DE102009012091A1 - Optical arrangement i.e. extreme UV lithography system, has screen arranged in vacuum housing, and comprising guide surface for guiding trapped atomic hydrogen in direction of optical surface - Google Patents

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Abstract

The arrangement has a vacuum housing (2) in which an optical element (8) i.e. mirror, with an optical surface (8a) is arranged. A cleaning unit (18) adjusts cleaning-gas stream (19) on the optical surface, where the gas stream contains atomic hydrogen. A hydrogen trap arranged in the housing has a trapping surface for trapping atomic hydrogen not impinging on the optical surface. A screen is arranged in the housing, and comprises a guide surface for guiding the trapped atomic hydrogen in direction of the optical surface. An independent claim is also included for a method for cleaning an optical surface.

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Die Erfindung betrifft eine optische Anordnung, insbesondere eine EUV-Lithographieanlage, mit: einem Vakuum-Gehäuse, in dem mindestens ein optisches Element mit einer optischen Oberfläche angeordnet ist, sowie mindestens einer Reinigungseinheit zum Ausrichten eines atomaren Wasserstoff enthaltenden Reinigungs-Gasstrahls auf die optische Oberfläche. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche, die an einem optischen Element gebildet ist, das in einem Vakuum-Gehäuse bevorzugt in einer EUV-Lithographieanlage angeordnet ist, umfassend: In Kontakt bringen der optischen Oberfläche mit einem atomaren Wasserstoff enthaltenden Reinigungs-Gasstrahl.The The invention relates to an optical arrangement, in particular an EUV lithography system, with: a vacuum housing in which at least one optical Element is arranged with an optical surface, and at least one cleaning unit for aligning an atomic Hydrogen-containing cleaning gas jet on the optical Surface. The invention also relates to a method for Cleaning an optical surface attached to an optical Element is formed, which is preferred in a vacuum housing an EUV lithography system, comprising: in contact bring the optical surface with an atomic hydrogen containing cleaning gas jet.

Auf den optischen Oberflächen von optischen Elementen, insbesondere von Mehrlagen-Spiegeln, die in EUV-Lithographieanlagen verwendet werden, lagern sich nach und nach beim Betrieb kontaminierende Stoffe ab. Diese entstehen z. B. durch Reaktion von in der Vakuum-Umgebung der optischen Oberflächen befindlichen Gasen mit der EUV-Strahlung zu schwerflüchtigen Feststoffen. So kann sich bei der Bestrahlung auf Grund von in der Umgebung der optischen Oberflächen vorhandenen gasförmigen Kohlenwasserstoffen z. B. eine Kohlenstoff-Schicht auf den Oberflächen anlagern, die mit zunehmender Bestrahlungsdauer immer stärker anwächst.On the optical surfaces of optical elements, in particular of multilayer mirrors used in EUV lithography equipment become contaminated by the use of contaminants from. These arise z. B. by reaction of in the vacuum environment the optical surfaces of gases with the EUV radiation to low-volatility solids. This can occur during irradiation due to in the vicinity of the optical surfaces existing gaseous hydrocarbons z. Legs Deposit carbon layer on the surfaces with increasing irradiation duration increases more and more.

Die Bildung einer solchen Kontaminationsschicht auf der Oberfläche optischer Elemente ist in hohem Maße unerwünscht, da der sich abscheidende Feststoff in der Regel zu verstärkter Lichtstreuung und Absorption führt, so dass die optische Performance des Gesamtsystems, in dem die optischen Elemente verbaut sind, bezüglich Transmission, Uniformität, Streulicht und Bildfehlern abnimmt. Das Anwachsen einer Kontaminationsschicht aus Kohlenstoff kann verhindert werden, indem der Kohlenstoff von den optischen Oberflächen entfernt wird, wobei sich atomarer Wasserstoff als geeignetes Reinigungsmittel herausgestellt hat. Zum Abbau der Kontaminationen werden die optischen Oberflächen hierbei mit atomarem Wasserstoff, d. h. mit Wasserstoff, der in der Form von Radikalen (H·) bzw. Ionen (H+/H2 +) vorliegt oder der angeregte Elektronenzustände (H*) aufweist, in Kontakt gebracht, wodurch der Kohlenstoff in leichtflüchtige Kohlenwasserstoffe wie Methan umgewandelt werden kann. Ein solches Verfahren ist beispielsweise aus der WO 2004/104707 A2 bekannt geworden, in der zum Reinigen einer optischen Komponente vorgeschlagen wird, über eine Zuführungseinrichtung einen Reaktionspartner in eine Vakuum-Umgebung einzulassen, der mit einer kontaminierenden Substanz zum Zwecke von deren Beseitigung chemisch reagiert. Als Reaktionspartner kann eine wasserstoffhaltige Substanz verwendet werden, die durch Bestrahlen oder mit einer zusätzlichen Anregungseinrichtung in Radikale umgewandelt wird.The formation of such a contamination layer on the surface of optical elements is highly undesirable, since the precipitated solid usually leads to increased light scattering and absorption, so that the optical performance of the entire system in which the optical elements are installed, with respect to transmission, Uniformity, stray light and image defects decreases. The growth of a carbon contaminant layer can be prevented by removing the carbon from the optical surfaces, with atomic hydrogen proving to be a suitable cleaning agent. To reduce the contaminations, the optical surfaces in this case with atomic hydrogen, ie with hydrogen, which is in the form of radicals (H ·) or ions (H + / H 2 + ) or the excited electronic states (H *), in Contact, whereby the carbon can be converted into volatile hydrocarbons such as methane. Such a method is for example from the WO 2004/104707 A2 has become known in which is proposed for cleaning an optical component, via a feed device to engage a reactant in a vacuum environment that reacts chemically with a contaminating substance for the purpose of their elimination. As a reactant, a hydrogen-containing substance can be used, which is converted into radicals by irradiation or with an additional excitation device.

Trotz der guten Eignung von atomarem Wasserstoff zur Reinigung optischer Elemente tritt beim Einsatz dieser Substanz folgendes Problem auf: Durch den atomaren Wasserstoff können Feststoff-Verbindungen, die insbesondere Zinn, Zink, Indium oder Schwefel enthalten und sich an in der Vakuum-Umgebung vorgesehenen Baugruppen, bspw. an Lötstellen, ausbilden, durch Reduktion zu leichfflüchtigen Hydriden umgewandelt werden. Diese Hydrid-Verbindungen können sich auf Teilen der zu reinigenden optischen Oberfläche ablagern und lassen sich nicht mehr von dieser entfernen, was zu einem dauerhaften Reflexionsverlust führt. Die an der optischen Oberfläche angelagerten Metall-Verbindungen stellen somit den die Lebensdauer der optischen Oberflächen limitierenden Faktor dar.In spite of the good suitability of atomic hydrogen for cleaning optical Elements has the following problem when using this substance: Atomic hydrogen can produce solid compounds, which in particular contain tin, zinc, indium or sulfur and to be provided in the vacuum environment assemblies, for example Soldering, training, by reduction to leichtfffflüchtigen Hydrides are converted. These hydride compounds can deposit on parts of the optical surface to be cleaned and can not be removed from this, resulting in a permanent Loss of reflection leads. The at the optical surface accumulated metal compounds thus provide the life the optical surfaces limiting factor.

In der US 61/054,946 der Anmelderin wird vorgeschlagen, zum Schutz der optischen Oberflächen vor durch den atomaren Wasserstoff erzeugten metallischen Verbindungen eine zumindest ein Monomer eines Kohlenwasserstoffs, insbesondere Methyl-Metacrylat, enthaltende Restgasatmosphäre in der Vakuum-Umgebung zu erzeugen, sowie die Kontaminationen von der optischen Oberfläche durch den atomaren Wasserstoff zu entfernen, wobei gleichzeitig das Monomer zur Ausbildung einer polymerisierten Schutzschicht an der optischen Oberfläche angelagert wird.In the US 61 / 054,946 The Applicant proposes, to protect the optical surfaces from metallic compounds produced by the atomic hydrogen, to produce a residual gas atmosphere in the vacuum environment containing at least one monomer of a hydrocarbon, in particular methyl methacrylate, and the contaminations from the optical surface through the atomic Hydrogen to remove, while the monomer is deposited to form a polymerized protective layer on the optical surface.

Aus der PCT/EP2007/009593 der Anmelderin ist es bekannt, zur Vermeidung der oben beschriebenen Wasserstoff-induzierten Ausgas-Produkte (sog. „hydrogen-induced outgassing products”, HIO) ein gepulstes Reinigungs-Verfahren mit atomarem Wasserstoff durchzuführen, bei dem die Zeitdauer der Reinigungspulse und die Zeitdauer zwischen den Reinigungspulsen so aufeinander abgestimmt werden, dass die Erzeugung von HIO-Produkten unterbunden werden kann.From the PCT / EP2007 / 009593 In order to avoid the above-described hydrogen-induced outgassing products (so-called "hydrogen-induced outgassing products", HIO), it is known to the Applicant to carry out a pulsed cleaning method with atomic hydrogen, in which the duration of the cleaning pulses and the time between The cleaning pulses are coordinated so that the production of HIO products can be prevented.

Aus der WO 2008/034582 der Anmelderin ist es bekannt, in einem Vakuum-Gehäuse einen Reinigungskopf zur Erzeugung eines Reinigungs-Gasstrahls aus atomarem Wasserstoff vorzusehen, der auf eine zur reinigende optische Oberfläche gerichtet wird. Um zu verhindern, dass der atomare Wasserstoff an der Gehäusewand zu molekularem Wasserstoff rekombiniert, bevor er die optische Oberfläche erreicht, kann die Innenwand des Vakuum-Gehäuses aus einem Material bestehen bzw. mit einem Material beschichtet werden, das eine niedrige Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff aufweist. Bei diesem Material kann es sich z. B. um eine glasartige Substanz, insbesondere um Quarzglas, handeln. Ferner wird in der WO 2008/034582 vorgeschlagen, innerhalb des Vakuum-Gehäuses nur Materialien vorzusehen, die gegenüber dem Reinigungsgas inert sind, d. h. die beim Kontakt mit dem Reinigungsgas keine kontaminierenden Stoffe ausgasen, die sich an der optischen Oberfläche anlagern können. Als gegenüber atomarem Wasserstoff inerte Stoffe werden neben Quarzglas Stähle genannt, die keinen Anteil an Zink, Zinn, Mangan, Natrium, Phosphor oder Schwefel haben. Allerdings hat es sich in der Praxis als schwierig herausgestellt, in der Vakuum-Umgebung auf Materialien, die insbesondere Zinn oder Zink enthalten, vollständig zu verzichten, da diese in der Regel an Lötstellen (Lötzinn) oder für optische Komponenten (Zerodur) benötigt werden.From the WO 2008/034582 The applicant is known to provide in a vacuum housing, a cleaning head for generating a cleaning gas jet of atomic hydrogen, which is based on a is directed to the cleaning optical surface. In order to prevent the atomic hydrogen recombined on the housing wall to molecular hydrogen before it reaches the optical surface, the inner wall of the vacuum housing can be made of a material or coated with a material having a low recombination rate for atomic hydrogen , This material may be z. Example, a glassy substance, in particular quartz glass, act. Furthermore, in the WO 2008/034582 proposed to provide only materials within the vacuum housing, which are inert to the cleaning gas, ie the outgas on contact with the cleaning gas no contaminants that can attach to the optical surface. Substances which are inert to atomic hydrogen are, in addition to quartz glass, steels which have no content of zinc, tin, manganese, sodium, phosphorus or sulfur. However, in practice, it has proven difficult in practice to completely dispense with materials, in particular tin or zinc, in the vacuum environment, since these are generally required at solder joints (solder) or for optical components (Zerodur).

In der US 2006/0216912 A1 werden Verfahren zum Herstellen eines Getter-Materials für kontaminierende Stoffe wie Lithium oder Zinn an der Oberfläche eines optischen Elements für EUV-Wellenlängen beschrieben. Bei den Verfahren wird die Oberfläche zunächst strukturiert und nachfolgend ein Getter-Material für die kontaminierenden Stoffe in der strukturierten Oberfläche gebildet. Das Getter-Material kann in Gräben in der Oberfläche eingebracht werden und z. B. aus Kohlenstoff, Kupfer oder Nickel bestehen. Alternativ können als Getter-Material Nanoröhren zum Einsatz kommen.In the US 2006/0216912 A1 For example, methods of making a getter material for contaminants such as lithium or tin on the surface of an EUV wavelength optical element are described. In the methods, the surface is first patterned and subsequently a getter material is formed for the contaminants in the structured surface. The getter material can be introduced into trenches in the surface and z. B. made of carbon, copper or nickel. Alternatively, nanotubes can be used as the getter material.

Aufgabe der ErfindungObject of the invention

Aufgabe der Erfindung ist es, eine optische Anordnung und ein Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche bereitzustellen, mit deren Hilfe Kontaminationen von optischen Oberflächen mittels atomarem Wasserstoff entfernt werden können, wobei gleichzeitig das Ablagern von durch den atomaren Wasserstoff gebildeten Verunreinigungen auf der optischen Oberfläche vermieden oder zumindest stark reduziert werden kann.task The invention is an optical assembly and a method to provide for cleaning an optical surface, with their help contamination of optical surfaces can be removed by means of atomic hydrogen, wherein at the same time depositing atomic hydrogen Impurities on the optical surface avoided or at least greatly reduced.

Gegenstand der ErfindungSubject of the invention

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine optische Anordnung der eingangs genannten Art, bei der in dem Vakuum-Gehäuse eine Wasserstoff-Falle mit mindestens einer Einfangfläche zum Einfangen von nicht auf die optische Oberfläche auftreffendem atomarem Wasserstoff des Reinigungs-Gasstrahls und/oder mindestens eine Abschirmung mit einer Führungsfläche zum Führen von nicht auf die optische Oberfläche auftreffendem atomarem Wasserstoff des Reinigungs-Gasstrahls in Richtung auf die optische Oberfläche angeordnet ist.These The object is achieved by an optical arrangement of the above mentioned type, in which in the vacuum housing a hydrogen trap with at least one capture surface for trapping atomic hydrogen impinging on the optical surface the cleaning gas jet and / or at least one shield with a guide surface for not leading atomic hydrogen impinging on the optical surface of the cleaning gas jet toward the optical surface is arranged.

Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, den Teil des atomaren Wasserstoffs des Reinigungs-Gasstrahls, der nicht auf die optische Oberfläche auftrifft, einzufangen und/oder zur optischen Oberfläche zu führen. Auf diese Weise kann die Ausbreitung des atomaren Wasserstoffs auf die Umgebung der optischen Oberfläche beschränkt werden, so dass dieser nicht mit Komponenten in Berührung kommen kann, die aus Materialien bestehen bzw. mit Materialien beschichtet sind, die HIO-Produkte ausgasen könnten. Insbesondere können hierbei innerhalb der Abschirmung nur Materialien angeordnet werden, die gegenüber atomarem Wasserstoff inert sind, d. h. nur Materialien, die beim Kontakt mit atomarem Wasserstoff keine kontaminierenden Stoffe ausgasen.According to the invention proposed the part of the atomic hydrogen of the cleaning gas jet, that does not hit the optical surface and / or to guide the optical surface. On this way, the spread of atomic hydrogen on the Limited to the optical surface area, so that it does not come into contact with components can be made of materials or coated with materials that could outgas HIO products. In particular, you can in this case only materials are arranged within the shield, which are inert to atomic hydrogen, d. H. just Materials that do not contaminate when in contact with atomic hydrogen outgas.

Bei einer vorteilhaften Ausführungsform ist die Einfangfläche der Wasserstoff-Falle an dem optischen Element benachbart zur optischen Oberfläche gebildet und umschließt die optische Oberfläche bevorzugt ringförmig. Wenn die gesamte optische Oberfläche mit Hilfe von atomarem Wasserstoff gereinigt werden soll, trifft in der Regel ein Teil des atomaren Wasserstoffs auch benachbart zur optischen Oberfläche auf das optische Element auf. An der Einfangfläche kann in diesem Fall der atomare Wasserstoff in molekularen Wasserstoff umgewandelt werden. Molekularer Wasserstoff geht in der Regel mit den Materialien der Komponenten in der Umgebung des optischen Elements keine chemischen Reaktionen ein, die zur flüchtigen Hydridbildung führt.at an advantageous embodiment is the capture surface the hydrogen trap on the optical element adjacent to the optical Surface formed and encloses the optical Surface preferably annular. If the whole optical surface with the help of atomic hydrogen should be cleaned, usually meets a part of the atomic Hydrogen also adjacent to the optical surface the optical element. At the capture area can in In this case, the atomic hydrogen is converted into molecular hydrogen become. Molecular hydrogen usually goes with the materials the components in the environment of the optical element no chemical Reactions that leads to volatile hydride formation.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Einfangfläche an einer Beschichtung gebildet, die mindestens ein Material mit einer hohen Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff aufweist. Auf diese Weise kann der atomare Wasserstoff auf besonders einfache Weise in molekularen Wasserstoff umgewandelt werden. Von allen zur Verfügung stehenden Materialien weist Platin die größte Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff auf. Im Sinne dieser Anmeldung wird unter einer hohen Rekombinationsrate eine Rekombinationsrate verstanden, die bei mindestens 5% der Rekombinationsrate von atomarem Wasserstoff auf Platin liegt. In einer vorteilhaften Weiterbildung ist das Material der Beschichtung ausgewählt aus der Gruppe umfassend: Platin (Pt), Titan (Ti), Nickel (Ni), Ruthenium (Ru), Kupfer (Cu), Palladium (Pd), Wolfram (W). Diese Materialien haben eine besonders hohe Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff (siehe hierzu Tabelle 1 weiter unten). Es versteht sich, dass auch andere als die oben genannten Materialien als Beschichtungsmaterialien verwendet werden.In a preferred embodiment, the capture surface is formed on a coating comprising at least one material having a high rate of recombination for atomic hydrogen. In this way, the atomic hydrogen can be converted in a particularly simple manner in molecular hydrogen. Of all available materials, platinum has the largest recombination rate for atomic hydrogen. For the purposes of this application, a high recombination rate is understood as meaning a recombination rate which is at least 5% of the recombination rate of atomic hydrogen to platinum. In an advantageous development, the material of the coating is selected from the group comprising: Platinum (Pt), Titanium (Ti), Nickel (Ni), Ruthenium (Ru), Copper (Cu), Palladium (Pd), Tungsten (W). These materials have a particularly high recombination rate for atomic hydrogen (see Table 1 below). It is understood that materials other than those mentioned above are also used as coating materials.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist die Einfangfläche der Wasserstoff-Falle bevorzugt durch Gräben, Rillen, Tunnel, Hohlräume oder Öffnungen strukturiert. Durch die Strukturierung der Einfangfläche wird deren Oberfläche erhöht. Die Strukturen können hierbei insbesondere so ausgeformt werden, dass der atomare Wasserstoff des Reinigungs-Gasstrahls mehrmals mit der Einfangfläche in Berührung kommt, z. B. wenn dieser in einen engen Tunnel bzw. eine Rille der Einfangfläche eintritt. Da bei jedem Kontakt des atomaren Wasserstoffs mit der Einfangfläche die Wahrscheinlichkeit steigt, dass der atomare Wasserstoff zu molekularem Wasserstoff rekombiniert, kann allein durch eine geeignete Strukturierung der Einfangfläche der atomare Wasserstoff im Bereich der optischen Oberfläche gehalten werden. Es versteht sich aber, dass ggf. die Strukturen, insbesondere wenn sie als Vertiefungen ausgebildet sind, ganz bzw. teilweise mit einem Material gefüllt werden können, das eine hohe Rekombinationsrate mit atomarem Wasserstoff aufweist, wobei das verwendete Material und die Strukturen so aufeinander abgestimmt werden können, dass sich im Mittel die Anzahl der zur Rekombination benötigten Stöße einstellt. Zur Strukturierung der Einfangfläche bzw. zum Einbringen von Materialien mit hoher Rekombinationsrate können die Verfahren zum Einsatz kommen, die in der eingangs genannten US 2006/0216912 A1 beschrieben sind, welche diesbezüglich durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.In an advantageous embodiment, the capture surface of the hydrogen trap is preferably structured by trenches, grooves, tunnels, cavities or openings. The structuring of the capture surface increases its surface area. In this case, the structures can in particular be formed so that the atomic hydrogen of the cleaning gas jet comes into contact with the capture surface several times, eg. B. when it enters a narrow tunnel or a groove of the capture surface. Since with each contact of the atomic hydrogen with the capture surface increases the probability that the atomic hydrogen recombined into molecular hydrogen, just by a suitable structuring of the capture surface of the atomic hydrogen can be kept in the optical surface area. It is understood, however, that possibly the structures, in particular if they are formed as depressions, can be completely or partially filled with a material which has a high recombination rate with atomic hydrogen, the material used and the structures being coordinated with one another can, that sets on average the number of shocks required for recombination. For structuring the capture surface or for introducing materials with a high recombination rate, the methods can be used, which in the aforementioned US 2006/0216912 A1 described in this regard by reference to the content of this application.

Bevorzugt ist die strukturierte Einfangfläche der Wasserstoff-Falle mit einer Beschichtung versehen, die aus mindestens einem Material mit einer hohen Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff gebildet ist. Durch die Strukturierung nimmt die Oberfläche, an der die Beschichtung aufgebracht werden kann, gegenüber einer nicht strukturierten Einfangfläche zu, so dass der Einfang des atomaren Wasserstoffs besonders effektiv erfolgen kann.Prefers is the structured capture surface of the hydrogen trap provided with a coating consisting of at least one material with a high rate of recombination for atomic hydrogen is formed. By structuring, the surface decreases, where the coating can be applied to one unstructured capture area too, so the capture atomic hydrogen can be particularly effective.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist die Führungsfläche der Abschirmung aus einem Material mit einer niedrigen Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff gebildet, um zu verhindern, dass ein zu großer Anteil des atomaren Wasserstoffs an der Führungsfläche rekombiniert. Hierdurch kann gewährleistet werden, dass die Führungsfläche ihre Funktion erfüllt, den nicht auf die optische Oberfläche auftreffenden atomaren Wasserstoff zur optischen Oberfläche umzulenken, damit ein möglichst hoher Anteil der aus der Reinigungseinrichtung austretenden atomaren Wasserstoffs zur Reinigung der optischen Oberfläche beitragen kann. Unter einer niedrigen Rekombinationsrate wird hierbei eine Rekombinationsrate verstanden, die fünf Promille oder weniger bezogen auf die Rekombinationsrate von atomarem Wasserstoff auf Platin beträgt.In An advantageous embodiment is the guide surface the shield of a material with a low recombination rate formed for atomic hydrogen, to prevent too much of the atomic hydrogen at the guide surface recombined. This can ensure that the guide surface fulfills its function, the non-incident on the optical surface atomic hydrogen to deflect the optical surface, so that as possible high proportion of emerging from the cleaning device atomic Hydrogen contribute to the cleaning of the optical surface can. Under a low recombination rate here is a Recombination rate understood, the five per thousand or less based on the recombination rate of atomic hydrogen Platinum is.

Bevorzugt ist das Material der Führungsfläche ausgewählt aus der Gruppe umfassend: Kaliumchlorid (KCl), Quarzglas (SiO2), Silizium (Si). Diese Materialien weisen eine besonders niedrige Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff auf. In der nachfolgenden Tabelle 1 sind verschiedene Materialien mit ihren Rekombinationsraten in Bezug auf die Rekombinationsrate von atomarem Wasserstoff auf Platin aufgelistet: Material Rekombinationswahrscheinlichkeit (bezogen auf Platin) Phosphorsäure 2,00E–06 KOH 2,00E–06 Metaphosphorsäure 2,00E–05 KCl 2,00E–05 TEFLON 4,00E–04 Quarzglas ~6,00E–04 Quarz (bei Raumtemp.) ~7,00E–04 Si ~1,00E–03 Si3N4 ~1,00E–03 Quarz (bei 300–500°C) 3,00E–03 PYREX 4,00E–03 Sn 3,00E–02 K2CO3 > 5,00E–02 W 6,00E–02 K2SiO3 7,00E–02 Natriumphosphat 7,00E–02 Pd 8,00E–02 Cu 1,00E–01 Ru ~1,00E–01 Ni 2,00E–01 Al2O3 3,30E–01 Ti 4,00E–01 ZnO, Cr2O3 6,00E–01 Pt 1,00E+00 Tabelle 1 The material of the guide surface is preferably selected from the group comprising: potassium chloride (KCl), quartz glass (SiO 2 ), silicon (Si). These materials have a particularly low recombination rate for atomic hydrogen. Table 1 below lists various materials with their recombination rates in relation to the recombination rate of atomic hydrogen to platinum: material Recombination probability (relative to platinum) phosphoric acid 2.00E-06 KOH 2.00E-06 metaphosphoric 2.00E-05 KCl 2.00E-05 TEFLON 4.00E-04 quartz glass ~ 6.00E-04 Quartz (at room temp.) ~ 7,00E-04 Si ~ 1.00E-03 Si 3 N 4 ~ 1.00E-03 Quartz (at 300-500 ° C) 3.00E-03 PYREX 4.00E-03 sn 3.00E-02 K 2 CO 3 > 5.00E-02 W 6.00E-02 K 2 SiO 3 7,00E-02 sodium phosphate 7,00E-02 Pd 8,00E-02 Cu 1.00E-01 Ru ~ 1.00E-01 Ni 2.00E-01 Al 2 O 3 3,30E-01 Ti 4.00E-01 ZnO, Cr 2 O 3 6.00E-01 Pt 1.00E + 00 Table 1

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform weist die Führungsfläche der Abschirmung mindestens einen zur optischen Oberfläche geneigten Teilbereich auf, wobei insbesondere auch die gesamte Führungsfläche zur optischen Oberfläche geneigt sein kann. Der zur optischen Oberfläche geneigte Teilbereich bzw. die gesamte Führungsfläche kann hierbei so angeordnet sein, dass sie den Reinigungs-Gasstrahl zumindest teilweise übergreift.In a further advantageous embodiment, the Guide surface of the shield at least one to the optical surface inclined portion on, wherein In particular, the entire guide surface for optical surface can be inclined. The to the optical Surface inclined portion or the entire guide surface may be arranged so that it the cleaning gas jet at least partially overlaps.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist die Abschirmung auf dem optischen Element angeordnet und umschließt bevorzugt die optische Oberfläche zumindest in einem der Reinigungseinheit gegenüberliegenden Bereich. Um die optische Oberfläche möglichst vollständig mit dem Reinigungs-Gasstrahl zu überdecken, ist die Reinigungseinheit, die in der Regel als Reinigungskopf ausgebildet ist, typischer Weise unter einem Winkel zur optischen Oberfläche ausgerichtet sowie zur optischen Oberfläche versetzt angeordnet. Die Abschirmung ist in diesem Fall zumindest in einem dem Reinigungskopf gegenüber liegenden Bereich angebracht, um den über die optische Oberfläche hinaus reichenden Teil des Reinigungs-Gasstroms zur optischen Oberfläche zurückzulenken. Die Abschirmung kann hierbei in Form eines Kragens bzw. zaunartig ausgebildet sein und insbesondere die optische Oberfläche ringförmig umschließen, wobei die Abschirmung typischer Weise den offenen Bereich zwischen der optischen Oberfläche und dem Strahlengang abdeckt.In An advantageous embodiment is the shield arranged on the optical element and preferably encloses the optical surface at least in one of the cleaning unit opposite area. To the optical surface as completely as possible with the cleaning gas jet to cover, is the cleaning unit, which is usually is designed as a cleaning head, typically under a Angle aligned with the optical surface and the arranged offset optical surface. The shield is in this case at least in a cleaning head opposite lying area to the over the optical area Surface also reaching part of the cleaning gas stream to deflect back to the optical surface. The shield may in this case be in the form of a collar or fence-like and in particular the optical surface annular enclose, wherein the shield typically the open area between the optical surface and the Beam path covers.

Bevorzugt ist die Reinigungseinheit unter einem Winkel zur optischen Oberfläche ausgerichtet und zur optischen Oberfläche versetzt angeordnet, um einen möglichst großen Kontaktbereich zwischen dem Reinigungs-Gasstrahl und der optischen Oberfläche zu erzeugen. Auf diese Weise kann insbesondere mit dem Reinigungs- Gasstrahl einer einzigen Reinigungseinheit die gesamte optische Oberfläche überdeckt werden. Es versteht sich aber, dass auch zwei oder mehr Reinigungsköpfe im Bereich der optischen Oberfläche vorgesehen werden können, die bevorzugt symmetrisch um die optische Oberfläche angeordnet sind.Prefers the cleaning unit is at an angle to the optical surface aligned and arranged offset to the optical surface, to the largest possible contact area between the cleaning gas jet and the optical surface produce. In this way, in particular with the cleaning gas jet a single cleaning unit covers the entire optical surface become. It is understood, however, that even two or more cleaning heads can be provided in the area of the optical surface, which is preferably arranged symmetrically about the optical surface are.

Die Erfindung ist auch verwirklicht in einem Verfahren der eingangs genannten Art zum Reinigen einer optischen Oberfläche, bei dem nicht auf die optische Oberfläche auftreffender atomarer Wasserstoff des Reinigungs-Gasstrahls an mindestens einer Einfangfläche einer Wasserstoff-Falle eingefangen und/oder an mindestens einer Führungsfläche einer Abschirmung in Richtung auf die optische Oberfläche geführt wird. Hierdurch kann verhindert werden, dass der atomare Wasserstoff die unmittelbare Umgebung der optischen Oberfläche verlässt, so dass dieser nicht auf Komponenten treffen kann, welche durch den Kontakt mit atomarem Wasserstoff ggf. kontaminierende Substanzen ausgasen könnten.The Invention is also realized in a method of the beginning mentioned type for cleaning an optical surface, in which not incident on the optical surface atomic hydrogen of the cleaning gas jet at least one Captured capture area of a hydrogen trap and / or on at least one guide surface of a shield guided in the direction of the optical surface becomes. This can prevent the atomic hydrogen leaves the immediate vicinity of the optical surface, so that this can not hit on components, which through the contact with atomic hydrogen possibly contaminating substances could outgas.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.Further Features and advantages of the invention will become apparent from the following Description of embodiments of the invention, based the figures of the drawing, the essential to the invention details show, and from the claims. The individual characteristics can each individually for themselves or to several in any combination realized in a variant of the invention be.

Zeichnungdrawing

Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigen:embodiments are shown in the schematic drawing and are in the explained below description. Show it:

1 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer EUV-Lithographieanlage mit einem Reinigungskopf zur Wasserstoff-Reinigung an einem optischen Element, 1 a schematic representation of an embodiment of an EUV lithography system with a cleaning head for hydrogen purification on an optical element,

2a, b eine schematische Darstellung einer Ausführung des optischen Elements von 1 in einem Schnitt und in einer Draufsicht, 2a , b is a schematic representation of an embodiment of the optical element of 1 in a section and in a plan view,

3a, b eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführung des optischen Elements von 1 in einem Schnitt sowie in einer Draufsicht. 3a , b is a schematic representation of another embodiment of the optical element of 1 in a section and in a plan view.

In 1 ist schematisch eine EUV-Lithographieanlage 1 gezeigt, welche aus einem Strahlformungssystem 2, einem Beleuchtungssystem 3 und einem Projektionssystem 4 besteht, die in separaten Vakuum-Gehäusen untergebracht und aufeinander folgend in einem von einer EUV-Lichtquelle 5 des Strahlformungssystems 2 ausgehenden Strahlengang 6 angeordnet sind. Als EUV-Lichtquelle 5 kann beispielsweise eine Plasmaquelle oder ein Synchrotron dienen. Die austretende Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen ca. 5 nm und ca. 20 nm wird zunächst in einem Kollimator 7 gebündelt. Mit Hilfe eines nachfolgenden Monochromators 8 wird durch Variation des Einfallswinkels, wie durch einen Doppelpfeil angedeutet, die gewünschte Betriebswellenlänge herausgefiltert. Im genannten Wellenlängenbereich sind der Kollimator 7 und der Monochromator 8 üblicherweise als reflektive optische Elemente ausgebildet, wobei zumindest der Monochromator 8 an seiner optischen Oberfläche kein Mehrfachschichtsystem aufweist, um einen möglichst breitbandigen Wellenlängenbereich zu reflektieren.In 1 is schematically an EUV lithography system 1 shown which from a beam-forming system 2 , a lighting system 3 and a projection system 4 which is housed in separate vacuum housings and consecutively in one of an EUV light source 5 of the beam-forming system 2 outgoing beam path 6 are arranged. As an EUV light source 5 For example, a plasma source or a synchrotron can serve. The emerging radiation in the wavelength range between about 5 nm and about 20 nm is first in a collimator 7 bundled. With the help of a subsequent monochromator 8th is filtered out by varying the angle of incidence, as indicated by a double arrow, the desired operating wavelength. In the aforementioned wavelength range are the collimator 7 and the monochromator 8th Usually designed as reflective optical elements, wherein at least the monochromator 8th does not have a multi-layer system on its optical surface in order to reflect the broadest possible wavelength range.

Der im Strahlformungssystem 2 im Hinblick auf Wellenlänge und räumliche Verteilung behandelte Strahlung wird in das Beleuchtungssystem 3 eingeführt, welches ein erstes und zweites reflektives optisches Element 9, 10 aufweist. Die beiden reflektiven optischen Elemente 9, 10 leiten die Strahlung auf eine Photomaske 11 als weiterem reflektiven optischen Element, welche eine Struktur aufweist, die mittels des Projektionssystems 4 in verkleinertem Maßstab auf einen Wafer 12 abgebildet wird. Hierzu sind im Projektionssystem 4 ein drittes und viertes reflektives optisches Element 13, 14 vorgesehen. Die reflektiven optischen Elemente 9, 10, 11, 12, 13, 14 weisen jeweils eine optische Oberfläche 9a, 10a, 11a, 12a, 13a, 14a auf, die im Strahlengang 6 der EUV-Lithographieanlage 1 angeordnet ist.The in the beam-forming system 2 radiation treated in terms of wavelength and spatial distribution is introduced into the lighting system 3 introduced, which a first and second reflective optical element 9 . 10 having. The two reflective optical elements 9 . 10 direct the radiation onto a photomask 11 as another reflective optical element having a structure formed by the projection system 4 on a smaller scale on a wafer 12 is shown. These are in the projection system 4 a third and fourth reflective optical element 13 . 14 intended. The reflective optical elements 9 . 10 . 11 . 12 . 13 . 14 each have an optical surface 9a . 10a . 11a . 12a . 13a . 14a on, in the beam path 6 the EUV lithography system 1 is arranged.

Wie in 1 zu erkennen ist, ist an dem zweiten optischen Element 10 des Beleuchtungssystems 3 eine Reinigungseinheit in Form eines Reinigungskopfs 18 zum Ausrichten eines atomaren Wasserstoff H* enthaltenden Reinigungs-Gasstrahls 19 auf die optische Oberfläche 10a des optischen Elements 10 vorgesehen. Das optische Element 10 ist in 2a, b im Detail gezeigt und weist ein Substrat 20 auf, auf dem ein Mehrfachschicht-System 21 gebildet ist, welches alternierende Schichten aus Molybdän und Silizium aufweist, deren Dicken derart aufeinander abgestimmt sind, dass sich bei der Betriebswellenlänge des EUV-Lithographiesystems 1 von ca. 13,5 nm eine möglichst hohe Reflektivität einstellt. Die optische Oberfläche 10a ist an der Oberseite des Mehrfachschicht-Systems 21 gebildet und weist Kohlenstoff-Kontaminationen 22 auf, die mit Hilfe des atomaren Wasserstoffs H* des Reinigungs-Gasstrahls 19 während des Belichtungsbetriebes oder in einer Ruhepause von der optischen Oberfläche 10a entfernt werden. Benachbart zum Mehrfach-Schichtsystem 21 ist auf dem Substrat 20 eine Wasserstoff-Falle in Form einer Beschichtung 23 aufgebracht, die aus einem Material bzw. aus einer Kombination von Materialien besteht, die eine hohe Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff aufweisen, so dass an der als Einfangfläche 23a dienenden Oberfläche der Beschichtung 23 der atomare Wasserstoff H* in molekularen Wasserstoff umgewandelt werden kann. Das Beschichtungsmaterial kann hierbei insbesondere ausgewählt sein aus der Gruppe umfassend: Platin (Pt), Titan (Ti), Nickel (Ni), Ruthenium (Ru), Kupfer (Cu), Palladium (Pd) und Wolfram (W), die jeweils den erforderlichen hohe Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff aufweisen.As in 1 can be seen, is on the second optical element 10 of the lighting system 3 a cleaning unit in the form of a cleaning head 18 for aligning a cleaning gas jet containing atomic hydrogen H * 19 on the optical surface 10a of the optical element 10 intended. The optical element 10 is in 2a , b shown in detail and has a substrate 20 on top of which a multi-layer system 21 is formed, which has alternating layers of molybdenum and silicon whose thicknesses are matched to one another such that at the operating wavelength of the EUV lithography system 1 of about 13.5 nm sets the highest possible reflectivity. The optical surface 10a is at the top of the multi-layer system 21 formed and has carbon contaminants 22 on, with the help of the atomic hydrogen H * of the cleaning gas jet 19 during the exposure mode or during a break from the optical surface 10a be removed. Adjacent to the multi-layer system 21 is on the substrate 20 a hydrogen trap in the form of a coating 23 applied, which consists of a material or a combination of materials which have a high rate of recombination for atomic hydrogen, so that at the trapping 23a serving surface of the coating 23 the atomic hydrogen H * can be converted into molecular hydrogen. The coating material may in this case in particular be selected from the group comprising: platinum (Pt), titanium (Ti), nickel (Ni), ruthenium (Ru), copper (Cu), palladium (Pd) and tungsten (W), each of which required high recombination rate for atomic hydrogen.

Der Reinigungskopf 18 ist unter einem Winkel α von ca. 30° bezüglich der optischen Oberfläche 10a ausgerichtet und versetzt zu dieser angeordnet, um eine vollständige Überdeckung der optischen Oberfläche 10a mit dem Reinigungs-Gasstrahl 19 zu erreichen, wie in 2a zu erkennen ist. Dem Reinigungskopf 18 wird molekularer Wasserstoff zugeführt, der an einem Heizelement, beispielsweise einem Heizdraht (nicht gezeigt) bei Temperaturen von ca. 2400°C in atomaren Wasserstoff gespalten wird. Es versteht sich, dass der atomare Wasserstoff H* auch auf andere Weise erzeugt werden kann, z. B. durch Bestrahlung.The cleaning head 18 is at an angle α of about 30 ° with respect to the optical surface 10a aligned and offset to this, to ensure complete coverage of the optical surface 10a with the cleaning gas jet 19 to reach, as in 2a can be seen. The cleaning head 18 Molecular hydrogen is supplied, which is cleaved on a heating element, for example a heating wire (not shown) at temperatures of about 2400 ° C in atomic hydrogen. It is understood that the atomic hydrogen H * can also be generated in other ways, eg. B. by irradiation.

Benachbart zur Beschichtung 23 ist auf dem Substrat 20 an der dem Reinigungskopf 18 gegenüber liegenden Seite eine kragenförmige Abschirmung 24 angebracht. Die Abschirmung 24 weist an der zur optischen Oberfläche 10a gewandten Seite eine Führungsfläche 24a zum Führen von nicht auf die optische Oberfläche 10a auftreffendem atomarem Wasserstoff H* des Reinigungs-Gasstrahls 19 in Richtung auf die optische Oberfläche 10a auf. Die Führungsfläche 24a setzt sich hierbei aus einem im Wesentlichen senkrecht zur optischen Oberfläche 10a verlaufenden ersten Abschnitt 25a und einem zweiten, zur optischen Oberfläche 10a hin geneigten Teilbereich 25b zusammen, welcher den Reinigungs-Gasstrahl 19 übergreift. Die Abschirmung 24 ist zumindest im Bereich der Führungsfläche 24a aus einem Material gebildet, welches eine niedrige Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff aufweist, z. B. aus Kaliumchlorid (KCl), Quarzglas (SiO2) oder Silizium (Si) bzw. aus Legierungen oder Mischungen dieser Materialien.Adjacent to the coating 23 is on the substrate 20 at the cleaning head 18 opposite side a collar-shaped shield 24 appropriate. The shield 24 points to the optical surface 10a facing side a guide surface 24a for not leading to the optical surface 10a impinging atomic hydrogen H * of the purification gas jet 19 towards the optical surface 10a on. The guide surface 24a is made up of a substantially perpendicular to the optical surface 10a extending first section 25a and a second, to the optical surface 10a inclined portion 25b together, which the cleaning gas jet 19 overlaps. The shield 24 is at least in the area of the guiding surface 24a formed from a material having a low atomic hydrogen recombination rate, e.g. Example of potassium chloride (KCl), quartz glass (SiO 2 ) or silicon (Si) or from alloys or mixtures of these materials.

Auf der Oberfläche 20a des Substrats 20 verläuft die Abschirmung in einem in 2b gezeigten Bereich an der dem Reinigungskopf 18 gegenüber liegenden Seite der optischen Oberfläche 10a, um eine Begrenzung des Reinigungs-Gasstrahls 19 auf den Bereich der optischen Oberfläche 10a zu bewirken. Es versteht sich, dass die Abschirmung alternativ den Bereich der optischen Oberfläche 10a vollständig umschließen kann, insbesondere dann, wenn zwei oder mehr Reinigungsköpfe vorgesehen sind, um mehrere Reinigungs-Gasstrahlen auf die optische Oberfläche 10a auszurichten.On the surface 20a of the substrate 20 the shield runs in an in 2 B shown area at the cleaning head 18 opposite side of the optical surface 10a to limit the cleaning gas jet 19 on the area of the optical surface 10a to effect. It is understood that the shield alternatively the area of the optical surface 10a completely enclosing, in particular, when two or more cleaning heads are provided to a plurality of cleaning gas jets on the optical surface 10a align.

3a, b zeigen eine alternative Ausgestaltung des optischen Elements 10 von 1, die sich im Wesentlichen von der in 2a, b gezeigten Ausgestaltung dadurch unterscheidet, dass in dem Substrat 20 ein Graben 25 gebildet ist, welcher die optische Oberfläche 10a benachbart zu dieser umgibt. Der Graben 25 dient der Strukturierung der Oberfläche 20a des Substrats 20, die im Bereich des Grabens 25 als Einfangfläche für den atomaren Wasserstoff H* dient. Zur Erleichterung des Einfangens des atomaren Wasserstoffs H* ist sowohl am Boden des Grabens 25 als auch benachbart zum Graben 25 eine Beschichtung 23 aufgebracht, deren Oberflächen 23a, 23b ebenfalls als Einfangflächen für den atomaren Wasserstoff H* dienen. 3a , b show an alternative embodiment of the optical element 10 from 1 , which essentially differ from the one in 2a , b embodiment differs in that in the substrate 20 a ditch 25 is formed, which is the optical surface 10a adjacent to this surrounds. The ditch 25 serves the structuring of the surface 20a of the substrate 20 in the area of the ditch 25 serves as a capture surface for the atomic hydrogen H *. To facilitate the capture of the atomic hydrogen H * is both at the bottom of the trench 25 as well as adjacent to the ditch 25 a coating 23 applied, their surfaces 23a . 23b also serve as capture surfaces for the atomic hydrogen H *.

Ferner weist die Abschirmung 24 im in 3a gezeigten Beispiel eine Führungsfläche 24a auf, die im Gegensatz zur 2a nicht in zwei Teilbereiche 25a, 25b aufgeteilt ist, sondern durchgehend konkav zur optischen Oberfläche 10a hin gekrümmt ist. Die Abschirmung 24 bzw. die Führungsfläche 24a übergreift ebenfalls den Reinigungs-Gasstrahl 19, um den atomaren Wasserstoff H* auf die optische Oberfläche 10a zu führen.Furthermore, the shield has 24 in the 3a shown example, a guide surface 24a on, in contrast to 2a not in two parts 25a . 25b is divided, but continuously concave to the optical surface 10a is curved. The shield 24 or the guide surface 24a also covers the cleaning gas jet 19 to the atomic hydrogen H * on the optical surface 10a respectively.

Es versteht sich, dass an Steile der relativ einfachen Strukturierung der Substrat-Oberfläche 20a mittels eines einzelnen Grabens auch komplexere Strukturierungen vorgesehen werden können, z. B. Rillen, Tunnel, Hohlräume oder Öffnungen, die nicht zwingend regelmäßig über die Oberfläche 20a des Substrats 20 verteilt sein müssen. Insbesondere können in diesen Strukturen auch Materialien vorgesehen werden, welche eine hohe Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff aufweisen. Insbesondere kann es sich hierbei um poröse Materialien handeln. Auch versteht es sich, dass nicht nur das optische Element 10 selbst, sondern auch ggf. benachbart zu diesem angeordnete Komponenten mit einer Abschirmung und/oder einer Wasserstoff-Falle mit Einfangfläche versehen werden können, um den atomaren Wasserstoff H* des Reinigungs-Gasstrahls 19 im Bereich der optischen Oberfläche 10a zu halten.It is understood that due to the relatively simple structuring of the substrate surface 20a By means of a single trench also more complex structuring can be provided, for. As grooves, tunnels, cavities or openings that are not necessarily regularly over the surface 20a of the substrate 20 have to be distributed. In particular, materials can also be provided in these structures which have a high rate of recombination for atomic hydrogen. In particular, these may be porous materials. Also it goes without saying that not only the optical element 10 itself, but also possibly adjacent to this arranged components with a shield and / or a hydrogen trap can be provided with capture surface to the atomic hydrogen H * of the cleaning gas jet 19 in the area of the optical surface 10a to keep.

In jedem Fall kann auf die oben beschriebene Weise erreicht werden, dass der atomare Wasserstoff nicht in Kontakt mit Komponenten kommt, die HIO-Produkte ausgasen können, so dass das Ablagern von durch den atomaren Wasserstoff gebildeten Verunreinigungen auf der optischen Oberfläche vermieden werden kann und eine effektive Entfernung von Kontaminationen mit Hilfe von atomarem Wasserstoff durchgeführt werden kann.In each case can be achieved in the manner described above, that the atomic hydrogen does not come in contact with components, the HIO products can outgas so that the depositing of impurities formed by atomic hydrogen the optical surface can be avoided and a effective removal of contaminants using atomic Hydrogen can be carried out.

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Claims (12)

Optische Anordnung, insbesondere EUV-Lithographieanlage (1), mit: einem Vakuum-Gehäuse (2, 3, 4), in dem mindestens ein optisches Element (8, 9, 10, 11, 13, 14) mit einer optischen Oberfläche (8a, 9a, 10a, 11a, 13a, 14a) angeordnet ist, sowie mindestens einer Reinigungseinheit (18) zum Ausrichten eines atomaren Wasserstoff (H*) enthaltenden Reinigungs-Gasstrahls (19) auf die optische Oberfläche (10a), dadurch gekennzeichnet, dass in dem Vakuum-Gehäuse (3) eine Wasserstoff-Falle (20, 23) mit mindestens einer Einfangfläche (20a, 23a, 23b) zum Einfangen von nicht auf die optische Oberfläche (10a) auftreffendem atomarem Wasserstoff (H*) des Reinigungs-Gasstrahls (19) und/oder mindestens eine Abschirmung (24) mit einer Führungsfläche (24a) zum Führen von nicht auf die optische Oberfläche (10a) auftreffendem atomarem Wasserstoff (H*) des Reinigungs-Gasstrahls (19) in Richtung auf die optische Oberfläche (10a) angeordnet ist.Optical arrangement, in particular EUV lithography system ( 1 ), with: a vacuum housing ( 2 . 3 . 4 ), in which at least one optical element ( 8th . 9 . 10 . 11 . 13 . 14 ) with an optical surface ( 8a . 9a . 10a . 11a . 13a . 14a ), and at least one cleaning unit ( 18 ) for aligning a cleaning gas jet containing atomic hydrogen (H *) ( 19 ) on the optical surface ( 10a ), characterized in that in the vacuum housing ( 3 ) a hydrogen trap ( 20 . 23 ) with at least one capture surface ( 20a . 23a . 23b ) for not catching on the optical surface ( 10a ) impinging atomic hydrogen (H *) of the cleaning gas jet ( 19 ) and / or at least one shield ( 24 ) with a guide surface ( 24a ) for not guiding on the optical surface ( 10a ) impinging atomic hydrogen (H *) of the cleaning gas jet ( 19 ) in the direction of the optical surface ( 10a ) is arranged. Optische Anordnung nach Anspruch 1, bei der die Einfangfläche (23a, 23b) der Wasserstoff-Falle (23) an dem optischen Element (10) benachbart zur optischen Oberfläche (10a) gebildet ist und die optische Oberfläche (10a) bevorzugt ringförmig umschließt.An optical arrangement according to claim 1, wherein the capture surface ( 23a . 23b ) the hydrogen trap ( 23 ) on the optical element ( 10 ) adjacent to the optical surface ( 10a ) and the optical surface ( 10a ) preferably surrounds annular. Optische Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Einfangfläche (23a) an einer Beschichtung (23) gebildet ist, die mindestens ein Material mit einer hohen Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff aufweist.Optical arrangement according to Claim 1 or 2, in which the capture surface ( 23a ) on a coating ( 23 ) having at least one material having a high atomic hydrogen recombination rate. Optische Anordnung nach Anspruch 3, bei der das Material der Beschichtung (23) ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Platin (Pt), Titan (Ti), Nickel (Ni), Ruthenium (Ru), Kupfer (Cu), Palladium (Pd) und Wolfram (W).An optical arrangement according to claim 3, wherein the material of the coating ( 23 ) is selected from the group comprising: platinum (Pt), titanium (Ti), nickel (Ni), ruthenium (Ru), copper (Cu), palladium (Pd) and tungsten (W). Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Einfangfläche (20a) der Wasserstoff-Falle (20) bevorzugt durch Gräben (25), Rillen, Tunnel, Hohlräume oder Öffnungen strukturiert ist.Optical arrangement according to one of the preceding claims, in which the capture surface ( 20a ) the hydrogen trap ( 20 ) preferably by trenches ( 25 ), Grooves, tunnels, cavities or openings. Optische Anordnung nach Anspruch 5, bei der die strukturierte Einfangfläche (20a) mit einer Beschichtung (23a, 23b) versehen ist, die aus mindestens einem Material mit einer hohen Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff gebildet ist.An optical arrangement according to claim 5, wherein the structured capture surface ( 20a ) with a coating ( 23a . 23b ) formed of at least one material having a high atomic hydrogen recombination rate. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Führungsfläche (24a) der Abschirmung (24) aus einem Material mit einer niedrigen Rekombinationsrate für atomaren Wasserstoff (H*) gebildet ist.Optical arrangement according to one of the preceding claims, in which the guide surface ( 24a ) of the shield ( 24 ) is formed of a material with a low recombination rate for atomic hydrogen (H *). Optische Anordnung nach Anspruch 7, bei der das Material der Führungsfläche (24a) ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend: Kaliumchlorid (KCl), Quarzglas (SiO2) und Silizium (Si).An optical arrangement according to claim 7, wherein the material of the guide surface ( 24a ) is selected from the group comprising: potassium chloride (KCl), fused silica (SiO 2 ) and silicon (Si). Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Führungsfläche (24a) der Abschirmung (24) mindestens einen zur optischen Oberfläche (10a) geneigten Teilbereich (25b) aufweist.Optical arrangement according to one of the preceding claims, in which the guide surface ( 24a ) of the shield ( 24 ) at least one to the optical surface ( 10a ) inclined portion ( 25b ) having. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Abschirmung (24) auf dem optischen Element (10) angeordnet ist und bevorzugt die optische Oberfläche (10a) zumindest in einem der Reinigungseinheit (18) gegenüberliegenden Bereich umschließt.Optical arrangement according to one of the preceding claims, in which the shielding ( 24 ) on the optical element ( 10 ) and preferably the optical surface ( 10a ) at least in one of the cleaning unit ( 18 ) enclosing the opposite area. Optische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der Reinigungskopf (18) unter einem Winkel (α) zur optischen Oberfläche (10a) ausgerichtet und bevorzugt zur optischen Oberfläche (10a) versetzt angeordnet ist.Optical arrangement according to one of the preceding claims, in which the cleaning head ( 18 ) at an angle (α) to the optical surface ( 10a ) and preferably to the optical surface ( 10a ) is arranged offset. Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche (10a), die an einem optischen Element (10) gebildet ist, das in einem Vakuum-Gehäuse (3) bevorzugt in einer EUV-Lithographieanlage (1) angeordnet ist, umfassend: In Kontakt bringen der optischen Oberfläche (10a) mit einem atomaren Wasserstoff (H*) enthaltenden Reinigungs-Gasstrahl (19), dadurch gekennzeichnet, dass nicht auf die optische Oberfläche (10a) auftreffender atomarer Wasserstoff (H*) des Reinigungs-Gasstrahls (19) an mindestens einer Einfangfläche (20a, 23a, 23b) einer Wasserstoff-Falle (20, 23) eingefangen und/oder an einer Führungsfläche (24a) mindestens einer Abschirmung (24) in Richtung auf die optische Oberfläche (10a) geführt wird.Method for cleaning an optical surface ( 10a ) attached to an optical element ( 10 ) formed in a vacuum housing ( 3 ) preferably in an EUV lithography system ( 1 ), comprising: contacting the optical surface ( 10a ) with a cleaning gas jet containing atomic hydrogen (H *) ( 19 ), characterized in that not on the optical surface ( 10a ) impinging atomic hydrogen (H *) of the cleaning gas jet ( 19 ) on at least one capture surface ( 20a . 23a . 23b ) of a hydrogen trap ( 20 . 23 ) and / or on a guide surface ( 24a ) at least one shield ( 24 ) in the direction of the optical upper area ( 10a ) to be led.
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