DE102009000048A1 - Micro-technical system has substrate and sealing, where substrate and sealing form two cavities, where different pressures are present in cavities - Google Patents

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Abstract

The micro-technical system has a substrate (2) and a sealing (3), where the substrate and the sealing form a cavity (4a) and another cavity (4b). The different pressures (p1,p2) are present in the former cavity and the latter cavity. The micro-technical functional elements (5a,5b) are arranged in the former cavity and in the latter cavity. An independent claim is also included for a method for manufacturing a micro-technical system.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikrotechnisches System und Verfahren zur Herstellung eines mikrotechnischen Systems.The The present invention relates to a microtechnical system and method for the production of a microtechnical system.

Mikrosystemtechnisch hergestellte Inertialsensoren sind in der Regel in einem verkappten Hohlraum angeordnet. Dies hat unter anderem den Zweck, die Sensoren vor Umgebungseinflüssen zu schützen und eine definierte Atmosphäre für den Betrieb zu garantieren.Technically Microsystems Inertialsensoren produced are usually in a capped cavity arranged. This has, inter alia, the purpose of protecting the sensors from environmental influences and a defined atmosphere for the To guarantee operation.

Die Drücke, die dabei in dem Hohlraum eingestellt werden, unterscheiden sich bei Drehratensensoren und Beschleunigungssensoren. Während bei Drehratesensoren ein niedriger Innendruck, beispielsweise von wenigen mbar, eine hohe Güte des Schwingers und somit auch große Amplituden bei niedrigen Antriebsspannungen gewährleistet, wird bei Beschleunigungssensoren gezielt ein höherer Druck, beispielsweise von bis zu mehreren 100 mbar, eingestellt, um die Sensoren im Betrieb zu dämpfen.The pressures which are set in the cavity, differ for rotation rate sensors and acceleration sensors. While at Yaw rate sensors a low internal pressure, for example, of a few mbar, a high quality of the oscillator and thus also large amplitudes at low Ensures drive voltages, In acceleration sensors targeted a higher pressure, for example of up to several 100 mbar, adjusted to the sensors in operation to dampen.

Für das Verkappen von Sensoren existieren verschiedene Ansätze, beispielsweise auf der Basis von Waferbonden mit Sealglas, eutektischem Ronden oder eines Dünnschichtkappenverfahrens. Alle genannten Ansätze werden allerdings auf Waferlevel durchgeführt, so dass bei allen Chips auf einem Wafer später der gleiche Innendruck eingeschlossen ist, weshalb es ungünstig ist, Drehratensensoren und Beschleunigungssensoren auf diese Weise gleichzeitig auf einem Wafer zu fertigen.For the capping of sensors exist different approaches, for example on the Basis of wafer bonding with seal glass, eutectic disks or a Thin cap procedure. All mentioned approaches however, are performed at wafer level, so that on all chips on a wafer later the same internal pressure is included, which is why it is unfavorable Yaw rate sensors and acceleration sensors in this way simultaneously to produce on a wafer.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein mikrotechnisches System, umfassend ein Substrat und eine Verkappung, wobei das Substrat und die Verkappung mindestens einen ersten und einen zweiten, insbesondere abgeschlossenen, Hohlraum ausbilden, wobei in dem ersten und zweiten Hohlraum unterschiedliche Drücke vorliegen.object The present invention is a microtechnical system comprising a substrate and a capping, the substrate and the capping at least a first and a second, in particular completed, Form cavity, wherein in the first and second cavity different pressures available.

Insbesondere kann das erfindungsgemäße mikrotechnische System ein mikromechanisches System, beispielsweise ein Multi-Innendruck-Wafer, sein.Especially can the microtechnical System may be a micromechanical system, for example a multi-internal pressure wafer.

Das erfindungsgemäße mikrotechnische System hat den Vorteil, dass unterschiedliche Sensoren unter unterschiedlichen Drücken in einem System, insbesondere auf einem Wafer, bereitgestellt werden können. Auf diese Weise können vorteilhafterweise insbesondere Drehratensensoren und Beschleunigungssensoren in einem System, insbesondere auf einem Wafer, bereitgestellt werden. Vorteilhafterweise können darüber hinaus Prozessschwankungen, beispielsweise durch Kantenverlust, an einem Teil des Systems, beispielsweise einem Beschleunigungssensor, charakterisiert werden und die resultierenden Werte auf Teile des Systems, beispielsweise einen Drehratensensor, übertragen und Prüfkosten eingespart werden.The Microtechnical system according to the invention has the advantage that different sensors under different To press in a system, especially on a wafer can. That way you can Advantageously in particular yaw rate sensors and acceleration sensors in a system, especially on a wafer. Advantageously, can about that In addition, process fluctuations, for example due to edge loss, on a part of the system, for example an acceleration sensor, be characterized and the resulting values on parts of the Systems, such as a rotation rate sensor, transmit and test costs be saved.

Das Substrat kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung aus Silizium ausgebildet sein. Die Verkappung kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung in Form einer Schicht ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Verkappung im Rahmen der vorliegenden Erfindung aus Siliziumdioxid oder Silizium ausgebildet sein.The Substrate may in the context of the present invention of silicon be educated. The capping may be within the scope of the present Invention be formed in the form of a layer. For example The capping in the context of the present invention may be made of silicon dioxide or silicon be formed.

Im Rahmen einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen mikrotechnischen Systems ist in mindestens einem der Hohlräume mindestens ein mikrotechnisches, insbesondere mikromechanisches, Funktionselement angeordnet. Vorzugsweise ist im ersten und zweiten Hohlraum jeweils mindestens ein mikrotechnisches Funktionselement angeordnet.in the Frame of a particularly preferred embodiment of the microtechnical invention System is at least one micro-technical, in at least one of the cavities in particular micromechanical, functional element arranged. Preferably is in each of the first and second cavity at least one microtechnical functional element arranged.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen mikrotechnischen Systems ist im ersten Hohlraum ein Drehra tensensor und/oder im zweiten Hohlraum ein Beschleunigungssensoren angeordnet.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment of the microtechnical invention Systems is in the first cavity a Drehra tensensor and / or in the second Cavity arranged an acceleration sensors.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen mikrotechnischen Systems ist dabei der der Druck in dem ersten Hohlraum geringer als der Druck in dem zweiten Hohlraum. Beispielsweise kann der Druck in dem ersten Hohlraum in einem Bereich von ≥ 0,01 mbar bis ≤ 300 mbar, insbesondere von ≥ 0,1 mbar bis ≤ 10 mbar, und/oder der Druck in dem zweiten Hohlraum in einem Bereich von > 70 mbar bis ≤ 900 mbar, insbesondere von ≥ 80 mbar bis ≤ 500 mbar, liegen.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment of the microtechnical invention Systems is the pressure in the first cavity lower as the pressure in the second cavity. For example, the pressure in the first cavity in a range of ≥ 0.01 mbar to ≤ 300 mbar, in particular of ≥ 0.1 mbar to ≤ 10 mbar, and / or the pressure in the second cavity in an area from> 70 mbar to ≤ 900 mbar, in particular ≥ 80 mbar to ≤ 500 mbar, lie.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen mikrotechnischen Systems, in dem

  • – ein Substrat bereitgestellt wird, welches mindestens eine erste und eine zweite Kavität aufweist, wobei die erste und zweite Kavität jeweils mindestens eine Zugangsöffnung aufweisen,
  • – bei einem ersten Druck die Zugangsöffnung/en der ersten Kavität mit einer Verkappung verschlossen werden,
  • – bei einem zweiten Druck die Zugangsöffnungen der zweiten Kavität mit einer Verkappung verschlossen werden.
Another object of the present invention is a process for the preparation of a microtechnical system according to the invention, in which
  • A substrate is provided which has at least one first and one second cavity, the first and second cavities each having at least one access opening,
  • In the case of a first pressure, the access opening (s) of the first cavity are closed with a capping,
  • - At a second pressure, the access openings of the second cavity are closed with a capping.

Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass dieses die Herstellung von mikrotechnischen Systemen mit unterschiedlichen Hohlraumdrücken ermöglicht. Dies eröffnet vorteilhafterweise die Möglichkeit, verschiedene Sensoren, beispielsweise Drehratensensoren und Beschleunigungssensoren, in einem System, insbesondere auf einem Wafer beziehungsweise auf einem Chip, zu realisieren.The inventive method has the advantage that this the production of mikrotechni systems with different cavity pressures. This advantageously opens up the possibility of realizing various sensors, for example yaw rate sensors and acceleration sensors, in a system, in particular on a wafer or on a chip.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Zugangsöffnungen der ersten und zweiten Kavität auf der gleichen Seite des Substrats angeordnet. Auf diese Weise können durch Aufbringen der Verkappung auf eine Seite des Substrats vorteilhafterweise sowohl die Zugangsöffnung/en der ersten Kavität als auch die Zugangsöffnungen der zweiten Kavität mit der Verkappung verschlossen werden.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment the method according to the invention are the access openings the first and second cavities arranged on the same side of the substrate. In this way can by applying the capping to one side of the substrate advantageously both the access opening / s the first cavity as well as the access openings the second cavity be closed with the capping.

Im Rahmen einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Zugangsöffnung/en der ersten Kavität kleiner als die Zugangsöffnung/en der zweiten Kavität ausgestaltet. Auf diese Weise können durch Aufbringen einer Verkappungsschicht die Zugangsöffnung/en der ersten Kavität vor den Zugangsöffnung/en der zweiten Kavität verschlossen werden, wobei eine Änderung des Drucks nach dem Verschließen der Zugangsöffnung/en der ersten Kavität vorteilhafterweise unterschiedliche Drücke in den resultierenden Hohlräumen zur Folge hat.in the Framework of a particularly preferred embodiment of the method according to the invention are the access opening / s the first cavity smaller as the access opening the second cavity designed. That way you can by applying a capping layer the access opening (s) the first cavity in front of the access opening the second cavity be closed, with a change the pressure after closing the access opening / s the first cavity advantageously different pressures in the resulting cavities entails.

Im Rahmen einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird mindestens in einer Kavität mindestens ein mikrotechnisches, insbesondere mikromechanisches, Funktionselement bereitgestellt. Vorzugsweise wird in der ersten und zweiten Kavität jeweils mindestens ein mikrotechnisches Funktionselement bereitgestellt. Insbesondere kann im ersten Hohlraum ein Drehratensensor und/oder im zweiten Hohlraum ein Beschleunigungssensor bereitgestellt werden. Das Bereitstellen der mikrotechnischen Funktionselemente kann gemeinsam mit dem Bereitstellen des Substrates erfolgen.in the Framework of a particularly preferred embodiment of the method according to the invention is at least in one cavity at least one microtechnical, in particular micromechanical, Function element provided. Preferably, in the first and second cavity each provided at least one microtechnical functional element. In particular, in the first cavity, a rotation rate sensor and / or an acceleration sensor may be provided in the second cavity. The Providing the microtechnical functional elements can be common done with the provision of the substrate.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Verkappung in Form einer Schicht ausgebildet. Beispielsweise kann die Verkappung aus Siliziumdioxid oder Silizium ausgebildet werden.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment the method according to the invention The capping is formed in the form of a layer. For example For example, the capping may be formed of silicon dioxide or silicon.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Verkappung mittels eines Gasabscheidungsverfahrens, beispielsweise mittels physikalischer (PVD, „physical vapor deposition”) und/oder chemischer (CVD, „chemical vapor deposition”) Gasabscheidung, insbesondere chemischer Gasabscheidung, ausgebildet beziehungsweise auf dem Substrat aufgebracht. Im Rahmen einer Ausgestaltung dieser Ausführungsform wird die Verkappung mittels eines kontinuierlichen Gasabscheidungsverfahrens ausgebildet beziehungsweise auf dem Substrat aufgebracht.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment the method according to the invention is the capping by means of a gas deposition process, for example by means of physical (PVD, "physical vapor deposition ") and / or chemical (CVD, "chemical vapor deposition ") Gas deposition, in particular chemical vapor deposition formed or applied to the substrate. As part of an embodiment this embodiment becomes the capping by means of a continuous gas deposition process formed or applied to the substrate.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden das Substrat, die Kavitäten des Substrats und die mikrotechnischen Funktionselemente durch ein Verfahren bereit gestellt, welches die folgenden Verfahrensschritte umfasst: a) Abscheiden von mindestens einer strukturierten Opfermaterialschichten, beispielsweise Siliziumoxid, zur Ausbildung der Kavitäten in Verfahrensschritt b) und von mindestens einer strukturierten Substrat/Funktionsschicht, beispielsweise aus Silizium, zur späteren Ausbildung der Substratwandungen und der mikrotechnischen Funktionselemente in Verfahrensschritt b), auf einem Wafer, beispielsweise einem Siliziumwafer, und b) Entfernen des Opfermaterials durch ein Ätzverfahren, beispielsweise mit Flusssäure. Hierbei können Opfermaterialschichtstrukturen und Substrat/Funktionsschichtstrukturen in einer Ebene angeordnet sein. Die Ätzzugänge dienen nach dem Ätzen vorzugsweise als Kavitätszugangsöffnungen.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment the method according to the invention become the substrate, the cavities of the substrate and the microtechnical functional elements by a Method provided, which comprises the following method steps comprising: a) depositing at least one structured sacrificial material layer, For example, silica, to form the cavities in process step b) and at least one structured substrate / functional layer, for example, of silicon, for later formation of Substratwandungen and the microtechnical functional elements in method step b), on a wafer, for example a silicon wafer, and b) removing the sacrificial material by an etching process, for example with hydrofluoric acid. Here you can Sacrificial material layer structures and substrate / functional layer structures be arranged in a plane. The Ätzzugänge serve preferably after etching as cavity access openings.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der Druck durch Einleiten oder Entfernen eines Gases, beispielsweise von Argon, verändert.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment the method according to the invention is the pressure by introducing or removing a gas, for example from argon, changed.

Im Rahmen einer weiteren, besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist der erste Druck niedriger als der zweite Druck.in the Frame of a further, particularly preferred embodiment the method according to the invention the first pressure is lower than the second pressure.

Zeichnungendrawings

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Gegenstandes werden durch die Abbildungen veranschaulicht und in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Dabei ist zu beachten, dass die Abbildungen nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken. Es zeigen:Further Advantages and advantageous embodiments of the subject invention are illustrated by the pictures and in the following Description explained. It should be noted that the illustrations are only descriptive in nature and are not meant to be the invention in any way Restrict shape. It demonstrate:

1 einen Querschnitt durch eine Ausführungsform eines Substrats, welches zwei Kavitäten mit jeweils zwei Zugangsöffnungen aufweist und in dessen Kavitäten jeweils ein mikrotechnisches Funktionselement angeordnet ist; 1 a cross-section through an embodiment of a substrate which has two cavities, each with two access openings and in whose cavities in each case a microtechnical functional element is arranged;

2 einen Querschnitt durch die in 1 gezeigte Ausführungsform eines Substrats, wobei die Zugangsöffnungen der einen Kavität unter einem ersten Druck mit einer Verkappung verschlossen wurden; und 2 a cross section through the in 1 shown embodiment of a substrate, wherein the access openings of a cavity were sealed under a first pressure with a capping; and

3 einen Querschnitt durch das in 1 und 2 gezeigte Ausführungsform eines Substrat, insbesondere durch eine Ausführungsform eins erfin dungsgemäßen mikrotechnischen Systems, wobei die Zugangsöffnungen der einen Kavität unter einem ersten Druck und die Zugangsöffnungen der anderen Kavität unter einem zweiten Druck mit einer Verkappung verschlossen wurden. 3 a cross section through the in 1 and 2 shown embodiment of a substrate, in particular by an embodiment of the inventions to the invention microtechnical system, wherein the access openings of a cavity under a first pressure and the access openings of the other cavity were sealed under a second pressure with a capping.

Die 1 bis 3 veranschaulichen das erfindungsgemäße Verfahren. 3 zeigt darüber hinaus eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen mikrotechnischen Systems.The 1 to 3 illustrate the method of the invention. 3 moreover shows an embodiment of a microtechnical system according to the invention.

1 zeigt, dass im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens ein Substrat 2 bereitgestellt wird, welches mindestens eine erste 6a und eine zweite 6b Kavität aufweist und dessen erste 6a und zweite 6b Kavität jeweils mindestens eine, beispielsweise wie in den Figuren gezeigt zwei, Zugangsöffnung 7a, 7b aufweist. Wie in 1 gezeigt, können zusammen mit dem Substrat 2 mikrotechnische Funktionselemente 5a, 5b in der ersten 6a und zweiten 6b Kavität des Substrats 2 bereitgestellt werden. Beispielsweise kann in der ersten Kavität 6a ein Drehratensensor 5a und in der zweiten Kavität 6b ein Beschleunigungssensor 5b bereitgestellt werden. 1 shows that in the context of the method according to the invention, a substrate 2 is provided, which at least a first 6a and a second 6b Has cavity and the first 6a and second 6b Each cavity at least one, for example, as shown in the figures two, access opening 7a . 7b having. As in 1 shown, together with the substrate 2 micro-technical functional elements 5a . 5b in the first 6a and second 6b Cavity of the substrate 2 to be provided. For example, in the first cavity 6a a rotation rate sensor 5a and in the second cavity 6b an acceleration sensor 5b to be provided.

Die 1 bis 3 veranschaulichen, dass unterschiedliche Hohlraumdrücke dadurch realisiert werden können, dass bei einem Dünnschichtkappenprozess unterschiedlich große Ätzzugänge beziehungsweise Kavitätenzugangsöffnungen 7a, 7b für die einzelnen Bereiche vorgesehen werden, welche nach dem Entfernen einer Opferschicht mittels eines Ätzverfahrens wieder verschlossen werden.The 1 to 3 illustrate that different cavity pressures can be realized that in a thin-film cap process different sized Ätzzugänge or Kavitätenzugangsöffnungen 7a . 7b be provided for the individual areas, which are closed again after removing a sacrificial layer by means of an etching process.

Im Rahmen der in den 1 bis 3 gezeigten Ausführungsform sind die Zugangsöffnungen 7a der ersten Kavität 6a kleiner ausgestaltet als die Zugangsöffnungen 7b der zweiten Kavität 6b. Darüber hinaus sind im Rahmen dieser Ausführungsform die Zugangsöffnungen 7a, 7b der ersten 6a und zweiten 6b Kavität auf der gleichen Seite des Substrats 2 angeordnet.As part of the in the 1 to 3 the embodiment shown are the access openings 7a the first cavity 6a smaller than the access openings 7b the second cavity 6b , In addition, in the context of this embodiment, the access openings 7a . 7b the first 6a and second 6b Cavity on the same side of the substrate 2 arranged.

2 veranschaulicht, das Aufbringen einer Verkappung 3 in Form einer Schicht auf die Zugangsöffnungsseite des Substrats 2 bei einem ersten Druck p1. Das Aufbringen kann beispielsweise mittels eines, insbesondere kontinuierlichen, Gasabscheidungsverfahrens erfolgen. 2 zeigt, dass dabei die kleineren Zugangsöffnungen 7a der ersten Kavität 6a, derart verschlossen werden kön nen, dass in dem resultierenden ersten Hohlraum 4a der erste Druck p1 vorliegt. 2 zeigt weiterhin, dass dabei die zweite Kavität 6b aufgrund der größeren Zugangsöffnungen 7b geöffnet bleibt. 2 illustrates the application of a capping 3 in the form of a layer on the access opening side of the substrate 2 at a first pressure p1. The application can be carried out, for example, by means of a, in particular continuous, gas deposition process. 2 shows that doing the smaller access openings 7a the first cavity 6a , Kings are closed in such a way that in the resulting first cavity 4a the first pressure p1 is present. 2 further shows that while the second cavity 6b due to the larger access openings 7b remains open.

Durch Einleiten oder Entfernen eines Gases kann anschließend der erste Druck p1 auf einen zweiten Druck p2 verändert werden. Bei einem in der ersten Kavität 6a angeordneten Drehratensensor 5a und einem in der zweiten Kavität 6b angeordneten Beschleunigungssensoren 5b ist der erste Druck p1 vorzugsweise niedriger als der zweite Druck p2.By introducing or removing a gas, the first pressure p1 can subsequently be changed to a second pressure p2. At one in the first cavity 6a arranged rotation rate sensor 5a and one in the second cavity 6b arranged acceleration sensors 5b the first pressure p1 is preferably lower than the second pressure p2.

3 zeigt, dass durch weiteres Aufbringen der Verkappungsschicht 3 anschließend auch die Zugangsöffnungen 7b der zweiten Kavität 6b verschlossen werden können, wobei ein zweiter Holraum 4b resultiert, in welchem der zweite Druck p2 vorliegt. 3 shows that by further application of the capping layer 3 then also the access openings 7b the second cavity 6b can be closed, with a second holraum 4b results, in which the second pressure p2 is present.

Claims (14)

Mikrotechnisches System (1), umfassend ein Substrat (2) und eine Verkappung (3), wobei das Substrat (2) und die Verkappung (3) mindestens einen ersten (4a) und einen zweiten (4b) Hohlraum ausbilden, wobei in dem ersten (4a) und zweiten (4b) Hohlraum unterschiedliche Drücke (p1, p2) vorliegen.Microtechnical system ( 1 ) comprising a substrate ( 2 ) and a capping ( 3 ), the substrate ( 2 ) and the capping ( 3 ) at least one first ( 4a ) and a second ( 4b ) Cavity, wherein in the first ( 4a ) and second ( 4b ) Cavity different pressures (p1, p2) are present. Mikrotechnisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im ersten (4a) und zweiten (4b) Hohlraum jeweils mindestens ein mikrotechnisches Funktionselement (5a, 5b) angeordnet ist.Microtechnical system according to claim 1, characterized in that in the first ( 4a ) and second ( 4b ) Cavity in each case at least one microtechnical functional element ( 5a . 5b ) is arranged. Mikrotechnisches System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass im ersten Hohlraum (4a) ein Drehratensensor (5a) und/oder im zweiten Hohlraum (4b) ein Beschleunigungssensor (5b) angeordnet ist.Microtechnical system according to claim 1 or 2, characterized in that in the first cavity ( 4a ) a rotation rate sensor ( 5a ) and / or in the second cavity ( 4b ) an acceleration sensor ( 5b ) is arranged. Mikrotechnisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Druck (p1) in dem ersten Hohlraum (4a) geringer ist als der Druck (p2) in dem zweiten Hohlraum (4b) ist.Microtechnical system according to one of claims 1 to 3, characterized in that the pressure (p1) in the first cavity ( 4a ) is less than the pressure (p2) in the second cavity ( 4b ). Mikrotechnisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Druck (p1) in dem ersten Hohlraum (4a) in einem Bereich von ≥ 0,01 mbar bis ≤ 300 mbar und/oder der Druck (p2) in dem zweiten Hohlraum (4b) in einem Bereich von > 70 mbar bis ≤ 900 mbar liegt.Microtechnical system according to one of claims 1 to 4, characterized in that the pressure (p1) in the first cavity ( 4a ) in a range from ≥ 0.01 mbar to ≤ 300 mbar and / or the pressure (p2) in the second cavity ( 4b ) is in a range of> 70 mbar to ≤ 900 mbar. Verfahren zur Herstellung eines mikrotechnischen Systems (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, in dem – ein Substrat (2) bereitgestellt wird, welches mindestens eine erste (6a) und eine zweite (6b) Kavität aufweist, wobei die erste (6a) und zweite (6b) Kavität jeweils mindestens eine Zugangsöffnung (7a, 7b) aufweisen, – bei einem ersten Druck (p1) die Zugangsöffnung/en (7a) der ersten Kavität (6a) mit einer Verkappung (3) verschlossen werden, – bei einem zweiten Druck (p2) die Zugangsöffnungen (7b) der zweiten Kavität (6b) mit einer Verkappung (3) verschlossen werden.Method for producing a microtechnical system ( 1 ) according to one of claims 1 to 5, in which - a substrate ( 2 ), which comprises at least a first ( 6a ) and a second ( 6b ) Cavity, wherein the first ( 6a ) and second ( 6b ) Cavity at least one access opening ( 7a . 7b ), at a first pressure (p1) the access opening (s) ( 7a ) of the first cavity ( 6a ) with a capping ( 3 ), at a second pressure (p2) the access openings ( 7b ) of the second cavity ( 6b ) with a Verkap pung ( 3 ) are closed. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Zugangsöffnungen (7a, 7b) der ersten (6a) und zweiten (6b) Kavität auf der gleichen Seite des Substrats (2) angeordnet sind.Method according to claim 6, characterized in that the access openings ( 7a . 7b ) the first ( 6a ) and second ( 6b ) Cavity on the same side of the substrate ( 2 ) are arranged. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zugangsöffnungen (7a) der ersten Kavität (6a) kleiner als die Zugangsöffnungen (7b) der zweiten Kavität (6b) ausgestaltet sind.Method according to claim 6 or 7, characterized in that the access openings ( 7a ) of the first cavity ( 6a ) smaller than the access openings ( 7b ) of the second cavity ( 6b ) are configured. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass in der ersten (6a) und zweiten (6b) Kavität jeweils mindestens ein mikrotechnisches Funktionselement (5a, 5b) bereitgestellt wird.Method according to one of claims 6 to 8, characterized in that in the first ( 6a ) and second ( 6b ) Cavity in each case at least one microtechnical functional element ( 5a . 5b ) provided. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Verkappung (3) in Form einer Schicht ausgebildet wird.Method according to one of claims 6 to 9, characterized in that the capping ( 3 ) is formed in the form of a layer. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Verkappung (3) mittels eines Gasabscheidungsverfahrens ausgebildet wird.Method according to one of claims 6 to 10, characterized in that the capping ( 3 ) is formed by a gas deposition method. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2), die Kavitäten (6a, 6b) des Substrats (2) und die mikrotechnischen Funktionselemente (5a, 5b) durch ein Verfahren bereit gestellt werden, welches die Verfahrensschritte: a) Abscheiden von mindestens einer strukturierten Opfermaterialschicht zur Ausbildung der Kavitäten (6a, 6b) in Verfahrensschritt b) und von mindestens einer strukturierten Substrat/Funktionsschicht zur Ausbildung der Substratwandungen und der mikrotechnischen Funktionselemente (5a, 5b) in Verfahrensschritt b), auf einem Wafer, und b) Entfernen des Opfermaterials durch ein Ätzverfahren, umfasst.Method according to one of claims 6 to 11, characterized in that the substrate ( 2 ), the cavities ( 6a . 6b ) of the substrate ( 2 ) and the microtechnical functional elements ( 5a . 5b ) are provided by a method which comprises the steps of: a) depositing at least one structured sacrificial material layer to form the cavities ( 6a . 6b ) in method step b) and of at least one structured substrate / functional layer for forming the substrate walls and the micromechanical functional elements ( 5a . 5b ) in process step b), on a wafer, and b) removing the sacrificial material by an etching process. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Druck (p1) niedriger als der zweite Druck (p2) ist.Method according to one of claims 6 to 12, characterized the first pressure (p1) is lower than the second pressure (p2). Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Druck (p1, p2) durch Einleiten oder Entfernen eines Gases verändert wird.Method according to one of claims 7 to 13, characterized that the pressure (p1, p2) by introducing or removing a gas changed becomes.
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