DE102009061071B3 - Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements (8) mit einer gut lötbaren Kontakt-Struktur (9) umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines flächig ausgebildeten Halbleiter-Substrats (1) mit – einer ersten Seite (2), – einer zweiten Seite (3), – einer senkrecht auf diesen stehenden Flächennormalen (4), &ndangeordneten dielektrischen Passivierungs-Schicht (5) und – einer auf der Passivierungs-Schicht (5) angeordneten ersten Kontakt-Schicht (6), – zumindest bereichsweises Aufbringen mindestens einer zweiten Kontakt-Schicht (7) auf die erste Kontakt-Schicht (6), – wobei die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) zumindest eine Teilschicht aus einem gut lötbaren Metall, insbesondere aus Nickel und/oder Silber und/oder Zinn und/oder einer Verbindung derselben umfasst, und – Herstellen einer elektrisch leitenden Kontaktierung zwischen der zweiten Kontakt-Schicht (7) und dem Halbleiter-Substrat (1), dadurch gekennzeichnet, dass – die zweite Kontakt-Schicht (7) eine Folie umfasst.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Halbleiter-Bauelement mit einer lötbaren Kontakt-Struktur. Aus der DE 100 46 170 A1 ist eine Solarzelle mit lasergefeuerten Kontakten (LFC-Solarzelle) bekannt. Diese weist auf ihrer Oberfläche eine mehrere Mikrometer dicke Metallschicht aus Aluminium auf, welche lokal mit dem darunterliegenden Halbleiter-Substrat elektrisch leitend verbunden ist. Zur Verschaltung einzelner LFC-Zellen in einem Modul werden diese üblicherweise miteinander verlötet. Bekanntlich ist das Verlöten von Aluminium jedoch sehr problematisch und aufwändig.
  • Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen sind aus der DE 10 2005 040 871 A1 , der EP 2 031 659 A1 , der US 2009/0050202 A1 , der DE 10 2006 044 936 B4 und der DE 10 2006 046 726 A1 bekannt.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements mit einer Kontakt-Struktur, welche gut lötbar ist, zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch das Verfahren des Anspruchs 1 und das Halbleiterbauelement des Abspruchs 8 gelöst. Der Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche ist aus der DE 10 2005 040 871 A1 bekannt. Kern der Erfindung besteht darin, auf eine erste Kontakt-Schicht mindestens eine weitere Kontakt-Schicht aufzubringen, welche aus einem gut lötbaren Metall ist, und eine Folie umfasst.
  • Zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der gut lötbaren, zweiten Kontakt-Schicht und dem Halbleiter-Substrat ist vorzugsweise ein Laser-Verfahren vorgesehen.
  • Die zweite Kontakt-Schicht kann ganzflächig auf die erste Kontakt-Schicht aufgebracht werden. Hierdurch wird insbesondere die Querleitfähigkeit der Kontakt-Schicht erhöht, sodass die Dicke der ersten Kontakt-Schicht deutlich reduziert werden kann.
  • Es ist jedoch ebenso möglich, die zweite Kontakt-Schicht in einem unterbrochenen Muster, das heißt in voneinander getrennten Teilbereichen, auf die erste Kontakt-Schicht aufzubringen. Dies hat den Vorteil, dass Schichtspannungen im Schichtstapel reduziert werden und somit einer Verbiegung des Substrates entgegengewirkt werden kann.
  • Die zweite Kontakt-Schicht wird erfindungsgemäß in Form einer Folie auf die erste Kontakt-Schicht aufgebracht. Dies ist besonders einfach durchführbar. Die Folie weist vorzugsweise eine Klebschicht, insbesondere aus leitfähigem Klebstoff auf. Hierdurch wird eine besonders gute elektrische Anbindung der Folie an die erste Kontakt-Schicht hergestellt.
  • Die Folie umfasst eine Schicht aus einem Metall oder einer Metalllegierung. Als besonders brauchbar haben sich Folien mit einer Bimetall-Schicht erwiesen.
  • Das erfindungsgemäße Halbleiter-Bauelement ist besonders wirtschaftlich herstellbar und aufgrund der Eigenschaften der zweiten Kontakt-Struktur auf besonders einfache Weise in einem Solar-Modul verschaltbar.
  • Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen. Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein Halbleiter-Bauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
  • 2 eine Draufsicht auf ein Halbleiter-Bauelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung und
  • 3 eine Draufsicht auf ein Halbleiter-Bauelement gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Im Folgenden wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements 8 mit einer gut lötbaren Kontakt-Struktur beschrieben. „Gut lötbar” meint in diesem Zusammenhang, dass eine Lötung mittels Weichlötverfahren möglich ist. Zunächst wird ein flächig ausgebildetes Halbleiter-Substrat 1 mit einer ersten Seite 2, einer dieser gegenüberliegenden zweiten Seite 3 und einer senkrecht auf dieser stehenden Flächennormalen 4 bereitgestellt. Bei der zweiten Seite 3 handelt es sich insbesondere um die spätere Rückseite, das heißt die Seite, welche beim Betrieb der Solarzelle die sonnenabgewandte Seite bildet.
  • Als Halbleiter-Substrat 1 dient insbesondere ein Siliziumsubstrat. Als Halbleiter-Substrat 1 kann jedoch ebenso ein anderes Halbleiter-Substrat dienen.
  • Auf der zweiten Seite 3 ist eine elektrische Passivierungs-Schicht 5 angeordnet. Die Passivierungs-Schicht ist beispielsweise aus Siliziumdioxid (SiO2) oder Siliziumnitrid. Die Passivierungs-Schicht 5 hat eine Dicke in Richtung der Flächennormalen 4 im Bereich von 80–150 nm, insbesondere 100 nm.
  • Auf der Passivierungs-Schicht 5 ist eine erste Kontakt-Schicht 6 angeordnet. Die erste Kontakt-Schicht 6 ist vorzugsweise aus Aluminium. Sie dient als Reflexionsschicht und als Leiter-Schicht, welche eine Querleitfähigkeit senkrecht zur Flächennormalen 4 bewirkt. Zum Aufbringen der ersten Kontakt-Schicht ist ein Vakuum-Verfahren, insbesondere ein Aufdampf-Verfahren oder ein Sputter-Verfahren vorgesehen. Das Aufbringen der ersten Kontakt-Schicht 6 geschieht hierbei in einer Vakuum-Kammer. Das Aufbringen geschieht insbesondere unter Ausschluss von Sauerstoff.
  • Im Vergleich zu üblichen Halbleiter-Bauelementen ist die Dicke der ersten Kontakt-Schicht 6 in Richtung der Flächennormalen 4 reduziert. Sie beträgt höchstens 3 μm, insbesondere höchstens 1 μm, insbesondere höchstens 0,5 μm. Hierdurch wird sowohl Material als auch die zum Aufbringen der ersten Kontakt-Schicht 6 benötigte Prozess-Zeit reduziert.
  • Auf das Halbleiter-Substrat 1 mit der Passivierungs-Schicht 5 und der ersten Kontakt-Schicht 6 wird im Folgenden zumindest bereichsweise mindestens eine zweite Kontakt-Schicht 7 aufgebracht. Die zweite Kontakt-Schicht 7 ist aus einem gut lötbaren Metall, insbesondere aus Nickel und/oder Silber und/oder Zinn und/oder einer Verbindung derselben. Für Details sei auf die DE 10 2008 062 591 verwiesen. Die zweite Kontakt-Schicht 7 ist bis zu einer Temperatur von mindestens 300°C, insbesondere mindestens 400°C, thermisch stabil, d. h. es findet keine Vermischung der Kontaktschichten 6, 7 statt. Die Kontakt-Schichten 6, 7 bilden zusammen eine Kontakt-Struktur 9.
  • Die zweite Kontakt-Schicht 7 steht in elektrischem Kontakt mit der ersten Kontakt-Schicht 6. Sie trägt daher zur Querleitfähigkeit letzterer bei. Gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ist die zweite Kontakt-Schicht 7 ganzflächig auf die erste Kontakt-Schicht 6 aufgebracht.
  • Nach dem Aufbringen der zweiten Kontakt-Schicht 7 wird eine elektrisch leitende Kontaktierung zwischen der zweiten Kontakt-Schicht 7 und dem Halbleiter-Substrat 1 hergestellt. Hierzu ist erfindungsgemäß ein Laser-Verfahren vorgesehen. Durch das Laser-Verfahren wird die zweite Kontakt-Schicht 7 lokal durch die Passivierungs-Schicht 5 hindurchgefeuert und dadurch ein elektrischer Kontakt zwischen den Kontakt-Schichten 6, 7 und dem Halbleiter-Substrat 1 hergestellt. Dabei kann die zweite Kontakt-Schicht 7 lokal eine Legierung mit der ersten Kontakt-Schicht 6 und/oder dem Halbleiter-Substrat bilden.
  • Nach dem Laser-Verfahren zur Herstellung der elektrisch leitenden Kontaktierung zwischen den Kontakt-Schichten 6, 7 und dem Halbleiter-Substrat 1 kann ein Temperschritt zur Verringerung der durch den Laser induzierten Schädigung der Oberfläche des Halbleiter-Bauelements 8 vorgesehen sein.
  • Bei diesem Temperschritt wird das Halbleiter-Bauelement 8 mit den Kontakt-Schichten 6, 7 auf eine Temperatur von mindestens 300°C, insbesondere von etwa 400°C oder insbesondere von etwa 500°C erhitzt. Da die Kontakt-Schichten 6, 7 bis zu dieser Temperatur thermisch stabil sind, werden sie hierdurch nicht beschädigt.
  • In einem weiteren, nicht dargestellten Ausführungsbeispiel ist die zweite Kontakt-Schicht 7 mehrschichtig ausgebildet. Es kann insbesondere vorteilhaft sein, zunächst eine Diffusions-Sperrschicht, insbesondere aus Titan oder einer Titan-Verbindung, auf die erste Kontakt-Schicht 6 aufzubringen. Diese Diffusions-Sperrschicht verhindert eine Diffusion von Aluminium beispielsweise in Silber. Hierdurch wird die Stabilität der Kontakt-Schichten 6, 7 bei Temperprozessen gewährleistet.
  • Erfindungsgemäß ist es vorgesehen, die zweite Kontakt-Schicht 7 als Folie auszubilden. Die Folie umfasst eine Metall-Schicht aus einem Metall oder einer Metalllegierung. Vorzugsweise umfasst die Metall-Schicht ein Bi-Metall. Durch die Leitfähigkeit der Folie wird eine gute Querleitfähigkeit erreicht. Die Dicke der ersten Kontakt-Schicht 6 in Richtung der Flächennormalen 4 kann somit erheblich reduziert werden.
  • Vorteilhafterweise ist die Folie zumindest einseitig, insbesondere beidseitig beschichtet.
  • Vorzugsweise weist die Folie eine Kleb-Schicht auf. Die Folie kann mittels der Klebschicht auf besonders einfache Weise auf der ersten Kontakt-Schicht 6 angeordnet und fixiert werden. Hierbei wird vorzugsweise elektrisch leitfähiger Klebstoff verwendet, um die elektrische Anbindung der Folie an die erste Kontakt-Schicht 6 zu verbessern. Durch einen anschließenden Laser-Prozess wird die elektrische Kontaktierung zwischen der Folie, der ersten Kontakt-Schicht 6 und dem Halbleiter-Substrat 1 hergestellt.
  • Gemäß einem weiteren, in den 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die zweite Kontakt-Schicht 7 in einem unterbrochenen Muster, das heißt in voneinander getrennten Teilbereichen, auf die erste Kontakt-Schicht 6 aufgebracht. Sie ist somit nicht ganzflächig ausgebildet. Dies hat den Vorteil, dass hierdurch Schichtspannungen im Schichtstapel reduziert werden, wodurch einer Verbiegung des Halbleiter-Substrats 1 entgegengewirkt werden kann. Die Aufbringung in einem unterbrochenen Muster kann beispielsweise durch eine Maske erfolgen.

Claims (14)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements (8) mit einer gut lötbaren Kontakt-Struktur (9) umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines flächig ausgebildeten Halbleiter-Substrats (1) mit – einer ersten Seite (2), – einer zweiten Seite (3), – einer senkrecht auf diesen stehenden Flächennormalen (4), – einer auf mindestens einer der Seiten (2, 3) angeordneten dielektrischen Passivierungs-Schicht (5) und – einer auf der Passivierungs-Schicht (5) angeordneten ersten Kontakt-Schicht (6), – zumindest bereichsweises Aufbringen mindestens einer zweiten Kontakt-Schicht (7) auf die erste Kontakt-Schicht (6), – wobei die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) zumindest eine Teilschicht aus einem gut lötbaren Metall, insbesondere aus Nickel und/oder Silber und/oder Zinn und/oder einer Verbindung derselben umfasst, und – Herstellen einer elektrisch leitenden Kontaktierung zwischen der zweiten Kontakt-Schicht (7) und dem Halbleiter-Substrat (1), dadurch gekennzeichnet, dass – die zweite Kontakt-Schicht (7) eine Folie umfasst.
  2. Verfahren gemäß dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der elektrisch leitenden Kontaktierung zwischen der zweiten Kontakt-Schicht (7) und dem Halbleiter-Substrat (1) ein Laser-Verfahren vorgesehen ist.
  3. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) ganzflächig auf die erste Kontakt-Schicht (6) aufgebracht wird.
  4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst eine Diffusions-Sperrschicht, insbesondere aus Titan oder einer Titan-Verbindung, auf die erste Kontakt-Schicht (6) aufgebracht wird.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) in einem unterbrochenen Muster auf die erste Kontakt-Schicht (6) aufgebracht wird.
  6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie mindestens einseitig beschichtet ist.
  7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie und/oder deren Beschichtung aus einem Metall, insbesondere einem Bi-Metall, oder einer Metalllegierung ist, insbesondere aus Nickel und/oder Silber und/oder Zinn und/oder einer Verbindung derselben.
  8. Halbleiter-Bauelement (8) umfassend a) Ein flächig ausgebildetes Halbleiter-Substrat (1) mit i. einer ersten Seite (2), ii. einer zweiten Seite (3) und iii. einer senkrecht auf diesen stehenden Flächennormalen (4), b) eine auf mindestens einer der Seiten (2, 3) angeordnete dielektrische Passivierungs-Schicht (5), c) eine auf der Passivierungs-Schicht (5) angeordnete erste Kontakt-Schicht (6) und d) mindestens eine zumindest bereichsweise auf der ersten Kontakt-Schicht (6) angeordnete zweite Kontakt-Schicht (7), e) wobei die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) gut lötbar ist, f) dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontakt-Schicht (7) eine Folie umfasst.
  9. Halbleiter-Bauelement (8) gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) bis zu einer Temperatur von mindestens 300°C, insbesondere mindestens 400°C, thermisch stabil ist.
  10. Halbleiter-Bauelement (8) gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontakt-Schicht (7) ganzflächig auf die erste Kontakt-Schicht (6) aufgebracht ist.
  11. Halbleiter-Bauelement (8) gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Diffusions-Sperrschicht, insbesondere aus Titan oder einer Titan-Verbindung, auf die erste Kontakt-Schicht (6) aufgebracht ist.
  12. Halbleiter-Bauelement (8) gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) in einem unterbrochenen Muster auf die erste Kontakt-Schicht (6) aufgebracht ist.
  13. Halbleiter-Bauelement (8) gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie mindestens einseitig beschichtet ist.
  14. Halbleiter-Bauelement (8) gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Folie und/oder deren Beschichtung aus einem Metall, insbesondere einem Bi-Metall, oder einer Metalllegierung ist, insbesondere aus Nickel und/oder Silber und/oder Zinn und/oder einer Verbindung derselben.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102012214253A1 (de) * 2012-08-10 2014-06-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur Metallisierung der Rückseite eines Halbleiterbauelements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005040871A1 (de) * 2005-04-16 2006-10-19 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102006046726A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIOx und SINx sowie Verfahren zur Herstellung
DE102006044936B4 (de) * 2006-09-22 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen und dessen Verwendung
US20090050202A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Industrial Technology Research Institute Solar cell and method for forming the same
EP2031659A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-04 Applied Materials, Inc. Verfahren zur Erzeugung eines metallischen Rückkontaktes eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Solarzelle

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005040871A1 (de) * 2005-04-16 2006-10-19 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102006044936B4 (de) * 2006-09-22 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen und dessen Verwendung
DE102006046726A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIOx und SINx sowie Verfahren zur Herstellung
US20090050202A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Industrial Technology Research Institute Solar cell and method for forming the same
EP2031659A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-04 Applied Materials, Inc. Verfahren zur Erzeugung eines metallischen Rückkontaktes eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Solarzelle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012214253A1 (de) * 2012-08-10 2014-06-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur Metallisierung der Rückseite eines Halbleiterbauelements

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