DE102009032606A1 - Optoelectronic component and flat light source - Google Patents
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Abstract
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) beinhaltet dieses einen Erweiterungsträger (20) und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip (10). Der Halbleiterchip (10) weist einen Träger (11) und eine aktive Halbleiterschichtenfolge (12) auf. Außerdem umfasst der Halbleiterchip (10) mindestens eine elektrische Leiterbahn (15) zur Kontaktierung der aktiven Halbleiterschichtenfolge (12), wobei sich die elektrische Leiterbahn (15) in einer lateralen Richtung wenigstens teilweise neben der Halbleiterschichtenfolge (12) befindet. Der Erweiterungsträger (20) beinhaltet ein Substrat (21), das mindestens einen Durchbruch (22) aufweist. In dem Durchbruch (22) ist der Halbleiterchip (10) angebracht. An einer Substeite (24) des Substrats (21) ist mindestens ein elektrisches Anschlussstück (25) angebracht, das zur elektrischen Verbindung mit dem Halbleiterchip vorgesehen ist. Weiterhin entspricht eine Dicke (T) des Halbleiterchips (10) mit einer Toleranz von höchstens 15% einer Dicke (C) des Erweiterungsträgers (20).In at least one embodiment of the optoelectronic component (1), it contains an extension carrier (20) and at least one optoelectronic semiconductor chip (10). The semiconductor chip (10) has a carrier (11) and an active semiconductor layer sequence (12). In addition, the semiconductor chip (10) comprises at least one electrical conductor track (15) for contacting the active semiconductor layer sequence (12), the electrical conductor track (15) being at least partially next to the semiconductor layer sequence (12) in a lateral direction. The extension carrier (20) contains a substrate (21) which has at least one opening (22). The semiconductor chip (10) is fitted in the opening (22). At least one electrical connection piece (25), which is provided for the electrical connection to the semiconductor chip, is attached to a sub-side (24) of the substrate (21). Furthermore, a thickness (T) of the semiconductor chip (10) corresponds with a tolerance of at most 15% of a thickness (C) of the expansion carrier (20).
Description
Es wird ein optoelektronisches Bauteil und eine Flachlichtquelle angegeben.It an optoelectronic component and a flat light source is specified.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil mit einem optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, das eine geringe Dicke aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Flachlichtquelle mit einem solchen Bauteil anzugeben.A to be solved task is an optoelectronic Specify component with an optoelectronic semiconductor chip, the has a small thickness. Another task to be solved is to specify a flat light source with such a component.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der Halbleiterchip kann eine Leuchtdiode, eine Laserdiode oder eine Fotodiode sein.At least an embodiment of the optoelectronic device this at least one optoelectronic semiconductor chip. The semiconductor chip may be a light emitting diode, a laser diode or a photodiode.
Gemäß zumindest
einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist
der Halbleiterchip einen Träger und eine aktive Halbleiterschichtenfolge
auf, wobei die Halbleiterschichtenfolge an einer Trägeroberseite
angebracht ist. Bei dem Träger handelt es sich bevorzugt
um einen mechanisch festen Träger, der den Halbleiterchip
mechanisch trägt und stützt. Insbesondere kann
der Träger von einem Aufwachssubstrat, auf dem die Halbleiterschichtenfolge
aufgewachsen ist, verschieden sein. Die aktive Halbleiterschichtenfolge
ist bevorzugt eine Dünnfilmschichtenfolge und weist eine
Dicke von weniger als 20 μm, insbesondere von weniger als
6 μm auf. Die Halbleiterschichtenfolge kann wie in der
Druckschrift
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils befinden sich an der Trägeroberseite des Trägers des Halbleiterchips mindestens eine, insbesondere mindestens zwei oder genau zwei elektrische Leiterbahnen zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge. Die elektrische Leiterbahn an der Trägeroberseite befindet sich, in einer lateralen Richtung gesehen, bevorzugt wenigstens teilweise neben der Halbleiterschichtenfolge.At least an embodiment of the optoelectronic device on the carrier top side of the carrier of the semiconductor chip at least one, in particular at least two or exactly two electrical Conductor tracks for electrical contacting of the semiconductor layer sequence. The electrical conductor on the carrier top is located, seen in a lateral direction, preferably at least partially in addition to the semiconductor layer sequence.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist dieses einen Erweiterungsträger auf. Der Erweiterungsträger umfasst hierbei ein Substrat. Es ist möglich, dass das Substrat eine Folie ist, jedoch handelt es sich bevorzugt bei dem Substrat um ein mechanisch festes, rigides, das Bauteil stützendes Substrat.At least an embodiment of the optoelectronic component has this one extension carrier on. The extension carrier in this case comprises a substrate. It is possible that the substrate is a film, but it is preferably the substrate a mechanical, rigid, rigid component supporting Substrate.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist das Substrat des Erweiterungsträgers einen Durchbruch auf. Der Durchbruch durchdringt das Substrat des Erweiterungsträgers, in einer Richtung senkrecht zu Hauptseiten des Erweiterungsträgers, bevorzugt vollständig.At least an embodiment of the optoelectronic component has the substrate of the expansion carrier on a breakthrough. The breakthrough penetrates the substrate of the expansion carrier, in a direction perpendicular to major sides of the extender, preferably completely.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils befindet sich an einer Substratoberseite und/oder an einer der Substratoberseite abgewandten Substratunterseite mindestens ein elektrisches Anschlussstück. Das Anschlussstück erstreckt sich, in einer lateralen Richtung gesehen, bevorzugt teilweise über den Durchbruch. Mit anderen Worten ist der Durchbruch zum Teil von dem mindestens einen Anschlussstück überdeckt. Weiterhin ist das mindestens eine Anschlussstück dazu eingerichtet, mit dem optoelektronischen Halbleiterchip elektrisch kontaktiert zu werden.At least an embodiment of the optoelectronic device is located on a substrate top and / or on one of the substrate top remote substrate underside at least one electrical connector. The fitting extends in a lateral direction seen, preferably in part over the breakthrough. With others Words the breakthrough is partially covered by the at least one connector. Furthermore, the at least one connecting piece is set up to electrically contacted with the optoelectronic semiconductor chip to become.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Halbleiterchip in dem Durchbruch angebracht. Mit anderen Worten befindet sich der Halbleiterchip teilweise oder vollständig in dem Durchbruch des Substrats des Erweiterungsträgers. Außerdem ist der Halbleiterchip bevorzugt über das mindestens eine Anschlussstück des Erweiterungsträgers elektrisch kontaktiert.At least an embodiment of the optoelectronic device the semiconductor chip mounted in the aperture. In other words is located the semiconductor chip partially or completely in the Breakthrough of the substrate of the expansion carrier. Furthermore the semiconductor chip is preferably over the at least one Connecting piece of the expansion carrier electrical contacted.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils entspricht eine Dicke des Halbleiterchips, mit einer Abweichung von höchstens 15%, einer Dicke des Erweiterungsträgers. Mit anderen Worten sind der Erweiterungsträger und der Halbleiterchip gleich oder in etwa gleich dick. Insbesondere beträgt die Abweichung zwischen den Dicken des Halbleiterchips und des Erweiterungsträgers höchstens 10%, insbesondere höchstens 5%. Besonders bevorzugt sind die Dicken im Rahmen der Herstellungstoleranzen gleich.At least an embodiment of the optoelectronic component corresponds a thickness of the semiconductor chip, with a deviation of at most 15%, one thickness of the expansion carrier. In other words Both the expansion carrier and the semiconductor chip are the same or about the same thickness. In particular, the deviation is between the thicknesses of the semiconductor chip and the expansion carrier not more than 10%, in particular not more than 5%. Especially Preferably, the thicknesses are the same within the manufacturing tolerances.
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils beinhaltet dieses einen Erweiterungsträger und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der Halbleiterchip weist einen Träger und eine aktive Halbleiterschichtenfolge auf, wobei die aktive Halbleiterschichtenfolge an einer Trägeroberseite des Trägers angebracht ist. Außerdem umfasst der Halbleiterchip mindestens eine elektrische Leiterbahn zur Kontaktierung der aktiven Halbleiterschichtenfolge, wobei sich die elektrische Leiterbahn in einer lateralen Richtung wenigstens teilweise neben der Halbleiterschichtenfolge an der Trägeroberseite befindet. Der Erweiterungsträger des optoelektronischen Bauteils beinhaltet ein Substrat, das mindestens einen Durchbruch aufweist. In dem Durchbruch ist der Halbleiterchip angebracht. An einer Substratoberseite und/oder an einer Substratunterseite des Substrats, wobei die Substratunterseite der Substratoberseite gegenüberliegt, ist mindestens ein elektrisches Anschlussstück angebracht, das zur elektrischen Verbindung mit dem Halbleiterchip vorgesehen ist. Bevorzugt erstreckt sich das Anschlussstück in einer lateralen Richtung teilweise über den Durchbruch. Weiterhin entspricht eine Dicke des Halbleiterchips mit einer Toleranz von höchstens 15% einer Dicke des Erweiterungsträgers.In at least one embodiment of the optoelectronic component, this includes an extension carrier and at least one optoelectronic semiconductor chip. The semiconductor chip has a carrier and an active semiconductor layer sequence, wherein the active semiconductor layer sequence is attached to a carrier top side of the carrier. In addition, the semiconductor chip comprises at least one electrical conductor for contacting the active semiconductor layer sequence, the electrical conductor being located in a lateral direction at least partially next to the semiconductor layer sequence on the carrier top side. The extension carrier of the optoelectronic device includes a substrate having at least one aperture. In the breakthrough, the semiconductor chip is attached. At least one electrical connection piece, which is provided for electrical connection to the semiconductor chip, is arranged on a substrate top side and / or on a substrate underside of the substrate, the substrate underside facing the substrate top side. Preferably, the An extends conclusion piece in a lateral direction partially over the breakthrough. Furthermore, a thickness of the semiconductor chip having a tolerance of at most 15% corresponds to a thickness of the extension carrier.
Optoelektronische Halbleiterchips werden häufig in einem Waferverbund gefertigt. Um hierbei eine hohe Effizienz zu erzielen, weisen die Halbleiterchips in der Regel bestimmte, durch die Produktion und/oder durch den Wafer vorgegebene Abmessungen und/oder Grundrisse auf. Weiterhin ist eine Flächenbedeckung des Wafers mit der aktiven Halbleiterschichtenfolge im Allgemeinen möglichst groß gewählt, so dass insbesondere elektrische Leiterbahnen nur einen geringen Flächenanteil am Wafer einnehmen. Eine Anpassung der Geometrie der Halbleiterchips, insbesondere im Hinblick auf laterale Abmessungen des Trägers, sowie eine Anpassung der elektrischen Leiterbahnen des Halbleiterchips geht oft mit einer Erhöhung der Herstellungskosten einher.Optoelectronic Semiconductor chips are often produced in a wafer composite. In order to achieve a high efficiency, have the semiconductor chips usually determined by the production and / or by the Wafer given dimensions and / or floor plans. Farther is an area coverage of the wafer with the active semiconductor layer sequence generally chosen as large as possible, so that in particular electrical conductors only a small Occupy area fraction on the wafer. An adaptation of the geometry the semiconductor chips, in particular with regard to lateral dimensions the carrier, as well as an adaptation of the electrical conductors Of the semiconductor chip often goes with an increase in manufacturing costs associated.
Durch den Einsatz des Erweiterungsträgers lassen sich die lateralen Abmessungen des optoelektronischen Bauteils spezifisch auf die jeweilige Anwendung anpassen, ohne dass Abmessungen des Halbleiterchips selbst oder von elektrischen Leiterbahnen des Halbleiterchips modifiziert werden müssen. Da der Erweiterungsträger und der Halbleiterchip eine gleiche oder in etwa eine gleiche Dicke aufweisen, entspricht die Dicke des gesamten optoelektronischen Bauteils der Dicke des Halbleiterchips. Hierdurch sind besonders dünne optoelektronische Bauteil mit variablen lateralen Abmessungen realisierbar.By the use of the extension carrier can be the lateral Dimensions of the optoelectronic component specific to the respective Adapt application without the dimensions of the semiconductor chip itself or modified by electrical interconnects of the semiconductor chip Need to become. Because the extension carrier and the Semiconductor chip have the same or approximately the same thickness, corresponds to the thickness of the entire optoelectronic component of Thickness of the semiconductor chip. As a result, are particularly thin Optoelectronic component with variable lateral dimensions feasible.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Halbleiterchip über mindestens eines der Anschlussstücke mechanisch mit dem Erweiterungsträger fest verbunden. Insbesondere erfolgt die mechanische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Erweiterungsträger ausschließlich über die elektrischen Anschlussstücke des Erweiterungsträgers. Mechanisch fest kann bedeuten, dass sich, über eine Lebensdauer des optoelektronischen Halbleiterchips hinweg, im bestimmungsgemäßen Betrieb des optoelektronischen Bauteils die Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Erweiterungsträger nicht löst.At least an embodiment of the optoelectronic device the semiconductor chip via at least one of the connecting pieces mechanically firmly connected to the extension carrier. Especially the mechanical connection between the semiconductor chip and the extension carrier exclusively via the electrical connectors of the expansion carrier. Mechanically fixed can mean that, over a lifetime of the optoelectronic semiconductor chip, in the intended Operation of the optoelectronic device the connection between the semiconductor chip and the expansion carrier does not solve.
Dass der Halbleiterchip über das Anschlussstück mit dem Erweiterungsträger verbunden ist, bedeutet insbesondere, dass das Anschlussstück in einer lateralen Richtung mit dem Halbleiterchip überlappt und dass über eine Verbindungstechnik, etwa ein Kleben oder ein Reibschweißen, das Anschlussstück mit insbesondere den elektrischen Leiterbahnen des Halbleiterchips verbunden ist. Die mechanische Verbindung zwischen Halbleiterchip und Erweiterungsträger kann ausschließlich über das mindestens eine Anschlussstück des Erweiterungsträgers erfolgen.That the semiconductor chip via the connector with connected to the extension carrier means in particular that the connecting piece in a lateral direction with overlaps the semiconductor chip and that over a Joining technique, such as gluing or friction welding, the connector with in particular the electrical conductors the semiconductor chip is connected. The mechanical connection between Semiconductor chip and expansion carrier can be exclusively over the at least one connection piece of the expansion carrier take place.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils fluchtet die Trägeroberseite des Trägers des Halbleiterchips mit der Substratoberseite des Substrats des Erweiterungsträgers. Mit anderen Worten liegt die Trägeroberseite und die Substratoberseite, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, in einer gemeinsamen Ebene. Hierbei weisen bevorzugt der Träger des Halbleiterchips und das Substrat des Erweiterungsträgers im Rahmen der Herstellungstoleranzen gleiche Dicken auf.At least an embodiment of the optoelectronic device is aligned the carrier top of the carrier of the semiconductor chip with the substrate top side of the substrate of the expansion carrier. In other words, the carrier top and the substrate top, within the manufacturing tolerances, in a common plane. In this case, preferably the carrier of the semiconductor chip and the substrate of the expansion support within the manufacturing tolerances same thicknesses up.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umgibt der Erweiterungsträger den Halbleiterchip in einer lateralen Richtung vollständig. Zum Beispiel umläuft das Substrat des Erweiterungsträgers den Träger des Halbleiterchips gänzlich. Vollständig umgeben kann auch bedeuten, dass in allen Seitenansichten auf den Erweiterungsträger kein Teil des Halbleiterchips sichtbar ist.At least an embodiment of the optoelectronic device surrounds the extension carrier the semiconductor chip in a lateral direction Completely. For example, the substrate rotates of the expansion carrier the carrier of the semiconductor chip altogether. Surrounding completely can also mean that in all page views on the extension carrier no part of the semiconductor chip is visible.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Träger des Halbleiterchips und/oder das Substrat des Erweiterungsträgers elektrisch leitfähig. Bevorzugt ist entweder der Träger oder das Substrat elektrisch leitfähig.At least an embodiment of the optoelectronic device the carrier of the semiconductor chip and / or the substrate of the Extension carrier electrically conductive. Prefers either the carrier or the substrate is electrically conductive.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind an der Substratoberseite mindestens zwei elektrische Anschlussstücke angebracht. Weiterhin sind bevorzugt an der Substratunterseite mindestens zwei elektrische Anschlussbereiche angebracht. Die elektrischen Anschlussbereiche können zu einer elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils mit einem externen, nicht zu dem Bauteil gehörigen Montageträger eingerichtet sein. Die elektrischen Anschlussbereiche erstrecken sich, im Gegensatz zu den Anschlussstücken, bevorzugt nicht über den mindestens einen Durchbruch im Substrat.At least an embodiment of the optoelectronic device at the substrate top at least two electrical connectors appropriate. Furthermore, at least preferably on the underside of the substrate two electrical connection areas attached. The electrical Connection areas can lead to an electrical contact of the optoelectronic device with an external, not to the Component be associated with mounting bracket. The electrical connection areas extend, in contrast to the fittings, preferably not over the at least one breakthrough in the substrate.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind die elektrischen Anschlussbereiche an der Substratunterseite über mindestens zwei elektrische Durchbrüche mit den elektrischen Anschlussstücken an der Substratoberseite verbunden. Mit anderen Worten kann je ein Anschlussbereich an der Substratunterseite mit je genau einem Anschlussstück an der Substratoberseite elektrisch verbunden sein.At least an embodiment of the optoelectronic device the electrical connection areas at the substrate base over at least two electrical openings with the electrical connection pieces connected to the substrate top. In other words, one can ever Connection area on the underside of the substrate, each with exactly one connection piece be electrically connected to the substrate top.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses eine Mehrzahl von Halbleiterchips. Eine Mehrzahl kann bedeuten, dass das Bauteil mindestens vier Halbleiterchips, bevorzugt mindestens sechs Halbleiterchips, insbesondere mindestens zwölf Halbleiterchips umfasst. Je einer der Halbleiterchips befindet sich dabei bevorzugt in je einem der Durchbrüche in dem Substrat des Erweiterungsträgers. Bevorzugt befindet sich also in jedem der Durchbrüche genau ein Halbleiterchip.According to at least one embodiment of the optoelectronic component, this comprises a plurality of semiconductor chips. A plurality may mean that the component comprises at least four semiconductor chips, preferably at least six semiconductor chips, in particular at least twelve semiconductor chips. Each one of the semiconductor chips is located in this case preferably in each one of the openings in the substrate of the expansion support. Preferably, therefore, exactly one semiconductor chip is located in each of the openings.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind ein Teil der Halbleiterchips oder alle Halbleiterchips über die Anschlussstücke und/oder über die Anschlussbereiche elektrisch in Reihe geschaltet. Mit anderen Worten können durch die Anschlussstücke und/oder die Anschlussbereiche an der Substratoberseite und/oder an der Substratunterseite elektrische Strukturen ähnlich von Leiterbahnen erzeugt sein.At least an embodiment of the optoelectronic device a part of the semiconductor chips or all semiconductor chips over the connecting pieces and / or via the connection areas electrically connected in series. In other words, through the Connecting pieces and / or the connection areas on the substrate top and / or similar to electrical structures at the substrate bottom be produced by interconnects.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weichen laterale Ausdehnungen des Durchbruchs von lateralen Ausdehnungen des Halbleiterchips jeweils um höchstens 15%, insbesondere um höchstens 10%, bevorzugt um höchstens 5% voneinander ab. Mit anderen Worten entspricht die Ausdehnung des Durchbruchs insbesondere in allen lateralen Richtungen mindestens ungefähr der Ausdehnung des Halbleiterchips. In Draufsicht gesehen kann also ein Umriss des Durchbruchs einem Umriss des Halbleiterchips entsprechen.At least an embodiment of the optoelectronic device lateral extensions of the breakdown of lateral expansions of the semiconductor chip in each case by at most 15%, in particular at most 10%, preferably at most 5% of each other from. In other words, the extent of the breakthrough corresponds especially in all lateral directions at least approximately the extension of the semiconductor chip. Seen in plan view so can an outline of the aperture correspond to an outline of the semiconductor chip.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils sind der Durchbruch des Substrats des Erweiterungsträgers und der Träger des Halbleiterchips formschlüssig aneinander angeformt. Das kann bedeuten, dass sich eine Form des Durchbruchs in einer lateralen Richtung an den Träger anschmiegt. Zum Beispiel berühren sich eine Begrenzungsfläche des Durchbruchs und der Träger in einer lateralen Richtung ringsum. Durch das formschlüssige aneinanderformen von Durchbruch und Träger kann der Halbleiterchip in dem Durchbruch mechanisch fixiert und gehaltert sein, zusätzlich oder alternativ zu einer mechanischen Halterung durch die Anschlussstücke.At least an embodiment of the optoelectronic device the breakthrough of the substrate of the expansion carrier and the carrier of the semiconductor chip form-fitting together formed. That may mean that there is a form of breakthrough clings to the carrier in a lateral direction. To the Example touching a boundary surface of the aperture and the carrier in a lateral direction all around. By the form-fitting contiguous of Breakthrough and carrier, the semiconductor chip in the breakthrough mechanically be fixed and held, in addition or alternatively to a mechanical support through the fittings.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils beträgt eine Fläche der Substratoberseite des Substrats des Erweiterungsträgers, in Draufsicht gesehen, mindestens das Doppelte, insbesondere mindestens das Vierfache der Fläche der Trägeroberseite des Trägers des Halbleiterchips. Mit anderen Worten ist eine Gesamtfläche des optoelektronischen Bauteils, bezogen auf eine Fläche des Halbleiterchips, durch den Erweiterungsträger deutlich vergrößert.At least an embodiment of the optoelectronic device an area of the substrate top side of the substrate of the expansion carrier, seen in plan view, at least twice, in particular at least four times the area of the carrier top of the Carrier of the semiconductor chip. In other words, one is Total area of the optoelectronic component, based on a Surface of the semiconductor chip, through the expansion support significantly enlarged.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils beträgt dessen Dicke zwischen einschließlich 50 μm und 500 μm, insbesondere zwischen einschließlich 200 μm und 400 μm. Durch eine solche Dicke kann das Bauteil, ähnlich einer dicken Folie, mechanisch flexibel gestaltet sein.At least an embodiment of the optoelectronic device its thickness between 50 microns and inclusive 500 microns, in particular between 200 microns inclusive and 400 μm. By such a thickness, the component, similar a thick film, designed to be mechanically flexible.
Insbesondere können statische Biegeradien von weniger als 50 mm realisiert werden, ohne das Bauteil zu beschädigen.Especially static bending radii of less than 50 mm can be realized without damaging the component.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist dieses oberflächenmontierbar. Insbesondere ist das optoelektronische Bauteil über einen Lötprozess, bevorzugt über eine bleifreie Lötmontage, montierbar. Das Bauteil hält dann bevorzugt einer Temperatur von wenigstens 206°C für eine Zeitdauer von mindestens 10 s stand, ohne thermisch beschädigt oder mechanisch verformt zu werden.At least an embodiment of the optoelectronic device this surface mountable. In particular, this is the optoelectronic Component via a soldering process, preferably via a lead-free solder mounting, mountable. The component stops then preferably at a temperature of at least 206 ° C for a period of at least 10 s, without being thermally damaged or to be deformed mechanically.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils stell eine der Trägeroberseite abgewandte Trägerunterseite des Trägers eine thermische Kontaktfläche dar. Über die thermische Kontaktfläche ist der Halbleiterchip thermisch zum Beispiel mit einem externen Montageträger, der als Wärmesenke gestaltet sein kann, verbindbar. Bevorzugt ist die Kontaktfläche dazu eingerichtet, dass ein Wärmeübergangskoeffizient zwischen der thermischen Kontaktfläche und dem Montageträger mindestens 50 W/(K m2), insbesondere mindestens 200 W/(K m2) beträgt.According to at least one embodiment of the optoelectronic component, a carrier underside of the carrier facing away from the carrier top constitutes a thermal contact surface. Via the thermal contact surface, the semiconductor chip can be thermally connected, for example, to an external mounting carrier, which can be designed as a heat sink. Preferably, the contact surface is adapted to a heat transfer coefficient between the thermal contact surface and the mounting substrate is at least 50 W / (K m 2 ), in particular at least 200 W / (K m 2 ).
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Halbleiterchip oberflächenmontierbar. Mit anderen Worten ist der Halbleiterchip über eine Surface Mount Technology, kurz SMT, montierbar, insbesondere lötbar.At least an embodiment of the optoelectronic device the semiconductor chip surface mountable. In other words is the semiconductor chip via a surface mount technology, in short SMT, mountable, in particular solderable.
Darüber hinaus wird eine Flachlichtquelle mit mindestens einem optoelektronischen Bauteil gemäß einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen und mit mindestens einem Flächenlichtleiter angegeben. Merkmale für die Flachlichtquelle sind daher auch für das optoelektronische Bauteil offenbart und umgekehrt.About that In addition, a flat light source with at least one optoelectronic Component according to one or more of the above Embodiments and with at least one surface light guide specified. Features for the light source are therefore also disclosed for the optoelectronic component and vice versa.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Flachlichtquelle weist diese eine Dicke zwischen einschließlich 200 μm und 750 μm, insbesondere zwischen einschließlich 200 μm und 500 μm auf.At least an embodiment of the flat light source has this a thickness between 200 microns and inclusive 750 μm, in particular between 200 μm inclusive and 500 microns on.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Flachlichtquelle beträgt deren im Betrieb vom Bauteil generierte Strahlung emittierende Fläche mindestens 10 cm2, bevorzugt mindestens 100 cm2, insbesondere mindestens 500 cm2.In accordance with at least one embodiment of the flat light source, the surface emitting thereof during operation of the component is at least 10 cm 2 , preferably at least 100 cm 2 , in particular at least 500 cm 2 .
Die Flachlichtquelle ist beispielsweise zur Hinterleuchtung von Anzeigeeinrichtungen oder von Displays eingerichtet.The Flat light source is for example for the backlighting of display devices or set up by displays.
Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Bauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Hereinafter, a component described herein with reference to the drawings of exemplary embodiments explained in more detail. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.
Es zeigen:It demonstrate:
In
Das
optoelektronische Bauteil
Weiterhin
beinhaltet das optoelektronische Bauteil
An
einer Strahlungsdurchtrittsfläche
Das
Substrat
Eine
Dicke C des Erweiterungsträgers
Das
Substrat
In
Ist
der Träger
Beim
Ausführungsbeispiel gemäß
Die
nur schematisch dargestellten Anschlussstücke
Die
Trägerunterseiten
Da
die Halbleiterchips
Es
ist möglich, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen,
dass die Anschlussstücke
Wird
keine Klebefolie verwendet oder ist das Substrat
Die
Anschlussstücke
Beim
Ausführungsbeispiel gemäß
Je
einer der Anschlussbereiche
Optional
ist es möglich, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen,
dass dem Substrat
Beim
Ausführungsbeispiel des Bauteils
In
Beim
Ausführungsbeispiel gemäß
Anders
als in
Beim
Ausführungsbeispiel gemäß
Beim
Ausführungsbeispiel gemäß der Schnittdarstellung
nach
Beim
Ausführungsbeispiel gemäß
Beim
Halbleiterchip
Beim
Ausführungsbeispiel gemäß
Der
Träger
In
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention described herein is not by the description limited to the embodiments. Much more For example, the invention includes every novel feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly stated in the claims or embodiments is given.
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