DE102010027619B3 - Microwave plasma source of microwave distribution system used during plasma treatment process of substrate, has inner tube and conduit that are arranged in coaxial manner, and guard portion arranged in conduit is contacted with inner tube - Google Patents
Microwave plasma source of microwave distribution system used during plasma treatment process of substrate, has inner tube and conduit that are arranged in coaxial manner, and guard portion arranged in conduit is contacted with inner tube Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010027619B3 DE102010027619B3 DE102010027619A DE102010027619A DE102010027619B3 DE 102010027619 B3 DE102010027619 B3 DE 102010027619B3 DE 102010027619 A DE102010027619 A DE 102010027619A DE 102010027619 A DE102010027619 A DE 102010027619A DE 102010027619 B3 DE102010027619 B3 DE 102010027619B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- microwave
- plasma source
- source according
- microwave plasma
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 138
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 19
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 19
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 46
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/103—Hollow-waveguide/coaxial-line transitions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
- H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
- H01P5/028—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions between strip lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Mikrowellenplasmaquelle mit einer Vorrichtung zur Zuführung von Mikrowellenenergie zu einem Innenleiter innerhalb eines Schutzrohres mit den Merkmalen nach Anspruchs 1.The invention relates to a microwave plasma source with a device for supplying microwave energy to an inner conductor within a protective tube having the features according to
Stand der TechnikState of the art
Nach dem Stand der Technik sind verschiedene Mikrowellenplasmaquellen bekannt, wobei hier insbesondere lineare Plasmaquellen von Interesse sind, bei denen mindestens ein linearer Innenleiter in einem Schutzrohr aus isolierendem Material in einer Vakuumkammer angeordnet und für die industrielle Plasmabehandlung großflächiger Substrate nutzbar ist.According to the prior art, various microwave plasma sources are known, with particular interest being given to linear plasma sources in which at least one linear inner conductor is arranged in a protective tube of insulating material in a vacuum chamber and can be used for the industrial plasma treatment of large-area substrates.
Beispielsweise gibt die
Die Vorrichtung besitzt einen Führungshohlleiter aus Quarzglas, der koaxial und mit Abstand zu einem Innenleiter aus Metall verläuft. Der Führungshohlleiter ist im Bereich eines Flansches von einer Metallummantelung umgeben. Diese Metallummantelung dient als Wellenleiter für die Mikrowellen, die verhindert, dass im Bereich des Flansches bereits ein Plasma gezündet wird. Der Flansch dient auch dazu, die gesamte Vorrichtung in die Wand einer Behandlungskammer einzusetzen. Der Führungshohlleiter ist gegen die Metallummantelung über eine 0-Ring-Dichtung abgedichtet.The device has a fused quartz guide waveguide coaxial with and spaced from a metal inner conductor. The guide waveguide is surrounded by a metal casing in the region of a flange. This metal sheath serves as a waveguide for the microwaves, which prevents a plasma from being ignited in the region of the flange. The flange also serves to insert the entire device into the wall of a treatment chamber. The guide waveguide is sealed against the metal jacket via a 0-ring seal.
Ein flanschartiges Führungselement ist vakuumdicht an der Außenseite des Flansches befestigt und dient zur Aufnahme eines Hohlleiters, an dessen einem Ende sich eine Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung anschließt. Das Führungselement und der Flansch des Hohlleiters sind über einen Klemmring gegeneinander verspannt. Der Hohlleiter ist an dem einen Ende des Flansches über ein Einschraubstück befestigt.A flange-like guide member is vacuum-tightly secured to the outside of the flange and serves to receive a waveguide, at one end of which is followed by a microwave generating device. The guide element and the flange of the waveguide are braced against each other via a clamping ring. The waveguide is attached to the one end of the flange via a screw.
Zur Erzeugung von Plasmafeldern können mehrere solcher Vorrichtungen nebeneinander in einem Rezipienten angeordnet werden. Der Innenleiter und der Führungshohlleiter können zum Wechsel axial aus dem Flansch entnommen werden.For generating plasma fields, a plurality of such devices can be arranged side by side in a recipient. The inner conductor and the guide waveguide can be removed axially from the flange to change.
Die
Der Leiter ist an einem Ende an eine Quelle zur Erzeugung elektromagnetischer Wechselfelder angeschlossen.The conductor is connected at one end to a source for generating alternating electromagnetic fields.
Zwei solcher Vorrichtungen in paralleler Ausrichtung können mit Hochfrequenz gleicher Frequenz gespeist werden, die in zeitlich fester Phasenbeziehung zueinander stehen. Das wird dadurch erreicht, dass in einer der beiden Teilungswege einer T-Verzweigung eine sogenannte λ/2-Umwegleitung (Lambda/2) eingesetzt wird. Die Anwendung dieses Grundprinzips auf weitere T-Verzweigungen, innerhalb einer Vorrichtung, wird die Hochfrequenz-Leistungsaufteilung auf eine Vielzahl von Innenleitern einer Plasmaerzeugungsanordnung ermöglicht.Two such devices in parallel alignment can be fed with high frequency of the same frequency, which are in fixed time-phase relation to each other. This is achieved by using a so-called λ / 2 detour line (lambda / 2) in one of the two dividing paths of a T-junction. The application of this basic principle to further T-junctions, within one device, enables high-frequency power distribution to a plurality of internal conductors of a plasma generation device.
Nachteilig ist dabei, dass für das Auswechseln der Isolierrohre die komplette Verteilungsvorrichtung abgebaut werden muss und dass die eingesetzten λ/2-Umwegleitungen sehr exakt gefertigt werden müssen, um eine phasengleiche und definierte Hochfrequenzaufteilung erreichen zu können.The disadvantage here is that for the replacement of the insulating tubes, the entire distribution device must be reduced and that the λ / 2 Umwegleitungen used must be made very accurately in order to achieve an in-phase and defined high-frequency distribution can.
Die
Die
Die
Der die Plasmakammer bildende Körper ist in der Vakuumkammer angeordnet. Die Abdichtung der Vakuumkammer zur Umgebung erfolgt zwischen einer Wandung der Vakuumkammer und einer Umhüllung eines Mikrowellenleiters, die durch die Zugangsöffnung verläuft und außerhalb der Vakuumkammer erzeugte Mikrowellen zuführt. Die Plasmakammer ist allseitig von gleichen Druckverhältnissen umgeben und zwischen der Plasmakammer und der Abdichtung der Vakuumkammer zur Atmosphäre besteht ein räumlicher Abstand. Die Mikrowellenplasmaquelle soll über eine dauerhafte und betriebssichere Vakuumdichtung verfügen.The body forming the plasma chamber is disposed in the vacuum chamber. The sealing of the vacuum chamber to the environment occurs between a wall of the vacuum chamber and a sheath of a microwave conductor which passes through the access opening and supplies microwaves generated outside the vacuum chamber. The plasma chamber is surrounded on all sides by equal pressure conditions and there is a spatial distance between the plasma chamber and the sealing of the vacuum chamber to the atmosphere. The microwave plasma source should have a permanent and reliable vacuum seal.
Die
Aufgabenstellungtask
Der Erfindung liegt damit als Aufgabe zugrunde, eine Mikrowellenplasmaquelle mit einer Vorrichtung zur Zuführung von Mikrowellenenergie zu einem Innenleiter innerhalb eines Schutzrohres anzugeben, welche in einfacher Weise und mit geringem Raumbedarf in der Behandlungskammer montiert und demontiert werden kann. Die Mikrowellenplasmaquelle soll insbesondere auch geeignet sein, großflächige Plasmaquellen zu erstellen.The invention is therefore an object of the invention to provide a microwave plasma source with a device for supplying microwave energy to an inner conductor within a protective tube, which can be mounted in a simple manner and with little space in the treatment chamber and disassembled. The microwave plasma source should in particular also be suitable for creating large-area plasma sources.
Vorzugsweise wird dabei eine Mikrowellenenergie mit einer Anregungsfrequenz von 2.45 GHz eingesetzt. Je nach Anwendung können aber auch niedrigere Anregungsfrequenzen wie z. B. 915 MHz und auch deutlich höhere Anregungsfrequenzen als 2.45 GHZ eingesetzt werden. Die Dimensionierung der notwendigen Wellenleiter erfolgt dann nach den Wellenleitertechnischen Anforderungen der jeweiligen Anregungsfrequenzen.Preferably, a microwave energy with an excitation frequency of 2.45 GHz is used. Depending on the application but also lower excitation frequencies such. B. 915 MHz and also significantly higher excitation frequencies than 2.45 GHz are used. The dimensioning of the necessary waveguide then takes place according to the waveguide requirements of the respective excitation frequencies.
Die Vorrichtung soll insbesondere auch geeignet sein, großflächige Plasmaquellen zu erstellen.The device should in particular also be suitable for creating large-area plasma sources.
Bevorzugt und abhängig von den technologischen Anforderungen, der ausgewählten Bearbeitungstechnologien, sollen dabei mehrere einzelne Plasmaquellen zusammengefasst werden und über ein gemeinsames Mikrowellen-Verteilersystem mit mindesten einer Mikrowellen-Versorgungseinrichtung verbunden werden.Preferably and depending on the technological requirements of the selected processing technologies, several individual plasma sources are to be combined and connected via a common microwave distribution system with at least one microwave supply device.
Die Erfindung löst die Aufgabe durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet und werden nachstehend zusammen mit der Beschreibung der bevorzugten Ausführung der Erfindung, einschließlich der Zeichnung, näher dargestellt.The invention achieves the object by the features specified in
Die Vorrichtung dient zur Zuführung von Mikrowellenenergie von einer Mikrowellen-Versorgungseinrichtung über einen Wellenleiter-Übergang zu einem Innenleiter, innerhalb eines Schutzrohres einer Mikrowellenplasmaquelle, welches innerhalb einer Vakuumkammer angeordnet und gegenüber der Atmosphäre abgedichtet ist.The device is for supplying microwave energy from a microwave supply device via a waveguide transition to an inner conductor, within a protective tube of a microwave plasma source, which is disposed within a vacuum chamber and sealed from the atmosphere.
Der Kern der Erfindung besteht darin, dass der Wellenleiter-Übergang wellenleitertechnisch einseitig auf Massepotential liegt und dass sich innerhalb des Wellenleiter-Überganges ein Führungsrohr befindet das in etwa bis zu einem Innenleiter innerhalb eines Schutzrohres einer Mikrowellenplasmaquelle reicht, wobei der Innenleiter der Mikrowellenplasmaquelle etwa an der Wandung der Vakuumkammer endet. Damit sind die Grundvoraussetzungen gegeben um einen Leiterstab von der Atmosphärenseite und masseseitig des Wellenleiter-Überganges bis zur Verbindungsstelle des Innenleiters der Mikrowellenplasmaquelle zu führen, ohne die Wellenleiterfunktion dieser Anordnung zu stören.The essence of the invention is that the waveguide transition waveguide technology is on one side to ground potential and that within the waveguide transition is a guide tube which extends approximately to an inner conductor within a protective tube of a microwave plasma source, wherein the inner conductor of the microwave plasma source approximately at the Wall of the vacuum chamber ends. Thus, the basic requirements are given to guide a conductor bar from the atmosphere side and the ground side of the waveguide junction to the junction of the inner conductor of the microwave plasma source, without disturbing the waveguide function of this arrangement.
Zur Montage der Vorrichtung zur Zuführung von Mikrowellenenergie ist an der Vakuumseite der Vakuumkammer ein Anschlussstutzen vorgesehen, wobei dieser in vorteilhafter Weise ein Vakuumflansch ist. Zugehörig ist eine Kupplungseinrichtung, die mit dem Anschlussstutzen verbunden werden kann und zentrisch den Innenleiter und das Schutzrohr haltert. Dabei gewährleistet die Kupplungseinrichtung gleichzeitig auch den vakuumdichten Abschluss des Schutzrohres.For mounting the device for supplying microwave energy, a connecting piece is provided on the vacuum side of the vacuum chamber, wherein this is advantageously a vacuum flange. Belongs to a coupling device that can be connected to the connecting piece and centrally holds the inner conductor and the protective tube. At the same time, the coupling device also ensures the vacuum-tight closure of the protective tube.
Als Kupplungseinrichtung kann mindestens eine Überwurfmutter mit einem Kupplungsring vorhanden sein, die auf den Anschlussstutzen aufgeschraubt werden kann oder z. B. auch mittels eines Bajonettverschluss miteinander verbunden wird. Der Leiterstab ist in vorteilhafter Weise derart ausgebildet, dass er in den Innenleiter eingeführt werden kann. Dazu kann entsprechend Ausführungsbeispiel I am Leiterstab eine verjüngte Spitze ausgebildet sein, die in den rohrförmigen Innenleiter eingreift. Die überlappende Länge, der verjüngten Spitze des Innenleiters, soll dabei bevorzugt mindestens 1/4 der Wellenlänge der Anregungsfrequenz sein. 1/4 der Wellenlänge soll im Folgenden kurz auch mit λ/4 (Lambda/4) bezeichnet werden. Dadurch kann neben dem ohmschen Kontakt auch ein dielektrischer Kontakt zwischen beiden Bauteilen erreicht werden. Ein gewünschter rein ohmscher Kontakt sollte aber besser durch eine dem Stand der Technik entsprechende Buchse-Stecker-Verbindung ausgeführt werden. Wird ein dielektrischer Feldkontakt (auch kapazitiver Kontakt genannt) angestrebt, so kann die verjüngte Spitze vorteilhaft mit einem geeignetem dielektrischen Material beschichtet werden. Geeignete Materialien sind z. B. Aluminiumoxid bzw. Siliziumoxid. Die aufgebrachten dielektrischen Materialien sollten eine ausreichende elektrische Durchschlagsfestigkeit besitzen und eine möglichst hohe Dielektrizitätskonstante aufweisen.As a coupling device, at least one union nut may be present with a coupling ring which can be screwed onto the connection piece or z. B. is also connected to each other by means of a bayonet lock. The conductor bar is advantageously designed such that it can be inserted into the inner conductor. For this purpose, according to exemplary embodiment I, a tapered tip can be formed on the conductor bar, which engages in the tubular inner conductor. The overlapping length, the tapered tip of the inner conductor, should preferably be at least 1/4 of the wavelength of the excitation frequency. 1/4 of the wavelength will be referred to in the following as λ / 4 (lambda / 4). This can be next to the ohmic contact also a dielectric contact between the two components can be achieved. However, a desired pure ohmic contact should be performed better by a prior art socket-connector connection. If a dielectric field contact (also called capacitive contact) is desired, the tapered tip can advantageously be coated with a suitable dielectric material. Suitable materials are for. B. alumina or silica. The applied dielectric materials should have sufficient electrical breakdown strength and have the highest possible dielectric constant.
Bei Bedarf kann auch der Leiterstab innerhalb des Leitungsrohres elektrisch isoliert geführt sein. Dann kann der Leiterstab mit einer Spannungsquelle verbunden werden und dem Innenleiter eine Wechselspannung geeigneter Frequenz zugeführt werden, die den Mikrowellen überlagert ist. Damit können in der Praxis zusätzliche Beeinflussungen des Plasmas realisiert werden. Geeignete Frequenzen sind in einem Frequenzbereich von ca. 1 MHz bis einige hundert MHz zu finden. Zur Verbesserung der kapazitiven Kopplung im Bereich des am Schutzrohr ausgebildeten Mikrowellenplasmas und dem Innenleiter der Mikrowellenplasmaquelle, kann der Außendurchmesser des Innenleiters, im Bereich der notwendigen kapazitiven Kopplung, den Anforderungen entsprechend angepasst werden. Vorteilhaft ist es, wenn die Änderung des Außendurchmessers des Innenleiters erst in einem Abstand größer λ/4, der Mikrowellenfrequenz, von der Kontaktstelle zwischen Innenleiter und dem verschiebbaren Leiterstab in den neuen Durchmesser übergeht. Der Übergangsbereich zwischen dem Außendurchmesser des Innenleiters an der Kontaktstelle und bis zum neuen Außendurchmesser des Innenleiters, soll möglichst wellenleitertechnisch ”sanft” erfolgen. Im einfachsten Falle kann dafür ein kontinuierlicher Übergang gewählt werden. Die Betätigung des verschiebbaren Leiterstabes kann einfach manuell oder mit einer beliebigen Antriebsvorrichtung, z. B. motorisch, pneumatisch oder magnetisch erfolgen.If necessary, the conductor bar within the conduit can be performed electrically insulated. Then, the conductor bar can be connected to a voltage source and the inner conductor an AC voltage of suitable frequency are supplied, which is superimposed on the microwaves. Thus, in practice, additional influencing of the plasma can be realized. Suitable frequencies can be found in a frequency range of about 1 MHz to several hundred MHz. To improve the capacitive coupling in the region of the microwave plasma formed on the protective tube and the inner conductor of the microwave plasma source, the outer diameter of the inner conductor, in the region of the necessary capacitive coupling, can be adapted to the requirements. It is advantageous if the change in the outer diameter of the inner conductor only at a distance greater than λ / 4, the microwave frequency, passes from the contact point between the inner conductor and the movable conductor bar in the new diameter. The transition region between the outer diameter of the inner conductor at the contact point and to the new outer diameter of the inner conductor, should be possible "wavy" as possible waveguide technology. In the simplest case, a continuous transition can be chosen for this. The operation of the movable conductor bar can be easily manually or with any drive device, for. B. motor, pneumatic or magnetic.
Ausführungsbeispieleembodiments
Die Erfindung wird nachstehend an sechs Ausführungsbeispielen näher erläutert. Zugehörig zu Ausführungsbeispiel I zeigt
Ausführungsbeispiel IEmbodiment I
Im Ausführungsbeispiel I ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung in seinem grundlegenden Aufbau dargestellt. In äquivalenter Weise kann dieser Aufbau auch bei den weiteren Ausführungsbeispielen angewandt werden.In the embodiment I, a device according to the invention is shown in its basic structure. Equivalently, this structure can also be used in the other embodiments.
Erfindungsgemäß ist in der Längsachse des Innenleiters
Als Wellentransformator
Im Ausführungsbeispiel sind als Vakuumdichtung
Die eigentliche Kopplung der Mikrowellenergie zwischen dem Leitungsrohr
Beim Einsatz der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Plasmaerzeugung wird die Mikrowellen-Versorgungseinrichtung
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, dass zum Zwecke des Einsatzes oder des Austausches eines Innenleiters
Mehrere solcher Mikrowellenplasmaquellen, mit einer einseitigen Vorrichtung zur Zuführung von Mikrowellenenergie an einem Innenleiter
Ausführungsbeispiel IIExemplary embodiment II
Weiterhin sind im Ausführungsbeispiel II beidseitig je ein elektromotorischer Antrieb
Ausführungsbeispiel IIIEmbodiment III
Der Anschluss der Mikrowellen-Versorgungsvorrichtung an der Mikrowellenzuführung
Der 2-Wege Mikrowellenverteiler besteht im Wesentlichen aus einem massiven Masseblock
Die Leitungsrohre
Die λ/4-Stutzen können aber auch innerhalb der Koaxialaußenleiter verschiebbar eingesetzt werden, wodurch diese zu λ/4-Schiebern werden. Dadurch kann z. B. eine Anpassung des Teilungsverhältnisses der Mikrowellenenergie der beiden Wege, des 2-Wege Mikrowellenverteilers erreicht werden oder insgesamt die Wellenleitertechnische Anpassung des 2-Wege Mikrowellenverteilers an die Lastbedingungen der Plasmaquelle verbessert werden. Es kann auch vorteilhaft sein, einen Wellenleiter-Übergang als λ/4-Stutzen und den anderen Wellenleiter-Übergang als λ/4-Schieber auszuführen wird.However, the λ / 4 sockets can also be slidably inserted within the Koaxialaußenleiter, making them λ / 4 sliders. As a result, z. As an adaptation of the division ratio of the microwave energy of the two paths, the 2-way microwave distributor can be achieved or overall the waveguide technology adaptation of the 2-way microwave distributor to the load conditions of the plasma source can be improved. It may also be advantageous to perform a waveguide transition as a λ / 4 port and the other waveguide transition as a λ / 4 port.
Die Anfertigung eines solchen 2-Wege Mikrowellenverteilers, insbesondere die Einbringung der H-förmige Koaxialleiteranordnung, innerhalb des Masseblocks
Vorteilhaft bei dieser Lösung für einen 2-Wege Mikrowellenverteiler ist, dass nur eine geringe Wartung benötigt wird. Nach erfolgter Montage des 2-Wege Mikrowellenverteiler muss dieser z. B. für die Wartung der Schutzrohre
Der vorgestellte 2-Wege Mikrowellenverteiler eignet sich sowohl für eine einseitige Zuführung von Mikrowellenenergie zu zwei Innenleitern
Bei der einseitigen Zuführung von Mikrowellenenergie an zwei Innenleiter
Ausführungsbeispiel IVEmbodiment IV
Ausführungsbeispiel VEmbodiment V
Als Kupplungseinrichtungen sind wieder Bajonettverschlüsse vorhanden. Damit kann diese großtechnisch einsetzbare Vorrichtung sehr effektiv gewartet und die Innenleiter
Ausführungsbeispiel VIExemplary embodiment VI
Die
Die Mikrowellenzuführung
In seltenen Fällen wird es notwendig sein mehr als vier einzelne Innenleiter mit einer Mikrowellen-Versorgungseinrichtung zu verbinden. Wenn das aber notwendig wird, können in entsprechender Art und Weise auch mehr als zwei einzelne Traversen
Auf Grund einer möglichen Vielzahl von T-förmigen Koaxialleiteranordnungen, zur Aufteilung der eingesetzten Mikrowellenenergie auf eine Vielzahl H-förmiger Koaxialleiter-Grundanordnungen, innerhalb des Masseblocks
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- Mikrowellen-VersorgungseinrichtungMicrowave supply means
- 22
- Innenleiterinner conductor
- 33
- Schutzrohrthermowell
- 44
- Vakuumkammervacuum chamber
- 55
- Vakuumflanschvacuum flange
- 66
- Koaxialaußenleitercoaxial outer conductor
- 77
- Wellenleiter-ÜbergangWaveguide transition
- 88th
- LeitungsrohrPipeline
- 99
- KegelübergangCone transition
- 1010
- Isolierscheibeinsulating
- 1111
- ÜberwurfmutterNut
- 1212
- Kupplungsringcoupling ring
- 1313
- innerer Bundinner covenant
- 1414
- Isolierscheibeinsulating
- 1515
- Vakuumdichtungvacuum seal
- 1616
- Vakuumdichtungvacuum seal
- 1717
- Isolierscheibeinsulating
- 1818
- LeiterstabHead of staff
- 1919
- verjüngte Spitzetapered tip
- 2020
- Zuführung für ProzessgasFeeder for process gas
- 2121
- Substrathalterungsubstrate holder
- 2222
- Substratesubstrates
- 2222
- Vakuum-PumpstutzenVacuum pump port
- 2323
- Antriebdrive
- 2424
- Spannungsquellevoltage source
- 2525
- Traversetraverse
- 2626
- LeitungsrohrPipeline
- 2727
- Masseblockground block
- 2828
- Isolatorinsulator
- 2929
- Magnetantriebemagnetic drives
- 3030
- Bajonettverschlussbayonet catch
- 3131
- Verbundtraversecomposite Traverse
- 3232
- Vakuumflanschvacuum flange
- 3333
- Grundkörperbody
- 3434
- Vakuumdichtungvacuum seal
- 3535
- Kupplungskörperclutch body
- 3636
- Kupplungskörperclutch body
- 3737
- Substrathalterungsubstrate holder
- 3838
- Verbund-TraverseComposite truss
- 3939
- Verbund-TraverseComposite truss
- 4040
- Masseblocksmass block
- 4141
- Mikrowellenzuführungmicrowave feed
- 4242
- Koaxialinnenleitercoaxial inner
Claims (24)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010027619A DE102010027619B3 (en) | 2010-07-20 | 2010-07-20 | Microwave plasma source of microwave distribution system used during plasma treatment process of substrate, has inner tube and conduit that are arranged in coaxial manner, and guard portion arranged in conduit is contacted with inner tube |
CN201110294000.3A CN102378463B (en) | 2010-07-20 | 2011-07-20 | There is the microwave plasma source of microwave energy conveying device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010027619A DE102010027619B3 (en) | 2010-07-20 | 2010-07-20 | Microwave plasma source of microwave distribution system used during plasma treatment process of substrate, has inner tube and conduit that are arranged in coaxial manner, and guard portion arranged in conduit is contacted with inner tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010027619B3 true DE102010027619B3 (en) | 2011-11-17 |
Family
ID=44859926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010027619A Expired - Fee Related DE102010027619B3 (en) | 2010-07-20 | 2010-07-20 | Microwave plasma source of microwave distribution system used during plasma treatment process of substrate, has inner tube and conduit that are arranged in coaxial manner, and guard portion arranged in conduit is contacted with inner tube |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102378463B (en) |
DE (1) | DE102010027619B3 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013156924A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Microwave plasma generating device and method for operating same |
WO2023172141A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
WO2023172140A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103269559B (en) * | 2013-05-03 | 2016-04-20 | 大连海事大学 | A kind of enhancement mode microwave discharge in water plasma producing apparatus |
FR3042092B1 (en) * | 2015-10-05 | 2019-07-26 | Sairem Societe Pour L'application Industrielle De La Recherche En Electronique Et Micro Ondes | ELEMENTARY DEVICE FOR PRODUCING PLASMA WITH COAXIAL APPLICATOR |
CN105977116A (en) * | 2016-03-23 | 2016-09-28 | 中国科学院等离子体物理研究所 | Long-rod-shaped scalable rotary type ion source |
DE102017121731A1 (en) * | 2017-09-19 | 2019-03-21 | Muegge Gmbh | Apparatus for treating a product with microwaves |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4136297A1 (en) * | 1991-11-04 | 1993-05-06 | Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De | Localised plasma prodn. in treatment chamber - using microwave generator connected to coupling device which passes through the wall of the chamber without using a coupling window |
DE19756774A1 (en) * | 1997-12-19 | 1999-06-24 | Tec Tra Gmbh | Microwave plasma source |
DE19847848C1 (en) * | 1998-10-16 | 2000-05-11 | R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic | Device and generation of excited / ionized particles in a plasma |
JP2003188103A (en) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processor |
DE102004021016A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Invertec - Innovative Verfahrenstechnik E.V. | Microwave radiation introducing method e.g. for transmission and aerial system, involves introducing radiation over high temperature-steady coaxial cable into applicator |
DE102004057851A1 (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-14 | Invertec - Innovative Verfahrenstechnik E.V. | Homogeneous microwave heating of an active medium in an applicator/reactor, e.g for use with chemical reactions, makes use of rod antennae |
DE19801366B4 (en) * | 1998-01-16 | 2008-07-03 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Device for generating plasma |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6778044B2 (en) * | 2002-01-23 | 2004-08-17 | Vega Grieshaber Kg | Coaxial line plug-in connection with integrated galvanic separation |
DE102004021061B4 (en) * | 2004-04-29 | 2006-04-20 | GÖTZ, Werner | Artificial snow production, e.g. for production of chilled pre-mixed concrete, avoids lump-formation by using draught tube baffle crystallizer vessel, fed with water and liquid nitrogen |
US7450055B2 (en) * | 2006-02-22 | 2008-11-11 | Rosemount Tank Radar Ab | Coaxial connector in radar level gauge |
-
2010
- 2010-07-20 DE DE102010027619A patent/DE102010027619B3/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-20 CN CN201110294000.3A patent/CN102378463B/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4136297A1 (en) * | 1991-11-04 | 1993-05-06 | Plasma Electronic Gmbh, 7024 Filderstadt, De | Localised plasma prodn. in treatment chamber - using microwave generator connected to coupling device which passes through the wall of the chamber without using a coupling window |
DE19756774A1 (en) * | 1997-12-19 | 1999-06-24 | Tec Tra Gmbh | Microwave plasma source |
DE19801366B4 (en) * | 1998-01-16 | 2008-07-03 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Device for generating plasma |
DE19847848C1 (en) * | 1998-10-16 | 2000-05-11 | R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic | Device and generation of excited / ionized particles in a plasma |
JP2003188103A (en) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processor |
DE102004021016A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Invertec - Innovative Verfahrenstechnik E.V. | Microwave radiation introducing method e.g. for transmission and aerial system, involves introducing radiation over high temperature-steady coaxial cable into applicator |
DE102004057851A1 (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-14 | Invertec - Innovative Verfahrenstechnik E.V. | Homogeneous microwave heating of an active medium in an applicator/reactor, e.g for use with chemical reactions, makes use of rod antennae |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013156924A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Microwave plasma generating device and method for operating same |
DE102012103425A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Microwave plasma generating device and method of operation thereof |
US9431217B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-08-30 | Meyer Burger (Germany) Ag | Microwave plasma generating device and method for operating same |
WO2023172141A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
WO2023172140A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
NL2031258B1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-19 | Leydenjar Tech B V | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
NL2031257B1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-20 | Leydenjar Tech B V | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102378463B (en) | 2015-12-02 |
CN102378463A (en) | 2012-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102010027619B3 (en) | Microwave plasma source of microwave distribution system used during plasma treatment process of substrate, has inner tube and conduit that are arranged in coaxial manner, and guard portion arranged in conduit is contacted with inner tube | |
DE19814812C2 (en) | Plasma torch with a microwave transmitter | |
EP1767068B1 (en) | Device for the treatment of a substrate by means of at least one plasma jet | |
DE4018914C1 (en) | ||
DE19802971C2 (en) | Plasma reactor | |
EP0916153B1 (en) | Device for producing plasma | |
EP2849204B1 (en) | Plasma generating apparatus | |
DE102012103425A1 (en) | Microwave plasma generating device and method of operation thereof | |
EP0376017A2 (en) | Magnetron-cathodic sputtering device with a hollow cathode and a cylindrical target | |
DE3615361C2 (en) | Device for the surface treatment of workpieces | |
EP2191699B1 (en) | High-voltage insulator arrangement, and ion accelerator arrangement comprising such a high-voltage insulator arrangement | |
DE10203543B4 (en) | Device for generating an APG plasma | |
DE19801366B4 (en) | Device for generating plasma | |
EP1872637A1 (en) | Plasma coating device and method | |
DE102009044496B4 (en) | Device for generating plasma using microwaves | |
DE102018113444B3 (en) | Linear microwave plasma source with separate plasma spaces | |
EP1665324B1 (en) | Electron cyclotron resonance (ecr) plasma source having a linear plasma discharge opening | |
EP3752007B1 (en) | Flow cell for treating liquids | |
WO1992006224A1 (en) | Component-coating process and device | |
DE10320805B4 (en) | Device for processing cylindrical, at least one electrically conductive wire having substrates | |
DE10358505B4 (en) | Plasma source for generating an inductively coupled plasma | |
DE19955671A1 (en) | Device for generating plasma in treatment chamber has dividing plate between treatment chamber, antenna chamber in which plasma is not generated owing to higher pressure/gas filling | |
DE102004055256B4 (en) | High frequency electron source | |
DE10358329B4 (en) | Device for generating excited and / or ionized particles in a plasma and method for producing ionized particles | |
DE19641439A1 (en) | Electron cyclotron resonance ion source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSCH, DE Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN, PATENTANWAELTE, DE Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN, PATENTANWAELTE, 01187 DRESDE |
|
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120218 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MEYER BURGER (GERMANY) AG, DE Free format text: FORMER OWNER: ROTH & RAU AG, 09337 HOHENSTEIN-ERNSTTHAL, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KAILUWEIT & UHLEMANN PATENTANWAELTE PARTNERSCH, DE |
|
R082 | Change of representative | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |