etching solution 4 etching back. For further information in this regard, please refer to the comments 1 directed.

7 illustriert in einer schematischen, seitlichen Schnittdarstellung ein siebtes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Behandlung eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens. Die dargestellte Vorrichtung unterscheidet sich von derjenigen aus 6 dadurch, dass in vertikaler Richtung unterhalb der Transportrollen 6 weitere diamantbeschichtete Siliziumplatten 34b vorgesehen sind. Diesen wird mittels der Stromleitungen 38c, 38d Strom von der Stromquelle 39 zugeführt. Auf diese Weise kann zusätzlich unterhalb der Transportrollen 6 und damit des Siliziumsolarzellensubstrats 10 Ozongas 36b erzeugt und in einem zwischen den diamantbeschichteten Platten 34b und der Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 angeordneten Teil 40b der Ätzlösung 4 gelöst werden. Dies ermöglicht es, sowohl die Oberseite wie auch die Unterseite des Siliziumsolarzellensubstrats 10 schnell aufwandsgünstig zu ätzen. Wie im Fall des Ausführungsbeispiels der 3 ist es auch bei dem Ausführungsbeispiel der 7 offensichtlich nicht zwingend erforderlich, die diamantbeschichteten Siliziumplatten 34a, 34b gleichzeitig zu betreiben. Werden nur die diamantbeschichteten Siliziumplatten 34a betrieben, so können die Verhältnisse des Ausführungsbeispiels der 6 realisiert werden. Verhältnisse analog zu denen des Ausführungsbeispiels der 2 können realisiert werden, indem bei dem Ausführungsbeispiel der 7 nur die diamantbeschichteten Siliziumplatten 34b betrieben werden. 7 11 illustrates, in a schematic, lateral sectional illustration, a seventh exemplary embodiment of a method for treating an object and an exemplary embodiment of a device for carrying out this method. The illustrated device differs from that 6 in that in the vertical direction below the transport rollers 6 additional diamond-coated silicon plates 34b are provided. This is done by means of the power lines 38c . 38d Electricity from the power source 39 fed. In this way, in addition, below the transport rollers 6 and thus of the silicon solar cell substrate 10 ozone gas 36b produced and in one between the diamond-coated plates 34b and the bottom of the silicon solar cell substrate 10 arranged part 40b the etching solution 4 be solved. This allows both the top and bottom of the silicon solar cell substrate 10 easy to etch at low cost. As in the case of the embodiment of 3 it is also in the embodiment of 7 obviously not mandatory, the diamond coated silicon plates 34a . 34b to operate simultaneously. Become only the diamond coated silicon plates 34a operated, the conditions of the embodiment of the 6 will be realized. Conditions analogous to those of the embodiment of 2 can be realized by the embodiment of the 7 only the diamond-coated silicon plates 34b operate.

8 zeigt ein achtes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Behandeln eines Objekts sowie ein Ausführungsbeispiel einer hierzu geeigneten Vorrichtung. Während die 6 und 7 eine schematische, seitliche Schnittdarstellung zeigen, gibt 8 eine schematische Vorderansicht wieder. Wie im Fall der 4 und 5 wird in der Darstellung der 8 das Siliziumsolarzellensubstrat 10 daher in der aus der Zeichenebene herausragenden Transportrichtung 8 transportiert. 8th shows an eighth embodiment of a method for treating an object and an embodiment of a device suitable for this purpose. While the 6 and 7 show a schematic, side sectional view gives 8th a schematic front view again. As in the case of 4 and 5 is in the presentation of the 8th the silicon solar cell substrate 10 Therefore, in the outstanding from the plane of transport direction 8th transported.

In der Darstellung der 8 sind sechs parallel verlaufende, diamantbeschichtete Siliziumplatten 44a, 44b, 44c, 44d, 44e, 44f vorgesehen. Mit jedem Paar diamantbeschichteter Siliziumplatten 44a, 44b, beziehungsweise 44c, 44d, beziehungsweise 44e, 44f wird durch Elektrolyse von Wasserbestandteilen in der Ätzlösung 4 Ozongas 46 erzeugt und in unterhalb der diamantbeschichteten Siliziumplatten 44a, 44b, 44c, 44d, 44e, 44f gelegenen Teilen der Ätzlösung 4 gelöst. Die Stromzufuhr zu den diamantbeschichteten Siliziumplatten 44a, 44b, 44c, 44d, 44e, 44f erfolgt mittels der Stromleitungen 48a, 48b, 48c, 48d, 48e, 48f. In the presentation of the 8th are six parallel, diamond-coated silicon plates 44a . 44b . 44c . 44d . 44e . 44f intended. With each pair of diamond-coated silicon plates 44a . 44b , respectively 44c . 44d , respectively 44e . 44f is by electrolysis of water constituents in the etching solution 4 ozone gas 46 generated and below the diamond-coated silicon plates 44a . 44b . 44c . 44d . 44e . 44f located parts of the etching solution 4 solved. The power supply to the diamond-coated silicon plates 44a . 44b . 44c . 44d . 44e . 44f takes place by means of the power lines 48a . 48b . 48c . 48d . 48e . 48f ,

Das in der 8 dargestellte Verfahren wie auch die in 8 dargestellte Vorrichtung können aufgrund ihrer Analogie zu dem Verfahren beziehungsweise der Vorrichtung der 5 zu denselben Zwecken und in analoger Weise eingesetzt werden wie das Verfahren und die Vorrichtung aus 5. Insbesondere können Verfahren und Vorrichtung gemäß 8 dazu eingesetzt werden, eine auf der Oberseite des Siliziumsolarzellensubstrats befindliche Emitterdotierung in zu ätzenden Streifenbereichen lokal kontrolliert und aufwandsgünstig zurückzuätzen. Hierzu kann ohne Weiteres eine viel größere Anzahl an länglichen, parallel verlaufenden, diamantbeschichteten Siliziumplatten vorgesehen werden. Alternativ und ergänzend können auch andere geeignete Elektrolysevorrichtungen eingesetzt werden. Somit ermöglichen Verfahren und Vorrichtung aus 8 eine aufwandsgünstige Ausbildung selektiver Emitterstrukturen, welche stärker und schwächer dotierte Bereiche aufweisen. Die schwächer dotierten Bereiche werden dabei durch die zurückgeätzten Streifenbereiche gebildet. That in the 8th illustrated method as well as in 8th Because of their analogy to the method or the device of the invention 5 used for the same purposes and in an analogous manner as the method and the device 5 , In particular, methods and apparatus according to 8th be used to locally located on the top of the silicon solar cell substrate emitter doping locally etched in stripe areas to be etched back and low cost. For this purpose, a much larger number of elongated, parallel, diamond-coated silicon plates can readily be provided. Alternatively and additionally, other suitable electrolysis devices can also be used. Thus, methods and apparatus enable 8th a cost-effective training of selective emitter structures, which have stronger and weaker doped areas. The weaker doped regions are formed by the etched back strip areas.

Werden bei dem Ausführungsbeispiel der 8 die diamantbeschichteten Siliziumplatten 44c, 44d und die zugehörigen Stromleitungen 48c und 48d entfernt, so kann die resultierende Vorrichtung in analoger Weise wie die Vorrichtung der 4 eingesetzt werden. Insbesondere kann eine Emitterdotierung des Siliziumsolarzellensubstrats 10 lokal in Randbereichen 45a, 45b des Siliziumsolarzellensubstrats entfernt und so in der oben beschriebenen Weise eine Kantenisolation in den Kantenbereichen des Siliziumsolarzellensubstrats realisiert werden. In diesem Zusammenhang kann die oben näher beschriebene Drehung des Siliziumsolarzellensubstrats während seines Transports durch das Behandlungsbecken 2 um 90° um seine senkrecht zur Transportebene verlaufende Achse vorteilhaft sein. Are in the embodiment of the 8th the diamond-coated silicon plates 44c . 44d and the associated power lines 48c and 48d removed, the resulting device can in an analogous manner as the device of 4 be used. In particular, an emitter doping of the silicon solar cell substrate 10 locally in peripheral areas 45a . 45b of the silicon solar cell substrate, and thus edge isolation in the edge regions of the silicon solar cell substrate are realized as described above. In this context, the above-described rotation of the silicon solar cell substrate during its transport through the treatment tank 2 by 90 ° about its axis perpendicular to the transport plane may be advantageous.

In den Ausführungsbeispielen der 1 bis 8 wird als Behandlungsflüssigkeit stets die Ätzlösung 4 eingesetzt und das Behandeln besteht in einem Ätzen des Siliziumsolarzellensubstrats. Wird als Behandlungsflüssigkeit eine flusssäurefreie, wasserhaltige Behandlungsflüssigkeit eingesetzt, so kann mit denselben Vorrichtungen bei analoger Verfahrensführung eine schnelle nasschemische Oxidation des Siliziumsolarzellensubstrats 10 realisiert werden. Insbesondere ist eine lokale Oxidation möglich. Die dabei eingesetzte Behandlungsflüssigkeit besteht idealerweise aus deionisiertem Wasser. In the embodiments of the 1 to 8th is always the etching solution as a treatment liquid 4 used and the treatment consists in an etching of the silicon solar cell substrate. If a hydrofluoric acid-free, water-containing treatment liquid is used as the treatment liquid, rapid wet-chemical oxidation of the silicon solar cell substrate can be carried out with the same apparatuses using an analogous process procedure 10 will be realized. In particular, a local oxidation is possible. The used treatment liquid ideally consists of deionized water.

Wie bereits dargelegt wurde, handelt es sich bei den Darstellungen der 1 bis 8 um schematische Darstellungen. Diese sind nicht maßstabsgetreu. Insbesondere sind die Transportrollen 6 zweckmäßigerweise nicht tief im Behandlungsbecken 2 angeordnet, sondern derart, dass eine durch die Transportrollen 6 vorgegebene Transportebene des Siliziumsolarzellensubstrats 10 nur geringfügig, vorzugsweise 1 bis 10 mm, unterhalb einer Flüssigkeitsoberfläche der in dem Behandlungsbecken 2 angeordneten Ätzlösung 4 liegt. As has already been stated, the representations of the 1 to 8th to schematic representations. These are not to scale. In particular, the transport wheels 6 expediently not deep in the treatment tank 2 arranged, but such that one through the transport rollers 6 given transport plane of the silicon solar cell substrate 10 only slightly, preferably 1 to 10 mm, below a liquid surface of the in the treatment tank 2 arranged etching solution 4 lies.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

22: Behandlungsbecken treatment tank
44: Ätzlösung etching
66: Transportrolle transport roller
88th: Transportrichtung transport direction
1010: Siliziumsolarzellensubstrat Silicon solar cell substrate
12a12a: Gasfilm gas film
12b12b: Gasfilm gas film
1313: Abstand distance
14a14a: Membran membrane
14b14b: Membran membrane
15a15a: Gasaustrittsseite Gas outlet side
15b15b: Gasaustrittsseite Gas outlet side
16a16a: Zufuhrleitung supply line
16b16b: Zufuhrleitung supply line
18 18: Ozongenerator ozone generator
20a20a: Teil der Ätzlösung Part of the etching solution
20b20b: Teil der Ätzlösung Part of the etching solution
22a22a: Gasfilm gas film
22b22b: Gasfilm gas film
22c22c: Gasfilm gas film
23a23a: Randbereich border area
23b23b: Randbereich border area
24a24a: Membran membrane
24b24b: Membran membrane
24c24c: Membran membrane
2626: Zufuhrleitung supply line
2828: Streifenbereich strip area
34a34a: Diamantbeschichtete Siliziumplatten Diamond coated silicon plates
34b34b: Diamantbeschichtete Siliziumplatten Diamond coated silicon plates
36a36a: Ozongas ozone gas
36b 36b: Ozongas ozone gas
38a38a: Stromleitung power line
38b38b: Stromleitung power line
38c38c: Stromleitung power line
38d38d: Stromleitung power line
3939: Stromquelle power source
40a40a: Teil der Ätzlösung Part of the etching solution
40b40b: Teil der Ätzlösung Part of the etching solution
44a44a: Diamantbeschichtete Siliziumplatte Diamond coated silicon plate
44b44b: Diamantbeschichtete Siliziumplatte Diamond coated silicon plate
44c44c: Diamantbeschichtete Siliziumplatte Diamond coated silicon plate
44d44d: Diamantbeschichtete Siliziumplatte Diamond coated silicon plate
44e44e: Diamantbeschichtete Siliziumplatte Diamond coated silicon plate
44f44f: Diamantbeschichtete Siliziumplatte Diamond coated silicon plate
45a45a: Randbereich border area
45b45b: Randbereich border area
4646: Ozongas ozone gas
48a48a: Stromleitung power line
48b48b: Stromleitung power line
48c48c: Stromleitung power line
48d48d: Stromleitung power line
48e48e: Stromleitung power line
48f48f: Stromleitung power line

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

DE 102007026082 A1 [0002] DE 102007026082 A1 [0002]

Claims

Verfahren zum Behandeln eines Objekts (10), bei welchem – das Objekt (10) zumindest abschnittsweise in einer Behandlungsflüssigkeit (4) angeordnet wird und – der Behandlungsflüssigkeit (4) ein die Behandlung förderndes Gas beigemengt wird, dadurch gekennzeichnet, dass – das die Behandlung fördernde Gas durch wenigstens eine Membran (14a, 14b; 24a, 24b, 24c) hindurch derart in die Behandlungsflüssigkeit (4) eingeleitet wird, dass sich an einer Gasaustrittsseite (15a, 15b) der wenigstens einen Membran (14a, 14b; 24a, 24b) ein Gasfilm (12a, 12b; 22a, 22b, 22c) aus dem die Behandlung fördernden Gas ausbildet, – zwischen dem Gasfilm (12a, 12b; 22a, 22b, 22c) und zu behandelnden Bereichen des Objekts ein Teil (20a, 20b) der Behandlungsflüssigkeit (4) angeordnet wird. Method of treating an object ( 10 ), in which - the object ( 10 ) at least in sections in a treatment liquid ( 4 ) and - the treatment liquid ( 4 ) a treatment-promoting gas is added, characterized in that - the treatment-enhancing gas is passed through at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b . 24c ) through into the treatment liquid ( 4 ) is initiated, that at a gas outlet side ( 15a . 15b ) of the at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b ) a gas film ( 12a . 12b ; 22a . 22b . 22c ) from which the treatment-promoting gas is formed, - between the gas film ( 12a . 12b ; 22a . 22b . 22c ) and to be treated areas of the object a part ( 20a . 20b ) of the treatment liquid ( 4 ) is arranged.

Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gas mit einem Fluss von maximal 5 Litern pro Minute durch die wenigstens eine Membran (14a, 14b; 24a, 24b, 24c) hindurch in die Behandlungsflüssigkeit (4) eingeleitet wird, vorzugsweise mit einem Fluss von 2 bis 5 Litern pro Minute. A method according to claim 1, characterized in that the gas with a flow of not more than 5 liters per minute through the at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b . 24c ) into the treatment liquid ( 4 ), preferably at a flow of 2 to 5 liters per minute.

Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Membran (14a, 14b; 24a, 24b, 24c) in einem Abstand von weniger als 5 mm, vorzugsweise von weniger als 1,5 mm, von den zu behandelnden Bereichen des Objekts (10) angeordnet wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b . 24c ) at a distance of less than 5 mm, preferably less than 1.5 mm, from the areas of the object to be treated ( 10 ) is arranged.

Verfahren zum Behandeln eines Objekts, bei welchem – das Objekt (10) zumindest abschnittsweise in einer Behandlungsflüssigkeit (4) angeordnet wird, und – der Behandlungsflüssigkeit (4) ein die Behandlung förderndes Gas (36a, 36b; 46) beigemengt wird, dadurch gekennzeichnet, dass – mittels wenigstens einer zumindest abschnittsweise in der Behandlungsflüssigkeit (4) angeordneten Elektrolysevorrichtung (34a, 34b; 44a, 44b) durch Elektrolyse von Bestandteilen der Behandlungsflüssigkeit (4) das die Behandlung fördernde Gas (36a, 36b; 46) erzeugt wird, – das erzeugte Gas (36a, 36b; 46) zumindest teilweise in einem zwischen der wenigstens einen Elektrolysevorrichtung (34a, 34b; 44a, 44b) und zu behandelnden Bereichen des Objekts (10) angeordneten Teil (40a, 40b) der Behandlungsflüssigkeit (4) gelöst wird. Method for treating an object, in which - the object ( 10 ) at least in sections in a treatment liquid ( 4 ), and - the treatment liquid ( 4 ) a treatment-promoting gas ( 36a . 36b ; 46 ) is added, characterized in that - by means of at least one at least partially in the treatment liquid ( 4 ) arranged electrolysis device ( 34a . 34b ; 44a . 44b ) by electrolysis of constituents of the treatment liquid ( 4 ) the treatment-enhancing gas ( 36a . 36b ; 46 ) is generated, - the generated gas ( 36a . 36b ; 46 ) at least partially in one between the at least one electrolysis device ( 34a . 34b ; 44a . 44b ) and areas of the object to be treated ( 10 ) arranged part ( 40a . 40b ) of the treatment liquid ( 4 ) is solved.

Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Objekt (10) ein Halbleitersubstrat (10), vorzugsweise ein Solarzellensubstrat (10) und besonders bevorzugt ein Siliziumsolarzellensubstrat (10), vorgesehen und behandelt wird und das Behandeln in einem Ätzen der zu behandelnden Bereiche des Objekts (10) besteht. Method according to one of the preceding claims, characterized in that as object ( 10 ) a semiconductor substrate ( 10 ), preferably a solar cell substrate ( 10 ) and particularly preferably a silicon solar cell substrate ( 10 ), provided and treated in an etching of the areas of the object to be treated ( 10 ) consists.

Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Behandlungsflüssigkeit (4) eine Flusssäure aufweisende Ätzlösung (4) verwendet wird, vorzugsweise eine aus Flusssäure und deionisiertem Wasser bestehende Ätzlösung (4), und als die Behandlung förderndes Gas Ozongas (12a, 12b; 22a, 22b, 22c; 36a, 36b; 46) verwendet wird. Method according to one of the preceding claims, characterized in that as treatment liquid ( 4 ) a hydrofluoric acid etching solution ( 4 ), preferably an etching solution consisting of hydrofluoric acid and deionized water ( 4 ), and as the treatment-promoting gas ozone gas ( 12a . 12b ; 22a . 22b . 22c ; 36a . 36b ; 46 ) is used.

Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Behandeln in einem Ätzen besteht und das Objekt (10) in den zu behandelnden Bereichen stärker geätzt wird als in anderen in die Behandlungsflüssigkeit (4) eingebrachten Bereichen des Objekts (10). Method according to one of the preceding claims, characterized in that the treatment consists in an etching and the object ( 10 ) is more strongly etched in the areas to be treated than in others in the treatment liquid ( 4 ) introduced areas of the object ( 10 ).

Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen ein dotierter Bereich eines als Objekt (10) vorgesehenen Halbleitersubstrats (10), vorzugsweise eines als Objekt vorgesehenen Solarzellensubstrats (10) und besonders bevorzugt eine Emitterdotierung eines als Objekt vorgesehenen Solarzellensubstrats (10), lokal zurückgeätzt wird. A method according to claim 7, characterized in that by means of the stronger etching in the areas to be treated, a doped region of an object ( 10 ) semiconductor substrate ( 10 ), preferably a solar cell substrate ( 10 ) and particularly preferably an emitter doping of a solar cell substrate ( 10 ) is locally etched back.

Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Solarzellensubstrat (10) als Objekt vorgesehen wird und mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen eine Emitterdotierung des Solarzellensubstrats (10) lokal entfernt wird. Method according to one of claims 7 to 8, characterized in that a solar cell substrate ( 10 ) is provided as an object and by means of the stronger etching in the areas to be treated emitter doping of the solar cell substrate ( 10 ) is removed locally.

Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass – ein Solarzellensubstrat (10) als Objekt vorgesehen wird, – mittels des stärkeren Ätzens in den zu behandelnden Bereichen eine Emitterdotierung des Solarzellensubstrats (10) lokal entfernt wird und – zeitgleich mit dem stärkeren Ätzen in den zu behandelnden Bereichen die Emitterdotierung in anderen Bereichen des Solarzellensubstrats (10) mittels der Behandlungsflüssigkeit (4) zurückgeätzt wird. Method according to one of claims 7 to 9, characterized in that - a solar cell substrate ( 10 ) is provided as an object, - emitter doping of the solar cell substrate by means of the stronger etching in the areas to be treated ( 10 ) is removed locally and - at the same time as the stronger etching in the areas to be treated, the emitter doping in other areas of the solar cell substrate ( 10 ) by means of the treatment liquid ( 4 ) is etched back.

Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der auf diesen Anspruch rückbezogenen Ansprüche aufweisend – ein Behandlungsbecken (2), – eine in dem Behandlungsbecken (2) angeordnete Behandlungsflüssigkeit (4), – eine Aufnahmevorrichtung (6) zur Aufnahme zu behandelnder Objekte (10) in dem Behandlungsbecken (2), dadurch gekennzeichnet, dass – wenigstens eine Membran (14a, 14b; 24a, 24b, 24c) vorgesehen ist, durch welche ein die Behandlung förderndes Gas hindurch leitbar ist und deren Gasaustrittsseite (15a, 15b) in dem Behandlungsbecken (2) in der Behandlungsflüssigkeit (4) angeordnet ist, – die Gasaustrittsseite (15a, 15b) der wenigstens einen Membran (14a, 14b; 24a, 24b, 24c) der Aufnahmevorrichtung (6) zugewandt ausgerichtet und beabstandet von der Aufnahmevorrichtung (6) angeordnet ist. Apparatus for carrying out the method according to claim 1 or one of the claims dependent on this claim - a treatment basin ( 2 ), - one in the treatment tank ( 2 ) arranged treatment liquid ( 4 ), - a receiving device ( 6 ) for receiving objects to be treated ( 10 ) in the treatment tank ( 2 ), characterized in that - at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b . 24c ) is provided, through which a treatment-promoting gas is passed through and whose Gas outlet side ( 15a . 15b ) in the treatment tank ( 2 ) in the treatment liquid ( 4 ), - the gas outlet side ( 15a . 15b ) of the at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b . 24c ) of the receiving device ( 6 ) facing and spaced from the receiving device ( 6 ) is arranged.

Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsseite (15a, 15b) der wenigstens einen Membran (14a, 14b; 24a, 24b, 24c) in einem solchen Abstand von der Aufnahmevorrichtung (6) angeordnet ist, dass die Gasaustrittsseite (15a, 15b) von zu behandelnden Bereichen eines in der Aufnahmevorrichtung aufgenommenen Objekts (10) weniger als 5 mm, vorzugsweise weniger als 1,5 mm, beabstandet ist. Apparatus according to claim 11, characterized in that the gas outlet side ( 15a . 15b ) of the at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b . 24c ) at such a distance from the receiving device ( 6 ) is arranged, that the gas outlet side ( 15a . 15b ) to be treated areas of a recorded in the receiving device object ( 10 ) is less than 5 mm, preferably less than 1.5 mm, spaced apart.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Membran (14a, 14b; 24a, 24b, 24c) oberhalb oder unterhalb der Aufnahmevorrichtung (6) angeordnet ist. Device according to one of claims 11 to 12, characterized in that the at least one membrane ( 14a . 14b ; 24a . 24b . 24c ) above or below the receiving device ( 6 ) is arranged.

Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 4 oder einem der auf diesen Anspruch rückbezogenen Ansprüche aufweisend – ein Behandlungsbecken (2), – eine Aufnahmevorrichtung (6) zur Aufnahme zu behandelnder Objekte (10) in dem Behandlungsbecken (2), gekennzeichnet durch – wenigstens eine zumindest abschnittsweise in dem Behandlungsbecken (2) angeordnete Elektrolysevorrichtung (34a, 34b; 44a, 44b) zur Erzeugung eines die Behandlung der Objekte (10) förderndes Gases (36a, 36b; 46) durch Elektrolyse von Bestandteilen einer in dem Behandlungsbecken (2) anordenbaren Behandlungsflüssigkeit (4). Device for carrying out the method according to claim 4 or one of the claims referring back to this claim - a treatment basin ( 2 ), - a receiving device ( 6 ) for receiving objects to be treated ( 10 ) in the treatment tank ( 2 ), characterized by - at least one at least partially in the treatment tank ( 2 ) arranged electrolysis device ( 34a . 34b ; 44a . 44b ) for generating a treatment of the objects ( 10 ) promoting gas ( 36a . 36b ; 46 ) by electrolysis of components in the treatment tank ( 2 ) disposable treatment liquid ( 4 ).

Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Elektrolysevorrichtung (34a, 34b; 44a, 44b) wenigstens eine Elektrolyseplatte (34a, 34b; 44a, 44b) aufweist, welche vorzugsweise als diamantbeschichtete Siliziumplatte (34a, 34b; 44a, 44b) ausgeführt ist. Apparatus according to claim 14, characterized in that at least one electrolysis device ( 34a . 34b ; 44a . 44b ) at least one electrolysis plate ( 34a . 34b ; 44a . 44b ), which preferably as a diamond-coated silicon plate ( 34a . 34b ; 44a . 44b ) is executed.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Elektrolysevorrichtung (34a, 34b; 44a, 44b) in einem solchen Abstand von der Aufnahmevorrichtung (6) angeordnet ist, dass die wenigstens eine Elektrolysevorrichtung (34a, 34b; 44a, 44b) von zu behandelnden Bereichen eines in der Aufnahmevorrichtung (6) aufgenommenen Objekts (10) weniger als 5 mm, vorzugsweise weniger als 1,5 mm, beabstandet ist. Device according to one of claims 14 to 15, characterized in that the at least one electrolysis device ( 34a . 34b ; 44a . 44b ) at such a distance from the receiving device ( 6 ) is arranged, that the at least one electrolysis device ( 34a . 34b ; 44a . 44b ) of areas to be treated in the receiving device ( 6 ) recorded object ( 10 ) is less than 5 mm, preferably less than 1.5 mm, spaced apart.