DE102008062516A1 - Leiterplatte mit aufgewachsener Metallschicht in einer biegbaren Zone - Google Patents

Leiterplatte mit aufgewachsener Metallschicht in einer biegbaren Zone Download PDF

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Abstract

Eine Leiterplatte (100) enthält einen ersten Teil (113a), einen zweiten Teil (113b) und eine Vertiefung (112) in der Leiterplatte (100), welche zwischen dem ersten Teil (113a) und dem zweiten Teil (113b) angeordnet ist und eine Dicke der Leiterplatte (100) im Bereich der Vertiefung (112) reduziert, wobei aufgrund der Vertiefung (112) der erste Teil (113a) relativ zu dem zweiten Teil (113b) schwenkbar ist. Durch eine auf einem Oberflächenabschnitt (118) der Leiterplatte (100) in der Vertiefung (112) durch Aufwachsen aufgebrachte Metallschicht (116) wird die Biegbarkeit der Leiterplatte (100) im Bereich der Vertiefung (112) verbessert. Ferner können durch die Metallschicht (116) auf einer Seitenwand der Vertiefung EMV-Probleme verringert werden und elektrische Kontakte zu Leiterbahn-Metallisierungsschichten (116a, 116b, 116c, 116d) hergestellt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Leiterplatte und ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Aus der DE 10 2005 102 404 B4 ist eine Leiterplatte bekannt, welche einen ersten, einen zweiten und einen dritten Starrbereich und einen ersten und einen zweiten Flexbereich aufweist. Die Starrbereiche sind senkrecht zu den Seiten der Leiterplatte dünner als die Starrbereiche ausgebildet, wobei die Flexbereiche durch Tiefenfräsen der Leiterplatte gebildet sind. Der Flexbereich umfasst eine Schicht für Leiterbahnen, eine Schutzschicht über der Schicht für Leiterbahnen und eine Restschicht aus Leiterplattenmaterial auf einer der Schutzschicht entgegengesetzten Seite der Schicht für Leiterbahnen.
  • Durch das üblicherweise verwendete Leiterplattenmaterial ist die Biegbarkeit des Flexbereiches beschränkt.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Leiterplatte und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitzustellen, wobei die Leiterplatte verbesserte Charakteristiken aufweist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch die Gegenstände der unabhängigen Patentansprüche. Vorteilhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird eine Leiterplatte geliefert, welche einen ersten Teil, einen zweiten Teil und eine Vertiefung aufweist, wobei die Vertiefung zwischen dem ersten Teil und dem zweiten Teil angeordnet ist und eine Dicke der Leiterplatte im Bereich der Vertiefung reduziert, und wobei aufgrund der Vertiefung der erste Teil relativ zu dem zweiten Teil schwenkbar ist. Auf einem Oberflächenabschnitt der Leiterplatte in der Vertiefung ist eine aufgewachsene Metallschicht angeordnet. Der so definierte erste und zweite Teil werden auch als Starrbereiche bezeichnet, während der Bereich der Vertiefung auch als Flexbereich bezeichnet wird.
  • Gemäß dem ersten Aspekt wird die Metallschicht durch Aufwachsen auf den Oberflächenabschnitt der Leiterplatte in der Vertiefung aufgebracht. Das Aufwachsen kann hierbei durch jedes geeigenete Verfahren erfolgen, z. B. durch Aufwachsen aus einer Lösung, beispielsweise stromloses oder elektrisches Galvanisieren, chemisches Abscheiden, Bedampfen, Kathodenzerstäuben (Sputtern), etc. Es versteht sich, dass die Metallschicht zusätzlich zu dem genannten Oberflächenabschnitt auch auf Bereiche außerhalb der Vertiefung aufgewachsen werden kann. Gemäß einer Ausführungsform zum Abscheiden der Metallschicht wird die gesamte Leiterplatte in eine entsprechende Lösung getaucht, wodurch, je nach Verfahren, auf der gesamten Oberfläche der Leiterplatte oder auf elektrisch vorgespannten Oberflächenabschnitten der Leiterplatte die Metallschicht abgeschieden wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der hierin offenbarten Gegenstände weist die Leiterplatte mindestens ein Kontaktloch in der Leiterplatte auf, z. B. in dem ersten oder dem zweiten Teil. In dem Kontaktloch ist eine Metallschicht angeordnet, wobei die Metallschicht in dem mindestens einen Kontaktloch und die Metallschicht auf dem Oberflächenabschnitt in der Vertiefung aus demselben Material gebildet sind.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein Kontaktloch in mindestens einem der beiden Teile der Leiterplatte gebildet. Beispielsweise kann die Leiterplatte mindestens zwei elektrische Leiter aufweisen, welche in einer Richtung senkrecht zu einer Plattenebene des betreffenden Teils mit Abstand voneinander angeordnet sind, wobei die Metallschicht in dem mindestens einen Kontaktloch die mindestens zwei elektrischen Leiter elektrisch leitend verbindet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Leiterplatte eine Isolationsschicht aus einem elektrisch isolierenden Material auf. Beispielsweise kann die Isolationsschicht aus FR4-Material gebildet sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform erstreckt sich die Vertiefung in die Isolationsschicht hinein und isolierendes Material der Isolationsschicht erstreckt sich unter der Vertiefung zwischen dem ersten Teil und dem zweiten Teil. Mit anderen Worten erstreckt sich die Vertiefung nicht vollständig durch die Isolationsschicht hindurch, sondern nur bis in eine bestimmte Tiefe in die Isolationsschicht hinein. Das isolierende Material unter der Vertiefung kann gemäß einer Ausführungsform mindestens einen Teil des Oberflächenabschnitts in der Vertiefung bilden, auf welchem die Metallschicht aufgewachsen ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform bedeckt die Metallschicht einen Boden der Vertiefung. Ferner kann die Metallschicht auch einen Teil oder die Gesamtheit der Seitenwände der Vertiefung bedecken.
  • Durch die auf dem Boden der Vertiefung aufgewachsene Metallschicht wird die Biegbarkeit der Leiterplatte in dem Bereich der Vertiefung, d. h. in dem Flexbereich, verbessert wird. Dies ist möglicherweise auf eine gute Abdeckung von Rissen und Brüchen durch die Metallschicht zurückzuführen. Ferner wird offenbar ein Brechen von Fasern in der bzw. nahe der Oberfläche der Leiterplatte verringert.
  • Ferner können durch Aufwachsen der Metallschicht auf einem Oberflächenabschnitt einer Seitenwand der Vertiefung Probleme der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV-Probleme) reduziert werden bzw. die EMV verbessert werden. Ferner können durch Aufwachsen der Metallschicht auf einem Oberflächenabschnitt einer Seitenwand elektrische Kontakte zu Leiterbahn-Metallisierungschichten hergestellt werden.
  • Die Metallschicht ist in einer Ausführungsform aus Kupfer gebildet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform enthält die Metallschicht Kupfer.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist über der Metallschicht eine Deckschicht zum Abdecken der Metallschicht angeordnet.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte bereitgestellt, welches enthält: (i) Erzeugen einer Vertiefung in einer Leiterplatte und dadurch definieren eines ersten Teils und eines zweiten Teils der Leiterplatte, wobei aufgrund der Vertiefung der erste Teil relativ zu dem zweiten Teil schwenkbar ist, und (ii) Aufwachsen einer Metallschicht in der Vertiefung.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens kann eine Ausgangsleiterplatte, in welcher die Vertiefung erzeugt wird, bereits eine Vorstufe der Vertiefung, z. B. eine Vorfräsung aufweisen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann in der Vorfräsung ein Leiterplattenelement, beispielsweise eine Leiterbahn-Metallisierungschicht angeordnet sein, welche dann durch Schritt (i), d. h. durch das Erzeugen der Vertiefung im Bereich der Vertiefung entfernt wird.
  • Eine Ausführungsform des Verfahrens gemäß dem zweiten Aspekt umfasst ferner ein Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht auf den Oberflächenabschnitt in der Vertiefung, wobei das Aufwachsen der Metallschicht ein Galvanisieren der elektrisch leitenden Schicht umfasst.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens gemäß dem zweiten Aspekt weist die Leiterplatte vor dem Aufwachsen der Metallschicht auf mindestens einem von dem ersten Teil und dem zweiten Teil eine äußere Leiterbahn-Metallisierungsschicht auf. Die Leiterbahn-Metallisierungsschicht kann beispielsweise eine auf einer Isolationsschicht der Leiterplatte aufgebrachte Folie sein. Die Leiterbahn-Metallisierungsschicht kann vor dem Aufwachsen der Metallschicht in der Vertiefung bereits strukturiert sein. Alternativ kann die Leiterbahn-Metallisierungsschicht bei dem Aufwachsen der Metallschicht in der Vertiefung unstrukturiert sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Leiterplatte die äußere Leiterbahn-Metallisierungsschicht bereits vor dem Erzeugen der Vertiefung auf.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Leiterbahn-Metallisierungsschicht auf einer ersten Seite der Leiterplatte angeordnet ist und die Vertiefung ebenfalls auf der ersten Seite der Leiterplatte angeordnet ist, d. h. die Leiterbahn- Metallisierungsschicht und die Vertiefung sind auf der selben Seite der Leiterplatte angeordnet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform enthält das Verfahren das Erzeugen mindestens eines Kontaktloches in der Leiterplatte, wobei das Aufbringen der Metallschicht in die Vertiefung und in das mindestens eine Kontaktloch gleichzeitig durch die derselbe Prozesssequenz erfolgt. Das Aufbringen der Metallschicht kann hierbei aus einem einzigen Prozessschritt bestehen, oder kann aus mehreren Schritten bestehen, beispielsweise wie oben erläutert in dem Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht welche anschließend galvanisiert wird. Zusätzlich oder alternativ kann die Prozesssequenz z. B. das Aufbringen von Haftvermittlungsschichten, Keimschichten, etc. umfassen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die Vertiefung in der Leiterplatte durch mechanische Bearbeitung, z. B. durch Fräsen, Schleifen, etc erzeugt.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden beispielhaften Beschreibung derzeit bevorzugter Ausführungsformen. Die einzelnen Figuren der Zeichnungen dieser Anmeldung sind lediglich als schematisch und als nicht maßstabsgetreu anzusehen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt eine Schnittansicht einer Leiterplatte in einem ersten Herstellungsstadium.
  • 2 zeigt eine Schnittansicht der Leiterplatte aus 1 in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungs stadium gemäß anschaulichen Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • 3 zeigt die Leiterplatte aus 2 in einem ersten Biegezustand.
  • 4 zeigt die Leiterplatte aus 2 in einem zweiten Biegezustand.
  • 5 zeigt eine Schnittansicht einer Leiterplatte gemäß anschaulichen Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • Detaillierte Beschreibung
  • In den Zeichnungen sind gleiche, funktionsgleiche oder einander entsprechende Komponenten und Merkmale mit den gleichen Bezugszeichen versehen, oder mit Bezugszeichen, die sich voneinander in ihrer ersten Ziffer oder einen angehängten Buchstaben unterscheiden, und werden nicht mehr im Detail erläutert.
  • 1 zeigt eine Schnittdarstellung einer Leiterplatte 100 in einem ersten Herstellungsstadium gemäß anschaulichen Ausführungsformen der hierein offenbarten Gegenstände. Die Leiterplatte 100 weist hierein eine Isolationsschicht 102 aus einem elektrisch isolierenden Material auf. Ein typisches Material für das elektrisch isolierende Material ist ein Verbund aus Fasern und einem Bindemittel wie beispielsweise Harz, beispielsweise Glasfasern und Harz, wie FR4. Gemäß einer in 1 dargestellten Ausführungsform ist die Isolationsschicht 102 als Leiterplattenkern ausgebildet. Auf einer Oberseite 104 der Leiterplatte 100 ist auf der Isolationsschicht 102 eine innere obere Leiterbahn-Metallisierungsschicht 106a, hierauf eine obere Isolationsschicht 108a und hierauf wiederum eine äußere obere Leiterbahn-Metallisierungsschicht 106b angeordnet. Gemäß einer Ausführungsform sind die Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106a, 106b aus Metallfolien, beispielsweise Kupferfolien, gebildet, wie in 1 dargestellt. Die obere Isolationsschicht 108a zwischen den oberen Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106a und 106b ist gemäß einer Ausführungsform eine Prepreg-(engl. preimpregnated fiber)Schicht. Eine Unterseite 110 der Leiterplatte 100 ist analog zu der Oberseite 104 aufgebaut und umfasst auf der Isolationsschicht 102 eine innere untere Leiterbahn-Metallisierungsschicht 106c, hierauf eine untere Isolationsschicht 108b und hierauf wiederum eine äußere untere Leiterbahn-Metallisierungsschicht 106d. Die Bezeichnungen „oben” und „unten” dienen hier lediglich der Erläuterung im Hinblick auf 1 und sind in keinerlei Hinsicht als beschränkend auszulegen.
  • Gemäß einer Ausführungsform bildet die Leiterplatte 100 in dem ersten Herstellungsstadium, wie es in 1 dargestellt ist, die Grundlage für weitere Herstellungsschritte gemäß den hierin offenbarten Gegenständen.
  • 2 zeigt eine Schnittdarstellung der Leiterplatte 100 in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungsstadium gemäß anschaulicher Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. In dem in 2 dargestellten Herstellungsstadium ist eine Vertiefung 112 in der Leiterplatte 100 gebildet, beispielsweise durch an sich bekanntes Tiefenfräsen.
  • Die Vertiefung 112 definiert zwei Teile der Leiterplatte, ein erstes Teil 113a und ein zweites Teil 113b zu beiden Seiten der Vertiefung. Durch die Vertiefung 112 wird die Dicke der Leiterplatte 100 auf einen Wert d reduziert, wodurch im Bereich der Vertiefung 112 ein Flexbereich der Leiterplatte 100 gebildet wird, so dass das erste Teil 113a relativ zu dem zweiten Teil 113b schwenkbar ist. Es versteht sich, dass die Leiterplatte gemäß anderen Ausführungsformen zwei oder mehr Vertiefungen und damit zwei oder mehr Flexbereiche aufweisen kann. Auf diese Weise lassen sich nahezu beliebige und sehr komplexe Geometrien mit der Leiterplatte realisieren.
  • In der in 2 dargestellten Leiterplatte 100 wurden ferner Kontaktlöcher 114a, 114b gebildet. Gemäß einer Ausführungsform ist ein (erstes) Kontaktloch 114a als ein Sackloch ausgebildet, welches die Leiterplatte 100 nicht vollständig durchdringt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein (zweites) Kontaktloch 114b als Durchgangsloch ausgebildet. Gemäß einer in 2 dargestellten Ausführungsform weist die Leiterplatte zwei elektrische Leiter, nämlich die oberen Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106a und 106b auf, welche in einer Richtung senkrecht zu einer Plattenebene des betreffenden ersten Teils 113a mit Abstand voneinander angeordnet sind.
  • Gemäß einer weiteren in 2 dargestellten Ausführungsform weist die Leiterplatte vier elektrische Leiter, nämlich die oberen und unteren Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106a, 106b, 106c, 106d auf, welche in einer Richtung senkrecht zu einer Plattenebene des betreffenden ersten Teils 113b mit Abstand voneinander angeordnet sind.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist in 2 ferner eine Metallschicht 116 in dem Sack-Kontaktloch 114a gebildet, wobei die Metallschicht die zwei elektrischen Leiter 106a, 106b elektrisch leitend verbindet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Metallschicht, vorliegend in 2 die Metallschicht 116, in dem Durchgangsloch 114b gebildet, wobei die Metallschicht 116 die an das Durchgangsloch angrenzenden elektrischen Leiter 106a, 106b, 106c, 106d elektrisch leitend miteinander verbindet. Gemäß anderer Ausführungsformen sind nicht alle elektrischen Leiter 106a, 106b, 106c, 106d in dem Durchgangsloch 114b elektrisch miteinander verbunden. Zum Beispiel können innenliegende Leiterbahnen, die mit der Metallschicht 116 nicht elektrisch verbunden werden sollen, gemäß einer Ausführungsform so strukturiert sein, dass sie an der Oberfläche der Bohrung 114a, 114b bzw. der Vertiefung 112 nicht freiliegen, sondern „vergraben” sind. Alternative könnten solche Leiterbahnen vor dem Aufwachsen der Metallschicht selektiv mit einem isolierenden Material bedeckt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der die Vertiefung 112 bildende Oberflächenabschnitt 118 mit einer Metallschicht bedeckt durch Aufwachsen der Metallschicht auf dem Oberflächenabschnitt 118. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist die Metallschicht 116 auf dem Oberflächenabschnitt in der Vertiefung 112 dieselbe Metallschicht 116, welche auch in den Kontaktlöchern 114a, 114b zum elektrischen Kontaktieren der betreffenden elektrischen Leiter 106a, 106b, 106c, 106d gebildet ist, d. h. die Metallschicht 116 in den Kontaktlöchern und die Metallschicht 116 in der Vertiefung 112 wird mit der selben Prozesssequenz erzeugt. Die Dicke der Metallschicht in der Vertiefung kann beispielsweise einen Wert zwischen 10 Mikrometer (μm) und 80 Mikrometer oder gemäß einer anderen Ausführungsform einen Wert zwischen 25 Mikrometer und 50 Mik rometer annehmen. Je nach Aufwachsverfahren kann die Schichtdicke in dem Kontaktloch geringer sein als in der Vertiefung.
  • Gemäß einer in 2 dargestellten Ausführungsform bedeckt die Metallschicht 116 auch die der Vertiefung abgewandte Seite 110 der Leiterplatte 100, vorliegend die äußere Leiterbahn-Metallisierungsschicht 106d. Dies kann beispielsweise bei einem stromlosen Galvanisieren auftreten, wenn die Leiterplatte 100 vollständig in die Galvanisierungslösung eingetaucht wird. Gemäß einer anderen Ausführungsform werden Oberflächenabschnitte der Leiterplatte 100, mindestens der Oberflächenabschnitt 118 in der Vertiefung 112, selektiv mit der Metallschicht 116 beschichtet, beispielsweise durch Elektroplattieren.
  • Gemäß einer Ausführungsform erstreckt sich die Vertiefung 112 in eine Isolationsschicht, vorliegend die Isolationsschicht 102, hinein, wobei Isolationsmaterial der Isolationsschicht 102 in einem Bereich 120 unter der Vertiefung 112 verbleibt. Dies hat den Vorteil, dass die innere untere Leiterbahn 106c ohne weitere Maßnahmen gegen die Metallschicht 116 isoliert ist.
  • 3 zeigt einen Teil (ohne Kontaktlöcher 114a, 114b) der Schnittansicht der Leiterplatte 100 aus 2 in einem gebogenen Zustand, in welchem das erste Teil 113a relativ zu dem zweiten Teil 113b in eine erste Schwenkposition verschwenkt ist, wobei die Oberseiten 104 der beiden Teile 113a, 113b zueinander hin geschwenkt sind. Gemäß einer in 3 dargestellten Ausführungsform ist ein Boden 115 der Vertiefung 112 konkav biegbar bzw. gebogen.
  • 4 zeigt einen Teil (ohne Kontaktlöcher 114a, 114b) der Schnittansicht die Leiterplatte 100 aus 2 in einem gebo genen Zustand, in welchem das erste Teil 113a relativ zu dem zweiten Teil 113b in eine zweite Schwenkposition verschwenkt ist, wobei die Unterseiten 110 der beiden Teile 113a, 113b zueinander hin geschwenkt sind. Gemäß einer in 4 dargestellten Ausführungsform ist der Boden 115 der Vertiefung 112 konvex biegbar bzw. gebogen.
  • Gemäß einer Ausführungsform liegen die Leiterbahn-Metallisierungsschichten auf einer Außenseite des Biegeradius (wie in 3 dargestellt). Die Metallschicht 116 verbessert in diesem Fall überraschenderweise die Biegbarkeit. Bei entgegengesetzter Biegung (4) kann Bruchgefahr durch Aufspreizen von angefrästen Glastknotenpunkten. Diese Bruchgefahr wird durch die Metallschicht 112 in der Vertiefung beseitigt oder zumindest reduziert. Durch die Metallschicht 116 in der Vertiefung 112 kann daher auch in die andere Richtung gebogen werden, so dass die Leiterbahn-Metallisierungsschichten auf einer Innenseite des Biegeradius liegen, wie in 4 dargestellt.
  • Die Biegbarkeit des Bodens 115 der Vertiefung 112 wird somit durch die Metallschicht 116 auf dem Boden 115 verbessert. Gemäß einer Ausführungsform ist daher mindestens der Boden 115 der Vertiefung mit der Metallschicht 116 bedeckt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist mindestens ein Wandabschnitt 117 der Vertiefung, d. h. ein sich quer zu einer Plattenebene erstreckender Oberflächenabschnitt oder eine Kante der Vertiefung 112, mit der Metallschicht bedeckt. Dies hat den Vorteil eines verbesserten EMV-Schutzes. Ferner kann die Metallschicht 112 auf dem mindestens einen Wandabschnitt 117 als ein elektrischer Kontakt z. B. als eine elektrische Masseanbindung dienen. Hierzu kann eine Seitenwand der Vertiefung vollständig oder teilweise mit der Metallschicht be deckt sein. Eine vollständige Bedeckung hat den Vorteil, dass die gesamte Leiterplatte prozessiert werden kann, ohne dass die Metallschicht 116 auf dem mindestens einen Wandabschnitt 117 selektiv abgeschieden werden muss. Insbesondere in diesem Fall werden die Metallschicht in der Vertiefung und die Metallschicht in den Kontaktlöchern zusammen, d. h. mit derselben Prozessequenz erzeugt.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallschicht 116 auf einem Wandabschnitt 117 der Vertiefung 112 eine oder mehrere Leiterbahn-Metallisierungsschichten, z. B. äußere Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106b und/oder innere Leiterbahnmetallisierungsschichten 106a elektrisch kontaktieren.
  • Es versteht sich, dass die Leiterbahn-Metallisierungschichten 106a, 106b, 106c, 106d und insbesondere auch die äußeren Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106b, 106d und die evtl. darauf abgeschiedene Metallschicht 116 entsprechend der gewünschten herzustellenden elektrischen Verbindungen geeignet strukturiert sind bzw. strukturiert werden. Beispielsweise kann für eine entsprechende elektrische Beschaltung der Metallschicht 116 auf dem Wandabschnitt 117 kann die äußere obere Leiterbahn-Metallisierungsschicht 106b und die Metallschicht 116 durch an sich bekannte Strukturierungsverfahren geeignet strukturiert sein (in 2, 3 und 4 nicht dargestellt). Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallschicht (116) nicht nur im Bereich der Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106b, 106d, sondern auch in der Vertiefung (112) strukturiert sein.
  • Beispielsweise werden gemäß einer Ausführungsform eine innere Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106a, 106c strukturiert, bevor auf der inneren Leiterbahn-Metallisierungsschicht die Isolationsschicht 108a, 108b und eine folgende Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106b, 106d angeordnet werden.
  • Die äußeren Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106b, 106d werden gemäß einer Ausführungsform erst nach dem Aufbringen der Metallschicht 116, und damit zusammen mit der Metallschicht 116 strukturiert. Gemäß einer Ausführungsform werden die äußeren Leiterbahn-Metallisierungsschichten 106b, 106d strukturiert, bevor die Metallschicht 116 abgeschieden wird. Die Abscheidung, d. h. das Aufwachsen der Metallschicht 116, kann in diesem Fall beispielsweise effizient durch elektrisches Galvanisieren erfolgen, so dass die Metallschicht 116 selektiv nur auf den noch verbleibenden Abschnitten der Leiterbahn-Metallisierungsschicht und auf dem entsprechend präparierten Oberflächenabschnitt 118 der Vertiefung 112 abgeschieden wird.
  • Die übrigen in 3 und 4 aufgeführten Bezugszahlen bezeichnen dieselben Merkmale wie die entsprechenden Bezugszahlen in 2, wobei die Beschreibung dieser Merkmale hier nicht wiederholt wird.
  • In 2, 3 und 4 sind Schutzschichten wie beispielsweise Lötstopplack nicht dargestellt. Der Fachmann erkennt jedoch, dass eine oder mehrere solcher Schichten auf der Leiterplatte, insbesondere auf der Metallschicht (116), aufgebracht werden können, ohne von den Prinzipien der hierin offenbarten Gegenstände abzuweichen.
  • 5 zeigt in Schnittdarstellung einen Teil einer Leiterplatte 200 in einer Vertiefung 212, die bis auf die nachfolgend erläuterten Unterschied identisch mit der Vertiefung 112 der 2 ausgebildet ist, deren Details hier nicht wiederholt werden.
  • Während in 2 die Metallschicht durch ein geeignetes Verfahren direkt auf der Isolationsschicht 102 aufgewachsen wurde, zeigt die 5 eine Ausführungsform, in welcher zunächst eine Vorschicht 222 auf einen Oberflächenabschnitt 218 der Isolationsschicht 202 in der Vertiefung 212 aufgebracht wurde, welche das Aufwachsen der Metallschicht 216 unterstützt. Beispielsweise kann die Vorschicht 222 eine Haftvermittlungsschicht sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform, die in 5 dargestellt ist, ist die Vorschicht eine elektrisch leitende Schicht, welche ein Aufwachsen der Metallschicht 216 durch elektrisches Galvanisieren (Elektroplattieren) ermöglicht. Es versteht sich, dass bei Ausführungsformen, in welchen die Metallschicht 216 auch Kontaktlöcher bedeckt (in 5 nicht dargestellt), auch die Kontaktlöcher die Vorschicht 222 aufweisen können.
  • Die Vorschicht 222 wird abhängig von ihrer Zusammensetzung durch geeignete Verfahren aufgebracht, die den Fachleuten bekannt sind, beispielsweise durch chemisches Abscheiden.
  • Weiter im Gegensatz zu der Leiterplatte 100 in 2 weist die Leiterplatte, wie in 5 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform mindestens eine Abdeckschicht 224 über der Metallschicht 216 auf. In 5 ist die Abdeckschicht 224 nur im Bereich der Vertiefung 212 dargestellt. Es versteht sich, dass die Abdeckschicht auf der gesamten Leiterplatte aufgebracht sein kann, oder, gemäß einer anderen Ausführungsform, lediglich in Teilbereichen der Leiterplatte aufgebracht sein kann. Die Abdeckschicht 224 kann beispielsweise ausgebildet sein, um die Metallschicht 216 vor Korrosion zu schützen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Abdeckschicht jede andere geeignete Schicht, beispielsweise eine metallische oder organische Schicht sein. Insbesondere kann die Abdeckschicht 224 eine Schicht sein, die eine spezifische Funktion erfüllt, beispielsweise eine Ni/Au-Schicht, ein Lötstoplack oder OSP.
  • Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände ermöglichen durch die Metallschicht 116 in der Vertiefung 112 ein Biegen der Leiterplatte 100 in beide Richtungen, wie in 3 und 4 dargestellt oder eine Vergrößerung des Biegewinkels.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die hier beschriebenen Ausführungsformen lediglich eine beschränkte Auswahl an möglichen Ausführungsvarianten der Erfindung darstellen. So ist es möglich, die Merkmale einzelner Ausführungsformen in geeigneter Weise miteinander zu kombinieren, so dass für den Fachmann mit den hier expliziten Ausführungsvarianten eine Vielzahl von verschiedenen Ausführungsformen als offensichtlich offenbart anzusehen sind. Ferner sind die in den Zeichnungen dargestellten Merkmale lediglich beispielhaft zur Erläuterung von Prinzipien und Vorteilen der hierin offenbarten Gegenstände zu verstehen. So kann beispielsweise eine Leiterplatte mehr oder weniger Leiterbahn-Metallisierungsschichten aufweisen als in den Zeichnungen dargestellt. Ferner kann beispielsweise die Leiterplatte, in welcher die Vertiefung gebildet wird, abweichend von hierin offenbarten beispielhaften Ausführungsformen, auf jede beliebige Weise gebildet sein. Ferner sollte erwähnt werden, dass Begriffe wie „ein” oder „eines” eine Mehrzahl nicht ausschließen. Begriffe wie „enthaltend” oder „aufweisend” schließen weitere Merkmale oder Verfahrensschritte nicht aus.
  • Zusammenfassend bleibt festzustellen:
    Eine Leiterplatte enthält einen ersten Teil, einen zweiten Teil und eine Vertiefung in der Leiterplatte, welche zwischen dem ersten Teil und dem zweiten Teil angeordnet ist und eine Dicke der Leiterplatte im Bereich der Vertiefung reduziert, wobei aufgrund der Vertiefung der erste Teil relativ zu dem zweiten Teil schwenkbar ist. Durch eine auf einem Oberflächenabschnitt der Leiterplatte in der Vertiefung durch Aufwachsen aufgebrachte Metallschicht wird die Biegbarkeit der Leiterplatte im Bereich der Vertiefung verbessert. Ferner können durch die Metallschicht auf einer Seitenwand der Vertiefung EMV-Probleme verringert werden und elektrische Kontakte zu Leiterbahn-Metallisierungschichten hergestellt werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 102005102404 B4 [0002]

Claims (11)

  1. Leiterplatte (100, 200) enthaltend: – einen ersten Teil (113a); – einen zweiten Teil (113b); – eine Vertiefung (112, 212) in der Leiterplatte (100, 200), welche zwischen dem ersten Teil (113a) und dem zweiten Teil (113b) angeordnet ist und eine Dicke der Leiterplatte (100, 200) im Bereich der Vertiefung (112, 212) reduziert, wobei aufgrund der Vertiefung (112, 212) der erste Teil (113a) relativ zu dem zweiten Teil (113b) schwenkbar ist; – eine auf einem Oberflächenabschnitt (118) der Leiterplatte (110, 200) in der Vertiefung (112, 212) aufgewachsene Metallschicht (116, 216).
  2. Leiterplatte nach Anspruch 1, ferner enthaltend: – mindestens ein Kontaktloch (114a, 114b) in der Leiterplatte; – eine Metallschicht (116, 216) in dem mindestens einen Kontaktloch (114a, 114b); – wobei die Metallschicht (116, 216) in dem mindestens einen Kontaktloch (114a, 114b) und die Metallschicht (116, 216) auf dem Oberflächenabschnitt (118) in der Vertiefung (112, 212) aus demselben Material gebildet sind.
  3. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei – die Leiterplatte (100, 200) eine Isolationsschicht (102, 202) aus einem elektrisch isolierenden Material aufweist; – die Vertiefung (112, 212) sich in die Isolationsschicht (102, 202) hinein erstreckt; und – das isolierende Material der Isolationsschicht (102, 202) sich unter der Vertiefung (112, 212) zwischen dem ersten Teil (113a) und dem zweiten Teil (113b) erstreckt und mindestens einen Teil des Oberflächenabschnitts (118) in der Vertiefung (112, 212) bildet, auf welchem die Metallschicht (116, 216) aufgewachsen ist.
  4. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei Metallschicht (116, 216) einen Boden (115) der Vertiefung (112, 212) bedeckt.
  5. Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei die Metallschicht (116, 216) den Boden (115) und Seitenwände (117) der Vertiefung (112, 212) bedeckt.
  6. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Metallschicht (116, 216) aus Kupfer gebildet ist oder Kupfer enthält.
  7. Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte (100, 200), das Verfahren enthaltend: – Erzeugen einer Vertiefung (112, 212) in einer Leiterplatte (100, 200) und dadurch definieren eines ersten Teils (113a) und eines zweiten Teils (113b) der Leiterplatte (100, 200), wobei aufgrund der Vertiefung (112, 212) der erste Teil (113a) relativ zu dem zweiten Teil (113b) schwenkbar ist; – Aufwachsen einer Metallschicht (116, 216) in der Vertiefung (112, 212).
  8. Verfahren nach Anspruch 7, ferner enthaltend: – Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (222) auf den Oberflächenabschnitt (118) in der Vertiefung (112, 212); – wobei das Aufwachsen der Metallschicht (116, 216) ein Galvanisieren der elektrisch leitenden Schicht (222) umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, – wobei vor dem Aufwachsen der Metallschicht (116, 216) die Leiterplatte (100, 200) auf mindestens einem von dem ersten Teil (113a) und dem zweiten Teil (113b) eine äußere Leiterbahn-Metallisierungsschicht (106b) auf der Leiterplatte (100, 200) aufweist und – wobei die äußere Leiterbahn-Metallisierungsschicht (106b) auf einer ersten Seite (104) der Leiterplatte (100, 200) angeordnet ist und die Vertiefung (112, 212) ebenfalls auf der ersten Seite (104) der Leiterplatte (100, 200) angeordnet ist.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, ferner enthaltend: – Erzeugen mindestens eines Kontaktloches (114a, 114b) in der Leiterplatte (100, 200); – Aufbringen der Metallschicht (116, 216) in die Vertiefung und in das mindestens eine Kontaktloch (114a, 114b) in derselben Prozesssequenz.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei die Vertiefung (112, 212) in der Leiterplatte (100, 200) durch mechanische Bearbeitung erzeugt wird.
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