DE102009029769B4 - Method for producing an electronic component with a media-tight plastic housing - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem ersten Gehäuseteil (2) aus Kunststoff und einem zweiten Gehäuseteil (3) aus Kunststoff und einem von dem ersten Gehäuseteil (2) und dem zweiten Gehäuseteil (3) mediendicht eingeschlossenen elektronischen Bauelement mit den Schritten: – Herstellung des ersten Gehäuseteils (2) aus Kunststoff; – Anspritzen des zweiten Gehäuseteils (3) aus Kunststoff an das erste Gehäuseteils (2); – Bestrahlung einer Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil (2) und dem zweiten Gehäuseteil (3) und Erzeugung einer Vernetzung (9) der Kunststoffmoleküle (12) des ersten Gehäuseteiles (2) mit denen des zweiten Gehäuseteiles (3) mittels hochenergetischer Ionen.Method for producing an electronic component with a first housing part (2) made of plastic and a second housing part (3) made of plastic and an electronic component enclosed by the first housing part (2) and the second housing part (3), with the steps: - Production the first housing part (2) made of plastic; - Injection molding of the second housing part (3) made of plastic onto the first housing part (2); - Irradiation of an interface between the first housing part (2) and the second housing part (3) and generation of a crosslinking (9) of the plastic molecules (12) of the first housing part (2) with those of the second housing part (3) by means of high-energy ions.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem ersten Gehäuseteil aus Kunststoff und einem zweiten Gehäuseteil aus Kunststoff. Ein elektronisches Bauelement ist von dem ersten Gehäuseteil und dem zweiten Gehäuseteil mediendicht eingeschlossenen, wobei das zweite Gehäuseteil durch Spritzgießen an das erste Gehäuseteil angefügt ist. Die Erfindung betrifft gehäuste elektronische Bauteile im Allgemeinen und im Besonderen Sensoren, z. B. für die Kraftfahrzeuge.The invention relates to a method for producing an electronic component with a first housing part made of plastic and a second housing part made of plastic. An electronic component is sealed medium-tightly by the first housing part and the second housing part, wherein the second housing part is attached by injection molding to the first housing part. The invention relates generally to packaged electronic components, and more particularly to sensors, e.g. B. for the motor vehicles.

Gerade Sensoren für Kraftfahrzeuge sind extremen Umwelteinflüssen ausgesetzt und sie müssen über einen langen Zeitraum zuverlässig arbeiten, wobei die Herstellung solcher Sensoren möglichst kostengünstig erfolgen soll.Especially sensors for motor vehicles are exposed to extreme environmental influences and they must work reliably over a long period of time, the production of such sensors should be as cost-effective as possible.

Es ist bekannt, Sensorgehäuse im Spritzgießverfahren herzustellen. Die WO 2004/008080 A1 zeigt einen als Hall-Sensor ausgebildeten Positionssensor. Hier wird ein Trägerelement offenbart, das einen Verbindungssteg trägt, welcher wiederum ein Sensorelement trägt. An das Trägerelement ist ein Hüllkörper im Spritzgießprozess angefügt, der das Sensorelement ummantelt.It is known to produce sensor housing by injection molding. The WO 2004/008080 A1 shows a trained as a Hall sensor position sensor. Here, a carrier element is disclosed, which carries a connecting web, which in turn carries a sensor element. To the carrier element, an enveloping body is added in the injection molding process, which encases the sensor element.

Nachteilig bei dem Sensor nachdem Stand der Technik ist die Verbindungsstelle zwischen dem Trägerelement und dem Hüllkörper. Diese Verbindungsstelle ist eine Schwachstelle, die im Laufe des Einsatzes des Sensors von Umwelteinflüssen wie z. B. Spritzwasser, Salz, Gasen, wechselnden Temperaturen, Öl oder Benzin besonders angegriffen wird. Dringen derartige Medien in den Sensor ein, so führt dies oft zum vorzeitigen Ausfall des Sensors.A disadvantage of the prior art sensor is the connection point between the carrier element and the enveloping body. This junction is a vulnerability, which in the course of the use of the sensor of environmental influences such. As splash water, salt, gases, changing temperatures, oil or gasoline is particularly vulnerable. If such media penetrate into the sensor, this often leads to premature failure of the sensor.

Aus der DE 10 2006 005 419 A1 ist ein elektronisches Bauteil bekannt mit einem ersten Gehäuseteil aus Kunststoff und einem zweiten Gehäuseteil aus Kunststoff und einem von dem ersten Gehäuseteil und dem zweiten Gehäuseteil mediendicht eingeschlossenen elektronischen Bauelement. Das erste Gehäuseteil ist an das zweite Gehäuseteil angefügt, wobei eine Vernetzung der Kunststoffmoleküle des ersten Gehäuseteiles mit denen des zweiten Gehäuseteiles in einem Bereich der Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil und dem zweiten Gehäuseteil ausgebildet ist.From the DE 10 2006 005 419 A1 an electronic component is known with a first housing part made of plastic and a second housing part made of plastic and one of the first housing part and the second housing part media-sealed enclosed electronic component. The first housing part is attached to the second housing part, wherein a cross-linking of the plastic molecules of the first housing part is formed with those of the second housing part in a region of the interface between the first housing part and the second housing part.

Aus der DE 103 48 266 A1 ist eine Methode bekannt, um Kunststoffsubstrate möglichst dauerhaft miteinander zu verbinden, so dass deren Verbindungen verschiedenen Umwelteinflüssen widerstehen. Diese Methode besteht unter anderem aus der Bestrahlung von Kunststoffsubstraten, womit eine lokale Vernetzung an den Grenzflächen der Substrate erzielt wird.From the DE 103 48 266 A1 is a method known to connect plastic substrates as permanently as possible, so that their compounds withstand various environmental influences. Among other things, this method consists of the irradiation of plastic substrates, whereby a local cross-linking at the interfaces of the substrates is achieved.

Es ist die Aufgabe dieser Erfindung, ein elektronisches Bauteil mit einem ersten Gehäuseteil aus Kunststoff und einem zweiten Gehäuseteil aus Kunststoff anzugeben, das kostengünstig herstellbar sowie langlebig und robust gegen Umwelteinflüsse ist.It is the object of this invention to provide an electronic component with a first housing part made of plastic and a second housing part made of plastic, which is inexpensive to manufacture and durable and robust against environmental influences.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils nach Anspruch 1 gelöst.This object is achieved by a method for producing an electronic component according to claim 1.

Dadurch, dass eine durch eine Bestrahlung mit hochenergetischen Ionen hervorgerufene Vernetzung der Kunststoffmoleküle des ersten Gehäuseteiles mit denen des zweiten Gehäuseteiles in einem Bereich der Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil und dem zweiten Gehäuseteil ausgebildet ist, wird eine höchstmögliche Mediendichtheit des elektronischen Bauteils erreicht. Das elektronische Bauteil wird dadurch sehr langlebig und kann über seine gesamte Lebensdauer fehlerfrei arbeiten. Zudem ist eine zielgenaue Vornetzung der Kunstoffmoleküle möglich.The fact that a caused by an irradiation with high-energy ions networking of the plastic molecules of the first housing part is formed with those of the second housing part in a region of the interface between the first housing part and the second housing part, a maximum media density of the electronic component is achieved. The electronic component is thus very durable and can work error-free over its entire life. In addition, a targeted pre-wetting of the plastic molecules is possible.

Wenn das erste Gehäuseteil und das zweite Gehäuseteil aus mindestens einem Polymer gebildet sind, gelingt eine besonders gute und stabile Vernetzung der Kunststoffmoleküle des ersten Gehäuseteiles mit denen des zweiten Gehäuseteiles in einem Bereich der Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil und dem zweiten Gehäuseteil.If the first housing part and the second housing part are formed from at least one polymer, a particularly good and stable cross-linking of the plastic molecules of the first housing part succeeds with those of the second housing part in a region of the interface between the first housing part and the second housing part.

Auch wenn der Kunststoff von zumindest einem der beiden Gehäuseteile Vernetzungshilfen enthält, gelingt die Vernetzung der Kunststoffmoleküle des ersten Gehäuseteiles mit denen des zweiten Gehäuseteiles besonders gut.Even if the plastic of at least one of the two housing parts contains crosslinking aids, the networking of the plastic molecules of the first housing part with those of the second housing part succeeds particularly well.

Wenn an dem ersten Gehäuseteil mindestens eine Schmelzrippe ausgebildet ist, wird das Anspritzen des zweiten Gehäuseteils besonders einfach, und es wird ein weiterer Beitrag zu einer langzeitbeständigen Abdichtung des elektronischen Bauteils geleistet.If at least one melting rib is formed on the first housing part, the injection-molding of the second housing part becomes particularly simple, and a further contribution to a long-term-resistant sealing of the electronic component is made.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn das elektronische Bauteil als Sensor und das elektronische Bauelement als Sensorelement ausgebildet ist. Gerade an Sensoren in der Kraftfahrzeugtechnik werden besondere Anforderungen im Bezug auf die Mediendichtheit, Langlebigkeit und Zuverlässigkeit gestellt.It is particularly advantageous if the electronic component is designed as a sensor and the electronic component as a sensor element. Especially in sensors in automotive engineering special requirements are made in terms of media density, durability and reliability.

Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitende Zeichnung anhand einer bevorzugten Ausführungsform erläutert. Diese Ausführungsform umfasst einen Sensor für den Einsatz in einem Kraftfahrzeug. Es zeigen:In the following, the present invention will be explained with reference to the accompanying drawings with reference to a preferred embodiment. This embodiment comprises a sensor for use in a motor vehicle. Show it:

1: einen Sensor mit einem ersten Gehäuseteil aus Kunststoff und einem zweiten Gehäuseteil, 1 a sensor having a first housing part made of plastic and a second housing part,

2: eine genauere Darstellung der Vernetzung des ersten Gehäuseteils mit dem zweiten Gehäuseteil, 2 a more detailed representation of the networking of the first housing part with the second housing part,

3: den Vorgang der Strahlenvernetzung auf molekularer Ebene, 3 : the process of radiation crosslinking at the molecular level,

4: das besondere Energiedepositionsverhalten hochenergetischer Ionen in Materie. 4 : the special energy deposition behavior of high-energy ions in matter.

1 zeigt einen Sensor 1 mit einem ersten Gehäuseteil 2 aus Kunststoff und einem zweiten Gehäuseteil 3 aus Kunststoff. Das erste Gehäuseteil 2 und das zweite Gehäuseteil 3 umschließt ein Sensorelement 4 mediendicht. Mediendicht bedeutet in diesem Zusammenhang, dass das Eindringen von Schmutz, Salz, Wasser, Salzwasser, Gas, Öl, Benzin oder Ähnlichem in das elektronische Bauteil 1 über dessen gesamten Lebenszyklus verhindert wird. Das Sensorelement 4 ist auf einer Leiterplatte 5 oder einem Leadframe 5 im elektronischen Bauelteil 1 angeordnet und über den Leadframe 5 mit einem elektrischen Anschlusskabel 7 verbunden. Die vom Sensorelement 4 erfassten Messwerte können von weiteren elektronischen Bauelementen 6, die auf dem Leadframe 5 montiert sind, ausgewertet und weiterverarbeitet werden, womit die vom Sensorelement 4 erfassten Messwerte mithilfe des elektrischen Anschlusskabels 7 einer hier nicht dargestellten Auswerteelektronik zum Beispiel in einem Kraftfahrzeug zugeführt werden können. 1 shows a sensor 1 with a first housing part 2 made of plastic and a second housing part 3 made of plastic. The first housing part 2 and the second housing part 3 encloses a sensor element 4 media-tight. Media density in this context means that the ingress of dirt, salt, water, salt water, gas, oil, gasoline or similar into the electronic component 1 over its entire life cycle is prevented. The sensor element 4 is on a circuit board 5 or a leadframe 5 in the electronic component 1 arranged and over the leadframe 5 with an electrical connection cable 7 connected. The from the sensor element 4 measured values can be measured by other electronic components 6 that are on the leadframe 5 are mounted, evaluated and further processed, bringing the sensor element 4 measured values using the electrical connection cable 7 an evaluation, not shown here, for example, can be supplied in a motor vehicle.

Das Sensorelement 4 kann in einer Vielzahl unterschiedlicher Ausführungsformen realisiert werden. Zum Beispiel ist es denkbar, dass das Sensorelement 4 als Temperatursensorelement oder magnetoresistives Sensorelement oder auch als Hall-Sensorelement ausgebildet ist. Wichtig in diesem Zusammenhang ist nur die Notwendigkeit, das Sensorelement 4 von seiner Umgebung mediendicht abzukapseln, wodurch keinerlei Verschmutzung, Öle, Wasser oder Gasbestandteile zum Sensorelement 4 vordringen können. Dieser mediendichte Abschluss muss über die gesamte Lebensdauer des Sensors 1 gewährleistet sein, was gerade im Bereich der Kraftfahrzeugtechnik eine enorme Herausforderung darstellt, weil solche Sensoren zum Beispiel bei der Raddrehzahlmessung äußerst widrigen Umwelteinflüssen ausgesetzt sind.The sensor element 4 can be realized in a variety of different embodiments. For example, it is conceivable that the sensor element 4 is designed as a temperature sensor element or magnetoresistive sensor element or as a Hall sensor element. Important in this context is only the need to use the sensor element 4 From its environment media-encapsulate, whereby no pollution, oils, water or gas components to the sensor element 4 can penetrate. This media tight seal must be used throughout the life of the sensor 1 be ensured, which is an enormous challenge, especially in the field of automotive technology, because such sensors are exposed to extremely adverse environmental influences, for example in the Raddrehzahlmessung.

Nach dem Stand der Technik werden solche Sensoren in der Regel mit zwei Gehäuseteilen ausgebildet, wobei das erste Gehäuseteil 2 die Leiterplatte sowie die darauf angeordneten elektronischen Bauteile 6 aufnimmt und das von der Leiterplatte 5 ausgehend Sensorelement 4 im zweiten Gehäuseteil 3 angeordnet ist. Damit wird das Sensorelement 4 vollständig von dem zweiteilig ausgebildeten Gehäuse umschlossen.According to the prior art, such sensors are usually formed with two housing parts, wherein the first housing part 2 the circuit board and the electronic components arranged thereon 6 picks up and that from the circuit board 5 starting from sensor element 4 in the second housing part 3 is arranged. This will be the sensor element 4 completely enclosed by the two-part housing.

Um einen mediendichten Abschluss zwischen dem ersten Gehäuseteil 2 und dem zweiten Gehäuseteil 3 zu erreichen, ist nach 1 am ersten Gehäuseteil 2 eine Schmelzrippe 11 ausgebildet. Wird nun das zweite Gehäuseteil 3 an das erste Gehäuseteil 1 angespritzt, so kann an der Schmelzrippe 11 ein dichter Abschluss erreicht werden. Leider zeigt sich in der Praxis immer wieder, dass die Ausbildung einer Schmelzrippe 11 allein nicht ausreicht, um die Mediendichtheit des Sensors 1 über viele Jahre zu gewährleisten. Daher wird erfindungsgemäß durch eine Bestrahlung mit hochenergetischen Ionen eine Vernetzung der Kunststoffmoleküle 12 des ersten Gehäuseteils mit denen des zweiten Gehäuseteils 3 in einem Bereich der Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil 2 und dem zweiten Gehäuseteil 3 ausgebildet. Diese sogenannte Strahlungsvernetzung der beiden Gehäuseteile miteinander führt zu einer äußerst stabilen und mediendichten Verbindung zwischen den Gehäuseteilen. Die so miteinander vernetzten Gehäuseteile 2, 3 bleiben selbst unter dem Einfluss von Vibrationen und starken Temperaturänderungen mediendicht und fest verbunden, wodurch das Sensorelement 4 über die gesamte Lebensdauer vor dem Eindringen von Feuchtigkeit oder Verunreinigungen geschützt ist. Als Strahlung für die Strahlenvernetzung kann z. B. Alpha-, strahlung eingesetzt werden, wobei Alphastrahlung aus hochenergetischen, zweifach geladenen Ionen des Heliums besteht.To provide a media-tight seal between the first housing part 2 and the second housing part 3 to reach is after 1 on the first housing part 2 a melting rib 11 educated. Will now be the second housing part 3 to the first housing part 1 injected, so can at the melting rib 11 a close degree can be achieved. Unfortunately, in practice again and again shows that the formation of a melting rib 11 alone is insufficient to the media density of the sensor 1 over many years. Therefore, according to the invention by irradiation with high-energy ions, a crosslinking of the plastic molecules 12 of the first housing part with those of the second housing part 3 in a region of the interface between the first housing part 2 and the second housing part 3 educated. This so-called radiation crosslinking of the two housing parts together leads to an extremely stable and media-tight connection between the housing parts. The so networked housing parts 2 . 3 remain media-tight and firmly attached even under the influence of vibration and high temperature changes, eliminating the sensor element 4 is protected against the ingress of moisture or contaminants over its lifetime. As radiation for radiation crosslinking z. B. alpha, radiation are used, alpha radiation consists of high energy, twice charged ions of helium.

Bei einem Ausschnitt des Sensors 1 aus 1 ist in 2 die Vernetzung des ersten Gehäuseteils 2 mit dem zweiten Gehäuseteil 3 noch einmal genauer dargestellt.At a section of the sensor 1 out 1 is in 2 the networking of the first housing part 2 with the second housing part 3 again shown in more detail.

Zu erkennen sind wiederum die am ersten Gehäuseteil 2 ausgebildeten Schmelzrippen 11. Das zweite Gehäuseteil 3 ist an das erste Gehäuseteil 2 angespritzt, und mithilfe der Strahlungsquelle 8 wurde eine Vernetzung 9 der Kunststoffmoleküle 12 des ersten Gehäuseteiles 2 mit denen des zweiten Gehäuseteiles 3 erreicht. Es ist denkbar, den Verbindungsbereich zwischen dem ersten Gehäuseteil 2 und dem zweiten Gehäuseteil 3 mit schweren Ionen zu bestrahlen, da gerade die schweren Ionen aufgrund des ihnen eigenen Energiedepositonsverhaltens einen sehr zielgenauen Strahlenschaden hervorrufen. Dieser Strahlenschaden führt zur zielgenauen Vernetzung der Kunststoffmoleküle im Bereich der Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil 2 und dem zweiten Gehäuseteil 3. Der durch die Strahlungsquelle 8 im Material des ersten Gehäuseteils 2 und des zweiten Gehäuseteils 3 hinterlassene Strahlenschaden führt zu aufgebrochenen Kunststoffmolekülen, die insbesondere bei der Anwesenheit von sogenannten Vernetzungshilfen 10 miteinander vernetzt werden.To recognize in turn are the first housing part 2 trained melting ribs 11 , The second housing part 3 is to the first housing part 2 injected, and using the radiation source 8th became a network 9 the plastic molecules 12 of the first housing part 2 with those of the second housing part 3 reached. It is conceivable, the connection area between the first housing part 2 and the second housing part 3 to irradiate with heavy ions, since just cause the heavy ions due to their own Energiedepositonsverhaltens a very accurate radiation damage. This radiation damage leads to the targeted networking of the plastic molecules in the region of the interface between the first housing part 2 and the second housing part 3 , The one by the radiation source 8th in the material of the first housing part 2 and the second housing part 3 Radiation damage left leads to broken plastic molecules, especially in the presence of so-called cross-linking aids 10 be networked with each other.

In 3 wird der Vorgang des Aufbrechens von Kunststoffmolekülen 12 durch eine Strahlung aus der Strahlungsquelle 8 dargestellt. Die hier in der Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil und dem zweiten Gehäuseteil 3 aufgebrochenen Kunststoffmoleküle 12 bilden neue Vernetzungen 9, insbesondere durch die Anwesenheit der sogenannten Vernetzungshilfen 10. Mit der neuen Vernetzung der Kunststoffmoleküle 12 entsteht eine äußerst stabile Verbindung zwischen dem ersten Gehäuseteil 2 und dem zweiten Gehäuseteil 3.In 3 becomes the process of breaking up plastic molecules 12 by radiation from the radiation source 8th shown. The here in the interface between the first housing part and the second housing part 3 broken plastic molecules 12 form new networks 9 , in particular by the presence of the so-called crosslinking aids 10 , With the new networking of plastic molecules 12 creates a very stable connection between the first housing part 2 and the second housing part 3 ,

In 4 wird das besondere Energiedepositionsverhalten hochenergetischer Ionen in Materie dargestellt. Beim Eindringen der hochenergetischen und damit schnellen Ionen in die Materie findet zunächst nur eine sehr geringe Abbremsung der schweren Ionen statt, wobei diese Ionen nur sehr kleine Teile ihrer Energie in der durchflogenen Materie deponieren. Im Eindringkanal erfolgen damit wenige elektronische Wechselwirkungen zwischen den elektrisch geladenen Ionen und den Kunststoffmolekülen, und es kommt kaum zu Schädigung des Kunststoffes. Erst wenn die Ionen einen bestimmten Teil ihrer Energie verloren haben, beginnt eine massive Wechselwirkung zwischen dem elektronischen Ladungen der Ionen und dem elektronischen System der Kunststoffmoleküle, was dazu führt, dass auf einer sehr kurzen Distanz eine sehr große Menge der kinetischen Energie dieser Ionen deponiert wird. Dies wird durch den sogenannten Bragg Peak deutlicht. Aufgetragen ist in 4 die Energiedeposition dE/dx gegen die Eindringtiefe x des Ions. Kurz vordem Stillstand der Ionen verringert sich die Energiedeposition dE/dx in der Materie wieder erheblich.In 4 the special energy deposition behavior of high energy ions in matter is shown. When the high-energy and hence fast ions penetrate into the matter, only a very slow deceleration of the heavy ions takes place at first, these ions depositing only very small parts of their energy in the matter being flown through. In the penetration channel so few electronic interactions between the electrically charged ions and the plastic molecules, and there is hardly any damage to the plastic. Only when the ions have lost a certain part of their energy, a massive interaction between the electronic charges of the ions and the electronic system of the plastic molecules begins, which results in depositing a very large amount of the kinetic energy of these ions over a very short distance , This is made clear by the so-called Bragg Peak. Is placed in 4 the energy deposition dE / dx against the penetration depth x of the ion. Shortly before the standstill of the ions, the energy deposition dE / dx in matter again decreases considerably.

Diese Eigenschaft der Ionen führt dazu, dass die bestrahlte Materie im Eintrittskanal fast überhaupt nicht geschädigt wird und in der gewünschten Tiefe im Material eine massive Schädigung der Moleküle auftritt, wodurch sich eine Vielzahl neuer Brücken zwischen den Molekülen 12 des Kunststoffes des ersten Gehäuseteils 2 und denen des zweiten Gehäuseteils 3 ausbilden können.This property of the ions results in almost no damage to the irradiated matter in the entrance channel and massive damage to the molecules at the desired depth in the material, resulting in a large number of new bridges between the molecules 12 the plastic of the first housing part 2 and those of the second housing part 3 can train.

Alle hochenergetischen Ionen weisen prinzipiell das hier gezeigte Verhalten auf. Selbst schnelle Wasserstoffionen weisen dieses Verhalten auf. Besonders ausgeprägt ist das gezeigte Verhalten jedoch bei schweren hochenergetischen Ionen. Alpha-Strahlen sind auch hochenergetische Ionen, da es sich hier um schnelle, zweifach positiv geladene Heliumkerne handelt. Alpha-Quellen mit einer vorher festgelegten und von der bis zur Grenzschicht zwischen dem ersten und dem zweiten Gehäuseteil zu durchstrahlenden Materie abhängigen Energie eignen sich besonders gut für die Strahlenvernetzung der Gehäuseteile.All high-energy ions have in principle the behavior shown here. Even fast hydrogen ions exhibit this behavior. However, the behavior shown is particularly pronounced for heavy high-energy ions. Alpha rays are also high-energy ions because they are fast helium nuclei that are positively charged twice. Alpha sources with a predetermined energy dependent on the material to be transmitted through the boundary layer between the first and the second housing part are particularly well suited for radiation crosslinking of the housing parts.

Claims (2)

Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit einem ersten Gehäuseteil (2) aus Kunststoff und einem zweiten Gehäuseteil (3) aus Kunststoff und einem von dem ersten Gehäuseteil (2) und dem zweiten Gehäuseteil (3) mediendicht eingeschlossenen elektronischen Bauelement mit den Schritten: – Herstellung des ersten Gehäuseteils (2) aus Kunststoff; – Anspritzen des zweiten Gehäuseteils (3) aus Kunststoff an das erste Gehäuseteils (2); – Bestrahlung einer Grenzfläche zwischen dem ersten Gehäuseteil (2) und dem zweiten Gehäuseteil (3) und Erzeugung einer Vernetzung (9) der Kunststoffmoleküle (12) des ersten Gehäuseteiles (2) mit denen des zweiten Gehäuseteiles (3) mittels hochenergetischer Ionen.Method for producing an electronic component with a first housing part ( 2 ) made of plastic and a second housing part ( 3 ) made of plastic and one of the first housing part ( 2 ) and the second housing part ( 3 ) electronically sealed electronic component with the steps: - Production of the first housing part ( 2 ) made of plastic; - Injection of the second housing part ( 3 ) made of plastic to the first housing part ( 2 ); Irradiation of an interface between the first housing part ( 2 ) and the second housing part ( 3 ) and creation of a network ( 9 ) of the plastic molecules ( 12 ) of the first housing part ( 2 ) with those of the second housing part ( 3 ) by means of high-energy ions. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die hochenergetischen Ionen Alpha-Strahlen sind.Method for producing an electronic component according to Claim 1, characterized in that the high-energy ions are alpha rays.
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