DE102009010837A1

DE102009010837A1 - Method for inspecting existence of sawing grooves on wafers utilized for manufacturing solar cells, involves evaluating wafer based on images of partial region at short exposure time

Info

Publication number: DE102009010837A1
Application number: DE200910010837
Authority: DE
Inventors: Christoph Dr. Czeranowsky; Michael Dr. Fuss
Original assignee: Basler AG
Current assignee: SEMILAB SEMICONDUCTOR PHYSICS LABORATORY CO.LT, HU
Priority date: 2009-02-28
Filing date: 2009-02-28
Publication date: 2010-09-02

Abstract

The method involves projecting a light line on a wafer (1) by a laser light source, and transporting the wafer on a transport device. The wafer is inspected during continuous transport of the wafer, where the wafer is arranged on the transport device such that sawing grooves (2, 3) are aligned at a right-angle to a transportation direction. A partial region of the wafer is examined such that images of the partial region are recorded using a surface camera. The wafer is evaluated based on each image of the surface camera at short exposure time of 100 microseconds. An independent claim is also included for a device for inspecting existence of sawing grooves on wafers for solar cells.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The The invention relates to a method according to the preamble of Claim 1.

Wafer für Solarzellen weisen mitunter herstellungsbedingt Sägerillen und Sägestufen auf. Sägerillen und Sägestufen entstehen mitunter beim Sägevorgang, während die Wafer aus einem massiven Block gesägt werden. Als Wafer wird in der Halbleiter-, Photovoltaikindustrie und Mikromechanik kreisrunde oder quadratische, etwa 1 mm dicke Scheibe bezeichnet, die als Träger (Substrat) dienen, auf dem elektronische Bauelemente, integrierte Schaltkreise, mikromechanische Bauelemente oder photoelektrische Beschichtungen hergestellt werden können. Hergestellt werden die monokristallinen oder polykristallinen Wafer nach verschiedenen bekannten Verfahren, die im Wesentlichen mehr oder weniger zylinderförmige oder quadratische Ein- oder Polykristalle liefern, die quer zu ihrer Längsachse in Scheiben, die sogenannten Wafer, zersägt werden.wafer For solar cells sometimes have Sägerillen due to production and sawing steps on. Saw blades and saw steps sometimes occur during the sawing process, while the Wafers are sawn off a massive block. As a wafer is used in the semiconductor, photovoltaic industry and micromechanics circular or square disk about 1 mm thick, which serve as a carrier (substrate) on which electronic Components, integrated circuits, micromechanical components or photoelectric coatings can be made. Produced become the monocrystalline or polycrystalline wafer according to different known methods, which are substantially more or less cylindrical or square single or polycrystals that are transverse to their Longitudinal axis in slices, the so-called wafers, sawed become.

Beim Zersägen hervorgerufenen Sägespuren, wie Sägerillen und Sägestufen, werden als ein Mangel erachtet, weshalb Wafer, welche derartige Defekte ab einer gewissen Tiefe aufweisen, aussortiert und nicht in Solarmodule eingebaut. In diesem Zusammenhang sei auf die deutsche Vornorm DIN V VDE V 0126-18-2-4 mit dem Titel „Messung der geometrischen Dimensionen von Siliciumscheiben – Rillen und Stufen” verwiesen, in der die Problematik zusammengefasst und Messparameter festlegt werden.When sawing caused sawing, such as sawing and sawing stages, are considered a deficiency, so wafers that have such defects from a certain depth, sorted out and not installed in solar modules. In this context, be on the German Pre-standard DIN V VDE V 0126-18-2-4 with the title "Measurement of the geometric dimensions of silicon wafers - grooves and steps", in which the problem is summarized and measurement parameters are determined.

Im Stand der Technik sind verschiedene lichtoptische Verfahren bekannt, um räumliche Vermessungen vorzunehmen. Es ist ein Verfahren bekannt, um Objekte in Bewegung zu vermessen. Dabei wird entweder eine Laserlichtlinie oder ein Laserpunkt auf das Objekt projiziert. Das Objekt wird auf einem Fließband unterhalb der Kamera transportiert. Wird eine Linie projiziert, so ist deren Ausrichtung (y-Achse) stets senkrecht zur Transportrichtung (x-Achse). Die Bildaufnahme erfolgt üblicherweise mit einer Zeilenkamera. Durch den Bandtransport erfolgt eine Relativbewegung zwischen der Projektion des Lichtpunktes und der Kamera. Die durch die unterschiedliche Höhen des Objektes (z-Achse) bedingte Verschiebung der projizierten Linie im Kamerabild wird mit den Methoden der Photogrammetrie in räumliche Koordinaten umgerechnet. Bekannt ist das Verfahren beispielsweise aus der US 2005/111009 (A1) mit dem Titel Laser Triangulation System.In the prior art, various light-optical methods are known to make spatial surveys. A method is known for measuring objects in motion. In this case, either a laser light line or a laser spot is projected onto the object. The object is transported on an assembly line underneath the camera. If a line is projected, its orientation (y-axis) is always perpendicular to the transport direction (x-axis). The image is usually taken with a line camera. The tape transport causes a relative movement between the projection of the light spot and the camera. The displacement of the projected line in the camera image due to the different heights of the object (z-axis) is converted into spatial coordinates with the methods of photogrammetry. The method is known for example from the US 2005/111009 (A1) entitled Laser Triangulation System.

Es ist ferner an anderes Verfahren bekannt, bei dem kein Laser zum Einsatz kommt, sondern eine oder mehrere Weislichtquellen genutzt werden. Dieses Verfahren wird bereits zur Detektion von Sägeartefakten auf Wafer genutzt. Auch dieses Verfahren funktioniert nach dem sogenannten Lichtschnitt-Verfahren. Es handelt sich ebenfalls um ein Verfahren, der optischen 3D-Messtechnik. Die mathematische Grundlage dazu liefert ebenfalls die Triangulation. Dabei wird das Höhenprofil eines Wafers anhand einer projizierten Weislichtlinie vermessen. Bei diesem Verfahren wird eine schmale Lichtlinie auf den Wafer projiziert. Der Wafer befindet sich während der Vermessung allerdings in Ruhe, er wird also nicht bewegt. Das Bild der Lichtlinie wird mit einer Kamera oder einer Vielzahl von Kameras erfasst. Das Bild der Kamera wird einer digitalen Bildverarbeitung zugeführt. Mithilfe bekannter Algorithmen werden Unebenheiten der Oberfläche rechnerisch aus dem Bild ermittelt.It is also known to another method in which no laser for Use comes, but one or more Weislichtquellen used become. This method is already used for the detection of sawing artifacts used on wafers. This method also works according to the so-called Light-section method. It is also a procedure that 3D optical metrology. The mathematical basis provides also the triangulation. This is the height profile of a wafer using a projected white light line. In this process, a narrow line of light is projected onto the wafer. The wafer is located during the survey, however in peace, so he is not moved. The image of the light line is captured with a camera or a variety of cameras. The picture The camera is fed to a digital image processing. Using well-known algorithms, unevenness of the surface calculated from the image.

Bezug nehmend auf 1 sei das vorstehend beschriebene Verfahren kurz dargestellt. Die Transportrichtung ist mit x gekennzeichnet. Die Ebene, in welcher der Wafer liegt, spannen gemeinsam die y-Achse und die y-Achse auf. Ein Wafer 12 wird auf einem Band 11 in Richtung x transportiert. Während der Aufnahme wird das Band 11 angehalten. Mittels einer oder mehrerer Weislichtquellen 9 wird der Wafer beleuchtet. Eine Anordnung aus mehreren Kameras 10 nimmt Bilder von dem Wafer auf. Mittels einer zweiten Anordnung von Kameras 10 werden weitere Bilder von dem Wafer angefertigt. Aus den ersten und den zweiten Aufnahmen wird durch Differenzbildung ein Hintergrundbild rechnerisch subtrahiert.Referring to 1 Let us briefly describe the method described above. The transport direction is marked with x. The plane in which the wafer lies tenses together the y-axis and the y-axis. A wafer 12 will be on a tape 11 transported in the direction of x. During recording, the tape becomes 11 stopped. By means of one or more white light sources 9 the wafer is illuminated. An arrangement of several cameras 10 takes pictures of the wafer. By means of a second arrangement of cameras 10 Further images of the wafer are made. From the first and the second pictures, a background picture is mathematically subtracted by subtraction.

Das herkömmliche Lichtschnittverfahren, bei dem eine Laserlinie senkrecht zur Transportrichtung projiziert wird, kann zwar im Prinzip bewegte Objekte vermessen. Jede Vibration wird aber als Höhenänderung der Objektoberfläche interpretiert. Da Sägespuren schon ab einer Tiefe von wenigen Mikrometer bereits zum Aussortieren der Wafer führen, wären extrem hohe Anforderungen an das Transportband zu stellen, um mit dieser Methode während des Transportes derart geringe Höhenunterschiede zuverlässig messen zu können, insbesondere muss sichergestellt sein, dass während des Transportes keine Vibrationen auftreten und der Wafer keine Bewegung in der zum Transportband senkrechten Richtung (z-Achse) die größer als ein Mikrometer ist. Dies ist in der Praxis mit einem angemessenen Aufwand nicht lösbar. Daher wird die bekannte Lasertriangulation nicht zur Bestimmung von Sägeartefakten bei Wafern für Solarzellen eingesetzt.The conventional light-section method in which a laser line can be projected perpendicular to the transport direction, although in principle Measure moving objects. But every vibration is a change in altitude the object surface interpreted. As saw marks already at a depth of a few microns already to sort out leading the wafer would be extremely demanding to put on the conveyor belt, with this method during the transport reliably measure such low height differences In particular, it must be ensured that during transport no vibrations occur and the wafer does not move in the direction perpendicular to the conveyor belt (z-axis) which is larger than a micrometer. This is in the Practice with a reasonable effort not solvable. Therefore the known laser triangulation is not used to determine sawing artifacts used in wafers for solar cells.

Das oben erwähnte System mit Verwendung einer Weißlichtquelle, bei dem eine Lichtlinie parallel zur Transportrichtung des Bandes projiziert wird, macht es aufgrund der im Vergleich zu einem Laser relativ schwachen Beleuchtung erforderlich, für den Zeitpunkt der Kamera-Aufnahme, das Band anzuhalten. Anderenfalls würde es zu Belichtungsartefakten kommen. Das Anhalten des Bandes ist nachteilig für den Ablauf des Produktionsprozesses, da der Transport unterbrochen werden muss. Ferner erfordert das Weislichtverfahren, dass zwei Aufnahmen gemacht werden, um aus den beiden Bildern durch Differenzbildung der Hintergrund, der auf Wafern außerordentlich auffällig ist, abzuziehen. Nachteilig ist, dass zwei Aufnahmen gemacht werden und rechnerisch ein Differenzbild erstellt wird. Diese Aufgaben benötigen zusätzliche Kameras sowie Zeit. Beides erhöht die Kosten der Inspektion. Weiterhin nachteilig ist, dass in der Praxis zahlreiche Kameras verwendet werden. Eine erste Gruppe von Kameras macht eine erste Aufnahmeserie und eine zweite Gruppe von Kameras macht eine zweite Serie von Aufnahmen. Der apparative Aufwand ist hoch.The above-mentioned system using a white light source in which a line of light is projected parallel to the direction of conveyance of the tape makes it necessary to stop the tape at the time of taking the camera because of the relatively weak illumination compared to a laser. Otherwise, exposure artifacts would occur. The stopping of the tape is disadvantageous for the sequence of the production process, since the transport must be interrupted. Further, the white light method requires two images to be taken to subtract from the two images the background that is extremely noticeable on wafers. The disadvantage is that two shots are made and computationally a difference image is created. These tasks require additional cameras as well as time. Both increase the cost of the inspection. Another disadvantage is that numerous cameras are used in practice. A first group of cameras takes a first series of pictures and a second group of cameras takes a second series of pictures. The expenditure on equipment is high.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Inspektion von Wafern für Solarzellen zur Verfügung zu stellen, womit die Vermessung der Tiefe und Breite von Sägerillen und Sägestufen ermöglicht wird und bei einer Höhenauflösung von ungefähr 1 μm und einer Ortsauflösung von ungefähr 10 μm unempfindlich sind gegen Vibrationen, die bei dem Transport der zu inspizierenden Wafer unweigerlich auftreten, sodass die Messung ohne eine Unterbrechung des Transportes möglich ist.task The invention is therefore a method and an apparatus for Inspection of wafers for solar cells available with which the measurement of the depth and width of Sägerillen and Sägestufen is possible and at a height resolution of about 1 μm and a spatial resolution of about 10 μm are insensitive to vibrations, which inevitably occur during the transport of the wafers to be inspected, so that the measurement is possible without interrupting the transport is.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruch 1 und eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruch 18 gelöst. Vorteilhafte Ausführungen und Weiterbildungen sind in den jeweils abhängigen Unteransprüchen angegeben.These The object is achieved by a method having the features of the claim 1 and a device having the features of claim 18 solved. Advantageous embodiments and developments are in the respective specified dependent claims.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist unempfindlich gegen Vibrationen des Wafers. Dadurch ermöglicht es, den Wafer während des Transportes inspizieren zu können, ohne den Transport anzuhalten. Ein weiterer Vorteil liegt darin, dass das erfindungsgemäße Verfahren schneller ist, als eingangs beschriebene Verfahren. Weiterhin vorteilhaft ist es, dass ein kontinuierlicher Betrieb gewählt werden kann, wodurch die Prozessabläufe einfacher werden. Ferner stellt das erfindungsgemäße Verfahren durch die Verwendung einer Laserlichtquelle mehr Licht zur Verfügung, als eine Weißlichtquelle. Dies ermöglicht erheblich kürzer Belichtungszeiten, wodurch Bewegungsartefakte vermieden werden.The inventive method is insensitive to Vibrations of the wafer. This allows the wafer to be able to inspect during transport without stopping the transport. Another advantage is that the inventive method faster is as the method described above. Further advantageous is that a continuous operation can be chosen which makes the process easier. Further notes the inventive method by the use a laser light source more light available than one White light source. This allows considerably shorter Exposure times, avoiding motion artifacts.

Ein erstes Ausführungsbeispiel umfasst ein Transportband als Transportvorrichtung auf dem ein oder mehrere Wafer in Transportrichtung transportiert werden. Das Transportband erstreckt sich in der Breite in eine Richtung quer zur Transportrichtung. Oberhalb des Transportbandes befindet sich eine elektronische, insbesondere digitale, Flächenkamera. Eine Flächenkamera ist eine Kamera, deren Sensor Zeilen und Reihen aufweist. Die Beleuchtung erfolgt mittels einer Projektionseinrichtung, die einen Laser und eine Optik aufweist. Das Licht des Lasers wird mittels der Optik in Form einer Linie, also einer Lichtlinie oder Laserlinie auf den wenigstens einen Wafer projiziert. Die Laserlinie kann sowohl in der Wafermitte oder am Rand des Wafers projiziert werden. Die Ausrichtung der Laserlinie erfolgt vorteilhaft in Transportrichtung des wenigstens einen Wafers. Die Ausrichtung der projizierten Lichtlinie ist also gegenüber der aus dem Stand der Technik üblichen Ausrichtung um 90° gedreht. Dies hat zur Folge, dass nicht die gesamte Breite eines Wafers inspiziert wird, sondern nur eine Spur, die der Breite der projizierten Lichtlinie entspricht.One first embodiment comprises a conveyor belt as Transport device on the one or more wafers in the transport direction be transported. The conveyor belt extends in width in a direction transverse to the transport direction. Above the conveyor belt is an electronic, especially digital, area camera. An area camera is a camera whose sensor lines and has rows. The illumination takes place by means of a projection device, which has a laser and an optic. The light of the laser is by means of optics in the form of a line, ie a line of light or Laser line projected onto the at least one wafer. The laser line can be projected in the middle of the wafer or on the edge of the wafer become. The alignment of the laser line is advantageously carried out in the transport direction of the at least one wafer. The orientation of the projected light line So is compared to the usual from the prior art alignment turned by 90 degrees. As a result, not the entire Width of a wafer is inspected, but only a trace, the corresponds to the width of the projected light line.

Die Lichtlinie wird in bevorzugten Ausführungen unter einem flachen Winkel von 2° bis 12°, insbesondere von ungefähr 6°, auf den wenigstens einen Wafer projiziert. Dies hat zur Folge, dass die Höhenauflösung circa zehnmal größer ist, als die laterale Auflösung der Kamera ist, weil durch den flachen Winkel eine geringe Höhenänderung eine starke Verschiebung der Lichtlinie bewirkt.The Light line is in preferred embodiments under a flat angle of 2 ° to 12 °, in particular of about 6 ° projected onto the at least one wafer. This has the consequence that the height resolution circa ten times greater than the lateral resolution the camera is because of the shallow angle a small change in height causes a strong shift of the light line.

Die Lichtlinie kann so breit eingestellt werden, dass ihre Intensität im Sichtbereich der Kamera nicht mehr als 50% (idealerweise nicht mehr als 20%) abnimmt. Die Intensität der Laserlinie wird bevorzugt so gewählt, dass die Kamera bei einer Belichtungszeit von unter 100 μs noch ausreichend belichtet ist. Für die Laserleistung hat sich herausgestellt, dass es von Vorteil ist, wenn die Leistung oberhalb von 1 mW, besser oberhalb von 5 mW liegt. Es wurde auch gefunden, dass die Emissionswellenlänge des Lasers nicht entscheidend ist, solange das Licht von der Flächenkamera detektiert werden kann. Ein roter Laser ist am kostengünstigsten.The Light line can be set so wide that its intensity in the field of view of the camera not more than 50% (ideally not more than 20%) decreases. The intensity of the laser line is preferably chosen so that the camera at an exposure time is sufficiently exposed from below 100 μs. For the laser power has been found to be beneficial if the power is above 1 mW, better above 5 mW. It was also found that the emission wavelength of the Laser is not crucial as long as the light from the area camera can be detected. A red laser is the cheapest.

Kamera und Objektiv werden bevorzugt so gewählt, dass die laterale Auflösung im Bereich von circa 10 μm pro Pixel liegt. Die Bildfolge der Kamera oder die Transportgeschwindigkeit der Transportvorrichtung wird bevorzugt so gewählt, dass ein Wafer zwischen zwei Bildaufnahmen maximal um den Sichtbereich der Kamera weiterbewegt wird. Für die spätere Auswertung ist ein Überlapp der Bilder von etwa 10% zudem hilfreich. Idealerweise wird die Belichtungszeit so kurz gewählt, dass sich ein Wafer während der Belichtung um max. 2 Pixel bewegt. Beispielsweise sind dies bei einer Translationsgeschwindigkeit von 200 mm/s etwa 100 μs. Der Gain der Kamera wird bevorzugt möglichst niedrig eingestellt, um Bildrauschen zu vermeiden.camera and lens are preferably chosen so that the lateral Resolution in the range of about 10 μm per pixel lies. The image sequence of the camera or the transport speed the transport device is preferably chosen so that a wafer between two images maximally around the field of view the camera is moved on. For the future Evaluation is an overlap of the pictures of about 10% moreover helpful. Ideally, the exposure time is chosen to be so short That a wafer during exposure by max. 2 pixels emotional. For example, these are at a translation speed from 200 mm / s to about 100 μs. The gain of the camera is preferred set as low as possible to avoid image noise.

In bevorzugten Ausführungen wird die Breite des Kamerasichtbereiches so gewählt, dass die Lichtlinie das Bild der Kamera nicht verlässt, auch wenn der Wafer sich um 200 μm nach oben oder unten bewegt. Folglich sollte bei 1 μm Höhenauflösung die Breite des Kamerabildes mind. 400 Pixel betragen.In preferred embodiments will be the width of the camera viewing area so chosen that the light line does not match the image of the camera leaves, even if the wafer is after 200 microns after moved up or down. Consequently, at 1 micron height resolution should Width of the camera image is at least 400 pixels.

Eine Koordinate, beispielsweise die x-Koordinate, des Kamerabildes, d. h. des Kamerasensors, kann senkrecht oder parallel zur Lichtlinie liegen. Erfindungsgemäß erfolgt die Auswertung, ob eine Sägerille oder eine Sägestufe, vorliegt aus je einem einzelnen Bild (auch Frame genannt), also innerhalb einer Einzelbildaufnahme. Da die Belichtungszeit kurz gewählt ist, entsteht eine Momentaufnahme. Eventuell auftretenden Vibrationen des Transportbandes oder andere Bewegungen des Wafers, in jede beliebige Raumrichtung, spielen innerhalb eines Frame keine Rolle.A Coordinate, for example the x-coordinate, of the camera image, d. H. of the camera sensor, can be perpendicular or parallel to the light line lie. According to the evaluation, whether a saw blade or a sawing stage, is present each from a single image (also called frame), ie within a single shot. Since the exposure time is short is, creates a snapshot. Possible vibrations of the conveyor belt or other movements of the wafer, in any Direction of space, play no role within a frame.

In einer vorteilhaften Weiterbildung werden gleichzeitig die Ober- und Unterseite des Wafers vermessen, sodass aus diesen beiden Messungen die Dicke des Wafers bestimmt werden kann.In In an advantageous further development, the upper and bottom of the wafer to measure, so from these two measurements the thickness of the wafer can be determined.

In einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung werden mehrere parallele Laserlinien auf den wenigstens einen Wafer projiziert und von einer oder von mehreren Kameras aufgenommen. Dies ermöglicht eine Reduzierung der Messungenauigkeit durch Mittelung der Messergebnisse.In In a further advantageous embodiment, several parallel Laser lines projected onto the at least one wafer and from a or taken by multiple cameras. this makes possible a reduction of the measurement inaccuracy by averaging the measurement results.

Sägerillen kommen in unterschiedlichen Formen vor. Die deutsche Vornorm DIN V VDE V 0126-18-2-4 unterscheidet beispielsweise zwischen Sägerillen als Vertiefungen und Sägestufen in Kantenform. Das erfindungsgemäße Verfahren ist geeignet, alle Formen der Sägeartefakte zu detektieren. Gemeinsam ist allen Sägeartefakten, dass sie sich über die gesamte Breite der Wafer erstrecken. Dies macht es überfüßig die gesamte Fläche eines Wafers auf Sägerillen zu untersuchen. Für industrielle Zwecke ist es vollkommen ausreichend, eine sehr schmale Spur eines Wafer zu vermessen und zwar senkrecht zu der Orientierung, in der Sägerillen vorkommen können.Seegerillen come in different forms. The German Pre-standard DIN V VDE V 0126-18-2-4 distinguishes, for example, between sawing grooves as depressions and sawing steps in edge form. The method according to the invention is suitable for detecting all forms of sawing artifacts. Common to all sawing artifacts is that they extend across the entire width of the wafers. This makes it superfluous to inspect the entire area of a wafer for sawing. For industrial purposes, it is perfectly sufficient to measure a very narrow track of a wafer, perpendicular to the orientation in which saw blades can occur.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren weiter erläutert, welche den Stand der Technik und einige bevorzugte Ausführungsformen schematisch darstellen. Es zeigen:The Invention will be further explained below with reference to figures, those of the prior art and some preferred embodiments schematically represent. Show it:

1 eine schematische Darstellung des Standes der Technik, wobei eine Weislichtquelle und zahlreiche Kameras verwendet werden, 1 a schematic representation of the prior art, wherein a white light source and numerous cameras are used,

2 eine schematische Darstellung eines typischen Wafer, wie er zur Herstellung von Solarmodulen eingesetzt wird, 2 a schematic representation of a typical wafer, as it is used for the production of solar modules,

3 eine schematische Darstellung von Sägerillen und Sägestufen in bzw. auf Wafern, wobei die Ansicht einen Querschnitt durch den Wafer darstellt, 3 a schematic representation of sawing and sawing stages in or on wafers, wherein the view represents a cross section through the wafer,

4 eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Anordnung, wobei eine Laserlichtquelle zur Beleuchtung verwendet wird und nur eine Kamera zum Einsatz kommt, 4 a schematic representation of the arrangement according to the invention, wherein a laser light source is used for lighting and only one camera is used,

5 eine schematische Darstellung des Kamerasensors, wobei die dunkle Linie die Abbildung die auf den Wafer projizierte Laserlichtlinie auf dem Sensor repräsentiert, wobei sowohl eine Sägerille als auch eine Sägestufe gegeben sind, 5 a schematic representation of the camera sensor, wherein the dark line represents the image of the projected onto the wafer laser light line on the sensor, wherein both a saw blade and a Sägestufe are given,

In 2 ist ein Wafer 1 dargestellt. Es sind zwei Sägerillen 2, 3 unterschiedlicher Breite dargestellt. Ein wesentliches Merkmal der Sägerillen ist ihre Erstreckung über die gesamte Breite der Wafer. Das unregelmäßige Muster auf dem Wafer symbolisiert die Korngrenzen 4, die für polykristalline Silizum-Wafer charakteristisch sind.In 2 is a wafer 1 shown. There are two Sägerillen 2 . 3 shown different width. An essential feature of the saw blades is their extension over the entire width of the wafer. The irregular pattern on the wafer symbolizes the grain boundaries 4 which are characteristic of polycrystalline silicon wafers.

In 3 ist ein schematischer Querschnitt 6 durch einen Wafer dargestellt, wobei sowohl eine Sägerille 7 in Rillenform als auch eine Sägestufe 8 in Stufenform abgebildet sind.In 3 is a schematic cross section 6 represented by a wafer, wherein both a sawing groove 7 in groove form as well as a saw step 8th are shown in a stepped form.

4 veranschaulicht eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung dargestellt. In der Figur ist die Transportrichtung mit x gekennzeichnet. Die Ebene, in welcher der Wafer liegt, spannen gemeinsam die x-Achse und die y-Achse auf. Die Achse, in der sich die Sägerrillen und Sägestufen erstrecken, ist in den Figuren als y-Achse bezeichnet. Vibrationen, wie sie beim Transport auf einem Band unweigerlich auftreten, erstrecken sich in der z-Achse. 4 illustrates a preferred embodiment of the invention shown. In the figure, the transport direction is marked with x. The plane in which the wafer lies spreads the x-axis and the y-axis together. The axis in which the sawing grooves and sawing steps extend is referred to in the figures as the y-axis. Vibrations, which inevitably occur during transport on a belt, extend in the z-axis.

Ein Wafer 12 wird in Richtung x auf einem Band 11 transportiert. Die Beleuchtung erfolgt mittels eines Laser 13 unter einem flachen Winkel α gegenüber der Wafer-Oberfläche von circa 6°. Das Laserlicht wird mittels einer Optik als Linie, d. h. Lichtlinie oder Laserlinie 14, auf den Wafer 12 projiziert. Die Abbildung der Laserlinie 14 auf dem Wafer 12 wird im dargestellten Beispiel mithilfe einer einzelnen Flächenkamera 15 aufgenommen. Die Aufnahme erfolgt bei kurzer Belichtungszeit während des Transports des Wafers 12. Eine Bildverarbeitung (nicht dargestellt) erfolgt mittels einer Auswerteeinrichtung, entweder direkt in der Kamera 15 oder mithilfe eines separaten Computers.A wafer 12 gets in direction x on a band 11 transported. The lighting is done by means of a laser 13 at a shallow angle α to the wafer surface of about 6 °. The laser light is by means of an optic as a line, ie light line or laser line 14 , on the wafer 12 projected. The picture of the laser line 14 on the wafer 12 in the example shown, using a single area camera 15 added. The image is taken at a short exposure time during the transport of the wafer 12 , Image processing (not shown) takes place by means of an evaluation device, either directly in the camera 15 or by using a separate computer.

5 eine schematische Darstellung des Flächensensors 17 der Kamera 10 der 4. Der dunkle Streifen repräsentiert die Abbildung der Laserlinie 16 auf dem Flächensensor 17. Eine Sägerille bewirkt einen seitlichen Versatz 18 in der Abbildung der Laserlinie 16 auf dem Sensor. Eine Sägestufe hingegen bewirkt einen Versatz 19 in die entgegengesetzte Richtung der Abbildung der Laserlinie 16 auf dem Sensor. 5 a schematic representation of the surface sensor 17 the camera 10 of the 4 , The dark stripe represents the image of the laser line 16 on the surface sensor 17 , A sawing groove causes a lateral offset 18 in the picture of the laser line 16 on the sensor. A sawing step, however, causes an offset 19 in the opposite direction of the picture of the laser line 16 on the sensor.

Die Auswertung der aufgenommenen Bilder ist wie folgt: Die Laserlinie 16 wird parallel zur x- oder y-Achse auf den Flächensensor 17 abgebildet. Der Einfachheit halber sei im Folgenden eine Abbildung parallel zur x-Achse des Sensors angenommen. Beim Auftreten einer Sägerille oder Sägestufen trifft das Laserlicht den Wafer im Bild des Sensors durch den flachen Einfallswinkel weiter oben bzw. weiter unten. Dies zeigt sich im Bild auf dem Sensor durch eine Verschiebung der Laserlinie in y-Richtung. Die auftretende Verschiebung der Laserlinie ist dabei proportional zur Tiefe der Sägerille.The evaluation of the recorded images is as follows: The laser line 16 becomes parallel to the x or y axis on the surface sensor 17 displayed. Of the For the sake of simplicity, an image parallel to the x-axis of the sensor is assumed below. When a saw blade or saw steps occur, the laser light strikes the wafer in the image of the sensor through the flat angle of incidence further up or down. This is reflected in the image on the sensor by a shift of the laser line in the y-direction. The occurring shift of the laser line is proportional to the depth of the sawhorse.

Für jede Spalte des Sensors, d. h. im Beispiel der 5 für jede x-Position, wird mathematisch der Schwerpunkt der Laserlinie, also ihre y-Position, bestimmt. Man erhält so einen xy-Grafen, dessen x-Achse die Position auf dem Wafer angibt und dessen y-Achse das Höhenprofil der Wafer-Oberfläche darstellt. In diesem Höhenprofil kann nun nach Sägerillen und Sägestufen gesucht werden. Dazu wird, wie in der oben genannten Vornorm DIN V VDE V 0126-18-2-4 beschrieben, ein Auswertefenster in x-Richtung über den xy-Grafen geschoben und innerhalb dieses Fensters der höchste und tiefste Punkt gesucht. Die Höhendifferenz der beiden Punkte ist die Höhe der Sägestufe bzw. Sägerille. Das Auswertefenster wird Pixelweise in x-Richtung verschoben und so die größte Rille bzw. Stufe im Bild bestimmt.For each column of the sensor, ie in the example of 5 for each x-position, mathematically the center of gravity of the laser line, ie its y-position, is determined. One thus obtains an xy-graph whose x-axis indicates the position on the wafer and whose y-axis represents the height profile of the wafer surface. In this height profile you can now search for saw blades and saw steps. This will, as in the above Pre-standard DIN V VDE V 0126-18-2-4 described, pushed an evaluation window in the x-direction over the xy-graph and searched within this window, the highest and lowest point. The height difference of the two points is the height of the sawing or sawing groove. The evaluation window is shifted pixel by pixel in the x-direction and thus determines the largest groove or step in the image.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

- US 2005/111009 (A1) [0004] US 2005/111009 (A1) [0004]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

- Vornorm DIN V VDE V 0126-18-2-4 [0003] - Pre-standard DIN V VDE V 0126-18-2-4 [0003]
- Vornorm DIN V VDE V 0126-18-2-4 [0020] - Pre-standard DIN V VDE V 0126-18-2-4 [0020]
- Vornorm DIN V VDE V 0126-18-2-4 [0033] - Pre-standard DIN V VDE V 0126-18-2-4 [0033]

Claims

Verfahren zur Inspektion von Wafern für Solarzellen auf das Vorhandensein von Sägerillen bei dem mittels einer Laserlichtquelle und einer Optik eine Lichtlinie auf wenigstens einen zu inspizierende Wafer projiziert wird, wobei der Wafer auf einer Transportvorrichtung unterhalb einer Flächenkamera, deren Aufnahmeoptik auf die zu inspizierende Wafer-Seite ausgerichtet ist, transportiert wird, wobei die Lichtlinie von der Optik relativ zu der durch den Wafer definierten Ebene unter einem flachen Winkel, insbesondere einem Winkel von 2° bis 12°, erfolgt, wobei die Inspektion während eines kontinuierlichen Transports des Wafers erfolgt, wobei der wenigstens eine Wafer so auf der Transportvorrichtung angeordnet ist, dass vorhandene Sägespuren im Wesentlichen rechtwinklig zur Transportrichtung ausgerichtet sind, wobei nur ein Teilbereich des wenigstens einen Wafers inspiziert wird, indem mit der Flächenkamera Bilder des Teilbereichs aufgenommen werden, und wobei die Auswertung jeweils nur auf Basis eines einzelnen Bildes der Flächenkamera, insbesondere bei sehr kurzen Belichtungszeiten bis maximal 100 μs, erfolgt.Method for inspecting wafers for Solar cells on the presence of Sägerillen in the by means of a laser light source and an optic a light line on at least projecting a wafer to be inspected, the wafer on a transport device below a surface camera, whose recording optics are aligned with the wafer side to be inspected is, is transported, being the line of light from the optics relative to the plane defined by the wafer at a shallow angle, in particular an angle of 2 ° to 12 ° takes place, in which the inspection during a continuous transport the wafer is done, wherein the at least one wafer so on the transport device is arranged that existing Sägespuren aligned substantially perpendicular to the transport direction are, wherein only a portion of the at least one wafer is inspected by using the surface camera images of Subarea to be included, and the evaluation being respectively based only on a single image of the area camera, especially at very short exposure times up to 100 μs, takes place.

Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Lichtlinie in der Wafer-Mitte oder am Rand des Wafers projiziert wird.The method of claim 1, wherein the light line in the wafer center or at the edge of the wafer is projected.

Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Lichtlinie in Transportrichtung des wenigstens einen Wafers ausgerichtet wird.The method of claim 1 or 2, wherein the light line is aligned in the transport direction of the at least one wafer.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Lichtlinie unter einem flachen Winkel von etwa 6° auf den Wafer projiziert wird.Method according to one of the preceding claims, the line of light being at a shallow angle of about 6 ° the wafer is projected.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Lichtlinie so breit eingestellt ist, dass die Intensität der Lichtlinie im Sichtbereich der Flächenkamera nicht mehr als 50%, insbesondere nicht mehr als 20%, abnimmt.Method according to one of the preceding claims, where the light line is set so wide that the intensity the light line in the field of view of the area camera not more than 50%, in particular not more than 20%, decreases.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Intensität der Lichtlinie so eingestellt ist, dass die Flächenkamera bei einer Belichtungszeit von unter 100 μs noch ausreichend belichtet wird, wobei die Leistung der Laserlichtquelle bevorzugt 1 mW, besonders bevorzugt über 5 mW ist.Method according to one of the preceding claims, the intensity of the light line being adjusted that the area camera under an exposure time of under 100 μs is still sufficiently exposed, the power the laser light source preferably 1 mW, more preferably about 5 mW is.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Laserlichtquelle ein Laser mit rotem Licht ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the laser light source is a laser with red light.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Flächenkamera und Objektiv so gewählt sind, dass die laterale Auflösung der Flächenkamera circa 10 μm pro Pixel beträgt.Method according to one of the preceding claims, where the area camera and lens so chosen are that the lateral resolution of the area camera is about 10 μm per pixel.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bildfolge der Kamera und/oder die Transportgeschwindigkeit der Transportvorrichtung so aufeinander abgestimmt sind, dass der wenigstens eine Wafer zwischen zwei Bildaufnahmen maximal um den Sichtbereich der Flächenkamera weiterbewegt wird, bevorzugt sind die Bildfolge der Kamera und/oder die Transportgeschwindigkeit der Transportvorrichtung so aufeinander abgestimmt, dass eine vorbestimmte Überlappung zweier aufeinanderfolgender Bilder, insbesondere von 10%, vorhanden ist.Method according to one of the preceding claims, where the image sequence of the camera and / or the transport speed the transport device are coordinated so that the at least one wafer between two images maximally around the Viewing area of the area camera is moved forward, preferably are the image sequence of the camera and / or the transport speed the transport device coordinated so that a predetermined overlap two successive images, in particular of 10% available is.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Belichtungszeit der Flächenkamera so gewählt ist, dass sich der wenigstens eine Wafer während einer Belichtung um eine vorbestimmte maximale Pixelzahl, insbesondere von maximal 2 Pixel, bewegt.Method according to one of the preceding claims, where the exposure time of the area camera is selected is that the at least one wafer during a Exposure by a predetermined maximum number of pixels, in particular of a maximum of 2 pixels, moves.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Breite des Sichtbereiches der Flächenkamera so gewählt ist, dass die Lichtlinie innerhalb eines aufgenommenes Bild liegt, wenn der wenigstens eine Wafer sich auf der Transportvorrichtung in einem vorbestimmten Bereich, insbesondere von 200 μm, nach oben oder unten bewegt, insbesondere für eine Höhenauflösung von 1 μm ist das Kamerabild mind. 400 Pixel breit.Method according to one of the preceding claims, where the width of the field of view of the area camera so It is chosen that the light line within a recorded Image is when the at least one wafer is on the transport device in a predetermined range, in particular of 200 μm, moved up or down, especially for a height resolution of 1 μm, the camera image is at least 400 pixels wide.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Koordinate des Kamerabildes, insbesondere des Kamerasensors, senkrecht oder parallel zur Lichtlinie ausgerichtet ist.Method according to one of the preceding claims, wherein a coordinate of the camera image, in particular of the camera sensor, is aligned perpendicular or parallel to the light line.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Auswertung, ob eine Sägespur vorliegt, aus je einem einzelnen mit der Flächenkamera aufgenommenen Bild, insbesondere innerhalb einer Einzelbildaufnahme, erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the evaluation of whether a sawing trace, from ever a single picture taken with the area camera, especially within a single frame, takes place.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei gleichzeitig die Ober- und die Unterseite des wenigstens einen Wafers inspiziert werden.Method according to one of the preceding claims, at the same time the top and the bottom of the at least one Wafers are inspected.

Verfahren nach Anspruch 14, wobei zusätzlich anhand der Inspektion der Ober- und die Unterseite des wenigstens einen Wafers die Dicke des Wafers bestimmt wird.The method of claim 14, wherein additionally based on the inspection of the top and bottom of at least a wafer, the thickness of the wafer is determined.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mehreren parallele Lichtlinien auf den wenigstens einen Wafer projiziert, von einer oder mehreren Flächenkameras aufgenommen werden, und insbesondere die Messungenauigkeit durch Mittelung der Messergebnisse reduziert wird.Method according to one of the preceding claims, wherein a plurality of parallel lines of light on the at least one wafer projected, taken by one or more surface cameras and in particular the measurement inaccuracy by averaging the Measurement results is reduced.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Sägerille eine Rillenform und/oder Stufenform aufweist.Method according to one of the preceding claims, wherein a sawing groove is a groove shape and / or step shape having.

Vorrichtung zur Inspektion von Wafern für Solarzellen auf das Vorhandensein von Sägerillen zur Durchführung eines Inspektionsverfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei die Vorrichtung aufweist: wenigstens eine Projektionseinrichtung mit einer Laserlichtquelle und einer Optik, die eingerichtet ist, eine Lichtlinie auf wenigstens einen zu inspizierenden Wafer zu projizieren, wenigstens eine Flächenkamera, die zur Inspektion eines Teilbereichs des wenigstens einen Wafers eingerichtet ist, um Bilder des Teilbereichs aufzunehmen, und eine Transportvorrichtung zum kontinuierlichen Transport des wenigstens einen Wafers unterhalb der wenigstens einen Flächenkamera, deren Aufnahmeoptik auf die zu inspizierende Wafer-Seite ausgerichtet ist, transportiert wird, wobei die Projektionseinrichtung eingerichtet ist, die Lichtlinie relativ zur durch den wenigstens einen Wafer definierten Ebene unter einem flachen Winkel, insbesondere einem Winkel von 2° bis 12°, auf den wenigstens einen Wafer zu projizieren.Apparatus for inspecting wafers for Solar cells to carry out the presence of Sägerillen An inspection method according to any one of claims 1 to 17, wherein the device comprises: at least one projection device with a laser light source and optics that is set up To project the light line onto at least one wafer to be inspected, at least a surface camera used to inspect a section the at least one wafer is set up to display images of the subarea to record, and a transport device for continuous transport the at least one wafer below the at least one area camera, whose recording optics are aligned with the wafer side to be inspected is, is transported, wherein the projection device is set up is the light line relative to the at least one wafer defined plane at a shallow angle, in particular one Angle from 2 ° to 12 °, on the at least one To project wafers.

Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Vorrichtung weiter mit einer Auswerteeinrichtung der Bilder der Flächenkamera kommuniziert, und die Auswerteeinrichtung eingerichtet ist, für eine Feststellung, ob eine Sägespur vorliegt, je ein einzelnes mit der Flächenkamera aufgenommenes Bild, insbesondere innerhalb einer Einzelbildaufnahme, auszuwerten.The device of claim 18, wherein the device continue with an evaluation of the images of the area camera communicates, and the evaluation device is set up for a determination of whether there is a saw track, one each taken with the area camera image, in particular within a single frame, to evaluate.

Vorrichtung nach Anspruch 18 oder 19, wobei die Projektionseinrichtung eingerichtet ist, die Lichtlinie in der Wafer-Mitte oder am Rand des Wafers zu projizieren.Apparatus according to claim 18 or 19, wherein the Projection device is set up, the light line in the wafer center or to project on the edge of the wafer.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei die Projektionseinrichtung eingerichtet ist, die Lichtlinie in Transportrichtung des einen oder der mehreren Wafer ausgerichtet auf den wenigstens einen Wafer zu projizieren.Device according to one of claims 18 to 20, wherein the projection device is set up, the light line aligned in the transport direction of the one or more wafers to project onto the at least one wafer.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, wobei die Projektionseinrichtung eingerichtet ist, die Lichtlinie unter einem flachen Winkel von etwa 6° auf den wenigstens einen Wafer projiziert wird.Device according to one of claims 18 to 21, wherein the projection device is set up, the light line at a shallow angle of about 6 ° to the at least a wafer is projected.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 22, wobei die Projektionseinrichtung eingerichtet ist, die Lichtlinie mit einer Breite zu erzeugen, bei der die Intensität der Lichtlinie im Sichtbereich der Flächenkamera nicht mehr als 50%, insbesondere nicht mehr als 20%, abnimmt.Device according to one of claims 18 to 22, wherein the projection device is set up, the light line with a width at which the intensity of the Light line in the field of view of the area camera no longer than 50%, in particular not more than 20%, decreases.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 23, wobei die Projektionseinrichtung so eingerichtet ist, die Lichtlinie mit einer Intensität derart zu erzeugen, dass die Flächenkamera bei einer Belichtungszeit von unter 100 μs noch ausreichend belichtet wird, wobei die Laserlichtquelle eine Leistung von bevorzugt 1 mW, besonders bevorzugt über 5 mW hat.Device according to one of claims 18 to 23, wherein the projection device is arranged so that To generate light line with an intensity such that the area camera at an exposure time of less than 100 μs is still sufficiently exposed, the laser light source a Power of preferably 1 mW, more preferably above 5 mW has.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 24, wobei die Laserlichtquelle ein Laser mit rotem Licht ist.Device according to one of claims 18 to 24, wherein the laser light source is a laser with red light.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 25, wobei die Flächenkamera und Objektiv so gewählt sind, dass die laterale Auflösung der Flächenkamera circa 10 μm pro Pixel beträgt.Device according to one of claims 18 to 25, with the area camera and lens chosen so are that the lateral resolution of the area camera is about 10 μm per pixel.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 26, wobei die Bildfolge der Kamera und/oder die Transportgeschwindigkeit der Transportvorrichtung so aufeinander abgestimmt sind, dass der wenigstens eine Wafer zwischen zwei Bildaufnahmen maximal um den Sichtbereich der Flächenkamera weiterbewegt wird, wobei die Bildfolge der Kamera und/oder die Transportgeschwindigkeit der Transportvorrichtung bevorzugt so aufeinander abgestimmt sind, dass eine vorbestimmte Überlappung zweier aufeinanderfolgender Bilder, insbesondere von 10%, vorhanden ist.Device according to one of claims 18 to 26, where the image sequence of the camera and / or the transport speed the transport device are coordinated so that the at least one wafer between two images maximally around the Viewing area of the area camera is moved, where the image sequence of the camera and / or the transport speed of Transport device are preferably coordinated so that a predetermined overlap of two consecutive Images, in particular of 10%, is present.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 28, wobei die Belichtungszeit der Flächenkamera auf eine Zeit eingestellt ist, in der sich der wenigstens eine Wafer während einer Belichtung um eine vorbestimmte maximale Pixelzahl, insbesondere von maximal 2 Pixel, bewegt.Device according to one of claims 18 to 28, where the exposure time of the area camera on a Time is set in which the at least one wafer during an exposure by a predetermined maximum pixel number, in particular of a maximum of 2 pixels, moves.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 28, wobei die Breite des Sichtbereiches der Flächenkamera so ist, dass die Lichtlinie innerhalb eines aufgenommenes Bild liegt, wenn der wenigstens eine Wafer sich auf der Transportvorrichtung in einem vorbestimmten Bereich, insbesondere von 200 μm, nach oben oder unten bewegt, insbesondere für eine Höhenauflösung von 1 μm ist das Kamerabild mind. 400 Pixel breit.Device according to one of claims 18 to 28, where the width of the field of view of the area camera so is that the line of light lies within a captured image, if the at least one wafer is on the transport device in a predetermined range, in particular of 200 μm, moved up or down, especially for a height resolution of 1 μm, the camera image is at least 400 pixels wide.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 29, wobei eine Koordinate des Kamerabildes, insbesondere des Kamerasensors, senkrecht oder parallel zur Lichtlinie ausgerichtet ist.Device according to one of claims 18 to 29, wherein a coordinate of the camera image, in particular the Camera sensor, aligned vertically or parallel to the light line is.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 30, wobei die Vorrichtung zusätzlich aufweist wenigstens eine Projektionseinrichtung mit einer Laserlichtquelle und einer Optik, die eingerichtet ist, eine Lichtlinie auf die Unterseite des wenigstens einen zu inspizierenden Wafers zu projizieren, und wenigstens eine Flächenkamera, die zur Inspektion eines Teilbereichs der Unterseite des wenigstens einen Wafers eingerichtet ist, um Bilder des Teilbereichs der Unterseite aufzunehmen, und wobei die weitere Projektionseinrichtung eingerichtet ist, die Lichtlinie relativ zur durch den wenigstens einen Wafer definierten Ebene unter einem flachen Winkel, insbesondere einem Winkel von 2° bis 12°, auf die Unterseite des wenigstens einen Wafers zu projizieren, wobei die Vorrichtung eingerichtet ist, gleichzeitig der Ober- und der Unterseite des wenigstens einen Wafers zu inspizieren.Device according to one of claims 18 to 30, wherein the device additionally comprises at least one projection device with a laser light source and optics, which is adapted to project a light line on the underside of the at least one wafer to be inspected, and at least one surface camera, for inspection a portion of the underside of the at least ei NEN wafer is adapted to receive images of the portion of the bottom, and wherein the further projection device is arranged, the light line relative to the plane defined by the at least one wafer at a shallow angle, in particular an angle of 2 ° to 12 °, on the bottom of the at least one wafer, the apparatus being arranged to simultaneously inspect the top and bottom of the at least one wafer.

Vorrichtung nach Anspruch 19 und 31, wobei die Auswerteeinrichtung eingerichtet ist, zusätzlich anhand der Inspektion der Ober- und die Unterseite des wenigstens einen Wafers die Dicke des Wafers zu bestimmen.Apparatus according to claim 19 and 31, wherein the evaluation device is set up, in addition to the inspection of the Top and bottom of the at least one wafer, the thickness of the To determine wafers.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 bis 32, wobei die Vorrichtung mehrere Projektionseinrichtungen aufweist, sodass mehrere parallele Lichtlinien auf den wenigstens einen Wafer projiziert werden können, die von einer oder mehreren Flächenkameras aufgenommen werden, und die Auswerteeinrichtung insbesondere eingerichtet ist, die Messungenauigkeit durch Mittelung der Messergebnisse zu reduzieren.Device according to one of claims 19 to 32, the device having a plurality of projection devices, so that several parallel lines of light on the at least one wafer can be projected by one or more surface cameras be recorded, and set up the evaluation especially is to reduce the measurement inaccuracy by averaging the measurement results.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 33, wobei eine Sägerille eine Rillenform und/oder Stufenform aufweist.Device according to one of claims 18 to 33, wherein a sawing groove has a groove shape and / or step shape having.