DE102009018701B4 - Electronic device and method for driving a light-emitting semiconductor device - Google Patents

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Abstract

Elektronische Vorrichtung (1) zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (LD), wobei die elektronische Vorrichtung Folgendes aufweist:
eine Eingangsstufe, um ein Treibereingangssignal zu empfangen, und
eine Ausgangsstufe, die an die Eingangsstufe gekoppelt ist, wobei die Ausgangsstufe ein erstes differenziell gesteuertes Transistor-Paar (Q5, Q6) aufweist, das mit einer ersten Seite an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (LD) zu koppeln und so ausgebildet ist, dass es in Reaktion auf das Treibereingangssignal einen Strom durch die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (LD) steuert,
wobei die Ausgangsstufe ferner ein Referenzsignal bereitstellen kann, das in einer geschlossenen Regelschleife zur Steuerung eines Spannungspegels der Eingangsstufe zu verwenden ist, und
ein zweites differenziell gesteuertes Transistor-Paar (Q7, Q8) aufweist, das so ausgeführt ist, dass es in Übereinstimmung mit dem ersten differenziell gesteuerten Transistor-Paar (Q5, Q6) arbeitet und das Referenzsignal bereitstellt.An electronic device (1) for driving a semiconductor light-emitting device (LD), the electronic device comprising:
an input stage to receive a driver input signal, and
an output stage coupled to the input stage, the output stage comprising a first differentially controlled transistor pair (Q5, Q6) to be coupled to the first semiconductor light emitting device (LD) with a first side and configured to respond in response on the driver input signal controls a current through the semiconductor light-emitting device (LD),
wherein the output stage may further provide a reference signal to be used in a closed loop to control a voltage level of the input stage, and
a second differential controlled transistor pair (Q7, Q8) configured to operate in accordance with the first differential controlled transistor pair (Q5, Q6) and provide the reference signal.

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Description

GEBIET DER ERFINDUNGFIELD OF THE INVENTION

Die Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Vorrichtung, wie etwa einer Laserdiode.The invention relates to an electronic device and a method for driving a light-emitting device, such as a laser diode.

HINTERGRUNDBACKGROUND

Es gibt einen allgemeinen Bedarf an elektronischen Vorrichtungen und Verfahren zur Ansteuerung von Laserdioden in Übertragungssystemen mit hoher Datenrate. Für diese und weitere Anwendungen, die lichtemittierende Halbleitervorrichtungen verwenden, werden aktuelle Treiberschaltungen benötigt, die bei einer niedrigen Spannungsreserve arbeiten können und dabei dennoch eine hohe Ansteuerungsperformance hinsichtlich der Flankengeschwindigkeit und des Jitters erreichen.There is a general need for electronic devices and methods for driving laser diodes in high data rate transmission systems. For these and other applications using semiconductor light emitting devices, current driver circuits are needed that can operate at a low voltage margin while still achieving high drive performance in terms of edge speed and jitter.

VCSEL-(engl. Vertical Cavity Surface Emitting Laser)Dioden werden häufig bei lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen verwendet. Der kreisförmige Strahl einer VCSEL kann auf einfache Weise mit einer Faser gekoppelt werden. Dies ist hauptsächlich auf das Merkmal der VCSEL-Dioden zurückzuführen, eher Vorrichtungen mit Oberflächenemission als mit Flankenemission darzustellen, und sie sind für ihre herausragende Energieeffizienz und Dauerhaftigkeit bekannt. Dementsprechend werden VCSEL-Dioden bei kostengünstigen optischen Übertragungssystemen häufig verwendet. Bei Übertragungssystemen mit hoher Datenrate werden jedoch die VCSEL-Dioden mit sehr hohen Schaltfrequenzen ein- und ausgeschaltet. Dies erfordert schnelle, energieeffiziente und genaue Treiberstufen.Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) diodes are commonly used in semiconductor light emitting devices. The circular beam of a VCSEL can be easily coupled to a fiber. This is mainly due to the feature of the VCSEL diodes to represent surface emission rather than edge emission devices, and they are known for their outstanding energy efficiency and durability. Accordingly, VCSEL diodes are commonly used in low-cost optical transmission systems. However, in high data rate transmission systems, the VCSEL diodes are turned on and off at very high switching frequencies. This requires fast, energy efficient and accurate driver stages.

Darüber hinaus ist die Durchlassspannung von Laserdioden abhängig von der Wellenlänge des emittierten Lichts. Im Stand der Technik ist wohlbekannt, dass als Substrat für 850 nm-Laserdioden GaAs benötigt wird. Die entsprechende Bandlückenenergie beträgt etwa 1,5 eV. Weitere Dioden, wie etwa 1310 nm- oder 1550 nm-Laserdioden, erfordern InP als Substrat. Bei diesen Vorrichtungen beträgt die Bandlückenenergie etwa 1 eV bzw. 0,8 eV. Die Durchlassspannung einer Laserdiode bei einer Temperatur von null Kelvin entspricht der Bandlückenenergie geteilt durch die Elementarladung e. Somit beträgt der Wert der Durchlassspannung etwa 1,5 V bei 850 nm, etwa 1,0 V bei 1310 nm und etwa 0,8 V bei 1550 nm. Bei höheren Temperaturen wird die Durchlassspannung auch zu einer Funktion des Dotierungsprofils einer Diode. Je nach Betrag des durch die Laserdiode und ihren internen Widerstand fließenden Stroms kann der Spannungsabfall Werte von bis zu 2,1 V erreichen, z. B. bei VCSEL-Laserdioden, die Licht bei einer Wellenlänge von 850 nm emittieren. Da in vielen Systemen eine Mindestversorgungsspannung von 2,9 V verwendet wird, kann die verbleibende Reserve für die Laserdiodenstrom-Treiberstufe bei 0,8 V oder sogar bei weniger liegen.In addition, the forward voltage of laser diodes is dependent on the wavelength of the emitted light. It is well known in the art that GaAs is needed as the substrate for 850 nm laser diodes. The corresponding bandgap energy is about 1.5 eV. Other diodes, such as 1310 nm or 1550 nm laser diodes, require InP as a substrate. In these devices, the bandgap energy is about 1 eV and 0.8 eV, respectively. The forward voltage of a laser diode at a temperature of zero Kelvin corresponds to the bandgap energy divided by the elementary charge e. Thus, the forward voltage value is about 1.5 V at 850 nm, about 1.0 V at 1310 nm, and about 0.8 V at 1550 nm. At higher temperatures, the forward voltage also becomes a function of the doping profile of a diode. Depending on the amount of current flowing through the laser diode and its internal resistance, the voltage drop can reach values of up to 2.1V, e.g. In VCSEL laser diodes emitting light at a wavelength of 850 nm. Since a minimum supply voltage of 2.9 V is used in many systems, the remaining reserve for the laser diode current driver stage may be 0.8 V or even less.

Aus der US 6,130,562 , US 6,879,608 B1 , US 6,097,159 , US 7,145,928 B1 und der US 2003/0086455 A1 sind verschiedene Konzepte bekannt, die Eingangsspannung der Eingangsstufe von Treiberschaltungen in Reaktion auf einen Ausgangsstrom zu regeln. Allerdings sind die verschiedenen Ausgestaltungen zu komplex und zu fehleranfällig, um einen soliden Betrieb der Treiberschaltung zu ermöglichen.From the US 6,130,562 . US Pat. No. 6,879,608 B1 . US 6,097,159 . US Pat. No. 7,145,928 B1 and the US 2003/0086455 A1 For example, various concepts are known for controlling the input voltage of the input stage of driver circuits in response to an output current. However, the various configurations are too complex and prone to error to allow for robust operation of the driver circuit.

KURZZUSAMMENFASSUNGSUMMARY

Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung mit einer hohen Flankengeschwindigkeit, einem geringen Jitter und/oder einer größeren Spannungsreserve als Vorrichtungen und Verfahren aus dem Stand der Technik bereitzustellen.An object of the invention is to provide an electronic device and a method for driving a semiconductor light-emitting device having a high edge velocity, a low jitter and / or a larger voltage reserve as devices and methods of the prior art.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einer Vorrichtung und einem Verfahren gemäß der Ansprüche 1 und 5 gelöst.The object is achieved with a device and a method according to claims 1 and 5.

Bei einem Aspekt der Erfindung wird eine elektronische Vorrichtung zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Die elektronische Vorrichtung kann eine Eingangsstufe zum Empfangen eines Treibereingangssignals und eine Ausgangsstufe aufweisen. Die Ausgangsstufe ist an die Eingangsstufe gekoppelt. Die Ausgangsstufe kann ein erstes differenzielles Paar aufweisen, das so ausgeführt ist, dass es mit einer ersten Seite an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung gekoppelt wird. Das erste differenzielle Paar kann ferner so ausgeführt sein, dass es einen Ausgangsstrom durch die lichtemittierende Halbleitervorrichtung in Reaktion auf das Treibereingangssignal steuert. Die Ausgangsstufe kann ein Referenzsignal bereitstellen. Das Referenzsignal kann derart sein, dass es in einer Regelschleife zur Steuerung eines Spannungspegels der Eingangsstufe verwendet wird. Das Referenzsignal kann vorteilhaft dazu verwendet werden, einen Gleichtaktspannungspegel der Eingangsstufe zu steuern, um den Ausgangsstrom zu steuern. Eine Änderung des Spannungspegels (z. B. des Gleichtaktspannungspegels) der Eingangsstufe (d. h. ein Spannungspegel, der mit der Ausgangsspannung der Eingangsstufe zusammenhängt) kann vorteilhafterweise zu einer entsprechenden Änderung des Gleichtaktspannungspegels am Eingang der Ausgangsstufe führen, der dann einen Kennwert (z. B. einen Betrag oder Durchschnittswert) des Ausgangsstroms definieren kann. Dieser Aspekt der Erfindung sorgt dafür, dass eine Regelschleife implementiert wird, die zur Steuerung eines Kennwerts (z. B. ein Betrag, ein Verhältnis und/oder ein Durchschnittswert) des Stroms dient, der in die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eingespeist wird. Somit benötigt das erste differenzielle Paar in der Ausgangsstufe keine Stromquelle zur Bestimmung des Ausgangsstroms. Das differenzielle Paar in der Ausgangsstufe kann dann über eine Komponente, die zu einem geringeren Spannungsabfall als eine Stromquelle führt, an Masse oder an einen negativen Versorgungsspannungspegel gekoppelt sein. Dies kann die Spannungsreserve für die Halbleitervorrichtung und die Flankengeschwindigkeit erhöhen und den Jitter verringern.In one aspect of the invention, an electronic device for driving a semiconductor light-emitting device is provided. The electronic device may include an input stage for receiving a driver input signal and an output stage. The output stage is coupled to the input stage. The output stage may include a first differential pair configured to be coupled to the light emitting semiconductor device with a first side. The first differential pair may be further configured to control an output current through the semiconductor light-emitting device in response to the driver input signal. The output stage can provide a reference signal. The reference signal may be such that it is used in a control loop to control a voltage level of the input stage. The reference signal may be advantageously used to control a common mode voltage level of the input stage to control the output current. A change in the voltage level (eg, the common mode voltage level) of the input stage (ie, a voltage level related to the output voltage of the input stage) may advantageously result in a corresponding change in the common mode voltage level at the input stage input, which will then provide a characteristic (e.g. an amount or average) of the output current. This aspect of the invention ensures that a control loop which is used to control a characteristic value (eg, an amount, a ratio, and / or an average value) of the current that is input to the semiconductor light-emitting device. Thus, the first differential pair in the output stage does not require a current source to determine the output current. The differential pair in the output stage may then be coupled to ground or to a negative supply voltage level via a component that results in a lower voltage drop than a current source. This can increase the voltage margin for the semiconductor device and the edge speed and reduce the jitter.

Die Eingangsstufe kann ein differenzielles Paar aufweisen, das das Treibereingangssignal empfangen kann. Das differenzielle Paar kann vorteilhaft mit dem Gleichtaktspannungspegel versorgt werden, der in Reaktion auf das Referenzsignal gesteuert wird. Dieser Aspekt der Erfindung sorgt für eine effiziente Methode zur Implementierung einer Regelschleife zur Steuerung eines Kennwerts des Ausgangsstroms.The input stage may include a differential pair that can receive the driver input signal. Advantageously, the differential pair may be supplied with the common mode voltage level which is controlled in response to the reference signal. This aspect of the invention provides an efficient method for implementing a control loop for controlling a characteristic of the output current.

Die Eingangsstufe und die Ausgangsstufe können dann über einen Pegelschieber gekoppelt sein. Der Pegelschieber kann das Ausgangssignal von der Eingangsstufe schieben und umwandeln und ein pegelverschobenes und umgewandeltes Ausgangssignal für die Ausgangsstufe bereitstellen. Ein Gleichtaktpegel des Ausgangssignals der Eingangsstufe kann dann in Reaktion auf das Referenzsignal von der Ausgangsstufe gesteuert werden. Diese Änderung des Gleichtaktspannungspegels kann vorteilhafterweise beibehalten werden, wenn sich das Signal durch den Pegelschieber ausbreitet.The input stage and the output stage can then be coupled via a level shifter. The level shifter may shift and convert the output signal from the input stage and provide a level shifted and converted output signal for the output stage. A common mode level of the output signal of the input stage may then be controlled in response to the reference signal from the output stage. This change in the common-mode voltage level can be advantageously maintained as the signal propagates through the level shifter.

Darüber hinaus kann die Ausgangsstufe ein zweites differenzielles Paar aufweisen, das so gekoppelt ist, dass es in Übereinstimmung mit dem ersten differenziellen Paar arbeitet und das Referenzsignal bereitstellt. Das zweite differenzielle Paar kann so gekoppelt sein, dass es die gleichen Eingangssignale wie das erste differenzielle Paar empfängt. Bei einer Bipolar-Halbleitertechnik können das erste und das zweite differenzielle Paar Bipolartransistorpaare aufweisen. Die Emitter der Transistoren des ersten und zweiten differenziellen Paars können dann alle zusammengekoppelt sein. Die Emitter der Transistoren des ersten und zweiten differenziellen Paars können dann an Masse gekoppelt sein (Masse wird auch als negativer Versorgungsspannungspegel bezeichnet und umgekehrt). Der Kollektor eines Transistors des ersten differenziellen Paars kann an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung gekoppelt sein. Die Kollektoren der Transistoren des zweiten differenziellen Paars können zusammengekoppelt sein. Die kombinierten Kollektorströme des zweiten differenziellen Paars können dann als Referenzsignal verwendet werden.In addition, the output stage may include a second differential pair coupled to operate in accordance with the first differential pair and provide the reference signal. The second differential pair may be coupled to receive the same input signals as the first differential pair. In a bipolar semiconductor technique, the first and second differential pairs may comprise bipolar transistor pairs. The emitters of the transistors of the first and second differential pair may then all be coupled together. The emitters of the transistors of the first and second differential pair may then be coupled to ground (ground is also referred to as the negative supply voltage level and vice versa). The collector of a transistor of the first differential pair may be coupled to the semiconductor light-emitting device. The collectors of the transistors of the second differential pair may be coupled together. The combined collector currents of the second differential pair can then be used as a reference signal.

Das Referenzsignal kann einen Betrag des Ausgangsstroms angeben. Das Referenzsignal kann mit einem Konfigurationssignal kombiniert werden, um eine allgemeine Einstellung für den Gleichtaktspannungspegel der Eingangsstufe bereitzustellen. Das Konfigurationssignal kann dann als Referenzsignal für die Regelschleife zur Steuerung des Gleichtaktspannungspegels dienen.The reference signal may indicate an amount of the output current. The reference signal may be combined with a configuration signal to provide a general setting for the common mode voltage level of the input stage. The configuration signal may then serve as the reference signal for the control loop to control the common mode voltage level.

Die elektronische Vorrichtung kann ferner einen Spannungsfolger aufweisen. Der Spannungsfolger kann mit einem Eingang an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung gekoppelt sein. Das bedeutet, dass der Spannungsfolger an den Knoten gekoppelt sein kann, an den die lichtemittierende Halbleitervorrichtung gekoppelt ist. Dies kann der Kollektor eines Transistors des ersten differenziellen Paars sein. Der Spannungsfolger kann an eine zweite Seite (d. h. zum Beispiel an den Kollektor des zweiten Transistors des ersten differenziellen Paars) des ersten differenziellen Paars gekoppelt sein. Der Spannungsfolger kann dann an der zweiten Seite des ersten differenziellen Paars den gleichen Spannungspegel wie an der ersten Seite herstellen (d. h. die Kollektoren beider Transistoren sind auf die gleichen Kollektorspannungen vorgespannt). Dies stellt eine zweite Regelschleife dar, die dazu dient, die Stromquelle in der Treiberstufe zu vermeiden, und die Genauigkeit des Treibers verbessert.The electronic device may further include a voltage follower. The voltage follower may be coupled to an input to the semiconductor light-emitting device. That is, the voltage follower may be coupled to the node to which the semiconductor light-emitting device is coupled. This may be the collector of a transistor of the first differential pair. The voltage follower may be coupled to a second side (i.e., to the collector of the second transistor of the first differential pair, for example) of the first differential pair. The voltage follower may then establish the same voltage level on the second side of the first differential pair as on the first side (i.e., the collectors of both transistors are biased to the same collector voltages). This represents a second control loop which serves to avoid the current source in the driver stage and improves the accuracy of the driver.

Das differenzielle Paar der Eingangsstufe kann vorteilhafterweise Transistorlasten umfassen. Bei einer Bipolar-Halbleitertechnik kann ein Bipolartransistor an die Kollektoren der Transistoren des differenziellen Paars der Eingangsstufe gekoppelt sein. Die Verwendung von Transistoren statt von Widerständen sorgt für eine Vorverzerrung der Ausgangssignale der Eingangsstufe, die in die Ausgangsstufe eingespeist werden. Darüber hinaus können Degenerationswiderstände an die Emitter der Transistoren des differenziellen Paars der Eingangsstufe gekoppelt sein. Dies stellt sicher, dass der Ausgangsstrom zu einer linearen Funktion der an die Eingangsstufe angelegten Eingangsspannung wird.The differential pair of the input stage may advantageously comprise transistor loads. In a bipolar semiconductor technique, a bipolar transistor may be coupled to the collectors of the transistors of the differential pair of the input stage. The use of transistors instead of resistors pre-emphasizes the output signals of the input stage which are fed to the output stage. In addition, degeneration resistors may be coupled to the emitters of the transistors of the differential pair of the input stage. This ensures that the output current becomes a linear function of the input voltage applied to the input stage.

Das erste differenzielle Paar der Ausgangsstufe kann direkt an Masse (oder an den negativen Versorgungsspannungspegel) gekoppelt sein. Bei einer weiteren Ausführungsform kann jedoch das erste differenzielle Paar über eine Induktivität an Masse oder an einen negativen Versorgungsspannungspegel gekoppelt sein. Eine Induktivität kann zwischen den Emittern des ersten differenziellen Paars und der Masse/dem negativen Versorgungsspannungspegel gekoppelt sein. Eine Induktivität sorgt für eine hohe Impedanz für hohe Frequenzen, was trotz hohem Frequenzrauschen an der Ausgangsstufe zu einem konstanten Strom führt. Dies kann zur Verringerung des Jitters dienen.The first differential pair of the output stage may be coupled directly to ground (or to the negative supply voltage level). However, in another embodiment, the first differential pair may be coupled to ground or to a negative supply voltage level via an inductance. An inductance may be coupled between the emitters of the first differential pair and the ground / negative supply voltage level. An inductor provides a high impedance for high frequencies, which despite high frequency noise at the output stage to a constant current leads. This can serve to reduce the jitter.

Bei einem Aspekt der Erfindung kann das zweite differenzielle Paar der Ausgangsstufe so dimensioniert sein, dass ein Strom durch das zweite differenzielle Paar viel geringer ist als der Strom durch das erste differenzielle Paar. Bei einer Bipolartechnik können die Emitterbereiche der Transistoren des zweiten differenziellen Paars n-mal kleiner sein als die Emitterbereiche der Transistoren des ersten differenziellen Paars, wobei n ein positiver ganzzahliger Wert ist.In one aspect of the invention, the second differential pair of the output stage may be sized such that a current through the second differential pair is much less than the current through the first differential pair. In a bipolar technique, the emitter regions of the transistors of the second differential pair may be n times smaller than the emitter regions of the transistors of the first differential pair, where n is a positive integer value.

Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bereit. Eine Treibereingangsspannung wird in eine Eingangsstufe eingespeist, und ein Ausgangsstrom durch die lichtemittierende Halbleitervorrichtung wird in Reaktion auf das Treibereingangssignal gesteuert. Der Ausgangsstrom wird ferner durch Einstellen eines Spannungspegels (z. B. eines Gleichtaktspannungspegels) der Eingangsstufe gesteuert. Dies wird vorteilhafterweise in einer Konfiguration mit geschlossener Regelschleife mit einem Referenzsignal von der Ausgangsstufe durchgeführt.The invention also provides a method of driving a semiconductor light-emitting device. A driver input voltage is input to an input stage, and an output current through the semiconductor light emitting device is controlled in response to the driver input signal. The output current is further controlled by adjusting a voltage level (eg, a common-mode voltage level) of the input stage. This is advantageously done in a closed-loop configuration with a reference signal from the output stage.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Weitere Aspekte der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungen. Darin zeigen:Other aspects of the invention will become apparent from the following description of preferred embodiments of the invention with reference to the accompanying drawings. Show:

1 ein vereinfachtes Schaltbild einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; und 1 a simplified circuit diagram of an electronic device according to an embodiment of the invention; and

2 ein vereinfachtes Schaltbild einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. 2 a simplified circuit diagram of an electronic device according to another embodiment of the invention.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG EINER BEISPIELHAFTEN AUSFÜHRUNGSFORMDETAILED DESCRIPTION OF AN EXEMPLARY EMBODIMENT

1 zeigt ein vereinfachtes Schaltbild einer elektronischen Vorrichtung 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die vorgeschlagene Topologie ist vorteilhaft für Laserdiodentreiber mit geringer Spannungsreserve. Eine Eingangsstufe weist ein differenzielles Paar aus einem Transistor Q1 und einem Transistor Q2, eine Stromquelle I1, die an die Emitter der Transistoren Q1 und Q2 gekoppelt ist, und Widerstände RL1, RL2 auf, die an einen Kollektor des Transistors Q1 bzw. Q2 gekoppelt sind. Das differenzielle Paar Q1, Q2 empfängt eine Treibereingangsspannung VIN1 zur Steuerung eines Stroms IOUT durch die Last LD. Die Last LD kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, zum Beispiel eine VCSEL sein. Die Eingangsstufe stellt ein Ausgangssignal VIN2 zwischen den beiden Seiten des differenziellen Paars Q1, Q2 bereit. Eine Pegelschiebestufe mit Transistoren Q3 und Q4 und dazugehörigen Stromquellen I2 und I3 ist zwischen der Eingangsstufe und der Ausgangsstufe gekoppelt. Der Kollektor von Q1 ist an die Basis des Transistors Q3 gekoppelt. Der Kollektor des Transistors Q2 ist an die Basis des Transistors Q4 gekoppelt. Die Stromquelle I2 dient zum Vorspannen des Transistors Q3, und die Stromquelle I3 dient zum Vorspannen des Transistors Q4. Die Basisspannung von Q3 ist VB3, und die Basisspannung von Q4 ist VB4. Die Spannungsdifferenz VB3 minus VB4 ist die Ausgangsspannung VIN2 der Eingangsstufe und die Eingangsspannung des Pegelschiebers. Die Kollektoren der Transistoren Q3 und Q4 sind an einen Versorgungsspannungspegel VSUP gekoppelt. Der Pegelschieber stellt ein pegelverschobenes Ausgangssignal VIN3 für die Ausgangsstufe bereit. Das Ausgangssignal VIN3 ist die Spannungsdifferenz zwischen den Emittern der Transistoren Q3 und Q4. Die Ausgangsstufe weist ein erstes differenzielles Paar aus Transistoren Q5 und Q6 auf. Die Transistoren Q5 und Q6 empfangen die Ausgangsspannung VIN3 des Pegelschiebers Q3, Q4 als Eingangsspannung. Die Spannung an der Basis von Q5 ist VB5, und die Spannung an der Basis von Q6 ist VB6. Die Eingangsspannung VIN3 ist dann VB5 minus VB6. 1 shows a simplified circuit diagram of an electronic device 1 according to an embodiment of the invention. The proposed topology is advantageous for laser diode drivers with low voltage reserve. An input stage comprises a differential pair of a transistor Q1 and a transistor Q2, a current source I1 coupled to the emitters of the transistors Q1 and Q2, and resistors RL1, RL2 coupled to a collector of the transistor Q1 and Q2, respectively , The differential pair Q1, Q2 receives a driver input voltage VIN1 for controlling a current IOUT through the load LD. The load LD may be a semiconductor light-emitting device, for example, a VCSEL. The input stage provides an output signal VIN2 between the two sides of the differential pair Q1, Q2. A level shift stage comprising transistors Q3 and Q4 and associated current sources I2 and I3 is coupled between the input stage and the output stage. The collector of Q1 is coupled to the base of transistor Q3. The collector of transistor Q2 is coupled to the base of transistor Q4. The current source I2 serves to bias the transistor Q3, and the current source I3 serves to bias the transistor Q4. The base voltage of Q3 is VB3, and the base voltage of Q4 is VB4. The voltage difference VB3 minus VB4 is the output voltage VIN2 of the input stage and the input voltage of the level shifter. The collectors of transistors Q3 and Q4 are coupled to a supply voltage level VSUP. The level shifter provides a level shifted output signal VIN3 for the output stage. The output signal VIN3 is the voltage difference between the emitters of the transistors Q3 and Q4. The output stage has a first differential pair of transistors Q5 and Q6. The transistors Q5 and Q6 receive the output voltage VIN3 of the level shifter Q3, Q4 as an input voltage. The voltage at the base of Q5 is VB5, and the voltage at the base of Q6 is VB6. The input voltage VIN3 is then VB5 minus VB6.

Ein Kollektor des Transistors Q6 des ersten differenziellen Paars ist mit einem Kollektor an die Last LD gekoppelt. Die Last LD ist zwischen dem Versorgungsspannungspegel VSUP und dem Kollektor von Q6 gekoppelt. Dies sorgt dafür, dass ein Strom durch den Kanal (vom Kollektor zum Emitter) von Q6 als Ausgangsstrom IOUT durch die Last fließt. Der Ausgangsstrom IOUT führt zu einer Spannung VDROP an der Last LD. Der Ausgangsstrom IOUT zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung als Last wird somit in Reaktion auf die Spannungen VIN3 und VIN2 geschaltet, was bedeutet, dass der Ausgangsstrom in Reaktion auf die Eingangsspannung VIN1 geschaltet wird. Der Betrag des Stroms IOUT ist jedoch auch ein Ergebnis der Pegel der Basisspannungen VB5 und VB6 an den Basen des ersten differenziellen Paars. Diese Spannungen werden über eine Regelschleife gesteuert.A collector of the transistor Q6 of the first differential pair is coupled to the load LD with a collector. The load LD is coupled between the supply voltage level VSUP and the collector of Q6. This causes current to flow through the channel (collector to emitter) of Q6 as output current IOUT through the load. The output current IOUT leads to a voltage VDROP at the load LD. The output current IOUT for driving a semiconductor light-emitting device as a load is thus switched in response to the voltages VIN3 and VIN2, which means that the output current is switched in response to the input voltage VIN1. However, the magnitude of the current IOUT is also a result of the levels of the base voltages VB5 and VB6 at the bases of the first differential pair. These voltages are controlled via a control loop.

Die Regelschleife weist ein differenzielles Paar aus Transistoren Q7 und Q8 auf. Diese Transistoren des zweiten differenziellen Paars empfangen die gleichen Basisspannungen VB5 und VB6 an ihren Basen wie die Transistoren Q5 und Q6 des ersten differenziellen Paars. Dies bedeutet, dass das zweite differenzielle Paar in Übereinstimmung (d. h. ähnlich oder synchron zu) dem ersten differenziellen Paar Q5, Q6 geschaltet wird. Die Emitter der Transistoren Q5, Q6, Q7 und Q8 sind alle zusammengekoppelt. Der gemeinsame Emitterknoten ist an den negativen Versorgungsspannungspegel GND gekoppelt.The control loop has a differential pair of transistors Q7 and Q8. These transistors of the second differential pair receive the same base voltages VB5 and VB6 at their bases as the transistors Q5 and Q6 of the first differential pair. This means that the second differential pair is matched (i.e., similar or synchronous to) to the first differential pair Q5, Q6. The emitters of transistors Q5, Q6, Q7 and Q8 are all coupled together. The common emitter node is coupled to the negative supply voltage level GND.

Bei dieser Ausführungsform ist eine Induktivität LFB zwischen dem gemeinsamen Emitterknoten und dem negativen Versorgungsspannungspegel GND gekoppelt. Die hohe Impedanz der Induktivität LFB dient dazu, den Strom I4 zu stabilisieren. In this embodiment, an inductor LFB is coupled between the common emitter node and the negative supply voltage level GND. The high impedance of the inductance LFB serves to stabilize the current I4.

Die Kollektoren der Transistoren Q7, Q8 der zweiten differenziellen Stufe sind zusammengekoppelt und über den Referenzwiderstand REF2 an den Versorgungsspannungspegel VSUP gekoppelt. Die Kollektoren sind auch an einen positiven Eingang eines Operationsverstärkers OP1 gekoppelt. Der negative Eingang des Operationsverstärkers OP1 ist an einen weiteren Referenzwiderstand REF1 und an die Stromquelle ISET gekoppelt. Der Ausgang des Operationsverstärkers OP1 ist an den Knoten VCM gekoppelt. Der Knoten VCM kann als Versorgungsspannungsknoten des differenziellen Paars der Eingangsstufe betrachtet werden. Der Spannungspegel am Knoten VCM wird jedoch durch ein Referenzsignal IREF von der Ausgangsstufe gesteuert. Das Referenzsignal ist der Kollektorstrom des zweiten differenziellen Paars Q7, Q8 der Ausgangsstufe.The collectors of the second differential stage transistors Q7, Q8 are coupled together and coupled to the supply voltage level VSUP via the reference resistor REF2. The collectors are also coupled to a positive input of an operational amplifier OP1. The negative input of the operational amplifier OP1 is coupled to a further reference resistor REF1 and to the current source ISET. The output of the operational amplifier OP1 is coupled to the node VCM. The node VCM can be considered as the supply voltage node of the differential pair of the input stage. However, the voltage level at the node VCM is controlled by a reference signal IREF from the output stage. The reference signal is the collector current of the second differential pair Q7, Q8 of the output stage.

Aufgrund der Regelschleife kann die Stromquelle ISET zur Bestimmung des maximalen Betrags des Stroms IOUT verwendet werden. Der Betrag von ISET bestimmt den Spannungspegel am negativen Eingang des Operationsverstärkers OP1. Eine Erhöhung des Betrags des Stroms ISET senkt den Spannungspegel am negativen Eingangsknoten von OP1. Da der Operationsverstärker OP1 versucht, seine differenzielle Eingangsspannung bei 0 zu halten (lediglich idealerweise), muss IREF erhöht werden. Somit steigt die Ausgangsspannung VCM des Operationsverstärkers OP1, und der Gleichtaktspannungspegel von VIN2 und VIN3 steigt. Dadurch wird der maximale Betrag des Stroms IOUT (und auch IREF) erhöht. Wenn ISET verringert wird, sinkt der maximale Betrag des Stroms IOUT.Due to the control loop, the current source ISET can be used to determine the maximum amount of current IOUT. The amount of ISET determines the voltage level at the negative input of the operational amplifier OP1. Increasing the magnitude of the current ISET lowers the voltage level at the negative input node of OP1. Since operational amplifier OP1 attempts to keep its differential input voltage at 0 (ideally only), IREF must be increased. Thus, the output voltage VCM of the operational amplifier OP1 increases, and the common-mode voltage level of VIN2 and VIN3 increases. This increases the maximum amount of current IOUT (and also IREF). When ISET is reduced, the maximum amount of current I OUT decreases.

Eine weitere Regelschleife ist zum Einstellen des Spannungspegels am Kollektor des Transistors Q5 des ersten differenziellen Paars der Ausgangsstufe implementiert. Da das differenzielle Paar keine Stromquelle zur Bestimmung des maximalen Stroms durch differenzielle Paare der Ausgangsstufe aufweist, sollte der Spannungspegel am Kollektor von Q5 dem Spannungspegel am Kollektor des anderen Transistors Q6 des differenziellen Paars entsprechen. Somit ist ein Spannungsfolger mit einem Operationsverstärker OP2 und einem MOSFET-Transistor M1 zwischen dem Kollektor des Transistors Q6 und dem Kollektor des Transistors Q5 gekoppelt. Der Operationsverstärker OP2 empfängt an seinem positiven Eingang den Spannungspegel am Ausgangsknoten OUT (d. h. dem Knoten zwischen der Last LD und dem Kollektor von Q6, der als Ausgangsknoten betrachtet werden kann, an den die Last zu koppeln ist). Der negative Eingang des Operationsverstärkers OP2 ist an den Kollektor von Q5 und an den Source-Anschluss von M1 gekoppelt. Der Operationsverstärker OP2 versorgt den Gate-Anschluss des MOSFET M1 mit einer Steuerspannung, wodurch sichergestellt ist, dass der positive und der negative Eingangsknoten von OP2 im Wesentlichen den gleichen Spannungspegel haben. Das bedeutet, dass der Kollektor von Q5 im Wesentlichen den gleichen Spannungspegel hat wie der Kollektor des Transistors Q6.Another control loop is implemented to adjust the voltage level at the collector of transistor Q5 of the first differential pair of the output stage. Since the differential pair has no current source for determining the maximum current through differential pairs of the output stage, the voltage level at the collector of Q5 should correspond to the voltage level at the collector of the other transistor Q6 of the differential pair. Thus, a voltage follower is coupled to an operational amplifier OP2 and a MOSFET transistor M1 between the collector of the transistor Q6 and the collector of the transistor Q5. The operational amplifier OP2 receives at its positive input the voltage level at the output node OUT (i.e., the node between the load LD and the collector of Q6, which may be considered as an output node to which the load is to be coupled). The negative input of operational amplifier OP2 is coupled to the collector of Q5 and to the source of M1. The operational amplifier OP2 supplies the gate terminal of the MOSFET M1 with a control voltage, thereby ensuring that the positive and negative input nodes of OP2 have substantially the same voltage level. This means that the collector of Q5 has substantially the same voltage level as the collector of transistor Q6.

Die externe Induktivität LFB wird dazu verwendet, die Stromquelle auf Transistorbasis zur Verringerung der Spannungsreserve, die zur Erzeugung des Ausgangsstufe-Ausgangsstroms I4 benötigt wird, zu ersetzen. Der Vorteil der Verwendung einer Induktivität statt eines Widerstands als Ersatz für die Stromquelle auf Transistorbasis liegt in der hohen Impedanz der Induktivität LFB bei hohen Frequenzen. Dies führt zu einem konstanten Strom I4 bezogen auf die hochfrequente Welligkeit, die am gemeinsamen Emitterknoten VE der Transistoren Q5, Q6 vorliegen kann. Dies verbessert die Jitterperformance des Ausgangstreibers, da I4 eine verringerte Welligkeit hat.The external inductor LFB is used to replace the transistor based current source to reduce the voltage margin needed to produce the output stage output current I4. The advantage of using an inductor instead of a resistor as a substitute for the transistor-based power source is the high impedance of the inductor LFB at high frequencies. This results in a constant current I4 related to the high frequency ripple that may be present at the common emitter node VE of the transistors Q5, Q6. This improves the jitter performance of the output driver since I4 has reduced ripple.

Die vorgeschlagene Schaltungstopologie ist jedoch nicht auf die Verwendung einer externen Induktivität LFB beschränkt. Bei einer veränderten Ausführungsform kann der gemeinsame Emitterknoten VE direkt an die negative Versorgungsspannungsleitung GND gekoppelt sein.However, the proposed circuit topology is not limited to the use of an external inductance LFB. In an alternate embodiment, the common emitter node VE may be coupled directly to the negative supply voltage line GND.

Da die Reihenwiderstände von im Handel erhältlichen Induktivitäten (z. B. Ferritperlen) weit unter 2 Ω liegen kann, überschreitet die Gleichtaktspannung VE nicht 60 mV (2 Ω·30 mA = 60 mV) für Ausgangsströme I4 bis zu 30 mA. Somit beträgt die Basisspannung von Q5, Q6, Q7 und Q8 weniger als 900 mV. Unter der Annahme einer Mindestversorgungsspannung VSUP von 2,9 V und einem maximalen Spannungsabfall VDROP von 2,1 V lautet die Basis-Kollektorspannung VBC6 des Transistors Q6 wie folgt: VBC6 = VB6 – (VSUP – VDROP) = 0,9 V – (2,9 V – 2,1 V) = 0,1 V. Since the series resistances of commercially available inductors (eg, ferrite beads) can be well below 2Ω, the common mode voltage VE does not exceed 60mV (2Ω · 30mA = 60mV) for output currents I4 up to 30mA. Thus, the base voltage of Q5, Q6, Q7 and Q8 is less than 900 mV. Assuming a minimum supply voltage VSUP of 2.9V and a maximum voltage drop VDROP of 2.1V, the base collector voltage VBC6 of transistor Q6 is as follows: VBC6 = VB6 - (VSUP - VDROP) = 0.9V - (2.9V - 2.1V) = 0.1V.

Somit wird der Transistor Q6 außerhalb seines Sättigungsmodus betrieben (VBC6 < 0,3 V), und es kann eine verbesserte Performance hinsichtlich Ausgangsstrom-Flankengeschwindigkeit und Jitter sichergestellt werden.Thus, the transistor Q6 is operated out of its saturation mode (VBC6 <0.3V) and improved performance in terms of output edge speed and jitter can be ensured.

Bei dieser Ausführungsform kann die Gleichtaktspannung VB5, VB6 des differenziellen Paars Q5, Q6 (die dem Gleichtaktspannungspegel von VIN3 entspricht) vorteilhafterweise so gesteuert sein, dass der gewünschte Ausgangstrom I4 erzeugt wird. Dies kann erfolgen, indem der Strom IREF mit den Transistoren Q7 und Q8 erfasst wird. Der Strom IREF ist vorteilhaft lediglich ein Bruchteil des Ausgangsstroms I4. Das Verhältnis zwischen dem Referenzstrom und dem Ausgangsstrom I4 kann bei 1/(n + 1) eingestellt sein. Der Faktor n ist durch die relative Größe der Transistoren Q5 und Q6 bezogen auf die Transistoren Q7 und Q8 definiert. In 1 ist dies mit A und n mal A angegeben. Der Parameter A kann der Emitterbereich der Transistoren Q7 und Q8 sein. Die Transistoren Q5, Q6 können dann das n-fache des Emitterbereichs von Q7 und Q8 haben. Der erfasste Strom IREF erzeugt einen Spannungsabfall am Widerstand RREF2, der in den nicht-invertierten Eingang des Operationsverstärkers OP1 eingespeist wird. Der invertierte Eingang von OP1 wird durch einen Spannungsabfall am Widerstand RREF1 gesteuert, der von einem Strom ISET erzeugt wird. Der Operationsverstärker OP1 steuert die Spannung bei VCM, der wiederum die Gleichtaktspannung VB5, VB6 (Gleichtaktspannungspegel von VIN3) bestimmt, die eine direkte Funktion von VCM ist. Somit wird der Gleichtaktspannungspegel von VIIN3 mit ISET so gesteuert, dass IREF ISET entspricht, wenn die Widerstandswerte von RREF1 und RREF2 gleich sind. Das bedeutet, dass der maximale Betrag des Ausgangstreiber-Ausgangsstroms I4 durch Einstellen von ISET gesteuert werden kann. Der maximale Ausgangsstrom IOOUTMAX kann dann wie folgt definiert sein: IOUTMAX = n/(1 + n)·I4, oder mit anderen Worten: IOUTMAX = n·ISET. In this embodiment, the common mode voltage VB5, VB6 of the differential pair Q5, Q6 (corresponding to the common mode voltage level of VIN3) may be advantageously controlled to produce the desired output current I4. This can be done by detecting the current IREF with the transistors Q7 and Q8. The current IREF is advantageous only a fraction of the output current I4. The ratio between the reference current and the output current I4 may be set at 1 / (n + 1). The factor n is defined by the relative size of the transistors Q5 and Q6 with respect to the transistors Q7 and Q8. In 1 this is indicated by A and n times A. The parameter A may be the emitter region of the transistors Q7 and Q8. Transistors Q5, Q6 may then be n times the emitter area of Q7 and Q8. The detected current IREF produces a voltage drop across the resistor RREF2, which is fed to the non-inverted input of the operational amplifier OP1. The inverted input of OP1 is controlled by a voltage drop across resistor RREF1 generated by a current ISET. The operational amplifier OP1 controls the voltage at VCM, which in turn determines the common mode voltage VB5, VB6 (common mode voltage level of VIN3), which is a direct function of VCM. Thus, the common mode voltage level of VIIN3 is controlled with ISET so that IREF equals ISET when the resistance values of RREF1 and RREF2 are equal. This means that the maximum amount of the output driver output current I4 can be controlled by setting ISET. The maximum output current IOOUTMAX can then be defined as follows: IOUTMAX = n / (1 + n) * I4, or in other words IOUTMAX = n · ISET.

Der Durchschnittsstrom IOUTAVG des Ausgangs ist dann wie folgt definiert: IOUTAVG = n/(1 + n)·I4/2 IOUTAVG = n·ISET/2 The average current IOUTAVG of the output is then defined as follows: IOUTAVG = n / (1 + n) * I4 / 2 IOUTAVG = n · ISET / 2

Darüber hinaus wird der Operationsverstärker OP2 dazu verwendet, den Kollektor von Q5 so zu steuern, dass er die gleiche Arbeitsspannung wie der Kollektor von Q6 hat, um die Transistoren des differenziellen Paars des Ausgangstreibers in einem ausgeglichenen Betriebsmodus zu halten.Moreover, the operational amplifier OP2 is used to control the collector of Q5 to have the same working voltage as the collector of Q6 to keep the transistors of the differential pair of the output driver in a balanced mode of operation.

Die elektronische Vorrichtung 1 kann eine integrierte Halbleiterschaltung sein, wie mit gestrichelten und durchgezogenen Linien angegeben ist. Die Induktivität LBF sowie die Last LD (lichtemittierende Halbleitervorrichtung) kann eine externe Komponente sein. Die elektronische Vorrichtung kann jedoch auch die Induktivität LBF, die Last LD und/oder viele weitere Komponenten und/oder Vorrichtungen umfassen. Die elektronische Vorrichtung 1 muss nicht auf eine bloße integrierte Schaltung beschränkt sein, sondern kann auch als beliebige Kombination aus integrierten und externen Komponenten betrachtet werden.The electronic device 1 may be a semiconductor integrated circuit as indicated by dashed and solid lines. The inductance LBF and the load LD (semiconductor light-emitting device) may be an external component. However, the electronic device may also include the inductor LBF, the load LD, and / or many other components and / or devices. The electronic device 1 need not be limited to a mere integrated circuit, but may also be considered as any combination of integrated and external components.

2 zeigt ein vereinfachtes Schaltbild einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Die meisten Teile und Komponenten des Schaltbilds aus 2 sind denen aus 1 ähnlich und haben die gleichen Funktionen und Eigenschaften. Die Ausführungsform aus 2 bezieht sich auf einen weiteren Aspekt der Erfindung. Bei optischen Kommunikationssystemen ist es häufig erforderlich, das Extinktionsverhältnis ER zu steuern. Das Extinktionsverhältnis ER sollte weiterhin im Betrieb konstant beibehalten werden. Das elektrische Extinktionsverhältnis ist wie folgt definiert: ER = IONE/IZERO wobei IONS der Strom des logisch '1'-Pegels (logisch hoch) und IZERO der Strom des logisch '0'-Pegels (logisch niedrig) ist. ER ist infinit, wenn die Ausgangsstufe komplett abgeschaltet werden kann. IONS entspricht dann IOUTMAX, und IZERO entspricht 0. Die vorliegende Ausführungsform bezieht sich auf ein Konzept, das das Einstellen des gewünschten Extinktionsverhältnisses und dessen Steuerung mit der Eingangsspannungsschwankung VIN1 ermöglicht. 2 shows a simplified circuit diagram of an electronic device according to another embodiment of the invention. Most parts and components of the schematic are out 2 are those out 1 similar and have the same features and properties. The embodiment of 2 refers to a further aspect of the invention. In optical communication systems, it is often necessary to control the extinction ratio ER. The extinction ratio ER should continue to be maintained constant during operation. The electrical extinction ratio is defined as follows: ER = IONE / IZERO where IONS is the logic of the logic '1' level (logic high) and IZERO is the logic of the logic '0' level (logic low). ER is infinite when the output stage can be completely turned off. IONS then corresponds to IOUTMAX, and IZERO corresponds to 0. The present embodiment relates to a concept that allows setting the desired extinction ratio and controlling it with the input voltage swing VIN1.

Bei dieser Ausführungsform sind die Widerstände RL1 und RL2, die in 1 gezeigt sind, durch die Transistoren Q9 und Q10 ersetzt. Die Transistoren Q9, Q10 sind als Dioden gekoppelt, d. h. die Basisanschlüsse sind an die entsprechenden Kollektoren jedes Transistors Q9 und Q10 gekoppelt. Das bedeutet, dass das differenzielle Paar der Eingangsstufe Transistor- oder Diodenlasten hat. Darüber hinaus sind zusätzliche Degenerationswiderstände RE1 und RE2 zum differenziellen Paar Q1, Q2 addiert (zwischen den Emittern und der Stromquelle I1 gekoppelt). Die Eingangsspannung VIN1 wird durch die Transistordioden Q9 und Q10 linear in die Ströme IQ9 und IQ10 umgewandelt, was zu einer vorverzerrten Spannung VIN2 führt, die in die Emitterfolger Q3 und Q4 eingespeist wird. Die Emitterfolger Q3 und Q4 dienen dazu, eine Arbeitspegelverschiebung zu erzeugen, die für den Ausgangstreiber benötigt wird. Dies führt auch zu einer Treiberstufe mit geringer Impedanz für die Spannung VIN3. Die Spannung VIN3 hat den gleichen vorverzerrten Signalverlauf wie die Spannung VIN2. Aufgrund der vorverzerrten Beschaffenheit von VIN3 sind die Ausgangsströme IQ5 und IOUT des differenziellen Paars Q5, Q6 lineare Funktionen der Ströme IQ9 und IQ10. Somit sind die Ströme IQ5 und IOUT auch lineare Funktionen der Eingangsstufe VIN1 des Vortreibers. Somit wirkt die Vortreiberschaltung mit Q1, Q2, I1, Q9, Q10, Q3, Q4 in Kombination mit dem differenziellen Ausgangspaar Q5, Q6 als translineare Stufe.In this embodiment, the resistors RL1 and RL2 are those in 1 are replaced by the transistors Q9 and Q10. The transistors Q9, Q10 are coupled as diodes, ie the base terminals are coupled to the respective collectors of each transistor Q9 and Q10. This means that the differential pair of the input stage has transistor or diode loads. In addition, additional degeneration resistors RE1 and RE2 are added to the differential pair Q1, Q2 (coupled between the emitters and the current source I1). The input voltage VIN1 is linearly converted into the currents IQ9 and IQ10 by the transistor diodes Q9 and Q10, resulting in a predistorted voltage VIN2 which is fed to the emitter followers Q3 and Q4. The emitter followers Q3 and Q4 serve to produce a working level shift needed for the output driver. This also leads to a driver stage with low impedance for the voltage VIN3. The voltage VIN3 has the same predistorted waveform as the voltage VIN2. Due to the predistorted nature of VIN3, the output currents IQ5 and IOUT of the differential pair Q5, Q6 are linear functions of currents IQ9 and IQ10. Thus, the currents IQ5 and IOUT are also linear functions of the input stage VIN1 of the pre-driver. Thus, the predriver circuit with Q1, Q2, I1, Q9, Q10, Q3, Q4 in combination with the differential output pair Q5, Q6 acts as a translinear stage.

Während der Durchschnittswert des Ausgangsstroms IOUTAVG weiterhin durch den Ausgangstreiber-Ausgangsstrom I4 gesteuert wird (und somit von ISET eingestellt wird), werden der maximale und minimale Ausgangsstromwert durch die Schwankung von IOUT bestimmt und somit durch die Schwankung von VIN1 gesteuert. Das Halten der Eingangsschwankung von VIN1 bei einem konstanten Wert führt zu einem konstanten ER, das von dem Durchschnittswert IOUTAVG des Ausgangsstroms IOUT unabhängig ist, der durch ISET eingestellt wird.While the average value of the output current IOUTAVG continues to be controlled by the output driver output current I4 (and thus set by ISET), the maximum and minimum output current values are determined by the fluctuation of IOUT and thus controlled by the variation of VIN1. Maintaining the input fluctuation of VIN1 at a constant value results in a constant ER that is independent of the average value IOUTAVG of the output current IOUT set by ISET.

Die Erfindung wurde im Vorhergehenden zwar anhand einer besonderen Ausführungsform beschrieben, sie ist jedoch nicht auf diese Ausführungsform beschränkt, und der Fachmann wird zweifellos weitere Alternativen finden, die im Umfang der Erfindung, wie sie beansprucht ist, liegen.Although the invention has been described in the foregoing with reference to a particular embodiment, it is not limited to this embodiment, and the skilled artisan will undoubtedly find other alternatives which are within the scope of the invention as claimed.

Claims (5)

Elektronische Vorrichtung (1) zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (LD), wobei die elektronische Vorrichtung Folgendes aufweist: eine Eingangsstufe, um ein Treibereingangssignal zu empfangen, und eine Ausgangsstufe, die an die Eingangsstufe gekoppelt ist, wobei die Ausgangsstufe ein erstes differenziell gesteuertes Transistor-Paar (Q5, Q6) aufweist, das mit einer ersten Seite an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (LD) zu koppeln und so ausgebildet ist, dass es in Reaktion auf das Treibereingangssignal einen Strom durch die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (LD) steuert, wobei die Ausgangsstufe ferner ein Referenzsignal bereitstellen kann, das in einer geschlossenen Regelschleife zur Steuerung eines Spannungspegels der Eingangsstufe zu verwenden ist, und ein zweites differenziell gesteuertes Transistor-Paar (Q7, Q8) aufweist, das so ausgeführt ist, dass es in Übereinstimmung mit dem ersten differenziell gesteuerten Transistor-Paar (Q5, Q6) arbeitet und das Referenzsignal bereitstellt.Electronic device ( 1 ) for driving a semiconductor light-emitting device (LD), the electronic device comprising: an input stage for receiving a driver input signal and an output stage coupled to the input stage, the output stage comprising a first differentially controlled transistor pair (Q5, Q6) having a first side coupled to the semiconductor light emitting device (LD) and configured to drive a current through the semiconductor light emitting device (LD) in response to the driver input signal, the output stage further being capable of providing a reference signal, which is to be used in a closed loop for controlling a voltage level of the input stage, and a second differentially controlled transistor pair (Q7, Q8) which is designed to operate in accordance with the first differential controlled transistor pair (Q5, Q6) works and the reference signal provides. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner einen Spannungsfolger (OP2) aufweist, der an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (LD) und an eine zweite Seite des ersten differenziell gesteuerten Transistor-Paars (Q5, Q6) gekoppelt ist, um die gleichen Spannungspegel an der ersten Seite und an der zweiten Seite des ersten differenziell gesteuerten Transistor-Paars (Q5, Q6) herzustellen.The electronic device of claim 1, further comprising a voltage follower (OP2) coupled to the semiconductor light emitting device (LD) and to a second side of the first differential controlled transistor pair (Q5, Q6) to provide the same voltage levels at the first Side and on the second side of the first differential controlled transistor pair (Q5, Q6). Elektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Eingangsstufe ein differenziell gesteuertes Transistor-Paar mit Transistorlasten (Q9, Q10) aufweist.An electronic device according to any one of the preceding claims, wherein the input stage comprises a differential controlled transistor pair with transistor loads (Q9, Q10). Elektronische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das erste differenziell gesteuerte Transistor-Paar (Q5, Q6) über eine Induktivität (I4) an Masse oder an einen negativen Versorgungsspannungspegel gekoppelt ist.An electronic device according to any one of the preceding claims, wherein the first differentially controlled transistor pair (Q5, Q6) is coupled to ground or to a negative supply voltage level via an inductor (I4). Verfahren zur Ansteuerung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (LD), wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Empfangen einer Treibereingangsspannung an einer Eingangsstufe; Steuern eines Ausgangsstroms durch die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (LD) in Reaktion auf das Treibereingangssignal und außerdem Steuern des Ausgangsstroms durch Einstellen eines Versorgungsspannungspegels der Eingangsstufe, wobei zum Einstellen des Versorgungsspannungspegels der Eingangsstufe ein Referenzsignal verwendet wird, das mittels eines zweiten differenziell gesteuerten Transistors-Paars (Q7, Q8) erzeugt wird, das in Übereinstimmung mit einem ersten differenziell gesteuerten Transistor-Paar (Q5, Q6) arbeitet welches an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung (LD) gekoppelt ist.A method of driving a semiconductor light-emitting device (LD), the method comprising: receiving a driver input voltage at an input stage; Controlling an output current through the semiconductor light emitting device (LD) in response to the driver input signal and further controlling the output current by adjusting a supply voltage level of the input stage, using a reference signal to adjust the supply voltage level of the input stage, which is supplied by a second differential controlled transistor pair (Q7 , Q8) which operates in accordance with a first differential controlled transistor pair (Q5, Q6) which is coupled to the semiconductor light emitting device (LD).
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