DE102010029133A1 - Method and device for characterization of pyramidal surface structures on a substrate - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Charakterisierung von pyramidalen Oberflächenstrukturen auf einem Substrat. Es enthält die Verfahrensschritte Beaufschlagen der Substratoberfläche mit insbesondere Laserlicht, Erfassen eines durch die Substratoberfläche erzeugten Reflexionsmusters des Lichtstrahles, Auswertung des Reflexionsmusters mit einer Intensitätsbestimmung mindestens eines durch Seitenflanken der pyramidalen Oberflächenstrukturen erzeugten gerichteten pyramidalen Reflexionsmaximums, eines durch Kanten der pyramidalen Oberflächenstrukturen erzeugten diffusen Reflexionsbandes und eines durch ebene Fehlstellen erzeugten Fehlstellenmaximums.The invention relates to a method and a device for characterizing pyramidal surface structures on a substrate. It contains the steps of applying laser light to the substrate surface in particular, detecting a reflection pattern of the light beam generated by the substrate surface, evaluating the reflection pattern with an intensity determination of at least one directed pyramidal reflection maximum generated by side flanks of the pyramidal surface structures, a diffuse reflection band generated by the edges of the pyramidal surface structures and a maximum defects generated by plane defects.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung von pyramidalen Oberflächenstrukturen auf einem Substrat gemäß Anspruch 1 und eine Vorrichtung hierfür gemäß Anspruch 11.The invention relates to a method for the characterization of pyramidal surface structures on a substrate according to claim 1 and an apparatus therefor according to claim 11.

Stand der TechnikState of the art

Pyramidale Oberflächenstrukturen werden beispielsweise zur Anti-Reflex-Oberflächenstrukturierung von einkristallinen Siliziumwafern, die zur Fertigung von Solarzellen bestimmt sind, verwendet. Durch das Erzeugen derartiger Strukturen kann die Oberfläche der dem Sonnenlicht zugewandten Seite so gestaltet werden, dass Reflexionen gemindert werden und so die Effizienz der Solarzellen gesteigert wird. Hierzu werden die Substrate nasschemisch behandelt, dass sich auf deren Oberfläche die gewünschte Oberflächenstruktur herausbildet. Diese besteht aus einer Vielzahl von mikroskopisch kleinen Einzelpyramiden. Jede Einzelpyramide entsteht dabei zufällig, deren Größe schwankt innerhalb eines gewissen Toleranzbereiches, die aus ihnen gebildete Gesamtstruktur ist allerdings über die gesamte Oberfläche in einer jeweils gegebenen Kristallrichtung orientiert. Bei einem aus einem Einkristall gebildeten Substrat bildet sich somit auf der Oberfläche eine einheitliche Orientierung mit größeren und kleineren Zufallspyramiden, so genannten „random pyramids”, aus.Pyramidal surface structures are used, for example, for the anti-reflection surface structuring of monocrystalline silicon wafers intended for the production of solar cells. By creating such structures, the surface of the sunlight-facing side can be designed so that reflections are reduced and thus the efficiency of the solar cells is increased. For this purpose, the substrates are wet-chemically treated so that the desired surface structure is formed on their surface. This consists of a large number of microscopic single pyramids. Each individual pyramid arises randomly, the size fluctuates within a certain tolerance range, but the overall structure formed from them is oriented over the entire surface in a given crystal direction. In the case of a substrate formed from a single crystal, a uniform orientation with larger and smaller random pyramids, so-called "random pyramids", thus forms on the surface.

Für die weitere Verarbeitung ist es unerlässlich, die Größe und Größenverteilung der Zufallspyramiden zu bestimmen, denn diese beeinflussen neben den Reflexionseigenschaften auch die elektrischen Eigenschaften von später in Form von Busbars oder Fingern auf dem Substrat aufgebrachten Kontaktbahnen.For further processing, it is indispensable to determine the size and size distribution of the random pyramids, because these influence not only the reflection properties but also the electrical properties of later applied in the form of busbars or fingers on the substrate contact paths.

Zur Charakterisierung derartiger Oberflächenstrukturen werden rasterelektronenmikroskopische Aufnahmetechniken mit einer sich daran anschließenden Bildauswertung angewendet. Dies ist allerdings ein kostenintensiver, aufwändiger und zeitraubender Prozess, der sich nicht für eine schnelle oder sogar fertigungsnahe Prozesskontrolle eignet.To characterize such surface structures, scanning electron micrographs are used with subsequent image analysis. However, this is a costly, time-consuming and time-consuming process that is not suitable for rapid or even production-related process control.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Es ist daher Ziel, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Charakterisierung pyramidaler Oberflächenstrukturen auf einem Träger anzugeben, mit der die Größe und Größenverteilung in der Pyramidenstruktur schnell und zuverlässig im Rahmen des Fertigungsprozesses bestimmt werden kann und eine hinreichend genaue Aussage über die Homogenität der Gesamtstruktur möglich wird.It is therefore an object to provide a method and a device for characterizing pyramidal surface structures on a support, with which the size and size distribution in the pyramid structure can be determined quickly and reliably within the manufacturing process and a sufficiently accurate statement about the homogeneity of the overall structure is possible ,

Die Lösung erfolgt mit einem Verfahren gemäß der Lehre des Anspruchs 1 und mit einer Vorrichtung mit der Merkmalskombination des Anspruchs 11.The solution is achieved with a method according to the teaching of claim 1 and with a device with the feature combination of claim 11.

Zur Charakterisierung von pyramidalen Oberflächenstrukturen auf einem Substrat sind folgende Verfahrensschritte vorgesehen:
Es erfolgt ein Erzeugen eines Lichtstrahles gerichtet auf die Substratoberfläche, anschließend wird ein Reflexionsmuster des von der Substratoberfläche reflektierten Lichtes erfasst. Das Reflexionsmuster wird ausgewertet, wobei eine Ermittlung von Intensitäten von durch Teilelemente der Oberflächenstruktur erzeugten Abschnitten des Reflexionsmusters erfolgt. Anschließend erfolgt ein Bestimmen von Parametern zur Charakterisierung der pyramidalen Oberflächenstruktur aus den ermittelten Intensitäten.To characterize pyramidal surface structures on a substrate, the following process steps are provided:
There is a generation of a light beam directed at the substrate surface, then a reflection pattern of the light reflected from the substrate surface is detected. The reflection pattern is evaluated, whereby a determination of intensities of sections of the reflection pattern generated by sub-elements of the surface structure takes place. Subsequently, parameters for characterizing the pyramidal surface structure are determined from the determined intensities.

Zweckmäßigerweise erfolgt die Auswertung des Reflexionsmusters mit einer Intensitätsbestimmung mindestens eines durch Seitenflanken der pyramidalen Oberflächenstrukturen erzeugten gerichteten pyramidalen Reflexionsmaximums, eines durch Kanten der pyramidalen Oberflächenstrukturen erzeugten diffusen Reflexionsbandes und eines durch ebene Fehlstellen erzeugten Fehlstellenmaximums.Expediently, the evaluation of the reflection pattern is carried out with an intensity determination of at least one directional pyramidal reflection maximum generated by side flanks of the pyramidal surface structures, a diffuse reflection band produced by edges of the pyramidal surface structures and a flaw maximum generated by flat flaws.

Die gesamte Charakterisierung erfolgt somit durch Lichtreflexion und daher berührungslos. Das Verfahren greift vollständig auf die physikalischen Gesetze der Lichtreflexion zurück. Es erfordert daher keinen großen apparativen Aufwand, ist von seinem Ablauf her beträchtlich schneller als die rasterelektronenmikroskopischen Aufnahmeverfahren und kann daher ohne weiteres in einen bestehenden Fertigungsprozess auch zur serienmäßigen Kontrolle einer Vielzahl von Substraten bei deren Herstellung oder Bearbeitung eingefügt werden.The entire characterization is thus carried out by light reflection and therefore contactless. The process fully relies on the physical laws of light reflection. Therefore, it does not require much equipment, is considerably faster in its operation than the scanning electron micrographs and therefore can be easily inserted into an existing manufacturing process for the serial control of a variety of substrates in their production or processing.

Bei einer ersten Ausführungsform erfolgt eine Größenmessung der pyramidalen Oberflächenstrukturen dadurch, indem ein Verhältnis zwischen Anfangsintensität des einfallenden Lichtstrahles zum Intensitätsanteil des pyramidalen Reflexionsmaximums ermittelt wird. Die Lichtanteile des pyramidalen Reflexionsmaximums sind proportional zur Größe der reflektierenden Pyramidenflächen und geben daher einen ersten Aufschluss über deren vorliegende Durchschnittsgröße.In a first embodiment, a size measurement of the pyramidal surface structures takes place by determining a ratio between the initial intensity of the incident light beam and the intensity component of the pyramidal reflection maximum. The light components of the pyramidal reflection maximum are proportional to the size of the reflective pyramid surfaces and therefore give a first indication of their average size.

Bei einer verfeinerten Ausgestaltung erfolgt eine Größenmessung der pyramidalen Oberflächenstrukturen dadurch, indem eine vergleichende Messung des Intensitätsanteils des pyramidalen Reflexionsmaximums, eines Intensitätsanteils des diffusen Reflexionsbandes und eines Intensitätsanteils des Fehlstellenmaximums ausgeführt wird. Dabei erfolgt eine Messwertkalibrierung unter Verwendung von Referenzsubstraten mit bekannten Oberflächenstrukturen.In a more refined embodiment, a size measurement of the pyramidal surface structures takes place in that a comparative measurement of the intensity component of the pyramidal reflection maximum, of an intensity component of the diffuse reflection band and of an intensity component of the defect maximum is performed. In this case, a measured value calibration is performed using of reference substrates with known surface structures.

Die Messung einer Größenverteilung der pyramidalen Oberflächenstrukturen wird ausgeführt, indem eine Veränderung eines Querschnittes des einfallenden Lichtstrahles erfolgt. Dabei werden die Verhältnisse der Intensitätsanteile des Reflexionsmusters in Abhängigkeit von der Querschnittsveränderung erfasst und eine gewonnene Intensitätsfunktion ausgewertet. Die Querschnittsveränderung des Lichtstrahles ist sensitiv auf die reflektierenden Bereiche der Oberflächenstruktur. Die auftretenden Intensitäten im Reflexionsmuster sind dann eine direkte Abbildung der Größenverteilung der Zufallspyramiden auf der Trägeroberfläche.The measurement of a size distribution of the pyramidal surface structures is carried out by changing a cross section of the incident light beam. In this case, the ratios of the intensity components of the reflection pattern are detected as a function of the change in cross-section, and an acquired intensity function is evaluated. The cross-sectional change of the light beam is sensitive to the reflective areas of the surface structure. The occurring intensities in the reflection pattern are then a direct representation of the size distribution of the random pyramids on the carrier surface.

Die Auswertung der Intensitätsfunktion kann zweckmäßigerweise als ein Proportionalitätstest zwischen der Querschnittsveränderung und der daraus resultierenden veränderlichen Intensitätsanteile ausgeführt werden. Wenn diese Abhängigkeit nicht proportional ist, liegt ein negatives Testergebnis vor. Bei einem solchen negativen Testergebnis wird der eingestrahlte Lichtstrahl über das Substrat verfahren. In Verbindung damit erfolgt eine Toleranzmessung der Intensitätsanteile des Reflexionsmusters. Aus dem Ergebnis der Toleranzmessung wird dann die Größenverteilung der pyramidalen Oberflächenstrukturen ermittelt.The evaluation of the intensity function may conveniently be carried out as a proportionality test between the cross-sectional change and the resulting variable intensity components. If this dependency is not proportional, there is a negative test result. In such a negative test result, the irradiated light beam is moved over the substrate. In conjunction therewith, a tolerance measurement of the intensity components of the reflection pattern takes place. The size distribution of the pyramidal surface structures is then determined from the result of the tolerance measurement.

Die Messungen der Größe und die Messung der Größenverteilung können auch miteinander kombiniert werden. Dabei wird während einer Relativbewegung zwischen dem einfallenden Lichtstrahl und dem Träger der Querschnitt des Lichtstrahles zur Messung der Größenverteilung wie beschrieben verändert und bei einem Maximalquerschnitt des Lichtstrahles die Größenmessung der Pyramiden in der oben beschriebenen Weise ausgeführt.The measurements of the size and the measurement of the size distribution can also be combined with each other. In this case, during a relative movement between the incident light beam and the carrier, the cross section of the light beam for measuring the size distribution is changed as described, and at a maximum cross section of the light beam, the size measurement of the pyramids is carried out in the manner described above.

Ergänzend ist auch eine Variation eines horizontalen Einfallswinkels des Lichtstrahles ausführbar. Die oben beschriebenen Verfahrensschritte ändern sich dadurch nicht. Mit einer solchen Variation ist die Orientierung der Pyramiden auf dem Träger sehr einfach feststellbar.In addition, a variation of a horizontal angle of incidence of the light beam can be executed. The method steps described above do not change as a result. With such a variation, the orientation of the pyramids on the support is very easy to detect.

Die Auswertung des Reflexionsmusters kann auf verschiedene Weise erfolgen. Bei einer ersten Ausführungsform erfolgt die Auswertung des Reflexionsmusters über eine Bildauswertung unter Anwendung einer Bilderfassung, insbesondere einer Schirmprojektion oder einer Projektion auf ein Sensorarray. Alternativ ist auch die Auswertung des Reflexionsmusters durch eine Reihe von verteilten Einzellichtsensoren möglich.The evaluation of the reflection pattern can be done in different ways. In a first embodiment, the evaluation of the reflection pattern takes place via an image evaluation using image acquisition, in particular a screen projection or a projection on a sensor array. Alternatively, the evaluation of the reflection pattern by a series of distributed individual light sensors is possible.

Eine Vorrichtung zur Charakterisierung von pyramidalen Oberflächenstrukturen auf einem Substrat enthält erfindungsgemäß eine auf das Substrat gerichtete Lichtquelle zum Erzeugen eines Lichtstrahles, eine Aufnahme- und Transportvorrichtung für das Substrat, eine im Reflexionsbereich des Lichtstrahles angeordnete Erfassungsvorrichtung für ein von dem Träger erzeugtes Reflexionsmuster und eine Auswertevorrichtung für Intensitätsmaxima des Reflexionsmusters.A device for characterizing pyramidal surface structures on a substrate according to the invention comprises a directed onto the substrate light source for generating a light beam, a receiving and transporting device for the substrate, arranged in the reflection region of the light beam detection device for a generated by the carrier reflection pattern and an evaluation device for Intensity maxima of the reflection pattern.

Die Lichtquelle kann eine Strahloptik zum Erzeugen eines veränderlichen Strahlquerschnitts aufweisen. Als Lichtquelle wird vorzugsweise eine Laservorrichtung verwendet. Die Erfassungsvorrichtung enthält bei einer ersten Ausführungsform eine Bilderfassungseinheit, insbesondere ein Sensorarray. Bei einer weiteren Ausführungsform enthält die Erfassungsvorrichtung eine Gruppe aus Einzelsensoren.The light source may have a beam optics for generating a variable beam cross section. As the light source, a laser device is preferably used. In a first embodiment, the detection device contains an image acquisition unit, in particular a sensor array. In another embodiment, the detection device includes a group of individual sensors.

Die Auswertevorrichtung ist zweckmäßigerweise als eine mit der Aufnahme- und Transportvorrichtung, der Strahloptik und der Erfassungsvorrichtung gekoppelte elektronische Steuer- und Verarbeitungseinheit, insbesondere ein Computer, mit einem Steuer-, Mess- und Auswerteprogramm ausgebildet.The evaluation device is expediently designed as an electronic control and processing unit, in particular a computer, coupled to the receiving and transport device, the beam optics and the detection device, with a control, measurement and evaluation program.

Zeichnungendrawings

Das erfindungsgemäße Verfahren soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Zur Verdeutlichung dienen die 1a bis 5. Es werden für gleiche oder gleich wirkende Teile die selben Bezugszeichen verwendet.The method according to the invention will be explained in more detail below with reference to exemplary embodiments. To clarify serve the 1a to 5 , The same reference numbers are used for identical or identically acting parts.

Es zeigen:Show it:

1a eine schematische Darstellung eines Trägers mit einer pyramidalen Oberflächenstruktur und einer Fehlstelle in einer Draufsicht, 1a a schematic representation of a carrier with a pyramidal surface structure and a defect in a plan view,

1b eine vergrößerte Darstellung einer Einzelpyramide in einer Draufsicht, 1b an enlarged view of a single pyramid in a plan view,

2a eine Darstellung der Reflexionsverhältnisse an einer Einzelpyramide in einer Seitenansicht quer zur Lichteinfallsrichtung, 2a a representation of the reflection conditions on a single pyramid in a side view transverse to the light incident direction,

2b eine Darstellung der Reflexionsverhältnisse an einer Einzelpyramide in einer in Richtung des Lichteinfalls orientierten Sicht, 2 B a representation of the reflection conditions on a single pyramid in a direction of incidence oriented view,

3a ein Reflexionsmuster der pyramidalen Oberflächenstruktur ohne Fehlstellen, 3a a reflection pattern of the pyramidal surface structure without defects,

3b ein Reflexionsmuster der pyramidalen Oberflächenstruktur mit vorhandenen Fehlstellen, 3b a reflection pattern of the pyramidal surface structure with existing defects,

4 eine erste beispielhafte Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens, 4 a first exemplary device for carrying out the method,

5 eine zweite beispielhafte Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens. 5 a second exemplary apparatus for carrying out the method.

1a zeigt eine schematische Darstellung eines Substrate mit einer pyramidalen Oberflächenstruktur und einer Fehlstelle in einer Draufsicht. Die 1a zeigt ein Substrat T, dessen Oberfläche von einer Vielzahl von Einzelpyramiden P übersät ist. Die Pyramiden entstehen beispielsweise durch ein nasschemisches Ätzen eines Einkristalls. Die Größe und die Position jeder einzelnen Pyramide ist zufällig, allerdings ist jede Pyramide in eine durch den Einkristall vorgegebene Einheitsrichtung orientiert. Die Pyramiden sind somit nicht gegeneinander verdreht. Innerhalb der pyramidalen Oberfläche ist eine Fehlstelle E angedeutet. An dieser Stelle fehlen die Pyramiden. Die Oberfläche des Trägers ist dort eben. 1a shows a schematic representation of a substrate having a pyramidal surface structure and a defect in a plan view. The 1a shows a substrate T, the surface of which is covered by a plurality of individual pyramids P. The pyramids are formed, for example, by a wet-chemical etching of a single crystal. The size and position of each pyramid is random, but each pyramid is oriented in a unitary direction dictated by the single crystal. The pyramids are thus not twisted against each other. Within the pyramidal surface a defect E is indicated. At this point, the pyramids are missing. The surface of the carrier is there even.

Erfindungsgemäß wird die Lichtreflexion der gegebenen pyramidalen Oberflächenstruktur ausgewertet. Hierzu wird ein Lichtstrahl L auf die Oberfläche gerichtet. Die pyramidale Oberflächenstruktur reflektiert als Ganzes den einfallenden Lichtstrahl in eine Reihe von reflektierten Lichtkomponenten RL die sich in Form eines Reflexionsmusters anordnen, wie im folgenden näher erläutert wird.According to the invention, the light reflection of the given pyramidal surface structure is evaluated. For this purpose, a light beam L is directed onto the surface. The pyramidal surface structure as a whole reflects the incident light beam into a series of reflected light components RL which are arranged in the form of a reflection pattern, as will be explained in more detail below.

Da die Einzelpyramiden nicht gegeneinander verdreht, sondern in einer Einheitsrichtung orientiert sind, kann mit hinreichender Genauigkeit davon ausgegangen werden, dass die gesamte pyramidale Oberflächenstruktur das eingestrahlte Licht im wesentlichen wie eine einzelne Pyramide reflektiert. Daher genügt für die nachfolgende Beschreibung die Darstellung der Lichtreflexion an einer Einzelpyramide.Since the individual pyramids are not rotated against each other but are oriented in a unitary direction, it can be assumed with sufficient accuracy that the entire pyramidal surface structure reflects the incident light substantially like a single pyramid. Therefore, the representation of the light reflection on a single pyramid is sufficient for the following description.

1b zeigt eine derartige Einzelpyramide P in einer Draufsicht. Die Pyramide besteht aus einer Reihe von Seitenflächen S und Kanten K. Das durch diese Abschnitte erzeugte Reflexionsmuster ist daher nicht homogen oder diffus, wie dies bei Oberflächen mit einer zufälligen Rauhigkeit der Fall ist. Vielmehr zeigt die gesamte pyramidale Oberflächenstruktur ein für derartige Strukturen typisches Reflexionsmuster. 1b shows such a single pyramid P in a plan view. The pyramid consists of a series of side surfaces S and edges K. The reflection pattern generated by these sections is therefore not homogeneous or diffuse, as is the case with surfaces with random roughness. Rather, the entire pyramidal surface structure shows a reflection pattern typical of such structures.

Die 2a und 2b erläutern die Reflexionen an einer Einzelpyramide genauer. Dabei wird davon ausgegangen, dass die Einzelpyramiden trotz ihrer mikroskopischen Abmessungen als makroskopische reflektierende Körper aufgefasst werden können, sodass auf die Reflexionsgesetze der Strahlenoptik zurückgegriffen werden kann. Die Untersuchung der pyramidalen Oberflächenstruktur mittels Lichtreflexion baut auf der Tatsache auf, dass die Pyramidenstrukturen trotz der mikroskopisch kleinen Abmessungen optisch reflektierende Eigenschaften aufweisen und wie eine Gesamtheit aus kleinen Spiegeln wirken.The 2a and 2 B explain the reflections on a single pyramid in more detail. It is assumed that the individual pyramids, despite their microscopic dimensions, can be regarded as macroscopic reflective bodies, so that the laws of reflection of the ray optics can be used. The investigation of the pyramidal surface structure by means of light reflection is based on the fact that the pyramidal structures, despite their microscopic dimensions, have optically reflective properties and act as a whole of small mirrors.

2a zeigt die Reflexion einfallenden Lichtes in einer quer zur Richtung des Lichteinfalls orientierten Seitenansicht. Der von links oben auf die Oberfläche gerichtete Strahl kann für die nachfolgende Betrachtung in einen Teilstrahl A und einem Teilstrahl F zerlegt werden. Der Teilstrahl A trifft auf die Pyramide P und wird entsprechend den Reflexionsgesetzen der Strahlenoptik entlang eines Lotes LP der reflektierenden Pyramidenfläche in Richtung des Teilstrahles A' reflektiert. Der Teilstrahl F trifft auf eine ebene Fehlstelle E, an der sich keine Pyramidenstruktur befindet. Dieser Teilstrahl wird gemäß den Reflexionsgesetzen entlang eines Lotes Lw in Richtung des Teilstrahles F' reflektiert, die von der Richtung des Teilstrahles A' deutlich verschieden ist. 2a shows the reflection of incident light in a transverse to the direction of light incidence oriented side view. The beam directed from the top left onto the surface can be divided into a partial beam A and a partial beam F for the following consideration. The partial beam A strikes the pyramid P and, in accordance with the laws of reflection of the beam optics, is reflected along a solder L P of the reflective pyramid surface in the direction of the partial beam A '. The partial beam F strikes a plane defect E, at which there is no pyramidal structure. This sub-beam is reflected according to the laws of reflection along a solder L w in the direction of the sub-beam F ', which is clearly different from the direction of the sub-beam A'.

2b zeigt eine Darstellung der Reflexionsverhältnisse an einer Einzelpyramide in einer in Richtung des Lichteinfalls orientierten Sicht. Der Strahl F ist in dieser Darstellung aus Gründen der Einfachheit nicht gezeigt. Zu beachten sind hier zunächst die Teilstrahlen A und B. Diese werden an verschiedenen Seitenflächen der Pyramide gespiegelt und in entsprechend unterschiedliche Richtungen entlang der Teilstrahlen A' und B' reflektiert. Weiterhin ist ein Teilstrahl C dargestellt. Dieser trifft auf eine Kante der Pyramide auf. Da dieser Kante keine geometrisch ideale Kante ist und einen endlichen Krümmungsradius aufweist, wird der Teilstrahl C diffus in unterschiedliche Richtungen C' reflektiert. Sämtliche Teilstrahlen C' aus der diffusen Reflexion liegen dabei allerdings im wesentlichen in einer Ebene. 2 B shows a representation of the reflection ratios on a single pyramid in a direction of light incidence oriented view. The ray F is not shown in this illustration for the sake of simplicity. Note here first the partial beams A and B. These are mirrored at different side surfaces of the pyramid and reflected in correspondingly different directions along the partial beams A 'and B'. Furthermore, a partial beam C is shown. This strikes an edge of the pyramid. Since this edge is not a geometrically ideal edge and has a finite radius of curvature, the partial beam C is diffusely reflected in different directions C '. However, all partial beams C 'from the diffuse reflection are substantially in one plane.

Das sich aus diesen Reflexionen ergebende und beispielsweise auf einem Schirm darstellbare Reflexionsmuster R' ist in 3a gezeigt. Die reflektierten Teilstrahlen A' und B' ergeben dabei jeweils ein links und rechts vom einfallenden Strahl gelegenes Maximum, die diffusen Teilstrahlen C' zeigen sich in Form eines kreisbogenfömigen Reflexionsbandes zwischen den Reflexionsmaxima A' und B'. Der Radius r des Reflexionsbandes sowie der Abstand zwischen den Maxima A' und B' hängen dabei vom vertikalen Winkel des einfallenden Lichtstrahles ab.The reflection pattern R 'resulting from these reflections and representable for example on a screen is shown in FIG 3a shown. The reflected partial beams A 'and B' result in each case one located on the left and right of the incident beam maximum, the diffuse partial beams C 'show up in the form of a kreisbogenfömigen reflection band between the reflection maxima A' and B '. The radius r of the reflection band and the distance between the maxima A 'and B' depend on the vertical angle of the incident light beam.

3b zeigt das Reflexionsbild im Falle von auf dem Substrat vorhandenen Fehlstellen E. In diesem Fall erzeugt der Teilstrahl F' ein Fehlstellenmaximum F', das durch die einfache Reflexion an der ebenen Fehlstelle entsprechend der Darstellung aus 2a zustande kommt. Die Lage der Maxima A', B' und F', der Radius und die Länge des Reflexionsbandes C' und die Abstände der Maxima voneinander hängen dabei auch von dem Einfallswinkel des Lichtstrahles auf der Oberfläche ab. 3b shows the reflection image in the case of defects on the substrate E. In this case, the partial beam F 'generates a flaw maximum F', which is due to the simple reflection at the flat defect as shown 2a comes about. The position of the maxima A ', B' and F ', the radius and the length of the reflection band C' and the distances of the maxima from each other also depend on the angle of incidence of the light beam on the surface.

Aus der Gestalt der vorhergehend beschriebenen Reflexionsmuster lässt sich nun einerseits die Größe und andererseits die Größenverteilung der Zufallspyramiden auf der Oberfläche des Trägers wie folgt bestimmen:
Bei einer bekannten Intensität I0 des einfallenden Lichtes bietet der damit ins Verhältnis gesetzte Intensitätsanteil IA' und IB' der Maxima A' und B' eine erste Abschätzung der Größe der Pyramidenseitenflächen.From the shape of the reflection patterns described above can now be both the size and on the other hand, the size distribution of Determine random pyramids on the surface of the support as follows:
With a known intensity I 0 of the incident light, the ratio of intensity I A ' and I B' of the maxima A 'and B' provided thereby provides a first estimate of the size of the pyramid faces.

Aussagekräftiger ist eine Charakterisierung der Pyramidengröße, indem eine vergleichende Messung der Intensitäten IA', IB' sowie der Intensität IC' des Reflexionsbandes C' und der Intensität IF' des Fehlstellenmaximums F' in dem in 3b gezeigten Reflexionsmuster ausgeführt wird. Dabei gelten folgende Zusammenhänge:
Je stärker die Pyramiden ausgebildet sind, d. h. je größer jede Einzelpyramide der pyramidalen Struktur ist, desto größer sind deren Seitenflächen und desto höher sind auch die Intensitäten IA' und IB' im Verhältnis zur Intensität IC' des Reflexionsbandes. Umgekehrt gilt, dass bei Einzelpyramiden mit kleinerer Größe die Intensitäten IA' und IB' einen kleineren Anteil an der reflektierten Gesamtintensität einnehmen, da in diesem Fall ein größerer Teil des einfallenden Lichtes an den Kanten der Pyramiden reflektiert wird und als Reflexionsband C' zurückgeworfen wird. Die Pyramidengröße ist daher umso kleiner, je höher die Intensität IC' des Reflexionsbandes ist bzw. je stärker der Reflexionsband ausgebildet ist. Die Seitenflächen der Pyramiden sind kleiner und die Anzahl der in einem vom einfallenden Lichtstrahl erfassten Bereich befindlichen Kanten ist damit größer.More meaningful is a characterization of the pyramid size by a comparative measurement of the intensities I A ' , I B' and the intensity I C 'of the reflection band C' and the intensity I F 'of the peak maximum F' in the in 3b shown reflection pattern is executed. The following relationships apply:
The stronger the pyramids are formed, ie the larger each individual pyramid of the pyramidal structure is, the larger are their side surfaces and the higher are the intensities I A ' and I B' in relation to the intensity I C 'of the reflection band. Conversely, for single pyramids of smaller size, the intensities I A ' and I B' occupy a smaller proportion of the total reflected intensity, since in this case a larger part of the incident light is reflected at the edges of the pyramids and reflected as reflection band C ' becomes. The pyramid size is therefore the smaller the higher the intensity I C 'of the reflection band or the stronger the reflection band is formed. The sides of the pyramids are smaller and the number of edges located in a region covered by the incident light beam is thus larger.

Unvollständige Strukturen, d. h. Fehlstellen, zeigen sich wie beschrieben als ein Fehlstellenmaximum F'. Sie erscheinen als ein Lichtfleck, der unabhängig von dem ausschließlich durch die Pyramidengröße bestimmten Verhältnis zwischen den Intensitäten IA', IB' und IC' ist.Incomplete structures, ie defects, appear as described as a defect maximum F '. They appear as a spot of light which is independent of the ratio between the intensities I A ' , I B' and I C ' determined solely by the pyramid size.

Die Charakterisierung der Pyramidengröße erfolgt zweckmäßigerweise durch eine Vergleichsmessung. Als einfallendes Licht wird dabei auf einen Laserstrahl zurückgegriffen. Zunächst wird ein Referenzträger, dessen Pyramidengröße auf andere Weise bereits spezifiziert worden ist, in die Reflexionsmessung gegeben. Anschließend werden zwei oder auch mehrere grenzwertige Exemplare mit besonders großen bzw. besonders kleinen pyramidalen Strukturen vermessen. Anhand der dabei gemessenen Lichtintensitäten IA', IB', IC' und IF' sowie eines sonstigen diffus reflektierten Lichtanteils ist eine Kalibrierung der Messung möglich, sodass eine Vergleichsmessung zwischen verschiedenen Substraten mit unbekannter pyramidaler Oberflächenstruktur möglich ist.The characterization of the pyramid size is expediently carried out by a comparative measurement. As incident light is resorted to a laser beam. First, a reference carrier whose pyramid size has already been specified in another way is put into the reflection measurement. Subsequently, two or more borderline specimens with particularly large or very small pyramidal structures are measured. On the basis of the light intensities I A ' , I B' , I C ' and I F' measured here as well as any other diffusely reflected light component, a calibration of the measurement is possible so that a comparison measurement between different substrates with unknown pyramidal surface structure is possible.

Es ist dabei auch eine Absolutmessung der Pyramidengröße möglich, jedoch müssen hierzu verschiedene zusätzliche Einflussfaktoren berücksichtigt werden. Eine vergleichende Charakterisierung ist somit deutlich einfacher. Die beschriebene Kalibrierung erfolgt zweckmäßigerweise in regelmäßigen Abständen, beispielsweise zu Beginn eines Arbeitstages oder einer Fertigungsreihe.It is also an absolute measurement of the pyramid size possible, but this must be taken into account various additional factors. A comparative characterization is thus much easier. The calibration described is expediently carried out at regular intervals, for example at the beginning of a working day or a production series.

Eine Charakterisierung der Größenverteilung innerhalb der pyramidalen Oberflächenstruktur kann dadurch erfolgen, indem der Querschnitt D des einfallenden Lichtstrahles, d. h. beispielsweise der Durchmesser des verwendeten Laserstrahls, geändert und die sich dabei ergebenden Änderungen in den Verhältnissen zwischen den Intensitäten IA', IB', IC' und IF' so wie des diffus reflektierten Lichtes in Form einer oder mehrerer querschnittabhängiger Intensitätsfunktionen ID registriert werden. Ändern sich diese Verhältnisse dabei gleichmäßig, kann von einer sehr engen Größenverteilung der Einzelpyramiden ausgegangen werden. In diesem Fall erfasst der entsprechend aufgeweitete oder fokussierte Lichtstrahl einfach nur eine der Größe des Lichtflecks proportionale größere oder kleinere Zahl von Einzelpyramiden, die in einer gleichen Weise zu den Gesamtintensitäten im Reflexionsmuster beitragen.Characterization of the size distribution within the pyramidal surface structure can be effected by changing the cross section D of the incident light beam, ie, for example, the diameter of the laser beam used, and the resulting changes in the ratios between the intensities I A ' , I B' , I C ' and I F' as well as the diffuse reflected light in the form of one or more cross-sectional intensity functions I D are registered. If these conditions change uniformly, one can assume a very narrow size distribution of the individual pyramids. In this case, the correspondingly expanded or focused light beam simply captures only a larger or smaller number of single pyramids proportional to the size of the light spot, which contribute in a similar manner to the overall intensities in the reflection pattern.

Zeigen sich Veränderungen in den Intensitäten, die nicht proportional zum Strahlquerschnitt sind, wird eine Relativbewegung zwischen der Trägeroberfläche und dem Laserstrahl bei einem eng eingestellten Strahlquerschnitt ausgeführt. Die bei dieser Bewegung gemessene Toleranz in den dabei ermittelten Intensitäten IA', IB', IC' und IF' ergibt dann die Größenverteilung der Einzelpyramiden auf der untersuchten Oberfläche.If changes in the intensities, which are not proportional to the beam cross-section, are shown, a relative movement between the carrier surface and the laser beam is carried out with a narrow beam cross-section. The tolerance measured in this movement in the intensities I A ' , I B' , I C ' and I F' determined in this case then gives the size distribution of the individual pyramids on the examined surface.

Die Messungen zur Größe und zur Größenverteilung können auch kombiniert ausgeführt werden. Dabei wird ein Substrat unter einer entsprechenden Messapparatur hindurch bewegt. Dies geschieht zweckmäßigerweise dadurch, indem die Messapparatur in einer bereits gegebenen Bandtransportvorrichtung installiert wird und somit als Teil einer Eingangskontrolle für spätere Fertigungsprozesse ausgeführt ist. Dabei laufen alle Substrate unter der Lichtquelle, d. h. dem Laserstrahl, hindurch. Während dieses Transports wird der Strahlquerschnitt des Lasers fortlaufend verändert. Dabei wird die Größenverteilung in der pyramidalen Oberflächenstruktur während enger Strahlquerschnitte gemessen. Während eines kurzzeitig eingestellten großen Strahlquerschnittes erfolgt wie beschrieben die Größenbestimmung der Einzelpyramiden. Bei diesem Verfahren müssen allerdings dynamische Reflexionen aufgrund der ablaufenden Relativbewegungen zwischen dem Laserstrahl und dem bewegten Substrat berücksichtigt werden.The size and size measurements can also be combined. In this case, a substrate is moved under a corresponding measuring apparatus. This is expediently achieved by installing the measuring apparatus in an already existing belt transport device and thus designed as part of an incoming control for later production processes. All substrates pass under the light source, i. H. the laser beam, through. During this transport, the beam cross section of the laser is continuously changed. The size distribution in the pyramidal surface structure is measured during narrow beam cross sections. During a large beam cross-section set for a short time, the size determination of the individual pyramids takes place as described. In this method, however, dynamic reflections due to the running relative movements between the laser beam and the moving substrate must be taken into account.

Ein wesentlicher Vorteil einer solchen Vorgehensweise besteht allerdings darin, dass die Größe und die Größenverteilung innerhalb der pyramidalen Oberflächenstruktur und damit der „random pyramids”, quasi instantan erfolgt, weil mit optischer Messtechnik eine Auswertung während eines laufenden Prozesses unproblematisch ausführbar ist.An essential advantage of such an approach, however, is that the size and the size distribution within the pyramidal surface structure and thus the "random pyramids", quasi instantaneous, because with optical metrology an evaluation during an ongoing process is unproblematic executable.

Das Messverfahren kann auch abgewandelt werden, indem die Oberflächenstruktur unter anderen horizontalen Winkeln bestrahlt wird, bei der z. B. nur eine Seitenfläche der Pyramiden angestrahlt wird. In diesem Fall zeigt sich das Reflexionsmuster in Form eines mehr oder weniger stark geöffneten „V”, wobei sich an den Fehlstellenmaxima F' nichts ändert. Die Auswertung der gemessenen Intensitäten erfolgt in diesem Fall in einer sich von den vorhergehenden Verfahrensschritten grundsätzlich nicht unterscheidenden Weise.The measuring method can also be modified by irradiating the surface structure at other horizontal angles, e.g. B. only one side surface of the pyramids is illuminated. In this case, the reflection pattern is in the form of a more or less strongly opened "V", whereby nothing changes at the defect maximum maxima F '. The evaluation of the measured intensities in this case takes place in a manner which is fundamentally not different from the preceding method steps.

Zur Auswertung der reflektierten Strahlen bzw. des Reflexionsbildes kann entweder eine Bildauswertung des auf einen Schirm projizierten Reflexionsmusters oder eine Konstruktion aus Einzelsensoren zur Anwendung kommen, die an entsprechenden Stellen definiert angebracht sind.For evaluating the reflected rays or the reflection image, either image evaluation of the reflection pattern projected onto a screen or a construction of individual sensors can be used, which are attached in a defined manner at corresponding locations.

Die 4 und 5 zeigen hierzu beispielhafte Messapparaturen. Die Messapparatur enthält eine Lichtquelle 1, die vorzugsweise als eine Laserlichtquelle ausgebildet ist und daher einen hoch kollimierten Lichtstrahl mit einer ausreichenden Anfangsintensität und einem definierten Auftreffpunkt auf dem Substrat T erzeugen kann. Weiterhin ist eine Aufnahme- und Transportvorrichtung 2 vorgesehen, wobei diese auch als Bestandteil einer bereits vorhandenen Förderanlage ausgeführt sein kann.The 4 and 5 show exemplary measuring equipment. The measuring apparatus contains a light source 1 , which is preferably designed as a laser light source and therefore can produce a highly collimated light beam with a sufficient initial intensity and a defined impact point on the substrate T. Furthermore, a receiving and transporting device 2 provided, which may also be designed as part of an existing conveyor system.

Eine Erfassungsvorrichtung 3 dient der Detektierung der reflektierten Lichtanteile A', B', C' und F' gemäß der vorhergehenden Beschreibung Eine Steuer- und Auswerteeinheit 4 dient der Messwertermittlung und erzeugt darüber hinaus auch eine Betriebssteuerung für die Aufnahme- und Transportvorrichtung 2. Weiterhin ist eine Strahloptik 5 vorgesehen, mit der der Querschnitt des von der Lichtquelle 1 ausgesandten Laserlichtes beeinflusst werden kann. Deren Betrieb wird ebenfalls von der Steuer- und Auswerteeinheit 4 bestimmt. Schließlich enthält die Steuer- und Auswerteeinheit entsprechende Steuer- und Messprogramme zum Ausführen des Messprozesses gemäß der vorhergehend erläuterten Verfahrensschritte.A detection device 3 serves the detection of the reflected light components A ', B', C 'and F' according to the preceding description, a control and evaluation 4 serves for measuring value determination and also generates an operating control for the receiving and transport device 2 , Furthermore, there is a ray optic 5 provided with the cross section of the light source 1 emitted laser light can be influenced. Their operation is also handled by the control and evaluation unit 4 certainly. Finally, the control and evaluation unit contains corresponding control and measuring programs for carrying out the measuring process in accordance with the previously explained method steps.

Bei einer in 5 gezeigten Ausführungsform ist ein Teil der Erfassungsvorrichtung 3 in Form eines Sensorarrays 6 ausgebildet, das als ein Bestandteil einer hier nicht näher dargestellten Kameraeinrichtung ausgebildet ist.At an in 5 embodiment shown is a part of the detection device 3 in the form of a sensor array 6 formed, which is formed as part of a camera device not shown here.

Weitere Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie im Rahmen fachmännischen Handelns.Further embodiments will become apparent from the dependent claims and in the context of expert action.

Claims (16)

Verfahren zur Charakterisierung von pyramidalen Oberflächenstrukturen (P) auf einem Substrat (T) mit den Verfahrensschritten – Beaufschlagen der Substratoberfläche mit einem Lichtstrahl (L), insbesondere Laserlichtstrahl, – Erfassen eines Reflexionsmusters (R') des von der Substratoberfläche reflektierten Lichtes, – Auswertung des Reflexionsmusters mit einer Ermittlung von Intensitäten von durch Teilelemente der Oberflächenstruktur erzeugten Abschnitten des Reflexionsmusters, – Bestimmung von Parametern zur Charakterisierung der pyramidalen Oberflächenstruktur aus den ermittelten Intensitäten.Method for characterizing pyramidal surface structures (P) on a substrate (T) using the method steps - impinging the substrate surface with a light beam (L), in particular laser light beam, Detecting a reflection pattern (R ') of the light reflected from the substrate surface, Evaluation of the reflection pattern with a determination of intensities of sections of the reflection pattern generated by subelements of the surface structure, - Determination of parameters for the characterization of the pyramidal surface structure from the determined intensities. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswertung des Reflexionsmusters (R') eine Intensitätsbestimmung mindestens eines durch Seitenflanken (S) der pyramidalen Oberflächenstrukturen erzeugten pyramidalen Reflexionsmaximums (A', B'), eines durch Kanten (K) der pyramidalen Oberflächenstrukturen erzeugten Reflexionsbandes (C') und/oder eines durch ebene Fehlstellen (E) erzeugten Fehistellenmaximums (F') umfasst.A method according to claim 1, characterized in that the evaluation of the reflection pattern (R ') an intensity determination of at least one generated by side edges (S) of the pyramidal surface structures pyramidal reflection maximum (A', B '), one by edges (K) of the pyramidal surface structures Reflection band (C ') and / or one by plane defects (E) generated misalignment maximum (F') comprises. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Parametermessung eine Größenmessung der pyramidalen Oberflächenstrukturen erfolgt, indem ein Verhältnis zwischen einer Anfangsintensität (I0) des einfallenden Lichtstrahles (L) zum Intensitätsanteil (IA', IB') des pyramidalen Reflexionsmaximums (A', B') ermittelt wird.A method according to claim 1 and 2, characterized in that in the parameter measurement, a size measurement of the pyramidal surface structures takes place by a ratio between an initial intensity (I 0 ) of the incident light beam (L) to the intensity component (I A ' , I B' ) of the pyramidal Reflection maximum (A ', B') is determined. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Parametermessung eine Größenmessung der pyramidalen Oberflächenstrukturen erfolgt, indem eine vergleichende Messung des Intensitätsanteils (IA', IB') des pyramidalen Reflexionsmaximums (A', B'), eines Intensitätsanteils (IC') des diffusen Reflexionsbandes (C') und eines Intensitätsanteils (IF') des Fehlstellenmaximums (F') erfolgt, wobei eine Messwertkalibrierung unter Verwendung von Referenzsubstraten mit parameterbekannten Oberflächenstrukturen erfolgt.A method according to claim 1 and 2, characterized in that in the parameter measurement, a size measurement of the pyramidal surface structures is carried out by a comparative measurement of the intensity component (I A ' , I B' ) of the pyramidal reflection maximum (A ', B'), an intensity component ( I C ' ) of the diffuse reflection band (C') and an intensity component (I F ' ) of the defect maximum (F'), wherein a measured value calibration is performed using reference substrates with parameter-known surface structures. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Parametermessung eine Messung einer Größenverteilung der pyramidalen Oberflächenstrukturen erfolgt, indem eine Veränderung eines Querschnittes des einfallenden Lichtstrahles (L) ausgeführt wird, wobei die Verhältnisse der Intensitätsanteile (IA', IB', IC', IF') des Reflexionsmusters (R') in Abhängigkeit von der Querschnittsveränderung erfasst und eine dabei gewonnene Intensitätsfunktion (ID) ausgewertet wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that in the parameter measurement, a measurement of a size distribution of the pyramidal surface structures is carried out by a change in a cross section of the incident light beam (L) is performed, the ratios of the intensity components (I A ' , I B' , I C ' , I F' ) of the reflection pattern (R ') is detected as a function of the change in cross-section and an intensity function (I D ) obtained thereby is evaluated. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Auswertung der Intensitätsfunktion (ID) ein Proportionalitätstest ausgeführt wird, wobei bei einem negativen Testergebnis der eingestrahlte Lichtstrahl (L) über den Träger (T) verfahren wird und in Verbindung damit eine Toleranzmessung der Intensitätsanteile (IA', IB', IC', IF') des Reflexionsmusters erfolgt und aus dem Ergebnis der Toleranzmessung die Größenverteilung der pyramidalen Oberflächenstrukturen ermittelt wird.A method according to claim 5, characterized in that in the evaluation of Intensity function (I D ) a proportionality test is carried out, wherein in a negative test result the irradiated light beam (L) is moved over the carrier (T) and in conjunction therewith a tolerance measurement of the intensity components (I A ' , I B' , I C ' , I F ' ) of the reflection pattern and the size distribution of the pyramidal surface structures is determined from the result of the tolerance measurement. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung der Größe und die Messung der Größenverteilung kombiniert ausgeführt werden, wobei bei einer Relativbewegung zwischen dem einfallenden Lichtstrahl (L) und dem Träger (T) der Querschnitt (D) des Lichtstrahles zur Messung der Größenverteilung verändert wird und bei einem Maximalquerschnitt des Lichtstrahles die Messung der Größe erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the measurement of the size and the measurement of the size distribution are carried out in combination, wherein in a relative movement between the incident light beam (L) and the carrier (T) of the cross section (D) of the light beam for measurement the size distribution is changed and at a maximum cross section of the light beam, the size measurement takes place. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Variation eines horizontalen Einfallswinkels des Lichtstrahles ausgeführt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that a variation of a horizontal angle of incidence of the light beam is performed. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassung des Reflexionsmusters (R') unter Anwendung einer Bilderfassung, insbesondere einer Schirmprojektion oder einer Projektion auf ein Sensorarray, erfolgt.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the detection of the reflection pattern (R ') using an image capture, in particular a screen projection or a projection on a sensor array, takes place. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassung des Reflexionsmusters (R') mindestens abschnittsweise durch verteilte Einzellichtsensoren erfolgt.Method according to one of claims 1 to 9, characterized in that the detection of the reflection pattern (R ') takes place at least in sections by distributed individual light sensors. Vorrichtung zur Charakterisierung von pyramidalen Oberflächenstrukturen (P) auf einem Substrat (T), enthaltend eine auf das Substrat gerichtete Lichtquelle (1) zum Erzeugen eines Lichtstrahles (L), eine Aufnahme- und Transportvorrichtung (2) für das Substrat, eine im Reflexionsbereich des Lichtstrahles angeordnete Erfassungsvorrichtung (3) für ein von dem Träger erzeugtes Reflexionsmuster (R') und eine Steuer- und Auswerteeinheit (4) für eine Bestimmung Intensitätsmaxima des Reflexionsmusters.Device for characterizing pyramidal surface structures (P) on a substrate (T), containing a light source ( 1 ) for generating a light beam (L), a receiving and transport device ( 2 ) for the substrate, a detection device arranged in the reflection region of the light beam (US Pat. 3 ) for a reflection pattern (R ') generated by the support and a control and evaluation unit ( 4 ) for a determination intensity maxima of the reflection pattern. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (1) eine Strahloptik (5) zum Erzeugen eines veränderlichen Strahlquerschnitts aufweist.Device according to claim 11, characterized in that the light source ( 1 ) an ophthalmic optic ( 5 ) for generating a variable beam cross-section. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (1) eine Laservorrichtung ist.Device according to claim 11 or 12, characterized in that the light source ( 1 ) is a laser device. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungsvorrichtung (3) mindestens abschnittsweise eine Bilderfassungseinheit, insbesondere ein Sensorarray (6), enthält.Device according to one of claims 11 to 13, characterized in that the detection device ( 3 ) at least in sections an image acquisition unit, in particular a sensor array ( 6 ) contains. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungsvorrichtung (3) eine Gruppe aus Einzelsensoren ist.Device according to one of claims 11 to 14, characterized in that the detection device ( 3 ) is a group of individual sensors. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuer- und Auswerteeinheit (4) als eine mit der Aufnahme- und Transportvorrichtung (2), der Strahloptik (5) und der Erfassungsvorrichtung (3) gekoppelte elektronische Steuer- und Verarbeitungseinheit, insbesondere ein Computer, mit einem Steuer-, Mess- und Auswerteprogramm ausgebildet ist.Device according to one of claims 11 to 15, characterized in that the control and evaluation unit ( 4 ) as one with the receiving and transporting device ( 2 ), the radiation optics ( 5 ) and the detection device ( 3 ) coupled electronic control and processing unit, in particular a computer, is formed with a control, measurement and evaluation program.
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