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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf ein System
und ein Verfahren zur Verbesserung des Betriebs von Stromversorgungsschaltungen
die zum Beispiel in Schaltwandlern, insbesondere Mehrphasen-Schaltwandler,
DC/DC-Konverter ü. ä. verwendet
werden. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf ein System und
ein Verfahren zum effizienten Betrieb einer DC/DC-Konverterschaltung,
welche im Lückbetrieb
(auch discontinous conduction mode oder DCM genannt) des Schaltwandlers
eine Dioden-Emulation verwendet, wobei ein Lückbetrieb beim Betrieb mit
geringen Lastströmen auftritt.
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Im
Allgemeinen werden Tiefsetzsteller (auch als ”buck converter” bezeichnet)
dazu verwendet, Leistung für
elektronische Komponenten zur Verfügung zu stellen. Obwohl auch
andere Wandler-Topologien (z. B. Hochsetzsteller, Hoch-Tiefsetzsteller
o. ä.)
verfügbar
sind, werden Tiefsetzsteller häufig
eingesetzt, weil die Tiefsetzsteller-Technologie verhältnismäßig effizient
und auch für
hohe Stromgradienten (di/dt) geeignet ist. Wenn eine mikroelektronische Schaltung
wie z. B. ein Mikroprozessor mit einer geregelten Spannung versorgt
werden soll, müssen
die auftretenden Stromgradienten di/dt und Reaktionszeiten (response
time) bei der Auswahl von Schaltwandlern berücksichtigt werden. Der Wert
der Ausgangsinduktivität
das Schaltwandlers bestimmt den möglichen Stromgradienten di/dt
des Reglers. Die Induktivität
bestimmt des Weiteren die Grenzen des zwischen dem kontinuierlichen
Betrieb (auch als ”continous
conduction mode” oder ”CCM” bezeichnet)
und dem Lückbetrieb
(auch als ”discontinous conduction
mode” oder ”DCM” bezeichnet)
des Schaltwandlers. Im CCM-Betrieb ist der Strom, der durch die
Induktivität
fließt,
kontinuierlich. D. h. die Last benötigt Strom in solcher Höhe, dass
ein Eingangsstrom von der Versorgung in jedem Schaltzyklus benötigt wird.
Im DCM-Betrieb benötigt
die Last keinen oder nur gerin gen Strom. In diesem Betriebsmodus
ist der Strom durch die Induktivität nicht kontinuierlich, sondern
fällt auf
Null. Dieser Zustand zeigt an, dass die Last so klein ist, dass
ein ganzer Schaltzyklus des Schaltwandlers vorübergehen kann, ohne dass elektrische
Leistung von der Stromversorgung in den Schaltwandler fließen müsste (d.
h., vorübergehend
reicht die im Schaltwandler gespeicherte Energie aus).
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1A zeigt
zum Zwecke der Veranschaulichung eine aus dem Stand der Technik
bekannte Tiefsetzsteller-Topologie, im vorliegenden Fall einen asynchronen
Tiefsetzsteller. In 1A ist dem High-Side-Treibertransistor
M1 ein pulsweitenmoduliertes (PWM) Rechtecksignal mit üblicherweise
konstanter Frequenz als Gate-Steuersignal zugeführt. Abhängig davon stellt der Transistor
M1 Strom für
die Induktivität
(Spule L) zur Verfügung.
Im CCM-Betrieb, in dem die Last kontinuierlich Strom zieht, wird
die Ausgangsspannung mit Hilfe eines Steuer-ICs (nicht gezeigt)
auf einem bestimmten Wert gehalten, wobei der Steuer-IC die Ausgangsspannung
Vo mit einer Referenzspannung (der Einfachheit halber ebenfalls nicht
gezeigt) vergleicht. Der Steuer-IC passt die Pulsweite des PWM-Signals
am Gate des Transistors M1 so an, dass der benötigte Strom zur Verfügung gestellt
wird. Auf diese Art liefert die Schaltung kontinuierlich Strom an
die Last. Wenn die Ausgangsspannung Vo fällt, wird zur Kompensation
zusätzlich
Leistung an die Last durch Anlegen eines PWM-Signals mit größerem Puls/Pausen-Verhältnis (auch
als Duty-Cycle bezeichnet) an das Gate des Transistors M1. Wenn
die Ausgangsspannung Vo über
die Referenzspannung steigt, verändert
die Steuerung ebenfalls das PWM-Steuersignal. Das Gate-Steuersignal
für den
High-Side-Transistor hat in diesem Fall (zeitlich) kürzere Pulse,
um weniger Energie in die Spule und den Ausgangskondensator Co abzugeben,
wodurch die Ausgangsspannung Vo wieder auf den Wert der Referenzspannung
fällt.
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Wenn
die Last keinen oder nur wenig Strom benötigt, arbeitet die Schaltung
in einem Zustand geringer Ausgangsspannung (weil die Ausgangsspannung
Vo = Laststrom·Lastwiderstand,
hier dargestellt als RL). In diesem Zustand
zeigt die asynchrone Topologie aus 1A eine
gewisse Ineffizienz, weil die Diode D einen Spannungsabfall von
0,7 Volt aufweist. Diese Ineffizienz kann dann tolerierbar sein, wenn
die Last üblicherweise
nicht in einem Zustand geringer Last betrieben wird. In Fällen, in
denen die Last jedoch häufig
in einem Zustand geringer Last ist, (z. B. bei einem Mikroprozessor,
der einen Sleep- bzw. Standby-Modus hat) ist diese Ineffizienz nicht akzeptabel.
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Um
dieser Ineffizienz bei asynchronen Tiefsetzstellern zu begegnen,
wurde eine synchrone Tiefsetzsteller-Topologie entwickelt. In einem
solchen Schaltwandler ist die bei einem asynchronen Tiefsetzsteller
vorhandene Diode durch eine andere Komponente ersetzt, üblicherweise
durch einen MOSFET. Diese Komponente (der MOSFET) wird üblicherweise
als „Synchrongleichrichter” bzw. „synchronous
rectifier” (abgekürzt SR)
bezeichnet. Auch der Ausdruck „Low-Side-Treiber” kann verwendet werden. 1B zeigt
die Topologie eines Synchrontiefsetzstellers, bei der der Transistor
M2 der Synchrongleichrichter (SR) ist. Dieser SR-Transistor kann
einen niedrigen Einschaltwiderstand aufweisen und durch Ansteuern
beider Transistoren (dem High-Side-Transistor und dem Synchrongleichrichter)
kann der Steuer-IC (nicht dargestellt) effizient die Ausgangsspannung
Vo für
eine Vielfalt von unterschiedlichen Zuständen steuern.
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Der
Zustand geringer Last ist jedoch nach wie vor problematisch für den Synchrontiefsetzsteller (Tiefsetzsteller
mit Synchrongleichrichter) im Hinblick auf dessen Effizienz. 2 zeigt
den Strom (Spulenstrom IL) und die Spannung
Vo (abgegriffen am mittleren Schaltungsknoten, der in 1B mit ”PHASE” bezeichnet
ist) in einem Zustand mit geringem Laststrom, d. h. im DCM-Betrieb
des Synchrontiefsetzstellers.
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In
der 2 ist zu sehen, dass zu jenem Zeitpunkt, der als
T1 bezeichnet ist, der Strom I1, durch die
in 1B gezeigte Spule L während eines Teils des Schaltzyklusses
negativ wird. Ein negativer Strom IL bedeutet,
dass der Strom von der Schaltung am Ausgang (Last RL und
Ausgangskondensator C0) hin zum Masseanschluss GND oder, bei machen Schaltungstopologien,
zurück
in den Knoten mit der positiven Versorgungspannung PVCC fließt. Das
bedeutet im Wesentlichen, dass der Ausgangskondensator Co (siehe 1B)
zur Masse hin entladen wird über
den Strompfad des Synchrongleichrichters M2. Dieses Phänomen tritt
der bei der asynchronen Tiefsetzsteller-Topologie aus 1A nicht
auf, da die Diode (als Gleichrichter) unidirektional wirkt, d. h.,
kein Strom in diese Richtung (Richtung Masse) fließen kann.
In einem idealen Fall würde
der SR-Transistor in
dem synchronen Tiefsetzsteller aus 1B so
betrieben, dass die Diode aus dem asynchronen Tiefsetzsteller aus 1A quasi
emuliert wird, um die oben genannten Versuche aufgrund der unerwünschten
Entladung des Kondensators zu verhindern.
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Um
die Effizienz des synchronen Tiefsetzstellers zu verbessern, wurde
versucht, das Gate-Signal des SR-Transistors (Bezugszeichen M2 in 1B,
typischerweise ein MOSFET) abzuschalten, wenn sich die Stromrichtung
durch die Spule ändert (was
bedeutet, dass der Ausgangskondensator beginnt, sich gegen Masse
hin zu entladen). Auf diese Art geht die Energie, welche in dem
Ausgangskondensator gespeichert ist, nicht verloren, sondern verbleibt
in der Ausgangsschaltung.
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In
der 2 ist auch zu sehen, dass jener Zeitpunkt T1,
zu dem der Stromfluss stoppen sollte, der Kreuzungspunkt mit der
Nulllinie (auch als Nulldurchgang bzw. „zero crossing point” bezeichnet) des
IL-Diagramms ist. Die Spannung Vo an dem
Phasenknoten (Schaltungsknoten PHASE) kreuzt an diesem Punkt ebenfalls
die Nulllinie, so dass eine Spannungsmessung (d. h. eine Nulldurchgangs-Detektion)
verwendet werden kann, um jenen Punkt, an dem der Ausgangskondensator
Co beginnt, sich zu entladen, zu identifizieren. Aus dem Stand der
Technik bekannte Schaltungen versuchen, den Stromfluss durch Messung
des „zero
crossing point” zu
stoppen. Neuere Ansätze
bei der Steuerung des Ausschaltzeitpunktes des SR-Transistors M2
berücksichtigen jedoch
auch Verzögerungszeiten
in Logikkomponenten oder Puffern, Spannungs- und Temperaturschwankungen,
sowie die Bauteileigenschaften des SR-Transistors. Diese Bauteileigenschaften
beeinflussen nachteilig den Betrieb der Schaltung.
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Unter
Bezugnahme auf 3 wird eine aus dem Stand der
Technik bekannte Lösung
zur Verbesserung des Betriebs eines Synchrontiefsetzstellers im
DCM-Betrieb (in einem Zustand mit geringer Last) erläutert. Gemäß 3 ist
eine Schaltung 11 zwischen dem Treiber- bzw. Steuer-IC
(nicht gezeigt), der das PWM-Signal zur Verfügung stellt, und dem High-Side-Transistor
und dem SR-Transistor geschalten. wobei das PWM-Signal dazu verwendet wird,
Steuersignale für
die Transistoren M1 und M2 zu erzeugen. Die Schaltung 11 beinhaltet
eine Logik-Schaltung 13, der Gate-Steuersignale GSR und GHS ausgibt.
Puffer 21 und 19 erzeugen aus den Gate-Steuersignalen
GSR und GHS entsprechende Gate-Signale,
die den Gates der Transistoren M1 und M2 zugeführt sind. Die Schaltung 11 sieht
darüberhinaus
einen Komparator 17 vor, der mit dem Phasen-Knoten (gemeinsamer
Schaltungsknoten zwischen dem High-Side-Treiber-transistor, dem SR-Transistor
und der Spule L am Ausgang) verbunden ist. Dieser Komparator 17 stellt
eine Null-Durchgangs-Detektion (zero crossing detection) zur Verfügung, welche
beabsichtigt, die Effizienz des Tiefsetzstellers im DCM-Betrieb
(Zustand geringer Last) zu verbessern.
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Optional
hat der Komparator 17 einen ENABLE-Eingang (Aktivierungseingang),
der ebenfalls mit der Logikschaltung 13 verbunden ist,
so dass der Komparator 17 nur dann aktiviert wird, wenn
die Logikschaltung 17 ein aktivierendes Gate-Steuersteuersignal
GSR an den SR-Transistor M2 sendet.
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Der
Lösungsansatz,
der mit der in 3 gezeigten Schaltung verfolgt
wird, ist, das Betriebsverhalten des Synchronen Tiefsetzstellers ähnlich dem eines
asynchronen Tiefsetzstellers einzustellen, wenn dieses sich im DCM-Modus
befindet, der für geringe
Lasten verwendet wird, weil in diesem Fall die Last vom Schaltwandler
nicht in jedem Schaltzyklus Energie benötigt. Im Wesentlichen soll
der SR-Transistor M2 so gesteuert werden, dass kein Strom von der
Last zum Massepotential fließen
kann, d. h. der SR-Transistor M2 soll das Verhalten einer Diode,
wie sie beim asynchronen Tiefsetzsteller verwendet wird, emulieren.
Diese „Diodenemulation” wird dadurch
erreicht, dass versucht wird, den SR-Transistor abzuschalten, um
einen negativen Laststrom IL, d. h. von
der Spule in den Synchrongleichrichter in Richtung Masse, zu verhindern.
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Der
Komparator 17 vergleicht die Spannung am Schaltungsknoten
PHASE mit einer Referenzspannung Vref. In einem einfachen Fall,
kann die Referenzspannung Vref auf Null Volt zurückgesetzt werden. Um jedoch
Offset-Spannungen und Verzögerungszeiten
in der Schaltung zu kompensieren kann die Referenzspannung Vref
auch größer oder
kleiner als Null festgesetzt werden. Dies wird gemacht, damit die
Schaltung in der Praxis besser funktioniert, wobei die Kompensation
sehr einfach, beispielsweise durch manuelle Abstimmung erfolgen
kann.
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Wenn
der Komparator 17 für
die Spannung am Phasenknoten einen Nulldurchgang (zero voltage condition)
detektiert, wird das UND-Gatter 15, das Gate-Steuersignal
für den
Low-Side-Puffer 19 ausblenden und folglich den SR-Transistor
M2 abschalten. Das hier gezeigte Beispiel ist ein sehr einfaches. Zusätzliche
Steuer- und Aktivierungslogik kann dazu verwendet werden, dem Komparator 17 anzuzeigen, dass
die Schaltung im DCM-Modus arbeitet, so dass der Komparator 17 das
Gate-Steuersignal GSR dann nicht beeinflusst,
wenn die Schaltung im CCM-Modus arbeitet. Jedenfalls wird das Aktivierungssignal EN,
das dem ENABLE-Eingang des Komparators 17 zugeführt ist,
im Zusammen wirken mit dem UND-Gatter 15, das Gate-Steuersignal
GSR für
den SR-Transistor zum Zeitpunkt T1 (siehe 2) abschalten,
wobei eine Spannungsmessung (hier ein Spannungsvergleich) am Phasenknoten
verwendet wird, um den Null-Durchgang der Spannung Vo am Phasenknoten
und somit des Spulenstroms IL zu erkennen.
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Die
aus dem Stand der Technik bekannte Schaltung aus 3 verwendet
eine konstante Referenzspannung Vref, wobei bekannt ist, dass die Schaltung
sättigungs-
und temperaturbedingte Toleranzen aufweist, sowie Effekte aufgrund
von Rauschen und Verzögerungen
aufgrund von Signallaufzeiten auftreten. Des Weiteren hängt die
Spannung Vo am Phasenknoten vom Strompfad, bzw. vom Einschaltwiderstand
RDSon des SR-Transistor M2 ab, welcher ebenfalls
temperaturabhängig
sein kann. Obwohl der aus 3 bekannte
Lösungsansatz
etwas besser ist als der einfache Synchronwandler aus 1B,
weist dieser noch immer Defizite auf.
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4 zeigt
ein Zeitdiagramm für
einen Tiefsetzsteller, wie z. B. in 3 dargestellt,
wobei insbesondere die Spannungsmessung am Phasenknoten während des
Betriebs dargestellt ist. Das oberste Diagramm aus 4 zeigt
detailliert den Verlauf der Spannung Vo am Phasenknoten PHASE. Das
zweite Diagramm von oben zeigt die Spannung Vo am Phasenknoten und
die Ausgangsspannung Vout (Spannung über dem Ausgangskondensator
Co) zusammen in einem Diagramm.
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Das
dritte Diagramm von oben zeigt den Zeitverlauf des Laststroms IL (in Ampere) das unterste Diagramm der 4 zeigt
die Pegel der Gate-Steuersignale GHS und
GSR, die von der Steuerschaltung 11 aus 3 an
die Transistoren M1 und M2 ausgegeben werden.
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Im
Betrieb, detektiert der Komparator 17 jenen Zeitpunkt T1,
an dem die Spannung Vo am Phasenknoten und die Ausgangsspannung
Vout gleich sind, wobei das Gate-Steuersignal GSR für den SR-Transistor
M2 einen High-Pegel aufweist (und der Komparator folglich durch
das ENABLE-Signal EN aktiviert ist). Zu diesem Zeitpunkt T1, schaltet
das UND-Gatter 15 den SR-Transistor M2 ab und verhindert damit
einen Stromfluss durch den SR-Transistor. Folglich kann der Spulenstrom
IL nicht kleiner werden als Null. In 4 geschieht
dies zum Zeitpunkt T1, wobei die Wirkung der Detektierung des Nulldurchgangs
daran zu sehen ist, dass der Spulenstrom IL ab diesem
Zeitpunkt annähernd
Null Ampere beträgt.
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Die
Tiefsetzsteller-Topologie aus 3 wird nur
als illustratives Beispiel zur Erläuterung des Prinzips der Nulldurchgangs-Detektion
zum Zwecke der Diodenemulation verwendet. Dasselbe Prinzip der Nulldurchgangs-Detektion
für den
Spulenstrom unter Verwendung einer Spannungsmessung der Spannung
Vo am Phasenknoten (d. h. ein Spannungsvergleich mit einer Referenzspannung
Vref kann auch für
andere bekannte Synchron-Wandlertopologien verwendet werden.
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In
der 5 ist eine aus dem Stand der Technik bekannte
Topologie eines Hochsetzstellers gezeigt, bei dem die Spannung am
Phasenknoten gemessen wird. Schaltungskomponenten, die zu entsprechenden
Komponenten aus den 1 und 3 ähnlich sind
bzw. eine ähnliche
Funktion erfüllen
sind mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet. In die Schaltung
aus 5 ist eine positive Versorgungsspannung PVCC über eine
Spule L an den Phasenknoten PHASE gekoppelt. Der Synchrongleichrichter
(SR-Transistor M2) verbindet den Phasenknoten mit einem Ausgangsanschluss
Vo und einen Ausgangskondensator Co, um Strom an die Last RL abzugeben. Ein Treibertransistor M1 verbindet
den Phasenknoten mit einem Massepotential abhängig von einem Gate-Steuersignal
GLS, die von einer Treiberlogik 13 zur
Verfügung
gestellt wird. (Die in der 3 gezeigten
Puffer 19, 21 sind üblicherweise an den Ausgängen der
Treiberlogik 13 vorgesehen, um die Leistungstransistoren
M1 und M2 anzusteuern, sind jedoch hier aus Gründen der Übersichtlichkeit weggelassen.)
Der Komparator 17 vergleicht die Ausgangsspannung Vo mit
der Spannung am Phasenknoten und erzeugt ein Vergleichssignal, wenn der
Komparator durch das Gate-Steuersignal GSR der Treiberlogik 13 aktiviert
ist. Das UND-Gatter 15 schaltet den SR-Transistor M2 aus,
wenn der Komparator aktiviert ist und eine Übereinstimmung der Spannung
am Phasenkneten und der Ausgangsspannung Vo detektiert wird. Während des
Betriebs, erzeugt die Treiberlogik 13 die Gate-Steuersignale für die Transistoren
M1 und M2 abhängig
von Signalflanken in dem PWM-Eingangssignal PWM. Durch abwechselndes
Schalten des Spulenstroms IL durch die Spule
L entweder zu dem Ausgangskondensator Co oder zum Massepotential
hin, kann die Ausgangsspannung durch Schaltsignale geregelt werden.
Der Hochsetzsteller kann eine Ausgangsspannung Vo bereitstellen,
die höher
ist als die Versorgungsspannung PVCC.
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6 zeigt
Zeitdiagramme, die dem Betrieb des Hochsetzstellers (auch ”boost converter” genannt)
aus 5 zeigen. In 6 zeigt
das oberste Zeitdiagramm das genaue Zeitverhalten der Spannung am
Phasenknoten aus 5. Das zweite Zeitdiagramm (von
oben) zeigt den Zeitverlauf der Spannung am Phasenknoten und am
Ausgang Vo zusammen in einem Diagramm. Das dritte Diagramm zeigt den
Zeitverlauf des Spulenstroms IL für einen
simulierten Hochsetzsteller in einer üblichen Schaltungskonfiguration.
Das unterste Zeitdiagramm zeigt die Spannung in der Steuersignale
GSR und GLS.
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Wie
in der 6 zu sehen ist, ist, wenn die Spannung am Phasenknoten
PHASE und die Außenspannung
gleich sind und wenn das Gatesteuersignal GSR einen
High-Pegel aufweist, zum Zeitpunkt T1 der Strom IL nahe
am Kreuzungspunkt mit der Nulllinie (Nulldurchgang, zero voltage
condition). In dieser Simulation wird durch den Komparator 17 (durch
Zusammenwirken mit dem UND-Gatter) das Gatesteuersignal GSR für
den SR-Transistor
ausgeblendet, so dass der Strom IL nicht
negativ werden kann, wodurch Verluste verhindert werden, die andern falls
auftreten würden
(der Ausgangskondensator Co würde
sich über
die Stromwandlerschaltung entladen).
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Die 7 und 8 zeigen,
wie die Spannungsmessung am Phasenknoten zur Detektion des Nulldurchgangs
des Spulenstroms strom IL bei invertierenden
und nicht-invertierenden Hoch-Tiefsetzstelle
angewendet werden kann. 7 zeigt die Topologie eines
konventionellen invertierenden Hoch-Tiefsetzstellers (auch als invertierender ”buck-boost
converter” bezeichnet).
Wie bereits zuvor haben Komponenten mit ähnlicher Funktion wie die Komponenten
aus den 3 und 5 dieselben
Bezugszeichen. Die Hoch-Tiefsetzsteller-Schaltung kann dazu verwendet
werden, die Ausgangsspannung auf einen Wert zu regeln, der (betragsmäßig) höher oder
niedriger als die Eingangsspannung ist und folglich in manchen Anwendungen
statt einem einfachen Hochsetzsteller oder Tiefsetzsteller eingesetzt
wird.
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8 zeigt
einen aus dem Stand der Technik bekannten nicht-invertierenden Hoch-Tiefsetzsteller. Wie
Fachleuten bekannt ist, kann ein Hoch-Tiefsetzsteller dadurch für einen
nicht-invertierenden Betriebsmodus konfiguriert werden, das zwei
separate Stufen vorgesehen sind. Separate Synchrongleichrichter
SRBU und SRBO sind
vorgesehen und die Spannungsmessung an den Phasenknoten wird für jeden
dieser Synchrongleichrichter durchgeführt unter Verwendung der Komparatoren 17 und 18.
Die Nulldurchgangs-Detektion funktioniert im Allgemeinen jedoch
gleich wie bei den oben beschriebenen Beispielen.
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In 9 sind
Zeitdiagramme für
eine Simulation der invertierenden Hoch-Tiefsetzsteller-Topologie
aus 7 dargestellt, die die Nulldurchgangs-Detektion
durch Messung der Spannung am Phasenknoten und den Komparator für die Diodenemulation
zeigt. Wie in der 9 zu sehen ist, schalten zum
Zeitpunkt T1 der Komparator und das UND-Gatter das Gates teuersignal
für den
SR-Transistor aus, um einen Stromfluss IL in
Rückwärtsrichtung
durch den Schaltwandler zu verhindern.
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Dasselbe
Prinzip der Nulldurchgangs-Detektion kann also sowohl für Tiefsetzsteller,
Hochsetzsteller und Hoch-Tiefsetzsteller
angewandt werden. Die Spannungsmessung am Phasenknoten wird durchgeführt und
die Spannung mit einer Vergleichsspannung verglichen, um den Zeitpunkt
des Nulldurchgangs (zero voltage condition) des Ausgangsstromes
IL zu bestimmen. Im Allgemeinen wird das Steuersignal
für den
SR-Transistor beeinflusst,
um den Strompfad durch den SR-Transistor
abzuschalten, um einen Stromfluss in Rückwärtsrichtung zu verhindern.
Folglich emuliert der SR-Transistor die Diode eines asynchronen
Stromwandlers. Der negative Stromfluss, der sonst den Ausgangskondensator Co
unnötigerweise
entladen würde,
wird somit verhindert.
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Die
Spannungsmessschaltungen zur Nulldurchgangs-Detektion in aus dem
Stand der Technik bekannten Schaltwandlern sind jedoch ineffizient
im Betrieb aufgrund von Verzögerungen
in den verwendeten Logikschaltungen, aufgrund von Schwankungen in
der Leistung, der Temperatur und aufgrund von Toleranzen im Herstellungsverfahren
und in den Bauteilparametern, was nach wie vor nur einen suboptimalen
Betrieb ermöglicht.
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Die
Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine effiziente
und zuverlässige
Schaltung bzw. ein Verfahren zum Steuern des Betriebs eines Schaltwandlers
im DCM-Modus zur Verfügung zu
stellen.
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Diese
Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß den Ansprüchen 29 und 1, sowie durch
die Vorrichtungen gemäß den Ansprüchen 35,
10, 17, 21 und 25 gelöst.
Unterschiedliche Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
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Ein
Ausführungsbeispiel
der Erfindung betrifft einen synchroner Schaltwandler zur Bereitstellung
einer geregelten Aus gangsspannung. Der Schaltwandler weist Folgendes
auf: einen Synchrongleichrichter mit einem Steuereingang; eine Induktivität, die einen
Laststrom führt;
eine Steuerschaltung, der ein pulsweitenmoduliertes Eingangssignal
zugeführt
ist und die dazu ausgebildet ist, ein Gate-Steuersignal für den Synchrongleichrichter
nach Maßgabe
des Eingangssignals zu erzeugen, wobei die Steuerschaltung eine
Regelschaltung aufweist, die dazu ausgebildet ist, mit Hilfe eines
geschlossenen Regelkreises das Puls/Pausen-Verhältnis des Eingangssignals derart
zu regeln, dass die Ausgangsspannung zumindest annähernd einem
Sollwert der Ausgangsspannung (Vout) entspricht, und wobei die Steuerschaltung
eine Duty-Cycle-Überwachungsschaltung
zur Feinsteuerung von Abschaltzeitpunkten des Synchrongleichrichters
umfasst, die dazu ausgebildet ist, ausgehend von einem nominellen Zeitpunkt
den Abschaltzeitpunkt so zu variieren, dass, bei gleichbleibendem
Sollwert für
die Ausgangsspannung, das Puls/Pausen-Verhältnis minimal wird.
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Ein
weiteres Ausführungsbeispiel
der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Steuern des Schaltwandlers,
der zumindest einen Synchrongleichrichter und eine Induktivität umfasst.
Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bereitstellen eines
pulsweitenmodulierten Eingangssignals und eines Sollwerts für eine Ausgangsspannung
des Schaltwandlers; Erzeugen eines Gate-Ansteuersignals für den Synchrongleichrichter
nach Maßgabe
des Eingangssignals; Regeln des Puls/Pausen-Verhältnis des Eingangssignals mit
Hilfe eines geschlossenen Regelkreises derart, dass die Ausgangsspannung
zumindest annähernd
dem Sollwert der Ausgangsspannung entspricht; wobei zur Bestimmmung
eines geeigneten Abschaltzeitpunktes des Synchrongleichrichters
folgende Schritte durchgeführt
werden: Variieren des Abschaltzeitpunktes, ausgehend von einem nominellen
Zeitpunkt, derart, dass, bei gleichbleibendem Sollwert für die Ausgangsspannung
das Puls/Pausen-Verhältnis
minimal wird.
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Ein
weiteres Ausführungsbeispiel
betrifft ein Verfahren zum Steuern eines synchronen Schaltwandlers
mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Gate-Steuersignals
für einen
Synchrongleichrichters nach Maßgabe
eines pulsweitenmodulierten Eingangssignals; Ausblenden des Gate-Steuersignals
zu einem nominellen Ausschaltzeitpunkt, der einem geschätzten Nulldurchgang
eines Laststromes entspricht; Modifizieren des nominellen Ausschaltzeitpunktes
um einen Differenzwert; Bestimmen, ob sich ein mittleres Puls/Pausen-Verhältnis des
pulsweitenmodulierten Eingangssignals als Reaktion auf die Modifikation
erhöht
hat; und Wiederholen der letzten beiden Schritte bis sich das mittlere
Puls/Pausen-Verhältnis
des pulsweitenmodulierten Eingangssignals erhöht hat.
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In
einem Ausführungsbeispiel
des oben beschriebenen Verfahrens umfasst das Bestimmen des Puls/Pausen-Verhältnisses
des pulsweitenmodulierten Eingangssignals für n Taktzyklen das Folgende: Bestimmen
eines aktuellen mittleren Puls/Pausen-Verhältnisses über die
n Taktzyklen; Vergleichen des aktuellen mittleren Puls/Pausen-Verhältnisses über die
n Taktzyklen mit einem gespeicherten mittleren Puls/Pausen-Verhältnis; und
Bestimmen, ob sich das mittleren Puls/Pausen-Verhältnis erhöht.
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Ein
anderes Ausführungsbeispiel
der Erfindung betrifft eine Schaltung mit folgenden Komponenten:
eine High-Side-Treiberschaltung
zum Ausgeben eines Gate-Steuersignals an einen High-Side-Transistor
eines synchronen Schaltwandlers nach Maßgabe eines pulsweitenmodulierten
Eingangssignals; einen Synchrongleichrichter-Treiberschaltung zum
Ausgeben eines Gate-Steuersignals an einen Synchrongleichrichter
eines synchronen Schaltwandlers nach Maßgabe eines pulsweitenmodulierten
Eingangssignals; eine Gatter-Schaltung zum Ausblenden des Gate-Steuersignals
für den
Synchrongleichrichter bei einer Detektion eines Nulldurchgangs;
eine Schaltungsmittel zur Detektion eines Nulldurchgangs durch Vergleichen
eines Messwer tes mit einem um einen Differenzwert korrigierten nominellen
Referenzwert; und eine Duty-Cycle-Überwachungsschaltung zum Bestimmen
eines mittleren Duty-Cycle des pulsweitenmodulierten Eingangssignals
und zum Variieren des Differenzwertes.
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Ein
nächstes
Ausführungsbeispiel
der Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung, die folgende Merkmale
aufweist: eine erste Buffer-Schaltung zum Ansteuern eines High-Side-Transistors eines
synchronen Schaltwandlers nach Maßgabe eines pulsweitenmodulierten
Eingangssignals; eine zweite Buffer-Schaltung zum Ansteuern eines
Synchrongleichrichters eines synchronen Schaltwandlers nach Maßgabe des
pulsweitenmodulierten Eingangssignals; eine Gatter-Schaltung zum
Deaktivieren des zweiten Buffers als Reaktion einer Detektion eines
Nulldurchgangs; eine Nulldurchgangs-Detektionsschaltung, die als
Ausgang ein Signal zur Verfügung
stellt, das die Detektion eines Nulldurchgangs anzeigt, wobei die
Detektion des Nulldurchgangs erfolgt durch einen Vergleich eines
Messwertes mit einem um einen Differenzwert korrigierten nominellen
Referenzwert; und eine Duty-Cycle-Überwachungsschaltung zum Bestimmen
eines mittleren Duty-Cycle des pulsweitenmodulierten Eingangssignals,
wobei die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung
dazu ausgebildet ist, den Differenzwert um einen vordefinierten
Wert zu variieren.
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Ein
weiteres Ausführungsbeispiel
betrifft einen synchronen Tiefsetzsteller, der Folgendes aufweist:
einen High-Side-Transistor
mit einem Strompfad zwischen einer positiven Spannungsversorgung und
einem Phasenknoten, wobei der Transistor einen High-Side-Steuereingang
aufweist; einen Synchrongleichrichter-Transistor mit einem Strompfad
zwischen dem Phasenknoten und einem Referenzpotentialanschluss,
wobei der Synchrongleichrichter-Transistor einen SR-Steuereingang
aufweist; eine Ausgangsinduktivität, die in Serie zwischen den
Phasenknoten und einem Ausgangsspannungsanschluss zur Versorgung
der Last geschaltet ist; einen Ausgangskapazität, die zwischen den Ausgangsspannungsanschluss
und den Referenzpo tentialanschluss geschaltet ist; eine Gate-Steuerschaltung zum
Versorgen des High-Side- und des SR-Steuereingangs, wobei die Gate-Steuerschaltung
folgendes umfasst: einen High-Side-Buffer zum Ansteuern des High-Side-Steuereingangs
nach Maßgabe
eines pulsweitenmodulierten Eingangssignals; einen SR-Buffer zum Ansteuern
des SR-Steuereingangs nach Maßgabe
des pulsweitenmodulierten Eingangssignals; eine Gatter-Schaltung
zum Deaktivieren des SR-Buffers als Reaktion auf ein Komparator-Ausgangssignal;
einen Komparator, der das Komparator-Ausgangssignal bereitstellt und dem
als Eingangssignal die Spannung am Phasenknoten und eine Referenzspannung
zugeführt
ist; und eine Duty-Cycle-Überwachungsschaltung,
der das pulsweitenmodulierte Eingangssignal zugeführt ist
und die dazu ausgebildet ist, den Duty-Cycle des pulsweitenmodulierten
Eingangssignals zu bestimmen und die Referenzspannung abhängig von
dem Duty-Cycle zur Verfügung
zu stellen.
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Zum
besseren und vollständigen
Verständnis
der vorliegenden Erfindung und der damit verbundenen Vorteile wird
diese im Folgenden unter Bezugnahme auf die unten aufgeführten Figuren
näher erläutert:
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1 zeigt einen aus dem Stand der Technik bekannten
(A) asynchronen Tiefsetzsteller und einen aus dem Stand der Technik
bekannten (B) synchronen Tiefsetzsteller;
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2 zeigt
Spulenstrom und die Spannung am Phasenknoten für einen synchronen Tiefsetzsteller
im Lückbetrieb
(DCM);
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3 zeigt
eine aus dem Stand der Technik bekannte Steuerschaltung zum Erzeugen
von Gatesteuersignalen für
den High-Side-Transistor und den Synchrongleichrichter bei einem
synchronen Tiefsetzsteller;
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4 zeigt
Zeitdiagramme einer Simulation des Betriebs der Schaltung aus 3;
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5 zeigt
eine aus dem Stand der Technik bekannte Steuerschaltung zum Erzeugen
von Gatesteuersignalen für
einen synchronen Hochsetzsteller;
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5 zeigt
Zeitdiagramme einer Simulation des Betriebs der Schaltung aus 5;
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7 zeigt
eine aus dem Stand der Technik bekannte Steuerschaltung zum Erzeugen
von Gatesteuersignalen für
einen invertierenden synchronen Hoch-Tiefsetzsteller;
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8 zeigt
eine aus dem Stand der Technik bekannte Steuerschaltung zum Erzeugen
von Gatesteuersignalen für
einen nicht-invertierenden synchronen Hoch-Tiefsetzsteller;
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9 zeigt
Zeitdiagramme einer Simulation des Betriebs der Schaltung aus 7;
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10 zeigt
ein Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Steuerschaltung;
und
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11 zeigt
ein Flussdiagramm für
ein Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Verfahrens.
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Die
Figuren werden gezeigt um das Verständnis der Ausführungsbeispiele
zu verbessern und sollen nicht zur einschränkenden Auslegung der Erfindung
oder der Patentansprüche
herangezogen werden.
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Die
vorliegende Erfindung wird nun anhand des illustrativen, jedoch
nicht einschränkenden
Beispiels eines synchronen Tiefsetzsteller-Schaltwandlers im Lückbetrieb
(DCM, discontinous conduction mode) beschrieben. Die Erfindung kann
jedoch auch für
andere Schaltungen verwendet werden, bei denen eine Nulldurchgangs-Detektion
benötigt
wird, wie zum Beispiel bei Hochsetzstellern oder Hoch-Tiefsetzstellern,
Synchrongleichrichtern, etc., die zusammen mit einer Spule oder
einer Induktivität verwendet
werden. In diesen beispielhaften Schaltungen kann eine Nulldurchgangs-Detektion
dazu verwendet werden, das Schaltverhalten von einem oder mehreren
elektronischen Schaltern (Transistoren) zu steuern, wenn die Schaltung
im Lückbetrieb (DCM)
arbeitet und die Nulldurchgangs-Detektion kann
dann automatisch variiert werden, um in einer Rückkoppel-Regelschleife den
optimalen Punkt für eine
Notdurchgangs-Detektion zu bestimmen.
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In 10 ist
ein erstes Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Schaltung 12 erzeugt
die Gate-Steuersignale
DM1 und GM2 für die Transistoren
M1 und M2 (Synchrongleichrichter) eines Tiefsetzstellers. Die Spule
L und der Ausgangskondensator Co werden verwendet, um eine Ausgangsspannung
Vout zu erzeugen, welche zur Versorgung einer Last RL dient. Eine
Steuerung (nicht gezeigt) stellt ein mit der Zeit variierendes Eingangssignal
PWM zur Verfügung,
um die Ausgangsspannung Vout auf einen Sollwert zu regeln. Üblicherweise
wird ein geeignetes Puls-/Pausenverhältnis (Duty-Cycle) für das Eingangssignal PWM dadurch
bestimmt, dass ein Komparator die Ausgangsspannung Vout mit einer
Referenzspannung vergleicht, wobei der Duty-Cycle des Eingangssignals abhängig von
diesem Vergleich eingestellt wird.
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Die
Treiber 21 und 19 erzeugen die Gate-Signale GM1 und DM2 für die MOSFET-Transistoren
M1 und M2, wobei der Transistor M2 der Synchrongleichrichter ist.
Das UND-Gatter 15 ermöglicht
es, in Verbindung mit dem Komparator 17 das Gate-Signal für den SR-Transistor
M2 auszublenden, wenn die Spannung am Phasenknoten PHASE unterhalb
einer Referenzspannung Vref ist. Die Referenzspannung Vref für den Komparator 17 wird
von ei ner Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 zur
Verfügung
gestellt, der auch das Eingangssignal PWM zugeführt ist.
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Während des
Betriebs kompensiert die Schaltung aus 10 automatisch
die „Ausschaltzeit” des Synchrongleichrichter-Transistors M2. In den
dargestellten Ausführungsbespielen
variiert die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 die
Referenzspannung Vref so, dass der Synchrongleichrichter mit Hilfe
der Null-Durchgangs-Detektion perfekt das Verhalten der Diode des
asynchronen Tiefsetzstellers in sehr effizienter Weise emuliert.
In einem Ausführungsbeispiel
passt die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 dynamisch
die Referenzspannung Vref an, wenn der Schaltwandler im Lückbetrieb (DCM)
arbeitet, bis der Duty-Cycle ein lokales Minimum erreicht. In diesem
Fall verbraucht der Schaltwandler am wenigsten Energie aus der Versorgungsspannung
PVCC. D. h., dass die Nulldurchgangsdetektion, die am Ausgang des
Komparators 17 angezeigt wird, optimal eingestellt ist.
Es ist zu beachten, dass die verschiedenen Komponenten der Schaltung 12 in
einer integrierte Schaltung (IC) zusammengefasst werden können, wobei
die Treibertransistoren M1 und M2 wie auch die Puffer 19 und 21 optional
als externe Komponenten vorgesehen werden können. Des Weiteren kann die
PWM-Steuerung, welche das PWM-Eingangssignal für die Schaltung 12 erzeugt, als
externer IC vorgesehen werden. Alternativ kann diese Funktion jedoch
auch zusammen mit der Schaltung 12 in eine integrierte
Schaltung (IC) zusammengefasst werden.
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Die
dem Ausführungsbeispiel
zugrundeliegende Annahme besteht darin, dass, wenn der Ausschaltzeitpunkt
des Synchrongleichrichters nicht optimal ist, der Duty-Cycle des
PWM-Eingangssignals üblicherweise
steigt. Dies ist deshalb so, weil im Lückbetrieb (DCM, discontinous
conduction mode) die Ausgangsspannung leicht abfällt, wenn Verluste auftreten
(d. h. wenn der Kondensator Co über
den Schaltwandler entladen wird). Die PWM-Steuerschaltung wird dann
den Duty-Cycle des PWM-Eingangssignals erhöhen, um genügend Energie in die Ausgangs schaltung
(die Last und den Ausgangskondensator) zu leiten, um die Ausgangsspannung
aufrecht zu erhalten. Daher kann die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 in
einer Rückkoppel-Regelschleife betrieben
werden, womit adaptiv der Ausschaltzeitpunkt des Synchrongleichrichters
angepasst wird, die resultierende Änderung des Duty-Cycles ausgewertet
und dieser Zyklus solange wiederholt wird, bis – bei gegebener Soll-Ausgangsspannung – ein minimaler
Duty-Cycle erreicht ist.
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Während des
Lückbetriebs
(DCM) des Schaltwandlers wird der Ausschaltzeitpunkt des Synchrongleichrichters
mit Hilfe der Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 solange
variiert, bis der Duty-Cycle des Eingangssignals PWM ein Minimum
erreicht. Z. B. kann die Referenzspannung Vref, welche dem Komparator 17 zugeführt ist,
um eine kleine Differenzspannungen ΔV verändert werden. Dieses Einstellen
der Referenzspannung Vref kann als eine Art der Feinabstimmung der
Referenzspannung gesehen werden, die z. B. durch eine Kalibrierung
im experimentellen Versuch durchgeführt wird. In einem Versuch
mit einer geringen Last an dem Schaltwandler, wodurch dieser im
Lückbetrieb
(DCM-Betrieb) arbeitet, wird der Duty-Cycle des Eingangssignals überwacht
und die Referenzspannung Vref wird auf einen optimalen Wert gesetzt,
so dass der während des
Lückbetriebs
beobachtete Duty-Cycle minimiert wird. Alternative Ausführungsbeispiele
benötigen
keine manuelle Feinabstimmung wie im Folgenden beschrieben wird.
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Gemäß einem
anderen Ausführungsbeispiel wird
die Referenzspannung für
den Komparator 17 auf einen nominalen Wert gesetzt und
andere Formen der adaptiven Kompensation können verwendet werden, um den
Abschaltzeitpunkt des SR-Transistors M2 adaptiv zu verändern. Die
resultierende Änderung
des Duty-Cycles
des Eingangssignals PWM wird ausgewertet und die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 22 optimiert
dabei den Lückbetrieb des
Schaltwandlers. Die Form der Kompensation kann unterschiedlich sein,
wobei diese unterschiedlichen Möglichkeiten
als zusätzliche
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Er findung angesehen werden. Die Verwendung einer
Rückkoppel-Regelschleife, in
der der Duty-Cycle des Eingangssignals PWM ausgewertet wird und
in der die Kompensation so variiert wird, dass ein optimaler Betriebspunkt
im Hinblick auf die Leistungsaufnahme erreicht wird, ist allen diesen
Ausführungsbeispielen
gemeinsam.
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In
dem dargestellten Ausführungsbeispiel (11)
ist die Funktion der Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 22 jene,
den Wert der Referenzspannung Vref im Lückbetrieb des Schaltwandlers solange
zu variieren, bis der Duty-Cycle des Eingangssignals PWM einen minimalen
Wert erreicht. In diesem Fall ist der Wert der Referenzspannung
Vref ein Optimum für
die Detektion des Nulldurchgangs des Stroms IL.
Wenn dieser Spannungswert für
die Referenzspannung Vref verwendet wird, arbeitet der Schaltwandler
in seinem effizientesten Arbeitspunkt der „Dioden-Emulation” und schaltet
den Synchrongleichrichter exakt zu jenem Zeitpunkt ab, der für einen
effizienten Betrieb notwendig ist.
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Die
Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 aus 10 kann
auf unterschiedliche Art und Weise implementiert werden. Ein (endlicher)
Automat (auch als ”state
machine” bezeichnet)
ist eine Möglichkeit der
Implementierung. Alternativ kann eine speziell für diesen Zweck entwickelte
Hardware verwendet werden, sowie programmierbare Logik oder ein
Signalprozessor mit einem entsprechenden Programm, welches die Funktionen
der Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 zur
Verfügung
stellt.
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11 zeigt
anhand eines beispielhaften Flussdiagramms eine weitere Methode,
die Funktionen der Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 durchzuführen, ohne
die Verwendung einer experimentell durchgeführten Feinabstimmung. Andere Methoden
können
ebenfalls verwendet werden, sofern sie eine Referenzspannung zur
Verfügung
stellen, welche während
des Lückbetriebs
des Schaltwandlers den Duty-Cycle des Eingangssignals PWM minimieren.
Wie oben bereits erläutert,
können
auch ande re Parameter zur Kompensation variiert werden, um den Duty-Cycle des Eingangssignals
PWM während
des Lückbetriebs
des Schaltwandlers zu minimieren. Eine Anpassung der Referenzspannung
Vref ist lediglich ein illustratives Beispiel.
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Das
Verfahren gemäß 11 startet
mit einer Reaktion auf ein ENABLE-Eingangssignal EN (Aktivierungssignal),
wodurch der Zustand 33 eingeleitet wird. In anderen Ausführungsbeispielen
kann das ENABLE-Signal weggelassen werden. Das ENABLE-Signal ist
optional, zeigt jedoch für
die Duty-Cycle-Überwachungsfunktion
an, dass der Schaltwandler im Lückbetrieb
(DCM) arbeitet. Mit anderen Worten, die Duty-Cycle-Überwachung soll nicht arbeiten,
wenn der Schaltwandler im CCM-Betrieb (continuous conduction mode)
arbeitet, sondern nur, wenn die Last einen geringen Strom benötigt. Nachdem
das ENABLE-Eingangssignal EN den Zustand 33 eingeleitet
hat, wird der Duty-Cycle DPWM(0) auf einen
Anfangswert von ”0” initialisiert.
Die Variable mDPWM(0) wird auf den Wert ”maxDuty” gesetzt.
Diese Variable ist ein maximaler Duty-Cycle.
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Im
Zustand 35 wird ein Duty-Cycle DPWM(n) erzeugt.
Dieser Schritt wird als Reaktion auf den Beginn einer PWM-Periode
ausgeführt,
was durch den mit PWM bezeichneten Eingang des Zustands 35 angezeigt
wird. Der nachfolgende Zustand im Flussdiagramm ist der Entscheidungs-Zustand 39.
Die im Feld 39 dargestellte Ungleichung überprüft, ob der Duty-Cycle
in einem eingeschwungenen Zustand ist. In diesem Ausführungsbeispiel
wird der eingeschwungene Zustand dadurch detektiert, dass die Differenz
der Duty-Cycle der letzten beiden PWM-Taktperioden mit einem Wert ΔD verglichen wird.
Der Wert ΔD
ist ein Schwellwert, der so ausgewählt wird, dass Fälle mit
stark ändernden
Duty-Cycles erkannt und ”aussortiert” werden.
Sofern die Werte der letzten beiden Duty-Cycles nicht nahe genug beieinander
liegen, was anzeigt, dass ein eingeschwungener Zustand erreicht
wurde, ist die Ungleichung nicht erfüllt und es wird vom Zustand 39 in
den Zustand 37 gewechselt. Im Zustand 37 wird
die Variable n auf ”1” zurückgesetzt und
die Variable DPWM(0) wird auf den letzten
Wert DPWM(n) gesetzt. Das Zustandsdiagramm
kehr dann zurück
zum Zustand 35 und ein neuer Wert DPWM(n)
wird in der nächsten
Periode des PWM-Signals berechnet und erzeugt.
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Angenommen,
die Ungleichung wird im Zustand 39 als ”wahr” (Bool'scher Wert TRUE) ausgewertet, folgt
gemäß 11 ein Übergang
in den Zustand 41, in dem ein durchschnittlicher Duty-Cycle berechnet
wird. Für
einen Wert n = 10 (dieser Wert ist eine Frage des Designs und kann
auch wesentlich höher
oder geringer sein, wie zum Beispiel 2 oder 20) wird die Variable
mDPWM(j) berechnet als die Summe von i =
1 bis n und anschließen
durch n geteilt. Nachdem der Durchschnitt ermittelt wurde, wird
n um 1 erhöht.
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Durch
die Durchschnittsbildung über
mehrere Werte, wird der Wert für
mDPWM(j) als Durchschnitt über mehrere
Perioden (des PWM-Signals) berechnet, wodurch die Wahrscheinlichkeit,
dass ein Duty-Cycle ein fehlerhafter Wert oder ein ”Ausreißer” ist bzw.
dass der Duty-Cycle sich rasch ändert,
stark reduziert wird.
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Nachdem
n einen Endwert (in Folge im Beispiel 10) erreicht hat, wechselt
das Zustandsdiagramm vom Zustand 43 in den Zustand 45.
Im Zustand 45 wird eine weitere Ungleichung überprüft. Wenn
der aktuelle Wert des durchschnittlichen Duty-Cycles mDPWM(j)
kleiner ist als der vorherige Wert mDPWM(j – 1), dann
fällt der
mittlere Wert für
den Duty-Cycle und die gewünschte
Bedingung, dass der Duty-Cycle einen minimalen Wert erreichen soll,
ist noch nicht erfüllt.
In diesem Fall (siehe Zustand 47) wird die Referenzspannung
Vref um einen Wert ΔVref
dekrementiert und der Zählerindex
j wird inkrementiert. Die Berechnung des durchschnittlichen Wertes
des Duty-Cycles wiederholt sich und beginnt von neuem (siehe Zustand 37).
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Wenn
jedoch die Ungleichung aus Zustand 45 nicht erfüllt ist,
dann bedeutet dies, dass der durchschnittliche Duty-Cycle auf die
letzte Reduktion der Referenzspannung Vref hin nicht (mehr) gefallen ist.
In diesem Fall hat die Duty-Cycle-Überwachungsfunktion
einen minimalen Duty-Cycle eingestellt. Wenn der Duty-Cycle während des
Lückbetriebs
eines Schaltwandlers ein Minimum angenommen hat, befindet sich die
Nullpunkt-Detektion in einem optimalen Arbeitspunkt und der Ausschalt-Zeitpunkt
des Synchrongleichrichters, der in diesem Beispiel durch die Spannung
Vref bestimmt wird, ist genau auf dem richtigen Level für die verwendeten
Komponenten und die dadurch auftretenden Zustände. Weil die Ungleichung aus
Zustand 45 (wenn sie nicht erfüllt ist) anzeigt, dass der
Duty-Cycle gestiegen
ist, seit der letzte Durchschnitt ausgewertet wurde, wurde die Referenzspannung
Vref bereits unter den optimalen Wert reduziert. Deshalb wird im
letzten Zustand 44 die Spannung Vref auf den letzten Wert
dadurch zurückgesetzt,
dass die Referenzspannung um einen Wert ΔVref wieder inkrementiert wird.
In diesem Fall wird durch die Spannungsreferenz der Schwellwert des
Komparators 17 gemäß 10 so
festgelegt, dass die Schaltung in ihrem effizientesten Arbeitspunkt
für die
Diodenemulation im Lückbetrieb
des Schaltwandlers betrieben wird.
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Das
Zustandsdiagramm aus 11 zeigt ein Ausführungsbeispiel
jener Funktionen, die die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung aus 10 ausführen können sollte.
Die tatsächlich
Implementierung der Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 kann
jedoch auf unterschiedliche Art und Weise erfolgen, welche als unterschiedliche
Ausführungsbeispiele
angesehen werden, die unter den Schutzbereich der Patentansprüche fallen.
Die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung 23 kann
zum Beispiel als endlicher Automat (State-Maschine), als programmierbare
Logik bzw. PLD, als FPGA sowie als Software oder Firmware implementiert
sein. Ein programmierbarer IC wie zum Beispiel ein digitaler Signalprozessor
oder ein Mikrokontroller kann zusammen mit einer Software verwendet
werden, welche die oben beschriebene Funktionalität beinhaltet.
Alternativ kann auch ein RISC-Kern in einem ASIC oder in einem Semi-Custom-IC
ver wendet werden. Programmierbare Arrays, wie zum Beispiel FPGAs
können ebenfalls
verwendet werden.
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Des
Weiteren kann die Schaltung 12 aus 10 als
Schaltung auf einer Platine, als Stand-Alone-IC, als ASIC oder Semi-Custom-IC, sowie
mit Hilfe von Standard IC's,
entweder zusammen integriert mit der Steuerung, welche das PWM-Signal erzeugt
und/oder mit den Treibertransistoren. Auch wenn die Duty-Cycle-Überwachungsschaltung
und die automatische Kompensation, um den optimalen Arbeitspunkt
für den
Ausschaltzeitpunkt des SR-Transistors im Lückbetrieb des Schaltwandlers zu
finden, im Kontext eines Tiefsetzstellers beschrieben wurde, ist
dieses Prinzip auch auf andere Schaltwandler-Topologien anwendbar,
bei denen Null Durchgangsdetektionen verwendet werden, um Leistungsverluste
zu begrenzen, z. B. Hochsetzsteller und Hoch-Tiefsetzsteller, wie
eingangs bereits beschrieben.