DE102010062559A1 - Mikroelektromechanisches Sensormodul sowie entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches Sensormodul. Das mikroelektromechanische Sensormodul umfasst Sensiermittel zur Messung einer Beschleunigung, Druck, Luftfeuchtigkeit oder dergleichen, ein Steuerungsmittel zur Steuerung der Sensiermittel, Energieversorgungsmittel zur Energieversorgung des Sensormoduls sowie Übertragungsmittel zur Übertragung von Signalen des Sensiermittels wobei zumindest drei der Mittel auf Chipebene jeweils in zumindest einem Chip integriert sind. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Sensormoduls.
Description
- Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches Sensormodul sowie ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Sensormoduls.
- Stand der Technik
- Mikroelektromechanische Sensormodule werden für eine Vielzahl von Anwendungen genutzt, beispielsweise zur Messung von Beschleunigungen, Drehraten, Magnetfeldern, Temperatur, Druck oder dergleichen.
- Ein Anwendungsgebiet derartiger mikroelektromechanischer Sensoren sind beispielsweise im Falle von Drehratensensoren Autos, bei denen diese im Rahmen des elektronischen Stabilitätsprogramms (ESP) eingesetzt werden, um eine Gierrate des Autos mit Drehraten von verschiedenen Rädern des Autos abzugleichen.
- Aus der
DE 10 2005 041 539 B4 ist es bekannt geworden, Sensiermittel und eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung auf Waferlevelebene zu verbinden. Eine derartige Verbindung ist in der6 gezeigt: Auf einer Leiterplatte2 ist ein erster Chip3 angeordnet, welcher ein Sensiermittel3a enthält. Auf diesem ist ein weiterer Chip4 angeordnet, welcher eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung4a aufweist. Die Verbindung zwischen dem Chip4 und dem Chip3 wird mittels Durchkontaktierungen10a ermöglicht, wohingegen der Chip3 mittels Drahtbonden10b mit der Leiterplatte2 zur elektrischen Kontaktierung verbunden ist. - Offenbarung der Erfindung
- In Anspruch 1 ist ein mikroelektromechanisches Sensormodul definiert, umfassend Sensiermittel zur Messung einer Beschleunigung, Druck, Luftfeuchtigkeit oder dergleichen, ein Steuerungsmittel zur Steuerung der Sensiermittel, Energieversorgungsmittel zur Energieversorgung des Sensormoduls sowie Übertragungsmittel zur Übertragung von Signalen des Sensiermittels, wobei zumindest drei der Mittel auf Chipebene jeweils in einem Chip integriert sind.
- In Anspruch 9 ist ein Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Sensormoduls gemäß zumindest einem der Ansprüche 1 bis 8 definiert, umfassend die Schritte,
Anordnen von Sensiermitteln zur Messung einer Beschleunigung, Druck, Luftfeuchtigkeit oder dergleichen,
Anordnen eines Steuerungsmittels zur Steuerung der Sensiermittel,
Anordnen von Energieversorgungsmitteln zur Energieversorgung des Sensormoduls sowie
Anordnen von Übertragungsmitteln zur Übertragung von Signalen des Sensiermittels,
wobei zumindest drei der Mittel auf Chipebene jeweils in einen Chip integriert angeordnet werden. - Vorteile der Erfindung
- Einer der erzielten Vorteile ist, dass dadurch eine gesteigerte Integrationsdichte ermöglicht wird. Ein weiterer Vorteil ist, dass damit kleinere Bauformen ermöglicht werden und so eine einfachere und auch nachträgliche Um- bzw. Aufrüstung bestehender Installationen/Gebäude oder auch Gegenstände mit elektronischer Steuerung und Regelung mittels des mikroelektromechanischen Sensormoduls ermöglicht wird. Insgesamt wird auch eine kostengünstigere Herstellung ermöglicht.
- Selbstverständlich können die jeweiligen Mittel auf den jeweiligen Chips platzoptimiert angeordnet werden, so dass das Volumen des jeweiligen Chips minimal ist. Darüber hinaus können auch die Chips untereinander derart angeordnet werden, so dass der Bauraum des Sensormoduls möglichst klein ist. Dabei können die Chips neben- und/oder übereinander angeordnet werden.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind alle Mittel auf Chipebene jeweils in einem Chip integriert. Dies ermöglicht ein vollständig chip-level integriertes und auch autonomes Sensormodul, das heißt das Sensormodul ist unabhängig von einer äußeren Energieversorgung und weist eine hohe Integrationsdichte bei gleichzeitig kleiner Bauform auf.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung umfassen die Energieversorgungsmittel eine Batterie, insbesondere eine Dünnschichtbatterie und/oder einen Umgebungsenergiewandler, insbesondere eine Solarzelle. Der erzielte Vorteil dabei ist, dass damit ein vollständig autonomes mikroelektromechanisches Sensormodul ermöglicht wird. Der Umgebungsenergiewandler ermöglicht es, die Batterie wieder aufzuladen, die zur Energieversorgung des mikroelektromechanischen Sensormoduls dient. Damit erhöht sich die autonome Lebensdauer des mikroelektromechanischen Sensormoduls.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung umfassen die Übertragungsmittel eine Hochfrequenzschnittstelle und/oder eine Antenne. Der erzielte Vorteil dabei ist, dass damit eine aufwändige Verkabelung des mikroelektromechanischen Sensormoduls entfallen kann und eine einfache Integration bzw. Nachrüstung in bestehende Anwendungen ermöglicht wird.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind zumindest zwei der Mittel auf einem gemeinsamen Chip angeordnet, insbesondere jeweils zwei der Mittel. Dies ermöglicht eine noch weitergehende Integration und damit eine noch kleinere Bauform des mikroelektromechanischen Sensormoduls.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind Durchkontaktierungen zur Kontaktierung der Chips untereinander und/oder mit einer Leiterplatte angeordnet. Der erzielte Vorteil damit ist, dass damit auch die Kontaktierungen in einzelne Chips integriert werden können, was die Integrationsdichte noch weiter vergrößert. Gleichzeitig sind Durchkontaktierungen gegenüber Drahtbonden auch weniger anfällig in Bezug auf Umwelteinflüsse. Die Lebensdauer des mikroelektromechanischen Sensormoduls wird damit erhöht.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind die Durchkontaktierungen am Rand des jeweiligen Chips angeordnet und/oder zumindest ein Teil der Durchkontaktierungen ist als Antenne ausgebildet. Der erzielte Vorteil damit ist, dass damit die Integrationsdichte noch weiter erhöht wird, da die Antennenstruktur mittels am Chiprand angeordneter Durchkontaktierungen realisiert werden kann. Daneben ist es ebenfalls möglich, die Antennen als fraktale Antennen oder auch die Antennen aus Metamaterialien auszuführen.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung umfasst die Solarzelle eine Kollektorverdrahtung und die Kollektorverdrahtung ist als Übertragungsmittel, insbesondere als Antenne ausgebildet. Dies ermöglicht eine besonders vorteilhafte Kombination der Solarzelle und der Antenne. Da eine Solarzelle auf ihrer Außenseite in der Regel eine Kollektorverdrahtung, auch Busbar genannt, benötigt, kann diese gleichzeitig oder auch beispielsweise durch eine Unterteilung der Nutzungszeit in verschiedene Zeitabschnitte teilweise auch als Antenne genutzt werden. Damit wird die Integrationsdichte noch weiter gesteigert und der Bauraum des mikroelektromechanischen Sensormoduls noch weiter verkleinert.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert und in der Zeichnung dargestellt. Dabei zeigt:
-
1 ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt; -
2 ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt; -
3 ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt; -
4 ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt; -
5 ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt; -
6 ein bereits bekanntes Sensormodul im Querschnitt. - Ausführungsformen der Erfindung
- In
1 zeichnet Bezugszeichen1 ein mikroelektromechanisches Sensormodul im Querschnitt, welches auf einer Leiterplatte2 angeordnet ist. Das mikroelektromechanische Sensormodul1 weist einen ersten Chip5 auf, welcher eine dreidimensionale Dünnschichtbatterie5a umfasst. Der Chip5 ist dabei direkt auf der Leiterplatte2 angeordnet und mit dieser über eine Durchkontaktierung10a verbunden, die auf der linken Seite des Chips3 angeordnet ist. Auf dem ersten Chip5 ist ein weiterer Chip3 angeordnet, welcher Sensiermittel3a zur Messung einer Beschleunigung enthält. Diese sind über Durchkontaktierungen10a auf der linken Seite des Chips3 mit dem darunter liegenden Chip5 verbunden. Auf dem Chip3 ist ein weiterer Chip4 angeordnet. Der Chip4 umfasst dabei eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung4b und Übertragungsmittel4a in Form einer Hochfrequenz-Schnittstelle. Auf seiner linken Seite ist der Chip4 über eine Durchkontaktierung10a mit dem Chip3 und weiter mit dem Chip5 und der Leiterplatte2 verbunden. Auf dem Chip4 ist ein weiterer Chip6 angeordnet, der eine Solarzelle6a aufweist. Auf der linken Seite des im Querschnitt dargestellten mikroelektromechanischen Sensormodul1 sind Durchkontaktierungen10a angeordnet, welche den Chip6 mit dem Chip4 und weiter mit dem Chip3 , dem Chip5 und schließlich der Leiterplatte2 verbinden.1 zeigt ein vollständig chip-level integriertes autonomes mikroelektromechanisches Sensormodul1 mit diskreten Chips3 ,4 ,5 ,6 für die einzelnen Funktionen. Dabei ist es möglich, die Hochfrequenz-Schnittstelle4a bzw. die Funkschnittstelle als Teil der anwendungsspezifischen integrierten Schaltung4b auszuführen. -
2 zeigt ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt. In2 bezeichnet Bezugszeichen1 wiederum ein mikroelektromechanisches Sensormodul. Das Sensormodul1 weist eine Leiterplatte2 auf, die in einem Gehäuse H angeordnet ist. Die Leiterplatte2 weist auf ihrer linken Oberseite einen Chip3 auf, der auf seiner Unterseite eine dreidimensionale Dünnschichtbatterie5a aufweist und auf seiner Oberseite Sensiermittel3a zur Messung einer Beschleunigung. Über Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite ist der Chip3 mit der Leiterplatte2 elektrisch verbunden. Auf seiner rechten Seite ist eine weitere Durchkontaktierung10a angeordnet, die mit einem auf dem Chip3 angeordneten weiteren Chip4 verbunden ist. Der Chip4 weist eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung4a auf. Auf seiner linken Seite ist der Chip4 ebenfalls mit dem Chip3 über Durchkontaktierungen10a verbunden. Der Chip3 sowie der Chip5 sind dabei vollständig innerhalb des Gehäuses H angeordnet. Auf der rechten Seite des Chips3 ist ein weiterer Chip6 mit einer Solarzelle6a angeordnet. Der Chip6 ist ebenfalls auf der Leiterplatte2 angeordnet. Damit die Solarzelle6a des Chips6 Licht empfangen kann, welches durch die Solarzelle6a in elektrische Energie umgewandelt wird, weist das Gehäuse H oberhalb der Solarzelle6a eine entsprechende Aussparung A auf. Insgesamt ermöglicht die Ausführungsform der2 eine noch höhere Chip-Level-Integration. Das in2 gezeigte mikroelektromechanische Sensormodul1 kann beispielsweise als photovoltaische oder elektromagnetische Strahlungs-Energiewandler, als Antenne zur Funkübertragung, als Batterie etc. dienen. -
3 zeigt ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt. In3 bezeichnet Bezugszeichen1 wiederum ein mikroelektromechanisches Sensormodul. Das mikroelektromechanische Sensormodul1 der3 ist von unten nach oben wie folgt aufgebaut: Auf einer Leiterplatte2 ist ein Chip3 angeordnet. Der Chip3 ist über Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite mit der Leiterplatte2 und über weitere Durchkontaktierungen auf der rechten Seite mit einem Chip4 verbunden, welcher auf dem Chip3 angeordnet ist. Der Chip3 umfasst dabei Sensiermittel3a zur Messung eines Druckes sowie eine Dünnschichtbatterie5a . Der Chip4 umfasst dabei eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung4b und eine drahtlose Funkschnittstelle4a . Chip4 ist über Durchkontaktierungen10a auf seiner rechten Seite mit dem Chip3 genauer mit der Dünnschichtbatterie5a verbunden und ebenfalls über weitere Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite mit dem Chip3 . Auf dem Chip4 ist ein weiterer Chip6 angeordnet, welcher eine Solarzelle6a umfasst. Die Solarzelle6a ist dabei über Drahtbonden10b mit dem Chip3 verbunden. -
4 zeigt ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt. Das mikroelektromechanische Sensormodul1 der4 weist dabei den folgenden Aufbau von unten nach oben auf: Auf einer Leiterplatte2 ist ein Chip3 angeordnet, welcher eine Dünnschichtbatterie5a auf seiner Unterseite sowie eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung4b auf seiner Oberseite umfasst. Der Chip3 ist über Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite mit der Leiterplatte2 und mit einem Chip4 verbunden, der auf dem Chip3 angeordnet ist. Der Chip4 umfasst dabei Sensiermittel3a zur Messung eines Druckes. Der Chip4 ist über Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite mit dem darunterliegenden Chip3 sowie mit einem auf dem Chip4 angeordneten Chip5 verbunden. Der Chip5 umfasst eine drahtlose Kommunikationsschnittstelle4a . Der Chip5 ist über Durchkontaktierungen10a mit dem darunter liegenden Chip4 und weiter mit dem Chip3 und der Leiterplatte2 verbunden. Über Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite ist der Chip5 auch mit einem weiteren Chip6 , welcher auf dem Chip5 angeordnet ist, verbunden. Der Chip6 umfasst dabei eine Solarzelle6a an seiner Oberseite. Der Chip6 ist über Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite mit den darunter liegenden Chips5 ,4 ,3 und der Leiterplatte2 verbunden. An den Rändern der Solarzelle6a ist eine Antenne7 angeordnet, welche in Form von Durchkontaktierungen10a ausgebildet ist. -
5 zeigt ein mikroelektromechanisches Sensormodul gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Querschnitt. Das mikroelektromechanische Sensormodul1 der5 weist folgenden Aufbau von unten nach oben auf. Auf der Leiterplatte2 ist ein Chip3 angeordnet, welcher auf seiner Unterseite eine Dünnschichtbatterie5a aufweist und auf seiner Oberseite Sensiermittel3a zur Messung einer Beschleunigung. Über Durchkontaktierungen10a auf seiner linken Seite ist der Chip3 und damit die Dünnschichtbatterie5a und die Sensiermittel3a mit der Leiterplatte2 einerseits und andererseits mit einem auf dem Chip3 angeordneten weiteren Chip6 verbunden. Der Chip6 weist auf seiner Unterseite eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung4b auf sowie eine drahtlose Schnittstelle4a . Auf seiner Oberseite weist der Chip6 eine Solarzelle6a auf. Der Chip6 und damit die anwendungsspezifische integrierte Schaltung4b , die drahtlose Kommunikationsschnittstelle4a sowie die Solarzelle6a sind über Durchkontaktierungen10a auf der linken Seite des Chips6 mit dem darunter liegenden Chip3 und weiter mit der Leiterplatte2 elektrisch leitend verbunden. Das in5 gezeigte mikroelektromechanische Sensormodul1 weist eine hohe Integrationsdichte auf durch Integration von zumindest zwei Funktionen auf jeweils verbundenen Chips3 und6 : Dünnschichtbatterie5a und Sensiermittel3a sind auf einem gemeinsamen Chip3 angeordnet ebenso wie anwendungsspezifische integrierte Schaltung4b mit drahtloser Schnittstelle4a und Solarzelle6a bzw. Energy-Harvester in einem zweiten Chip6 . -
6 zeigt ein bereits bekanntes Sensormodul im Querschnitt. In6 bezeichnet Bezugszeichen1 ein mikroelektromechanisches Sensormodul1 . Das mikroelektromechanische Sensormodul1 umfasst dabei eine Leiterplatte2 , auf der ein Chip3 mit Sensiermitteln3a angeordnet ist. Der Chip3 ist dabei mittels Drahtbonden10b mit der Leiterplatte2 verbunden. Auf der Oberseite des Chips3 ist ein weiterer Chip4 angeordnet, welcher eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung4a umfasst. Über Durchkontaktierungen10a ist der Chip4 mit dem Chip3 verbunden. - Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde ist sie nicht darauf beschränkt sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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- DE 102005041539 B4 [0004]
Claims (9)
- Mikroelektromechanisches Sensormodul (
1 ), umfassend Sensiermittel (3a ), insbesondere zur Messung einer Beschleunigung, eines Drucks oder einer Luftfeuchtigkeit, ein Steuerungsmittel (4b ) zur Steuerung des Sensormoduls (1 ), Energieversorgungsmittel (6a ,5a ) zur Energieversorgung des Sensormoduls (1 ) sowie Übertragungsmittel (4a ,7 ) zur Übertragung von Signalen des Sensiermittels (3a ), wobei zumindest drei der Mittel (3a ,4a ,4b ,5a ,6a ) auf Chipebene jeweils in einem Chip (3 ,4 ,5 ,6 ) integriert sind. - Sensormodul gemäß Anspruch 1, wobei alle Mittel (
3a ,4a ,4b ,5a ,6a ) auf Chipebene in jeweils einem Chip (3 ,4 ,5 ,6 ) integriert sind. - Sensormodul gemäß zumindest einem der Ansprüche 1–2, wobei die Energieversorgungsmittel (
5a ,6a ) eine Batterie (5a ), insbesondere eine Dünnschichtbatterie, und/oder einen Umgebungsenergiewandler, insbesondere eine Solarzelle (6a ) umfassen. - Sensormodul gemäß zumindest einem der Ansprüche 1–3, wobei die Übertragungsmittel (
4a ) eine Hochfrequenzschnittstelle und/oder eine Antenne (7 ) umfassen. - Sensormodul gemäß zumindest einem der Ansprüche 1–4, wobei wobei zumindest zwei der Mittel (
3a ,4a ,4b ,5a ,6a ) auf einem gemeinsamen Chip (3 ,4 ,5 ,6 ) angeordnet sind, insbesondere jeweils zwei der Mittel (3a ,4a ,4b ,5a ,6a ). - Sensormodul gemäß zumindest einem der Ansprüche 1–5, wobei Durchkontaktierungen (
10a ) zur Kontaktierung der Chips (3 ,4 ,5 ,6 ) untereinander und/oder mit einer Leiterplatte (2 ) angeordnet sind. - Sensormodul gemäß zumindest einem der Ansprüche 1–6, wobei die Durchkontaktierungen (
10a ) am Rand des jeweiligen Chips (3 ,4 ,5 ,6 ) angeordnet sind und zumindest ein Teil der Durchkontaktierungen (10a ) als Antenne (7 ) ausgebildet ist. - Sensormodul gemäß zumindest einem der Ansprüche 1–7, wobei die Solarzelle (
6a ) eine Kollektorverdrahtung umfasst und die Kollektorverdrahtung als Übertragungsmittel (7 ), insbesondere als Antenne ausgebildet ist. - Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Sensormoduls gemäß zumindest einem der Ansprüche 1 bis 8, umfassend die Schritte, Anordnen von Sensiermitteln (
3a ), insbesondere zur Messung einer Beschleunigung, eines Drucks oder einer Luftfeuchtigkeit, Anordnen eines Steuerungsmittels (4b ) zur Steuerung der Sensiermittel (3a ), Anordnen von Energieversorgungsmitteln (6a ,5a ) zur Energieversorgung des Sensormoduls (1 ), sowie Anordnen von Übertragungsmitteln (4a ,7 ) zur Übertragung von Signalen des Sensiermittels (3a ) wobei zumindest drei der Mittel (3a ,4a ,4b ,5a ,6a ) auf Chipebene jeweils in einem Chip (3 ,4 ,5 ,6 ) integriert angeordnet werden.
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---|---|---|---|---|
DE102004011159A1 (de) * | 2003-06-24 | 2005-04-28 | 3D Detektion Gmbh | Anordnung zur Überwachung des Zustands von Fahrzeug- oder Gebäudeöffnungen verschließenden Einrichtungen, wie Fenster oder Türen |
DE102004011129A1 (de) | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Soós, Kálmán von, Dr.-Ing. | Riegelsystem für Türe und Fenster |
US7429787B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-09-30 | Stats Chippac Ltd. | Semiconductor assembly including chip scale package and second substrate with exposed surfaces on upper and lower sides |
JP2006333328A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 無線チップ及びそれを用いたセンサ |
DE102005041452A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Infineon Technologies Ag | Dreidimensional integrierte elektronische Baugruppe |
GB0605188D0 (en) * | 2006-03-16 | 2006-04-26 | Pte Ltd | Lifetime damage monitor |
US8338936B2 (en) * | 2008-07-24 | 2012-12-25 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and manufacturing method |
US20100127937A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-05-27 | Qualcomm Incorporated | Antenna Integrated in a Semiconductor Chip |
EP2221750A1 (de) * | 2009-02-10 | 2010-08-25 | EM Microelectronic-Marin SA | Chip-Karte mit einem Sensor, und Verfahren zur Herstellung der Chip-Karte |
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Patent Citations (1)
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---|---|---|---|---|
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