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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung sowie ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv. Insbesondere betrifft die Erfindung eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, welche eine erhöhte Flexibilität bei der Bereitstellung einer gewünschten Polarisationsverteilung ermöglicht.
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Stand der Technik
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Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
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Es sind verschiedene Ansätze bekannt, in der Beleuchtungseinrichtung zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen in der Pupillenebene und/oder im Retikel einzustellen. Insbesondere ist es sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch im Projektionsobjektiv bekannt, für eine kontrastreiche Abbildung eine tangentiale Polarisationsverteilung einzustellen. Unter „tangentialer Polarisation” (oder „TE-Polarisation”) wird eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd senkrecht zum auf die optische Systemachse gerichteten Radius orientiert sind. Hingegen wird unter „radialer Polarisation” (oder „TM-Polarisation”) eine Polarisationsverteilung verstanden, bei der die Schwingungsebenen der elektrischen Feldstärkevektoren der einzelnen linear polarisierten Lichtstrahlen annähernd radial zur optischen Systemachse orientiert sind.
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Aus
WO 2005/069081 A2 ist ein polarisationsbeeinflussendes optisches Element bekannt, welches aus einem optisch aktiven Kristall besteht und ein in Richtung der optischen Achse des Kristalls variierendes Dickenprofil aufweist.
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Aus
US 6,392,800 B2 ist es u. a. bekannt, zur Umwandlung eines eintretenden Lichtbündels in ein austretendes Lichtbündel mit im gesamten Querschnitt im Wesentlichen radialer Richtung linear polarisiertem Licht eine unter radialer Druckspannung stehende Spannungsdoppelbrechungs-Viertelwellenlängenplätte in Kombination mit einer zirkular doppelbrechenden, die Polarisationsrichtung um 45° drehenden Platte, ggf. unter Vorschaltung einer normalen Viertelwellenlängenplatte, einzusetzen.
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Aus
WO 2006/077849 A1 ist es u. a. bekannt, in einer Pupillenebene einer Beleuchtungseinrichtung oder in deren Nähe ein optisches Element zur Umwandlung des Polarisationszustandes anzuordnen, welches eine Mehrzahl variabler optischer Rotatorelemente aufweist, durch welche die Polarisationsrichtung von auftreffendem, linear polarisiertem Licht mit einem variabel einstellbaren Rotationswinkel gedreht werden kann.
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WO 2005/031467 A2 offenbart in einer Projektionsbelichtungsanlage die Beeinflussung der Polarisationsverteilung mittels einer oder mehrerer Polarisationsmanipulatorvorrichtungen, welche auch an mehreren Positionen angeordnet sowie als in den Strahlengang einführbare, polarisationsbeeinflussende optische Elemente ausgebildet sein können, wobei die Wirkung dieser polarisationsbeeinflussenden Elemente durch Änderung der Position, z. B. Rotation, Dezentrierung oder Verkippung der Elemente variiert werden kann.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung sowie ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welche eine erhöhte Flexibilität bei der Bereitstellung einer gewünschten Polarisationsverteilung ermöglichen.
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Diese Aufgabe wird durch die Anordnung gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 bzw. das optische System gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 11 gelöst.
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Eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung weist auf:
- – wenigstens ein Paar aus einer ersten Lambda/2-Platte und einer zweiten Lambda/2-Platte;
- – wobei die erste Lambda/2-Platte und die zweite Lambda/2-Platte einander teilweise unter Ausbildung eines Überlappungsbereichs und wenigstens eines Nicht-Überlappungsbereichs überlappen.
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Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung lassen sich mittels partieller Ausleuchtung unterschiedlicher Bereiche der Anordnung in flexibler Weise voneinander verschiedene polarisierte Beleuchtungssettings einstellen, ohne dass für den Wechsel zwischen diesen Beleuchtungssetting die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung ausgewechselt oder in ihrer Lage verändert werden muss. Der Erfindung liegt also das Konzept zugrunde, durch teilweise Überlappung zweier Lambda/2-Platten wenigstens zwei Bereiche zu schaffen, welche bei Lichtdurchtritt abhängig davon, ob dieser durch nur eine der Lambda/2-Platten hindurch, durch beide Lambda/2-Platten hindurch oder durch keine der Lambda/2-Platten hindurch erfolgt, voneinander verschiedene Ausgangspolarisationsverteilungen erzeugen.
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Die auf diese Weise in einer Projektionsbelichtungsanlage ermöglichte flexible Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungssettings kann insbesondere ohne Erfordernis zusätzlicher optischer Komponenten erfolgen, was den konstruktiven Aufwand sowie die Kosten etwa für einen Lithographieprozess reduziert. Des Weiteren wird ein mit einem Einsatz zusätzlicher optischer Komponenten einhergehender Transmissionsverlust vermieden.
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Gemäß einer Ausführungsform ist der Überlappungsbereich zwischen einem ersten Nicht-Überlappungsbereich, in welchem sich nur die erste Lambda/2-Platte befindet, und einem zweiten Nicht-Überlappungsbereich, in welchem sich nur die zweite Lambda/2-Platte befindet, angeordnet.
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Der Überlappungsbereich und der wenigstens eine Nicht-Überlappungsbereich können insbesondere jeweils eine kreissegmentförmige Geometrie aufweisen. Dabei kann das den Überlappungsbereich bildende Kreissegment einen anderen Öffnungswinkel als das den wenigstens eine Nicht-Überlappungsbereich bildende Kreissegment aufweisen.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Lambda/2-Platte eine erste schnelle Achse der Doppelbrechung auf, und die zweite Lambda/2-Platte weist eine zweite schnelle Achse der Doppelbrechung auf, wobei die erste schnelle Achse und die zweite schnelle Achse in einem Winkel vom 45 ± 5° zueinander angeordnet sind.
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Gemäß einer Ausführungsform wird eine Schwingungsebene eines ersten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher auf die Anordnung in dem Überlappungsbereich auftrifft, um einen ersten Drehwinkel gedreht, und eine Schwingungsebene eines zweiten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher auf die Anordnung in dem wenigstens einen Nicht-Überlappungsbereich auftrifft, wird um einen zweiten Drehwinkel gedreht, wobei der erste Drehwinkel von dem zweiten Drehwinkel verschieden ist.
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Gemäß einer Ausführungsform werden die Schwingungsebene eines zweiten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher nur die erste Lambda/2-Platte durchquert, und die Schwingungsebene eines dritten linear polarisierten Lichtstrahls, welcher nur die zweite Lambda/2-Platte durchquert, um einen zweiten bzw. dritten Drehwinkel gedreht, wobei der zweite Drehwinkel von dem dritten Drehwinkel verschieden ist.
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Gemäß einer Ausführungsform stimmen der zweite Drehwinkel und der dritte Drehwinkel betragsmäßig überein und weisen entgegengesetzte Vorzeichen auf.
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Gemäß einer Ausführungsform bilden die erste Lambda/2-Platte und die zweite Lambda/2-Platte in dem Überlappungsbereich miteinander einen 90°-Rotator aus.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die erfindungsgemäße Anordnung zwei Paare aus jeweils einer ersten Lambda/2-Platte und jeweils einer zweiten Lambda/2-Platte auf, wobei das erste Paar und das zweite Paar auf einander gegenüberliegenden Seiten einer Symmetrieachse der Anordnung angeordnet sind.
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Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer erfindungsgemäßen polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung, wobei die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung derart in dem optischen System angeordnet ist, dass sowohl der Überlappungsbereich als auch der wenigstens eine Nicht-Überlappungsbereich wenigstens teilweise innerhalb des optisch wirksamen Bereichs des optischen Systems, angeordnet sind.
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Gemäß einer Ausführungsform wandelt die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung im Betrieb des optischen Systems eine lineare Polarisationsverteilung mit einer über den Lichtbündelquerschnitt konstanten Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung auftreffenden Lichtbündels in eine näherungsweise tangentiale Polarisationsverteilung um.
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Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Lambda/2-Platte eine erste schnelle Achse der Doppelbrechung auf, welche in einem Winkel von 22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung auftreffenden Lichtbündels verläuft, und die zweite Lambda/2-Platte weist eine zweite schnelle Achse der Doppelbrechung auf, welche in einem Winkel von –22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung eines auf die Anordnung auftreffenden Lichtbündels verläuft.
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Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente.
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Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Es zeigen:
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1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
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2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung gemäß einem konkreten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
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3a–d schematische Darstellungen zur Erläuterung der Wirkungsweise der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung von 2; und
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4–5 schematische Darstellungen zur Erläuterung unterschiedlicher Einsatzmöglichkeiten der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung von 2.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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1 zeigt in schematischer Darstellung eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage 100 mit einer Lichtquelleneinheit 101, einer Beleuchtungseinrichtung 110, einer abzubildende Strukturen aufweisenden Maske 125, einem Projektionsobjektiv 130 und einem zu belichtenden Substrat 140. Die Lichtquelleneinheit 101 umfasst als Lichtquelle einen DUV- oder VUV-Laser, beispielsweise einen ArF-Laser für 193 nm, einen F2-Laser für 157 nm, einen Ar2-Laser für 126 nm oder einen Ne2-Laser für 109 nm, und eine Strahlformungsoptik, welche ein paralleles Lichtbüschel erzeugt. Die Strahlen des Lichtbüschels weisen eine lineare Polarisationsverteilung auf, wobei die Schwingungsebenen des elektrischen Feldvektors der einzelnen Lichtstrahlen in einheitlicher Richtung verlaufen.
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Das parallele Lichtbüschel trifft auf ein Divergenz erhöhendes optisches Element 111. Als Divergenz erhöhendes optisches Element 111 kann beispielsweise eine Rasterplatte aus diffraktiven oder refraktiven Rasterelementen eingesetzt werden. Jedes Rasterelement erzeugt ein Strahlenbüschel, dessen Winkelverteilung durch Ausdehnung und Brennweite des Rasterelementes bestimmt ist. Die Rasterplatte befindet sich in der Objektebene eines nachfolgenden Objektivs 112 oder in deren Nähe. Das Objektiv 112 ist ein Zoom-Objektiv, welches ein paralleles Lichtbüschel mit variablem Durchmesser erzeugt. Das parallele Lichtbüschel wird durch einen Umlenkspiegel 113 auf eine optische Einheit 114 gerichtet, die ein Axikon 115 enthält. Durch das Zoom-Objektiv 112 in Verbindung mit dem Axikon 115 werden in einer Pupillenebene 116 je nach Zoom-Stellung und Position der Axikonelemente unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt.
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In der Pupillenebene 116 oder in deren unmittelbarer Nähe befindet sich eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 200, deren Aufbau und Funktionsweise im Weiteren unter Bezugnahme auf 2–5 erläutert wird. Auf die optische Einheit 114 folgt ein Retikel-Maskierungssystem (REMA) 118, welches durch ein REMA-Objektiv 119 auf die Struktur tragende Maske (Retikel) 125 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel 125 begrenzt. Die Struktur tragende Maske 125 wird mit dem Projektionsobjektiv 130 auf das lichtempfindliche Substrat 140 abgebildet. Zwischen einem letzten optischen Element 135 des Projektionsobjektivs 130 und dem lichtempfindlichen Substrat 140 befindet sich im Beispiel eine Immersionsflüssigkeit 136 mit einem von Luft verschiedenen Brechungsindex.
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Wenngleich die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 200 gemäß 1 in der Beleuchtungseinrichtung eingesetzt ist, ist in weiteren Ausführungsformen auch ein Einsatz im Projektionsobjektiv möglich.
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2a zeigt in schematischer Darstellung die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 200 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
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Die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 200 umfasst im Ausführungsbeispiel zwei Paare aus jeweils einander teilweise überlappenden Lambda/2-Platten 210, 220 bzw. 230, 240, wobei diese Paare auf einander gegenüberliegenden Seiten einer (in 2 in horizontaler Richtung bzw. in x-Richtung verlaufenden) Symmetrieachse der Anordnung 200 sowie mit zueinander analogem Aufbau ausgebildet sind, so dass im Weiteren der einfacheren Beschreibung lediglich auf das erste Paar aus Lambda/2-Platten 210, 220 Bezug genommen wird.
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Die Lambda/2-Platten 210, 220 sind jeweils aus einem geeigneten doppelbrechenden Material von bei der gewünschten Arbeitswellenlänge hinreichender Transparenz hergestellt, beispielsweise aus kristallinem Quarz (SiO2) oder Magnesiumfluorid (MgF2), und weisen jeweils eine kreissegmentförmige Geometrie auf, wobei im Ausführungsbeispiel wie angedeutet die jeweiligen Kreissegmente einen Öffnungswinkel von jeweils 90° aufweisen. Dabei ist die teilweise Überlappung im Beispiel von 2 so gewählt, dass der mit „A” bezeichnete Überlappungsbereich sich über einen Öffnungswinkel von 60° (allgemein vorzugsweise 60° ± 20°, insbesondere 60° ± 10°) erstreckt, wohingegen sich die zu beiden Seiten dieses Überlappungsbereiches „A” ausgebildeten Nicht-Überlappungsbereiche „B-1” und „B-2” jeweils über einen Öffnungswinkel von 30° (allgemein vorzugsweise 30° ± 10°, insbesondere 30° ± 5°) erstrecken. Selbstverständlich ist die Erfindung aber nicht auf die angegegebenen, konkreten Öffnungswinkel oder Öffnungswinkelbereiche eingeschränkt, so dass je nach den gewünschten einzustellenden Beleuchtungssettings auch andere Öffnungswinkel gewählt werden können.
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Ebenfalls in 2 eingezeichnet sind, für den Fall der Einstrahlung von linear polarisiertem Licht mit konstanter, in y-Richtung verlaufender Polarisationsvorzugsrichtung P, die sich jeweils nach Lichtdurchtritt durch die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 200 ergebende Polarisationsvorzugsrichtungen. Dabei ist die sich jeweils ergebende Polarisationsvorzugsrichtung für den ersten Nicht-Überlappungsbereich „B-1” (d. h. den nur von der ersten Lambda/2-Platte 210 abgedeckten Bereich) mit P', für den zweiten Nicht-Überlappungsbereich „B-2 (d. h. den nur von der zweiten Lambda/2-Platte 220 abgedeckten Bereich) mit P'', und für den Überlappungsbereich „A” (d. h. den sowohl von der ersten Lambda/2-Platte 210 als auch von der zweiten Lambda/2-Platte 220 abgedeckten Bereich) mit P''' bezeichnet.
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Das Zustandekommen der jeweiligen Polarisationsvorzugsrichtungen in den vorstehend genannten Bereichen ist schematisch in 3a–d dargestellt, wobei die jeweilige Lage der schnellen doppelbrechenden Achse (welche in Richtung hoher Brechzahl verläuft) für die erste Lambda/2-Platte 210 durch die gestrichelte Linie „fa-1” und für die zweite Lambda/2-Platte 220 durch die gestrichelte Linie „fa-2” angedeutet ist. Im Ausführungsbeispiel verläuft die schnelle Achse „fa-1” der Doppelbrechung der ersten Lambda/2-Platte 210 in einem Winkel von 22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 200 auftreffenden Lichtbündels, und die schnelle Achse „fa-2” der Doppelbrechung der zweiten Lambda/2-Platte 220 verläuft in einem Winkel von –22.5° ± 2° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 200 auftreffenden Lichtbündels.
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Die sich nach Lichtdurchtritt durch die erste Lambda/2-Platte 210 ergebende Polarisationsvorzugsrichtung P' entspricht einer Spiegelung der ursprünglichen (Eingangs-)Polarisationsvorzugsrichtung P an der schnellen Achse „fa-1” (vgl. 3a), und die sich nach Lichtdurchtritt durch die zweite Lambda/2-Platte 220 ergebende Polarisationsvorzugsrichtung P'' entspricht einer Spiegelung der ursprünglichen (Eingangs-)Polarisationsvorzugsrichtung P an der schnellen Achse „fa-2” (vgl. 3b). Die sich nach Lichtdurchtritt durch die Nicht-Überlappungsbereiche „B-1” und „B-2” ergebenden Polarisationsvorzugsrichtungen P' bzw. P'' verlaufen folglich unter einem Winkel von ±45° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 200 auftreffenden Lichtbündels.
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Für das auf die Anordnung 200 im Überlappungsbereich „A” auftreffende Lichtbündel gilt, dass die Polarisationsvorzugsrichtung P' des aus der ersten Lambda/2-Platte 210 austretenden Lichtbündels (vgl. 3c) der Eingangspolarisationsverteilung des auf die zweite Lambda/2-Platte 220 auftreffenden Lichtbündels entspricht, so dass die in 3d mit P''' bezeichnete Polarisationsvorzugsrichtung des aus dem Überlappungsbereich „A” austretenden Lichtbündels unter einem Winkel von 90° zur Polarisationsvorzugsrichtung P des auf die Anordnung 200 auftreffenden Lichtbündels verläuft.
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4 zeigt die sich nach Lichtdurchtritt durch die Anordnung 200 ergebende Polarisationsverteilung 420 für den Fall, dass die gesamte optisch wirksame Fläche der Anordnung 200 mit Licht der in 4 dargestellten Polarisationsverteilung 410 von konstant linearer Polarisationsvorzugsrichtung ausgeleuchtet wird.
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Die Polarisationsverteilung 420 ist eine quasi-tangentiale Polarisationsverteilung mit acht kreissegmentförmigen Bereichen 421–428, in welchen die Polarisationsvorzugsrichtung jeweils konstant sowie zumindest näherungsweise tangential, d. h. senkrecht zum auf die optische Achse OA gerichteten Radius, verläuft.
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Da in den Bereichen 423 und 427 der sich nach Lichtdurchtritt durch die Anordnung 200 ergebenden Polarisationsverteilung 420 keine der Lambda/2-Platten 210, 220 bzw. 230, 240 angeordnet ist, entspricht dort die Polarisationsvorzugsrichtung der ursprünglichen Polarisationsvorzugsrichtung und verläuft somit in y-Richtung.
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Die in Verbindung mit der erfindungsgemäßen polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 200 mögliche flexible Einstellung unterschiedlicher Polarisationsverteilungen wird anhand von 5a–b deutlich.
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So lassen sich mittels partieller Ausleuchtung entweder ausschließlich der Bereiche 421, 423, 425 und 427 von 4 oder nur der Bereiche 422, 424, 426 und 428 von 4 sowohl das in 5a gezeigte Quadrupol-Beleuchtungssetting 510 mit quasi-tangentialer Polarisationsverteilung oder das in 5b gezeigte, gegenüber 5a um 45° um die optische Achse OA verdrehte Quadrupol-Beleuchtungssetting 520 (sogenanntes „Quasar Beleuchtungssetting”) mit ebenfalls quasi-tangentialer Polarisationsverteilung erzeugen, ohne dass für den Wechsel zwischen dieses beiden Beleuchtungssettings die polarisationsbeeinflussende optische Anordnung 200 ausgewechselt oder in ihrer Lage verändert werden muss.
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Der unter Verwendung der erfindungsgemäßen Anordnung 200 mögliche Wechsel zwischen den beiden Beleuchtungssettings 510 und 520 hat insbesondere den Vorteil, dass mit der Anordnung 200 z. B. bisher durchgeführte Fertigungsprozesse, welche mittels des OPC-Verfahrens (OPC = „optical proximity correction” = „optische Nahfeldkorrektur”) auf das quasi-tangentiale Beleuchtungssetting 510 optimiert worden sind, weiter betrieben werden können, aber auch zusätzlich das Beleuchtungssetting 520 (mit quasi-tangentialer Polarisationsverteilung in um 45° verdrehten Beleuchtungspolen) genutzt werden kann.
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Gemäß weiterer (nicht dargestellter) Ausführungsformen kann im Strahlengang zusätzlich zu der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 200 ein 90°-Rotator angeordnet werden, was dazu führt, dass anstelle der vorstehend beschriebenen quasi-tangentialen Polarisationsverteilung 420, 510 und 520 von 4 und 5 entsprechend quasi-radiale Ausgangspolarisationsverteilungen erzeugt werden, in denen die Polarisationsvorzugsrichtung bzw. die Schwingungsrichtung des elektrischen Feldstärkevektors in den entsprechenden Positionen radial, d. h. parallel zu dem auf die optische Achse OA gerichteten Radius, verläuft. Dieser 90°-Rotator kann in Lichtausbreitungsrichtung alternativ vor oder auch nach der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung 200 angeordnet sein und bewirkt in bekannter Weise, dass die Schwingungsebene des elektrischen Feldstärkevektors jedes einzelnen linear polarisierten Lichtstrahls des Strahlbündels um 90° gedreht wird. Eine mögliche Ausgestaltung dieses 90°-Rotators ist, eine planparallele Platte aus einem optisch aktiven Kristall im Strahlengang vorzusehen, deren Dicke etwa 90°/αp beträgt, wobei αp das spezifische Drehvermögen des optisch aktiven Kristalls angibt. Eine weitere mögliche Ausgestaltung des 90°-Rotators ist, den 90°-Rotator aus zwei Lambda/2-Platten aus doppelbrechendem Kristall zusammenzusetzen.
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Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- WO 2005/069081 A2 [0004]
- US 6392800 B2 [0005]
- WO 2006/077849 A1 [0006]
- WO 2005/031467 A2 [0007]
