DE102010027747A1 - Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und Photovoltaikmodul - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und Photovoltaikmodul Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen (1) mit jeweils auf einer Kontaktseite (2) vorgesehenen Kontaktbereichen (3) mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines folienartigen nichtleitenden Trägers (4) mit einer mindestens einseitigen und mindestens abschnittsweisen elektrisch leitfähigen Trägerbeschichtung (5) auf einer ersten Trägerseite, Aufsetzen der Kontaktseiten der Halbleiterzellen auf eine zweite Trägerseite, Ausführen einer den Träger und die Trägerbeschichtung durchbrechenden lokalen Perforation zum Erzeugen von Durchbrüchen (10) an den Kontaktbereichen (3) der Halbleiterzellen (1), Aufbringen eines Kontaktiermittels (11) zum Verfüllen der Durchbrüche (10) und zum Ausbilden einer Kontaktierung zwischen der Trägerbeschichtung auf der ersten Trägerseite und den Halbleiterzellen auf der zweiten Trägerseite.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und ein Photovoltaikmodul.
  • Stand der Technik
  • Aus dem Stand der Technik bekannte Photovoltaik-Module auf der Basis von Halbleitern bestehen aus einer Gesamtheit von Halbleiterzellen. In diesen wird unter der Wirkung eines äußeren Lichteinfalls eine elektrische Spannung erzeugt. Die Halbleiterzellen sind zweckmäßig miteinander verschaltet, um von dem Photovoltaik-Modul eine möglichst hohe Stromstärke abgreifen zu können. Damit ist eine Kontaktierung der Halbleiterzellen und eine zweckmäßige Leitungsführung innerhalb des Photovoltaik-Moduls notwendig.
  • Bei bekannten Photovoltaik-Modulen werden zur Leitungsführung sogenannte Bändchen verwendet. Dabei handelt es sich in der Regel um bandförmig ausgebildete Leiterabschnitte aus Metall, insbesondere Kupfer. Die Kontaktierung zwischen einem Bändchen und den damit verschalteten Halbleiterzellen erfolgt üblicherweise mittels einer Weichlotverbindung. Dabei sind die Kontakte von einer oberen lichtaktiven Seite einer Halbleiterzelle auf eine lichtabgewandte rückwärtige Seite einer nächsten Halbleiterzelle geführt. An den Kontaktstellen zwischen dem Bändchen und der Halbleiterzelle befinden sich auf den Halbleiterzellen metallisierte Kontaktbereiche, auf denen die Lotverbindung vorgenommen wird.
  • Zum Erhöhen der Lichtausbeute derartiger Photovoltaik-Module wurden Versuche unternommen, die beschriebenen Kontaktierungen vollständig auf der lichtabgewandten rückwärtigen Seite der Halbleiterzellen anzuordnen. Die lichtabgewandte Seite bildet dann eine Kontaktseite der jeweiligen Halbleiterzelle. Dabei müssen die auf der gemeinsamen Kontaktseite angeordneten Kontaktbereiche mit einem unterschiedlichen Potential kontaktiert werden. Bei einer Vielzahl von Halbleiterzellen in einer zu realisierenden Verschaltung und einer gegebenen geometrischen Anordnung werden durch dieses Erfordernis erhebliche Ansprüche an die Genauigkeit der Kontaktierungen gestellt, um Fehlschaltungen und Kurzschlussverbindungen sicher zu vermeiden. Die damit verbundenen Schwierigkeiten in Hinblick auf die genaue Positionierung der Halbleiterzellen in einer gegebenen Zellenanordnung führen dazu, dass die hinsichtlich der Energieausbeute des Photovoltaik-Moduls vorteilhafte Rückseitenkontaktierung einen komplizierteren Fertigungsprozess mit sich bringt, der vor allem eine rationelle Produktion derartiger Module im Großserienmaßstab behindert.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Das Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen mit jeweils auf einer Kontaktseite vorgesehenen Kontaktbereichen enthält folgende Verfahrensschritte:
    Es wird ein folienartiger nichtleitender Träger mit einer mindestens einseitigen und mindestens abschnittsweisen elektrisch leitfähigen Trägerbeschichtung auf einer ersten Trägerseite bereitgestellt. Danach werden die Kontaktseiten der Halbleiterzellen auf eine zweite Trägerseite aufgesetzt. Im Anschluss daran wird eine den Träger und die leitfähige Trägerbeschichtung durchbrechende lokale Perforation zum Erzeugen von Durchbrüchen an den Kontaktbereichen der Halbleiterzellen ausgeführt. Als nächster Schritt wird ein Kontaktiermittel zum Verfüllen der Durchbrüche und zum Ausbilden einer Kontaktierung zwischen der Trägerbeschichtung auf der ersten Trägerseite und den Halbleiterzellen auf der zweiten Trägerseite aufgebracht.
  • Es wird somit von einer Trägerfolie ausgegangen, die mindestens auf einer Seite eine leitfähige Beschichtung aufweist. Die Halbleiterzellen werden auf der anderen Trägerseite aufgesetzt. Deren Kontaktseiten liegen somit unmittelbar auf dem Träger auf. Anschließend werden genau jene Kontaktbereiche der Halbleiterzellen durch eine Perforation freigelegt, die elektrisch zu kontaktieren sind. Die dabei im Träger erzeugten Durchbrüche werden leitfähig verfüllt und bilden damit eine selektive Kontaktierung zwischen den Kontraktbereichen und der Trägerbeschichtung aus.
  • Die Halbleiterzellen können während der Perforation durch Kunststoffstreifen, beispielsweise durch ein so genanntes EVA-Tape, fixiert sein. Zweckmäßigerweise wird ein Kunststoff verwendet, mit dem gegebenenfalls auch eine Laminierung des Photovoltaikmoduls oder dessen Komponenten erfolgt.
  • Ein großer Vorteil des Verfahrens besteht darin, dass die bei großtechnischen Fertigungsprozessen gelegentlich auftretenden Lageungenauigkeiten beim Absetzen der Halbleiterzellen unproblematisch sind. Die tatsächlichen Orte der Kontaktierung zwischen den Halbleiterzellen und der leitfähigen Trägerbeschichtung werden erst dann festgelegt, wenn die Kontaktierung unmittelbar bevorsteht. Dadurch kann der Aufsetzvorgang der Halbleiterzellen mit vergleichsweise großzügigen Fertigungstoleranzen erfolgen.
  • Zweckmäßigerweise wird bei einer Ausführungsform nach dem Aufsetzen der Halbleiterzellen auf den Träger ein Laminierschritt zum Einlaminieren der Halbleiterzellen ausgeführt. Dadurch werden die Halbleiterzellen mit dem Träger fest verbunden und verändern bei nachfolgenden Verfahrensschritten ihre Lage nicht. Zudem bildet die Gesamtheit aus dem Träger mit den einlaminierten Halbleiterzellen einen Verbund, der problemlos zwischengelagert und für die nachfolgenden Verfahrensschritte bereitgehalten werden kann.
  • Alternativ kann im gleichen Laminierschritt auch ein Trägerglas des Photovoltaikmoduls laminiert werden.
  • Es ist problemlos möglich, weitere Kontaktierungsschichten zu fertigen. Zweckmäßigerweise wird nach dem Aufbringen des Kontaktiermittels mindestens eine weitere Kontaktierungsschicht erzeugt, wobei folgende Verfahrensschritte ausgeführt werden:
    Es erfolgt mindestens abschnittsweise ein Überdecken der kontaktierten Trägerbeschichtung mit einer isolierenden Deckschicht. Anschließend wird eine die Deckschicht, den Träger und/oder die Trägerbeschichtung durchbrechende lokale Perforation zum Erzeugen von Durchbrüchen auf den Kontaktbereichen der Halbleiterzellen ausgeführt. Danach wird ein Kontaktiermittel auf die Deckschicht zum Verfüllen der Durchbrüche und zum Ausbilden der auf der Deckschicht verlaufenden Kontaktierungsschicht aufgebracht.
  • Zum Aufbringen des Kontaktiermittels in der jeweiligen Kontaktierungsschicht können verschiedene Verfahren genutzt werden. Es ist ein Aufdrucken, ein Aufsprühen oder ein Löten möglich. Bei dem Ausführen des Lötens wird durch einen Lotträger ein Lotmaterial an den zu verfüllenden Durchbruch verbracht und dort nach einem Aufschmelzen eingefüllt. Das selektive Löten wird bei einer zweckmäßigen Ausführungsform als ein Laserlöten ausgeführt. Dabei erfolgt das Aufschmelzen durch eine Beaufschlagung mit Laserlicht.
  • Zweckmäßigerweise wird bei dem Ausführen der lokalen Perforation eine Bilderkennung der auf dem Träger angeordneten Halbleiterzellen ausgeführt, wobei durch eine Bildverarbeitung und/oder eine Bezugspunktsetzung eine direkte Referenzierung einer Perforationsvorrichtung auf jeder einzelnen Halbleiterzelle erfolgt.
  • Damit wird der jeweils reale Ort jeder einzelnen Halbleiterzelle in situ erfasst, wobei das Freilegen der zur Kontaktierung vorgesehenen Abschnitte auch genau an den bildmäßig erkannten Stellen erfolgt. Dadurch wirkt die beim Aufsetzen der Halbleiterzellen hohe Lagetoleranz sich für den eigentlichen Kontaktierungsvorgang nicht nachteilig aus.
  • Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform erfolgt die Bilderkennung durch eine Durchleuchtungseinrichtung. Diese erzeugt ein Durchleuchtungsbild erzeugt. Dabei wird bei der Bildverarbeitung eine Konturerkennung an jedem Durchleuchtungsbild ausgeführt und die Perforiervorrichtung im Ergebnis der Konturerkennung selbsttätig an eine daraus bestimmte Position zum Erzeugen des jeweiligen Durchbruchs bewegt.
  • Die lokale Perforation wird bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung in Form eines Laserbohrens unter Verwendung einer Laserbohrvorrichtung ausgeführt. Dadurch kann die Perforierung sehr genau und berührungslos erfolgen. Vorrichtungsseitig ist ein Photovoltaik-Modul, umfassend eine Gesamtheit von Halbleiterzellen mit einer Rückseitenkontaktierung und einen Träger vorgesehen, das sich erfindungsgemäß dadurch auszeichnet, dass der Träger als eine Folie oder ein Laminat ausgebildet ist, wobei der Träger mit einem leitfähigen Material verfüllte Durchbrüche im Bereich der Halbleiterzellen zum Ausbilden einer Kontaktierung zwischen den auf einer Seite des Trägers angeordneten Halbleiterzellen und auf einer anderen Seite des Trägers verlaufenden Leitbahnen aus leitfähigem Material aufweist.
  • Das leitfähige Material ist zweckmäßigerweise als eine leitfähige Laminierung, eine Tinte, eine Paste oder ein Lot ausgebildet.
  • Zeichnungen
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäßen Photovoltaik-Module sollen nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Es ist zu beachten, dass die Zeichnungen nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken. Es zeigen:
  • 1 eine Darstellung des Aufsetzschrittes der Halbleiterzellen auf den Träger,
  • 2 einen Laminierschritt der auf dem Träger aufgesetzten Halbleiterzellen,
  • 3 eine Darstellung der lokalen Perforation des Trägers,
  • 4 eine Darstellung einer Kontaktierung mittels eines Loteintrages,
  • 5 eine Darstellung eines weiteren Schichtaufbaus mit einem weiteren Schritt der lokalen Perforation,
  • 6 eine Darstellung eines weiteren Kontaktierschrittes,
  • 7 eine Darstellung eines Durchleuchtungsverfahrens zur Positionsbestimmung der Kontaktbereiche.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • 1 zeigt einen Aufsetzschritt der Halbleiterzellen auf einem Träger. Die hier gezeigten Halbleiterzellen 1 sind beispielsweise als kristalline Photovoltaikzellen ausgebildet. Sie bestehen aus Silizium oder einem vergleichbaren Halbleitermaterial und weisen die für derartige Zellen hier nicht im einzelnen dargestellten dotierten Bereiche zur Energieumsetzung von Solarenergie in elektrische Spannung auf. Jede Halbleiterzelle enthält jeweils eine Kontaktseite 2 mit dort angeordneten Kontaktbereichen 3. Die Kontaktbereiche sind üblicherweise galvanisch metallisiert. Zum Absetzen wird üblicherweise auf eine hier nicht gezeigte Absetzvorrichtung zurückgegriffen.
  • Zur Rückseitenkontaktierung der Halbleiterzellen und insbesondere deren Kontaktseiten 2 ist ein Träger 4 vorgesehen. Dieser besteht aus einem folienartigen elektrisch isolierenden Material oder einem Laminat aus elektrisch nicht leitfähigen Folien. Die Fixierung der Halbleiterzellen auf dem Träger erfolgt mittels einer Kunststofffolie 4a. Diese besteht beispielsweise aus streifenförmig aufgebrachtem Ethylenvinylazetat (EVA) in Form eines Tapes.
  • Alternativ können die Halbleiterzellen auch nichtleitend mit dem Träger verklebt werden. In einem solchen Fall weist der Träger eine klebende Oberfläche auf, die hier nicht gesondert bezeichnet ist. Diesbezügliche Ausführungsformen sind nachfolgend in den 5 bis 7 dargestellt.
  • Der Träger 4 ist mit einer hier einseitig aufgebrachten elektrisch leitfähigen Trägerbeschichtung 5 versehen. Diese kann als aufgedampfte Metallschicht oder eine Metallfolie ausgeführt sein, die mit dem Träger in Form eines Laminates verbunden ist. Die Trägerbeschichtung kann vollflächig oder abschnittsweise ausgebildet sein. Im hier gezeigten Beispiel ist die Beschichtung in Form großflächiger Bereiche ausgeführt, die durch eine Reihe von Gräben 6 unterteilt sind. Die Beschichtung besteht beispielsweise aus Kupfer oder einem vergleichbar gut elektrisch leitfähigen Material, mit dem ein Serienwiderstand der zu kontaktierenden Halbleiterzellen reduziert werden kann. Die Halbleiterzellen befinden sich bei dem hier vorliegenden Beispiel auf der elektrisch isolierenden Seite des Trägers.
  • Anstelle des Absetzens der Halbleiterzellen kann auch ein hier nicht dargestelltes Aufdrucken, Aufdampfen oder Auflaminieren eines geeigneten Materials zum Realisieren organischer Zellen ausgeführt werden. Bei einem solchen Fertigungsvorgang wird ein als organischer Halbleiter fungierendes Polymer, insbesondere ein konjugiertes Polymer mit einer entsprechenden Elektronenstruktur oder ein speziell synthetisiertes Hybridmaterial, auf den folienartigen Träger aufgebracht. Der dadurch gebildete Verbund ist hoch flexibel, hinreichend dünn und sehr leicht zu verarbeiten, wobei die nachfolgend beschriebenen Verfahrensschritte ebenfalls problemlos ausführbar sind.
  • Für die elektrisch leitfähige Trägerbeschichtung können auch andere leitfähige Materialien, insbesondere leitfähige Polymere oder leitfähige Oxide wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO), eingesetzt werden. Allerdings ist deren elektrische Leitfähigkeit im Vergleich zu Metallisierungen zum Teil geringer.
  • Dem in 1 gezeigten Aufsetzvorgang schließt sich bei dem hier vorliegenden Beispiel ein in 2 gezeigter Verkapselungsschritt an. Dabei werden die auf dem Träger befindlichen Halbleiterzellen mit einer Laminierung 7 überdeckt. Zur Laminierung kann beispielsweise auf eine Kunststofffolie zurückgegriffen werden, die im Zuge einer Vakuumlaminierung aufgebracht wird. Zur Laminierung eignet sich insbesondere Ethylenvinylazetat (EVA). Beide Materialien können der Gesamtheit der Halbleiterzellen thermoplastisch überformt werden. Es ist zweckmäßig, wenn die Laminierung aus dem gleichen Material ausgeführt ist, wie die zur Fixierung der Halbleiterzellen dienende Kunststofffolie bzw. das Tape 4a.
  • Alternativ zur thermoplastischen Laminierung ist auch der Einsatz von reaktiven Laminiermaterialien möglich, die u. a. unter der Bezeichnung „dam and fill” bekannt sind. Hierbei handelt es sich insbesondere um Stoffe oder Stoffgemische, die gieß- oder streichfähig sind, unter der Einwirkung elektromagnetischer Strahlung und/oder Wärme transparent aushärten und dabei die Gesamtheit der Halbleiterzellen auf dem Träger lichtdurchlässig verkapseln. Möglich ist hier die Verwendung eines Kunststoffes auf der Grundlage siliziumorganischer Verbindungen (Silikon).
  • Der in 2 gezeigte Laminier- und Verkapselungsvorgang kann je nach Erfordernis mit einem Auflaminieren auf einen hier nicht gezeigten Glasträger des späteren Photovoltaik-Moduls kombiniert werden. Der Glasträger wird dabei unmittelbar auf die Laminierung aufgesetzt, wobei die Laminierung gleichzeitig die Anbindung des Verbundes aus den Halbleiterzellen und der Folie auf dem Glasträger bewirkt. Die nachfolgenden Verfahrensschritte werden in einem solchen Fall an einem praktisch fertigen Photovoltaikmodul ausgeführt, an dem nur dann noch eine Rückseitenkontaktierung erzeugt wird.
  • Für die weiteren Verfahrensschritte wird der in 2 gezeigte Verbund zweckmäßigerweise gedreht, wie in 3 gezeigt. Der Träger 4, insbesondere dessen leitfähige Trägerbeschichtung 5, bildet nunmehr dessen Oberseite.
  • Der Verbund wird nun an vorbestimmten Stellen lokal perforiert. Die lokale Perforierung erfolgt in dem hier gezeigten Beispiel durch eine Laserbohrvorrichtung 8. Diese fährt die auf den Halbleiterzellen angeordneten und von dem Träger verdeckten Kontaktbereiche 3 an und strahlt an den jeweils erforderlichen Stellen einen Laserstrahl 9 in Richtung des Verbundes ab. An den dabei getroffenen Punkten wird jeweils ein Durchbruch 10 erzeugt, bei dem jeweils ein Kontaktbereich 3 freigelegt wird. Der Durchbruch kann sowohl punktfömig als auch in Form einer Linie oder Fläche ausgebildet sein. Beides lässt sich durch die Laserbohrvorrichtung in einer sehr einfachen Weise erreichen.
  • Die für die lokale Perforierung vorgesehenen Orte auf dem Verbund aus Halbleiterzellen und Träger werden vorab durch ein weiter unten genauer beschriebenes Durchleuchtungsverfahren im Rahmen einer Bilderfassung ermittelt. Die Laserbohrvorrichtung greift auf die dabei ermittelten Positionsangaben zurück und fährt somit jede einzelne Position an. Mögliche Lagedifferenzen der Halbleiterzellen infolge des Fertigungsprozesses spielen daher keine Rolle und werden vollständig ausgeglichen.
  • 4 zeigt die darauf folgende Rückseitenkontaktierung der Halbleiterzellen. Bei diesem Verfahrensschritt werden die vorhergehend erzeugten Durchbrüche 10 mit einem leitfähigen Material ausgefüllt. Dabei bildet sich die Kontaktierung der Kontaktbereiche an den Halbleiterzellen mit der leitfähigen Trägerbeschichtung 5 heraus.
  • Bei dem in der Figur gezeigten Beispiel wird das leitfähige Material in Form eines Lottropfens 10a aus einer Lotpaste oder einer Lotkugel mit Hilfe eines Lotträgers 10b an die dafür vorgesehenen Durchbrüche 10 herangeführt und abgesetzt. Danach erfolgt ein selektives Aufschmelzen des Kontaktbereichs und der Lotpaste bzw. der Lotkugel, wobei sich eine Kontaktierung 11 zwischen dem Kontaktbereich 3 und der leitfähigen Trägerbeschichtung 5 herausbildet. Hierzu kann ein Laserlötverfahren eingesetzt werden. Es erweist sich als zweckmäßig, die bei der Perforation erzeugten Löcher im Träger vorab einer gesonderten Metallisierung zu unterziehen, um ein einwandfreies Benetzen durch das Lot sicherzustellen. Die Metallisierung kann durch ein Bedampfen, Bedrucken oder Besprühen ausgeführt werden.
  • Anstelle des Verlötens kann auch ein punktweises oder linienartiges Aufdrucken oder Absetzen von Paste oder leitfähiger Tinte erfolgen. Jeglicher Kontaktierungsvorgang kann bildgesteuert ausgeführt werden, wobei dabei die bereits für die lokale Perforierung genutzte Bilderkennungseinheit und/oder die dabei gewonnenen Positionsdaten eingesetzt werden können.
  • In einem solchen Fall kann beispielsweise die Laserbohrvorrichtung an einer dafür bestimmten Stelle den Durchbruch einbringen, die dabei angefahrene Position an eine Verstelleinrichtung des Lotträgers übergeben und zu einer nächsten Position verfahren werden, während an dem eben erzeugten Durchbruch die Kontaktierung erzeugt wird. Bei einem derartigen Verfahrensablauf erfolgen somit die Perforierung und die Kontaktierung im Prinzip innerhalb eines einzigen Arbeitsvorgangs.
  • Es ist grundsätzlich möglich, mindestens eine weitere Kontaktierungsbahn oder -ebene aufzubringen. Ein diesbezügliches Beispiel ist in den 5 und 6 dargestellt. Zum Aufbringen der jeweils nächsten Kontaktierungsebene werden die vorhergehend erzeugten Kontaktierungen 11 mit einer elektrisch isolierenden Deckschicht 12 überdeckt. Die Deckschicht kann beispielsweise durch einen Laminiervorgang aufgebracht werden, wobei dabei auf die dafür üblichen Materialien, insbesondere eine EVA-Folie, zurückgegriffen werden kann. In dem dabei geschaffenen Verbund werden in einer wiederholten Anwendung des vorher beschriebenen und in 3 gezeigten Verfahrensschrittes der Perforation, insbesondere des Laserbohrens, weitere Durchbrüche 10 an weiteren Kontaktbereichen 3 der Halbleiterzellen erzeugt. Diese werden im Anschluss daran mit einem weiteren leitfähigem Material 13 verfüllt und miteinander verbunden, wobei sich dadurch eine zweite Leiterbahnschicht herausbildet.
  • Zum Absetzen und Aufbringen des leitfähigen Materials 13 kann auf verschiedene Verfahren zurückgegriffen werden. Neben dem erwähnten Laserlötverfahren kann auch ein Druckverfahren angewendet werden, wobei als leitfähiges Material eine Tinte oder Paste mit hoher Leitfähigkeit, insbesondere eine Nano-Ag-Tinte oder -Paste, verwendet werden kann.
  • Ebenso kann ein Aufdampfen oder ein Aufplotten des leitfähigen Materials erfolgen. Zweckmäßigerweise wird dabei so vorgegangen, dass zunächst die erzeugten Durchbrüche durch ein Absetzen von leitfähigen Tropfen ausgefüllt werden. Die dafür notwendigen Positionsdaten können wie beschrieben aus einem Positionsspeicher oder einer Steuereinheit der Laserbohrvorrichtung entnommen werden. Anschließend werden die notwendigen Leiterbahnen zwischen den einzelnen Kontaktierungspunkten errechnet. Die errechneten Wege werden in Steuerimpulse übersetzt, die wiederum an eine Anfahrmechanik für einen Plotstift oder eine Aufdampfdüse übertragen werden. Die Anfahrmechanik bewegt nun den Plotstift bzw. die Aufdampfdüse über die Deckschicht 12. Der Plotstift bzw. die Aufdampfdüse bringen dabei das leitfähige Material 13 entlang der vorgesehenen Wege auf. Sie erzeugen dabei die zweite Kontaktierungsebene für die Anordnung der Halbleiterzellen.
  • Es ist einsichtig, dass die in Bezug auf 5 und 6 erläuterten Verfahrensschritte grundsätzlich mehrfach ausgeführt werden können. Dabei ist es möglich, grundsätzlich beliebig viele Kontaktierungsebenen zusätzlich aufzubringen und somit komplexere Verschaltungen der Halbleiterzellen zu erreichen. Es können zusätzliche elektronische Bauelemente, insbesondere Dioden, eingefügt werden, um beispielsweise Bypass-Dioden-Schaltungen zwischen den Halbleiterzellen zu erzeugen.
  • 7 zeigt eine Darstellung des vorhergehend bereits erwähnten Durchleuchtungsvorgangs. Die dafür vorgesehene Durchleuchtungseinrichtung besteht aus einer verfahrbaren Strahlungsquelle 14 zum Erzeugen einer den Verbund durchdringenden Strahlung 15. Als Strahlungsquelle kann dabei auf eine Röntgenquelle zurückgegriffen werden.
  • Die Strahlung wird mit einem Array 16 detektiert, wobei das Array ein Durchleuchtungsbild einer im Strahlengang befindlichen Halbleiterzelle 1 erfasst. Die so ermittelten Rohdaten werden an eine Bildverarbeitungseinrichtung 17, insbesondere einen Rechner mit einem Bildverarbeitungsprogramm, übertragen.
  • Die Bildverarbeitungseinrichtung führt an dem Durchleuchtungsbild eine Strukturerkennung aus, wobei die Positionen der in dem Bild enthaltenen Formen ermittelt, gespeichert und an eine Steuereinheit der Laserbohrvorrichtung und/oder des Lotträgers sowie einer entsprechend anderen Vorrichtung zum Aufbringen der Kontaktierungsebenen übergeben werden.
  • Ergänzend ist hierzu ein schematisches Durchleuchtungsbild 18 eines Abschnitts einer Halbleiterzelle gezeigt. Durch das erhöhte Absorptionsvermögen der metallisierten Kontaktbereiche zeigen sich diese in Form deutlich erfassbarer Konturen 19, deren Position eindeutig feststellbar ist.
  • Die Bilderkennung der Kontaktbereiche kann auch durch eine Detektion eines Fiducials ersetzt oder ergänzt werden. Dabei werden Halbleiterzellen auf dem Träger abgesetzt, die eindeutige, sich im Röntgenbild deutlich zeigende Referenzstrukturen enthalten, wobei die Lage jedes freizulegenden Kontaktbereiches in Bezug auf die Referenzstrukturen vorab bekannt ist und somit aus der Lage des Fiducials errechnet werden kann. Als Fiducial können insbesondere Kreuzstrukturen eingesetzt werden, die für jede einzelne Halbleiterzelle ein lokales Koordinatensystem definieren. Diese Koordinatensystem wird durch das bildgebende Verfahren erfasst. Die Lage jedes einzelnen Kontaktbereiches innerhalb des Koordinatensystems ist vorab bei jeder Halbleiterzelle bekannt. Dadurch können die Kontaktbereiche jeweils aus der Lage des Fiducials bestimmt werden, auch dann, wenn diese Bereiche keine Kontur im Durchleuchtungsbild zeigen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und der dabei erzeugte Aufbau des Photovoltaikmoduls wurden anhand von Ausführungsbeispielen erläutert. Im Rahmen fachmännischen Handelns sind weitere Ausführungsformen und Abwandlungen möglich. Diese ergeben sich insbesondere aus den Unteransprüchen.

Claims (10)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen (1) mit jeweils auf einer Kontaktseite (2) vorgesehenen Kontaktbereichen (3), mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines folienartigen nichtleitenden Trägers (4) mit einer mindestens einseitigen und mindestens abschnittsweisen elektrisch leitfähigen Trägerbeschichtung (5) auf einer ersten Trägerseite, – Aufsetzen der Kontaktseiten der Halbleiterzellen auf eine zweite Trägerseite, – Ausführen einer den Träger und die Trägerbeschichtung durchbrechenden lokalen Perforation zum Erzeugen von Durchbrüchen (10) in dem Träger an den Kontaktbereichen (3) der Halbleiterzellen (1), – Aufbringen eines Kontaktiermittels (11) zum Verfüllen der Durchbrüche (10) und zum Ausbilden einer Kontaktierung zwischen der Trägerbeschichtung auf der ersten Trägerseite und den Halbleiterzellen auf der zweiten Trägerseite.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterzellen (1) nach dem Aufsetzen der Kontaktseiten (2) auf den Träger (4) durch ein Laminieren überdeckt werden.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen des Kontaktiermittels (11) mindestens eine weitere Kontaktierungsschicht erzeugt wird, mit den Verfahrensschritten: – mindestens abschnittsweise erfolgendes Überdecken der kontaktierten Trägerbeschichtung mit einer isolierenden Deckschicht (12), – Ausführen einer die Deckschicht, den Träger und/oder die leitfähige Trägerbeschichtung durchbrechenden lokalen Perforation zum Erzeugen von Durchbrüchen (10) auf den Kontaktbereichen (3) der Halbleiterzellen (2), – Aufbringen eines Kontaktiermittels (13) auf die Deckschicht zum Verfüllen der Durchbrüche und zum Ausbilden der weiteren auf der Deckschicht verlaufenden Kontaktierungsschicht.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufbringen des Kontaktiermittels (11, 13) durch ein Aufdrucken, ein Aufsprühen oder ein Löten erfolgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Löten durch einen Lotträger ein Lotmaterial an den zu verfüllenden Durchbruch (10) verbracht und dort nach einem Aufschmelzen eingefüllt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Löten als ein Laserlöten ausgeführt wird, wobei das selektive Aufschmelzen durch eine Beaufschlagung mit Laserlicht erfolgt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Ausführen der lokalen Perforation eine Bilderkennung der auf dem Träger (4) angeordneten Halbleiterzellen (1) ausgeführt wird, wobei durch eine Bildverarbeitung und/oder eine Bezugspunktsetzung eine direkte Referenzierung einer Perforationsvorrichtung auf jeder einzelnen Halbleiterzelle ausgeführt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bilderkennung durch eine Durchleuchtungseinrichtung (14, 16, 17) ein Durchleuchtungsbild (18) erzeugt wird, wobei bei der Bildverarbeitung eine Konturerkennung (19) an jedem Durchleuchtungsbild ausgeführt wird und die Perforiervorrichtung (8) im Ergebnis der Konturerkennung selbsttätig an eine daraus bestimmte Position zum Erzeugen des jeweiligen Durchbruchs (10) bewegt wird.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die lokale Perforation in Form eines Laserbohrens unter Verwendung einer Laserbohrvorrichtung ausgeführt wird.
  10. Photovoltaikmodul, umfassend eine Vielzahl von Halbleiterzellen (1) mit einer Rückseitenkontaktierung und einen Träger (4), dadurch gekennzeichnet, dass der Träger als eine Folie oder ein Laminat ausgebildet ist, wobei der Träger elektrisch leitfähig verfüllte Durchbrüche (10) im Bereich der Halbleiterzellen zum Ausbilden einer Kontaktierung zwischen den Halbleiterzellen auf einer ersten Trägerseite und auf einer zweiten Trägerseite verlaufenden Leitbahnen aufweist.
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KR1020127029692A KR101676078B1 (ko) 2010-04-14 2010-10-26 후면 접촉식 반도체 셀을 포함하는 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지 모듈
EP10774178A EP2559058A2 (de) 2010-04-14 2010-10-26 Verfahren zur herstellung eines photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten halbleiterzellen und photovoltaikmodul
JP2013504137A JP5655212B2 (ja) 2010-04-14 2010-10-26 裏面接続された半導体セルを備える光電池モジュールの製造方法および光電池モジュール
US13/640,878 US20130104957A1 (en) 2010-04-14 2010-10-26 Method for producing a photovoltaic module having backside-contacted semiconductor cells, and photovoltaic module
PCT/EP2010/066122 WO2011128001A2 (de) 2010-04-14 2010-10-26 Verfahren zur herstellung eines photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten halbleiterzellen und photovoltaikmodul
CN2010800661451A CN102834924A (zh) 2010-04-14 2010-10-26 制造带有背侧接触的半导体电池的光伏模块的方法和光伏模块

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011000418A1 (de) * 2011-01-31 2012-08-02 Azur Space Solar Power Gmbh Photovoltaik-Baugruppe
WO2013087306A1 (de) * 2011-12-14 2013-06-20 Robert Bosch Gmbh Solarmodul und verfahren zur herstellung eines solchen
WO2022269036A1 (en) * 2021-06-25 2022-12-29 Atlas Technologies Holding B.V. Solar module with improved bonding

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011088538A1 (de) * 2011-12-14 2013-06-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Anordnung zur Herstellung oder Reparatur eines Solarmoduls
JP5876379B2 (ja) * 2012-06-19 2016-03-02 本田技研工業株式会社 ガラス基板の穿孔方法および穿孔補助治具
JP2014067999A (ja) * 2012-09-04 2014-04-17 Toyo Aluminium Kk 太陽電池用リボン線及びそれを用いた太陽電池モジュール
DE102013205094A1 (de) 2013-03-22 2014-09-25 Robert Bosch Gmbh Solarmodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen
CN104183666B (zh) * 2013-05-26 2017-06-16 苏州易益新能源科技有限公司 一种激光焊接联接晶体硅太阳能电池的方法
ITTV20130211A1 (it) * 2013-12-23 2015-06-24 Vismunda Srl "metodo d'assemblaggio di un pannello fotovoltaico di tipo back-contact con prefissaggio delle celle, e stazione combinata di carico e pre-fissaggio".
CN104753600A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 深圳新飞通光电子技术有限公司 一种金属封装的光收发模块
WO2020100528A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 株式会社カネカ 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN110148640A (zh) * 2019-05-30 2019-08-20 江苏欧达丰新能源科技发展有限公司 喷绘烧结制作光伏电池片栅线电极的方法
DE102019122213A1 (de) * 2019-08-19 2021-02-25 Heliatek Gmbh Verfahren zur elektrisch leitenden Kontaktierung eines mindestens eine Schutzschicht aufweisenden optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Kontaktierung
KR102554432B1 (ko) * 2021-05-12 2023-07-11 (주)선진환경 바이패스 핀이 접촉된 태양전지 모듈 및 이의 공정 방법
KR102639167B1 (ko) * 2021-12-02 2024-02-20 한화솔루션 주식회사 과솔더가 방지되는 태양전지 모듈 제조용 태빙 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19951053A1 (de) * 1998-10-26 2000-04-27 Shibuya Kogyo Co Ltd Kontaktierungsvorrichtung
US20070137692A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
DE102006052018A1 (de) * 2006-11-03 2008-05-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul mit verbesserten Rückseiten-Elektroden sowie Verfahren und Herstellung
US20090065043A1 (en) * 2006-02-22 2009-03-12 Jean-Christophe Hadorn Method of coupling photovoltaic cells and film for implementing it

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5584956A (en) * 1992-12-09 1996-12-17 University Of Iowa Research Foundation Method for producing conductive or insulating feedthroughs in a substrate
JP3168811B2 (ja) * 1994-03-23 2001-05-21 富士電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP4441938B2 (ja) * 1998-12-28 2010-03-31 ソニー株式会社 集積型薄膜素子およびその製造方法
JP2001352084A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池とその製造方法
JP4352644B2 (ja) * 2001-09-26 2009-10-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 Ｘ線画像撮像システム
JP2004261924A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Seiko Precision Inc 板状ワークの穴明け装置および穴明け方法
JP2007315834A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Shimadzu Corp Ｘ線透視装置
US10123430B2 (en) * 2006-10-17 2018-11-06 Alpha Assembly Solutions Inc. Materials for use with interconnects of electrical devices and related methods
WO2008090718A1 (ja) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールならびに太陽電池アレイの製造方法
TW200905901A (en) * 2007-03-29 2009-02-01 Daniel F Baldwin Solar module manufacturing processes
US8115096B2 (en) * 2007-06-18 2012-02-14 E-Cube Technologies, Ltd. Methods and apparatuses for improving power extraction from solar cells
JP4989549B2 (ja) * 2007-08-24 2012-08-01 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
DE102007052971A1 (de) * 2007-11-07 2009-06-10 Solarion Ag Kontaktierung und Modulverschaltung von Dünnschichtsolarzellen auf polymeren Trägern
EP2073269A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-24 Helianthos B.V. Verfahren zur Herstellung einer seriellen Verbindung in einem Solarzellensystem
DE102008044910A1 (de) * 2008-08-30 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul mit einseitiger Verschaltung
JP2010062393A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Sharp Corp 多層配線板の孔あけ加工装置
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
DE102008037613A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-02 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung eines Metallkontakts
WO2011105510A1 (ja) * 2010-02-24 2011-09-01 京セラ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19951053A1 (de) * 1998-10-26 2000-04-27 Shibuya Kogyo Co Ltd Kontaktierungsvorrichtung
US20070137692A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
US20090065043A1 (en) * 2006-02-22 2009-03-12 Jean-Christophe Hadorn Method of coupling photovoltaic cells and film for implementing it
DE102006052018A1 (de) * 2006-11-03 2008-05-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul mit verbesserten Rückseiten-Elektroden sowie Verfahren und Herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011000418A1 (de) * 2011-01-31 2012-08-02 Azur Space Solar Power Gmbh Photovoltaik-Baugruppe
WO2012104208A2 (de) 2011-01-31 2012-08-09 Azur Space Solar Power Gmbh Photovoltaik-baugruppe
WO2013087306A1 (de) * 2011-12-14 2013-06-20 Robert Bosch Gmbh Solarmodul und verfahren zur herstellung eines solchen
WO2022269036A1 (en) * 2021-06-25 2022-12-29 Atlas Technologies Holding B.V. Solar module with improved bonding
NL2028545B1 (en) * 2021-06-25 2023-01-02 Atlas Technologies Holding Bv Solar module with improved bonding

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Publication number Publication date
US20130104957A1 (en) 2013-05-02
CN102834924A (zh) 2012-12-19
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