DE102010007769B4 - Wafer processing process - Google Patents

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Abstract

Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers (11) in mehrere einzelne Bauelemente (15) entlang mehrerer an der Vorderseite (11a) des Wafers (11) ausgebildeter Straßen (13), wobei der Wafer (11) einen Bauelementbereich (17), in dem die einzelnen Bauelemente (15) ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich (19), der den Bauelementbaubereich (17) umgibt, aufweist und das Waferbearbeitungsverfahren umfasst:einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite (11b) des Wafers (11) in einem Bereich, der dem Bauelementbereich (17) entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs (17) auf eine vorgegebene Dicke zu verringern zum Bilden einer kreisförmigen Aussparung (24) und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) an der Rückseite (11b) des Wafers (11) in einem Bereich auszubilden, der dem Umfangsrandbereich (19) entspricht, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt (26) die kreisförmige Aussparung (24) umgibt;einen Waferanbringschritt zum Anbringen der Rückseite (11b) des Wafers (11) an einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands (34), dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen (36) gehalten wird, nach dem Durchführen des Waferschleifschritts;einen Waferhalteschritt zum Halten des Wafers (11) an einem Einspanntisch (40), der einen Bauelementbereich-Halteabschnitt zum Halten der Rückseite des Bauelementbereichs (17) unter Ansaugen und einen Halteabschnitt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) zum Halten des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (26) aufweist, nach dem Durchführen des Waferanbringschritts, wobei der Einspanntisch (40) eine aus Metall ausgebildete Halteplatte (46) mit einer kreisförmigen Aussparung (48) und einem Ansaugdurchlass (50) aufweist und ein scheibenförmiges poröses Element (52) in die kreisförmige Aussparung (48) der Halteplatte (46) eingepasst ist, wobei eine obere Oberfläche des scheibenförmigen porösen Elements (50) in einer höheren Ebene liegt als eine obere Oberfläche der Halteplatte (46),wobei eine untere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (26) des Wafers (11) durch das Zerteilungsband (34) an der Halteplatte (46) gehalten wird und die innere Oberfläche der kreisförmigen Aussparung (24) unter Ansaugen durch das Zerteilungsband (34) an dem porösen Element (52) gehalten wird;einen Waferteilungsschritt zum Schneiden des Wafers (11) entlang jeder Straße (13) durch Verwenden einer Schneidklinge, um den Bauelementbereich (17) in die einzelnen Bauelemente (15) zu teilen, nach dem Waferhalteschritt;einen Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) zum Schneiden des Wafers (11) entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich (17) und dem Umfangsrandbereich (19) durch Verwenden der Schneidklinge, während der Einspanntisch (40) gedreht wird, nach dem Durchführen des Waferteilungsschritts, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt (26) von dem Wafer (11) entfernt wird; undeinen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen jedes Bauelements (15) von dem Zerteilungsband (34) nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26).Wafer processing method for dividing a wafer (11) into several individual components (15) along several streets (13) formed on the front side (11a) of the wafer (11), the wafer (11) having a component area (17) in which the individual Components (15) are formed, and has a peripheral edge area (19) surrounding the component construction area (17), and the wafer processing method comprises: a wafer grinding step for grinding the back side (11b) of the wafer (11) in an area corresponding to the component area ( 17), thereby reducing the thickness of the component region (17) to a predetermined thickness to form a circular recess (24) and at the same time forming an annular reinforcing section (26) on the back side (11b) of the wafer (11) in an area corresponding to the peripheral edge region (19), the annular reinforcing portion (26) surrounding the circular recess (24); a wafer attaching step for attaching the back side (11b) of the wafer (11) to a central portion of a dicing belt (34), the outer peripheral portion thereof is held on an annular dividing frame (36) after performing the wafer grinding step; a wafer holding step for holding the wafer (11) on a chuck table (40), which has a device area holding section for holding the back side of the device area (17) under suction and one An annular reinforcing portion holding portion (26) for holding the annular reinforcing portion (26) after performing the wafer mounting step, wherein the chuck table (40) includes a metal-formed holding plate (46) having a circular recess (48) and a suction passage (50 ) and a disk-shaped porous element (52) is fitted into the circular recess (48) of the holding plate (46), an upper surface of the disk-shaped porous element (50) lying in a higher plane than an upper surface of the holding plate (46) ,wherein a lower surface of the annular reinforcing section (26) of the wafer (11) is held on the holding plate (46) by the dividing belt (34) and the inner surface of the circular recess (24) is suctioned by the dividing belt (34) on the porous member (52);a wafer dividing step of cutting the wafer (11) along each line (13) by using a cutting blade to divide the device area (17) into the individual devices (15) after the wafer holding step;a removing step for the annular reinforcement portion (26) for cutting the wafer (11) along the boundary between the device region (17) and the peripheral edge region (19) by using the cutting blade while rotating the chuck table (40) after performing the wafer dividing step, whereby removing the annular reinforcement portion (26) from the wafer (11); and a picking step for picking up each component (15) from the dividing belt (34) after performing the removing step for the annular reinforcing portion (26).

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of invention

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren, das einen Wafer mit einer verringerten Dicke in einzelne Bauelemente teilen kann, ohne die Handhabbarkeit des Wafers zu beeinträchtigen.The present invention relates to a wafer processing method that can divide a wafer with a reduced thickness into individual components without affecting the manageability of the wafer.

Beschreibung des Stands der TechnikDescription of the prior art

Bei einem Halbleiterbauelement-Herstellvorgang werden mehrere als Straßen bezeichnete, sich kreuzende Trennlinien an der Vorderseite eines im Wesentlichen scheibenförmigen Hableiterwafers ausgebildet, um dadurch mehrere Bereiche abzuteilen, in denen Bauelemente, wie zum Beispiel ICs und LSIs jeweils ausgebildet werden. Der Halbleiterwafer wird mit einer Schneidvorrichtung entlang dieser Straßen geschnitten, um dadurch den Wafer in die einzelnen Bauelemente zu teilen. Vor dem Schneiden des Wafers entlang der Straßen wird die Rückseite des Wafers geschliffen, um die Dicke des Wafers auf eine vorgegebene Dicke zu verringern. In den letzten Jahren war es erforderlich, die Waferdicke auf zum Beispiel ungefähr 50 µm zu verringern, um eine Verringerung der Größe und des Gewichts elektrischer Geräte zu erreichen.In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of intersecting dividing lines called streets are formed on the front side of a substantially disk-shaped semiconductor wafer, thereby dividing a plurality of areas in which devices such as ICs and LSIs are respectively formed. The semiconductor wafer is cut along these lines using a cutting device, thereby dividing the wafer into individual components. Before cutting the wafer along the streets, the back side of the wafer is ground to reduce the thickness of the wafer to a predetermined thickness. In recent years, it has been necessary to reduce the wafer thickness to, for example, about 50 µm in order to achieve reduction in size and weight of electrical devices.

Jedoch neigt solch ein sehr dünner Wafer dazu, sich wie ein Blatt Papier leicht zu biegen, was Schwierigkeiten bei der Handhabung verursacht, so dass die Möglichkeit einer Beschädigung des Wafers während des Transports oder dergleichen besteht. Um dieses Problem zu bewältigen, wurde zum Beispiel in dem offengelegten japanischen Patent JP 2007- 173 487 A ein Waferschleifverfahren vorgeschlagen. Bei diesem Waferschleifverfahren wird die Rückseite eines Wafers in einem Bereich geschliffen, der einem an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Bauelementbereich entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs auf eine vorgegebene Dicke zu verringern und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an der Rückseite des Wafers in einem Bereich auszubilden, der einem Umfangsrandbereich entspricht, der den Bauelementbereich umgibt. Außerdem wurde ein Waferteilungsverfahren zum Teilen eines solchen Wafers, der einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt an dem äußeren Umfangsbereich an dessen Rückseite aufweist, in einzelne Bauelemente entlang jeder Straße (Trennlinie) vorgeschlagen (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent JP 2007- 19 379 A . Bei diesem Waferteilungsverfahren wird der Wafer von dessen Vorderseite aus durch Verwenden einer Schneidklinge geschnitten, nachdem der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt wurde.However, such a very thin wafer tends to bend easily like a sheet of paper, causing difficulty in handling, so that there is a possibility of damage to the wafer during transportation or the like. To deal with this problem, for example, in the disclosed Japanese patent JP 2007- 173 487 A a wafer grinding process was proposed. In this wafer grinding method, the back side of a wafer is ground in an area corresponding to a device area formed on the front side of the wafer, thereby reducing the thickness of the device area to a predetermined thickness and at the same time forming an annular reinforcing portion on the back side of the wafer in one area , which corresponds to a peripheral edge area that surrounds the device area. In addition, a wafer dividing method for dividing such a wafer having an annular reinforcing portion at the outer peripheral portion at the back thereof into individual components along each road (dividing line) has been proposed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open JP 2007- 19 379 A . In this wafer dividing method, the wafer is cut from its front side by using a cutting blade after the annular reinforcement portion is removed from the wafer.

Jedoch wird der Wafer, von dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt entfernt wurde, während der Handhabung bei dem Schneidvorgang leicht beschädigt. Dementsprechend besteht bei dem Teilen des Wafers, der den ringförmigen Verstärkungsabschnitt an dem äußeren Umfangsbereich an dessen Rückseite aufweist, in die einzelnen Bauelemente ein Problem bezüglich dessen, wann der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt werden soll.However, the wafer from which the annular reinforcing portion has been removed is easily damaged during handling in the cutting process. Accordingly, when dividing the wafer having the annular reinforcing portion at the outer peripheral portion at the rear thereof into individual components, there is a problem as to when to remove the annular reinforcing portion from the wafer.

US 2003 / 0 215 985 A1 offenbart einen Halbleiterwafer, auf welchem Gateoxidfilme, Gateelektroden, Basisgebiete und Emittergebiete, die IGBTs bilden, gebildet werden. Auf den Gateelektroden wird ein Siliziumoxidfilm gebildet. Darüber ist eine Emitterelektrode ausgebildet, und ein Passivierungsfilm ist über der Emitterelektrode ausgebildet. Danach wird ein innerer Bereich einer Rückseite des Halbleiterwafers poliert, um einen Vorsprung an seinem Außenumfangsabschnitt auszubilden. Danach wird eine Verunreinigung von der Rückseite des Halbleiterwafers injiziert, um einen Kollektorbereich zu bilden. Nachdem eine Kollektorelektrode gebildet worden ist, wird der Halbleiterwafer auf einer Bühne montiert, die kleiner als der innere Bereich ist, und entlang der Ritzbereiche geschnitten. Somit wird die Festigkeit des Halbleiterwafers durch den Vorsprung gehalten und ein Reißen oder dergleichen des Halbleiterwafers kann aufgrund der Ausführung des Zerteilens auf die oben beschriebene Weise verringert werden. US 2003 / 0 215 985 A1 discloses a semiconductor wafer on which gate oxide films, gate electrodes, base regions and emitter regions constituting IGBTs are formed. A silicon oxide film is formed on the gate electrodes. An emitter electrode is formed thereover, and a passivation film is formed over the emitter electrode. Thereafter, an inner portion of a back side of the semiconductor wafer is polished to form a protrusion on its outer peripheral portion. Afterwards, an impurity is injected from the back side of the semiconductor wafer to form a collector region. After a collector electrode is formed, the semiconductor wafer is mounted on a stage smaller than the inner region and cut along the scribe regions. Thus, the strength of the semiconductor wafer is maintained by the projection, and cracking or the like of the semiconductor wafer can be reduced due to performing dicing in the manner described above.

JP 2007 - 19 461 A offenbart ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der auf der Oberfläche mit einem Vorrichtungsbereich, auf dem eine Mehrzahl von Vorrichtungen ausgebildet sind, und mit einem äußeren Umfangsüberschussbereich, der den Vorrichtungsbereich umgibt, versehen ist. Eine Aussparung wird in einem Bereich ausgebildet, der zu dem Vorrichtungsbereich auf der Rückseite des Wafers korrespondiert. Weiterhin wird ein Ringverstärkungsabschnitt außerhalb des Umfangs der Aussparung ausgebildet. Durch die Verstärkung durch den Ringverstärkungsabschnitt wird die anschließende Handhabung des Wafers erleichtert. JP 2007 - 19 461 A discloses a method for processing a wafer provided on the surface with a device portion on which a plurality of devices are formed and an outer peripheral excess portion surrounding the device portion. A recess is formed in an area corresponding to the device area on the back of the wafer. Furthermore, a ring reinforcement section is formed outside the circumference of the recess. The reinforcement provided by the ring reinforcement section makes subsequent handling of the wafer easier.

JP 2007 - 258 444 A offenbart ein Waferschutzelement, das die Verarbeitung eines Wafers mit ausgedünntem Bereich erleichtert. JP 2007 - 258 444 A discloses a wafer protection element that facilitates processing of a thinned area wafer.

US 2008 / 0 280 421 A1 offenbart ein Waferzerteilverfahren, das einen Verfahrensschritt umfasst, bei dem ein Laserstrahl mit einer durch den Wafer durchlaufenden Wellenlänge auf die Innenseite des Wafers fokussiert wird, und zwar von einer Rückseite her. Weiterhin vorgesehen ist ein Rückflächenschleifschritt, in dem ein Bereich, entsprechend dem Gerätebereich der Rückseite des Wafers, der dem Schritt der Bildung der modifizierenden Schicht unterzogen wurde, geschliffen und so geformt wird, dass eine gewünschte Dicke entsteht. Zudem wird ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt in einem Bereich entsprechend dem Außenumfang ausgebildet und anschließend ein Schneideschritt durchgeführt, in dem der Wafer entlang des Innenumfangs der ringförmigen Verstärkung geschnitten wird. US 2008 / 0 280 421 A1 discloses a wafer dividing method that includes a process step in which a laser beam with a wavelength passing through the wafer is focused onto the inside of the wafer from a back side. Still provided a back surface grinding step in which a region corresponding to the device area of the back surface of the wafer which has been subjected to the modifying layer forming step is ground and shaped to have a desired thickness. In addition, an annular reinforcement portion is formed in a region corresponding to the outer circumference, and then a cutting step is performed in which the wafer is cut along the inner circumference of the annular reinforcement.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das einen Wafer in einzelne Bauelemente teilen kann, ohne die Handhabbarkeit des Wafers beim Schneiden desselben zu beeinträchtigen, wobei die Rückseite des Wafers an dessen mittlerem Abschnitt geschliffen wird, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt über den äußeren Umfang des Wafers zu belassen.It is therefore an object of the present invention to provide a wafer processing method that can divide a wafer into individual components without affecting the handleability of the wafer when cutting the same, wherein the back side of the wafer is ground at its central portion to form an annular reinforcing portion leaving the outer circumference of the wafer.

Das erfindungsgemäße Waferbearbeitungsverfahren ist durch den Patentanspruch 1 definiert. Patentanspruch 2 bezieht sich auf bevorzugte Ausführungsformen.The wafer processing method according to the invention is defined by claim 1. Claim 2 relates to preferred embodiments.

Vorzugsweise beinhaltet das Zerteilungsband ein Klebeband, dessen Klebkraft durch einen äußeren Impuls verringert werden kann; und beinhaltet der Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt den Schritt des Aufbringens des äußeren Impulses auf das Zerteilungsband an dessen Bereich, der an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt angebracht ist, nachdem der Wafer entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsrandbereich geschnitten wurde.Preferably, the dividing tape includes an adhesive tape whose adhesive strength can be reduced by an external impulse; and the step of removing the annular reinforcing portion includes the step of applying the external pulse to the dicing belt at the portion thereof attached to the annular reinforcing portion after cutting the wafer along the boundary between the device portion and the peripheral edge portion.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Wafer in dem Zustand in die einzelnen Bauelemente geteilt, in dem der Wafer durch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt verstärkt wird. Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt. Dementsprechend kann der Wafer, der eine verringerte Dicke aufweist, zuverlässig in die einzelnen Bauelemente geteilt werden, ohne die Handhabbarkeit des Wafers beim Schneiden desselben zu beeinträchtigen und ohne ein Absplittern jedes Bauelements zu verursachen.According to the present invention, the wafer is divided into individual components in the state that the wafer is reinforced by the annular reinforcing portion. Thereafter, the annular reinforcement section is removed from the wafer. Accordingly, the wafer having a reduced thickness can be reliably divided into the individual components without affecting the handleability of the wafer when cutting the same and without causing chipping of each component.

Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, wird offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen studiert werden, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.The above and other objects, features and advantages of the present invention and the manner of realizing them will become more apparent, and the invention itself will be best understood by studying the following description and appended claims with reference to the accompanying drawings which show some preferred embodiments of the invention.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, wenn dieser von dessen Vorderseite aus betrachtet wird; 1 is a perspective view of a semiconductor wafer when viewed from the front thereof;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterwafers, wenn dieser von dessen Rückseite aus betrachtet wird, in dem Zustand, in dem ein Schutzband an der Vorderseite des Halbleiterwafers angebracht ist; 2 Fig. 10 is a perspective view of the semiconductor wafer when viewed from the back thereof in the state in which a protective tape is attached to the front side of the semiconductor wafer;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines wesentlichen Teils einer Schleifvorrichtung; 3 is a perspective view of an essential part of a grinding device;
  • 4 ist eine schematische Draufsicht zum Veranschaulichen eines durch die Schleifvorrichtung durchzuführenden Waferschleifschritts; 4 is a schematic plan view for illustrating a wafer grinding step to be performed by the grinding apparatus;
  • 5 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers, der durch Durchführen des Waferschleifschritts ausgebildet wurde; 5 Fig. 10 is a sectional view of the semiconductor wafer formed by performing the wafer grinding step;
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht zum Veranschaulichen eines Waferanbringschritts zum Anbringen des Halbleiterwafers an einem Zerteilungsband; 6 Fig. 10 is a perspective view for illustrating a wafer attaching step for attaching the semiconductor wafer to a dicing line;
  • 7 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers, der durch das Zerteilungsband an dem Zerteilungsrahmen gehalten wird; 7 Fig. 10 is a sectional view of the semiconductor wafer held on the dicing frame by the dicing belt;
  • 8 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiterwafers in dem Zustand, in dem dieser an einem Einspanntisch gehalten wird; 8th Fig. 10 is a sectional view of the semiconductor wafer in the state of being held on a chuck table;
  • 9 ist eine perspektivische Ansicht zum Veranschaulichen eines Waferteilungsschritts; 9 is a perspective view for illustrating a wafer dividing step;
  • 10A und 10B sind perspektivische Ansichten zum Veranschaulichen eines Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt; und 10A and 10B are perspective views for illustrating a step of removing the annular reinforcing portion; and
  • 11A und 11B sind Schnittdarstellungen zum Veranschaulichen eines Aufnahmeschritts. 11A and 11B are sectional views to illustrate a recording step.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT

Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun im Einzelnen mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines durch die vorliegende Erfindung zu bearbeitenden Halbleiterwafers 11. Der in 1 gezeigte Halbleiterwafer 11 ist zum Beispiel ein Siliziumwafer mit einer Dicke von 700 um. Der Halbleiterwafer 11 weist eine Vorderseite 11a und eine Rückseite 11b auf. Mehrere sich kreuzende Straßen 13 sind an der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 ausgebildet, um dadurch mehrere rechteckige Bereiche abzuteilen, in denen mehrere Bauelemente 15, wie zum Beispiel ICs und LISs, jeweils ausgebildet sind. Der Halbleiterwafer 11 beinhaltet einen Bauelementbereich 17, in dem die Bauelemente 15 ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich 19, der den Bauelementbereich 17 umgibt. Der äußere Umfang des Halbleiterwafers 11 ist mit einer Kerbe 21 als einer Markierung ausgebildet, welche die Kristallorientierung des Siliziumwafers anzeigt.A preferred embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer 11 to be processed by the present invention 1 Semiconductor wafer 11 shown is, for example, a silicon wafer with a thickness of 700 µm. The semiconductor wafer 11 has a front side 11a and a back side 11b. A plurality of intersecting streets 13 are formed on the front side 11a of the semiconductor wafer 11, thereby dividing a plurality of rectangular areas in which a plurality of Components 15, such as ICs and LISs, are each formed. The semiconductor wafer 11 includes a component region 17 in which the components 15 are formed, and a peripheral edge region 19 surrounding the component region 17. The outer periphery of the semiconductor wafer 11 is formed with a notch 21 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

Ein Schutzband 23 wird an der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 durch einen Schutzband-Anbringungsschritt angebracht, wie in 2 gezeigt ist. Dementsprechend ist die Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 durch das Schutzband 23 geschützt und die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 freigelegt, wie in 2 gezeigt ist. Nach dem Durchführen des oben beschriebenen Schutzband-Anbringungsschritts wird ein Waferschleifschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 in einem Bereich geschliffen wird, der dem Bauelementbereich 17 entspricht, um eine kreisförmige Aussparung auszubilden und gleichzeitig einen Bereich, der dem Umfangsrandbereich 19 entspricht, als einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt um die kreisförmige Aussparung herum zu belassen. Dieser Waferschleifschritt wird nun mit Bezug auf 3 bis 5 näher beschrieben.A guard tape 23 is attached to the front side 11a of the semiconductor wafer 11 through a guard tape attaching step as shown in FIG 2 is shown. Accordingly, the front side 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23 and the back side 11b of the semiconductor wafer 11 is exposed, as shown in FIG 2 is shown. After performing the above-described guard tape attaching step, a wafer grinding step is performed in such a manner that the back side 11b of the semiconductor wafer 11 is ground in an area corresponding to the device area 17 to form a circular recess and at the same time an area corresponding to the peripheral edge area 19 corresponds to leaving an annular reinforcing section around the circular recess. This wafer grinding step will now be discussed with reference to 3 until 5 described in more detail.

Zunächst wird mit Bezug auf 3 eine perspektivische Ansicht eines wesentlichen Teils einer Schleifvorrichtung 2 zum Durchführen des Waferschleifschritts gezeigt. Die Schleifvorrichtung 2 beinhaltet einen drehbaren Einspanntisch 4 zum Halten des Halbleiterwafers 11 und eine Schleifeinheit 6 zum Schleifen der Rückseite 11b des an dem Einspanntisch 4 gehaltenen Halbleiterwafers 11. Die Schleifeinheit 6 beinhaltet eine Achse 8, die drehbar und vertikal bewegbar ist, eine Schleifscheibe 10, die an dem unteren Ende der Achse 8 angebracht ist, und einen Schleifring 12, der an der unteren Oberfläche der Schleifscheibe 10 befestigt ist. Der Schleifring 12 besteht aus mehreren Schleifelementen (Schleifsteinen), die mit vorgegebenen Abständen entlang des äußeren Umfangs der Schleifscheibe 10 ringförmig angeordnet sind. Der Halbleiterwafer 11 mit dem Schutzband 23 wird an dem Einspanntisch 4 in dem Zustand gehalten, in dem das an der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 angebrachte Schutzband 23 an der oberen Oberfläche des Einspanntischs 4 unter Ansaugen angeordnet ist und die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 dem Schleifring 12 gegenüberliegt.First, with reference to 3 a perspective view of an essential part of a grinding device 2 for performing the wafer grinding step is shown. The grinding device 2 includes a rotatable chuck table 4 for holding the semiconductor wafer 11 and a grinding unit 6 for grinding the back side 11b of the semiconductor wafer 11 held on the chuck table 4. The grinding unit 6 includes an axis 8 rotatable and vertically movable, a grinding wheel 10, which is attached to the lower end of the axle 8, and a slip ring 12 which is attached to the lower surface of the grinding wheel 10. The slip ring 12 consists of several grinding elements (grinding stones) which are arranged in a ring shape at predetermined distances along the outer circumference of the grinding wheel 10. The semiconductor wafer 11 with the guard tape 23 is held on the chuck table 4 in the state in which the guard tape 23 attached to the front side 11a of the semiconductor wafer 11 is arranged on the upper surface of the chuck table 4 under suction and the back side 11b of the semiconductor wafer 11 is attached to the slip ring 12 is opposite.

Die Beziehung zwischen dem an dem Einspanntisch 4 gehaltenen Halbleiterwafer 11 und dem an der Schleifscheibe 10 angebrachten Schleifring 12 wird nun mit Bezug auf 4 beschrieben. Das Zentrum P1 der Drehung des Einspanntischs 4 und das Zentrum P2 der Drehung des Schleifrings 12 weichen voneinander ab, wie in 4 gezeigt ist. Ferner ist der äußere Durchmesser des Schleifrings 12 so festgelegt, dass er kleiner als der Durchmesser eines Grenzkreises 28 zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 des Halbleiterwafers 11 und etwas größer als der Radius des Grenzkreises 28 ist. Dementsprechend tritt der Schleifring 12 durch das Zentrum P1 der Drehung des Einspanntischs 4.The relationship between the semiconductor wafer 11 held on the chuck table 4 and the slip ring 12 attached to the grinding wheel 10 will now be described with reference to FIG 4 described. The center P1 of rotation of the chuck table 4 and the center P2 of rotation of the slip ring 12 differ from each other, as shown in 4 is shown. Furthermore, the outer diameter of the slip ring 12 is set so that it is smaller than the diameter of a boundary circle 28 between the component region 17 and the peripheral edge region 19 of the semiconductor wafer 11 and slightly larger than the radius of the boundary circle 28. Accordingly, the slip ring 12 passes through the center P1 of rotation of the clamping table 4.

Wie in 3 und 4 gezeigt ist, wird der Einspanntisch 4 zum Beispiel mit 300 U/min (Umdrehungen pro Minute) in der durch einen Pfeil 30 gezeigten Richtung gedreht und die Schleifscheibe 10 zum Beispiel mit 6000 U/min in der durch einen Pfeil 32 gezeigten Richtung gedreht. Gleichzeitig wird ein Zuführmechanismus (nicht gezeigt) betätigt, um die Schleifscheibe 10 abzusenken, bis der Schleifring 12 mit der Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 in Kontakt kommt. Danach wird die Schleifscheibe mit einer vorgegebenen Zuführrate um einen vorgegebenen Betrag nach unten zugeführt. Als Folge wird die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 in einem Bereich geschliffen, der dem Bauelementbereich 17 entspricht, um eine kreisförmige Aussparung 24 mit einer vorgegebenen Tiefe auszubilden, wie in 5 gezeigt ist. Das heißt die Dicke des Halbleiterwafers 11 ist nur in dem Bauelementbereich 17 auf eine vorgegebene Dicke (zum Beispiel 50 um) verringert. Gleichzeitig ist ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt 26 als ein verbleibender Abschnitt in einem Bereich, der dem Umfangsrandbereich 19 entspricht, so ausgebildet, dass er die kreisförmige Aussparung 24 umgibt, wie in 5 gezeigt ist.As in 3 and 4 As shown, the chuck table 4 is rotated, for example, at 300 rpm (revolutions per minute) in the direction shown by an arrow 30, and the grinding wheel 10 is rotated, for example, at 6000 rpm in the direction shown by an arrow 32. At the same time, a feed mechanism (not shown) is operated to lower the grinding wheel 10 until the slip ring 12 comes into contact with the back surface 11b of the semiconductor wafer 11. The grinding wheel is then fed downwards by a predetermined amount at a predetermined feed rate. As a result, the back side 11b of the semiconductor wafer 11 is ground in an area corresponding to the device area 17 to form a circular recess 24 having a predetermined depth, as shown in FIG 5 is shown. That is, the thickness of the semiconductor wafer 11 is reduced to a predetermined thickness (for example, 50 µm) only in the component region 17. At the same time, an annular reinforcing portion 26 is formed as a remaining portion in a region corresponding to the peripheral edge portion 19 so as to surround the circular recess 24, as shown in FIG 5 is shown.

Nach dem Durchführen des Waferschleifschritts wird ein Waferanbringschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 an einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands 34 als ein Klebeband angebracht wird, dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen 36 gehalten wird, wie in 6 gezeigt ist. Wie in 7 gezeigt ist, ist das Zerteilungsband 34 an der Rückseite 11b des Halbleiterwafers 11 auf eine solche Weise angebracht, dass es nicht nur die untere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26, sondern auch die gesamte innere Oberfläche der kreisförmigen Aussparung 24 bedeckt. Danach wird das Schutzband 23 von der Vorderseite 11a des Halbleiterwafers 11 abgezogen, wie in 6 gezeigt ist.After performing the wafer grinding step, a wafer attaching step is performed in such a manner that the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 is attached to a central portion of a dicing belt 34 as an adhesive tape whose outer peripheral portion is held on an annular dicing frame 36, as shown in FIG 6 is shown. As in 7 As shown, the dicing tape 34 is attached to the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 in such a manner that it covers not only the lower surface of the annular reinforcing portion 26 but also the entire inner surface of the circular recess 24. Thereafter, the protective tape 23 is peeled off from the front side 11a of the semiconductor wafer 11, as in 6 is shown.

Nach dem Durchführen des oben beschriebenen Waferanbringschritts wird ein Waferhalteschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass der an dem Zerteilungsrahmen 36 gehaltene Halbleiterwafer 11 an einem Einspanntisch einer Zerteilungsvorrichtung (Schneidvorrichtung) gehalten und dann entlang jeder Straße 13 durch Verwenden einer Schneidklinge geschnitten wird, um dadurch den Halbleiterwafer 11 in die einzelnen Bauelemente 15 zu teilen. Spezieller wird ein in 8 gezeigter Einspanntisch 40 vorzugsweise als der Einspanntisch der Zerteilungsvorrichtung verwendet. Wie in 8 gezeigt ist, beinhaltet der Einspanntisch 40 einen Drehschaft 42 mit einem Ansaugdurchlass 44 und einer Halteplatte 46, die fest an dem oberen Ende des Drehschafts 42 angebracht ist.After performing the wafer mounting step described above, a wafer holding step is performed in such a manner that the semiconductor wafer 11 held on the dicing frame 36 is held on a chuck table of a dicing device (cutting device), and then is cut along each road 13 by using a cutting blade, thereby dividing the semiconductor wafer 11 into the individual devices 15. More special is an in 8th chuck table 40 shown is preferably used as the chuck table of the dividing device. As in 8th As shown, the chuck table 40 includes a rotary shaft 42 with a suction passage 44 and a retaining plate 46 fixedly attached to the upper end of the rotary shaft 42.

Die Halteplatte 46 ist aus Metall, wie zum Beispiel SUS, ausgebildet und weist eine kreisförmige Aussparung 48 und einen Ansaugdurchlass 50 auf, der mit dem Ansaugdurchlass 44 des Drehschafts 42 kommuniziert. Der Ansaugdurchlass 50 öffnet sich zu der kreisförmigen Aussparung 48. Der Ansaugdurchlass 44 des Drehschafts 42 ist mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden. Ein scheibenförmiges poröses Element 52 ist in die kreisförmige Aussparung 48 der Halteplatte 46 eingepasst. Das poröse Element 52 ist zum Beispiel aus poröser Keramik ausgebildet. Das poröse Element 52 weist eine obere Halteoberfläche auf, die in einer höheren Ebene als die obere Oberfläche der Halteplatte 46 liegt. Der Halbleiterwafer 11 wird an dem Einspanntisch 40 auf eine solche Weise gehalten, dass die untere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26 des Halbleiterwafers 11 durch das Zerteilungsband 34 an der Halteplatte 46 gehalten wird und die innere Oberfläche der kreisförmigen Aussparung 24 unter Ansaugen durch das Zerteilungsband 34 an dem porösen Element 52 gehalten wird.The holding plate 46 is formed of metal such as SUS and has a circular recess 48 and a suction passage 50 communicating with the suction passage 44 of the rotary shaft 42. The suction passage 50 opens to the circular recess 48. The suction passage 44 of the rotary shaft 42 is connected to a vacuum source (not shown). A disc-shaped porous element 52 is fitted into the circular recess 48 of the holding plate 46. The porous member 52 is formed of, for example, porous ceramics. The porous member 52 has an upper support surface that is at a higher level than the upper surface of the support plate 46. The semiconductor wafer 11 is held on the chuck table 40 in such a manner that the lower surface of the annular reinforcing portion 26 of the semiconductor wafer 11 is held on the holding plate 46 by the dividing belt 34 and the inner surface of the circular recess 24 is sucked by the dividing belt 34 the porous element 52 is held.

In dem Zustand, in dem der Halbleiterwafer 11 wie oben beschrieben unter Ansaugen an dem Einspanntisch 40 gehalten wird, wird der Halbleiterwafer 11 entlang jeder Straße 13 durch Verwenden eines in 9 gezeigten Schneidmittels 54 geschnitten. Wie in 9 gezeigt ist, beinhaltet das Schneidmittel 54 eine Achseneinheit 60 mit einem Achsengehäuse 62. Eine Achse 56 ist drehbar in dem Achsengehäuse 62 vorgesehen. Die Achse 56 wird durch einen Servomotor (nicht gezeigt) drehend angetrieben. Eine Schneidklinge 58 ist an der Achse 56 an deren vorderem Ende angebracht. Wie in 9 gezeigt ist, wird der an dem Einspanntisch 40 gehaltene Halbleiterwafer 11 (siehe 8) in der durch eine X-Achse gezeigten Richtung bewegt und gleichzeitig die Schneidklinge 58, die sich mit einer hohen Geschwindigkeit dreht, abgesenkt, um in eine vorgegebene Straße 13 zu schneiden.In the state in which the semiconductor wafer 11 is held on the chuck table 40 under suction as described above, the semiconductor wafer 11 is held along each line 13 by using an in 9 cutting means 54 shown. As in 9 As shown, the cutting means 54 includes an axle unit 60 having an axle housing 62. An axle 56 is rotatably provided in the axle housing 62. The axis 56 is rotationally driven by a servo motor (not shown). A cutting blade 58 is attached to the axle 56 at its front end. As in 9 is shown, the semiconductor wafer 11 held on the chucking table 40 (see 8th ) is moved in the direction shown by an X-axis and at the same time the cutting blade 58 rotating at a high speed is lowered to cut into a predetermined road 13.

Danach wird der Einspanntisch 40, der den Halbleiterwafer 11 hält, in der durch eine Y-Achse gezeigten Richtung mit einem in einem Speicher gespeicherten vorgegebenen Straßenabstand bewegt (eingeteilt; indiziert) und wird ein ähnlicher Schneidvorgang entlang der nächsten Straße 13 durchgeführt. Dieser Schneidvorgang wird in ähnlicher Weise entlang der anderen Straßen 13 durchgeführt, die sich in der gleichen Richtung (erste Richtung) erstrecken. Danach wird der Einspanntisch 40 um 90 Grad gedreht, um in ähnlicher Weise den Schneidvorgang entlang aller Straßen 13 durchzuführen, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstrecken. Als Folge wird der Halbleiterwafer 11 in die einzelnen Bauelemente (Chips) 15 geteilt. Jedoch ist zu dem Zeitpunkt, zu dem der Waferteilungsschritt beendet ist, der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26, der an dem Umfangsabschnitt des Wafers 11 ausgebildet ist und eine Dicke von 700 µm aufweist, nicht vollständig geschnitten. Das heißt der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 ist teilweise geschnitten und dessen Ringform ist beibehalten. Danach wird ein Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt auf die folgende Weise durchgeführt.Thereafter, the chuck table 40 holding the semiconductor wafer 11 is moved (indexed) in the direction shown by a Y-axis with a predetermined road distance stored in a memory, and a similar cutting operation is performed along the next road 13. This cutting operation is similarly performed along the other roads 13 extending in the same direction (first direction). Thereafter, the chuck table 40 is rotated 90 degrees to similarly perform the cutting operation along all streets 13 extending in a second direction perpendicular to the first direction. As a result, the semiconductor wafer 11 is divided into the individual components (chips) 15. However, at the time when the wafer dividing step is completed, the annular reinforcing portion 26 formed on the peripheral portion of the wafer 11 and having a thickness of 700 μm is not completely cut. That is, the annular reinforcing section 26 is partially cut and its annular shape is retained. Thereafter, a step of removing the annular reinforcing portion is performed in the following manner.

Bei dem Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt wird, wie in 10A gezeigt ist, die Schneidklinge 58 direkt oberhalb der Grenze zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 des an dem Einspanntisch 40 gehaltenen Halbleiterwafers 11 angeordnet. An dieser Position wird die Schneidklinge 58 gedreht und abgesenkt, um in die Grenze zwischen dem Bauelementbereich 17 und dem Umfangsrandbereich 19 zu schneiden. Danach wird der Einspanntisch 40 um wenigstens 360 Grad gedreht, um dadurch die Grenze zu schneiden, wie durch eine gekrümmte Linie 64 in 10A gezeigt ist. Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26, der den Umfangsrandbereich 19 beinhaltet, von dem Bauelementbereich 17 getrennt, wie in 10B gezeigt ist. Beim Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 26 von dem Bauelementbereich 17 wird ein äußerer Impuls auf das Zerteilungsband 34 in dessen Bereich aufgebracht, der an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 26 angebracht ist, wodurch die Klebkraft des Zerteilungsbands 34 verringert wird, und als nächstes wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 von dem Zerteilungsband 34 abgezogen.In the removal step for the annular reinforcing section, as in 10A is shown, the cutting blade 58 is arranged directly above the boundary between the component region 17 and the peripheral edge region 19 of the semiconductor wafer 11 held on the clamping table 40. At this position, the cutting blade 58 is rotated and lowered to cut into the boundary between the component area 17 and the peripheral edge area 19. Thereafter, the chuck table 40 is rotated at least 360 degrees to thereby cut the boundary as indicated by a curved line 64 in 10A is shown. Thereafter, the annular reinforcing section 26, which includes the peripheral edge region 19, is separated from the component region 17, as shown in FIG 10B is shown. When separating the annular reinforcing portion 26 from the component area 17, an external pulse is applied to the dividing tape 34 in the area thereof attached to the annular reinforcing portion 26, thereby reducing the adhesive force of the dividing tape 34, and next, the annular reinforcing portion 26 is separated from deducted from the dividing belt 34.

Das Aufbringen eines äußeren Impulses wird entsprechend der Art des Zerteilungsbands 34 zum Beispiel durch Aufbringen ultravioletter Strahlung oder durch Erwärmen verwirklicht. Falls das Zerteilungsband 34 ein UV-Härtungsband ist, wie zum Beispiel „UC-series“ (Handelsbezeichnung), das von Furukawa Electric Co., Ltd. hergestellt wird, wird die Klebkraft des Zerteilungsbands 34 durch Aufbringen ultravioletter Strahlung verringert. Falls das Zerteilungsband 34 ein Band, wie zum Beispiel „Revalpha“ (Handelsbezeichnung) ist, das von Nitto Denko Corp. hergestellt wird, wird die Klebkraft des Zerteilungsbands 34 durch Erwärmen verringert.The application of an external impulse is realized, depending on the type of the dividing belt 34, for example by applying ultraviolet radiation or by heating. If the dividing belt 34 is a UV curing belt such as “UC-series” (trade name) manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. is produced, the adhesive strength of the dividing tape 34 is reduced by applying ultraviolet radiation. If the dividing belt 34 is a belt such as “Revalpha” (trade name) manufactured by Nitto Denko Corp. is produced, the adhesive strength of the dividing tape 34 is reduced by heating.

Nach dem Durchführen des oben beschriebenen Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt wird ein Aufnahmeschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die von einander abgeteilten einzelnen Bauelemente 15 von dem Zerteilungsband 34 abgezogen werden. Dieser Aufnahmeschritt wird durch Verwenden einer in 11A und 11B gezeigten Bandaufweitungsvorrichtung 70 durchgeführt. Die Bandaufweitungsvorrichtung 70 wirkt so, dass sie das Zerteilungsband 34 in dessen radialer Richtung aufweitet, wodurch der Abstand zwischen den nebeneinanderliegenden Bauelementen 15 vor dem eigentlichen Aufnehmen der einzelnen Bauelemente 15 vergrößert wird. Die Bandaufweitungsvorrichtung 70 beinhaltet eine ortsfeste Trommel 72 und eine bewegbare Trommel 74, die außerhalb der ortsfesten Trommel 72 so vorgesehen ist, dass sie durch ein Antriebsmittel (nicht gezeigt) vertikal bewegbar ist.After carrying out the above-described removal step for the annular reinforcing section, a pick-up step is carried out in such a way that the separated individual components 15 are removed from the dividing belt 34. This recording step is done by using an in 11A and 11B Band expansion device 70 shown is carried out. The belt expanding device 70 acts in such a way that it expands the dividing belt 34 in its radial direction, whereby the distance between the adjacent components 15 is increased before the individual components 15 are actually picked up. The tape expander 70 includes a stationary drum 72 and a movable drum 74 provided outside the stationary drum 72 so as to be vertically movable by a drive means (not shown).

Wie in 11A gezeigt ist, ist der Zerteilungsrahmen 36, der den Halbleiterwafer 11, von dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 entfernt wurde, hält, an der bewegbaren Trommel 74 angebracht und durch mehrere Klammern 76 befestigt. Zu diesem Zeitpunkt ist das obere Ende der bewegbaren Trommel 74 auf im Wesentlichen gleicher Höhe wie das obere Ende der ortsfesten Trommel 72 festgelegt. Wenn die bewegbare Trommel 74 in der in 11A durch einen Pfeil A gezeigten Richtung bewegt wird, gelangt das obere Ende der bewegbaren Trommel 74 auf eine geringere Höhe als das obere Ende der ortsfesten Trommel 72, wie in 11B gezeigt ist. Dementsprechend wird das Zerteilungsband 34 radial aufgeweitet, um dadurch den Abstand zwischen den nebeneinanderliegenden Bauelementen 15 zu vergrößern. In diesem aufgeweiteten Zustand wird jedes Bauelement 15 durch eine Aufnahmevorrichtung 80 aufgenommen, wie in 11B gezeigt ist. Als Folge kann der Aufnahmevorgang leicht und problemlos durchgeführt werden.As in 11A As shown, the dividing frame 36, which holds the semiconductor wafer 11 from which the annular reinforcing portion 26 has been removed, is attached to the movable drum 74 and fixed by a plurality of clamps 76. At this time, the upper end of the movable drum 74 is set at substantially the same height as the upper end of the stationary drum 72. When the movable drum 74 is in the in 11A is moved in the direction shown by an arrow A, the upper end of the movable drum 74 comes to a lower height than the upper end of the stationary drum 72, as shown in FIG 11B is shown. Accordingly, the dividing belt 34 is expanded radially in order to thereby increase the distance between the components 15 lying next to one another. In this expanded state, each component 15 is received by a receiving device 80, as in 11B is shown. As a result, the recording process can be carried out easily and smoothly.

Gemäß der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 26 entfernt, nachdem der Halbleiterwafer 11 in die einzelnen Bauelemente 15 geteilt wurde. Dementsprechend kann der Halbleiterwafer 11 zuverlässig in die einzelnen Bauelemente 15 geteilt werden, ohne die Handhabbarkeit des Halbleiterwafers 11 beim Schneiden desselben zu beeinträchtigen und ohne ein Absplittern jedes Bauelements 15 zu verursachen.According to the preferred embodiment described above, the annular reinforcing portion 26 is removed after the semiconductor wafer 11 is divided into the individual devices 15. Accordingly, the semiconductor wafer 11 can be reliably divided into the individual components 15 without affecting the handleability of the semiconductor wafer 11 when cutting the same and without causing chipping of each component 15.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.The present invention is not limited to the details of the preferred embodiments described above. The scope of the invention is defined by the appended claims.

Claims (2)

Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers (11) in mehrere einzelne Bauelemente (15) entlang mehrerer an der Vorderseite (11a) des Wafers (11) ausgebildeter Straßen (13), wobei der Wafer (11) einen Bauelementbereich (17), in dem die einzelnen Bauelemente (15) ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich (19), der den Bauelementbaubereich (17) umgibt, aufweist und das Waferbearbeitungsverfahren umfasst: einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite (11b) des Wafers (11) in einem Bereich, der dem Bauelementbereich (17) entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs (17) auf eine vorgegebene Dicke zu verringern zum Bilden einer kreisförmigen Aussparung (24) und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) an der Rückseite (11b) des Wafers (11) in einem Bereich auszubilden, der dem Umfangsrandbereich (19) entspricht, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt (26) die kreisförmige Aussparung (24) umgibt; einen Waferanbringschritt zum Anbringen der Rückseite (11b) des Wafers (11) an einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands (34), dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen (36) gehalten wird, nach dem Durchführen des Waferschleifschritts; einen Waferhalteschritt zum Halten des Wafers (11) an einem Einspanntisch (40), der einen Bauelementbereich-Halteabschnitt zum Halten der Rückseite des Bauelementbereichs (17) unter Ansaugen und einen Halteabschnitt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) zum Halten des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (26) aufweist, nach dem Durchführen des Waferanbringschritts, wobei der Einspanntisch (40) eine aus Metall ausgebildete Halteplatte (46) mit einer kreisförmigen Aussparung (48) und einem Ansaugdurchlass (50) aufweist und ein scheibenförmiges poröses Element (52) in die kreisförmige Aussparung (48) der Halteplatte (46) eingepasst ist, wobei eine obere Oberfläche des scheibenförmigen porösen Elements (50) in einer höheren Ebene liegt als eine obere Oberfläche der Halteplatte (46), wobei eine untere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (26) des Wafers (11) durch das Zerteilungsband (34) an der Halteplatte (46) gehalten wird und die innere Oberfläche der kreisförmigen Aussparung (24) unter Ansaugen durch das Zerteilungsband (34) an dem porösen Element (52) gehalten wird; einen Waferteilungsschritt zum Schneiden des Wafers (11) entlang jeder Straße (13) durch Verwenden einer Schneidklinge, um den Bauelementbereich (17) in die einzelnen Bauelemente (15) zu teilen, nach dem Waferhalteschritt; einen Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) zum Schneiden des Wafers (11) entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich (17) und dem Umfangsrandbereich (19) durch Verwenden der Schneidklinge, während der Einspanntisch (40) gedreht wird, nach dem Durchführen des Waferteilungsschritts, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt (26) von dem Wafer (11) entfernt wird; und einen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen jedes Bauelements (15) von dem Zerteilungsband (34) nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26).Wafer processing method for dividing a wafer (11) into several individual components (15) along several streets (13) formed on the front side (11a) of the wafer (11), the wafer (11) having a component area (17) in which the individual Components (15) are formed, and has a peripheral edge region (19) which surrounds the component construction region (17), and the wafer processing method comprises: a wafer grinding step for grinding the back side (11b) of the wafer (11) in an area corresponding to the component region ( 17), thereby reducing the thickness of the component region (17) to a predetermined thickness to form a circular recess (24) and at the same time forming an annular reinforcing section (26) on the back side (11b) of the wafer (11) in an area , which corresponds to the peripheral edge region (19), the annular reinforcing section (26) surrounding the circular recess (24); a wafer attaching step of attaching the back surface (11b) of the wafer (11) to a central portion of a dicing belt (34) whose outer peripheral portion is held on an annular dicing frame (36) after performing the wafer grinding step; a wafer holding step for holding the wafer (11) on a chuck table (40), which has a device area holding section for holding the back side of the device area (17) under suction and an annular reinforcing section holding section (26) for holding the annular reinforcing section (26) after performing the wafer attaching step, wherein the chuck table (40) has a metal holding plate (46) with a circular recess (48) and a suction passage (50) and a disk-shaped porous member (52) in the circular recess (48 ) is fitted to the holding plate (46), wherein an upper surface of the disc-shaped porous element (50) lies in a higher plane than an upper surface of the holding plate (46), wherein a lower surface of the annular reinforcing section (26) of the wafer (11) is held on the holding plate (46) by the dividing belt (34) and the inner surface of the circular recess (24) is held on the porous member (52) under suction by the dividing belt (34); a wafer dividing step of cutting the wafer (11) along each line (13) by using a cutting blade to divide the device area (17) into the individual devices (15) after the wafer holding step; a removing step for the annular reinforcement portion (26) for cutting the wafer (11) along the boundary between the device area (17) and the peripheral edge area (19) by using the cutting blade while rotating the chuck table (40) after performing the wafer dividing step, thereby removing the annular reinforcing portion (26) from the wafer (11 ) Will get removed; and a picking step of picking up each component (15) from the dividing belt (34) after performing the removing step for the annular reinforcing portion (26). Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem: das Zerteilungsband (34) ein Klebeband beinhaltet, dessen Klebkraft durch einen äußeren Impuls verringert werden kann; und der Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) den Schritt des Aufbringens des äußeren Impulses auf das Zerteilungsband (34) in dessen Bereich, der an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) angebracht ist, nach dem Schneiden des Wafers (11) entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich (17) und dem Umfangsrandbereich (19) beinhaltet.Wafer processing method Claim 1 , in which: the dividing tape (34) contains an adhesive tape whose adhesive strength can be reduced by an external impulse; and the annular reinforcing portion (26) removing step includes the step of applying the external pulse to the dicing belt (34) in the area thereof attached to the annular reinforcing portion (26) after cutting the wafer (11) along the boundary therebetween the component area (17) and the peripheral edge area (19).
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