DE102011005483A1 - Method for operating lighting device of microlithographic projection exposure system utilized for manufacturing e.g. LCD, involves carrying out illumination of area of optical element with short duration than illumination of another area - Google Patents

Method for operating lighting device of microlithographic projection exposure system utilized for manufacturing e.g. LCD, involves carrying out illumination of area of optical element with short duration than illumination of another area Download PDF

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Abstract

The method involves varying lighting of an optical element (14) i.e. honeycomb capacitor (12), of a lighting device (11) with illuminating light by using pointing-adjustment, where speed of the variation of the lighting is increased continuously with respect to time. An area of the optical element is illuminated after illuminating another area of the optical element. The illumination of the former area is carried out with short duration than the illumination of the latter area, where the optical element is provided with grid elements arranged on top of each other. An independent claim is also included for a microlithographic projection exposure system comprising a lighting device.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren, welches eine Reduzierung des maximalen Transmissionsverlustes über die Lebensdauer bzw. Einsatzzeit der Beleuchtungseinrichtung und somit die bessere Einhaltung von insoweit vorgeschriebenen Grenzwerten ermöglicht.The invention relates to a method for operating a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus. In particular, the invention relates to a method which allows a reduction of the maximum transmission loss over the life or service life of the lighting device and thus the better compliance with limits prescribed so far.

Stand der TechnikState of the art

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlagen werden zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Eine solche Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv auf. Im Mikrolithographieprozess wird das Bild einer mit Hilfe der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Schicht zu übertragen.Microlithographic projection exposure equipment is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits or LCDs. Such a projection exposure apparatus has an illumination device and a projection objective. In the microlithography process, the image of a mask (= reticle) illuminated by means of the illumination device is projected onto a substrate (eg a silicon wafer) coated with a photosensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection objective in order to form the mask structure to transfer to the photosensitive layer.

In der Beleuchtungseinrichtung ist zur Erzielung einer Lichtdurchmischung der Einsatz sogenannter Wabenkondensoren gebräuchlich, welche Rasteranordnungen aus einer Vielzahl strahlablenkender Elemente (z. B. Linsen mit Abmessungen im Millimeterbereich) umfassen. Der Wabenkondensor kann sowohl zur Feldhomogenisierung als auch zur Pupillenhomogenisierung eingesetzt werden. Über die Homogenisierung des Laserlichtes hinaus besteht dabei eine weitere Aufgabe des Wabenkondensors in der Stabilisierung, was bedeutet, dass die Lage der Ausleuchtung in einer bestimmten Ebene der Beleuchtungseinrichtung gegenüber Variationen von Ort und insbesondere Richtung der von der Laserlichtquelle ausgehenden Strahlenbündel unverändert bleibt. Bekannte Wabenkondensoren sind z. B. aus Rasteranordnungen von strahlablenkenden Linsen aufgebaut, wobei zur Erzielung der vorstehend beschriebenen Stabilisierung die in Lichtausbreitungsrichtung erste Rasteranordnung in einem Abstand von der in Lichtausbreitungsrichtung zweiten Rasteranordnung angeordnet sein muss, welcher der Brennweite der strahlablenkenden Elemente bzw. Linsen der zweiten Rasteranordnung entspricht.In the illumination device, the use of so-called honeycomb condensers, which comprise grid arrangements comprising a multiplicity of beam-deflecting elements (for example, lenses with dimensions in the millimeter range), is commonly used to achieve light mixing. The honeycomb condenser can be used both for field homogenization and for pupil homogenization. In addition to the homogenization of the laser light, there is a further task of the honeycomb condenser in the stabilization, which means that the position of the illumination in a certain plane of the illumination device remains unchanged with respect to variations of location and in particular direction of the beam emanating from the laser light source. Known honeycomb condensers are z. B. from raster arrangements of beam-deflecting lenses, to achieve the stabilization described above, the first raster arrangement in the light propagation direction must be arranged at a distance from the second array in the light propagation direction, which corresponds to the focal length of the beam deflecting elements or lenses of the second raster arrangement.

Diese Situation ist in 5a dargestellt, wobei jede der beiden periodischen bzw. matrixförmigen Rasteranordnungen 510 und 520 durch nur drei Linsen 511, 512, 513 bzw. 521, 522, 523 symbolisiert ist. Ein solcher Wabenkondensor kann insbesondere am Eintritt der Beleuchtungseinrichtung und in Verbindung mit einer Spiegelanordnung (sogenanntes MMA, kurz: „micro mirror array” = Mikrospiegelarray) eingesetzt werden, welche eine Vielzahl unabhängig voneinander einstellbarer Mikrospiegel aufweisen und z. B. aus WO 2005/026843 A2 bekannt sind.This situation is in 5a shown, wherein each of the two periodic or matrix-shaped raster arrangements 510 and 520 through only three lenses 511 . 512 . 513 respectively. 521 . 522 . 523 is symbolized. Such a honeycomb condenser can be used in particular at the entrance of the illumination device and in conjunction with a mirror arrangement (so-called MMA, in short: "micro mirror array" = micromirror array), which have a multiplicity of micro mirrors which can be set independently of one another and z. B. off WO 2005/026843 A2 are known.

Im Betrieb solcher Wabenkondensoren – sowie auch anderer optischer Elemente, bei welchen im Betrieb eine Fokussierung auf eine Oberfläche des jeweiligen Elementes (im Falles des Wabenkondensors auf eine Oberfläche von dessen zweiter Rasteranordnung) oder in deren unmittelbarer Nähe erfolgt – tritt nun das Problem auf, dass die Strahlungsbelastung insbesondere infolge einer lokalen Zerstörung der auf dem jeweiligen optischen Element vorhandenen Schichten eine Verringerung der Transmissionseigenschaften zur Folge hat. Dieser in 5b schematisch dargestellte Effekt hat eine Beeinträchtigung der Transmission der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage insgesamt zu Folge, die schließlich dazu führen kann, dass die jeweiligen vorgeschriebenen Systemspezifikationen nicht mehr erfüllbar sind. Dabei wurde in 5b lediglich beispielhaft eine lineare Zeitabhängigkeit des Transmissionsverlustes unterstellt. Eine solche lineare Zeitabhängigkeit wird der Einfachheit halber auch im Weiteren zugrunde gelegt, ohne dass die Erfindung jedoch hierauf beschränkt wäre.In the operation of such honeycomb condensers - as well as other optical elements in which a focus on a surface of the respective element (in the case of the honeycomb condenser on a surface of the second grid array) or in the immediate vicinity takes place during operation - the problem now arises that the radiation load, in particular as a result of local destruction of the layers present on the respective optical element, results in a reduction of the transmission properties. This in 5b schematically illustrated effect has an impairment of the transmission of the microlithographic projection exposure system as a whole, which can eventually lead to the respective prescribed system specifications are no longer feasible. It was in 5b merely exemplifies a linear time dependence of the transmission loss. Such a linear time dependence is for the sake of simplicity in the following basis, but without the invention would be limited thereto.

Um den vorstehend beschriebenen Effekt des strahlungsbedingten Transmissionsverlustes zu reduzieren, kann ein im Weiteren unter Bezugnahme auf 6a–d und 7 beschriebenes Verfahren angewendet werden, bei welchem im Wege einer sogenannten „Pointing”-Verstellung unterschiedliche Bereiche der in Lichtausbreitungsrichtung zweiten Rasteranordnung des Wabenkondensors ausgeleuchtet werden, wobei ein solches Verfahren auch als „Wobbling” bezeichnet wird. Hierbei wird unter dem Begriff „Pointing” im Einklang mit der üblichen Terminologie die Richtung des Schwerstrahls bei Eintritt in die Beleuchtungseinrichtung verstanden. Mit „Wobbling” wird somit eine zeitliche Pointing-Verstellung bezeichnet.In order to reduce the above-described effect of the radiation transmission loss, one may further refer to FIG 6a -D and 7 described method can be used, in which by means of a so-called "pointing" -Verstellung different areas of the second grid arrangement in the light propagation direction of the honeycomb condenser are illuminated, wherein such a method is also referred to as "wobbling". Here, the term "pointing" in accordance with the usual terminology, the direction of the heavy beam when entering the lighting device understood. With "Wobbling" is thus referred to a temporal pointing adjustment.

Dieses als solches bekannte Prinzip ist zunächst in der schematischen Darstellung von 6a–d veranschaulicht. Dabei zeigt 6a ein Diagramm, in welchem der Transmissionsverlust über eine Zeitskala qualitativ und in willkürlichen Einheiten aufgetragen ist, wobei sich dieser zeitliche Transmissionsverlust infolge der in 6b, 6c und 6d veranschaulichten Verschiebung des ausgeleuchteten Bereichs der zweiten Rasteranordnung 620 ergibt.This principle known as such is initially in the schematic representation of 6a -D illustrates. It shows 6a a graph in which the transmission loss over a time scale is plotted qualitatively and in arbitrary units, this temporal transmission loss due to the in 6b . 6c and 6d illustrated displacement of the illuminated area of the second grid array 620 results.

Hierbei korrespondiert der in 6a mit „I” bezeichnete Bereich eines (wie eingangs erläutert als linear unterstellten) Anstiegs des Transmissionsverlustes mit der Situation in 6b, in welcher zunächst der in 6b linke Bereich jedes Kanals bzw. jeder Linse der zweiten Rasteranordnung 620 ausgeleuchtet wird, wobei die zunehmende strahlungsbedingte Schädigung mit einem kontinuierlichen Anstieg des Transmissionsverlustes einhergeht. Erfolgt nun nach einer beliebigen Zeitspanne gemäß 6c eine Pointing-Verstellung etwa dahingehend, dass nunmehr ein senkrechter Strahlungseinfall auf den Wabenkondensor und damit eine Beleuchtung des jeweils zentralen Bereichs jedes Kanals in der zweiten Rasteranordnung 620 stattfindet, trifft das Beleuchtungslicht auf einen zuvor noch nicht beleuchteten und demnach noch ungeschädigten Bereich, was mit einem sprungartigen Abfall des Transmissionsverlustes (Übergang von „I” zu „II” in 6a) einhergeht. Im Weiteren nimmt der Transmissionsverlust erneut mit der Zeit zu, bis bei erneuter Pointing-Verstellung gemäß 6d wiederum ein sprungartiger Abfall mit nachfolgendem Anstieg des Transmissionsverlustes beim Übergang zu Bereich „III” in 6a stattfindet. Here corresponds to the in 6a with "I" designated area of (as initially explained as a linear imputed) increase in the transmission loss with the situation in 6b , in which first the in 6b left area of each channel or lens of the second grid array 620 is illuminated, with the increasing radiation-related damage is accompanied by a continuous increase in transmission loss. Now takes place after any period of time according to 6c a pointing adjustment approximately to the effect that now a vertical radiation incidence on the honeycomb condenser and thus an illumination of each central region of each channel in the second grid arrangement 620 takes place, the illumination light strikes a previously unilluminated and thus still undamaged area, with a sudden drop in transmission loss (transition from "I" to "II" in FIG 6a ). In addition, the transmission loss increases again with time until, after re-pointing adjustment according to 6d again a sudden drop with subsequent increase of the transmission loss at the transition to area "III" in 6a takes place.

Gemäß einem weiteren, in 7 schematisch dargestellten Ansatz kann auch ein (insbesondere periodisch) wiederholtes Durchlaufen jeder von einer Mehrzahl von Pointing-Einstellungen erfolgen (in 7 mit Durchlauf 1, 2, etc. bezeichnet), wobei jede einzelne Pointing-Einstellung pro Durchlauf für eine im Vergleich zu 6a–d kürzere Zeit verwendet wird. Der letztendlich sich ergebende mittlere Transmissionsverlust stimmt jedoch für die Ansätze gemäß 6a–d und 7 überein. Schließlich ist es in weiteren Ansätzen auch möglich, die Pointing-Verstellung kontinuierlich vorzunehmen.According to another, in 7 schematically illustrated approach can also be carried out (in particular periodically) repeatedly each of a plurality of pointing settings (in 7 with pass 1, 2, etc.), with each single pointing setting per pass for one compared to 6a -D shorter time is used. However, the final average transmission loss is consistent with the approaches 6a -D and 7 match. Finally, it is also possible in other approaches to make the pointing adjustment continuously.

Es hat sich jedoch herausgestellt, dass auch mit den vorstehend beschriebenen herkömmlichen Ansätzen eine Erfüllung der jeweils vorgegebenen Systemspezifikationen, welche beispielsweise über die gesamte Lebensdauer des Systems einen maximalen erlaubten Transmissionsverlust (von z. B. 10%) vorgeben, mitunter nicht zu erreichen ist.However, it has been found that, even with the conventional approaches described above, it is sometimes not possible to achieve the respectively prescribed system specifications, which, for example, dictate a maximum permissible transmission loss (of, for example, 10%) over the entire service life of the system.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welches eine Reduzierung des maximalen Transmissionsverlustes über die Lebensdauer der Beleuchtungseinrichtung und somit die bessere Einhaltung von entsprechenden vorgeschriebenen Grenzwerten ermöglicht.Against the above background, it is an object of the present invention to provide a method of operating a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus, which enables a reduction in the maximum transmission loss over the life of the lighting device and thus better compliance with corresponding prescribed limits.

Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.This object is achieved according to the features of independent claim 1.

Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage wird die Ausleuchtung wenigstens eines optischen Elementes der Beleuchtungseinrichtung mit in die Beleuchtungseinrichtung eintretendem Beleuchtungslicht mittels Pointing-Verstellung variiert,

  • – wobei wenigstens ein zweiter Bereich auf dem optischen Element zeitlich später als ein erster Bereich auf dem optischen Element beleuchtet wird, und
  • – wobei die Beleuchtung des zweiten Bereichs mit einer kürzeren Gesamtdauer erfolgt als die Beleuchtung des ersten Bereichs.
In a method according to the invention for operating a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus, the illumination of at least one optical element of the lighting device with illuminating light entering the lighting device is varied by means of pointing adjustment,
  • Wherein at least a second area on the optical element is illuminated later than a first area on the optical element, and
  • - Wherein the illumination of the second area with a shorter total duration than the illumination of the first area.

Dabei wird jeweils unter der „Gesamtdauer” vorzugsweise die gesamte Dauer der Beleuchtung des jeweiligen Bereiches über die gesamte Einsatzzeit bzw. Lebensdauer der Beleuchtungseinrichtung verstanden.In this case, the total duration of the illumination of the respective area over the entire service life or service life of the illumination device is understood as meaning in each case the "total duration".

Der Erfindung liegt zunächst die Überlegung zugrunde, dass der überwiegende Beitrag zu dem gesamten Transmissionsverlust in der Beleuchtungseinrichtung in der Regel nicht auf einem einzelnen optischen Element wie insbesondere einem Wabenkondensor beruht, sondern auf die übrigen optischen Komponenten der Beleuchtungseinrichtung zurückgeht. Mit anderen Worten ist also von vornherein nur ein vergleichsweise geringer Anteil am gesamten Transmissionsverlust mittels Ansätzen zur Pointing-Verstellung beeinflussbar. Diese Situation ist in 3 lediglich qualitativ veranschaulicht, in welcher in einer beispielhaften vorgeschriebenen Spezifikation der gesamte noch tolerierbare Transmissionsverlust der Beleuchtungseinrichtung mit „S” bezeichnet ist. Der Bereich „A” symbolisiert den noch tolerierbaren Transmissionsverlust des jeweils im Rahmen der Erfindung diskutierten optischen Elementes bzw. Wabenkondensors, und zwar unter Berücksichtigung des gesamten Transmissionsverlustes der übrigen Optik der Beleuchtungseinrichtung, wobei letzterer durch den schraffierten Bereich „B” symbolisiert ist. Aus 3 ist erkennbar, dass zu Beginn der Lebensdauer bzw. Einsatzzeit der Beleuchtungseinrichtung ein größerer, gegen Ende der Lebensdauer hin jedoch ein wesentlich kleinerer Transmissionsverlust des optischen Elementes bzw. Wabenkondensors tolerierbar ist.The invention is based initially on the consideration that the predominant contribution to the total transmission loss in the illumination device is generally not based on a single optical element such as, in particular, a honeycomb condenser, but goes back to the other optical components of the illumination device. In other words, from the outset only a comparatively small proportion of the total transmission loss can be influenced by approaches for pointing adjustment. This situation is in 3 only qualitatively illustrates, in which in an exemplary prescribed specification of the total tolerable transmission loss of the illumination device with "S" is designated. The area "A" symbolizes the still tolerable transmission loss of each discussed within the scope of the invention optical element or honeycomb condenser, taking into account the total transmission loss of the other optics of the illumination device, the latter being symbolized by the hatched area "B". Out 3 It can be seen that at the beginning of the service life or operating time of the illumination device, a larger, towards the end of life but a much smaller transmission loss of the optical element or honeycomb condenser is tolerable.

Von dieser Überlegung ausgehend liegt der Erfindung das Konzept zugrunde, bewusst vom herkömmlichen Konzept einer möglichst gleichmäßigen Verteilung der Strahlungsbelastung über die Lebensdauer des optischen Systems abzuweichen und diese Strahlungsbelastung vielmehr absichtlich ungleichmäßig zu verteilen. Dies erfolgt in solcher Weise, dass zu Beginn der Lebensdauer der Beleuchtungseinrichtung bewusst Bereiche des betreffenden optischen Elements (z. B. Wabenkondensors) für eine vergleichsweise lange Zeitdauer beleuchtet und damit vergleichsweise hohen Strahlungsmengen ausgesetzt werden, wohingegen später, d. h. insbesondere zum Ende der Lebensdauer bzw. Einsatzzeit hin andere Bereiche des betreffenden optischen Elementes für eine relativ kürzere Zeitdauer beleuchtet werden.Based on this consideration, the invention is based on the concept of deliberately deviating from the conventional concept of the most uniform possible distribution of the radiation load over the life of the optical system and rather deliberately distributing this radiation load unevenly. This is done in such a way that at the beginning of the lifetime of the illumination device consciously areas of the optical element in question (eg honeycomb condenser) are illuminated for a comparatively long period of time and thus exposed to comparatively high radiation quantities, whereas later, ie in particular toward the end of the service life or use time, other areas of the relevant optical element are illuminated for a relatively shorter period of time.

Bei der erfindungsgemäßen Strategie werden somit anschaulich gesprochen zu Beginn der Lebensdauer Bereiche des optischen Elementes bzw. Wabenkondensors gewissermaßen „geopfert”, um hierfür im Gegenzug zum Ende der Lebensdauer hin noch über vergleichsweise unverbrauchte Bereiche zu verfügen. Hierdurch wird erreicht, dass die Phasen besonders hohen Transmissionsverlustes aufgrund des betreffenden optischen Elementes bzw. Wabenkondensors zeitlich dorthin (zeitlich nach „vorne”) verlagert werden, wo der dominierende Beitrag der restlichen Optik der Beleuchtungseinrichtung zum Transmissionsverlust noch vergleichsweise gering ist. Hingegen ist der Transmissionsverlust des betreffenden optischen Elements bzw. Wabenkondensors gegen Ende der Lebensdauer vergleichsweise gering, also gerade in einer solchen Phase, in welcher der dominierende Beitrag der restlichen Optik stark angestiegen ist und demnach auch ein höherer Transmissionsverlust des optischen Elements bzw. Wabenkondensors – anders als zu Beginn – nicht mehr toleriert werden kann.In the strategy according to the invention, areas of the optical element or honeycomb condenser are thus to some extent "sacrificed" at the beginning of the service life in order to still have comparatively unused areas in return for this at the end of the service life. This ensures that the phases of particularly high transmission loss due to the relevant optical element or honeycomb condenser are temporally shifted there (temporally "forward"), where the dominating contribution of the remaining optics of the illumination device to the transmission loss is still comparatively low. By contrast, the transmission loss of the respective optical element or honeycomb condenser at the end of the life is comparatively low, that is to say in a phase in which the dominant contribution of the remaining optics has risen sharply and accordingly also a higher transmission loss of the optical element or honeycomb condenser than at the beginning - can no longer be tolerated.

Im Ergebnis wird so die Möglichkeit der Einhaltung eines vorgeschriebenen gesamten Transmissionsverlusts über die Lebensdauer der Beleuchtungseinrichtung verbessert.As a result, the possibility of maintaining a prescribed total transmission loss over the life of the illumination device is improved.

Gemäß einer Ausführungsform wird die Geschwindigkeit der Variation der Ausleuchtung des optischen Elementes mit der Zeit erhöht. Insbesondere kann die Geschwindigkeit dieser Variation mit der Zeit kontinuierlich erhöht werden.According to one embodiment, the speed of variation of the illumination of the optical element is increased over time. In particular, the speed of this variation can be continuously increased over time.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt bei der erfindungsgemäßen Variation wenigstens zeitweise ein Wechsel zwischen diskreten ausgeleuchteten Bereichen auf dem optischen Element, wobei die Zeitdauer, für welche jeweils einer dieser diskreten Bereiche ausgeleuchtet wird, mit der Zeit verkürzt wird.According to one embodiment, in the variation according to the invention, at least temporarily, a change takes place between discrete illuminated areas on the optical element, wherein the time duration for which one of these discrete areas is illuminated in each case is shortened over time.

Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Variation der Ausleuchtung des optischen Elementes wenigstens zeitweise kontinuierlich, wobei die Geschwindigkeit dieser kontinuierlichen Variation mit der Zeit ansteigt.According to one embodiment, the variation of the illumination of the optical element takes place at least temporarily, continuously, the speed of this continuous variation increasing with time.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element ein mikrooptisch strukturiertes Element, insbesondere ein Wabenkondensor mit wenigstens zwei in Lichtausbreitungsrichtung aufeinander folgenden Rasteranordnungen aus strahlablenkenden optischen Elementen zur Erzeugung einer Vielzahl optischer Kanäle.According to one embodiment, the optical element is a micro-optically structured element, in particular a honeycomb condenser with at least two successive raster arrangements of beam-deflecting optical elements in the light propagation direction for generating a multiplicity of optical channels.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung eines der drei ersten, eine Brechkraft ungleich Null aufweisenden optischen Elemente der Beleuchtungseinrichtung.According to one embodiment, the optical element is one of the three first, non-zero refractive power optical elements of the illumination device with respect to the light propagation direction.

Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element in einem Bereich angeordnet, wo der Divergenzwinkel (bezogen auf Vollwinkel) des die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb durchlaufenden Lichtes maximal 10 mrad, insbesondere maximal 5 mrad, weiter insbesondere maximal 3 mrad, beträgt.According to one embodiment, the optical element is arranged in a region where the divergence angle (relative to full angle) of the light passing through the illumination device during operation is a maximum of 10 mrad, in particular a maximum of 5 mrad, more particularly a maximum of 3 mrad.

Die Erfindung betrifft ferner auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Beleuchtungseinrichtung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, und wobei die Projektionsbelichtungsanlage eine Steuereinrichtung zur Variation der Ausleuchtung wenigstens eines optischen Elementes der Beleuchtungseinrichtung mittels Pointing-Verstellung aufweist, wobei die Steuereinrichtung dazu ausgelegt ist, ein erfindungsgemäßes Verfahren auszuführen.The invention further relates to a microlithographic projection exposure apparatus, wherein the illumination device illuminates an object plane of the projection lens during operation of the projection exposure apparatus and the projection objective images this object plane onto an image plane, and wherein the projection exposure device comprises a control device for varying the illumination of at least one optical element of the illumination device by means of pointing devices. Has adjustment, wherein the control device is adapted to carry out a method according to the invention.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further embodiments of the invention are described in the description and the dependent claims.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention will be explained in more detail with reference to embodiments shown in the accompanying drawings.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Darstellung eines beispielhaften Aufbaus einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in welcher ein erfindungsgemäßes Verfahren realisiert werden kann; 1 a schematic representation of an exemplary construction of a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus in which a method according to the invention can be realized;

2a–d schematische Darstellungen zur Erläuterung eines Verfahrens zum Betreiben der Beleuchtungseinrichtung von 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; 2a -D are schematic diagrams for explaining a method for operating the illumination device of 1 according to an embodiment of the invention;

3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines der Erfindung zugrundeliegenden Konzepts; 3 a schematic representation for explaining a concept underlying the invention;

4 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines weiteren Aspekts der Erfindung; und 4 a schematic representation for explaining a further aspect of the invention; and

5–7 Darstellungen zur Erläuterung herkömmlicher Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung. 5 - 7 Illustrations for explaining conventional methods for operating a lighting device.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS

1 zeigt in lediglich schematischer Darstellung den prinzipiellen Aufbau einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. 1 shows in a schematic representation of the basic structure of a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus according to an embodiment of the invention.

Die Beleuchtungseinrichtung 11 dient zur Beleuchtung einer Struktur tragenden Maske (Retikel) 2 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit (nicht dargestellt), welche beispielsweise einen ArF-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Alternativ kann beispielsweise auch ein F2-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 157 nm vorgesehen sein. Des Weiteren können die Beleuchtungseinrichtung 11 sowie das nachfolgende Projektionsobjektiv auch für die Verwendung einer EUV-Lichtquelle (d. h. mit einer Arbeitswellenlänge kleiner als 15 nm, z. B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm) ausgelegt sein.The lighting device 11 serves to illuminate a structure-carrying mask (reticle) 2 with light from a light source unit (not shown), which comprises, for example, an ArF laser for a working wavelength of 193 nm and a parallel beam generating beam shaping optics. Alternatively, for example, an F 2 laser for a working wavelength of 157 nm may be provided. Furthermore, the lighting device 11 as well as the subsequent projection objective also be designed for the use of an EUV light source (ie with an operating wavelength of less than 15 nm, eg approximately 13 nm or approximately 7 nm).

Das parallele Lichtbüschel der Lichtquelleneinheit trifft gemäß dem Ausführungsbeispiel zunächst auf einen Wabenkondensor 12 sowie ein nachfolgendes variabel einstellbares Pupillenformungselement in Form einer Mikrospiegelanordnung (MMA) 13 mit einer Vielzahl unabhängig voneinander einstellbarer Mikrospiegel. Der Wabenkondensor 12 dient dazu, die Mikrospiegelanordnung 13 möglichst gleichmäßig auszuleuchten, also die durch die Mikrospiegelanordnung 13 in der Pupillenebene P1 erzeugte Lichtverteilung zu homogenisieren. Mittels der Mikrospiegelanordnung 13 wird in einer Pupillenebene P1 der Beleuchtungseinrichtung 11 eine gewünschte Intensitätsverteilung (z. B. Dipol- oder Quadrupolverteilung) erzeugt.The parallel light bundle of the light source unit initially meets a honeycomb condenser according to the exemplary embodiment 12 and a subsequent variably adjustable pupil-shaping element in the form of a micromirror arrangement (MMA) 13 with a variety of independently adjustable micromirrors. The honeycomb condenser 12 serves to the micromirror arrangement 13 To illuminate as evenly as possible, so by the micromirror arrangement 13 to homogenize light distribution generated in the pupil plane P1. By means of the micromirror arrangement 13 is in a pupil plane P1 of the illumination device 11 produces a desired intensity distribution (eg dipole or quadrupole distribution).

In Lichtausbreitungsrichtung nach der Mikrospiegelanordnung 13 befindet sich gemäß 1 eine optische Einheit 14, welche in Verbindung mit der vorgeschalteten Mikrospiegelanordnung 13 in der Pupillenebene P1 unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt. Die optische Einheit 14 umfasst einen Umlenkspiegel 14a.In the light propagation direction after the micromirror arrangement 13 is in accordance with 1 an optical unit 14 , which in conjunction with the upstream micromirror arrangement 13 generated in the pupil plane P1 different lighting configurations. The optical unit 14 includes a deflection mirror 14a ,

In unmittelbarer Nähe der ersten Pupillenebene P1 der Beleuchtungseinrichtung 1 befindet sich gemäß 1 ein weiterer Wabenkondensor 15. Dieser Wabenkondensor 15 dient zur Feldhomogenisierung, wobei die in der Pupillenebene P1 erzeugte Lichtverteilung mittels des Wabenkondensors 15 in die Lichtverteilung in der Feldebene F1 bzw. F2 umgewandelt wird.In the immediate vicinity of the first pupil plane P1 of the illumination device 1 is in accordance with 1 another honeycomb condenser 15 , This honeycomb condenser 15 is used for field homogenization, wherein the light distribution generated in the pupil plane P1 by means of the honeycomb condenser 15 is converted into the light distribution in the field plane F1 or F2.

Auf den Wabenkondensor 15 folgt in Lichtausbreitungsrichtung eine Linsengruppe 17, hinter welcher sich eine Feldebene F1 mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 18, in welcher sich eine zweite Pupillenebene P2 befindet, auf die Struktur tragende, in der Feldebene F2 angeordnete Maske (Retikel) 2 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf der Maske 2 begrenzt. Die Struktur tragende Maske 2 wird mit einem (hier nicht dargestellten) Projektionsobjektiv auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat bzw. einen Wafer abgebildet.On the honeycomb condenser 15 follows in the light propagation direction a lens group 17 behind which there is a field plane F1 with a reticle masking system (REMA), which passes through a REMA objective following in the light propagation direction 18 in which there is a second pupil plane P2, on the structure-bearing, arranged in the field plane F2 mask (reticle) 2 and thereby the illuminated area on the mask 2 limited. The structure wearing mask 2 is imaged with a projection lens (not shown) on a substrate or wafer provided with a photosensitive layer.

Im Weiteren wird ein erfindungsgemäßes Verfahren unter Bezugnahme auf die schematischen Darstellungen in 2a–d erläutert. Dabei wird das Verfahren im Weiteren, ohne das die Erfindung hierauf beschränkt wäre, auf den Wabenkondensor 12 angewandt.In the following, a method according to the invention will be described with reference to the schematic representations in FIG 2a -D explained. In this case, the method below, without the invention would be limited thereto, on the honeycomb condenser 12 applied.

2a zeigt (analog wie unter Bezugnahme auf 6a beschrieben) in willkürlichen Einheiten und lediglich qualitativ den zeitlichen Verlauf des Transmissionsverlustes im Wabenkondensor 12 aus 1, wobei hier wiederum ohne Beschränkung der Allgemeinheit ein linearer Verlauf der Zeitabhängigkeit zugrundegelegt wurde. In 2b, 2c und 2d ist wiederum der Wabenkondensor durch zwei aufeinanderfolgende Rasteranordnungen 210, 220 symbolisiert. Des Weiteren sind in 2b, 2c und 2d jeweils analog zu 6b–d unterschiedliche Pointing-Einstellungen veranschaulicht, wobei wiederum die Pointing-Einstellung gemäß 2b mit dem Bereich „I” aus 2a, die Pointing-Einstellung gemäß 2c mit dem Bereich „II” und die Pointing-Einstellung gemäß 2d mit dem Bereich „III” aus 2a korrespondiert. Die unterschiedlichen Pointing-Einstellungen werden über eine geeignete Steuereinrichtung realisiert, welche beispielsweise einen verstellbaren Spiegel zur Variation der Richtung des Schwerstrahls bei Eintritt in die Beleuchtungseinrichtung umfassen kann, wobei dieser Spiegel beispielsweise in einer Strahlzuführungseinheit der Projektionsbelichtungsanlage vorgesehen sein kann. 2a shows (analogous as with reference to 6a described) in arbitrary units and only qualitatively the time course of the transmission loss in the honeycomb condenser 12 out 1 , whereby again a linear course of the time dependency was used without restriction of the generality. In 2 B . 2c and 2d is in turn the honeycomb condenser by two successive grid arrangements 210 . 220 symbolizes. Furthermore, in 2 B . 2c and 2d each analogous to 6b -D illustrates different pointing settings, again using the pointing setting according to 2 B with the range "I" off 2a according to the pointing setting 2c with the range "II" and the pointing setting according to 2d with the range "III" off 2a corresponds. The different pointing settings are realized by means of a suitable control device, which may for example comprise an adjustable mirror for varying the direction of the heavy beam when entering the illumination device, this mirror being able to be provided, for example, in a beam delivery unit of the projection exposure apparatus.

Wie aus 2a ersichtlich sind nun die den Bereichen „I”, „II” und „III” bzw. den zugehörigen Pointing-Einstellungen gemäß 2b–d entsprechenden Zeitspannen nicht gleich groß, sondern die Zeitdauer der Aufrechterhaltung einer bestimmten Pointing-Einstellung nimmt mit der Zeit bzw. zum Ende der Lebensdauer bzw. der Einsatzzeit der Beleuchtungseinrichtung hin ab. Dabei kann wie in 2a eingezeichnet das Ende der Einsatzzeit der Beleuchtungseinrichtung etwa Tx sein. Diese Einsatzzeit kann (ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) größenordnungsmäßig beispielsweise einigen 1011 Laserpulsen entsprechen.How out 2a now visible are the areas "I", "II" and "III" or the associated pointing settings according to 2 B -D corresponding periods of time is not the same size, but the duration of the maintenance of a specific pointing setting decreases with time or at the end of the life or the operating time of the lighting device down. It can be like in 2a the end of the operating time of the lighting device may be approximately T x . This service time can (without the invention being limited thereto) on the order of magnitude, for example, correspond to a few 10 11 laser pulses.

Somit wird der auf der zweiten Rasteranordnung 220 ausgeleuchtete Bereich mittels Pointing-Verstellung variiert, wobei erfindungsgemäß die Geschwindigkeit dieser Variation mit der Zeit erhöht wird.Thus, the on the second grid arrangement 220 illuminated range varies by means of pointing adjustment, according to the invention, the speed of this variation is increased over time.

Diese Strategie hat ersichtlich zur Folge, dass der in 2b zunächst beleuchtete (im Bespiel jeweils links angeordnete) Bereich der jeweiligen Kanäle der zweiten Rasteranordnung 220 des Wabenkondensors vergleichsweise stark durch die auftreffende Strahlung geschädigt wird, und somit in dieser (Anfangs-)Phase der durch den Wabenkondensor bewirkte Transmissionsverlust auf vergleichsweise hohe Werte im Bereich „I” ansteigt. Hingegen ist für die gemäß 2b und 2c im weiteren zeitlichen Verlauf des Betriebs der Beleuchtungseinrichtung gewählten Pointing-Einstellungen die Verweildauer der jeweiligen Pointing-Einstellung und damit auch das Ausmaß der eintretenden Strahlungsschädigung der jeweiligen Bereiche geringer, weshalb der jeweils korrespondierende Transmissionsverlust in den Bereichen „II” bzw. „III” vergleichsweise geringere Maximalwerte erreicht.This strategy clearly implies that the 2 B first illuminated (in the example on the left) region of the respective channels of the second grid arrangement 220 of the honeycomb condenser is relatively strongly damaged by the incident radiation, and thus in this (initial) phase caused by the honeycomb condenser transmission loss to relatively high values in the range "I" increases. On the other hand is for the according 2 B and 2c In the further course of the operation of the illumination device selected pointing settings the dwell time of the respective pointing setting and thus the extent of radiation damage entering the respective areas lower, which is why the respective corresponding transmission loss in the areas "II" or "III" comparatively lower Maximum values reached.

Anschaulich gesprochen wird bei der in 2 dargestellten erfindungsgemäßen Strategie somit der bei der anfänglichen Pointing-Einstellung gemäß 2b beleuchtete Bereich des Wabenkondensors gewissermaßen bewusst „geopfert”, um gegen Ende der Lebensdauer möglichst noch über (im Vergleich zur herkömmlichen Strategie mehr) unverbrauchte Bereiche mit geringerem Transmissionsverlust zu verfügen.Is vividly spoken at the in 2 according to the invention thus represented the strategy in the initial pointing setting according to 2 B illuminated area of the honeycomb condenser, so to speak, "sacrificed" so as to have, as far as possible at the end of its useful life, areas of lower transmission loss that are unused (in comparison with the conventional strategy).

Ein weiterer im Zusammenhang mit dem vorstehend beschriebenen Einsatz eines Wabenkondensors im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung signifikanter Effekt wird im Weiteren unter Bezugnahme auf 4 beschrieben.Another effect significant in connection with the above-described use of a honeycomb condenser in the context of the present invention will be described below with reference to FIG 4 described.

In dem in 4 gezeigten Diagramm ist lediglich schematisch der Verlauf der wellenoptischen Transmission in Abhängigkeit von einer Pointing-Verstellung dargestellt. Hierbei wird unter der „wellenoptischen Transmission” die Transmission ohne Berücksichtigung von Alterungseffekten verstanden. Gemäß 4 ist für senkrechten Lichteinfall auf den Wabenkondensor bzw. die zweite Rasteranordnung des Wabenkondensors die unter Berücksichtigung von Beugungseffekten resultierende Transmission maximal, wohingegen ein beugungsbedingtes „Kanalübersprechen” zu einem Transmissionsverlust führt.In the in 4 the diagram shown is shown only schematically the course of the wave-optical transmission as a function of a pointing adjustment. The term "wave-optical transmission" is understood to mean the transmission without taking into account aging effects. According to 4 For vertical incidence of light on the honeycomb condenser or the second grid arrangement of the honeycomb condenser, the transmission resulting in consideration of diffraction effects is maximal, whereas a diffraction-induced "channel crosstalk" leads to a transmission loss.

Vor diesem Hintergrund kann der vorstehend unter Bezugnahme auf 3 beschriebene Erkenntnis, wonach zu Beginn der Lebensdauer der Beleuchtungseinrichtung ein vergleichsweise höherer Transmissionsverlust des Wabenkondensors akzeptabel ist als gegen Ende der Lebensdauer der Beleuchtungseinrichtung, dadurch Rechnung getragen werden, dass zu Beginn der Lebensdauer vergleichsweise größere (positive oder negative) Pointing-Einstellungen (entsprechend einem schrägeren Lichteinfall auf dem Wabenkondensor) genutzt werden als gegen Ende der Lebensdauer. Hierdurch kann nämlich erreicht werden, dass gegen Ende der Lebensdauer der Beleuchtungseinrichtung mehr unverbrauchte bzw. nicht strahlungsgeschädigte Bereiche auf der zweiten Rasteranordnung zur Verfügung stehen.Against this background, the above with reference to 3 described finding that at the beginning of the life of the lighting device, a comparatively higher transmission loss of the honeycomb condenser is acceptable than towards the end of the life of the lighting device, be taken into account that at the beginning of life comparatively larger (positive or negative) pointing settings (corresponding to a slanted Light incident on the honeycomb condenser) are used as towards the end of the life. In this way, it can be achieved that more unused or non-radiation-damaged areas are available on the second grid arrangement toward the end of the service life of the illumination device.

Mit anderen Worten können Pointing-Einstellungen mit senkrechtem Einfall auf das optische Element zeitlich „nach hinten” verlagert werden, um einen vergleichsweise geringen Transmissionsverlust des Wabenkondensors zum Ende der Beleuchtungseinrichtung hin zu ermöglichen.In other words, normal incident pointing on the optical element may be shifted "backwards" in time to allow for a relatively low transmission loss of the honeycomb condenser toward the end of the illumination device.

Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.While the invention has been described with reference to specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to those skilled in the art. B. by combination and / or exchange of features of individual embodiments. Accordingly, it will be understood by those skilled in the art that such variations and alternative embodiments are intended to be embraced by the present invention, and the scope of the invention is limited only in terms of the appended claims and their equivalents.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2005/026843 A2 [0004] WO 2005/026843 A2 [0004]

Claims (10)

Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Ausleuchtung wenigstens eines optischen Elementes der Beleuchtungseinrichtung (11) mit in die Beleuchtungseinrichtung (11) eintretendem Beleuchtungslicht mittels Pointing-Verstellung variiert wird, • wobei wenigstens ein zweiter Bereich auf dem optischen Element zeitlich später als ein erster Bereich auf dem optischen Element beleuchtet wird, und • wobei die Beleuchtung des zweiten Bereichs mit einer kürzeren Gesamtdauer erfolgt als die Beleuchtung des ersten Bereichs.Method for operating a lighting device of a microlithographic projection exposure apparatus, wherein the illumination of at least one optical element of the lighting device ( 11 ) into the illumination device ( 11 ) is varied by means of pointing adjustment, wherein at least a second region on the optical element is illuminated later than a first region on the optical element, and wherein the illumination of the second region is shorter in duration than the illumination of the second region first area. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Variation der Ausleuchtung des optischen Elementes mit wenigstens zeitweise zunehmender Geschwindigkeit erfolgt.A method according to claim 1, characterized in that the variation of the illumination of the optical element takes place with at least temporarily increasing speed. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Geschwindigkeit der Variation mit der Zeit kontinuierlich erhöht wird.A method according to claim 2, characterized in that the speed of the variation with the time is continuously increased. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass bei dieser Variation wenigstens zeitweise ein Wechsel zwischen diskreten ausgeleuchteten Bereichen auf dem optischen Element erfolgt, wobei die Zeitdauer, für welche jeweils einer dieser diskreten Bereiche ausgeleuchtet wird, mit der Zeit verkürzt wird.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that in this variation, at least temporarily, a change between discrete illuminated areas on the optical element takes place, wherein the time duration, for each of which one of these discrete areas is illuminated, is shortened over time. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Variation der Ausleuchtung des optischen Elementes wenigstens zeitweise kontinuierlich erfolgt, wobei die Geschwindigkeit dieser kontinuierlichen Variation mit der Zeit ansteigt.Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that the variation of the illumination of the optical element takes place at least temporarily, continuously, wherein the speed of this continuous variation increases with time. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element ein mikrooptisch strukturiertes Element ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the optical element is a micro-optically structured element. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element ein Wabenkondensor (12) mit wenigstens zwei in Lichtausbreitungsrichtung aufeinander folgenden Rasteranordnungen (210, 220) aus strahlablenkenden optischen Elementen zur Erzeugung einer Vielzahl optischer Kanäle ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the optical element is a honeycomb condenser ( 12 ) with at least two successive grid arrangements in the light propagation direction ( 210 . 220 ) is of beam deflecting optical elements for producing a plurality of optical channels. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung eines der drei ersten, eine Brechkraft ungleich Null aufweisenden optischen Elemente der Beleuchtungseinrichtung (11) ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the optical element with respect to the light propagation direction of one of the three first, non-zero refractive power optical elements of the illumination device ( 11 ). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element in einem Bereich angeordnet ist, wo der Divergenzwinkel des die Beleuchtungseinrichtung (11) im Betrieb durchlaufenden Lichtes maximal 10 mrad, insbesondere maximal 5 mrad, weiter insbesondere maximal 3 mrad, beträgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the optical element is arranged in a region where the divergence angle of the illumination device ( 11 ) in running light passes a maximum of 10 mrad, in particular a maximum of 5 mrad, more particularly a maximum of 3 mrad. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung (11) im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eine Objektebene des Projektionsobjektivs beleuchtet und das Projektionsobjektiv diese Objektebene auf eine Bildebene abbildet, und wobei die Projektionsbelichtungsanlage eine Steuereinrichtung zur Variation der Ausleuchtung wenigstens eines optischen Elementes der Beleuchtungseinrichtung mittels Pointing-Verstellung aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass diese Steuereinrichtung dazu ausgelegt ist, ein Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche auszuführen.Microlithographic projection exposure apparatus comprising a lighting device and a projection lens, wherein the illumination device ( 11 In the operation of the projection exposure apparatus, an object plane of the projection lens is illuminated and the projection lens images this object plane onto an image plane, and the projection exposure apparatus has a control device for varying the illumination of at least one optical element of the illumination device by means of pointing adjustment, characterized in that this control device is designed for this purpose is to carry out a method according to any one of the preceding claims.
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